JP2018180451A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 コントラストを改善した高速応答モードの液晶表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態の液晶表示装置は、第１及び２基板、液晶層を備える。第１基板は、複数の走査線、複数の信号線、第１電極、第２電極、遮光層を備える。第１及び第２電極の一方は画素電極であり、他方は共通電極である。第１電極は、第１方向に延在する複数の枝領域、第２方向に延在するとともに各枝領域を接続する軸領域を含む。隣り合う枝領域の間において第１方向に延びる隙間領域がある。遮光層は、枝領域又は隙間領域と重畳し、第１方向に延びるとともに第２方向に並ぶ複数の第１部分を含む。第１部分は、第１基板において走査線および信号線よりも液晶層に近い位置に配置されている。【選択図】 図５

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。

表示装置の一例として、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）モードの液晶表示装置が知られている。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶層を介して対向する一対の基板のうちの一方に画素電極および共通電極が設けられ、これら電極間に発生する横電界を利用して液晶層の液晶分子の配向を制御する。また、ＩＰＳモードの中で、画素電極および共通電極を異なる層に配置する、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置が実用化されている。この液晶表示装置は、一対の電極間に発生するフリンジ電界を利用して液晶分子の配向を制御する。

一方で、下記の特許文献１には、画素電極および共通電極を異なる層に配置するとともに、液晶層に近い側の電極にスリットを設け、このスリットの幅方向における両側辺の近傍の液晶分子を互いに逆方向に回転させる液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置は、従来広く知られていたＦＦＳモードとは液晶分子の回転の態様が明確に異なる方式であり、従来のＦＦＳモードに比べて応答速度を速めるとともに配向安定性を向上させることができる。以下、この種の液晶表示装置の構成を、高速応答モードと呼ぶ。

特開２０１５−２１５４９３号公報

高速応答モードの液晶表示装置では、液晶層において、電圧を印加しても液晶分子が回転しない領域が多く生じる。これらの領域は、コントラスト低下の一因となり得る。そこで、本開示の一態様における目的は、コントラストを改善した高速応答モードの液晶表示装置を提供することである。

一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間にある液晶層と、を備えている。前記第１基板は、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の信号線と、第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、遮光層と、を備えている。前記第１電極及び前記第２電極のうち、一方は画素電極であり、他方は共通電極である。前記第１電極は、第１方向に延在する複数の枝領域と、前記第１方向に交差する第２方向に延在するとともに前記複数の枝領域を接続する軸領域と、を含む。前記複数の枝領域のうち、隣り合う枝領域の間において、前記第１方向に延びる隙間領域がある。前記遮光層は、前記枝領域または前記隙間領域と重畳し、前記第１方向に延びるとともに前記第２方向に並ぶ複数の第１部分を含む。前記第１部分は、前記第１基板において前記走査線および前記信号線よりも前記液晶層に近い位置に配置されている。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略的な構成を示す斜視図である。 図２は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略的な等価回路を示す図である。 図３は、第１実施形態における副画素の一例を概略的に示す平面図である。 図４は、（Ａ）オフ状態と（Ｂ）オン状態とで図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って輝度を計測した結果を示すグラフである。 図５は、第１実施形態における遮光層の配置例を示す概略的な平面図である。 図６は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略的な断面図である。 図７は、第１遮光層を設ける場合において（Ａ）オフ状態と（Ｂ）オン状態とで輝度を計測した結果を示すグラフである。 図８は、第１実施形態との比較例に係る表示装置の概略的な断面図である。 図９は、視野角をシミュレーションした結果を示すグラフである。 図１０は、第２遮光層の配置位置の一変形例を示す概略的な断面図である。 図１１は、第２遮光層の配置位置の他の変形例を示す概略的な断面図である。 図１２は、変形例の効果について説明するための第２遮光層の平面図である。 図１３は、第２実施形態における第１領域の概略的な平面図である。 図１４は、第２実施形態における遮光層の配置例を示す概略的な平面図である。 図１５は、第３実施形態に係る液晶表示装置の概略的な平面図である。 図１６は、第３実施形態における共通電極の概略的な平面図である。 図１７は、第３実施形態に係る液晶表示装置の概略的な断面図である。 図１８は、第３実施形態における第１遮光層の配置例を示す概略的な平面図である。 図１９は、第４実施形態に係る液晶表示装置の概略的な平面図である。 図２０は、第４実施形態における第１遮光層の配置例を示す概略的な平面図である。 図２１は、第５実施形態に係る液晶表示装置の概略的な平面図である。 図２２は、第５実施形態に適用し得る第１基板の構成を示す概略的な断面図である。 図２３は、第５実施形態に適用し得る第１基板の構成を示す概略的な断面図である。 図２４は、第６実施形態に係る共通電極および画素電極の概略的な平面図である。 図２５は、第６実施形態に係る液晶表示装置の断面の一部を示す図である。 図２６は、第６実施形態において第１基板に適用し得る他の断面図である。

いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
また、本明細書において「αはＡ，Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，ＢおよびＣのいずれかを含む」、「αはＡ，ＢおよびＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

各実施形態においては、液晶表示装置の一例として、透過型の液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、例えば、外光を利用して画像を表示する反射型の液晶表示装置や、透過型と反射型の双方の機能を備えた液晶表示装置などが想定される。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１（以下、表示装置１と呼ぶ）の概略的な構成を示す斜視図である。表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、ウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。

表示装置１は、表示パネル２と、表示パネル２に対向するバックライト３と、表示パネル２を駆動するドライバＩＣ４と、表示パネル２およびバックライト３の動作を制御する制御モジュール５と、表示パネル２およびバックライト３へ制御信号を伝達するフレキシブル回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２とを備えている。

本実施形態において、第１方向Ｄ１は後述する枝領域４０が延出する方向であり、第２方向Ｄ２は後述する軸領域３０が延出する方向であり、第３方向Ｄ３は各方向Ｄ１，Ｄ２と交わる方向である。図１においては、第１方向Ｄ１は、表示パネル２の短辺に沿う方向にも該当する。第２方向Ｄ２は、例えば表示パネル２の長辺に沿う方向にも該当する。図示した例において、各方向Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は互いに垂直に交わるが、各方向Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は他の角度で交わってもよい。

表示パネル２は、互いに対向する第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２と、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に配置された液晶層（後述の液晶層ＬＣ）とを備えている。表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡを有している。表示パネル２は、例えば、表示領域ＤＡにおいて、各方向Ｄ１，Ｄ２にマトリクス状に並ぶ複数の画素ＰＸを備えている。

図２は、表示装置１の概略的な等価回路を示す図である。表示装置１は、第１ドライバＤＲ１と、第２ドライバＤＲ２と、第１ドライバＤＲ１に接続された複数の走査線Ｇ（ゲート線）と、第２ドライバＤＲ２に接続された複数の信号線Ｓ（ソース線）とを備えている。各走査線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並んでいる。各信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並び、各走査線Ｇと交差している。

表示装置１は、複数の副画素領域Ａを有している。副画素領域Ａは、平面視において、各走査線Ｇおよび各信号線Ｓによって区画された領域である。各副画素領域Ａには、副画素ＳＰが形成される。本実施形態においては、１つの画素ＰＸが赤色、緑色、青色をそれぞれ表示する副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢを１つずつ含む場合を想定する。但し、画素ＰＸは、白色を表示する副画素ＳＰなどをさらに含んでもよいし、同一の色に対応する複数の副画素ＳＰを含んでもよい。

各副画素ＳＰは、スイッチング素子ＳＷと、第１電極と、第１電極に対向する第２電極とを備えている。第１電極および第２電極のうち、一方は画素電極ＰＥであり、他方は共通電極ＣＥである。画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料で形成されている。共通電極ＣＥは、複数の副画素ＳＰに亘って形成されている。共通電極ＣＥには共通電位が印加される。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、および画素電極ＰＥと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷを介して信号線Ｓと電気的に接続されている。

第１ドライバＤＲ１は、各走査線Ｇに対して走査信号を供給する。第２ドライバＤＲ２は、各信号線Ｓに対して映像信号を供給する。あるスイッチング素子ＳＷに対応する走査線Ｇに走査信号が供給され、かつこのスイッチング素子ＳＷに接続された信号線Ｓに映像信号が供給されると、この映像信号に応じた画素電位が画素電極ＰＥに印加される。このとき画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。

図３は、副画素ＳＰの一例を概略的に示す平面図である。第２方向Ｄ２に隣り合う２本の走査線Ｇと、第１方向Ｄ１に隣り合う２本の信号線Ｓとで囲われた、上述の副画素領域Ａが形成されている。副画素領域Ａは、第１領域Ａ１と、第２領域Ａ２とを有している。図３においては、第１領域Ａ１にドットの模様を付している。第２領域Ａ２は、副画素領域Ａから第１領域Ａ１を除いた形状である。本実施形態において、第１領域Ａ１は画素電極ＰＥがある領域であり、第２領域Ａ２は画素電極ＰＥがない領域である。

第１領域Ａ１は、軸領域３０と、複数の枝領域４０とを有している。軸領域３０は、第２方向Ｄ２に延びている。各枝領域４０は、第１方向Ｄ１に延びるとともに、第２方向Ｄ２に並んでいる。各枝領域４０の一方の端部は、軸領域３０に接続されている。図３においては各枝領域４０の第２方向Ｄ２における幅が根本から先端まで一定である。但し、各枝領域４０は、先端に向けて先細る形状など、他の形状であってもよい。
各枝領域４０は、第１側辺４１と、第２側辺４２とを有している。図３の例おいては、これら側辺４１，４２がいずれも第１方向Ｄ１と平行であるが、第１方向Ｄ１に対して傾いてもよい。

さらに図３において、第１領域Ａ１は、端部領域５０を有している。端部領域５０は、枝領域４０と同じく軸領域３０に接続され、第１方向Ｄ１に延びている。端部領域５０は、第２方向Ｄ２における幅が枝領域４０よりも大きく、かつ第１方向Ｄ１における長さが枝領域４０よりも小さい。

第２領域Ａ２は、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの枝領域４０の間において、第１方向Ｄ１に延在する隙間領域６０を有している。隙間領域６０は、端部領域５０と端部領域５０に隣り合う枝領域４０との間にも形成されている。

図３の例においては、各枝領域４０が全て同じ形状であり、かつ等ピッチで第２方向Ｄ２に配列されている。同様に、各隙間領域６０が全て同じ形状であり、かつ等ピッチで第２方向Ｄ２に配列されている。但し、各枝領域４０および各隙間領域６０の形状やピッチは全て同じである必要はなく、一部が異なってもよい。

スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１において信号線Ｓに接続され、接続位置Ｐ２において画素電極ＰＥに接続されている。図３の例において、接続位置Ｐ２は、端部領域５０に含まれる。半導体層ＳＣは、図中下側の走査線Ｇと２回交差している。すなわち、ここではスイッチング素子ＳＷがダブルゲート型である場合を例示している。但し、スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇと１回のみ交差するシングルゲート型であってもよい。

後述の図６に示す第１配向膜１６及び第２配向膜２３には、第１方向Ｄ１と平行な配向処理方向ＡＤに沿って配向処理が施されている。これにより、第１配向膜１６及び第２配向膜２３は、液晶分子を配向処理方向ＡＤと平行な初期配向方向に配向する機能を有している。すなわち、本実施形態においては、枝領域４０の延出方向と、液晶分子の初期配向方向とが一致している。

本実施形態における画素電極ＰＥの形状によれば、一般的なＦＦＳモードよりも応答速度の速い高速応答モードを実現することができる。なお、ここにいう応答速度は、例えば、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの間への電圧印加により液晶層ＬＣの光の透過率を所定レベルの間で遷移させる際の速度として定義することができる。以下に、この高速応答モードの原理の概要について説明する。なお、高速応答モードのより詳細な原理は、特開２０１５−２１５４９３号公報などにも開示されている。

本実施形態における液晶分子ＬＭは、誘電率異方性が正（ポジ型）である。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態において、液晶分子ＬＭは、図３において破線の楕円で示すように、その長軸が配向処理方向ＡＤと一致するように初期配向される。

画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥの間に電圧が印加されると、これにより生じる電界の方向に対して長軸が平行となるように液晶分子ＬＭを回転させる力が働く。その結果、枝領域４０の第１側辺４１の近傍においては、液晶分子ＬＭが実線矢印で示す第１回転方向Ｒ１に回転する。また、枝領域４０の第２側辺４２の近傍においては、液晶分子ＬＭが破線矢印で示す第２回転方向Ｒ２に回転する。第１回転方向Ｒ１及び第２回転方向Ｒ２は、互いに異なる方向（反対の回転方向）である。

一方で、第２方向Ｄ２における枝領域４０の中心Ｃ１及び隙間領域６０の中心Ｃ２の近傍においては、第１回転方向Ｒ１に回転する液晶分子ＬＭと第２回転方向Ｒ２に回転する液晶分子ＬＭとが拮抗している。このため、このような領域の液晶分子ＬＭは、初期配向状態に維持され、殆ど回転しない。

このように、高速応答モードにおいては、各側辺４１，４２の近傍において、根本から先端まで液晶分子ＬＭの回転方向が揃う。これにより、電圧印加時における応答速度を速めるとともに、液晶分子ＬＭの回転方向のバラつきを抑えて配向安定性を高めることが可能となる。

図４は、（Ａ）画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥの間に電圧が印加されていないオフ状態と、（Ｂ）画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥの間に電圧が印加されているオン状態とにおいて、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って輝度を計測した結果を示すグラフである。なお、この計測に際しては、図３に示した副画素領域Ａよりも枝領域４０が多い副画素領域をモデルとし、後述の第１遮光層７０が設けられていない場合を想定した。横軸は、任意の基準点（０）からの距離［μｍ］を示している。縦軸は、任意単位の輝度［ａ．ｕ．］である。

オフ状態においては、バックライト３からの光が僅かに透過し、全体として極めて低輝度な一様の輝度分布となる。一方でオン状態においては、上述のように枝領域４０の各側辺４１，４２の近傍では液晶分子ＬＭが回転するので高輝度となり、各中心Ｃ１，Ｃ２の近傍では液晶分子ＬＭが回転しないので低輝度となる。したがって、高輝度領域と低輝度領域が交互に繰り返す輝度分布となる。

高輝度領域では、オフ状態とオン状態のコントラスト比ＣＲ１が十分に高くなる。一方、低輝度領域では、オフ状態とオン状態のコントラスト比ＣＲ２が低くなる。高速応答モードにおいては、このような低いコントラスト比ＣＲ２の領域が副画素領域Ａにおいて多く存在する。したがって、副画素領域Ａの全体のコントラスト比が低くなり、表示品質が低下し得る。一方で、オン状態において、この低輝度領域は副画素領域Ａの輝度向上に実質的に寄与しない。

本実施形態では、副画素領域Ａの適切な位置（低輝度領域）を遮光層により遮光することで、副画素領域Ａのコントラスト比を改善する。以下に、遮光層の配置について説明する。
図５は、本実施形態における遮光層の配置例を示す概略的な平面図である。ここでは、図３と同じく１つの副画素領域Ａ（副画素ＳＰ）に着目しており、遮光層に加え、２本の走査線Ｇと、２本の信号線Ｓと、画素電極ＰＥとを図示している。図５の例では、遮光層として、第１遮光層７０と、第２遮光層８０とが配置されている。

第２遮光層８０は、各走査線Ｇと重畳して第１方向Ｄ１に延在する複数の走査線遮光部分８１と、各信号線Ｓと重畳して第２方向Ｄ２に延在する複数の信号線遮光部分８２とを含む。これら遮光部分８１，８２は、上述のスイッチング素子ＳＷとも重畳する。また、信号線遮光部分８２は、上述の軸領域３０や枝領域４０の先端とも重畳する。但し、軸領域３０の一部や枝領域４０の先端が信号線遮光部分８２と重畳していなくてもよい。各遮光部分８１，８２により形成される開口ＡＰは、画像表示に実質的に寄与する領域である。

第１遮光層７０は、第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並ぶ複数の第１部分７１を含む。各第１部分７１は、枝領域４０の中心Ｃ１および隙間領域６０の中心Ｃ２と重畳している。各第１部分７１は、枝領域４０の第１側辺４１および第２側辺４２の近傍とは重畳していない。他の観点からいえば、中心Ｃ１と重畳する第１部分７１は、第２方向Ｄ２における幅が枝領域４０よりも小さい。また、中心Ｃ２と重畳する第１部分７１は、第２方向Ｄ２における幅が隙間領域６０よりも小さい。枝領域４０と重畳する第１部分７１と、隙間領域６０と重畳する第１部分７１とで第２方向Ｄ２の幅が異なっていてもよい。

一例として、副画素領域Ａの第１方向Ｄ１における幅は２０μｍ、第２方向Ｄ２における幅は６０μｍ、枝領域４０および隙間領域６０の第２方向Ｄ２における幅は３μｍである。この場合においては、例えば、各第１部分７１の第２方向Ｄ２における幅を１μｍ、走査線遮光部分８１の第２方向Ｄ２における幅を２５μｍ、信号線遮光部分８２の第２方向Ｄ２における幅を１０μｍとすることができる。なお、これらの数値は例示にすぎず、各部の幅を限定するものではない。

図５の例においては、各第１部分７１が第１方向Ｄ１に並ぶ３つの副画素領域Ａに亘って延在している。この場合、各第１部分７１は、隣り合う副画素領域Ａの間の信号線Ｓと重畳する。各第１部分７１は、４つ以上の副画素領域Ａに亘って延在してもよい。また、各第１部分７１は、隣り合う信号線Ｓの間でのみ延在し、これら信号線Ｓと重畳しない形状であってもよい。

図６は、表示装置１の概略的な断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、ガラスまたは樹脂で形成された第１基材１０と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、第１配向膜１６とを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、上述の信号線Ｓと、走査線Ｇと、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥと、第１遮光層７０とを備えている。

スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣは、第１基材１０の上に配置されている。第１絶縁層１１は、半導体層ＳＣおよび第１基材１０を覆っている。走査線Ｇは、第１絶縁層１１の上に配置されている。第２絶縁層１２は、走査線Ｇおよび第１絶縁層１１を覆っている。信号線Ｓおよび中継電極ＲＥは、第２絶縁層１２の上に配置されている。信号線Ｓは、図３に示した接続位置Ｐ１において各絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールＨ１を通じて半導体層ＳＣと接触している。中継電極ＲＥは、各絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールＨ２を通じて半導体層ＳＣと接触している。第３絶縁層１３は、信号線Ｓ、中継電極ＲＥ、および第２絶縁層１２を覆っている。第４絶縁層１４は、例えば他の絶縁層１１〜１３，１５よりも厚い有機樹脂層であり、スイッチング素子ＳＷ等で生じる凹凸を平坦化している。

図６の例においては、第４絶縁層１４の上に第１遮光層７０（各第１部分７１）が配置されている。例えば、第１遮光層７０は、絶縁性の樹脂材料で形成されている。第１遮光層７０は、金属層などの導電性を有する層を含んでもよい。共通電極ＣＥは、第４絶縁層１４および第１遮光層７０の上に配置されている。第５絶縁層１５は、共通電極ＣＥおよび第４絶縁層１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第５絶縁層１５の上に配置され、図３に示した接続位置Ｐ２において各絶縁層１３〜１５を貫通するコンタクトホールＨ３を通じて中継電極ＲＥと接触している。第１配向膜１６は、画素電極ＰＥおよび第５絶縁層１５を覆っている。

第２基板ＳＵＢ２は、ガラスまたは樹脂で形成された第２基材２０と、カラーフィルタ層２１と、オーバーコート層２２と、第２配向膜２３とを備えている。さらに、第２基板ＳＵＢ２は、上述の第２遮光層８０を備えている。

図６の例においては、第２基材２０の下に第２遮光層８０が配置されている。カラーフィルタ層２１は、第２遮光層８０および第２基材２０を覆っている。オーバーコート層２２は、カラーフィルタ層２１を覆っている。第２配向膜２３は、オーバーコート層２２を覆っている。第１配向膜１６と第２配向膜２３の間に上述の液晶層ＬＣが配置されている。

このように、図６の例においては、第１遮光層７０が第１基板ＳＵＢ１に配置され、第２遮光層８０が第２基板ＳＵＢ２に配置されている。さらに第１基板ＳＵＢ１においては、スイッチング素子ＳＷを構成する各要素、すなわち走査線Ｇ、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、および中継電極ＲＥのいずれよりも、第１遮光層７０が液晶層ＬＣに近い位置（液晶層ＬＣに近い層）に配置されている。各遮光層７０，８０の配置態様はこれに限られず、例えば後述の図１０および図１１のような種々の態様を採用し得る。

図７は、第１遮光層７０を設ける場合において、図４と同じく（Ａ）オフ状態と、（Ｂ）オン状態とについて副画素領域Ａの輝度を計測した結果を示すグラフである。第１遮光層７０の各第１部分７１により、各枝領域４０の中心近傍と、各隙間領域６０の中心近傍とが遮光されている。したがって、オフ状態およびオン状態のいずれにおいても、第１部分７１の配置位置での輝度が零となる。高輝度領域のコントラスト比ＣＲ１は、図４の場合と同様の値となる。

すなわち、各第１部分７１を設けることで、オフ状態における副画素領域Ａの全体の輝度を大きく低下させるとともに、オン状態における副画素領域Ａの全体の輝度を維持することができる。その結果、オン状態の副画素領域Ａの全体の輝度を実質的に変えず、副画素領域Ａのコントラスト比が向上する。

また、図６の例のように第１遮光層７０の第１部分７１を配置する場合には、以下に説明する好適な効果を得ることができる。
図８は、本実施形態との比較例に係る表示装置の概略的な断面図である。図８（Ａ）の比較例においては、第１遮光層７０の第１部分７１が第２絶縁層１２の上に配置され、第３絶縁層１３で覆われている。図８（Ｂ）の比較例においては、第１部分７１が第２基材２０の下に配置され、カラーフィルタ層２１で覆われている。

上述の通り、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、枝領域４０の各側辺４１，４２の近傍において回転する。いずれの比較例においても、表示装置の正面方向（上述の第３方向Ｄ３）における光Ｌ１は、各側辺４１，４２の近傍において各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を良好に透過する。一方で、図８（Ａ）の比較例では、各第１部分７１と液晶層ＬＣとの間に多くの絶縁層が介在し、さらには第４絶縁層１４が比較的厚いので、各第１部分７１と液晶層ＬＣとの間の距離が大きい。したがって、正面方向に対して傾いて各側辺４１，４２の近傍に向かう光Ｌ２の一部は、第１部分７１にて遮光され得る。同様に、図８（Ｂ）の比較例では、各第１部分７１と液晶層ＬＣとの間にカラーフィルタ層２１およびオーバーコート層２２が介在し、さらにはカラーフィルタ層２１が比較的厚いので、各第１部分７１と液晶層ＬＣとの間の距離が大きい。したがって、正面方向に対して傾いて各側辺４１，４２の近傍を通過した光Ｌ２の一部は、第１部分７１にて遮光され得る。

このように、これらの比較例においては、表示装置の視野角依存性が大きい。これに対し、図６の例においては、各第１部分７１と液晶層ＬＣとの間の距離が小さい。したがって、正面方向に対して傾いて各側辺４１，４２の近傍を通過する光Ｌ２は、各第１部分７１で遮られることなく良好に各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を透過することが可能となる。これにより、表示装置１の視野角依存性が改善する。

図９は、図８（Ｂ）のように第１部分７１を設ける場合（ケース１）と、図６のように第１部分７１を設ける場合（ケース２）とにおいて、視野角をシミュレーションした結果を示すグラフである。横軸は視野角［ｄｅｇ］であり、縦軸は任意単位の輝度［ａ．ｕ．］である。ケース１においては、視野角が０から正方向または負方向に大きくなると、輝度が急勾配で低下している。一方、ケース２においては、視野角が０から正方向または負方向に増加しても、ケース１に比べて輝度の低下が緩やかである。この結果から、図６のように第１部分７１を設けることで、視野角依存性を改善できることが分かる。

なお、各第１部分７１の配置位置は、図６の例に限られない。例えば、各第１部分７１は、共通電極ＣＥと第５絶縁層１５の間、第５絶縁層１５と画素電極ＰＥの間、画素電極ＰＥと第１配向膜１６の間などに配置することもできる。

第２遮光層８０の配置位置についても種々の態様に変形できる。図１０は、第２遮光層８０の配置位置の一変形例を示す概略的な断面図である。この変形例においては、第２遮光層８０が第１基板ＳＵＢ１に配置されている。さらに、カラーフィルタ層２１も第１基板ＳＵＢ１に配置されている。具体的には、第２遮光層８０は、第４絶縁層１４の上に配置され、共通電極ＣＥおよび第５絶縁層１５で覆われている。カラーフィルタ層２１は、第３絶縁層１３の上に配置され、第４絶縁層１４で覆われている。但し、第２遮光層８０およびカラーフィルタ層２１は、第１基板ＳＵＢ１における他の層に配置されてもよい。

図１１は、第２遮光層８０の配置位置の他の変形例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、第２遮光層８０の走査線遮光部分８１が第１基板ＳＵＢ１に配置され、信号線遮光部分８２が第２基板ＳＵＢ２に配置されている。具体的には、走査線遮光部分８１は、第４絶縁層１４の上に配置され、共通電極ＣＥおよび第５絶縁層１５で覆われている。信号線遮光部分８２は、第２基材２０の下面に配置され、カラーフィルタ層２１で覆われている。但し、走査線遮光部分８１は、第１基板ＳＵＢ１における他の層に配置されてもよい。

このように第２遮光層８０の各部分８１，８２を異なる基板に配置する場合の効果につき、図１２を用いて説明する。第２遮光層８０の各部分８１，８２双方を第１基板ＳＵＢ１または第２基板ＳＵＢ２に設けた場合、製造プロセスの精度の限界により、これら各部分８１，８２の交差領域のコーナーＣＮを垂直に形成することが困難である。その結果、図示したように、設計上は開口ＡＰとなるべきコーナーＣＮの近傍に第２遮光層８０が形成され、開口率が低下し得る。
一方で、図１１に示したように第２遮光層８０の各部分８１，８２を異なる基板に配置する場合、各部分８１，８２はそれぞれの基板において直線状に形成すればよい。したがって、各部分８１，８２の交差領域のコーナーＣＮを設計通りに形成することができ、開口率の低下が生じない。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。本実施形態においては、第１領域Ａ１（画素電極ＰＥ）の形状の他の例を開示する。特に言及しない構成及び効果については、第１実施形態と同様である。
図１３は、本実施形態における第１領域Ａ１（画素電極ＰＥ）の形状を示す概略的な平面図である。第１領域Ａ１は、軸領域３０と、複数の第１枝領域４０Ａと、複数の第２枝領域４０Ｂと、端部領域５０とを有している。

軸領域３０は、第１側辺３１と、第２側辺３２とを有している。各第１枝領域４０Ａは、第１方向Ｄ１に延びるとともに、第２方向Ｄ２に並んでいる。各第１枝領域４０Ａの一方の端部は、軸領域３０の第１側辺３１に接続されている。各第２枝領域４０Ｂは、第１方向Ｄ１に延びるとともに、第２方向Ｄ２に並んでいる。各第２枝領域４０Ｂの一方の端部は、軸領域３０の第２側辺３２に接続されている。

図１３の例において、各第１枝領域４０Ａおよび各第２枝領域４０Ｂは、先端に向けて先細る形状である。各第１枝領域４０Ａおよび各第２枝領域４０Ｂは、根本から先端に亘って幅が一定であるなど、他の形状であってもよい。
端部領域５０は、軸領域３０の一方の端部に接続されている。各第１枝領域４０Ａの間には、第１隙間領域６０Ａが形成されている。各第２枝領域４０Ｂの間には、第２隙間領域６０Ｂが形成されている。

図１３の例において、各第１枝領域４０Ａの第２方向Ｄ２における中心Ｃ１Ａと、各第２枝領域４０Ｂの第２方向Ｄ２における中心Ｃ１Ｂとは、同一直線上にある。また、各第１隙間領域６０Ａの第２方向Ｄ２における中心Ｃ２Ａと、各第２隙間領域６０Ｂの第２方向Ｄ２における中心Ｃ２Ｂとは、同一直線上にある。但し、中心Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂが第２方向Ｄ２においてずれていてもよい。同様に、中心Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂが第２方向Ｄ２においてずれていてもよい。

第１枝領域４０Ａは、第１側辺４１Ａと、第２側辺４２Ａとを有している。第２枝領域４０Ｂは、第１側辺４１Ｂと、第２側辺４２Ｂとを有している。画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥの間に電圧が印加されると、第１側辺４１Ａの近傍の液晶分子ＬＭ、および、第２側辺４２Ｂの近傍の液晶分子ＬＭは、第１回転方向Ｒ１に回転する。また、第１側辺４１Ｂの近傍の液晶分子ＬＭ、および、第２側辺４２Ａの近傍の液晶分子ＬＭは、第２回転方向Ｒ２に回転する。一方で、中心Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂ，Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂの近傍においては、液晶分子ＬＭが初期配向状態に維持され、殆ど回転しない。したがって、副画素領域Ａの輝度分布は、各側辺４１Ａ，４２Ａ，４１Ｂ，４２Ｂの近傍においては高輝度となり、各中心Ｃ１Ａ，Ｃ２Ａ，Ｃ１Ｂ，Ｃ２Ｂの近傍においては低輝度となる。

図１４は、本実施形態における遮光層の配置例を示す概略的な平面図である。本実施形態においては、第１遮光層７０および第２遮光層８０に加え、第３遮光層９０が設けられている。第３遮光層９０は、軸領域３０と重畳しており、第２方向Ｄ２に延在している。第２遮光層８０と第３遮光層９０とにより、副画素領域Ａには、第１開口ＡＰ１と第２開口ＡＰ２とが形成されている。第１開口ＡＰ１は第１枝領域４０Ａおよび第１隙間領域６０Ａを含み、第２開口ＡＰ２は第２枝領域４０Ｂおよび第２隙間領域６０Ｂを含む。

第１遮光層７０の各第１部分７１は、各枝領域４０Ａ，４０Ｂの中心Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂおよび各隙間領域６０Ａ，６０Ｂの中心Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂと重畳している。各第１部分７１の配置態様および形状等は、第１実施形態と同様である。

第３遮光層９０の第１方向Ｄ１における幅は、第１部分７１の第２方向Ｄ２における幅よりも大きく、かつ走査線遮光部分８１の第２方向Ｄ２における幅よりも小さい。第３遮光層９０は、例えば第２遮光層８０とともに第２基板ＳＵＢ２に配置することができる。この場合において、第２遮光層８０および第３遮光層９０が同層に配置されてもよい。また、第３遮光層９０は、第１遮光層７０とともに第１基板ＳＵＢ１に配置することもできる。この場合において、第１遮光層７０および第３遮光層９０が同層に配置されてもよい。
本実施形態における形状の第１領域Ａ１（画素電極ＰＥ）であっても、図１４に示すように各部を遮光することで、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。本実施形態においては、タッチセンサの機能を有した表示装置１を開示する。特に言及しない構成及び効果については、上述の各実施形態と同様である。
図１５は、本実施形態に係る表示装置１の概略的な平面図であり、主にタッチセンサに関連する構成を示している。表示装置１は、上述の各実施形態にて開示した構成に加え、複数の検出電極ＲＸと、フレキシブル回路基板ＦＰＣ３と、検出回路ＲＣとを備えている。さらに、表示装置１は、複数の共通電極ＣＥを備えている。

各検出電極ＲＸは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並んでいる。各共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並んでいる。各検出電極ＲＸは、表示領域ＤＡの周囲の周辺領域ＳＡに配置されたリード線ＬＤを介してフレキシブル回路基板ＦＰＣ３に接続されている。図１５の例において、検出回路ＲＣは、フレキシブル回路基板ＦＰＣ３に実装されている。但し、検出回路ＲＣは、例えばドライバＩＣ４に内蔵するなど、他の態様にて設けてもよい。

本実施形態において、各共通電極ＣＥは、画像表示のための電極として機能するとともに、表示領域ＤＡに接触または近接するユーザの指などの導電体を検出するための電極として機能する。

導電体の検出に際して、各共通電極ＣＥには、所定の波形の駆動信号が供給される。互いに対向する共通電極ＣＥと検出電極ＲＸの間には、容量が形成されている。この容量を介して、駆動信号に対応する波形の検出信号が検出電極ＲＸから出力される。導電体が表示領域ＤＡに接触または近接していると、検出信号の波形が変化する。検出回路ＲＣは、このような検出信号の波形に基づいて、表示領域ＤＡに接触または近接する導電体の有無やその位置を検出する。以上の検出方式は、相互容量検出方式などと呼ばれる。

なお、表示装置１に適用し得る検出方式は相互容量検出方式に限られず、自己容量検出方式であってもよい。当該方式においては、例えば共通電極ＣＥに駆動信号が供給されるとともに検出信号が読み出される。

図１６は、本実施形態における共通電極ＣＥの概略的な構成を示す平面図である。各共通電極ＣＥは、第２方向Ｄ２に並ぶ複数の構成電極ＳＥを含む。各構成電極ＳＥは、例えば第１方向Ｄ１に並ぶ複数の副画素ＳＰに亘って延びている。第２方向Ｄ２においては、各構成電極ＳＥは、複数の副画素ＳＰに亘って延びてもよいし、１つの副画素ＳＰにのみ対応してもよい。１つの共通電極ＣＥを構成する複数の構成電極ＳＥは、複数の金属配線ＭＬによって電気的に接続されている。金属配線ＭＬは、例えば信号線Ｓと重畳するとともに、信号線Ｓに沿って延びている。各構成電極ＳＥをＩＴＯなどの透明導電材料より低抵抗な金属配線ＭＬで接続することにより、共通電極ＣＥ全体を低抵抗化することができる。
なお、各共通電極ＣＥは、複数の構成電極ＳＥで構成されるのではなく、表示領域ＤＡの第２方向Ｄ２における両端部の間で連続して延びる帯状であってもよい。

隣り合う共通電極ＣＥの間には、スリットＳＬ１が形成されている。スリットＳＬ１は、一方の共通電極ＣＥに含まれる構成電極ＳＥと、他方の共通電極ＣＥに含まれる構成電極ＳＥとの間の隙間に相当する。また、共通電極ＣＥにおいて、ダミースリットＤＳＬが形成されてもよい。ダミースリットＤＳＬは、一つの共通電極ＣＥにおいて第１方向Ｄ１に隣り合う構成電極ＳＥの間の隙間に相当する。図１６の例においては、ダミースリットＤＳＬを介して隣り合う最上段の２つの構成電極ＳＥが、接続部ＣＰを介して電気的に接続されている。これにより、ダミースリットＤＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥは、互いに同電位となる。なお、接続部ＣＰの配置態様は図１６の例に限られない。

図１７は、本実施形態に係る表示装置１の概略的な断面図である。検出電極ＲＸは、第２基板ＳＵＢ２の第２基材２０の上に配置されている。金属配線ＭＬは、共通電極ＣＥ（構成電極ＳＥ）の上に配置されている。金属配線ＭＬは、共通電極ＣＥ（構成電極ＳＥ）の下に配置されてもよい。

本実施形態においては、金属配線ＭＬを第１遮光層７０として利用する。以下に、図１８の平面図を用いてこの第１遮光層７０の配置例を説明する。
図１８においては、金属配線ＭＬである第１遮光層７０に加え、２本の走査線Ｇと、４本の信号線Ｓと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥ（構成電極ＳＥ）とを図示している。第１遮光層７０は、第１部分７１と、第２部分７２と、第３部分７３とを備えている。なお、第１遮光層７０は、第３部分７３を備えなくてもよい。

図示した画素電極ＰＥ（第１領域Ａ１）は、図３の例と同様の形状を有している。但し、画素電極ＰＥの形状はこれに限られず、図１３に示した形状やその他の形状も適用し得る。各第１部分７１は、図５の例と同じく、各枝領域４０および各隙間領域６０と重畳している。第２部分７２は、信号線Ｓと重畳するとともに、信号線Ｓに沿って延びている。スリットＳＬ１（あるいはダミースリットＤＳＬ）を介さずに隣り合う第２部分７２の間においては、各第１部分７１がこれら第２部分７２の双方に接続されている。但し、各第１部分７１が一方の第２部分７２にのみ接続されてもよい。スリットＳＬ１（あるいはダミースリットＤＳＬ）を介して隣り合う第２部分７２の間においては、これら第２部分７２からそれぞれ複数の第１部分７１が延出している。さらに、一方の第２部分７２から延出した第１部分７１の先端と、他方の第２部分７２から延出した第１部分７１の先端との間に、隙間が存在する。

例えば、第２部分７２の第１方向Ｄ１における幅は、第１部分７１の第２方向Ｄ２における幅よりも大きく、かつ信号線Ｓの第１方向Ｄ１における幅よりも小さい。但し、第１部分７１、第２部分７２、および信号線Ｓの幅はこの関係に限定されない。

第３部分７３は、第１方向Ｄ１において隣り合う構成電極ＳＥの間のスリットＳＬ１の一部と重畳している。但し、第３部分７３は、第１方向Ｄ１において隣り合う構成電極ＳＥの双方には接していない。第３部分７３は、各第１部分７１に接続されている。なお、図１８の例ではスリットＳＬ１に配置された第３部分７３を示したが、上述のダミースリットＤＳＬにも同様に第３部分７３が配置されてもよい。
なお、図１８には図示していないが、第２部分７２および第３部分７３は、上述の第２遮光層８０の信号線遮光部分８２と重畳している。

以上の構成であっても、上述の各実施形態と同様に、副画素領域Ａのうちオン状態とオフ状態のコントラスト比が低い位置を遮光し、全体のコントラスト比を向上させることができる。
さらに本実施形態では、第１遮光層７０として金属配線ＭＬを利用したため、第１遮光層７０を別途に形成する必要がない。

スリットＳＬ１やダミースリットＤＳＬが形成された位置においては、液晶層ＬＣに印加される電界の強度や分布が他の位置と異なる。その結果、スリットＳＬ１やダミースリットＤＳＬが形成された位置において液晶分子の配向が乱れ、表示品位を低下させ得る。本実施形態のように、導電体である第３部分７３をスリットＳＬ１やダミースリットＤＳＬに配置した場合には、このような影響を抑制することができる。

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。本実施形態においては、タッチセンサの機能を有した表示装置１の他の例を開示する。特に言及しない構成及び効果については、上述の各実施形態と同様である。
図１９は、本実施形態に係る表示装置１の概略的な平面図であり、主にタッチセンサに関連する構成を示している。本実施形態においては、複数の検出電極ＲＸが第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並び、複数の共通電極ＣＥが第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並んでいる。

本実施形態においても第３実施形態と同様に、金属配線ＭＬを第１遮光層７０として利用する。
図２０は、本実施形態における第１遮光層７０の配置例を示す概略的な平面図である。この図においては、金属配線ＭＬである第１遮光層７０に加え、２本の走査線Ｇと、３本の信号線Ｓと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとを図示している。第１遮光層７０は、第１部分７１と、第２部分７２と、第４部分７４とを備えている。画素電極ＰＥ（第１領域Ａ１）の形状は、図１８の例と同様である。但し、画素電極ＰＥの形状はこれに限られず、図１３に示した形状やその他の形状も適用し得る。

各第１部分７１の配置態様も図１８の例と概ね同様であるが、図２０の例では各第１部分７１が第１方向Ｄ１において隣り合う２本の第２部分７２の一方にのみ接続されている。すなわち、第１方向Ｄ１において隣り合う２本の第２部分７２のうち、一方の第２部分７２に接続された各第１部分７１の先端と、他方の第２部分７２との間には、隙間が存在する。但し、図１８の例と同様に、各第１部分７１が隣り合う第２部分７２のそれぞれに接続されてもよい。

各共通電極ＣＥは、例えば表示領域ＤＡの第１方向Ｄ１における両端部の間で連続して延びる帯状である。第２方向Ｄ２において隣り合う共通電極ＣＥの間には、スリットＳＬ２が形成されている。各第２部分７２は、信号線Ｓに沿って延びるが、スリットＳＬ２の位置には設けられていない。

第４部分７４は、走査線Ｇと重畳するとともに、走査線Ｇに沿って延びている。第１方向Ｄ１に並ぶ各第２部分７２は、第４部分７４に接続されている。
各共通電極ＣＥは、第１方向Ｄ１に並ぶ複数の構成電極ＳＥを含んでもよい。この場合においては、第１方向Ｄ１において隣り合う構成電極ＳＥの間にスリットが形成される。このスリットに図１８の例と同様の第３部分７３を配置してもよい。
なお、図２０には図示していないが、第２部分７２は上述の信号線遮光部分８２と重畳し、第４部分７４は上述の走査線遮光部分８１と重畳している。
以上の構成であっても、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。本実施形態においては、タッチセンサの機能を有した表示装置１のさらに他の例を開示する。特に言及しない構成及び効果については、上述の各実施形態と同様である。
図２１は、本実施形態に係る表示装置１の概略的な平面図であり、主にタッチセンサに関連する構成を示している。本実施形態においては、表示領域ＤＡにおいて、複数の共通電極ＣＥが第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２に並んでいる。さらに、各共通電極ＣＥに対して例えば１本ずつ金属配線ＭＬが設けられている。各金属配線ＭＬは、対応する共通電極ＣＥとフレキシブル回路基板ＦＰＣ３とを電気的に接続している。

本実施形態に係る表示装置１は、上述の自己容量検出方式により、表示領域ＤＡに接触または近接する導電体を検出する。すなわち、検出回路ＲＣは、金属配線ＭＬを介して共通電極ＣＥに駆動信号を供給するとともに、金属配線ＭＬを介して各共通電極ＣＥから検出信号を読み出す。駆動信号は、ドライバＩＣ４から各共通電極ＣＥに供給されてもよい。

本実施形態においても、第３および第４実施形態と同様に、金属配線ＭＬを第１遮光層７０として利用する。図２１に示した金属配線ＭＬは、主に第１遮光層７０の第２部分７２に相当するが、第１部分７１も同様に備えている。
このような構成においては、いずれかの共通電極ＣＥに接続された金属配線ＭＬが、この共通電極ＣＥの図中下方に存在する共通電極ＣＥと重畳する。図１７に示したように金属配線ＭＬが共通電極ＣＥの上に配置される場合、金属配線ＭＬは、重畳する各共通電極ＣＥの全てと電気的に接続されてしまう。そこで、本実施形態では、金属配線ＭＬと共通電極ＣＥとの間に絶縁層を介在させる。

図２２および図２３は、本実施形態に適用し得る第１基板ＳＵＢ１の構成を示す図である。これらの図においては、金属配線ＭＬ（第１遮光層７０）の第２部分７２に沿った第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面を示している。
図２２の例において、共通電極ＣＥは、第４絶縁層１４の上に配置され、絶縁層１０１によって覆われている。金属配線ＭＬは、絶縁層１０１の上に配置され、第５絶縁層１５によって覆われている。金属配線ＭＬは、絶縁層１０１に設けられたコンタクトホールＨ１０１を通じて共通電極ＣＥと接触している。

図２３の例において、金属配線ＭＬは、第４絶縁層１４の上に配置され、絶縁層１０２によって覆われている。共通電極ＣＥは、絶縁層１０２の上に配置され、第５絶縁層１５で覆われている。共通電極ＣＥは、絶縁層１０２に設けられたコンタクトホールＨ１０２を通じて共通電極ＣＥと接触している。
図２２および図２３において、コンタクトホールＨ１０１，Ｈ１０２は、走査線Ｇと信号線Ｓとが交差する領域に設けられている。但し、コンタクトホールＨ１０１，Ｈ１０２を設ける位置はこの例に限定されない。

共通電極ＣＥと金属配線ＭＬとが他の導電層を介して接続されてもよい。例えば、共通電極ＣＥと金属配線ＭＬとの間に２層の絶縁層とこれら絶縁層の間の導電層とが配置され、共通電極ＣＥが一方の絶縁層に設けられたコンタクトホールを通じて導電層に接触し、金属配線ＭＬが他方の絶縁層に設けられたコンタクトホールを通じて導電層に接触してもよい。

以上の構成であれば、金属配線ＭＬを対応する共通電極ＣＥとのみ接続することが可能となる。これにより、共通電極ＣＥを用いた自己容量検出方式のタッチセンサを実現できる。
その他、本実施形態からは、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第６実施形態］
第６実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、上述の各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
本実施形態は、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥと液晶層ＬＣとの間に配置されている点で、上述の各実施形態と相違する。以下に説明する構成は、上述の各実施形態に対して適宜に応用することができる。

図２４は、本実施形態に係る共通電極ＣＥおよび画素電極ＰＥの概略的な平面図である。ここでは、主に１つの副画素ＳＰに対応する副画素領域Ａを示している。この図の例において、副画素領域Ａは、図３と同じく第１領域Ａ１および第２領域Ａ２を有している。また、第１領域Ａ１は軸領域３０および複数の枝領域４０を有し、第２領域Ａ２は複数の隙間領域６０を有している。本実施形態において、第１領域Ａ１は共通電極ＣＥがない領域であり、第２領域Ａ２は共通電極ＣＥがある領域である。すなわち、第１領域Ａ１は、軸領域３０および複数の枝領域４０を有するスリット（開口）である。換言すると、共通電極ＣＥは、当該スリットを有している。第１領域Ａ１の形状は、図示したものに限られず、図１３に示した形状など他の形状を適用することもできる。画素電極ＰＥは、例えば破線枠で示した外形を有し、平面視において第１領域Ａ１と重畳している。

図２５は、本実施形態に係る表示装置１の断面の一部を示す図である。この図においては第１基板ＳＵＢ１のみを示し、第２基板ＳＵＢ２および液晶層ＬＣの図示を省略している。画素電極ＰＥは、第４絶縁層１４の上に配置され、第５絶縁層１５で覆われている。共通電極ＣＥは、第５絶縁層１５の上に配置され、第１配向膜１６で覆われている。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３および第４絶縁層１４を貫通するコンタクトホールＨ２０１を通じて中継電極ＲＥと接触している。

第１遮光層７０は、例えば第１実施形態と同じく絶縁性の樹脂材料で形成されている。第１遮光層７０の各第１部分７１は、第４絶縁層１４の上に配置され、画素電極ＰＥで覆われている。各第１部分７１は、例えば画素電極ＰＥの上や第３絶縁層１３の上など、走査線Ｇ、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、および中継電極ＲＥのいずれよりも液晶層ＬＣに近い他の層に配置されてもよい。各第１部分７１は、例えば図５の例と同様に、枝領域４０および隙間領域６０と平面視において重畳している。なお、第１遮光層７０の各第１部分７１は、導電性の金属材料を含んでいてもよい。

図２６は、第１基板ＳＵＢ１に適用し得る他の断面図である。この図は、第３および第４実施形態と同じく、金属配線ＭＬを第１遮光層７０として利用する場合の構成に相当する。すなわち、第１部分７１および第２部分７２としての金属配線ＭＬが、第５絶縁層１５の上に配置され、共通電極ＣＥで覆われている。

金属配線ＭＬは、上述の第３部分７３や第４部分７４としても利用できる。金属配線ＭＬは、共通電極ＣＥの上に配置されてもよい。また、図２２または図２３の例と同様に、金属配線ＭＬと共通電極ＣＥとの間に絶縁層が介在してもよい。金属配線ＭＬは共通電極ＣＥと同じ電位であるため、軸領域３０や枝領域４０に延在すると、液晶層ＬＣに作用する電界の分布に影響し得る。そこで、図２６においては、共通電極ＣＥが存在する隙間領域６０にのみ第１部分７１を配置し、共通電極ＣＥが存在しない枝領域４０には第１部分７１を配置していない。このような場合であっても、隙間領域６０の中心に生じるコントラスト比が低い領域を遮光できるので、副画素領域Ａの全体のコントラスト比を向上させることができる。
各隙間領域６０と重畳する各第１部分７１や、第２部分７２、第３部分７３、および第４部分７４には、例えば図１８または図２０に開示した配置態様を適用できる。

本実施形態の構成であっても、高速応答モードの表示装置１を実現可能である。さらに、第１遮光層７０を配置することで、表示装置１のコントラストを改善することができる。

以上の第１ないし第６実施形態においては、液晶層ＬＣの液晶分子の誘電率異方性が正である場合に採用し得る構成を例示した。しかしながら、誘電率異方性が負（ネガ型）である液晶分子により液晶層ＬＣを構成することもできる。この場合においては、配向処理方向ＡＤ（液晶分子の初期配向方向）を枝領域４０の延在方向（第１方向Ｄ１）に直交する方向（第２方向Ｄ２）とすればよい。

本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１…液晶表示装置、２…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＬＭ…液晶分子、ＡＤ…配向処理方向、Ｇ…走査線、Ｓ…信号線、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＳＣ…半導体層、Ａ…副画素領域、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、３０…軸領域、４０…枝領域、５０…端部領域、６０…隙間領域、７０…第１遮光層、７１〜７４…第１〜第４部分、８０…第２遮光層、８１…走査線遮光部分、８２…信号線遮光部分、９０…第３遮光層、ＲＸ…検出電極、ＲＣ…検出回路、ＳＥ…構成電極、ＭＬ…金属配線。

Claims (12)

1. 第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間にある液晶層と、を備え、
   前記第１基板は、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の信号線と、第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、遮光層と、を備え、
   前記第１電極及び前記第２電極のうち、一方は画素電極であり、他方は共通電極であり、
   前記第１電極は、第１方向に延在する複数の枝領域と、前記第１方向に交差する第２方向に延在するとともに前記複数の枝領域を接続する軸領域と、を含み、
   前記複数の枝領域のうち、隣り合う枝領域の間において、前記第１方向に延びる隙間領域があり、
   前記遮光層は、前記枝領域または前記隙間領域と重畳し、前記第１方向に延びるとともに前記第２方向に並ぶ複数の第１部分を含み、
   前記第１部分は、前記第１基板において前記走査線および前記信号線よりも前記液晶層に近い位置に配置されている、
   液晶表示装置。
2. 前記第１電極及び前記第２電極の材料は、透明導電材料である、
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 平面視において、前記第１部分は、前記第１方向に並ぶ複数の前記枝領域に延在している、
   請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記遮光層は、前記信号線に沿って延びる第２部分をさらに含む、
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記複数の第１部分と前記第２部分とが接続されている、
   請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記信号線の延在方向に延びるとともに前記走査線の延在方向に並ぶ複数の前記共通電極を備え、
   隣り合う前記共通電極の間には、スリットが設けられ、
   前記遮光層は、前記スリットの一部と重畳する第３部分をさらに含み、
   前記複数の第１部分と前記第３部分とが接続されている、
   請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記走査線の延在方向に延びるとともに前記信号線の延在方向に並ぶ複数の前記共通電極を備え、
   前記遮光層は、前記走査線に沿って延びる第４部分をさらに含む、
   請求項４または５に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２部分と前記第４部分とが接続されている、
   請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記遮光層は、金属層であり、前記共通電極と電気的に接続されている、
   請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
10. 前記第１基板は、前記遮光層と前記共通電極との間に配置された絶縁層をさらに備え、
    前記遮光層と前記共通電極とは、前記絶縁層を介して対向している、
    請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記共通電極から出力される信号に基づいて、導電体の接触または近接を検出する検出回路をさらに備える、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１基板は、カラーフィルタをさらに備え、
    前記遮光層は、樹脂材料で形成され、前記カラーフィルタよりも前記液晶層に近い位置に配置されている、
    請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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