JP2018157085A - 光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】硬化後に優れた耐熱性を有する光波長変換組成物、このような光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材、このような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置および画像表示装置を提供する。【解決手段】量子ドット１８と、窒素原子を含むシリコーン樹脂を含む光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材１３。【選択図】図１

Description

本発明は、光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置に関する。

液晶表示装置等の透過型画像表示装置は、一般に、液晶表示パネル等の表示パネルの背面側に配置され、表示パネルを照明するバックライト装置を備えている。

現在、色再現性を高めるために、量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材を、バックライト装置に組み込むことが検討されている（例えば、特許文献１参照）。量子ドットは、光（一次光）を吸収して異なる波長の光（二次光）を放出することができるとともに、量子ドットが放出する光の波長は、主として量子ドットの粒子径に依存する。したがって、光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置においては、単一の波長域の光を投射する発光素子を用いながら、種々の色を再現することができる。例えば、青色光を発する光源を用いる場合、光波長変換部材が青色光を吸収して緑色光および赤色光を放出することができる。このような光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置は色純度に優れることから、このバックライト装置を用いた画像表示装置においては色再現性を向上させることができる。

特開２０１３−２１８９５３号公報

光波長変換部材をバックライト装置に組み込む方式として、光源中に光波長変換部材を組み込むオンチップ方式がある。しかしながら、オンチップ方式において、光源中に光波長変換部材を組み込むと、ＬＥＤ素子等の発光素子から発せられる熱によって光波長変換部材中の量子ドットが劣化してしまうおそれがある。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物、このような光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材、このような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置および画像表示装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題に対して鋭意研究を重ねたところ、光波長変換組成物に量子ドットの他、特定のシリコーン樹脂を含ませることにより、熱による量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物が得られることを見出した。本発明は、このような知見に基づき完成されたものである。

本発明の一の態様によれば、量子ドットと、窒素原子を含む硬化性シリコーン樹脂とを含む、光波長変換組成物が提供される。

上記光波長変換組成物において、前記シリコーン樹脂が、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有していてもよい。

本発明の他の態様によれば、上記光波長変換組成物の硬化物からなる、光波長変換部材が提供される。

本発明の他の態様によれば、発光素子と、前記発光素子からの光を受ける、上記光波長変換部材と、を備える、発光装置が提供される。

上記発光装置において、前記発光素子が、ＬＥＤ素子であってもよい。

上記発光装置において、前記光波長変換部材が、前記発光素子を覆っていてもよい。

上記発光装置において、前記発光装置が、前記発光素子と前記光波長変換部材の間に設けられ、かつ前記発光素子を封止する封止部材をさらに備えていてもよい。

上記発光装置において、前記光波長変換部材の出光側の表面がレンズ面となっていてもよい。

本発明の他の態様によれば、上記発光装置を備えるバックライト装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、上記バックライト装置と、前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、を備える、画像表示装置が提供される。

本発明の一の態様によれば、窒素原子を含む硬化性シリコーン樹脂を含んでいるので、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物を提供することができる。本発明の他の態様によれば、優れた耐熱性を有する光波長変部材、およびこのような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置、ならびに画像表示装置を提供することができる。

実施形態に係る発光装置の概略構成図である。 実施形態に係る他の発光装置の概略構成図である。 実施形態に係る画像表示装置の概略構成図である。 図３に示されるレンズシートの斜視図である。 実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。

以下、本発明の実施形態に係る光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置の概略構成図であり、図２は本実施形態に係る他の発光装置の概略構成図である。

＜＜＜光波長変換組成物＞＞＞
光波長変換組成物は、入射する光を他の波長の光に変換するための組成物である。光波長変換組成物は、量子ドットと、窒素原子を含むシリコーン樹脂（以下、このシリコーン樹脂を「特定のシリコーン樹脂」と称する。）とを含んでいる。光波長変換組成物は、量子ドットおよびシリコーン樹脂の他、溶剤、光散乱性粒子、蛍光体等を含んでいてもよい。例えば、光波長変換組成物を光波長変換シートとして用いる場合には、光波長変換組成物は、光散乱性粒子を含むことが好ましい。なお、本明細書において、「シート」とは、フィルムとも呼ばれるような部材も含む概念である。

光波長変換組成物は、組成物の状態でも使用してもよく、また光波長変換組成物を硬化させて、硬化物である後述する光波長変換部材の状態で使用してもよい。

光波長変換組成物の粘度は、１００ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。光波長変換組成物の粘度が、１００ｍＰａ・ｓ以上であると、塗布後の形状を容易に保つことができ、また１００００ｍＰａ・ｓ以下であると、光波長変換組成物の塗布を容易に行うことができ、また良好なレベリング性を得ることができる。

＜＜量子ドット＞＞
量子ドットは、量子閉じ込め効果（quantum confinement effect）を有するナノサイズの半導体粒子である。量子ドットの粒子径および平均粒子径は、例えば、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっている。量子ドットは、励起源から光を吸収してエネルギー励起状態に達すると、量子ドットのエネルギーバンドギャップに該当するエネルギーを放出する。よって、量子ドットの粒子径又は物質の組成を調節すると、エネルギーバンドギャップを調節することができ、様々なレベルの波長帯のエネルギーを得ることができる。とりわけ、量子ドットは、狭い波長帯で強い蛍光を発生することができる。

具体的には、量子ドットは粒子径が小さくなるに従い、エネルギーバンドギャップが大きくなる。すなわち、結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトする。そのため、量子ドットの粒子径を変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長全域にわたって、その発光波長を調節することができる。例えば、量子ドットが後述するＣｄＳｅ／ＺｎＳから構成されている場合には、量子ドットの粒子径が２．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の場合は青色光を発し、量子ドットの粒子径が３．０ｎｍ以上６．０ｎｍ以下の場合は緑色光を発し、量子ドットの粒子径が４．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下の場合は赤色光を発する。本明細書における「青色光」とは、３８０ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「緑色光」とは、４８０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「赤色光」とは、５９０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長域を有する光である。なお、上記においては、青色光を発する量子ドットの粒子径と緑色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しており、また緑色光を発する量子ドットの粒子径と赤色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しているが、同じ粒子径を有する量子ドットであっても、量子ドットのコアの大きさによっても発光色が異なる場合があるので、何ら矛盾するものではない。量子ドット１８の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による光波長変換粒子の断面観察において量子ドット２０個の粒子径を測定し、その平均値を算出することで求めることができる。

量子ドットとしては、１種類の量子ドットを用いてもよいが、粒子径または材料等が異なることにより、それぞれ単独の波長域の発光帯を有する２種類以上の量子ドットを用いることも可能である。具体的には、光波長変換組成物は、第１の量子ドットと、第１の量子ドットとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドットとを含んでいてもよい。

量子ドットは、所望の狭い波長域で強い蛍光を発生することができる。このため、光波長変換部材を用いたバックライト装置は、色純度の優れた三原色の光で、表示パネルを照明することができる。この場合、表示パネルは、優れた色再現性を有することになる。

量子ドットは、例えば、第１の半導体化合物からなるコアと、およびこのコアを覆い、かつ第１の半導体化合物と異なる第２の半導体化合物からなるシェルと、シェルの表面に結合したリガンドとから構成されている。

コアを構成する第１の半導体化合物としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族半導体化合物、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＴｉＮ、ＴｉＰ、ＴｉＡｓ及びＴｉＳｂのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、Ｓｉ、Ｇｅ及びＰｂのようなＩＶ族半導体、等の半導体化合物又は半導体を含有する半導体結晶が挙げられる。また、ＩｎＧａＰのような３元素以上を含んだ半導体化合物を含む半導体結晶を用いることもできる。これらの中でも、作製の容易性、可視域での発光を得られる粒子径の制御性等の観点から、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ等の半導体結晶が好適である。

シェルを構成する第２の半導体化合物としては、励起子がコアに閉じ込められるように、コアを構成する第１の半導体化合物よりもバンドギャップの高い半導体化合物を用いることが好ましい。これにより、量子ドットの発光効率を高めることができる。シェルを構成する第２の半導体化合物としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＧａＮ、ＣｄＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＡｌＰ、ＺｎＳＴｅ、ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。

コアとシェルからなるコアシェル構造（コア／シェル）の具体的な組み合わせとしては、例えば、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、Ｇａｐ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＺｎＳ、ＩｎＮ／ＧａＮ、ＩｎＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＡｌＰ、ＩｎＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。

リガンドは、不安定な量子ドットを安定化させるためのものである。リガンドとしては、チオール等の硫黄系化合物、ホスフィン系化合物またはホスフィン酸化物等のリン系化合物、アミン等の窒素系化合物、カルボン酸等が挙げられる。

量子ドットの形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。量子ドットの粒子径は、量子ドットの形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。

量子ドットの粒子径、平均粒子径、形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡により得ることができる。量子ドットの平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による観察により測定された２０個の量子ドットの直径の平均値として求めることができる。また、量子ドットは粒子径によって発光色が変化するので、量子ドットの発光色の確認から量子ドットの粒子径を求めることも可能である。また、量子ドットの結晶構造、結晶子サイズについては、Ｘ線結晶回折（ＸＲＤ）により知ることができる。さらには、紫外−可視（ＵＶ−Ｖｉｓ）吸収スペクトルによって、量子ドットの粒子径等に関する情報を得ることもできる。

光波長変換組成物の全固形分質量に対する量子ドットの含有量は、０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましく、０．０３質量％以上１質量％以下であることがより好ましい。量子ドットの含有量が０．０１質量％以上であれば、充分な発光強度を得ることができ、また、量子ドットの含有量が２質量％以下であれば、充分な励起光の透過光強度を得ることができる。

＜＜特定のシリコーン樹脂＞＞
特定のシリコーン樹脂は、窒素原子を含むものである。特定のシリコーン樹脂としては、窒素原子を含むシリコーン樹脂であれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有するシリコーン樹脂が好ましい。以下、ポリイミド構造を有するシリコーン樹脂をポリイミドシリコーン樹脂と称し、ポリアミド構造を有するシリコーン樹脂をポリアミドシリコーン樹脂と称し、ポリアミドイミド構造を有するシリコーン樹脂をポリアミドイミドシリコーン樹脂と称する。本明細書における「ポリアミド」は、芳香族ポリアミド（アラミド）を含む概念である。特定のシリコーン樹脂は、耐熱性、機械特性、および耐溶剤性の点から、ポリイミドシリコーン樹脂であることが好ましい。

光波長変換組成物中に上記特定のシリコーン樹脂が含まれているか否かは、（１）赤外分光分析（ＩＲ）、（２）ガスクロマトグラフィー分析（ＧＣＭＳ）、（３）ゲル浸透クロマトグラフィー分析（ＧＰＣ）、核磁気共鳴分光分析（ＮＭＲ分光分析）を複合的に用いることによって確認することができる。具体的には、赤外分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を大まかに特定でき、ガスクロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の分子量を特定でき、ゲル浸透クロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を分離でき、核磁気共鳴分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の構造式を特定できるので、これらを複合的に用いることで光波長変換組成物中に上記特定のシリコーン樹脂が含まれているか確認することができる。

上記特定のシリコーン樹脂は、光波長変換部材を得る点から、熱硬化性基を有することが好ましい。熱硬化性基としては、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、水酸基等が一般的であるが、ポリイミドの製造工程を考慮すると、アミノ基と容易に反応しない点でカルボキシル基、またはフェノール基が好ましい。

＜ポリイミドシリコーン樹脂＞
ポリイミドシリコーン樹脂は、ポリイミド構造（部位）とシリコーン構造（部位）を有するものである。ポリイミド構造とシリコーン構造の割合は、特に限定されるものではないが、質量比で５：９５〜８０：２０が好ましく、１０：９０〜６０：４０がより好ましい。

ポリイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量は、８００以上３０００００以下であることが好ましい。ポリイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量が８００以上であれば、柔軟性に優れ、また、３０００００以下であれば、タック感がなくなるので、埃が付着しにくい。本明細書において、「重量平均分子量」は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒に溶解して、従来公知のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算により得られる値である。ポリイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量の下限は３０００以上であることがより好ましく、上限は２０００００以下であることがより好ましい。

ポリイミドシリコーン樹脂は、例えば、テトラカルボン酸とシロキサン結合を有するジアミンとを反応させることによって得ることができる。ポリイミドシリコーン樹脂は、溶媒存在下でテトラカルボン酸とジアミンとをほぼ等モル数で使用し、高温のみで重合させる一段重合法によって製造でき、また、まず低温でアミック酸を合成し、その後に高温でイミド化する二段重合法でも製造できる。ポリイミドシリコーン樹脂の分子量やポリイミド構造とシリコーン構造との比率などは上記原料であるテトラカルボン酸とジアミンとの種類や反応条件を制御することで適宜調整可能することができる。

ポリイミドシリコーン樹脂の市販品としては、例えば、ＳＣＲ−１０１２、ＳＣＲ−１０１６（いずれも信越化学工業社製）が挙げられる。

ポリイミドシリコーン樹脂の硬化の際には、例えば、８０℃以上３００℃以下、好ましくは１００℃以上２５０℃以下の温度で加熱する。硬化の際に、８０℃以上で加熱した場合には、熱硬化に時間がかかり過ぎることもなく、また３００℃以下で加熱した場合には、ポリイミドシリコーン樹脂が劣化するおそれもない。

＜ポリアミドシリコーン樹脂＞
ポリアミドシリコーン樹脂は、ポリアミド構造（部位）とシリコーン構造（部位）を有するものである。ポリアミド構造とシリコーン構造の割合は、特に限定されるものではないが、質量比で５：９５〜８０：２０が好ましく、１０：９０〜６０：４０がより好ましい。

ポリアミドシリコーン樹脂の重量平均分子量は、８００以上３０００００以下であることが好ましい。ポリアミドシリコーン樹脂の重量平均分子量が８００以上であれば、柔軟性に優れ、また３０００００以下であれば、タック感がなくなるので、埃が付着しにくい。

ポリアミドシリコーン樹脂は、例えば、脂肪族若しくは芳香族ジカルボン酸またはその反応性誘導体と、両末端アミノ基変性ジオルガノポリシロキサン、または脂肪族又は芳香族ジアミンとの重縮合により得ることができる。ポリアミドシリコーン樹脂の分子量やポリアミド構造とシリコーン構造との比率などは上記原料であるジカルボン酸とジアミンとの種類や反応条件を制御することで適宜調整可能することができる。

＜ポリアミドイミドシリコーン樹脂＞
ポリアミドイミドシリコーン樹脂は、ポリアミド構造（部位）と、ポリイミド構造（部位）と、シリコーン構造（部位）とを有するものである。

ポリアミドイミドシリコーン樹脂の重量平均分子量は、８００以上３０００００以下であることが好ましい。ポリアミドシリコーン樹脂の重量平均分子量が８００以上であれば、柔軟性に優れ、また３０００００以下であれば、タック感がなくなるので、埃が付着しにくい。

ポリアミドイミドシリコーン樹脂は、例えば、ポリアミドイミド樹脂と多官能シリコーン化合物とを共重合することによって、またはポリアミドイミド樹脂をシリコーン変性することによって得ることができる。また、ポリアミドイミドシリコーン樹脂は、芳香族トリカルボン酸またはその反応性酸誘導体と、芳香族ジアミンと、ジアミノシロキサンとの重縮合することによっても得ることができる。

＜＜溶剤＞＞
溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ−ル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、シクロヘキサン等が挙げられる。

＜＜光散乱性粒子＞＞
光散乱性粒子は、光波長変換組成物や光波長変換部材に進入した光を散乱させることによって光の進行方向を変化させる作用を有する粒子である。

光散乱性粒子の平均粒子径は、量子ドットの平均粒子径の２０倍以上２０００倍以下であることが好ましく、５０倍以上１０００倍以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０倍未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０００倍を超えると、添加量が同じであっても光散乱性粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られないおそれがある。なお、光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドットの平均粒子径と同様の方法で測定することができる。

また、光散乱性粒子の平均粒子径は、後述する光波長変換部材の平均膜厚の１／３００以上１／２０以下であることが好ましく、１／２００以上１／３０以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／３００未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／２０を超えると、添加量が同じであっても光波長変換部材に対する光散乱性粒子の割合が低下するため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。

具体的には、光散乱性粒子の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、光波長変換シートの光波長変換効率が不充分となることがあり、充分な光散乱性を出すためには光散乱性粒子の添加量を多くする必要がある。一方、光散乱性粒子の平均粒子径が１０μｍを超えると、添加量（質量％）が同じであっても光散乱粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。

光散乱性粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状（真球状、略真球状、楕円球状等）、多面体状、棒状（円柱状、角柱状等）、平板状、りん片状、不定形状等が挙げられる。なお、光散乱性粒子の粒子径は、光散乱性粒子の形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。

光散乱性粒子は、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、およびウレタン樹脂粒子等の有機粒子であってもよいが、通電耐熱試験時の前後における輝度変化率を小さくことができ、また光波長変換シートへの入射光を好適に散乱させることが可能となり、この入射光に対する光波長変換効率の向上を好適に図ることできることから、無機粒子が好ましい。

無機粒子は、Ａｌ_２Ｏ_３等のアルミニウム含有化合物、ＺｒＯ_２等のジルコニウム含有化合物、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等のスズ含有化合物、ＭｇＯやＭｇＦ_２等のマグネシウム含有化合物、ＴｉＯ_２やＢａＴｉＯ_３等のチタン含有化合物、Ｓｂ_２Ｏ_５等のアンチモン含有化合物、ＳｉＯ_２等のケイ素含有化合物、およびＺｎＯ等の亜鉛含有化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、バインダ樹脂との屈折率差を大きくすることができるので、大きなミー散乱強度を得ることができる観点からも好ましい。発光装置１０による入射光に対する光波長変換効率の向上をより好適に図ることができることから、光散乱性粒子は、２種以上の材料からなるものであってもよい。

光波長変換組成物の全固形分質量に対する光散乱性粒子の含有量は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の含有量が１質量％未満であると、光散乱効果が充分に得られないおそれがあり、また、光散乱性粒子の含有量が５０質量％を超えると、ミー散乱が起こり難くなるので、光散乱効果を充分に得られないおそれがあり、さらに光散乱性粒子が多すぎるために加工性が低下するおそれがある。

＜＜蛍光体＞＞
蛍光体は、所望の色味の光を得るために、適宜選択して用いられる。蛍光体としては、一般的に知られている蛍光体を用いることができる。

＜＜＜光波長変換部材＞＞＞
光波長変換部材は、上記光波長変換組成物の硬化物からなる部材である。光波長変換部材は、光波長変換部材が組み込まれる箇所等によって、適宜、形状を変えることができる。光波長変換部材は、硬化性の特定のシリコーン樹脂、すなわち熱硬化性基を有する特定のシリコーン樹脂を用いることによって得ることができる。

＜＜＜発光装置＞＞＞
図１に示される発光装置１０は、発光素子パッケージであり、凹部１１Ａを有するパッケージ本体１１と、パッケージ本体１１の凹部１１Ａ内に配置された発光素子１２と、発光素子１２からの光を受ける光波長変換部材１３と、電極層１４と、ワイヤ１５とを備えている。なお、発光装置１０は、発光素子１２および光波長変換部材１３を備えていればよく、他の部材は備えていなくともよい。また、発光装置１０は、表示実装型の発光装置となっているが、例えば、砲弾型の発光装置であってもよい。発光装置は、１以上の発光素子を備えていればよく、複数の発光素子を備えていてもよい。

＜＜パッケージ本体＞＞
パッケージ本体１１は、基板１１Ｂと、基板１１Ｂの発光素子１２側の面側に配置され、かつ発光素子１２を取り囲むように配置された反射部材１１Ｃとを備えている。反射部材１１Ｃは、主として波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光波長域の光に対して高い反射性を有するものである。反射部材１１Ｃは、発光素子１２からの光を反射し、所定の方向へ導くための反射面を持つ部材であれば、特に限定されないが、発泡タイプの白色ポリエステル、白色ポリエチレン樹脂、銀蒸着ポリエステル等から形成することが可能である。

＜＜発光素子＞＞
発光素子１２としては、例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ素子）やレーザーダイオード素子（ＬＤ素子）等が挙げられる。発光素子は、単一の波長域の光を放出する発光素子を用いることができる。例えば、発光素子１２とし、色純度の高い青色光を発する青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）を用いることができる。発光素子１２は、ワイヤ１５を介して電極層１４と電気的に接続されている。

＜＜光波長変換部材＞＞
光波長変換部材１３は、上記光波長変換組成物の硬化物である。したがって、光波長変換部材１３は、量子ドット１８と、上記特定のシリコーン樹脂の硬化物からなるバインダ樹脂１９とを含んでいる。図１に示される量子ドット１８は、第１の量子ドット１８Ａと、第１の量子ドット１８Ａとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドット１８Ｂとを含んでいる。例えば、発光素子１２として青色発光ダイオードを用いた場合には、色域を広げる観点から、第１の量子ドット１８Ａとして、青色光を緑色光に変換する量子ドットを用い、第２の量子ドット１８Ｂとして、青色光を赤色光に変換する量子ドットを用いることが好ましい。量子ドット１８や上記特定のシリコーン樹脂は、光波長変換組成物の欄で説明した量子ドットや特定のシリコーン樹脂と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。

光波長変換部材１３は、凹部１１Ａに充填され、発光素子１２を覆うことによって発光素子１２を封止している。すなわち、光波長変換部材１３は、発光素子１２を封止する封止部材としても機能している。

光波長変換部材１３の厚みは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。光波長変換部材１３の厚みが、０．１ｍｍ以上であれば、発光素子１２からの光の波長変換を確実に行うことができるとともに、発光素子１２を確実に封止することができる。光波長変換部材１３の厚みは、光波長変換部材１３を切断した断面を測長機能のついたマクロスコープ等の光学顕微鏡にて撮影し、その断面の画像において光波長変換部材１３の厚みを２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。

光波長変換部材１３は、発光素子１２を覆っているので、発光素子１２と接しているが、発光装置において発光素子からの光を受ける位置であれば、発光素子と接していなくともよい。また、図１に示される光波長変換部材１３の出光側の表面１３Ａは、平坦面となっているが、後述するようなレンズ面であってもよい。

＜＜＜他の発光装置＞＞＞
発光装置は、図２に示されるような発光素子１２と、発光素子１２からの光を受ける光波長変換部材２１と、発光素子１２と光波長変換部材２１の間に位置する封止部材２２とを備える発光装置２０であってもよい。発光素子１２と光波長変換部材２１との間に封止部材２２を介在させることにより、発光素子１２から光波長変換部材２１を離すことができるので、熱による量子ドット１８の劣化をより抑制することができる。なお、図２において、図１と同じ符号が付されている部材は、図１で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。

発光素子１２の表面１２Ａから光波長変換部材２１までの距離は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。この距離が０．１ｍｍ以上であれば、発光素子１２から量子ドット１８を遠ざけることができるので、発光素子１２からの熱による影響は少なくなり、量子ドット１８の劣化を抑制できるとともに、１０ｍｍ以下であれば、発光装置２０の薄型化を図ることができる。本明細書における「発光素子の表面から光波長変換部材までの距離」とは、発光素子の表面から光波長変換部材の発光素子側の面までの距離を意味するものとする。

＜＜光波長変換部材＞＞
光波長変換部材２１は、上記光波長変換組成物の硬化物である。光波長変換部材２１の出光側の表面２１Ａは、レンズ面となっている。本明細書における「レンズ面」とは、レンズとして作用する面を意味する。レンズ面としては、集光機能を有するレンズ面および光拡散機能を有するレンズ面のいずれであってもよい。光波長変換部材２１の表面２１Ａを、集光機能を有するレンズ面とすることにより、前面への光取り出し効率を向上させることができる。また、直下型のバックライト装置の場合、輝度ムラを低減させるために、発光装置の光拡散性を向上させることが望まれるが、光波長変換部材２１の表面２１Ａを、光拡散機能を有するレンズ面とすることにより、光拡散性を向上させることができるので、直下型のバックライト装置に特に好適である。

光波長変換部材２１の表面２１Ａは、例えば半球状のような椀状であってもよい。この場合、光波長変換部材２１は、マイクロレンズ等として機能する。

＜＜封止部材＞＞
封止部材２２は、発光素子１２の熱が加わるので、耐熱性に優れた樹脂から構成されることが好ましい。このような樹脂としては、特に限定されないが、シリコーン樹脂が好ましい。なお、封止部材２２は、上記特定のシリコーン樹脂を用いてもよいが、その他のシリコーン樹脂であってもよい。

封止部材２２の厚みは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。封止部材２２の厚みが、０．１ｍｍ以上であれば、発光素子１２から量子ドット１８を遠ざけることができるので、発光素子１２からの熱による影響は少なくなり、量子ドット１８の劣化をより抑制できるとともに、１０ｍｍ以下であれば、発光装置２０の薄型化を図ることができる。

発光装置１０、２０は、光源として、バックライト装置および画像表示装置に組み込んで使用することができる。以下、発光装置１０をバックライト装置および画像表示装置に組み込んだ例について説明する。図３は本実施形態に係るバックライト装置を含む画像表示装置の概略構成図であり、図４は図１に示されるレンズシートの斜視図であり、図５は本実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。

＜＜＜画像表示装置＞＞＞
図３に示される画像表示装置３０は、バックライト装置４０と、バックライト装置４０の出光側に配置された表示パネル１００とを備えている。画像表示装置３０は、画像を表示する表示面３０Ａを有している。図３に示される画像表示装置３０においては、表示パネル１００の表面が表示面３０Ａとなっている。

バックライト装置４０は、表示パネル１００を背面側から面状に照らすものである。表示パネル１２０は、バックライト装置４０からの光の透過または遮断を画素毎に制御するシャッターとして機能し、表示面３０Ａに像を表示するように構成されている。

＜＜表示パネル＞＞
図３に示される表示パネル１００は、液晶表示パネルであり、入光側に配置された偏光板１０１と、出光側に配置された偏光板１０２と、偏光板１０１と偏光板１０２との間に配置された液晶セル１０３とを備えている。偏光板１０１、１０２は、入射した光を直交する二つの直線偏光成分（Ｓ偏光およびＰ偏光）に分解し、一方の方向（透過軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）を透過させ、前記一方の方向に直交する他方の方向（吸収軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収する機能を有している。

＜＜バックライト装置＞＞
図３に示されるバックライト装置４０は、エッジライト型のバックライト装置として構成され、発光装置１０と、発光装置１０の側方に配置された導光板としての光学板５０と、光学板５０の出光側に配置されたレンズシート６０と、レンズシート６０の出光側に配置されたレンズシート６５と、レンズシート６５の出光側に配置された反射型偏光分離シート７０と、光学板５０の出光側とは反対側に配置された反射シート８０とを備えている。バックライト装置４０は、光学板５０、レンズシート６０、６５、反射型偏光分離シート７０、反射シート８０を備えているが、これらのシート等は備えられていなくともよい。本明細書において、「出光側」とは、各部材においてバックライト装置から出射する方向に向かう光が出射される側を意味する。

バックライト装置４０は、面状に光を発光する発光面４０Ａを有している。図３に示されるバックライト装置４０においては、反射型偏光分離シート７０の出光面がバックライト装置４０の発光面４０Ａとなっている。

＜発光装置＞
発光装置１０は、光波長変換部材１３の表面１３Ａが、光学板５０の後述する入光面５０Ｃ側となるように配置されている。なお、発光装置１０は、光学板５０の後述する入光面５０Ｃに沿って線状に複数設けられている。

＜光学板＞
導光板としての光学板５０は、平面視形状が四角形形状に形成されている。光学板５０は、表示パネル１００側の一方の主面によって構成された出光面５０Ａと、出光面５０Ａに対向するもう一方の主面からなる裏面５０Ｂと、出光面５０Ａおよび裏面５０Ｂの間を延びる側面とを有している。側面のうちの発光装置１０側の側面が、発光装置１０からの光を受ける入光面５０Ｃとなっている。入光面５０Ｃから光学板５０内に入射した光は、入光面５０Ｃと、入光面５０Ｃと対向する反対面とを結ぶ方向（導光方向）に光学板内を導光され、出光面５０Ａから出射される。

光学板５０を構成する材料としては、画像表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の反応性樹脂（電離放射線硬化型樹脂等）が好適に使用され得る。なお、必要に応じて、光学板５０中に光を拡散させる機能を有する光拡散材を添加することもできる。光拡散材としては、例えば、平均粒子径が０．５μｍ以上１００μｍ以下のシリカ（二酸化珪素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の透明物質からなる粒子を用いることができる。

＜＜レンズシート＞＞
レンズシート６０、６５は、入射した光の進行方向を変化させて出光側から出射させる機能を有する。本実施形態においては、入射角度が大きい光の進行方向を変化させて出光側から出射させて、正面方向の輝度を集中的に向上させる機能（集光機能）とともに、入射角度が小さい光を反射させて、光学板５０側に戻す機能（再帰反射機能）を有している。レンズシート６０、６５は、光透過性基材６１と、光透過性基材６１の一方の面に設けられたレンズ層６２とを備えている。

＜光透過性基材＞
光透過性基材６１の構成原料としては、例えば、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、又は、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。

＜レンズ層＞
レンズ層６２は、図４に示されるように、シート状の本体部６３、および本体部６３の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ６４を備えている。

単位レンズ６４は、本体部６３の出光側面６３Ａ上に並べて配列されている。図４に示されるように単位レンズ６４は、単位レンズ６４の配列方向ＡＤと交差する方向に線状、とりわけ本実施の形態においては直線状に、延びている。また本実施の形態において、一つのレンズシート６０、６５に含まれる多数の単位レンズ６４は、互いに平行に延びている。また、レンズシート６０、６５の単位レンズ６４の長手方向ＬＤは、レンズシート６０、６５における単位レンズ６４の配列方向ＡＤと直交している。

単位レンズ６４は、三角柱状であってもよいし、波状や例えば半球状のような椀状であってもよい。具体的には、単位レンズとしては、単位プリズム、単位シリンドリカルレンズ、単位マイクロレンズ等が挙げられる。なお、そのような単位レンズ形状を有するレンズシートとしては、プリズムシート、レンチキュラーレンズシート、マイクロレンズシート等が挙げられる。単位レンズ６４は、出光側に向けて幅が狭くなる三角柱状の単位プリズムとなっている。

単位レンズ６４は、光の利用効率を向上させる観点から、８０°以上１００°以下の頂角を有することが好ましく、約９０°の頂角を有することがより好ましい。ただし、光波長変換シートの巻き取りの際における単位レンズの先端の破損を考慮すると、単位レンズ６４の先端は曲面であってもよい。

図３から理解され得るように、レンズシート６０の単位レンズ６４の配列方向とレンズシート６５の単位レンズ６４の配列方向とは交差、さらに限定的には直交している。

＜反射型偏光分離シート＞
反射型偏光分離シート７０は、レンズシート６５から出射される光のうち、第１の直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）のみを透過し、かつ第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収せずに反射する機能を有する。反射型偏光分離シート７０で反射された第２の直線偏光成分は再度反射され、偏光が解消された状態（第１の直線偏光成分と第２の直線偏光成分とを両方含んだ状態）で、再度、反射型偏光分離シート７０に入射する。よって、反射型偏光分離シート７０は再度入射する光のうち第１の直線偏光成分を透過し、第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分は再度反射される。以下、同上の過程を繰り返す事により、レンズシート６５から出光した光の７０〜８０％程度が第１の直線偏光成分となった光源光として出光される。したがって、反射型偏光分離シート７０の第１の直線偏光成分（透過軸成分）の偏光方向と表示パネル１００の偏光板１０１の透過軸方向とを一致させることにより、バックライト装置４０からの出射光は全て表示パネル１００で画像形成に利用可能となる。したがって、発光装置１０から投入される光エネルギーが同じであっても、反射型偏光分離シート７０を未配置の場合に比べて、より高輝度の画像形成が可能となり、また発光装置１０のエネルギー利用効率も向上する。

反射型偏光分離シート７０としては、３Ｍ社から入手可能な「ＤＢＥＦ」（登録商標）を用いることができる。また、「ＤＢＥＦ」以外にも、Shinwha Intertek社から入手可能な高輝度偏光シート「ＷＲＰＳ」やワイヤーグリッド偏光子等を、反射型偏光分離シート７０として用いることができる。

＜反射シート＞
反射シート８０は、光学板５０の裏面５０Ｂから漏れ出した光を反射して、再び光学板５０内に入射させる機能を有する。反射シート８０は、白色の散乱反射シート、金属等の高い反射率を有する材料からなるシート、高い反射率を有する材料からなる薄膜（例えば金属薄膜）を表面層として含んだシート等から、構成され得る。反射シート８０での反射は、正反射（鏡面反射）でもよく、拡散反射でもよい。反射シート８０での反射が拡散反射の場合には、当該拡散反射は、等方性拡散反射であってもよいし、異方性拡散反射であってもよい。

＜＜他のバックライト装置＞＞
発光装置１０を組み込むバックライト装置は、図５に示されるような直下型のバックライト装置であってもよい。図５に示されるバックライト装置１１０は、発光装置１０と、発光装置１０の光を受け、かつ光拡散板として機能する光学板１１１と、光学板１１１の出光側に配置されたレンズシート６０と、レンズシート６５の出光側に配置されたレンズシート６５と、レンズシート６５の出光側に配置された反射型偏光分離シート７０とを備えている。本実施形態においては、発光装置１０は、光学板１１１の側方ではなく、光学板１１１の直下に配置されている。図５において、図３と同じ符号が付されている部材は、図５で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。なお、バックライト装置１１０においては、反射シート８０は備えられていない。

量子ドットが熱によって劣化しやすいのは、以下のことが原因であると考えられる。まず、上記したように、量子ドットの表面には硫黄系化合物やリン系化合物等からなるリガンドが配位しているが、このリガンドは光や熱で脱離しやすい。リガンドが量子ドットから脱離すると、量子ドットに水分や酸素が付着しやすくなるので、量子ドットは、酸化され、劣化してしまう。これにより、量子ドットが熱によって劣化してしまうものと考えられる。これに対し、本実施形態においては、光波長変換組成物が、量子ドットの他に、窒素原子を含むシリコーン樹脂を含んでいるので、量子ドットの近傍に窒素成分を存在させることができ、これにより優れた耐熱性を有する光波長変換組成物を得ることができる。これは、リガンドが量子ドットから脱離した場合であっても、バインダ樹脂中に存在する窒素成分がリガンドの役割を補助するような機能（例えば、リガンドの代わりに量子ドットに結合して、リガンドを代替する機能および酸素を捕捉する機能の少なくともいずれかの機能）を発揮するので、量子ドットの劣化が抑制されるためであると考えられる。

また、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有するシリコーン樹脂は、窒素原子を有するために、窒素原子が量子ドットに配位し、またこれらの構造を有するシリコーン樹脂は嵩高いので、これらの構造を有しないシリコーン樹脂に比べて、水分や酸素の透過を抑制する機能を有している。すなわち、上記特定のシリコーン樹脂は、バリア性を有している。これにより、窒素原子を含むシリコーン樹脂として、上記特定のシリコーン樹脂を用いた場合には、水分や酸素の透過を抑制できるので、量子ドットの劣化をより抑制することができる。

上記実施形態においては、光波長変換部材１３を発光装置１０に組み込んでいるが、発光装置からの光を受ける位置であれば、光波長変換部材の配置位置は特に限定されない。例えば、層状の光波長変換部材を備える光波長変換シートを、光学板よりも観察者側の位置に組み込んでもよい。

本発明を詳細に説明するために、以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されない。

＜光波長変換組成物の調製＞
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、光波長変換組成物を得た。
＜実施例１＞
（光波長変換組成物１）
・ポリイミドシリコーン樹脂（製品名「ＳＣＲ−１０１２」、信越化学工業社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部

＜実施例２＞
（光波長変換組成物２）
・ポリイミドシリコーン樹脂（製品名「ＳＣＲ−１０１６」、信越化学工業社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部

＜比較例１＞
（光波長変換組成物３）
・ジメチルシリコーン樹脂（製品名「ＫＥＲ―２５００」、信越化学工業社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部

＜比較例２＞
（光波長変換組成物４）
・フェニルシリコーン樹脂（製品名「ＫＥＲ−６０００」、信越化学工業社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部

＜実施例３＞
発光ピーク波長が４５０ｎｍの青色発光ダイオードチップを備える発光装置（製品名「Ｂ２０２０」、ジェネライツ社製）の反射部材の開口部（パッケージ本体の凹部）に光波長変換組成物１を充填した。そして、１００℃で５時間加熱することによって、光波長変換組成物を硬化させて、反射部材の開口部に充填され、かつ青色発光ダイオードを覆った光波長変換部材を備える実施例３に係る発光装置を得た。

＜実施例４＞
実施例４においては、光波長変換組成物１の代わりに光波長変換組成物２を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、発光装置を得た。

＜比較例３＞
比較３においては、光波長変換組成物１の代わりに光波長変換組成物３を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、発光装置を得た。

＜比較例４＞
比較例４においては、光波長変換組成物１の代わりに光波長変換組成物４を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、発光装置を得た。

＜通電耐熱試験後における輝度維持率測定＞
上記実施例および比較例に係る発光装置において、青色発光ダイオードへの印加電力が０．５Ｗとなるように通電して８０℃の環境下で５００時間連続点灯させる通電耐熱試験を行い、発光装置における通電耐熱試験前の輝度に対する通電耐熱試験後における輝度の維持率を調べた。具体的には、まず、Kindle Fire（登録商標）HDX7のバックライト装置を用意した。そして、このバックライト装置の発光装置を実施例および比較例に係る通電耐熱試験前の発光装置に代えることによって、バックライト装置に実施例および比較例に発光装置を組み込んだ。

そして、実施例および比較例に係る発光装置を組み込んだバックライト装置において、青色発光ダイオードへの印加電力が０．５Ｗとなるように通電することによって青色発光ダイオードを点灯させて、バックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面（表面）から４００ｍｍ離れた位置において、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。

次いで、この状態で、青色発光ダイオードを８０℃の環境下で５００時間連続点灯させる通電耐熱性試験を行った。そして、通電耐熱性試験後におけるバックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、上記と同様に、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面（表面）から４００ｍｍ離れた位置において、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。

測定したこれらの輝度から、通電耐熱試験前の輝度に対する通電耐熱試験後の輝度の維持率をそれぞれ求めた。輝度維持率は、輝度維持率をＡとし、通電耐熱試験前のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＢとし、通電耐熱試験後のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＣとし、下記式によって求めた。
Ａ＝Ｃ／Ｂ×１００

以下、結果を表１に示す。

以下、結果について述べる。表１から分かるように、実施例３、４に係る発光装置においては、特定のシリコーン樹脂を用いていたので、特定のシリコーン樹脂を用いていない比較例３、４に係る発光装置によりも通電耐熱試験後の輝度維持率が高かった。

上記実施例においては、緑色発光量子ドットや赤色発光量子ドットのコア材料としてＣｄＳｅを用いているが、コア材料としてＩｎＰ、ＩｎＡｓ等の非Ｃｄ系材料を用いても、上記実施例と同様の結果が得られた。

１０…発光装置
１２…発光素子
１３…光波長変換部材
１８…量子ドット
１９…バインダ樹脂
３０…画像表示装置
４０…バックライト装置
１００…表示パネル

Claims (10)

1. 量子ドットと、窒素原子を含むシリコーン樹脂とを含む、光波長変換組成物。
2. 前記シリコーン樹脂が、ポリイミド構造、ポリアミド構造、およびポリアミドイミド構造の少なくともいずれかの構造を有する、請求項１に記載の光波長変換組成物。
3. 請求項１に記載の光波長変換組成物の硬化物からなる、光波長変換部材。
4. 発光素子と、
   前記発光素子からの光を受ける、請求項３に記載の光波長変換部材と、
   を備える、発光装置。
5. 前記発光素子が、ＬＥＤ素子である、請求項４に記載の発光装置。
6. 前記光波長変換部材が、前記発光素子を覆っている、請求項４に記載の発光装置。
7. 前記発光素子と前記光波長変換部材の間に設けられ、かつ前記発光素子を封止する封止部材をさらに備える、請求項４に記載の発光装置。
8. 前記光波長変換部材の出光側の表面がレンズ面となっている、請求項４に記載の発光装置。
9. 請求項４に記載の発光装置を備える、バックライト装置。
10. 請求項９に記載のバックライト装置と、
    前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、
    を備える、画像表示装置。

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