JP2018195694A - 電力変換器 - Google Patents
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Abstract
【課題】2個のスイッチング素子の直列接続を含んでいる電力変換器について、コモンモードノイズを低減する。【解決手段】電力変換器2は、スイッチング素子6、7(半導体チップ16、17)と、正極導電板13と、負極導電板14と、中点導電板15と絶縁層31と、第1放熱板18と、第2放熱板19を備えている。正極導電板13は、半導体チップ16、17の直列接続の高電位端と接続されており、負極導電板14は直列接続の低電位端と接続されている。中点導電板15は、直列接続の中点に接続されている。第1放熱板18は、正極導電板13及び負極導電板14と絶縁層31を挟んで対向しているとともに、グランド端子24に接続されている。第2放熱板19は、中点導電板15と絶縁層31を挟んで対向しているとともにグランド端子24から絶縁されている。【選択図】図2
Description
本明細書は、電力変換器を開示する。特に、2個のスイッチング素子の直列接続とスイッチング素子を冷却する放熱板を備えている電力変換器を開示する。
双方向DC−DCコンバータやインバータなどの電力変換器は、2個のスイッチング素子の直列接続を含んでいることが多い。例えば、三相交流用のインバータの場合、2個のスイッチング素子の直列接続が3組並列に接続された回路を備えている。スイッチング素子は、典型的には、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitor)などのトランジスタである。
スイッチング素子のオンオフにともなってノイズが発生する。オンオフに伴う電圧変化は、直列接続の高電位端と低電位端よりも中点で大きい。直列接続の中点の電圧変換に起因して生じるノイズが他のデバイスに影響を与え得る。
中点の電圧変動に伴うノイズが電力変換器を含むシステムのグランド端子を通じてスイッチング素子まで戻るコモンモードノイズは、その伝播経路が長いと放射ノイズとなって他のデバイスに影響を与える。説明の便宜上、以下では、「コモンモードノイズ」という表現を、直列接続の中点の電圧変動に伴うノイズがグランドを介して伝播するノイズを表すものとして用いることにする。
一方、電力変換器のスイッチング素子は発熱量が大きいため、電力変換器は放熱板を備えていることが多い。スイッチング素子と接続されている導電板は熱をよく伝えるため、放熱板は絶縁層を挟んで導電板と対向するように配置される場合がある。放熱板には銅などの伝熱性の高い材料が使われるが、そのような材料は導電性であることが多い。そのため、絶縁層を挟んだ放熱板と導電板がコンデンサを構成する。そのようなコンデンサは浮遊容量と呼ばれる。導電性の放熱板をグランド端子と接続することで、コモンモードノイズは電力変換器の筐体と上記した浮遊容量を通じてスイッチング素子に還流することができるようになる。その結果、コモンモードノイズの経路が小さくなり、放射ノイズが低減できる。
特許文献1には、さらに、コモンモードノイズを小さくする技術が開示されている。その技術は、次の通りである。銅で作られた放熱板(冷却板)に絶縁板を挟んで3個の導電板(銅パターン)が対向している。放熱板はグランド端子に接続されている。第1の導電板に2個のスイッチング素子の直列接続の高電位端が接続されており、第2の導電板に直列接続の低電位端が接続されている。第3の導電板に直列接続の中点が接続されている。絶縁板の厚みが第3の導電板の箇所だけ大きくなっている。それゆえ、第3の導電板と放熱板の間の浮遊容量、即ち、中点とグランドの間の浮遊容量が小さくなる。その結果、グランド端子に伝達されるコモンモードノイズが抑制される。
特許文献1の電力変換器では、第3の導電板と放熱板の間の距離が大きくなり、冷却性能が犠牲になっている。本明細書は、特許文献1の技術と比較して冷却性能を犠牲にすることなくコモンモードノイズを低減する技術を提供する。
本明細書が開示する電力変換器は、直列に接続された2個のスイッチング素子と、正極導電板と、負極導電板と、中点導電板と、第1放熱板と、第2放熱板を備えている。正極導電板は、2個のスイッチング素子の直列接続の高電位端に接続されている。負極導電板は、直列接続の低電位端に接続されている。中点導電板は、直列接続の中点に接続されている。第1放熱板は、導電性であり、第1絶縁層を挟んで正極導電板及び負極導電板と対向している。また、第1導電板は、グランド電位に保持されるグランド端子に接続されている。第2放電板は、第2絶縁層を挟んで中点導電板と対向しているとともにグランド端子から絶縁されている。この電力変換器では、中点導電板と対向している第2放熱板をグランド端子から絶縁することで、中点導電板からグランド端子へ流れるコモンモードノイズを低減する。それゆえ、中点導電板と第2放熱板の間の第2絶縁層を厚くする必要がなく、冷却性能が大きく下がることがない。なお、第1絶縁層と第2絶縁層は、共通の一つの絶縁層であってもよい。
第1放熱板と第2放熱板が絶縁材を挟んで連結されていてもよい。このとき、絶縁材を挟んだ第1放熱板と第2放熱板で浮遊容量が発生する。一方、第2絶縁層を挟んだ中点導電板と第2放熱板でも浮遊容量が発生する。第1絶縁層を挟んだ正極導電板と第1放熱板でも浮遊容量が発生し、第1絶縁層を挟んだ負極導電板と第1放熱板でも浮遊容量が発生する。中点導電板から出るノイズは、第2放電板と第1放電板と正極導電板(あるいは負極導電板)を通じてスイッチング素子へ還流する。その間、3箇所の浮遊容量を通過することでノイズが減衰する。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
(第1実施例)図1と図2を参照して第1実施例の電力変換器を説明する。図1は、周辺のデバイスを含む、電力変換器2の等価回路図である。図2は、電力変換器2の断面図である。電力変換器2は、直流電力を交流電力に変換するインバータである。なお、電力変換器2は、三相交流を出力するが、図1と図2は交流1相分の構造(回路)のみを示しており、残りの2相分の構造(回路)は図示を省略した。残りの2相分の構造(回路)は、図1と図2に示した1相分の構造(回路)と同じである。
まず、図1を参照して電力変換器2の等価回路を説明する。電力変換器2は、2個のスイッチング素子6、7と2個の還流ダイオード8、9を備えている。スイッチング素子6、7は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。2個のスイッチング素子6、7は、直列に接続されている。還流ダイオード8はスイッチング素子6に逆並列に接続されており、還流ダイオード9はスイッチング素子7に逆並列に接続されている。2個のスイッチング素子6、7の直列接続10の高電位端3と低電位端4に直流電源21が接続されている。高電位端3と低電位端4には、平滑コンデンサ22が並列に接続されている。2個のスイッチング素子6、7の直列接続10の中点5と低電位端4に負荷23が接続されている。負荷23は、交流電力で動作するデバイスであり、例えば電気モータである。負荷23と中点5をつなぐケーブルを出力ケーブル25と称する。
スイッチング素子6、7を適宜にオンオフすることで、中点5から交流が出力される。電力変換器2は、スイッチング素子6、7の直列接続10と同じ構造をさらに2組備えており、それらは直流電源21に並列に接続されているが、それらの図示は省略した。合計3組の直列接続の夫々の中点から交流が出力される。3組の直列接続が出力する3種類の交流は位相が120度ずれており、それらの交流が三相交流となって負荷23に供給される。
図1における符号24はグランド端子を示している。また、破線で描かれたコンデンサ50a、50b、50c、50dは、電力変換器2に生じる浮遊容量を表している。また、破線で描かれたコンデンサ51は、負荷23とグランド端子24の間で生じる浮遊容量を表しており、コンデンサ52は、直流電源とグランド端子24の間で生じる浮遊容量を示している。以下では、コンデンサ50a−50d、51、52を、夫々、浮遊容量50a−50d、51、52と称する。浮遊容量は、電子機器(電子部品)の物理的構造に起因して生じる容量成分であり、回路設計者の意図しない容量成分である。浮遊容量は寄生容量とも呼ばれる。
図1における符号18と19は、スイッチング素子6、7と還流ダイオード8、9を収容する半導体チップの熱を放熱する放熱板を表している。次に、図2を参照して、放熱板(第1放熱板18と第2放熱板19)を含む電力変換器2の物理的構造と、先に述べた浮遊容量50a−50dについて説明する。等価回路図(図1)のスイッチング素子6と還流ダイオード8は、半導体チップ16に内蔵されている。半導体チップ16の内部で、スイッチング素子6と還流ダイオード8は逆並列に接続されている。半導体チップ16は平板型であり、一方の面(図2における下面)にスイッチング素子6のコレクタ電極6aが設けられており、他方の面(図2における上面)にエミッタ電極6bが設けられている。等価回路図(図1)のスイッチング素子7と還流ダイオード9は、半導体チップ17に内蔵されている。半導体チップ17の内部で、スイッチング素子7と還流ダイオード9は逆並列に接続されている。半導体チップ17は平板型であり、一方の面(図2における上面)にスイッチング素子7のコレクタ電極7aが設けられており、他方の面(図2における下面)にエミッタ電極7bが設けられている。なお、図2では、半導体チップ16、17の内部構造の図示は省略し、単純なハッチングを施してある。
半導体チップ16のコレクタ電極6aが露出している下面に正極導電板13が接合されている。コレクタ電極6aと正極導電板13は電気的に接続されている。半導体チップ17のエミッタ電極7bが露出している下面に負極導電板14が接合されている。エミッタ電極7bと負極導電板14は電気的に接続されている。正極導電板13と負極導電板14は、絶縁層31を挟んで第1放熱板18に支持されている。別言すれば、正極導電板13と負極導電板14は、絶縁層31を挟んで第1放熱板18と対向している。
第1放熱板18には貫通孔18aが設けられている。貫通孔18aの内周に絶縁材32が設けられており、その内側に第2放熱板19が配置されている。第2放熱板19は、第1放熱板18から絶縁されている。絶縁層31を挟んで第2放熱板19に中点導電板15が支持されている。別言すれば、中点導電板15は、絶縁層31を挟んで第2放熱板19に対向している。中点導電板15には、ワイヤハーネス33を介して、半導体チップ16のエミッタ電極6bと半導体チップ17のコレクタ電極7aが電気的に接続されている。
中点導電板15が、2個の半導体チップ16、17(2個のスイッチング素子6、7)の直列接続の中点5に相当する。そして、半導体チップ16(スイッチング素子6)のコレクタ電極6aに接続している正極導電板13が直列接続の高電位端3に相当し、半導体チップ17(スイッチング素子7)のエミッタ電極7bに接続している負極導電板14が直列接続の低電位端4に相当する(図1参照)。
正極導電板13と負極導電板14には、直流電源21(図1参照)から延びるケーブルが接続されるがその図示は省略している。また、中点導電板15と負極導電板14には、負荷23(図1参照)から延びる別のケーブルが接続されるが、そのケーブルの図示も省略してある。
第1放熱板18と第2放熱板19は銅製であり、熱をよく伝達するとともに、導電性を有している。第1放熱板18は、グランド端子24に電気的に接続されている。第2放熱板19は、第1放熱板18から絶縁されているので、第2放熱板19はグランド端子24からも絶縁されている。
半導体チップ16のコレクタ電極6aに接合されている正極導電板13が絶縁層31を挟んで第1放熱板18と対向している。その第1放熱板18はグランド端子24に接続されている。絶縁層31を挟んで対向している正極導電板13と第1放熱板18が図1で示した浮遊容量50aを構成する。半導体チップ17のエミッタ電極7bに接合されている負極導電板14が絶縁層31を挟んで第1放熱板18と対向している。絶縁層31を挟んで対向している負極導電板14と第1放熱板18が図1で示した浮遊容量50bを構成する。2個の半導体チップ16、17(2個のスイッチング素子6、7)の直列接続の中点に相当する中点導電板15が絶縁層31を挟んで第2放熱板19と対向している。絶縁層31を挟んで対向している中点導電板15と第2放熱板19が図1で示した浮遊容量50cを構成する。第1放熱板18に設けられた貫通孔18aの内周面と第2放熱板19の外周面が絶縁材32を挟んで対向している。絶縁材32を挟んで対向している第1放熱板18と第2放熱板19が図1で示した浮遊容量50dを構成する。
図1で示した浮遊容量51は、負荷23とグランド端子24の間に存在する。浮遊容量51は、例えば、グランド端子24に接続されている筐体(負荷23の筐体)と、その筐体に近接している負荷23の電気部品との間に発生する。図1で示した浮遊容量52は、直流電源21とグランド端子24の間に存在する。浮遊容量52は、例えば、グランド端子24に接続されている筐体(直流電源21の筐体)と、その筐体に近接している直流電源21の電気部品との間に発生する。
図1に戻り、コモンモードノイズの伝達経路について説明する。先に述べたように、本明細書では、2個のスイッチング素子の直列接続の中点の電圧変動に伴うノイズがグランド端子を介して伝播するノイズを意味する。中点5から出たコモンモードノイズのルートは、浮遊容量50c、50dを経由するルートと、浮遊容量51を経由するルートがある。前者は、物理的には、中点導電板15と絶縁層31と第2放熱板19と絶縁材32と第1放熱板18を経由するルート(図1のルートR1)である。後者は、物理的には、出力ケーブル25と負荷23を経由するルートである(図1のルートR2)。浮遊容量50c、50dを経由するルートは、さらに、浮遊容量50a又は50b(第1放熱板18と正極導電板13又は負極導電板14)を経由し、スイッチング素子6、7に戻る(図1のルートR3)。このルート(R1及びR3)では、第1放熱板18と第2放熱板19が絶縁材32を介して連結されていることによって、3個の浮遊容量50a−50dを経由することになる(浮遊容量50a、50c、50dのルート、あるいは、浮遊容量50b、50c、50dのルート)。多くの浮遊容量を経由するので、コモンモードノイズが減衰する(コモンモードノイズが低減される)。なお、ルートR1、R3を通ってスイッチング素子6、7に還流するルートは、グランド端子24そのものは通過しないが、グランド端子24と同電位の第1放熱板18を通過するので、コモンモードノイズとして扱われる。
一方、浮遊容量51を経由するコモンモードノイズは、主として、浮遊容量52を経由(図1のルートR4)するよりも、浮遊容量50a、50bを経由してスイッチング素子6、7に戻る(図1のルートR3、R5)。これは、一般に、負荷23(モータ)と電力変換器2との間のグランド線の距離が、負荷23(モータ)と直流電源21との間のグランド線の距離よりも短いからである。ルートR5、R3を経由するコモンモードノイズを増加させ、その分、直流電源21に近い浮遊容量52を経由するコモンモードノイズを低減する。このことにより、より小さいループで還流するコモンモードノイズの割合を増やし、放射ノイズを低減することができる。
上記のように、実施例の電力変換器2は、コモンモードノイズを抑制することができる。一方、電力変換器2では、中点導電板15と第2放熱板19の間の絶縁層31の厚みを大きくする必要がないので、冷却性能を犠牲にしない。
(第2実施例)図3を参照して第2実施例の電力変換器2aを説明する。図3は、第2実施例の電力変換器2aの断面図である。半導体チップ16には、第1実施例と同様に、スイッチング素子6と還流ダイオード8が内蔵されており、それらは逆並列に接続されている。半導体チップ17には、スイッチング素子7と還流ダイオード9が内蔵されており、それらは逆並列に接続されている。半導体チップ16の上面にはスイッチング素子6のコレクタ電極が設けられており、下面にはエミッタ電極が設けられている。半導体チップ17の上面にはエミッタ電極が設けられており、下面にはコレクタ電極が設けられている。
半導体チップ16のコレクタ電極が露出している上面に正極導電板113が接合されている。半導体チップ16(スイッチング素子6)のコレクタ電極と正極導電板113は電気的に接続されている。半導体チップ17のエミッタ電極が露出している上面に負極導電板114が接合されている。半導体チップ17(スイッチング素子7)のエミッタ電極と負極導電板114は電気的に接続されている。正極導電板113と負極導電板114は、第1絶縁層131を挟んで第1放熱板118に支持されている。別言すれば、正極導電板113と負極導電板114は、第1絶縁層131を挟んで第1放熱板118と対向している。
第1放熱板118は半導体チップ16、17の反対側まで回り込んでおり、開口118aを備えている。開口118aの内周に絶縁材132が設けられており、その内側に第2放熱板119が配置されている。第2放熱板119は、第1放熱板118から絶縁されている。第1放熱板118と第2放熱板119で、半導体チップ16、17、正極導電板113、負極導電板114、後述する第1、第2中点導電板115a、115bを収容する容器を構成する。第1放熱板118と第2放熱板119で囲われた空間は不図示の樹脂で充填されている。即ち、半導体チップ16、17、正極導電板113、負極導電板114、後述する第1、第2中点導電板115a、115bは樹脂に封止されている。
半導体チップ16のエミッタ電極が露出している下面に第1中点導電板115aが接合されている。半導体チップ16のエミッタ電極と第1中点導電板115aは電気的に接続されている。半導体チップ17のコレクタ電極が露出している下面に第2中点導電板115bが接合されている。半導体チップ17のコレクタ電極と第2中点導電板115bは電気的に接続されている。
第2絶縁層133を挟んで第1中点導電板115aと第2中点導電板115bが第2放熱板119に支持されている。別言すれば、第1中点導電板115aと第2中点導電板115bは、第2絶縁層133を挟んで第2放熱板119に対向している。第1中点導電板115aと第2中点導電板115bはワイヤハーネス139を介して接続されている。
第1中点導電板115aと第2中点導電板115bは同電位であり、2個の半導体チップ16、17(2個のスイッチング素子6、7)の直列接続の中点5(図1参照)に相当する。そして、半導体チップ16(スイッチング素子6)のコレクタ電極に接続している正極導電板113が直列接続の高電位端3(図1参照)に相当し、半導体チップ17(スイッチング素子7)のエミッタ電極に接続している負極導電板114が直列接続の低電位端4(図1参照)に相当する。なお、正極導電板113と負極導電板114には、直流電源21(図1参照)から延びるケーブルが接続されるがその図示は省略している。また、第1中点導電板115aと第2中点導電板115bのいずれか一方と負極導電板114には、負荷23(図1参照)から延びる別のケーブルが接続されるが、そのケーブルの図示も省略してある。
第1放熱板118と第2放熱板119は銅製であり、熱をよく伝達するとともに、導電性を有している。第1放熱板118は、グランド端子24に電気的に接続されている。第2放熱板119は、第1放熱板118から絶縁されているので、第2放熱板119はグランド端子24からも絶縁されている。
半導体チップ16の上面(コレクタ電極)に接合されている正極導電板113が第1絶縁層131を挟んで第1放熱板118と対向している。その第1放熱板118はグランド端子24に接続されている。第1絶縁層131を挟んで対向している正極導電板113と第1放熱板118が図1で示した浮遊容量50aを構成する。半導体チップ17の上面(エミッタ電極)に接合されている負極導電板114が第1絶縁層131を挟んで第1放熱板118と対向している。第1絶縁層131を挟んで対向している負極導電板114と第1放熱板118が図1で示した浮遊容量50bを構成する。第1中点導電板115aと第2中点導電板115bが第2絶縁層133を挟んで第2放熱板119と対向している。第2絶縁層133を挟んで対向している第1及び第2中点導電板115a、115bと第2放熱板119が図1で示した浮遊容量50cを構成する。なお、第1中点導電板115aと第2中点導電板115bを接続するワイヤハーネス139には寄生リアクタンスが存在するので、半導体チップ16から第1中点導電板115aを経由して伝播するコモンモードノイズと半導体チップ17から第2中点導電板115bを経由して伝播するコモンモードノイズは別々に存在する。しかしここでは、両者をひとまとめにして扱うことにする。
第1放熱板118に設けられた開口118aの内周面と第2放熱板119の外周面が絶縁材132を挟んで対向している。絶縁材132を挟んで対向する第1放熱板118と第2放熱板119が図1で示した浮遊容量50dを構成する。
図3の電力変換器2aも図1の等価回路図で示した回路構成を有する。それゆえ、図3の電力変換器2aもコモンモードノイズを低減する。電力変換器2aは、半導体チップ16、17の両面に放熱板が対向しているので、半導体チップ16、17に対する冷却性能が高い。
(第3実施例)図4に第3実施例の電力変換器2bの断面図を示す。電力変換器2bは、第1放熱板218と第2放熱板219の内部に、液体冷媒が通る冷媒流路201を備えている。その他は第2実施例の電力変換器2aの構造と同じであるので説明は省略する。なお、図4において、図3の電力変換器2aと同じ部品には同じ符号を付してある。電力変換器2bは、第2実施例の電力変換器2aと同じ効果を得ることができる。さらに、この電力変換器2bは、冷媒流路201を備えており、第2実施例の電力変換器2aよりも半導体チップ16、17の冷却性能が高い。
(第4実施例)図5に第4実施例の電力変換器2cの断面図を示す。第4実施例の電力変換器2cでは、グランド端子24に接続されている第1放熱板318に対して第2放熱板319が完全に離間している。その他は第2実施例の電力変換器2aの構造と同じであるので説明は省略する。なお、図5において、図3の電力変換器2aと同じ部品には同じ符号を付してある。電力変換器2cでは、第2放熱板319は、電気的に完全に孤立している。それゆえ、図1の等価回路図おける浮遊容量50dが存在しない。この場合、コモンモードノイズは全て出力ケーブル25と負荷23を通じてグランド端子24に伝播する。グランド端子24に伝播したコモンモードノイズは、浮遊容量50a(正極導電板113と第1放熱板118で構成される浮遊容量)、及び、浮遊容量50b(負極導電板114と第1放熱板118で構成される浮遊容量)を通じて半導体チップ16、17に戻る。この場合でも、直流電源21を経由するコモンモードノイズを低減することができる。
(第5実施例)図6に第5実施例の電力変換器2dの断面図を示す。図6において、図3の電力変換器2aと同じ部品には同じ符号を付してある。電力変換器2dでは、第1放熱板418は半導体チップ16、17を囲んでいる。そして、図6に示すように、第1放熱板418の一部は、第2絶縁層133と対向している。電力変換器2dでは、第2絶縁層133と、これと対向している第1放熱板418の一部との間に、第2放熱板419と絶縁材432を挟む。第2放熱板419の一方の面に第2絶縁層133が接しており、他方の面に絶縁材432が接している。第2放熱板419は絶縁材432を挟んで第1放熱板418の一部と対向している。図6の電力変換器2dも、各部品の接続関係は図3の電力変換器2aと同じであり、電力変換器2aと同じ作用効果を奏する。
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。第1実施例の電力変換器では、絶縁層31が、他の実施例における第1絶縁層と第2絶縁層を兼ねている。
実施例の電力変換器の特徴をまとめると次の通りである。電力変換器2、2a−2dは、2個の半導体チップ16、17と、正極導電板13(113)と、負極導電板14(114)と、中点導電板15(115、115a、115b)と、第1放熱板18(118)と、第2放熱板19(119)を備えている。半導体チップ16はスイッチング素子6を収容しており、半導体チップ17はスイッチング素子7を収容している。正極導電板13(113)は、一方の半導体チップ16の高電位端に接合されている。負極導電板14(114)は、他方の半導体チップ17の低電位端に接合されている。中点導電板15(115、115a、115b)は、一方の半導体チップ16の低電位端と他方の半導体チップ17の高電位端に接続されている。第1放熱板18(118)は、導電性を有しており、正極導電板13(113)及び負極導電板14(114)と絶縁層31(131)を挟んで対向しているとともに、グランド電位に保持されるグランド端子24に接続されている。第2放熱板19(119)は、導電性を有しており、中点導電板15(115、115a、115b)と絶縁層31(131)を挟んで対向しているとともにグランド端子24から絶縁されている。図2、図3、図4、図6の電力変換器2、2a、2b、2dは、第2放熱板19(119)は絶縁材32(132)を挟んで第1放熱板18(118)と連結されている。
図には、1組の直列接続(2個のスイッチング素子の直列接続)のみを示したが、電力変換器は複数組の直列接続を備えていてもよい。その場合、電力変換器は、夫々がスイッチング素子を収容する2個の半導体チップの組を複数組備えており、それぞれの組が図2〜図6に示す構造を備えていればよい。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
2、2a、2b、2c、2d:電力変換器
3:高電位端
4:低電位端
5:中点
6、7:スイッチング素子
8、9:還流ダイオード
10:直列接続
13、113:正極導電板
14、114:負極導電板
15:中点導電板
16、17:半導体チップ
18、118、218、318、418:第1放熱板
18a:貫通孔
19、119、219、319、419:第2放熱板
21:直流電源
22:平滑化コンデンサ
23:負荷
24:グランド端子
25:出力ケーブル
31:絶縁層
32、132、432:絶縁材
33:ワイヤハーネス
50a−50d、51、52:浮遊容量(コンデンサ)
115a:第1中点導電板
115b:第2中点導電板
131:第1絶縁層
133:第2絶縁層
139:ワイヤハーネス
201:冷媒流路
3:高電位端
4:低電位端
5:中点
6、7:スイッチング素子
8、9:還流ダイオード
10:直列接続
13、113:正極導電板
14、114:負極導電板
15:中点導電板
16、17:半導体チップ
18、118、218、318、418:第1放熱板
18a:貫通孔
19、119、219、319、419:第2放熱板
21:直流電源
22:平滑化コンデンサ
23:負荷
24:グランド端子
25:出力ケーブル
31:絶縁層
32、132、432:絶縁材
33:ワイヤハーネス
50a−50d、51、52:浮遊容量(コンデンサ)
115a:第1中点導電板
115b:第2中点導電板
131:第1絶縁層
133:第2絶縁層
139:ワイヤハーネス
201:冷媒流路
Claims (2)
- 直列に接続された2個のスイッチング素子と、
2個の前記スイッチング素子の直列接続の高電位端に接続されている正極導電板と、
前記直列接続の低電位端に接続されている負極導電板と、
前記直列接続の中点に接続されている中点導電板と、
第1絶縁層を挟んで前記正極導電板及び前記負極導電板と対向しているとともに、グランド電位に保持されるグランド端子に接続されている導電性の第1放熱板と、
第2絶縁層を挟んで前記中点導電板と対向しているとともに前記グランド端子から絶縁されている導電性の第2放熱板と、
を備えている電力変換器。 - 前記第1放熱板と前記第2放熱板が絶縁材を挟んで連結されている、請求項1に記載の電力変換器。
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