JP2018148099A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】面間均一性を制御することが可能な基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置１は、複数枚の基板を収容可能に設けられ、第１の開口部５２を有する内管４４と、内管４４を取り囲む外管４６と、内管４４内又は内管４４と外管４６との間に移動可能に設けられ、第２の開口部１０２を有する可動壁１００と、内管４４内に処理ガスを供給するガス供給手段７６、７８、８０と、可動壁１００よりも外側に設けられ、内管４４内に供給された処理ガスを、第１の開口部５２及び第２の開口部１０２を介して排気する排気手段４１と、内管４４内の圧力を検出する圧力検出手段１１０と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

基板保持具に多段に保持された複数枚の基板をまとめて処理することが可能なバッチ式の基板処理装置が知られている。

バッチ式の基板処理装置としては、基板が収容される内管と、内管を取り囲む外管と、内管の側壁に設けられたガス排気口と、内管と外管とに挟まれる空間を排気する排気ユニットとを有する装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この装置では、ガス排気口の開口幅が排気ユニットに近づくにつれて徐々に狭くなるようにすることで、排気のバランスを調整し、基板の表面に供給されるガスの流速を基板間で均一化させている。

特許第５２８４１８２号公報

しかしながら、上記の基板処理装置では、ガス排気口の開口形状は装置ごとに決められるものであるため、プロセス条件や処理枚数の変化によっては、所望の面間均一性が得られない場合がある。これは、プロセス条件や処理枚数ごとに排気のバランスを調整することができないからである。

そこで、本発明の一態様では、面間均一性を制御することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、複数枚の基板を収容可能に設けられ、第１の開口部を有する内管と、前記内管を取り囲む外管と、前記内管内又は前記内管と前記外管との間に移動可能に設けられ、第２の開口部を有する可動壁と、前記内管内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記可動壁よりも外側に設けられ、前記内管内に供給された前記処理ガスを、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して排気する排気手段と、前記内管内の圧力を検出する圧力検出手段と、を備える。

開示の基板処理装置によれば、面間均一性を制御することができる。

第１実施形態に係る基板処理装置の概略図 図１の基板処理装置の処理容器を説明するための横断面図 図１の基板処理装置の内管の一例を説明するための斜視図 図１の基板処理装置の可動壁の一例を説明するための斜視図 共通開口部を説明するための図 第１の開口部と第２の開口部との位置関係を説明するための図 第１実施形態に係る圧力調整方法を示すフローチャート 第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図（１） 第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図（２） 第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図（３） 第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図（４） 第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図（５） 第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図（６） 第２実施形態に係る基板処理装置の概略図

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。

〔第１実施形態〕
（基板処理装置）
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略図である。図２は、図１の基板処理装置の処理容器を説明するための横断面図である。図３は、図１の基板処理装置の内管の一例を説明するための斜視図である。図４は、図１の基板処理装置の可動壁の一例を説明するための斜視図である。

図１に示されるように、基板処理装置１は、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容可能な処理容器３４を有している。

処理容器３４は、下端部が開放された有天井の円筒形状の内管４４と、下端部が開放されて内管４４の外側を覆う有天井の円筒形状の外管４６とを有する。内管４４及び外管４６は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて二重管構造となっている。処理容器３４内には、複数枚のウエハＷを所定の間隔で保持する基板保持具３８が搬入出される。

内管４４の天井部４４Ａは、例えば平坦になっている。内管４４の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガスノズルを収容するノズル収容部４８が形成されている。第１実施形態では、図２に示されるように、内管４４の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部５０を形成し、凸部５０内をノズル収容部４８として形成している。

また、ノズル収容部４８に対向させて内管４４の反対側の側壁には、図３に示されるように、その長手方向（上下方向）に沿って幅Ｌ１の矩形状の第１の開口部５２が形成されている。

第１の開口部５２は、内管４４内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。第１の開口部５２の長さは、基板保持具３８の長さと同じであるか、又は、基板保持具３８の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。即ち、第１の開口部５２の上端は、基板保持具３８の上端に対応する位置以上の高さに延びて位置され、第１の開口部５２の下端は、基板保持具３８の下端に対応する位置以下の高さに延びて位置されている。具体的には、図１に示されるように、基板保持具３８の上端と第１の開口部５２の上端との間の高さ方向の距離Ｌ２は０ｍｍ〜５ｍｍ程度の範囲内である。また、基板保持具３８の下端と第１の開口部５２の下端との間の高さ方向の距離Ｌ３は０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度の範囲内である。また、第１の開口部５２の幅Ｌ１は、１０ｍｍ〜４００ｍｍ程度の範囲内、好ましくは４０ｍｍ〜２００ｍｍ程度の範囲内である。また、第１の開口部５２の４つの角部のうち２つの角部が面取りされている。

処理容器３４の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド５４によって支持されている。マニホールド５４の上端部にはフランジ部５６が形成されており、フランジ部５６上に外管４６の下端部を設置して支持するようになっている。フランジ部５６と外管４６との下端部との間にはＯリング等のシール部材５８を介在させて外管４６内を気密状態にしている。

マニホールド５４の上部の内壁には、円環状の支持部６０が設けられており、支持部６０上に内管４４の下端部を設置してこれを支持するようになっている。マニホールド５４の下端の開口部には、蓋部３６がＯリング等のシール部材６２を介して気密に取り付けられており、処理容器３４の下端の開口部の側、即ち、マニホールド５４の開口部を気密に塞ぐようになっている。蓋部３６は、例えばステンレス鋼により形成される。

蓋部３６の中央部には、磁性流体シール部６４を介して回転軸６６が貫通させて設けられている。回転軸６６の下部は、ボートエレベータよりなる昇降手段６８のアーム６８Ａに回転自在に支持されており、モータによって回転されるようになっている。

回転軸６６の上端には回転プレート７０が設けられており、回転プレート７０上に石英製の保温台７２を介してウエハＷを保持する基板保持具３８が載置されるようになっている。従って、昇降手段６８を昇降させることによって蓋部３６と基板保持具３８とは一体として上下動し、基板保持具３８を処理容器３４内に対して搬出入できるようになっている。

ガス供給手段４０は、マニホールド５４に設けられており、内管４４内へ処理ガス、パージガス等のガスを導入する。ガス供給手段４０は、複数（例えば３本）の石英製のガスノズル７６，７８，８０を有している。各ガスノズル７６，７８，８０は、内管４４内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端部がＬ字状に屈曲されてマニホールド５４を貫通するようにして支持されている。

ガスノズル７６，７８，８０は、図２に示されるように、内管４４のノズル収容部４８内に周方向に沿って一列になるように設置されている。各ガスノズル７６，７８，８０には、その長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔７６Ａ，７８Ａ，８０Ａが形成されており、各ガス孔７６Ａ，７８Ａ，８０Ａより水平方向に向けて各ガスを放出できるようになっている。所定の間隔は、例えば基板保持具３８に支持されるウエハＷの間隔と同じになるように設定される。また、高さ方向の位置は、各ガス孔７６Ａ，７８Ａ，８０Ａが上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間に位置するように設定されており、各ガスをウエハＷ間の空間部に効率的に供給できるようになっている。

ガスの種類としては、原料ガス、酸化ガス及びパージガスが用いられ、各ガスを流量制御しながら必要に応じて各ガスノズル７６，７８，８０を介して供給できるようになっている。例えば、原料ガスとしてシリコン含有ガス、酸化ガスとしてオゾンガス、パージガスとして窒素ガスを用いることで、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法によりシリコン酸化膜を形成できるようになっている。なお、ガスの種類は成膜する膜の種類に応じて適宜選択することができる。

また、マニホールド５４の上部の側壁であって、支持部６０の上方には、ガス出口８２が形成されており、内管４４と外管４６との間の空間部８４を介して第１の開口部５２より排出される内管４４内のガスを排気できるようになっている。ガス出口８２には、排気手段４１が設けられる。排気手段４１は、ガス出口８２に接続された排気通路８６を有しており、排気通路８６には、圧力調整手段である圧力調整弁８８及び真空ポンプ９０が順次介設されて、処理容器３４内を真空に排気できるようになっている。また、排気通路８６には、バラトロンセンサ等の第１の真空計９２が設けられており、排気通路８６内の圧力を検出できるようになっている。

外管４６の外周側には、外管４６を覆うように円筒形状の加熱手段４２が設けられており、ウエハＷを加熱するようになっている。

また、内管４４内には、内管４４の内側壁に沿って可動壁１００が設けられている。可動壁１００は、図４に示されるように、半円筒形状を有し、その側壁には第２の開口部１０２が形成されている。

第２の開口部１０２は、内管４４内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。第２の開口部１０２は、例えば図４に示されるように、第１の開口部５２と異なる形状であり、平行四辺形状に形成されている。第２の開口部１０２の上端は、例えば図１に示されるように、第１の開口部５２の上端に対応する位置の高さに伸びて位置されている。第２の開口部１０２の下端は、例えば図１に示されるように、第１の開口部５２の下端に対応する位置の高さに伸びて位置されている。

可動壁１００には、磁性流体シール部６４を介して回転軸１０４が貫通させて設けられている。回転軸１０４は、モータによって回転軸６６から独立して移動可能（回転可能）に構成されている。回転軸１０４を回転させて可動壁１００を回転させることにより、第１の開口部５２に対する第２の開口部１０２の位置を変化させることができる。これにより、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なる領域（以下「共通開口部ＣＡ」という。）の形状を変化させることができる。その結果、内管４４内のガスの排気のバランスを調整し、ウエハＷの表面に供給されるガスの流速を制御することができる。

圧力検出手段１１０は、マニホールド５４に設けられている。圧力検出手段１１０は、石英製のセンサ管１１２を有している。センサ管１１２は、一端が内管４４内と連通し、内管４４内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端部がＬ字状に屈曲されてマニホールド５４を貫通するようにして支持されている。センサ管１１２には、センサ管１１２内の圧力を検出するバラトロンセンサ等の第２の真空計１１４が取り付けられており、センサ管１１２内の圧力を検出できるようになっている。図示の例では、センサ管１１２の先端が内管４４内の下部に位置しているので、内管４４内の下部における圧力を検出することができる。また、センサ管１１２の先端は内管４４内の中央部に位置していてもよく、上部に位置していてもよい。

センサ管１１２は、その内部にパージガス等のガスが通流可能であることが好ましい。センサ管１１２内にパージガス等のガスを通流させることにより、センサ管１１２内にデポ物が付着することを抑制することができる。また、センサ管１１２内に通流させるパージガス等のガスは、一定流量であることが好ましい。一定流量にすることで、内管４４内の圧力とセンサ管１１２内の圧力との比が一定となるため、予め内管４４内の圧力とセンサ管１１２内の圧力との関係を測定しておくことで、高い精度で内管４４内の圧力を検出することができる。

図１に戻って、このように形成された基板処理装置１の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる制御手段１２０により制御されるようになっている。この動作を行うコンピュータのプログラムは、例えば記憶媒体１２２に記憶されている。記憶媒体１２２は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

制御手段１２０は、圧力検出手段１１０により検出される内管４４内の圧力に基づいて、圧力調整弁８８及び可動壁１００を制御する。

また、制御手段１２０は、可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係が、予め定められた可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係と異なる場合、可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を予め定められた関係に近づく方向に補正する。

予め定められた可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係は、基板処理装置１とは異なる基板処理装置（以下「基準装置」ともいう。）において取得された可動壁の回転角と内管内の圧力との関係であってよい。これにより、制御手段１２０は、基板処理装置１の可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を、基準装置の可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係に一致させることができる。その結果、機差（装置間のばらつき）を小さくすることができる。なお、予め定められた可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係は、例えば記憶媒体１２２に記憶されていてよい。また、制御手段１２０が、通信ネットワークに接続されている場合には、予め定められた可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係は、通信ネットワークを介して接続された他の基板処理装置、ホストコンピュータ等に記憶されていてもよい。

具体的には、制御手段１２０は、例えば圧力検出手段１１０により検出される内管４４内の圧力が略一定値から減少又は増加に転じるときの可動壁１００の位置が、予め定められた第１の位置と異なる場合、内管４４内の圧力が略一定値から減少又は増加に転じるときの可動壁１００の位置を第１の位置に近づく方向に補正する。第１の位置は、例えば基準装置において、内管４４内の圧力が略一定値から減少又は増加に転じるときの可動壁１００の位置とすることができる。

また、制御手段１２０は、例えば可動壁１００が第２の位置にある場合の内管４４内の圧力が、予め定められた第２の圧力と異なる場合、可動壁１００が第２の位置にある場合の内管４４内の圧力を第２の圧力に近づく方向に補正する。第２の圧力は、例えば基準装置において、可動壁が第２の位置にある場合の内管内の圧力とすることができる。第２の位置は、例えば共通開口部ＣＡが最も大きい位置又は最も小さい位置とすることができる。

図５は、共通開口部ＣＡを説明するための図である。図５（ａ）は、第２の開口部１０２の一部が第１の開口部５２と重なっている場合の共通開口部を説明するための図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）における「ＴＯＰ」で示される位置における処理容器３４の横断面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）における「ＣＴＲ」で示される位置における処理容器３４の横断面図である。図５（ｄ）は、図５（ａ）における「ＢＴＭ」で示される位置における処理容器３４の横断面図である。なお、「ＴＯＰ」は処理容器３４の上方側の位置を示し、「ＣＴＲ」は処理容器３４の中央部の位置を示し、「ＢＴＭ」は処理容器３４の下方側の位置を示している。

図５（ａ）に示されるように、第２の開口部１０２の一部が第１の開口部５２に重なるように可動壁１００が位置している場合、共通開口部ＣＡの開口幅は、ＴＯＰ側からＢＴＭ側に向かって狭くなる。

具体的には、「ＴＯＰ」の位置では、図５（ｂ）に示されるように、第２の開口部１０２が第１の開口部５２と完全に重なっている。このため、共通開口部ＣＡの開口幅は、第１の開口部５２の幅となる。また、「ＣＴＲ」の位置では、図５（ｃ）に示されるように、第２の開口部１０２の一部が第１の開口部５２と重なっている。このため、共通開口部ＣＡの開口幅は、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっている部分の幅となり、「ＴＯＰ」の位置における共通開口部ＣＡの開口幅よりも狭くなっている。また、「ＢＴＭ」の位置では、図５（ｄ）に示されるように、第２の開口部１０２のごく一部が第１の開口部５２と重なっている。このため、共通開口部ＣＡの開口幅は、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっている部分の幅となり、「ＣＴＲ」の位置における共通開口部ＣＡの開口幅よりも狭くなっている。このように、共通開口部ＣＡの開口幅は、ＴＯＰ側からＢＴＭ側に向かって狭くなっている。

図６は、第１の開口部５２と第２の開口部１０２との位置関係を説明するための図である。図６（ａ）から図６（ｆ）は、可動壁１００を移動（回転）させることによって、第１の開口部５２に対する第２の開口部１０２の位置を変化させたときの共通開口部ＣＡの形状の変化を示している。

図６（ａ）から図６（ｆ）に示されるように、可動壁１００を回転させることによって、共通開口部ＣＡの形状を変化させることができる。

図６（ａ）では、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが全く重なっておらず、共通開口部ＣＡの開口面積は０である。これにより、内管４４内のガスは排気されない、又は、ほとんど排気されない。

図６（ｂ）では、第１の開口部５２の上方側において、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっている。これに対し、第１の開口部５２の下方側では、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっていない。これにより、内管４４内のガスは、第１の開口部５２の下方側から排気されず、第１の開口部５２の上方側から選択的に排気される。

図６（ｃ）では、第１の開口部５２の上方側及び下方側において、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっており、その重なっている幅は、第１の開口部５２の下方側よりも上方側のほうが広い。これにより、内管４４内のガスは、第１の開口部５２の下方側よりも第１の開口部５２の上方側から排気されやすくなる。

図６（ｄ）では、第２の開口部１０２が第１の開口部５２に完全に重なっている。これにより、内管４４内のガスは、第１の開口部５２の全体から排気される。

図６（ｅ）では、第１の開口部５２の上方側及び下方側において、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっており、その重なっている幅は、第１の開口部５２の上方側よりも下方側のほうが広い。これにより、内管４４内のガスは、第１の開口部５２の上方側よりも第１の開口部５２の下方側から排気されやすくなる。

図６（ｆ）では、第１の開口部５２の下方側において、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっている。これに対し、第１の開口部５２の上方側では、第１の開口部５２と第２の開口部１０２とが重なっていない。これにより、内管４４内のガスは、第１の開口部５２の上方側から排気されず、第１の開口部５２の下方側から選択的に排気される。

このように、可動壁１００を回転させることによって、共通開口部ＣＡの形状を変化させることができる。これにより、プロセス条件や処理枚数の変化に応じて可動壁１００の位置を移動させることで、プロセス条件や処理枚数に応じて排気のバランスを調整することができる。その結果、所望の面間均一性を得ることができる。

ところで、第１実施形態の基板処理装置１は、排気通路８６内の圧力を検出する第１の真空計９２とは別に、内管４４内の圧力を検出する圧力検出手段１１０を有するが、これは以下のような理由による。

内管４４内から排気通路８６内に至るまでの流路のコンダクタンスが変化することがない場合、内管４４内の圧力と排気通路８６内の圧力との比は一定の値となる。そのため、内管４４内の圧力と排気通路８６内の圧力との比を予め測定しておけば、排気通路８６内の圧力を測定することによって、内管４４内の圧力を求めることができる。

しかしながら、内管４４の内側壁に沿って可動壁１００が設けられている場合、可動壁１００の回転角に応じて共通開口部ＣＡの形状が変化し、内管４４内から共通開口部ＣＡを介して排気通路８６内に至るまでの流路のコンダクタンスが変化する。そのため、内管４４内の圧力と排気通路８６内の圧力との比が変化し、排気通路８６内の圧力を測定しても、内管４４内の圧力を正確に求めることができない。

そこで、第１実施形態に係る基板処理装置１では、内管４４内の圧力を検出可能な圧力検出手段１１０を設けている。これにより、内管４４内の圧力変動を直接検出することができるので、内管４４内の圧力と排気通路８６内との比が変化した場合であっても、高い精度で内管４４内の圧力を検出することができる。

（圧力調整方法）
前述の基板処理装置１を用いた圧力調整方法の一例について説明する。以下では、基板処理装置１（以下「補正対象装置１」ともいう。）の可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を、別の基板処理装置（以下「基準装置１Ｒ」という。）の可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係に一致させる場合を例に挙げて説明する。

図７は、第１実施形態に係る圧力調整方法を示すフローチャートである。図８から図１３は、第１実施形態に係る圧力調整方法の各ステップの説明図である。図８には、基準装置１Ｒにおける第１の開口部５２Ｒと第２の開口部１０２Ｒとの位置関係を示している。図９から図１３には、可動壁１００，１００Ｒの回転角と内管４４，４４Ｒ内の圧力との関係を示している。図９から図１３において、横軸は可動壁１００，１００Ｒの回転角を示し、縦軸は内管４４，４４Ｒ内の圧力を示している。

最初に、基準装置１Ｒの圧力測定を行う（ステップＳ１）。具体的には、基準装置１Ｒの可動壁１００Ｒを回転させながら、圧力検出手段により内管４４Ｒ内部の圧力を検出する。これにより、基準装置１Ｒにおける可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係を取得することができる。可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係は、例えば記憶媒体に記憶される。

図８は、可動壁１００Ｒが第１の閉位置、上寄り排気位置、最大開口位置、下寄り排気位置及び第２の閉位置にある場合における第１の開口部５２Ｒと第２の開口部１０２Ｒとの位置関係を示している。図９は、可動壁１００Ｒを第１の閉位置、上寄り排気位置、最大開口位置、下寄り排気位置及び第２の閉位置の順に回転させながら、圧力検出手段により内管４４Ｒ内の圧力を測定したときの、可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係を示している。

図８に示されるように、第１の閉位置は、第１の開口部５２Ｒと第２の開口部１０２Ｒとが重なっていないときの位置である。そのため、第１の閉位置では、内管４４Ｒ内のガスがほとんど排気されることがないので、図９に示されるように、内管４４内の圧力が最も高くなる。

また、図８に示されるように、上寄り排気位置は、第１の開口部５２Ｒと第２の開口部１０２Ｒとの重なりが上方側で大きく、下方側で小さくなる位置である。そのため、上寄り排気位置では、図９に示されるように、第１の閉位置よりも内管４４Ｒ内の圧力が小さく、最大開口位置よりも内管４４Ｒ内の圧力が大きくなる。

また、図８に示されるように、最大開口位置は、第２の開口部１０２Ｒが第１の開口部５２Ｒに完全に重なっているときの位置である。そのため、最大開口位置では、内管４４Ｒ内のガスが最も排気されやすいので、図９に示されるように、内管４４内の圧力が最も低くなる。

また、図８に示されるように、下寄り排気位置は、第１の開口部５２Ｒと第２の開口部１０２Ｒとの重なりが下方側で大きく、上方側で小さくなる位置である。そのため、下寄り排気位置では、図９に示されるように、第１の閉位置よりも内管４４Ｒ内の圧力が小さく、最大開口位置よりも内管４４Ｒ内の圧力が大きくなる。

また、図８に示されるように、第２の閉位置は、第１の開口部５２Ｒと第２の開口部１０２Ｒとが重なっていないときの位置である。そのため、第２の閉位置では、第１の閉位置と同様、内管４４Ｒ内のガスがほとんど排気されることがないので、図９に示されるように、内管４４内の圧力が最も高くなる。

続いて、補正対象装置１の圧力測定を行う（ステップＳ２）。具体的には、基準装置１Ｒの場合と同様に、補正対象装置１の可動壁１００を回転させながら、圧力検出手段１１０により内管４４内の圧力を検出する。これにより、補正対象装置１における可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を取得することができる。可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係は、例えば記憶媒体１２２に記憶される。

図１０は、可動壁１００を第１の閉位置、上寄り排気位置、最大開口位置、下寄り排気位置及び第２の閉位置の順に回転させながら、圧力検出手段１１０により内管４４内の圧力を測定したときの、可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を示している。図１０においては、太い実線は補正対象装置１における可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を示し、細い太い実線は基準装置１Ｒにおける可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係を示している。図１０に示されるように、補正対象装置１における可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係は、基準装置１Ｒにおける可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係と一致していない。

続いて、補正対象装置１の回転角補正を行う（ステップＳ３）。具体的には、図１１に示されるように、制御手段１２０は、補正対象装置１の内管４４内の圧力が略一定値から減少に転じるときの可動壁１００の回転角θ１が、基準装置１Ｒの内管４４Ｒ内の圧力が略一定値から減少に転じるときの可動壁１００Ｒの回転角θ１Ｒと異なる場合、回転角θ１を回転角θ１Ｒに近づく方向に補正する。また、制御手段１２０は、補正対象装置１の内管４４内の圧力が減少から略一定値に転じるときの可動壁１００の回転角θ２が、基準装置１Ｒの内管４４Ｒ内の圧力が減少から略一定値に転じるときの可動壁１００Ｒの回転角θ２Ｒと異なる場合、回転角θ２を回転角θ２Ｒに近づく方向に補正する。これにより、補正対象装置１において内管４４内の圧力が変化するときの可動壁１００の回転角を、基準装置１Ｒにおいて内管４４Ｒ内の圧力が変化するときの可動壁１００Ｒの回転角に一致させることができる。

続いて、補正対象装置１の圧力補正を行う（ステップＳ４）。具体的には、制御手段１２０は、補正対象装置１の内管４４内の圧力を、基準装置１Ｒの内管４４内の圧力に近づく方向に補正する。例えば図１２に示されるように、制御手段１２０は、補正対象装置１の可動壁１００が最大開口位置にある場合の内管４４内の圧力Ｐ１が、基準装置１Ｒの可動壁１００Ｒが最大開口位置にある場合の内管４４Ｒ内の圧力Ｐ１Ｒと異なる場合、圧力Ｐ１を圧力Ｐ１Ｒに近づく方向に補正する。また、制御手段１２０は、補正対象装置１の可動壁１００が閉位置にある場合の内管４４内の圧力Ｐ２が、基準装置１Ｒの可動壁１００Ｒが閉位置にある場合の内管４４Ｒ内の圧力Ｐ２Ｒと異なる場合、圧力Ｐ２を圧力Ｐ２Ｒに近づく方向に補正する。具体的には、補正対象装置１の圧力調整弁８８の開度を小さくすることで、Ｐ１（Ｐ２）をＰ１Ｒ（Ｐ２Ｒ）に近づけることができる。また、補正対象装置１の真空ポンプ９０の回転数を減少させることでも、Ｐ１（Ｐ２）をＰ１Ｒ（Ｐ２Ｒ）に近づけることができる。さらに、制御手段１２０は、補正対象装置１の可動壁１００が上寄り排気位置及び下寄り排気位置にある場合の内管４４内の圧力を、圧力Ｐ１と圧力Ｐ１Ｒとの差分及び圧力Ｐ２と圧力Ｐ２Ｒとの差分に基づく線形補間により補正する。

このようにステップＳ１からステップＳ４を行うことで、図１３に示されるように、補正対象装置１の可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を、基準装置１Ｒの可動壁１００Ｒの回転角と内管４４Ｒ内の圧力との関係に一致させることができる。その結果、機差（装置間のばらつき）を小さくすることができる。

〔第２実施形態〕
本発明の第２実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１４は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略図である。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ａは、３つの圧力検出手段１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃを有する点で、図１に示した第１実施形態に係る基板処理装置１と異なる。なお、その他の点については、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成を有しているので、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成については説明を省略し、異なる構成について説明する。

第２実施形態では、マニホールド５４に、３つの圧力検出手段１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃが設けられている。圧力検出手段１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、それぞれ石英製のセンサ管１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃを有している。センサ管１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは、内管４４内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端部がＬ字状に屈曲されてマニホールド５４を貫通するようにして支持されている。センサ管１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃには、センサ管内の圧力を検出するバラトロンセンサ等の第２の真空計１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃが取り付けられており、センサ管１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの内部の圧力を検出できるようになっている。

センサ管１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの先端は、それぞれ内管４４の下部，中央部，上部に位置している。これにより、第２の真空計１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃによりセンサ管１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの内部の圧力を検出することで、内管４４内の下部，中央部，上部における圧力を検出することができる。即ち、内管４４内の圧力変動を直接検出することができるので、内管４４内の圧力と排気通路８６内との比が変化した場合であっても、高い精度で内管４４内の圧力を検出することができる。

特に、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａでは、内管４４内の下部，中央部，上部における圧力を検出することができるので、可動壁１００の回転角と内管４４内の圧力との関係を特に高い精度で取得することができる。

以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。

上記の実施形態では、可動壁１００が内管４４の内側壁に沿って設けられている形態について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば内管４４と外管４６との間に設けられていてもよい。この場合には、内管４４の外側壁に沿って可動壁１００を設けるようにする。

また、上記の実施形態では、プラズマを用いない成膜処理について説明したが、これに限定されるものではなく、プラズマを用いた成膜処理を行う場合にも本発明を適用することができる。この場合には、例えばノズル収容部４８を区画する凸部５０の区画壁の外側に、その長手方向に沿ってプラズマ発生用の高周波電力を印加する電力板を設けてプラズマを発生させるようにする。

また、上記の実施形態では、基板として半導体ウエハを例に挙げて説明したが、半導体ウエハにはシリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ等の化合物半導体基板も含まれる。さらに、これらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。

１ 基板処理装置
３４ 処理容器
４１ 排気手段
４４ 内管
４６ 外管
５２ 第１の開口部
７６ ガスノズル
７８ ガスノズル
８０ ガスノズル
８８ 圧力調整弁
１００ 可動壁
１０２ 第２の開口部
１０４ 回転軸
１１０ 圧力検出手段
１１２ センサ管
１１４ 第２の真空計
１２０ 制御手段
１２２ 記憶媒体
Ｗ ウエハ

Claims (10)

1. 複数枚の基板を収容可能に設けられ、第１の開口部を有する内管と、
   前記内管を取り囲む外管と、
   前記内管内又は前記内管と前記外管との間に移動可能に設けられ、第２の開口部を有する可動壁と、
   前記内管内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
   前記可動壁よりも外側に設けられ、前記内管内に供給された前記処理ガスを、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して排気する排気手段と、
   前記内管内の圧力を検出する圧力検出手段と、
   を備える、
   基板処理装置。
2. 前記圧力検出手段は、
   一端が前記内管内と連通する一又は複数のセンサ管と、
   前記一又は複数のセンサ管内の圧力を検出する一又は複数の真空計と、
   を含む、
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記一又は複数のセンサ管は、その内部にガスが通流可能である、
   請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記排気手段は、前記内管内の圧力を調整する圧力調整手段を含む、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記圧力検出手段により検出される前記内管内の圧力に基づいて、前記圧力調整手段又は前記可動壁を制御する制御手段を備える、
   請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記制御手段は、前記圧力検出手段により検出される前記内管内の圧力が略一定値から減少又は増加に転じるときの前記可動壁の位置が、予め定められた第１の位置と異なる場合、前記内管内の圧力が略一定値から減少又は増加に転じるときの前記可動壁の位置を前記第１の位置に近づく方向に補正する、
   請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記第１の位置は、当該基板処理装置とは異なる基板処理装置において、内管内の圧力が略一定値から減少又は増加に転じるときの可動壁の位置である、
   請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記制御手段は、前記可動壁が第２の位置にある場合の前記内管内の圧力が、予め定められた第２の圧力と異なる場合、前記可動壁が第２の位置にある場合の前記内管内の圧力を前記第２の圧力に近づく方向に補正する、
   請求項５に記載の基板処理装置。
9. 前記第２の圧力は、当該基板処理装置とは異なる基板処理装置において、可動壁が前記第２の位置にある場合の内管内の圧力である、
   請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記第２の位置は、前記第１の開口部と前記第２の開口部との重なる領域が最も大きい位置又は最も小さい位置である、
    請求項８又は９に記載の基板処理装置。