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JP2018037390A - 表示装置とその検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】封止膜を構成する有機膜のオーバーフローによる不良発生を検査することができる表示装置とその検査方法を提供する。【解決手段】本発明に係る表示装置は、画素が配置された表示領域と表示領域の外郭に形成された複数のパッドを含むパッド領域を含む基板、表示領域を覆う少なくとも一つの無機膜と有機膜を含む封止膜、表示領域とパッド領域との間に配置されたダム、ダムとパッド領域との間に配置され、基板上に配置された他の導電性ラインまたは電極と電気的に接続されていない導電性検査ラインを備える。【選択図】図7

Description

本発明は、表示装置とその検査方法に関するものである。
情報化社会が発展するにつれて映像を表示するための表示装置への要望が様々な形で高まっている。それにより、最近では、液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)、プラズマ表示装置(PDP:Plasma Display Panel)、有機発光表示装置(OLED:Organic Light Emitting Display)などの様々な表示装置が活用されている。
表示装置のうち、有機発光表示装置は、自己発光型であり、液晶表示装置(LCD)に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別個のバックライトを必要としないため軽量薄型化が可能で、消費電力において有利な利点がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価な長所がある。
有機発光表示装置は、アノード電極、アノード電極を区画するバンク、およびアノード電極上に形成される正孔輸送層(hole transporting layer)、有機発光層(organic light emitting layer)、電子輸送層(electron transporting layer)、および電子輸送層上に形成されるカソード電極を含む。ここで、アノード電極に高電位の電圧が印加され、カソード電極に低電位電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて有機発光層に移動して、有機発光層で互いに結合して発光することになる。
有機発光素子は、外部の水分、酸素のような外的要因によって容易に劣化が起こるという欠点がある。これを防止するために、有機発光表示装置は、外部の水分、酸素が有機発光素子に浸透しないように封止膜を形成する。
図1は、従来の表示装置を概略的に示した断面図である。
図1を参照すると、従来の表示装置は、有機発光素子20が形成された基板10上に封止膜30を形成する。ここで、封止膜30は、第1無機膜30a、有機膜30b及び第2無機膜30cを含むことにより、有機発光層と電極の酸素または水分が浸透することを防止する。
有機膜30bは、第1無機膜30aを覆うように第1無機膜30a上に形成されて異物(particles)が第1無機膜30aを突き抜けて、有機発光層と電極に投入されることを防止する。
このような有機膜30bは、一般的に、ポリマー(polymer)で構成され、液状の状態で基板10上に塗布した後、硬化工程を経て形成される。有機膜30bは、硬化工程まで流動性を有しているので封止膜30を形成しようとする領域の外に溢れる場合が発生し得る。
有機膜30bが外郭に形成されたパッド部を侵すようになれば、有機膜30bによって電気的接触がなされなくなって駆動不良または点灯検査不良が発生し得るという問題がある。
一方、有機膜30bは、被覆性能に優れている反面、バリア性能が低いので、第2無機膜30cによって封止しなければならない。しかし、有機膜30bが封止膜30を形成しようとする領域の外に溢れ出る場合、有機膜30bは、図2に示したように、第2無機膜30cによって封止されず、露出有機膜30bを通じて水分、酸素などが浸透することになる。これにより、有機発光素子20の劣化が発生するという別の問題がある。
上述したように、有機膜30bが封止膜30を形成しようとする領域の外に溢れ出る場合、いくつかの問題が発生するが、有機膜30bの材料であるポリマーは透明なので肉眼で不良を検出することができないというまた別の問題がある。
本発明は、封止膜を構成する有機膜のオーバーフローによる不良発生を検査することができる表示装置とその検査方法を提供する。
本発明に係る表示装置は、画素が配置された表示領域および表示領域の外郭に形成された複数のパッドを含むパッド領域を含む基板、表示領域を覆い少なくとも一つの無機膜と有機膜を含む封止膜、表示領域とパッド領域との間に配置されたダム、ダムとパッド領域との間に配置され、基板上に配置された他の導電性ラインまたは電極と電気的に接続されない導電性検査ラインを備える。
本発明に係る表示装置の検査方法は、基板上の表示領域に画素を形成し、パッド領域に複数のパッドを形成し、表示領域とパッド領域との間にダムを形成し、ダムとパッド領域の間に導電性検査ラインを形成する工程、表示領域を覆う第1無機膜を形成する工程、第1無機膜を覆う有機膜を形成する工程、導電性検査ラインの少なくとも二つの点に電気信号を印加して、2点間の電流または抵抗を測定する工程、および2点間の電流または抵抗がしきい値以下である場合、不良と判断する工程を含む。
本発明によれば、表示領域とパッド領域との間にダムを形成して有機膜の流れを遮断することにより、有機膜がパッド領域を侵したり、外部に露出することを防止することができる。
また、本発明は、ダムとパッド領域との間に形成された導電性検査ラインを用いて有機膜がオーバーフローしたことを検出することができ、これにより、有機膜が無機膜によって完全に覆われないで露出することによる有機発光素子の劣化を防止することができる。
また、本発明は、不良検出の精度を高めると同時に、製品の信頼性を向上させることができる。
また、本発明は、ダムを平坦化膜またはバンクと同一の物質で形成し、導電性検査ラインをアノード電極またはカソード電極と同一の物質で形成することにより、別の製造工程を追加する必要がない。
また、本発明は、第1〜第4導電性検査ラインのそれぞれに対して同時に検査を行うことにより、検査時間を短縮することができる。
本発明で得られる効果は、以上で言及した効果に制限されず、言及していない他の効果は、以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるだろう。
従来の表示装置を概略的に示した断面図である。 オーバーフローした有機膜を示した断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置を示した斜視図である。 図3の第1基板、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示した平面図である。 図4の第1基板を概略的に示した平面図である。 図5の表示領域の画素の一例を示した断面図である。 図5のダムと導電性検査ラインの一例を示した断面図である。 図5のダムと導電性検査ラインの他の例を示した断面図である。 図4の第1基板の他の例を示した平面図である。 図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。 図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。 図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。 図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。 導電性検査ラインを用いて、不良かどうかを検査する方法の一例を説明するための図である。 導電性検査ラインを用いて、不良かどうかを検査する方法の他の例を説明するための図である。
本発明の例示的な実施例を詳細に説明する、添付の図に示されている参照番号は、図全体を通じて可能な限り、同じ参照番号は同一または同様の部分を指すために使用する。
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図とともに詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にして本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されているものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義される。
本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するに当たって、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。
本明細書で言及した「含む」、「有する」、「なされる」などが用いられている場合は、「〜のみ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
位置関係の説明の場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜の横に」など2つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に1つ以上の他の部分が位置することもできる。
時間関係に対する説明の場合、例えば、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」など、時間的前後関係が説明されている場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない以上、連続していない場合も含むことができる。
第1、第2など、多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素であり得る。
「X軸方向」、「Y軸方向」および「Z軸方向」とは、互いの関係が垂直方向に成り立った幾何学的な関係だけに解釈してはならず、本発明の構成は、機能的に作用し得る範囲内より広い方向性を有することを意味し得る。
「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むことができると理解されなければならない。例えば、「第1項目、第2項目及び第3項目の中から少なくとも一つ」の意味は、第1項目、第2項目または第3項目の各々のみならず、第1項目、第2項目及び第3項目の中から2以上から提示し得るすべての項目の組み合わせを意味し得る。
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的に、または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例は、互いに独立して実施可能であり得、連関関連によって一緒に実施することもできる。
以下、図を参照して本発明の好ましい実施例に対して詳細に説明することにする。
図3は、本発明の一実施例に係る表示装置を示した斜視図である。図4は、図3の第1基板、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示した平面図である。以下では、本発明の一実施例に係る表示装置が有機発光表示装置(Organic Light Emitting Display)であることを中心に説明したが、これに限定されない。つまり、本発明の一実施例に係る表示装置は、有機発光表示装置だけでなく、液晶表示装置(Liquid Crystal Display)、電界放出表示装置(Field Emission Display)、および電気泳動表示装置(Electrophoresis display)のいずれか一つで具現することもできる。
図3及び図4を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置100は、表示パネル110、ソースドライブ集積回路(integrated circuit,以下「IC」と称する)140、軟性フィルム150、回路基板160、およびタイミング制御部170を含む。
表示パネル110は、第1基板111と第2基板112を含む。第2基板112は、封止基板であり得る。第1基板111は、プラスチックフィルム(plastic film)またはガラス基板(glass substrate)であり得る。第2基板112は、プラスチックフィルム、ガラス基板、または封止フィルムであり得る。
第2基板112と向き合う第1基板111の一面上にゲートライン、データライン、および画素が形成される。画素は、ゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に設けられる。
画素のそれぞれは、薄膜トランジスタと、第1電極、有機発光層、及び第2電極を備える有機発光素子を含むことができる。画素のそれぞれは、薄膜トランジスタを用いて、ゲートラインからゲート信号が入力される場合は、データラインのデータ電圧に応じて、有機発光素子に所定の電流を供給する。これにより、画素それぞれの有機発光素子は、所定の電流によって所定の明るさで発光することができる。画素のそれぞれの構造に対する説明は、図5及び図6をあわせて後述する。
表示パネル110は、図4に示したように画素が形成されて画像を表示する表示領域(DA)と画像を表示しない非表示領域(NDA)に区分することができる。表示領域(DA)には、ゲートライン、データライン、および画素が形成され得る。非表示領域(NDA)には、ゲート駆動部とパッドが形成され得る。
ゲート駆動部は、タイミング制御部170から入力するゲート制御信号に応じてゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部は、表示パネル110の表示領域(DA)の一側または両側の外側の非表示領域(DA)にGIP(gate driver in panel)方式で形成することができる。または、ゲート駆動部は、駆動チップに製作して軟性フィルムに実装され、TAB(tape automated bonding)方式で表示パネル110の表示領域(DA)の一側または両側の外側の非表示領域(DA)に付着することもできる。
ソースドライブIC140には、タイミング制御部170からデジタルビデオデータとソース制御信号が入力する。ソースドライブIC140は、ソース制御信号に応じて、デジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブIC140が駆動チップに製作されている場合、COF(chip on film)またはCOP(chip on plastic)方式で軟性フィルム150に実装することができる。
表示パネル110の非表示領域(NDA)には、データパッドのようなパッドが形成され得る。軟性フィルム150には、パッドとソースドライブIC140を接続する配線、パッドと回路基板160の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム150は、異方性導電フィルム(antisotropic conducting film)を用いて、パッド上に付着され、これにより、パッドと軟性フィルム150の配線が接続することができる。
回路基板160は、軟性フィルム150に付着することができる。回路基板160は、駆動チップで具現された多数の回路が実装され得る。例えば、回路基板160には、タイミング制御部170が実装され得る。回路基板160は、プリント回路基板(printed circuit board)またはフレキシブルプリント回路基板(flexible printed circuit board)であり得る。
タイミング制御部170は、回路基板160のケーブルを通じて外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号が力する。タイミング制御部170は、タイミング信号に基づいて、ゲート駆動部の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブIC140を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部170は、ゲート制御信号をゲート駆動部に供給して、ソース制御信号をソースドライブIC140に供給する。
図5は、図4の第1基板の一例を示した平面図である。
図5を参照すると、第1基板111は、表示領域(DA)と非表示領域(NDA)に区分され、非表示領域(NDA)には、パッドが形成されるパッド領域(PA)、ダム120および導電性検査ライン130が形成され得る。
表示領域(DA)には、画像を表示する画素(P)が形成される。画素のそれぞれは、薄膜トランジスタと、第1電極、有機発光層、及び第2電極を備える有機発光素子を含むことができる。画素のそれぞれは、薄膜トランジスタを用いて、ゲートラインからゲート信号が入力される場合は、データラインのデータ電圧に応じて、有機発光素子に所定の電流を供給する。これにより、画素それぞれの有機発光素子は、所定の電流によって所定の明るさで発光することができる。
以下では、図6を参照して、本発明の実施例に係る表示領域(DA)の画素(P)の構造を詳細に説明する。
図6は、図5の表示領域の画素の一例を示した断面図である。
図6を参照すると、第2基板112と向き合う第1基板111の一面上に薄膜トランジスタ210及びコンデンサ220が形成される。
透湿に脆弱な第1基板111を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ210を保護するために、第1基板111上にバッファ膜が形成され得る。
薄膜トランジスタ210のそれぞれは、アクティブ層211、ゲート電極212、ソース電極213およびドレイン電極214を含む。図6では、薄膜トランジスタ210のゲート電極212がアクティブ層211の上部に位置する上部ゲート(トップゲート,top gate)方式で形成された例を示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。つまり、薄膜トランジスタ210は、ゲート電極212がアクティブ層211の下部に位置する下部ゲート(ボトムゲート、bottom gate)方式またはゲート電極212がアクティブ層211の上部と下部の両方に位置するダブルゲート(double gate)方式で形成することができる。
第1基板110のバッファ膜上にアクティブ層211が形成される。アクティブ層211は、シリコン系半導体物質や酸化物系半導体物質で形成することができる。第1基板110上には、アクティブ層211に入射される外部光を遮断するための遮光層が形成され得る。
アクティブ層211上には、ゲート絶縁膜230が形成され得る。ゲート絶縁膜230は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
ゲート絶縁膜230上には、ゲート電極212が形成され得る。ゲート電極212は、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、銅(Cu)のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
ゲート電極212上には、層間絶縁膜240が形成され得る。層間絶縁膜240は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
層間絶縁膜240上には、ソース電極213とドレイン電極214が形成され得る。ソース電極213とドレイン電極214のそれぞれは、ゲート絶縁膜230と層間絶縁膜240を貫通するコンタクトホール(CH1、CH2)を通じてアクティブ層211に接続することができる。ソース電極213とドレイン電極214のそれぞれは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、銅(Cu)のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
コンデンサ220のそれぞれは、下部電極221と上部電極222を含む。下部電極221は、ゲート絶縁膜230上に形成され、ゲート電極212と同一の物質で形成することができる。上部電極222は、層間絶縁膜240上に形成され、ソース電極223とドレイン電極224と同一の物質で形成することができる。
薄膜トランジスタ210およびコンデンサ220上には、保護膜250が形成され得る。保護膜250は、絶縁膜としての役割をすることができる。保護膜250は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
保護膜250上には、薄膜トランジスタ210とコンデンサ220による段差を平坦にするための平坦化膜260が形成され得る。平坦化膜260は、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)、ポリイミド樹脂(polyimide resin)などの有機膜で形成され得る。
平坦化膜260上には、有機発光素子280とバンク284が形成される。有機発光素子280は、第1電極283、有機発光層282、及び第2電極281を含む。第1電極283はカソード電極であり、第2電極281はアノード電極であり得る。第1電極283、有機発光層282および第2電極281が積層された領域は、発光部(EA)と定義することができる。
第2電極281は、平坦化膜260上に形成することができる。第2電極281は、保護膜250と平坦化膜260を貫通するコンタクトホール(CH3)を通じて薄膜トランジスタ210のドレイン電極214に接続される。第2電極281は、アルミニウムとチタンの積層構造(Ti/Al/Ti)、アルミニウムとITOの積層構造(ITO/Al/ITO)、APC合金、およびAPC合金とITOの積層構造(ITO/APC/ITO)のような反射率の高い金属材料で形成することができる。APC合金は、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、および銅(Cu)の合金である。
バンク284は、発光部(EA)を区画するために平坦化膜260上で第2電極281の端部を覆うように形成することができる。バンク284は、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)、ポリイミド樹脂(polyimide resin)などの有機膜で形成することができる。
第2電極281とバンク284上には、有機発光層282が形成される。有機発光層282は、正孔輸送層(hole transporting layer)、少なくとも一つの発光層(light emitting layer)、および電子輸送層(electron transporting layer)を含むことができる。この場合、第2電極281と、第1電極283に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて発光層に移動して、発光層で互いに結合して発光することになる。
有機発光層282は、白色光を発光する白色発光層からなり得る。この場合、第2電極281とバンク284を覆うように形成することができる。この場合、第2基板112上にカラーフィルタ(未図示)が形成され得る。
または、有機発光層282は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、または青色光を発光する青色発光層からなり得る。この場合、有機発光層282は、第2電極281に対応する領域に形成され得、第2基板112上にはカラーフィルタが形成されないことがあり得る。
第1電極283は、有機発光層282上に形成される。有機発光表示装置が上部発光(top emission)構造で形成される場合、第1電極283は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質(TCO,Transparent Conductive Material)、またはマグネシウム(Mg)、銀(Ag)、またはマグネシウム(Mg)と銀(Ag)の合金のような半透過金属物質(Semi-transmissive Conductive Material)で形成することができる。第1電極283上にキャッピング層(capping layer)が形成され得る。
有機発光素子280上に封止膜290が形成される。封止膜290は、有機発光層282と、第1電極283に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜290は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
例えば、封止膜290は、第1無機膜291、有機膜292、及び第2無機膜293を含むことができる。この場合、第1無機膜291は、第1電極283を覆うように形成される。有機膜292は、第1無機膜291を覆うように形成される。有機膜292は、異物(particles)が第1無機膜291を突破し、有機発光層282と、第1電極283に投入されることを防止するために十分な厚さで形成されていることが好ましい。第2無機膜293は、有機膜292を覆うように形成される。
封止膜290上には、第1〜第3のカラーフィルタ(未図示)とブラックマトリックス(未図示)が形成され得る。赤色発光部には赤色カラーフィルタ323が形成され、青色発光部には青色カラーフィルタ322が形成され、緑色発光部には、緑色カラーフィルタ321が形成され得る。
第1基板111の封止膜290と第2基板112のカラーフィルタ(未図示)は、接着層330を用して接着され、これにより、第1基板111と第2基板112は、合着することができる。接着層330は、透明な接着レジンであり得る。
再び図5を参照して説明すると、パッド領域(PA)は、第1基板111の一側の端部に配置することができる。パッド領域(PA)は、複数のパッドを含み、複数のパッドは、異方性導電フィルム(antisotropic conducting film)を用いて、軟性フィルム150の配線と電気的に接続することができる。
ダム120は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)との間に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292がパッド領域(PA)を侵犯しないように、有機膜292の流れを遮断する。
導電性検査ライン130は、パッド領域(PA)とダム120との間に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292がオーバーフローしたことを検出するために用いられる。
以下では、図7を参照して、本発明の実施例に係るダムと導電性検査ラインを詳細に説明する。
図7は、図5のダムと導電性検査ラインの一例を示した断面図である。
図7に示された表示装置は、第1基板111上に形成された封止膜290、ダム120と導電性検査ライン130を含む。ここで、第1基板111は、画素(P)が形成された表示領域(DA)と、複数のパッド340が形成されたパッド領域(PA)を含む。
封止膜290は、図6に示したように、表示領域(DA)に形成された有機発光素子280を覆うように形成して有機発光素子280に酸素または水分が浸透することを防止する。ここで、封止膜290は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含んでいる。例えば、封止膜290は、第1無機膜291、有機膜292、及び第2無機膜293を含むことができる。この場合、第1無機膜291は、第1電極283を覆うように形成される。有機膜292は、第1無機膜291を覆うように形成され、第2無機膜293は、有機膜292を覆うように形成される。
第1および第2無機膜の291、293のそれぞれは、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。
有機膜292は、有機発光層282で発光した光を通過させるために透明に形成することができる。有機膜292は、有機発光層282で発光した光を99%以上通過させることができる有機物質、例えば、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)またはポリイミド樹脂(polyimide resin)で形成することができる。
ダム120は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)との間に配置して封止膜290を構成する有機膜292がパッド領域(PA)を侵犯しないように、有機膜292の流れを遮断する。ダム120は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)の間にのみに形成するか、図5に示したように、表示領域(DA)の外郭を囲むように形成することができる。これにより、ダム120は、有機膜292がパッド領域(PA)を侵犯したり、表示装置の外部に露出することを防止することができる。
図7は、1つのダム120を示しているが、これに限定されない。他の実施例において、ダム120は、図8に示したように、第1ダム121及び第1ダム121と離隔して第1ダム121とパッド領域(PA)の間に配置された第2ダム122を含むことができる。
これらのダム120は、画素(P)の平坦化膜260またはバンク284と同時に形成することができ、平坦化膜260またはバンク284と同じ物質からなり得る。このような場合、ダム120は、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)、ポリイミド樹脂(polyimide resin)などの有機物質で形成することができる。
導電性検査ライン130は、ダム120とパッド領域(PA)との間に配置され、第1基板111上に配置された他の導電性ラインまたは電極と電気的に接続されない。ここで、他の導電性ラインは、第1基板111上に形成されたゲートラインおよびデータラインを含み、電極は、第1基板111上に形成されたソース電極、ドレイン電極、アノード電極およびカソード電極を含むが、これに限定されない。
このような導電性検査ライン130は、有機膜292が形成され、第2無機膜293が形成される前に、有機膜292のオーバーフローを検出するために用いられる。有機膜292を形成した後、外部の測定装置(未図示)は、プローブを用いて、導電性検査ライン130の二つの地点に電気信号を印加して、2地点間の電流または抵抗を測定することができる。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下である場合、有機膜292がダム120の外側まで溢れ出て導電性検査ライン130上に形成されたものなので不良と判断することができる。このように、本発明は、導電性検査ライン130の二つの地点の電流または抵抗を測定し、測定された電流または抵抗をもとに、有機膜292のオーバーフローを判断している。有機膜292のオーバーフローの正確な判断のためには、第1無機膜291が導電性検査ライン130を覆っていないことが好ましい。第1無機膜291が導電性検査ライン130を覆うように形成されるようになると、導電性検査ライン130の2地点間の電流または抵抗は、常にしきい値以下で測定されるからである。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えた場合、良品と判断することができる。導電性検査ライン130を用いた不良検査方法の具体的な説明は、図14と一緒に後述する。
導電性検査ライン130は、ダム120とパッド領域(PA)の間のみに形成するか、図5に示したように、表示領域(DA)の外郭を囲むように形成することができる。
導電性検査ライン130は、画素(P)の第1電極283または第2電極281と同時に形成することができ、第1電極283または第2電極281と同じ物質からなることができる。このような場合、導電性検査ライン130は、ITO、IZOのような透明な金属物質(TCO、Transparent Conductive Material)、またはマグネシウム(Mg)、銀(Ag)、またはマグネシウム(Mg)と銀(Ag)の合金のような半透過金属物質(Semi-transmissive Conductive Material)で形成することができる。本発明は、導電性検査ライン130を第1電極283または第2電極281と同時に形成することにより、別の製造工程を追加することなく、導電性検査ライン130を形成することができる。
一方、導電性検査ライン130は、第1電極283または第2電極281と同時に形成されないこともある。このような場合、導電性検査ライン130は、非表示領域(NDA)に形成されるので、第1電極283または第2電極281のように光を透過する金属物質で形成する必要はなく、電気が流れる導電性物質であれば材料は限定されない。
本願発明は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)の間にダム120を形成することにより、流動性を有する有機膜292がパッド領域(PA)を侵すことを防止することができる。また、本願発明は、ダム120とパッド領域(PA)の間に導電性検査ライン130を形成することにより、導電性検査ライン130を用いて有機膜292のオーバーフローを検出することができる。これにより、本発明は、有機膜292が第2無機膜291によって完全に覆われていないで露出することによる有機発光素子280の劣化を防止することができ、正確な不良検出を通じて製品の信頼性を向上させることができる。
一方、本願発明は、第1無機膜291が導電性検査ライン130を覆わないように形成することにより、有機膜292のオーバーフローを正確に検出することができる。また、本願発明は、第2無機膜293がダム120と導電性検査ライン130を覆うように形成することにより、有機膜292に水分、酸素などが浸透することを防止することができる。
図9は、図4の第1基板の他の例を示した平面図である。
図9を参照すると、第1基板111は、表示領域(DA)と非表示領域(NDA)に区分され、非表示領域(NDA)には、パッドが形成されるパッド領域(PA)、ダム120および導電性検査ライン130が形成され得る。ここで、図9に示された導電性検査ライン130は、複数個で構成され、図5に示した第1基板と差異がある。
ダム120は、表示領域(DA)の4つの側面を囲むように配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292の流れを遮断する。これにより、ダム120は、有機膜292がパッド領域(PA)を侵すことを防止すると同時に、表示装置の外部に露出することを防止する。
導電性検査ライン130は、表示領域(DA)の4つの側面のそれぞれに配置された第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134を含む。ここで、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134は、互いに離隔して電気的に接続しない。
第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134のそれぞれは、ダム120の外側に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292がダム120外側にオーバーフローしたことを検出するために用いられる。
図10は、図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。
図10を参照すると、第1基板111は、表示領域(DA)と非表示領域(NDA)に区分され、非表示領域(NDA)には、パッドが形成されるパッド領域(PA)、ダム120および導電性検査ライン130が形成され得る。ここで、図10に示された第1基板111は、ダム120が複数個で構成され、導電性検査ライン130が、複数のダムの間に配置されるという点で、図5に示された第1基板と差異がある。
ダム120は、第1ダム121及び第1ダム121とパッド領域(PA)との間に配置された第2ダム122を含む。第1および第2ダム121、122は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)の間のみに配置するか、表示領域(DA)の外郭を取り囲むように配置して画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292の流れを遮断する。これにより、第1および第2ダム121、122は、有機膜292がパッド領域(PA)を侵犯したり、表示装置の外部に露出することを防止することができる。
導電性検査ライン130は、第1ダム121及び第2ダム122との間に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292がオーバーフローしたことを検出するために用いられる。
図11は、図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。
図11を参照すると、第1基板111は、表示領域(DA)と非表示領域(NDA)に区分され、非表示領域(NDA)には、パッドが形成されるパッド領域(PA)、ダム120および導電性検査ライン130が形成され得る。ここで、図11に示された第1基板111は、ダム120が複数個で構成され、導電性検査ライン130が複数個で構成されて複数のダムの間に配置されるという点で、図5に示された第1基板と差異がある。
ダム120は、第1ダム121及び第1ダム121とパッド領域(PA)との間に配置された第2ダム122を含む。第1および第2ダム121、122は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)の間のみに配置するか、表示領域(DA)の4つの側面を囲むように配置して画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292の流れを遮断する。これにより、第1および第2ダム121、122は、有機膜292がパッド領域(PA)を侵犯したり、表示装置の外部に露出することを防止することができる。
導電性検査ライン130は、表示領域(DA)の4つの側面のそれぞれに配置された第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134を含む。ここで、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134は、互いに離隔して電気的に接続しない。
第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134のそれぞれは、第1ダム121及び第2ダム122との間に配置して画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292が、ダム120の外側にオーバーフローしたことを検出するために用いられる。
図12は、図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。
図12を参照すると、第1基板111は、表示領域(DA)と非表示領域(NDA)に区分され、非表示領域(NDA)には、パッドが形成されるパッド領域(PA)、ダム120および導電性検査ライン130が形成され得る。ここで、図12に示された第1基板111は、導電性検査ライン130が表示領域(DA)とダム120との間に配置されるという点で、図5に示された第1基板と差異がある。
ダム120は、表示領域(DA)とパッド領域(PA)との間に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292がパッド領域(PA)を侵犯しないように、有機膜292の流れを遮断する。
導電性検査ライン130は、表示領域(PA)とダム120との間に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292がダム120の内側面まで形成されないことを検出するために用いられる。
有機膜292は、異物(particles)が第1無機膜291を突破し、有機発光層282と第1電極283に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することが好ましい。しかし、有機膜292がダム120の内側面まで十分に形成されていない場合には、異物が第1無機膜291を突破し、有機発光層282および第1電極283に投入し得る。これを防止するために、表示領域(PA)とダム120との間に配置された導電性検査ライン130を用いて有機膜292がダム120の内側面まで十分に形成されているかどうかを確認することができる。
図13は、図4の第1基板のまた他の例を示した平面図である。
図13を参照すると、第1基板111は、表示領域(DA)と非表示領域(NDA)に区分され、非表示領域(NDA)には、パッドが形成されるパッド領域(PA)、ダム120および導電性検査ライン130が形成され得る。ここで、図13に示された第1基板111は、導電性検査ライン130が複数個で構成されて表示領域(DA)とダム120との間に配置されるという点で、図5に示された第1基板と差異がある。
ダム120は、表示領域(DA)の4つの側面を囲むように配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292の流れを遮断する。これにより、ダム120は、有機膜292がパッド領域(PA)を侵すことを防止すると同時に、表示装置の外部に露出することを防止する。
導電性検査ライン130は、表示領域(DA)の4つの側面のそれぞれに配置された第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134を含む。ここで、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134は、互いに離隔して電気的に接続しない。
第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134のそれぞれは、ダム120の内側に配置されて画素(P)の封止膜290を構成する有機膜292が、ダム120の外側にオーバーフローしたことを検出するために用いられる。
図14a〜図14gは、本発明の一実施例に係る表示装置の検査方法を説明するための断面図である。
まず、図14aに示したように、薄膜トランジスタ210およびコンデンサ220を形成する。
詳細には、第1基板111上には、アクティブ層211を形成する。アクティブ層211は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成することができる。
そして、アクティブ層211上にゲート絶縁膜230を形成する。ゲート絶縁膜230は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
そして、ゲート絶縁膜230上には、ゲート電極212とコンデンサ220の下部電極221を形成する。ゲート電極212と下部電極221は、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、銅(Cu)のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
そして、ゲート電極212と下部電極221上には、層間絶縁膜240を形成する。層間絶縁膜240は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
そして、ゲート絶縁膜230と層間絶縁膜240を貫通して、アクティブ層212を露出させるコンタクトホール(CH1、CH2)を形成する。
そして、層間絶縁膜240上には、ソース電極213、ドレイン電極214およびコンデンサ220の上部電極222を形成する。ソース電極213、ドレイン電極214および上部電極222のそれぞれは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、銅(Cu)のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
そして、薄膜トランジスタ210とコンデンサ220上には、保護膜250を形成する。保護膜250は、絶縁膜としての役割をすることができる。保護膜250は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
次に、図14bに示したように平坦化膜260およびダム120を形成する。
より詳細には、保護膜250上には、平坦化膜260およびダム120を形成する。平坦化膜260およびダム120のそれぞれは、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)、ポリイミド樹脂(polyimide resin)などの有機膜で形成することができる。
そして、保護膜250と平坦化膜260を貫通して薄膜トランジスタ210のソースまたはドレイン電極224を露出させるコンタクトホール(CH3)を形成する。
図14bは、ダム120が平坦化膜260と同時に形成されることを示しているが、他の実施例において、ダム120は、保護膜250またはそれ以降に形成されるバンク284と同時に形成することもできる。
次に、図14cに示したように、第2電極281および導電性検査ライン130を形成する。第2電極281および導電性検査ライン130のそれぞれは、アルミニウムとチタンの積層構造(Ti/Al/Ti)、アルミニウムとITOの積層構造(ITO/Al/ITO)、APC合金、およびAPC合金とITOの積層構造(ITO/APC/ITO)のような反射率の高い金属物質で形成することができる。APC合金は、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、および銅(Cu)の合金である。
図14cは、導電性検査ライン130が第2電極281と同時に形成されることを示しているが、他の実施例において、導電性検査ライン130は、以後に形成される第1電極283と同時に形成することもできる。
次に、図14dに示したようにバンク284、有機発光層282および第1電極283を形成する。
より詳細には、発光部(EA)を区画するために平坦化膜260上で第2電極281の端部を覆うようにバンク284を形成する。バンク284は、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)、ポリイミド樹脂(polyimide resin)などの有機膜で形成することができる。
そして、第2電極281とバンク284上に、有機発光層282を形成する。
そして、有機発光層282上に、第1電極283を形成する。第1電極283は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質(TCO,Transparent Conductive Material)、またはマグネシウム(Mg)、銀(Ag)、またはマグネシウム(Mg)と銀(Ag)の合金のような半透過金属物質(Semi-transmissive Conductive Material)で形成することができる。第1電極283上には、キャッピング層(capping layer)が形成され得る。
次に、図14eに示したように、表示領域を覆うと同時にダム120を覆わないように、第1無機膜291を形成する。第1無機膜291は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。
次に、図14fに示したように、第1無機膜291を覆うと同時にダム120を覆わないように有機膜292を形成する。有機膜292は、有機発光層282で発光した光を99%以上通過させることができる有機物質、例えば、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)またはポリイミド樹脂(polyimide resin)で形成することができる。
そして、導電性検査ライン130の少なくとも二つの地点の電流または抵抗を測定して不良を検出する。
より詳細には、外部の測定装置180は、複数のプローブを用いて、導電性検査ライン130の第1地点(A)及び第2地点(B)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下の場合、導電性検査ライン130に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えた場合、その表示装置を良品と判定する。
以下では、図15及び図16をまとめて、導電性検査ライン130を用いて、不良かどうかを検査する方法について詳細に説明する。
図15は、導電性検査ラインを用いて、不良かどうかを検査する方法の一例を説明するための図である。
導電性検査ライン130が表示領域(DA)の外郭を取り囲むように形成された場合、外部の測定装置180は、第1プローブを導電性検査ライン130の第1地点(A)に固定して、第2プローブを導電性検査ライン130に沿って所定間隔で移動しながら不良かどうかを検査することができる。
より詳細には、外部の測定装置180は、第1プローブを導電性検査ライン130の第1地点(A)に配置して、第2プローブを第1地点(A)から所定の間隔を有する第2地点(B1)に配置する。そして、外部の測定装置180は、導電性検査ライン130の第1地点(A)及び第2地点(B1)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B1)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下の場合、導電性検査ライン130に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えている場合は、外部の測定装置180は、第2プローブを所定の間隔で移動させて第2地点(B2)に配置する。そして、外部の測定装置180は、導電性検査ライン130の第1地点(A)及び第2地点(B2)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B2)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下の場合、導電性検査ライン130に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。たとえて説明すると、図15に示したように導電性検査ライン130の第2地点(B2)に有機膜292が形成されている場合には、第1地点(A)及び第2地点(B2)との間の電流または抵抗がゼロに近い値が測定され得る。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えている場合は、外部の測定装置180は、第2プローブを所定の間隔で移動させて第3地点(B3)に配置する。
外部の測定装置180は、第2プローブが導電性検査ライン130に沿って移動して、第1地点(A)に位置するようになったら、テストを終了し、その表示装置を良品と判定する。
本発明は、導電性検査ライン130の第1地点(A)は、固定したまま、導電性検査ライン130の第2地点(B)のみを導電性検査ライン130に沿って所定間隔で移動しながら不良かどうかを検査することにより、不良検査をより正確に行うことができる。
図16は、導電性検査ラインの電流または抵抗を測定する方法のまた他の例を説明するための図である。
導電性検査ライン130は、表示領域(DA)の4つの側面のそれぞれに配置された第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134を含む場合、外部の測定装置180は、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134を同時に検査することができる。図16は、外部の測定装置180が、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134のそれぞれに対応して、第1〜第4の測定装置181、182、183、184を含む例を示しているが、これに限定されない。他の実施例において、測定装置180は、物理的に一つの装置として実装することもできる。
第1測定装置181は、第1プローブを第1導電性検査ライン131の第1地点(A)に固定して、第2プローブを第1導電性検査ライン131の長さに沿って所定の間隔で移動しながら不良かどうかを検査することができる。
より詳細には、第1測定装置181は、第1プローブを第1導電性検査ライン131の第1地点(A)に配置して、第2プローブを第1地点(A)から所定の間隔を有する第2地点(B1)に配置する。そして、第1測定装置181は、第1導電性検査ライン131の第1地点(A)及び第2地点(B1)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B1)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下である場合、第1導電性検査ライン131に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えた場合、第1測定装置181は、第2プローブを所定の間隔で移動させて第2地点(B2)に配置する。第1測定装置181は、第2プローブが第1導電性検査ライン131の長さを超えて移動したら、テストを終了する。
第2測定装置182は、第1プローブを第2導電性検査ライン132の第1地点(A)に固定して、第2プローブを第2導電性検査ライン132の長さに沿って所定の間隔で移動しながら不良かどうかを検査することができる。
より詳細には、第2測定装置182は、第1プローブを第2導電性検査ライン132の第1地点(A)に配置して、第2プローブを第1地点(A)から所定の間隔を有する第2地点(B1)に配置する。そして、第2測定装置182は、第2導電性検査ライン132の第1地点(A)及び第2地点(B1)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B1)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下の場合、第2導電性検査ライン132に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えた場合、第2測定装置182は、第2プローブを所定の間隔で移動させて第2地点(B2)に配置する。第2測定装置182は、第2プローブが第2導電性検査ライン132の長さを超えて移動したら、テストを終了する。
第3の測定装置183は、第1プローブを第3導電性検査ライン133の第1地点(A)に固定して、第2プローブを第3導電性検査ライン133の長さに沿って所定の間隔で移動しながら不良かどうかを検査することができる。
より詳細には、第3の測定装置183は、第1プローブを第3導電性検査ライン133の第1地点(A)に配置して、第2プローブを第1地点(A)から所定の間隔を有する第2地点(B1)に配置する。そして、第3の測定装置183は、第3導電性検査ライン133の第1地点(A)及び第2地点(B1)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B1)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下の場合、第3導電性検査ライン133に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えた場合、第3の測定装置183は、第2プローブを所定の間隔で移動させて第2地点(B2)に配置する。第3の測定装置183は、第2プローブが第3導電性検査ライン133の長さを超えて移動したら、テストを終了する。
第4の測定装置184は、第1プローブを第4導電性検査ライン134の第1地点(A)に固定して、第2プローブを第1導電性検査ライン134の長さに沿って所定の間隔で移動しながら不良かどうかを検査することができる。
より詳細には、第4の測定装置184は、第1プローブを第4導電性検査ライン134の第1地点(A)に配置して、第2プローブを第1地点(A)から所定の間隔を有する第2地点(B1)に配置する。そして、第4の測定装置184は、第4導電性検査ライン134の第1地点(A)及び第2地点(B1)に電気的信号を印加して、第1地点(A)及び第2地点(B1)との間の電流または抵抗を測定する。
ここで、測定された電流または抵抗がしきい値以下の場合、第4導電性検査ライン134に有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。
一方、測定された電流または抵抗がしきい値を超えた場合、第4の測定装置184は、第2プローブを所定の間隔で移動させて第2地点(B2)に配置する。第4の測定装置184は、第2プローブが第1導電性検査ライン131の長さを超えて移動したら、テストを終了する。
第1〜第4の測定装置181、182、183、184のうち少なくとも一つによって測定された電流または抵抗がしきい値以下である場合、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134のうち少なくとも一つの有機膜292が形成されたものなので、その表示装置を不良と判定する。
一方、第1〜第4の測定装置181、182、183、184による測定された電流または抵抗のすべてがしきい値を超えた場合、その表示装置を良品と判定する。
図16に示された検査方法は、第1〜第4導電性検査ライン131、132、133、134を同時に検査することができるので、図15に示された検査方法よりも検査時間を短縮することができる。
一方、導電性検査ライン130に有機膜292が形成されていないため、良品と判定されると、図14gに示したように、有機膜292、ダム120および導電性検査ライン130を覆うように、第2無機膜292を形成する。第2無機膜292は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をより詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明の開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、これらの実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈され、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
100:表示装置
110:表示パネル
111:下部基板
112:上部基板
120:ダム
130:導電性検査ライン
140:ソースドライブIC
150:軟性フィルム
160:回路基板
170:タイミング制御部
210:薄膜トランジスタ
211:アクティブ層
212:ゲート電極
213:ソース電極
214:ドレイン電極
220:コンデンサ
221:下部電極
222:上部電極
230:ゲート絶縁膜
240:層間絶縁膜
250:保護膜
260:平坦化膜
280:有機発光素子
281:第1電極
282:有機発光層
283:第2電極
284:バンク
290:封止膜
291:第1無機膜
292:有機膜
293:第2無機膜

Claims (12)

  1. 画素が配置された表示領域、及び前記表示領域の外郭に形成された複数のパッドを含むパッド領域を含む基板;
    前記表示領域を覆い少なくとも一つの無機膜と有機膜を含む封止膜;
    前記表示領域と前記パッド領域との間に配置されたダム;および
    前記ダムと前記パッド領域との間に配置され、前記基板上に配置された他の導電性ラインまたは電極と電気的に接続されない導電性検査ラインを具備する表示装置。
  2. 前記封止膜は、
    前記表示領域を覆う第1無機膜;
    前記第1無機膜を覆う有機膜;および
    前記有機膜を覆う第2無機膜を含み、
    前記第1無機膜は、前記導電性検査ラインを覆わないことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第2無機膜は、前記ダムおよび前記導電性検査ラインを覆うことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記ダムと前記導電性検査ラインは、前記表示領域を囲むように配置されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記ダムは、前記表示領域の4つの側面を囲むように配置され、
    前記導電性検査ラインは、前記表示領域の4つの側面のそれぞれに配置される第1〜第4導電性検査ラインを含み、
    前記第1〜第4導電性検査ラインは、互いに離隔して配置されて電気的に接続しないことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  6. 前記ダムは、
    第1ダム;および
    前記第1ダムと前記パッド領域との間に配置された第2ダムを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  7. 前記導電性検査ラインは、前記第1及び第2ダムの間に配置されることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
  8. 前記導電性検査ラインは、前記ダムと前記表示領域との間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  9. 前記画素のそれぞれは、アノード電極とカソード電極を含む有機発光素子を備え、
    前記導電性検査ラインは、前記アノード電極又は前記カソード電極と同一の物質であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  10. 基板上の表示領域に画素を形成し、パッド領域に複数のパッドを形成し、前記表示領域と前記パッド領域との間にダムを形成し、前記ダムと前記パッド領域との間に導電性検査ラインを形成する工程;
    前記表示領域を覆う第1無機膜を形成する工程;
    前記第1無機膜を覆う有機膜を形成する工程;
    前記導電性検査ラインの少なくとも二つの地点に電気信号を印加して、前記2地点間の電流または抵抗を測定する工程;および
    前記2地点間の電流または抵抗がしきい値以下である場合、不良と判断する工程を含む表示装置の検査方法。
  11. 前記2地点間の電流または抵抗がしきい値を超えた場合、前記有機膜を覆う第2無機膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の表示装置の検査方法。
  12. 前記測定する工程は、
    前記導電性検査ライン上に固定された第1地点、及び前記導電性検査ラインに沿って所定の間隔で移動する第2地点間の電流または抵抗を測定することを特徴とする請求項10に記載の表示装置の検査方法。
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