JP2019087549A - LED package and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
【課題】 金属面が外部に露出するベース基板の外周面を絶縁膜によって被覆することで、十分な絶縁耐性が確保でき、耐久性を高めると共に取扱いも容易なLEDパッケージを提供することである。
【解決手段】 金属材料によって形成され、上面12a、側面12b及び下面12cに金属面が露出するベース基板12と、該ベース基板12の上面12aに配置され、中央部に開口部19を有するマウント基板14と、露出された前記ベース基板12の上面12aに配置される複数の発光素子15と、開口部19の外周に沿ったマウント基板14上に設けられる反射枠17と、該反射枠17で囲われた複数の発光素子15を封止する樹脂体18と、前記マウント基板14上に設けられ前記複数の発光素子15に電力を供給する内部電極22及び外部電極23と、ベース基板12の側面12b及び下面12cを被覆する絶縁膜24と、を備えた。
【選択図】 図5
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED package in which sufficient insulation resistance can be secured, durability can be enhanced and handling is easy by covering the outer peripheral surface of a base substrate exposed to the outside with an insulating film.
SOLUTION: A base substrate 12 made of a metal material and having a metal surface exposed on an upper surface 12a, a side surface 12b and a lower surface 12c, and a mount substrate disposed on the upper surface 12a of the base substrate 12 and having an opening 19 in the center. 14, a plurality of light emitting elements 15 disposed on the exposed upper surface 12 a of the base substrate 12, a reflection frame 17 provided on the mount substrate 14 along the outer periphery of the opening 19, and the reflection frame 17 And the internal electrode 22 and the external electrode 23 provided on the mount substrate 14 for supplying power to the plurality of light emitting elements 15 and the side surface 12 b of the base substrate 12. And an insulating film 24 covering the lower surface 12c.
[Selected figure] Figure 5
Description
本発明は、金属製のベース基板を用いて形成されるCOBタイプのLEDパッケージ及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a COB type LED package formed using a metal base substrate and a method of manufacturing the same.
近年、照明器具等の設計の小型化に対応して、実装用のベース基板上に複数の発光素子を配置してなるチップオンボード(COB)タイプのLEDパッケージが用いられている(特許文献1)。このCOBタイプのLEDパッケージは、熱伝導性の高いアルミニウム等によって形成されたベース基板上にアノード(正電極)及びカソード(負電極)を形成し、発光部となる領域に複数の発光素子を実装した後、この発光部全体を蛍光体が含有されたシリコーン樹脂にて封止した構造となっている。 In recent years, a chip on board (COB) type LED package has been used in which a plurality of light emitting elements are arranged on a mounting base substrate in response to the miniaturization of the design of a lighting fixture etc. (Patent Document 1) ). In this COB type LED package, an anode (positive electrode) and a cathode (negative electrode) are formed on a base substrate formed of aluminum or the like having high thermal conductivity, and a plurality of light emitting elements are mounted in a region to be a light emitting portion. After that, the entire light emitting portion is sealed with a silicone resin containing a phosphor.
このようなCOBタイプのLEDパッケージは、SMDタイプのLEDパッケージと異なり、装置の筐体やヒートシンク等の放熱部に直接取り付けることが可能となっている。このため、実装工程およびプリント基板が不要になると共に、アルミニウム等からなるベース基板上に複数の発光素子を直に実装することにより、放熱的にも優れた特性を有したものとなっている。 Unlike the SMD type LED package, such a COB type LED package can be directly attached to a heat dissipation unit such as a device casing or a heat sink. For this reason, the mounting process and the printed circuit board become unnecessary, and by directly mounting the plurality of light emitting elements on the base substrate made of aluminum or the like, it has excellent characteristics in heat dissipation.
上記従来のCOBタイプのLEDパッケージにあっては、放熱性を高めるため、金属製のベース基板の側面や裏面を露出した状態にして使用するのが一般的である。しかしながら、前記側面や裏面が放熱性と共に導電性も備えているため、過電流や雷サージが発生した場合、静電破壊に至るケースもある。このように、従来のCOBタイプのLEDパッケージにあっては、絶縁耐性が低いことから、SMDタイプのパッケージに比べて耐久性や取扱いの容易性等に問題があった。 In the above-mentioned conventional COB type LED package, it is common to use the metal base substrate with the side surface and the back surface exposed in order to enhance heat dissipation. However, since the side surface and the back surface have heat dissipation as well as conductivity, in the case of an overcurrent or a lightning surge, in some cases, electrostatic breakdown may occur. As described above, the conventional COB type LED package has problems in durability, easiness of handling, and the like as compared with the SMD type package because the insulation resistance is low.
そこで、本発明の目的は、金属面が外部に露出するベース基板の外周面を絶縁膜によって被覆することで、十分な絶縁耐性が確保でき、耐久性を高めると共に取扱いも容易なLEDパッケージ及びその製造方法を提供することである。 Therefore, it is an object of the present invention to cover an outer peripheral surface of a base substrate exposed to the outside with an insulating film so that sufficient insulation resistance can be secured, and the LED package and the durability thereof are enhanced and easy to handle. It is to provide a manufacturing method.
上記課題を解決するために、本発明のLEDパッケージは、金属材料によって形成され、上面、側面及び下面に金属面が露出するベース基板と、該ベース基板の上面に配置され、中央部に開口部を有するマウント基板と、前記開口部によって露出された前記ベース基板の上面に配置される複数の発光素子と、開口部の外周に沿ったマウント基板上に設けられる反射枠と、該反射枠で囲われた複数の発光素子を封止する樹脂体と、前記マウント基板上に設けられ前記複数の発光素子に電力を供給する内部電極及び外部電極と、少なくとも前記外部電極の近傍においてベース基板の側面を被覆する絶縁膜と、を備える。 In order to solve the above problems, the LED package of the present invention is formed of a metal material, and a base substrate having a metal surface exposed on the upper surface, side surface and lower surface, and disposed on the upper surface of the base substrate A plurality of light emitting elements disposed on the upper surface of the base substrate exposed by the opening, a reflective frame provided on the mount substrate along the outer periphery of the opening, and the reflective frame A resin body for sealing the plurality of light emitting elements, an internal electrode and an external electrode provided on the mount substrate for supplying power to the plurality of light emitting elements, and a side surface of the base substrate at least in the vicinity of the external electrode And an insulating film to be coated.
本発明のLEDパッケージの製造方法は、金属材料からなる集合ベース基板の上面に絶縁材料からなる集合マウント基板を接合し、前記集合ベース基板及び集合マウント基板をダイシングすることによって、個片化されたベース基板及びマウント基板からなるLEDパッケージを複数形成するLEDパッケージの製造方法であって、前記集合ベース基板の下面から予め設定されたマス目状のダイシングラインに沿って前記集合マウント基板に達する所定幅の溝部をハーフダイシングによって形成し、前記溝部内に絶縁材を形成したのち、溝部の幅の中心線に沿って前記集合ベース基板及び集合マウント基板をフルダイシングすることによって、個片化された前記ベース基板の側面を絶縁膜で被覆する。 In the method of manufacturing an LED package according to the present invention, a collective mount substrate made of an insulating material is bonded to the upper surface of a collective base substrate made of a metal material, and singulated by dicing the collective base substrate and the collective mount substrate. A method of manufacturing an LED package, comprising a plurality of LED packages comprising a base substrate and a mount substrate, wherein the predetermined width from the lower surface of the collective base substrate along the preset dicing dicing line to the collective mount substrate is reached. The groove portion is formed by half dicing, an insulating material is formed in the groove portion, and then the aggregate base substrate and the aggregate mount substrate are fully diced along the center line of the width of the groove portion to separate the pieces. The side surface of the base substrate is covered with an insulating film.
本発明のLEDパッケージによれば、金属面が露出するベース基板の少なくとも側面が絶縁膜で被覆されるため、LEDパッケージが実装される装置内や雷サージ等の外部からの予期しない過電流が発生した場合であっても、発光部に実装されている各発光素子の絶縁破壊を有効に防止することができる。また、前記絶縁膜によって静電気をカットすることができるので、耐久性が向上すると共に、保管や実装時における取扱いも容易となる。 According to the LED package of the present invention, at least the side surface of the base substrate from which the metal surface is exposed is covered with the insulating film, which causes an unexpected overcurrent from inside the device where the LED package is mounted or from outside such as lightning surge. Even in this case, dielectric breakdown of each light emitting element mounted in the light emitting unit can be effectively prevented. In addition, since the static electricity can be cut by the insulating film, durability can be improved and handling during storage and mounting can be facilitated.
本発明のLEDパッケージの製造方法によれば、上面に集合マウント基板が接合された集合ベース基板を用意し、集合ベース基板の下面側から前記集合マウント基板に達する溝部をハーフダイシングによって形成し、この溝部に絶縁材を形成した後に、この溝部を中心線に沿ってフルダイシングすることによって、個片化されたベース基板の側面に絶縁膜が被覆された絶縁耐性の高いCOBタイプのLEDパッケージを容易かつ大量に製造することができる。 According to the method for manufacturing an LED package of the present invention, a collective base substrate having the collective mount substrate bonded to the upper surface is prepared, and a groove portion reaching the collective mount substrate from the lower surface side of the collective base substrate is formed by half dicing. By forming the insulating material in the groove and then fully dicing the groove along the center line, it becomes easy to use a COB type LED package with high insulation resistance, in which the insulating film is coated on the side of the individualized base substrate And it can be manufactured in large quantities.
図1は、本発明の第1実施形態のLEDパッケージ11aを示したものである。このLEDパッケージ11aは、矩形状のベース基板12と、中央部に開口部19、この開口部19の外側に一対の外部電極23を有して前記ベース基板12の上面12aに配置されるマウント基板14と、前記開口部19内に形成される発光部13とによって構成されている。
FIG. 1 shows an LED package 11a according to a first embodiment of the present invention. The LED package 11 a has a
前記ベース基板12は、アルミニウムからなる金属材料を照明用途や照明規模等に応じて、十数mm〜数十mm四方の矩形状に形成され、発光部13及びマウント基板14が設けられる上面12aを除く側面12b及び下面12cが金属面となって露出している。前記側面12b及び下面12cは放熱面となるため、通常は金属面が露出した状態で使用されるが、本実施形態では、前記側面12bの一部を絶縁膜24によって被覆した。この絶縁膜24は、前記一対の外部電極23が設けられているマウント基板14の下面からベース基板12の下面12cに掛けて形成されている。このように、金属面が露出した側面12bの外部電極23に近い部分を絶縁処理することによって、外部電極23とベース基板12の下面12c間の絶縁耐性を高めることができる。また、前記絶縁膜24で被覆されていないベース基板12の側面12b及び下面12cは露出した金属面となっているので、この部分において十分な放熱性を確保することができる。前記絶縁膜24は、セラミック系の絶縁材料を含んだ塗膜層となっており、電着法や溶射法等によって形成することができる。
The
前記マウント基板14は、ガラスエポキシ樹脂製の板状部材であり、前記ベース基板12とほぼ同一サイズに形成されている。このマウント基板14の中央には、前記発光部13の形成領域となる円形の開口部19が設けられ、この開口部19を通してベース基板12の上面12aの一部が露出している。前記一対の外部電極23は、発光部13内に配置されている複数の発光素子15に外部から電力を供給するための一方がアノード端子、他方がカソード端子となる外部端子であり、金メッキ等によってマウント基板14の上面に形成されている。
The
前記発光部13は、図5に示すように、前記マウント基板14の開口部19を通して露出するベース基板12の上面12aに配置される複数の発光素子15と、開口部19の外周に沿ったマウント基板14上に形成される一対の内部電極22と、開口部19の外周に沿ったマウント基板14上に形成されるリング状の反射枠17と、この反射枠17で囲われた複数の発光素子15を封止する樹脂体18とを備えている。前記発光素子15は、発光容量に応じて数十個程度が所定の間隔で配列され、ワイヤ16を介して相互に電気的に接続されている。また。前記一対の内部電極22は、反射枠17内に封入され、マウント基板14に形成される図示しない配線パターンによって対応する前記一対の外部電極23と電気的に接続されている。
As shown in FIG. 5, the
前記樹脂体18は、各発光素子15の発光色に適合するシリコーン樹脂が使用され、反射枠17で囲われた発光素子15の実装領域を封止している。この樹脂体18は、透明な樹脂基材に所定分量の蛍光剤を含有させて成形したものであり、例えば、エポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂基材に、蛍光粒子の原料となるイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)や、色素粒子の原料となる染料等からなる蛍光剤を適量混入することによって形成することができる。
The
前記発光部13を構成する複数の発光素子15は、一般照明用として白色系の発光色を出すために、窒化ガリウム系化合物半導体からなる同一種類且つ同一サイズの青色発光素子を用いている。この青色発光素子は、サファイアガラスからなるサブストレートと、このサブストレートの上にn型半導体、p型半導体を拡散成長させた拡散層とからなっている。前記n型半導体及びp型半導体はそれぞれn型電極,p型電極を上面に備えており、ワイヤ16を介して互いに電気的に接続されている。
The plurality of
図2及び図3は第2実施形態のLEDパッケージ11bを示したものである。このLEDパッケージ11bは、四方向の側面12bの全てを絶縁膜24によって被覆した。この絶縁膜24は、前記一対の外部電極23が設けられているマウント基板14の下面からベース基板12の下面12cに掛けて形成されている。このように、金属面が露出した全ての側面12bを絶縁処理することによって、第1実施形態のLEDパッケージ11aよりも高い絶縁耐性を得ることができる。これによって、前記絶縁膜24で被覆されていないベース基板12の下面12cは露出した金属面となっているので、この部分において十分な放熱性を確保することができる。
2 and 3 show the
図4は第3実施形態のLEDパッケージ11cを示したものである。このLEDパッケージ11cは、四方向の側面12bと、下面12cの全てを絶縁膜24によって被覆した。この絶縁膜24は、前記一対の外部電極23が設けられているマウント基板14の下面からベース基板12の下面12cまでを完全に覆うように形成されている。このように、金属面が露出した側面12b及び下面12cの全てを絶縁処理することによって、第2実施形態のLEDパッケージ11bよりもさらに高い絶縁耐性を得ることができる。
FIG. 4 shows the
本実施形態では、ベース基板12が約0.70mmの厚みのアルミニウム、マウント基板14が約0.1mmの厚みのガラスエポキシ樹脂によって形成され、0.025mm程度の厚みの接着シートを介してベース基板12の上面に接合されている。このマウント基板14上に形成される外部電極23は、厚みが約0.015mmのレジスト上に金メッキによって形成されている。
In the present embodiment, the
上記LEDパッケージ11cにおける絶縁耐性は、図5に示したように、外部電極23とベース基板12の側面12bとの間(A)、内部電極22とベース基板12の上面12aとの間(B)、各発光素子15とベース基板12の上面12aとの間(C)の3か所で測定される。この3か所の絶縁耐性のレベルは(A)<(B)<(C)となっている。(A)では1.0〜1.2kV程度、(B)では3.0〜3.6kV程度、(C)では約4.5kV程度とされている。
The insulation resistance of the
本発明では、前記ベース基板12の露出した側面12b、下面12cにジルコニア(ZrO2)や窒化アルミニウム(AlN)等のセラミック系の絶縁材料からなる絶縁膜24を被覆することによって、絶縁耐性を高めるように構成されている。前記絶縁膜24は、ベース基板12の側面12bのみの場合と、側面12b及び下面12cの両方との2通りが選択可能である。前記ベース基板12の側面12bに絶縁膜24を被覆することによって、(A)外部電極23−ベース基板12の側面12b間での絶縁耐性を高めることができ、ベース基板12の下面12cに絶縁膜24を被覆することによって、(B)内部電極22−ベース基板12の上面12a間、(C)各発光素子15−ベース基板12の上面12a間の絶縁耐性を高めることが可能となる。
In the present invention, the insulation resistance is enhanced by covering the exposed
次に、上記構成のLEDパッケージ11cに対して絶縁耐圧試験を行った結果を示す。この試験では、マウント基板14上の一対の外部電極23同士を短絡させ、この一対の外部電極23とベース基板12の下面12cとの間に交流電圧を印加させることによって行った。そして、内部電極22,外部電極23とベース基板12との間で絶縁破壊が生じる交流電圧値まで変化させることによって、絶縁破壊電圧を測定した。この測定に用いた絶縁膜24の材料は、ジルコニア(ZrO2)と窒化アルミニウム(AlN)の2種類で行い、電着法によってベース基板の露出した金属面に被覆した。
Next, the result of having performed the withstand voltage test with respect to the
金属露出面に絶縁処理がされていない従来のCOBタイプのベース基板の場合、絶縁破壊電圧は約1kV程度となっている。これに対して、本願発明では、ベース基板12の側面12bに絶縁膜24を被覆した場合の絶縁破壊電圧は+0.7kV以上となり、側面12b及び下面12cの両方に絶縁膜24を被覆した場合、+2kV以上となることが確認された。このことから、少なくともベース基板12の側面12b、特に一対の外部電極23近傍範囲に絶縁膜24を被覆することによって、従来の一般的なCOBタイプのLEDパッケージに対して、より高度な絶縁耐性を得ることができる。一方、ベース基板12の下面12c側に絶縁膜を形成せずに金属面として露出させることで、この部分においては、絶縁耐性よりも放熱性を優先した設計を行うことができる。
In the case of the conventional COB type base substrate in which the metal exposed surface is not subjected to insulation processing, the dielectric breakdown voltage is about 1 kV. On the other hand, in the present invention, the dielectric breakdown voltage in the case where the
図6はベース基板12の側面12bのみを絶縁膜24によって被覆したLEDパッケージ11bを複数個一括して製造するための製造工程を示したものである。最初にLEDパッケージ11bが複数個形成可能な金属材料からなる集合ベース基板32に、この集合ベース基板32と同一平面サイズの樹脂材料からなる集合マウント基板34を接合した集合基板31を用意する(工程a)。前記集合マウント基板34には、予め複数の開口部19が設けられ、この開口部19の周囲に図示しない内部電極及び外部電極がそれぞれ形成されている。
FIG. 6 shows a manufacturing process for collectively manufacturing a plurality of
前記集合ベース基板32の下面32cを上にした状態で、個々のLEDパッケージ11bに分割するためのダイシングライン35を設定する。そして、このダイシングライン35に沿って、集合ベース基板32を集合マウント基板34に達するまでハーフダイシングする(工程b,c)。
With the
次の工程dでは、ダイシング溝36内のみに絶縁膜24を形成し、集合ベース基板32の下面32cは金属面のままの状態にしておく。そして、前記ダイシング溝36の中心線となるダイシングライン35に沿って集合ベース基板32及び集合マウント基板34をフルダイシングする(工程e)。このフルダイシングによって、複数の分割されたベース基板12の側面12bにのみに絶縁膜24が被覆された状態となる。
In the next step d, the insulating
そして、マウント基板14の開口部19に沿って設けられる反射枠17内に複数の発光素子15が載置され樹脂体によって封止された発光部13を形成することで、個々のLEDパッケージ11bが完成する(工程f)。
Then, a plurality of
図7はベース基板12の側面12bから下面12cまでを絶縁膜24によって被覆したLEDパッケージ11cを複数個一括して製造するための製造工程を示したものである。工程aから工程cまでは図6と共通であるが、工程cにおけるハーフダイシングによって形成されたダイシング溝36内及び集合ベース基板32の下面32c全体に掛けて絶縁膜24を被覆する。この被覆は、電着法又は溶射法によって行われる(工程d)。前記絶縁膜24が被覆された後、前記ダイシングライン35に沿って集合ベース基板32及び集合マウント基板34をフルダイシングする。このフルダイシングによって、複数の分割されたベース基板12の側面12b及び下面12cに絶縁膜24が被覆された状態となる(工程e)。
FIG. 7 shows a manufacturing process for collectively manufacturing a plurality of
そして、図1及び図2に示したように、マウント基板14の開口部19に沿って設けられる反射枠17内に複数の発光素子15が載置され樹脂体によって封止された発光部13を形成することで、個々のLEDパッケージ11cが完成する(工程f)。
Then, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
上記図6及び図7に示した以外の製造方法としては、以下に示す工程を適用することも可能である。最初に集合ベース基板32の下面32c側に絶縁シートを貼り付けた後、この集合ベース基板32に接合されている集合マウント基板34の上面側から前記絶縁シートごと分断するようにしてフルダイシングする。そして、このフルダイシングによって分割されたベース基板12の側面12bに絶縁膜24を電着法又は溶射法によって被覆形成することで、ベース基板12の側面12b及び前記絶縁シートが貼り付けられた下面12cが絶縁膜24で被覆されたLEDパッケージ11cを形成することができる。また、前記ベース基板12の側面12bの絶縁処理が終了した後に前記絶縁シートを剥離することによって、ベース基板12の側面12bにのみ絶縁膜24が形成されたLEDパッケージ11bを形成することができる。
As a manufacturing method other than that shown in FIG. 6 and FIG. 7, it is also possible to apply the steps shown below. First, an insulating sheet is attached to the
以上説明したように、本発明のLEDパッケージにあっては、ベース基板の露出した金属面を絶縁膜によって被覆したので、絶縁耐性が高められ、雷サージ等の予期しない過電流が生じた際にも絶縁破壊を有効に防止することができる。また、前記絶縁膜をベース基板の側面にのみ形成し、実装面となる下面側の金属面を露出させることによって、放熱性と絶縁耐性の両方を兼ね備えることができる。さらに、静電気耐性も得られることから、LEDパッケージを梱包トレイに収容する際や取り出す際の取扱いも容易となる。 As described above, in the LED package of the present invention, since the exposed metal surface of the base substrate is covered with the insulating film, the insulation resistance is enhanced, and an unexpected overcurrent such as a lightning surge occurs. Also, the dielectric breakdown can be effectively prevented. Further, by forming the insulating film only on the side surface of the base substrate and exposing the metal surface on the lower surface side to be the mounting surface, it is possible to have both heat dissipation and insulation resistance. Furthermore, since electrostatic resistance is also obtained, handling when the LED package is accommodated in or removed from the packaging tray is also facilitated.
また、本発明のLEDパッケージの製造方法にあっては、絶縁膜の形成が集合基板をハーフダイシングしたダイシング溝内に電着法又は溶射法によって絶縁膜を形成した後に、フルダイシングによって個々のLEDパッケージに分割することができる。これによって、絶縁耐性の高いCOBタイプのLEDパッケージを容易かつ大量に製造することができる。 Further, in the method of manufacturing an LED package according to the present invention, the insulating film is formed by electrodeposition or thermal spraying in the dicing groove formed by half-dicating the aggregate substrate by the electrodeposition method or the thermal spraying method, and then the individual LEDs are full dicing. It can be divided into packages. This makes it possible to easily and mass-produce a COB type LED package with high insulation resistance.
11a,11b,11c LEDパッケージ
12 ベース基板
12a 上面
12b 側面
12c 下面
13 発光部
14 マウント基板
15 発光素子
16 ワイヤ
17 反射枠
18 樹脂体
19 開口部
22 内部電極
23 外部電極
24 絶縁膜
31 集合基板
32 集合ベース基板
34 集合マウント基板
35 ダイシングライン
36 ダイシング溝
11a, 11b,
Claims (6)
該ベース基板の上面に配置され、中央部に開口部を有するマウント基板と、
前記開口部によって露出された前記ベース基板の上面に配置される複数の発光素子と、
開口部の外周に沿ったマウント基板上に設けられる反射枠と、
該反射枠で囲われた複数の発光素子を封止する樹脂体と、
前記マウント基板上に設けられ前記複数の発光素子に電力を供給する内部電極及び外部電極と、
少なくとも前記外部電極の近傍においてベース基板の側面を被覆する絶縁膜と、を備えるLEDパッケージ。 A base substrate formed of a metal material and having a metal surface exposed on the upper surface, the side surface, and the lower surface;
A mounting substrate disposed on the upper surface of the base substrate and having an opening at a central portion thereof;
A plurality of light emitting elements disposed on the upper surface of the base substrate exposed by the opening;
A reflective frame provided on the mount substrate along the outer periphery of the opening;
A resin body for sealing a plurality of light emitting elements surrounded by the reflection frame;
Internal and external electrodes provided on the mount substrate and supplying power to the plurality of light emitting elements;
An insulating film which covers the side surface of the base substrate at least in the vicinity of the external electrode.
前記ベース基板が熱伝導性を有するLEDパッケージ。 In claim 1,
An LED package in which the base substrate has thermal conductivity.
前記絶縁膜がベース基板の側面全周及び下面全体を被覆するLEDパッケージ。 In claim 1,
The LED package in which the insulating film covers the entire side surface and the entire lower surface of the base substrate.
前記ベース基板がアルミニウムであるLEDパッケージ。 In any one of claims 1 to 3,
The LED package whose said base substrate is aluminum.
前記集合ベース基板の下面から予め設定されたマス目状のダイシングラインに沿って前記集合マウント基板に達する所定幅の溝部をハーフダイシングによって形成し、
前記溝部内に絶縁材を形成したのち、溝部の幅の中心線に沿って前記集合ベース基板及び集合マウント基板をフルダイシングすることによって、個片化された前記ベース基板の側面を絶縁膜で被覆するLEDパッケージの製造方法。 A collective mount substrate made of an insulating material is bonded to the upper surface of a collective base substrate made of a metal material, and the collective base substrate and the collective mount substrate are diced to obtain an LED package consisting of a singulated base substrate and a mount substrate. A method of manufacturing a plurality of LED packages, comprising:
A groove portion having a predetermined width that reaches the collective mounting substrate is formed by half dicing from a lower surface of the collective base substrate along a preset dicing dicing line.
After forming an insulating material in the groove, the aggregate base substrate and the aggregate mount substrate are fully diced along the center line of the width of the groove to cover the side surface of the singulated base substrate with the insulating film. LED package manufacturing method.
前記溝部内に絶縁材を形成すると共に前記集合ベース基板の下面に絶縁膜を被覆形成し、溝部の幅の中心線に沿って前記集合ベース基板及び集合マウント基板をフルダイシングすることによって、個片化された前記ベース基板の側面及び下面を絶縁膜で被覆するLEDパッケージの製造方法。 In claim 5,
An insulating material is formed in the groove and an insulating film is coated on the lower surface of the aggregate base substrate, and the aggregate base substrate and the aggregate mount substrate are fully diced along the center line of the width of the groove, Method of manufacturing an LED package in which the side surface and the lower surface of the formed base substrate are covered with an insulating film.
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