JP2018186151A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに当該画素に入射する光を減衰する撮像素子の製造を簡便化する。【解決手段】撮像素子は、画素および入射光減衰部を具備する。画素は、被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタとそのカラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える。入射光減衰部は、その被写体とそのカラーフィルタとの間に配置されてその画素に配置されたカラーフィルタを透過せずにその光電変換部に入射する光を減衰させる。【選択図】図４

Description

本技術は、撮像素子に関する。詳しくは、カラーフィルタを有する画素が２次元に配置された撮像素子および撮像装置に関する。

従来、カラーフィルタを配置することにより所定の波長の光の画像信号を生成する画素が配置され、カラーの画像信号を生成する撮像素子が使用されている。例えば、赤色、緑色または青色の何れかの光を透過させるカラーフィルタとカラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する受光素子とが配置された画素が所定の規則に基づいて２次元格子形状に配置された撮像素子が使用されている。この場合、赤色、緑色および青色に対応する画像信号がそれぞれ生成され、フルカラーの画像データを取得することができる。

このような撮像素子において、画素に配置されたカラーフィルタに応じた波長とは異なる波長の光が当該画素の受光素子に入射すると、複数の色が混在した画像信号が生成される混色を生じる。例えば、被写体からの光が撮像素子に対して斜めに入射し、隣接する画素や画素同士の境界部分を経由して受光素子に至る場合には、自身の画素に配置されたカラーフィルタを経由せずに当該画素の受光素子に光が入射する。このような場合には、画素の受光素子に対して複数の色の光が混入し、混色が発生する。撮像素子により生成される画像信号の色純度が低下し、画質も低下することとなる。

また、像面位相差を検出するための位相差画素が撮像素子に配置され、検出された位相差に基づいてオートフォーカスを行うカメラにおいては、隣接する画素から位相差検出画素に光が混入することにより像面位相差の検出精度が低下する。混入した光がノイズとなり、誤差を生じるためである。

そこで、このような隣接する画素等からの光の混入を防止するため、隣接する画素のカラーフィルタの間に遮光膜を配置する撮像素子が使用されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０１０−３４４２６

上述の従来技術は、カラーフィルタの間に配置した遮光膜により、隣接する画素から入射する光の遮光を行うものである。しかし、上述の従来技術では、遮光膜がカラーフィルタと同層に配置されるため、カラーフィルタを形成する際に遮光膜による凹凸を生じることとなり、カラーフィルタの形成が困難になるという問題がある。

本技術は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに当該画素に入射する光を減衰する撮像素子の製造を簡便化することを目的としている。

本技術の第１の側面は、被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタと上記カラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える画素と、上記被写体と上記カラーフィルタとの間に配置されて上記画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに上記光電変換部に入射する光を減衰させる入射光減衰部とを具備する撮像素子である。

また、本技術の第２の側面は、被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタと上記カラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える画素と、上記被写体と上記カラーフィルタとの間に配置されて上記画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに上記光電変換部に入射する光を減衰させる入射光減衰部と、上記生成された電荷に応じた信号である画像信号を処理する処理部とを具備する撮像装置である。

入射光減衰部を配置してカラーフィルタを透過せずに光電変換部に入射する光を減衰させることにより、カラーフィルタにより選択された波長の光のみを当該カラーフィルタが配置された画素の光電変換部に照射させることができる。この際、入射光減衰部を被写体とカラーフィルタとの間に配置する。すなわち、撮像素子における被写体からの光を受光する面である受光面において、カラーフィルタの外側に入射光減衰部が配置される。このため、撮像素子の製造工程においてカラーフィルタを形成した後に入射光減衰部が形成されるという作用をもたらす。

本技術によれば、撮像素子を製造する際、入射光減衰部の影響を受けることなくカラーフィルタを形成することができる。これにより、画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに当該画素に入射する光を減衰する撮像素子の製造を簡便化するという優れた効果を奏する。

本技術の第１の実施の形態における撮像装置の構成例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態におけるカラーフィルタの構成例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態における画素の構成例を示す図である。 本技術の第２の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 本技術の第３の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 本技術の第３の実施の形態における画素の構成例を示す図である。

次に、図面を参照して、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）を説明する。以下の図面において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は、模式的なものであり、各部の寸法の比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることは勿論である。また、以下の順序で実施の形態の説明を行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態

＜１．第１の実施の形態＞
［撮像装置の構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態における撮像装置の構成例を示す図である。同図の撮像装置１は、撮像素子２と、垂直駆動部３と、カラム信号処理部４と、制御部５とを備える。

撮像素子２は、画素２００が２次元格子形状に配置されて構成されたものである。この画素２００は、被写体からの光に応じた画像信号を生成するものであり、照射された光に応じた電荷を生成する光電変換部（後述する光電変換部２４２）と光電変換部により生成された電荷に基づく画像信号を生成する画素回路とを備える。画素２００の構成の詳細については後述する。

また、撮像素子２には、信号線２０１および２０２がＸＹマトリクス状に配置され、複数の画素２００に対して配線されている。ここで、信号線２０１は、画素２００の画素回路を制御する制御信号を伝達する信号線であり、撮像素子２に配置された画素２００の行毎に配置され、１行に配置された複数の画素２００に対して共通に配線される。また、信号線２０２は、画素２００の画素回路により生成された画像信号を伝達する信号線であり、撮像素子２に配置された画素２００の列毎に配置され、１列に配置された複数の画素２００に対して共通に配線される。

垂直駆動部３は、画素２００の制御信号を生成し、信号線２０１を介して出力するものである。この垂直駆動部３は撮像素子２に配置された画素２００の行毎に異なる制御信号を生成し、出力する。

カラム信号処理部４は、画素２００により生成された画像信号を処理し、処理後の画像信号を出力するものである。カラム信号処理部４における処理には、例えば、画素２００により生成されたアナログの画像信号をデジタルの画像信号に変換するアナログデジタル変換処理が該当する。カラム信号処理部４から出力される画像信号は、撮像装置１の出力信号に該当する。なお、カラム信号処理部４は、特許請求の範囲に記載の処理部の一例である。

制御部５は、垂直駆動部３およびカラム信号処理部４を制御するものである。この制御部５は、垂直駆動部３およびカラム信号処理部４の制御信号を生成して出力することにより、制御を行う。

［撮像素子の構成］
図２は、本技術の第１の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。同図は、撮像素子２における被写体からの光を受光する受光面の様子を表した図である。同図において、破線の矩形は、画素２００の区切りを表す。同図に表したように、撮像素子２の受光面には複数の画素２００が２次元格子形状に配置されている。

同図において、画素２００は、オンチップレンズ２１１と、カラーフィルタ２２３乃至２２５の何れかとを備える。オンチップレンズ２１１は、画素２００毎に配置され、被写体からの光を後述する光電変換部に集光するものである。

カラーフィルタ２２３乃至２２５は、オンチップレンズ２１１および光電変換部の間に配置され、被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させる光学的なフィルタである。同図のカラーフィルタ２２３乃至２２５には、オンチップレンズ２１１を介して被写体からの光が入射される。ここで、カラーフィルタ２２３乃至２２５は、透過させる光の波長がそれぞれ異なっている。例えば、カラーフィルタ２２３乃至２２５は、それぞれ緑色光、青色光および赤色光を透過させるカラーフィルタにすることができる。画素２００は、配置されたカラーフィルタ２２３乃至２２５により選択された波長の光に対応する画像信号を生成する。なお、緑色光、青色光および赤色光を透過させるカラーフィルタが配置された画素２００を、それぞれ緑色画素、青色画素および赤色画素と称する。尚、同図に表したように、緑色画素が市松形状に配置され、青色画素および赤色画素が緑色画素の間に配置される配列方式は、ベイヤー配列と称される。

また、撮像素子２は、入射光減衰部２２２を備える。この入射光減衰部２２２は、画素２００に配置されたカラーフィルタ２２３乃至２２５を透過せずに当該画素における光電変換部に入射する光を減衰させるものである。またこの入射光減衰部２２２は、被写体とカラーフィルタ２２３乃至２２５との間に配置される。同図の撮像素子２においては、オンチップレンズ２１１とカラーフィルタ２２３乃至２２５との間に配置される。また、入射光減衰部２２２は、複数の画素２００の境界の近傍に配置される。同図においては、隣接する４つの画素２００の角の領域に入射光減衰部２２２が配置される。

この入射光減衰部２２２が配置される領域は、カラーフィルタ２２３等の上にオンチップレンズ２１１が配置されていない領域、すなわち、オンチップレンズ２１１の隙間を含む領域である。オンチップレンズ２１１の隙間は無効領域と称される。撮像素子２に入射光減衰部２２２が配置されない場合には、オンチップレンズ２１１により集光されない光が無効領域を経由して画素２００の内部に入射する。後述するように光電変換部は画素２００の中心部に配置されるため、無効領域を経由して照射される光が光電変換部に入射することはない。しかし、受光面に対して斜めに入射する光は、無効領域を経由して光電変換部に到達し、自身の画素２００に配置されたカラーフィルタ２２３等を介さずに光電変換部に混入する光となる。そこで、入射光減衰部２２２を配置して無効領域から入射する光を減衰することにより、光電変換部に混入する光を低減することができる。なお、画素２００にオンチップレンズ２１１が配置されない構成であっても、入射光減衰部２２２を複数の画素２００の境界の近傍に配置することにより、隣接する画素２００から斜めに入射する光の混入を防止することができる。

同図に表したように、入射光減衰部２２２は、受光面視において四角形状に構成される。この入射光減衰部２２２は、例えば、遮光性を有する材料を樹脂に分散させた膜により構成することができる。遮光性を有する材料として、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、金属の酸化物（例えば、マグネタイト型四酸化三鉄（Ｆｅ_３Ｏ_４））を使用することができる。また、感光性を有するレジストを上述の樹脂として使用することにより、入射光減衰部２２２をカラーフィルタ２２３等と同様のフォトリソグラフィにより形成することが可能となる。

また、特定の波長の光による混色を防止する場合には、当該波長の光を減衰させるカラーフィルタを入射光減衰部２２２として使用することもできる。例えば、赤色光を透過するカラーフィルタを入射光減衰部２２２として使用する場合には、緑色光および青色光による混色を防止することができる。一方、赤色光は透過させることができるため、赤色光に対する感度を向上させることができる。また、このような入射光減衰部２２２として、上述の原色系カラーフィルタのほかに補色系のカラーフィルタを使用することもできる。

［カラーフィルタの構成］
図３は、本技術の第１の実施の形態におけるカラーフィルタの構成例を示す図である。同図は、図２において説明した撮像素子２のカラーフィルタ２２３乃至２２５の構成を表した図である。同図は、カラーフィルタ２２３の一部に八角形状のカラーフィルタ２２４および２２５が配置されて構成された例である。この場合、隣接するカラーフィルタ２２３同士が連結した形状となる。この連結部分である隣接する４つの画素２００の角の領域には緑色光に対応するカラーフィルタ２２６が配置された構成となる。

このようなカラーフィルタは、例えば、次のように形成することができる。まず、カラーフィルタ２２３を構成する樹脂を塗布して硬化させた後、カラーフィルタ２２４および２２５を配置する領域をエッチングにより除去する。その後、当該除去した領域にカラーフィルタ２２４および２２５を形成する。これにより、隣接する４つの画素２００の角の領域にカラーフィルタ２２６を配置することができる。このように、ベイヤー配列構成の撮像素子２において、緑色光に対応するカラーフィルタ２２３同士を連結した構成にすることにより、カラーフィルタの剥離による不具合の発生を軽減することができる。

なお、カラーフィルタの形状はこの例に限定されない。例えば、カラーフィルタ２２６を省略し、カラーフィルタ２２３乃至２２５が画素２００と略同じ形状（矩形形状）に構成されてもよい。

［画素の構成］
図４は、本技術の第１の実施の形態における画素の構成例を示す図である。同図は、図２および３に記載されたＡ−Ａ’線に沿った画素２００の模式断面図である。同図の画素２００は、オンチップレンズ２１１、入射光減衰部２２２およびカラーフィルタ２２４乃至２２６の他に平坦化膜２２１、配線領域２３０および半導体基板２４１をさらに備える。

半導体基板２４１は、図１において説明した光電変換部（同図における光電変換部２４２）および画素回路を構成する半導体素子（不図示）が形成されたものである。半導体基板２４１には、例えば、Ｐ型半導体により構成された半導体基板を使用することができる。この場合には、光電変換部２４２として、半導体基板２４１内に形成されたＮ型半導体領域を使用することができる。半導体基板２４１および光電変換部２４２の界面に形成されたＰＮ接合部に被写体からの光が照射されると、光電変換により照射された光に応じた電荷が生成され、光電変換部２４２に保持される。この保持された電荷に基づく画像信号が画素回路により生成され、画素２００の画像信号として出力される。

配線領域２３０は、図１において説明した信号線２０１および２０２が形成される領域である。この配線領域２３０は、配線層２３２と、絶縁層２３１とを備える。配線層２３２は、金属等により形成され、信号線２０１等を構成するものである。同図に表したように、この配線層２３２は、多層配線にすることができる。絶縁層２３１は、配線層２３２同士を絶縁するものである。この絶縁層には、光を透過する酸化珪素（ＳｉＯ_２）やＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）を使用することができる。このように、配線領域２３０の上にカラーフィルタ２２４やオンチップレンズ２１１が形成され、配線領域２３０を介して光電変換部２４２に光が照射される撮像素子２は、表面照射型撮像素子と称される。この表面照射型撮像素子においては、無効領域に配線層２３２が配置される。

平坦化膜２２１は、オンチップレンズ２１１の下層に配置され、オンチップレンズ２１１が形成される前の撮像素子２の表面を平坦化するものである。このように、撮像素子２においては、カラーフィルタ２２３乃至２２６、入射光減衰部２２２、平坦化膜２２１およびオンチップレンズ２１１が配線領域２３０の上に順に形成される。

同図の矢印は、オンチップレンズ２１１の隙間の領域に斜めに入射する光を表したものであり、実線はこの光が入射光減衰部２２２により減衰されて遮光される様子を表したものである。このように、入射光減衰部２２２により、斜めに入射する光の混入を防止することができる。一方、点線は入射光減衰部２２２がない場合の例を表したものである。この場合には、オンチップレンズ２１１の隙間の領域に斜めに入射する光は、カラーフィルタ２２４の代わりにカラーフィルタ２２６を介して光電変換部２４２に入射する。カラーフィルタ２２４および２２６は透過させる光の波長が異なるため、当該画素２００において混色を生じることとなる。

入射光減衰部２２２の形成方法について説明する。入射光減衰部２２２は、カラーフィルタ２２４等を形成した後に、フォトリソグラフィにより形成することができる。具体的には、図２において説明した遮光性を有する材料が分散されたレジストをカラーフィルタ２２４等の上に塗布し、露光および現像を行う。これにより、カラーフィルタ２２４等および入射光減衰部２２２が順に積層され、カラーフィルタ２２４等の上面に入射光減衰部２２２を形成することができる。

これに対し、入射光減衰部２２２をカラーフィルタ２２４等の下層に配置する構成の場合には、配線領域２３０の上に入射光減衰部２２２を形成し、次いでカラーフィルタ２２４等を形成することとなる。この場合、撮像素子２における入射光減衰部２２２よる段差が存在する面にカラーフィルタの材料となる樹脂を塗布することとなり、カラーフィルタ２２４等の膜厚にむらを生じることとなる。混入する光の除去能力を向上させるためには入射光減衰部２２２の膜厚を増加させる必要がある。このような場合には、カラーフィルタの膜厚のむらはさらに増大する。また入射光減衰部２２２は、不透明であるため、カラーフィルタ２２４等を形成する際のフォトリソグラフィ製造工程におけるアライメントが困難となり、カラーフィルタ２２４等の寸法精度が低下する問題も生じる。

また、カラーフィルタ２２４等と入射光減衰部２２２とを同層に配置する場合にも、光の混入を防止することができる。具体的には、図４におけるカラーフィルタ２２６の領域に入射光減衰部２２２を配置する構成にすることにより、光の混入の防止が可能である。しかし、この場合には、４つの画素２００の角の領域におけるカラーフィルタ２２４等のの隙間に入射光減衰部２２２を配置する必要が生じる。狭隘な領域に入射光減衰部２２２を形成するここととなり、入射光減衰部２２２の形成が困難となる。

このように、カラーフィルタ２２４等の上面に入射光減衰部２２２を配置することにより、カラーフィルタを形成する際の入射光減衰部２２２の影響を除去することができ、カラーフィルタの膜厚むらの発生の防止および寸法精度の向上を図ることができる。すなわち、入射光減衰部２２２を配置しない場合と同様の工程によりカラーフィルタを形成することができる。また、入射光減衰部２２２の影響を受けることなくカラーフィルタ２２４等を形成することができるめため、入射光減衰部２２２の膜厚を容易に調整することができる。

なお、撮像素子２の構成はこの例に限定されない。例えば、図４においてオンチップレンズ２１１、平坦化膜２２１およびカラーフィルタ２２４が半導体基板２４１における配線領域２３０が形成された面とは異なる面に形成された裏面照射型の構成にすることもできる。また、入射光減衰部２２２とカラーフィルタ２２４等との間に平坦化膜等をさらに配置する構成にすることもできる。

以上説明したように、本技術の第１の実施の形態によれば、入射光減衰部２２２を被写体とカラーフィルタとの間に配置することにより、カラーフィルタを容易に形成することができ、撮像素子の製造を簡便化することができる。

＜２．第２の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態の撮像素子２は、受光面視において四角形状の入射光減衰部２２２を使用していた。これに対し、本技術の第２の実施の形態の撮像素子２は、円形状の入射光減衰部２２２を使用する点で、第１の実施の形態と異なる。

［撮像素子の構成］
図５は、本技術の第２の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。同図の撮像素子２は、入射光減衰部２２２の代わりに入射光減衰部２２７を備える点で図２において説明した撮像素子２と異なる。

同図に表したように、入射光減衰部２２７は、受光面視において円形状に構成される。このため、入射光減衰部２２７を形成する際のフォトリソグラフィ工程における露光や現像を容易に行うことができる。この効果は、画素２００のサイズを小さくする場合に顕著である。

これ以外の撮像装置１の構成は本技術の第１の実施の形態の撮像装置１と同様であるため、説明を省略する。

以上説明したように、本技術の第２の実施の形態によれば、入射光減衰部２２７を受光面視において円形状に構成することにより、入射光減衰部２２７の形成を簡便化することができる。

＜３．第３の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態における入射光減衰部２２２は、隣接する４つの画素２００の角の領域に配置されていた。これに対し、本技術の第３の実施の形態の入射光減衰部は、画素２００の辺において隣接する領域にさらに配置される点で、第１の実施の形態と異なる。

［撮像素子の構成］
図６は、本技術の第３の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。同図の撮像素子２は、入射光減衰部２２２の代わりに入射光減衰部２２８を備える点で図２において説明した撮像素子２と異なる。

同図の入射光減衰部２２８は、画素２００が隣接する領域に配置される。具体的には、入射光減衰部２２８は、隣接する画素２００における角および辺の近傍に配置される。同図においては、入射光減衰部２２８が撮像素子２の受光面に格子形状に形成されることとなる。これにより、隣接する画素２００における角および辺の近傍の領域からの光の混入を防止することができる。

［画素の構成］
図７は、本技術の第３の実施の形態における画素の構成例を示す図である。同図は、図６に記載されたＢ−Ｂ’線に沿った画素２００の模式断面図である。同図は画素２００同士が辺において隣接する領域を表した図であるため、カラーフィルタ２２６は配置されていない。また、隣接するオンチップレンズ２１１は、端部が連結された形状に構成される。前述の無効領域を縮小させるためである。隣接する画素２００の辺の領域に入射光減衰部２２８を配置することにより、オンチップレンズ２１１の連結部等から光電変換部２４２に混入する光を低減することができる。

なお、同図における一点鎖線は、オンチップレンズ２１１の他の例を表したものである。この例においては、隣接するオンチップレンズ２１１が離隔して配置される。オンチップレンズ２１１の端部における曲率の変動を防止して入射光の集光精度を向上させるためである。このため、画素２００の辺の領域に比較的広い無効領域が形成されることとなる。このような場合には、上述の効果がより顕著なものとなる。

これ以外の撮像装置１の構成は本技術の第１の実施の形態の撮像装置１と同様であるため、説明を省略する。

以上説明したように、本技術の第３の実施の形態によれば、隣接する画素２００における角および辺の近傍に入射光減衰部２２８を形成することにより、光の混入をさらに低減することができる。

最後に、上述した各実施の形態の説明は本技術の一例であり、本技術は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本技術に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタと前記カラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える画素と、
前記被写体と前記カラーフィルタとの間に配置されて前記画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに前記光電変換部に入射する光を減衰させる入射光減衰部と
を具備する撮像素子。
（２）複数の前記画素が配置され、
前記入射光減衰部は、前記複数の画素の境界の近傍に配置される前記（１）に記載の撮像素子。
（３）前記入射光減衰部は、隣接する４つの前記画素の角の領域に配置される前記（２）に記載の撮像素子。
（４）前記入射光減衰部は、隣接する２つの前記画素の辺の領域に配置される前記（２）に記載の撮像素子。
（５）前記画素は、被写体からの光を集光して前記カラーフィルタに入射させるオンチップレンズをさらに備え、
前記入射光減衰部は、前記オンチップレンズと前記カラーフィルタとの間に配置される
前記（１）から（４）のいずれかに記載の撮像素子。
（６）被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタと前記カラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える画素と、
前記被写体と前記カラーフィルタとの間に配置されて前記画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに前記光電変換部に入射する光を減衰させる入射光減衰部と、
前記生成された電荷に応じた信号である画像信号を処理する処理部と
を具備する撮像装置。

１ 撮像装置
２ 撮像素子
３ 垂直駆動部
４ カラム信号処理部
５ 制御部
２００ 画素
２１１ オンチップレンズ
２２１ 平坦化膜
２２２、２２７、２２８ 入射光減衰部
２２３〜２２６ カラーフィルタ
２３０ 配線領域
２３１ 絶縁層
２３２ 配線層
２４１ 半導体基板
２４２ 光電変換部

Claims (6)

1. 被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタと前記カラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える画素と、
   前記被写体と前記カラーフィルタとの間に配置されて前記画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに前記光電変換部に入射する光を減衰させる入射光減衰部と
   を具備する撮像素子。
2. 複数の前記画素が配置され、
   前記入射光減衰部は、前記複数の画素の境界の近傍に配置される請求項１記載の撮像素子。
3. 前記入射光減衰部は、隣接する４つの前記画素の角の領域に配置される請求項２記載の撮像素子。
4. 前記入射光減衰部は、隣接する２つの前記画素の辺の領域に配置される請求項２記載の撮像素子。
5. 前記画素は、被写体からの光を集光して前記カラーフィルタに入射させるオンチップレンズをさらに備え、
   前記入射光減衰部は、前記オンチップレンズと前記カラーフィルタとの間に配置される
   請求項１記載の撮像素子。
6. 被写体からの光のうち所定の波長の光を透過させるカラーフィルタと前記カラーフィルタを透過した光に応じた電荷を生成する光電変換部とを備える画素と、
   前記被写体と前記カラーフィルタとの間に配置されて前記画素に配置されたカラーフィルタを透過せずに前記光電変換部に入射する光を減衰させる入射光減衰部と、
   前記生成された電荷に応じた信号である画像信号を処理する処理部と
   を具備する撮像装置。

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