JP2019068061A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧が低い発光素子を提供する。
【解決手段】陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層と、陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の有機層並びに陰極及び第１の有機層の間に設けられた第３の有機層からなる群より選択される少なくとも一層と、を有し、第１の有機層が、式（１）で表される金属錯体を含有し、第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有し、第３の有機層が、所定のイオン性基等を有する構成単位を含む高分子化合物を含有する、発光素子。

【選択図】なし

Description

本発明は、発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能である。例えば、特許文献１には、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される架橋基を有する構成単位とが、５０：４２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体の架橋体を含有する正孔輸送層と、金属錯体ＢＣ１を含有する発光層と、高分子化合物ＥＴ１を含有する電子輸送層とを有する発光素子が記載されている。

国際公開第２０１５／１５６２３５号

しかし、上述した発光素子は、駆動電圧が必ずしも十分に低くなかった。
そこで、本発明は、駆動電圧が低い発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供する。
［１］
陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層並びに前記陰極及び前記第１の有機層の間に設けられた第３の有機層からなる群より選択される少なくとも一層と、を有し、
前記第１の有機層が、式（１）で表される金属錯体を含有し、
前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有し、
前記第３の有機層が、式（ＥＴ−１）で表される構成単位及び式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物を含有する、発光素子。

［式中、
Ｍ¹はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ¹は１以上の整数を表し、ｎ²は０以上の整数を表す。但し、Ｍ¹がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は３であり、Ｍ¹がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は２である。
環Ｒ^1Aは、ジアゾール環、トリアゾール環又はテトラゾール環を表す。
環Ｒ²は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ¹及びＥ²の少なくとも一方は炭素原子である。
Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
但し、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aの少なくとも１つは窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは式（Ａｒ−１Ａ）で表される基である。
Ｒ^11AとＲ^12Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^12AとＲ^13Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｅ^11Aが窒素原子の場合、Ｒ^11Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^12Aが窒素原子の場合、Ｒ^12Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^13Aが窒素原子の場合、Ｒ^13Aは存在しても存在しなくてもよい。
Ａ¹−Ｇ¹−Ａ²は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ¹及びＡ²は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ¹は、単結合、又は、Ａ¹及びＡ²とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ¹−Ｇ¹−Ａ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ²は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、
ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
Ａｒ^E1は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^E1は、式（ＥＳ−１）で表される基を表す。Ｒ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

−Ｒ^E3−｛（Ｑ^E1）_nE3−Ｙ^E1（Ｍ^E1）_aE1（Ｚ^E1）_bE1｝_mE1 （ＥＳ−１）
［式中、
ｎＥ３及びｂＥ１は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、ａＥ１及びｍＥ１は、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。ｎＥ３、ａＥ１及びｂＥ１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^E3が単結合である場合、ｍＥ１は１である。ａＥ１及びｂＥ１は、前記式（ＥＳ−１）で表される基の電荷が０となるように選択される。
Ｒ^E3は、単結合、炭化水素基、複素環基又はＯ−Ｒ^E3’を表し（Ｒ^E3’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ^E1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ^E1は、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-又は−ＰＯ₃ ^2-を表す。Ｙ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｍ^E1は、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン又はアンモニウムカチオンを表し、前記アンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。Ｍ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^E1は、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｂ（Ｒ^E4）₄ ^-、Ｒ^E4ＳＯ₃ ^-、Ｒ^E4ＣＯＯ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-を表す。Ｒ^E4は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｎＥ２は、１以上の整数を表す。
Ａｒ^E2は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^E2は、式（ＥＳ−２）で表される基を表す。Ｒ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

−Ｒ^E5−｛（Ｑ^E2）_nE4−Ｙ^E2（Ｍ^E2）_aE2（Ｚ^E2）_bE2｝_mE2 （ＥＳ−２）
［式中、
ｎＥ４及びｂＥ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、ａＥ２及びｍＥ２は、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。ｎＥ４、ａＥ２及びｂＥ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^E5が単結合である場合、ｍＥ２は１である。ａＥ２及びｂＥ２は、前記式（ＥＳ−２）で表される基の電荷が０となるように選択される。
Ｒ^E5は、単結合、炭化水素基、複素環基又はＯ−Ｒ^E5’を表し（Ｒ^E5’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ^E2は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ^E2は、−Ｃ⁺Ｒ^E6 ₂、−Ｎ⁺Ｒ^E6 ₃、−Ｐ⁺Ｒ^E6 ₃、−Ｓ⁺Ｒ^E6 ₂又は−Ｉ⁺Ｒ^E6 ₂を表す。Ｒ^E6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^E6は、同一でも異なっていてもよい。Ｙ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｍ^E2は、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｂ（Ｒ^E7）₄ ^-、Ｒ^E7ＳＯ₃ ^-、Ｒ^E7ＣＯＯ^-、ＢＦ₄ ^-、ＳｂＣｌ₆ ^-又はＳｂＦ₆ ^-を表す。Ｒ^E7は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｍ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^E2は、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンを表す。Ｚ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［２］
前記第２の有機層を有し、かつ、前記架橋基が架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である、［１］に記載の発光素子。
（架橋基Ａ群）

［式中、Ｒ^XLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎ^XLは、０〜５の整数を表す。Ｒ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
［３］
前記架橋基を有する構成単位が、式（３）又は式（４）で表される構成単位である、［２］に記載の発光素子。

［式中、
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ³は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ⁵は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ⁴及びＡｒ⁶は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ⁴、Ａｒ⁵及びＡｒ⁶はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接結合して、又は、酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
Ｋ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、前記と同じ意味を表す。Ｋ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
［４］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）又は式（１−Ａ２）で表される金属錯体である、［１］〜［３］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A、Ｅ^11A、Ｅ^12A、Ｅ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
環Ｒ^2Aは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^2Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、式（１−Ａ１）中、Ｒ^11Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であり、式（１−Ａ２）中、Ｒ^12Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基である。］
［５］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）で表される金属錯体であり、かつ、前記式（１−Ａ１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１−１）、式（１−Ａ１−２）又は式（１−Ａ１−３）で表される金属錯体である、［４］に記載の発光素子。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［６］
前記式（１−Ａ２）で表される金属錯体が、式（１−Ａ２−１）又は式（１−Ａ２−２）で表される金属錯体である、［４］に記載の発光素子。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［７］
前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−２Ａ）で表される基である、［１］〜［６］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、Ｒ²は、前記と同じ意味を表す。
環Ａ¹は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表す。
Ｅ^1A、Ｅ^2A及びＥ^3Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^1Aが窒素原子の場合、Ｒ^1Aは存在しない。Ｅ^2Aが窒素原子の場合、Ｒ^2Aは存在しない。Ｅ^3Aが窒素原子の場合、Ｒ^3Aは存在しない。
Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^1AとＲ^2A、及び、Ｒ^2AとＲ^3Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［８］
前記式（Ａｒ−２Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−３Ａ）で表される基である、［７］に記載の発光素子。

［式中、Ｒ²、Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、前記と同じ意味を表す。］
［９］
前記第１の有機層が、式（Ｈ−１）で表される化合物、若しくは、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物、又は、これらの組み合わせを更に含有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ａｒ^H1及びＡｒ^H2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^H1及びｎ^H2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^H2は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^H3は、０以上１０以下の整数を表す。
Ｌ^H1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^H11）₂］ｎ^H11−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^H11は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^H11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^H11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^H2は、−Ｎ（−Ｌ^H21−Ｒ^H21）−で表される基を表す。Ｌ^H2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^H21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^H21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１０］
前記第２の有機層及び前記第３の有機層を有し、かつ、前記第１の有機層が第１の発光層であり、前記第２の有機層が正孔輸送層又は第２の発光層であり、前記第３の有機層が電子輸送層である、［１］〜［９］のいずれかに記載の発光素子。
［１１］
前記第２の有機層及び前記第３の有機層を有し、且つ、前記第１の有機層と前記第２の有機層と前記第３の有機層とが隣接している、［１］〜［１０］のいずれかに記載の発光素子。

本発明によれば、駆動電圧が低い発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体を表す式中、金属との結合を表す実線は、イオン結合、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合、発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。高分子化合物の末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、近紫外線照射処理、可視光照射処理、赤外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、架橋基Ａ群の式(XL-1)〜式(XL-19)で表される架橋基である。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層並びに前記陰極及び前記第１の有機層の間に設けられた第３の有機層からなる群より選択される少なくとも一層と、を有し、前記第１の有機層が、式（１）で表される金属錯体を含有し、前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有し、前記第３の有機層が、式（ＥＴ−１）で表される構成単位及び式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物を含有する。

（第１の有機層）
第１の有機層には、式（１）で表される金属錯体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
第１の有機層における式（１）で表される金属錯体の含有量は、第１の有機層としての機能が奏される範囲であればよい。例えば、式（１）で表される金属錯体の含有量は、第１の有機層の全量基準で０．１〜５０質量％であってよく、１〜４０質量％であることが好ましく、１０〜３０質量％であることがより好ましい。

［式（１）で表される金属錯体］
式（１）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。

Ｍ¹は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、イリジウム原子又は白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。
Ｍ¹がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ¹は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
Ｍ¹がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ¹は２であることが好ましい。
Ｅ¹及びＥ²は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ^1Aがジアゾール環である場合、環Ｒ^1Aは、好ましくは、Ｅ^11Aが窒素原子であるイミダゾール環、又は、Ｅ^12Aが窒素原子であるイミダゾール環であり、より好ましくは、Ｅ^11Aが窒素原子であるイミダゾール環である。
環Ｒ^1Aがトリアゾール環である場合、環Ｒ^1Aは、好ましくは、Ｅ^11A及びＥ^12Aが窒素原子であるトリアゾール環、又は、Ｅ^11A及びＥ^13Aが窒素原子であるトリアゾール環であり、より好ましくは、Ｅ^11A及びＥ^13Aが窒素原子であるトリアゾール環である。
環Ｒ^1Aがテトラゾール環である場合、環Ｒ^1Aは、好ましくは、Ｅ^11A〜Ｅ^13Aが窒素原子であるテトラゾール環である。
環Ｒ^1Aは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくはジアゾール環又はトリアゾール環であり、より好ましくはトリアゾール環である。

Ｅ^11Aが窒素原子であり、且つ、Ｒ^11Aが存在する場合、Ｒ^11Aはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｅ^11Aが炭素原子である場合、Ｒ^11Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^12Aが窒素原子であり、且つ、Ｒ^12Aが存在する場合、Ｒ^12Aはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｅ^12Aが炭素原子である場合、Ｒ^12Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^13Aが窒素原子であり、且つ、Ｒ^13Aが存在する場合、Ｒ^13Aはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｅ^13Aが炭素原子である場合、Ｒ^13Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、ジヒドロフェナントレニル基、フルオレニル基又はスピロビフルオレニル基が好ましく、フェニル基、フルオレニル基又はスピロビフルオレニル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおける１価の複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基が好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基又はカルバゾリル基がより好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基又はトリアジニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおける置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^11A〜Ｒ^13Aが有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくは、アルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^11A〜Ｒ^13Aが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基である。これらの基は更に置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。

Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。

［式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基］
ｍ^DA1〜ｍ^DA7は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍ^DA2〜ｍ^DA7が同一の整数であることが好ましく、ｍ^DA1〜ｍ^DA7が同一の整数であることがより好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは芳香族炭化水素基又は複素環基であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環又はカルバゾール環から環を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子３個を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｇ^DAが有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)〜式(GDA-15)で表される基であり、より好ましくは式(GDA-11)〜式(GDA-14)で表される基であり、更に好ましくは式(GDA-11)又は式(GDA-14)で表される基であり、特に式(GDA-11)で表される基である。

［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^DA1、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA1、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA2、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA3との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^DA2、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA2、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA4、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA6との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^DA3、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA3、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA5、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1〜Ａｒ^DA7は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式(ArDA-1)〜式(ArDA-6)で表される基であり、更に好ましくは式(ArDA-1)〜式(ArDA-3)で表される基であり、特に好ましくは式(ArDA-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1〜Ａｒ^DA7、Ｒ^DA及びＲ^DBが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｇ^DAが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｔ^DAは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜式（ＴＤＡ−４）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ−１）又は式（ＴＤＡ−３）で表される基であり、更に好ましくは式（ＴＤＡ−１）で表される基である。

［式中、Ｒ^DA及びＲ^DBは、前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜式(D-A5)で表される基であり、より好ましくは式(D-A1)、式(D-A3)又は式(D-A5)で表される基であり、更に好ましくは式(D-A1)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1〜Ｒ^p4は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1、Ｒ^p2及びＲ^p4が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜式(D-B3)で表される基であり、より好ましくは式(D-B1)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1〜Ｒ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1及びＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

式(D-C)で表される基は、好ましくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基であり、より好ましくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、更に好ましくは式(D-C1)又は式(D-C2)で表される基であり、特に好ましくは式(D-C1)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p4〜Ｒ^p6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p4〜Ｒ^p6が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０〜４の整数を表し、ｎｐ５は０〜５の整数を表し、ｎｐ６は０〜５の整数を表す。］

ｎｐ１は、好ましくは０又は１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０〜２の整数である。ｎｐ５は、好ましくは１〜３の整数である。ｎｐ６は、好ましくは０〜２の整数である。

Ｒ^p1〜Ｒ^p6は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。

環Ｒ^1Aにおいて、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、Ｅ^11A及びＥ^12Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A及びＲ^12Aの少なくとも１つが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることが好ましく、Ｅ^11Aが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11Aが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることがより好ましい。

環Ｒ^1Aが複数存在する場合、複数存在する環Ｒ^1Aの少なくとも１つにおいて、Ｅ^11A〜Ｅ^13Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A〜Ｒ^13Aの少なくとも１つが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であればよいが、式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、複数存在する環Ｒ^1Aの少なくとも２つにおいて、Ｅ^11A〜Ｅ^13Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A〜Ｒ^13Aの少なくとも１つが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることが好ましく、複数存在する環Ｒ^1Aのすべてにおいて、Ｅ^11A〜Ｅ^13Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A〜Ｒ^13Aの少なくとも１つが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることがより好ましい。

環Ｒ²における芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。環Ｒ²における芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環及びこれらの環が１個以上５個以下縮合した縮合した環が挙げられ、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環又はフルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｒ²における芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜１５である。環Ｒ²における芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環及びこれらの環に芳香環が１個以上５個以下縮合した環が挙げられ、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくは、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、特に好ましくは、ジベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。環Ｒ²が６員の芳香族複素環である場合、Ｅ²は炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ²は、本発明の発光素子の駆動電圧が更に低くなるので、好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環又はジベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ²が有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ²が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ²が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、Ｒ^11AとＲ^12A、Ｒ^12AとＲ^13A、及び、環Ｒ²が有していてもよい置換基とＲ^11Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

［式（Ａｒ−１Ａ）で表される基］
環Ａにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²における芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲と同じである。環Ａにおける芳香族複素環の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²における芳香族複素環の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ａは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ａが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、環Ａが有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

Ｒ²は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、更に好ましくは、アルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ｒ²におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ｒ²が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（Ａｒ−１Ａ）で表される基は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（Ａｒ−２Ａ）で表される基である。

Ｅ^1A〜Ｅ^3Aは、好ましくは、炭素原子である。

環Ａ¹がピリジン環である場合、Ｅ^1Aが窒素原子であるピリジン環が好ましい。
環Ａ¹がジアザベンゼン環である場合、Ｅ^1A及びＥ^3Aが窒素原子であるピリミジン環が好ましい。
環Ａ¹は、ベンゼン環が好ましい。

Ｒ^1A〜Ｒ^3Aは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^1A及びＲ^3Aは、更に好ましくは、水素原子である。
Ｒ^2Aは、更に好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^1A〜Ｒ^3Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ｒ^1A〜Ｒ^3Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A〜Ｒ^13Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、Ｒ^1AとＲ^2A、及び、Ｒ^2AとＲ^3Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

式（Ａｒ−２Ａ）で表される基は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（Ａｒ−３Ａ）で表される基である。

［アニオン性の２座配位子］
Ａ¹−Ｇ¹−Ａ²で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。但し、Ａ¹−Ｇ¹−Ａ²で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ¹でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、Ｍ¹と結合する部位を表す。
Ｒ^L1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^L1は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^L2は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^L1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はフッ素原子であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^L2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（１）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（１−Ａ１）又は式（１−Ａ２）で表される金属錯体であり、より好ましくは式（１−Ａ１）で表される金属錯体である。

環Ｒ^2Aは、好ましくはベンゼン環、フルオレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環又はジベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１−Ａ１）又は式（１−Ａ２）で表される金属錯体の合成が容易になるので、環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。
式（１−Ａ１）又は式（１−Ａ２）で表される金属錯体の合成が容易になるので、環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

式（１−Ａ１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、式（１−Ａ１）中、Ｒ^11Aが複数存在する場合、Ｒ^11Aの少なくとも２つは式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^11Aのすべてが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることがより好ましい。
式（１−Ａ１）中、Ｅ^12Aは炭素原子であることが好ましい。
式（１−Ａ１）中、Ｅ^13Aは窒素原子であり、且つ、Ｒ^13Aは存在していないことが好ましい。

式（１−Ａ２）で表される金属錯体の合成が容易になるので、式（１−Ａ２）中、Ｒ^12Aが複数存在する場合、Ｒ^12Aの少なくとも２つは式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^12Aのすべてが式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であることがより好ましい。
式（１−Ａ２）中、Ｅ^13Aは炭素原子であることが好ましい。
式（１−Ａ２）中、Ｅ^11Aは窒素原子であり、且つ、Ｒ^11Aは存在していないことが好ましい。

式（１−Ａ１）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（１−Ａ１−１）〜式（１−Ａ１−３）で表される金属錯体であり、より好ましくは式（１−Ａ１−１）又は式（１−Ａ１−２）で表される金属錯体であり、更に好ましくは式（１−Ａ１−２）で表される金属錯体である。
式（１−Ａ２）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（１−Ａ２−１）又は式（１−Ａ２−２）で表される金属錯体であり、より好ましくは式（１−Ａ２−２）で表される金属錯体である。

Ｒ^21A〜Ｒ^24Aは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^21A〜Ｒ^24Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ²が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、Ｒ^11AとＲ^21Aとは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、又は、Ｒ^23AとＲ^24Aが、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成する場合、形成する環としては、例えば、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が挙げられ、好ましくは、べンゼン環、インデン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、又は、インドール環であり、より好ましくは、インデン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、又は、インドール環であり、更に好ましくは、ベンゾフラン環又はベンゾチオフェン環であり、特に好ましくは、ベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、又は、Ｒ^23AとＲ^24Aが、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成する場合、Ｒ^21AとＲ^22A、又は、Ｒ^22AとＲ^23Aが、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成することが好ましく、Ｒ^22AとＲ^23Aとが互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成することが好ましい。

Ｒ^21A〜Ｒ^24Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。

［式中、
Ｚ^Aは、−ＣＨ＝で表される基又は−Ｎ＝で表される基を表す。Ｚ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^Bは、−Ｏ−で表される基又は−Ｓ−で表される基を表す。Ｚ^Bが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｚ^Aは、好ましくは−Ｎ＝で表される基である。Ｚ^Bは、好ましくは−Ｏ−で表される基である。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞
式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。

式（１）で表される金属錯体は、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、金属化合物若しくはその水和物とを反応させる工程Ａを含む方法により製造することができる。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、環Ｒ^1A、環Ｒ²、Ｒ^11A〜Ｒ^13A、Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A〜Ｅ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。］

工程Ａにおいて、金属化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）等のイリジウム化合物；塩化白金酸カリウム等の白金化合物；塩化パラジウム、酢酸パラジウム等のパラジウム化合物；及び、塩化ロジウム等のロジウム化合物が挙げられる。金属化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物、塩化ロジウム・三水和物が挙げられる。

工程Ａにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物の量は、金属化合物又はその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ａは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。

工程Ａにおいて、反応時間は、通常、３０分間〜２００時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞で説明した反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［ホスト材料］
本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第１の有機層は、式（１）で表される金属錯体と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有する層であることが好ましい。第１の有機層は、ホスト材料の１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

第１の有機層が、式（１）で表される金属錯体とホスト材料とを含有する層である場合、ホスト材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体及びホスト材料の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜９９質量部であり、好ましくは１０〜９０質量部であり、より好ましくは３０〜８５質量部であり、更に好ましくは５０〜８０質量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ₁）は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（１）で表される金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ₁）より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本発明の発光素子を湿式法で作製できるので、式（１）で表される金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物（低分子ホスト）と高分子化合物（高分子ホスト）とに分類され、第１の有機層はいずれのホスト材料を含有していてもよい。第１の有機層に含有されていてもよいホスト材料としては、低分子化合物が好ましい。

［低分子ホスト］
低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。

Ａｒ^H1及びＡｒ^H2は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基又はカルバゾリル基であることが更に好ましく、式（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^H1及びＡｒ^H2が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^H1は、好ましくは１である。ｎ^H2は、好ましくは０である。
ｎ^H3は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
ｎ^H11は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。

Ｒ^H11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^H1は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^H1は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜式（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−２１）又は式（ＡＡ−２４）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−３３）又は式（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）又は（ＡＡ−３３）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^H1が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、１価の複素環基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^H21は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^H21で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例は、Ｌ^H1で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例と同様である。

Ｒ^H21は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^H21で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例は、Ａｒ^H1及びＡｒ^H2で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例と同様である。
Ｒ^H21が有していてもよい置換基の定義及び例は、Ａｒ^H1及びＡｒ^H2が有していてもよい置換基の定義及び例と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^H1、Ａｒ^H2、ｎ^H3及びＬ^H1は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｈ−１）で表される化合物としては、下記式で表される化合物及び後述の化合物ＨＭ−１が例示される。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［高分子ホスト］
高分子ホストは、好ましくは、式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物である。

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-式(A-10)、式(A-19)又は式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-式(AA-4)、式(AA-10)-式(AA-15)、式(AA-18)-式(AA-21)、式(AA-33)又は式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)又は式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-式(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、本発明の発光素子の駆動電圧の観点からは、好ましくは式(Y-1)-式(Y-3)で表される構成単位であり、本発明の発光素子の電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)-式(Y-7)で表される構成単位であり、本発明の発光素子の正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)-式(Y-10)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-1)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-1')で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−又は−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-式(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y11及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1及びＲ^Y3は前記と同じ意味を表す。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記を同じ意味を表す。
Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-式(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-式(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-300)-式(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜90モル％であり、より好ましくは30〜80モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜40モル％であり、より好ましくは３〜30モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、
ａ^X1及びａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2及びＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2及びＲ^X3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

ａ^X1は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
ａ^X2は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)又は式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)又は式(AA-7)-式(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-式(A-11)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｙ)のＡｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4及びＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-式(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)-式(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4及びＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-式(X1-15)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)-式(X1-10)で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、高分子化合物P-1〜P-6が挙げられる。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100であり、かつ、100≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧70である。その他の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位及び式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合した共重合体であることが好ましい。

高分子ホストのポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは5×10³〜１×10⁶であり、より好ましくは1×10⁴〜5×10⁵であり、より好ましくは1.5×10⁴〜1.5×10⁵である。

［高分子ホストの製造方法］
高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応及びKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

［第１の組成物］
第１の有機層は、式（１）で表される金属錯体と、前述のホスト材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（但し、式（１）で表される金属錯体とは異なる）及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「第１の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
低分子化合物としては、例えば、トリフェニルアミン及びその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、並びに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びトリニトロフルオレノン等の電子受容性部位が結合された化合物でもよい。
第１の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜400質量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
第１の組成物において、電子輸送材料の配合量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜400質量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
第１の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜400質量部である。
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、アントラセンジイル基及びピレンジイル基等のアリーレン基；芳香族アミンから２個の水素原子を取り除いてなる基等の芳香族アミン残基；並びに、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基及びフェノチアジンジイル基等の２価の複素環基を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体又は高分子化合物であり、より好ましくは三重項発光錯体である。

第１の組成物において、発光材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、０．０１〜４００質量部であり、好ましくは０．１〜１００質量部であり、より好ましくは０．５〜５０質量部であり、更に好ましくは１〜１０質量部である。
発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、式（１）で表される金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
第１の組成物において、酸化防止剤の配合量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、0.001〜10質量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［第１のインク］
式（１）で表される金属錯体と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第１のインク」ともいう。）は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等の湿式法に好適に使用することができる。

第１のインクの粘度は、湿式法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。

第１のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

第１のインクにおいて、溶媒の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。

（第２の有機層）
第２の有機層は、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物（以下、「第２の有機層の高分子化合物」という。）の架橋体を含有する層である。第２の有機層には、第２の有機層の高分子化合物の架橋体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物の架橋体は、第２の有機層の高分子化合物を、上述した方法及び条件等により架橋した状態にすることで得られる。

［第２の有機層の高分子化合物］
第２の有機層の高分子化合物は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

架橋基Ａ群から選ばれる架橋基としては、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−４）、式（ＸＬ−７）〜式（ＸＬ−１０）又は式（ＸＬ−１６）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基であり、より好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−９）、式（ＸＬ−１０）、式（ＸＬ−１６）又は式（ＸＬ−１７）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基であり、更に好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−１６）又は式（ＸＬ−１７）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基であり、特に好ましくは、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。

第２の有機層の高分子化合物に含まれる、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも一種の架橋基を有する構成単位は、式（３）で表される構成単位又は式（４）で表される構成単位であることが好ましいが、下記式で表される構成単位であってもよい。

第２の有機層の高分子化合物が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位を２種以上含む場合、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位の少なくとも２種は、架橋基が互いに異なることが好ましい。互いに異なる架橋基の組み合わせとしては、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−２）、式（ＸＬ−５）〜式（ＸＬ−８）又は式（ＸＬ−１４）〜式（ＸＬ−１６）で表される架橋基と、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−４）、式（ＸＬ−１３）又は式（ＸＬ−１７）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基との組み合わせが好ましく、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１６）で表される架橋基と、式（ＸＬ−１７）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基との組み合わせがより好ましく、式（ＸＬ−１）で表される架橋基と、式（ＸＬ−１７）で表される架橋基との組み合わせが更に好ましい。

ｎＡは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。

ｎは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは２である。

Ａｒ³は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。

Ａｒ³で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ³で表される芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ³で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜１８である。
Ａｒ³で表される複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ³で表される基が有してもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

アルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１５であり、より好ましくは１〜１０である。シクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜２０である。
アルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、フッ素原子等で置換された基が好ましい。

Ｌ^Aで表されるアリーレン基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基の例及び好ましい範囲と同じであるが、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、Ｌ^Aで表されるアリーレン基は、好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基であり、より好ましくは、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、フルオレン−２，７−ジイル基、フルオレン−９，９−ジイル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ｌ^Aで表される２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、後述するＡｒ^Y1で表される２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｌ^Aは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは、アリーレン基又はアルキレン基であり、より好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はアルキレン基であり、更に好ましくは、アルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Aで表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基、フッ素原子、シアノ基又は架橋基Ａ群から選ばれる架橋基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は架橋基Ａ群から選ばれる架橋基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、特に好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｘは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−４）、式（ＸＬ−７）〜式（ＸＬ−１０）又は式（ＸＬ−１６）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基であり、より好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−９）、式（ＸＬ−１０）、式（ＸＬ−１６）又は式（ＸＬ−１７）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基であり、更に好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−１６）又は式（ＸＬ−１７）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋基であり、特に好ましくは、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。

式（３）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物の安定性及び架橋性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは3〜65モル％であり、更に好ましくは5〜50モル％である。
式（３）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
第２の有機層の高分子化合物が、式（３）で表される構成単位を２種以上含む場合、式（３）で表される構成単位の少なくとも２種は、Ｘで表される架橋基が互いに異なることが好ましい。互いに異なるＸで表される架橋基の組み合わせの好ましい範囲は、前述の互いに異なる架橋基の組み合わせの好ましい範囲と同じである。

［式（４）で表される構成単位］
ｍＡは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、更に好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である。

ｍは、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは１又は２であり、より好ましくは２である。

ｃは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になり、且つ、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは０である。

Ａｒ⁵は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ⁵で表される芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義及び例は、式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表されるアリーレン基の定義及び例と同じである。
Ａｒ⁵で表される複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義及び例は、式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される２価の複素環基部分の定義及び例と同じである。
Ａｒ⁵で表される少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義及び例は、式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁴及びＡｒ⁶は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ⁴及びＡｒ⁶で表されるアリーレン基の定義及び例は、式（Ｘ）におけるＡｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基の定義及び例と同じである。
Ａｒ⁴及びＡｒ⁶で表される２価の複素環基の定義及び例は、後述する式（Ｘ）におけるＡｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁴〜Ａｒ⁶で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、後述するＡｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。Ａｒ⁴〜Ａｒ⁶で表される基が有してもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｋ^Aで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例は、それぞれ、Ｌ^Aで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例と同じである。
Ｋ^Aは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは、アリーレン基又はアルキレン基であり、より好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はアルキレン基であり、更に好ましくはフェニレン基又はメチレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｋ^Aで表される基が有してもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｌ^Aで表される基が有してもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｘ’で表される架橋基の定義及び例は、前述のＸの定義及び例と同じである。

式（４）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物の安定性が優れ、且つ、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは3〜30モル％であり、更に好ましくは5〜20モル％である。

式（４）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物が、式（４）で表される構成単位を２種以上含む場合、式（４）で表される構成単位の少なくとも２種は、Ｘ’で表される架橋基が互いに異なることが好ましい。互いに異なるＸ’で表される架橋基の組み合わせの好ましい範囲は、前述の互いに異なる架橋基の組み合わせの好ましい範囲と同じである。

式（３）で表される構成単位としては、例えば、式（３−１）〜（３−３０）で表される構成単位が挙げられ、式（４）で表される構成単位としては、例えば、式（４−１）〜（４−９）で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるため、好ましくは、式（３−１）〜（３−３０）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（３−１）〜（３−１５）、（３−１９）、（３−２０）、（３−２３）、（３−２５）又は（３−３０）で表される構成単位であり、更に好ましくは、式（３−１）〜（３−１３）又は（３−３０）で表される構成単位であり、特に好ましくは、式（３−１）〜（３−９）又は（３−３０）で表される構成単位である。

第２の有機層の高分子化合物は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、更に、式(Ｙ)で表される構成単位を含むことが好ましい。
第２の有機層の高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。
第２の有機層の高分子化合物は、正孔輸送性が優れ、且つ、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、更に、式(Ｘ)で表される構成単位及び式(Ｙ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

第２の有機層の高分子化合物が含んでいてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲は、高分子ホストが含んでいてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲と同じである。
第２の有機層の高分子化合物が式（Ｘ）で表される構成単位を含む場合、第２の有機層の高分子化合物に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは１〜８０モル％であり、より好ましくは１０〜７０モル％であり、更に好ましくは３０〜６０モル％である。
式（Ｘ）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物が含んでいてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲は、高分子ホストが含んでいてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲と同じである。
第２の有機層の高分子化合物が式（Ｙ）で表される構成単位を含み、Ａｒ^Y1がアリーレン基である場合、第２の有機層の高分子化合物に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜９０モル％であり、より好ましくは３０〜８０モル％である。
第２の有機層の高分子化合物が式（Ｙ）で表される構成単位を含み、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である場合、第２の有機層の高分子化合物に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物の電荷輸送性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜４０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物としては、例えば、高分子化合物Ｐ−７〜Ｐ−１４が挙げられる。ここで、「その他」とは、式（３）、式（４）、式（Ｘ）及び式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ’、ｑ’、ｒ’、ｓ’及びｔ’は、各構成単位のモル比率（モル％）を表す。
ｐ’＋ｑ’＋ｒ’＋ｓ’＋ｔ’＝１００であり、且つ、７０≦ｐ’＋ｑ’＋ｒ’＋ｓ’≦１００である。］

第２の有機層の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合した共重合体であることが好ましい。

第２の有機層の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは5×10³〜１×10⁶であり、より好ましくは1×10⁴〜5×10⁵であり、更に好ましくは1.5×10⁴〜1×10⁵である。

［第２の有機層の高分子化合物の製造方法］
第２の有機層の高分子化合物は、前述の高分子ホストの製造方法と同様の方法で製造することができる。

［第２の組成物］
第２の有機層は、第２の有機層の高分子化合物の架橋体と、正孔輸送材料（但し、第２の有機層の高分子化合物の架橋体とは異なる）、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「第２の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

第２の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の例及び好ましい範囲と同じである。第２の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の配合量は、各々、第２の有機層の高分子化合物の架橋体を100質量部とした場合、通常、1〜400質量部であり、好ましくは5〜150質量部である。

第２の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい範囲と同じである。第２の組成物において、酸化防止剤の配合量は、第２の有機層の高分子化合物の架橋体を100質量部とした場合、通常、0.001〜10質量部である。

［第２のインク］
第２の有機層の高分子化合物と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第２のインク」ともいう。）は、第１のインクの項で説明した湿式法に好適に使用することができる。第２のインクの粘度の好ましい範囲は、第１のインクの粘度の好ましい範囲と同じである。第２のインクに含有される溶媒の例及び好ましい範囲は、第１のインクに含有される溶媒の例及び好ましい範囲と同じである。
第２のインクにおいて、溶媒の配合量は、第２の有機層の高分子化合物を100質量部とした場合、通常、1000〜100000質量部であり、好ましくは2000〜20000質量部である。

（第３の有機層）
第３の有機層は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位及び式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物（以下、「第３の有機層の高分子化合物」という）を含有する層である。第３の有機層には、第３の有機層の高分子化合物が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。

［第３の有機層の高分子化合物］
ｎＥ１は、通常１〜４の整数であり、好ましくは１又は２である。

Ａｒ^E1で表される芳香族炭化水素基のｎＥ１個の置換基を除いたアリーレン基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^E1で表される複素環基のｎＥ１個の置換基を除いた２価の複素環基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^E1は、好ましくは、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基又は２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ１個を除いた基であり、Ｒ^E1以外の置換基を有していてもよい。

Ａｒ^E1が有していてもよいＲ^E1以外の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、カルボキシル基及び式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられる。

−Ｏ−（Ｃ_n'Ｈ_2n'Ｏ）_nx−Ｃ_m'Ｈ_2m'+1 （ＥＳ−３）
［式中、ｎ’、ｍ’及びｎｘは、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。］

ｎＥ３は、通常０〜１０の整数であり、好ましくは０〜８の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。
ａＥ１は、通常１〜１０の整数であり、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１又は２である。
ｂＥ１は、通常０〜１０の整数であり、好ましくは０〜４の整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｍＥ１は、通常１〜５の整数であり、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。

Ｒ^E3が−Ｏ−Ｒ^E3’の場合、式（ＥＳ−１）で表される基は、下記で表される基である。
−Ｏ−Ｒ^E3’−｛（Ｑ^E1）_nE3−Ｙ^E1（Ｍ^E1）_aE1（Ｚ^E1）_bE1｝_mE1

Ｒ^E3としては、炭化水素基又は複素環基が好ましく、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基がより好ましく、芳香族炭化水素基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^E3が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基及び式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられ、式（ＥＳ−３）で表される基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｑ^E1としては、アルキレン基、アリーレン基又は酸素原子が好ましく、アルキレン基又は酸素原子がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｙ^E1としては、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₂ ^-又は−ＰＯ₃ ^2-が好ましく、−ＣＯ₂ ^-がより好ましい。
Ｍ^E1で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺、Ｃｓ⁺が挙げられ、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺又はＣｓ⁺が好ましく、Ｃｓ⁺がより好ましい。
Ｍ^E1で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｂｅ²⁺、Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺、Ｓｒ²⁺、Ｂａ²⁺が挙げられ、Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺、Ｓｒ²⁺又はＢａ²⁺が好ましく、Ｂａ²⁺がより好ましい。
Ｍ^E1としては、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンが好ましく、アルカリ金属カチオンがより好ましい。
Ｚ^E1としては、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｂ（Ｒ^E4）₄ ^-、Ｒ^E4ＳＯ₃ ^-、Ｒ^E4ＣＯＯ^-又はＮＯ₃ ^-が好ましく、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^E4ＳＯ₃ ^-又はＲ^E4ＣＯＯ^-が好ましい。Ｒ^E4としては、アルキル基が好ましい。

式（ＥＳ−１）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｍ⁺は、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｃｓ⁺又はＮ（ＣＨ₃）₄ ⁺を表す。Ｍ⁺が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

ｎＥ２は、通常１〜４の整数であり、好ましくは１又は２である。

Ａｒ^E1で表される芳香族炭化水素基のｎＥ２個の置換基を除いたアリーレン基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^E1で表される複素環基のｎＥ２個の置換基を除いた２価の複素環基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^E2は、好ましくは、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基又は２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ２個を除いた基であり、Ｒ^E2以外の置換基を有していてもよい。
Ａｒ^E2が有していてもよいＲ^E2以外の置換基としては、Ａｒ^E1が有していてもよいＲ^E1以外の置換基と同様である。

ｎＥ４は、通常０〜１０の整数であり、好ましくは０〜８の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。
ａＥ２は、通常１〜１０の整数であり、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１又は２である。
ｂＥ２は、通常０〜１０の整数であり、好ましくは０〜４の整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｍＥ２は、通常１〜５の整数であり、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。

Ｒ^E5が−Ｏ−Ｒ^E5’の場合、式（ＥＳ−２）で表される基は、下記で表される基である。
−Ｏ−Ｒ^E5’−｛（Ｑ^E1）_nE3−Ｙ^E1（Ｍ^E1）_aE1（Ｚ^E1）_bE1｝_mE1

Ｒ^E5としては、炭化水素基又は複素環基が好ましく、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基がより好ましく、芳香族炭化水素基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^E5が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基及び式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられ、式（ＥＳ−３）で表される基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｑ^E2としては、アルキレン基、アリーレン基又は酸素原子が好ましく、アルキレン基又は酸素原子がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｙ^E2としては、−Ｃ⁺Ｒ^E6 ₂、−Ｎ⁺Ｒ^E6 ₃、−Ｐ⁺Ｒ^E6 ₃又はＳ⁺Ｒ^E6 ₂が好ましく、−Ｎ⁺Ｒ^E6 ₃がより好ましい。Ｒ^E6としては、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｍ^E2としては、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、Ｂ（Ｒ^E7）₄ ^-、Ｒ^E7ＳＯ₃ ^-、Ｒ^E7ＣＯＯ^-、ＢＦ₄ ^-又はＳｂＦ^6-が好ましく、Ｂｒ^-、Ｉ^-、Ｂ（Ｒ^E7）₄ ^-、Ｒ^E7ＣＯＯ^-又はＳｂＦ^6-がより好ましい。Ｒ^E7としては、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましい。
Ｚ^E2で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺、Ｃｓ⁺が挙げられ、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺又はＫ⁺が好ましい。
Ｚ^E2で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｂｅ²⁺、Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺、Ｓｒ²⁺、Ｂａ²⁺が挙げられ、Ｍｇ²⁺又はＣａ²⁺が好ましい。
Ｚ^E2としては、アルカリ金属カチオンが好ましい。

式（ＥＳ−２）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｘ^-は、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、Ｂ（Ｃ₆Ｈ₅）₄ ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-又はＣＦ₃ＳＯ₃ ^-を表す。Ｘ^-が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

式（ＥＴ−１）又は（ＥＴ−２）で表される構成単位としては、例えば、式（ＥＴ−３１）〜（ＥＴ−３８）で表される構成単位が挙げられる。

第３の有機層の高分子化合物は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を更に含んでいてよく、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

第３の有機層の高分子化合物が含んでいてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲は、高分子ホストが含んでいてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲と同じである。
第３の有機層の高分子化合物が式（Ｙ）で表される構成単位を含み、Ａｒ^Y1がアリーレン基である場合、第３の有機層の高分子化合物に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第３の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜９０モル％であり、より好ましくは３０〜８０モル％である。
第３の有機層の高分子化合物が式（Ｙ）で表される構成単位を含み、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である場合、第３の有機層の高分子化合物に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位は、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第３の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜４０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位は、第３の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第３の有機層の高分子化合物が含んでいてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲は、高分子ホストが含んでいてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義、例及び好ましい範囲と同じである。
第３の有機層の高分子化合物が式（Ｘ）で表される構成単位を含む場合、第３の有機層の高分子化合物に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位は、第３の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜３０モル％であり、より好ましくは０．５〜１０モル％である。
式（Ｘ）で表される構成単位は、第３の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第３の有機層の高分子化合物としては、例えば、高分子化合物Ｐ−１５〜Ｐ−２４が挙げられる。ここで、「その他」とは、式（ＥＴ−１）、式（ＥＴ−２）、式（Ｘ）及び式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ”、ｑ”、ｒ”、ｓ”及びｔ’は、各構成単位のモル比率（モル％）を表す。
ｐ”＋ｑ”＋ｒ”＋ｓ”＋ｔ”＝１００であり、且つ、７０≦ｐ”＋ｑ”＋ｒ”＋ｓ”≦１００である。］

第３の有機層の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
第３の有機層の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは5×10³〜１×10⁶であり、より好ましくは1×10⁴〜5×10⁵であり、更に好ましくは1.5×10⁴〜1×10⁵である。

［第３の有機層の高分子化合物の製造方法］
第３の有機層の高分子化合物は、例えば、特開２００９−２３９２７９号公報、特開２０１２−０３３８４５号公報、特開２０１２−２１６８２１号公報、特開２０１２−２１６８２２号公報、特開２０１２−２１６８１５号公報に記載の方法に従って合成することができる。

［第３の組成物］
第３の有機層は、第３の有機層の高分子化合物と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料（第３の有機層の高分子化合物とは異なる）、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「第３の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

第３の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の例及び好ましい範囲と同じである。第３の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の配合量は、各々、第３の有機層の高分子化合物を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

第３の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい範囲と同じである。第３の有機層において、酸化防止剤の配合量は、第３の有機層の高分子化合物を１００質量部とした場合、通常、０．００１〜１０質量部である。

［第３のインク］
第３の有機層の高分子化合物と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第３のインク」ともいう。）は、第１のインクの項で説明した湿式法に好適に使用することができる。第３のインクの粘度の好ましい範囲は、第１のインクの粘度の好ましい範囲と同じである。

第３のインクに含有される溶媒は、有機層（例えば、第１の有機層）の上に、溶解性の差を利用して第３の有機層を積層することができるので、水、アルコール、エーテル、エステル、ニトリル化合物、ニトロ化合物、フッ素化アルコール、チオール、スルフィド、スルホキシド、チオケトン、アミド、カルボン酸が好ましい。該溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸、ニトロメタン、炭酸プロピレン、ピリジン、二硫化炭素、及び、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。混合溶媒を用いる場合、水、アルコール、エーテル、エステル、ニトリル化合物、ニトロ化合物、フッ素化アルコール、チオール、スルフィド、スルホキシド、チオケトン、アミド、カルボン酸から選ばれる１種類以上の溶媒と、塩素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒及びケトン系溶媒から選ばれる１種類以上の溶媒との混合溶媒であってもよい。

第３のインクにおいて、溶媒の配合量は、第３の有機層の高分子化合物を１００質量部とした場合、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。

＜発光素子の層構成＞
本発明の発光素子は、陽極、陰極、第１の有機層、第２の有機層及び第３の有機層以外の層を有していてもよい。
本発明の発光素子において、第１の有機層は、通常、発光層（以下、「第１の発光層」と言う。）である。

本発明の発光素子が第２の有機層を有する場合、第２の有機層は、好ましくは、正孔輸送層又は発光層（即ち、第１の発光層とは別個の発光層であり、以下、「第２の発光層」という。）である。
本発明の発光素子が第２の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第１の有機層と第２の有機層とは、隣接していることが好ましい。
本発明の発光素子が第２の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第２の有機層は、陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層又は第２の発光層であることが好ましい。

本発明の発光素子が第２の有機層を有し、且つ、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極と第２の有機層との間に、正孔注入層を更に有することが好ましい。本発明の発光素子が第２の有機層を有し、且つ、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。
本発明の発光素子が第２の有機層を有し、且つ、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極と第２の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。本発明の発光素子が第２の有機層を有し、且つ、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子が第２の有機層を有さない場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極と第１の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を有することが好ましい。

本発明の発光素子が第３の有機層を有する場合、第３の有機層は、好ましくは、電子輸送層である。
本発明の発光素子が第３の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第１の有機層と第３の有機層とは、隣接していることが好ましい。
本発明の発光素子が第３の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第３の有機層は、陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層であることが好ましい。

本発明の発光素子が第３の有機層を有し、且つ、第３の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極と第１の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。本発明の発光素子が第３の有機層を有し、且つ、第３の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極と第３の有機層との間に、電子注入層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子が第３の有機層を有さない場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層を有することが好ましい。

本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第２の有機層は正孔輸送層又は第２の発光層であり、且つ、第３の有機層は電子輸送層であることが好ましい。
本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第１の有機層と第２の有機層と第３の有機層とは、隣接していることが好ましい。
本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有する場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第２の有機層は、陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層又は第２の発光層であり、且つ、第３の有機層は、陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層であることが好ましい。

本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有し、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層であり、且つ、第３の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極と第２の有機層との間に、正孔注入層を更に有することが好ましい。本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有し、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層であり、且つ、第３の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層を更に有することが好ましい。
本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有し、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層であり、且つ、第３の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極と第２の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。本発明の発光素子が第２の有機層及び第３の有機層を有し、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層であり、且つ、第３の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子の具体的な層構成としては、例えば、（Ｄ１）〜（Ｄ１６）で表される層構成が挙げられる。本発明の発光素子は、通常、基板を有するが、基板上に陽極から積層されていてもよく、基板上に陰極から積層されていてもよい。

（Ｄ１）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ２）陽極／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ３）陽極／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／陰極
（Ｄ４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ５）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ７）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／第２の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ９）陽極／正孔注入層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１０）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１１）陽極／正孔注入層／第２の発光層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／第２の発光層／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１４）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第２の発光層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）／電子注入層／陰極

（Ｄ１）〜（Ｄ１６）中、「／」は、その前後の層が隣接して積層していることを意味する。具体的には、「第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第３の有機層）」とは、第２の発光層（第２の有機層）と第１の発光層（第１の有機層）と電子輸送層（第３の有機層）とが隣接して積層していることを意味する。

本発明の発光素子において、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。
陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第１の発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１５０ｎｍである。

本発明の発光素子において、積層する層の順番、数、及び厚さは、発光素子の発光効率、駆動電圧及び素子寿命を勘案して調整すればよい。

［第２の発光層］
第２の発光層は、通常、第２の有機層又は発光材料を含有する層である。第２の発光層が発光材料を含有する層である場合、第２の発光層に含有される発光材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい発光材料が挙げられる。第２の発光層に含有される発光材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明の発光素子が第２の発光層を有し、且つ、後述の正孔輸送層が第２の有機層ではない場合、第２の発光層は第２の有機層であることが好ましい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層は、通常、第２の有機層又は正孔輸送材料を含有する層である。正孔輸送層が正孔輸送材料を含有する層である場合、正孔輸送材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。正孔輸送層に含有される正孔輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明の発光素子が正孔輸送層を有し、且つ、前述の第２の発光層が第２の有機層ではない場合、正孔輸送層は第２の有機層であることが好ましい。

［電子輸送層］
電子輸送層は、通常、第３の有機層又は電子輸送材料を含有する層であり、好ましくは、第３の有機層である。電子輸送層が電子輸送材料を含有する層である場合、電子輸送層に含有される電子輸送材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい電子輸送材料が挙げられる。電子輸送層に含有される電子輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［正孔注入層及び電子注入層］
正孔注入層は、正孔注入材料を含有する層である。正孔注入層に含有される正孔注入材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。正孔注入層に含有される正孔注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
電子注入層は、電子注入材料を含有する層である。電子注入層に含有される電子注入材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。電子注入層に含有される電子注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板を使用する場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

本発明の発光素子において、陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極が透明又は半透明であることが好ましい。

［発光素子の製造方法］
本発明の発光素子において、陽極及び陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及びラミネート法が挙げられる。
本実施形態の発光素子において、第１の有機層、第２の有機層、第３の有機層、及び、その他の層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

第１の有機層、第２の有機層、第３の有機層、及び、その他の層は、上述した各種インク、及び、各種材料を含むインク（各種材料と溶媒とを含む組成物）を用いて、スピンコート法、インクジェット印刷法等の湿式法により形成することができる。なお、第１の有機層、第２の有機層、第３の有機層、及び、その他の層は、真空蒸着法等の乾式法により形成してもよい。

第１の有機層を湿式法により形成する場合、第１のインクを用いることが好ましい。

第２の有機層を湿式法により形成する場合、第２のインクを用いることが好ましい。第２の有機層を形成後、加熱又は光照射することで、第２の有機層に含有される第２の有機層の高分子化合物を架橋させることができる。第２の有機層を形成後、加熱することで、第２の有機層に含有される第２の有機層の高分子化合物を架橋させることが好ましい。第２の有機層は、第２の有機層の高分子化合物が架橋した状態（第２の有機層の高分子化合物の架橋体）で含有しているため、第２の有機層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、第２の有機層は、発光素子の積層化に好適に使用することができる。

架橋させるための加熱の温度は、通常、25℃〜300℃であり、好ましくは50℃〜260℃であり、より好ましくは130℃〜230℃であり、更に好ましくは180℃〜210℃である。
加熱の時間は、通常、0.1分〜1000分であり、好ましくは0.5分〜500分であり、より好ましくは1分〜120分であり、更に好ましくは10分〜60分である。

光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

第３の有機層を湿式法により形成する場合、第３のインクを用いることが好ましい。有機層（例えば、第１の有機層）の上に、有機層との溶解性の差を利用して第３の有機層を積層する場合、有機層に対して溶解性の低い溶液を用いることで電子輸送層を積層することが容易となる。

第１の有機層、第２の有機層又は第３の有機層に含有される成分の分析方法としては、例えば、抽出等の化学的分離分析法、赤外分光法、核磁気共鳴分光法、質量分析法等の機器分析法、並びに、化学的分離分析法及び機器分析法を組み合わせた分析法が挙げられる。

第１の有機層、第２の有機層又は第３の有機層に対して、トルエン、キシレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の有機溶媒を用いた固液抽出を行うことで、有機溶媒に対して実質的に不溶な成分（不溶成分）と、有機溶媒に対して溶解する成分（溶解成分）とに分離することが可能である。不溶成分は赤外分光法又は核磁気共鳴分光法により分析することが可能であり、溶解成分は核磁気共鳴分光法又は質量分析法により分析することが可能である。

［発光素子の用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。
測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１２９０ Ｉｎｆｉｎｉｔｙ ＬＣ及び６２３０ ＴＯＦ ＬＣ／ＭＳ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＴＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調節した。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ₃）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＺ４００Ｓ/Ｌ1、又は、ブルカー製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例Ｍ１＞ 化合物Ｍ１〜Ｍ８及び金属錯体ＲＭ１の合成
化合物Ｍ１及びＭ２は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３は、国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ４は、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ５、化合物Ｍ７及び化合物Ｍ８は、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ６は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
金属錯体ＲＭ１は、国際公開第２００９／１５７４２４号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｇ１＞ 金属錯体Ｇ１及びＧ２の合成
金属錯体Ｇ１は特開２０１３−２３７７８９号公報に記載の方法に従って合成した。
金属錯体Ｇ２は国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例Ｒ１〜Ｒ３＞ 金属錯体Ｒ１〜Ｒ３の合成
金属錯体Ｒ１は国際公開第２００３／０４０２５６号に記載の方法に準じて合成した。
金属錯体Ｒ２は特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に準じて合成した。
金属錯体Ｒ３はＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。

＜化合物ＨＭ−１、化合物ＨＴＭ−１及びＢＣＰ＞
化合物ＨＭ−１、化合物ＨＴＭ−１及びＢＣＰはＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。

＜合成例ＨＴＬ１＞ 高分子化合物ＨＴＬ−１の合成
高分子化合物ＨＴＬ−１は、化合物Ｍ１、化合物Ｍ２及び化合物Ｍ３を用いて、国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−１のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれ、Ｍｎ＝８．９×１０⁴及びＭｗ＝４．２×１０⁵であった。
高分子化合物ＨＴＬ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、５０：４２．５：７．５のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＨＴＬ２＞ 高分子化合物ＨＴＬ−２の合成
高分子化合物ＨＴＬ−２は、化合物Ｍ４、化合物Ｍ５及び化合物Ｍ６を用いて、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−２は、Ｍｎ＝２．３×１０⁴及びＭｗ＝１．２×１０⁵であった。
高分子化合物ＨＴＬ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ６から誘導される構成単位とが、４５：５：５０のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＨＴＬ３＞ 高分子化合物ＨＴＬ−３の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ７(２．５２ｇ)、化合物Ｍ５(０．４７０ｇ)、化合物Ｍ８(４．９０ｇ)、金属錯体ＲＭ１(０．５３０ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(4.2mg)及びトルエン(158mL)を加え、１００℃に加熱した。反応液に、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(16mL)を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(116mg)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(4.2mg)を加え、１５時間還流させた。その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、３．６質量％塩酸、２．５質量％アンモニア水、水で洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＴＬ−３を 6.02g得た。高分子化合物ＨＴＬ−３のMnは3.8×10⁴であり、Mwは4.5×10⁵であった。
高分子化合物ＨＴＬ−３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ７から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ８から誘導される構成単位と、金属錯体ＲＭ１から誘導される構成単位とが、40:10:47:3のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＨＴＬ４＞ 高分子化合物ＨＴＬ−４の合成
高分子化合物ＨＴＬ−４は、化合物Ｍ１及び化合物Ｍ２を用いて、特開２０１２−３６３８１号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−４のＭｎは８．１×１０^４であり、Ｍｗは３．４×１０^５であった。
高分子化合物ＨＴＬ−４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＥＴ１＞ 高分子化合物ＥＴ１の合成
（高分子化合物ＥＴ１ａの合成）
特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って、化合物ＥＴ１−１及び化合物ＥＴ１−２を合成し、それを用いて、高分子化合物ＥＴ１ａを合成した。

高分子化合物ＥＴ１ａのＭｎは５．２×１０⁴であった。

高分子化合物ＥＴ１ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＥＴ１−１から誘導される構成単位と、化合物ＥＴ１−２から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成された共重合体である。

（高分子化合物ＥＴ１の合成）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物ＥＴ１ａ（２００ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）及びエタノール（２０ｍＬ）を加え、５５℃に加熱した。その後、そこへ、水（２ｍＬ）に溶解させた水酸化セシウム（２００ｍｇ）を加え、５５℃で６時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を水で洗浄した後、減圧乾燥させることにより、高分子化合物ＥＴ１（１５０ｍｇ、薄黄色固体）を得た。得られた高分子化合物ＥＴ１のＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物ＥＴ１ａのエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。

＜合成例ＢＣ１〜ＢＣ４＞ 金属錯体ＢＣ１〜ＢＣ４の合成
金属錯体ＢＣ１は、特開２０１２−６９１４号公報に記載の方法に準じて合成した。
金属錯体ＢＣ２〜ＢＣ４は、国際公開第２０１６／１８５１８３号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｂ１＞ 金属錯体Ｂ１の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、２，４−ジメチルアニリン（２００ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（４００ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、１６質量％塩化水素シクロペンチルメチルエーテル溶液（３５７ｇ）を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続し、析出した固体をろ取し、得られた固体をヘキサン（１５０ｍＬ）で洗浄した。得られた固体を２−プロパノールを用いて晶析し、更に、室温で減圧乾燥させることで、化合物１ａ（２２０ｇ、薄赤色固体）を得た。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物１ａ（１４０ｇ）、クロロホルム（２１００ｍＬ）及びトリエチルアミン（２６７ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、２，２−ジメチルブチリルクロリド（１１３ｍＬ）を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続した後、そこへ、飽和炭酸ナトリウム水溶液（４００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。得られた反応混合物を分液した後、得られた有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液及びイオン交換水で順次洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を濃縮した後、そこへ、ヘプタンを加え、１時間撹拌し、得られた固体をろ取した。その後、得られた固体を４０℃で減圧乾燥させることで、化合物１ｂ（１６４ｇ、白色固体）を得た。化合物１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１ｂのＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，４００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．９４（３Ｈ，ｔ），１．２９（６Ｈ，ｓ），１．６７（２Ｈ，ｑ），２．２１（３Ｈ，ｓ），２．２８（３Ｈ，ｓ），６．９９（１Ｈ，ｓ），７．００（１Ｈ，ｄ），７．１２（１Ｈ，ｂｒ），７．６５（１Ｈ，ｄ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１ｂ（６０ｇ）、モノクロロベンゼン（４８０ｍＬ）、２−フルオロピリジン（２６ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（５０ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、ベンズヒドラジド（４１ｇ）を加えた後、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（５００ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びテトラヒドロフランの混合溶媒）で精製した後、２−プロパノール及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１ｃ（７０ｇ、収率８０％）を白色固体として得た。化合物１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１ｃのＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３２０［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂） δ（ｐｐｍ）：７．４２−７．３７（ｍ，２Ｈ），７．３５−７．３１（ｍ，２Ｈ），７．２９−７．２５（ｍ，２Ｈ），７．１９（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｓ，１Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），１．７９−１．７２（ｍ，４Ｈ），１．５７−１．４５（ｍ，１Ｈ），１．３４（ｓ，３Ｈ），１．１５（ｓ，３Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１５．３ｇ）、化合物１ｃ（４０．０ｇ）及びペンタデカン（４０ｍＬ）を加え、加熱還流下で５０時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ１を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン溶媒）で精製した後、トルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ１（３０．５ｇ）を得た。金属錯体Ｂ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。

金属錯体Ｂ１のＬＣ−ＭＳの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１１４９［Ｍ＋Ｈ］⁺

＜合成例Ｂ２＞ 金属錯体Ｂ２の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２，２’−ジメチルヘキサン酸（４０ｇ）、クロロホルム（２４０ｍＬ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（０．２１ｍＬ）及び塩化チオニル（２０ｍＬ）を加え、４５℃で３時間撹拌した。その後、反応容器を水浴を用いて冷却することにより、２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１ａ（４１．５ｇ）、クロロホルム（４００ｍＬ）及びトリエチルアミン（７５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却した。その後、そこへ、上記で得られた２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続した後、そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（２８０ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水（２８０ｍＬ）で洗浄した。その後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物２ｂ（６０ｇ、収率８８％）を薄黄色の油状物として得た。上記操作を繰り返すことにより、必要量の化合物２ｂを確保した。化合物２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物２ｂのＴＬＣ−ＭＳ測定結果は、以下のとおりであった。
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２４８［Ｍ＋Ｈ］⁺

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｂ（４０ｇ）、モノクロロベンゼン（３２０ｍＬ）、２−フルオロピリジン（１４ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２７ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、３−ブロモベンズヒドラジド（３５ｇ）を加えた後、９０℃で７時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸水素ナトリウム水溶液（１６０ｍＬ）を加えて、攪拌した後、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で精製することにより、固体を得た。得られた固体を、ヘプタンを用いて晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物２ｃ（４８ｇ、収率７７％）を白色固体として得た。化合物２ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物２ｃのＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４２６［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂） δ（ｐｐｍ）＝７．６０−７．５５（ｍ，１Ｈ），７．４１（ｄ，１Ｈ），７．２５（ｄ，１Ｈ），７．２１−７．１３（ｍ，２Ｈ），７．０９−７．０３（ｍ，２Ｈ），２．３６（ｓ，３Ｈ），１．７６−１．５９（ｍ，４Ｈ），１．４３−１．０７（ｍ，１１Ｈ），０．８４（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ（２．２ｇ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸（１．０ｇ）、トルエン（２２ｍＬ）及び（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（１８ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１６ｍＬ）を加えた後、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で精製した後、ヘプタンを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物２ｄ（２．２ｇ、収率８５％）を白色固体として得た。化合物２ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物２ｄのＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８０［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．５３−７．４８（ｍ，１Ｈ），７．４６−７．３９（ｍ，２Ｈ），７．４０−７．３７（ｍ，２Ｈ），７．３４−７．２９（ｍ，２Ｈ），７．２６−７．１９（ｍ，３Ｈ），７．０７（ｓ，１Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），１．７４（ｓ，３Ｈ），１．７０−１．６１（ｍ，１Ｈ），１．４７−１．３６（ｍ，１Ｈ），１．３４−１．３０（ｍ，１２Ｈ），１．２９−１．１４（ｍ，４Ｈ），１．１２（ｓ，３Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．０ｇ）、化合物２ｄ（２．０ｇ）及びペンタデカン（３ｍＬ）を加え、加熱還流下で４６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ２を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をアセトニトリル及びヘプタンで洗浄し、更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製した。その後、得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ２（１．０ｇ）を黄色固体として得た。金属錯体Ｂ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．８％であった。

金属錯体Ｂ２のＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６２９［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４１−７．１６（ｍ，１５Ｈ），７．１０−６．６４（ｍ，１２Ｈ），６．１９−６．０４（ｍ，３Ｈ），２．５４−２．４３（ｍ，９Ｈ），２．１６−１．６７（ｍ，９Ｈ），１．６２−１．０３（ｍ，６３Ｈ），０．８５−０．６３（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ３＞ 金属錯体Ｂ３の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２−フェニル−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（５０ｇ）、２−メチル−４−ブロモアニリン（４６ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（３ｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（４ｇ）及びトルエン（１Ｌ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を室温で滴下した後、７０℃で５時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却後、得られた反応液を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を濃縮した後、そこへ、テトラヒドロフラン及び活性白土を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過する操作を２回繰り返した。得られたろ液を減圧濃縮した後、そこへ、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した。その後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮した。上記操作を繰り返すことで、化合物３ａ（９２ｇ、赤茶色油状物）を得た。化合物３ａのＧＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物３ａ（９２ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（２１４ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、１６質量％塩化水素シクロペンチルメチルエーテル溶液（１１４ｇ）を滴下し、次いで、ヘプタン（６４９ｍＬ）を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続した後、析出した固体をろ取し、得られた固体をヘプタン及びアセトンで洗浄した。得られた固体を２−プロパノール、メタノール、エタノール及びヘプタンを用いて複数回晶析した後、得られた固体を室温で減圧乾燥させることで、化合物３ｂ（３７ｇ、薄赤色固体）を得た。上記操作を繰り返すことにより、必要量の化合物３ｂを確保した。

化合物３ｂのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．３３−７．６５（８Ｈ，ｍ），４．８５（３Ｈ，ｓ），２．４６（３Ｈ，ｓ）．

反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、２，２’−ジメチルヘキサン酸（２９ｇ）、クロロホルム（１７４ｍＬ）及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（０．１４ｇ）を加え、５０℃で撹拌した。その後、そこへ、塩化チオニル（２４ｇ）を滴下した後、５０℃で４時間撹拌した。その後、反応容器を水浴を用いて冷却することにより、２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を調製した。
別途用意した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物３ｂ（３９ｇ）、クロロホルム（２９０ｍＬ）及びトリエチルアミン（４７ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、上記で調製した２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を滴下した。滴下後、室温で２時間撹拌を継続した後、そこへ、飽和炭酸ナトリウム水溶液（３００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。得られた反応混合物を分液することにより、有機層を得た。得られた有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液及びイオン交換水で順次洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、油状物を得た。得られた油状物にヘキサンを加えた後、得られた混合物を、ドライアイスを加えたアセトンバスを用いて冷却しながら、１時間撹拌することにより、固体が析出した。その後、得られた固体をろ取し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物３ｃ（４０ｇ、白色固体）を得た。上記操作を繰り返すことにより、必要量の化合物３ｃを確保した。化合物３ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物３ｃのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．９８（１Ｈ，ｄ），７．５５（１Ｈ，ｄ），７．４２（１Ｈ，ｔ），７．４１（４Ｈ，ｍ），７．３１（１Ｈ，ｔ），２．３２（３Ｈ，ｓ），１．６２（２Ｈ，ｓ），１．３５（１０Ｈ，ｓ），０．９１（３Ｈ，ｓ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物３ｃ（３０ｇ）、モノクロロベンゼン（３００ｍＬ）、２−フルオロピリジン（９ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１８ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、２−ブロモベンゾイルヒドラジン（２３ｇ）を加えた後、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（３００ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をヘキサンで洗浄した後、更に、２−プロパノール、ヘプタン及びアセトニトリルを用いて複数回晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物３ｄ（３１ｇ）を白色固体として得た。化合物３ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物３ｄのＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８８［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．６４（ｍ，４Ｈ），７．３８−７．４９（ｍ，６Ｈ），７．２８−７．３０（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｔ，１Ｈ），１．８５（３Ｈ，ｓ），１．６７−１．７４（２Ｈ，ｍ），１．４２−１．５０（１Ｈ，ｍ），１．３９（３Ｈ，ｓ），１．１４−１．３６（３Ｈ，ｍ），１．１７（３Ｈ，ｓ），０．８８（３Ｈ，ｔ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物３ｄ（１０ｇ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸（４ｇ）及びトルエンを加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（７２ｍｇ）を加えた後、９０℃に加熱した。その後、そこへ、２０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６４ｇ）を滴下した後、９０℃で３時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応混合物を分液した。得られた有機層をイオン交換水で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、そこへ、ヘキサンを加え、固体をろ取した。得られた固体をヘキサン及び２−プロパノールを用いて複数回晶析した後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで化合物３ｅ（９ｇ、白色固体）得た。化合物３ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物３ｅのＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４２［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．６３−７．６８（ｍ，４Ｈ），７．３１−７．５２（ｍ，８Ｈ），７．２５（ｄ，２Ｈ），７．１５−７．１７（ｄ，２Ｈ），１．８８（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ），１．２１（ｓ，３Ｈ），１．４５−１．７８（ｍ，１Ｈ），１．１７−１．３９（ｍ，５Ｈ），０．８８（３Ｈ，ｔ）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．１ｇ）、化合物３ｅ（５．０ｇ）及びペンタデカン（１３ｍＬ）を加え、加熱還流下で４８時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ３を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析、並びに、トルエン及びヘキサンの混合溶媒を用いた晶析を、それぞれ、複数回繰り返した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ３（１．７ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．３％であった。

金属錯体Ｂ３のＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４２−７．７３（２４Ｈ，ｍ），６．９７−７．１１（１８Ｈ，ｍ），６．１３−６．２６（３Ｈ，ｍ），２．２３−２．２７（４Ｈ，ｍ），２．０１（１Ｈ，ｓ）１．９４（１Ｈ，ｓ），０．９７−１．８９（３４Ｈ，ｍ），１．８８（２Ｈ，ｄ），１．５６（３Ｈ，ｓ），１．２０（２７Ｈ，ｓ），０．７０−０．８４（９Ｈ，ｍ）

＜合成例Ｂ４＞ 金属錯体Ｂ４の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ（７．０ｇ）、フェニルボロン酸（２．１ｇ）、トルエン（７０ｍＬ）及び（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（５８ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５１ｇ）を加えた後、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、更に、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。その後、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で精製した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物４ｄ（４．７ｇ、収率４８％）を無色油状物として得た。化合物４ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物４ｄのＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８０［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂−ｄ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．５４−７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３９（ｍ，１Ｈ），７．３９−７．２７（ｍ，７Ｈ），７．２１（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｓ，１Ｈ），２．３９（ｓ，３Ｈ），１．７５（ｓ，３Ｈ），１．７１−１．６２（ｍ，１Ｈ），１．４６−１．３６（ｍ，１Ｈ），１．３３（ｓ，３Ｈ），１．３２−１．１４（ｍ，４Ｈ），１．１３（ｓ，３Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．５ｇ）、化合物４ｄ（４．５ｇ）及びペンタデカン（１４ｍＬ）を加え、加熱還流下で４６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ４を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をアセトニトリル及びヘプタンで洗浄し、次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製した。その後、得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ４（３．２ｇ）を黄色固体として得た。金属錯体Ｂ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９６．３％であった。

金属錯体Ｂ４のＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６２９［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４１−７．１７（ｍ，１５Ｈ），７．１５−６．６７（ｍ，１５Ｈ），６．２１−６．０６（ｍ，３Ｈ），２．５３−２．４３（ｍ，９Ｈ），２．１６−２．０５（ｍ，５Ｈ），１．９０−１．６７（ｍ，４Ｈ），１．６２−０．９９（ｍ，３６Ｈ），０．８３−０．６２（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ５＞ 金属錯体Ｂ５の合成

反応容器をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｂ（２５．２ｇ）、２−フルオロピリジン（１０．８ｇ）、クロロベンゼン（２０２ｍＬ）及びトリフルオロ酢酸無水物（３１．３ｇ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を水浴を用いて冷却した後、そこへ、２−ブロモ３−メチルベンゾイルヒドラジン（２５．４ｇ）を加え、室温で１０分間撹拌した。その後、反応液を少量取り出し、クロロホルムで希釈した後、ＨＰＬＣ測定を実施することにより、化合物２ｂの残存量が２％未満（ＨＰＬＣ面積百分率値）になったことを確認した後、反応液を、更に、９０℃で７時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層に硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。その後、乾燥させた有機層に、活性炭１２．６ｇを加えて、撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体に、クロロホルム及びテトラヒドロフランを加えた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。その後、得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物５ｃ（３６．２ｇ）を白色固体として得た。化合物５ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物５ｃのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂−ｄ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．６１−７．５３（ｍ，１Ｈ），７．２８−７．２１（ｍ，１Ｈ），７．２１−７．１２（ｍ，１Ｈ），７．１２−７．０１（ｍ，３Ｈ），２．３４（ｓ，３Ｈ），２．３０（ｓ，３Ｈ），１．７５−１．６０（ｍ，５Ｈ），１．４２−１．０８（ｍ，１０Ｈ），８５（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、３−ブロモスピロフルオレン（５．０ｇ）、ビスピナコラートジボロン（４．１ｇ）、酢酸カリウム（４．９ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（１２５ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン（０．３ｇ）を加えた後、９０℃で１６時間撹拌を継続した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水（５０ｍＬ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体に、トルエン及び活性炭（１．４ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することで、白色固体を得た。得られた白色固体を、トルエン及びアセトニトリルを用いて晶析し、次いで、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物５ｄ（４．５ｇ、白色固体）を得た。

化合物５ｄの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂、４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）= １．３３（１２Ｈ，ｍ），６．６４（４Ｈ，ｍ），７．０６−７．２３（３Ｈ，ｍ），７．３５（３Ｈ，ｔ），７．５１（１Ｈ，ｄ），７．８６（２Ｈ，ｄ），７．９１（１Ｈ，ｄ），８．２６（１Ｈ，ｓ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物５ｃ(１．７ｇ)、化合物５ｄ（２．０ｇ）、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．９ｇ）、イオン交換水（５．９ｇ）及びトルエン（１９．９ｇ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、ビス（ジ-ｔｅｒｔ-ブチル（４−ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．０３ｇ）を加えた後、８０℃で１９時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水（２７．０ｇ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（０．５ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びヘプタンの混合溶媒、並びに、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて複数回晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させた。上記の操作を繰り返すことにより、化合物５ｅ（２．６ｇ、白色固体）を得た。化合物５ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物５ｅの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８９−７．８５（ｍ，２Ｈ），７．８４−７．８０（ｍ，１Ｈ），７．６０−７．５７（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．３５（ｍ，３Ｈ），７．３０−７．２６（ｍ，２Ｈ），７．２３（ｄ，１Ｈ），７．１８−７．０８（ｍ，５Ｈ），７．０５（ｂｒ，１Ｈ），６．８２（ｄｄ，１Ｈ），６．７４−６．６３（ｍ，４Ｈ），２．３２（ｓ，３Ｈ），２．２７（ｓ，３Ｈ），１．７６（ｓ，３Ｈ），１．６９−１．５９（ｍ，１Ｈ），１．４４−１．３７（ｍ，１Ｈ），１．３２（ｓ，３Ｈ），１．２９−１．１５（ｍ，４Ｈ），１．０９（ｓ，３Ｈ），０．８５（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（０．５ｇ）、化合物５ｅ（２．５ｇ）及びペンタデカン（７．２ｇ）を加え、加熱還流下で４６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（９．０ｇ）を加え、シリカゲル（２２．６ｇ）を敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ５を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析し、次いで、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ５（０．７ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。

金属錯体Ｂ５のＬＣ／ＭＳ及び¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２２１８［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９０−７．８２（ｍ，９Ｈ），７．５１−７．３４（ｍ，１５Ｈ），７．２７−７．０９（ｍ，１５Ｈ），６．９０−６．７８（ｍ，３Ｈ），６．７５−６．５９（ｍ，１２Ｈ），６．５７−６．５１（ｍ，３Ｈ），５．８８−５．７８（ｍ，３Ｈ），２．２５−２．０５（ｍ，２７Ｈ），２．０１−１．８３（ｍ，６Ｈ），１．４７−１．０６（ｍ，３０Ｈ），０．８９−０．７２（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ６＞ 金属錯体Ｂ６の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ(１３．０ｇ)、５’−ｍ−テルフェニルボロン酸（９．２ｇ）、ビス（ジ-ｔ-ブチル（４−ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．１ｇ）及びトルエン（１００ｍL）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４９ｍL）を加えた後、９０℃で２１時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（３．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で分取精製することにより、油状物を得た。得られた油状物にメタノール及び活性炭を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、白色固体を得た。得られた固体をヘプタン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物６ａ（１１．３ｇ、白色固体）を得た。化合物６aのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物６ａの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．８０−７．２５（ｍ，１８Ｈ），７．２０−７．０７（ｍ，１Ｈ），７．０１（ｔ，１Ｈ），２．１９−２．０９（ｔ，３Ｈ），１．８４−１．５６（ｍ，５Ｈ），１．４５−１．０６（ｍ，１０Ｈ），０．９４−０．８６（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（２．１ｇ）、化合物６a（１０ｇ）及びペンタデカン（５０ｍL）を加えた後、加熱還流下で６３時間攪拌した。その後、反応容器を室温まで冷却し、そこへ、２−プロパノール（１００ｍL）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をジクロロメタン及びアセトニトリルの混合溶媒で洗浄することにより、黄色固体（５．５ｇ）を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製した後、ジクロロメタン及びエタノールの混合溶媒、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒、並びに、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した。更に、得られた固体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及びアセトニトリルの混合溶媒）で分取精製した後、トルエン及びエタノールの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ６（３．０ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
金属錯体Ｂ６の¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．６６−７．５６（ｍ，１５Ｈ），７．５１−７．１９（ｍ，２７Ｈ），７．１７−６．８０（ｍ，１２Ｈ），６．４１−６．２６（ｍ，３Ｈ），２．３４−２．４９（ｍ，６Ｈ），１．９６−１．８０（ｍ，１２Ｈ），１．６３−１．００（ｍ，３６Ｈ），０．８９−０．６５（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ７＞ 金属錯体Ｂ７の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２−ジベンゾフランカルボン酸（２０．０ｇ）、硫酸（１．８ｇ）及びエタノール（６００ｍL）を加え、８０℃で４５時間撹拌した後、得られた反応液を室温にした。上記の操作を２回繰り返した後、得られた２回の反応液を合一した。得られた合一した反応液を濃縮した後、そこへ、酢酸エチル（４００ｍL）を加え、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル（２００ｍL）及びイオン交換水（２００ｍL）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を炭酸ナトリウム水溶液（２００ｍL）で洗浄した後、得られた有機層をイオン交換水（２００ｍL）で洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、セライト及びシリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。その後、得られた油状物を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７a（３９．４ｇ）を薄黄色の油状物として得た。化合物７aのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。
化合物７aの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝１．４０（３Ｈ，ｔ），４．３９（２Ｈ，ｑ），７．３８（１Ｈ，ｄｔ），７．５０（１Ｈ，ｄｔ），７．５９（２Ｈ，ｄ），８．０２（１Ｈ，ｄｄ），８．１６（１Ｈ，ｄｄ），８．６７（１Ｈ，ｄ）．

反応容器をアルゴン雰囲気下とした後、化合物７a（４０．０ｇ）、エタノール（３６０ｍL）、イオン交換水（４０ｍL）及びヒドラジン一水和物（１２５．０ｇ）を加えた後、８０℃で６時間撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却した後、そこへ、イオン交換水（３００ｍL）を加え、０℃で１時間撹拌したところ、固体が生じた。得られた固体をろ取した後、得られた固体をイオン交換水（２００ｍL）で２回洗浄し、更に、５０％エタノール水（２００ｍL）で１回洗浄した。得られた固体に、２−プロパノール（５６５ｍL）を加えた後、懸濁撹拌した。その後、固体をろ取し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７ｂ（３４．５ｇ）を白色固体として得た。化合物７ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９７．１％であった、
化合物７ｂの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₃ＯＤ）δ（ｐｐｍ）＝４．８４（２Ｈ，ｓ），７．３９（１Ｈ，ｄｔ），７．５２（１Ｈ，ｄｔ），７．６０（１Ｈ，ｄｄ），７．６４（１Ｈ，ｄ），７．９３（１Ｈ，ｄｄ），８．０７（１Ｈ，ｄｄ），８．４８（１Ｈ，ｄ）．

反応容器をアルゴン雰囲気下とした後、化合物３ｃ（２２．０ｇ）、モノクロロベンゼン（２２０ｍL）、２−フルオロピリジン（６．７ｍL）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１２．８ｍL）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、化合物７ｂ（１７．７ｇ）を加えた後、８５℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（７８ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（８８ｍL）で洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、得られた固体をヘキサンで洗浄した。その後、得られた固体を、アセトニトリルを用いて晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７ｃ（２８．２ｇ）を白色固体として得た。化合物７ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物７ｃの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝０．８９（３Ｈ，ｔ），１．１８（３Ｈ，ｓ），１．２０−１．３５（３Ｈ，ｍ），１．３９（３Ｈ，ｍ），１．４６（１Ｈ，ｄｔ），１．６３（１Ｈ，ｍ），１．６６−１．７５（１Ｈ，ｍ），１．８３（３Ｈ，ｓ），７．２９（１Ｈ，ｄｔ），７．３４−７．６６（１２Ｈ，ｍ），７．８０（１Ｈ，ｄｄ），８．０２（１Ｈ，ｄ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（４．４ｇ）、化合物７ｃ（１８．０ｇ）及びペンタデカン（９０ｍL）を加え、加熱還流下で６６時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、２―プロパノール（９０ｍＬ）を加えたところ、固体が生じた。得られた固体をろ取した後、得られた固体にトルエン（１５ｍＬ）を加え、シリカゲル（７６ｇ）を敷いたろ過器でろ過した。その後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ７を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮した後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することで、固体を得た。得られた固体をトルエン及びエタノールの混合溶媒で晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ７（７．０ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ７のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．３％であった。
金属錯体Ｂ７のＬＣ／ＭＳ及び¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６８８．８［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝０．４９−０．８６（１０Ｈ，ｍ），０．９４−１．７０（３５Ｈ，ｍ），１．８１−１．９１（４Ｈ，ｍ），２．２３−２．３２（５Ｈ，ｍ），６．５１−６．５９（３Ｈ，ｍ），６．７８−７．２７（１５Ｈ,m），７．４３−７．８１（２４Ｈ，ｍ）．

＜合成例Ｂ８＞ 金属錯体Ｂ８の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物８ａ（２７．５ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（５５ｇ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、１６質量％塩化水素シクロペンチルメチルエーテル溶液（２７．８ｇ）を滴下した。その後、そこへ、ヘプタン（１１０ｇ）を滴下した後、室温で１時間撹拌を継続し、析出した固体をろ取した。得られた固体を、ヘプタン及びシクロペンチルメチルエーテルで洗浄した後、更に、減圧乾燥させることで、化合物８ｂ（２９ｇ）を得た。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、２，２’−ジメチルヘキサン酸（１７．３ｇ）、クロロホルム（１１４ｇ）及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（０．０４ｇ）を加え、５０℃で撹拌した。その後、そこへ、塩化チオニル（１５．０ｇ）を滴下した後、４０℃で３時間撹拌することにより、２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを発生させた。その後、反応容器を水浴を用いて冷却し、２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を得た。
別途用意した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物８ｂ（２８．５ｇ）、クロロホルム（１１４ｇ）及びトリエチルアミン（３９．７ｇ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、上記で調製した２，２’−ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を滴下した後、４０℃で５時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、イオン交換水を滴下した。その後、水層を除去した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、更に、減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製した後、更に、ヘプタンを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物８ｃ（２６．４ｇ）を得た。化合物８ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物８ｃのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．６４−７．６０（ｍ，２Ｈ），７．５９−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．４４−７．３９（ｍ，３Ｈ），７．３６（ｂｒ，１Ｈ），７．３４−７．２９（ｍ，１Ｈ），１．６５−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ），１．３６−１．２７（ｍ，１０Ｈ），０．９２−０．８７（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物８ｃ（５．５ｇ）、モノクロロベンゼン（２８ｇ）、２−フルオロピリジン（１．７ｇ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（４．９ｇ）を加え、室温下で１時間撹拌した。その後、そこへ、３−ブロモベンズヒドラジド（３．７ｇ）を加えた後、１１０℃で１７時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸水素ナトリウム水溶液（３０ｇ）を加えた。その後、水層を除去した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、更に、減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることで、化合物８ｄ（５．３ｇ）を得た。化合物８ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．１％であった。
化合物８ｄのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７９（ｄ，１Ｈ），７．６９−７．６４（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｄｄ，１Ｈ），７．５５（ｄｄ，１Ｈ），７．５３−７．４７（ｍ，２Ｈ），７．４６−７．３９（ｍ，２Ｈ），７．３５（ｄ，１Ｈ），７．３４−７．２７（ｍ，１Ｈ），７．１２（ｔ，１Ｈ），２．００−１．８６（ｍ，１Ｈ），１．５９−１．５０（ｍ，１Ｈ），１．４４−１．２６（ｍ，６Ｈ），１．２５−１．１３（ｍ，４Ｈ），０．９９−０．８８（ｍ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物８ｄ（５．２ｇ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸（２．１ｇ）、トルエン（５２ｇ）及び（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（６７ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３０ｍＬ）を加えた後、加熱還流下で７０時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びクロロホルムの混合溶媒）で精製し、更に、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物８ｅ（３．９ｇ）を得た。化合物８ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物８ｅのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，１Ｈ），７．７３−７．６６（ｍ，３Ｈ），７．６４（ｄｄ，１Ｈ），７．５５−７．４７（ｍ，３Ｈ），７．４７−７．３５（ｍ，３Ｈ），７．２３−７．１６（ｍ，３Ｈ），７．０９−７．０３（ｍ，２Ｈ），２．０１−１．９０（ｍ，１Ｈ），１．６０−１．５０（ｍ，１Ｈ），１．４４−１．１６（ｍ，１９Ｈ），０．９５−０．８４（ｍ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（０．８６ｇ）、化合物８ｅ（３．６ｇ）及びペンタデカン（１０ｇ）を加え、加熱還流下で６７時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をアシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製し、更に、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ８（１．０ｇ）を得た。金属錯体Ｂ８のＨＰＬＣ面積百分率値は９５．３％であった。

金属錯体Ｂ８のＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９４１［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０５−７．９３（ｍ，３Ｈ），７．７７−７．３１（ｍ，２１Ｈ），７．１７−６．８１（ｍ，１８Ｈ），６．２９−６．１６（ｍ，３Ｈ），２．００−１．７７（ｍ，２Ｈ），１．７５−１．５２（ｍ，２Ｈ），１．５０−１．１５（ｍ，６４Ｈ），１．１２−０．８０（ｍ，２８Ｈ），０．５４−０．４２（ｍ，３Ｈ）．

＜合成例Ｂ９＞ 金属錯体Ｂ９の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物３ｃ（８．５ｇ）、クロロベンゼン（８５ｍＬ）、２−フルオロピリジン（２．６ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（５．１ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、３−メチルベンズヒドラジド（４．５ｇ）を加えた後、９０℃で２時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて、撹拌した。その後、有機層を抽出した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体を、ヘプタン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析した後、更に、アセトニトリルを用いて晶析した。得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物９ａ（４．９ｇ）を得た。化合物９ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．３ｇ）、化合物９ａ（１．３ｇ）及びペンタデカン（１０ｍＬ）を加え、加熱還流下で５０時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製した後、ヘプタン、トルエン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ９（１．２ｇ）を得た。金属錯体Ｂ９のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ９のＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１４６０．８［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝０．６９−０．９１（ｍ，９Ｈ），１．０７−１．９９（ｍ，４８Ｈ），２．１４−２．３６（ｍ，６Ｈ），５．７３−５．８１（ｍ，３Ｈ），６．４０−６．８１（ｍ，６Ｈ），７．２８−７．７５（ｍ，２４Ｈ）．

＜合成例Ｂ１０＞ 金属錯体Ｂ１０の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物５ｃ(１５．０ｇ)、フェニルホウ酸（４．４ｇ）、ビス（ジ-ｔｅｒｔ-ブチル（４−ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．１ｇ）及びトルエン（７５ｍL）を加え、８０℃で撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５５ｍL）を加えた後、８０℃で４０時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水（７５ｍＬ）で２回洗浄した後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、乾燥させた有機層に、活性炭（１５．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で分取精製することにより、固体を得た。得られた固体を、ヘプタン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析し、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１０ａ（４．０ｇ、白色固体）を得た。化合物１０ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１０ａの¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４０−６．９４（ｍ，１１Ｈ），２．４２−２．３４（ｍ，３Ｈ），２．２３−２．１５（ｍ，３Ｈ），１．７８−１．４８（ｍ，６Ｈ），１．４２−１．１６（ｍ，６Ｈ），１．１３−１．０６（ｍ，３Ｈ），０．９２−０．７７（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．１ｇ）、化合物１０ａ（４．０ｇ）及びペンタデカン（５０ｍL）を加え、加熱還流下で５２時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（３２ｍＬ）を加え、シリカゲル（１６．０ｇ）を敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体１０を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製し、更に、得られた固体をエタノールで洗浄した。次いで、得られた固体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及びアセトニトリルの混合溶媒）で分取精製し、更に、得られた固体をアセトニトリルで洗浄した。その後。得られた固体をトルエン及びエタノールの混合溶媒を用いて晶析し、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ１０（１．５ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ１０のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。

金属錯体Ｂ１０の¹Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．３３−７．０８（ｍ，１８Ｈ），７．０２−６．９３（ｍ，６Ｈ），６．７３−６．４８（ｍ，３Ｈ），５．８１−５．７１（ｍ，３Ｈ），２．４３−２．３２（ｍ，９Ｈ），２．１６−１．９７（ｍ，１５Ｈ），１．９１−１．７９（ｍ，３Ｈ），１．５８−１．０３（ｍ，３６Ｈ），０．８４−０．６７（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ１１＞ 金属錯体Ｂ１１の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｂ（２８．０ｇ）、クロロベンゼン（３６０ｍＬ）、２−フルオロピリジン（１１ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２１ｍＬ）を加え、９０℃で撹拌した。その後、そこへ、３，４−ジクロロベンゼンカルボヒドラジド（２５．５ｇ）を加えた後、９０℃で９時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（１００ｍＬ）で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体をヘキサンで洗浄した後、アセトニトリルを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１１ａ（３７．８ｇ）を白色固体として得た。化合物１１ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１１ａの^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝０．８６（ｔ，３H），
１．０４−１．５０（m, １１H）, １．５８−１．９０（m, ４H）, ２．４０（s, ３H）, ６．９８−７．３６（ｍ，５H），７．５０（ｓ，１H）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１１ａ（３５．０ｇ）、２，４−ジメチルフェニルボロン酸（２６．０ｇ）、トルエン（７００ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２．３ｇ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（２．８ｇ）を加え、９０℃で加熱撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４０９ｍＬ）を加えた後、９０℃で９時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応混合物を分液した。得られた有機層をイオン交換水（１５０ｍＬ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（４．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮し、更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、油状物を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた油状物（３０．０ｇ）、２，４−ジメチルフェニルボロン酸（２．２ｇ）、トルエン（４５０ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１．０ｇ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（１．２ｇ）を加え、９０℃で加熱撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３４ｍＬ）を加えた後、９０℃で５時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応混合物を分液した。得られた有機層をイオン交換水（１５０ｍＬ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（４．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することにより、赤茶色油状物を得た。得られた赤茶色油状物を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル）で分取精製し、次いで、得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で分取精製した。その後、得られた油状物をリサイクル分取ＧＰＣにより、分取精製した。その後、得られた油状物を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物１１ｂ（２．２ｇ、無色透明油状物）を得た。化合物１１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１１ｂのＬＣ／ＭＳ及び^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５５６［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝０．８６（ｔ，３Ｈ），１．１２−１．４４（ｍ，１１Ｈ），１．５８−２．０４（ｍ，１０Ｈ），２．２０（ｓ，６Ｈ），２．３７（ｓ，３Ｈ），６．４６−７．２５（ｍ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（０．４ｇ）、化合物１１ｂ（２．０ｇ）及びペンタデカン（６ｍＬ）を加え、加熱還流下で５４時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（３０ｍＬ）を加え、シリカゲル（２０．０ｇ）を敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ１１を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、固体を得た。得られた固体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製し、更に、得られた固体をトルエン及びエタノールの混合溶媒で晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ１１（０．６ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ１１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ１１のＬＣ／ＭＳ及び^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８５８［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝０．８２−２．３０（ｍ，９９Ｈ），５．６９−７．２７（ｍ，３３Ｈ）．

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（第２の有機層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（正孔輸送層）を形成した。この加熱により、高分子化合物ＨＴＬ−１は、架橋体となった。

（第１の有機層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１及び金属錯体Ｂ１（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１＝７５質量％／２５質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（第１の発光層）を形成した。

（第３の有機層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の有機層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第３の有機層（電子輸送層）を形成した。

（陰極の形成）
第３の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表４に示す。

＜実施例Ｄ２〜Ｄ６及び比較例ＣＤ１〜ＣＤ２＞ 発光素子Ｄ２〜Ｄ６、ＣＤ１及びＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ１の（第１の有機層の形成）における「化合物ＨＭ−１及び金属錯体Ｂ１（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１＝７５質量％／２５質量％）」に代えて、表４に記載の材料を用い、実施例Ｄ１の（第２の有機層の形成）における「高分子化合物ＨＴＬ−１」に代えて、表４に記載の材料を用い、更に、実施例Ｄ１の（第３の有機層の形成）における「高分子化合物ＥＴ１」に代えて、表４に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２〜Ｄ６、ＣＤ１及びＣＤ２を作製した。
発光素子Ｄ２〜Ｄ６、ＣＤ１及びＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表４に示す。

＜実施例Ｄ７及び比較例ＣＤ３＞ 発光素子Ｄ７及びＣＤ３の作製と評価
実施例Ｄ１の（第２の有機層の形成）における「高分子化合物ＨＴＬ−１」に代えて、「化合物ＨＴＭ−１」を用い、更に、実施例Ｄ１の（第３の有機層の形成）における「高分子化合物ＥＴ１」に代えて、表５に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ７及びＣＤ３を作製した。
発光素子Ｄ７及びＣＤ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表５に示す。

＜実施例Ｄ８＞ 発光素子Ｄ８の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（第２の有機層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−３を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（第２の発光層）を形成した。この加熱により、高分子化合物ＨＴＬ−３は、架橋体となった。

（第１の有機層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ２及び金属錯体Ｇ２（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ２／金属錯体Ｇ２＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（第１の発光層）を形成した。

（第３の有機層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の有機層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第３の有機層（電子輸送層）を形成した。

（陰極の形成）
第３の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ８を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が１ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表６に示す。

＜実施例Ｄ９〜Ｄ１４及び比較例ＣＤ４〜ＣＤ５＞ 発光素子Ｄ９〜Ｄ１４、ＣＤ４及びＣＤ５の作製と評価
実施例Ｄ８の（第１の有機層の形成）における「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ２及び金属錯体Ｇ２（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ２／金属錯体Ｇ２＝７４質量％／２５質量％／１質量％）」に代えて、表６に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ８と同様にして、発光素子Ｄ９〜Ｄ１４、ＣＤ４及びＣＤ５を作製した。
発光素子Ｄ９〜Ｄ１４、ＣＤ４及びＣＤ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が１ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表６に示す。

＜実施例Ｄ１５＞ 発光素子Ｄ１５の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（第２の有機層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−２を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（正孔輸送層）を形成した。この加熱により、高分子化合物ＨＴＬ−２は、架橋体となった。

（第１の有機層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ２（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ２＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（第１の発光層）を形成した。

（第３の有機層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の有機層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第３の有機層（電子輸送層）を形成した。

（陰極の形成）
第３の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１５を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が１５０ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表７に示す。

＜実施例Ｄ１６〜Ｄ２７及び比較例ＣＤ６〜ＣＤ７＞ 発光素子Ｄ１６〜Ｄ２７、ＣＤ６及びＣＤ７の作製と評価
実施例Ｄ１５の（第１の有機層の形成）における「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ２（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ２＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、表７に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子Ｄ１６〜Ｄ２７、ＣＤ６及びＣＤ７を作製した。
発光素子Ｄ１６〜Ｄ２７、ＣＤ６及びＣＤ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。電流密度が１５０ｍＡ／ｃｍ²における駆動電圧及びＣＩＥ色度座標(ｘ,ｙ)を測定した。結果を表７に示す。

Claims (11)

1. 陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層並びに前記陰極及び前記第１の有機層の間に設けられた第３の有機層からなる群より選択される少なくとも一層と、を有し、
   前記第１の有機層が、式（１）で表される金属錯体を含有し、
   前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有し、
   前記第３の有機層が、式（ＥＴ−１）で表される構成単位及び式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物を含有する、発光素子。
   

   

   ［式中、
   Ｍ¹はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   ｎ¹は１以上の整数を表し、ｎ²は０以上の整数を表す。但し、Ｍ¹がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は３であり、Ｍ¹がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は２である。
   環Ｒ^1Aは、ジアゾール環、トリアゾール環又はテトラゾール環を表す。
   環Ｒ²は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ¹及びＥ²の少なくとも一方は炭素原子である。
   Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   但し、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aの少なくとも１つは窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは式（Ａｒ−１Ａ）で表される基である。
   Ｒ^11AとＲ^12Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^12AとＲ^13Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｅ^11Aが窒素原子の場合、Ｒ^11Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^12Aが窒素原子の場合、Ｒ^12Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^13Aが窒素原子の場合、Ｒ^13Aは存在しても存在しなくてもよい。
   Ａ¹−Ｇ¹−Ａ²は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ¹及びＡ²は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ¹は、単結合、又は、Ａ¹及びＡ²とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ¹−Ｇ¹−Ａ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｒ²は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
   Ａｒ^E1は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^E1は、式（ＥＳ−１）で表される基を表す。Ｒ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   
   −Ｒ^E3−｛（Ｑ^E1）_nE3−Ｙ^E1（Ｍ^E1）_aE1（Ｚ^E1）_bE1｝_mE1 （ＥＳ−１）
   ［式中、
   ｎＥ３及びｂＥ１は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、ａＥ１及びｍＥ１は、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。ｎＥ３、ａＥ１及びｂＥ１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^E3が単結合である場合、ｍＥ１は１である。ａＥ１及びｂＥ１は、前記式（ＥＳ−１）で表される基の電荷が０となるように選択される。
   Ｒ^E3は、単結合、炭化水素基、複素環基又はＯ−Ｒ^E3’を表し（Ｒ^E3’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｑ^E1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｙ^E1は、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-又は−ＰＯ₃ ^2-を表す。Ｙ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｍ^E1は、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン又はアンモニウムカチオンを表し、前記アンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。Ｍ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｚ^E1は、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｂ（Ｒ^E4）₄ ^-、Ｒ^E4ＳＯ₃ ^-、Ｒ^E4ＣＯＯ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-を表す。Ｒ^E4は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^E1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｎＥ２は、１以上の整数を表す。
   Ａｒ^E2は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^E2は、式（ＥＳ−２）で表される基を表す。Ｒ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   
   −Ｒ^E5−｛（Ｑ^E2）_nE4−Ｙ^E2（Ｍ^E2）_aE2（Ｚ^E2）_bE2｝_mE2 （ＥＳ−２）
   ［式中、
   ｎＥ４及びｂＥ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、ａＥ２及びｍＥ２は、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。ｎＥ４、ａＥ２及びｂＥ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^E5が単結合である場合、ｍＥ２は１である。ａＥ２及びｂＥ２は、前記式（ＥＳ−２）で表される基の電荷が０となるように選択される。
   Ｒ^E5は、単結合、炭化水素基、複素環基又はＯ−Ｒ^E5’を表し（Ｒ^E5’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｑ^E2は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｙ^E2は、−Ｃ⁺Ｒ^E6 ₂、−Ｎ⁺Ｒ^E6 ₃、−Ｐ⁺Ｒ^E6 ₃、−Ｓ⁺Ｒ^E6 ₂又は−Ｉ⁺Ｒ^E6 ₂を表す。Ｒ^E6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^E6は、同一でも異なっていてもよい。Ｙ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｍ^E2は、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｂ（Ｒ^E7）₄ ^-、Ｒ^E7ＳＯ₃ ^-、Ｒ^E7ＣＯＯ^-、ＢＦ₄ ^-、ＳｂＣｌ₆ ^-又はＳｂＦ₆ ^-を表す。Ｒ^E7は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｍ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｚ^E2は、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンを表す。Ｚ^E2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
2. 前記第２の有機層を有し、かつ、前記架橋基が架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である、請求項１に記載の発光素子。
   （架橋基Ａ群）
   

   

   ［式中、Ｒ^XLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎ^XLは、０〜５の整数を表す。Ｒ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
3. 前記架橋基を有する構成単位が、式（３）又は式（４）で表される構成単位である、請求項２に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、
   ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ³は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｌ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｘは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ⁵は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ⁴及びＡｒ⁶は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ⁴、Ａｒ⁵及びＡｒ⁶はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接結合して、又は、酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
   Ｋ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、前記と同じ意味を表す。Ｋ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｘ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
4. 前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）又は式（１−Ａ２）で表される金属錯体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A、Ｅ^11A、Ｅ^12A、Ｅ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
   環Ｒ^2Aは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^2Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   但し、式（１−Ａ１）中、Ｒ^11Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基であり、式（１−Ａ２）中、Ｒ^12Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基である。］
5. 前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）で表される金属錯体であり、かつ、前記式（１−Ａ１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１−１）、式（１−Ａ１−２）又は式（１−Ａ１−３）で表される金属錯体である、請求項４に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
6. 前記式（１−Ａ２）で表される金属錯体が、式（１−Ａ２−１）又は式（１−Ａ２−２）で表される金属錯体である、請求項４に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹−Ｇ¹−Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
7. 前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−２Ａ）で表される基である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｒ²は、前記と同じ意味を表す。
   環Ａ¹は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表す。
   Ｅ^1A、Ｅ^2A及びＥ^3Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^1Aが窒素原子の場合、Ｒ^1Aは存在しない。Ｅ^2Aが窒素原子の場合、Ｒ^2Aは存在しない。Ｅ^3Aが窒素原子の場合、Ｒ^3Aは存在しない。
   Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^1AとＲ^2A、及び、Ｒ^2AとＲ^3Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
8. 前記式（Ａｒ−２Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−３Ａ）で表される基である、請求項７に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｒ²、Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、前記と同じ意味を表す。］
9. 前記第１の有機層が、式（Ｈ−１）で表される化合物、若しくは、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物、又は、これらの組み合わせを更に含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^H1及びＡｒ^H2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎ^H1及びｎ^H2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^H2は、同一でも異なっていてもよい。
   ｎ^H3は、０以上１０以下の整数を表す。
   Ｌ^H1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^H11）₂］ｎ^H11−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^H11は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^H11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^H11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｌ^H2は、−Ｎ（−Ｌ^H21−Ｒ^H21）−で表される基を表す。Ｌ^H2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^H21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^H21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   ［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
10. 前記第２の有機層及び前記第３の有機層を有し、かつ、前記第１の有機層が第１の発光層であり、前記第２の有機層が正孔輸送層又は第２の発光層であり、前記第３の有機層が電子輸送層である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光素子。
11. 前記第２の有機層及び前記第３の有機層を有し、且つ、前記第１の有機層と前記第２の有機層と前記第３の有機層とが隣接している、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光素子。