JP2018194378A - Wafer abnormality location detection apparatus and wafer abnormality location identification method - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明はウェハの一方主面において検出された異常箇所が、ウェハの他方主面のどの箇所に該当するのかを簡易な構成で精度良く特定することが可能なウェハ異常箇所検出用装置およびウェハ異常箇所特定方法の提供を目的とする。【解決手段】ウェハ異常箇所検出用装置100は、ウェハ5を載置するステージ1と、ステージ1に載置されたウェハ5の一方主面51を撮像するカメラ2と、カメラ2で撮像した一方主面画像中のウェハ5の異常箇所の位置を取得して、一方主面画像に異常箇所を示すマークを施す画像処理部3と、画像処理部3で処理された一方主面画像と、ウェハ5の一方主面51との位置関係が平面視で一致するように、ステージ1に載置されたウェハ5の他方主面52に画像処理部3で処理された一方主面画像を投影する投影機4と、を備える。【選択図】図1[Problem] The present invention aims to provide a wafer abnormality detection device and a wafer abnormality identification method capable of identifying with high accuracy, with a simple configuration, which location on the other main surface of the wafer corresponds to when an abnormality detected on one main surface of the wafer. [Solution] The wafer abnormality detection device 100 includes a stage 1 for placing a wafer 5, a camera 2 for capturing an image of one main surface 51 of the wafer 5 placed on the stage 1, an image processing unit 3 for acquiring the position of the abnormality of the wafer 5 in the image of one main surface captured by the camera 2 and applying a mark indicating the abnormality on the image of one main surface, and a projector 4 for projecting the image of one main surface processed by the image processing unit 3 onto the other main surface 52 of the wafer 5 placed on the stage 1 so that the positional relationship between the image of one main surface processed by the image processing unit 3 and the one main surface 51 of the wafer 5 coincides in a plan view. [Selected Figure] Figure 1
Description
本発明はウェハ異常箇所検出用装置およびウェハ異常箇所特定方法に関する。 The present invention relates to an apparatus for detecting an abnormal position of a wafer and a method for identifying an abnormal position of a wafer.
表面に複数のチップが形成されたウェハの異常箇所を検出する方法として、例えば、ウェハ裏面の外観異常を、顕微鏡等を用いて確認し、先端が針状になっているピンセットを用いてウェハを挟んで両面に傷を付けることにより、ウェハ裏面の異常箇所がウェハ表面に形成されたどのチップに該当するのかを特定する方法が知られている。 As a method for detecting an abnormal portion of a wafer having a plurality of chips formed on the front surface, for example, the appearance abnormality on the back surface of the wafer is confirmed using a microscope or the like, and the wafer is removed using tweezers having a needle-like tip. There is known a method for identifying which chip formed on the front surface of the wafer corresponds to an abnormal portion on the back surface of the wafer by scratching both sides of the wafer.
また、ウェハの外観異常を検査する別の方法として、ウェハの表面、裏面のそれぞれを撮像する2つのカメラを設け、画像処理装置上でウェハ両面の画像を重ね合わせて異常箇所を検査する方法が知られている(例えば特許文献1を参照)。 As another method for inspecting the appearance abnormality of the wafer, there is a method in which two cameras for imaging the front surface and the back surface of the wafer are provided, and images on both surfaces of the wafer are superposed on the image processing apparatus to inspect the abnormal portion. It is known (see, for example, Patent Document 1).
上述した方法においては、ピンセットでウェハを挟むことによってウェハの裏面の異常箇所がウェハの表面のどの箇所に該当するか印を付けていたため、位置精度が低く、ウェハ表面における異常箇所を正確に特定することが困難であった。 In the method described above, since the abnormal part on the backside of the wafer is marked by pinching the wafer with tweezers, the position accuracy is low and the abnormal part on the wafer surface is accurately identified. It was difficult to do.
また、特許文献1では、ウェハの表面、裏面それぞれの画像を画像処理装置上で合成して外観の欠陥を解析している。この場合、ウェハの表面、裏面それぞれの画像を高精度で合成する必要があり、また、ウェハを保持するステージを動かしながら検査を行うため、装置の構成が複雑になる問題があった。 In Patent Document 1, defects on the appearance are analyzed by combining images on the front and back surfaces of a wafer on an image processing apparatus. In this case, it is necessary to synthesize the images of the front and back surfaces of the wafer with high accuracy, and the inspection is performed while moving the stage holding the wafer, which causes a problem that the configuration of the apparatus becomes complicated.
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、ウェハの一方主面において検出された異常箇所が、ウェハの他方主面のどの箇所に該当するのかを簡易な構成で精度良く特定することが可能なウェハ異常箇所検出用装置およびウェハ異常箇所特定方法の提供を目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is possible to accurately determine which portion of the other main surface of the wafer corresponds to the abnormal portion detected on the one main surface of the wafer with a simple configuration. An object of the present invention is to provide an apparatus for detecting an abnormal part of a wafer and a method for identifying an abnormal part of a wafer that can be specified well.
本発明に係るウェハ異常箇所検出用装置は、ウェハを載置するステージと、ステージに載置されたウェハの一方主面を撮像するカメラと、カメラで撮像した一方主面画像中のウェハの異常箇所の位置を取得して、一方主面画像に異常箇所を示すマークを施す画像処理部と、画像処理部で処理された一方主面画像と、ウェハの一方主面との位置関係が平面視で一致するように、ステージに載置されたウェハの他方主面に画像処理部で処理された一方主面画像を投影する投影機と、を備える。 An apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to the present invention includes a stage for placing a wafer, a camera for imaging one main surface of the wafer placed on the stage, and an abnormality of the wafer in the one main surface image captured by the camera. The positional relationship between the image processing unit that acquires the position of the part and marks the one main surface image indicating the abnormal part, the one main surface image processed by the image processing unit, and the one main surface of the wafer is a plan view. And a projector that projects the one main surface image processed by the image processing unit onto the other main surface of the wafer placed on the stage.
本発明に係るウェハ異常箇所特定方法は、ウェハ異常箇所検出用装置を用いたウェハ異常箇所特定方法であって、ウェハ異常箇所検出用装置は、ウェハを載置するステージと、ステージに載置されたウェハの一方主面を撮像するカメラと、カメラで撮像した一方主面画像中のウェハの異常箇所の位置を取得して、一方主面画像に異常箇所を示すマークを施す画像処理部と、画像処理部で処理された一方主面画像を、ステージに載置されたウェハの他方主面に投影する投影機と、を備え、ウェハ異常箇所特定方法は、(a)カメラが、ステージに載置されたウェハの一方主面を撮像する工程と、(b)画像処理部が、カメラで撮像した一方主面画像中のウェハの異常箇所の位置を取得して、一方主面画像に異常箇所を示すマークを施す工程と、(c)投影機が、画像処理部で処理された一方主面画像と、ウェハの一方主面との位置関係が平面視で一致するように、ステージに載置されたウェハの他方主面に画像処理部で処理された一方主面画像を投影する工程と、を備える。 A method for identifying an abnormal position of a wafer according to the present invention is a method for identifying an abnormal position of a wafer using an apparatus for detecting an abnormal position of a wafer, wherein the apparatus for detecting an abnormal position of a wafer is placed on a stage on which the wafer is placed. A camera that images one main surface of the wafer, an image processing unit that acquires a position of the abnormal portion of the wafer in the one main surface image captured by the camera, and applies a mark indicating the abnormal portion to the one main surface image; And a projector for projecting the one main surface image processed by the image processing unit onto the other main surface of the wafer placed on the stage. A method for identifying an abnormal wafer location includes: (a) a camera mounted on the stage; A step of imaging one main surface of the placed wafer, and (b) the image processing unit acquires the position of the abnormal portion of the wafer in the one main surface image captured by the camera, and the one main surface image includes the abnormal portion. A step of applying a mark indicating c) The image is projected onto the other main surface of the wafer placed on the stage so that the positional relationship between the one main surface image processed by the image processing unit and the one main surface of the wafer matches in plan view. Projecting the one principal surface image processed by the processing unit.
本発明に係るウェハ異常箇所検出用装置およびウェハ異常箇所特定方法によれば、カメラにより撮像したウェハの一方主面画像中の異常箇所の位置を取得して、一方主面画像にマークを施す。そして、投影機が、一方主面画像と、ウェハの一方主面との位置関係が平面視で一致するように、ステージに載置されたウェハの他方主面にマークが施された一方主面画像を投影する。従って、ウェハの一方主面において検出された異常箇所が、ウェハの他方主面のどの箇所に該当するかを、簡易な構成で精度良く特定することが可能である。 According to the apparatus for detecting an abnormal position of a wafer and the method for identifying an abnormal position of a wafer according to the present invention, the position of the abnormal position in the one main surface image of the wafer imaged by the camera is acquired and the mark is applied to the one main surface image. Then, the projector is provided with a mark on the other principal surface of the wafer placed on the stage so that the positional relationship between the one principal surface image and the one principal surface of the wafer coincides in plan view. Project an image. Therefore, it is possible to specify with high accuracy with a simple configuration, which part of the other main surface of the wafer corresponds to the abnormal portion detected on the one main surface of the wafer.
<実施の形態1>
<構成>
図1は、本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100の模式的な断面図である。ウェハ異常箇所検出用装置100は、ステージ1、カメラ2、画像処理部3および投影機4を備える。ウェハ5はステージ1に載置される。図1に示すように、ステージ1に載置されたウェハ5は、ウェハ5の一方主面51がステージ1の下方を向き、ウェハ5の他方主面52がステージ1の上方を向く。カメラ2は、ステージ1の下方から少なくともウェハ5の一方主面51の全体を撮像して画像データ(即ち画像信号)を生成する。なお、以降の説明では画像データとしてビデオカメラによる動画データ(即ちビデオ信号)を対象としているが、これに限られるものではなく、例えばスチールカメラによる静止画であってもよい。画像処理部3は、カメラ2が撮像した一方主面画像中のウェハ5の異常箇所の位置を取得して、一方主面画像に異常箇所を示すマークを施す。また、画像処理部3は、投影機4に出力する画像データの生成として、後述する鏡像変換、アライメント調整ほか各種の処理を行う。画像処理部3は制御部30に含まれる。制御部30には表示装置21および入力装置22が接続される。表示装置21は、画像処理部3から出力される画像データや画像処理部3で処理する処理内容を表示する。入力装置22は、例えば、ウェハ異常箇所検出用装置100を操作するために必要な命令の入力、選択、ウェハの異常箇所を示す位置情報の入力などを行う。制御部30は、カメラ3、投影機4などの制御を行う。
<Embodiment 1>
<Configuration>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an
投影機4は、ステージ1に載置されたウェハ5の他方主面52に画像処理部3で処理された一方主面画像を投影する。このとき、投影機4は、画像処理部3で処理された一方主面画像と、ウェハ5の一方主面51との位置関係が平面視で一致するように投影する。
The projector 4 projects the one main surface image processed by the
カメラ2のステージ1に対する位置は固定されている。カメラ2は、例えばCCD、CMOS等の撮像素子のほか、レンズ、外部に画像データを出力するインターフェースなどを備える。ウェハ5が例えば8インチ(直径20cm)以下であれば、その一方主面51の全体にわたって明瞭な画像を取得するために、カメラ2の画素数は200万画素以上であることが好ましい。以降では、カメラ2が取得する画像を一方主面画像と記載する。よって、一方主面画像には、ウェハ5の一方主面51の全体の画像が含まれる。
The position of the camera 2 with respect to the stage 1 is fixed. The camera 2 includes, for example, an imaging device such as a CCD and a CMOS, a lens, and an interface for outputting image data to the outside. If the
なお、ウェハ5の一方主面51をカメラ2で明瞭に撮像するために、ステージ1の下方に光源を配置してもよい。光源は、例えばカメラ2の周囲を囲むリングライトである。
Note that a light source may be disposed below the stage 1 in order to clearly image the one
投影機4のステージ1に対する位置は固定されている。投影機4は、例えば液晶パネル、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)等を利用して画像を投影する。ウェハ5の他方主面52の全体に明瞭な画像を投影するために、投影機4の画素数は、カメラ2の画素数と同等以上、少なくとも200万画素以上であることが好ましい。投影機4は、このほかに投影レンズや外部からの画像データが入力されるインターフェースなどを備える。また、ウェハ5の他方主面52の全体に画像を投影するために、投影機4からウェハ5の他方主面52までの距離は50cm以上であることが好ましい。
The position of the projector 4 with respect to the stage 1 is fixed. The projector 4 projects an image using, for example, a liquid crystal panel, a digital micromirror device (DMD), or the like. In order to project a clear image on the entire other
図2は、画像処理部3を含む制御部30のハードウェア構成を示す図である。制御部30および画像処理部3は、入出力インターフェースHW1、処理回路HW2およびメモリHW3によって実現される。入出力インターフェースHW1、処理回路HW2およびメモリHW3はバスで相互に接続されている。入出力インターフェースHW1は、カメラ2が出力する画像信号SG1を入力し、処理回路HW2が出力する画像信号SG2を出力するほか、液晶ディスプレイといった表示装置21やマウスといった入力装置22などの一般的な入出力機器との間で、信号のやりとりを行うためのインターフェースである。
FIG. 2 is a diagram illustrating a hardware configuration of the
処理回路HW2は、専用のハードウェアであってもよい。また、処理回路HW2はメモリHW3に格納されるプログラムを実行するCPU(Central Processing Unit、中央処理装置、処理装置、演算装置、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、プロセッサ、DSPともいう)であってもよい。 The processing circuit HW2 may be dedicated hardware. The processing circuit HW2 may be a CPU (Central Processing Unit, central processing unit, processing unit, arithmetic unit, microprocessor, microcomputer, processor, DSP) that executes a program stored in the memory HW3.
処理回路HW2が専用のハードウェアである場合、処理回路HW2は、例えば、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ASIC、FPGA、またはこれらを組み合わせたものが該当する。制御部30および画像処理部3の機能を1つの処理回路HW2で実現してもよいし、複数の処理回路で実現してもよい。
When the processing circuit HW2 is dedicated hardware, the processing circuit HW2 corresponds to, for example, a single circuit, a composite circuit, a programmed processor, a parallel programmed processor, an ASIC, an FPGA, or a combination thereof. . The functions of the
処理回路HW2がCPUの場合、制御部30および画像処理部3の機能は、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェアやファームウェアはプログラムとして記述され、メモリHW3に格納される。処理回路HW2は、メモリHW3に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより、制御部30および画像処理部3の機能を実現する。また、これらのプログラムは、制御部30および画像処理部3の手順や方法をコンピュータに実行させるものであるともいえる。ここで、メモリHW3とは、例えば、RAM、ROM、フラッシュメモリー、EPROM、EEPROM等の、不揮発性または揮発性の半導体メモリや、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク、DVD等が該当する。
When the processing circuit HW2 is a CPU, the functions of the
なお、制御部30および画像処理部3の機能について、一部を専用のハードウェアで実現し、一部をソフトウェアまたはファームウェアで実現するようにしてもよい。このように、処理回路は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの組み合わせによって、上述の各機能を実現することができる。
Note that part of the functions of the
なお、表示装置21と入力装置22に関しては、ディスプレイとマウスなどとして個別に用意してもよいし、タッチパネル付きディスプレイのように一体化された形態であってもよい。
The
<動作>
図3は、ウェハ異常箇所検出用装置100の動作を示すフローチャートである。図4は、画像処理部3の動作、即ち図3におけるステップS102の詳細を示すフローチャートである。
<Operation>
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the wafer abnormal
まず、カメラ2が、ステージ2に載置されたウェハ5の一方主面51の全体を撮像して一方主面画像を取得する(ステップS101)。次に、画像処理部3が一方主面画像に対して処理を行う(ステップS102)。ステップS102については図4を用いて後述する。次に、投影機4が、処理された一方主面画像をウェハ5の他方主面52に投影する。このとき、投影機4は、画像処理部3で処理された一方主面画像と、ウェハ5の一方主面51との位置関係が平面視で一致するように投影する。投影される一方主面画像には異常箇所を示すマークが施されている。従って、ウェハ5の他方主面52の、ウェハ5の一方主面51の異常箇所に対応する箇所にはマークが投影される。
First, the camera 2 captures an image of the entire
そして、ウェハ5の他方主面52のマークが投影されている箇所に、例えばペンでインクを打点する。これにより、ウェハ5のどの箇所に異常があるかをウェハ5の他方主面52から識別可能となる。また、実施の形態3で説明するように、インクの打点を自動で行ってもよい。
Then, ink is spotted on the other
画像処理部3の動作(ステップS102)について、図4を用いて説明する。まず、画像処理部3はカメラ2が撮像した一方主面画像を取得し、表示装置21に表示させる(ステップS1021)。この状態において、検査を実施する作業者が表示装置21に表示された画像を目視により観察する。表示装置21に表示されたウェハ5の一方主面の画像において、作業者が異常箇所を発見すると、作業者は入力装置22を操作して異常箇所を特定する。入力装置22がマウスである場合、異常箇所を特定する操作は、例えば、表示装置21に表示されたウェハ5の一方主面の画像中の異常箇所に、マウスと連動するカーソルを重ねてクリックすることによって実施される。また、表示装置21と入力装置22がタッチパネル付きディスプレイである場合、異常箇所を特定する操作は、例えば、ディスプレイに表示されたウェハ5の一方主面の画像中の異常箇所をタッチすることによって実施される。
The operation (step S102) of the
次に、画像処理部3は、入力装置22からの入力に基づいて一方主面画像中のウェハ5の異常箇所の位置を取得して、一方主面画像の異常箇所にマークを施す(ステップS1022)。マークは、マークがウェハ5の他方主面52に投影されたときに、識別しやすい色および形状であることが好ましい。なお、異常箇所の検出精度に関して、現状では作業者が行う精度には及ばないが、画像処理部3が一方主面画像を分析することによって、異常箇所の検出を自動的に行うようにしても良い。この場合、一方主面画像の分析および異常箇所の検出は、例えば、取得した一方主面画像と、予め用意された、欠陥の無い理想的な一方主面画像とを比較して行われる。一方主面画像の分析および異常箇所の検出の方法は、これに限定されるものではなく、ウェハの外観に基づいて異常箇所を特定するあらゆる方法が該当する。
Next, the
次に、画像処理部3は、マークが施された一方主面画像の左右を反転させる(ステップS1023)。ここで、一方主面画像の左右を反転させるとは、一方主面画像に対して鏡像変換を行うことを意味する。そして、画像処理部3は、処理された一方主面画像、即ち、マークが施され、左右が反転された一方主面画像を投影機4に出力する(ステップS1024)。
Next, the
<効果>
本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100は、ウェハ5を載置するステージ1と、ステージ1に載置されたウェハ5の一方主面51を撮像するカメラ2と、カメラ2で撮像した一方主面画像中のウェハ5の異常箇所の位置を取得して、一方主面画像に異常箇所を示すマークを施す画像処理部3と、画像処理部3で処理された一方主面画像と、ウェハ5の一方主面51との位置関係が平面視で一致するように、ステージ1に載置されたウェハ5の他方主面52に画像処理部3で処理された一方主面画像を投影する投影機4と、を備える。
<Effect>
An
本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100によれば、カメラ2により撮像したウェハ5の一方主面画像中の異常箇所の位置を取得して、一方主面画像にマークを施す。そして、投影機4が、一方主面画像と、ウェハ5の一方主面51との位置関係が平面視で一致するように、ステージ1に載置されたウェハ5の他方主面52にマークが施された一方主面画像を投影する。従って、ウェハ5の一方主面51において検出された異常箇所が、ウェハ5の他方主面52のどの箇所に該当するかを、簡易な構成で精度良く特定することが可能である。
According to wafer abnormal
また、本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100において、ウェハ5の一方主面51は、ステージ1の下方に向いた面であり、ウェハ5の他方主面52は、ステージ1の上方に向いた面であり、カメラ2は、ステージ1の下方からウェハ5の一方主面51を撮像する。従って、画像が投影されるウェハ5の他方主面52は、ステージ1の上方に向いた面となるため、ウェハ5の他方主面52に投影された異常箇所を示すマークを、ステージ1の上方から視認可能である。
In the wafer abnormal
また、本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100において、カメラ2の位置はステージ1に対して固定されており、カメラ2はウェハ5の一方主面51の全体を撮像可能であり、投影機4の位置はステージ1に対して固定されており、投影機4は、画像処理部3で処理された一方主面画像をウェハの他方主面52の全体に投影可能である。
Further, in the wafer abnormal
従って、ステージ1と、カメラ2および投影機4との位置を相対的に動かす機構が不要となるため、カメラ2および投影機4の位置をステージ1に対して固定することが可能となる。これにより、カメラ2および投影機4のステージ1に対する位置精度を向上させることが可能である。 Therefore, a mechanism for relatively moving the positions of the stage 1, the camera 2, and the projector 4 is not required, and the positions of the camera 2 and the projector 4 can be fixed with respect to the stage 1. Thereby, the positional accuracy of the camera 2 and the projector 4 with respect to the stage 1 can be improved.
また、本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100において、カメラ2の画素数は200万画素以上であり、投影機4の画素数は200万画素以上であり、投影機4からウェハ5の他方主面52までの距離は50cm以上である。なお、投影機4の画素数を200万画素以上としたが、カメラ2の画素数と同等、或いはそれ以上の画素数とすることが望ましい。
Further, in the wafer abnormality
カメラ2の画素数を200万画素以上とすることにより、例えば20cmといった大口径のウェハ5の一方主面51の全体を明瞭に撮像することが可能となる。また、投影機4の画素数を200万画素以上とし、投影機4からウェハ5の他方主面52までの距離を50cm以上とすることにより、大口径のウェハ5の他方主面52の全体に画像を明瞭に投影することが可能となる。
By setting the number of pixels of the camera 2 to 2 million pixels or more, it is possible to clearly image the entire one
また、本実施の形態1におけるウェハ異常箇所検出用装置100において、ウェハ5の他方主面52に複数の半導体チップが形成されている。従って、ウェハ5の一方主面51で検出された異常箇所が、ウェハ5の他方主面52に形成されたどの半導体チップに該当するのかを特定することが可能となる。
Further, in the wafer abnormal
<実施の形態2>
<構成>
図5は、本実施の形態2におけるウェハ異常箇所検出用装置200のステージ1を下方から見た平面図である。ステージ1の下面には、等間隔に4個のアライメントマーク11が配置されている。4個のアライメントマーク11の重心と、ステージ1に載置されたウェハ5の中心とが一致するように、4個のアライメントマークが配置されている。
<Embodiment 2>
<Configuration>
FIG. 5 is a plan view of the stage 1 of the wafer abnormality
ステージ1の下面にアライメントマーク11が配置される以外の構成は、実施の形態1(図1)と同じであるため、説明を省略する。
Since the configuration other than the
<動作>
図6は、本実施の形態2における画像処理部3の動作を示すフローチャートである。また、図7は、画像処理部3の動作を説明するための図である。図7中に示される一方主面画像IMG1,IMG2,IMG3のそれぞれにおいて、ウェハ5の一方主面51が示されているが、これはウェハ5の一方主面51そのものではなく、ウェハ5の一方主面51の画像である。これは、ステージ1およびアライメントマーク11についても同様である。
<Operation>
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the
図6および図7を用いて画像処理部3の動作を説明する。なお、本実施の形態2において、画像処理部3の動作以外は実施の形態1と同様のため、動作の説明を省略する。
The operation of the
まず、画像処理部3はカメラ2が撮像した一方主面画像IMG1を取得する(ステップS2021)。カメラ2が撮像した一方主面画像IMG1には、ウェハ5の一方主面51とともに、ステージ1に配置された4個のアライメントマーク11も含まれている。
First, the
次に、画像処理部3は、一方主面画像IMG1中の4個のアライメントマーク11に基づいて一方主面画像IMG1のアライメントを調整して一方主面画像IMG2を得る(ステップS2022)。アライメントの調整とは、例えば、一方主面画像IMG1の歪み、傾きなどを補正することである。
Next, the
次に、画像処理部3は、一方主面画像IMG2を分析して異常箇所を検出して、一方主面画像IMG2の異常箇所にマーク6を施す(ステップS2023)。そして、画像処理部3は、4個のアライメントマーク11の重心を基準として、マーク6が施された一方主面画像IMG2の左右を反転させて一方主面画像IMG3を得る(ステップS2024)。ステップS2024において画像処理部3は、図7に示すように一方主面画像IMG2中の互いに対向するアライメントマーク11を結ぶように対角線を引いて、4個のアライメントマーク11の重心7を求める。そしてこの重心7を基準として一方主面画像IMG2の左右を反転させる。つまり、画像処理部3は、一方主面画像IMG2自体の中心を軸として一方主面画像IMGの左右を反転させるのではなく、4個のアライメントマーク11の重心7を軸として一方主面画像IMG2の左右を反転させる。
Next, the
<効果>
本実施の形態2におけるウェハ異常箇所検出用装置200において、ステージ1の下方に向いた面には、ステージ1に載置されたウェハ5を囲むように4個以上の複数のアライメントマーク11が等間隔で配置されており、複数のアライメントマーク11の重心と、ステージ1に載置されたウェハ5の中心が一致し、カメラ2が撮像する一方主面画像には、ウェハ5の一方主面51と複数のアライメントマーク11が含まれる。従って、一方主面画像に含まれるアライメントマークを利用して、一方主面画像のアライメントの調整が可能となる。
<Effect>
In the wafer abnormal
また、本実施の形態2におけるウェハ異常箇所検出用装置200において、画像処理部3は、一方主面画像中の複数のアライメントマーク11を基準として、一方主面画像の左右を反転させる。従って、一方主面画像中のウェハ5の一方主面51の中心を基準として、一方主面画像の左右を反転させることが可能となる。これにより、一方主面画像中において、ウェハ5の一方主面51の中心が、一方主面画像の中心からずれている場合であっても、ウェハ5の一方主面51の画像の左右を高精度で反転させることが可能となる。
Further, in the wafer abnormal
<実施の形態3>
<構成>
図8は、本実施の形態3におけるウェハ異常箇所検出用装置300の模式的な斜視図である。ウェハ異常箇所検出用装置300は、実施の形態1のウェハ異常箇所検出用装置100(図1)に対して、インク打点部8をさらに備える。インク打点部8はペン81を備える。ペン81は、ステージ1に載置されたウェハ5の他方主面52に対して水平方向(即ちxy方向)および垂直方向(即ちz方向)に移動可能であり、例えばXYプロッターに用いる移動機構(図示せず)により実施できる。そして、この移動機構は制御部30により動作が制御されるものとなっている。
<
<Configuration>
FIG. 8 is a schematic perspective view of an
ウェハ異常箇所検出用装置300におけるインク打点部8以外の構成は、ウェハ異常箇所検出用装置100(図1)と同じため、説明を省略する。
Since the configuration other than the
<動作>
図9は、ウェハ異常箇所検出用装置300の動作を示すフローチャートである。図9におけるステップS201からS203は、図3におけるステップS101からS103と同じため、説明を省略する。
<Operation>
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the wafer abnormal
図9のステップS204において、インク打点部8は、制御部30からの制御信号を受けて、ウェハ5の他方主面52のマーク6が投影されている箇所にペン81でインクを自動で打点する。例えば、インク打点部8は、ウェハ5の他方主面52のマーク6が投影されている箇所に、ペン81でインクを打点する。また、ウェハ5の他方主面52に半導体チップが形成されていて、マーク6が半導体チップに投影されている場合は、インク打点部8はその半導体チップの上面の中央にペン81でインクを打点してもよい。
In step S <b> 204 of FIG. 9, the
ウェハ5の他方主面52のマーク6が投影されている箇所にインクを自動で打点する機能は、上述した機能に限られるものではない。この機能は、例えば制御部30からの制御信号によらず、インク打点部8に搭載されたカメラ、処理回路およびメモリにより実現されるようにしてもよい。処理回路はメモリに格納されるプログラムを実行するCPUである。
The function of automatically depositing ink at a location where the
一辺の長さが1mm程度の半導体チップへの打点に対応するために、ペン81が打点するインクの打点は、直径0.5mm以上1mm以下であることが好ましい。
In order to correspond to a hitting point on a semiconductor chip having a side length of about 1 mm, the hitting point of ink hitting by the
なお、以上で説明したインク打点部8を実施の形態2におけるウェハ異常箇所検出用装置200に適用してもよい。
The
<効果>
本実施の形態3におけるウェハ異常箇所検出用装置300は、ステージ1に載置されたウェハ5の他方主面52に対して水平方向および垂直方向に移動可能なペン81を備えるインク打点部8をさらに備え、インク打点部8は、ウェハ5の他方主面52のマーク6が投影されている箇所に基づいて、ウェハ5の他方主面52にペン81でインクを自動的に打点する。
<Effect>
The
図10に示すように、両方の先端に針91が付いたピンセット9でウェハ5を挟み込んで異常箇所に傷を付けることによって、異常箇所を識別する印を付ける方法が知られている。この方法においては、ウェハ5の異常の無い箇所に誤って傷を付けてしまう可能性があった。また、ウェハ5の厚さが100μm以下と薄い場合にあっては、ウェハ5をピンセット9で挟み込む力が強いと、ウェハ5自体にダメージを与えてしまう可能性があった。一方、本実施の形態3においては、ウェハ5の他方主面52のマーク6が投影されている箇所に基づいて、ウェハ5の他方主面52にペン81でインクが打点される。つまり、インクを打点することによって異常箇所を識別する印を付けるため、ウェハ5のダメージを軽減させることが可能である。さらに、インク打点部8によってインクが自動的に打点されるため、手作業でインクを打点する場合に比べて、精度良くインクを打点することが可能となる。
As shown in FIG. 10, there is known a method of marking an abnormal part by pinching the
また、本実施の形態3におけるウェハ異常箇所検出用装置300において、ペン81が打点するインクの打点は直径0.5mm以上1mm以下である。従って、1辺の長さが1mm程度の半導体チップに対してもインクの打点が可能となる。
Further, in the wafer abnormal
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 It should be noted that the present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.
1 ステージ、2 カメラ、3 画像処理部、4 投影機、5 ウェハ、6 マーク、7 重心、8 インク打点部、9 ピンセット、91 針、11 アライメントマーク、51 一方主面、52 他方主面、100,200,300 ウェハ異常箇所検出用装置、HW1 入出力インターフェース、HW2 処理回路、HW3 メモリ。 1 stage, 2 cameras, 3 image processing units, 4 projectors, 5 wafers, 6 marks, 7 center of gravity, 8 ink hitting points, 9 tweezers, 91 needles, 11 alignment marks, 51 one main surface, 52 other main surface, 100 , 200, 300 Wafer abnormal part detection device, HW1 input / output interface, HW2 processing circuit, HW3 memory.
Claims (12)
前記ステージに載置された前記ウェハの一方主面を撮像するカメラと、
前記カメラで撮像した一方主面画像中の前記ウェハの異常箇所の位置を取得して、前記一方主面画像に前記異常箇所を示すマークを施す画像処理部と、
前記画像処理部で処理された前記一方主面画像と、前記ウェハの前記一方主面との位置関係が平面視で一致するように、前記ステージに載置された前記ウェハの他方主面に前記画像処理部で処理された前記一方主面画像を投影する投影機と、
を備える、
ウェハ異常箇所検出用装置。 A stage on which the wafer is placed;
A camera for imaging one main surface of the wafer placed on the stage;
An image processing unit that acquires a position of the abnormal portion of the wafer in the one main surface image captured by the camera and applies a mark indicating the abnormal portion to the one main surface image;
The one main surface image processed by the image processing unit and the one main surface of the wafer are aligned with the other main surface of the wafer placed on the stage so that the positional relationship between the one main surface and the wafer matches in plan view. A projector for projecting the one principal surface image processed by the image processing unit;
Comprising
Wafer abnormal point detection device.
前記ウェハの前記他方主面は、前記ステージの上方に向いた面であり、
前記カメラは、前記ステージの下方から前記ウェハの前記一方主面を撮像する、
請求項1に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 The one main surface of the wafer is a surface facing downward of the stage;
The other main surface of the wafer is a surface facing upward of the stage;
The camera images the one main surface of the wafer from below the stage;
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to claim 1.
前記カメラは前記ウェハの前記一方主面の全体を撮像可能であり、
前記投影機の位置は前記ステージに対して固定されており、
前記投影機は、画像処理部で処理された前記一方主面画像を前記ウェハの前記他方主面の全体に投影可能である、
請求項1又は請求項2に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 The position of the camera is fixed with respect to the stage,
The camera is capable of imaging the entire one main surface of the wafer;
The position of the projector is fixed with respect to the stage;
The projector is capable of projecting the one main surface image processed by the image processing unit onto the entire other main surface of the wafer.
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to claim 1 or 2.
前記投影機の画素数は200万画素以上であり、
前記投影機から前記ウエハの前記他方主面までの距離は50cm以上である、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 The camera has 2 million pixels or more,
The projector has 2 million pixels or more,
The distance from the projector to the other main surface of the wafer is 50 cm or more,
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to any one of claims 1 to 3.
前記複数のアライメントマークの重心と、前記ステージに載置された前記ウェハの中心が一致し、
前記カメラが撮像する前記一方主面画像には、前記ウェハの前記一方主面と前記複数のアライメントマークが含まれる、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 On the surface facing the lower side of the stage, a plurality of alignment marks of four or more are arranged at equal intervals so as to surround the wafer placed on the stage,
The center of gravity of the plurality of alignment marks coincides with the center of the wafer placed on the stage,
The one main surface image captured by the camera includes the one main surface of the wafer and the plurality of alignment marks.
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to any one of claims 1 to 4.
請求項5に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 The image processing unit reverses the left and right of the one main surface image with reference to the center of gravity of the plurality of alignment marks in the one main surface image.
The apparatus for detecting an abnormal portion of a wafer according to claim 5.
前記インク打点部は、前記ウェハの前記他方主面の前記マークが投影されている箇所に基づいて前記ウェハの前記他方主面に前記ペンでインクを自動的に打点する、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 An ink hitting portion comprising a pen that is movable in a horizontal direction and a vertical direction with respect to the other main surface of the wafer placed on the stage;
The ink hitting part automatically hits ink with the pen on the other main surface of the wafer based on a position where the mark on the other main surface of the wafer is projected.
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to any one of claims 1 to 6.
請求項7に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 The ink hitting point that the pen hits is 0.5 mm to 1 mm in diameter,
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to claim 7.
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のウェハ異常箇所検出用装置。 A plurality of semiconductor chips are formed on the other main surface of the wafer.
The apparatus for detecting an abnormal position of a wafer according to any one of claims 1 to 8.
前記ウェハ異常箇所検出用装置は、
ウェハを載置するステージと、
前記ステージに載置された前記ウェハの一方主面を撮像するカメラと、
前記カメラで撮像した一方主面画像中の前記ウェハの異常箇所の位置を取得して、前記一方主面画像に前記異常箇所を示すマークを施す画像処理部と、
前記画像処理部で処理された前記一方主面画像を、前記ステージに載置された前記ウェハの他方主面に投影する投影機と、
を備え、
前記ウェハ異常箇所特定方法は、
(a)前記カメラが、前記ステージに載置された前記ウェハの前記一方主面を撮像する工程と、
(b)前記画像処理部が、前記カメラで撮像した前記一方主面画像中の前記ウェハの異常箇所の位置を取得して、前記一方主面画像に前記異常箇所を示すマークを施す工程と、
(c)前記投影機が、前記画像処理部で処理された前記一方主面画像と、前記ウェハの前記一方主面との位置関係が平面視で一致するように、前記ステージに載置された前記ウェハの前記他方主面に前記画像処理部で処理された前記一方主面画像を投影する工程と、
を備える、
ウェハ異常箇所特定方法。 A method for identifying an abnormal wafer location using an apparatus for detecting an abnormal wafer location,
The apparatus for detecting an abnormal portion of a wafer is
A stage on which the wafer is placed;
A camera for imaging one main surface of the wafer placed on the stage;
An image processing unit that acquires a position of the abnormal portion of the wafer in the one main surface image captured by the camera and applies a mark indicating the abnormal portion to the one main surface image;
A projector that projects the one main surface image processed by the image processing unit onto the other main surface of the wafer placed on the stage;
With
The method for identifying an abnormal portion of the wafer is:
(A) the camera imaging the one main surface of the wafer placed on the stage;
(B) The image processing unit acquires a position of the abnormal portion of the wafer in the one main surface image captured by the camera, and applies a mark indicating the abnormal portion to the one main surface image;
(C) The projector is placed on the stage so that the positional relationship between the one main surface image processed by the image processing unit and the one main surface of the wafer coincides in plan view. Projecting the one principal surface image processed by the image processing unit onto the other principal surface of the wafer;
Comprising
Wafer abnormality location identification method.
前記複数のアライメントマークの重心と、前記ステージに載置された前記ウェハの中心が一致し、
前記工程(a)において、前記カメラが撮像する前記一方主面画像には、前記ウェハの前記一方主面と前記複数のアライメントマークが含まれ、
(d)前記画像処理部が、前記一方主面画像中の前記複数のアライメントマークの重心を基準として、前記一方主面画像の左右を反転させる工程と、
をさらに備える、
請求項10に記載のウェハ異常箇所特定方法。 On the surface facing the lower side of the stage, a plurality of alignment marks of four or more are arranged at equal intervals so as to surround the wafer placed on the stage,
The center of gravity of the plurality of alignment marks coincides with the center of the wafer placed on the stage,
In the step (a), the one main surface image captured by the camera includes the one main surface of the wafer and the plurality of alignment marks,
(D) the image processing unit inverting the left and right of the one main surface image with reference to the center of gravity of the plurality of alignment marks in the one main surface image;
Further comprising
The method for identifying an abnormal portion of a wafer according to claim 10.
前記ステージに載置された前記ウェハの前記他方主面に対して水平方向および垂直方向に移動可能なペンを備えるインク打点部をさらに備え、
前記工程(c)において、前記インク打点部が、前記ウェハの前記他方主面の前記マークが投影されている箇所に基づいて前記ウェハの前記他方主面に前記ペンでインクを自動的に打点する、
請求項10又は請求項11に記載のウェハ異常箇所特定方法。 The apparatus for detecting an abnormal portion of a wafer is
An ink hitting portion comprising a pen that is movable in a horizontal direction and a vertical direction with respect to the other main surface of the wafer placed on the stage;
In the step (c), the ink hitting portion automatically hits ink with the pen on the other main surface of the wafer based on a position where the mark on the other main surface of the wafer is projected. ,
The method for identifying an abnormal position of a wafer according to claim 10 or 11.
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