JP2018101784A - 薄膜コンデンサシート付き基板 - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜コンデンサの破損を防ぐことが可能な薄膜コンデンサシート付き基板を提供する。【解決手段】薄膜コンデンサシート付き基板１は、支持基板１０と、支持基板１０上に設けられた接着層３０と、接着層３０上に積層された薄膜コンデンサシート２０と、を有し、薄膜コンデンサシート２０は、１以上のコンデンサ部２５と、コンデンサ部２５の外側で１以上のコンデンサ部２５を囲む枠部２６と、１以上のコンデンサ部２５のそれぞれの周囲の全周に設けられて、接着層３０に対して接している面とは逆側の面に開口を有するスリット２７と、を有し、コンデンサ部２５は、一対の電極層である第１電極層２１、第２電極層２２と、当該一対の電極層に挟まれた誘電体層２３と、を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、薄膜コンデンサシート付き基板に関する。

従来から、複数の回路基板が一体化されたシートが知られている。特許文献１，２では、複数の回路基板が配列されたシート（ストリップ）を構成する回路基板の中に不良品が含まれている場合の再生方法が記載されている。

特開平１０−２４７６５６号公報 特開平１１−３０７９０５号公報

しかしながら、近年の薄膜化に応じて製造される薄膜コンデンサについても、特許文献１，２に記載のシートと同様のシート化に対する要求がある。しかしながら、薄膜コンデンサは従来の回路基板と比較して厚さが非常に薄いため、シート単体としての取り扱いが困難である。また、シート化が達成されたとしても、外部からの力により薄膜コンデンサが破損する可能性がある。

本発明は上記を鑑みてなされたものであり、薄膜コンデンサの破損を防ぐことが可能な薄膜コンデンサシート付き基板を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る薄膜コンデンサシート付き基板は、支持基板と、当該支持基板上に設けられた接着層と、当該接着層上に積層された薄膜コンデンサシートと、を有し、前記薄膜コンデンサシートは、１以上のコンデンサ部と、当該コンデンサ部の外側で前記１以上のコンデンサ部を囲む枠部と、前記１以上のコンデンサ部のそれぞれの周囲の全周に設けられて、前記接着層に対して接している面とは逆側の面に開口を有するスリットと、を有し、前記コンデンサ部は、一対の電極層と、当該一対の電極層に挟まれた誘電体層と、を有する。

上記の薄膜コンデンサシート付き基板によれば、支持基板上に、コンデンサ部を有する薄膜コンデンサシートが設けられていることで、剛性が高められ取り扱い性が向上する。また、外部からの力のうち、例えば、横方向からの力に関しては、コンデンサ部を囲むように枠部が設けられることで、横方向の力をコンデンサ部が直接受けることを抑制することができる。支持基板側から縦方向の外力を受けた場合には、接着層を経由して薄膜コンデンサシートに対して伝達されるため、コンデンサ部が受ける力を抑制することができる。さらに、薄膜コンデンサシートもしくは支持基板に対して応力が印加された場合でも、スリットが設けられていることで、コンデンサ部に印加される応力を低減させることができる。このため、上記の薄膜コンデンサシート付き基板によれば、薄膜コンデンサとして機能するコンデンサ部の破損を防ぐことができる。

ここで、前記スリットの一部は、前記一対の電極層のうち、前記支持基板から離間した側の電極層を貫通する態様とすることができる。

上記のように、スリットが支持基板から離間した側の電極層を貫通する態様とすることで、薄膜コンデンサシート内での応力の伝搬を抑制することができ、コンデンサ部に印可される応力を低減することができる。

また、前記スリットの一部は、前記一対の電極層及び前記誘電体層を貫通する態様とすることができる。

上記のように、スリットが一対の電極層及び誘電体層を貫通するとすることで、薄膜コンデンサシート内での応力の伝搬をさらに抑制することができ、コンデンサ部に印可される応力を低減することができる。

また、前記スリットの幅は、前記薄膜コンデンサシートにおいて前記接着層に対して接している面とは逆側の面において５０μｍ〜５０００μｍである態様とすることができる。

スリットの幅を上記の範囲とすることで、スリットに隣接するコンデンサ部の歩留まり及び製造効率を好適に保つことができる。

また、前記スリットは、前記薄膜コンデンサシートにおいて前記接着層に対して接している面とは逆側の面においてその幅が広く、スリットの底部ではその幅が狭くなる形状であって、前記スリットの底部において、その幅が５０μｍ以上である態様とすることができる。

上記のように、スリットの幅が底部では狭くなる場合であっても、底部の幅を５０μｍ以上とすることで、コンデンサ部の歩留まりを好適にすることができる。

本発明によれば、運搬時に薄膜コンデンサの破損を防ぐことが可能な薄膜コンデンサシート付き基板が提供される。

本発明の一実施形態に係る薄膜コンデンサシート付き基板の平面図である。 図１のII−II断面図であり、薄膜コンデンサシート付き基板における各層の積層構造を示す図である。 薄膜コンデンサシート付き基板の製造方法を説明するフロー図である。 スリットの変形例を説明する図である。 コンデンサ部及び枠部の配置及び形状の変形例を説明する図である。

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態に係る薄膜コンデンサシート付き基板の平面図である。また、図２は、図１のII−II断面図であり、薄膜コンデンサシート付き基板における各層の積層構造を示す図である。本実施形態で説明する図１，２に示すように、薄膜コンデンサシート付き基板１は、支持基板１０と、支持基板１０上に搭載される薄膜コンデンサシート２０と、を有する。薄膜コンデンサシート２０は、支持基板１０上に接着層３０を介して搭載される。薄膜コンデンサシート付き基板１は、薄膜コンデンサシート２０が支持基板１０に対して貼り付けられたものである。例えば、薄膜コンデンサを用いた電子部品の製造前に薄膜コンデンサを運搬する場合には、この薄膜コンデンサシート付き基板１の態様で運搬される。薄膜コンデンサシート２０は、薄膜コンデンサとして機能する１以上のコンデンサ部を含むシートである。コンデンサ部を薄膜コンデンサとして使用する場合には、薄膜コンデンサシート２０からコンデンサ部を切り出して使用してもよく、薄膜コンデンサシート２０からコンデンサ部を切り出さずに使用してもよい。いずれの場合も、支持基板１０から取り外して使用してもよく、支持基板１０と共に使用してもよい。

支持基板１０は、薄膜コンデンサシート２０を支持するための基板である。支持基板１０の材料は特に限定されないが、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、シリコン基板、またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂等の有機基板等公知の材料を用いることができる。支持基板１０の厚さは、基板としての剛性を十分に保つ範囲であれば特に限定されないが、例えば、１ｍｍ〜数ｃｍ程度とすることができる。

また、支持基板１０には、薄膜コンデンサシート２０が搭載されない領域に貫通孔からなるアライメントマーク１１が設けられている（図２参照）。このアライメントマーク１１は、支持基板１０上に薄膜コンデンサシート２０を搭載する際の位置決めようの孔として用いることができる。アライメントマーク１１を利用して薄膜コンデンサシート２０を支持基板１０上に搭載する構成とした場合、位置決め精度を高めることができる。なお、アライメントマーク１１は設けられていなくてもよい。

支持基板１０上に搭載される薄膜コンデンサシート２０は、厚さ方向で見たときに、一対の電極層である第１電極層２１及び第２電極層２２と、一対の電極層に挟まれる誘電体層２３と、を有するシートである。また、薄膜コンデンサシート２０は、１以上のコンデンサ部２５と、コンデンサ部２５を囲むように設けられる枠部２６と、を含んで構成される。

薄膜コンデンサシート２０を構成する３層について説明する。この３層はコンデンサ部２５が所望の機能を発揮することができるように選択される。

第１電極層２１及び第２電極層２２の材料としては、主成分がタンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、これらの金属を含有する合金、又は金属間化合物である材料が好適に用いられるが、これらに限定されない。なお、各電極層は、主成分となる材料のほか、微量の不純物等が含まれていてもよい。第１電極層２１及び第２電極層２２の材料の組み合わせも特に限定されないが、例えば、第１電極層２１の主成分をＣｕとし、第２電極層２２の主成分をＮｉとすることができる。なお、「主成分」であるとは、当該成分の占める割合が５０質量％以上であることをいうが、どの成分も５０質量％以下である場合は、もっとも含有率の多い成分を主成分であるという。

誘電体層２３は、ペロブスカイト系の誘電体材料から構成される。ここで、本実施形態におけるペロブスカイト系の誘電体材料としては、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ_１−ＸＳｒ_Ｘ）ＴｉＯ_３（チタン酸バリウムストロンチウム）、（Ｂａ_１−ＸＣａ_Ｘ）ＴｉＯ_３、ＰｂＴｉＯ_３、Ｐｂ（Ｚｒ_ＸＴｉ_１−Ｘ）Ｏ_３等のペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３等に代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料等が含まれる。ここで、上記のペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料において、ＡサイトとＢサイト比は、通常整数比であるが、特性向上のために意図的に整数比からずらしても良い。なお、誘電体層１３の特性制御のため、誘電体層１３に適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。

本実施形態の薄膜コンデンサシート２０には、図１に示すように８つ（２×４）のコンデンサ部２５が設けられる。また、隣接するコンデンサ部２５の間及びコンデンサ部２５と枠部２６との間にはスリット２７が形成される。スリット２７は、薄膜コンデンサシート２０の上面、すなわち、接着層３０に対して接する面（下面）とは逆側の面に開口するように形成される。

コンデンサ部２５においては、第１電極層２１に、所望の機能を有するための配線部２５１と、配線部２５１の周囲を囲む溝２５２と、が形成される。図１では、配線部２５１の記載を省略している。溝２５２は、スリット２７の周囲の第１電極層２１と配線部２５１側の第１電極層２１と区切るために設けられている。コンデンサ部２５は、例えば一辺が０．３ｍｍ〜３ｍｍの四角形とすることができるが、コンデンサ部２５の大きさ及び形状は特に限定されない。

スリット２７は、各コンデンサ部２５の全周にわたって設けられる。また、スリット２７は、図２に示すように、厚さ方向（３層の積層方向）に第１電極層２１を貫通するように形成されている。なお、図２では、誘電体層２３及び第２電極層２２にはスリット２７が形成されていないが、スリット２７の深さは適宜変更することができる。また、場所によってスリット２７の深さが変更されていてもよい。また、スリット２７の幅は特に限定されないが、第１電極層２１側の表面、すなわち、薄膜コンデンサシート２０における接着層３０と接する側とは逆側の面において、５０μｍ〜５０００μｍとすることができる。スリット２７の幅が５０μｍよりも小さくなると、スリット２７を設ける工程を実施する際にスリット幅が設計値よりも小さくなってしまう可能性がある。この場合、コンデンサ部２５の歩留まりが低下することが考えられる。また、スリット２７の幅が５０００μｍよりも大きくなると、薄膜コンデンサシート２０においてスリット２７として使用される領域の割合が大きくなり、コンデンサ部２５の製造効率が低下することが考えられる。

コンデンサ部２５においては、第１電極層２１及び第２電極層２２の厚さは、０．１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、１μｍ〜４０μｍであることがより好ましく、１０μｍ〜３０μｍ程度であることが更に好ましい。各電極層の厚さが薄過ぎる場合、薄膜コンデンサシートの製造時に各電極層をハンドリングし難くなる傾向がある。また、各電極層の厚さが厚過ぎる場合、誘電体層と電極層の密着性が低くなる傾向がある。また、誘電体層２３の厚さは、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。

スリット２７を挟んでコンデンサ部２５の外側に設けられる枠部２６は、コンデンサ部２５のように切り出して薄膜コンデンサとして使用される領域ではない。したがって、第１電極層２１、誘電体層２３及び第２電極層２２がこの順に積層されていなくてもよい。図１に示すように、薄膜コンデンサシート２０の外周に設けられる枠部２６では、薄膜コンデンサシート２０の製造時に例えば誘電体層２３が周縁に達しない状態で製造される場合がある。この場合、枠部２６の一部に誘電体層２３が積層されていない領域が含まれることになるが、枠部２６はコンデンサとしての機能を要求されない領域であり、枠部２６としての機能を十分に果たすことができる。

上記の薄膜コンデンサシート２０は、接着層３０を介して支持基板１０に対して貼り付けられる。接着層３０は、支持基板１０に対して薄膜コンデンサシート２０を固定することが可能であると共に、コンデンサ部２５あるいは薄膜コンデンサシート２０を支持基板１０から剥離して使用する場合等には、薄膜コンデンサシート２０に含まれるコンデンサ部２５を取り外すことが可能であることが求められる。この場合、接着層３０は、薄膜コンデンサシート２０を脱着可能である必要がある。また、接着層３０は、薄膜コンデンサシート２０を支持基板１０に固定した状態において、弾性を有していることが好ましい。上記のような特徴を有する接着層３０としては、例えば、熱はく離性を有している接着層を用いることができる。熱はく離性を有する接着層としては、例えば、電子部品工程用の熱はく離シートであるリバアルファ（商品名：日東電工社製）が挙げられる。接着層３０の厚みは特に限定されないが、上記の機能を発揮することができる範囲で、接着層３０の材料等に応じて適宜設定される。

次に、上記の薄膜コンデンサシート付き基板１の製造方法について、図３を参照しながら説明する。

まず、薄膜コンデンサシート２０を準備する（Ｓ０１）。ここで準備するシートとは、コンデンサ部２５に相当する領域において第１電極層２１、誘電体層２３及び第２電極層２２がこの順に積層されたシート状態のシートであり、スリット２７はこの段階では形成されていない。薄膜コンデンサシート２０は、第２電極層２２となる金属箔もしくは基板上に形成された金属膜上に、誘電体層２３を積層した後に、その上に第１電極層２１を形成することで製造される。このシートの製造方法には、公知の方法を用いることができる。第１電極層２１の配線部２５１及び溝２５２はこの段階で形成されていてもよいし、後述のスリットの形成時に同時に形成してもよい。

次に、この薄膜コンデンサシート２０を支持基板１０に対して貼り付ける（Ｓ０２）。まず、支持基板１０上に接着層３０を設けた後に、この接着層３０上に薄膜コンデンサシート２０を貼り付ける。

次に、薄膜コンデンサシート２０にスリット２７を形成する（Ｓ０３）。スリット２７の形成方法としては、レジストを用いたパターニングの方法が挙げられるが、これには限定されない。なお、スリット２７の形成と同時に、第１電極層２１の配線部２５１及び溝２５２を形成してもよい。スリット２７を形成することで、薄膜コンデンサシート２０におけるコンデンサ部２５及び枠部２６がスリット２７により区画される。

次に、薄膜コンデンサ個片の検査及び良品判定を行う（Ｓ０４）。ここでの個片とはスリット２７により区画されたコンデンサ部２５それぞれのことを指す。コンデンサ部２５を１つずつ検査することで、コンデンサ部２５が所望の性能を発揮できるかを確認し、良品か不良品かを判定する。

その後、不良品と判定された薄膜コンデンサ個片を除去する（Ｓ０５）。上記のようにコンデンサ部２５のそれぞれについて良品／不良品の判定を行った結果、薄膜コンデンサシート２０に複数のコンデンサ部２５が含まれる場合、その一部が不良品と判定される場合がある。この場合には、スリット２７を利用して不良品と判定されたコンデンサ部２５のみを除去することができる。コンデンサ部２５を除去する際には、除去対象のコンデンサ部２５の周囲のスリット２７が薄膜コンデンサシート２０を貫通して接着層３０に到達するよう、レーザ等によりカットする。その後、接着層３０の粘着性を変化させて薄膜コンデンサシート２０から特定のコンデンサ部２５のみを除去する。

その後の工程としては２種類の方法を用いることができる。まず、第１の方法として、不良品のコンデンサ部２５を除去した領域（除去領域）に対して別の薄膜コンデンサシートにおいて製造された良品（新良品）を搭載する方法である（Ｓ０６）。この場合、別の薄膜コンデンサシートにおいて製造された良品のコンデンサ部を切り出して、新良品として除去領域に貼り付ける。接着層３０は、薄膜コンデンサシートを脱着可能であるので、新良品を除去領域に貼り付けることができる。この結果、薄膜コンデンサシート２０は、全てのコンデンサ部２５が良品の状態となる。これにより、薄膜コンデンサシート付き基板１としても良品のコンデンサ部２５のみにより構成される状態となる。

第２の方法としては、不良品のコンデンサ部２５を除去した領域（除去領域）を有する薄膜コンデンサシート２０を、現在貼り付けている支持基板１０とは異なる基板（新基板）に対して貼り付ける方法である（Ｓ０７）。新しい支持基板１０には、新しい接着層３０が設けられていて、薄膜コンデンサシート２０はその上に貼り付けられる。その後、不良品のコンデンサ部２５を除去した領域（除去領域）に対して別の薄膜コンデンサシートにおいて製造された良品（新良品）を搭載する（Ｓ０８）。この方法を用いた場合にも、支持基板１０が新しい基板に変更となるが、薄膜コンデンサシート２０は、全てのコンデンサ部２５が良品の状態となる。これにより、薄膜コンデンサシート付き基板１としても良品のコンデンサ部２５のみにより構成される状態となる。

上記のように、第１の方法及び第２の方法の何れの方法を採用した場合でも、良品のコンデンサ部２５のみにより構成される薄膜コンデンサシート付き基板１を得ることができる。

なお、不良品の除去（Ｓ０５）以降の工程は行わなくてもよい。不良品の除去以降の工程を省略した場合、不良品が含まれていてもそれが残存した状態の薄膜コンデンサシート付き基板１となるが、それまで（Ｓ０１〜Ｓ０４）の工程により、良品のコンデンサ部２５の周囲の全周にわたってスリット２７が形成され、且つ、コンデンサ部２５全体を囲むように枠部２６が設けられた構造が得られる。

なお、良品と不良品との入れ替えの際に、レーザ加工等によりコンデンサ部２５を取り外し可能な状態とするので、スリット２７Ａは、図４（Ａ）に示すように、第１電極層２１、誘電体層２３及び第２電極層２２を貫通する形状となる。

このように、スリットの深さは、特に限定されないが、図２に示すスリット２７のように、第１電極層２１のみを貫通するような深さとした場合には、薄膜コンデンサシート２０においては枠部２６とコンデンサ部２５とが一部で連結した状態となるため、その部分においては剛性が高められる。また、スリット２７が第１電極層２１を貫通するような深さとなっていると、応力の緩和を好適に行うことができる。一方、図４（Ａ）に示すように、スリット２７Ａが、第１電極層２１、誘電体層２３及び第２電極層２２を貫通する形状である場合、このスリット２７Ａに囲まれたコンデンサ部２５は、薄膜コンデンサシート付き基板１からの脱着が可能となるため、上述したように良品と不良品との入れ替え等が容易となる。また、スリット２７Ａに囲まれたコンデンサ部２５は、周囲の他のコンデンサ部２５及び枠部２６とは薄膜コンデンサシート２０においては離間した状態となるため、他のコンデンサ部２５及び枠部２６からの応力の伝搬を抑制することができる。

スリットの深さは、領域毎に異なっていてもよい。例えば、上記で説明したように、不良品のコンデンサ部２５において良品と入れ替えを行った場合には、製造後の薄膜コンデンサシート付き基板１においては、スリットが浅い（第１電極層２１のみを貫通している）部分と、スリットが深い（第２電極層２２まで全て貫通している）部分と、が混在した状態となる。このように、スリットの深さは場所によって異なっていてもよい。

図４（Ｂ）に示すスリット２７Ｂは、深さ方向（薄膜コンデンサシート２０の厚さ方向）におけるスリット幅の分布がスリット２７，２７Ａとは異なる。スリット２７，２７Ａでは、スリット幅が表面の開口部分とスリットの底部とにおいて均一である場合を示していた。一方、スリット２７Ｂは、開口部分のスリット幅が広く、底部に向かうにつれて幅が小さくなっている断面が略台形形状のスリットである。スリットの加工方法によっては、このように、スリットの底部において、幅が狭くなる場合がある。このような場合には、底部でのスリット幅が５０μｍ以上となるようにすることで、スリット２７Ｂに隣接するコンデンサ部２５の歩留まりを好適に保つことが可能となる。なお、スリット２７Ｂは、誘電体層２３及び第２電極層２２も貫通しているが、スリット２７のように第１電極層２１のみを貫通するスリットについても、底部の幅が狭くなる構造であってもよい。

図５は、枠部２６の配置の変形例であり、図１に対応する。図１の薄膜コンデンサシート付き基板１では、８つ（２×４）のコンデンサ部２５の周囲を一体的に囲むように枠部２６が設けられていた。一方、図５の薄膜コンデンサシート付き基板１Ａでは、８つ（２×４）のコンデンサ部２５は、それぞれ離間して配置されている。そして、隣接するコンデンサ部２５の間、及び、８つ（２×４）のコンデンサ部２５の全体の周囲に枠部２６が設けられている。このように、枠部２６の形状及び配置は適宜変更することができる。また、スリット２７は、隣接するコンデンサ部２５同士を区画するように、及び、コンデンサ部２５と枠部２６とを区画するように、コンデンサ部２５それぞれの周囲全周に設けられていればよい。

このように、本実施形態に係る薄膜コンデンサシート付き基板１では、支持基板１０上に、コンデンサ部２５を有する薄膜コンデンサシート２０が設けられている。このため、剛性が高められ、薄膜のため取り扱いが困難であったコンデンサの取り扱い性が向上する。また、外部からの力のうち、例えば、横方向（支持基板１０及び薄膜コンデンサシート２０の主面の延在方向）からの力に関しては、薄膜コンデンサシート２０のコンデンサ部２５を囲むように枠部２６が設けられることで、コンデンサ部２５が直接力を受けることを抑制することができる。また、支持基板１０側から縦方向（厚さ方向）の外力を受けた場合には、接着層３０を経由して薄膜コンデンサシート２０に対して伝達されるため、コンデンサ部２５が受ける力を抑制することができる。がさらに、薄膜コンデンサシート２０もしくは支持基板１０に対して応力が印加された場合でも、スリット２７が設けられていることで、スリット２７により応力を緩和することができるため、コンデンサ部２５に印加される応力を低減させることができる。このため、上記の薄膜コンデンサシート付き基板１によれば、薄膜コンデンサとして機能するコンデンサ部２５の破損を防ぐことができる。

また、上記の薄膜コンデンサシート付き基板１では、スリット２７が支持基板から離間した側の電極層である第１電極層２１を貫通する態様を有している。このような構成とすることで、薄膜コンデンサシート２０内での応力の伝搬を好適に抑制することができる。したがって、コンデンサ部２５に印可される応力を低減することができる。

また、図４（Ａ）で説明したように、スリット２７Ａが一対の電極層である第１電極層２１及び第２電極層２２と、誘電体層２３との全てを貫通するとすることで、薄膜コンデンサシート２０内での応力の伝搬をさらに抑制することができ、コンデンサ部に印可される応力を低減することができる。

薄膜コンデンサシート付き基板１のように、スリット２７の幅を５０μｍ〜５０００μｍとした場合、スリット２７に隣接するコンデンサ部２５の歩留まり及び製造効率を好適に保つことができる。

さらに、図４（Ｂ）で示したように、スリット２７Ｂの幅が底部では狭くなる場合には、底部におけるスリット幅を５０μｍ以上とすることで、コンデンサ部２５の歩留まりを好適にすることができる。

また、図４（Ａ）および（Ｂ）で示すように、第１電極層２１のみ貫通するスリットを設けて、コンデンサ部２５の面積を調整することができる。このスリットは、図１，２等で示した溝２５２と同様に、スリット２７の周囲の第１電極層２１と配線部２５１側の第１電極層２１とを区切る機能を有することにもなる。また、溝２５２とは別に、コンデンサ部２５の面積を調整するためのスリットを設けてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、上記実施形態で説明した薄膜コンデンサシート付き基板１に含まれるコンデンサ部２５の数、形状及び配置は１以上であればよく、適宜変更することができる。また、コンデンサ部２５の形状等に応じて、枠部２６が適宜設定される。また、薄膜コンデンサシート２０は、第１電極層２１、誘電体層２３及び第２電極層２２が上からこの順に積層された例について説明したが、薄膜コンデンサシート２０における各層の積層数は適宜変更することができる。さらに、薄膜コンデンサシート２０は、支持基板１０の片面だけに貼り付けてもよく、支持基板１０の両面に貼り付けてもよい。

１，１Ａ…薄膜コンデンサシート付き基板、１０…支持基板、１１…アライメントマーク、２０…薄膜コンデンサシート、２１…第１電極層、２２…第２電極層、２３…誘電体層、２５…コンデンサ部、２６…枠部、２７，２７Ａ，２７Ｂ…スリット、３０…接着層。

Claims (5)

1. 支持基板と、当該支持基板上に設けられた接着層と、当該接着層上に積層された薄膜コンデンサシートと、を有し、
   前記薄膜コンデンサシートは、１以上のコンデンサ部と、当該コンデンサ部の外側で前記１以上のコンデンサ部を囲む枠部と、前記１以上のコンデンサ部のそれぞれの周囲の全周に設けられて、前記接着層に対して接している面とは逆側の面に開口を有するスリットと、を有し、
   前記コンデンサ部は、一対の電極層と、当該一対の電極層に挟まれた誘電体層と、を有する、薄膜コンデンサシート付き基板。
2. 前記スリットの一部は、前記一対の電極層のうち、前記支持基板から離間した側の電極層を貫通する請求項１に記載の薄膜コンデンサシート付き基板。
3. 前記スリットの一部は、前記一対の電極層及び前記誘電体層を貫通する請求項１又は２に記載の薄膜コンデンサシート付き基板。
4. 前記スリットの幅は、前記薄膜コンデンサシートにおいて前記接着層に対して接している面とは逆側の面において５０μｍ〜５０００μｍである請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜コンデンサシート付き基板。
5. 前記スリットは、前記薄膜コンデンサシートにおいて前記接着層に対して接している面とは逆側の面においてその幅が広く、スリットの底部ではその幅が狭くなる形状であって、
   前記スリットの底部において、その幅が５０μｍ以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の薄膜コンデンサシート付き基板。

Images