JP2018174262A - 光電変換素子の電極製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の光照射による焼成の際に、焼損が発生することを抑制可能な、光電変換素子の電極製造方法を提供する。【解決手段】本発明による光電変換素子の電極製造方法は、少なくとも一方の表面上の異なる位置に、導電性材料を５０質量％以上含有する第一層と、導電性材料の含有比率が５０質量％未満である第二層とを有する積層体に対して光照射して第一層及び第二層を焼成するにあたり、第一層の直上又は上方に、減光マスクを配置して、積層体に対して光照射する焼成工程を含む。【選択図】なし

Description

本発明は、光電変換素子の電極製造方法に関するものである。

近年、光エネルギーを電力に変換する光電変換素子として、太陽電池が注目されている。太陽電池は、電子や正孔の移動に寄与する層が基材上に形成された光電極及び対向電極により挟まれて成る。例えば、太陽電池の一つである色素増感型太陽電池では、通常、光電極基材上に、増感色素を吸着させた半導体層を備えて成る光電極と、電解質層と、対向電極基材上に、触媒層を備えて成る対向電極とがこの順に並んでなる構造を有する。さらに、光電極は、光電極基材と、半導体層との間に導電膜をそれぞれ備えうる。

電極の製造にあたり、任意で導電膜等を有し得る基材上に、導電性金属を含んでなる配線を形成するための組成物、及び、半導体層又は触媒層を形成するための組成物を塗布して塗膜を形成し、かかる塗膜に対して光照射する等してエネルギーを与えて焼成する操作を行うことがある。ここで、半導体層や触媒層を形成するための組成物と、基材、導電膜、及び配線等の他の構成部とでは特性が異なる。このため、塗膜を焼成するために充分な条件で光照射した場合に、他の構成部に焼損が生じる場合がある。

従来、樹脂フィルム基材を含む支持体上に形成した半導体層を、樹脂フィルム基材が変形する程度に高いエネルギーを与えて焼成する処理を実施可能な半導体層の製造方法が提案されてきた（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の方法では、基材上に形成された半導体層を電磁波照射により加熱する際に、基材を冷却する工程を行うことで、樹脂フィルム等でありうる基材が変形等して焼損することを効果的に抑制しつつ、半導体層を焼成することができる。

特開２０１２−１６０３９４号公報

ここで、特許文献１に記載されたような、支持体側を冷却することによっては、配線等の、焼成対象以外の他の部材に生じうる焼損を十分に抑制することができない虞があった。

そこで、本発明は、焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の光照射による焼成の際に、焼損が発生することを抑制することが可能な、光電変換素子の電極製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。そして、本発明者は、導電性金属の含有比率が、焼成容易性に影響することに着目して、本願発明を完成させた。

この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明の光電変換素子の電極製造方法は、少なくとも一方の表面上の異なる位置に、導電性材料を５０質量％以上含有する第一層と、導電性材料の含有比率が５０質量％未満である第二層とを有する積層体に対して光照射して前記第一層及び前記第二層を焼成するにあたり、前記第一層の直上又は上方に、減光マスクを配置して、前記積層体に対して光照射する焼成工程を含む、ことを特徴とする。
焼成工程にて、第一層の直上又は上方に、減光マスクを配置して、該マスクを介して積層体に対して光照射すれば、焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の焼成の際に、焼損が発生することを抑制することができる。

また、本発明に係る光電変換素子の電極製造方法において、前記焼成工程にて、前記減光マスクを有する光透過性の支持体を介して、前記積層体に対して光照射することを含むことが好ましい。焼成工程にて、減光マスクを有する光透過性の支持体を介して光照射することで、効果的に第二層の焼成を促進することができる。

また、本発明に係る光電変換素子の電極製造方法において、前記減光マスクを有する前記支持体の波長１μｍにおける光透過率が６５％以下であることが好ましい。減光マスクの波長１μｍにおける光透過率が６５％以下であれば、第一層にて焼損が発生することを一層良好に抑制することができる。
なお、光透過率は、本明細書の実施例に記載の方法により測定することができる。

また、本発明に係る光電変換素子の電極製造方法において、受光面における、前記減光マスクの輪郭と、前記第一層の輪郭との間の最短距離が、１００μｍ以上であることが好ましい。受光面における、減光マスクの輪郭と第一層の輪郭との間の最短距離が１００μｍ以上であれば、第一層にて焼損が発生することを一層良好に抑制することができる。

また、本発明に係る光電変換素子の電極製造方法において、前記焼成工程における照射光が、０．２μｍ以上２．７μｍ以下の波長範囲に、少なくとも一つの放射エネルギー極大を有することが好ましい。焼成工程において、積層体に対してかかる照射光を照射することで、積層体の焼成を促進することができる。

本発明によれば、焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の光照射による焼成の際に、焼損が発生することを抑制可能な、光電変換素子の電極製造方法を提供することが可能となる。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明の光電変換素子の電極製造方法は、少なくとも一方が焼成対象である、焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の焼成が必要とされうるあらゆるケースにおいて好適に実施することができる。特に、本発明の光電変換素子の電極製造方法は、色素増感型太陽電池、有機薄膜太陽電池、及びペロブスカイト太陽電池等の太陽電池の電極を形成する際に好適に用いることができる。

まず、本発明の光電変換素子の電極製造方法に従って作製されうる電極を備える光電変換素子の一例としての色素増感型太陽電池の概略構成について説明する。色素増感型太陽電池としては、特に限定されることなく、多孔質半導体層を含む光電極を備える光電極基材と、触媒層を含む対向電極を備える対向電極基材とが、電解質層を介して、多孔質半導体層側と触媒層側とが対向するように配置されてなる一般的な構造の色素増感型太陽電池が挙げられる。更に、色素増感型太陽電池は、基材と、多孔質半導体層との間、及び、触媒層と対向電極基材との間に導電膜をそれぞれ備えうる。光電極は、多孔質半導体層と光電極側導電膜とを含んでなる。また、対向電極は、触媒層と対向電極側導電膜とを含んでなる。さらに、光電極側導電膜及び対向電極側導電膜は、配線によって接続され、多孔質半導体層中に吸着された色素が光により励起されて電子を放出すると、光電極側から配線を通じて対向電極側へと到達し、更に電解質層を通じて光電極へと戻る電子の流れが生じる。このようにして、色素増感型太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する。

光電極基材は、金属、金属酸化物、炭素材料、導電性高分子などを用いて形成された導電性のシートや、樹脂、ガラス、及びシリコンからなる非導電性のシートでありうる。中でも、基材としては、透明樹脂が用いられることが多い。透明樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡｒ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、透明ポリイミド（ＰＩ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）等の合成樹脂が挙げられる。

多孔質半導体層は、多孔質状の半導体層である。多孔質半導体層は、後述する配線に含まれうる導電性材料の含有比率が５０質量％未満である。多孔質半導体層を形成する多孔質材料としては、特に限定されることなく、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステン等の各種金属酸化物半導体、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム等の各種複合金属酸化物半導体、酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マンガン等の遷移金属酸化物、酸化セリウム、酸化ガドリニウム、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム等のランタノイド酸化物、及びシリカに代表される天然または合成の珪酸化合物等を挙げることができる。これらの材料は単独で用いられてもよく、複数組み合わせて使用されてもよい。さらに、多孔質半導体層の厚みは、特に限定されないが、通常、０．１〜２５０μｍである。

多孔質半導体層に吸着させる色素は、光によって励起されて多孔質半導体層に電子を渡し得る化合物（増感色素）である。かかる増感色素は、特に限定されることなく、金属錯体色素等の、色素増感型太陽電池に使用されうる色素でありうる。

電解質層は、光電極と対向電極とを分離するとともに、電荷移動を効率よく行わせるための層である。電解質層は、通常、支持電解質、酸化還元対（酸化還元反応において可逆的に酸化体および還元体の形で相互に変換しうる一対の化学種）、溶媒等を含有する。

触媒層は、例えば白金層やカーボン層で形成される。特に、カーボン層は、繊維状炭素ナノ構造体を含みうる。ここで、繊維状炭素ナノ構造体は、特に限定されることなく、例えば、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、気相成長炭素繊維などでありうる。これらは、１種単独で、或いは２種以上が混合して配合されうる。中でも、繊維状炭素ナノ構造体は、ＣＮＴを含む繊維状炭素ナノ構造体であることが好ましい。さらに、繊維状炭素ナノ構造体にナノサイズの微小な白金等を常法に従って担持しても良い。触媒効果を向上させることができるからである。

対向電極基材は、対向電極を支持するためのもので、例えば、前記基材と同様の材料で形成される。なお、対向電極基材は、非透光性の材料で形成されてもよい。

光電極側導電膜及び対向電極側導電膜は、金属、金属酸化物、複合金属酸化物、炭素材料、及びこれら２種以上の組み合わせ等からなるものが挙げられる。そして、導電膜は配線に接続されうる。さらに、光電極側導電膜及び対向電極側導電膜の厚みは、特に限定されないが、通常、０．１〜２５０μｍである。

配線としては、電気抵抗率ρが２．０×１０^-5Ωｍ以下の導電性材料を５０質量％以上含有する配線が挙げられる。かかる導電性材料の電気抵抗率ρは、２．×１０^-７Ωｍ以下であることが好ましく、５．０×１０^-8Ωｍ以下であることがより好ましい。導電性材料としては、銅、銀、金、及びアルミ等の高導電性金属が挙げられる。さらに、電極に備えられうる配線の厚みは、特に限定されないが、通常、０．１〜２５０μｍである。

（電極製造方法）
上記のような概略構成を有し得る色素増感型太陽電池の光電極及び対向電極の製造時に用いられうる本発明の電極製造方法について、以下に詳述する。なお、以下の説明では、一例として、上記色素増感型太陽電池の光電極の製造時に、本発明の電極製造方法を適用した場合について説明する。
本発明の電極製造方法は、少なくとも一方の表面上の異なる位置に、導電性材料を５０質量％以上含有する第一層と、導電性材料の含有比率が５０質量％未満である第二層とを有する積層体に対して光照射して第一層及び第二層を焼成するにあたり、第一層の直上又は上方に、減光マスクを配置して、積層体に対して光照射する焼成工程を含む。従って、焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の焼成の際に、焼損の発生を良好に抑制することができる。本発明の電極製造方法によりかかる効果が得られる理由は明らかではないが、以下の通りであると推察される。

すなわち、積層体に含まれうる各層は、それぞれが果たす機能に応じて成分組成が異なる。中でも、第一層である配線の主成分である電気抵抗率ρの値の小さい導電性材料は、焼成時のエネルギーの受容により加熱され易い。焼成対象である他の層と同じエネルギーに曝すと、導電性材料の含有率の高い配線が焼損する虞がある。ここで、本発明ではかかる配線（第一層）の直上又は上方に減光マスクを配置する。このため、配線に到達するエネルギー量を、他の層と比較して少なくすることができる。かかるエネルギー条件下で、焼成工程を実施することで、焼成容易性の観点から、第一層を第二層と略同等の条件で焼成することが可能となり、第一層において焼損が発生することを良好に抑制しつつ、第二層の焼成は促進することができると推察される。さらに、焼成容易性の観点で第一層及び第二層を略同等の条件で焼成し得るため、両層に到達するエネルギー量を最適化することで、第二層の効率的な焼成を一層推進して短時間での焼成完了を実現し得る。

本発明の電極製造方法は、任意の準備工程と、焼成工程とを含む。以下、各工程について説明する。

＜準備工程＞
準備工程では、上述したような光電極基材上に、光電極側導電膜、第一層である配線、及び、第二層である、焼成により多孔質半導体層となりうる多孔質半導体層用焼成前駆膜を形成する。光電極側導電膜は、特に限定されることなく、上述したような金属酸化物や炭素材料を用いて、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、コーティング法、スプレー法等の公知の方法により形成することができる。

このようにして形成した光電極側導電膜の上に、スパッタリングやインクジェット、バーコート、スクリーン印刷などの既知の形成方法を用いて、第一層である配線を形成することができる。さらに、光電極側導電膜の上に、上述した多孔質材料を含む組成物を用いて、塗布又は印刷等の公知の塗膜形成方法に従って塗膜形成して、第二層である、多孔質半導体層用焼成前駆膜を形成することができる。

なお、本例にかかわらず、第一層と第二層とは、積層体の少なくとも一方の表面上の異なる位置にて表面に露出してなる。本例では、光電極基材の一方の表面上の異なる部分に第一層（配線）と第二層（多孔質半導体層用焼成前駆膜）が積層されており、第一層が積層された表面上の部分においては、第一層が積層体の最表面を形成しており、第二層が積層された表面上の部分においては、第二層が積層体の最表面を形成しており、第一層も第二層も積層されていない表面上の部分においては、光電極側導電膜を有する光電極基材が積層体の最表面を形成している。

＜焼成工程＞
焼成工程では、第一層である配線の直上又は上方に、減光マスクを配置して、積層体に対して光照射する。減光マスクは、第一層の直上に、即ち、第一層の受光表面に隣接配置されていてもよいし、第一層の上方に、即ち、第一層の受光表面とは離間して配置されていても良い。このように、減光マスクを配置した状態で焼成工程を実施すれば、第一層において焼損が発生することを効果的に抑制することができる。

そして、減光マスクの波長１μｍにおける光透過率は、６５％以下であることが好ましく、５５％以下であることがより好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。減光マスクの波長１μｍにおける光透過率が上記上限値以下であれば、第一層の焼損を一層良好に抑制することができる。減光マスクの材料としては、入射面より入射した光を減光して入射面の反対側の面である出射面より出射することができる材料である限りにおいて特に限定されることなく、（近赤外域吸収型／反射型）ＮＤ（Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）フィルタなどとして入手可能な市販のフィルタや、クロムやその合金のような吸光性材料；Ｃｏ等の遷移金属イオンを含有する光減衰性材料；及びアルミ、及び金等より選択された一種の金属よりなる金属膜や、これらの金属よりなる膜を複数備える多層反射膜のような光反射性材料が挙げられる。これらの材料は、一種を単独で、或いは複数種を組み合わせて用いることができる。

減光マスクは、シート状、ペースト状等のあらゆる状態でありうる。シート状の減光マスクを使用する場合には、シート状の減光マスクを第一層の受光面における形状に応じた形状に切り抜いた上で、第一層上に直接載置するか、あるいは、支持体上の対応位置に貼付してから、焼成工程における光照射を実施することができる。なお、「受光面」とは、焼成工程にて積層体が光を受光する面を意味する。ペースト状の減光マスクを用いた場合には、焼成工程における光照射に先立って、第一層に対してペースト状の減光マスクを塗布し、焼成工程終了後にふき取る等して除去することができる。また、ペースト状の減光マスクを支持体に対して塗布して、第一層に対応する、支持体上の位置に減光マスクを形成することもできる。支持体上にマスクを配置することで、照射条件の制御の容易性、及び制御方法の汎用性を向上させることができる。なお、マスクは、支持体の光源側表面に配置されていても良いし、光源とは反対側の（即ち、積層体側の）表面に配置されていても良い。中でも、減光マスクは、光透過性の支持体上に配置されることが好ましい。光透過性の支持体上にマスクを配置することで、第一層における焼損の発生を一層良好に抑制することができる。ここで、「光透過性」とは、波長１μｍにおける光透過率が７０％以上であることを意味する。なお、光透過率は、実施例に記載の方法により測定することができる。

上記支持体としては、特に限定されることなく、石英ガラス、合成石英ガラス等のガラス；及び樹脂フィルムが挙げられる。例えば、支持体として用いうるガラスは、SiO₂を主成分とする、即ちSiO₂の含有率が５０質量％以上であることが好ましく、実質的に不純物を含有しない（即ち、SiO₂の含有率が９９．９９質量％以上）ことがより好ましい。

そして、減光マスクの大きさは、受光面における、減光マスクの輪郭と、前記第一層の輪郭との間の最短距離が、１００μｍ以上１５０μｍ以下となるように設定することが好ましい。受光面における、減光マスクの輪郭と、第一層の輪郭との間の最短距離が１００μｍ以上であれば、一層効果的に第一層における焼損の発生を抑制することができる。また、受光面における、減光マスクの輪郭と、第一層の輪郭との間の最短距離が１５０μｍ以下であれば、第二層の焼成を促進することができる。

ここで、焼成工程における照射光は、０．２μｍ以上２．７μｍ以下の波長範囲に、少なくとも一つの放射エネルギー極大を有することが好ましい。かかる特定の波長範囲に少なくとも一つの放射エネルギー極大を有する光を用いることで、積層体の焼成を促進することができる。ここで、かかる照射光は、１）光源の放射エネルギー分布自体を調整することにより、或いは、２）光源から発せられた光をフィルタ等により調光することにより、実現することができる。中でも、簡便性の観点から、上記１）の方法が好ましい。

焼成工程にて使用し得るエネルギー源である光源としては、特に限定されることなく、光電変換素子の電極を製造する際に使用し得る加熱用光源等の一般的な光源を使用することができる。中でも、上記１）に該当する光源としては、赤外線ヒーターが挙げられる。

さらに、焼成工程における光照射時間は、積層体の焼成に必要十分な時間を適宜設定することができる。光照射時間は、例えば、１秒以上１００秒以下でありうる。また、焼成工程を実施する際の雰囲気は、特に限定されることなく、例えば、ＪＩＳ Ｚ ８７０３に従う常温常圧の大気雰囲気でありうる。

かかる焼成工程を経て得られた焼成済積層体は、既知の方法に従って、多孔質半導体層に対して色素を吸着させることで、上述したような色素増感型太陽電池の光電極となりうる。そして、得られた光電極を、既知の方法に従って、上述したような対向電極や電解質層と組み合わせて、色素増感型太陽電池を製造することができる。

以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。実施例、比較例において、減光マスクの光透過率は以下のようにして測定した。また、実施例、比較例において、得られた第一層における焼損の有無は、以下のようにして評価した。

＜減光マスクの光透過率＞
実施例、比較例で用いた減光マスクを、実施例、比較例で用いた支持体の一方の表面全体に適用して、試験体を得た。減光マスクの厚みは、実施例、比較例と同じ厚みとした。得られた試験体に対して、光源（日本分光社製、「紫外可視近赤外分光光度計」）を用いて波長０．２μｍ以上２．７μｍ以下の波長範囲の光を照射して、フィルタを透過した光を測光器（日本分光社製、「紫外可視近赤外分光光度計」）で測定した。フィルタを介さない、光源から出射される光についても、同様に測光器で測定した。そして、これらの測定データから、波長１．０μｍにおける透過率の値を算出した。結果を表１に示す。

＜第一層における焼損の有無＞
実施例、比較例に従う焼成工程を経て得られた第一層を目視観察し、以下の基準に従って評価した。
Ａ：焼損が全く認められない。
Ｂ：第一層の周囲に焼損が認められる。
Ｃ：第一層の受光表面積全体の２０％未満に焼損が認められる。
Ｄ：第一層の受光表面積全体の２０％以上に焼損が認められる。

（実施例１）
＜準備工程＞
光電極基材としてのポリエチレンナフタレートフィルムの一方の表面上に、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ処理して光電極側導電膜を形成した。得られた導電膜付き光電極基材（ＩＴＯ−ＰＥＮフィルム、フィルム厚み：２００μｍ、ＩＴＯ厚み：２００ｎｍ、シート抵抗１５Ω／ｓｑ．）のＩＴＯ面上に、第一層としての配線を形成するための導電性ペーストを、ベーカー式アプリケーターにより、厚み１０μｍで光電極側導電膜上に塗布した。次いで、第二層としての多孔質半導体層用焼成前駆膜を形成するための多孔質材料として酸化チタンを含有する、バインダーフリーの酸化チタンペースト（ペクセル・テクノロジーズ社製、「ＰＥＣＣ−Ｃ０１−０６」）を、第一層としての配線と２００μｍ離間させて、ベーカー式アプリケーターを用いて、塗布厚み１５０μｍとなるように塗布し、塗膜を形成した。塗膜は、光電極側導電膜表面の一部を被覆するような形状及びサイズで形成した。
受光側表面の異なる位置に、酸化チタンペーストの塗膜（第二層）と、導電性ペーストの塗膜（第一層）とを有する積層体を、常温で１０分間乾燥させた。
その後、積層体の受光側表面の上方の、第一層に対応する位置に近赤外域吸収型ＮＤフィルタ（ＯＤ値：０．４）よりなる減光マスクが配置されてなるガラス支持体（石英ガラス製、SiO₂含有率９９．９９％以上、１μｍにおける光透過率７０％以上）を配置した。減光マスクのサイズは、受光面における、減光マスクの輪郭と、導電性ペーストの塗膜（第一層）の輪郭との間の最短距離が、１００μｍとなるサイズとした。上記に従って減光マスクを有する支持体の波長１．０μｍにおける光透過率を測定した。結果を表１に示す。
＜焼成工程＞
光源（日本分光社製、「紫外可視近赤外分光光度計」）を用いて波長範囲０．２μｍ以上２．７μｍ以下の光を照射した（照射条件：色温度２５００Ｋ、ピーク波長１．２μｍ、照射時間１０秒間）。得られた焼成済積層体について、上記に従って焼損の有無を判定した。結果を表１に示す。

（実施例２）
減光マスクのサイズを、受光面における、減光マスクの輪郭と、導電性ペーストの塗膜（第一層）の輪郭との間の最短距離が、０μｍとなるように調節した。すなわち、減光マスクと第一層とを同じ形状及びサイズとした。かかる点以外は実施例１と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例３）
減光マスクの材料を、実施例１及び２とは異なる近赤外域吸収型ＮＤフィルタ（ＯＤ値：０．３）に変更した。かかる点以外は実施例２と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例４）
減光マスクの材料を、反射型ＮＤフィルタ（ＯＤ値：０．４）に変更した。かかる点以外は実施例１と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例５）
減光マスクのサイズを、受光面における、減光マスクの輪郭と、導電性ペーストの塗膜（第一層）の輪郭との間の最短距離が、０μｍとなるように調節した。すなわち、減光マスクと第一層とを同じ形状及びサイズとした。かかる点以外は実施例４と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例４と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例６）
減光マスクの材料を、実施例４及び５とは異なる反射型ＮＤフィルタ（ＯＤ値：０．２）に変更した。かかる点以外は実施例５と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例１）
減光マスクを有さないガラス支持体を、積層体の受光側表面の上方に配置して、実施例１と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例２）
減光マスクもガラス支持体も、積層体の受光側表面の上方に配置することなく、実施例１と同様にして焼成工程を実施して焼成済積層体を得た。さらに、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。

表１中、「ＰＥＮ」はポリエチレンナフタレートを、「ＩＴＯ」はインジウム−スズ酸化物をそれぞれ示す。

表１より、導電性材料である高導電性金属Ａｇの含有比率が５０％超である配線（第一層）と、高導電性金属を含有しない酸化チタンよりなる層（第二層）とを備える積層体を焼成する際に、第一層の直上又は上方に、減光マスクを配置して焼成させた実施例１〜６では、得られる焼成済積層体における焼損の発生が抑制されていたことが分かる。

本発明によれば、本発明は、焼成容易性の異なる少なくとも２種類の層を有する積層体の光照射による焼成の際に、焼損が発生することを抑制可能な、光電変換素子の電極製造方法を提供することができる。

Claims (5)

1. 少なくとも一方の表面上の異なる位置に、導電性材料を５０質量％以上含有する第一層と、導電性材料の含有比率が５０質量％未満である第二層とを有する積層体に対して光照射して前記第一層及び前記第二層を焼成するにあたり、
   前記第一層の直上又は上方に、減光マスクを配置して、前記積層体に対して光照射する焼成工程を含む、
   光電変換素子の電極製造方法。
2. 前記焼成工程にて、前記減光マスクを有する光透過性の支持体を介して、前記積層体に対して光照射することを含む、請求項１に記載の光電変換素子の電極製造方法。
3. 前記減光マスクを有する前記支持体の波長１μｍにおける光透過率が６５％以下である、請求項１又は２に記載の光電変換素子の電極製造方法。
4. 受光面における、前記減光マスクの輪郭と、前記第一層の輪郭との間の最短距離が、１００μｍ以上である、請求項１〜３の何れかに記載の光電変換素子の電極製造方法。
5. 前記焼成工程における照射光が、０．２μｍ以上２．７μｍ以下の波長範囲に、少なくとも一つの放射エネルギー極大を有する、請求項１〜４の何れかに記載の光電変換素子の電極製造方法。