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JP2018170340A - Electronic device packaging tape - Google Patents

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JP2018170340A
JP2018170340A JP2017065128A JP2017065128A JP2018170340A JP 2018170340 A JP2018170340 A JP 2018170340A JP 2017065128 A JP2017065128 A JP 2017065128A JP 2017065128 A JP2017065128 A JP 2017065128A JP 2018170340 A JP2018170340 A JP 2018170340A
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貴徳 土屋
弘光 丸山
Hiromitsu Maruyama
弘光 丸山
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】本発明は、ウエハをダイシングする際に、金属層の切削屑が発生するのを防止することができる電子デバイスパッケージ用テープを提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイスパッケージ用テープ1は、基材フィルム51と粘着剤層52とを有する粘着テープ5と、粘着剤層52の基材フィルム51と反対側に積層して設けられた金属層3と、金属層3を電子デバイスの裏面に接着するための接着剤層4とを有し、金属層3は、電子デバイスに対応する形状に個片化されており、接着剤層4には、個片化された金属層3が所定間隔で複数保持されていることを特徴とする。
【選択図】図1
The present invention provides an electronic device package tape capable of preventing metal chips from being generated when dicing a wafer.
An electronic device packaging tape 1 of the present invention is provided by laminating an adhesive tape 5 having a base film 51 and an adhesive layer 52 on the opposite side of the adhesive film 52 from the base film 51. The metal layer 3 and an adhesive layer 4 for adhering the metal layer 3 to the back surface of the electronic device are separated into a shape corresponding to the electronic device, and the adhesive layer 4 is characterized in that a plurality of separated metal layers 3 are held at predetermined intervals.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、電子デバイスパッケージ用テープに関し、特に、金属層を有する電子デバイスパッケージ用テープに関する。   The present invention relates to an electronic device package tape, and more particularly to an electronic device package tape having a metal layer.

近年、携帯電話やノートPCなどの電子機器は、更なる薄型化・小型化が求められている。そこで、電子機器に搭載する半導体パッケージ等の電子デバイスパッケージを薄型化・小型化するために、電子デバイスや回路基板の電極数を増加させ、さらにピッチも狭くされている。このような電子デバイスパッケージには、例えば、フリップチップ(FC;Flip Chip)実装パッケージがある。   In recent years, electronic devices such as mobile phones and notebook PCs are required to be thinner and smaller. Therefore, in order to reduce the thickness and size of electronic device packages such as semiconductor packages mounted on electronic devices, the number of electrodes of electronic devices and circuit boards is increased, and the pitch is also narrowed. An example of such an electronic device package is a flip chip (FC) mounting package.

フリップチップ実装パッケージにおいては、上述のように、電極の数が増加したり狭ピッチ化したりしているため、発熱量の増加が問題となっている。そこで、フリップチップ実装パッケージの放熱構造として、電子デバイスの裏面に接着剤層を介して金属層を設けることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In the flip chip mounting package, as described above, since the number of electrodes is increased or the pitch is narrowed, an increase in the amount of heat generation is a problem. Thus, as a heat dissipation structure of the flip chip mounting package, it has been proposed to provide a metal layer on the back surface of the electronic device via an adhesive layer (see, for example, Patent Document 1).

また、フリップチップ実装パッケージにおいては、電子デバイスの線膨張率と回路基板の線膨張率とが大きく異なる場合がある。この場合、電子デバイスパッケージの製造過程において、中間製品が加熱及び冷却された際に、電子デバイスと回路基板との間には膨張量及び収縮量に差が生じることになる。この差によって、電子デバイスパッケージには反りが発生することになる。このような反りを抑制する構造としても、電子デバイスの裏面に接着剤層を介して金属層を設けることが提案されている(例えば、特許文献2参照)。   Further, in the flip chip mounting package, the linear expansion coefficient of the electronic device and the linear expansion coefficient of the circuit board may be greatly different. In this case, when the intermediate product is heated and cooled in the manufacturing process of the electronic device package, there is a difference in the amount of expansion and contraction between the electronic device and the circuit board. This difference causes warpage in the electronic device package. As a structure for suppressing such warpage, it has been proposed to provide a metal layer on the back surface of an electronic device via an adhesive layer (see, for example, Patent Document 2).

さらに、フリップチップ実装パッケージにおいて、電子デバイスの裏面に接着剤層を介して金属層を設け、この金属層をレーザーマーキング用の保護層として用いることも提案されている(例えば、特許文献3参照)。また、特許文献3では、基材上に粘着剤層が積層された粘着テープの粘着剤層上に、金属層および接着剤層を設けたフリップチップ型半導体裏面用フィルムも開示されている。   Furthermore, in flip chip mounting packages, it has also been proposed to provide a metal layer on the back surface of an electronic device via an adhesive layer and use this metal layer as a protective layer for laser marking (see, for example, Patent Document 3). . Further, Patent Document 3 discloses a flip chip type semiconductor back film in which a metal layer and an adhesive layer are provided on an adhesive layer of an adhesive tape in which an adhesive layer is laminated on a substrate.

特開2007−235022号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2007-233502 特許第5487847号公報Japanese Patent No. 5487847 特許第5419226号公報Japanese Patent No. 5419226

特許文献3に記載されているような粘着テープ一体型のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを用いた場合、接着剤層上に半導体ウエハの裏面を貼合して、半導体ウエハを金属層および接着剤層とともにダイシングしてチップ状に個片化し、個片化された半導体チップを裏面に接着剤層および金属層が付着した状態で粘着テープからピックアップして、基板にフリップチップ接続することになる。具体的には、半導体チップを、半導体チップの回路面側に形成されているバンプを基板の接続パッドに被着された接合用の半田などの導電材に接触させて押圧しながらバンプ及び導電材を溶融させることにより、半導体チップと基板との電気的導通を確保し、半導体チップを被着体に固定させる。   In the case of using a film for flip chip type semiconductor back surface integrated with an adhesive tape as described in Patent Document 3, the back surface of the semiconductor wafer is bonded onto the adhesive layer, and the semiconductor wafer is bonded to the metal layer and the adhesive. The semiconductor chip is diced together with the layers to be separated into chips, and the separated semiconductor chips are picked up from the adhesive tape with the adhesive layer and the metal layer attached to the back surface, and flip-chip connected to the substrate. Specifically, the bump and the conductive material are pressed while the semiconductor chip is pressed by bringing the bump formed on the circuit surface side of the semiconductor chip into contact with a conductive material such as solder for bonding attached to the connection pad of the substrate. Is melted to ensure electrical continuity between the semiconductor chip and the substrate, and the semiconductor chip is fixed to the adherend.

しかしながら、金属層をウエハや接着剤層とともにダイシングすると、ヒゲと呼ばれる金属層の切削屑が発生し、この切削屑は接着剤層のダイシング面に粘着保持されるため、電子デバイスパッケージを汚染するという問題があった。   However, when the metal layer is diced together with the wafer and the adhesive layer, cutting scraps of the metal layer called whiskers are generated, and the cutting scraps are adhered and held on the dicing surface of the adhesive layer, so that the electronic device package is contaminated. There was a problem.

そこで、本発明は、ウエハをダイシングする際に、金属層の切削屑が発生するのを防止することができる電子デバイスパッケージ用テープを提供することを課題とする。   Then, this invention makes it a subject to provide the tape for electronic device packages which can prevent that the cutting waste of a metal layer is generated when dicing a wafer.

以上の課題を解決するため、本発明に係る電子デバイスパッケージ用テープは、基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープと、前記粘着剤層の前記基材フィルムと反対側に積層して設けられた金属層と、前記金属層を電子デバイスの裏面に接着するための接着剤層とを有し、前記金属層は、前記電子デバイスに対応する形状に個片化されており、前記接着剤層には、個片化された前記金属層が所定間隔で複数保持されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, an electronic device package tape according to the present invention is provided by laminating a pressure-sensitive adhesive tape having a base film and a pressure-sensitive adhesive layer on the side opposite to the base film of the pressure-sensitive adhesive layer. And an adhesive layer for adhering the metal layer to the back surface of the electronic device, the metal layer being separated into a shape corresponding to the electronic device, and the adhesive The layer is characterized in that a plurality of the separated metal layers are held at a predetermined interval.

上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記接着剤層が、ウエハに対応する形状を有しており、前記ウエハに貼合された状態で、前記ウエハとともに前記電子デバイスに対応する形状に切断されて個片化されることが好ましい。   In the electronic device package tape, the adhesive layer has a shape corresponding to the wafer, and is cut into a shape corresponding to the electronic device together with the wafer in a state of being bonded to the wafer. It is preferable to be separated.

上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記金属層間に、前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記粘着剤層側の頂部との段差を軽減する段差軽減部が形成されていることが好ましい。   In the tape for electronic device package, a step reduction portion is formed between the metal layers to reduce a step between the surface of the metal layer on the pressure-sensitive adhesive layer side and the top of the metal layer on the pressure-sensitive adhesive layer side. Preferably it is.

上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記段差軽減部の前記粘着剤層側の頂部との段差が3μm未満であることが好ましい。   In the electronic device package tape, it is preferable that a step between the surface of the metal layer on the pressure-sensitive adhesive layer side and a top portion on the pressure-sensitive adhesive layer side of the step reduction portion between the metal layers is less than 3 μm.

上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記段差軽減部が前記接着剤層により形成されていることが好ましい。   In the electronic device package tape, it is preferable that the step reduction portion is formed by the adhesive layer.

上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記金属層が銅またはアルミニウムを含むことが好ましい。   In the electronic device package tape, the metal layer preferably contains copper or aluminum.

また、上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記接着剤層が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および(D)表面処理された無機充填材を含有することが好ましい。   In the electronic device package tape, the adhesive layer contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an acrylic resin or a phenoxy resin, and (D) a surface-treated inorganic filler. It is preferable to do.

また、電子デバイスパッケージ用テープは、前記粘着剤層が、CH2=CHCOOR(式中、Rは炭素数が4〜18のアルキル基である。)で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーを含有することが好ましい。 In the electronic device package tape, the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic ester represented by CH 2 = CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms) and a hydroxyl group. It is preferable to contain an acrylic polymer comprising a monomer and an isocyanate compound having a radical-reactive carbon-carbon double bond in the molecule.

本発明によれば、ウエハをダイシングする際に、金属層の切削屑が発生するのを防止することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when dicing a wafer, it can prevent that the cutting waste of a metal layer is generated.

本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの構造を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the tape for electronic device packages which concerns on embodiment of this invention. (A)は、本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの構造を模式的に示す平面図であり、(B)は、同断面図である。(A) is a top view which shows typically the structure of the tape for electronic device packages which concerns on embodiment of this invention, (B) is the same sectional drawing. 本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの構造を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structure of the tape for electronic device packages which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの製造方法を模式的に示す説明図であり、(A)は金属層の貼合工程を示す長手方向断面図であり、(B)は金属層の切断工程を示す短手方向断面図であり、(C)は不要部分の除去工程を示す斜視図であり、(D)は金属層の接着剤層への貼合工程を示す長手方向断面図である。It is explanatory drawing which shows typically the manufacturing method of the tape for electronic device packages which concerns on embodiment of this invention, (A) is a longitudinal cross-sectional view which shows the bonding process of a metal layer, (B) is a metal layer. It is a transversal direction sectional view which shows the cutting process of (C), (C) is a perspective view which shows the removal process of an unnecessary part, (D) is a longitudinal direction sectional view which shows the bonding process to the adhesive bond layer of a metal layer. It is. 本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの製造方法を模式的に示す説明図であり、(A)は接着剤層の切断工程を示す短手方向断面図であり、(B)は第二の微粘着テープの貼合工程を示す短手方向断面図であり、(C)は粘着剤層の貼合工程を示す短手方向断面図であり、(D)は粘着剤層の切断工程を示す短手方向断面図である。It is explanatory drawing which shows typically the manufacturing method of the tape for electronic device packages which concerns on embodiment of this invention, (A) is a transversal direction sectional drawing which shows the cutting process of an adhesive bond layer, (B) is the 1st. It is a transversal direction sectional view which shows the bonding process of the 2nd slightly adhesive tape, (C) is a transversal direction sectional view which shows the bonding process of an adhesive layer, (D) is the cutting process of an adhesive layer. FIG. 本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの使用方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the usage method of the tape for electronic device packages which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例および比較例に係る金属層の接着剤層への埋込状態を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the embedding state to the adhesive bond layer of the metal layer which concerns on the Example and comparative example of this invention. 本発明の電子デバイスパッケージの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the electronic device package of this invention.

以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

図1は、本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープ1を示す断面図である。電子デバイスパッケージ用テープ1は、基材フィルム51と基材フィルム51上に設けられた粘着剤層52とからなる粘着テープ5を有しており、粘着剤層52上には、接着剤層4と金属層3とが設けられている。金属層3は、電子デバイスに対応する形状に個片化されており、接着剤層に埋め込まれるようにして、所定間隔で複数保持されている。本発明において接着剤層4が金属層3を保持する態様は、両者の密着性をよくするためのプライマ層等を介して間接的に保持している態様を含む。なお、本実施の形態においては、電子デバイスとして、半導体チップを例に説明する。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electronic device package tape 1 according to an embodiment of the present invention. The electronic device package tape 1 has a pressure-sensitive adhesive tape 5 including a base film 51 and a pressure-sensitive adhesive layer 52 provided on the base film 51, and the adhesive layer 4 is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 52. And a metal layer 3 are provided. The metal layer 3 is separated into a shape corresponding to the electronic device, and a plurality of metal layers 3 are held at predetermined intervals so as to be embedded in the adhesive layer. In the present invention, the mode in which the adhesive layer 4 holds the metal layer 3 includes a mode in which the metal layer 3 is held indirectly via a primer layer or the like for improving the adhesion between the two. In the present embodiment, a semiconductor chip will be described as an example of an electronic device.

本発明の電子デバイスパッケージ用テープ1は、図2および図3に示すように、粘着テープ5が半導体ウエハW(図6参照)をダイシングする際に用いられるリングフレーム(図示せず)に対応する形状に切断(プリカット加工)されていることが好ましい。また、接着剤層4も半導体ウエハWに対応して所定形状に切断(プリカット加工)されていることが好ましく、本実施の形態においてはプリカット加工がなされている。   The electronic device package tape 1 of the present invention corresponds to a ring frame (not shown) used when the adhesive tape 5 dices the semiconductor wafer W (see FIG. 6), as shown in FIGS. It is preferably cut into a shape (pre-cut processing). The adhesive layer 4 is also preferably cut (precut process) into a predetermined shape corresponding to the semiconductor wafer W, and precut process is performed in the present embodiment.

本発明の電子デバイスパッケージ用テープ1は、図2および図3に示すように、金属層3、接着剤層4、リングフレーム(図示せず)に対応する形状に切断された粘着テープ5(ラベル部5a)が積層された積層体が複数形成された長尺の微粘着テープ2を、ロール状に巻き取った形態であることが好ましく、本実施の形態においてはロール状に巻き取られているが、微粘着テープ2に設けられた積層体が1つずつ切断された形態であってもよい。   As shown in FIGS. 2 and 3, an electronic device package tape 1 according to the present invention includes an adhesive tape 5 (label) cut into a shape corresponding to a metal layer 3, an adhesive layer 4, and a ring frame (not shown). It is preferable that the long thin adhesive tape 2 formed with a plurality of laminated bodies in which the parts 5a) are laminated is wound into a roll shape, and in the present embodiment, is wound into a roll shape. However, the laminated body provided in the slightly adhesive tape 2 may be cut one by one.

プリカット加工されロール状に巻き取られている場合、図2および図3に示すように、電子デバイスパッケージ用テープ1は、長尺の微粘着テープ2を有しており、微粘着テープ2上には、所定の平面形状を有する接着剤層4と、接着剤層4に埋め込まれるようにして複数保持されている金属層3と、金属層3の微粘着テープ2側とは反対側に金属層3および接着剤層4と積層して設けられ、金属層3および接着剤層4を覆い、且つ、接着剤層4の周囲で微粘着テープ2に接触するように設けられた所定の平面形状のラベル部5aと該ラベル部5aの外側を囲むような周辺部5bとを有する粘着テープ5と、が設けられている。   When pre-cut and wound into a roll, as shown in FIGS. 2 and 3, the electronic device package tape 1 has a long slightly adhesive tape 2 on the slightly adhesive tape 2. Is an adhesive layer 4 having a predetermined planar shape, a plurality of metal layers 3 that are embedded so as to be embedded in the adhesive layer 4, and a metal layer on the opposite side of the metal layer 3 from the slightly adhesive tape 2 side. 3 and the adhesive layer 4 are laminated to cover the metal layer 3 and the adhesive layer 4 and have a predetermined planar shape provided so as to be in contact with the slightly adhesive tape 2 around the adhesive layer 4. An adhesive tape 5 having a label part 5a and a peripheral part 5b surrounding the outside of the label part 5a is provided.

ラベル部5aは、ダイシング用のリングフレームに対応する形状を有する。ダイシング用のリングフレームの形状に対応する形状は、リングフレームの内側と略同じ形状でリングフレーム内側の大きさより大きい相似形であることが好ましい。また、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。周辺部5bは、ラベル部5aの外側を完全に囲む形態と、図示のような完全には囲まない形態とを含む。なお、周辺部5bは、設けられていなくてもよい。   The label part 5a has a shape corresponding to a ring frame for dicing. The shape corresponding to the shape of the ring frame for dicing is preferably a similar shape that is substantially the same shape as the inside of the ring frame and larger than the size of the inside of the ring frame. Moreover, although it does not necessarily need to be circular, the shape close | similar to circle is preferable and it is more preferable that it is circular. The peripheral part 5b includes a form that completely surrounds the outside of the label part 5a and a form that is not completely enclosed as shown. Note that the peripheral portion 5b may not be provided.

さらに、金属層3は、金属層3の平面の大きさ≦金属層3および接着剤層4の貼合が予定されている電子デバイスの第2面(裏面)の平面の大きさとなるように、予め切断され個片化されている。本実施形態においては、金属層3の平面の大きさ=電子デバイスの第2面(裏面)の平面の大きさとしたが、金属層3の平面の大きさ<電子デバイスの第2面(裏面)の平面の大きさとしてもよい。   Furthermore, the metal layer 3 has a plane size of the metal layer 3 ≦ the size of the plane of the second surface (back surface) of the electronic device on which the bonding of the metal layer 3 and the adhesive layer 4 is planned. It has been cut and separated into pieces. In the present embodiment, the size of the plane of the metal layer 3 = the size of the plane of the second surface (back surface) of the electronic device, but the size of the plane of the metal layer 3 <the second surface (back surface) of the electronic device. It may be the size of the plane.

接着剤層4は、所定のラベル形状を有しており、このラベル形状は、半導体ウエハWに対応した形状であって、粘着テープ5のラベル部5aの周縁部にリングフレームを貼合し、ピックアップ装置の突き上げ部材で突き上げ可能なようにラベル部5aよりも小さい形状となっている。接着剤層4のラベル形状は、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。   The adhesive layer 4 has a predetermined label shape, and this label shape is a shape corresponding to the semiconductor wafer W, and a ring frame is bonded to the peripheral portion of the label portion 5a of the adhesive tape 5, The shape is smaller than the label portion 5a so that it can be pushed up by the push-up member of the pickup device. The label shape of the adhesive layer 4 does not necessarily have to be a circle, but a shape close to a circle is preferable, and a circle is more preferable.

金属層3は、個片が集合した全体形状が接着剤層4とは同様の形状、すなわち半導体ウエハWに対応する形状となっている。以下に、各構成要素について説明する。   The metal layer 3 has an overall shape in which pieces are gathered in a shape corresponding to the adhesive layer 4, that is, a shape corresponding to the semiconductor wafer W. Each component will be described below.

<基材フィルム51>
基材フィルム51としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層52として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
<Base film 51>
The substrate film 51 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known one, but has radiation transparency when a radiation curable material is used as the adhesive layer 52 described later. It is preferable to use one.

例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、及びこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム51はこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。   For example, as the material, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Moreover, the base film 51 may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.

基材フィルム51の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、50〜200μmであることが好ましい。   The thickness of the base film 51 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 50 to 200 μm.

基材フィルム51と粘着剤層52との密着性を向上させるために、基材フィルム51の表面に、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理を施してもよい。   In order to improve the adhesion between the base film 51 and the pressure-sensitive adhesive layer 52, the surface of the base film 51 is subjected to chemical or physical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage impact exposure, or ionizing radiation treatment. Surface treatment may be applied.

また、本実施の形態においては、基材フィルム51の上に直接的に粘着剤層52を設けたが、密着性をあげるためのプライマ層や、ダイシング時の切削性向上ためのアンカー層、応力緩和層、静電防止層等を介して間接的に設けてもよい。   In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 52 is provided directly on the base film 51. However, a primer layer for increasing adhesion, an anchor layer for improving machinability during dicing, stress You may provide indirectly through a relaxation layer, an antistatic layer, etc.

<粘着剤層52>
粘着剤層52に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができるが、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
<Adhesive layer 52>
The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer 52 is not particularly limited, and a known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, or the like used for the pressure-sensitive adhesive may be used. An acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable.

アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopropyl ester). Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, (E.g., linear or branched alkyl ester having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms) of an alkyl group such as octadecyl ester and eicosyl ester) ) Acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymer or the like using one or more of the monomer component cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量%以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. May be. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量%以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties.

アクリル系ポリマーの調製は、例えば1種又は2種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。粘着剤層52は、ウエハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が30万以上、特に40万〜300万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。   The acrylic polymer can be prepared, for example, by applying an appropriate method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, or a suspension polymerization method to a mixture of one or more component monomers. The pressure-sensitive adhesive layer 52 preferably has a composition that suppresses the inclusion of a low-molecular-weight substance from the viewpoint of preventing contamination of the wafer. From this point, the main component is an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 300,000 or more, particularly 400,000 to 3,000,000. Therefore, the pressure-sensitive adhesive can be of an appropriate crosslinking type by an internal crosslinking method, an external crosslinking method, or the like.

また、粘着剤層52の架橋密度を制御してピックアップ性を向上させるため、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を2個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、10重量部程度以下、更には0.1重量部〜10重量部配合するのが好ましい。尚、粘着剤には、劣化防止等の観点から、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   Moreover, in order to control the crosslinking density of the pressure-sensitive adhesive layer 52 to improve pickup properties, for example, a polyfunctional isocyanate compound, a polyfunctional epoxy compound, a melamine compound, a metal salt compound, a metal chelate compound, an amino resin system A method of crosslinking using an appropriate external crosslinking agent such as a compound or peroxide, or a method of mixing a low molecular compound having two or more carbon-carbon double bonds and crosslinking by irradiation with energy rays, etc. A suitable method such as the above can be adopted. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, about 10 parts by weight or less, further 0.1 to 10 parts by weight is preferably blended with respect to 100 parts by weight of the base polymer. In addition, from the viewpoint of preventing deterioration and the like, additives such as various tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive in addition to the above components.

粘着剤層52を構成する粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤としては、前述の粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分や放射線硬化性のオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。   As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 52, a radiation curable pressure-sensitive adhesive is suitable. Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives in which a radiation-curable monomer component or a radiation-curable oligomer component is blended with the above-mentioned pressure-sensitive adhesive.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらのモノマー成分は、1種又は2種以上併用できる。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra ( Examples thereof include (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. These monomer components can be used alone or in combination of two or more.

また、放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100〜30000程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5重量部〜500重量部、好ましくは70重量部〜150重量部程度である。   Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30,000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, it is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 70 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of a base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くを含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。   As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the additive-type radiation curable pressure-sensitive adhesive, a base polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal was used. An internal radiation-curable pressure-sensitive adhesive is also included. Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain much, so they are stable without the oligomer components moving through the adhesive over time. This is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の上で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, it is easy in terms of molecular design to introduce the carbon-carbon double bond into the polymer side chain. is there. For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特にアクリル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の光重合性化合物を配合することもできる。当該光重合性化合物の配合量は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部以下の範囲内であり、好ましくは0〜10重量部の範囲内である。   The internal radiation curable pressure-sensitive adhesive can use the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond alone, but the radiation curable monomer component does not deteriorate the characteristics. And photopolymerizable compounds such as oligomer components can also be blended. The compounding amount of the photopolymerizable compound is usually in the range of 30 parts by weight or less, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like.

上述のアクリル系ポリマーの中でも、特にCH2=CHCOOR(式中、Rは炭素数が4〜18のアルキル基である。)で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーAが好ましい。 Among the acrylic polymers described above, in particular, an acrylate ester represented by CH 2 ═CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms), a hydroxyl group-containing monomer, Acrylic polymer A comprising an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond is preferred.

アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が4未満であると、極性が高く剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が18を超えると、粘着剤層52のガラス転移温度が高くなり過ぎて、常温での接着特性が低下し、その結果、ダイシングの際に金属層3の剥離が発生する場合がある。   When the number of carbon atoms in the alkyl group of the acrylic acid alkyl ester is less than 4, the polarity is high and the peeling force becomes too large, so that the pickup property may be lowered. On the other hand, when the number of carbon atoms in the alkyl group of the acrylic acid alkyl ester exceeds 18, the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer 52 becomes too high, and the adhesive properties at room temperature are deteriorated. 3 peeling may occur.

上記アクリル系ポリマーAは、必要に応じ、他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。   The acrylic polymer A may contain units corresponding to other monomer components as necessary.

アクリル系ポリマーAでは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物が用いられる。すなわち、アクリルポリマーは、前記アクリル酸エステルやヒドロキシル基含有モノマー等のモノマー組成物によるポリマーに、二重結合含有イソシアネート化合物が付加反応された構成を有していることが好ましい。従って、アクリル系ポリマーは、その分子構造内に、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有していることが好ましい。これにより、活性エネルギー線(紫外線など)の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化型粘着剤層(紫外線硬化型粘着剤層など)とすることができ、金属層3と粘着剤層52との剥離力を低下させることができる。   In the acrylic polymer A, an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond is used. That is, it is preferable that the acrylic polymer has a configuration in which a double bond-containing isocyanate compound is subjected to an addition reaction with a polymer based on a monomer composition such as an acrylic ester or a hydroxyl group-containing monomer. Therefore, the acrylic polymer preferably has a radical reactive carbon-carbon double bond in its molecular structure. Thereby, it can be set as the active energy ray hardening-type adhesive layer (ultraviolet ray hardening-type adhesive layer etc.) hardened | cured by irradiation of an active energy ray (ultraviolet rays etc.), and the peeling force of the metal layer 3 and the adhesive layer 52 Can be reduced.

二重結合含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、アクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。二重結合含有イソシアネート化合物は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the double bond-containing isocyanate compound include methacryloyl isocyanate, acryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. A double bond containing isocyanate compound can be used individually or in combination of 2 or more types.

また、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、活性エネルギー線照射前の粘着力や、活性エネルギー線照射後の粘着力を調整する為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、20重量部以下(好ましくは0.1重量部〜10重量部)である。更に、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤等の添加剤が配合されていてもよい。   Moreover, in order to adjust the adhesive force before active energy ray irradiation and the adhesive force after active energy ray irradiation to an active energy ray hardening-type adhesive, an external crosslinking agent can also be used suitably. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. The amount of the external crosslinking agent used is generally 20 parts by weight or less (preferably 0.1 to 10 parts by weight) with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Further, the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may contain various conventionally known additives such as tackifiers, anti-aging agents, and foaming agents in addition to the above components, if necessary.

粘着剤層52の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5〜200μm程度である。また、粘着剤層52は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 52 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 μm. The pressure-sensitive adhesive layer 52 may be composed of a single layer or a plurality of layers.

<金属層3>
金属層3を構成する金属としては特に限定されず、例えば、ステンレス、アルミニウム、鉄、チタン、スズ、ニッケル及び銅からなる群より選択される少なくとも1種であることが放熱性、電子デバイスパッケージの反り防止の点から好ましい。これらの中でも、熱伝導性が高く放熱の効果が得られる観点から、銅を含むことが特に好ましい。また、電子デバイスパッケージ11(図6(D)参照)の反り防止の観点からは、アルミニウムを含むことが特に好ましい
<Metal layer 3>
The metal constituting the metal layer 3 is not particularly limited. For example, the metal layer 3 may be at least one selected from the group consisting of stainless steel, aluminum, iron, titanium, tin, nickel, and copper. It is preferable from the point of warpage prevention. Among these, it is particularly preferable to contain copper from the viewpoint of high thermal conductivity and obtaining a heat dissipation effect. Moreover, it is especially preferable that aluminum is included from a viewpoint of the curvature prevention of the electronic device package 11 (refer FIG.6 (D)).

金属層3の厚さは、放熱性、電子デバイスパッケージの反り防止性、及び加工性等を考慮して適宜決定することができ、通常2〜200μmの範囲である。金属層3は200μm以下であると巻取り加工が容易であり、50μm以下の場合、電子デバイスパッケージ11の薄型化に寄与できる点で好ましい。一方、放熱性の観点から最低でも2μm以上が必要である。   The thickness of the metal layer 3 can be appropriately determined in consideration of heat dissipation, warp prevention of the electronic device package, workability, and the like, and is usually in the range of 2 to 200 μm. When the metal layer 3 is 200 μm or less, the winding process is easy, and when the metal layer 3 is 50 μm or less, it is preferable in that it can contribute to thinning of the electronic device package 11. On the other hand, at least 2 μm is necessary from the viewpoint of heat dissipation.

このような金属層3としては、金属箔を使用することができ、金属箔は、電解箔であっても圧延箔であってもよい。   As such a metal layer 3, a metal foil can be used, and the metal foil may be an electrolytic foil or a rolled foil.

<接着剤層4>
接着剤層4は、接着剤を予めフィルム化したものである。
<Adhesive layer 4>
The adhesive layer 4 is a film obtained by previously forming an adhesive.

接着剤層4は、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されており、少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることが好ましい。   The adhesive layer 4 is formed of at least a thermosetting resin, and is preferably formed of at least a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく応力緩和性に優れる点でアクリル樹脂が、可とう性と強度を両立して高靭性である点でフェノキシ樹脂が、それぞれの観点で半導体素子の信頼性を確保しやすくできるため、特に好ましい。   Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, Thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET (polyethylene terephthalate) and PBT (polybutylene terephthalate), polyamideimide resin, or fluorine resin Etc. A thermoplastic resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these thermoplastic resins, acrylic resins are less ionic impurities and have excellent stress relaxation properties, phenoxy resins are both high flexibility and strength and high toughness. This is particularly preferable because reliability can be easily secured.

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下(好ましくは炭素数1〜18、更に好ましくは炭素数6〜10、特に好ましくは炭素数8又は9)の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基(ラウリル基)、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and is linear or branched having 30 or less carbon atoms (preferably 1 to 18 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 8 or 9 carbon atoms). Examples thereof include a polymer containing one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having an alkyl group as components. That is, in the present invention, acrylic resin has a broad meaning including methacrylic resin. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, pentyl group, isopentyl group, hexyl group, heptyl group, and 2-ethylhexyl group. Octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, dodecyl group (lauryl group), tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group and the like.

また、アクリル樹脂を形成するための他のモノマー(アルキル基の炭素数が30以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー)としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル若しくは(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、(メタ)アクリル酸とはアクリル酸及び/又はメタクリル酸をいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。   In addition, the other monomer for forming the acrylic resin (a monomer other than an alkyl ester of acrylic acid or methacrylic acid having an alkyl group with 30 or less carbon atoms) is not particularly limited. For example, acrylic acid, Carboxyl group-containing monomers such as methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid, acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, (meth) 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, (meth) 10-hydroxydecyl acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methyl acrylate, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid Sulfonic acid group-containing monomers such as (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, or phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate Is mentioned. In addition, (meth) acrylic acid means acrylic acid and / or methacrylic acid, and (meth) of the present invention has the same meaning.

また、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は2種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。   Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. A thermosetting resin can be used individually or in combination of 2 or more types. As the thermosetting resin, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor elements is particularly suitable. Moreover, a phenol resin can be used suitably as a hardening | curing agent of an epoxy resin.

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy. Bifunctional epoxy such as resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin Epoxy resin such as resin, polyfunctional epoxy resin, hydantoin type epoxy resin, trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin or glycidylamine type epoxy resin It can be used.

エポキシ樹脂としては、例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。   As examples of the epoxy resin, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type epoxy resins, and tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferable. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.

更に、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   Furthermore, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. For example, a novolak type phenol resin such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin, or a resol type. Examples thereof include phenol resins and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. A phenol resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5当量〜2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8当量〜1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 equivalent to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 equivalent to 1.2 equivalent. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.

また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。   Moreover, the thermosetting acceleration | stimulation catalyst of an epoxy resin and a phenol resin may be used. The thermosetting acceleration catalyst is not particularly limited, and can be appropriately selected from known thermosetting acceleration catalysts. A thermosetting acceleration | stimulation catalyst can be used individually or in combination of 2 or more types. As the thermosetting acceleration catalyst, for example, an amine curing accelerator, a phosphorus curing accelerator, an imidazole curing accelerator, a boron curing accelerator, a phosphorus-boron curing accelerator, or the like can be used.

エポキシ樹脂の硬化剤としては、上述のようにフェノール樹脂を用いることが好ましいが、イミダゾール類、アミン類、酸無水物類等の公知の硬化剤を使用することもできる。   As the curing agent for the epoxy resin, it is preferable to use a phenol resin as described above, but known curing agents such as imidazoles, amines, and acid anhydrides can also be used.

接着剤層4は、半導体ウエハの裏面(回路非形成面)に対して接着性(密着性)を有していることが重要である。そこで、接着剤層4を予めある程度架橋させておくため、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。   It is important that the adhesive layer 4 has adhesiveness (adhesiveness) to the back surface (circuit non-formed surface) of the semiconductor wafer. Therefore, in order to crosslink the adhesive layer 4 to some extent in advance, a polyfunctional compound that reacts with the functional group at the end of the molecular chain of the polymer may be added as a crosslinking agent. Thereby, the adhesive property under high temperature can be improved and heat resistance can be improved.

架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。   The crosslinking agent is not particularly limited, and a known crosslinking agent can be used. Specifically, for example, an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent, a metal salt Examples thereof include a system crosslinking agent, a carbodiimide crosslinking agent, an oxazoline crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, and an amine crosslinking agent. As the crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent or an epoxy crosslinking agent is suitable. Moreover, the said crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types.

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。   In the present invention, instead of using a cross-linking agent or using a cross-linking agent, it is possible to carry out a cross-linking treatment by irradiation with an electron beam or ultraviolet rays.

接着剤層4には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤(フィラー)、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。   The adhesive layer 4 can be appropriately mixed with other additives as necessary. Examples of other additives include fillers (fillers), flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, bulking agents, antioxidants, antioxidants, and surfactants.

充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、接着剤層4に熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカまたはアルミナが、シリカとしては特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は0.001μm〜80μmの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。   The filler may be either an inorganic filler or an organic filler, but an inorganic filler is suitable. By blending a filler such as an inorganic filler, the adhesive layer 4 can be improved in thermal conductivity, adjusted in elastic modulus, and the like. Examples of the inorganic filler include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, aluminum nitride, silicon nitride and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, Examples include various inorganic powders made of metals such as lead, tin, zinc, palladium, solder, alloys, and other carbon. A filler can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these, silica or alumina is particularly suitable as the filler, and fused silica is particularly suitable as the silica. In addition, it is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler exists in the range of 0.001 micrometer-80 micrometers. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus.

充填剤(特に無機充填剤)の配合量は、有機樹脂成分に対して98重量%以下(0重量%〜98重量%)であることが好ましく、特にシリカの場合は0重量%〜70重量%、熱伝導や導電などの機能性無機充填剤の場合は10重量%〜98重量%であることが好適である。   The blending amount of the filler (particularly inorganic filler) is preferably 98% by weight or less (0% by weight to 98% by weight) with respect to the organic resin component, and particularly in the case of silica, 0% by weight to 70% by weight. In the case of a functional inorganic filler such as heat conduction or conductivity, the content is preferably 10 to 98% by weight.

また、難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。シランカップリング剤としては、例えば、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。   Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. A flame retardant can be used individually or in combination of 2 or more types. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. A silane coupling agent can be used individually or in combination of 2 or more types. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. An ion trap agent can be used individually or in combination of 2 or more types.

接着剤層4は、接着性と信頼性の観点から、特に(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および(D)表面処理された無機充填材を含有することが好ましい。   The adhesive layer 4 contains, in particular, (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an acrylic resin or a phenoxy resin, and (D) a surface-treated inorganic filler from the viewpoints of adhesiveness and reliability. It is preferable to do.

(A)エポキシ樹脂を用いることにより、高い接着性、耐水性、耐熱性を得られる。エポキシ樹脂としては、上述の公知のエポキシ樹脂を用いることができる。(B)硬化剤は上述の公知の硬化剤を用いることができる。   (A) By using an epoxy resin, high adhesiveness, water resistance, and heat resistance can be obtained. As the epoxy resin, the above-described known epoxy resins can be used. (B) The above-mentioned well-known hardening | curing agent can be used for a hardening | curing agent.

(C)アクリル樹脂は、可とう性と強度を両立して高靭性である。好ましいアクリル樹脂は、Tg(ガラス転移温度)が−50℃〜50℃であり、エポキシ基、グリシジル基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基またはカルボキシル基を架橋性官能基として有するモノマーを重合して得た架橋性官能基含有(メタ)アクリル共重合体である。さらに、アクリロニトリル等を含有してゴム特性を示すとより高靭性が得られる。
また、(C)フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂は分子鎖が長くエポキシ樹脂と構造が似ており、高架橋密度の組成物中で可とう性材料として作用し、高靭性を付与するので高強度でありながらタフネスな組成物が得られる。好ましいフェノキシ樹脂は、主骨格がビスフェノールA型のものであるが、その他にビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ビスフェノールA/F混合型フェノキシ樹脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂が好ましいものとして挙げられる。
(C) Acrylic resin has both high flexibility and strength and high toughness. A preferable acrylic resin has a Tg (glass transition temperature) of −50 ° C. to 50 ° C., and is obtained by polymerizing a monomer having an epoxy group, a glycidyl group, an alcoholic hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group as a crosslinkable functional group. It is a crosslinkable functional group-containing (meth) acrylic copolymer. Furthermore, higher toughness can be obtained by containing acrylonitrile or the like and exhibiting rubber properties.
In addition, (C) phenoxy resin has high strength because phenoxy resin has a long molecular chain and is similar in structure to epoxy resin, acts as a flexible material in a composition with high crosslink density, and imparts high toughness. However, a tough composition can be obtained. Preferable phenoxy resins are those having a main skeleton of bisphenol A type, and other preferable examples include commercially available phenoxy resins such as bisphenol F type phenoxy resin, bisphenol A / F mixed type phenoxy resin and brominated phenoxy resin.

(D)表面処理された無機充填材としては、カップリング剤で表面処理された無機充填剤が挙げられる。無機充填材としては、上述の公知の無機充填剤を用いることができるが、好ましくはシリカ、アルミナである。カップリング剤で表面処理されていることにより、無機充填剤の分散性が良好になる。このため、流動性に優れるので金属層との接着力を向上させることができる。また、無機充填剤を高充填させることができるようになるので、吸水率を下げ耐湿性を向上させることができる。   (D) As the surface-treated inorganic filler, an inorganic filler surface-treated with a coupling agent can be mentioned. As the inorganic filler, the above-described known inorganic fillers can be used, and silica and alumina are preferable. Due to the surface treatment with the coupling agent, the dispersibility of the inorganic filler is improved. For this reason, since it is excellent in fluidity | liquidity, the adhesive force with a metal layer can be improved. Further, since the inorganic filler can be highly filled, the water absorption rate can be lowered and the moisture resistance can be improved.

例えばシランカップリング剤による無機充填材の表面処理は、公知の方法により、シランカップリング剤溶液中に無機充填材を分散させることにより、無機充填剤の表面に存在する水酸基とシランカップリング剤のアルコキシ基等の加水分解基が加水分解されたシラノール基とを反応させて無機充填剤の表面にSi−O−Si結合を生成することにより行われる。   For example, the surface treatment of the inorganic filler with the silane coupling agent is performed by dispersing the inorganic filler in the silane coupling agent solution by a known method, so that the hydroxyl group and the silane coupling agent present on the surface of the inorganic filler are mixed. This is performed by reacting a hydrolyzable group such as an alkoxy group with a hydrolyzed silanol group to form a Si—O—Si bond on the surface of the inorganic filler.

接着剤層4の厚さは特に制限されるものではないが、通常取扱い性の観点から、3μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、半導体パッケージの薄型化に寄与するために100μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましい。また、接着剤層4は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。   Although the thickness of the adhesive layer 4 is not particularly limited, it is usually preferably 3 μm or more, more preferably 5 μm or more from the viewpoint of easy handling, and preferably 100 μm or less in order to contribute to thinning of the semiconductor package, 50 μm or less is more preferable. The adhesive layer 4 may be composed of a single layer or a plurality of layers.

接着剤層4の吸水率は、1.5vol%以下であることが好ましい。吸水率の測定方法は次の通りである。すなわち、50×50mmの大きさの接着剤層4(フィルム状接着剤)をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、120℃、3時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しM1とする。サンプルを蒸留水に室温で24時間浸してから取出し、サンプル表面をろ紙でふき取り、すばやく秤量してM2とする。吸水率は、次式(1)により算出される。
吸水率(vol%)=[(M2−M1)/(M1/d)]×100 (1)
ここで、dはフィルムの密度である。
吸水率が1.5vol%を超えると、吸水した水分によりはんだリフロー時にパッケージクラックを生じるおそれがある。
The water absorption rate of the adhesive layer 4 is preferably 1.5 vol% or less. The method for measuring the water absorption rate is as follows. That is, using a 50 × 50 mm adhesive layer 4 (film adhesive) as a sample, the sample was dried in a vacuum dryer at 120 ° C. for 3 hours, allowed to cool in a desiccator, and then measured for dry mass. And M1. The sample is immersed in distilled water at room temperature for 24 hours and then taken out. The surface of the sample is wiped off with a filter paper and quickly weighed to obtain M2. The water absorption rate is calculated by the following equation (1).
Water absorption (vol%) = [(M2-M1) / (M1 / d)] × 100 (1)
Here, d is the density of the film.
If the water absorption exceeds 1.5 vol%, package cracks may occur during solder reflow due to the absorbed water.

接着剤層4の飽和吸湿率は、1.0vol%以下であることが好ましい。飽和吸湿率の測定方法は次の通りである。すなわち、直径100mmの円形の接着剤層4(フィルム状接着剤)をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で120℃、3時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しM1とする。サンプルを85℃、85%RHの恒温恒湿槽中で168時間吸湿してから取り出し、すばやく秤量してM2とする。飽和吸湿率は、次式(2)により算出される。
飽和吸湿率(vol%)=[(M2−M1)/(M1/d)]×100 (2)
ここで、dはフィルムの密度である。
飽和吸湿率が1.0vol%を超えると、リフロー時の吸湿により蒸気圧の値が高くなり、良好なリフロー特性が得られないおそれがある。
The saturated moisture absorption rate of the adhesive layer 4 is preferably 1.0 vol% or less. The method for measuring the saturated moisture absorption rate is as follows. That is, a circular adhesive layer 4 (film adhesive) having a diameter of 100 mm was used as a sample, the sample was dried in a vacuum dryer at 120 ° C. for 3 hours, allowed to cool in a desiccator, and then the dry mass was measured. To do. The sample is absorbed in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and 85% RH for 168 hours, then taken out, and weighed quickly to obtain M2. The saturated moisture absorption rate is calculated by the following equation (2).
Saturated moisture absorption (vol%) = [(M2-M1) / (M1 / d)] × 100 (2)
Here, d is the density of the film.
When the saturated moisture absorption rate exceeds 1.0 vol%, the value of vapor pressure increases due to moisture absorption during reflow, and good reflow characteristics may not be obtained.

接着剤層4の残存揮発分は、3.0wt%以下であることが好ましい。残存揮発成分の測定方法は次の通りである。すなわち、50×50mmの大きさの接着剤層4(フィルム状接着剤)をサンプルとし、サンプルの初期の質量を測定しM1とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で200℃、2時間加熱後、秤量してM2とする。残存揮発分は、次式(3)により算出される。
残存揮発分(wt%)=[(M2−M1)/M1]×100 (3)
残存揮発分が3.0wt%を超えると、パッケージングの際の加熱により溶媒が揮発し、接着剤層4の内部にボイドが発生して、パッケージクラックが発生するおそれがある。
The residual volatile content of the adhesive layer 4 is preferably 3.0 wt% or less. The method for measuring the remaining volatile components is as follows. That is, using an adhesive layer 4 (film adhesive) having a size of 50 × 50 mm as a sample, measuring the initial mass of the sample as M1, and heating the sample at 200 ° C. for 2 hours in a hot air circulating thermostat, Weigh to M2. The remaining volatile content is calculated by the following equation (3).
Residual volatile matter (wt%) = [(M2-M1) / M1] × 100 (3)
If the residual volatile content exceeds 3.0 wt%, the solvent is volatilized by heating during packaging, and voids are generated inside the adhesive layer 4, which may cause package cracks.

金属層3の線膨脹係数の接着剤層4の線膨脹係数に対する比(金属層3の線膨脹係数/接着剤層4の線膨脹係数)は、0.2以上であることが好ましい。当該比が0.2未満であると、金属層3と接着剤層4との間で剥離が生じやすくなり、パッケージングの際にパッケージクラックが発生し、信頼性が低下するおそれがある。   The ratio of the linear expansion coefficient of the metal layer 3 to the linear expansion coefficient of the adhesive layer 4 (the linear expansion coefficient of the metal layer 3 / the linear expansion coefficient of the adhesive layer 4) is preferably 0.2 or more. If the ratio is less than 0.2, peeling between the metal layer 3 and the adhesive layer 4 is likely to occur, and package cracking may occur during packaging, which may reduce reliability.

本実施形態における金属層3は、半導体チップC(図6参照)に対応する形状に個片化されて、接着剤層4に埋め込まれており、金属層3の粘着剤層52側の面と、金属層3間における接着剤層4の粘着剤層5側の頂部(本実施形態にあっては、隣り合う金属層3同士の間における接着剤層4の粘着剤層52側の面)との段差z(図7参照)が実質的にない状態となっている。すなわち、金属層3の粘着剤層52側の面と、隣り合う金属層3同士の間における接着剤層4の粘着剤層52側の面とが面一の状態となっている。   The metal layer 3 in the present embodiment is separated into a shape corresponding to the semiconductor chip C (see FIG. 6) and embedded in the adhesive layer 4, and the surface of the metal layer 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side and The top of the adhesive layer 4 between the metal layers 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 5 side (in this embodiment, the surface of the adhesive layer 4 between the adjacent metal layers 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side) and There is substantially no step z (see FIG. 7). That is, the surface of the metal layer 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side and the surface of the adhesive layer 4 between the adjacent metal layers 3 are flush with each other.

金属層3は、半導体チップC(図6参照)に対応する形状に個片化されているため、半導体ウエハWを半導体チップCにダイシングする際に、金属層3を切断する必要がなく、金属層3の切削屑が発生することがない。   Since the metal layer 3 is separated into a shape corresponding to the semiconductor chip C (see FIG. 6), there is no need to cut the metal layer 3 when dicing the semiconductor wafer W into the semiconductor chip C. The cutting waste of the layer 3 is not generated.

なお、本実施形態においては、金属層3が接着剤層4に埋め込まれており、金属層3の粘着剤層52側の面と、隣り合う金属層3同士の間における接着剤層4の粘着剤層52側の面との段差zが実質的にない状態となっているが、図7に示すように、金属層3の粘着剤層52側の面と、隣り合う金属層3同士の間における接着剤層4の粘着剤層52側の面との段差zがあってもよい。さらに、図8に示すように、金属層3が接着剤層4に埋め込まれていなくてもよい。   In the present embodiment, the metal layer 3 is embedded in the adhesive layer 4, and the adhesive of the adhesive layer 4 between the surface of the metal layer 3 on the adhesive layer 52 side and the adjacent metal layers 3. Although there is substantially no step z with the surface on the side of the adhesive layer 52, as shown in FIG. 7, the surface on the side of the adhesive layer 52 of the metal layer 3 and the adjacent metal layers 3 There may be a level difference z between the adhesive layer 4 and the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side. Furthermore, as shown in FIG. 8, the metal layer 3 may not be embedded in the adhesive layer 4.

しかしながら、金属層3の粘着剤層52側の面と、隣り合う金属層3同士の間における接着剤層4の粘着剤層52側の面との段差zは、3μm未満であることが好ましく、さらには、段差zが実質的にない状態が好ましい。   However, the step z between the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side of the metal layer 3 and the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side of the adhesive layer 4 between the adjacent metal layers 3 is preferably less than 3 μm, Furthermore, a state where there is substantially no step z is preferable.

金属層3の粘着剤層52側の面が、隣り合う金属層3間の接着剤層4の粘着剤層5側の頂部よりも、粘着剤層52側に突出しており、その段差zが3μm以上であると、接着剤層4に半導体ウエハWを貼合する際に、金属層3同士間における接着剤層4の半導体ウエハWへの押圧が不十分となり、当該部分に空気が巻き込まれ、ボイドが発生するおそれがある。このボイドは、金属層3同士間における接着剤層4と半導体ウエハWとの間に発生するが、当該部分は、ダイシング工程において、切断除去される部分であるため、通常は問題とはならない。ただし、このボイドは、半導体ウエハWを貼合した状態で次の工程へ搬送される際の振動や、ダイシング工程での振動などにより、半導体ウエハWの半導体チップCとなる部分と接着剤層4との間に移行するおそれがあるため、ない方が好ましい。   The surface of the metal layer 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side protrudes toward the pressure-sensitive adhesive layer 52 side from the top of the adhesive layer 4 between the adjacent metal layers 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 5 side, and the step z is 3 μm. When the semiconductor wafer W is bonded to the adhesive layer 4 as described above, the pressure on the semiconductor wafer W of the adhesive layer 4 between the metal layers 3 becomes insufficient, and air is involved in the part, There is a risk of voids. Although this void is generated between the adhesive layer 4 and the semiconductor wafer W between the metal layers 3, this portion is not a problem because it is a portion that is cut and removed in the dicing process. However, the voids are formed on the adhesive layer 4 and the portion of the semiconductor wafer W that becomes the semiconductor chip C due to vibration when the semiconductor wafer W is bonded to the next process or vibration during the dicing process. Since there is a possibility of shifting between the two, it is preferable that there is no.

隣り合う金属層3間の粘着剤層5側の頂部が、金属層3の粘着剤層52側の面よりも粘着剤層52側に突出しており、その段差zが3μm以上であると、接着剤層4に半導体ウエハWを貼合する際の熱と圧力で、接着剤層4が軟化して金属層3の表面に付着し、放熱性が低下するおそれがある。   The top part of the pressure-sensitive adhesive layer 5 side between the adjacent metal layers 3 protrudes toward the pressure-sensitive adhesive layer 52 side than the surface of the metal layer 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side, and the step z is 3 μm or more. The heat and pressure when the semiconductor wafer W is bonded to the agent layer 4 softens the adhesive layer 4 and adheres to the surface of the metal layer 3, which may reduce heat dissipation.

なお、上述の場合、段差zは、金属層3付き接着剤層4において、金属層3が保持されている部分の厚みyと金属層3が保持されていない部分すなわち接着剤層4のみの部分の厚みxとの差に相当する。   In the above case, the level difference z is the thickness y of the portion where the metal layer 3 is held in the adhesive layer 4 with the metal layer 3 and the portion where only the adhesive layer 4 is not held. This corresponds to the difference from the thickness x.

また、本実施形態の電子デバイスパッケージ用テープ1は、金属層3が接着剤層4に埋め込まれて保持されるようにしたが、必ずしも接着剤層4に埋め込まれている必要はなく、図8に示すように、金属層3が接着剤層4の表面に粘着保持されていてもよい。この場合、接着剤層4は、金属層3間であって粘着剤層側の面に、金属層3の粘着剤層52側の面と、隣り合う金属層3同士の間における接着剤層4の粘着剤層52側の頂部との段差を軽減する段差軽減部7を有していてもよい。   Further, in the electronic device package tape 1 of the present embodiment, the metal layer 3 is embedded and held in the adhesive layer 4, but is not necessarily embedded in the adhesive layer 4. FIG. As shown in FIG. 2, the metal layer 3 may be adhered and held on the surface of the adhesive layer 4. In this case, the adhesive layer 4 is between the metal layers 3 on the surface on the pressure-sensitive adhesive layer side, on the surface of the metal layer 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side, and between the adjacent metal layers 3. You may have the level | step difference reduction part 7 which reduces the level | step difference with the top part by the side of the adhesive layer 52 of this.

段差軽減部7を設けることにより、金属層3の粘着剤層5側の面と、段差軽減部7の粘着剤層5側の頂部との段差z´が3μm未満となるようにすることが好ましい。金属層3の粘着剤層52側の面が、段差軽減部7の粘着剤層5側の頂部よりも、粘着剤層52側に突出しており、その段差z´が3μm以上であると、接着剤層4に半導体ウエハWを貼合する際に、金属層3同士間における接着剤層4の半導体ウエハWへの押圧が不十分となり、当該部分に空気が巻き込まれ、ボイドが発生するおそれがある。段差軽減部7の粘着剤層5側の頂部が、金属層3の粘着剤層52側の面よりも粘着剤層52側に突出しており、その段差z´が3μm以上であると、接着剤層4に半導体ウエハWを貼合する際の熱と圧力で、段差軽減部7が軟化して金属層3の表面に付着し、放熱性が低下するおそれがある。   By providing the step reducing portion 7, it is preferable that the step z ′ between the surface of the metal layer 3 on the adhesive layer 5 side and the top of the step reducing portion 7 on the adhesive layer 5 side is less than 3 μm. . The surface on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side of the metal layer 3 protrudes toward the pressure-sensitive adhesive layer 52 side from the top on the pressure-sensitive adhesive layer 5 side of the step reducing portion 7, and if the step z ′ is 3 μm or more, adhesion When the semiconductor wafer W is bonded to the agent layer 4, the pressure on the semiconductor wafer W of the adhesive layer 4 between the metal layers 3 becomes insufficient, and air may be caught in the part, and a void may be generated. is there. When the top of the step reduction portion 7 on the pressure-sensitive adhesive layer 5 side protrudes more toward the pressure-sensitive adhesive layer 52 than the surface of the metal layer 3 on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side, the step z ′ is 3 μm or more. The heat and pressure when the semiconductor wafer W is bonded to the layer 4 softens the step reduction portion 7 and adheres to the surface of the metal layer 3, which may reduce heat dissipation.

なお、上述の場合、段差z´は、金属層3付き接着剤層4において、金属層3が保持されている部分の厚みy´と段差軽減部7が設けられている部分の最大厚みx´との差に該当する。   In the above case, the step z ′ is the thickness y ′ of the portion where the metal layer 3 is held and the maximum thickness x ′ of the portion where the step reduction portion 7 is provided in the adhesive layer 4 with the metal layer 3. It corresponds to the difference.

<微粘着テープ2>
微粘着テープ2としては、例えば、樹脂フィルムと樹脂フィルムの片面に設けられた微粘着テープ用粘着剤層とを有するテープを好適に使用することができる。微粘着テープ2を構成する樹脂フィルムの素材には、公知の材料を用いることができるが、例示するのであれば、ポリエステル(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、ポリオレフィン(PP、PE)系、共重合体(EVA、EEA、EBA)系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルムが挙げられる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。耐熱性、平滑性、及び、入手し易さの点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、及びポリエチレンから選択されることが好ましい。
<Slight adhesive tape 2>
As the slightly adhesive tape 2, for example, a tape having a resin film and an adhesive layer for the slightly adhesive tape provided on one surface of the resin film can be suitably used. A known material can be used as the material of the resin film constituting the slightly adhesive tape 2. For example, polyester (PET, PBT, PEN, PBN, PTT), polyolefin (PP, PE) can be used. Examples thereof include films obtained by partially replacing these materials, copolymers (EVA, EEA, EBA), and further improving adhesion and mechanical strength. Moreover, the laminated body of these films may be sufficient. From the viewpoint of heat resistance, smoothness, and availability, polyethylene terephthalate, polypropylene, and polyethylene are preferably selected.

微粘着テープ2を構成する樹脂フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、10〜150μmであることが好ましい。   The thickness of the resin film constituting the slightly adhesive tape 2 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 10 to 150 μm.

微粘着テープ用粘着剤層に使用される樹脂としては、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができるが、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   As the resin used for the adhesive layer for the slightly adhesive tape, known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, etc. used for the adhesive can be used. An acrylic adhesive having a polymer as a base polymer is preferred.

アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopropyl ester). Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, (E.g., linear or branched alkyl ester having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms) of an alkyl group such as octadecyl ester and eicosyl ester) ) Acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymer or the like using one or more of the monomer component cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量%以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. May be. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量%以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties.

アクリル系ポリマーの調製は、例えば1種又は2種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。微粘着テープ用粘着剤層は、ウエハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が30万以上、特に40万〜300万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。   The acrylic polymer can be prepared, for example, by applying an appropriate method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, or a suspension polymerization method to a mixture of one or more component monomers. The pressure-sensitive adhesive layer for the fine pressure-sensitive adhesive tape preferably has a composition in which the inclusion of a low molecular weight substance is suppressed from the viewpoint of preventing contamination of the wafer. From this point, an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 300,000 or more, particularly 400,000 to 3,000,000. Since the main component is preferable, the pressure-sensitive adhesive can be of an appropriate crosslinking type by an internal crosslinking method, an external crosslinking method, or the like.

また、微粘着テープ用粘着剤層の粘着力は粘着剤層5や接着剤層4の保持や剥離性等を考慮して調整される。微粘着テープ用粘着剤層の粘着力は、微粘着テープ用粘着剤層の架橋密度を制御して調整することができ、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を2個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、20重量部程度以下、更には0.1重量部〜20重量部配合するのが好ましい。   In addition, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer for the fine pressure-sensitive adhesive tape is adjusted in consideration of holding of the pressure-sensitive adhesive layer 5 and the adhesive layer 4, peelability, and the like. The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer for fine pressure-sensitive adhesive tapes can be adjusted by controlling the cross-linking density of the pressure-sensitive adhesive layer for fine pressure-sensitive adhesive tapes. For example, polyfunctional isocyanate compounds, polyfunctional epoxy compounds, melamine compounds, metals Mixing with a low molecular weight compound having two or more carbon-carbon double bonds or a method of crosslinking using an appropriate external crosslinking agent such as a salt compound, metal chelate compound, amino resin compound, or peroxide Thus, an appropriate method such as a method of performing a crosslinking treatment by irradiation of energy rays or the like can be adopted. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 20 parts by weight or less, and further 0.1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

微粘着テープ用粘着剤層の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には3〜200μm程度である。また、微粘着テープ用粘着剤層は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer for the fine pressure-sensitive adhesive tape is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 3 to 200 μm. Moreover, the adhesive layer for fine adhesive tapes may be comprised by the single layer, or may be comprised by multiple layers.

<電子デバイスパッケージ用テープ1の製造方法>
<工程1(接着剤層4の加工)>
次に、本実施の形態に係る電子デバイスパッケージ用テープ1の製造方法について説明する。まず、接着剤層4は、樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成する(ステップ1)。具体的には、例えば、セパレータS(図4(D)参照)上に前記樹脂組成物を塗布して乾燥し(熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して)、接着剤層4を形成する方法等が挙げられる。セパレータSとしては、ポリエステル(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、ポリオレフィン(PP、PE)系、共重合体(EVA、EEA、EBA)系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
<Method for Producing Electronic Device Package Tape 1>
<Step 1 (Processing of Adhesive Layer 4)>
Next, a method for manufacturing the electronic device package tape 1 according to the present embodiment will be described. First, the adhesive layer 4 is formed using a conventional method of preparing a resin composition and forming it into a film-like layer (step 1). Specifically, for example, the resin composition is applied onto the separator S (see FIG. 4D) and dried (when heat curing is necessary, for example, heat treatment is performed as necessary to dry the resin composition). ), A method of forming the adhesive layer 4 and the like. As the separator S, polyester (PET, PBT, PEN, PBN, PTT) series, polyolefin (PP, PE) series, copolymer (EVA, EEA, EBA) series, and these materials are partially substituted, Furthermore, a film having improved adhesion and mechanical strength can be used. Moreover, the laminated body of these films may be sufficient. The resin composition may be a solution or a dispersion.

<工程2(金属層3の加工)>
また、図4(A)に示すように、金属層3を微粘着性を有する仮保持用微粘着テープBNとローラーrを用いて貼合する(ステップ2)。金属層3としては、市販の金属箔を用いればよい。仮保持用微粘着テープBNとしては、上述の微粘着テープ2と同様のものを使用することができる。
<Process 2 (processing of metal layer 3)>
Moreover, as shown to FIG. 4 (A), the metal layer 3 is bonded using the fine adhesive tape BN for temporary holding | maintenance which has slight adhesiveness, and the roller r (step 2). As the metal layer 3, a commercially available metal foil may be used. As the temporary holding fine adhesive tape BN, the same one as the above-mentioned fine adhesive tape 2 can be used.

図4(B)に示すように、金属層3を半導体チップC(図6参照)に対応する形状に切断するように、押切刃などを用いて、切り込みKを形成する。その後、図4(C)に示すように、半導体チップCに対応する形状の周辺の不要部分6を仮保持用微粘着テープBNから剥離して除去する(ステップ3)。   As shown in FIG. 4B, a cut K is formed by using a cutting blade or the like so as to cut the metal layer 3 into a shape corresponding to the semiconductor chip C (see FIG. 6). Thereafter, as shown in FIG. 4C, the unnecessary portion 6 around the shape corresponding to the semiconductor chip C is peeled off from the temporary holding fine adhesive tape BN and removed (step 3).

次に、図4(D)に示すように、半導体チップCに対応する形状に切断された金属層3を、仮保持用微粘着テープBNに保持されたままの状態で、セパレータS上に形成された接着剤層4上に載置し、熱プレス機を用いて加熱加圧することにより、金属層3を接着剤層4に埋め込み保持させる(ステップ4)。その後、セパレータSを剥離する(ステップ5)。   Next, as shown in FIG. 4D, the metal layer 3 cut into a shape corresponding to the semiconductor chip C is formed on the separator S while being held on the temporary holding fine adhesive tape BN. The metal layer 3 is embedded and held in the adhesive layer 4 by being placed on the adhesive layer 4 and heated and pressurized using a hot press machine (step 4). Thereafter, the separator S is peeled off (step 5).

<工程1、2の変形例>
あるいは、個片化され、仮保持用微粘着テープBNに保持された金属層3間の仮保持用微粘着テープBN上および金属層3上に、接着剤層4の樹脂組成物の溶液を塗工して乾燥させ、セパレータSと加熱貼合するようにしてもよい。
<Modification of steps 1 and 2>
Alternatively, a solution of the resin composition of the adhesive layer 4 is applied onto the temporary holding fine adhesive tape BN and the metal layer 3 between the metal layers 3 separated into individual pieces and held on the temporary holding fine adhesive tape BN. You may make it heat-paste with the separator S by making and drying.

<工程3(接着剤層4の切断)>
金属層3を接着剤層4に保持させた後、図5(A)に示すように、押切刃O1を用いて、接着剤層4を、ウエハWに対応する形状に切断する(ステップ6)。その後、接着剤層4のウエハWに対応する形状の周辺の不要部分12を仮保持用微粘着テープBNから剥離して除去する(ステップ7)。
<Step 3 (cutting the adhesive layer 4)>
After the metal layer 3 is held on the adhesive layer 4, as shown in FIG. 5A, the adhesive layer 4 is cut into a shape corresponding to the wafer W using the pressing blade O1 (step 6). . Thereafter, the unnecessary portion 12 around the shape of the adhesive layer 4 corresponding to the wafer W is peeled off from the temporary holding fine adhesive tape BN and removed (step 7).

<工程4(微粘着テープ2の貼合、仮保持用微粘着テープBNの剥離)>
次に、図5(B)に示すように、接着剤層4上に、微粘着テープ2を貼合する(ステップ8)。その後、仮保持用微粘着テープBNを剥離する(ステップ9)。仮保持用微粘着テープBNの粘着力は微粘着テープ2より小さくなっており、仮保持用微粘着テープBNを剥離した時、接着剤層4および金属層3は微粘着テープ2側に残る。
<Step 4 (bonding of the fine adhesive tape 2 and peeling of the temporary adhesive fine adhesive tape BN)>
Next, as shown in FIG. 5B, the slightly adhesive tape 2 is bonded onto the adhesive layer 4 (step 8). Thereafter, the temporary holding fine adhesive tape BN is peeled off (step 9). The adhesive force of the temporary holding fine adhesive tape BN is smaller than that of the fine adhesive tape 2, and when the temporary holding fine adhesive tape BN is peeled off, the adhesive layer 4 and the metal layer 3 remain on the fine adhesive tape 2 side.

<工程5(粘着テープ(DCテープ)5の加工)>
次に、粘着テープ5を作製する。基材フィルム51は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、基材フィルム51上に粘着剤層組成物を塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)粘着剤層52を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材フィルム51に塗布して、基材フィルム51上に粘着剤層52を形成してもよく、また、粘着剤層組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層52を形成させた後、該粘着剤層52を基材フィルム51に転写させてもよい。これにより、基材フィルム51上に粘着剤層52が形成された粘着テープ5が作製される。
<Process 5 (Processing of adhesive tape (DC tape) 5)>
Next, the adhesive tape 5 is produced. The base film 51 can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method. Next, the pressure-sensitive adhesive layer composition is applied on the base film 51 and dried (heat-crosslinked as necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 52. Examples of the coating method include roll coating, screen coating, and gravure coating. The pressure-sensitive adhesive layer composition may be directly applied to the base film 51 to form the pressure-sensitive adhesive layer 52 on the base film 51, and the pressure-sensitive adhesive layer composition was subjected to a peeling treatment on the surface. The pressure-sensitive adhesive layer 52 may be transferred to the base film 51 after being applied to release paper or the like to form the pressure-sensitive adhesive layer 52. Thereby, the adhesive tape 5 in which the adhesive layer 52 was formed on the base film 51 is produced.

<工程6(粘着テープ(DCテープ)5の貼合、切断)>
その後、図5(C)に示すように、金属層3と粘着剤層52とが接するように、金属層3及び接着剤層4が設けられた微粘着テープ2に粘着テープ(DCテープ)5をラミネートし(ステップ10)、場合によっては、図5(D)に示すように、粘着テープ5も押切刃O2を用いて、所定の大きさの円形ラベル形状等に切断し(ステップ11)、不要部分13を微粘着テープ2から剥離して除去することにより(ステップ12)、電子デバイスパッケージ用テープ1が作られる。
<Step 6 (bonding and cutting of adhesive tape (DC tape) 5)>
Thereafter, as shown in FIG. 5C, the adhesive tape (DC tape) 5 is applied to the fine adhesive tape 2 provided with the metal layer 3 and the adhesive layer 4 so that the metal layer 3 and the adhesive layer 52 are in contact with each other. (Step 10), and in some cases, as shown in FIG. 5D, the adhesive tape 5 is also cut into a circular label shape or the like of a predetermined size using the press cutting blade O2 (Step 11). The unnecessary part 13 is peeled off and removed from the slightly adhesive tape 2 (step 12), whereby the electronic device package tape 1 is produced.

<電子デバイスパッケージ用テープ1の製造方法の変形例>
なお、上述では、接着剤層4で金属層3間を埋めたり、接着剤層4で段差軽減部7を設ける場合について説明したが、接着剤層4以外の樹脂を用いて、金属層3間を埋めたり段差軽減部7を形成してもよい。この場合、仮保持用微粘着テープBNに保持された金属層3間の仮保持用微粘着テープBN上に、接着剤層4とは別の樹脂組成物の溶液を塗工して乾燥させ、上記のセパレータS上に形成した接着剤層4と加熱貼合するようにするとよい。または、半導体チップCに対応する形状に切断された金属層3を、仮保持用微粘着テープBNに保持されたままの状態で、接着剤層4上に貼合し、仮保持用微粘着テープBNを剥離した後、金属層3間に接着剤層4とは別の樹脂組成物の溶液をスクリーン印刷してよいし、金属層3間に接着剤層4とは別の樹脂組成物の溶液を滴下してもよい。
<Modification of Manufacturing Method of Electronic Device Package Tape 1>
In the above description, the case where the gap between the metal layers 3 is filled with the adhesive layer 4 or the step reduction portion 7 is provided with the adhesive layer 4 has been described. However, a resin other than the adhesive layer 4 is used to form the gap between the metal layers 3. Alternatively, the step reduction portion 7 may be formed. In this case, a solution of a resin composition different from the adhesive layer 4 is applied and dried on the temporary holding fine adhesive tape BN between the metal layers 3 held by the temporary holding fine adhesive tape BN, The adhesive layer 4 formed on the separator S may be heat bonded. Or the metal layer 3 cut | disconnected in the shape corresponding to the semiconductor chip C is bonded on the adhesive bond layer 4 in the state hold | maintained at the temporary holding fine adhesive tape BN, and the temporary holding fine adhesive tape After BN is peeled off, a resin composition solution different from the adhesive layer 4 may be screen-printed between the metal layers 3, or a resin composition solution different from the adhesive layer 4 between the metal layers 3. May be added dropwise.

<使用方法>
次に、本実施形態の電子デバイスパッケージ用テープ1を使用して半導体装置を製造する方法について、図6を参照しながら説明する。
<How to use>
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the electronic device package tape 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG.

半導体装置の製造方法は、電子デバイスパッケージ用テープ1上に半導体ウエハWを貼着する工程(マウント工程)と、半導体ウエハWをダイシングして半導体チップCを形成する工程(ダイシング工程)と、金属層3、接着剤層4および半導体チップCの積層体を、粘着テープ5の粘着剤層52から剥離する工程(ピックアップ工程)と、得られた積層体を予備硬化する工程(予備硬化工程)と、半導体チップCを被着体8上にフリップチップ接続する工程(フリップチップ接続工程)とを具備する。予備硬化工程は必須の工程ではなく、必要に応じて行うようにするとよい。また、必要に応じて他の工程を適宜実施してもよい。   The manufacturing method of a semiconductor device includes a step of attaching a semiconductor wafer W on the electronic device package tape 1 (mounting step), a step of dicing the semiconductor wafer W to form a semiconductor chip C (dicing step), a metal A step of separating the laminate of the layer 3, the adhesive layer 4 and the semiconductor chip C from the adhesive layer 52 of the adhesive tape 5 (pickup step), and a step of pre-curing the obtained laminate (pre-curing step). And a step of flip chip connection of the semiconductor chip C onto the adherend 8 (flip chip connection step). The pre-curing step is not an essential step and may be performed as necessary. Moreover, you may implement suitably another process as needed.

[マウント工程]
先ず、電子デバイスパッケージ用テープ1上に任意に設けられた微粘着テープ2を適宜に剥離し、図6(A)で示されるように、接着剤層4に半導体ウエハWを貼着して、これを接着保持させ固定する(マウント工程)。このとき接着剤層4は未硬化状態(半硬化状態を含む)にある。また、電子デバイスパッケージ用テープ1は、半導体ウエハWの裏面に貼着される。半導体ウエハWの裏面とは、回路面とは反対側の面(非回路面、非電極形成面などとも称される)を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、粘着テープ5側から圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。そのため、金属層3の粘着剤層52側の面が、隣り合う金属層3間の接着剤層4の粘着剤層5側の頂部よりも、粘着剤層52側に突出していると、金属層3間の接着剤層4に十分に押圧をかけることができない。
[Mounting process]
First, the fine adhesive tape 2 arbitrarily provided on the electronic device package tape 1 is appropriately peeled off, and as shown in FIG. 6A, the semiconductor wafer W is adhered to the adhesive layer 4, This is adhesively held and fixed (mounting process). At this time, the adhesive layer 4 is in an uncured state (including a semi-cured state). The electronic device package tape 1 is attached to the back surface of the semiconductor wafer W. The back surface of the semiconductor wafer W means a surface opposite to the circuit surface (also referred to as a non-circuit surface or a non-electrode forming surface). Although the sticking method is not specifically limited, the method by pressure bonding is preferable. The crimping is usually performed while pressing from the pressure-sensitive adhesive tape 5 side by a pressing means such as a crimping roll. Therefore, when the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 52 side of the metal layer 3 protrudes toward the pressure-sensitive adhesive layer 52 side from the top of the pressure-sensitive adhesive layer 4 side of the adhesive layer 4 between the adjacent metal layers 3, the metal layer The adhesive layer 4 between the three cannot be sufficiently pressed.

[ダイシング工程]
次に、図6(B)で示されるように、半導体ウエハWのダイシングを行う。これにより、半導体ウエハWを所定のサイズに切断して個片化(小片化)し、半導体チップCを製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハWの回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、電子デバイスパッケージ用テープ1まで切り込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。このとき、金属層3は予め半導体チップCに対応する形状に切断され個片化されているので、ダイシング工程においては、金属層3は切断されない。このため、金属層3の切削屑が発生することがない。また、半導体ウエハWは、電子デバイスパッケージ用テープ1により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハWの破損も抑制できる。なお、電子デバイスパッケージ用テープ1のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。
[Dicing process]
Next, as shown in FIG. 6B, the semiconductor wafer W is diced. As a result, the semiconductor wafer W is cut into a predetermined size and divided into pieces (small pieces), whereby the semiconductor chip C is manufactured. For example, the dicing is performed from the circuit surface side of the semiconductor wafer W according to a conventional method. In this step, for example, a cutting method called full cut that cuts up to the electronic device package tape 1 can be adopted. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. At this time, since the metal layer 3 is cut into a shape corresponding to the semiconductor chip C and separated into pieces, the metal layer 3 is not cut in the dicing process. For this reason, the cutting waste of the metal layer 3 is not generated. Further, since the semiconductor wafer W is bonded and fixed with excellent adhesion by the electronic device package tape 1, chip chipping and chip jumping can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer W can also be suppressed. In addition, when expanding the tape 1 for electronic device packages, this expansion can be performed using a conventionally well-known expanding apparatus.

[ピックアップ工程]
図6(C)で示されるように、半導体チップCのピックアップを行って、半導体チップCを接着剤層4及び金属層3とともに粘着テープ5より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップCを電子デバイスパッケージ用テープ1の基材フィルム51側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップCをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
[Pickup process]
As shown in FIG. 6C, the semiconductor chip C is picked up, and the semiconductor chip C is peeled from the adhesive tape 5 together with the adhesive layer 4 and the metal layer 3. The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up each semiconductor chip C from the base film 51 side of the electronic device package tape 1 with a needle and picking up the pushed-up semiconductor chip C with a pick-up device can be mentioned.

[予備硬化工程]
後のフリップチップ接続工程で接着剤層4に突沸が生じないように、金属層3、接着剤層4および半導体チップCの積層体における接着剤層4を予め硬化させる予備硬化を行う。予備硬化の条件は、接着剤層4が突沸しない範囲で適宜設定してよいが、100〜150℃で4時間〜15分程度加熱することが好ましい。
[Precuring process]
Precuring is performed in which the adhesive layer 4 in the laminate of the metal layer 3, the adhesive layer 4, and the semiconductor chip C is preliminarily cured so that no bumping occurs in the adhesive layer 4 in the subsequent flip chip connection process. The pre-curing conditions may be appropriately set within a range in which the adhesive layer 4 does not bump, but it is preferable to heat at 100 to 150 ° C. for about 4 hours to 15 minutes.

[フリップチップ接続工程]
ピックアップした半導体チップCは、図6(D)で示されるように、基板等の被着体8に、フリップチップボンディング方式(フリップチップ実装方式)により固定させる。具体的には、半導体チップCを、半導体チップCの回路面(表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される)が被着体8と対向する形態で、被着体8に常法に従い固定させる。例えば、まず半導体チップCの回路面側に形成されている接続部としてのバンプ9にフラックスを付着させる。次いで、半導体チップCのバンプ9を被着体8の接続パッドに被着された接合用の導電材10(半田など)に接触させて押圧しながらバンプ9及び導電材10を溶融させることにより、半導体チップCと被着体8との電気的導通を確保し、半導体チップCを被着体8に固定させることができる(フリップチップボンディング工程)。このとき、半導体チップCと被着体8との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に30μm〜300μm程度である。尚、半導体チップCを被着体8上にフリップチップボンディング(フリップチップ接続)した後は、半導体チップCと被着体8との対向面や間隙に残存するフラックスを洗浄除去し、該間隙に封止材(封止樹脂など)を充填させて封止する。
[Flip chip connection process]
As shown in FIG. 6D, the picked-up semiconductor chip C is fixed to an adherend 8 such as a substrate by a flip chip bonding method (flip chip mounting method). Specifically, the semiconductor chip C is always placed on the adherend 8 such that the circuit surface (also referred to as a surface, a circuit pattern formation surface, an electrode formation surface, etc.) of the semiconductor chip C faces the adherend 8. Fix according to law. For example, flux is first attached to the bumps 9 as connection portions formed on the circuit surface side of the semiconductor chip C. Next, the bump 9 and the conductive material 10 are melted while bringing the bump 9 of the semiconductor chip C into contact with the bonding conductive material 10 (solder or the like) attached to the connection pad of the adherend 8 and pressing it. The electrical conduction between the semiconductor chip C and the adherend 8 can be ensured, and the semiconductor chip C can be fixed to the adherend 8 (flip chip bonding step). At this time, a gap is formed between the semiconductor chip C and the adherend 8, and the gap distance is generally about 30 μm to 300 μm. After the flip chip bonding (flip chip connection) of the semiconductor chip C on the adherend 8, the flux remaining on the facing surface or gap between the semiconductor chip C and the adherend 8 is washed and removed. A sealing material (sealing resin or the like) is filled and sealed.

被着体8としては、リードフレームや回路基板(配線回路基板など)等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。また、他の半導体チップを被着体8とし、上記半導体チップCをフリップチップ接続することにより、チップオンチップ構造とすることもできる。   As the adherend 8, various substrates such as a lead frame and a circuit substrate (such as a wiring circuit substrate) can be used. The material of such a substrate is not particularly limited, and examples thereof include a ceramic substrate and a plastic substrate. Examples of the plastic substrate include an epoxy substrate, a bismaleimide triazine substrate, and a polyimide substrate. Also, a chip-on-chip structure can be obtained by using another semiconductor chip as the adherend 8 and flip-chip connection of the semiconductor chip C.

<実施例>
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
<粘着剤層組成物>
官能基を有するアクリル系共重合体(A1)として、2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、2−エチルヘキシルアクリレートの比率が60モル%、質量平均分子量70万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が20となるように、2−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−50℃、水酸基価10mgKOH/g、酸価5mgKOH/gのアクリル系共重合体(a1)を調製した。
<Example>
Next, in order to further clarify the effects of the present invention, examples and comparative examples will be described in detail, but the present invention is not limited to these examples.
<Adhesive layer composition>
As the acrylic copolymer (A1) having a functional group, a copolymer comprising 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methacrylic acid, the ratio of 2-ethylhexyl acrylate being 60 mol%, and the weight average molecular weight being 700,000 Was prepared. Next, 2-isocyanatoethyl methacrylate is added so that the iodine value becomes 20, and an acrylic copolymer (a1) having a glass transition temperature of −50 ° C., a hydroxyl value of 10 mgKOH / g, and an acid value of 5 mgKOH / g. Was prepared.

上記アクリル系共重合体(a1)100質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートL(商品名、東ソー株式会社製)を5質量部加え、光重合開始剤としてEsacure KIP 150(商品名、Lamberti社製)を3質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤層組成物(1)を調製した。   To 100 parts by mass of the acrylic copolymer (a1), 5 parts by mass of Coronate L (trade name, manufactured by Tosoh Corporation) is added as a polyisocyanate, and Esacure KIP 150 (trade name, Lamberti) is used as a photopolymerization initiator. The mixture obtained by adding 3 parts by mass of the product was dissolved in ethyl acetate and stirred to prepare an adhesive layer composition (1).

基材フィルムとして以下のものを作製した。
<基材フィルム>
エチレン−メタクリル酸共重合体の樹脂ビーズを200℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μm、ループスティフネス7mNの長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。エチレン−メタクリル酸共重合体は、三井デュポンポリケミカル株式会社製のニュクレルNO35C(商品名)を使用した。
The following was produced as a base film.
<Base film>
Resin beads of ethylene-methacrylic acid copolymer were melted at 200 ° C. and formed into a long film having a thickness of 100 μm and a loop stiffness of 7 mN using an extruder to prepare a base film. As the ethylene-methacrylic acid copolymer, Nucleol NO35C (trade name) manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd. was used.

<粘着テープ>
離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、上記粘着剤層組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させて粘着剤層とした後、上記基材フィルムと貼り合わせ、粘着テープを作製した。
<Adhesive tape>
The pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to a release liner composed of a polyethylene-terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, and dried at 110 ° C. for 3 minutes to obtain a pressure-sensitive adhesive layer. Then, it bonded together with the said base film and produced the adhesive tape.

(2)接着剤層の作製 (2) Preparation of adhesive layer

<接着剤層>
アクリル樹脂(ナガセケムテックス株式会社製、商品名「テイサンレジンSG−P3」、Mw85万、Tg12℃)80質量部と、ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC株式会社製、商品名「HP−4700」)10質量部、硬化剤としてのフェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名「MEH7851」)10質量部とをメチルエチルケトンに溶解させ、接着剤層組成物溶液を調製した。この接着剤層組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム(剥離ライナー)上に塗布した後、130℃で5分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの接着剤層を作製した。
<Adhesive layer>
Acrylic resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name “Taisan Resin SG-P3”, Mw 850,000, Tg 12 ° C.) 80 parts by mass and naphthalene type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, trade name “HP-4700”) 10 An adhesive layer composition solution was prepared by dissolving 10 parts by mass of phenol resin (trade name “MEH7851”, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) as a curing agent in methyl ethyl ketone. This adhesive layer composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 5 minutes. Thereby, an adhesive layer having a thickness of 5 μm was produced.

(3)金属層の準備
<金属層>
F2−WS(商品名、古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ18μm)
(3) Preparation of metal layer <metal layer>
F2-WS (trade name, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd., copper foil, thickness 18 μm)

(4)微粘着テープの作製 (4) Production of slightly adhesive tape

微粘着テープとして以下のものを作製した。
(樹脂フィルム)
スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体(SEPS)(株式会社クラレ社製、商品名「セプトンKF−2104」)とホモプロピレン(PP)(宇部興産株式会社製、商品名「J−105G」)を40:60で示す配合比で混合した樹脂ビーズを200℃で溶融し、押出機を用いて厚さ90μmの長尺フィルム状に成形することにより、樹脂フィルムを作製した。
The following was produced as a slightly adhesive tape.
(Resin film)
Styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer (SEPS) (Kuraray Co., Ltd., trade name “Septon KF-2104”) and homopropylene (PP) (Ube Industries, Ltd., trade name “J-105G”) ) Were mixed at a blending ratio of 40:60 at 200 ° C. and molded into a long film having a thickness of 90 μm using an extruder to prepare a resin film.

(微粘着テープ用粘着剤層組成物)
官能基を有するアクリル系共重合体(A2)として、2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、2−エチルヘキシルアクリレートの比率が70モル%、質量平均分子量50万、ガラス転移温度−50℃、水酸基価30gKOH/g、酸価5mgKOH/gのアクリル系共重合体(a2)を調製した。
アクリル系共重合体(a2)100質量部に対して、ポリイソシアネート系化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)を8質量部加え、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して、基材テープ用粘着剤層組成物e−1を得た。
<微粘着テープ>
(Adhesive layer composition for fine adhesive tape)
The acrylic copolymer (A2) having a functional group is composed of 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methacrylic acid, the ratio of 2-ethylhexyl acrylate is 70 mol%, the weight average molecular weight is 500,000, and the glass transition temperature. An acrylic copolymer (a2) having a hydroxyl value of 30 gKOH / g and an acid value of 5 mgKOH / g was prepared at -50 ° C.
8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Tosoh Corporation) is added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer (a2), dissolved in ethyl acetate, stirred, and the base material Tape adhesive layer composition e-1 was obtained.
<Slight adhesive tape>

調製した微粘着テープ用粘着剤層組成物を、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、上記樹脂フィルムと貼り合わせ、樹脂フィルム上に微粘着テープ用粘着剤層が形成された微粘着テープを作製した。   The prepared pressure-sensitive adhesive layer composition for a fine pressure-sensitive adhesive tape was applied to a release liner made of a polyethylene-terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, and dried at 110 ° C. for 3 minutes. Then, it bonded together with the said resin film and produced the fine adhesive tape in which the adhesive layer for fine adhesive tapes was formed on the resin film.

(5)電子デバイスパッケージ用テープの作製
<実施例1>
以上のようにして得られた微粘着テープと金属層とを貼り合わせ角度120°、圧力0.2MPa、速度10mm/sの条件で貼り合わせた。その後、金属層を10×10mmの大きさの個片で、隣合う個片間の間隔が0.5mmとなるように、切断して不要部分を除去した。その後、金属層を、微粘着テープに保持されたままの状態で、接着剤層と貼り合わせ角度120°、圧力0.2MPa、速度10mm/sの条件で貼り合わせた。そして、微粘着テープを剥離した後、図8に示すように、金属層間に上記接着剤層組成物溶液を、金属層間の接着剤層のみの部分の乾燥後の厚みxが23μmとなるように滴下し、130℃で5分間乾燥させた。
(5) Production of tape for electronic device package <Example 1>
The fine adhesive tape and the metal layer obtained as described above were bonded together under the conditions of a bonding angle of 120 °, a pressure of 0.2 MPa, and a speed of 10 mm / s. Thereafter, the metal layer was cut into individual pieces having a size of 10 × 10 mm, and unnecessary portions were removed by cutting so that the distance between adjacent pieces was 0.5 mm. Thereafter, the metal layer was bonded to the adhesive layer under the conditions of a bonding angle of 120 °, a pressure of 0.2 MPa, and a speed of 10 mm / s while being held on the slightly adhesive tape. And after peeling off the slightly adhesive tape, as shown in FIG. 8, the thickness x after drying of the adhesive layer composition solution between the metal layers and the portion of the adhesive layer only between the metal layers is 23 μm. The solution was added dropwise and dried at 130 ° C. for 5 minutes.

その後、接着剤層をウエハに対応する円形形状にプリカットし、前記粘着テープの粘着剤層と接着剤層に保持された金属層の金属層側とを貼り合わせ、粘着テープをリングフレームに貼合できる形状にプリカットし、実施例1の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。   Then, the adhesive layer is pre-cut into a circular shape corresponding to the wafer, the adhesive layer of the adhesive tape and the metal layer side of the metal layer held by the adhesive layer are bonded together, and the adhesive tape is bonded to the ring frame The tape was precut into a shape that can be made, and the electronic device package tape of Example 1 was produced.

<実施例2〜19、比較例1>
金属層間の接着剤層の厚みx、金属層間の間隔を表1,2に記載の組合せにした以外は、実施例1と同様の手法により、実施例2〜19の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。実施例6〜9,15〜19は、金属層間に接着剤層組成物溶液を滴下する工程に替えて、金属層にマスキングをした状態で接着剤層組成物溶液をスクリーン印刷する工程を用いた。また、金属層を10×10mm角に切断することなく接着剤層と貼合し、接着剤層とともに円形形状にプリカットした以外は、実施例1と同様にして比較例1の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。
<Examples 2 to 19, Comparative Example 1>
The electronic device package tapes of Examples 2 to 19 were produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness x of the adhesive layer between metal layers and the interval between metal layers were changed to the combinations shown in Tables 1 and 2. did. Examples 6-9 and 15-19 used the process of screen-printing an adhesive layer composition solution in the state which masked the metal layer instead of the process of dripping the adhesive layer composition solution between metal layers. . Moreover, the tape for electronic device packages of the comparative example 1 was carried out similarly to Example 1 except having bonded the metal layer with the adhesive bond layer without cut | disconnecting to a 10x10 square mm, and pre-cutting with the adhesive bond layer in the circular shape. Was made.

実施例1〜19及び比較例1に係る電子デバイスパッケージ用テープについて以下の評価を行った。その結果を表1,2に示す。   The following evaluation was performed on the tapes for electronic device packages according to Examples 1 to 19 and Comparative Example 1. The results are shown in Tables 1 and 2.

厚み200μmのバンプ付きシリコンウエハ(バンプ:銅ピラー及びはんだ、バンプ高さ:約40μm)の裏面に各実施例および比較例に係る電子デバイスパッケージ用テープの接着剤層を70℃で10秒間加熱貼合した後、ダイシングを行い、10×10mmの評価用チップに分割した。   The adhesive layer of the tape for electronic device packages according to each of the examples and comparative examples was heated and pasted at 70 ° C. for 10 seconds on the back surface of a 200 μm thick silicon wafer with bumps (bump: copper pillar and solder, bump height: about 40 μm). After combining, dicing was performed and divided into 10 × 10 mm evaluation chips.

(ボイド評価)
シリコンウエハに接着剤層を貼合した後、電子デバイスパッケージ用テープを粘着テープ側から目視にて観察し、ボイドが確認されなかったものを良品として○、ボイドが確認されたものを許容品として△で評価した。なお、ボイドが確認できたものであっても許容品としたのは、このボイドは、金属層同士間における接着剤層と半導体ウエハとの間に発生するが、当該部分は、ダイシング工程において、切断除去される部分であるため、通常は問題とはならないためである。
(Void evaluation)
After bonding the adhesive layer to the silicon wafer, visually observe the tape for electronic device packaging from the adhesive tape side. If the void is not confirmed as good, ○, if the void is confirmed as acceptable It evaluated by (triangle | delta). In addition, even if the void was confirmed, it was an acceptable product, this void is generated between the adhesive layer between the metal layers and the semiconductor wafer, the part is in the dicing process, This is because it is not a problem because it is a part to be cut and removed.

(金属層表面への接着剤の付着評価)
シリコンウエハに接着剤層を貼合した後、金属層の表面への接着剤の付着の有無を目視にて確認し、接着剤の付着が確認されなかったものを良品として○、接着剤の付着が確認されたものを許容品として△で評価した。
(Evaluation of adhesion of adhesive to metal layer surface)
After bonding the adhesive layer to the silicon wafer, visually check whether the adhesive has adhered to the surface of the metal layer. As a permissible product, the product was confirmed as Δ.

(金属層の切削屑の発生評価)
ダイシングを行った後に、目視にて金属層の切削屑の有無を観察した。切削屑が確認されなかったものを良品として○、切削屑が確認されたものを不良品として×で評価した。
(Evaluation of generation of metal layer cutting waste)
After dicing, the presence or absence of cutting chips on the metal layer was visually observed. A case where no cutting waste was confirmed was evaluated as “Good”, and a case where cutting waste was confirmed was evaluated as “Poor”.

表1,2に示すように、実施例1〜19に係る電子デバイスパッケージ用テープは、金属層が予め半導体チップに対応する形状に切断されているため、金属層の切削屑の発生評価において、良好な結果となった。   As shown in Tables 1 and 2, the tapes for electronic device packages according to Examples 1 to 19 are preliminarily cut into a shape corresponding to the semiconductor chip in the tape for electronic device packaging. Good results.

また、実施例1〜9に係る電子デバイスパッケージ用テープは、金属層が接着剤層に埋め込まれており、金属層の粘着剤層側の面と、金属層間における接着剤層の粘着剤層側の頂部との段差が3μm未満であるため、ボイド評価および金属層表面への接着剤の付着評価において特に優良な結果となった。   Moreover, as for the tape for electronic device packages which concerns on Examples 1-9, the metal layer is embedded in the adhesive bond layer, the surface at the side of the adhesive layer of a metal layer, and the adhesive layer side of the adhesive bond layer between metal layers Since the level difference from the top of the film was less than 3 μm, particularly excellent results were obtained in the void evaluation and the adhesion evaluation of the adhesive on the surface of the metal layer.

これに対して、比較例1に係る電子デバイスパッケージ用テープは、金属層が予め半導体チップに対応する形状に切断されていないため、金属層の切削屑の発生評価において、劣る結果となった。   In contrast, the electronic device package tape according to Comparative Example 1 was inferior in the evaluation of the generation of metal chips, because the metal layer was not cut into a shape corresponding to the semiconductor chip in advance.

1:電子デバイスパッケージ用テープ
2:微粘着テープ
3:金属層
4:接着剤層
5:粘着テープ
5a:ラベル部
5b:周辺部
1: Electronic device package tape 2: Slight adhesive tape 3: Metal layer 4: Adhesive layer 5: Adhesive tape 5a: Label portion 5b: Peripheral portion

Claims (8)

基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープと、
前記粘着剤層の前記基材フィルムと反対側に積層して設けられた金属層と、
前記金属層を電子デバイスの裏面に接着するための接着剤層とを有し、
前記金属層は、前記電子デバイスに対応する形状に個片化されており、
前記接着剤層には、個片化された前記金属層が所定間隔で複数保持されていることを特徴とする電子デバイスパッケージ用テープ。
An adhesive tape having a base film and an adhesive layer;
A metal layer provided on the side opposite to the base film of the adhesive layer; and
An adhesive layer for adhering the metal layer to the back surface of the electronic device;
The metal layer is singulated into a shape corresponding to the electronic device,
A tape for electronic device packages, wherein a plurality of the separated metal layers are held at predetermined intervals on the adhesive layer.
前記接着剤層は、ウエハに対応する形状を有しており、前記ウエハに貼合された状態で、前記ウエハとともに前記電子デバイスに対応する形状に切断されて個片化されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。   The adhesive layer has a shape corresponding to a wafer, and is cut into a shape corresponding to the electronic device together with the wafer in a state of being bonded to the wafer. The tape for electronic device packages of Claim 1. 前記金属層間には、前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記粘着剤層側の頂部との段差を軽減する段差軽減部が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。   A step reduction portion is formed between the metal layers to reduce a step between the surface of the metal layer on the pressure-sensitive adhesive layer side and the top of the metal layer on the pressure-sensitive adhesive layer side. The tape for electronic device packages of Claim 1 or Claim 2. 前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記段差軽減部の前記粘着剤層側の頂部との段差が3μm未満であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。   The level | step difference of the surface by the side of the said adhesive layer of the said metal layer and the top part by the side of the said adhesive layer of the said level | step-difference reduction part between the said metal layers is less than 3 micrometers. The tape for electronic device packages as described in any one. 前記段差軽減部は、前記接着剤層により形成されていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。   5. The electronic device package tape according to claim 3, wherein the step reduction portion is formed of the adhesive layer. 6. 前記金属層が銅またはアルミニウムを含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。   The tape for an electronic device package according to any one of claims 1 to 5, wherein the metal layer contains copper or aluminum. 前記接着剤層が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および(D)表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。   The adhesive layer contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an acrylic resin or a phenoxy resin, and (D) a surface-treated inorganic filler. The tape for electronic device packages as described in any one of Claims 6. 前記粘着剤層が、CH2=CHCOOR(式中、Rは炭素数が4〜18のアルキル基である。)で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーを含有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。 The pressure-sensitive adhesive layer has an acrylic ester represented by CH 2 = CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms), a hydroxyl group-containing monomer, and radical reactivity in the molecule. The tape for electronic device packages as described in any one of Claims 1-7 containing the acrylic polymer comprised including the isocyanate compound which has a carbon-carbon double bond.
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