JP2018083940A - 組成物及びそれを用いた発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧が低い発光素子の製造に有用な組成物の提供。【解決手段】式（１）で表わされる金属錯体と、他の芳香族環を有するＲｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、又はＰｔ金属錯体を含む２種以上金属錯体を含有する組成物。［式中、Ｍは、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ又はＰｔ原子を表す。ｎ１は１以上の整数、ｎ２は０以上の整数を表し、ｎ１＋ｎ２は２又は３である。Ｅ１は、Ｃ又はＮを表す。環Ｂは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｚ１Ａは、＝Ｎ−で表される基等を表す。Ａｒ１Ａは、環状の置換基を表す。Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、アニオン性の２座配位子を表す。］【選択図】なし

Description

本発明は、組成物及びそれを用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が行われている。例えば、特許文献１には、下記式で表される金属錯体（Ｂ）及び金属錯体（Ｒ）を含む組成物を含有する発光層を有する発光素子が記載されている。

特開２０１１−２５３９８０号公報

しかし、上述した発光素子は、駆動電圧が必ずしも十分に低く抑えられていない。

そこで、本発明は、駆動電圧が低い発光素子を提供することを目的とする。本発明はまた、駆動電圧が低い発光素子の製造に有用な組成物を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供する。
［１］式（１）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体の２種以上と、を含有する、組成物。

［式中、
Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３である。
Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
Ｅ^１は、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｅ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｂは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１Ａは、＝Ｎ−で表される基又は＝Ｃ（Ｒ^Ｚ１Ａ）−で表される基を表す。Ｚ^１Ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^Ｚ１Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^１Ａは、式（Ａｒ−１Ａ）で表される基を表す。Ａｒ^１Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、又は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、
Ｍ^２は、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ^３は１以上の整数を表し、ｎ^４は０以上の整数を表し、ｎ^３＋ｎ^４は２又は３である。
Ｍ^２がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は３であり、Ｍ^２がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は２である。
Ｅ^４は、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｅ^４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ^１は、６員の芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ^２は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ^１が有していてもよい置換基と環Ｌ^２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
環Ｌ^１及び環Ｌ^２からなる群から選ばれる少なくとも１つの環は、置換基として式（１−Ｔ）で表される基を有する。式（１−Ｔ）で表される基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^３及びＡ^４は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^２は、単結合、又は、Ａ^３及びＡ^４とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、Ｒ^１Ｔは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［２］前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−１）で表される金属錯体である、［１］に記載の組成物。

［式中、
Ｍ、Ｚ^１Ａ、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１、Ａｒ^１Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
環Ｂ^１は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表し、Ｅ^１Ｂ、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ及びＥ^４Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１Ｂ、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ及びＥ^４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１Ｂは存在しない。Ｅ^２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２Ｂは存在しない。Ｅ^３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^３Ｂは存在しない。Ｅ^４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^４Ｂは存在しない。
Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１ＢとＲ^２Ｂ、Ｒ^２ＢとＲ^３Ｂ、及び、Ｒ^３ＢとＲ^４Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［３］前記式（１−１）で表される金属錯体が、式（１−２）で表される金属錯体である、［２］に記載の組成物。

［式中、Ｍ、Ｚ^１Ａ、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１、Ａｒ^１Ａ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２、Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂは、前記と同じ意味を表す。］
［４］前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−２Ａ）で表される基である、［１］〜［３］のいずれかに記載の組成物。

［式中、Ｒ^２及びＲ^３は、前記と同じ意味を表す。
環Ａ^１は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表し、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ及びＥ^３Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１Ａは存在しない。Ｅ^２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２Ａは存在しない。Ｅ^３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^３Ａは存在しない。
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１ＡとＲ^２Ａ、及び、Ｒ^２ＡとＲ^３Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［５］前記式（Ａｒ−２Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−３Ａ）で表される基である、［４］に記載の組成物。

［式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａは、前記と同じ意味を表す。］
［６］前記式（２）で表される金属錯体が、式（２−Ｂ）で表される金属錯体である、［１］〜［５］のいずれかに記載の組成物。

［式中、
Ｍ^２、ｎ^３、ｎ^４及びＡ^３−Ｇ^２−Ａ^４は、前記と同じ意味を表す。
環Ｌ^１Ｂは、ピリジン環又はピリミジン環を表し、環Ｌ^２Ｂは、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表し、Ｅ^１１Ｂ、Ｅ^１２Ｂ、Ｅ^１３Ｂ、Ｅ^１４Ｂ、Ｅ^２１Ｂ、Ｅ^２２Ｂ、Ｅ^２３Ｂ及びＥ^２４Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１１Ｂ、Ｅ^１２Ｂ、Ｅ^１３Ｂ、Ｅ^１４Ｂ、Ｅ^２１Ｂ、Ｅ^２２Ｂ、Ｅ^２３Ｂ及びＥ^２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１１Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１１Ｂは存在しない。Ｅ^１２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１２Ｂは存在しない。Ｅ^１３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１３Ｂは存在しない。Ｅ^１４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１４Ｂは存在しない。Ｅ^２１Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２１Ｂは存在しない。Ｅ^２２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２２Ｂは存在しない。Ｅ^２３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２３Ｂは存在しない。Ｅ^２４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２４Ｂは存在しない。
Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子又は式（１−Ｔ）で表される基を表す。Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１ＢとＲ^１２Ｂ、Ｒ^１２ＢとＲ^１３Ｂ、Ｒ^１３ＢとＲ^１４Ｂ、Ｒ^１１ＢとＲ^２１Ｂ、Ｒ^２１ＢとＲ^２２Ｂ、Ｒ^２２ＢとＲ^２３Ｂ、及び、Ｒ^２３ＢとＲ^２４Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基である。］
［７］前記式（２−Ｂ）で表される金属錯体が、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体、式（２−Ｂ２）で表される金属錯体、式（２−Ｂ３）で表される金属錯体、式（２−Ｂ４）で表される金属錯体又は式（２−Ｂ５）で表される金属錯体である、［６］に記載の組成物。

［式中、
Ｍ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ、Ｒ^２４Ｂ及びＡ^３−Ｇ^２−Ａ^４は、前記と同じ意味を表す。
ｎ^３１及びｎ^３２は、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、ｎ^３１＋ｎ^３２は２又は３である。Ｍ^２がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^３１＋ｎ^３２は３であり、Ｍ^２がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^３１＋ｎ^３２は２である。
Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ及びＲ^１８Ｂは、それぞれ独立に、水素原子又は式（１−Ｔ）で表される基を表す。Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ及びＲ^１８Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１５ＢとＲ^１６Ｂ、Ｒ^１６ＢとＲ^１７Ｂ、及び、Ｒ^１７ＢとＲ^１８Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、式（２−Ｂ１）及び式（２−Ｂ３）中、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基であり、式（２−Ｂ２）中、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基であり、式（２−Ｂ４）中、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基であり、式（２−Ｂ５）中、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基である。］
［８］前記Ｒ^１Ｔが、置換基を有していてもよいアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ）で表される基である、［１］〜［７］のいずれかに記載の組成物。

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１は、０以上の整数を表す。
Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［９］式（Ｈ−１）で表される化合物を更に含有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の組成物。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上１０以下の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１０］正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、［１］〜［９］のいずれかに記載の組成物。
［１１］［１］〜［１０］のいずれかに記載の組成物を含有する発光素子。

本発明によれば、駆動電圧が低い発光素子を提供することができる。また、本発明によれば、駆動電圧が低い発光素子の製造に有用な組成物を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３以上（例えば１×１０^３〜１×１０^８）である重合体を意味する。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合、発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。高分子化合物の末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは１〜３０であり、より好ましくは１〜１５であり、更に好ましくは１〜１０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは３〜１５であり、更に好ましくは３〜１０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基等が挙げられる。また、アルキル基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。このようなアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基等が挙げられる。また、アリール基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられる。また、アルコキシ基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルコキシ基としては、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基等が挙げられる。また、アリールオキシ基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基等が挙げられる。また、１価の複素環基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基であってもよい。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、二置換アミノ基が好ましい。二置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
二置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。シクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタトリエニル基、ノルボルニレニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。シクロアルキニル基としては、例えば、シクロオクチニル基等が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。アリーレン基は、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

式中、Ｒ及びＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である。複数存在するＲ及びＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよい。２価の複素環基としては、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール又はトリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられる。また、２価の複素環基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基であってもよい。２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

式中、Ｒ及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、近紫外線照射処理、可視光照射処理、赤外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基である。架橋基は、好ましくは、式（Ｂ−１）〜（Ｂ−１７）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜式（１）で表される金属錯体＞
式（１）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。

式（１）で表される金属錯体は、中心金属であるＭと、添え字ｎ^１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ^２でその数を規定されている配位子とから構成されている。

Ｍは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、イリジウム原子又は白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。

Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１は２であることが好ましい。

Ｅ^１は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｂにおける芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
環Ｂにおける芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、インデン環、フルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環及びこれらの環が縮合した環が挙げられる。環Ｂにおける芳香族炭化水素環は、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、インデン環、フルオレン環、フェナントレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｂにおける芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
環Ｂにおける芳香族複素環としては、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、インドール環、ベンゾジアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらの環に芳香環が縮合した環が挙げられる。環Ｂにおける芳香族複素環は、好ましくは、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、インドール環、ベンゾジアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくは、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｂは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、５員若しくは６員の芳香族炭化水素環、又は、５員若しくは６員の芳香族複素環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。環Ｂが６員の芳香族複素環である場合、Ｅ^１は炭素原子であることが好ましい。

環Ｂが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基が更に好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が特に好ましく、アリール基がとりわけ好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ジヒドロフェナントレニル基、フルオレニル基又はピレニル基が好ましく、フェニル基、ナフチル基又はフルオレニル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

環Ｂが有していてもよい置換基における１価の複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基が好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基又はカルバゾリル基がより好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基又はトリアジニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

環Ｂが有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｂが有していてもよい置換基のうち、アリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基としては、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｄ−Ａ）、（Ｄ−Ｂ）又は（Ｄ−Ｃ）で表される基が好ましく、式（Ｄ−Ａ）又は（Ｄ−Ｃ）で表される基がより好ましい。

［式（Ｄ−Ａ）、（Ｄ−Ｂ）又は（Ｄ−Ｃ）で表される基］
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましく、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることがより好ましい。

Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、より好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）又は式（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、特に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）で表される基である。

式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１１）、式（ＡＡ−３３）又は式（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−５）で表される基であり、特に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−３）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）で表される基である。

式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜式（ＴＤＡ−３）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ−１）で表される基である。

式中、Ｒ^ＤＡ及びＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。

式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ１）、式（Ｄ−Ａ３）又は式（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ａ１）又は式（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ−Ａ１）で表される基である。

式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。

式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）又は式（Ｄ−Ｂ３）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ｄ−Ｂ１）で表される基である。

式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜式（Ｄ−Ｃ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜式（Ｄ−Ｃ３）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）又は式（Ｄ−Ｃ２）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）で表される基である。

式中、
Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０〜４の整数を表し、ｎｐ５は０〜５の整数を表し、ｎｐ６は０〜５の整数を表す。

ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０〜２の整数である。ｎｐ５は、好ましくは１〜３の整数である。ｎｐ６は、好ましくは０〜２の整数である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。

式（Ｄ−Ａ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１２）で表される基が挙げられる。

式中、Ｒ^Ｄは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基を表す。Ｒ^Ｄが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（Ｄ−Ｂ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−４）で表される基が挙げられる。

式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。

式（Ｄ−Ｃ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｃ−１）〜式（Ｄ−Ｃ−１３）で表される基が挙げられる。

式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｄはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることが好ましい。

環Ｂが有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、式（１）で表される金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長が短波長になるので、環を形成しないことが好ましい。

環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が更に好ましく、アルキル基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｚ^１Ａは、好ましくは、＝Ｎ−で表される基である。

Ｒ^Ｚ１Ａは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、特に好ましくは、水素原子であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｚ１Ａにおけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｚ１Ａが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくは、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^１におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１がアルキル基の場合、Ｒ^１が有していてもよい置換基としては、好ましくは、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子であり、更に好ましくは、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^１がアルキル基の場合において、Ｒ^１が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１におけるアルキル基は、置換基を有さないアルキル基であることが好ましい。

Ｒ^１がアルキル基以外の場合、Ｒ^１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

［（式Ａｒ−１Ａ）で表される基］
環Ａにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲は、環Ｂにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲と同じである。環Ａにおける芳香族複素環の例及び好ましい範囲は、環Ｂにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ａは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、５員若しくは６員の芳香族炭化水素環、又は、５員若しくは６員の芳香族複素環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ａが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基が更に好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ａが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ａが有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、式（１）で表される金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長が短波長になるので、環を形成しないことが好ましい。

環Ａが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^２及びＲ^３は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくは、アルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^２及びＲ^３におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^２及びＲ^３におけるアルキル基は、合成が容易なので、好ましくは、炭素原子数１〜７のアルキル基であり、より好ましくは、炭素原子数１〜５のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素原子数１〜３のアルキル基であり、これらの基は置換基を有さないことが特に好ましい。

Ｒ^２及びＲ^３が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^２とＲ^３とは、同一であることが好ましい。

式（Ａｒ−１Ａ）で表される基は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（Ａｒ−２Ａ）で表される基である。

Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ及びＥ^３Ａは、好ましくは、炭素原子である。

Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^１Ａ及びＲ^３Ａは、特に好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、とりわけ好ましくは、水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^２Ａは、特に好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、とりわけ好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、殊更に好ましくは、水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａにおけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１ＡとＲ^２Ａ、及び、Ｒ^２ＡとＲ^３Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

環Ａ^１がピリジン環である場合、Ｅ^１Ａが窒素原子であるピリジン環が好ましい。
環Ａ^１がジアザベンゼン環である場合、Ｅ^１Ａ及びＥ^３Ａが窒素原子であるピリミジン環が好ましい。
環Ａ^１は、ベンゼン環が好ましい。

［アニオン性の２座配位子］
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。但し、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ^１でその数を定義されている配位子とは異なる。

式中、
＊は、Ｍと結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はフッ素原子であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、更に好ましくは、水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

＜式（１−１）で表される金属錯体＞
式（１）で表される金属錯体は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、式（１−１）で表される金属錯体である。

Ｅ^１Ｂ、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ及びＥ^４Ｂは、炭素原子であることが好ましい。

Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子がより好ましく、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^１Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂは、特に好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、とりわけ好ましくは、水素原子であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ｒ^２Ｂは、特に好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、とりわけ好ましくは、水素原子又はアリール基であり、殊更に好ましくは、水素原子であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂにおけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｂ^１がピリジン環である場合、環Ｂ^１は、Ｅ^１Ｂが窒素原子であるピリジン環、Ｅ^２Ｂが窒素原子であるピリジン環、又は、Ｅ^３Ｂが窒素原子であるピリジン環であることが好ましく、Ｅ^２Ｂが窒素原子であるピリジン環であることがより好ましい。
環Ｂ^１がジアザベンゼン環である場合、環Ｂ^１は、Ｅ^２Ｂ及びＥ^４Ｂが窒素原子であるピリミジン環、又は、Ｅ^１Ｂ及びＥ^３Ｂが窒素原子であるピリミジン環であることが好ましく、Ｅ^２Ｂ及びＥ^４Ｂが窒素原子であるピリミジン環であることがより好ましい。
環Ｂ^１は、ベンゼン環であることが好ましい。

式（１−１）で表される金属錯体は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（１−２）で表される金属錯体であることが好ましい。

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。

式中、
Ｚ^Ａは、−ＣＨ＝で表される基又は−Ｎ＝で表される基を表す。Ｚ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｚ^Ａは、好ましくは−Ｎ＝で表される基である。
Ｚ^Ｂは、−Ｏ−で表される基又は−Ｓ−で表される基を表す。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞
式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。

式（１）で表される金属錯体は、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、金属化合物若しくはその水和物とを反応させる工程Ａ、及び、工程Ａで得られた化合物（以下、「金属錯体中間体（１）」ともいう。）と、式（Ｍ−１）で表される化合物又はＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ、を含む方法により製造することができる。

式中、Ｍ、ｎ^１、ｎ^２、Ｅ^１、環Ｂ、Ｚ^１Ａ、Ｒ^１、Ａｒ^１Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。

工程Ａにおいて、金属化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）等のイリジウム化合物；塩化白金酸カリウム等の白金化合物；塩化パラジウム、酢酸パラジウム等のパラジウム化合物；及び、塩化ロジウム等のロジウム化合物が挙げられる。金属化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物、塩化ロジウム・三水和物が挙げられる。

金属錯体中間体（１）としては、例えば、式（Ｍ−２）で表される金属錯体が挙げられる。

式中、Ｍ、Ｅ^１、環Ｂ、Ｚ^１Ａ、Ｒ^１、Ａｒ^１Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
ｎ^１’は、１又は２を表す。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１’は２であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１’は１である。

工程Ａにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物の量は、金属化合物又はその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ｂにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物又はＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、金属錯体中間体（１）１モルに対して、通常、１〜１００モルである。

工程Ｂにおいて、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、金属錯体中間体（１）１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ａ及び工程Ｂは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。

工程Ａ及び工程Ｂにおいて、反応時間は、通常、３０分間〜２００時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞で説明した反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜式（２）で表される金属錯体＞
式（２）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。

式（２）で表される金属錯体は、中心金属であるＭ^２と、添え字ｎ^３でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ^４でその数を規定されている配位子とから構成されている。

Ｍ^２は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、イリジウム原子又は白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。

Ｍ^２がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^３は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｍ^２がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^３は２であることが好ましい。

Ｅ^４は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｌ^１は、１つ以上４つ以下の窒素原子を構成原子として有する６員の芳香族複素環であることが好ましく、１つ以上２つ以下の窒素原子を構成原子として有する６員の芳香族複素環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｌ^１としては、例えば、ピリジン環、ジアザベンゼン環、キノリン環及びイソキノリン環が挙げられ、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環又はイソキノリン環が好ましく、ピリジン環、キノリン環又はイソキノリン環がより好ましく、ピリジン環又はイソキノリン環が更に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｌ^２における芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲は、環Ｂにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲と同じである。環Ｌ^２における芳香族複素環の例及び好ましい範囲は、環Ｂにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｌ^２の例及び好ましい範囲は、環Ｂの例及び好ましい範囲と同じである。但し、環Ｌ^２が６員の芳香族複素環である場合、Ｅ^４は炭素原子である。

「環Ｌ^１及び環Ｌ^２からなる群から選ばれる少なくとも１つの環は、置換基として式（１−Ｔ）で表される基を有する」とは、環Ｌ^１及び環Ｌ^２を構成する原子（好ましくは、炭素原子又は窒素原子）の少なくとも１つに式（１−Ｔ）で表される基が直接結合していることを意味する。式（２）で表される金属錯体において、環Ｌ^１及び環Ｌ^２が複数存在する場合（即ち、ｎ^３が２又は３である場合）、複数存在する環Ｌ^１及び環Ｌ^２のうち少なくとも１つの環が式（１−Ｔ）で表される基を有していればよいが、複数存在する環Ｌ^１の全て、複数存在する環Ｌ^２の全て、又は、複数存在する環Ｌ^１及び環Ｌ^２の全てが、式（１−Ｔ）で表される基を有することが好ましく、複数存在する環Ｌ^１の全て、又は、複数存在する環Ｌ^２の全てが、式（１−Ｔ）で表される基を有することがより好ましく、複数存在する環Ｌ^２の全てが、式（１−Ｔ）で表される基を有することが更に好ましい。

環Ｌ^２は、式（１−Ｔ）で表される基を有することが好ましい。

環Ｌ^１及び環Ｌ^２が有していてもよい置換基（式（１−Ｔ）で表される基以外の置換基）としては、シアノ基、アルケニル基又はシクロアルケニル基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｌ^１が有していてもよい置換基（式（１−Ｔ）で表される基以外の置換基）が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。
環Ｌ^２が有していてもよい置換基（式（１−Ｔ）で表される基以外の置換基）が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。
環Ｌ^１が有していてもよい置換基（式（１−Ｔ）で表される基以外の置換基）と、環Ｌ^２が有していてもよい置換基（式（１−Ｔ）で表される基以外の置換基）とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４で表されるアニオン性の２座配位子の例及び好ましい範囲は、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子の例及び好ましい範囲と同じである。なお、Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４で表されるアニオン性の２座配位子において、上記式中の＊はＭ^２と結合する部位を表す。但し、Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ^３でその数を規定されている配位子とは異なる。

［式（１−Ｔ）で表される基］
Ｒ^１Ｔで表されるアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ｒ^１Ｔで表される１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｂが有していてもよい置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ｒ^１Ｔで表される置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、Ｂが有していてもよい置換基における置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１Ｔが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１Ｔは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はフッ素原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）、（Ｄ−Ｂ）若しくは（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、特に好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^１Ｔにおける式（Ｄ−Ａ）及び（Ｄ−Ｂ）で表される基において、Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、より好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）又は（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、特に好ましくは、式（ＧＤＡ−１１）で表される基である。

Ｒ^１Ｔにおいて、式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは、式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、より好ましくは、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ３）又は（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ｄ−Ａ１）又は（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、特に好ましくは、式（Ｄ−Ａ１）で表される基である。

Ｒ^１Ｔにおいて、式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは、式（Ｄ−Ｂ１）〜（Ｄ−Ｂ３）で表される基であり、より好ましくは、式（Ｄ−Ｂ１）又は（Ｄ−Ｂ３）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ｄ−Ｂ１）で表される基である。

Ｒ^１Ｔにおいて、式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、好ましくは、式（Ｄ−Ｃ１）〜（Ｄ−Ｃ４）で表される基であり、より好ましくは、式（Ｄ−Ｃ１）〜（Ｄ−Ｃ３）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ｄ−Ｃ１）又は（Ｄ−Ｃ２）で表される基であり、特に好ましくは、式（Ｄ−Ｃ１）で表される基である。

＜式（２−Ｂ）で表される金属錯体＞
式（２）で表される金属錯体は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（２−Ｂ）で表される金属錯体であることが好ましい。

Ｅ^１１Ｂ、Ｅ^１２Ｂ、Ｅ^１３Ｂ、Ｅ^１４Ｂ、Ｅ^２１Ｂ、Ｅ^２２Ｂ、Ｅ^２３Ｂ及びＥ^２４Ｂは、炭素原子であることが好ましい。

環Ｌ^１Ｂがピリミジン環である場合、Ｅ^１１Ｂが窒素原子であるピリミジン環が好ましい。
環Ｌ^１Ｂは、ピリジン環であることが好ましい。

環Ｌ^１Ｂが式（１−Ｔ）で表される基を有する場合、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ又はＲ^１３Ｂが式（１−Ｔ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^１２Ｂ又はＲ^１３Ｂが式（１−Ｔ）で表される基であることがより好ましく、Ｒ^１３Ｂが式（１−Ｔ）で表される基であることが更に好ましい。

環Ｌ^２Ｂがピリジン環である場合、Ｅ^２１Ｂが窒素原子であるピリジン環、Ｅ^２２Ｂが窒素原子であるピリジン環、又は、Ｅ^２３Ｂが窒素原子であるピリジン環が好ましく、Ｅ^２２Ｂが窒素原子であるピリジン環がより好ましい。
環Ｌ^２Ｂがジアザベンゼン環である場合、Ｅ^２１Ｂ及びＥ^２３Ｂが窒素原子であるピリミジン環、又は、Ｅ^２２Ｂ及びＥ^２４Ｂが窒素原子であるピリミジン環が好ましく、Ｅ^２２Ｂ及びＥ^２４Ｂが窒素原子であるピリミジン環がより好ましい。
環Ｌ^２Ｂは、ベンゼン環であることが好ましい。

環Ｌ^２Ｂが式（１−Ｔ）で表される基を有する場合、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ又はＲ^２４Ｂが式（１−Ｔ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^２２Ｂ又はＲ^２３Ｂが式（１−Ｔ）で表される基であることがより好ましく、Ｒ^２３Ｂが式（１−Ｔ）で表される基であることが更に好ましい。

環Ｌ^２Ｂは、式（１−Ｔ）で表される基を有することが好ましい。

Ｒ^１１ＢとＲ^１２Ｂ、Ｒ^１２ＢとＲ^１３Ｂ、Ｒ^１３ＢとＲ^１４Ｂ、Ｒ^１１ＢとＲ^２１Ｂ、Ｒ^２１ＢとＲ^２２Ｂ、Ｒ^２２ＢとＲ^２３Ｂ、又は、Ｒ^２３ＢとＲ^２４Ｂが、それぞれが結合する原子とともに環を形成する場合、形成する環としては、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が好ましく、芳香族炭化水素環がより好ましく、ベンゼン環が好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。環を形成する場合において、形成する環における芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｂにおける芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の例及び好ましい範囲と同じである。環を形成する場合において、環が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｂが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（２−Ｂ）で表される金属錯体は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体、式（２−Ｂ２）で表される金属錯体、式（２−Ｂ３）で表される金属錯体、式（２−Ｂ４）で表される金属錯体又は式（２−Ｂ５）で表される金属錯体であることが好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体、式（２−Ｂ２）で表される金属錯体又は式（２−Ｂ３）で表される金属錯体であることがより好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体又は式（２−Ｂ２）で表される金属錯体であることが更に好ましい。

Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ及びＲ^１８Ｂは、水素原子であることが好ましい。

Ｒ^１５ＢとＲ^１６Ｂ、Ｒ^１６ＢとＲ^１７Ｂ、及び、Ｒ^１７ＢとＲ^１８Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成してもよいが、環を形成しないことが好ましい。

式（２）で表される金属錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。

式（２）で表される金属錯体は、Ａｌｄｒｉｃｈ、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ等から入手可能である。
また、上記以外の入手方法として、例えば、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０７，１４３１−１４３２（１９８５）」、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０６，６６４７−６６５３（１９８４）」、特表２００４−５３０２５４号公報、特開２００８−１７９６１７号公報、特開２０１１−１０５７０１号公報、特表２００７−５０４２７２号公報、国際公開第２００６／１２１８１１号、特開２０１３−１４７４５０号公報に記載されている方法に従って合成することができる。

＜組成物＞
本実施形態の組成物は、式（１）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体の２種以上とを含有する組成物である。

本実施形態の組成物は、式（１）で表される金属錯体の１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

本実施形態の組成物は、式（１）で表される金属錯体の含有量と、式（２）で表される金属錯体の合計含有量との比率を調整することで、発光色を調整することが可能であり、発光色を白色に調整することも可能である。

発光素子の発光色は、発光素子の発光色度を測定して色度座標（ＣＩＥ色度座標）を求めることで確認することできる。白色の発光色は、例えば、色度座標のＸが０．２０〜０．５５の範囲内であり、かつ、色度座標のＹが０．２０〜０．５５の範囲内であることが好ましく、色度座標のＸが０．２５〜０．５０の範囲内であり、かつ、色度座標のＹが０．２５〜０．５０の範囲内であることがより好ましい。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光色を調整（特に、発光色を白色に調整）する観点からは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光スペクトルは、３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満に極大発光波長を有することが好ましく、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ以下に極大発光波長を有することがより好ましく、４２０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下に極大発光波長を有することが更に好ましく、４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下に極大発光波長を有することが特に好ましい。これらの極大発光波長は、式（１）で表される金属錯体の発光に由来する極大発光波長であることが好ましい。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光色を調整（特に、発光色を白色に調整）する観点からは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光スペクトルは、４９５ｎｍ以上７５０ｎｍ未満に極大発光波長を有することが好ましく、５００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下に極大発光波長を有することがより好ましく、５０５ｎｍ以上６４０ｎｍ以下に極大発光波長を有することが更に好ましい。これらの極大発光波長は、式（２）で表される金属錯体の少なくとも１種の発光に由来する極大発光波長であることが好ましい。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光色を調整（特に、発光色を白色に調整）する観点からは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光スペクトルは、４９５ｎｍ以上７５０ｎｍ未満に２つ以上の極大発光波長を有することが好ましい。該２つ以上の極大発光波長のうち、少なくとも２つの極大発光波長の差は、好ましくは１０〜２００ｎｍであり、より好ましくは２０〜１５０ｎｍであり、更に好ましくは４０〜１２０ｎｍである。これらの極大発光波長は、各々、式（２）で表される金属錯体の少なくとも１種の発光に由来する極大発光波長であることが好ましい。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光色を調整（特に、発光色を白色に調整）する観点からは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光スペクトルが４９５ｎｍ以上７５０ｎｍ未満に２つ以上の極大発光波長を有することが好ましい。該２つ以上の極大発光波長のうち、少なくとも２つの極大発光波長の組み合わせは、一方の極大発光波長が５００ｎｍ以上５７０ｎｍ未満、且つ、他方の極大発光波長が５７０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下であることが好ましく、一方の極大発光波長が５０５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、且つ、他方の極大発光波長が５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下であることがより好ましい。これらの極大発光波長は、各々、式（２）で表される金属錯体の少なくとも１種の発光に由来する極大発光波長であることが好ましい。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光色を調整（特に、発光色を白色に調整）する観点からは、式（２）で表される金属錯体の合計含有量は、式（１）で表される金属錯体の含有量を１００質量部とした場合、好ましくは０．０１〜５０質量部であり、より好ましくは０．１〜３０質量部であり、更に好ましくは０．５〜１０質量部であり、特に好ましくは１〜５質量部である。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光色を調整（特に、発光色を白色に調整）する観点からは、本実施形態の組成物を含有する発光素子の発光スペクトルが４９５ｎｍ以上７５０ｎｍ未満に２つ以上の極大発光波長を有し、且つ、該２つ以上の極大発光波長のうち、少なくとも２つが各々式（２）で表される金属錯体の発光に由来する極大発光波長であることが好ましい。このとき、式（２）で表される金属錯体のうち、長波長側の極大発光波長に相当する式（２）で表される金属錯体の含有量は、短波長側の極大発光波長に相当する式（２）で表される金属錯体の含有量を１００質量部として、通常、０．１〜１００００質量部であり、本実施形態の組成物を含有する発光素子の色再現性が優れるので、好ましくは０．５〜１０００質量部であり、より好ましくは１〜１００質量部であり、更に好ましくは５〜５０質量部である。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、本実施形態の組成物に含有される２種以上の式（２）で表される金属錯体のうち、少なくとも１種の式（２）で表される金属錯体は、式（２−Ｂ１）〜式（２−Ｂ５）で表される金属錯体であることが好ましく、式（２−Ｂ１）〜式（２−Ｂ３）で表される金属錯体であることがより好ましく、式（２−Ｂ１）又は式（２−Ｂ２）で表される金属錯体であることが更に好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体であることが特に好ましい。

本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、本実施形態の組成物は、式（２）で表される金属錯体として、式（２−Ｂ１）〜（２−Ｂ５）で表される金属錯体から選ばれる２種以上を含有することが好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体を２種以上含有すること、又は、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体と、式（２−Ｂ２）〜（２−Ｂ５）で表される金属錯体から選ばれる１種以上と、を含有することがより好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体と、式（２−Ｂ２）〜（２−Ｂ５）で表される金属錯体から選ばれる１種以上と、を含有することが更に好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体と、式（２−Ｂ２）又は式（２−Ｂ３）で表される金属錯体と、を含有することが特に好ましく、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体と式（２−Ｂ２）で表される金属錯体とを含有することがとりわけ好ましい。

＜その他の成分＞
本実施形態の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（但し、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種を更に含有していてもよい。

［ホスト材料］
本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、本実施形態の組成物は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料を更に含有することが好ましい。本実施形態の組成物は、ホスト材料の１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

本実施形態の組成物がホスト材料を更に含有する場合、ホスト材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体、式（２）で表される金属錯体、及び、ホスト材料の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜９９質量部であり、好ましくは１０〜９０質量部であり、より好ましくは３０〜８５質量部であり、更に好ましくは５０〜８０質量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本実施形態の組成物を含有する発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（１）で表される金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本実施形態の組成物を含有する発光素子を溶液塗布プロセスで作製できるので、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物（低分子ホスト）と高分子化合物（高分子ホスト）とに分類され、本実施形態の組成物はいずれのホスト材料を含有していてもよい。本実施形態の組成物に含有されていてもよいホスト材料としては、低分子化合物が好ましい。

［低分子ホスト］
ホスト材料として好ましい低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）に関して説明する。

低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基又はカルバゾリル基であることが更に好ましく、式（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１である。ｎ^Ｈ２は、好ましくは０である。
ｎ^Ｈ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
ｎ^Ｈ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。

Ｌ^Ｈ１は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜式（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−２１）又は式（ＡＡ−２４）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−３３）又は式（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）又は（ＡＡ−３３）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、１価の複素環基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例は、Ｌ^Ｈ１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ２１で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１が有していてもよい置換基の定義及び例は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の定義及び例と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

式中、Ａｒ^Ｈ１、Ａｒ^Ｈ２、ｎ^Ｈ３及びＬ^Ｈ１は、前記と同じ意味を表す。

式（Ｈ−１）で表される化合物としては、式（Ｈ−１０１）〜式（Ｈ−１１８）で表される化合物が例示される。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物である。正孔輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、トリフェニルアミン及びその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、並びに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本実施形態の組成物において、正孔輸送材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本実施形態の組成物において、電子輸送材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本実施形態の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の含有量は、各々、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

電子注入材料及び正孔注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

（イオンドープ）
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料（但し、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、アントラセンジイル基及びピレンジイル基等のアリーレン基；芳香族アミンから２個の水素原子を取り除いてなる基等の芳香族アミン残基；並びに、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基及びフェノチアジンジイル基等の２価の複素環基から選択される基を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体又は高分子化合物である。

本実施形態の組成物において、発光材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、例えば、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体を溶解可能な少なくとも一種の溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であることが好ましい。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本実施形態の組成物において、酸化防止剤の含有量は、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体の合計を１００質量部とした場合、通常、０．００１〜１０質量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜インク＞
溶媒を含有する本実施形態の組成物（以下、「インク」ともいう。）は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等の湿式法に好適に使用することができる。

インクの粘度は、湿式法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。

インクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の含有量は、式（１）で表される金属錯体及び式（２）で表される金属錯体の合計を１００質量部とした場合、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。

＜膜＞
本実施形態の膜は、式（１）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体の２種以上とを含有する。膜は、本実施形態の組成物から構成される膜ということもできる。

膜は、発光素子における発光層として好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等の湿式法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。

＜発光素子＞
本実施形態の発光素子は、本実施形態の組成物を含有する発光素子である。
本実施形態の発光素子は、例えば、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた本実施形態の組成物を含有する層とを有する。

［層構成］
本実施形態の組成物を含有する層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料又は電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料又は電子注入材料を上述した溶媒に溶解させてインクを調製し、当該インクを用いて上述した膜の作製と同じ方法で形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本実施形態の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、例えば、本実施形態の組成物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層、電子輸送層及び発光層は、各々、隣接する層の形成時に使用される溶媒に、各層を構成する材料が溶解しないことが望ましい。溶媒への溶解を回避するために、架橋基を有する材料を用いて各層を形成することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本実施形態の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子効率及び輝度寿命を勘案して調整する。

［基板／電極］
発光素子における基板は、電極の形成及び有機層（例えば、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等）の形成の際に、化学的に変化しない基板であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板であってよい。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、次のとおりである。
［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてＴＨＦを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００若しくはＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ、又は、ブルカー製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例Ｍ１〜Ｍ３＞ 化合物Ｍ１〜Ｍ３の合成
化合物Ｍ１は、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２は、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例ＨＴＬ１＞ 高分子化合物ＨＴＬ−１の合成
高分子化合物ＨＴＬ−１は、化合物Ｍ１、化合物Ｍ２及び化合物Ｍ３を用いて、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−１のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれ、Ｍｎ＝２．３×１０^４及びＭｗ＝１．２×１０^５であった。
高分子化合物ＨＴＬ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、４５：５：５０のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＥＴ１＞ 高分子化合物ＥＴ１の合成
（高分子化合物ＥＴ１ａの合成）
高分子化合物ＥＴ１ａは、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＥＴ１−１、及び、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＥＴ１−２を用いて、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物ＥＴ１ａのＭｎは５．２×１０^４であった。

高分子化合物ＥＴ１ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＥＴ１−１から誘導される構成単位と、化合物ＥＴ１−２から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成された共重合体である。

（高分子化合物ＥＴ１の合成）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物ＥＴ１ａ（２００ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）及びエタノール（２０ｍＬ）を加え、５５℃に加熱した。その後、そこへ、水（２ｍＬ）に溶解させた水酸化セシウム（２００ｍｇ）を加え、５５℃で６時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を水で洗浄した後、減圧乾燥させることにより、高分子化合物ＥＴ１（１５０ｍｇ、薄黄色固体）を得た。得られた高分子化合物ＥＴ１のＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物ＥＴ１ａのエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。

＜合成例Ｂ１＞ 金属錯体Ｂ１の合成
金属錯体Ｂ１は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ１−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−１（１００ｇ）及びテトラヒドロフラン（１Ｌ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、トリエチルアミン（５４ｍＬ）をゆっくりと加え、０℃で１０分間撹拌した。そこへ、化合物Ｌ１−２を滴下した後、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液を減圧濃縮した後、イオン交換水を加え、１時間撹拌することにより、固体が生じた。得られた固体をろ取し、更に、酢酸エチルで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１−３（１１０ｇ）を得た。化合物Ｌ１−３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｌ１−３の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝１．０３（ｓ，９Ｈ），２．０７（ｓ，２Ｈ），７．４８−７．６０（ｍ，３Ｈ），７．８７−７．８９（ｍ，２Ｈ），９．７４（ｓ，１Ｈ），１０．２６（ｓ，１Ｈ）．

（化合物Ｌ１−５の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−３（４０ｇ）、キシレン（４００ｍＬ）を加え、０℃にした。そこへ、化合物Ｌ１−４（３６．３ｇ）を加え、０℃で１０分間撹拌した。そこへ、五塩化リン（５３．３ｇ）を滴下した後、１３０℃で５日間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、減圧濃縮した。得られた反応混合物を酢酸エチル及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出した。得られた有機層を水及び飽和食塩水で順次洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）及び逆相カラムクロマトグラフィー（水及びアセトニトリルの混合溶媒）により順次精製し、更に、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ１−５（８ｇ）を得た。化合物Ｌ１−５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％であった。

化合物Ｌ１−５の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３７６［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝１．０９（ｓ，９Ｈ），１．３６（ｓ，９Ｈ），１．９０（ｓ，６Ｈ），２．３５（ｓ，２Ｈ），７．１７（ｓ，２Ｈ），７．２２−７．３１（ｍ，３Ｈ），７．３７−７．３９（ｍ，２Ｈ）．

（金属錯体Ｂ１の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（１．５ｇ）、化合物Ｌ１−５（５．８ｇ）及びペンタデカン（２ｍＬ）を加え、３００℃で２２時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、そこへ、トルエンを加え、溶解させた後、減圧濃縮させることにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ１（１．８ｇ）を得た。金属錯体Ｂ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ１の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝７．３３（ｓ，６Ｈ），６．９１−６．９４（ｍ，３Ｈ），６．５０（ｔｄ，３Ｈ），６．３０−６．３４（ｍ，３Ｈ），６．０９−６．１２（ｍ，３Ｈ），２．２１−２．２５（ｍ，３Ｈ），２．１３−２．１６（ｍ，３Ｈ），２．０９（ｓ，９Ｈ），１．８６（ｓ，９Ｈ），１．３６−１．４２（ｍ，２７Ｈ），１．００−１．０４（ｍ，２７Ｈ）．

＜合成例Ｂ２＞ 金属錯体Ｂ２の合成
金属錯体Ｂ２は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ２−２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−１（５００ｇ）、テトラヒドロフラン（５Ｌ）及びトリエチルアミン（５８５ｍＬ）を加え、０℃で撹拌した。そこへ、化合物Ｌ２−１を滴下した後、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を酢酸エチルで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ２−２（５００ｇ）を得た。化合物Ｌ２−２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。

化合物Ｌ２−２の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝１．２２（ｄ，６Ｈ），２．５４−２．６３（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．５６（ｍ，３Ｈ），７．８０−７．８３（ｍ，２Ｈ），９．０６（ｓ，１Ｈ），９．４２（ｓ，１Ｈ）．

（化合物Ｌ２−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ２−２（４０ｇ）、ジクロロベンゼン（４００ｍＬ）及び化合物Ｌ１−４（８５ｇ）を加え、−１０℃で撹拌した。そこへ、五塩化リン（２２ｍＬ）を滴下した。その後、−１０℃で３０分間撹拌し、更に、室温で１時間撹拌した後、１８５℃で１８時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、減圧濃縮した。得られた反応混合物を塩化メチレン及びイオン交換水で抽出した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ２−３（１０ｇ）を得た。化合物Ｌ２−３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。

化合物Ｌ２−３の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３２（ｄ，６Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．９４（ｓ，６Ｈ），２．５５−２．６２（ｍ，１Ｈ），７．１７（ｓ，２Ｈ），７．２２−７．３３（ｍ，３Ｈ），７．３９−７．４１（ｍ，２Ｈ）．

（金属錯体Ｂ２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（３．５ｇ）、化合物Ｌ２−３（１０ｇ）及びペンタデカン（２ｍＬ）を加え、２８５℃で１８時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、ヘプタン及びトルエンの混合溶媒を用いて晶析を行った。その後、得られた固体を減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ２（１．２ｇ）を得た。金属錯体Ｂ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。上記操作を繰り返し行うことにより、必要量の金属錯体Ｂ２を得た。

金属錯体Ｂ２の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝７．３５（ｂｒｓ，３Ｈ），７．３４（ｂｒｓ，３Ｈ），６．８６（ｄｄ，３Ｈ），６．４９（ｔｄ，３Ｈ），６．３３（ｔｄ，３Ｈ），６．１３（ｄ，３Ｈ），２．５３（ｓｐｔ，３Ｈ），２．１５（ｓ，９Ｈ），１．９０（ｓ，９Ｈ），１．３９（ｓ，２７Ｈ），１．２３（ｄ，９Ｈ），１．１１（ｄ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ３＞ 金属錯体Ｂ３の合成
金属錯体Ｂ３は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ３−２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−１（５０ｇ）及びＮ−メチル−２−ピロリドン（２００ｍＬ）を加え、０℃で撹拌した。そこへ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（４０ｍＬ）に溶解させた化合物Ｌ３−１（４０ｇ）を滴下した後、室温で１８時間撹拌した。その後、得られた反応液をイオン交換水（１．２Ｌ）に注ぐことにより、沈殿物が得られた。得られた沈殿物をろ取し、更に、１Ｍ塩酸水溶液、イオン交換水及びヘプタンで順次洗浄した。その後、得られた固体を減圧乾燥することにより、化合物Ｌ３−２（４３ｇ、白色固体）を得た。

化合物Ｌ３−２の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝９．６４（ｂｒ，１Ｈ），８．９０（ｂｒ，１Ｈ），７．８６（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｔ，１Ｈ），７．４５（ｔ，２Ｈ），７．０２−７．０８（ｍ，３Ｈ），２．４１（ｓ，６Ｈ）．

（化合物Ｌ３−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ３−２（４３ｇ）及びトルエン（７４０ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、五塩化リン（６７ｇ）を少しずつ加えた後、１１０℃で２１時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、氷水（５００ｍＬ）に注ぎ、２時間撹拌し、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、更に、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ３−３（４０ｇ）を得た。

（化合物Ｌ３−５の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ３−３（４０ｇ）、化合物Ｌ３−４（３２ｇ）及びキシレン（８００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、ｐ−トルエンスルホン酸（３ｇ）を加え、１２０℃で１１６時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、イオン交換水（８００ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後、水層を除去した後、得られた有機層を５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル及びテトラヒドロフラン）により順次精製することにより、化合物Ｌ３−５（１．３ｇ、白色固体）を得た。化合物Ｌ３−５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。上記操作を繰り返し行うことにより、必要量の化合物Ｌ３−５を得た。

化合物Ｌ３−５の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ_８）δ（ｐｐｍ）＝７．４２（ｄ，２Ｈ），７．３０（ｔ，１Ｈ），７．２４（ｔ，２Ｈ），７．１５（ｔ，１Ｈ），６．９８（ｄ，２Ｈ），６．８５（ｓ，２Ｈ），２．５１（ｔ，２Ｈ），２．０７（ｓ，６Ｈ），１．８１（ｓ，６Ｈ），１．５６（ｍ，２Ｈ），１．２６−１．３２（ｍ，６Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．

（金属錯体Ｂ３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（０．６ｇ）、化合物Ｌ３−５（２．０ｇ）及びトリデカン（２ｍＬ）を加え、２５０℃で１２０時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、塩化メチレン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析を行った。得られた固体を減圧乾燥することにより、金属錯体Ｂ３（０．６ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％であった。

金属錯体Ｂ３の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ_８）δ（ｐｐｍ）＝７．０４−７．０８（ｍ， ６Ｈ），６．９３（ｓ，３Ｈ），６．９２（ｓ，３Ｈ），６．８８（ｄ，３Ｈ），６．８４（ｄ，３Ｈ），６．６１（ｔ，３Ｈ），６．４３（ｔ，３Ｈ），６．２９（ｄ，３Ｈ），２．５７（ｔ，６Ｈ），２．１２（ｓ，９Ｈ），１．９５（ｓ，９Ｈ），１．８２（ｓ，９Ｈ），１．７０（ｓ，９Ｈ），１．６２（ｍ，６Ｈ），１．２８−１．３６（ｍ，１８Ｈ），０．８９（ｔ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ４＞ 金属錯体Ｂ４の合成
金属錯体Ｂ４は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ４−２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−１（１００ｇ）、トリエチルアミン（１１４ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（１．５Ｌ）を加え、０℃で撹拌した。そこへ、化合物Ｌ４−１（５２ｍＬ）を滴下した後、室温で１６時間撹拌した。その後、得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、酢酸エチルを用いて晶析した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４−２（７０ｇ）を得た。化合物Ｌ４−２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．７％であった。

化合物Ｌ４−２の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７９［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ（ｐｐｍ）＝１０．２６（ｂｒ，１Ｈ），９．８６（ｂｒ，１Ｈ），７．８３−７．８６（ｍ，２Ｈ），７．４５−７．５６（ｍ，３Ｈ），１．９０（ｓ，３Ｈ）．

（化合物Ｌ４−４の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ４−２（７０ｇ）及びキシレン（７００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、五塩化リン（１２３ｇ）を少しずつ加え、１３０℃で２時間撹拌した後、室温に冷却した。そこへ、化合物Ｌ４−３（７０ｇ）を少しずつ加えた後、１３０℃で８時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、減圧濃縮した。そこへ、酢酸エチルを加え、得られた有機層をイオン交換水、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及び水の混合溶媒を用いて晶析を行った。得られた固体を減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４−４（７０ｇ、白色固体）を得た。化合物Ｌ４−４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％であった。

化合物Ｌ４−４の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３２０［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝７．５３−７．５８（ｍ，１Ｈ），７．４８（ｄ，２Ｈ），７．３３（ｄ，２Ｈ），７．２８−７．３０（ｍ，１Ｈ），７．２１−７．２５（ｍ，２Ｈ），２．３９（ｑ，２Ｈ），２．２６（ｓ，３Ｈ），１．１４（ｄ，６Ｈ），０．８７（ｄ，６Ｈ）．

（金属錯体Ｂ４の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（１．２ｇ）、化合物Ｌ４−４（４．０ｇ）及びトリデカン（１ｍＬ）を加え、２８０℃で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル及びメタノールの混合溶媒）により精製し、更に、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した。得られた固体を減圧乾燥することにより、金属錯体Ｂ４（１．７ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ４の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ_８）δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｔ，３Ｈ），７．４２（ｄｄ，３Ｈ），７．４０（ｄｄ，３Ｈ），６．８７（ｄｄ，３Ｈ），６．５２（ｔｄ，３Ｈ），６．３５（ｔｄ，３Ｈ），６．１７（ｄｄ，３Ｈ），２．８３（ｈｅｐｔ，３Ｈ），２．３４（ｈｅｐｔ，３Ｈ），２．１０（ｓ，９Ｈ），１．２３（ｄ，９Ｈ），０．９８（ｄ，９Ｈ），０．９６（ｄ，９Ｈ），０．９２（ｄ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ５＞ 金属錯体Ｂ５の合成
金属錯体Ｂ５は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ５−２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−１（２００ｇ）、トリエチルアミン（２２５ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（３Ｌ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、化合物Ｌ５−１（１９８ｇ）を滴下した後、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を酢酸エチルで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ５−２（１７２ｇ）を得た。化合物Ｌ５−２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％であった。

化合物Ｌ５−２の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝０．８８（ｔ，３Ｈ），１．１８（ｓ，６Ｈ），１．５７（ｑ，２Ｈ），７．４７−７．５８（ｍ，３Ｈ），７．８９−７．９１（ｍ，２Ｈ），９．５１（ｓ，１Ｈ），１０．２０（ｓ，１Ｈ）．

（化合物Ｌ５−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ５−２（１００ｇ）及びトルエン（７００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、五塩化リン（１７８ｇ）を少しずつ加え、１１０℃で１８時間撹拌した後、室温に冷却した。得られた反応液を濃縮することにより、粗生成物Ｌ５−２’（６５ｇ）を得た。その後、反応容器内を再度、窒素雰囲気とした後、トルエン（１Ｌ）、化合物Ｌ１−４（４３ｇ）及びｐ−トルエンスルホン酸（６．５ｇ）を加え、１１０で３日間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、減圧濃縮した。そこへ、酢酸エチルを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリル及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて晶析を行った。得られた固体を逆相カラムクロマトグラフィーにより精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ５−３（１６ｇ）を得た。化合物Ｌ５−３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。

化合物Ｌ５−３の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３７６［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８９（ｔ，３Ｈ），１．１９（ｓ，６Ｈ），１．３３（ｓ，９Ｈ），１．７１（ｑ，２Ｈ），１．９７（ｓ，６Ｈ），７．１２（ｓ，２Ｈ），７．１９−７．２３（ｍ，２Ｈ），７．２７−７．２８（ｍ，１Ｈ），７．３３−７．３６（ｍ，２Ｈ）．

（金属錯体Ｂ５の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（１．５ｇ）、化合物Ｌ５−３（４．０ｇ）及びトリデカン（２ｍＬ）を加え、２８０℃で２８時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（へプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、トルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて晶析した。得られた固体を減圧乾燥することにより、金属錯体Ｂ５（１．０ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ５の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝７．３１（ｓ，６Ｈ），６．９１（ｄ，３Ｈ），６．４８（ｔｄ，３Ｈ），６．２４−６．３０（ｍ，３Ｈ），５．８７（ｄ，３Ｈ），２．１２−２．１５（ｍ，９Ｈ），１．９４（ｓ，９Ｈ），１．５８−１．６６（ｍ，３Ｈ），１．５０−１．５７（ｍ，３Ｈ），１．３８（ｓ，２７Ｈ），１．１２−１．１６（ｍ，９Ｈ），１．０４−１．０８（ｍ，９Ｈ），０．８４（ｔ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ６＞ 金属錯体Ｂ６の合成
金属錯体Ｂ６は、以下の方法で合成した。

（反応混合物Ｌ６−１’の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ６−１（５０ｇ）及び塩化チオニル（１００ｍＬ）を加え、還流下、３時間撹拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却した後、塩化チオニルを減圧留去することにより、反応混合物Ｌ６−１’を得た。

（化合物Ｌ６−２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−１（４７ｇ）及びテトラヒドロフラン（１Ｌ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、トリエチルアミン（５４ｍＬ）をゆっくり加え、０℃で４５分間撹拌した。そこへ、（反応混合物Ｌ６−１’の合成）で得られた反応混合物Ｌ６−１’（全量）をゆっくりと加えた。その後、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、酢酸エチル及びヘキサンの混合溶媒で洗浄した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ６−２（５０ｇ）を得た。化合物Ｌ６−２のＨＰＬＣ面積百分率値は９５．２％であった。上記操作を繰り返し行うことにより、必要量の化合物Ｌ６−２を得た。

化合物Ｌ６−２の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８４（ｔ，９Ｈ），１．６４（ｑ，６Ｈ），７．３９−７．５４（ｍ，３Ｈ），７．８１−７．８４（ｍ，２Ｈ），８．７２−８．７４（ｍ，１Ｈ），９．６６−９．６８（ｍ，１Ｈ）．

（化合物Ｌ６−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ６−２（５８ｇ）及びトルエン（６００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、五塩化リン（９２ｇ）をゆっくりと加えた後、１１０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、そこへ、化合物Ｌ１−４（７８．２ｇ）及びｐ−トルエンスルホン酸（３ｇ）を加えた。その後、１３０℃で４日間撹拌した後、反応液を室温まで冷却した。得られた反応液を減圧濃縮し、そこへ、酢酸エチル（２Ｌ）を加えた後、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール及びクロロホルムの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ６−３（６ｇ）を得た。化合物Ｌ６−３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．１％であった。

化合物Ｌ６−３の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４０４［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８３（ｔ，９Ｈ），１．３４（ｓ，９Ｈ），１．６４（ｑ，６Ｈ），１．９６（ｓ，６Ｈ），７．１２（ｓ，２Ｈ），７．２０−７．２３（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．３４（ｍ，３Ｈ）．

（金属錯体Ｂ６の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（１．４ｇ）、化合物Ｌ６−３（４．６ｇ）及びペンタデカン（２ｍＬ）を加え、３００℃で１８時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、そこへ、トルエンを加え、溶解させた後、減圧濃縮させることにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリル及びトルエンの混合溶媒を用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ６（２．８ｇ）を得た。金属錯体Ｂ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ６の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝７．３０（ｓ，６Ｈ），６．９０（ｄ，３Ｈ），６．４４−６．４８（ｍ，３Ｈ），６．２２−６．２６（ｍ，３Ｈ），５．７７（ｄ，３Ｈ），２．１０（ｓ，９Ｈ），１．８９（ｓ，９Ｈ），１．５６（ｓ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，２７Ｈ），０．７３（ｔ，２７Ｈ）．

＜合成例Ｂ７＞ 金属錯体Ｂ７の合成
金属錯体Ｂ７は、以下の方法で合成した。

（金属錯体Ｂ７’の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、金属錯体Ｂ２（２．２ｇ）及び塩化メチレン（３０ｍＬ）を加え、０℃で撹拌した。そこへ、Ｎ−ブロモスクシンイミド（０．９５ｇ）を１５分間かけてゆっくりと加えた後、反応液を０℃から室温にゆっくりと昇温し、更に、室温で２０時間撹拌した。その後、そこへ、メタノール（１００ｍＬ）を加えた後、１５分間撹拌することにより、沈殿物が得られた。得られた沈殿物をろ取し、更に、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ７’（２．１ｇ）を得た。金属錯体Ｂ７’のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。

金属錯体Ｂ７’の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１４６８［Ｍ＋Ｈ］^＋

（金属錯体Ｂ７の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、金属錯体Ｂ７’（１．０ｇ）、化合物Ｌ７−１（１．２ｇ）、トルエン（５０ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（９．４ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（８．４ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．８ｍＬ）を加え、加熱還流下で２０時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、得られた有機層をシリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製し、更に、アセトニトリル及びトルエンの混合溶媒を用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ７（０．７２ｇ）を得た。金属錯体Ｂ７のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ７の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．６１（ｍ，１５Ｈ），７．４９（ｄ，１２Ｈ），７．４３（ｄ，６Ｈ），７．２７（ｄ，３Ｈ），７．２３（ｄ，３Ｈ），７．２１（ｄ，３Ｈ），７．０９（ｄｄ，３Ｈ），６．６５（ｄ，３Ｈ），２．６１（ｓｐｔ，３Ｈ），２．２４（ｓ，９Ｈ），２．０８（ｓ，９Ｈ），１．３８（ｓ，５４Ｈ），１．２８（ｄ，９Ｈ），１．１８（ｄ，９Ｈ），０．９３（ｓ，２７Ｈ）．

＜合成例Ｂ８＞ 金属錯体Ｂ８の合成
金属錯体Ｂ８は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ８−１の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１−４（２００ｇ）、トリエチルアミン（４７２ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（２Ｌ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、化合物Ｌ５−１（２２８ｇ）をゆっくりと滴下した後、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を酢酸エチルで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ８−１（２０５ｇ）を得た。化合物Ｌ８−１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｌ８−１の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２７６［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝１．０１（ｔ，３Ｈ），１．３１（ｓ，６Ｈ），１．３３（ｓ，９Ｈ），１．７０（ｑ，２Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），６．８４−７．０９（ｍ，３Ｈ）．

（化合物Ｌ８−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ８−１（１１５ｇ）、モノクロロベンゼン（１．２Ｌ）、２−フルオロピリジン（４４．６ｇ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１３０ｇ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、化合物Ｌ８−２（２３ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、９０℃で１８時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、そこへ、クロロホルムを加えた。得られた反応液を１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、更に、イオン交換水で２回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ８−３（１００ｇ）を得た。化合物Ｌ８−３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｌ８−３の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４５４［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝０．７９（ｔ，３Ｈ），１．１２（ｓ，６Ｈ），１．３１（ｓ，９Ｈ），１．６２（ｑ，２Ｈ），１．９１（ｓ，６Ｈ），７．１６（ｓ，２Ｈ），７．２７−７．３９（ｍ，３Ｈ），７．５６（ｄ，１Ｈ）．

（化合物Ｌ８−５の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ８−３（５０ｇ）、化合物Ｌ８−４（２２ｇ）、トルエン（５００ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（１ｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．９ｇ）を加え、６０℃に昇温した。そこへ、２５質量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６０ｍＬ）を加えた後、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液をセライトを敷いたろ過器でろ過した後、セライトを酢酸エチルで洗浄した。得られたろ液から水層を除去した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ８−５（３６ｇ）を得た。化合物Ｌ８−５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｌ８−５の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５０８［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．９２（ｔ，３Ｈ），１．２３（ｓ，６Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．３７（ｓ，９Ｈ），１．７３（ｑ，２Ｈ），２．０１（ｓ，６Ｈ），７．１９（ｄ，２Ｈ），７．２０（ｓ，２Ｈ），７．２６−７．２８（ｍ，１Ｈ），７．３４−７．３９（ｍ，３Ｈ），７．５１−７．５４（ｍ，１Ｈ），７．６９−７．７２（ｍ，１Ｈ）．

（金属錯体Ｂ８の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（２．１ｇ）、化合物Ｌ８−５（８．６ｇ）及びペンタデカン（３ｍＬ）を加え、３００℃で２４時間撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却することにより、固体が析出した。析出した固体をろ取し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリル及び塩化メチレンの混合溶媒を用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ８（４．０ｇ）を得た。金属錯体Ｂ８のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ８の分析結果は以下のとおりであった。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７１３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝０．９２（ｔ，９Ｈ），１．１１（ｓ，９Ｈ），１．２２（ｓ，９Ｈ），１．２７（ｓ，２７Ｈ），１．４２（ｓ，２７Ｈ），１．５６−１．６２（ｍ，３Ｈ），１．６４−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．０２（ｓ，９Ｈ），２．１８（ｓ，９Ｈ），６．２４（ｄ，３Ｈ），６．９２（ｄｄ，３Ｈ），７．０４（ｄ，６Ｈ），７．１５（ｄ，３Ｈ），７．１９（ｄ，６Ｈ），７．３８（ｄ，６Ｈ）．

＜合成例Ｂ９＞ 金属錯体Ｂ９の合成
金属錯体Ｂ９は、以下の方法で合成した。

（化合物Ｌ９−１の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、４−ブロモ−２，６−ジメチルアニリン（１００ｇ）、トリエチルアミン（２５３ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（１．５Ｌ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、化合物Ｌ５−１（１２４ｍＬ）をゆっくりと滴下した後、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をアセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ９−１（１２５ｇ）を得た。化合物Ｌ９−１のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．７％であった。

化合物Ｌ９−１の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．９６（ｔ，３Ｈ），１．２９（ｓ，６Ｈ），１．６８（ｑ，２Ｈ），２．１６（ｓ，６Ｈ），６．９３（ｂｒｓ，１Ｈ），７．０８（ｓ，２Ｈ）．

（化合物Ｌ９−２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ９−１（１２０ｇ）、モノクロロベンゼン（１．２Ｌ）、２−フルオロピリジン（４３ｇ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１２５ｇ）を加え、室温で撹拌した。そこへ、化合物Ｌ８−２（９５．２ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、９０℃で１８時間撹拌し、更に、１３０℃で１２時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却し、そこへ、酢酸エチルを加えた。得られた反応液を１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、更に、イオン交換水で２回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をアセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ９−２（７０ｇ）を得た。化合物Ｌ９−２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｌ９−２の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８９（ｔ，３Ｈ），１．２２（ｓ，６Ｈ），１．７１（ｑ，２Ｈ），１．９９（ｓ，６Ｈ），７．１１−７．１４（ｍ，２Ｈ），７．３７（ｓ，２Ｈ），７．４６−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．６４−７．６５（ｍ，１Ｈ）．

（化合物Ｌ９−３の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ９−２（６０ｇ）、フェニルボロン酸（３８．３ｇ）、トルエン（６００ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（２．３ｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（２．１ｇ）を加え、６０℃に昇温した。そこへ、２５質量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３００ｍＬ）を加えた後、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液をセライトを敷いたろ過器でろ過した後、セライトを酢酸エチルで洗浄した。得られたろ液から水層を除去した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、アセトニトリルを用いて晶析し、更に、アセトニトリル及びトルエンの混合溶媒を用いて晶析を行った。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）、及び、逆相カラムクロマトグラフィー（水及びアセトニトリルの混合溶媒）により、順次精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ９−３（３４ｇ）を得た。化合物Ｌ９−３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｌ９−３の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．９５（ｔ，３Ｈ），１．２９（ｓ，６Ｈ），１．７９（ｑ，２Ｈ），２.０１（ｓ，６Ｈ），７．２６−７．３１（ｍ，５Ｈ），７．３６−７．５７（ｍ，８Ｈ），７．６５−７．６９（ｍ，３Ｈ）．

（金属錯体Ｂ９の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（１．３ｇ）、化合物Ｌ９−３（５．０ｇ）及びペンタデカン（２ｍＬ）を加え、３００℃で２４時間撹拌した。その後、反応液を５０℃まで冷却し、そこへ、トルエンを加えた。その後、得られた反応液を室温にまで冷却した後、イオン交換水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトニトリル及びトルエンの混合溶媒を用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ９（０．６５ｇ）を得た。金属錯体Ｂ９のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ９の分析結果は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝７．７７（ｄｄ，６Ｈ），７．６５（ｓ，６Ｈ），７．５０（ｔ，６Ｈ），７．４１（ｔｔ，３Ｈ），７．２５（ｄ，３Ｈ），７．１１（ｄｄ，６Ｈ），６．９８−７．０２（ｍ，９Ｈ），６．９３−６．９７（ｍ，３Ｈ），６．３３（ｄ，３Ｈ），２．２７（ｓ，９Ｈ），２．１３（ｓ，９Ｈ），１．７５−１．７９（ｍ，４Ｈ），１．６４−１．７０（ｍ，４Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），１．２２（ｓ，９Ｈ），１．００（ｔ，９Ｈ）．

＜金属錯体Ｇ１〜Ｇ３の合成・入手＞
金属錯体Ｇ１は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。
金属錯体Ｇ２は、特開２０１３−２３７７８９号公報に記載の方法に従って合成した。
金属錯体Ｇ３は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に準じて合成した。

＜金属錯体Ｒ１〜Ｒ７の合成・入手＞
金属錯体Ｒ１は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。
金属錯体Ｒ２は、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社より購入した。
金属錯体Ｒ３は、国際公開第２００２／４４１８９号に記載の方法に準じて合成した。
金属錯体Ｒ４は、特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に準じて合成した。
金属錯体Ｒ５は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。
金属錯体Ｒ６は、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
金属錯体Ｒ７は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。化合物ＨＭ−１は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入したものを用いた。

（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。

（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５０５ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は７．６［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２７，０．４８）であった。

＜実施例Ｄ２＞ 発光素子Ｄ２の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ４＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。

発光素子Ｄ２に電圧を印加することにより、４６５ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．２［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２４，０．４４）であった。

＜実施例Ｄ３＞ 発光素子Ｄ３の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ２、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ２／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。

発光素子Ｄ３に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５０５ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ２、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は７．５［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．３０，０．４６）であった。

＜実施例Ｄ４＞ 発光素子Ｄ４の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ２、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ２／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ４＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。

発光素子Ｄ４に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ２、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．２［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２８，０．４８）であった。

＜実施例Ｄ５＞ 発光素子Ｄ５の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ３、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ３／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。

発光素子Ｄ５に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５０５ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ３、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は７．５［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．４２）であった。

＜実施例Ｄ６＞ 発光素子Ｄ６の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ４、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ４／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。

発光素子Ｄ６に電圧を印加することにより、４６５ｎｍ、５０５ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ４、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は６．５［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．４８）であった。

＜実施例Ｄ７＞ 発光素子Ｄ７の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ４、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ４／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ４＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。

発光素子Ｄ７に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ４、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は６．７［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２７，０．４９）であった。

＜実施例Ｄ８＞ 発光素子Ｄ８の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ５、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ５／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ５＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。

発光素子Ｄ８に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５０５ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ５、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．３［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．４９）であった。

＜実施例Ｄ９＞ 発光素子Ｄ９の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ６、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ６／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ５＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ９を作製した。

発光素子Ｄ９に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５０５ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ６、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．３［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．４８）であった。

＜実施例Ｄ１０＞ 発光素子Ｄ１０の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ７、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ７／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ５＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１０を作製した。

発光素子Ｄ１０に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ７、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は６．４［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．５１）であった。

＜実施例Ｄ１１＞ 発光素子Ｄ１１の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ７、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ７／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ４＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１１を作製した。

発光素子Ｄ１１に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ７、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は６．８［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２５，０．５０）であった。

＜実施例Ｄ１２＞ 発光素子Ｄ１２の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ８／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ５＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１２を作製した。

発光素子Ｄ１２に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は７．３［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．５０）であった。

＜実施例Ｄ１３＞ 発光素子Ｄ１３の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ８／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ４＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１３を作製した。

発光素子Ｄ１３に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は７．８［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２６，０．５０）であった。

＜実施例Ｄ１４＞ 発光素子Ｄ１４の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ９、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ９／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ５＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１４を作製した。

発光素子Ｄ１４に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ９、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ５に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は６．０［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２７，０．５１）であった。

＜実施例Ｄ１５＞ 発光素子Ｄ１５の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ９、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ９／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ４＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１５を作製した。

発光素子Ｄ１５に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６１５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ９、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ４に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は６．６［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２７，０．５０）であった。

＜実施例Ｄ１６＞ 発光素子Ｄ１６の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ６（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ８／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ６＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１６を作製した。

発光素子Ｄ１６に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び５８５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ６に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．１［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．３２，０．４９）であった。

＜実施例Ｄ１７＞ 発光素子Ｄ１７の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ７（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ８／金属錯体Ｇ３／金属錯体Ｒ７＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１７を作製した。

発光素子Ｄ１７に電圧を印加することにより、４８０ｎｍ、５１０ｎｍ及び６０５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ８、金属錯体Ｇ３及び金属錯体Ｒ７に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．１［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．２８，０．４９）であった。

＜比較例ＣＤ１＞ 発光素子ＣＤ１の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１及び金属錯体Ｒ１（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｒ１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。

発光素子ＣＤ１に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、４９５ｎｍ、６２０ｎｍ及び６７５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。４７０ｎｍ及び４９５ｎｍの発光は、金属錯体Ｂ１に由来する発光であり、６２０ｎｍ及び６７５ｎｍの発光は、金属錯体Ｒ１に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は１１．２［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．３５，０．３４）であった。

＜比較例ＣＤ２＞ 発光素子ＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｒ３＝７４質量％／２５質量％／１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。

発光素子ＣＤ２に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、４９５ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。４７０ｎｍ及び４９５ｎｍの発光は、金属錯体Ｂ１に由来する発光であり、６２０ｎｍの発光は、金属錯体Ｒ３に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は１０．５［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．４８，０．３３）であった。

＜比較例ＣＤ３＞ 発光素子ＣＤ３の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ２、金属錯体Ｇ１及び金属錯体Ｒ２（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ２／金属錯体Ｇ１／金属錯体Ｒ２＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。

発光素子ＣＤ３に電圧を印加することにより、４７０ｎｍ、５０５ｎｍ及び６２０ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。これらの発光は、それぞれ、金属錯体Ｂ２、金属錯体Ｇ１及び金属錯体Ｒ２に由来する発光であった。また、１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は８．７［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．３２，０．４６）であった。

＜比較例ＣＤ４＞ 発光素子ＣＤ４の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ１、金属錯体Ｇ２及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ２／金属錯体Ｒ３＝７３．９質量％／２５質量％／１質量％／０．１質量％）」に代えて、「化合物ＨＭ−１、金属錯体Ｂ４及び金属錯体Ｒ３（化合物ＨＭ−１／金属錯体Ｂ４／金属錯体Ｒ３＝７４質量％／２５質量％／１質量％）」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。

発光素子ＣＤ４に電圧を印加することにより、４６５ｎｍ、４９５ｎｍ及び６２５ｎｍに発光スペクトルの極大発光波長を有するＥＬ発光が観測された。４６５ｎｍ及び４９５ｎｍの発光は、金属錯体Ｂ４に由来する発光であり、６２５ｎｍの発光は、金属錯体Ｒ３に由来する発光であった。１００００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧は９．６［Ｖ］であり、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．５０，０．３２）であった。

Claims (11)

1. 式（１）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体の２種以上と、を含有する、組成物。
   

   

   
   ［式中、
   Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３である。
   Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
   Ｅ^１は、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｅ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   環Ｂは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｚ^１Ａは、＝Ｎ−で表される基又は＝Ｃ（Ｒ^Ｚ１Ａ）−で表される基を表す。Ｚ^１Ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^Ｚ１Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^１Ａは、式（Ａｒ−１Ａ）で表される基を表す。Ａｒ^１Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、又は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   Ｍ^２は、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   ｎ^３は１以上の整数を表し、ｎ^４は０以上の整数を表し、ｎ^３＋ｎ^４は２又は３である。
   Ｍ^２がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は３であり、Ｍ^２がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は２である。
   Ｅ^４は、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｅ^４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   環Ｌ^１は、６員の芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   環Ｌ^２は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   環Ｌ^１が有していてもよい置換基と環Ｌ^２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   環Ｌ^１及び環Ｌ^２からなる群から選ばれる少なくとも１つの環は、置換基として式（１−Ｔ）で表される基を有する。式（１−Ｔ）で表される基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^３及びＡ^４は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^２は、単結合、又は、Ａ^３及びＡ^４とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^３−Ｇ^２−Ａ^４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１Ｔは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
2. 前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−１）で表される金属錯体である、請求項１に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、
   Ｍ、Ｚ^１Ａ、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１、Ａｒ^１Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
   環Ｂ^１は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表し、Ｅ^１Ｂ、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ及びＥ^４Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１Ｂ、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ及びＥ^４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１Ｂは存在しない。Ｅ^２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２Ｂは存在しない。Ｅ^３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^３Ｂは存在しない。Ｅ^４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^４Ｂは存在しない。
   Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１ＢとＲ^２Ｂ、Ｒ^２ＢとＲ^３Ｂ、及び、Ｒ^３ＢとＲ^４Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
3. 前記式（１−１）で表される金属錯体が、式（１−２）で表される金属錯体である、請求項２に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、Ｍ、Ｚ^１Ａ、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１、Ａｒ^１Ａ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２、Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ及びＲ^４Ｂは、前記と同じ意味を表す。］
4. 前記式（Ａｒ−１Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−２Ａ）で表される基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、Ｒ^２及びＲ^３は、前記と同じ意味を表す。
   環Ａ^１は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表し、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ及びＥ^３Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１Ａは存在しない。Ｅ^２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２Ａは存在しない。Ｅ^３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^３Ａは存在しない。
   Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１ＡとＲ^２Ａ、及び、Ｒ^２ＡとＲ^３Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
5. 前記式（Ａｒ−２Ａ）で表される基が、式（Ａｒ−３Ａ）で表される基である、請求項４に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ及びＲ^３Ａは、前記と同じ意味を表す。］
6. 前記式（２）で表される金属錯体が、式（２−Ｂ）で表される金属錯体である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、
   Ｍ^２、ｎ^３、ｎ^４及びＡ^３−Ｇ^２−Ａ^４は、前記と同じ意味を表す。
   環Ｌ^１Ｂは、ピリジン環又はピリミジン環を表し、環Ｌ^２Ｂは、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表し、Ｅ^１１Ｂ、Ｅ^１２Ｂ、Ｅ^１３Ｂ、Ｅ^１４Ｂ、Ｅ^２１Ｂ、Ｅ^２２Ｂ、Ｅ^２３Ｂ及びＥ^２４Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１１Ｂ、Ｅ^１２Ｂ、Ｅ^１３Ｂ、Ｅ^１４Ｂ、Ｅ^２１Ｂ、Ｅ^２２Ｂ、Ｅ^２３Ｂ及びＥ^２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１１Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１１Ｂは存在しない。Ｅ^１２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１２Ｂは存在しない。Ｅ^１３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１３Ｂは存在しない。Ｅ^１４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^１４Ｂは存在しない。Ｅ^２１Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２１Ｂは存在しない。Ｅ^２２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２２Ｂは存在しない。Ｅ^２３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２３Ｂは存在しない。Ｅ^２４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２４Ｂは存在しない。
   Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子又は式（１−Ｔ）で表される基を表す。Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１ＢとＲ^１２Ｂ、Ｒ^１２ＢとＲ^１３Ｂ、Ｒ^１３ＢとＲ^１４Ｂ、Ｒ^１１ＢとＲ^２１Ｂ、Ｒ^２１ＢとＲ^２２Ｂ、Ｒ^２２ＢとＲ^２３Ｂ、及び、Ｒ^２３ＢとＲ^２４Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基である。］
7. 前記式（２−Ｂ）で表される金属錯体が、式（２−Ｂ１）で表される金属錯体、式（２−Ｂ２）で表される金属錯体、式（２−Ｂ３）で表される金属錯体、式（２−Ｂ４）で表される金属錯体又は式（２−Ｂ５）で表される金属錯体である、請求項６に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、
   Ｍ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ、Ｒ^２４Ｂ及びＡ^３−Ｇ^２−Ａ^４は、前記と同じ意味を表す。
   ｎ^３１及びｎ^３２は、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、ｎ^３１＋ｎ^３２は２又は３である。Ｍ^２がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^３１＋ｎ^３２は３であり、Ｍ^２がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^３１＋ｎ^３２は２である。
   Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ及びＲ^１８Ｂは、それぞれ独立に、水素原子又は式（１−Ｔ）で表される基を表す。Ｒ^１５Ｂ、Ｒ^１６Ｂ、Ｒ^１７Ｂ及びＲ^１８Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１５ＢとＲ^１６Ｂ、Ｒ^１６ＢとＲ^１７Ｂ、及び、Ｒ^１７ＢとＲ^１８Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、式（２−Ｂ１）及び式（２−Ｂ３）中、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基であり、式（２−Ｂ２）中、Ｒ^１３Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基であり、式（２−Ｂ４）中、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１４Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基であり、式（２−Ｂ５）中、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１２Ｂ、Ｒ^２１Ｂ、Ｒ^２２Ｂ、Ｒ^２３Ｂ及びＲ^２４Ｂからなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（１−Ｔ）で表される基である。］
8. 前記Ｒ^１Ｔが、置換基を有していてもよいアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ）で表される基である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１は、０以上の整数を表す。
   Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
9. 式（Ｈ−１）で表される化合物を更に含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
   

   

   
   ［式中、
   Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
   ｎ^Ｈ３は、０以上１０以下の整数を表す。
   Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
10. 正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物を含有する発光素子。