JP2019006629A - 単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド複合体および単結晶ダイヤモンド基板 - Google Patents

Abstract

【課題】種基板の取り扱いが容易であり、生産性が高い単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で種基板を熱処理することにより、金属膜によって種基板を侵食させて、主面に溝を形成する工程と、溝を形成した後に、主面において金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド複合体および単結晶ダイヤモンド基板に関する。特に、本発明は、切削工具、光学部品、半導体材料、放熱部品などに用いられる単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド複合体および単結晶ダイヤモンド基板に関する。

従来、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法を用いて単結晶ダイヤモンド基板が製造されている。たとえば、種基板の主面の上に単結晶ダイヤモンド層をエピタキシャル成長させることにより、種基板の主面の面方位と同じ面方位の主面を有する単結晶ダイヤモンド基板が製造される（特開平１１−１３９２号公報（特許文献１）、特開２００５−２２５７４６号公報（特許文献２）および特開２００３−２７７１８３号公報（特許文献３）参照）。

単結晶ダイヤモンド基板の主面の面方位は、単結晶ダイヤモンド基板が適用される形態に応じて適宜選択される。一般に、単結晶ダイヤモンドは、種基板の（１００）面の上に成長させやすい。そのため、（１００）面以外の面方位を主面とする単結晶ダイヤモンド基板を得るためには、種基板の（１００）面の上に単結晶ダイヤモンドを厚く成長させ、その後に所望の面方位に切断する必要がある。この場合、加工の手間がかかる。

特開２０１３−５３０５１号公報（特許文献４）には、上記の加工の手間を省くために、種基板の主面に複数の平行な線状の溝をレーザーで形成し、当該主面上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させる製造方法が開示されている。当該製造方法によれば、複数の単結晶ダイヤモンド基板をそれぞれの主面間に介在する接合層によって接合したダイヤモンド複合体が得られる。複数の単結晶ダイヤモンド基板の主面の面方位は、種基板の主面の面方位と異なる。接合層は、多結晶ダイヤモンドまたは非ダイヤモンドのカーボンで構成され、単結晶ダイヤモンド基板同士をゆるく接合している。そのため、単結晶ダイヤモンド基板同士を容易に分離することができる。

特開平１１−１３９２号公報 特開２００５−２２５７４６号公報 特開２００３−２７７１８３号公報 特開２０１３−５３０５１号公報 特開２００７−１９１３６２号公報

特許文献４に記載の製造方法では、複数の単結晶ダイヤモンド基板の間に単結晶ダイヤモンドではない接合層を形成させるために、種基板に形成する溝の幅および深さを適宜調整する必要がある。この際、溝形成後の種基板の搬送時に種基板が割れないように注意する必要があり、種基板の取り扱いが困難となる。

また、単結晶ダイヤモンドではない接合層を取り除く工程が必要となるため、生産性が低下しやすい。

以上の点に鑑み、本開示は、種基板の取り扱いが容易であり、生産性が高い単結晶ダイヤモンドの製造方法、ならびに、当該製造方法により製造される単結晶ダイヤモンド複合体および単結晶タイヤモンド基板を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で種基板を熱処理することにより、金属膜によって種基板を侵食させて、主面に溝を形成する工程と、溝を形成した後に、主面において金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。

本開示の一態様に係る単結晶ダイヤモンド複合体は、主面に溝が形成された、単結晶ダイヤモンドの種基板と、主面における溝を除く部分の上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを備える。単結晶ダイヤモンド複合体は、種基板における溝の表面に、炭素が固溶された金属膜を含む。

本開示の一態様に係る単結晶ダイヤモンド基板の表面は、一対の主面を含む。一対の主面の少なくとも一方の主面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞が観察される。第１成長縞は、少なくとも一方の主面内の第１方向に沿って配列される。少なくとも一方の主面において、第１方向の一方端側に観察される第１成長縞は直線状であり、第１方向の他方端側に観察される第１成長縞は第１方向の一方端から他方端に向いた凸状である。少なくとも一方の主面における第１方向の一方端から他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である。

本開示の別の態様に係る単結晶ダイヤモンド基板の表面は、一対の主面を含む。一対の主面の少なくとも一方の主面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞が観察される。第１成長縞は、少なくとも一方の主面内の第１方向に沿って配列される。第１方向に平行であり、かつ一対の主面に垂直な面で単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第２成長縞が観察される。第２成長縞は、断面内の第２方向に沿って配列される。断面において、第２方向の一方端側に観察される第２成長縞は直線状であり、第２方向の他方端側に観察される第２成長縞は第２方向の一方端から他方端に向いた凸状である。断面における第２方向の一方端から他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である。

上記によれば、種基板の取り扱いが容易であり、生産性が高い単結晶ダイヤモンドの製造方法、ならびに、当該製造方法により製造される単結晶ダイヤモンド複合体および単結晶タイヤモンド基板を提供することができる。

本実施形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法を模式的に示す図である。 対象面の基準面に対するオフ方向およびオフ角を示す図である。 マイクロ波プラズマ装置の一例を示す図である。 単結晶ダイヤモンドの製造方法の変形例を模式的に示す図である。 本実施形態に係る単結晶ダイヤモンド複合体の一例を示す断面図である。 本実施形態に係る単結晶ダイヤモンド基板の一例を示す斜視図である。 第１成長縞が観測される主面を示す平面図である。 第１方向に平行であり、かつ一対の主面に垂直な平面で単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面を示す図である。 種基板に金属膜を形成せずに、単結晶ダイヤモンド層を厚み０．５ｍｍ以上成長させたときの単結晶ダイヤモンド層の断面に観察される一部の成長縞を示す図である。 従来の製造方法における活性種の流れを示す図である。 本実施形態に係る製造方法における活性種の流れを示す図である。 図１１とは別の方向から見たときの活性種の流れを示す図である。 切削工具の一例を示す図である。 切削工具の先端を示す平面図である。 図１４に示すＸ−Ｘ線に沿った矢視断面図である。 単結晶ダイヤモンド基板の別の例を示す斜視図である。

[本願発明の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。なお、本明細書において「Ｍ〜Ｎ」という形式の表記は、範囲の上限下限（すなわちＭ以上Ｎ以下）を意味し、Ｍにおいて単位の記載がなく、Ｎにおいてのみ単位が記載されている場合、Ｍの単位とＮの単位とは同じである。

〔１〕本開示に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で種基板を熱処理することにより、金属膜によって種基板を侵食させて、主面に溝を形成する工程と、溝を形成した後に、主面において金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。ここで、「線状」とは、長さに比べて幅が限りなく狭い線だけでなく、その比（長さ/幅）が２以上の帯状のものも含まれる。

上記の構成によれば、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で種基板を熱処理することにより、種基板の金属膜と接する部分の炭素は、金属膜中に固溶される。金属膜中に固溶された炭素は、金属膜表面に移動し、周囲のガス中に放出される。これにより、金属膜が形成された部分の種基板が侵食され、種基板に溝が形成される。その後、金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法を用いたエピタキシャル成長により単結晶ダイヤモンド層が形成される。ここで、溝を形成する工程と単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを同じチャンバ内で実施することが可能である。そのため、種基板に対して溝を形成してから、当該種基板をチャンバ内に搬送させる必要がない。その結果、溝を形成した後の種基板の搬送時の割れを気にする必要がなく、種基板の取り扱いが容易となる。さらに、特許文献４に記載の製造方法に比べて薄い種基板を用いることができ、種基板の選択肢が広がる。また、上記の溝の深さを種基板の厚みの１／１０以下に制御することも可能である。この場合では、基板の割れの危惧が極端に小さくなり、種基板の取り扱いが容易となる。このとき、溝の形成と単結晶ダイヤモンド層の形成を必ずしも同じチャンバーで行う必要はない。

水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で前記種基板を熱処理する方法としては、水素プラズマまたは酸素原子を含むプラズマを用いることが簡便である。なお、溝を形成するガス組成と単結晶ダイヤモンド層を形成するガス組成とが一致している必要はない。また、プラズマのない場合は、雰囲気に水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で、種基板または当該ガスを加熱し、種基板に熱を供給すればよい。プラズマの有無にかかわらず、熱反応によって溝が形成されるため、種基板に供給される熱が大きいほど、溝がより形成されやすくなる。

さらに、種基板の主面に形成される溝の表面には金属膜が存在する。そのため、当該溝の上への単結晶ダイヤモンドのエピタキシャル成長が抑制される。特許文献４のようにダイヤモンドが露出している溝の場合には、溝が接合層により埋まり、当該接合層を取り除く工程が必要となる。しかしながら、上記の構成によれば、接合層が形成されにくく、接合層を取り除く工程が不要となるため、生産性を高めることができる。

以上により、種基板の取り扱いが容易であり、生産性が高い単結晶ダイヤモンドの製造方法を実現できる。

〔２〕金属膜を線状に形成する工程において、領域が矩形状となるように、金属膜を直線状または格子状に形成する。主面の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下である。主面の（００１）面に対するオフ方向を主面に投影した面内オフ方向と、領域の長辺とのなす角度は、長辺と領域の対角線とで形成される劣角以下である。これにより、種基板の主面上に単結晶ダイヤモンド層を効率よく厚く成長させることができる。上述したように、「線状」には、長さ／幅が２以上の帯状のものも含まれる。

〔３〕金属膜を線状に形成する工程において、領域が矩形状となるように、金属膜を直線状または格子状に形成する。単結晶ダイヤモンド層の厚みは、領域の短辺長よりも長い。これにより、単結晶ダイヤモンド層によって構成される基板（単結晶ダイヤモンド基板）の主面の面方位は、種基板の主面の面方位と異なる。すなわち、種基板の主面の面方位と異なる面方位の主面を有する単結晶ダイヤモンド基板を容易に製造することができる。上述したように、「線状」には、長さ／幅が２以上の帯状のものも含まれる。

〔４〕金属膜は、強磁性を示す金属を含む。金属膜は、単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させる初期の段階においても、種基板を侵食する。そのため、単結晶ダイヤモンド層と種基板との境界付近にも金属膜が回り込む。これにより、金属膜に含まれる金属が示す強磁性を利用して、単結晶ダイヤモンド層の向きを判別することができる。

〔５〕単結晶ダイヤモンド層を形成する工程において、主面上に複数の単結晶ダイヤモンド層が形成される。単結晶ダイヤモンドの製造方法は、前記複数の単結晶ダイヤモンド層を互いに分離する工程をさらに備える。分離された単結晶ダイヤモンド層によって基板（単結晶ダイヤモンド基板）を構成することができる。これにより、１つの種基板から、複数の単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる。

〔６〕本開示に係る単結晶ダイヤモンド複合体は、主面に溝が形成された、単結晶ダイヤモンドの種基板と、主面における溝を除く部分の上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを備える。単結晶ダイヤモンド複合体は、種基板における溝の表面に、炭素が固溶された金属膜を含む。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド複合体は、上記の製造方法によって得られたものである。そのため、種基板の取り扱いが容易であり、単結晶ダイヤモンド複合体の生産性が高い。

〔７〕本開示に係る単結晶ダイヤモンド基板の表面は、一対の主面を含む。一対の主面の少なくとも一方の主面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞が観察される。第１成長縞は、少なくとも一方の主面内の第１方向に沿って配列される。少なくとも一方の主面において、第１方向の一方端側に観察される第１成長縞は直線状であり、第１方向の他方端側に観察される第１成長縞は第１方向の一方端から他方端に向いた凸状である。少なくとも一方の主面における第１方向の一方端から他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の製造方法において、複数の矩形状の領域の短辺間に位置するように金属膜を形成し、単結晶ダイヤモンド層の厚みを０．５ｍｍ以上とすることによって得られる。そのため、種基板の取り扱いが容易であり、単結晶ダイヤモンド基板の生産性が高い。

切削工具の刃先は、曲面に加工されることが多い。上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板を切削工具に適用する場合、刃先の先端の曲がり方を、単結晶ダイヤモンド基板の主面における第１方向の他方端側に観察される凸状の第１成長縞に合わせることができる。これにより、単結晶ダイヤモンド基板における被削材に接触する部分の欠陥量および不純物濃度を均一にすることができる。その結果、結晶状態の微妙な違いによって被削材に筋を付けることが抑制される。さらに、切削時の単結晶ダイヤモンド基板の欠けを抑制できる。

〔８〕単結晶ダイヤモンド基板の表面は、少なくとも一方の主面における第１方向の一方端に交わる側面を含む。第１方向に平行であり、かつ一対の主面に垂直な面で単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第２成長縞が観察される。第２成長縞は、断面内の第２方向に沿って配列される。断面における第２方向の一方端は、断面と上記の側面との交線である。断面において、第２方向の一方端側に観察される第２成長縞は直線状であり、第２方向の他方端側に観察される第２成長縞は第２方向の一方端から他方端に向いた凸状である。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の製造方法において、さらに複数の矩形状の領域の長辺間に位置するように金属膜を形成することによって得られる。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板を切削工具に適用する場合、単結晶ダイヤモンド基板の主面をすくい面とし、断面における第２方向の他方端を含む側面を逃げ面として用いることができる。これにより、断面における第２方向の他方端側に観察される凸状の第２成長縞は、すくい面から逃げ面にかけての角に位置することになる。その結果、すくい面から逃げ面にかけて被削材に接触する刃先部分の欠陥量および不純物濃度を均一にすることができ、結晶状態の微妙な違いによって被削材に筋を付けることが抑制される。さらに、切削時の単結晶ダイヤモンド基板の欠けを抑制できる。

〔９〕上記の側面は、平らな矩形状である。側面の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下である。側面の（００１）面に対するオフ方向を側面に投影した面内オフ方向と側面の長辺とのなす角度は、長辺と側面の対角線とで形成される劣角以下である。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の〔２〕の製造方法によって得られる。そのため、種基板から効率よく製造される。

〔１０〕一対の主面間の距離は、第１方向の一方端から他方端に向かうにつれて短くなる。

上記の構成によれば、複数の矩形状の領域の長辺間に位置するように金属膜を形成する場合において、当該金属膜を挟んで製造される２つの単結晶ダイヤモンド基板が製造時に接合されない。これにより、単結晶ダイヤモンド基板を容易に製造することができる。

〔１１〕本開示の別の局面に係る単結晶ダイヤモンド基板の表面は、一対の主面を含む。一対の主面の少なくとも一方の主面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞が観察される。第１成長縞は、少なくとも一方の主面内の第１方向に沿って配列される。第１方向に平行であり、かつ一対の主面に垂直な面で単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第２成長縞が観察される。第２成長縞は、断面内の第２方向に沿って配列される。断面において、第２方向の一方端側に観察される第２成長縞は直線状であり、第２方向の他方端側に観察される第２成長縞は第２方向の一方端から他方端に向いた凸状である。断面における第２方向の一方端から他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の製造方法において、複数の矩形状の領域の長辺間に位置するように金属膜を形成し、単結晶ダイヤモンド層の厚みを０．５ｍｍ以上とすることによって得られる。そのため、種基板の取り扱いが容易であり、単結晶ダイヤモンド基板の生産性が高い。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板を切削工具に適用する場合、単結晶ダイヤモンド基板の主面をすくい面とし、上記の断面における第２方向の他方端を含む側面を逃げ面として用いることができる。これにより、断面における第２方向の他方端側に観察される凸状の第２成長縞は、すくい面から逃げ面にかけての角に位置することになる。その結果、すくい面から逃げ面にかけて被削材に接触する刃先部分の欠陥量および不純物濃度を均一にすることができ、結晶状態の微妙な違いによって被削材に筋を付けることが抑制される。さらに、切削時の単結晶ダイヤモンド基板の欠けを抑制できる。

〔１２〕単結晶ダイヤモンド基板の表面は、断面における第２方向の一方端を含む平らな矩形状の側面を含む。側面の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下である。側面の（００１）面に対するオフ方向を側面に投影した面内オフ方向と側面の長辺とのなす角度は、長辺と側面の対角線とで形成される劣角以下である。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の〔２〕の製造方法によって得られる。そのため、種基板から効率よく製造される。

〔１３〕一対の主面間の距離は、第２方向の一方端から他方端に向かうにつれて短くなる。

上記の構成によれば、複数の矩形状の領域の長辺間に位置するように金属膜を形成する場合において、当該金属膜を挟んで製造される２つの単結晶ダイヤモンド基板が製造時に接合されない。これにより、単結晶ダイヤモンド基板を容易に製造することができる。

〔１４〕単結晶ダイヤモンド基板は、側面の少なくとも一部分に強磁性を示す金属を含む。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の〔４〕の製造方法によって得られる。上記の構成によれば、磁石等を近づけることにより、単結晶ダイヤモンド基板の向きを容易に判別することができる。

〔１５〕少なくとも一方の主面の（１１０）面に対するオフ角は、０度以上２０度以下である。

上記の構成の単結晶ダイヤモンド基板は、上記の〔２〕および〔３〕の製造方法によって得られる。そのため、主面が（１１０）面である単結晶ダイヤモンド基板を容易に得ることができる。

[本願発明の実施形態の詳細]
以下、本発明の一実施形態（以下「本実施形態」と記す）について説明する。ただし、本実施形態はこれらに限定されるものではない。なお以下の実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わす。

〈単結晶ダイヤモンドの製造方法〉
図１は、本実施形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法を模式的に示す図である。図１に示されるように、単結晶ダイヤモンドの製造方法は、種基板３０を準備する第１工程と、種基板３０に金属膜４０を形成する第２工程と、種基板３０に溝３６を形成する第３工程と、種基板３０における金属膜４０が形成されていない複数の領域３４の上に単結晶ダイヤモンド層５０を形成する第４工程と、複数の領域３４の上に形成された単結晶ダイヤモンド層５０を互いに分離して、単結晶ダイヤモンド基板１０を得る第５工程とを含む。なお、単結晶ダイヤモンドの製造方法は、上記の第２〜第４工程を含んでいればよく、第１工程および第５工程を省略してもよい。

《第１工程》
まず、単結晶ダイヤモンドを化学気相成長法によりエピタキシャル成長させるための種基板３０を準備する。種基板３０は、単結晶ダイヤモンドによって構成される。種基板３０として、高温高圧合成法によって製造されたＩ型単結晶ダイヤモンドまたはＩＩ型単結晶ダイヤモンドを用いてもよいし、化学気相成長法によって製造された単結晶ダイヤモンドを用いてもよい。特に化学気相成長法によって製造された単結晶ダイヤモンドを種基板３０として用いた場合、種基板３０とエピタキシャル成長により得られる単結晶ダイヤモンド層５０との物性の差が小さくなるので好ましい。

種基板３０の厚みは、３０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましい。これにより、種基板３０のハンドリング時の変形または損傷を抑制できる。種基板３０の厚みの上限は特に限定されるものではないが、種基板３０の製造コストを考慮し、５００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることが好ましい。

種基板３０の主面３２上に単結晶ダイヤモンド層５０を効率よく厚く形成するために、種基板３０の主面３２は（００１）面であることが好ましい。ここで、「主面」とは、基板の表面における最も面積の大きい面である。また、単結晶ダイヤモンドにおいて、「（００１）面」は、「（１００）面」および「（０１０）面」と等価である。単結晶ダイヤモンド層５０の結晶の均質性をより高めるために、種基板３０の主面３２の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下であることが好ましい。

種基板３０の主面３２の（００１）面に対するオフ方向は、第５工程により得られる単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１の面方位に応じて設定される。

図２は、対象面Ｓ１の基準面Ｓ２に対するオフ方向ａ１およびオフ角θを示す図である。対象面Ｓ１（たとえば主面３２）の基準面Ｓ２（たとえば（００１）面）に対する「オフ方向」（図２では符号ａ１で示される）とは、当該基準面Ｓ２の法線方向ａ２（たとえば＜００１＞方向）に対する対象面Ｓ１の法線方向ｎの傾斜する方向を指す。具体的には、オフ方向ａ１は、基準面Ｓ２の法線方向ａ２から法線方向ｎを基準面Ｓ２に投影（射影）したベクトルの向きで示される。また、以下では、オフ方向ａ１を対象面Ｓ１に投影した方向を「面内オフ方向」（図２では符号ａ１１で示される）という。オフ角θは、対象面Ｓ１の法線方向ｎと基準面Ｓ２の法線方向ａ２とのなす角度であり、オフ方向ａ１と対象面Ｓ１とのなす角度である。

たとえば、第５工程において（１１０）面を主面１１とする単結晶ダイヤモンド基板１０を製造したい場合、種基板３０の主面３２の（００１）面に対するオフ方向は、＜１−１０＞方向あるいは＜−１１０＞方向に設定される。

《第２工程》
図１に戻って、第２工程は、単結晶ダイヤモンドの種基板３０の主面３２上に、炭素が固溶可能な金属膜４０を線状に形成する工程である。金属膜４０は、金属元素を含む。ここで、金属元素とは、希ガス元素、１７族元素（フッ素等）、Ｈ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｔｅ以外の全ての元素のことである。

金属膜４０は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｐｔのうちのいずれかを含むことが好ましく、強磁性を示す金属を含むことがより好ましく、たとえばＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少なくとも１つを含む。金属膜４０は、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少なくとも１つを主成分とする金属複合体であってもよい。

第２工程において、金属膜４０が形成されていない領域３４が矩形状となるように、金属膜を直線状または格子状に形成することが好ましい。図１の左側には金属膜４０を格子状に形成した場合が示され、図１の右側には金属膜４０を直線状に形成した場合が示される。種基板３０の主面３２上に金属膜４０を形成する方法として、蒸着またはスパッタリングを用いることができる。具体的には、種基板３０の主面３２上に、直線状または格子状にパターニングされたメタルマスクを配置し、蒸着またはスパッタリングを用いて金属膜４０を形成する。もしくは、種基板３０の主面３２の全体に蒸着またはスパッタリングを用いて金属膜を形成し、フォトリソグラフィまたはレーザーにより不要な部分の金属膜を除去することにより、直線状または格子状の金属膜４０を形成することができる。

領域３４を矩形状とする場合、領域３４の長辺方向は、たとえば第５工程により得られる単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１の面方位に応じて設定される。（００１）面である主面３２上に、（１１０）面を主面１１とする単結晶ダイヤモンド基板１０を製造したい場合、矩形状の領域３４の長辺方向は、種基板３０の（１１０）面に平行な方向に設定される。

さらに、種基板３０の主面３２の（００１）面に対するオフ角が１度以上１０度以下である場合、主面３２の（００１）面に対するオフ方向を主面３２に投影した面内オフ方向と、矩形状の領域３４の長辺とのなす角度は、領域３４の長辺と領域３４の対角線とのなす劣角以下であることが好ましい。

金属膜４０の幅は、０．１μｍ以上であることが好ましい。金属膜４０の幅が０．１μｍ以上であれば、第３工程において種基板３０に溝３６を安定して形成することができる。金属膜４０の幅は、５００μｍ（０．５ｍｍ）以下であることが好ましい。金属膜４０の幅が５００μｍ以下であれば、種基板３０に対する単結晶ダイヤモンド基板１０の歩留りを良くすることができる。

《第３工程》
第３工程は、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で種基板３０を熱処理することにより、金属膜４０によって種基板３０を侵食させて、主面３２に溝３６を形成する工程である。たとえば、種基板３０をマイクロ波プラズマ装置内に設置し、種基板３０の周囲に水素プラズマまたは酸素原子を含むプラズマを発生させることにより、種基板３０に熱を供給し、主面３２に溝３６を形成すればよい。もしくは、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で、種基板３０または当該ガスを加熱し、種基板３０に熱を供給してもよい。

図３は、マイクロ波プラズマ装置の一例を示す図である。図３に示されるように、マイクロ波プラズマ装置８０は、チャンバ８１と、チャンバ８１にマイクロ波を供給するためのマイクロ波電源８２と、マイクロ波電源８２とチャンバ８１とを接続する導波管８３と、導波管８３からチャンバ８１内へマイクロ波を導入するためのマイクロ波導入窓８４と、種基板３０を支持するための支持台８５と、チャンバ８１内に原料ガスを供給するガス供給管８６と、チャンバ８１からガスを排出するガス排出管８７とを有する。ガス供給管８６から水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガスが供給され、マイクロ波導入窓８４からマイクロ波が導入されることにより、種基板３０の周囲にプラズマ８８が発生する。プラズマ８８により種基板３０に熱が供給される。

金属膜４０は、上述したように炭素を固溶可能である。水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で熱処理された金属膜４０は、種基板３０の金属膜４０と接する部分の炭素を固溶する。金属膜４０に固溶した炭素は、金属膜４０の表面まで移動し、周囲のガス中に放出される。このようにして、種基板３０の主面３２における金属膜４０が形成された箇所が侵食される。一方、金属膜４０が形成されていない領域３４は、侵食されずにそのまま残る。そのため、金属膜４０が形成された箇所と形成されない箇所との間に段差が生じ、金属膜４０が形成された箇所に溝３６が形成される。種基板３０における溝３６の表面には、炭素が固溶された金属膜４０が存在する。

《第４工程》
第４工程は、溝３６を形成した後に、主面３２において金属膜４０が形成されていない領域３４の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層５０を形成する工程である。当該工程により、種基板３０の主面３２上に複数の単結晶ダイヤモンド層５０が形成された単結晶ダイヤモンド複合体２０が得られる。原料ガスは、たとえばメタン−水素系の混合ガスである。成長方法は、熱フィラメント法、燃焼炎法、アークジェット法等が利用可能であるが、本実施形態では、不純物の混入が少ない高品質なダイヤモンドを得るためにマイクロ波プラズマ法を用いる。

マイクロ波プラズマ法では、原料ガスとして水素およびメタンの混合ガスをメタン／水素ガス流量比６％〜２０％でチャンバ８１内に導入し、マイクロ波によってプラズマを発生させる。発生したプラズマには、炭素を含む活性種が存在する。当該活性種が領域３４上にエピタキシャルに堆積することにより、単結晶ダイヤモンド層５０が形成される。

原料ガス中におけるメタン濃度は、種基板３０の主面３２の面方位および成長パラメータ（α）に応じて適宜設定される。成長パラメータ（α）は、（００１）面の成長速度をＶ００１とし、（１１１）面の成長速度をＶ１１１としたときに、α＝３^0.5×Ｖ００１／Ｖ１１１で表される。

溝３６の表面には金属膜４０が存在するため、活性種が堆積せず、単結晶ダイヤモンドのエピタキシャル成長が抑制される。そのため、領域３４への単結晶ダイヤモンドのエピタキシャル成長のみを考慮して、エピタキシャル成長条件を設定すればよい。種基板３０の主面３２が（００１）面である場合、成長パラメータ（α）が２．８以上となるエピタキシャル成長条件を設定すればよい。

領域３４が矩形状である場合、領域３４の上に形成される単結晶ダイヤモンド層５０の厚みは、領域３４の短辺長よりも長いことが好ましい。

領域３４が矩形状であり、主面３２の（００１）面に対するオフ方向を主面３２に投影した面内オフ方向と領域３４の長辺とのなす角度が、領域３４の長辺と対角線とのなす劣角以下である場合には、次のような利点がある。すなわち、第４工程において、矩形状の領域３４において原子状ステップがなくなることが抑制され、領域３４上の単結晶ダイヤモンドの成長速度の低下が抑制される。

複数の領域３４の一部において成長速度の低下が生じた場合、当該一部の領域３４の上に形成された単結晶ダイヤモンド層５０の厚みは、周囲の領域３４の上に形成された単結晶ダイヤモンド層５０の厚みよりも薄くなる。これにより、単結晶ダイヤモンド基板の歩留まりが低下する。しかしながら、上記のように成長速度の低下が抑制されるため、複数の領域３４の全てに対して、所望の厚みを有する単結晶ダイヤモンド層５０を形成することができ、歩留まりの低下を抑制できる。

さらに、領域３４が矩形状である場合、エピタキシャル成長条件を適宜調整することにより、単結晶ダイヤモンド層５０における領域３４の短辺方向の幅を、成長が進むにつれて徐々に小さくすることが好ましい。これにより、成長が進むにつれて、隣り合う２つの単結晶ダイヤモンド層５０同士が接合することを防止することができる。たとえば、成長パラメータが２．８以上のエピタキシャル成長条件を選択することで、すなわち、メタン濃度を８％以上に高くすることで、あるいは種基板３０の温度を９５０℃より低くすることで、単結晶ダイヤモンド層５０における矩形状の領域３４の短辺方向の幅を徐々に小さくすることができる。短辺方向の幅を徐々に小さくする場合には、幅よりも成長方向の厚みが大きくなると、電界の存在するプラズマ中では避雷針のように電界が集中することが考えられる。電界が集中すると、種基板３０上に均一に単結晶ダイヤモンド層５０が形成されなくなり、エピタキシャル成長が止まってしまう可能性がある。しかしながら、本実施の形態では、金属膜４０の幅を５００μｍ以下とすることにより、電界の集中が抑制されるため、短辺方向の幅を徐々に小さくしたとしても、当該幅よりも大きな厚みを有する単結晶ダイヤモンド層５０を成長させることができる。

《第５工程》
上述したように、第４工程において、主面３２上に複数の単結晶ダイヤモンド層５０が形成される。第５工程は、当該複数の単結晶ダイヤモンド層５０を互いに分離する工程である。これにより、単結晶ダイヤモンド基板１０が製造される。本実施形態では、図１に示されるように、種基板３０を溝３６に沿って劈開することにより、複数の単結晶ダイヤモンド層５０を互いに分離する。

第４工程において単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを矩形状の領域３４の短辺長よりも長くした場合、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１は、単結晶ダイヤモンド層５０の側面となる。そのため、種基板３０の主面３２の面方位と異なる面方位の主面１１を有する単結晶ダイヤモンド基板１０を得ることができる。たとえば、種基板３０の主面３２が（００１）面であり、矩形状の領域３４の長辺が種基板の（１１０）面に平行である場合、（１１０）面を主面１１とする単結晶ダイヤモンド基板１０を得ることができる。（１１０）面を主面とする単結晶ダイヤモンド基板を得るために種基板の（１１０）面の上に単結晶ダイヤモンドを成長させる場合、一般的にＮなどの不純物濃度を高めることができない。そのため、従来、不純物を含有するとともに（１１０）面を主面とする単結晶ダイヤモンド基板を得ることが困難であった。しかしながら、本実施形態の製造方法によれば、（００１）面の上に単結晶ダイヤモンドを成長させるため、不純物濃度を高めることができる。そのため、不純物を含有するとともに、（１１０）面を主面１１とする単結晶ダイヤモンド基板１０を容易に得ることができる。

さらに、第４工程において、単結晶ダイヤモンド層５０における矩形状の領域３４の短辺方向の幅を成長が進むにつれて徐々に小さくする場合、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１の基準面に対するオフ角を大きくすることができる。たとえば、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１の（１１０）面に対するオフ角を５〜２０度にすることができる。

なお、第５工程により得られた単結晶ダイヤモンド基板１０の表面は、必要に応じて研磨されてもよい。通常、最も面積の広い一対の主面の少なくとも一方は、研磨により平坦化される。

〈単結晶ダイヤモンドの製造方法の変形例〉
図４は、単結晶ダイヤモンドの製造方法の変形例を模式的に示す図である。図４に示されるように、第１工程において、種基板３０の主面３２に炭素イオンを注入することにより炭素イオン注入層３８を形成してもよい。この場合、第５工程において、第４工程により得られた単結晶ダイヤモンド複合体２０を純水中で電気化学的エッチングすることにより、種基板３０と単結晶ダイヤモンド層５０とを分離する。これにより、分離された単結晶ダイヤモンド層５０が単結晶ダイヤモンド基板１０となる。

なお、図４に示す製造方法の場合、炭素イオン注入層３８を形成するために、図１に示す製造方法で用いる種基板３０よりも厚い種基板３０を用いることが好ましい。

〈単結晶ダイヤモンド複合体〉
本実施形態に係る単結晶ダイヤモンド複合体２０は、上記の単結晶ダイヤモンドの製造方法における中間生成物であり、上記の第２〜４工程により製造される（図１および図４参照）。

図５は、本実施形態に係る単結晶ダイヤモンド複合体の一例を示す断面図である。図５に示されるように、単結晶ダイヤモンド複合体２０は、主面３２に溝３６が形成された、単結晶ダイヤモンドの種基板３０と、主面３２における溝３６を除く領域３４の上に形成された単結晶ダイヤモンド層５０とを備える。単結晶ダイヤモンド複合体２０は、種基板３０における溝３６の表面に、炭素が固溶された金属膜４０を含む。

溝３６の表面に金属膜４０が存在するため、溝３６の上への単結晶ダイヤモンドの成長が抑制される。これにより、領域３４への単結晶ダイヤモンド層５０の形成に適したエピタキシャル成長条件を選択することができ、生産性を高めることができる。

また、金属膜４０は、単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させる前に水素プラズマ雰囲気にさらされることにより、種基板３０中の炭素と固溶し、種基板３０に容易に溝３６を形成することができる。そして、溝３６を形成した直後に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるため、溝３６が形成された種基板３０を搬送する必要がない。その結果、種基板３０の取り扱いが容易となる。

〈単結晶ダイヤモンド基板〉
図６は、本実施形態に係る単結晶ダイヤモンド基板１０の一例を示す斜視図である。図６には、上記の製造方法において、金属膜４０を格子状に形成し、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを矩形状の領域３４の短辺長より長い０．５ｍｍ以上としたときに得られた単結晶ダイヤモンド基板１０が示される。金属膜４０を格子状に形成することは、複数の矩形状の領域３４の短辺間に金属膜４０が位置するとともに、複数の矩形状の領域３４の長辺間にも金属膜４０が位置することを意味する（図１および図４の左側参照）。

図６に示されるように、単結晶ダイヤモンド基板１０は直方体である。直方体の単結晶ダイヤモンド基板１０は、上記の第５工程の後に表面が平坦になるように研磨されることによって得られる。単結晶ダイヤモンド基板１０の表面は、一対の主面１１，１２を含む。

一対の主面１１，１２の少なくとも一方の主面（ここでは、研磨され平坦化された主面１１）に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞１７が観察される。第１成長縞１７は、少なくとも一方の主面（ここでは、主面１１）内の第１方向Ｄ１に沿って配列される。ここで、「第１方向」とは、主面１１に観察される第１成長縞１７の全てに交差し、第１成長縞１７とのなす角度が９０度に最も近い直線の方向である。第１方向Ｄ１は、単結晶ダイヤモンドの成長方向に概略対応する。

化学気相成長法により単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させる場合、単結晶ダイヤモンド中の欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方は、チャンバ８１内の雰囲気に依存する。そのため、エピタキシャル成長させる際にチャンバ８１内の雰囲気が時間とともに微妙に揺らぐと、単結晶ダイヤモンド中の欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方は、成長方向に沿って変動する。欠陥量または不純物濃度の変動は、年輪のような縞として観察される。そのため、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを矩形状の領域３４の短辺長より長くした場合、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１に、第１方向Ｄ１に沿って配列された第１成長縞１７が観察される。第１方向Ｄ１は、単結晶ダイヤモンドの成長方向を当該主面１１に投影した方向に相当する。

なお、単結晶ダイヤモンド基板１０の表面は、主面１１における第１方向Ｄ１の一方端に交わる側面１３と、主面１１における第１方向Ｄ１の他方端に交わる側面１４と、残りの側面１５，１６とを含む。単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを矩形状の領域３４の短辺長より長い０．５ｍｍ以上にしているため、側面１３から側面１４までの距離は０．５ｍｍ以上である。つまり、主面１１における第１方向Ｄ１の一方端から他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である。なお、主面１１における第１方向Ｄ１の一方端から他方端までの長さの上限値は、特に限定されるものではない。

欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化は、フォトルミネッセンス（ＰＬ）の強度、カソードルミネッセンス（ＣＬ）の強度、電子顕微鏡の２次電子強度、電子顕微鏡の反射電子強度および電子顕微鏡の吸収電流強度のいずれかの違いとして示される。そのため、第１成長縞１７は、ＰＬの強度、ＣＬの強度、電子顕微鏡の２次電子強度、電子顕微鏡の反射電子強度および電子顕微鏡の吸収電流強度のいずれかのマッピング画像において、等強度の画素群による筋として示される。マッピング画像では、隣接する画素との強度差が大きい画素が視認されやすい。そのため、マッピング画像に対して微分フィルタを用いた画像処理を行ない、微分値が極大または極小となる画素が連続する筋を第１成長縞１７として特定してもよい。

室温、ドライアイス昇華点温度近傍、液体窒素沸点温度近傍、４０Ｋ以下の低温などの条件でＰＬまたはＣＬの強度のマッピング画像を得た場合、当該マッピング画像に欠陥量や不純物濃度の変動が明確に反映される。ＰＬの励起光は６００ｎｍ以下の短波長が好ましく、５５０ｎｍ以下がより好ましく、５００ｎｍ以下がさらに好ましい。２次電子強度、反射電子強度および吸収電流強度は、走査型電子顕微鏡で室温、または室温から液体窒素沸点温度までの温度で評価できる。これらの測定手段は、単結晶ダイヤモンド基板が本実施形態の製造方法により得られたものかどうかを判別する手段として有効である。

図６に示されるように、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１において、第１方向Ｄ１の一方端側（側面１３側）に観察される第１成長縞１７は直線状であり、第１方向の他方端側（側面１４側）に観察される第１成長縞１７は第１方向の一方端から他方端に向いた凸状である。

第１成長縞１７が直線状であるか凸状であるかは、以下のようにして判定される。図７は、第１成長縞が観測される主面を示す平面図である。図７では、ｋ本の第１成長縞１７（１７−１〜１７−ｋ）が示される。判定対象となる第１成長縞１７（図では第１成長縞１７−１を判定対象としている）における、第１方向Ｄ１に垂直な方向の一方端を点ａ、他方端を点ｂとし、中点を点ｃとし、点ａと点ｂを結んだ線分の中点を点ｄとする。点ｃ，ｄから第１方向に平行な座標軸Ｘに下した垂線の足の座標をそれぞれｘｃ，ｘｄとする。なお、単結晶ダイヤモンド基板の主面における第１方向Ｄ１の一方端の座標よりも他方端の座標が大きくなるように座標軸Ｘが設定される。｜ｘｃ−ｘｄ｜≦５μｍを満たす場合、第１成長縞が直線状であると判定される。ｘｄ＜ｘｃおよび｜ｘｃ−ｘｄ｜＞５μｍを満たす場合、第１成長縞１７が第１方向Ｄ１の一方端から他方端に向いた凸状であると判定される。ｘｄ＞ｘｃおよび｜ｘｃ−ｘｄ｜＞５μｍを満たす場合、第１成長縞１７が第１方向Ｄ１の他方端から一方端に向いた凸状であると判定される。

図８は、第１方向Ｄ１に平行であり、かつ一対の主面１１，１２に垂直な平面で単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面１８を示す図である。図８に示されるように、第１方向Ｄ１に平行であり、かつ一対の主面１１，１２に垂直な平面で単結晶ダイヤモンド基板１０を切ったときの断面１８に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第２成長縞１９が観察される。第２成長縞は、断面１８内の第２方向Ｄ２に沿って配列される。ここで、「第２方向」とは、断面１８に観察される第２成長縞１９の全てに交差し、第２成長縞１９とのなす角度が９０度に最も近い直線の方向である。第２方向Ｄ２は、単結晶ダイヤモンドの成長方向に概略対応する。つまり、第２方向Ｄ２は、単結晶ダイヤモンドの成長方向を断面１８に投影した方向に相当する。断面１８における第２方向Ｄ２の一方端は、断面１８と側面１３との交線である。断面１８における第２方向の他方端は、断面１８と側面１４との交線である。

図８に示されるように、断面１８において、第２方向Ｄ２の一方端側（側面１３側）に観察される第２成長縞１９は直線状であり、第２方向Ｄ２の他方端側（側面１４側）に観察される第２成長縞１９は、第２方向Ｄ２の一方端から他方端に向いた凸状である。第２成長縞１９が直線状であるか凸状であるかは、第１成長縞１７と同様の方法により判定される。

第１成長縞１７および第２成長縞１９が上記のような形状になる理由について、以下に説明する。図９は、種基板３０に金属膜４０を形成せずに、単結晶ダイヤモンド層５０を厚み０．５ｍｍ以上成長させたときの単結晶ダイヤモンド層５０の断面に観察される一部の成長縞１１９を示す図である。図１０は、特許文献４に記載の製造方法における活性種の流れを示す図である。図１１は、本実施の形態に係る製造方法における活性種の流れを示す図である。図１２は、図１１とは別の方向から見たときの、本実施の形態に係る製造方法における活性種の流れを示す図である。図１０には、種基板３０の主面に垂直であり、かつ種基板３０の溝１３６に垂直な面で単結晶ダイヤモンド層５０を切ったときの断面が示される。図１１には、種基板３０の主面に垂直であり、かつ矩形状の領域３４の短辺に平行な面で単結晶ダイヤモンド層５０を切ったときの断面が示される。図１２には、種基板３０の主面に垂直であり、かつ矩形状の領域３４の長辺に平行な面で単結晶ダイヤモンド層５０の側面が示される。

図９に示されるように、種基板３０に金属膜４０を形成せずに厚み０．５ｍｍ以上の単結晶ダイヤモンド層５０を形成した場合、成長終了段階では、端部が中央部よりも隆起した凹状の成長縞１１９が観察される。これは、特開２００７−１９１３６２号公報（特許文献５）に記載されているように、端部の温度が中央部よりも高くなり、端部の成長が中央部の成長よりも大きくなるためである。

なお、特許文献５によれば、種基板３０の端面と支持台８５との隙間を０．５ｍｍ未満とすることにより、端部の成長速度を中央部分の成長速度よりも遅くして、凸状の成長縞が形成される。しかしながら、この現象は、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みが０．３ｍｍ以下であるときに見られる。単結晶ダイヤモンド層５０の厚みが０．３ｍｍを超えると、種基板３０の端面と支持台８５との隙間の影響が小さくなり、端部の温度が中央部よりも高くなる。そのため、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを０．５ｍｍ以上とした場合、成長終期では、端部の成長が中央部の成長よりも大きくなり、端部が中央部よりも隆起した凹状の成長縞１１９が観察される。

図１０に示されるように、特許文献４に記載の製造方法では、レーザーで溝１３６が形成された種基板３０に単結晶ダイヤモンド層５０を成長させる。このとき、溝１３６の上には、多結晶ダイヤモンドまたは非ダイヤモンドのカーボンで構成された接合層６０が形成される。そのため、炭素の活性種は、溝１３６が形成されていない箇所では単結晶ダイヤモンドの成長のために消費され、溝１３６が形成された箇所では接合層６０の形成のために消費される。その結果、隣接する単結晶ダイヤモンド層５０の断面に観察される成長縞２１９を連続させたときの形状は、図９に示される成長縞１１９と同様の形状となる。そして、各単結晶ダイヤモンド層５０の断面には直線状の成長縞２１９が観察される。

これに対し、本実施形態の製造方法では溝３６の表面に金属膜４０が存在するため、図１１および図１２に示されるように、活性種は、金属膜４０が形成された箇所には堆積せず、上方向に戻される。金属膜４０に堆積せずに上方向に戻る活性種の流れによって、種基板３０の主面に向かう活性種の流れの一部は、主面の法線方向から傾斜する。

具体的には、図１１に示されるように、複数の矩形状の領域３４の長辺間に位置する金属膜４０から戻る活性種の流れ７１は、領域３４の長辺付近に向かう活性種の流れ７２を、領域３４における短辺方向の中央部分に向けて傾斜させる。そのため、活性種は、矩形状の領域３４における短辺方向の中央付近に堆積しやすくなる。これにより、領域３４にエピタキシャル成長される単結晶ダイヤモンドは、その中央付近に近くなるほど盛り上がった形状となる。この盛り上がりの程度は、成長初期ではほとんど見られないが、成長が進むにつれて徐々に大きくなる。その結果、図８に示されるように、断面１８において、第２方向Ｄ２の一方端側に観察される第２成長縞１９は直線状となり、第２方向Ｄ２の他方端側に観察される第２成長縞１９は第２方向Ｄ２の一方端から他方端に向いた凸状となる。

同様に、図１２に示されるように、複数の矩形状の領域３４の短辺間に位置する金属膜４０から戻る活性種の流れ７３は、領域３４の短辺付近に向かう活性種の流れ７４を、領域３４における長辺方向の中央部分に向けて傾斜させる。そのため、活性種は、矩形状の領域３４における長辺方向の中央付近に堆積しやすくなる。これにより、領域３４にエピタキシャル成長される単結晶ダイヤモンドは、その中央付近に近くなるほど盛り上がった形状となる。この盛り上がりの程度は、成長初期ではほとんど見られないが、成長が進むにつれて徐々に大きくなる。その結果、図６に示されるように、主面１１において、第１方向Ｄ１の一方端側に観察される第１成長縞１７は直線状となり、第１方向Ｄ１の他方端側に観察される第１成長縞１７は第１方向Ｄ１の一方端から他方端に向いた凸状となる。

種基板３０の端面と支持台８５との隙間は、０．５ｍｍ未満となるように設置される。特許文献５に記載されているように、種基板３０の端面と支持台８５との隙間を０．５ｍｍ未満とすることにより、種基板３０の端部の成長速度を種基板の中央部分の成長速度よりも遅くすることができる。

図８に戻って、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１の面方位は、単結晶ダイヤモンド基板１０の利用方法に応じて適宜選択される。単結晶ダイヤモンド基板１０を切削工具として使用する場合、（１１０）面は、すくい面としてよく利用される。そのため、主面１１の（１１０）面に対するオフ角は、０度以上２０度以下であることが好ましい。これにより、単結晶ダイヤモンド基板１０を切削工具として利用しやすくなる。

主面１１における第１方向Ｄ１の一方端と交わる側面１３は、平らな矩形状である。側面１３の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下であることが好ましい。さらに、側面１３の（００１）面に対するオフ方向を側面１３に投影した面内オフ方向と側面１３の長辺とのなす角度は、側面１３の長辺と側面１３の対角線とで形成される劣角以下であることが好ましい。当該構成は、上記の第１工程および第２工程において、以下のようにすることにより実現される。つまり、第１工程において、主面３２の（００１）面に対するオフ角が１度以上１０度以下である種基板３０を用いる。さらに、第２工程において、種基板３０の主面３２の（００１）面に対する面内オフ方向と矩形状の領域３４の長辺とのなす角度を、領域３４の長辺と対角線とで形成される劣角以下にする。これにより、上述したように、成長速度の低下が抑制され、単結晶ダイヤモンド基板１０を製造しやすくなる。

単結晶ダイヤモンド基板１０は、側面１３の少なくとも一部に強磁性を示す金属を含むことが好ましい。当該構成は、上記の第２工程において、強磁性を示す金属を含む金属膜４０を種基板３０に形成し、上記の第５工程において、金属膜４０の一部が単結晶ダイヤモンド層５０側に含まれるように、複数の単結晶ダイヤモンド層５０を分離することで実現される。

図１に示す製造方法の場合、種基板３０を溝３６に沿って劈開することにより複数の単結晶ダイヤモンド層５０が分離される。そのため、単結晶ダイヤモンド基板１０の側面１３には、種基板３０の一部が存在する。種基板３０に形成された金属膜４０は、単結晶ダイヤモンドのエピタキシャル成長初期においても種基板３０を侵食する。そのため、単結晶ダイヤモンド基板１０は、側面１３に金属を含む。金属膜４０が強磁性を示す金属（たとえば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの少なくとも１つ）を含む場合、磁石を近づけることにより、単結晶ダイヤモンド基板１０の向きの判別が容易となる。つまり、単結晶ダイヤモンド基板１０において、成長初期に形成された部分と、成長終期に形成された部分とを判別できる。

〈単結晶ダイヤモンド基板の適用例〉
次に、単結晶ダイヤモンド基板１０が適用される切削工具の一例について説明する。図１３は、切削工具の一例を示す図である。図１４は、切削工具の先端を示す平面図である。図１５は、図１４に示すＸ−Ｘ線に沿った矢視断面図である。

図１３に示されるように、切削工具８は、ホルダ７と、ホルダ７の先端に取り付けられ、刃先形状に加工された単結晶ダイヤモンド基板１０とを備える。図１３に示す例では、回転している被削材Ｚに切削工具８を接触させることで、被削材Ｚが切削される。

図１４に示されるように、単結晶ダイヤモンド基板１０によって構成された刃先の先端は曲面に加工される。そこで、第１方向Ｄ１の他方端側に観察される凸状の第１成長縞１７に、刃先の先端の曲面を合わせる。これにより、被削材Ｚに接触するすくい面の端部を同じ条件および環境で成長させた結晶にすることができる。その結果、結晶状態の微妙な違いによって被削材に筋を付けることが抑制される切削工具を提供できる。さらに、すくい面の端部で第１成長縞１７を分離するような力がかかりにくく、単結晶ダイヤモンド基板１０の欠けを抑制することができる。

さらに、図１５に示されるように、刃先のすくい面から逃げ面にかけての曲面の曲がり方を、単結晶ダイヤモンド基板１０の断面１８における第２方向Ｄ２の他方端側に観察される凸状の第２成長縞１９の曲がり方に合わせる。これにより、すくい面から逃げ面にかけて被削材Ｚに接触する刃先部分を同じ条件および環境で成長させた結晶にすることができる。その結果、結晶状態の微妙な違いによって被削材に筋を付けることが抑制される。さらに、すくい面から逃げ面にかけて第２成長縞１９を分離するような力がかかりにくく、単結晶ダイヤモンド基板１０の欠けを抑制することができる。

〈単結晶ダイヤモンド基板の変形例〉
図１６は、単結晶ダイヤモンド基板１０の別の例を示す斜視図である。図１６に示されるように、一対の主面１１，１２間の距離は、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２の一方端から他方端に向かうにつれて短くなる。図１６に示す単結晶ダイヤモンド基板１０は、上記の製造方法において、成長が進むにつれて徐々に単結晶ダイヤモンド層５０の幅が小さくなるようにエピタキシャル成長条件を調整することにより製造される。図１６に示す単結晶ダイヤモンド基板１０では、主面１１と側面１３との角度を９０度より小さく（たとえば、７０〜８５度）することができる。

上記の説明では、金属膜４０を格子状に形成することにより製造された単結晶ダイヤモンド基板１０を説明した。直線状の金属膜４０を矩形状の領域３４の長辺に沿って形成し、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを矩形状の領域３４の短辺長よりも長い０．５ｍｍ以上とすることにより製造された単結晶ダイヤモンド基板１０では、第１成長縞１７および第２成長縞１９は、次のようになる。主面１１に観察される第１成長縞１７は、図９に示される成長縞１１９と同様の形状を有する。これは、金属膜４０が矩形状の領域３４の長辺方向に沿ってのみ形成されるためである。一方、断面１８に観察される第２成長縞１９は、図８に示される第２成長縞１９と同様の形状を有する。すなわち、断面１８において、第２方向Ｄ２の一方端側に観察される第２成長縞１９は直線状であり、第２方向Ｄ２の他方端側に観察される第２成長縞１９は第２方向Ｄ２の一方端から他方端に向いた凸状である。また、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みが０．５ｍｍ以上であるため、断面１８における第２方向Ｄ２の一方端から他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である。なお、断面１８における第２方向Ｄ２の一方端から他方端までの長さの上限値は、特に限定されるものではない。

これにより、単結晶ダイヤモンド基板１０の主面１１を刃先のすくい面として用いることにより、すくい面から逃げ面にかけての曲面の曲がり方を、断面１８における第２方向Ｄ２の他方端側に観察される凸状の第２成長縞１９の曲がり方に合わせることができる。その結果、すくい面から逃げ面にかけて被削材に接触する刃先部分を同じ条件および環境で成長させた結晶にすることができ、被削材に筋を付けることが抑制される切削工具を提供できる。さらに、単結晶ダイヤモンド基板１０の欠けを抑制することができる。

なお、直線状の金属膜４０を矩形状の領域３４の長辺に沿って形成し、単結晶ダイヤモンド層５０の厚みを０．５ｍｍ以上とする製造方法によっても、図８と同様に、単結晶ダイヤモンド基板１０の表面は、断面１８における第２方向Ｄ２の一方端を含む平らな矩形状の側面１３を含む。この場合でも、側面１３の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下であることが好ましい。さらに、側面１３の（００１）面に対するオフ方向を側面１３に投影した面内オフ方向と側面１３の長辺とのなす角度は、側面１３の長辺と側面１３の対角線とで形成される劣角以下にすることが好ましい。これにより、成長速度の低下が抑制され、単結晶ダイヤモンド基板１０を製造しやすくなる。

以下、実施例を挙げて本開示をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。試料Ｎｏ．１〜８の単結晶ダイヤモンド基板は実施例であり、試料Ｎｏ．９〜１１の単結晶ダイヤモンド基板は比較例である。

〈試料Ｎｏ．１の単結晶ダイヤモンド基板〉
（１００）面に対してオフ角３度の主面を有し、かつ６ｍｍ×６ｍｍ×０．５ｍｍのサイズを有する基板Ａを種基板として準備した。具体的には、高圧合成法により作製されたＩｂタイプ基板の主面を、表面粗さＲａが５０ｎｍ未満となるように研磨し、当該主面に炭素のイオン注入を行なった。Ｉｂタイプ基板の主面は、（１００）面に対してオフ角３度である。Ｉｂタイプ基板の主面上に化学気相成長法により単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させ、成長した単結晶ダイヤモンドをＩｂタイプ基板から電気化学的エッチングによって分離することにより、基板Ａを得た。Ｉｂタイプ基板の主面の表面粗さＲａが５０ｎｍ未満であったため、基板Ａにおける分離面の表面粗さＲａも５０ｎｍ未満であった。

次に、種基板の主面を研磨して平坦化した後に、当該主面に対して、７×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量の炭素イオンを３００ｋｅＶで注入した。

次に、種基板の主面上にＮｉを蒸着してＮｉ膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により２５μｍ幅の直線状にＮｉ膜をパターニングした。Ｎｉ膜の厚みを１μｍとし、隣り合う２つのラインの間隔（つまり、当該２つのラインの最近接のエッジ同士の間隔）を１．２ｍｍとした。また、ライン方向を種基板の＜１−１０＞方向とした。

次に、直線状のＮｉ膜が形成された種基板を化学気相成長装置のチャンバ内に設置した。その後、チャンバ内に流量８００ｓｃｃｍで水素ガス（１００％）を導入し、マイクロ波プラズマ装置を用いて水素プラズマを発生させた状態でチャンバ内の圧力を１．３３ｋＰａから１３．３ｋＰａに上昇させた。ここで、流量の単位「ｓｃｃｍ（Standard Cubic Centimeter per Minute）」は、標準状態（０℃、１０１．３ｋＰａ）における「ｍＬ／ｍｉｎ」を示している。当該環境下で種基板の温度が９８０℃に安定してから２０分間その状態を維持させた。

その後、水素ガス８００ｓｃｃｍ、メタンガス１２ｓｃｃｍ、窒素ガス１ｓｃｃｍを導入し、同じく種基板の温度が９８０℃になるようにマイクロ波パワー５ｋＷ前後に調整し、単結晶ダイヤモンドを７５時間エピタキシャル成長させた。これにより、種基板と、種基板の上に形成された複数個の厚さ１．４ｍｍの単結晶ダイヤモンド層とを備えた単結晶ダイヤモンド複合体を得た。

次に、単結晶ダイヤモンド複合体を純水中で電気化学的エッチングして、複数個の単結晶ダイヤモンド層を互いに分離した後、分離した単結晶ダイヤモンド層の側面を研磨することにより、試料Ｎｏ．１の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．２の単結晶ダイヤモンド基板〉
Ｎｉ膜のライン幅を５０μｍとした点を除いて試料Ｎｏ．１と同じ条件で試料Ｎｏ．２の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．３の単結晶ダイヤモンド基板〉
種基板の主面に炭素のイオン注入を行なわない点、および、電気化学的エッチングではなく、直線状に形成されたＮｉ膜に沿って種基板を劈開することにより、複数個の単結晶ダイヤモンド層を分離した点を除いて、試料Ｎｏ．１と同じ条件で試料Ｎｏ．３の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．４の単結晶ダイヤモンド基板〉
種基板の主面に炭素のイオン注入を行なわない点、および、電気化学的エッチングではなく、直線状に形成されたＮｉ膜に沿って劈開することにより、複数個の単結晶ダイヤモンド層を分離した点を除いて、試料Ｎｏ．２と同じ条件で試料Ｎｏ．４の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．５の単結晶ダイヤモンド基板〉
基板Ａの代わりに基板Ｂを種基板として準備した点、および、炭素のイオン注入を行なった後の種基板の主面に対する研磨を省略した点を除いて、試料Ｎｏ．１と同じ条件で試料Ｎｏ．５の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

基板Ｂは、（１００）面に対してオフ角３度の主面を有し、かつ６ｍｍ×６ｍｍ×０．１ｍｍのサイズを有する。基板Ｂは、基板Ａとサイズのみが異なるだけであり、基板Ａと同様の方法により作製される。また、基板Ｂの厚みが０．１ｍｍと基板Ａに比べて薄いため、基板Ｂに対する研磨処理を省略した。

〈試料Ｎｏ．６の単結晶ダイヤモンド基板〉
Ｎｉ膜のライン幅を５０μｍとした点を除いて試料Ｎｏ．５と同じ条件で試料Ｎｏ．６の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．７の単結晶ダイヤモンド基板〉
種基板の主面に炭素のイオン注入を行なわない点、および、電気化学的エッチングではなく、直線状に形成されたＮｉ膜に沿って劈開することにより、複数個の単結晶ダイヤモンド層を分離した点を除いて、試料Ｎｏ．５と同じ条件で試料Ｎｏ．７の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．８の単結晶ダイヤモンド基板〉
種基板の主面に炭素のイオン注入を行なわない点、および、電気化学的エッチングではなく、直線状に形成されたＮｉ膜に沿って劈開することにより、複数個の単結晶ダイヤモンド層を分離した点を除いて、試料Ｎｏ．６と同じ条件で試料Ｎｏ．８の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．９の単結晶ダイヤモンド基板〉
試料Ｎｏ．１と同様に、基板Ａを種基板とし、種基板の主面を研磨して平坦化した後に、当該主面に対して、７×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量の炭素イオンを３００ｋｅＶで注入した。

次に、種基板の主面にレーザーで、３０μｍ幅、深さ３０μｍの溝を１．２ｍｍ間隔で形成した。

その後、溝が形成された種基板を化学気相成長装置のチャンバ内に設置し、種基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長条件は、溝の上に単結晶ダイヤモンドではなく接合層が形成されるように、以下のようにした。つまり、メタンガス流量８ｓｃｃｍ，水素ガス流量９００ｓｃｃｍ，窒素ガス流量０．７ｓｃｃｍ、マイクロ波パワー６ｋＷとして、５時間成長させた。その後、メタンガス流量１０ｓｃｃｍ，水素ガス流量８００ｓｃｃｍ，窒素ガス流量１ｓｃｃｍ、マイクロ波パワー６ｋＷとして、７０時間成長させた。これにより、種基板の主面に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させ、複数個の厚さ１．６ｍｍの単結晶ダイヤモンド層を得た。このとき、溝の上にも活性種が堆積し、溝が埋まった。そのため、溝を形成した部分にレーザーを照射して、溝を形成した部分に沿って単結晶ダイヤモンド層を分離した。

次に、単結晶ダイヤモンド層が形成された種基板を純水中で電気化学的エッチングして、複数個の単結晶ダイヤモンド層を分離することにより、試料Ｎｏ．１の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。

〈試料Ｎｏ．１０の単結晶ダイヤモンド基板〉
種基板の主面にレーザーで、１００μｍ幅、深さ２２０μｍの溝を１．２ｍｍ間隔で形成した点を除いて、試料Ｎｏ．９と同じ条件で試料Ｎｏ．１０の単結晶ダイヤモンド基板を作製した。ただし、溝の幅が試料Ｎｏ．９と比較して大きいため、溝が単結晶ダイヤモンドで埋まることなく、接合層を介して互いに接合された単結晶ダイヤモンド層が成長した。接合層は、単結晶ダイヤモンドではない。そのため、大気中の熱処理によって接合層の一部を昇華させ、一部の結合が弱させることにより、レーザーを用いることなく単結晶ダイヤモンド層を分離することができた。

〈試料Ｎｏ．１１の単結晶ダイヤモンド基板〉
試料Ｎｏ．５と同様に、基板Ｂを種基板とし、種基板の主面に対して、７×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量の炭素を３００ｋｅＶでイオン注入した。

次に、種基板の主面にレーザーで、３０μｍ幅、深さ６０μｍの溝を１．２ｍｍ間隔で形成した。その後、溝が形成された種基板を搬送する際に、種基板が割れてしまった。そのため、種基板の上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができなかった。

〈評価〉
試料Ｎｏ．１〜１０の単結晶ダイヤモンド基板の主面は、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンド層における直線状のＮｉ膜または溝に沿った側面に対応する。単結晶ダイヤモンド層の側面はほぼ（１１０）面であったため、当該側面を研磨することにより、試料Ｎｏ．１〜１０の単結晶ダイヤモンド基板の主面を（１１０）面とすることができた。つまり、種基板の主面の面方位とは異なる面方位を主面とする単結晶ダイヤモンド基板を得ることができた。

表１に示されるように、試料Ｎｏ．１２を除いて、同程度のサイズの単結晶ダイヤモンド基板を得ることができた。ただし、試料Ｎｏ．９の単結晶ダイヤモンド基板については、単結晶ダイヤモンド層を成長させる際に、溝の上にも単結晶ダイヤモンドが成長してしまった。そのため、溝が形成された箇所にレーザー照射して接合した単結晶ダイヤモンド層を分離する手間がかかった。また、試料No.１０の単結晶ダイヤモンド基板については、溝の上に接合層が形成された。接合層は単結晶ダイヤモンドではないため、試料Ｎｏ．９よりも分離に手間がかからないものの、接合層を取り除く手間が必要であった。

これに対し、試料Ｎｏ．１〜８の単結晶ダイヤモンド基板の製造過程では、試料Ｎｏ.９，１０の単結晶ダイヤモンド基板の製造過程のように溝の上に単結晶ダイヤモンドまたは接合層が形成されなかった。特に、試料Ｎｏ．１，３，５，７の単結晶ダイヤモンド基板の製造過程では、Ｎｉ膜の幅が狭いにもかかわらず、溝の上に単結晶ダイヤモンドや接合層が成長することがなかった。そのため、試料Ｎｏ．９のようにレーザー照射によって単結晶ダイヤモンド層を分離する手間および試料Ｎｏ．１０のように接合層を取り除く手間がいらず、容易に単結晶ダイヤモンド基板を作製できた。このように、上記の実施形態に記載の製造方法によれば、生産性が高くなることが確認された。

試料Ｎｏ．５〜８の単結晶ダイヤモンド基板の製造過程では、厚みが０．１ｍｍの基板Ｂを種基板に用いているが、試料Ｎｏ．１１の単結晶ダイヤモンド基板の製造過程のように種基板の割れが生じることがなく、単結晶ダイヤモンド基板を作製できた。これは、Ｎｉ膜の種基板への侵食による溝形成の後、種基板を搬送することなく、単結晶ダイヤモンド層をエピタキシャル成長させることができるためである。このように、上記の実施形態に記載の製造方法によれば、種基板の取り扱いが容易となることが確認された。

次に、試料Ｎｏ．１〜１０の単結晶ダイヤモンド基板を切削バイトの形状に加工し、切削工具として切削試験を行なった。なお、単結晶ダイヤモンド基板における成長終期側の端部が刃先となるように加工した。

単結晶ダイヤモンド基板の加工時の欠け、および、１時間切削試験を行なった後の単結晶ダイヤモンド基板の欠けの有無を確認したところ、以下の表２のようになった。

表２に示されるように、試料Ｎｏ．１〜８の単結晶ダイヤモンド基板では１時間切削試験後においても欠けが見られなかった。

成長方向に平行な面で試料Ｎｏ．１〜１０の単結晶ダイヤモンド基板を切った断面におけるフォトルミネッセンス（ＰＬ）の強度のマッピング画像を確認した。試料Ｎｏ．１〜１０の単結晶ダイヤモンド基板の断面において、当該断面内の成長方向である第２方向Ｄ２に沿って配列した成長縞が観察された。試料Ｎｏ．１〜８の単結晶ダイヤモンド基板の断面では、第２方向Ｄ２の一方端側に直線状の成長縞が観察され、第２方向Ｄ２の他方端側に、第２方向Ｄ２の一方端から他方端に向いた凸状の成長縞が観察された。この凸状の成長縞により、被削材に接触する部分が同じ条件および環境で成長させた結晶となり、成長縞を分離するような力がかかりにくくなり、試料Ｎｏ．１〜１０の単結晶ダイヤモンド基板の欠けが抑制されたものと推測される。一方、試料Ｎｏ．９，１０の単結晶ダイヤモンド基板の断面では、第２方向Ｄ２の一方端側および他方端側のいずれにおいても直線状の成長縞が観成された。この直線状の成長縞により、試料Ｎｏ．１〜８の単結晶ダイヤモンド基板では、断面における凸状の成長縞により、成長縞を分離するような力がかかりやすくなり、試料Ｎｏ．９，１０の単結晶ダイヤモンド基板に欠けが生じたものと推測される。

〈付記〉
以上の説明は、以下に付記する特徴を含む。

〈付記１〉
単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、前記種基板の周囲に水素プラズマを発生させることにより、前記金属膜によって前記種基板を侵食させて、前記主面に溝を形成する工程と、前記溝を形成した後に、前記主面において前記金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。

〈付記２〉
単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、前記種基板をチャンバ内に設置し、前記種基板の周囲に水素プラズマを発生させることにより、前記金属膜によって前記種基板を侵食させて、前記主面に溝を形成する工程と、前記溝を形成した後に前記チャンバ内に原料ガスを導入し、前記主面において前記金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。

〈付記３〉
単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、前記種基板をチャンバ内に設置し、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で前記種基板を熱処理することにより、前記金属膜によって前記種基板を侵食させて、前記主面に溝を形成する工程と、前記溝を形成した後に前記チャンバ内に原料ガスを導入し、前記主面において前記金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。

以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせたり、様々に変形することも当初から予定している。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

７ ホルダ
８ 切削工具
１０ 単結晶ダイヤモンド基板
１１，１２，３２ 主面
１３，１４，１５，１６ 側面
１７ 第１成長縞
１８ 断面
１９ 第２成長縞
２０ 単結晶ダイヤモンド複合体
３０ 種基板
３４ 領域
３６，１３６ 溝
３８ 炭素イオン注入層
４０ 金属膜
５０ 単結晶ダイヤモンド層
６０ 接合層
７１，７２，７３，７４ 活性種の流れ
８０ マイクロ波プラズマ装置
８１ チャンバ
８２ マイクロ波電源
８３ 導波管
８４ マイクロ波導入窓
８５ 支持台
８６ ガス供給管
８７ ガス排出管
８８ プラズマ
１１９，２１９ 成長縞
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｓ１ 対象面
Ｓ２ 基準面
Ｚ 被削材
ａ１ オフ方向
ａ１１ 面内オフ方向
ａ２，ｎ 法線方向。

Claims (15)

1. 単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、
   水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で前記種基板を熱処理することにより、前記金属膜によって前記種基板を侵食させて、前記主面に溝を形成する工程と、
   前記溝を形成した後に、前記主面において前記金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える、単結晶ダイヤモンドの製造方法。
2. 前記金属膜を線状に形成する工程において、前記領域が矩形状となるように、前記金属膜を直線状または格子状に形成し、
   前記主面の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下であり、
   前記主面の（００１）面に対するオフ方向を前記主面に投影した面内オフ方向と、前記領域の長辺とのなす角度は、前記長辺と前記領域の対角線とのなす劣角以下である、請求項１に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
3. 前記金属膜を線状に形成する工程において、前記領域が矩形状となるように、前記金属膜を直線状または格子状に形成し、
   前記単結晶ダイヤモンド層の厚みは、前記領域の短辺長よりも長い、請求項１に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
4. 前記金属膜は、強磁性を示す金属を含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
5. 前記単結晶ダイヤモンド層を形成する工程において、前記主面上に複数の単結晶ダイヤモンド層が形成され、
   前記複数の単結晶ダイヤモンド層を互いに分離する工程をさらに備える、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
6. 主面に溝が形成された、単結晶ダイヤモンドの種基板と、
   前記主面における前記溝を除く領域の上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを備え、
   前記種基板における前記溝の表面に、炭素が固溶された金属膜を含む、単結晶ダイヤモンド複合体。
7. 単結晶ダイヤモンド基板であって、
   前記単結晶ダイヤモンド基板の表面は、一対の主面を含み、
   前記一対の主面の少なくとも一方の主面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞が観察され、
   前記第１成長縞は、前記少なくとも一方の主面内の第１方向に沿って配列され、
   前記少なくとも一方の主面において、前記第１方向の一方端側に観察される前記第１成長縞は直線状であり、前記第１方向の他方端側に観察される前記第１成長縞は前記第１方向の前記一方端から前記他方端に向いた凸状であり、
   前記少なくとも一方の主面における前記第１方向の前記一方端から前記他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である、単結晶ダイヤモンド基板。
8. 前記単結晶ダイヤモンド基板の表面は、前記少なくとも一方の主面における前記第１方向の前記一方端に交わる側面を含み、
   前記第１方向に平行であり、かつ前記一対の主面に垂直な面で前記単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第２成長縞が観察され、
   前記第２成長縞は、前記断面内の第２方向に沿って配列され、
   前記断面における前記第２方向の一方端は、前記断面と前記側面との交線であり、
   前記断面において、前記第２方向の前記一方端側に観察される前記第２成長縞は直線状であり、前記第２方向の他方端側に観察される前記第２成長縞は前記第２方向の前記一方端から前記他方端に向いた凸状である、請求項７に記載の単結晶ダイヤモンド基板。
9. 前記側面は、平らな矩形状であり、
   前記側面の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下であり、
   前記側面の（００１）面に対するオフ方向を前記側面に投影した面内オフ方向と前記側面の長辺とのなす角度は、前記長辺と前記側面の対角線とで形成される劣角以下である、請求項８に記載の単結晶ダイヤモンド基板。
10. 前記一対の主面間の距離は、前記第１方向の前記一方端から前記他方端に向かうにつれて短くなる、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド基板。
11. 単結晶ダイヤモンド基板であって、
    前記単結晶ダイヤモンド基板の表面は、一対の主面を含み、
    前記一対の主面の少なくとも一方の主面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第１成長縞が観察され、
    前記第１成長縞は、前記少なくとも一方の主面内の第１方向に沿って配列され、
    前記第１方向に平行であり、かつ前記一対の主面に垂直な面で前記単結晶ダイヤモンド基板を切ったときの断面に、欠陥量および不純物濃度の少なくとも一方の変化を示す第２成長縞が観察され、
    前記第２成長縞は、前記断面内の第２方向に沿って配列され、
    前記断面において、前記第２方向の一方端側に観察される前記第２成長縞は直線状であり、前記第２方向の他方端側に観察される前記第２成長縞は前記第２方向の前記一方端から前記他方端に向いた凸状であり、
    前記断面における前記第２方向の前記一方端から前記他方端までの長さは０．５ｍｍ以上である、単結晶ダイヤモンド基板。
12. 前記単結晶ダイヤモンド基板の表面は、前記断面における前記第２方向の前記一方端を含む平らな矩形状の側面を含み、
    前記側面の（００１）面に対するオフ角は、１度以上１０度以下であり、
    前記側面の（００１）面に対するオフ方向を前記側面に投影した面内オフ方向と前記側面の長辺とのなす角度は、前記長辺と前記側面の対角線とで形成される劣角以下である、請求項１１に記載の単結晶ダイヤモンド基板。
13. 前記一対の主面間の距離は、前記第２方向の前記一方端から前記他方端に向かうにつれて短くなる、請求項１１または請求項１２に記載の単結晶ダイヤモンド基板。
14. 前記側面の少なくとも一部分に強磁性を示す金属を含む、請求項８、請求項９および請求項１２のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド基板。
15. 前記少なくとも一方の主面の（１１０）面に対するオフ角は、０度以上２０度以下である、請求項７から請求項１４のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド基板。

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