JP2018518368A - 過酷な環境での電子機器用途のための高信頼性無鉛はんだ合金 - Google Patents
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Abstract
Description
開示される技術のさまざまな実施形態にしたがって、SnAgCuSbベースのPbフリーはんだ合金、および該はんだ合金を含むはんだ継手が開示される。開示されているはんだ合金は、150℃以上のような、より高い使用温度または動作温度で高信頼性を必要とする過酷な環境の電子機器用途のためのはんだプリフォーム、はんだボール、はんだ粉末またははんだペースト(はんだ粉末およびフラックスの混合物)の形態でのはんだ継手の作製に特に適しているが、これらには限定されない。
化学組成を重量%で列挙した図1および図2に示す通り、開示されているSnAgCuSbベースのPbフリーはんだ合金(合金No.1〜5および7〜21)、業界標準の高Pbはんだ合金(合金No.6)および市販のPbフリー合金Sn3.8Ag0.7Cu3.0Bi1.4Sb0.15Ni(Innolot、合金No.22)のさまざまな実施形態の化学組成を誘導結合プラズマ(ICP)分析で測定した。はんだ合金の溶融挙動を、示差走査熱量測定法(DSC)を用いて10℃/minの加熱および冷却速度で分析した。DSC試験を、TA Q2000示差走査熱量計で室温から350℃まで走査して実施した。各合金について、サンプルをまず周囲温度から350℃まで走査し、続いて20℃まで冷却し、次いで再び350℃まで走査した。第2の加熱サーモグラフを用いて合金の溶融挙動を表した。DSC分析から得られるはんだ合金の固相線温度および液相線温度を図1および図2の表に一覧にした。
図1に示すSnAgCuSbBi系はんだ合金の実施形態を含むはんだ継手の耐熱疲労性を、熱衝撃試験を用いて評価した。熱衝撃試験は、以下の手順を用いて行った。寸法がそれぞれ8×8×0.25mmおよび3×3×0.7mmのTi/Ni/Ag膜で被覆した2タイプのSiダイを純Ni被覆Cuのリードフレーム基材にはんだ付けしてダイアタッチはんだ継手を形成した。寸法がそれぞれ8×8×0.15mmおよび3×3×0.15mmのはんだプリフォームを使用した。はんだ付けは、アセンブリの位置決めと共平面性を容易にするためにSiダイ/はんだプリフォーム/基材の組(セット)をジグを用いて組み立て、続いて、Pbフリー実験のはんだ合金についてはピーク温度246℃および220℃を上回る時間:61秒で、あるいは標準的な高Pbはんだ合金(Pb5Sn2.5Ag)についてはピーク温度335℃およびTAL(液相線を上回る時間):61秒でリフロー炉内で加熱することによって行った。
SnAgCuSbBi系(図1)で設計されたはんだ合金の良好な信頼性性能に続いて、図2に示すSnAgCuSb系およびSnAgCuSbIn(Bi)系の合金(合金No.11〜21)を試験した。
本明細書に開示の合金の成分範囲の利益を以下で説明する。Sn−Ag−Cu合金系では、三元共晶組成は約Sn3.7Ag0.9Cuであり、共晶温度は217℃である。Agは、Ag3Sn金属間粒子を形成して分散強化相として作用する、合金中の主要な強化元素である。Agは、はんだ合金のぬれ性も向上させる。合金の溶融挙動、ぬれ性、機械的特性および熱サイクル信頼性を包括的に考慮すると、Ag含有量は、2.5〜4.5重量%の範囲内であることが好ましい。Agが2.5重量%未満のとき、はんだ継手の機械的特性および熱サイクル信頼性性能は、過酷な環境の電子機器用途には十分ではない。Agが4.5重量%を超えるとき、合金の液相線温度が著しく上昇し、はんだ付け性能に悪影響を与える。加えて、より高いAg含有量に伴うコストの上昇は望ましくない。したがって、実施形態において、Ag含有量は、好ましくは3.0〜4.0重量%の範囲内である。
Claims (20)
- 2.5〜4.5重量%のAg;
0.6〜2.0重量%のCu;
2.5〜9.0重量%のSb;および
残余のSn
を含んでなる、はんだ合金。 - 0.1〜2.5重量%のBi、
0.1〜4.5重量%のIn;および
0.001〜0.2重量%のNiもしくはCo、またはそれらの両方
から選択される添加物のうちの少なくとも1種を更に含む、請求項1に記載のはんだ合金。 - 前記はんだ合金は本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSbおよび残余のSnからなる、請求項1に記載のはんだ合金。
- 前記はんだ合金は本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSb、約0.3重量%のBiおよび残余のSnからなる、請求項2に記載のはんだ合金。
- 前記はんだ合金は本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSb、0.3〜1.5重量%のInおよび残余のSnからなる、請求項2に記載のはんだ合金。
- 前記はんだ合金は本質的に、約3.8重量%のAg、約1.0重量%のCu、約5.5重量%のSb、約0.5重量%のInおよび残余のSnからなる、請求項5に記載のはんだ合金。
- 前記はんだ合金は本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、3.0〜5.0重量%のSb、1.0〜4.0重量%のIn、約0.5重量%のBiおよび残余のSnからなる、請求項2に記載のはんだ合金。
- 本質的に、フラックス及びはんだ合金粉末からなるはんだペーストであって、
前記はんだ合金粉末は、
2.5〜4.5重量%のAg;
0.6〜2.0重量%のCu;
2.5〜9.0重量%のSb;および
残余のSn
を含んでなる、ことを特徴とするはんだペースト。 - 前記はんだ合金粉末が、
0.1〜2.5重量%のBi、
0.1〜4.5重量%のIn、および
0.001〜0.2重量%のNiもしくはCo、またはそれらの両方
から選択される添加物のうちの少なくとも1種を更に含む、請求項8に記載のはんだペースト。 - 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSbおよび残余のSnからなる、請求項8に記載のはんだペースト。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSb、約0.3重量%のBiおよび残余のSnからなる、請求項9に記載のはんだペースト。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSb、0.3〜1.5重量%のInおよび残余のSnからなる、請求項9に記載のはんだペースト。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、約3.8重量%のAg、約1.0重量%のCu、約5.5重量%のSb、約0.5重量%のInおよび残余のSnからなる、請求項12に記載のはんだ合金ペースト。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、3.0〜5.0重量%のSb、1.0〜4.0重量%のIn、約0.5重量%のBiおよび残余のSnからなる、請求項9に記載のはんだ合金ペースト。
- はんだペーストを基材とデバイスとの間に塗布してアセンブリを形成すること、及び、前記アセンブリをリフローはんだ付けしてはんだ継手を形成すること、のプロセスを経て形成されるはんだ継手であって、
前記はんだペーストは本質的に、フラックス及びはんだ合金粉末からなり、
前記はんだ合金粉末は、
2.5〜4.5重量%のAg;
0.6〜2.0重量%のCu;
2.5〜9.0重量%のSb;および
残余のSn
を含んでなる、ことを特徴とするはんだ継手。 - 前記はんだ合金粉末が、
0.1〜2.5重量%のBi、
0.1〜4.5重量%のIn;および
0.001〜0.2重量%のNiもしくはCo、またはそれらの両方
から選択される添加物のうちの少なくとも1種を更に含む、請求項15に記載のはんだ継手。 - 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSbおよび残余のSnからなる、請求項15に記載のはんだ継手。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSb、約0.3重量%のBiおよび残余のSnからなる、請求項16に記載のはんだ継手。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、5.0〜6.0重量%のSb、約0.5重量%のInおよび残余のSnからなる、請求項16に記載のはんだ継手。
- 前記はんだ合金粉末が本質的に、3.0〜4.0重量%のAg、0.6〜1.2重量%のCu、3.0〜5.0重量%のSb、1.0〜4.0重量%のIn、約0.5重量%のBiおよび残余のSnからなる、請求項16に記載のはんだ継手。
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