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JP2018109111A - Method for producing polysilane and method for producing active metal magnesium component used therefor - Google Patents

Method for producing polysilane and method for producing active metal magnesium component used therefor Download PDF

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JP2018109111A
JP2018109111A JP2016257063A JP2016257063A JP2018109111A JP 2018109111 A JP2018109111 A JP 2018109111A JP 2016257063 A JP2016257063 A JP 2016257063A JP 2016257063 A JP2016257063 A JP 2016257063A JP 2018109111 A JP2018109111 A JP 2018109111A
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国宏 野田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a polysilane, by which a polysilane having a small molecular weight dispersity (Mw/Mn) can be obtained, and to provide a method for producing an active metal magnesium component used therefor.SOLUTION: The method for producing a polysilane according to the present invention includes a step of reacting a halosilane compound by causing a metal magnesium component to act thereon in a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by formula (S1). (In the formula (S1), Ris a C1-3 alkyl group; p is an integer of 1-6; and q is an integer of 0 to (p+1).)SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、ポリシランの製造方法及びこれに用いる活性金属マグネシウム成分の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing polysilane and a method for producing an active metal magnesium component used therefor.

ポリシランは、セラミックス前駆体、光電子材料(例えば、フォトレジスト、有機感光体などの光電子写真材料、光導波路などの光伝送材料、光メモリなどの光記録材料、エレクトロルミネッセンス素子用材料)、種々の素子における層間絶縁膜、LED素子や有機EL素子のような発光素子の封止材料、半導体基板への不純物拡散用の塗布膜、及び半導体プロセス用のギャップフィル材料などの用途で使用されている。   Polysilane is used in ceramic precursors, photoelectron materials (for example, photoelectrophotographic materials such as photoresists and organic photoreceptors, optical transmission materials such as optical waveguides, optical recording materials such as optical memories, electroluminescent element materials), and various elements. It is used in applications such as interlayer insulating films, sealing materials for light emitting elements such as LED elements and organic EL elements, coating films for diffusing impurities into semiconductor substrates, and gap fill materials for semiconductor processes.

このようなポリシランの製造方法として、リチウム化合物及び特定の金属ハロゲン化物の存在下、ハロシラン化合物に金属マグネシウムを反応させてポリシランを生成させる反応系において、反応後に残存する固体成分である活性金属マグネシウムに新たに上記原料(リチウム化合物、金属ハロゲン化物、及びハロシラン化合物)を添加して反応させ、ポリシランを生成するポリシランの製造方法が開示されている(特許文献1)。   As a method for producing such a polysilane, in a reaction system in which a magnesium metal is reacted with a halosilane compound in the presence of a lithium compound and a specific metal halide to form polysilane, the active metal magnesium that is a solid component remaining after the reaction is used. There has been disclosed a method for producing polysilane in which the above raw materials (lithium compound, metal halide, and halosilane compound) are added and reacted to produce polysilane (Patent Document 1).

特許第4559642号公報Japanese Patent No. 4559642

しかしながら、特許文献1で得られるポリシランは、分子量分布の点で改善の余地があった。ポリシランの質量平均分子量の分布幅を狭めることにより、該ポリシランを原料とする塗布膜、ギャップフィルなどの平坦性などの向上が期待される。   However, the polysilane obtained in Patent Document 1 has room for improvement in terms of molecular weight distribution. By narrowing the distribution range of the mass average molecular weight of the polysilane, it is expected that the coating film using the polysilane as a raw material, the flatness of the gap fill, etc. are improved.

本発明は、上記課題に鑑みなされた。本発明は、分子量分散度(Mw/Mn)の小さいポリシランを得ることができる、ポリシランの製造方法及びこれに用いる活性金属マグネシウム成分の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems. An object of this invention is to provide the manufacturing method of the polysilane which can obtain polysilane with small molecular weight dispersion degree (Mw / Mn), and the manufacturing method of the active metal magnesium component used for this.

本発明者らは、ハロシラン化合物を、特定溶媒中で、金属マグネシウム成分を作用させて反応させることで、ポリシランの分子量分散度を小さくできることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventors have found that the molecular weight dispersity of polysilane can be reduced by reacting a halosilane compound by reacting a metal magnesium component in a specific solvent, and the present invention has been completed.

本発明の第1の態様は、ハロシラン化合物を、下記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で、金属マグネシウム成分を作用させて反応させる工程を含む、ポリシラン製造方法である。

Figure 2018109111
(式(S1)中、Rs1は、炭素原子数1〜3のアルキル基であり、pは1〜6の整数であり、qは0〜(p+1)の整数である。) 1st aspect of this invention is a polysilane manufacturing method including the process of making a metal magnesium component react and reacting a halosilane compound in the solvent containing the cycloalkyl acetate represented by a following formula (S1).
Figure 2018109111
(In formula (S1), R s1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, p is an integer of 1 to 6, and q is an integer of 0 to (p + 1).)

本発明の第2の態様は、ハロシラン化合物を、下記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で、金属マグネシウム成分とともに、(I)アルカリ金属化合物及びアルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物を作用させて反応させるA工程と、前記A工程により得られる反応混合物から液体成分を除去するB工程とを含む、活性金属マグネシウム成分の製造方法である。   According to a second aspect of the present invention, in a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the following formula (S1), a halosilane compound, together with a metal magnesium component, (I) an alkali metal compound and a halogen of a metal other than an alkali metal A process for producing an active metal magnesium component, comprising a step A in which a metal halide which is a chemical compound is allowed to act and a reaction, and a step B in which a liquid component is removed from the reaction mixture obtained in the step A.

本発明によれば、分子量分散度(Mw/Mn)の小さいポリシランを得ることができる、ポリシランの製造方法及びこれに用いる活性金属マグネシウム成分の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a polysilane which can obtain polysilane with small molecular weight dispersion degree (Mw / Mn), and the manufacturing method of the active metal magnesium component used for this can be provided.

<ポリシランの製造方法>
本実施形態に係るポリシランの製造方法は、ハロシラン化合物を、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で、金属マグネシウム成分を作用させて反応させる工程を含む。
<Production method of polysilane>
The method for producing a polysilane according to this embodiment includes a step of reacting a halosilane compound with a metal magnesium component acting in a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1).

本実施形態に係るポリシランの製造方法によれば、式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒で反応させることにより、分子量分散度(Mw/Mn)の小さいポリシラン、例えば4以下、好ましくは1〜3のポリシランを得ることができる。なお、質量平均分子量(Mw)は、1000〜100000、好ましくは5000〜80000、さらに好ましくは6000〜60000程度で調整することができる。本明細書において、質量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)のスチレン換算による測定値である。   According to the method for producing a polysilane according to this embodiment, a polysilane having a low molecular weight dispersity (Mw / Mn), for example, 4 or less, preferably by reacting with a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the formula (S1). Can obtain 1 to 3 polysilanes. In addition, a mass average molecular weight (Mw) can be adjusted with 1000-100000, Preferably it is 5000-80000, More preferably, it is about 6000-60000. In the present specification, the mass average molecular weight (Mw) is a measured value in terms of styrene of gel permeation chromatography (GPC).

さらに、反応性向上などの点では、本実施形態に係るポリシランの製造方法は、前記金属マグネシウム成分とともに、下記(I)又は(II)の存在下で反応させることが好ましい。また、下記(II)の存在下で反応させる場合には、さらにアルカリ金属化合物を存在させてもよい。
(I)アルカリ金属化合物と、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物
又は
(II)下記一般式(A1)で表される有機金属錯体

r/s ・・・(A1)

(上記一般式(A1)中、Mは、r価の金属カチオンを表し、Lはs価の有機配位子を表し、r及びsは各々独立に1以上の整数を表す。)
Furthermore, in terms of improving reactivity, the polysilane production method according to this embodiment is preferably reacted in the presence of the following (I) or (II) together with the metal magnesium component. Moreover, when making it react in presence of following (II), you may make an alkali metal compound exist further.
(I) an alkali metal compound and a metal halide which is a halide of a metal other than an alkali metal, or (II) an organometallic complex represented by the following general formula (A1)

M r L r / s (A1)

(In the general formula (A1), Mr represents an r-valent metal cation, L represents an s-valent organic ligand, and r and s each independently represents an integer of 1 or more.)

以下、本実施形態に係るポリシランの製造で用いられるハロシラン化合物、溶媒、金属マグネシウム成分、(I)アルカリ金属化合物とアルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物、及び、(II)一般式(A1)で表される有機金属錯体についてそれぞれ詳細に説明する。本明細書において、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物を、以下、単に「金属ハロゲン化物」と略称することがある。   Hereinafter, a halosilane compound, a solvent, a metal magnesium component, (I) a metal halide that is a halide of a metal other than an alkali metal compound and an alkali metal, and (II) a general formula used in the production of the polysilane according to the present embodiment Each of the organometallic complexes represented by (A1) will be described in detail. In the present specification, a metal halide that is a halide of a metal other than an alkali metal may be simply referred to as a “metal halide” hereinafter.

[ハロシラン化合物]
上記ハロシラン化合物としては下記式(1)で表される化合物であることが好ましい。

SiR4−n (1)

(式中、nは2〜4の整数であり、n個のXは、各々独立に、ハロゲン原子であり、(4−n)個のRは、各々独立に、水素原子、有機基又はシリル基である。)
[Halosilane compounds]
The halosilane compound is preferably a compound represented by the following formula (1).

X n SiR 4-n (1)

(Wherein n is an integer of 2 to 4, n Xs are each independently a halogen atom, and (4-n) Rs are each independently a hydrogen atom, an organic group or a silyl group. Group.)

Xで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられ、塩素原子又は臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。   Examples of the halogen atom represented by X include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferred, and a chlorine atom is more preferred.

Rで表される有機基としては、アルキル基[メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル及びt−ブチル基などの炭素原子数1〜12のアルキル基(好ましくは炭素原子数1〜10のアルキル基、より好ましくは1〜6のアルキル基、特に炭素数1〜4のアルキル基など)]、シクロアルキル基(シクロヘキシル基などの炭素原子数5〜8のシクロアルキル基、特に炭素原子数5〜6のシクロアルキル基)、アルケニル基[エテニル基、プロペニル基、ブテニル基などの炭素原子数2〜12のアルケニル基(好ましくは炭素原子数2〜10のアルケニル基、特に炭素数2〜8のアルケニル基など)]、シクロアルケニル基[1−シクロペンテニル基、1−シクロヘキセニル基などの炭素原子数5〜12のシクロアルケニル基(好ましくは炭素原子数5〜10のシクロアルケニル基、特に炭素数5〜8のシクロアルケニル基など)]、アリール基(フェニル、ナフチル基などの炭素原子数6〜12のアリール基、)、アラルキル基[ベンジル、フェネチル基などのC6−10アリール−C1−6アルキル基(C6−10アリール−C1−4アルキル基など)]、アルコキシ基[メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ及びt−ブトキシ基などの炭素原子数1〜12のアルコキシ基(好ましくは炭素原子数1〜6のアルコキシ基、特に炭素原子数1〜4のアルコキシ基)など]、アミノ基、N−置換アミノ基(上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基などで置換されたN−モノ又はジ置換アミノ基など)などが挙げられる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を構成するアリール基などは、1又は複数の置換基を有していてもよい。このような置換基としては、上記例示のアルキル基(特に炭素原子数1〜6のアルキル基など)、上記例示のアルコキシ基などが挙げられる。このような置換基を有する有機基としては、例えば、トリル、キシレニル、エチルフェニル、メチルナフチル基などのC1−6アルキル−C6−10アリール基(好ましくはモノ乃至トリC1−4アルキル−C6−10アリール基、特にモノ又はジC1−4アルキルフェニル基など);メトキシフェニル、エトキシフェニル、メトキシナフチル基などのC1−10アルコキシC6−10アリール基(好ましくはC1−6アルコキシC6−10アリール基、特にC1−4アルコキシフェニル基など)などが挙げられる。 Examples of the organic group represented by R include alkyl groups [alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl and t-butyl groups (preferably alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms). , More preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, etc.], a cycloalkyl group (cycloalkyl groups having 5 to 8 carbon atoms such as a cyclohexyl group, particularly 5 to 6 carbon atoms). Cycloalkyl group), alkenyl group [alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms such as ethenyl group, propenyl group, butenyl group (preferably alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, especially alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms) Etc.]], cycloalkenyl groups [cycloalkenyl groups having 5 to 12 carbon atoms such as 1-cyclopentenyl group and 1-cyclohexenyl group (preferably A cycloalkenyl group having 5 to 10 carbon atoms, particularly a cycloalkenyl group having 5 to 8 carbon atoms)], an aryl group (an aryl group having 6 to 12 carbon atoms such as phenyl or naphthyl group), an aralkyl group [benzyl C 6-10 aryl-C 1-6 alkyl group such as phenethyl group (C 6-10 aryl-C 1-4 alkyl group etc.)], alkoxy group [methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy and t- An alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms such as a butoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, particularly an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms), an amino group, an N-substituted amino group (above An N-mono- or di-substituted amino group substituted with an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an acyl group, etc.). . The aryl group constituting the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group may have one or more substituents. Examples of such a substituent include the above-exemplified alkyl groups (particularly, alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms), the above-exemplified alkoxy groups, and the like. Examples of the organic group having such a substituent include C 1-6 alkyl-C 6-10 aryl groups such as tolyl, xylenyl, ethylphenyl, and methylnaphthyl groups (preferably mono to tri C 1-4 alkyl- C 6-10 aryl groups, especially mono or di C 1-4 alkylphenyl groups); C 1-10 alkoxy C 6-10 aryl groups such as methoxyphenyl, ethoxyphenyl, methoxynaphthyl groups (preferably C 1-6 Alkoxy C 6-10 aryl group, especially C 1-4 alkoxyphenyl group, etc.).

シリル基は、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基及びアルコキシ基などで置換された置換シリル基であってもよい。   The silyl group may be a substituted silyl group substituted with the above alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, aryl group, aralkyl group, alkoxy group or the like.

nが2の場合(ジハロシラン化合物)において、Rで示される有機基の組み合わせ(n=2)は、アルキル基―アルキル基、アリール基−アリール基、アルキル基―アリール基との組み合わせが好ましく、メチル基−フェニル基、メチル基−メチル基、フェニル基−フェニル基の組み合わせがより好ましい。   When n is 2 (dihalosilane compound), the organic group combination represented by R (n = 2) is preferably an alkyl group-alkyl group, aryl group-aryl group, alkyl group-aryl group, A combination of group-phenyl group, methyl group-methyl group, and phenyl group-phenyl group is more preferable.

ハロシラン化合物は、できるだけ高純度であることが好ましい。例えば、液体のハロシラン化合物については、水素化カルシウムなどの乾燥剤を用いて乾燥し、蒸留して使用することが好ましく、固体のハロシラン化合物については、再結晶法などにより、精製して使用することが好ましい。   The halosilane compound is preferably as pure as possible. For example, liquid halosilane compounds are preferably dried and dried using a desiccant such as calcium hydride, and solid halosilane compounds are purified and used by recrystallization or the like. Is preferred.

このようなハロシラン化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。   Such halosilane compounds can be used alone or in combination of two or more.

[アルカリ金属化合物]
本発明で使用するアルカリ金属化合物としては、リチウム、ナトリウム、カリウムなどを含む化合物(ハロゲン化物、無機酸塩など)などが使用できるが、リチウム化合物が好ましい。
[Alkali metal compounds]
As the alkali metal compound used in the present invention, compounds containing lithium, sodium, potassium, etc. (halides, inorganic acid salts, etc.) can be used, and lithium compounds are preferred.

このようなリチウム化合物としては、ハロゲン化リチウム(塩化リチウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウムなど)、無機酸塩(硝酸リチウム、炭酸リチウム、炭酸水素リチウム、硫酸リチウム、過塩素酸リチウム、リン酸リチウムなど)などが使用できる。これらのリチウム化合物は、単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。好ましいリチウム化合物は、ハロゲン化リチウム(特に塩化リチウム)である。   Such lithium compounds include lithium halides (lithium chloride, lithium bromide, lithium iodide, etc.), inorganic acid salts (lithium nitrate, lithium carbonate, lithium hydrogen carbonate, lithium sulfate, lithium perchlorate, lithium phosphate) Etc.) can be used. These lithium compounds can be used alone or in combination of two or more. A preferred lithium compound is lithium halide (especially lithium chloride).

[金属ハロゲン化物]
金属ハロゲン化物は、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である。このような金属ハロゲン化物は、具体的には多価金属ハロゲン化物であり、例えば、遷移金属(例えば、サマリウムなどの周期表3A族元素、チタンなどの周期表4A族元素、バナジウムなどの周期表5A族元素、鉄、コバルト、パラジウムなどの周期表8族元素、亜鉛などの周期表2B族元素など)、周期表3B族金属(アルミニウムなど)、周期表4B族金属(スズなど)などの金属の塩化物、臭化物又はヨウ化物などが挙げられる。金属ハロゲン化物を構成する上記金属の価数は、特に制限されないが、好ましくは2〜4価、特に2又は3価である。これらの金属ハロゲン化物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
[Metal halide]
The metal halide is a halide of a metal other than an alkali metal. Such a metal halide is specifically a polyvalent metal halide, for example, a transition metal (for example, a periodic table group 3A element such as samarium, a periodic table group 4A element such as titanium, or a periodic table such as vanadium. Metals such as Group 5A elements, Group 8 elements of the periodic table such as iron, cobalt, palladium, etc., Group 2B elements of the periodic table such as zinc), Group 3B metals (such as aluminum), and Group 4B metals (such as tin) of the periodic table Chloride, bromide or iodide. The valence of the metal constituting the metal halide is not particularly limited, but is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3. These metal halides can be used alone or in combination of two or more.

このような金属ハロゲン化物としては、例えば、塩化物(FeCl、FeClなどの塩化鉄;AlCl、ZnCl、SnCl、CoCl、VCl、TiCl、PdCl、SmCl、CuClなど)、臭化物(FeBr、FeBrなどの臭化鉄など)、ヨウ化物(SmIなど)などが例示できる。これらの金属ハロゲン化物のうち、塩化鉄(FeCl、FeCl)、塩化亜鉛(ZnCl)及び塩化銅(CuCl)が特に好ましい。 Examples of such metal halides include chlorides (iron chlorides such as FeCl 2 and FeCl 3 ; AlCl 3 , ZnCl 2 , SnCl 2 , CoCl 2 , VCl 2 , TiCl 4 , PdCl 2 , SmCl 2 , CuCl 2. Etc.), bromides (such as iron bromide such as FeBr 2 and FeBr 3 ), iodides (such as SmI 2 ) and the like. Of these metal halides, iron chloride (FeCl 2 , FeCl 3 ), zinc chloride (ZnCl 2 ), and copper chloride (CuCl 2 ) are particularly preferred.

[金属マグネシウム成分]
金属マグネシウム成分は、少なくともマグネシウムが含まれていればよく、マグネシウム金属単体又はマグネシウム系合金、あるいは上記マグネシウム金属又は合金を含む混合物などであってもよい。マグネシウム合金の種類は特に制限されず、慣用のマグネシウム合金、例えば、アルミニウム、亜鉛、希土類元素(スカンジウム、イットリウムなど)などの成分を含むマグネシウム合金が例示できる。これらの金属マグネシウム成分は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
[Metallic magnesium component]
The magnesium metal component only needs to contain at least magnesium, and may be a magnesium metal simple substance or a magnesium alloy, or a mixture containing the magnesium metal or alloy. The kind of magnesium alloy is not particularly limited, and examples thereof include conventional magnesium alloys such as magnesium alloys containing components such as aluminum, zinc, rare earth elements (scandium, yttrium, etc.). These metal magnesium components can be used alone or in combination of two or more.

金属マグネシウム成分の形状は、ハロシラン化合物の重合反応の反応性を損なわない限り特に限定されないが、粉粒状(粉体、粒状体など)、リボン状体、切削片状体、塊状体、棒状体、平板などが例示され、特に表面積の大きい形状(粉体、粒状体、リボン状体、切削片状体など)であることが好ましい。金属マグネシウム成分が粉粒状の場合、平均粒径は、1〜10000μm、好ましくは10〜5000μm、さらに好ましくは20〜1000μm程度である。   The shape of the metal magnesium component is not particularly limited as long as it does not impair the reactivity of the polymerization reaction of the halosilane compound, but it is powdery (powder, granular, etc.), ribbon-like, cut piece, lump, rod, A flat plate or the like is exemplified, and a shape having a large surface area (powder, granule, ribbon, cut piece, etc.) is particularly preferable. When the metallic magnesium component is granular, the average particle size is about 1 to 10000 μm, preferably about 10 to 5000 μm, and more preferably about 20 to 1000 μm.

なお、金属マグネシウム成分の保存状況などによっては、金属表面に被膜(酸化被膜など)が形成されることがある。この被膜は反応に悪影響を及ぼすことがあるので、必要に応じて、切削などによって除去してもよい。   Depending on the storage status of the metal magnesium component, a film (such as an oxide film) may be formed on the metal surface. Since this coating may adversely affect the reaction, it may be removed by cutting or the like, if necessary.

[有機金属錯体]
(II)における下記一般式(A1)で表される有機金属錯体について、以下説明する。
r/s ・・・(A1)

(上記一般式(A1)中、Mは、r価の金属カチオンを表し、Lはs価の有機配位子を表し、r及びsは各々独立に1以上の整数を表す。)
[Organic metal complex]
The organometallic complex represented by the following general formula (A1) in (II) will be described below.
M r L r / s (A1)

(In the general formula (A1), Mr represents an r-valent metal cation, L represents an s-valent organic ligand, and r and s each independently represents an integer of 1 or more.)

r価の金属カチオンMを構成する金属原子としては、鉄、銀、アルミニウム、ビスマス、セリウム、コバルト、銅、ジスプロシウム、エルビウム、ユーロピウム、ガリウム、ガドリニウム、ハフニウム、ホルミウム、インジウム、イリジウム、ランタン、ルテチウム、マンガン、モリブデン、ネオジム、ニッケル、オスミウム、パラジウム、プロメチウム、プラセオジム、白金、レニウム、ロジウム、ルテニウム、サマリウム、スカンジウム、スズ、テルビウム、チタン、ツリウム、バナジウム、クロム、タンタル、イッテルビウム、金、水銀タングステン、イットリウム、亜鉛及びジルコニウムよりなる群から選択される金属が挙げられる。
rとしては、1〜4の整数であることが好ましく、1〜3の整数であることがより好ましく、2又は3であることがさらに好ましい。
sとしては、1〜4の整数であることが好ましく、1〜3の整数であることがより好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。
s価の有機配位子Lとしては、β-ジケトナト配位子、オレフィン、共役ケトン、ニトリル、アミン、カルボキシラト配位子、一酸化炭素、ホスフィン、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスファイトなどの有機配位子が挙げられる。s価の有機配位子Lはキレート配位子であってもよい。
The metal atoms constituting the r-valent metal cation Mr include iron, silver, aluminum, bismuth, cerium, cobalt, copper, dysprosium, erbium, europium, gallium, gadolinium, hafnium, holmium, indium, iridium, lanthanum, and lutetium. , Manganese, molybdenum, neodymium, nickel, osmium, palladium, promethium, praseodymium, platinum, rhenium, rhodium, ruthenium, samarium, scandium, tin, terbium, titanium, thulium, vanadium, chromium, tantalum, ytterbium, gold, mercury tungsten, Examples include metals selected from the group consisting of yttrium, zinc and zirconium.
r is preferably an integer of 1 to 4, more preferably an integer of 1 to 3, and further preferably 2 or 3.
s is preferably an integer of 1 to 4, more preferably an integer of 1 to 3, and still more preferably 1 or 2.
Organic ligands such as β-diketonato ligand, olefin, conjugated ketone, nitrile, amine, carboxylate ligand, carbon monoxide, phosphine, phosphinite, phosphonite, phosphite, etc. A child. The s-valent organic ligand L may be a chelate ligand.

上記有機金属錯体としては、下記一般式(A2)で表される有機金属錯体であることが好ましい。

Figure 2018109111

(上記一般式(A2)中、Mは、鉄、銀、アルミニウム、ビスマス、セリウム、コバルト、銅、ジスプロシウム、エルビウム、ユーロピウム、ガリウム、ガドリニウム、ハフニウム、ホルミウム、インジウム、イリジウム、ランタン、ルテチウム、マンガン、モリブデン、ネオジム、ニッケル、オスミウム、パラジウム、プロメチウム、プラセオジム、白金、レニウム、ロジウム、ルテニウム、サマリウム、スカンジウム、スズ、テルビウム、チタン、ツリウム、バナジウム、クロム、タンタル、イッテルビウム、金、水銀タングステン、イットリウム、亜鉛及びジルコニウムよりなる群から選択される金属を表し、Rz1は、各々独立して、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基又はアリールオキシアルキル基を表し、Rz2は、水素原子、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はアラ上記ルキル基を表わす。rは1以上の整数を表す。) The organometallic complex is preferably an organometallic complex represented by the following general formula (A2).
Figure 2018109111

(In the general formula (A2), M is iron, silver, aluminum, bismuth, cerium, cobalt, copper, dysprosium, erbium, europium, gallium, gadolinium, hafnium, holmium, indium, iridium, lanthanum, lutetium, manganese, Molybdenum, neodymium, nickel, osmium, palladium, promethium, praseodymium, platinum, rhenium, rhodium, ruthenium, samarium, scandium, tin, terbium, titanium, thulium, vanadium, chromium, tantalum, ytterbium, gold, mercury tungsten, yttrium, zinc And R z1 each independently represents a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, an aralkyl group, an alkoxy group, an aryl group, or an aryl group selected from the group consisting of zirconium and zirconium. Represents an oxy group, an aralkyloxy group, or an aryloxyalkyl group, and R z2 represents a hydrogen atom, a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or an aralkyl group, and r is 1 or more. Represents an integer.)

z1及びRz2で表わされる飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、イコシル基、ドコシル基、2−ドデシルヘキサデシル基、トリアコンチル基、ドトリアコンチル基、テトラコンチル基などの炭素数1〜40の直鎖状又は分岐状アルキル基、さらに、これらがハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨード原子)、アルコキシ基(下記に記載するものなど)、シリル基(下記に記載するものなど)などの置換基の1種又は2種以上で置換されたアルキル基、例えばクロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシル基、トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル基、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロデシル基、3−(ヘプタフルオロイソプロポキシ)プロピル基、トリメチルシリルメチル基など;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などの炭素数3〜18の単環又は2環以上の多環の環状飽和炭化水素基、さらにこれら環状飽和炭化水素基がアルキル基(上記したものなど)、アリール基(上記したものなど)などの置換基の1種又は2種以上で置換されたもの、例えば、4−t−ブチルシクロヘキシル基、4−フェニルシクロへキシル基など;又は上記環状飽和炭化水素基を有するアルキル基(上記したものなど)、例えばシクロヘキシルメチル基、アダマンチルエチル基などが挙げられる。 Examples of the saturated hydrocarbon group represented by R z1 and R z2 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl. Group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tetradecyl group, hexadecyl group, octadecyl group, icosyl group, docosyl group, 2-dodecylhexadecyl group, triacontyl group, dotriacontyl group, tetracontyl group, etc. A linear or branched alkyl group of 1 to 40, and further, these are a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodo atom), alkoxy group (such as those described below), silyl group (described below) Alkyl groups substituted with one or more substituents such as Propyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl group, tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydro Octyl group, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl group, 3- (heptafluoroisopropoxy) propyl group, trimethylsilylmethyl group, etc .; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, bicycloheptyl Groups, cyclooctyl groups, adamantyl groups and the like, which are monocyclic or polycyclic saturated hydrocarbon groups having 3 to 18 carbon atoms, and these cyclic saturated hydrocarbon groups are alkyl groups (such as those described above), aryl Substituted with one or more substituents such as groups (such as those described above), such as 4-t-butylcyclohexyl An alkyl group having the above cyclic saturated hydrocarbon group (such as those described above), for example, a cyclohexylmethyl group, an adamantylethyl group, and the like.

z1及びRz2で表わされる不飽和炭化水素基としては、ビニル基、エチニル基、アリル基、1−プロペニル基、プロパルギル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、デカニル基、ドデカニル基、オクタデカニル基などの炭素数2〜18の直鎖状又は分岐状アルケニル基、アルキニル基、さらに、これらの不飽和炭化水素基が、ハロゲン原子(上記したものなど)、アルコキシ基(下記に記載するものなど)、シリル基(下記に記載するものなど)、アリール基(下記に記載するものなど)の置換基の1種又は2種以上で置換されたもの、例えば、2−トリフルオロメチルエテニル基、2−トリフルオロメチルエチニル基、3−メトキシ−1−プロペニル基、3−メトキシ−1−プロピニル基、2−トリメチルシリルエテニル基、2−トリメチルシリルエチニル基、2−フェニルエテニル基、2−フェニルエチニル基など;シクロプロペニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクテニル基などの炭素数3〜18の環状不飽和炭化水素基;上記環状不飽和炭化水素基を有するアルキル基(上記したものなど)、例えばシクロヘキセニルエチル基などが挙げられる。 Examples of the unsaturated hydrocarbon group represented by R z1 and R z2 include vinyl group, ethynyl group, allyl group, 1-propenyl group, propargyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, octenyl group, decanyl group, dodecanyl group In addition, a linear or branched alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms such as an octadecanyl group, an alkynyl group, and further, an unsaturated hydrocarbon group thereof includes a halogen atom (such as those described above) and an alkoxy group (described below). ), Substituted with one or more substituents of a silyl group (such as those described below) and an aryl group (such as those described below), such as 2-trifluoromethylethenyl Group, 2-trifluoromethylethynyl group, 3-methoxy-1-propenyl group, 3-methoxy-1-propynyl group, 2-trimethyl Ruethenyl group, 2-trimethylsilylethynyl group, 2-phenylethenyl group, 2-phenylethynyl group, etc .; C3-C18 cyclic unsaturated hydrocarbon group such as cyclopropenyl group, cyclohexenyl group, cyclooctenyl group; Examples thereof include an alkyl group having an unsaturated hydrocarbon group (such as those described above), such as a cyclohexenylethyl group.

z1及びRz2で表わされる芳香族炭化水素基としては、フェニル基、及び、トリル基、ブチルフェニル基、ブトキシフェニル基などのアルキル基、アルコキシ基、アミノ基などの1種又は2種以上で置換された置換フェニル基などが挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon group represented by R z1 and R z2 include one or more of a phenyl group, an alkyl group such as a tolyl group, a butylphenyl group, and a butoxyphenyl group, an alkoxy group, and an amino group. Examples include substituted phenyl groups.

z1及びRz2で表わされるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、メチルフェネチル基、ブチルフェネチル基、フェニルプロピル基、メトキシフェニルプロピル基などが挙げられ、ヘテロアラルキル基としては、ピリジルメチル基、ピリジルエチル基などが挙げられる。 Examples of the aralkyl group represented by R z1 and R z2 include a benzyl group, a phenethyl group, a methylphenethyl group, a butylphenethyl group, a phenylpropyl group, a methoxyphenylpropyl group, and the heteroaralkyl group includes a pyridylmethyl group, A pyridylethyl group etc. are mentioned.

z1で表わされるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基などの炭素数1〜18のアルコキシ基が挙げられ、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、及びトリルオキシ基、ブチルフェノキシ基などアルキル基などの置換基で置換された置換フェノキシ基などが挙げられる。 Examples of the alkoxy group represented by R z1 include alkoxy groups having 1 to 18 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a hexyloxy group, an octyloxy group, and the aryloxy group includes a phenoxy group. And a substituted phenoxy group substituted with a substituent such as an alkyl group such as a tolyloxy group and a butylphenoxy group.

z1で表わされるアラルキルオキシ基としては、ベンジロキシ基、フェネチロキシ基などが挙げられ、アリールオキシアルキル基としては、フェノキシプロピル基、フェノキシブチル基などが挙げられる。 Examples of the aralkyloxy group represented by R z1 include a benzyloxy group and a phenethyloxy group, and examples of the aryloxyalkyl group include a phenoxypropyl group and a phenoxybutyl group.

z1として好ましいものは、炭素数が1〜30の飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基などであり、さらに好ましいものは、炭素数が1〜15のアルキル基、フェニル基などであり、特に好ましいものは、メチル基である。 R z1 is preferably a saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group, or the like, and more preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, a phenyl group, or the like. Preferred is a methyl group.

z2として好ましいものは、水素原子、炭素数が1〜18の飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基などであり、さらに好ましいものは、水素原子、炭素数が1〜10のアルキル基、フェニル基、フェニルエチル基などであり、特に好ましいものは、水素原子である。
rの好ましい例としては上述の通りである。
R z2 is preferably a hydrogen atom, a saturated hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group, or the like, and more preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, phenyl Group, phenylethyl group and the like, and particularly preferred is a hydrogen atom.
Preferred examples of r are as described above.

金属錯体としては、上記の金属MとRz1及びRz2の組み合わせにより種々の金属錯体が挙げられる。具体例を例示すると、アセチルアセトナト銀(I)、トリス(アセチルアセトナト)アルミニウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)アルミニウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)ビスマス(III)、トリス(アセチルアセトナト)セリウム(III)、ビス(アセチルアセトナト)コバルト(II)、トリス(アセチルアセトナト)コバルト(III)、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)コバルト(III)、トリス(3−メチル−2,4−ペンタンジオナト)コバルト(III)、トリス(3−フェニル−2,4−ペンタンジオナト)コバルト(III)、トリス(3−(1−フェニルエチル)−2,4−ペンタンジオナト)コバルト(III)、ビス(ベンゾイルアセトン)コバルト(II)ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)コバルト(II)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)コバルト(III)、ビス(アセチルアセトナト)銅(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)、トリス(2,2,4,6,6−ペンタメチル−3,5−ヘプタンジオナト)コバルト(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−4−(1−フェニルエチル)−3,5−ヘプタンジオナト)コバルト(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−4−フェニル−3,5−ヘプタンジオナト)コバルト(III)、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)銅(II)、ビス(トリフルオロアセチルアセトナト)銅(II)、トリス(アセチルアセトナト)ジスプロシウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)エルビウム(III)、トリス(2,2,6,6,−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)エルビウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)ユーロピウム(III)、ビス(アセチルアセトナト)鉄(II)、トリス(アセチルアセトナト)鉄(III)、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)鉄(III)、トリス(3−メチル−2,4−ペンタンジオナト)鉄(III)、トリス(3−フェニル−2,4−ペンタンジオナト)鉄(III)、トリス(3−(1−フェニルエチル)−2,4−ペンタンジオナト)鉄(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)鉄(III)、トリス(2,2,4,6,6−ペンタメチル−3,5−ヘプタンジオナト)鉄(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−4−(1−フェニルエチル)−3,5−ヘプタンジオナト)鉄(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−4−フェニル−3,5−ヘプタンジオナト)鉄(III)、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム(IV)、トリス(アセチルアセトナト)ガリウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)ガドリニウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)ホルミウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)インジウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)イリジウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)ランタン(III)、トリス(アセチルアセトナト)ルテチウム(III)、ビス(アセチルアセトナト)マンガン(II)、トリス(アセチルアセトナト)マンガン(III)、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)マンガン(II)、ビス(アセチルアセトナト)ジオキソモリブデン(IV)、トリス(アセチルアセトナト)ネオジム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタジオナト)ネオジム(III)、ビス(アセチルアセトナト)ニッケル(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタジオナト)ニッケル(II)、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)ニッケル(II)、ビス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)ニッケル(II)、ビス(3−メチル−2,4−ペンタンジオナト)ニッケル(II)、ビス(3−フェニル−2,4−ペンタンジオナト)ニッケル(II)、ビス(3−(1−フェニルエチル)−2,4−ペンタンジオナト)ニッケル(II)、ビス(2,2,4,6,6−ペンタメチル−3,5−ヘプタンジオナト)ニッケル(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−(1−フェニルエチル)−3,5−ヘプタンジオナト)ニッケル(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−フェニル−3,5−ヘプタンジオナト)ニッケル(II)、ビス(アセチルアセトナト)パラジウム(II)、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)パラジウム(II)、ビス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)パラジウム(II)、ビス(3−メチル−2,4−ペンタンジオナト)パラジウム(II)、ビス(3−フェニル−2,4−ペンタンジオナト)パラジウム(II)、ビス(3−(1−フェニルエチル)−2,4−ペンタンジオナト)パラジウム(II)、ビス(2,2,4,6,6−ペンタメチル−3,5−ヘプタンジオナト)パラジウム(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−(1−フェニルエチル)−3,5−ヘプタンジオナト)パラジウム(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−フェニル−3,5−ヘプタンジオナト)パラジウム(II)、トリス(アセチルアセトナト)プロメチウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)プラセオジム(III)、トリス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)プラセオジム(III)、ビス(アセチルアセトナト)白金(II)、トリス(アセチルアセトナト)ロジウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)ルテニウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)スカンジウム(III)、トリス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)スカンジウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタジオナト)スカンジウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)サマリウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)サマリウム(III)、ビス(アセチルアセトナト)スズ(II)、トリス(アセチルアセトナト)テルビウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)テルビウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)ツリウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)バナジウム(III)、トリス(アセチルアセトナト)イットリウム(III)、トリス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)イットリウム(III)、トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)イットリウム(III)、ビス(アセチルアセトナト)亜鉛(II)、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)亜鉛(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)亜鉛(II)、テトラキス(アセチルアセトナト)ジルコニウム(IV)、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)ジルコニウム(IV)、テトラキス(トリフルオロアセチルアセトナト)ジルコニウム(IV)などが挙げられる。
これら有機金属錯体は、単独又は2種以上を組み合わせて使用できる。有機金属錯体として、予め合成した金属錯体を使用してもよく、系中で製造したものを使用してもよい。
As a metal complex, various metal complexes are mentioned by the combination of said metal M, Rz1, and Rz2 . Illustrative examples include acetylacetonato silver (I), tris (acetylacetonato) aluminum (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) aluminum (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) bismuth (III), tris (acetylacetonato) cerium (III), bis (acetylacetonato) cobalt (II), tris (acetylacetonato ) Cobalt (III), Tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) cobalt (III), Tris (3-methyl-2,4-pentanedionato) cobalt (III), Tris (3- Phenyl-2,4-pentanedionato) cobalt (III), tris (3- (1-phenylethyl) -2,4-pe Tandionato) cobalt (III), bis (benzoylacetone) cobalt (II) bis (hexafluoroacetylacetonato) cobalt (II), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt ( III), bis (acetylacetonato) copper (II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato) copper (II), tris (2,2,4,6,6- Pentamethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-4- (1-phenylethyl) -3,5-heptaneedionato) cobalt (III), tris (2, 2,6,6-tetramethyl-4-phenyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), bis (hexafluoroacetylacetonate Copper (II), bis (trifluoroacetylacetonato) copper (II), tris (acetylacetonato) dysprosium (III), tris (acetylacetonato) erbium (III), tris (2,2,6,6, -Tetramethyl-3,5-heptanedionato) erbium (III), tris (acetylacetonato) europium (III), bis (acetylacetonato) iron (II), tris (acetylacetonato) iron (III), tris ( 1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) iron (III), tris (3-methyl-2,4-pentanedionato) iron (III), tris (3-phenyl-2,4-pentanedio) Nato) iron (III), tris (3- (1-phenylethyl) -2,4-pentanedionato) iron (III), tris (2,2 , 6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) iron (III), tris (2,2,4,6,6-pentamethyl-3,5-heptaneedionato) iron (III), tris (2,2, 6,6-tetramethyl-4- (1-phenylethyl) -3,5-heptanedionato) iron (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-4-phenyl-3,5-heptaneedionato) Iron (III), tetrakis (acetylacetonato) hafnium (IV), tris (acetylacetonato) gallium (III), tris (acetylacetonato) gadolinium (III), tris (acetylacetonato) holmium (III), tris (Acetylacetonato) indium (III), tris (acetylacetonato) iridium (III), tris (acetylacetate) Nato) lanthanum (III), tris (acetylacetonato) lutetium (III), bis (acetylacetonato) manganese (II), tris (acetylacetonato) manganese (III), bis (hexafluoroacetylacetonato) manganese ( II), bis (acetylacetonato) dioxomolybdenum (IV), tris (acetylacetonato) neodymium (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato) neodymium (III) Bis (acetylacetonato) nickel (II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato) nickel (II), bis (hexafluoroacetylacetonato) nickel (II), bis (1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) nickel (II), bis 3-methyl-2,4-pentanedionato) nickel (II), bis (3-phenyl-2,4-pentandionato) nickel (II), bis (3- (1-phenylethyl) -2,4 -Pentandionato) nickel (II), bis (2,2,4,6,6-pentamethyl-3,5-heptanedionate) nickel (II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-4- (1-phenylethyl) -3,5-heptanedionato) nickel (II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-phenyl-3,5-heptaneedionato) nickel (II), bis (acetylacetate) Nato) palladium (II), bis (hexafluoroacetylacetonato) palladium (II), bis (1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) palladium (II), bis (3-methyl-2,4-pentanedionato) palladium (II), bis (3-phenyl-2,4-pentandionato) palladium (II), bis (3- (1-phenylethyl) -2, 4-Pentandionato) palladium (II), bis (2,2,4,6,6-pentamethyl-3,5-heptanedionate) palladium (II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-4) -(1-phenylethyl) -3,5-heptanedionato) palladium (II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-phenyl-3,5-heptaneedionato) palladium (II), tris (acetyl) Acetonato) promethium (III), tris (acetylacetonato) praseodymium (III), tris (hexafluoroacetylacetonato) praseodymium (III) Bis (acetylacetonato) platinum (II), tris (acetylacetonato) rhodium (III), tris (acetylacetonato) ruthenium (III), tris (acetylacetonato) scandium (III), tris (hexafluoroacetylacetate) Nato) scandium (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato) scandium (III), tris (acetylacetonato) samarium (III), tris (2,2,6, 6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) samarium (III), bis (acetylacetonato) tin (II), tris (acetylacetonato) terbium (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl -3,5-heptanedionato) terbium (III), tris (2 2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) thulium (III), tris (acetylacetonato) vanadium (III), tris (acetylacetonato) yttrium (III), tris (hexafluoroacetylacetonato) Yttrium (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) yttrium (III), bis (acetylacetonato) zinc (II), bis (hexafluoroacetylacetonato) zinc ( II), bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) zinc (II), tetrakis (acetylacetonato) zirconium (IV), tetrakis (2,2,6,6-tetramethyl) -3,5-heptanedionato) zirconium (IV), tetrakis (trifluoro) Acetylacetonato) zirconium (IV) and the like.
These organometallic complexes can be used alone or in combination of two or more. As the organometallic complex, a metal complex synthesized in advance may be used, or a metal complex produced in the system may be used.

上記有機金属錯体の使用量は、ハロシラン化合物に対して、0.001〜10モル倍の範囲が好ましく、より好ましくは0.001〜1モル倍の範囲、特に好ましくは0.001〜0.1モル倍の範囲である。   The amount of the organometallic complex used is preferably in the range of 0.001 to 10 mol times, more preferably in the range of 0.001 to 1 mol times, particularly preferably 0.001 to 0.1 mol, relative to the halosilane compound. It is the range of mole times.

[溶媒]
反応に用いる溶媒としては、下記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒を使用する。シクロアルキルアセテートは、前記ハロシラン化合物(特にアリール基含有ハロシラン化合物などの疎水性化合物)に対し、良好な溶解性を示すため、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタンなどの従来用いられていた溶媒に比べ、分子量分散度の小さいポリシランを重合するのに適しており、また、ハロシラン化合物の重合活性をより高めることができると考えられる。

Figure 2018109111

(式(S1)中、Rs1は、炭素原子数1〜3のアルキル基であり、pは1〜6の整数であり、qは0〜(p+1)の整数である。) [solvent]
As a solvent used for the reaction, a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the following formula (S1) is used. Cycloalkyl acetate is conventionally used for tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, 1,2-dimethoxyethane and the like because it exhibits good solubility in the halosilane compound (particularly hydrophobic compounds such as aryl group-containing halosilane compounds). It is considered suitable for polymerizing a polysilane having a low molecular weight dispersibility as compared with the previously used solvent, and can further enhance the polymerization activity of the halosilane compound.
Figure 2018109111

(In formula (S1), R s1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, p is an integer of 1 to 6, and q is an integer of 0 to (p + 1).)

式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートの具体例としては、シクロプロピルアセテート、シクロブチルアセテート、シクロペンチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、シクロヘプチルアセテート、及びシクロオクチルアセテートが挙げられる。
これらの中では、入手が容易であり、ハロシラン化合物の重合活性を向上しやすいことから、シクロオクチルアセテートが好ましい。
反応に用いる溶媒は、式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを2種以上組み合わせて含んでいてもよい。
Specific examples of the cycloalkyl acetate represented by the formula (S1) include cyclopropyl acetate, cyclobutyl acetate, cyclopentyl acetate, cyclohexyl acetate, cycloheptyl acetate, and cyclooctyl acetate.
Among these, cyclooctyl acetate is preferable because it is easily available and the polymerization activity of the halosilane compound is easily improved.
The solvent used for the reaction may contain a combination of two or more cycloalkyl acetates represented by the formula (S1).

反応に用いる溶媒中の式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートの含有量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。反応に用いる溶媒中の式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートの含有量は、典型的には、例えば、30質量%以上であり、50質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、90質量%以上が特に好ましく、100質量%であってもよい。   The content of the cycloalkyl acetate represented by the formula (S1) in the solvent used for the reaction is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. The content of the cycloalkyl acetate represented by the formula (S1) in the solvent used for the reaction is typically, for example, 30% by mass or more, preferably 50% by mass or more, and more preferably 70% by mass or more. 90 mass% or more is particularly preferable, and may be 100 mass%.

反応に用いる溶媒が式(S1)で表されるシクロアルキルアセテート以外の溶媒を含む場合、式(S1)で表されるシクロアルキルアセテート以外の溶媒の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。   When the solvent used in the reaction includes a solvent other than the cycloalkyl acetate represented by the formula (S1), the type of the solvent other than the cycloalkyl acetate represented by the formula (S1) is within a range that does not impair the object of the present invention. There is no particular limitation.

他に使用できる溶媒としては、非プロトン性溶媒であることが好ましく、例えば、エーテル類(1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテルなどの環状又は鎖状の炭素原子数4〜6のエーテル)、カーボネート類(プロピレンカーボネートなど)、ニトリル類(アセトニトリル、ベンゾニトリルなど)、アミド類(ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど)、スルホキシド類(ジメチルスルホキシドなど)、ハロゲン含有化合物(塩化メチレン、クロロホルム、ブロモホルム、クロロベンゼン、ブロモベンゼンなどのハロゲン化炭化水素など)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、トルエン、キシレンなど)、脂肪族炭化水素類(ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、シクロオクタンなど鎖状又は環状炭化水素類)などが挙げられる。   Other usable solvents are preferably aprotic solvents such as ethers (1,4-dioxane, tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, tetrahydropyran, diethyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxy). Ethane, cyclic or chain ethers having 4 to 6 carbon atoms such as bis (2-methoxyethyl) ether), carbonates (such as propylene carbonate), nitriles (acetonitrile, benzonitrile, etc.), amides (dimethylformamide) , Dimethylacetamide), sulfoxides (dimethylsulfoxide, etc.), halogen-containing compounds (halogenated hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform, bromoform, chlorobenzene, bromobenzene, etc.), aromatic hydrocarbons (Benzene, toluene, xylene), aliphatic hydrocarbons (hexane, cyclohexane, octane, linear or cyclic hydrocarbons such as cyclooctane), and the like.

また、溶媒中に水分が多く含まれていると、ハロシラン化合物とこの水分とが反応して、得られるポリシラン主鎖中にシロキサン結合(Si−O結合)が導入され、ポリシランの品質が低下する。特に分子量分散度の低いポリシランを得るためには、溶媒中の水分量が少ない方が好ましい。そのため、使用する溶媒は、可能な限り乾燥した状態であることが望ましく、特に、乾燥剤により乾燥し、さらに蒸留して反応に使用することが好ましい。
例えば、溶媒中の水分量は1.0質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以下であることがより好ましく、0.3質量%以下であることがさらに好ましく、0.3質量%未満であることが特に好ましい。なお、溶媒中の水分量はカールフィッシャー測定法により、測定することができる。
得られるポリシランの水分は、溶媒に由来する場合が多い。このため、得られるポリシランの水分量が上記の量となるように、溶媒が脱水されているのが好ましい。
If the solvent contains a large amount of water, the halosilane compound reacts with the water, and siloxane bonds (Si-O bonds) are introduced into the resulting polysilane main chain, thereby reducing the quality of the polysilane. . In particular, in order to obtain a polysilane having a low molecular weight dispersion, it is preferable that the amount of water in the solvent is small. Therefore, it is desirable that the solvent to be used is as dry as possible, and it is particularly preferable that the solvent be dried with a desiccant and further distilled for use in the reaction.
For example, the water content in the solvent is preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, still more preferably 0.3% by mass or less, and 0.3% by mass. It is particularly preferred that it is less than%. The water content in the solvent can be measured by the Karl Fischer measurement method.
The water content of the resulting polysilane is often derived from a solvent. For this reason, it is preferable that the solvent is dehydrated so that the water content of the resulting polysilane is the above amount.

ところで、本発明に係るポリシランの製造方法で用いる金属マグネシウム成分は前述の通りであるが、反応性向上などの点で、本発明に係る活性金属マグネシウム成分(固体成分)を用いてもよい。   By the way, although the metal magnesium component used with the manufacturing method of the polysilane which concerns on this invention is as above-mentioned, you may use the active metal magnesium component (solid component) which concerns on this invention at points, such as a reactive improvement.

<活性金属マグネシウム成分の製造方法>
以下、本実施形態に係る活性金属マグネシウム成分の製造方法について説明する。
本実施形態に係る活性金属マグネシウム成分の製造方法は、ハロシラン化合物を、非プロトン性溶媒中で、金属マグネシウム成分とともに、(I)アルカリ金属化合物と、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物を作用させるA工程と、A工程により得られる反応混合物から液体成分を除去するB工程とを含むものである。
<Method for producing active metal magnesium component>
Hereinafter, the manufacturing method of the active metal magnesium component which concerns on this embodiment is demonstrated.
In the method for producing an active metal magnesium component according to the present embodiment, a halosilane compound is combined with a metal magnesium component in an aprotic solvent, (I) an alkali metal compound, and a metal halogen which is a halide of a metal other than an alkali metal. A process which makes a chemical compound act, and B process which removes a liquid component from the reaction mixture obtained by A process are included.

上記A工程で用いられるプロトン性溶媒は、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒に限定されず、例えば、上述した「溶媒」で他に使用できる溶媒として例示した溶媒を用いることができる。上述した本実施形態に係るポリシランの製造方法で、活性機能の高い金属マグネシウムとなる活性金属マグネシウム成分を得る点からは、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを用いることが好ましい。   The protic solvent used in the step A is not limited to the solvent containing the cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1). For example, the solvents exemplified as the other solvents that can be used in the above-mentioned “solvent” are used. be able to. The cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1) is preferably used from the viewpoint of obtaining an active metal magnesium component that becomes metal magnesium having a high active function in the polysilane production method according to the present embodiment described above.

特に、ポリシランの製造方法において、金属マグネシウム成分とともに(I)の化合物を用いる場合、金属マグネシウム成分は、上述したA工程及びB工程で得られた活性金属マグネシウム成分(固体成分)であることが好ましい。この場合のポリシランの製造方法は、少なくとも上述した固体成分の存在下、ハロシラン化合物を、アルカリ金属化合物と、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物との共存下、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で反応させ、ポリシランを製造する方法である。上記固体成分は、アルカリ金属化合物及び金属ハロゲン化物の存在下、ハロシラン化合物及び金属マグネシウムを、上記溶媒中(又は、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒以外の、他の非プロトン性溶媒中であってもよい)で処理することにより得られる活性金属マグネシウムである。すなわち、金属マグネシウム成分として活性金属マグネシウム成分を用いる場合の本発明に係るポリシランの製造方法は、固体成分(活性金属マグネシウム)を生成させる第1工程(固体成分の製造工程)と、得られた固体成分を用いてポリシランを生成させる第2の工程(固体成分を用いたポリシランの製造工程)とを含む。   In particular, in the polysilane production method, when the compound (I) is used together with the metal magnesium component, the metal magnesium component is preferably the active metal magnesium component (solid component) obtained in the above-described Step A and Step B. . In this case, the polysilane is produced by the above formula (S1) in the presence of the halosilane compound in the presence of an alkali metal compound and a metal halide which is a halide of a metal other than an alkali metal. In a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the formula: In the presence of an alkali metal compound and a metal halide, the solid component contains a halosilane compound and metal magnesium in the above solvent (or other solvents other than the solvent containing the cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1)). Active metal magnesium obtained by treatment with a protic solvent. That is, when the active metal magnesium component is used as the metal magnesium component, the polysilane production method according to the present invention includes a first step (a solid component production step) for producing a solid component (active metal magnesium) and the obtained solid. A second step of producing polysilane using the component (a step of producing polysilane using a solid component).

以下、第1の工程と第2の工程とについて説明する。   Hereinafter, the first step and the second step will be described.

[第1の工程]
第1の工程では、ハロシラン化合物を、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で、金属マグネシウム成分とともに、(I)アルカリ金属化合物と、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物を作用させて反応させることにより、固体成分を生成させる。
[First step]
In the first step, the halosilane compound is mixed with a magnesium metal component, (I) an alkali metal compound, and a halide of a metal other than an alkali metal in a solvent containing the cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1). A solid component is produced by reacting with a certain metal halide.

第1の工程(A工程)で得られる反応混合物中に含まれる固体成分は、金属マグネシウムが高度に活性化した活性金属マグネシウムであると考えられる。後述する第2の工程において、この活性金属マグネシウムである固体成分は、ルイス酸触媒の役割を果たすアルカリ金属化合物を活性化させ、ハロシラン化合物の重合活性を向上させると推測される。よって、第1の工程は、ポリシランと活性金属マグネシウムとを得るための活性化処理と言える。特に溶媒として、第1の工程においても、上記式(S1)でシクロアルキルアセテートを含むことにより、他の非プロトン性溶媒のみからなる溶媒の場合よりも活性機能の高い活性金属マグネシウムを得ることができる。   The solid component contained in the reaction mixture obtained in the first step (step A) is considered to be active metal magnesium in which metal magnesium is highly activated. In the second step to be described later, it is presumed that this solid component which is active metal magnesium activates an alkali metal compound which plays a role of a Lewis acid catalyst and improves the polymerization activity of the halosilane compound. Therefore, the first step can be said to be an activation treatment for obtaining polysilane and active metal magnesium. In particular, also in the first step as the solvent, by including the cycloalkyl acetate in the above formula (S1), it is possible to obtain active metal magnesium having a higher active function than in the case of a solvent composed only of other aprotic solvents. it can.

第1の工程(A工程)では、少なくともアルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及びハロシラン化合物を、金属マグネシウム成分に接触できればよく、浸漬、撹拌処理(好ましくは撹拌処理)などにより行うことができる。ハロシラン化合物として、ジ乃至テトラハロシラン化合物を用いる場合にはポリシランが生成する。   In the first step (step A), it is sufficient that at least the alkali metal compound, the metal halide, and the halosilane compound can be brought into contact with the metal magnesium component, and can be performed by dipping, stirring treatment (preferably stirring treatment) or the like. When a di to tetrahalosilane compound is used as the halosilane compound, polysilane is generated.

アルカリ金属化合物の割合は、金属マグネシウム成分100質量部に対して、1〜100質量部、好ましくは5〜50質量部、さらに好ましくは10〜40質量部程度である。   The ratio of the alkali metal compound is 1 to 100 parts by mass, preferably 5 to 50 parts by mass, and more preferably about 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal magnesium component.

金属ハロゲン化物の割合は、金属マグネシウム成分100質量部に対して、1〜100質量部、好ましくは5〜50質量部、さらに好ましくは10〜30質量部程度である。   The ratio of the metal halide is 1 to 100 parts by weight, preferably 5 to 50 parts by weight, and more preferably about 10 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the metal magnesium component.

ハロシラン化合物に対する金属マグネシウム成分の割合は、ハロシラン化合物中のハロゲン原子に対して、マグネシウムとして0.5倍モル以上(例えば、0.5〜10モル程度)あればよいが、好ましくは1.5倍モル以上(例えば、1.5〜10モル程度)、さらに好ましくは2.5倍モル以上(例えば、2.5〜10モル程度)である。ハロシラン化合物としてジハロシランのみを使用する場合には、反応性を高めるため、ハロゲン原子に対して、少なくとも1.5倍モル以上用いることが好ましい。   The ratio of the metal magnesium component to the halosilane compound may be 0.5 times mol or more (for example, about 0.5 to 10 mol) as magnesium, preferably 1.5 times the halogen atom in the halosilane compound. It is more than mol (for example, about 1.5 to 10 mol), more preferably 2.5 times mol or more (for example, about 2.5 to 10 mol). When only dihalosilane is used as the halosilane compound, it is preferable to use at least 1.5 times mol or more with respect to the halogen atom in order to increase the reactivity.

溶媒の割合は、アルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及びハロシラン化合物を均一化して、金属マグネシウム成分に作用可能な量であれば特に制限されず、金属マグネシウム成分100質量部に対して、例えば、1〜10000質量部、好ましくは10〜5000質量部、さらに好ましくは100〜4000質量部程度である。   The proportion of the solvent is not particularly limited as long as it is an amount capable of homogenizing the alkali metal compound, the metal halide, and the halosilane compound and acting on the metal magnesium component. The amount is 10,000 parts by mass, preferably 10 to 5000 parts by mass, and more preferably about 100 to 4000 parts by mass.

第1の工程(A工程)での反応溶液の活性化処理温度は、例えば、−20℃から使用する成分(溶媒など)の沸点までの温度範囲、例えば、0〜100℃、好ましくは10〜70℃、さらに好ましくは20〜50℃程度である。活性化処理は、減圧下又は加圧下で行ってもよいが、通常、常圧で行う。   The activation treatment temperature of the reaction solution in the first step (step A) is, for example, a temperature range from −20 ° C. to the boiling point of the component (solvent, etc.) used, for example, 0 to 100 ° C., preferably 10 to 10 ° C. 70 degreeC, More preferably, it is about 20-50 degreeC. The activation treatment may be performed under reduced pressure or under pressure, but is usually performed at normal pressure.

反応溶液(溶媒)中のハロシラン化合物の濃度は、通常、0.05〜20mol/l、好ましくは0.2〜15mol/l、特に0.3〜13mol/l程度である。上記濃度の範囲内であると、アルカリ金属化合物及び金属ハロゲン化物の溶解が十分に行われ、処理(反応)を効率よく行うことができる。   The concentration of the halosilane compound in the reaction solution (solvent) is usually 0.05 to 20 mol / l, preferably 0.2 to 15 mol / l, particularly about 0.3 to 13 mol / l. When the concentration is within the above range, the alkali metal compound and the metal halide are sufficiently dissolved, and the treatment (reaction) can be performed efficiently.

また、反応溶液(溶媒)中のアルカリ金属化合物の濃度は、通常、0.05〜5mol/l、好ましくは0.1〜4mol/l、特に0.15〜3.0mol/l程度である。上記濃度の範囲内であると、反応溶液の極性が過度に上がることを抑えて反応を進行することができ、固体成分(活性金属マグネシウム)の活性やポリシランの分子量分散度が大きくなることを抑制することができる。アルカリ金属化合物の割合は、ハロシラン化合物100質量部に対して、0.1〜30質量部、好ましくは1〜20質量部、さらに好ましくは5〜20質量部程度である。   Moreover, the density | concentration of the alkali metal compound in a reaction solution (solvent) is 0.05-5 mol / l normally, Preferably it is 0.1-4 mol / l, Especially about 0.15-3.0 mol / l. When the concentration is within the above range, the reaction can proceed without excessively increasing the polarity of the reaction solution, and the activity of the solid component (active metal magnesium) and the molecular weight dispersion of the polysilane are suppressed from increasing. can do. The ratio of the alkali metal compound is about 0.1 to 30 parts by mass, preferably about 1 to 20 parts by mass, and more preferably about 5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the halosilane compound.

反応溶液(溶媒)中の金属ハロゲン化物の濃度は、通常、0.01〜6mol/l、好ましくは0.02〜4mol/l、特に0.03〜3mol/l程度である。上記濃度の範囲内であると、反応に効率よく関与させ、反応を十分に進行することができる。金属ハロゲン化物の割合は、上記ハロシラン化合物100質量部に対して、0.1〜30質量部、好ましくは1〜20質量部、さらに好ましくは3〜20質量部程度である。   The concentration of the metal halide in the reaction solution (solvent) is usually 0.01 to 6 mol / l, preferably 0.02 to 4 mol / l, particularly about 0.03 to 3 mol / l. When the concentration is within the above range, the reaction can be efficiently involved and the reaction can proceed sufficiently. The ratio of the metal halide is about 0.1 to 30 parts by mass, preferably about 1 to 20 parts by mass, and more preferably about 3 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the halosilane compound.

使用する反応器(反応容器)は、密閉できる限り、形状及び構造についての制限は特にない。また、反応容器内は、乾燥雰囲気であればよいが、乾燥した不活性ガス(例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス)雰囲気、特に、脱酸素し、乾燥した不活性ガス雰囲気が好ましい。   The reactor (reaction vessel) to be used is not particularly limited in shape and structure as long as it can be sealed. Further, the inside of the reaction vessel may be a dry atmosphere, but a dry inert gas (eg, nitrogen gas, helium gas, argon gas) atmosphere, particularly a deoxygenated and dried inert gas atmosphere is preferable.

第1の工程(A工程)の活性化反応は、例えば、密閉可能な反応容器に、ハロシラン化合物、アルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及び金属マグネシウム成分を必要により溶媒とともに収容し、好ましくは機械的又は磁気的に撹拌することにより行うことができる。各成分の添加順序は特に制限されない。   In the activation reaction of the first step (step A), for example, a halosilane compound, an alkali metal compound, a metal halide and a metal magnesium component are accommodated together with a solvent as necessary in a sealable reaction vessel, preferably mechanically or This can be done by magnetic stirring. The addition order of each component is not particularly limited.

活性化反応は、原料の種類及び濃度、並びに反応温度などによっても異なるが、通常、撹拌開始から1〜7時間程度経過した後開始される。反応が開始すると、発熱を伴いながら反応溶液が黒色に変化する。発熱終了後、さらに2〜24時間程度撹拌することにより、分散度の低いポリシランとともに、活性金属マグネシウムからなる固体成分を得ることができる。   The activation reaction is usually started after about 1 to 7 hours have elapsed from the start of stirring, although it varies depending on the type and concentration of the raw material and the reaction temperature. When the reaction starts, the reaction solution turns black with heat generation. After the heat generation is completed, the solid component composed of active metal magnesium can be obtained together with the polysilane having a low dispersity by further stirring for about 2 to 24 hours.

このようにして得られた固体成分(活性金属マグネシウム)を用いて後続の第2の工程を行うと、原料のハロシラン化合物の種類に関わらず、ハロシラン化合物を投入するとほぼ同時に反応が開始し、金属マグネシウムを用いた場合に比べて反応の誘導期間を大幅に短縮でき、それに伴って、反応時間を大幅に短縮できるため、生産性を向上できる。   When the subsequent second step is performed using the solid component (active metal magnesium) thus obtained, the reaction starts almost simultaneously with the introduction of the halosilane compound, regardless of the type of the raw halosilane compound. Compared to the case of using magnesium, the induction period of the reaction can be greatly shortened, and accordingly, the reaction time can be greatly shortened, so that productivity can be improved.

第1の工程で得られる反応混合物において、使用した金属マグネシウムの一部は、ハロシラン化合物と反応してハロゲン化マグネシウムになり、反応溶液中に存在する。また、金属マグネシウム以外の原料成分やポリシランは、反応溶液(液体成分)中に存在する。一方、活性金属マグネシウムは、反応系に固体状で残存している。従って、例えば、(1)第1の工程の反応混合物から固体成分(活性金属マグネシウム)を分離し、必要により精製して第2の工程に供してもよく、(2)反応混合物から分離することなくそのまま第2の工程に用いてもよい。また、(3)反応混合物からデカンテーションや濾過などにより液体成分を除去し(B工程)、残る固体成分をそのまま第2の工程に用いてもよい。反応器の容積に対して少量の固体成分を第1の工程で生成させる場合、分離することなくそのまま利用してもよい。   In the reaction mixture obtained in the first step, a part of the used metal magnesium reacts with the halosilane compound to become a magnesium halide and exists in the reaction solution. In addition, raw material components other than metallic magnesium and polysilane are present in the reaction solution (liquid component). On the other hand, the active metal magnesium remains in the reaction system in a solid state. Thus, for example, (1) the solid component (active metal magnesium) may be separated from the reaction mixture of the first step, purified if necessary and used for the second step, and (2) separated from the reaction mixture. Alternatively, it may be used in the second step as it is. Alternatively, (3) the liquid component may be removed from the reaction mixture by decantation or filtration (Step B), and the remaining solid component may be used as it is in the second step. When a small amount of solid component is produced in the first step with respect to the volume of the reactor, it may be used as it is without being separated.

[第2の工程]
第2の工程では、第1の工程で得られた固体成分(活性金属マグネシウム)を用いればよく、該固体成分が残存する反応系に、ハロシラン化合物、アルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及び上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含有する溶媒を添加して反応させ、ポリシランを生成させる。第2の工程の反応条件は、第1の工程と同様の反応条件であってもよい。また、第2の工程は繰り返し行ってもよい。
[Second step]
In the second step, the solid component (active metal magnesium) obtained in the first step may be used. In the reaction system in which the solid component remains, a halosilane compound, an alkali metal compound, a metal halide and the above formula ( A solvent containing a cycloalkyl acetate represented by S1) is added and reacted to form polysilane. The reaction conditions in the second step may be the same reaction conditions as in the first step. Further, the second step may be repeated.

第2の工程を複数回行う場合、例えば、n回目(nは1以上の整数)の第2の工程に続いて(n+1)回目の第2の工程を行う場合も上記第1の工程から第2の工程への移行と同様に行うことができる。第2の工程を複数回行う場合には、上記(1)〜(3)の方法を組合せて用いてもよい。   When the second step is performed a plurality of times, for example, when the (n + 1) -th second step is performed subsequent to the n-th (n is an integer equal to or greater than 1) second step, This can be carried out in the same manner as the transition to the second step. When performing the second step a plurality of times, the methods (1) to (3) may be used in combination.

なお、固体成分(活性金属マグネシウム)を反応器外に取出す場合には、失活を防いで、空気中の水分と可能な限り接触しないようにするため、窒素置換した容器に収容することが望ましい。   In addition, when taking out a solid component (active metal magnesium) out of a reactor, in order to prevent deactivation and to make it not contact with the water | moisture content in air as much as possible, it is desirable to accommodate in the container substituted with nitrogen. .

第2の工程では、種々の形態(又は態様)の上記第1の工程で得られた固体成分(活性金属マグネシウム)の存在下、ポリシランの製造に使用する原料(ハロシラン化合物、アルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及び溶媒)を添加して反応させ、ポリシランを生成することができる。第2の工程では、例えば、少なくとも固体成分(活性金属マグネシウム)を含む密閉可能な反応容器に上記原料を収容し、好ましくは機械的又は磁気的に撹拌することにより反応させることができる。原料の各成分の添加順序は特に制限されない。   In the second step, raw materials (halosilane compound, alkali metal compound, metal) used in the production of polysilane in the presence of the solid component (active metal magnesium) obtained in the first step in various forms (or aspects). Halide and solvent) can be added and reacted to produce polysilane. In the second step, for example, the raw material is contained in a sealable reaction vessel containing at least a solid component (active metal magnesium), and the reaction can be preferably performed by mechanically or magnetically stirring. The order of addition of each component of the raw material is not particularly limited.

この工程では、原料投入直後から発熱を伴って、反応が開始し、発熱終了後30分〜12時間程度撹拌を行うことにより分散度の低いポリシランを得ることができる。   In this step, the reaction starts with heat generation immediately after charging the raw materials, and a polysilane having a low degree of dispersion can be obtained by stirring for about 30 minutes to 12 hours after the end of heat generation.

第1の工程(活性化反応)と第2の工程(ポリシランの製造)とは、同じ条件で行うことができる。すなわち、第2の工程と同様又は準じた条件で金属マグネシウムを活性化してもよい。例えば、第1の工程で得られた反応混合物から液体成分を除去し、固体成分(活性金属マグネシウム)が残存する反応系に、ハロシラン化合物、アルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及び溶媒を添加して反応させてもよい。   The first step (activation reaction) and the second step (production of polysilane) can be performed under the same conditions. That is, metallic magnesium may be activated under the same or similar conditions as in the second step. For example, a liquid component is removed from the reaction mixture obtained in the first step, and a reaction is performed by adding a halosilane compound, an alkali metal compound, a metal halide and a solvent to a reaction system in which a solid component (active metal magnesium) remains. You may let them.

第1の工程と第2の工程とは、容積(反応スケール)が同じであってもよく、異なっていてもよい。第1の工程を予め少量で行ってもよい。例えば、反応器の容積に対して少量(反応器の容積の1/100〜1/3、好ましくは1/10〜1/4程度)の固体成分(活性金属マグネシウム)を予め生成させ、生成した固体成分(上記活性金属マグネシウム)を含む反応系に、ハロシラン化合物、アルカリ金属化合物、金属ハロゲン化物及び溶媒を添加して反応させてもよい。   The first step and the second step may have the same volume (reaction scale) or may be different. The first step may be performed in a small amount in advance. For example, a solid component (active metal magnesium) in a small amount (1/100 to 1/3, preferably about 1/10 to 1/4) of the volume of the reactor is generated in advance. You may make it react by adding a halosilane compound, an alkali metal compound, a metal halide, and a solvent to the reaction system containing a solid component (the above-mentioned active metal magnesium).

実施形態に係るポリシランの製造方法においては、固体成分(活性金属マグネシウム)を用いることにより、反応開始までの誘導時間、及び反応時間を大幅に短縮できるため、予め少量の固体成分(活性金属マグネシウム)を生成させる方法を用いると、第2の工程で多量の原料を添加しても、効率よくポリシランを製造できる。   In the polysilane production method according to the embodiment, by using a solid component (active metal magnesium), the induction time until the start of the reaction and the reaction time can be greatly shortened, so a small amount of solid component (active metal magnesium) in advance. If a method for generating is used, even if a large amount of raw material is added in the second step, polysilane can be produced efficiently.

第2の工程では、消費された金属マグネシウム成分を補うため、金属マグネシウムを補給してもよい。また、固体成分(活性金属マグネシウム)と金属マグネシウムとの混合物を第2の工程に用いてもよい。特に第1の工程で反応混合物中の液体成分を除去しつつ、第2の工程で金属マグネシウムを添加又は補給すると、各反応成分が必要以上に希釈されることなく、反応を効率よく進行させることができ、各成分を新たに添加することにより、反応容器の洗浄を行うことなく、第2の工程を複数回繰り返し行うことができる。   In the second step, metallic magnesium may be replenished to supplement the consumed metallic magnesium component. Moreover, you may use the mixture of a solid component (active metal magnesium) and metal magnesium for a 2nd process. In particular, when the magnesium component is added or replenished in the second step while removing the liquid component in the reaction mixture in the first step, each reaction component is allowed to proceed efficiently without being diluted more than necessary. In addition, by newly adding each component, the second step can be repeated a plurality of times without washing the reaction vessel.

このような第2の工程において、高効率でポリシランを生成できるため、金属マグネシウムの使用量を大幅に低減できる。第2の工程における固体成分(活性金属マグネシウム)の割合は、ハロシラン化合物のハロゲン原子1モルに対して、マグネシウムとして0.5〜1モル、好ましくは0.6〜0.8モル程度である。   In such a 2nd process, since polysilane can be produced | generated with high efficiency, the usage-amount of metal magnesium can be reduced significantly. The ratio of the solid component (active metal magnesium) in the second step is about 0.5 to 1 mol, preferably about 0.6 to 0.8 mol as magnesium with respect to 1 mol of the halogen atom of the halosilane compound.

このように第2の工程において、固体成分(活性金属マグネシウム)の使用量を低減できるので、第1及び第2の工程を通しての金属マグネシウム成分の使用量をも低減できる。第1及び第2の工程を通しての金属マグネシウム成分の使用量は、全工程で使用するハロシラン化合物の総量1モルに対して、マグネシウムとして1〜4モル、好ましくは1〜3モル、特に1〜2モル程度にまで低減可能である。また、上記使用量は、ハロシラン化合物のハロゲン原子1モルに対して、マグネシウム換算で、0.5〜2モル、好ましくは0.5〜1.5モル、さらに好ましくは0.5〜1モル程度である。   In this way, in the second step, the amount of solid component (active metal magnesium) used can be reduced, so the amount of metal magnesium component used throughout the first and second steps can also be reduced. The amount of the metal magnesium component used in the first and second steps is 1 to 4 mol, preferably 1 to 3 mol, especially 1 to 2 as magnesium with respect to 1 mol of the total amount of halosilane compounds used in all steps. It can be reduced to about a mole. The amount used is 0.5 to 2 mol, preferably 0.5 to 1.5 mol, more preferably about 0.5 to 1 mol in terms of magnesium with respect to 1 mol of the halogen atom of the halosilane compound. It is.

本実施形態に係るポリシランの製造方法においては、第1の工程で得られる固体成分(活性金属マグネシウム)を第2の工程で利用して反応を行うので、金属マグネシウムの使用量を全体として大幅に低減でき、経済性に優れるとともに、廃棄物量も低減できる。また、汎用の反応器中で、簡便かつ安全にポリシランを製造でき、ポリシランの品質(分子量分散度など)を安定に制御できる。特に溶媒として上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを用いているので、ハロシラン化合物の重合活性を向上させ、分子量分布の小さいポリシランを得ることができる。   In the polysilane production method according to this embodiment, the reaction is performed using the solid component (active metal magnesium) obtained in the first step in the second step. It can be reduced, it is excellent in economy, and the amount of waste can be reduced. In addition, polysilane can be produced easily and safely in a general-purpose reactor, and the quality of polysilane (such as molecular weight dispersity) can be stably controlled. In particular, since the cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1) is used as the solvent, the polymerization activity of the halosilane compound can be improved and polysilane having a small molecular weight distribution can be obtained.

第2の工程において、反応溶液(溶媒)中のハロシラン化合物の濃度は、通常、0.05〜20mol/l、好ましくは0.2〜15mol/l、特に0.3〜13mol/l程度である。上記濃度の範囲内であると、反応に使用するアルカリ金属化合物及び金属ハロゲン化物の溶解が十分に行われ、処理(反応)を効率よく行うことができる。   In the second step, the concentration of the halosilane compound in the reaction solution (solvent) is usually 0.05 to 20 mol / l, preferably 0.2 to 15 mol / l, particularly about 0.3 to 13 mol / l. . When the concentration is within the above range, the alkali metal compound and metal halide used in the reaction are sufficiently dissolved, and the treatment (reaction) can be performed efficiently.

溶媒(反応溶液)中のアルカリ金属化合物の濃度は、通常、0.05〜5mol/l、好ましくは0.1〜4mol/l、特に0.15〜3.0mol/l程度である。上記濃度の範囲内であると、反応溶液の極性が過度に上がることを抑えて反応を進行することができ、固体成分(活性金属マグネシウム)の活性やポリシランの分子量分散度が大きくなることを抑制することができる。アルカリ金属化合物の割合は、ハロシラン化合物100質量部に対して、0.1〜30質量部、好ましくは1〜20質量部、さらに好ましくは5〜20質量部程度である。   The concentration of the alkali metal compound in the solvent (reaction solution) is usually 0.05 to 5 mol / l, preferably 0.1 to 4 mol / l, particularly about 0.15 to 3.0 mol / l. When the concentration is within the above range, the reaction can proceed without excessively increasing the polarity of the reaction solution, and the activity of the solid component (active metal magnesium) and the molecular weight dispersion of the polysilane are suppressed from increasing. can do. The ratio of the alkali metal compound is about 0.1 to 30 parts by mass, preferably about 1 to 20 parts by mass, and more preferably about 5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the halosilane compound.

溶媒(反応溶液)中の金属ハロゲン化物の濃度は、通常、0.01〜6mol/l、好ましくは0.02〜4mol/l、特に0.03〜3mol/l程度である。上記濃度の範囲内であると、反応に効率よく関与させ、反応を十分に進行することができる。金属ハロゲン化物の割合は、上記ハロシラン化合物100質量部に対して、0.1〜30質量部、好ましくは1〜20質量部、さらに好ましくは3〜20質量部程度である。   The concentration of the metal halide in the solvent (reaction solution) is usually 0.01 to 6 mol / l, preferably 0.02 to 4 mol / l, particularly about 0.03 to 3 mol / l. When the concentration is within the above range, the reaction can be efficiently involved and the reaction can proceed sufficiently. The ratio of the metal halide is about 0.1 to 30 parts by mass, preferably about 1 to 20 parts by mass, and more preferably about 3 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the halosilane compound.

使用する反応器(反応容器)は、密閉できる限り、形状及び構造についての制限は特にない。また、反応容器内は、乾燥雰囲気であればよいが、乾燥した不活性ガス(例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス)雰囲気、特に、脱酸素し、乾燥した不活性ガス雰囲気が好ましい。   The reactor (reaction vessel) to be used is not particularly limited in shape and structure as long as it can be sealed. Further, the inside of the reaction vessel may be a dry atmosphere, but a dry inert gas (eg, nitrogen gas, helium gas, argon gas) atmosphere, particularly a deoxygenated and dried inert gas atmosphere is preferable.

第2の工程において、ハロシラン化合物の重合反応(ポリシランの生成反応)は、通常、−20℃から使用する溶媒の沸点までの温度範囲、好ましくは0〜70℃、さらに好ましくは10〜50℃程度の温度で行う。また、反応は、減圧又は加圧下で行ってもよいが、通常、常圧で行う。   In the second step, the polymerization reaction of the halosilane compound (polysilane formation reaction) is usually in the temperature range from −20 ° C. to the boiling point of the solvent used, preferably 0 to 70 ° C., more preferably about 10 to 50 ° C. At a temperature of The reaction may be carried out under reduced pressure or increased pressure, but is usually carried out at normal pressure.

<ポリシラン>
第1の工程・第2の工程など、本発明に係る製造方法で得られるポリシランは、例えば、
Si原子数3〜40のポリシラン化合物が挙げられ、Si原子数5〜30のポリシラン化合物であることが好ましい。
上記ポリシラン化合物は、下記一般式(T−1)及び(T−2)で表されるポリシラン化合物よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。

(Rt10t11t12Si)t1(Rt13t14Si)t2(Rt15Si)t3(Si)t4 (T−1)
(上記一般式中、Rt10、Rt11、Rt12、Rt13、Rt14及びRt15は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は有機基である。t1、t2、t3及びt4は、それぞれ独立に、モル分率であり、t1+t2+t3+t4=1、0≦t1≦1、0≦t2≦1、0≦t3≦1及び0≦t4≦1である。)

Figure 2018109111
(上記一般式(T−2)中、Rt16及びRt17は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は有機基を表す。Uは3〜20の整数を表す。)
t10〜Rt17で表される有機基としては、Rで表される有機基として前述した具体例及び好ましい例と同様のものが挙げられる。
t10〜Rt17で表される有機基としては、例えば、特開2003−261681号公報段落0031に記載の方法により任意の有機基を導入することもできる。 <Polysilane>
The polysilane obtained by the production method according to the present invention such as the first step and the second step is, for example,
Examples include polysilane compounds having 3 to 40 Si atoms, and polysilane compounds having 5 to 30 Si atoms are preferable.
The polysilane compound is preferably at least one selected from the group consisting of polysilane compounds represented by the following general formulas (T-1) and (T-2).

(R t10 R t11 R t12 Si) t1 (R t13 R t14 Si) t2 (R t15 Si) t3 (Si) t4 (T-1)
(In the above general formula, R t10 , R t11 , R t12 , R t13 , R t14 and R t15 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group or an organic group. T1, t2, t3 and t4 are each independently The molar fraction is t1 + t2 + t3 + t4 = 1, 0 ≦ t1 ≦ 1, 0 ≦ t2 ≦ 1, 0 ≦ t3 ≦ 1, and 0 ≦ t4 ≦ 1.)
Figure 2018109111
(In the general formula (T-2), R t16 and R t17 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an organic group. U represents an integer of 3 to 20.)
Examples of the organic group represented by R t10 to R t17 include the same examples as the specific examples and preferred examples described above as the organic group represented by R.
As the organic group represented by R t10 to R t17 , any organic group can be introduced by, for example, the method described in paragraph 0031 of JP-A No. 2003-261681.

上述したように、第1の工程・第2の工程等、本発明に係る製造方法で得られるポリシランは、分子量分散度(Mw/Mn)が小さい。   As described above, the polysilane obtained by the production method according to the present invention such as the first step and the second step has a low molecular weight dispersity (Mw / Mn).

第2の工程で得られたポリシランは、第2の工程を複数回繰り返しても分子量分散度及び収量の変動が少なく、品質が安定している。特に、上述したように、溶媒として、上記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを用いることから、ハロシラン化合物の重合活性が向上し、分子量分散度(Mw/Mn)の小さいポリシラン、例えば4以下、好ましくは1〜3のポリシランを得ることができる。
また、例えば、質量平均分子量(Mw)が、1000〜100000、好ましくは5000〜〜80000、さらに好ましくは6000〜60000程度である。本明細書において、質量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)のスチレン換算による測定値である。なお、第1の工程においてポリシランが得られる場合、ポリシランの質量平均分子量は、第2の工程で得られるポリシランと同程度であり、上記範囲から選択できる。
The polysilane obtained in the second step is stable in quality with little variation in molecular weight dispersity and yield even when the second step is repeated a plurality of times. In particular, as described above, since the cycloalkyl acetate represented by the above formula (S1) is used as a solvent, the polymerization activity of the halosilane compound is improved, and a polysilane having a low molecular weight dispersity (Mw / Mn), such as 4 In the following, preferably 1 to 3 polysilanes can be obtained.
Moreover, for example, the mass average molecular weight (Mw) is about 1000 to 100,000, preferably about 5000 to 80000, and more preferably about 6000 to 60000. In the present specification, the mass average molecular weight (Mw) is a measured value in terms of styrene of gel permeation chromatography (GPC). When polysilane is obtained in the first step, the mass average molecular weight of polysilane is approximately the same as that of the polysilane obtained in the second step, and can be selected from the above range.

本発明に係る製法で得られたポリシランには、固体成分(活性金属マグネシウム)や金属マグネシウムなどの金属が含まれている場合がある。その場合、これら金属成分を分離することが好ましく、通常、慣用の分離精製手段、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、吸着、カラムクロマトグラフィーなどの分離精製手段やこれらを組合せた手段により分離精製してもよい。   The polysilane obtained by the production method according to the present invention may contain a metal such as a solid component (active metal magnesium) or metal magnesium. In that case, it is preferable to separate these metal components. Usually, conventional separation and purification means such as filtration, concentration, distillation, extraction, crystallization, recrystallization, adsorption, column chromatography and the like are used. It may be separated and purified by a combined means.

濾過による精製では、通常、液体ろ過用として市販されている分離媒体を使用することができる。フィルターの形態としては、メンブレンフィルター、中空糸膜フィルター、プリーツ膜フィルター、並びに不織布、セルロース、及びケイソウ土などの濾材を充填したフィルターなどを用いることができる。メンブレンフィルター、中空糸膜フィルター、及びプリーツ膜フィルターのろ材はポリエチレン、超高密度ポリエチレン、及びポリプロピレンなどのポリオレフィン製、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などのフッ素樹脂製、並びにナイロン製などであることが好ましい。また、それらのフィルターには陽イオン交換樹脂などのイオン交換体や、濾過される溶液にゼータ電位を生じさせるカチオン電荷調節剤などが含まれていてもよい。   In the purification by filtration, a separation medium commercially available for liquid filtration can be used. As a form of the filter, a membrane filter, a hollow fiber membrane filter, a pleated membrane filter, and a filter filled with a filter medium such as nonwoven fabric, cellulose, and diatomaceous earth can be used. The filter medium of the membrane filter, the hollow fiber membrane filter, and the pleated membrane filter may be made of polyolefin such as polyethylene, ultrahigh density polyethylene, and polypropylene, made of fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), and made of nylon. preferable. In addition, these filters may contain an ion exchanger such as a cation exchange resin, or a cation charge control agent that generates a zeta potential in the solution to be filtered.

上記のフィルターの公称孔径は、1.0μm以下、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.03μm以下である。また、フィルターの公称孔径の下限値は、特に限定されるものではないが、通常、0.01μmである。ここでいう公称孔径とは、フィルターの分離性能を示す名目上の孔径であり、例えば、バブルポイント試験、水銀圧入法試験、標準粒子補足試験など、フィルターの製造元により決められた試験法により決定される孔径である。市販品を用いた場合、製造元のカタログデータに記載の値である。公称孔径を1.0μm以下程度にすることで、ポリシランを含む溶媒を1回フィルターに通液させた後の溶媒の固体成分(活性金属マグネシウム)及び金属マグネシウムの合計含有量を300ppb以下に低減することができ、ポリシラン中の金属含有量も低減することができる。溶媒及びポリシラン中の金属含有量をより低減させるために、通液工程を2回以上行ってもよい。このように、ポリシラン中の金属の含有量を低減することにより、例えば、このポリシランを原料とする塗布膜を形成する場合、成膜時にアウトガスを低減しやすい。   The nominal pore diameter of the above filter is 1.0 μm or less, preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.03 μm or less. The lower limit value of the nominal pore diameter of the filter is not particularly limited, but is usually 0.01 μm. The nominal pore diameter here is a nominal pore diameter indicating the separation performance of the filter, and is determined by a test method determined by the filter manufacturer, such as a bubble point test, a mercury intrusion test, a standard particle supplement test, etc. The hole diameter. When a commercial product is used, the value is described in the catalog data of the manufacturer. By reducing the nominal pore size to about 1.0 μm or less, the total content of the solid component (active metal magnesium) and metal magnesium after the solvent containing polysilane is passed through the filter once is reduced to 300 ppb or less. And the metal content in the polysilane can also be reduced. In order to further reduce the metal content in the solvent and polysilane, the liquid passing step may be performed twice or more. Thus, by reducing the metal content in polysilane, for example, when forming a coating film using polysilane as a raw material, it is easy to reduce outgas during film formation.

本発明に係る製法で得られたポリシランは、分子量分散度(Mw/Mn)が小さく、各種基板(金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。)を保護する保護膜又は層間膜を形成する用途の組成物として使用し得る。上記各種基板としては、半導体基板、液晶ディスプレイ、有機発光ディスプレイ(OLED)、電気泳動ディスプレイ(電子ペーパー)、タッチパネル、カラーフィルター、バックライトなどのディスプレイ材料の基板(金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。)、太陽電池の基板(金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。)、光センサなどの光電変換素子の基板(金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。)、光電素子の基板(金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。)が挙げられる。また、半導体基板の表面に微細な溝を形成させ、その溝の内部に第3の態様に係る組成物を充填して、溝の両側に形成される素子の間を電気的に分離するトレンチ・アイソレーション構造を含め、絶縁膜、パッシベーション膜、平坦化膜、保護膜などを形成する用途として使用し得る。   The polysilane obtained by the production method according to the present invention has a low molecular weight dispersity (Mw / Mn) and forms a protective film or an interlayer film that protects various substrates (including metal oxide-containing films and various metal-containing films). It can be used as a composition for the intended use. Examples of the various substrates include semiconductor substrates, liquid crystal displays, organic light emitting displays (OLEDs), electrophoretic displays (electronic paper), touch panels, color filters, backlights, and other display material substrates (metal oxide-containing films, various metal-containing materials). Including a film), a substrate for a solar cell (including a metal oxide-containing film and various metal-containing films), a substrate for a photoelectric conversion element such as a photosensor (including a metal oxide-containing film and various metal-containing films). And substrates of photoelectric devices (including metal oxide-containing films and various metal-containing films). Further, a trench is formed in which a fine groove is formed on the surface of the semiconductor substrate, and the inside of the groove is filled with the composition according to the third aspect to electrically separate elements formed on both sides of the groove. It can be used as an application for forming an insulating film, a passivation film, a planarizing film, a protective film, etc. including an isolation structure.

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

[比較例1]
第1の工程;比較活性金属マグネシウム1及び比較ポリシラン1の製造工程
三方コックを装着した内容積1000mlの丸型フラスコに、粒状(粒径20〜1000μm)の金属マグネシウム65.9g(2.71mol)、無水塩化リチウム(LiCl)17.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl)11.3gを仕込み、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン(表中、THFと記す)500mlを加え、室温で約30分間撹拌した。この混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン115g(600mmol)をシリンジで加えた。この場合、使用したマグネシウム量は理論量の4.5倍である。撹拌開始から約3時間後、重合に伴う発熱が始まり、約3時間発熱が継続した。発熱終了後、さらに室温で約16時間撹拌した。反応終了後、反応混合物のデカンテーションを行い、比較固体成分1(比較活性金属マグネシウム1成分)と液体成分(メチルフェニルポリシランを含む)とに分離した。
[Comparative Example 1]
1st process; Production process of comparative active metal magnesium 1 and comparative polysilane 1 In a 1000 ml round flask equipped with a three-way cock, 65.9 g (2.71 mol) of granular magnesium (particle size 20-1000 μm) metal magnesium Then, 17.5 g of anhydrous lithium chloride (LiCl) and 11.3 g of anhydrous zinc chloride (ZnCl 2 ) were charged, and the mixture was heated and reduced to 1 mmHg (= 133 kPa) at 50 ° C., and the mixture was dried. 500 ml of tetrahydrofuran (denoted as THF in the table) previously dried with sodium-benzophenone ketyl was added and stirred at room temperature for about 30 minutes. To this mixture, 115 g (600 mmol) of methylphenyldichlorosilane purified in advance by distillation was added by a syringe. In this case, the amount of magnesium used is 4.5 times the theoretical amount. About 3 hours after the start of stirring, the exotherm accompanying polymerization started and the exotherm continued for about 3 hours. After completion of the exotherm, the mixture was further stirred at room temperature for about 16 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was decanted and separated into a comparative solid component 1 (comparative active metal magnesium 1 component) and a liquid component (including methylphenylpolysilane).

得られた液体成分について、1N(=1mol/l)の塩酸200ml、さらにトルエン350mlを加えて抽出した。トルエン層を純水150mlで4回洗浄した後、トルエンを留去することにより、低分子量体を含んだメチルフェニルポリシランを得た。メチルフェニルポリシランを良溶媒トルエン100ml及び貧溶媒2−プロパノール500mlを用いて再沈殿させたることで比較ポリシラン1を得た。比較ポリシラン1の重量平均分子量Mw及び分子量分散度(Mw/Mn)は、表1に示す。   The obtained liquid component was extracted by adding 200 ml of 1N (= 1 mol / l) hydrochloric acid and 350 ml of toluene. After the toluene layer was washed 4 times with 150 ml of pure water, toluene was distilled off to obtain methylphenylpolysilane containing a low molecular weight substance. Comparative polysilane 1 was obtained by reprecipitation of methylphenylpolysilane with 100 ml of good solvent toluene and 500 ml of poor solvent 2-propanol. The weight average molecular weight Mw and molecular weight dispersity (Mw / Mn) of the comparative polysilane 1 are shown in Table 1.

[比較例2]
第2の工程;比較活性金属マグネシウム1を用いた比較ポリシラン2の製造
比較例1で得られた比較固体成分1(比較活性金属マグネシウム1成分)に無水塩化リチウム(LiCl)17.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl)11.3g、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン500mlを加え、室温で約30分間撹拌した。この混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン115g(600mmol)をシリンジで加えて撹拌した。メチルフェニルジクロロシラン投入直後から発熱が開始し、3時間発熱が継続したのち、さらに室温で撹拌した結果、8時間後にはポリシラン重合反応が完結していることを確認した。反応終了後、反応混合物のデカンテーションを行い、比較固体成分2(比較活性金属マグネシウム成分2)と液体成分(メチルフェニルポリシランを含む)とに分離した。
[Comparative Example 2]
Second Step: Production of Comparative Polysilane 2 Using Comparative Active Metal Magnesium 1 Comparative Solid Component 1 (Comparative Active Metal Magnesium One Component) obtained in Comparative Example 1 was added to anhydrous lithium chloride (LiCl) 17.5 g, anhydrous chloride 11.3 g of zinc (ZnCl 2 ) and 500 ml of tetrahydrofuran previously dried with sodium-benzophenone ketyl were added and stirred at room temperature for about 30 minutes. To this mixture, 115 g (600 mmol) of methylphenyldichlorosilane purified in advance by distillation was added with a syringe and stirred. Heat generation started immediately after the introduction of methylphenyldichlorosilane, and after 3 hours of heat generation, the mixture was further stirred at room temperature. As a result, it was confirmed that the polysilane polymerization reaction was completed after 8 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was decanted and separated into a comparative solid component 2 (comparative active metal magnesium component 2) and a liquid component (including methylphenylpolysilane).

得られた液体成分について、比較例1と同様に精製処理を行い、比較ポリシラン2を得た。比較ポリシラン2の重量平均分子量Mw及び分子量分散度(Mw/Mn)は、表1に示す。   About the obtained liquid component, the refinement | purification process was performed like the comparative example 1, and the comparison polysilane 2 was obtained. The weight average molecular weight Mw and molecular weight dispersity (Mw / Mn) of the comparative polysilane 2 are shown in Table 1.

[実施例1]
第1の工程;活性金属マグネシウム1及びポリシラン1の製造工程
比較例1におけるテトラヒドロフランをシクロヘキシルアセテートに変更した他は、比較例1と同様にして、固体成分1(活性金属マグネシウム1成分)と液体成分(メチルフェニルポリシランを含む)とを得た。
[Example 1]
First step: Production process of active metal magnesium 1 and polysilane 1 Solid component 1 (active metal magnesium 1 component) and liquid component were the same as in Comparative Example 1 except that tetrahydrofuran in Comparative Example 1 was changed to cyclohexyl acetate. (Including methylphenylpolysilane).

得られた液体成分について、1N(=1mol/l)の塩酸200ml、さらにシクロヘキシルアセテート350mlを加えて抽出した。シクロヘキシルアセテート層を純水150mlで4回洗浄した後、シクロヘキシルアセテートを留去することにより、低分子量体を含んだメチルフェニルポリシランを得た。メチルフェニルポリシランを良溶媒シクロヘキシルアセテート100ml及び貧溶媒2−プロパノール500mlを用いて再沈殿させたることでポリシラン1を得た。ポリシラン1の重量平均分子量Mw及び分子量分散度(Mw/Mn)は、表1に示す。   The obtained liquid component was extracted by adding 200 ml of 1N (= 1 mol / l) hydrochloric acid and 350 ml of cyclohexyl acetate. After the cyclohexyl acetate layer was washed 4 times with 150 ml of pure water, cyclohexyl acetate was distilled off to obtain methylphenylpolysilane containing a low molecular weight substance. Polysilane 1 was obtained by reprecipitation of methylphenylpolysilane using 100 ml of a good solvent cyclohexyl acetate and 500 ml of a poor solvent 2-propanol. The weight average molecular weight Mw and the molecular weight dispersity (Mw / Mn) of the polysilane 1 are shown in Table 1.

[実施例2]
第2の工程;比較活性金属マグネシウム1を用いたポリシラン2の製造
比較例2におけるテトラヒドロフランをシクロヘキシルアセテートに変更した他は、比較例2と同様にして、固体成分1(活性金属マグネシウム1成分)と液体成分(メチルフェニルポリシランを含む)とを得た。
[Example 2]
Second step: Production of polysilane 2 using comparatively active metal magnesium 1 Solid component 1 (active metal magnesium 1 component) and Comparative Example 2 were the same as in Comparative Example 2 except that tetrahydrofuran in Comparative Example 2 was changed to cyclohexyl acetate. A liquid component (including methylphenylpolysilane) was obtained.

液体成分について、実施例1と同様に精製処理を行い、ポリシラン2を得た。ポリシラン2の重量平均分子量Mw及び分子量分散度(Mw/Mn)は、表1に示す。   The liquid component was purified in the same manner as in Example 1 to obtain polysilane 2. The weight average molecular weight Mw and molecular weight dispersity (Mw / Mn) of the polysilane 2 are shown in Table 1.

[実施例3]
第2の工程;活性金属マグネシウム1を用いたポリシラン3の製造
比較例2における比較固体成分1(比較活性金属マグネシウム1成分)を、実施例1で得た固体成分1(活性金属マグネシウム1成分)に変更した他は、実施例2と同様にして、固体成分2(活性金属マグネシウム2成分)と液体成分(メチルフェニルポリシランを含む)とを得た。
[Example 3]
Second Step: Production of Polysilane 3 Using Active Metal Magnesium 1 Comparative Solid Component 1 (Comparative Active Metal Magnesium 1 Component) in Comparative Example 2 was obtained as Solid Component 1 (Active Metal Magnesium 1 Component) obtained in Example 1. The solid component 2 (active metal magnesium 2 component) and the liquid component (including methylphenylpolysilane) were obtained in the same manner as in Example 2 except that the change was made.

液体成分について、実施例1と同様に精製処理を行い、ポリシラン3を得た。ポリシラン3の重量平均分子量Mw及び分子量分散度(Mw/Mn)は、表1に示す。   The liquid component was purified in the same manner as in Example 1 to obtain polysilane 3. The weight average molecular weight Mw and molecular weight dispersity (Mw / Mn) of the polysilane 3 are shown in Table 1.

[実施例4]
(1)ポリシラン4の製造工程
三方コックを装着した内容積1000mlの丸型フラスコに、粒状(粒径20〜1000μm)の金属マグネシウム65.9g(2.71mol)、第三酢酸鉄5.53g(0.023mol)を仕込み、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したシクロヘキシルアセテート500mlを加え、室温で約30分間撹拌した。この混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン115g(600mmol)をシリンジで加え、室温で約22時間撹拌した。
[Example 4]
(1) Production process of polysilane 4 In a round flask with an internal volume of 1000 ml equipped with a three-way cock, 65.9 g (2.71 mol) of granular magnesium magnesium (2.71 mol) and 5.53 g of iron triacetate ( 0.023 mol) was added and heated to 50 ° C. under reduced pressure to 1 mmHg (= 133 kPa) to dry the mixture. Then, dry argon gas was introduced into the reactor, and 500 ml of cyclohexyl acetate previously dried with sodium-benzophenone ketyl was added. In addition, the mixture was stirred at room temperature for about 30 minutes. To this mixture, 115 g (600 mmol) of methylphenyldichlorosilane purified in advance by distillation was added by a syringe and stirred at room temperature for about 22 hours.

反応終了後、1N(=1mol/l)の塩酸200ml、さらにシクロヘキシルアセテート350mlを加えて抽出した。シクロヘキシルアセテート層を純水150mlで4回洗浄した後、シクロヘキシルアセテートを留去することにより、低分子量体を含んだメチルフェニルポリシランを得た。メチルフェニルポリシランを良溶媒シクロヘキシルアセテート100ml及び貧溶媒2−プロパノール500mlを用いて再沈殿させたることでポリシラン4を得た。ポリシラン4の重量平均分子量Mw及び分子量分散度(Mw/Mn)は、表1に示す。   After completion of the reaction, 200 ml of 1N (= 1 mol / l) hydrochloric acid and 350 ml of cyclohexyl acetate were added for extraction. After the cyclohexyl acetate layer was washed 4 times with 150 ml of pure water, cyclohexyl acetate was distilled off to obtain methylphenylpolysilane containing a low molecular weight substance. Polysilane 4 was obtained by reprecipitation of methylphenyl polysilane using 100 ml of good solvent cyclohexyl acetate and 500 ml of poor solvent 2-propanol. The weight average molecular weight Mw and molecular weight dispersity (Mw / Mn) of the polysilane 4 are shown in Table 1.

Figure 2018109111
Figure 2018109111

表1の結果から、溶媒として、シクロヘキシルアセテートを用いた実施例1〜4では、いずれも分子量分散度が2.8以下と小さいポリシランが得られることが確認された。特に、第1の工程及び第2の工程で溶媒にシクロヘキシルアセテートを用い、触媒としてアルカリ金属化合物(LiCl)と金属ハロゲン化物(ZnCl)を用いた実施例3では、その効果が大きかった。同様に、溶媒にシクロヘキシルアセテートを用い、触媒として有機金属錯体(第三酢酸鉄)を用いた実施例4でも、その効果が大きかった。これに対し、テトラヒドロフラン(THF)を用いてポリシランを製造した比較例1では、分子量分散度が4.5以上と大きく、分子量の分布幅を狭める効果は小さかった。


From the results of Table 1, it was confirmed that in Examples 1 to 4 using cyclohexyl acetate as a solvent, a polysilane having a molecular weight dispersity of 2.8 or less was obtained. In particular, in Example 3 in which cyclohexyl acetate was used as a solvent in the first step and the second step, and an alkali metal compound (LiCl 2 ) and a metal halide (ZnCl 2 ) were used as catalysts, the effect was great. Similarly, in Example 4 in which cyclohexyl acetate was used as a solvent and an organometallic complex (ferric iron acetate) was used as a catalyst, the effect was great. On the other hand, in Comparative Example 1 in which polysilane was produced using tetrahydrofuran (THF), the molecular weight dispersity was as large as 4.5 or more, and the effect of narrowing the molecular weight distribution width was small.


Claims (4)

ハロシラン化合物を、下記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で、金属マグネシウム成分を作用させて反応させる工程を含む、ポリシラン製造方法。
Figure 2018109111
(式(S1)中、Rs1は、炭素原子数1〜3のアルキル基であり、pは1〜6の整数であり、qは0〜(p+1)の整数である。)
A method for producing a polysilane, comprising a step of reacting a metal magnesium component with a halosilane compound in a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the following formula (S1).
Figure 2018109111
(In formula (S1), R s1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, p is an integer of 1 to 6, and q is an integer of 0 to (p + 1).)
前記金属マグネシウム成分とともに、下記(I)又は(II)の存在化で反応させる、請求項1に記載のポリシラン製造方法。
(I)アルカリ金属化合物と、アルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物
又は
(II)下記一般式(A1)で表される有機金属錯体
r/s ・・・(A1)
(上記一般式(A1)中、Mは、r価の金属カチオンを表し、Lはs価の有機配位子を表し、r及びsは各々独立に1以上の整数を表す。)
The polysilane production method according to claim 1, wherein the reaction is caused by the presence of the following (I) or (II) together with the metal magnesium component.
(I) An alkali metal compound and a metal halide which is a halide of a metal other than an alkali metal, or (II) an organometallic complex represented by the following general formula (A1): M r L r / s (A1)
(In the general formula (A1), Mr represents an r-valent metal cation, L represents an s-valent organic ligand, and r and s each independently represents an integer of 1 or more.)
前記金属マグネシウム成分が、活性金属マグネシウム成分である請求項1又は2に記載のポリシラン製造方法。   The polysilane production method according to claim 1, wherein the metal magnesium component is an active metal magnesium component. ハロシラン化合物を、下記式(S1)で表されるシクロアルキルアセテートを含む溶媒中で、金属マグネシウム成分とともに、(I)アルカリ金属化合物及びアルカリ金属以外の金属のハロゲン化物である金属ハロゲン化物を作用させて反応させるA工程と、
前記A工程により得られる反応混合物から液体成分を除去するB工程とを含む、活性金属マグネシウム成分の製造方法。
Figure 2018109111
(式(S1)中、Rs1は、炭素原子数1〜3のアルキル基であり、pは1〜6の整数であり、qは0〜(p+1)の整数である。)
A metal halide which is a halide of a metal other than (I) an alkali metal compound and an alkali metal is allowed to act on the halosilane compound together with the metal magnesium component in a solvent containing a cycloalkyl acetate represented by the following formula (S1). Process A to be reacted,
A process for removing the liquid component from the reaction mixture obtained by the process A, and a process for producing an active metal magnesium component.
Figure 2018109111
(In formula (S1), R s1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, p is an integer of 1 to 6, and q is an integer of 0 to (p + 1).)
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