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JP2018032655A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】フリップチップ型の発光素子の電極を十分に保護するようにアンダーフィルとなる樹脂を充填できる構造、又はフェイスアップ型の発光素子の近傍に配線が露出せず、かつ発光素子上に乗り上げないようにレジストを塗布することのできる構造を有する発光装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様として、凸部13を有する配線12が基板11の表面に設けられた配線基板10と、凸部13上に実装された発光素子20と、を有し、フリップチップ型の発光素子1の素子電極23が凸部13に接続され、発光素子20の外周側の素子電極23の縁が上面視にて凸部13の外側に位置し、発光素子20の外周近傍の素子電極23の露出部分が白色又は透明な樹脂31に覆われた、発光装置1を提供する。【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
従来、回路基板等の電極に金属バンプを介して接続された発光素子を有する光モジュールが知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、リードフレームの凸部にフリップチップ型のLEDダイが接続された発光装置が知られている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2の発光装置においては、LEDダイの半導体層とリードフレームとの上面との間に一定レベルの間隙が確保されるため、マイグレーションの発生が抑圧される。
また、基体表面の接続端子の凸部にフリップチップ型の発光素子が半田を介して接続されており、発光素子の側面が光反射性部材に覆われている発光装置が知られている(例えば、特許文献3参照)。特許文献3の発光装置においては、発光素子の実装時において、溶融状態の半田が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡や、意図しない領域への半田の浸入を防止することができる。
また、モジュール基板上に2種類のフリップチップ型のパッケージLEDが実装され、それら2つのパッケージLEDの間に白色反射部材が充填されたLEDモジュールが知られている(例えば、特許文献4参照)。
また、リード電極が埋め込まれた樹脂成形体と、その樹脂成形体の開口部の底面に露出したリード電極の凸部に接続されたフリップチップ型の発光素子とを有する発光装置が知られている(例えば、特許文献5参照)。
また、表面に反射材層を備えるフレキシブルプリント配線板と、そのフレキシブルプリント配線板の開口部内に搭載されるLED発光素子とを有する照明装置が知られている(例えば、特許文献6参照)。
また、蛍光体を含むレンズ材料をLEDチップ上に成型した後、基板上に実装するLEDパッケージの製造方法が知られている(例えば、特許文献7参照)。
特許第4366934号公報 特開2014−22491号公報 特開2015−38963号公報 特開2014−225600号公報 特開2009−141030号公報 特開2014−3260号公報 特開2015−507371号公報
基板上に発光素子が実装された発光装置において、基板とフリップチップ型の発光素子との隙間にアンダーフィルを充填する場合、基板とフリップチップ型の発光素子との隙間が小さいためにアンダーフィルが十分に充填されず、発光素子の電極の保護が不十分になるおそれがある。
また、基板の表面を覆うレジストを塗布する場合、発光素子の近傍のレジストとしての白色樹脂が塗布されていない領域に配線が露出するおそれがある。配線は白色樹脂よりも反射率が低いため、発光装置の光束の低下を招く。
本発明の目的は、フリップチップ型の発光素子の電極を十分に保護するようにアンダーフィルとなる樹脂を充填できる構造、又はフェイスアップ型の発光素子の近傍に配線が露出せず、かつ発光素子上に乗り上げないようにレジストを塗布することのできる構造を有する発光装置、及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記[1]〜[4]の発光装置、及び[5]〜[8]の発光装置の製造方法を提供する。
[1]凸部を有する配線が基板の表面に設けられた配線基板と、前記凸部上に実装された発光素子と、を有し、前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の素子電極が前記凸部に接続され、前記発光素子の外周側の前記素子電極の縁が上面視にて前記凸部の外側に位置し、前記発光素子の外周近傍の前記素子電極の露出部分が白色又は透明な樹脂に覆われ、前記発光素子がフェイスアップ型である場合に、前記発光素子の素子基板が前記凸部に接着され、前記凸部が上面視にて前記素子基板の内側に位置し、前記素子基板の底面の露出部分が白色の樹脂に覆われた、発光装置。
[2]前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の上面及び側面が蛍光体層に覆われた、上記[1]に記載の発光装置。
[3]前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記配線が、前記凸部とともに溝の側壁を構成する他の凸部を有する、上記[1]又は[2]に記載の発光装置。
[4]前記他の凸部が、前記配線の前記凸部が設けられていない縁に沿って設けられた、上記[3]に記載の発光装置。
[5]配線基板の表面の配線に凸部を形成する工程と、前記凸部上に発光素子を実装する工程と、を含み、前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の外周側の前記発光素子の素子電極の縁が上面視にて前記凸部の外側に位置するように、前記素子電極を前記凸部に接続し、前記発光素子の外周近傍の前記素子電極の露出部分を白色又は透明な樹脂で覆い、前記発光素子がフェイスアップ型である場合に、前記凸部が上面視にて前記発光素子の素子基板の内側に位置するように、前記素子基板を前記凸部に接着し、前記素子基板の底面の露出部分を白色の樹脂で覆う、発光装置の製造方法。
[6]前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の上面及び側面が蛍光体層に覆われた、上記[5]に記載の発光装置の製造方法。
[7]前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記配線に、前記凸部とともに溝の側壁を構成する他の凸部を形成する、上記[5]又は[6]に記載の発光装置の製造方法。
[8]前記他の凸部を、前記配線の前記凸部が設けられない縁に沿って設ける、上記[7]に記載の発光装置の製造方法。
本発明によれば、フリップチップ型の発光素子の電極を十分に保護するようにアンダーフィルとなる樹脂を充填できる構造、又はフェイスアップ型の発光素子の近傍に配線が露出せず、かつ発光素子上に乗り上げないようにレジストを塗布することのできる構造を有する発光装置、及びその製造方法を提供することができる。
図1(a)は、第1の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。図1(b)は、第1の実施の形態に係る発光装置の上面図である。 図2(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。 図3(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。 図4(a)は、第2の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。図4(b)は、第2の実施の形態に係る発光装置の上面図である。 図5(a)〜(d)は、第2の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。 図6(a)、(b)は、第2の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。
〔第1の実施の形態〕
(発光装置の構成)
図1(a)は、第1の実施の形態に係る発光装置1の垂直断面図である。
発光装置1は、凸部13を有する配線12が基板11の表面に設けられた配線基板10と、配線12の凸部13上に実装されたフリップチップ型の発光素子20と、配線基板10と発光素子20との隙間に充填されたアンダーフィルとしての樹脂31とを有する。樹脂31上には、発光素子20の側面を覆う封止材32が形成されてもよい。
図1(b)は、第1の実施の形態に係る発光装置1の上面図である。ここで、図1(a)の断面は、図1(b)の切断線A−Aにおける断面に相当する。図1(b)は、発光素子20、樹脂31、及び封止材32を設置する前の状態を示している。また、図1(b)には、設置される発光素子20の素子電極23の輪郭の位置が点線で示されている。
発光素子20は、例えば、素子基板21と、発光層及びそれを挟むクラッド層を含む結晶層22と、結晶層22に接続された素子電極23を有するフリップチップ型のLEDチップである。発光素子20は、配線基板10側に結晶層22を向けた状態で実装され、素子電極23はバンプや導電ペースト等の図示しない接続用導電部材を介して配線12の凸部13に接続される。なお、発光素子20は、レーザーダイオード等のLEDチップ以外の発光素子であってもよい。
基板11は、例えば、Al基板、AlN基板等のセラミック基板、又はガラスエポキシ基板であり、配線12は、銅等の導電材料からなる。
上述のように、配線12は、発光素子20の素子電極23を接続するための凸部13を有する。凸部13上に発光素子20を実装することにより、配線12の凸部13以外の部分と発光素子20の段差が大きくなる。また、凸部13が上面視にて発光素子20の内側に位置するため、発光素子20の外周側に配線12との隙間が生じる。
これによって、樹脂31が発光素子20上に乗り上げることを防ぎつつ、発光素子20と配線基板10との隙間に樹脂31を充填しやすくなる。
また、図1(a)、(b)に示されるように、発光素子20の外周側の素子電極24の縁が、上面視にて凸部13の外側に位置している。すなわち、発光素子20の外周側の素子電極24の端部が、凸部13上から発光素子20の外側に向かって突き出ている。このため、発光素子20の外周近傍の素子電極24の露出部分を樹脂31で容易に覆うことができる。この場合、発光素子20の外周側に露出した素子電極24の下面の一部と側面が樹脂31に覆われることが特徴である。また、通常、凸部13の側面も樹脂31に覆われる。
樹脂31で素子電極24の露出部分を覆うことにより、空気に触れることによる損傷(腐食損傷等)を防ぐことができる。また、樹脂31は、配線基板10と発光素子20の接合強度を向上させることもできる。
樹脂31は、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂からなる。樹脂31は、白色のフィラーを含む白色樹脂であってもよい。この場合、樹脂31は反射材として機能し、発光素子20の光取出効率を向上させることができる。一方、樹脂31がフィラーを含まない透明樹脂である場合は、より狭い隙間に流入させることができるため、配線基板10と発光素子20の隙間が狭い場合に充填させやすい。
また、発光素子20の素子電極23と配線12の凸部13の接続にAuバンプを用いた場合、Auバンプは他の接続用導電部材と比較して厚く形成される性質を有するため、発光素子20と配線12との隙間が大きくなり、配線基板10と発光素子20との隙間への樹脂31の充填がより容易になる。
配線12は、図1(a)、(b)に示されるように、凸部13とともに溝の側壁を構成する他の凸部14を有してもよい。凸部14を設けることによって、樹脂31が凸部13と凸部14を側壁とする配線12の溝内に流入し、配線基板10と発光素子20との隙間への樹脂31の充填が容易になる。
図1(a)、(b)に示される例では、基板11をその厚さ方向に貫通するビア15が配線12に接続され、配線12の凸部13が設けられていない縁に沿って凸部14が設けられている。
また、図1(a)に示されるように、発光素子20の上面及び側面が蛍光体層24に覆われていてもよい。この場合、蛍光体層24と配線12との間にも隙間ができ、樹脂31の配線基板10と発光素子20との隙間への充填が難しくなるため、本実施の形態の樹脂31の充填を容易にする効果がより重要になる。
蛍光体層24は、例えば、蛍光体粒子が分散した樹脂等の透明部材からなる。蛍光体板21に含まれる蛍光体の蛍光色は特に限定されない。発光素子20は、蛍光体板21に含まれる蛍光体の励起光源として機能し、発光素子20の発光色と蛍光体層24の発光色の混色が発光装置1の発光色になる。例えば、発光素子20の発光色が青色であり、蛍光体層24の発光色が黄色である場合、発光装置1の発光色は白色になる。
封止樹脂32は、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂からなる。封止樹脂32は、白色のフィラーを含む白色樹脂であってもよい。この場合、封止樹脂32は反射材として機能する。封止樹脂32が透明樹脂である場合は、光取出効率を向上させるため、蛍光体層24よりも屈折率が低いことが好ましい。また、封止樹脂32が透明樹脂である場合、蛍光体を含んでもよい。
隣接する配線12同士の細い隙間、特に発光素子20下の隙間に、樹脂31や封止樹脂32を埋め込むことが困難である場合には、発光素子の実装前にこれらの隙間に樹脂30を埋め込んでおいてもよい。樹脂31や封止樹脂32を構成する樹脂と同じものを樹脂30として用いることができる。
(発光装置の製造方法)
以下に、発光装置1の製造方法の一例について述べる。
図2(a)〜(d)、及び図3(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る発光装置1の製造工程を示す垂直断面図である。
まず、図2(a)に示されるように、基板11を用意する。
次に、図2(b)に示されるように、エッチング等により基板11にビアホール16を形成する。
次に、図2(c)に示されるように、基板11の表面にCu膜等の金属膜17を貼り付ける。
次に、図2(d)に示されるように、Cuめっき等によりビアホール16内にビア15を形成する。
次に、図3(a)に示されるように、エッチング等により金属膜17を加工して配線12を形成する。このとき、配線12の凸部13及び凸部14が形成される。
次に、図3(b)に示されるように、ポッティング等により、隣接する配線12同士の隙間に樹脂30を埋め込む。
次に、図3(c)に示されるように、配線12の凸部13上に発光素子20を実装する。
次に、図3(d)に示されるように、ポッティング等により、アンダーフィルとしての樹脂31を配線基板10と発光素子20の隙間に充填させる。
その後、ポッティング等により、樹脂31上に封止樹脂32を形成して、発光装置1を得る。
(第1の実施の形態の効果)
第1の実施の形態によれば、フリップチップ型の発光素子の素子電極を十分に保護するようにアンダーフィルとなる樹脂を充填することができる。これにより、素子電極が外気に曝されることによる腐食損傷等を抑え、発光装置の信頼性の低下を抑えることができる。
〔第2の実施の形態〕
(発光装置の構成)
図4(a)は、第2の実施の形態に係る発光装置2の垂直断面図である。
発光装置2は、凸部42を有する配線41が基板11の表面に設けられた配線基板40と、配線41の凸部42上に実装されたフェイスアップ型の発光素子50と、配線基板40の表面を覆う白色レジストとしての樹脂33とを有する。
図4(b)は、第2の実施の形態に係る発光装置2の上面図である。ここで、図4(a)の断面は、図4(b)の切断線B−Bにおける断面に相当する。図4(b)は、発光素子50、樹脂33、及び電極43を設置する前の状態を示している。また、図4(b)には、設置される発光素子50の素子基板51の輪郭の位置が点線で示されている。
発光素子50は、例えば、素子基板51と、発光層及びそれを挟むクラッド層を含む結晶層52とを有するフェイスアップ型のLEDチップである。発光素子20は、配線基板40側に素子基板51を向けた状態で実装され、結晶層52に設けられた図示しない電極がボンディングワイヤー53を介して樹脂33上の電極43に接続される。なお、発光素子50は、レーザーダイオード等のLEDチップ以外の発光素子であってもよい。
上述のように、配線41は、発光素子50の素子基板51を接着するための凸部42を有する。配線41は、例えば、放熱用配線である。凸部42上に発光素子50を実装することにより、配線41の凸部42以外の部分と発光素子50の段差が大きくなる。また、凸部42が上面視にて素子基板51の内側に位置するため、発光素子50の外周側に素子基板51と配線41との隙間が生じる。
これによって、樹脂33が発光素子50上に乗り上げることを防ぎつつ、発光素子50と配線基板40との隙間に樹脂33を塗布しやすくなる。そのため、上面視にて発光素子50との間に配線41が露出しないように、樹脂33を配線基板40上に塗布することができる。この場合、発光素子50の外周側の素子基板51の底面の露出部分が樹脂33に覆われることが特徴である。また、通常、凸部42の側面も樹脂33に覆われる。
配線41は白色のレジストである樹脂33よりも反射率が低いため、上面視にて発光素子50と樹脂33との間に配線41が露出していると、発光装置2の光束の低下を招く。このため、上面視にて発光素子50との間に配線41が露出しないように樹脂33を塗布することにより、発光装置2の光束の低下を抑えることができる。
樹脂33は、例えば、白色のフィラーを含むシリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂からなる。
発光素子50の素子基板51と配線41の凸部42は、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の接着剤により接着される。
発光素子50は、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂からなる透明な封止樹脂によって封止されてもよい。また、この封止樹脂は、蛍光体を含んでもよい。
(発光装置の製造方法)
以下に、発光装置2の製造方法の一例について述べる。
図5(a)〜(d)、及び図6(a)、(b)は、第2の実施の形態に係る発光装置2の製造工程を示す垂直断面図である。
まず、図5(a)に示されるように、基板11上にCu膜等の金属膜44を貼り付ける。金属膜44は、スパッタリングやCVD(chemical vapor deposition)により形成されてもよい。
次に、図5(b)に示されるように、エッチング等により金属膜44を加工して配線41を形成する。このとき、配線41の凸部42が形成される。
次に、図5(c)に示されるように、配線41の凸部42上に発光素子50を実装する。
次に、図5(d)に示されるように、ポッティング等により、レジストとしての樹脂33を配線基板40上に塗布する。
次に、図6(a)に示されるように、スパッタリング等により、樹脂33上に電極43を形成する。
次に、図6(b)に示されるように、発光素子50の電極と電極43とをボンディングワイヤー53により接続して、発光装置2を得る。
(第2の実施の形態の効果)
第2の実施の形態によれば、フェイスアップ型の発光素子の近傍に配線が露出せず、かつ発光素子上に乗り上げないようにレジストとなる樹脂を塗布することができる。これにより、発光装置の光束の低下を抑えることができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
1、2 発光装置
10、40 配線基板
11 基板
12、41 電極
13、14、42 凸部
20、50 発光素子
21、51 素子基板
22、52 結晶層
23 素子電極
24 蛍光体層
31、33 樹脂

Claims (8)

  1. 凸部を有する配線が基板の表面に設けられた配線基板と、
    前記凸部上に実装された発光素子と、
    を有し、
    前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の素子電極が前記凸部に接続され、前記発光素子の外周側の前記素子電極の縁が上面視にて前記凸部の外側に位置し、前記発光素子の外周近傍の前記素子電極の露出部分が白色又は透明な樹脂に覆われ、
    前記発光素子がフェイスアップ型である場合に、前記発光素子の素子基板が前記凸部に接着され、前記凸部が上面視にて前記素子基板の内側に位置し、前記素子基板の底面の露出部分が白色の樹脂に覆われた、
    発光装置。
  2. 前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の上面及び側面が蛍光体層に覆われた、
    請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記配線が、前記凸部とともに溝の側壁を構成する他の凸部を有する、
    請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記他の凸部が、前記配線の前記凸部が設けられていない縁に沿って設けられた、
    請求項3に記載の発光装置。
  5. 配線基板の表面の配線に凸部を形成する工程と、
    前記凸部上に発光素子を実装する工程と、
    を含み、
    前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の外周側の前記発光素子の素子電極の縁が上面視にて前記凸部の外側に位置するように、前記素子電極を前記凸部に接続し、前記発光素子の外周近傍の前記素子電極の露出部分を白色又は透明な樹脂で覆い、
    前記発光素子がフェイスアップ型である場合に、前記凸部が上面視にて前記発光素子の素子基板の内側に位置するように、前記素子基板を前記凸部に接着し、前記素子基板の底面の露出部分を白色の樹脂で覆う、
    発光装置の製造方法。
  6. 前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記発光素子の上面及び側面が蛍光体層に覆われた、
    請求項5に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記発光素子がフリップチップ型である場合に、前記配線に、前記凸部とともに溝の側壁を構成する他の凸部を形成する、
    請求項5又は6に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記他の凸部を、前記配線の前記凸部が設けられない縁に沿って設ける、
    請求項7に記載の発光装置の製造方法。
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