JP2018174069A - 異方導電フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態に係る異方導電フィルムは、第一の接着剤層と、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、第二の接着剤層と、をこの順に備え、上記貫通孔内に配されている導電粒子を有する。この異方導電フィルムは、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルム及び貫通孔内に配されている導電粒子を含み、この絶縁性フィルム及び導電粒子と、異方導電フィルムの両主面との間に接着剤が含まれる領域を有するものであってもよい。以下で説明する異方導電フィルムの一実施形態における第一の接着剤層及び第二の接着剤層の条件は、上記の接着剤が含まれる2つの領域の条件とすることができ、第一の接着剤層及び第二の接着剤層の厚みの条件は、異方導電フィルムの主面と、絶縁性フィルム又は導電粒子との最短距離として読み替えることができる。
(測定条件)
装置:東ソー株式会社製 GPC−8020
検出器:東ソー株式会社製 RI−8020
カラム:日立化成株式会社製 Gelpack GLA160S+GLA150S
試料濃度:120mg/3mL
溶媒:テトラヒドロフラン
注入量:60μL
圧力:2.94×106Pa(30kgf/cm2)
流量:1.00mL/min
上述した絶縁性フィルム20を製造する方法について説明する。図4は、貫通孔を有する絶縁性フィルムの製造工程を示す模式的断面図である。
易接着フィルム30と、易接着フィルム30上に設けられた樹脂層31と、樹脂層31上に設けられた転写樹脂層32とを有する積層体を用意するステップ1(図4の(a))と、
規則的に配列された凸型パターンを有する型40を、積層体の転写樹脂層32側から押しつけるステップ2(図4の(b))と、
転写樹脂層32を硬化させた後、型40を剥離して、易接着フィルム30上に樹脂層31及び貫通孔21を有する絶縁性フィルム20が設けられたエレメントを得るステップ3(図4の(c))と、
を備える。
次に、本発明に係る異方導電フィルムの製造方法の一実施形態について、図5〜図6を参照しながら説明する。
剥離フィルム12と、第一の接着剤層22と、貫通孔21を有する絶縁性フィルム20とがこの順に積層された積層体を用意するステップ1(図5の(a))と、
絶縁性フィルム20の貫通孔21に導電粒子Pを充填するステップ2(図5(b))と、
絶縁性フィルム20の第一の接着剤層22とは反対側の面上に、第二の接着剤層23を積層するステップ3(図6の(a))と、
を備える。
図7は、本発明に係る接続構造体の一実施形態を示す模式的断面図である。同図に示すように、接続構造体1は、互いに対向する第一の回路部材2及び第二の回路部材3と、これらの回路部材2,3を接続する異方導電フィルムの硬化物4とを備えて構成されている。
図8及び図9は、図7に示した接続構造体の製造工程を示す模式的断面図である。接続構造体1の形成にあたっては、まず、剥離フィルム12が剥離された異方導電フィルム11を、実装面7aと対向するようにして第一の接着剤層22を第二の回路部材3上にラミネートする。次に、図9に示すように、バンプ電極6と回路電極8とが対向するように、異方導電フィルム11がラミネートされた第二の回路部材3上に第一の回路部材2を配置する。そして、異方導電フィルム11を加熱しながら第一の回路部材2と第二の回路部材3とを厚み方向に加圧する。
以下に示す方法で接着剤層をそれぞれ形成した。
ジムロート冷却管、塩化カルシウム管、及び攪拌モーターに接続されたポリテトラフルオロエチレン製の攪拌棒を装着した3000mLの3つ口フラスコ中で、4,4’−(9−フルオレニリデン)−ジフェノール45g(シグマアルドリッチジャパン株式会社製)、及び3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル50g(三菱化学株式会社製:YX−4000H)を、N−メチルピロリドン1000mLに溶解して反応液とした。これに炭酸カリウム21gを加え、マントルヒーターで110℃に加熱しながら攪拌した。3時間攪拌後、1000mLのメタノールが入ったビーカーに反応液を滴下し、生成した沈殿物を吸引ろ過することによってろ取した。ろ取した沈殿物を300mLのメタノールで3回洗浄して、フェノキシ樹脂aを75g得た。
(測定条件)
装置:東ソー株式会社製 GPC−8020
検出器:東ソー株式会社製 RI−8020
カラム:日立化成株式会社製 Gelpack GLA160S+GLA150S
試料濃度:120mg/3mL
溶媒:テトラヒドロフラン
注入量:60μL
圧力:2.94×106Pa(30kgf/cm2)
流量:1.00mL/min
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製:jER807)を45質量部、硬化剤として4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを5質量部、フィルム形成材としてビスフェノールA・ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学株式会社製:YP−70)を55質量部、をメチルエチルケトンに溶解、混合し、接着剤ペーストを調製した。
厚みを0.3μmに変更したこと以外は接着剤層1と同様にして、接着剤層3を形成した。
以下に示す方法で絶縁性フィルムをそれぞれ形成した。
ポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業製:BL−10)をメチルエチルケトンに溶解した溶液を、易接着フィルムである厚み100μmの易接着処理済みのPET樹脂フィルム(東洋紡績社製;コスモシャインA4100)上に、コータを用いて塗布し、70℃で5分熱風乾燥することにより、厚み2μmの樹脂層を形成した。
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mm2の密度で有する厚さ2.0μmの絶縁性フィルムBを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mm2の密度で有する厚さ1.5μmの絶縁性フィルムCを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径4.5μmの円形である貫通孔を25000個/mm2の密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムDを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を10000個/mm2の密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムEを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を5000個/mm2の密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムFを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mm2の密度で六方配列した、厚さ1.0μmの絶縁性フィルムGを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mm2の密度で六方配列した、厚さ3.5μmの絶縁性フィルムHを有するエレメントを得た。
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径5.0μmの円形である貫通孔を25000個/mm2の密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムIを有するエレメントを得た。
第一の接着剤層として接着剤層1と、絶縁性フィルムAを有するエレメントとを、ホットロールラミネーターを用いて40℃にて貼り合せた後、絶縁性フィルムAから易接着フィルム及び樹脂層を剥離した。
絶縁性フィルムAを有するエレメントに代えて絶縁性フィルムB〜Fを有するエレメントをそれぞれ用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方導電フィルム2〜6をそれぞれ得た。
接着剤層1に代えて接着剤層3を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方導電フィルム7を得た。
導電粒子を充填した後に絶縁性フィルムAを取り除いたこと以外は実施例1と同様にして、異方導電フィルム8を得た。
絶縁性フィルムAを有するエレメントに代えて絶縁性フィルムG〜Iを有するエレメントをそれぞれ用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方導電フィルム9〜11をそれぞれ得た。
(充填率)
異方導電フィルム1〜11について、50000μm2の範囲の導電粒子数を20か所で実測し、それらの平均値を1mm2あたりの導電粒子数に換算した。この1mm2あたりの導電粒子数MNpと、絶縁性フィルムにおける1mm2あたりの貫通孔数MNHとから、下記式で表される充填率を計算した。
充填率(%)=(MNp/MNH)×100
異方導電フィルム1〜11について、2500μm2の範囲を観察し、導電粒子の総数Ntと、他の導電粒子と離間して存在する導電粒子(単分散状態の導電粒子)の数Nmとを求めた。これらの値から、導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合(単分散率)を下記式から計算した。
単分散率(%)=(Nm/Nt)×100
第一の回路部材として、バンプ電極を二列で千鳥状に配列したICチップ(外形2mm×20mm、厚み0.3mm、バンプ電極の大きさ70μm×15μm、バンプ電極間距離15μm、バンプ電極厚み15μm)を準備した。また、第二の回路部材として、ガラス基板(コーニング社製:#1737、38mm×28mm、厚み0.3mm)の表面にITOの配線パターン(パターン幅20μm、電極間スペース10μm)を形成したものを準備した。
実施例1〜7及び比較例1〜4の各異方導電フィルムを用いて得られた接続構造体において、バンプ電極と回路電極との間の導電粒子の捕捉率、バンプ電極と回路電極との間の接続抵抗、及び隣接する回路電極間の絶縁抵抗を評価した。
異方導電フィルム中の1mm2あたりの導電粒子数MNpと、バンプ電極上の導電粒子数の平均値Nb(200箇所を測定)及びバンプ電極の面積Sとを求め、下記式で表される補足率を計算した。
捕捉率(%)=[(Nb/S)/MNp]×100
接続抵抗の測定は、四端子測定法にて実施し、14箇所の測定の平均値を求めた。測定にはマルチメータ(ETAC社製:MLR21)を用いた。
接続抵抗の評価は、1.0Ωより小さい場合をA判定、1.0Ω以上2.0Ω未満の場合をB判定、2.0Ω以上の場合をC判定、接続不良が発生した場合をD判定とした。
絶縁抵抗は、得られた接続構造体に50Vの電圧を印加し、計1440か所の回路電極間の絶縁抵抗を一括で測定した。
絶縁抵抗の評価は、109Ωより大きい場合をA判定、108Ω以上109Ω未満の場合をB判定、108Ω未満の場合をC判定、短絡が発生した場合をD判定とした。
Claims (11)
- 第一の接着剤層と、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、第二の接着剤層と、をこの順に備え、
前記貫通孔内に配されている導電粒子を有し、
前記絶縁性フィルムの厚みが前記導電粒子の粒径の0.4倍以上1.0倍以下であり、
前記絶縁性フィルムの1mm2あたりの前記貫通孔の数及び前記導電粒子の数をそれぞれMNH及びMNpとしたときに、MNpが0.9MNH以上1.1MNH以下である、異方導電フィルム。 - 前記絶縁性フィルムの1mm2あたりの前記貫通孔の数が5000個以上30000個以下である、請求項1に記載の異方導電フィルム。
- 前記導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合が97%以上である、請求項1又は2に記載の異方導電フィルム。
- 前記導電粒子の平均粒径が2.5μm以上6.0μm以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の異方導電フィルム。
- 前記第一の接着剤層の厚みが0.1μm以上1.0μm以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の異方導電フィルム。
- 第一の電極を有する第一の回路部材と、
前記第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材と、
前記第一の接着剤層側が前記第二の回路部材側に向かう請求項1〜5のいずれか一項に記載の異方導電フィルムの硬化物からなり、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接着するとともに前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する接続部と、を備える、接続構造体。 - 前記第一の電極がバンプ電極であり、前記第二の電極が前記バンプ電極に対応する回路電極である、請求項6に記載の接続構造体。
- 第一の電極を有する第一の回路部材と、
前記第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材と、
前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接着するとともに前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する接続部と、を備え、
前記接続部が、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、前記貫通孔内に配されており、前記第一の電極及び前記第二の電極の間に介在して前記第一の電極及び前記第二の電極を電気的に接続する導電粒子と、を含む、接続構造体。 - 前記第一の電極がバンプ電極であり、前記第二の電極が前記バンプ電極に対応する回路電極である、請求項8に記載の接続構造体。
- 第一の電極を有する第一の回路部材と、前記第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材との間に、請求項1〜5のいずれか一項に記載の異方導電フィルムを前記第一の接着剤層側が前記第二の回路部材側に向かうように介在させ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを熱圧着するステップを有する、接続構造体の製造方法。
- 前記第一の電極がバンプ電極であり、前記第二の電極が前記バンプ電極に対応する回路電極である、請求項10に記載の接続構造体の製造方法。
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