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JP2018159728A - Photoelectric wiring board, electronic apparatus, and method for manufacturing photoelectric wiring board - Google Patents

Photoelectric wiring board, electronic apparatus, and method for manufacturing photoelectric wiring board Download PDF

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JP2018159728A
JP2018159728A JP2017055375A JP2017055375A JP2018159728A JP 2018159728 A JP2018159728 A JP 2018159728A JP 2017055375 A JP2017055375 A JP 2017055375A JP 2017055375 A JP2017055375 A JP 2017055375A JP 2018159728 A JP2018159728 A JP 2018159728A
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Japan
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wiring board
cladding layer
substrate
layer
solder resist
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JP2017055375A
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覚詞 淺井
Satoshi Asai
覚詞 淺井
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】電気的な接続信頼性および光伝送特性を高めることが可能な光電気配線基板および電子装置を提供する。【解決手段】光電気配線基板100は、基板1と、電極部2と、第1クラッド層3aと、ソルダーレジスト層4と、コア部3bと、第2クラッド層3cとを具備している。基板は、第1面1aを有している。電極部2は第1面上に配されている。また、電極部は、基板とは反対側の第2面2aを有している。第1クラッド層は、第1面上に第2面を露出するように配されている。また、第1クラッド層は、基板とは反対側の第3面3aaを有している。ソルダーレジスト層は、第2面から第3面の端部にかけて配されている。コア部は、第2面からの距離が端部よりも遠い第3面の部位上に配されている。第2クラッド層は、コア部を覆っている。【選択図】図2PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical electrical wiring board and an electronic device capable of enhancing electrical connection reliability and optical transmission characteristics. An optical electrical wiring board 100 includes a substrate 1, an electrode portion 2, a first clad layer 3a, a solder resist layer 4, a core portion 3b, and a second clad layer 3c. The substrate has a first surface 1a. The electrode portion 2 is arranged on the first surface. Further, the electrode portion has a second surface 2a on the opposite side to the substrate. The first clad layer is arranged so as to expose the second surface on the first surface. Further, the first clad layer has a third surface 3aa on the side opposite to the substrate. The solder resist layer is arranged from the second surface to the end of the third surface. The core portion is arranged on the portion of the third surface whose distance from the second surface is farther than the end portion. The second clad layer covers the core portion. [Selection diagram] Fig. 2

Description

本開示は、光導波路および配線導体を具備する光電気配線基板およびそれを用いた電子装置に関する。   The present disclosure relates to an opto-electric wiring board including an optical waveguide and a wiring conductor, and an electronic device using the same.

近年、情報処理能力の向上を目的として、電子装置間の信号伝送を光で行なうことが検討されている。そのため、電子装置の電気信号を光信号に変換して、光信号を伝送する光導波路が形成された光電気配線基板が開発されている。   In recent years, it has been studied to perform signal transmission between electronic devices using light for the purpose of improving information processing capability. Therefore, an optoelectric wiring board has been developed in which an optical waveguide for transmitting an optical signal by converting an electrical signal of an electronic device into an optical signal is formed.

このような光電気配線基板としては、例えば特許文献1に記載されているものがある。この光電気配線基板は、配線基板上に光導波路と電極とを有している。この光導波路はクラッド層とコア層とを有している。また、電極は光素子等を実装するためのものであり、クラッド層を貫通する貫通導体を介して配線基板に設けられた配線導体に接続されている。   An example of such an opto-electric wiring board is described in Patent Document 1. This optoelectric wiring board has an optical waveguide and an electrode on the wiring board. This optical waveguide has a clad layer and a core layer. The electrode is for mounting an optical element or the like, and is connected to a wiring conductor provided on the wiring board via a through conductor penetrating the cladding layer.

特開2011−118163号公報JP 2011-118163 A

光電気配線基板およびこれを用いた電子装置では、電気的な接続信頼性および光伝送特性をともに高めることが望まれている。本開示はこのような事情に鑑みて案出されたものであり、電気的な接続信頼性および光伝送特性を高めることが可能な光電気配線基板および電子装置を提供することを目的とする。   In an optoelectric wiring board and an electronic device using the same, it is desired to improve both electrical connection reliability and optical transmission characteristics. The present disclosure has been devised in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an opto-electric wiring board and an electronic device that can improve electrical connection reliability and optical transmission characteristics.

本発明の一実施形態に係る光電気配線基板は、基板と、電極部と、第1クラッド層と、ソルダーレジスト層と、コア部と、第2クラッド層とを具備している。基板は、第1面を有している。電極部は第1面上に配されている。また、電極部は、基板とは反対側の第2面を有している。第1クラッド層は、第1面上に第2面を露出するように配されている。また、第1クラッド層は、基板とは反対側の第3面を有している。ソルダーレジスト層は、第2面から第3面の端部にかけて配されている。コア部は、第2面からの距離が前記端部よりも遠い第3面の部位上に配されている。第2クラッド層は、コア部を覆っている。   An optoelectric wiring board according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an electrode portion, a first cladding layer, a solder resist layer, a core portion, and a second cladding layer. The substrate has a first surface. The electrode portion is disposed on the first surface. Moreover, the electrode part has the 2nd surface on the opposite side to a board | substrate. The first cladding layer is disposed on the first surface so as to expose the second surface. The first cladding layer has a third surface opposite to the substrate. The solder resist layer is arranged from the second surface to the end of the third surface. The core portion is disposed on a portion of the third surface that is farther from the second surface than the end portion. The second cladding layer covers the core part.

本発明の一実施形態に係る電子装置は、上記の光電気配線基板と、第2面に接続部材を介して接続された光素子とを具備している。   An electronic device according to an embodiment of the present invention includes the above-described optoelectric wiring board and an optical element connected to the second surface via a connection member.

本発明の一実施形態に係る光電気配線基板の製造方法は以下の工程を具備している。第1面を有する基板を準備する工程。第1面上に基板とは反対側の第2面を有する電極部を設ける工程。第1面上に基板とは反対側の第3面を有する第1クラッド層を第2面が露出するように設ける工程。第2面から第3面の端部にかけてソルダーレジスト層を設ける工程。第2面からの距離が前記端部よりも遠い第3面の部位上に、コア部およびコア部を覆う第2クラッド層を設ける工程。   The manufacturing method of the optoelectric wiring board according to an embodiment of the present invention includes the following steps. Preparing a substrate having a first surface; Providing an electrode part having a second surface opposite to the substrate on the first surface; Providing a first cladding layer having a third surface opposite to the substrate on the first surface so that the second surface is exposed; A step of providing a solder resist layer from the second surface to the end of the third surface. A step of providing a core part and a second cladding layer covering the core part on a part of the third surface that is farther from the end part than the end part.

上記各実施形態によれば、光電気配線基板および電子装置において、電気的な接続信頼性および光伝送特性を高めることが可能となる。   According to each of the above embodiments, electrical connection reliability and optical transmission characteristics can be improved in the opto-electric wiring board and the electronic device.

第1実施形態の光電気配線基板の平面図である。It is a top view of the optoelectric wiring board of a 1st embodiment. (a)は図1の光電子配線基板のII−II線における断面図であり、(b)は(a)の光電子配線基板に光素子を搭載した電子装置の断面図である。(A) is sectional drawing in the II-II line of the optoelectronic wiring board of FIG. 1, (b) is sectional drawing of the electronic apparatus which mounted the optical element in the optoelectronic wiring board of (a). (a)は図1の光電子配線基板のIII−III線における断面図であり、(b)は(a)の光電子配線基板に光素子を搭載した電子装置の断面図である。(A) is sectional drawing in the III-III line of the optoelectronic wiring board of FIG. 1, (b) is sectional drawing of the electronic apparatus which mounted the optical element in the optoelectronic wiring board of (a). (a)は第2実施形態の光電気配線基板の断面図であり、(b)は(a)の光電子配線基板に光素子を搭載した電子装置の電子装置の断面図である。(A) is sectional drawing of the optoelectronic wiring board of 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing of the electronic device of the electronic device which mounted the optical element on the optoelectronic wiring board of (a). (a)は第2実施形態の光電気配線基板の断面図であり、(b)は(a)の光電子配線基板に光素子を搭載した電子装置の電子装置の断面図である。(A) is sectional drawing of the optoelectronic wiring board of 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing of the electronic device of the electronic device which mounted the optical element on the optoelectronic wiring board of (a). (a)〜(e)は光電気配線基板の製造方法の一例における、製造工程途中の状態を示す断面図である。(A)-(e) is sectional drawing which shows the state in the middle of a manufacturing process in an example of the manufacturing method of an optoelectronic wiring board. (a)〜(e)は光電気配線基板の製造方法の他の例における、製造工程途中の状態を示す断面図である。(A)-(e) is sectional drawing which shows the state in the middle of a manufacturing process in the other example of the manufacturing method of an optoelectric wiring board.

本開示の光電気配線基板および電子装置について、図面を参照しながら説明する。なお、光電気配線基板および電子装置は、いずれの方向が上方とされてもよいが、本開示では、便宜的に、直交座標系(X,Y,Z)を定義し、Z軸方向の正側を上方として説明する場合がある。   The optoelectric wiring board and the electronic device of the present disclosure will be described with reference to the drawings. Although any direction of the opto-electric wiring board and the electronic device may be upward, in the present disclosure, for the sake of convenience, an orthogonal coordinate system (X, Y, Z) is defined, and the positive direction in the Z-axis direction is defined. The side may be described as being upward.

図1〜図3に第1実施形態の光電気配線基板100を示す。図1は光電気配線基板100の平面図である。図2(a)は図1の光電子配線基板100のII−II線における断面図である。図3(a)は図1の光電子配線基板100のIII−III線における断面図である。光電子配線基板100に光素子6を搭載することで図2(b)および図3(b)に示す電子装置101となる。なお、図2(b)および図3(b)は、それぞれ図2(a)および図3(a)と同じ位置での断面図である。電子装置101は、例えば、光トランシーバー、サーバーまたはルータ等の製品に搭載される。   1 to 3 show an optoelectric wiring board 100 according to the first embodiment. FIG. 1 is a plan view of the optoelectric wiring board 100. 2A is a cross-sectional view taken along line II-II of the optoelectronic wiring board 100 of FIG. FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line III-III of the optoelectronic wiring board 100 of FIG. By mounting the optical element 6 on the optoelectronic wiring board 100, the electronic device 101 shown in FIGS. 2B and 3B is obtained. 2B and 3B are cross-sectional views at the same positions as those in FIGS. 2A and 3A, respectively. The electronic device 101 is mounted on a product such as an optical transceiver, a server, or a router, for example.

光電気配線基板100は、光信号および電気信号を伝送する機能を有する。光電気配線基板100は、基板1と、電極部2と、第1クラッド層3aと、ソルダーレジスト層4と、コア部3bと、第2クラッド層3cとを具備している。第1クラッド層3a、コア部3bおよび第2クラッド層3cは、光導波路3として機能する。   The optoelectric wiring board 100 has a function of transmitting optical signals and electrical signals. The optoelectric wiring board 100 includes a substrate 1, an electrode part 2, a first cladding layer 3a, a solder resist layer 4, a core part 3b, and a second cladding layer 3c. The first cladding layer 3a, the core portion 3b, and the second cladding layer 3c function as the optical waveguide 3.

基板1は、第1面(上面)1aを有しており、この第1面上で光素子6および光導波路3を支持している。基板1は、例えば、複数の絶縁層(図示せず)と、複数の金属層(図示せず)と、ビア導体(図示せず)とを具備している。これらの複数の絶縁層および複数の金属層は交互に積層されている。また、ビア導体は1層の絶縁層を貫通して設けられており、このビア導体を介して、上下方向に隣り合う金属層同士が電気的に接続されている。なお、金属層は、基板1の配線導体として機能する。基板1は、従来周知の方法によって作製することができる。   The substrate 1 has a first surface (upper surface) 1a, and supports the optical element 6 and the optical waveguide 3 on the first surface. The substrate 1 includes, for example, a plurality of insulating layers (not shown), a plurality of metal layers (not shown), and via conductors (not shown). The plurality of insulating layers and the plurality of metal layers are alternately stacked. The via conductor is provided so as to penetrate through one insulating layer, and the metal layers adjacent in the vertical direction are electrically connected to each other via the via conductor. Note that the metal layer functions as a wiring conductor of the substrate 1. The substrate 1 can be manufactured by a conventionally known method.

基板1は、複数の絶縁層および複数の金属層を有している場合に限られない。基板1は、例えば、1層の絶縁層と、1層の絶縁層の上面に配された金属層とを有するものでもよい。また、基板1は、例えば、複数の絶縁層からなる積層体と、積層体の上面に配された金属層とを有するものでもよい。また、基板1は、例えば、絶縁層と、複数の絶縁層からなる積層体とを混合して積層したものでもよい。   The substrate 1 is not limited to having a plurality of insulating layers and a plurality of metal layers. The substrate 1 may have, for example, one insulating layer and a metal layer disposed on the upper surface of the one insulating layer. Moreover, the board | substrate 1 may have a laminated body which consists of a some insulating layer, and the metal layer distribute | arranged to the upper surface of the laminated body, for example. Moreover, the board | substrate 1 may mix and laminate | stack the insulating layer and the laminated body which consists of a some insulating layer, for example.

基板1の絶縁層は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料、あるいはシリカ、アルミナまたはジルコニア等のセラミックス材料等が用いられる。また、基板1の金属層およびビア導体は、例えば、銅またはアルミニウム等の金属材料等が用いられる。   For the insulating layer of the substrate 1, for example, a resin material such as an epoxy resin or a ceramic material such as silica, alumina, or zirconia is used. The metal layer and via conductor of the substrate 1 are made of, for example, a metal material such as copper or aluminum.

電極部2は、基板1の第1面1a上に配されている。また、電極部2は、基板1とは反対側の第2面(上面)2aを有している。電極部2は基板1の配線導体と光素子6とを電気的に接続するためのものである。電極部2は、例えば、銅またはアルミニウム等の金属材料等が用いられる。   The electrode unit 2 is disposed on the first surface 1 a of the substrate 1. The electrode unit 2 has a second surface (upper surface) 2 a opposite to the substrate 1. The electrode portion 2 is for electrically connecting the wiring conductor of the substrate 1 and the optical element 6. For example, a metal material such as copper or aluminum is used for the electrode portion 2.

ソルダーレジスト層4は、基板1の表面を保護するためのものである。ソルダーレジスト層4は、光素子6を半田等の接続部材7を介して接続する際の加熱工程においても絶縁性を良好に維持可能な絶縁材料が用いられる。このような絶縁材料としては、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料が挙げられる。電極部2と基板1に設けられた配線導体との電気的な接続をさらに良好に維持するという観点からは、ソルダーレジスト層4は、例えば、40vol%以上70vol%以下の無機フィラーを有していてもよい。無機フィラーとしては、例えば、平均粒径が0.1μm以上2μm以下のシリカ粒子またはアルミナ粒子等が用いられる。   The solder resist layer 4 is for protecting the surface of the substrate 1. The solder resist layer 4 is made of an insulating material capable of maintaining good insulation even in a heating process when the optical element 6 is connected via a connecting member 7 such as solder. Examples of such an insulating material include a resin material such as an epoxy resin. From the viewpoint of maintaining better electrical connection between the electrode portion 2 and the wiring conductor provided on the substrate 1, the solder resist layer 4 has, for example, an inorganic filler of 40 vol% or more and 70 vol% or less. May be. As the inorganic filler, for example, silica particles or alumina particles having an average particle diameter of 0.1 μm to 2 μm are used.

ソルダーレジスト層4は、図2および図3に示すように、電極部2の第2面2aの少なくとも一部を露出させるとともに、第2面2aから、後述する第1クラッド層3aの第3面(上面)3aaの端部3Aにかけて配されている。なお第1クラッド層3aの第3面3aaの端部3Aとは、第1クラッド層3aの第3面3aaのうち、電極部2の第2面2aの近傍に位置する部位のことである。   As shown in FIGS. 2 and 3, the solder resist layer 4 exposes at least a part of the second surface 2a of the electrode portion 2, and from the second surface 2a, a third surface of the first cladding layer 3a described later. (Upper surface) It is arranged over the end 3A of 3aa. The end portion 3A of the third surface 3aa of the first cladding layer 3a is a portion located in the vicinity of the second surface 2a of the electrode portion 2 in the third surface 3aa of the first cladding layer 3a.

光導波路3は、光信号を伝送する機能を有する。光導波路3は、第1クラッド層3aと、帯状のコア部3bと、第2クラッド層3cとを有している。コア部3bの屈折率は、第1クラッド層3aおよび第2クラッド層3cの屈折率よりも大きく設定されているため、コア部3b内に進入した光は、コア部3bと第1クラッド層3aとの界面およびコア部3bと第2クラッド層3cとの界面において反射を繰り返しつつ、コア部2b内を進むことになる。その結果、光導波路3は、光信号を伝送することができる。   The optical waveguide 3 has a function of transmitting an optical signal. The optical waveguide 3 has a first cladding layer 3a, a strip-shaped core portion 3b, and a second cladding layer 3c. Since the refractive index of the core portion 3b is set to be larger than the refractive indexes of the first cladding layer 3a and the second cladding layer 3c, the light that has entered the core portion 3b is reflected in the core portion 3b and the first cladding layer 3a. And the inside of the core portion 2b while repeating reflection at the interface between the core portion 3b and the second clad layer 3c. As a result, the optical waveguide 3 can transmit an optical signal.

コア部3bの屈折率は、例えば、1.5以上1.6以下に設定される。また第1クラッド層3aおよび第2クラッド層3cの屈折率は、例えば、1.45以上1.55以下に設定される。コア部3bの屈折率は、第1クラッド層3aおよび第2クラッド層3cの屈折率に対して例えば0.1%以上0.5%以下の範囲で、第1クラッド層3aおよび第2クラッド層3cの屈折率よりも大きく設定される。   The refractive index of the core part 3b is set to 1.5 or more and 1.6 or less, for example. The refractive indexes of the first cladding layer 3a and the second cladding layer 3c are set to 1.45 or more and 1.55 or less, for example. The refractive index of the core portion 3b is, for example, in the range of 0.1% to 0.5% with respect to the refractive indexes of the first cladding layer 3a and the second cladding layer 3c, and the first cladding layer 3a and the second cladding layer. It is set larger than the refractive index of 3c.

第1クラッド層3aは層状体である。第1クラッド層3aは、基板1の第1面1a上に、電極部2の第2面2aを露出するように配されている。また、第1クラッド層3aは、基板1とは反対側の第3面3aaを有している。第1クラッド層3aの厚み(図2および図3のZ方向の長さ)は、例えば10μm以上100μm以下である。第1クラッド層3aとしては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂またはアクリル樹脂等を使用することができる。   The first cladding layer 3a is a layered body. The first cladding layer 3 a is disposed on the first surface 1 a of the substrate 1 so as to expose the second surface 2 a of the electrode portion 2. The first cladding layer 3 a has a third surface 3 aa opposite to the substrate 1. The thickness of the first cladding layer 3a (the length in the Z direction in FIGS. 2 and 3) is, for example, not less than 10 μm and not more than 100 μm. As the first clad layer 3a, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, an acrylic resin, or the like can be used.

第1クラッド層3aは、図2および図3に示すように、電極部2の第2面2aの外縁部に接触していてもよい。このような構成であれば、電極部2と第1クラッド層3aとの間に隙間がなくなり、ソルダーレジスト層4を形成する際に、ソルダーレジスト4内に気泡が生じ難くなる。その結果、ソルダーレジスト層4にクラックが生じ難くなる。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first cladding layer 3 a may be in contact with the outer edge portion of the second surface 2 a of the electrode portion 2. With such a configuration, there is no gap between the electrode portion 2 and the first cladding layer 3 a, and bubbles are less likely to be generated in the solder resist 4 when the solder resist layer 4 is formed. As a result, the solder resist layer 4 is hardly cracked.

また、第1クラッド層3aは、平面視したときに電極部2を取り囲んでいてもよい。このような構成であれば、光導波路3の近傍に電極部2を配置して光電気配線基板100を小型化した場合でも、第1クラッド層3aと基板1上との密着性を良好に維持できる。   Further, the first cladding layer 3a may surround the electrode portion 2 when viewed in plan. With such a configuration, even when the electrode part 2 is disposed in the vicinity of the optical waveguide 3 and the optoelectric wiring board 100 is downsized, the adhesion between the first cladding layer 3a and the substrate 1 is maintained well. it can.

さらに、このような構成において、ソルダーレジスト層4と第1クラッド層3aとが重なっている部位は、電極部2を取り囲んでいてもよい。このような構成であれば、電極2の周囲を同じ材料で取り囲むことによって、熱膨張等による歪みが生じ難くなる。   Further, in such a configuration, a portion where the solder resist layer 4 and the first cladding layer 3a overlap may surround the electrode portion 2. With such a configuration, by surrounding the electrode 2 with the same material, distortion due to thermal expansion or the like hardly occurs.

コア部3bはX軸方向に延びる帯状体である。コア部3bは、電極部2の第2面2aからの距離が、端部3Aよりも遠い位置にある第3面3aaの部位上に配されている。コア部3bの厚み(図2および図3のZ方向の厚み)は、例えば20μm以上50μm以下であり、コア部3bの幅(図1のY軸方向の長さ)は、例えば20μm以上50μm以下である。コア部3bとしては、例えば、エポキシ樹脂等を使用することができる。   The core part 3b is a strip-like body extending in the X-axis direction. The core portion 3b is disposed on a portion of the third surface 3aa where the distance from the second surface 2a of the electrode portion 2 is farther than the end portion 3A. The thickness of the core part 3b (the thickness in the Z direction in FIGS. 2 and 3) is, for example, 20 μm or more and 50 μm or less, and the width of the core part 3b (the length in the Y-axis direction in FIG. 1) is, for example, 20 μm or more and 50 μm or less. It is. For example, an epoxy resin or the like can be used as the core portion 3b.

第2クラッド層3cは、コア部3bの上面および側面を覆っている。第2クラッド層3cの厚み(図2および図3のZ方向の長さ)は、例えば10μm以上100μm以下である。第2クラッド層3cとしては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂またはアクリル樹脂等を使用することができる。   The second cladding layer 3c covers the upper surface and side surfaces of the core portion 3b. The thickness of the second cladding layer 3c (the length in the Z direction in FIGS. 2 and 3) is, for example, not less than 10 μm and not more than 100 μm. As the second clad layer 3c, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, an acrylic resin, or the like can be used.

第2クラッド層3cは、コア部3bと同様に、電極部2の第2面2aからの距離が、端部3Aよりも遠い位置にある第3面3aaの部位上に配されている。つまり、第1クラッド層3aはコア部3bおよび第2クラッド層3cよりも電極部2側に突出しており、その突出した第1クラッド層3a上に、ソルダーレジスト層4に覆われた端部3Aが位置している。   Similar to the core portion 3b, the second cladding layer 3c is disposed on a portion of the third surface 3aa where the distance from the second surface 2a of the electrode portion 2 is farther than the end portion 3A. That is, the first cladding layer 3a protrudes more toward the electrode part 2 than the core part 3b and the second cladding layer 3c, and the end part 3A covered with the solder resist layer 4 on the protruding first cladding layer 3a. Is located.

このような構成によって、光電気配線基板100および電子装置101において、電気的な接続信頼性および光伝送特性を高めることが可能となる。つまり、ソルダーレジスト層4が光導波路3の一部を覆うことによって、光導波路3の耐熱性が比較的低くても、光導波路3をソルダーレジスト層4で基板1にしっかりと固定して剥離し難くすることができる。また、ソルダーレジスト層4は電極部2の近傍において、第1クラッド層3aのみを覆っていることから、ソルダーレジスト4が覆っている部位の段差が低くなり、光導波路3とソルダーレジスト4との熱膨張係数差の違いによる応力も小さくすることができる。以上のことから、電極部2等の電気伝導性を有する部分は耐熱性および絶縁性に優れたソルダーレジスト層4で保護するすることで電気的な接続信頼性を高くすることができる。また、光導波路3の部分は光伝送性に優れた材料を優先的に採用することで光伝送性を高くすることができる。そして、光導波路3の一部をソルダーレジスト層4が覆うことで、光導波路3の耐熱性を補い、光導波路3を安定に維持することができる。   With such a configuration, it is possible to improve electrical connection reliability and optical transmission characteristics in the optoelectric wiring board 100 and the electronic device 101. That is, the solder resist layer 4 covers a part of the optical waveguide 3 so that the optical waveguide 3 is firmly fixed to the substrate 1 with the solder resist layer 4 and peeled even if the heat resistance of the optical waveguide 3 is relatively low. Can be difficult. Further, since the solder resist layer 4 covers only the first cladding layer 3 a in the vicinity of the electrode portion 2, the level difference of the portion covered by the solder resist 4 is reduced, and the optical waveguide 3 and the solder resist 4 are separated. The stress due to the difference in thermal expansion coefficient can also be reduced. From the above, the electrical connection reliability can be increased by protecting the part having electrical conductivity such as the electrode part 2 with the solder resist layer 4 excellent in heat resistance and insulation. In addition, the optical waveguide 3 can be made to have a high optical transmission property by preferentially adopting a material having an excellent optical transmission property. Then, by covering a part of the optical waveguide 3 with the solder resist layer 4, the heat resistance of the optical waveguide 3 can be compensated and the optical waveguide 3 can be stably maintained.

ミラー部5は、光導波路3の一部に配されており、光素子6とコア部3bとを光学的に接続するためのものである。ミラー部5は、コア部3bの延びる方向(X軸方向)に対して傾斜しており、その傾斜面が光反射面となっている。すなわち、ミラー部5は、光素子6から下方(−Z方向)に向かって出射された光を平面方向(+X方向)に反射して、コア部3b内に光を誘導することができる。あるいは、ミラー部5は、コア部3bから平面方向(−X方向)に出射された光を上方(+Z方向)に反射して光素子6に光を誘導することができる。ミラー部5は、光導波路3の一部を、ダイシング、レーザー加工等を使用して切り欠くことによって形成することができる。   The mirror part 5 is arranged on a part of the optical waveguide 3 and is for optically connecting the optical element 6 and the core part 3b. The mirror part 5 is inclined with respect to the extending direction (X-axis direction) of the core part 3b, and the inclined surface is a light reflecting surface. That is, the mirror unit 5 can guide light into the core unit 3b by reflecting light emitted downward (−Z direction) from the optical element 6 in the plane direction (+ X direction). Alternatively, the mirror unit 5 can guide the light to the optical element 6 by reflecting the light emitted from the core unit 3 b in the plane direction (−X direction) upward (+ Z direction). The mirror part 5 can be formed by cutting out a part of the optical waveguide 3 using dicing, laser processing or the like.

なお、ミラー部5とコア部3bとの間には、これらの間で伝送される光に対して光透過性を有する透光性樹脂が充填されていてもよい。このような透光性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等を使用することができる。透光性樹脂の屈折率は、コア部3bの屈折率よりも小さくてもよい。このような構成によって、ミラー部5とコア部3bとの間で良好に光信号を伝送させることができる。なお、透光性樹脂の屈折率は、例えば1.45以上1.55以下に設定される。   In addition, between the mirror part 5 and the core part 3b, the translucent resin which has a light transmittance with respect to the light transmitted between these may be filled. As such a translucent resin, for example, an epoxy resin or a silicone resin can be used. The refractive index of the translucent resin may be smaller than the refractive index of the core portion 3b. With such a configuration, an optical signal can be transmitted favorably between the mirror unit 5 and the core unit 3b. In addition, the refractive index of translucent resin is set to 1.45 or more and 1.55 or less, for example.

光電子配線基板100に光素子6を搭載することで図2(b)および図3(b)に示す電子装置101となる。光素子6は、電気信号を光信号に変換する発光素子であってもよく、光信号を電気信号に変換する受光素子であってもよい。光素子6は、例えば、半田等の接合部材7を介して光電気配線基板100の電極2に電気的に接続される。   By mounting the optical element 6 on the optoelectronic wiring board 100, the electronic device 101 shown in FIGS. 2B and 3B is obtained. The optical element 6 may be a light emitting element that converts an electrical signal into an optical signal, or may be a light receiving element that converts an optical signal into an electrical signal. The optical element 6 is electrically connected to the electrode 2 of the optoelectric wiring board 100 via a bonding member 7 such as solder, for example.

光素子6は、種々の発光素子または受光素子を適用することができる。発光素子としては、例えば、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting LASER)等を使用することができる。また、受光素子としては、例えば、フォトダイオード(PD:Photo Diode)等を使用することができる。あるいは光素子6は発光部および受光部をともに有する受発光素子であってもよい。   Various light emitting elements or light receiving elements can be applied to the optical element 6. As the light emitting element, for example, a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) can be used. Moreover, as a light receiving element, a photodiode (PD: Photo Diode) etc. can be used, for example. Alternatively, the optical element 6 may be a light receiving / emitting element having both a light emitting part and a light receiving part.

光素子6は、その発光部6aまたはその受光部6aが、ミラー部5と対向するようにして光電気配線基板100上に搭載される。このような構成によって、光素子6とミラー部5とを近づけることができ、光導波路3と光素子6とを低損失で光結合させることができる。   The optical element 6 is mounted on the optoelectric wiring board 100 so that the light emitting part 6 a or the light receiving part 6 a faces the mirror part 5. With such a configuration, the optical element 6 and the mirror unit 5 can be brought close to each other, and the optical waveguide 3 and the optical element 6 can be optically coupled with low loss.

上記の第1実施形態の光電気配線基板100の製造方法を以下に示す。   A method for manufacturing the optoelectric wiring board 100 of the first embodiment will be described below.

まず、図6(a)に示すように、基板1の第1面1a上に、フォトリソグラフィ技術等を利用して電極部2を作製する。その後、図6(b)に示すように、電極部2の第2面2aを露出するように第1クラッド層3aを、フォトリソグラフィ技術等を利用して作製する。   First, as shown in FIG. 6A, the electrode unit 2 is formed on the first surface 1a of the substrate 1 by using a photolithography technique or the like. Thereafter, as shown in FIG. 6B, the first cladding layer 3a is formed by using a photolithography technique or the like so as to expose the second surface 2a of the electrode portion 2.

次に、図6(c)に示すように、電極部2の第2面2a上から第1クラッド層3aの第3面3aの端部3A上に連続するようにソルダーレジスト層4を、フォトリソグラフィ技術等を利用して作製する。   Next, as shown in FIG. 6C, the solder resist layer 4 is formed so as to be continuous from the second surface 2a of the electrode portion 2 to the end portion 3A of the third surface 3a of the first cladding layer 3a. It is produced using a lithography technique or the like.

次に、図6(d)に示すように、第2面2aからの距離が端部3Aよりも遠い位置にある第3面3aaの部位上に、コア部3bおよびコア部3bを覆う第2クラッド層3cを、フォトリソグラフィ技術等を利用して作製する。   Next, as shown in FIG. 6D, the second portion that covers the core portion 3b and the core portion 3b on the portion of the third surface 3aa that is located farther from the end portion 3A than the end surface 3A. The clad layer 3c is produced using a photolithography technique or the like.

このように、ソルダーレジスト層4を形成した後にコア部3bおよび第2クラッド層3cを形成して光導波路3とする場合、製造工程中に光導波路3が受ける外力等が少なくなるため、光導波路3光導波路3の寸法精度を良好に維持することができ、光伝送特性を高めることができる。   As described above, when the core portion 3b and the second cladding layer 3c are formed after the solder resist layer 4 is formed to form the optical waveguide 3, the external force received by the optical waveguide 3 during the manufacturing process is reduced. 3 The dimensional accuracy of the optical waveguide 3 can be maintained satisfactorily, and the optical transmission characteristics can be enhanced.

次に、図6(e)に示すように、光導波路3の一部を、ダイシング加工等を使用して切欠くことによって、傾斜面から成るミラー部5を形成する。ミラー部5の傾斜面には、めっき等で金属層を被着して光反射率を高めてもよい。以上のようにして、第1実施形態の光電気配線基板100を作製することができる。   Next, as shown in FIG. 6E, a part of the optical waveguide 3 is cut out by using a dicing process or the like, thereby forming a mirror portion 5 having an inclined surface. On the inclined surface of the mirror unit 5, a light reflection rate may be increased by depositing a metal layer by plating or the like. As described above, the optoelectric wiring board 100 of the first embodiment can be manufactured.

第1実施形態の光電気配線基板100の製造方法は上記の製造方法に限定されず、種々の変形が可能である。以下に変形例を示す。   The manufacturing method of the optoelectronic wiring board 100 of the first embodiment is not limited to the above manufacturing method, and various modifications are possible. A modification is shown below.

まず、図7(a)に示すように、基板1の第1面1a上に、フォトリソグラフィ技術等を利用して電極部2を作製する。その後、図7(b)に示すように、電極部2の第2面2aを露出するように第1クラッド層3aを、フォトリソグラフィ技術等を利用して作製する。   First, as shown in FIG. 7A, the electrode unit 2 is formed on the first surface 1a of the substrate 1 by using a photolithography technique or the like. Thereafter, as shown in FIG. 7B, the first cladding layer 3a is formed by using a photolithography technique or the like so as to expose the second surface 2a of the electrode portion 2.

次に、図7(c)に示すように、第2面2aからの距離が、第1クラッド層3aの端部3Aよりも遠い位置にある第3面3aaの部位上に、コア部3bおよびコア部3bを覆う第2クラッド層3cを、フォトリソグラフィ技術等を利用して作製する。   Next, as shown in FIG. 7C, the core portion 3b and the core portion 3b are disposed on the portion of the third surface 3aa at a position farther from the end portion 3A of the first cladding layer 3a. The second cladding layer 3c that covers the core portion 3b is produced using a photolithography technique or the like.

次に、図7(d)に示すように、電極部2の第2面2a上から第1クラッド層3aの端部3A上に連続するようにソルダーレジスト層4を、フォトリソグラフィ技術等を利用して作製する。   Next, as shown in FIG. 7 (d), the solder resist layer 4 is continuously applied from the second surface 2a of the electrode portion 2 to the end portion 3A of the first cladding layer 3a by using a photolithography technique or the like. To make.

このように、コア部3bおよび第2クラッド層3cを形成して光導波路3とした後、ソルダーレジスト層4を形成してもよい。この場合、コア部3bおよび第2クラッド層3cを第1クラッド層3a上に形成する際にソルダーレジスト層4が無いため、コア層3bおよび第2クラッド層3cの形成が容易となり、第1クラッド層3との密着性を高めることができる。   Thus, the solder resist layer 4 may be formed after forming the core portion 3b and the second clad layer 3c to form the optical waveguide 3. In this case, since there is no solder resist layer 4 when the core portion 3b and the second cladding layer 3c are formed on the first cladding layer 3a, the core layer 3b and the second cladding layer 3c can be easily formed, and the first cladding Adhesion with the layer 3 can be enhanced.

次に、図7(e)に示すように、光導波路3の一部を、ダイシング、レーザー加工等を使用して切欠くことによって、傾斜面から成るミラー部5を形成する。ミラー部5の傾斜面には、めっき等で金属層を被着して光反射率を高めてもよい。以上のようにして、第1実施形態の光電気配線基板100を作製することができる。なお、ミラー部5の形成は、ソルダーレジスト層4の形成の前に行なってもよい。   Next, as shown in FIG. 7E, a part of the optical waveguide 3 is cut out by using dicing, laser processing or the like, thereby forming a mirror portion 5 having an inclined surface. On the inclined surface of the mirror unit 5, a light reflection rate may be increased by depositing a metal layer by plating or the like. As described above, the optoelectric wiring board 100 of the first embodiment can be manufactured. The mirror portion 5 may be formed before the solder resist layer 4 is formed.

本開示の光電気配線基板および電子装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、以下のような他の実施例であってもよい。   The optoelectric wiring board and the electronic device of the present disclosure are not limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the gist of the present disclosure. For example, the following other embodiments may be used.

図4および図5に第2実施形態の光電気配線基板200を示す。図4(a)は光電気配線基板200の断面図であり、図2(a)の光電子配線基板100の断面と同様の位置における断面を示している。また、図4(b)は電子装置201の断面図であり、図2(b)の電子装置101の断面と同様の位置における断面を示している。また、図5(a)は光電気配線基板200の断面図であり、図3(a)の光電子配線基板100の断面と同様の位置における断面を示している。また、図5(b)は電子装置201の断面図であり、図3(b)の電子装置101の断面と同様の位置における断面を示している。   4 and 5 show an optoelectric wiring board 200 of the second embodiment. FIG. 4A is a cross-sectional view of the optoelectronic wiring board 200, showing a cross section at the same position as the cross section of the optoelectronic wiring board 100 of FIG. 4B is a cross-sectional view of the electronic device 201, and shows a cross section at the same position as the cross section of the electronic device 101 in FIG. 5A is a cross-sectional view of the optoelectronic wiring board 200, and shows a cross section at the same position as the cross section of the optoelectronic wiring board 100 of FIG. 5B is a cross-sectional view of the electronic device 201, and shows a cross section at the same position as the cross section of the electronic device 101 in FIG.

光電気配線基板200は、第1面21aを有する基板21と、第2面22aを有する電極部22と、第3面23aaを有する第1クラッド層23aと、ソルダーレジスト層24と、コア部23bと、第2クラッド層23cとを具備している。第1クラッド層23a、コア部23bおよび第2クラッド層23cは、光導波路23として機能する。   The optoelectric wiring board 200 includes a substrate 21 having a first surface 21a, an electrode portion 22 having a second surface 22a, a first cladding layer 23a having a third surface 23aa, a solder resist layer 24, and a core portion 23b. And a second cladding layer 23c. The first cladding layer 23 a, the core portion 23 b, and the second cladding layer 23 c function as the optical waveguide 23.

光電気配線基板200は、第1実施形態の光電気配線基板100と同様に、ソルダーレジスト層24が、第2面22aから第3面23aaの端部23Aにかけて配されている。これによって、光電気配線基板200の電気的な接続信頼性および光伝送特性を高めることが可能になる。一方、光電気配線基板200は、第1クラッド層23aが電極部22と離れている点で光電気配線基板100と異なっている。このような構成の場合、電極部22上にソルダーレジスト層24を安定して形成することができる。   As in the optoelectric wiring board 100 of the first embodiment, the optoelectric wiring board 200 has the solder resist layer 24 disposed from the second surface 22a to the end 23A of the third surface 23aa. As a result, the electrical connection reliability and optical transmission characteristics of the optoelectric wiring board 200 can be improved. On the other hand, the opto-electric wiring board 200 is different from the opto-electric wiring board 100 in that the first cladding layer 23 a is separated from the electrode portion 22. In the case of such a configuration, the solder resist layer 24 can be stably formed on the electrode portion 22.

光電気配線基板200は、第1実施形態の光電気配線基板100と同様に、電極部2に半田等の接合部材27を介して光素子26を搭載することで電子装置201となる。光素子26は、その発光部26aまたはその受光部26aが、ミラー部25と対向するようにして光電気配線基板200上に搭載される。このような構成によって、光素子26とミラー部25とを近づけることができ、光導波路23と光素子26とを低損失で光結合させることができる。   Similar to the photoelectric wiring substrate 100 of the first embodiment, the photoelectric wiring substrate 200 becomes the electronic device 201 by mounting the optical element 26 on the electrode portion 2 via a bonding member 27 such as solder. The optical element 26 is mounted on the optoelectric wiring board 200 such that the light emitting portion 26 a or the light receiving portion 26 a faces the mirror portion 25. With such a configuration, the optical element 26 and the mirror unit 25 can be brought close to each other, and the optical waveguide 23 and the optical element 26 can be optically coupled with low loss.

基板21、電極部22、第1クラッド層23a、ソルダーレジスト層24、コア部23bおよび第2クラッド層23cは、それぞれ第1実施形態の光電気配線基板100における、基板1、電極部2、第1クラッド層3a、ソルダーレジスト層4、コア部3b、第2クラッド層3cと同様のものを用いることができる。また、光電気配線基板200の製造方法は、光電気配線基板100と同様の製造方法を用いることができる。   The substrate 21, the electrode part 22, the first cladding layer 23a, the solder resist layer 24, the core part 23b, and the second cladding layer 23c are respectively the substrate 1, the electrode part 2, and the second part of the optoelectric wiring board 100 of the first embodiment. The same thing as 1 clad layer 3a, soldering resist layer 4, core part 3b, and 2nd clad layer 3c can be used. Moreover, the manufacturing method of the opto-electric wiring board 200 can be the same manufacturing method as that of the opto-electric wiring board 100.

1、21:基板
1a、21a:第1面
2、22:電極部
2a、22a:第2面
3a、23a:第1クラッド層
3aa、23aa:第3面
3A、23A:端部
3b、23b:コア部
3c、33c:第2クラッド層
6、26:光素子
7、27:接続部材
100、200:光電気配線基板
101、201:電子装置
1, 21: Substrate 1a, 21a: First surface 2, 22: Electrode portion 2a, 22a: Second surface 3a, 23a: First cladding layer 3aa, 23aa: Third surface 3A, 23A: End portions 3b, 23b: Core portions 3c, 33c: second clad layer 6, 26: optical element 7, 27: connecting member 100, 200: optoelectric wiring board 101, 201: electronic device

Claims (9)

第1面を有する基板と、
前記第1面上に配されており、前記基板とは反対側の第2面を有する電極部と、
前記第1面上に前記第2面を露出するように配されており、前記基板とは反対側の第3面を有する第1クラッド層と、
前記第2面から前記第3面の端部にかけて配されたソルダーレジスト層と、
前記第2面からの距離が前記端部よりも遠い前記第3面の部位上に配されたコア部と、
前記コア部を覆う第2クラッド層と
を具備する光電気配線基板。
A substrate having a first surface;
An electrode portion disposed on the first surface and having a second surface opposite to the substrate;
A first cladding layer disposed on the first surface so as to expose the second surface, and having a third surface opposite to the substrate;
A solder resist layer disposed from the second surface to the end of the third surface;
A core portion disposed on a portion of the third surface whose distance from the second surface is farther than the end portion;
An optoelectric wiring board comprising a second cladding layer covering the core part.
前記第1クラッド層は前記電極部と離れている、請求項1に記載の光電気配線基板。   The optoelectric wiring board according to claim 1, wherein the first cladding layer is separated from the electrode portion. 前記第1クラッド層は前記電極部と接触している、請求項1に記載の光電気配線基板。   The optoelectric wiring board according to claim 1, wherein the first cladding layer is in contact with the electrode portion. 前記第1クラッド層は平面視したときに前記電極部を取り囲んでいる、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電気配線基板。   The optoelectric wiring board according to claim 1, wherein the first cladding layer surrounds the electrode portion when viewed in plan. 前記ソルダーレジスト層と前記第1クラッド層とが重なっている部位は前記電極部を取り囲んでいる、請求項4に記載の光電気配線基板。   The optoelectric wiring board according to claim 4, wherein a portion where the solder resist layer and the first cladding layer overlap each other surrounds the electrode portion. 請求項1乃至5のいずれかに記載の光電気配線基板と、
前記第2面に接続部材を介して接続された光素子と
を具備する電子装置。
An optoelectric wiring board according to any one of claims 1 to 5,
An electronic device comprising: an optical element connected to the second surface via a connection member.
第1面を有する基板を準備する工程と、
前記第1面上に前記基板とは反対側の第2面を有する電極部を設ける工程と、
前記第1面上に前記基板とは反対側の第3面を有する第1クラッド層を前記第2面が露出するように設ける工程と、
前記第2面から前記第3面の端部にかけてソルダーレジスト層を設ける工程と、
前記第2面からの距離が前記端部よりも遠い前記第3面の部位上にコア部および前記コア部を覆う第2クラッド層を設ける工程と
を具備する光電気配線基板の製造方法。
Preparing a substrate having a first surface;
Providing an electrode portion having a second surface opposite to the substrate on the first surface;
Providing a first cladding layer having a third surface opposite to the substrate on the first surface so that the second surface is exposed;
Providing a solder resist layer from the second surface to the end of the third surface;
And a step of providing a core portion and a second cladding layer covering the core portion on a portion of the third surface that is farther from the end portion than the end portion.
前記コア部および前記第2クラッド層を設ける工程は、前記ソルダーレジスト層を設ける工程の後に行なう、請求項7に記載の光電気配線基板の製造方法。   The method of manufacturing an optoelectric wiring board according to claim 7, wherein the step of providing the core portion and the second cladding layer is performed after the step of providing the solder resist layer. 前記ソルダーレジスト層を設ける工程は、前記コア部および前記第2クラッド層を設ける工程の後に行なう、請求項7に記載の光電気配線基板の製造方法。   The method of manufacturing an optoelectric wiring board according to claim 7, wherein the step of providing the solder resist layer is performed after the step of providing the core portion and the second cladding layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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