JP2001223391A

JP2001223391A - 発光ダイオードの形成方法

Info

Publication number: JP2001223391A
Application number: JP2000035644A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Tamemoto; 広昭為本
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 2000-02-08
Filing date: 2000-02-08
Publication date: 2001-08-17
Anticipated expiration: 2020-02-08
Also published as: JP4366810B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＬＥＤチップの電極とパッケージのリード電
極部分との接合部分をより安定させると共に発光ダイオ
ードとしてのさらなる薄型化を実現し、また量産効率を
大幅に向上させ、生産コストダウンも実現することが出
来るフリップチップ型発光ダイオードの形成方法を提供
することである。【解決手段】リード電極の一部分を押圧することによ
り他の一部分を隆起させて突起部を形成し、該突起部と
ＬＥＤチップの電極とを接続させる。またＬＥＤチップ
の電極とリード電極との接合部は、リード電極表面に施
された半田メッキ、あるいはクリーム半田、半田ボール
を溶融・凝固させることで、ＬＥＤチップを固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対のリード電極
を有するパッケージ上にＬＥＤチップが配置された発光
ダイオードの形成方法に係わり、特に、前記各リード電
極の一部分に突起部を形成する工程を有する発光ダイオ
ードの形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】発光ダイオードは、小型で効率が良く、
鮮やかな色の発光をする。また低消費電力であるほか、
半導体素子であるために球切れなどの心配がない。初期
駆動特性が優れ、振動やＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに
強いという特徴を有する。このような理由から、発光ダ
イオードは近年特に、様々な分野で種々の光源として利
用されている。なかでも、ＬＥＤチップが半導体成膜用
基板上に形成された活性層面側の面と、ＬＥＤチップを
配置させるパッケージとが対向するように取り付けられ
た構造（フリップチップ型）の発光ダイオードは、ＬＥ
Ｄチップの半導体成膜用基板上に形成された活性層面側
と反対の面が発光ダイオード上面を向いているためにチ
ップ内での熱が発光ダイオード上方へと放熱される効果
が高く、ゆえに高電力消費が可能なため、特に多く用い
られている。またＬＥＤチップの電極とパッケージのリ
ード電極とを直接接続するためチップを電気接続する際
に金線などを用いてワイヤーボンディングする必要がな
いという理由、さらにそのワイヤが無い分ＬＥＤチップ
とパッケージを合わせただけの厚みの発光ダイオードと
でき薄型化が図れるという理由などから、量産されやす
くまた広い分野で頻繁に利用されている。

【０００３】近年、上記のように高密度実装が可能なＬ
ＥＤ発光装置として、ＬＥＤチップとほぼ同等のサイズ
を有するパッケージ、いわゆるＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃ
ａｌｅＰａｃｋａｇｅ）が注目されている。その一例
を図５に示す。このＣＳＰとしては従来、次に詳述する
ようにフリップチップ接続方式（フェースダウンボンデ
ィング法）を用いて形成される方法がある。

【０００４】まず、ウェーハ状態のチップの金属パッド
にメッキまたは金ボール等（５６）を付着させて突起部
分（バンプ）を形成した後、ダイシングにより各チップ
として切り離す。またこのチップ５１が配置されるパッ
ケージ５３上にも、前記金属パッドと対応する位置に半
田バンプ５７を形成させる。

【０００５】次に上記パッケージを、フリップチップボ
ンダの台上に空気吸引することにより固定させ、同時に
上記チップの方も、半導体成膜用基板上に形成された活
性層面側と反対の面（チップの裏面）をフリップチップ
ボンダのホルダで空気吸引して保持する。そしてホルダ
側を台上にゆっくりと接近させてチップ側のバンプ５６
とパッケージ側のバンプ５７を対向させ、位置を合わせ
て密着・加圧し、両バンプの溶解温度に設定したリフロ
ー炉内に通して、実際に両バンプを接合させる。その後
冷却させ、チップとパッケージとの間に出来た隙間、す
なわち両バンプを合わせた高さだけの空間に、毛細管現
象を用いて樹脂５８を充填する。このようにしてチップ
とほぼ同等サイズのＣＳＰが形成される。さらにその
後、ＬＥＤチップを外部から保護する目的、チップから
の光を外部へと均等に取り出す等の目的で、透光性樹脂
５５を用いてＬＥＤチップ全体を封止する場合もある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな形成方法でできた発光ダイオードは、チップとパッ
ケージとの間に出来る隙間を樹脂で充填することで両者
のバンプの接合部に加わる応力を緩和できるものの、そ
の樹脂を毛細管現象等を利用して該隙間に注入するため
非常に多大な時間を要することとなり、量産性の向上を
妨げていた。それに前記隙間に樹脂を充填した後さらに
透光性樹脂を用いてＬＥＤチップ全体を封止する場合、
樹脂注入という作業工程が二段階におよび、量産過程に
おいては効率的ではなかった。

【０００７】特にＬＥＤチップ側のバンプに金メッキを
用いた場合、パッケージ側の半田バンプとの接合部分は
強度が低下しやすく、また濡れの状態も悪くなるため接
合が不安定となるので、少なくともその接合部分に樹脂
を注入して接合部分を保護し、安定させる必要性があっ
た。

【０００８】また、バンプには１５〜３０μｍ厚さがあ
りその形成には電気メッキが用いられるのが一般的であ
るが、このようにバンプ形成には薄膜被着、フォトリソ
グラフィ、エッチング、メッキ工程という特殊なプロセ
スが必要で、そのために歩留まり低下やバンプ形成コス
トの上昇は避けられなかった。その上チップとパッケー
ジの電極両方にバンプ形成を行うと大変な時間を要する
こととなり、効率的な大量生産が不可能であった。

【０００９】さらに、チップとパッケージの電極両方に
バンプ形成すると、バンプ形成工程にそれだけ時間を要
するだけでなく、チップとパッケージの間に出来る隙間
が大きくなり、発光ダイオードとしての薄型化を図ると
いうフリップチップ型発光ダイオードの本来の目的を十
分には果たせなくなっていた。

【００１０】そこでこの発明は、上述のようなバンプ形
成方法を用いずに、ＬＥＤチップを配置させるパッケー
ジのリード電極上にバンプ的な突起部を容易に形成する
ことができ、また発光ダイオードとしての薄型化も実現
でき、さらに量産性を格段に向上させることができる発
光ダイオードの形成方法を提供することを目的としてい
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本願発明者は、一対のリード電極を有するパッケー
ジと、該一対のリード電極上に配置させるとともに電気
的に接続させたフリップチップ型ＬＥＤチップと、該Ｌ
ＥＤチップを被覆する透光性樹脂とを有する発光ダイオ
ードの形成方法であって、前記各リード電極の一部分を
押圧することにより他の一部分を隆起させて形成される
突起部上に、前記ＬＥＤチップの電極を配置させること
を特徴とする発光ダイオードの形成方法を発明した。ま
たこの形成方法は、少なくとも一対のリード電極を有す
るパッケージと、前記リード電極上に配置され、かつ電
気的に接続されたＬＥＤチップとを有する発光ダイオー
ドの形成方法であって、前記ＬＥＤチップと電気的に接
続させる該各リード電極の一部分を押圧することにより
他の一部分を隆起させて各リード電極表面に突起部を形
成する工程と、前記突起部を介してリード電極上にＬＥ
Ｄチップを固定させる工程と、前記ＬＥＤチップ上に透
光性樹脂を配置する工程とを有する発光ダイオードの形
成方法であり、さらに、パッケージ表面に形成された一
対のリード電極に半田メッキが施され、該リード電極と
ＬＥＤチップとの接合部は、該半田メッキを溶融・凝固
することでＬＥＤチップを固定していることを特徴とす
る発光ダイオードの形成方法である。また、パッケージ
表面に形成された一対のリード電極に、膜厚が１μｍ以
下の金メッキが施され、さらに該リード電極表面にクリ
ーム半田またはフラックスを用いて半田ボールを供給
し、該リード電極とＬＥＤチップとの接合部は、該半田
を溶融・凝固させることでＬＥＤチップを固定している
ことを特徴とする発光ダイオードの形成方法である。

【００１２】具体的にこの発明は、ＬＥＤチップを配置
させるパッケージに一対のリード電極を形成した後、凸
型ポンチ（押圧片）を用いて該リード電極の一部分を押
圧することにより他の一部分を隆起させてバンプ的な突
起部を形成させる方法である。これにより従来のように
特殊なプロセス経てバンプを形成する必要がなくなり、
容易にバンプ的な突起部を形成することが可能になり、
量産効率を格段に向上させることができる。

【００１３】またＬＥＤチップは直接パッケージのリー
ド電極に接続され、その接合部はリード電極に施された
半田メッキを溶融・凝固することでＬＥＤチップを固定
させるか、あるいは膜厚が１μｍ以下の金メッキを施し
たリード電極表面にさらにクリーム半田またはフラック
スを用いて半田ボールを施し、該半田を溶融・凝固させ
ることでＬＥＤチップを固定させるので、従来のように
両者のバンプ同士を接続させる場合と違って接合部の面
積を広くとることができ、ゆえに接合部の安定感が増
し、接合部補強のための樹脂をＬＥＤチップとパッケー
ジとの間にできる隙間に注入させる必要がなくなる。ゆ
えに、透光性樹脂を用いてＬＥＤチップ全体を封止する
場合でも、樹脂注入という作業工程が二段階に及ぶこと
はなくなった。

【００１４】さらに、チップ側の電極には突起部を形成
せず、パッケージ側の電極のみに突起部を形成してＬＥ
Ｄチップの電極と直接接続するので作業工程が効率化さ
れるだけでなく、ＬＥＤチップとパッケージとの隙間が
少なくなり、発光ダイオードとしての薄型化を図るとい
うフリップチップ型発光ダイオードの本来の目的を十分
に果たすことが出来る。発光ダイオードが様々な分野で
種々の光源として利用されている今日においては、薄型
化されればその使用用途や範囲をさらに広げることがで
きる。本発明によれば、例えば携帯型プリンターやスキ
ャナー、またバックライト等種々の小型機器に組み込ま
れる光源として、現在よりも薄型の発光ダイオードを提
供でき、またそれらは小型機器自体のさらなる小型化を
実現させることできる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態につ
いて図１〜４に基づいて説明するが、これのみに限ると
いうことはない。

【００１６】まず発光素子として、主発光ピークが４７
０ｎｍのＧａＩｎＮ半導体を用いた。ＬＥＤチップは、
洗浄させたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリ
ウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、
窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流
し、ＭＯＣＶＤ法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜
させることにより形成させた。ドーパントガスとしてＳ
ｉＨ₄とＣｐ₂Ｍｇと、を切り替えることによってｎ型導
電性を有する窒化ガリウム系半導体とｐ型導電性を有す
る窒化ガリウム系半導体を形成しｐｎ接合を形成させ
た。（なお、ｐ型半導体は、成膜後４００℃以上でアニ
ールさせてある。）エッチングによりｐｎ各半導体表面
を露出させた後、スパッタリング法により各電極をそれ
ぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハー
をスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発
光素子として２５０μｍ角のＬＥＤチップ１１を形成さ
せた。

【００１７】次に、金型を用いてその内部に成形樹脂を
注入させ成形し、冷却後金型から取り出すことによりパ
ッケージ１３を形成させる。その後一対のリード電極１
４を、立体メッキを用いてパッケージ１３の表面に沿う
ようにして形成し、さらにそのリード電極表面に、半田
メッキ装置を用いて半田メッキ２５を施した。こうして
できた一対のリード電極を有するパッケージ２３（図
２）に加熱を施し、図２（Ａ）に示すように、形成した
両電極の間ａに向かって押圧片（凸形状のポンチ）２６
をパッケージの上方より降下させ、リード電極の熱が冷
めないうちに両リード電極２４を加圧するようにパッケ
ージの左右方向（矢印方向）へと数回動かす。この作動
によりリード電極の加圧された部分は盛り上がり、図１
（Ａ）のリード電極１４の一部分である１６のような、
ＬＥＤチップの電極とパッケージのリード電極とを直接
接続させるための突起部をごく容易に形成させることが
できる。

【００１８】このような突起部はあるいは、図２（Ｂ）
に示すように、一対のリード電極を有するパッケージ２
３に加熱を施した後、２７のような形状の押圧片（凸形
状のポンチ）をパッケージ上方からリード電極２４上に
真っ直ぐに降下させ（矢印）、リード電極に凹部を形
成させた後、続いて押圧片２７を真っ直ぐ上方に戻す
（矢印）。この作動によりリード電極を加圧して図１
（Ｂ）１７にみられるような凹部を形成することで、多
少ではあるが同時に１６の部分が盛り上がり（５〜８０
μｍ盛り上がる）、その部分をＬＥＤチップの電極とパ
ッケージのリード電極とを直接接続させるための突起部
とすることができる。

【００１９】図４には、これらの方法で形成したいくつ
かのパターンの突起部の形状を、パッケージ上面から見
た概略図で示してある（斜線部が突起部を示す）。図１
の発光ダイオードのリード電極は、図４（ａ）に対応し
ている。

【００２０】これら比較的簡単な方法で従来のバンプに
代わるような突起部分をパッケージ側電極のみに形成す
るので、複雑なバンプ形成工程を削除でき、大幅なコス
トダウンと効率的な量産が可能となる。また突起部分は
パッケージ側電極のみに形成するので、従来のようにＬ
ＥＤチップとパッケージの電極両方にバンプ形成する場
合と比べると形成工程の時短が可能になり、またチップ
とパッケージの間に出来る隙間を小さくできるので、発
光ダイオードとしての薄型化を図るというフェースダウ
ン構造の本来の目的をより十分に果たすことができる。

【００２１】次に図３に示すように、上述の方法でリー
ド電極３４の一部分に突起部３６を形成したパッケージ
３３を、フリップチップボンダの台上３９に該突起部を
有する面が上面になるように配置して空気吸引すること
により固定させ、同時に前述の方法で形成させておいた
ＬＥＤチップ３１の方も、半導体成膜用基板上に形成さ
れた活性層面側と反対の面（チップの裏面）をフリップ
チップボンダのホルダ３８で空気吸引して保持する。そ
してホルダ側を台上に接近させてチップ側の電極部３２
とパッケージ側のリード電極突起部３６を対向させ、位
置を合わせて密着・加圧し、先にパッケージのリード電
極表面に施しておいたメッキ層の溶解温度に設定したリ
フロー炉内に通して、実際に両者をフェースダウン接合
させる。その後冷却させると、いったん溶解されたメッ
キ層が再び凝固し、それによってＬＥＤチップをパッケ
ージのリード電極に直接接着・固定させることができ、
しかもその接合部の面積を比較的大きくとることができ
るので、接合部の安定感が増す。あるいは、前述したリ
ード電極表面に半田メッキを施す工程において、膜厚が
１μｍ以下の金メッキをリード電極表面に施し、さらに
該リード電極表面にクリーム半田またはフラックスを用
いて半田ボールを供給し、該リード電極とＬＥＤチップ
との接合部を、該半田を溶融・凝固させることでＬＥＤ
チップを固定させても、同様の効果が得られる。この半
田ボールとは、粒径が、先述したような従来方法に用い
られるバンプの厚みよりも小さい微粒子である。

【００２２】またこのＬＥＤチップとリード電極との接
合の際に、わずかではあるがリード電極突起部分１６付
近に押し出された余分なメッキ、あるいは半田が、外部
からの応力を吸収でき、両者の接合部分を補強する役割
を果たす。

【００２３】続いて透光性エポキシ樹脂１５を封止部材
として用い、細管からＬＥＤチップが搭載されたパッケ
ージ上に配置させ、少なくともＬＥＤチップ全体と、Ｌ
ＥＤチップとパッケージ側電極との接合部分をすべて保
護できるように封止した。ＬＥＤチップからの可視光と
蛍光体からの蛍光との混色光を放射する発光ダイオード
とする場合には、この封止部材に蛍光体を混合させても
よい。封止部材は、配置後１５０℃５時間にて硬化さ
せ、図１のごとき発光ダイオードを形成させた。またこ
の封止部材は発光ダイオードの使用用途や環境に合わせ
て、用いなくてもよい場合もある。

【００２４】次に、図１に基づいて本発明による方法で
形成された発光ダイオードの各構成部について詳述す
る。

【００２５】（ＬＥＤチップ１１）本発明に用いられる
ＬＥＤチップ１１には、例えば窒化物系化合物半導体な
どが挙げられる。発光素子であるＬＥＤチップは、ＭＯ
ＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮ等の半導体を発光
層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接
合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテ
ロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。
半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選
択することができる。また、半導体活性層を量子効果が
生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井
戸構造とすることもできる。

【００２６】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガ
リウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いるこ
とが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、ＡｌＮ
等のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒
化ガリウム半導体を形成させる。窒化ガリウム系半導体
は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示す。発
光効率を向上させるなど所望のｎ型窒化ガリウム半導体
を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。
一方、ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、ｐ
型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ等をドープさせる。

【００２７】窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドー
パントをドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ド
ーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプ
ラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。エ
ッチングなどによりｐ型半導体及びｎ型半導体の露出面
を形成させた後、半導体層上にスパッタリング法や真空
蒸着法などを用いて所望の形状の各電極１２を形成させ
る。

【００２８】次に、形成された半導体ウエハー等をダイ
ヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシン
グソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも
広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によ
って半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモ
ンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウ
エハーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば
碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導
体ウエハーからチップ状にカットする。このようにして
窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップを形成
させることができる。

【００２９】本発明の発光ダイオードにおいて、封止部
材の樹脂に蛍光体を混合させることによって白色系を発
光させる場合は、蛍光体との補色等を考慮して発光素子
の主発光波長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好まし
く、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。Ｌ
ＥＤチップと蛍光体との効率をそれぞれより向上させる
ためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ま
しい。

【００３０】（パッケージ１３）パッケージ１３は、金
型を用いてその内部に成形樹脂を注入させ成形し、冷却
後金型から取り出すことにより形成するのであるが、そ
の成形樹脂としては、液晶ポリマーやＰＢＴ樹脂、ポリ
アミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、メラミン樹脂等の絶縁性支持
部材を用いることができる。あるいはプリント基板のよ
うな、エポキシ樹脂等を用いた積層板を用いてもよい。

【００３１】（リード電極１４）リード電極１４として
は、パッケージ上に配置されたＬＥＤチップをパッケー
ジ外部と電気的に接続させるものであるため、電気伝導
性に優れたものが好ましい。具体的材料としては、ニッ
ケル等のメタライズあるいはリン青銅、銅箔をエッチン
グしたもの等の電気良導体を挙げることができる。また
本発明による発光ダイオードの場合、ＬＥＤチップとの
接着部材としてこのような材料の表面に、銀や金（特に
膜厚が１μｍ以下の金メッキ）あるいは錫系等の平滑な
メッキを施してあるので、電極部材であると共にＬＥＤ
チップからの光を効率よく外部に放出させるように、そ
の表面を光反射部材として利用することもできる。

【００３２】（封止部材樹脂１５）ＬＥＤチップ上に配
置する封止部材１５は、発光ダイオードの使用用途に応
じてＬＥＤチップ、ＬＥＤチップとパッケージ側リード
電極との接合部などを外部から保護するためのものであ
るが、用途に応じて用いなくてもよい場合もある。封止
部材は、各種樹脂や硝子などを用いて形成させることが
できる。

【００３３】封止部材の具体的材料としては、主として
エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンなどの耐候性に
優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。また、
封止部材に拡散剤を含有させることによってＬＥＤチッ
プからの指向性を緩和させ視野角を増やすこともでき
る。拡散剤の具体的材料としては、チタン酸バリウム、
酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用
いられる。

【００３４】以下、本発明によって形成された図１の発
光ダイオードの効果を確認するため、図５のごとき発光
ダイオードを形成させ、本発明による発光ダイオードと
の比較実験を行った。図５の発光ダイオードは先述した
従来方法のように、ウェーハ状態のチップの金属パッド
にメッキまたは金ボール等を付着させて突起部分（バン
プ）を形成した後ダイシングにより各チップとして切り
離し、またこのチップが配置されるパッケージ上にも前
記金属パッドと対応する位置に半田バンプを形成させた
以外は、本発明による発光ダイオードと同様にして形成
させた。

【００３５】図１、図５の発光ダイオードのパッケージ
のリード電極部分にそれぞれ突起部分（バンプ）を形成
させる工程を同時にスタートさせ、両発光ダイオードの
パッケージ１０００個のリード電極にそれぞれ突起部分
（バンプ）の形成を施した。図１の発光ダイオードのパ
ッケージ１０００個の電極全てに突起部分形成を施すの
に要した時間は約５秒であったが、図５の発光ダイオー
ドの方には約３０分を要した。さらに図５の発光ダイオ
ードの場合ＬＥＤチップの電極にもバンプ形成を行った
ので、それにも約３０分を要し、合わせると約１時間を
要したこととなった。また当然の事ながら、図１の発光
ダイオードはパッケージの電極にしか突起部分を形成し
ていないので、図５の発光ダイオードの約７５％の厚み
しかなく、発光ダイオードのさらなる薄型化をも実現で
きた。

【００３６】

【発明の効果】本発明の、発光ダイオードのパッケージ
電極部にＬＥＤチップを直接接続させるための突起部分
を、凸形状のポンチ（押圧片）で前記電極部の一部分を
押圧することにより形成することで、発光ダイオードの
量産効率と生産コストダウンを格段に向上させることが
でき、また発光ダイオードの薄型化を実現することがで
きる。またＬＥＤチップとパッケージのリード電極との
接合部は、リード電極に施された半田メッキを溶融・凝
固することでＬＥＤチップを固定させるか、あるいは膜
厚が１μｍ以下の金メッキを施したリード電極表面にさ
らにクリーム半田またはフラックスを用いて半田ボール
を施し、該半田を溶融・凝固させることでＬＥＤチップ
を固定させるので、接合部の面積を広くとることがで
き、ゆえに接合部の安定感を増すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明により形成された発光ダイオ
ードの模式的断面図である。

【図２】図２は、本発明である発光ダイオードの形成
過程の一部を、拡大して模式的に示した図である。

【図３】図３は、本発明である発光ダイオードの形成
過程の一部を、拡大して模式的に示した図である。

【図４】図４は、本発明により形成したいくつかのパ
ターンの突起部の形状を、パッケージ上面から見た概略
図である（斜線部が突起部を示す）。

【図５】図５は、本発明による発光ダイオードとの比
較のために形成した発光ダイオードの模式的断面図であ
る。

【符号の説明】

１１、３１、５１・・・ＬＥＤチップ１２、３２、５２・・・ＬＥＤチップの電極部分１３、２３、３３、４３、５３・・・パッケージ１４、２４、３４、４４、５４・・・パッケージのリー
ド電極１５、５５・・・封止部材樹脂１６、３６、４６・・・リード電極の突起部分１７・・・リード電極の凹部２５、３５・・・メッキ層２６、２７・・・凸型ポンチ（押圧片）３８・・・フリップチップボンダのホルダ３９・・・フリップチップボンダの台５６・・・ＬＥＤチップに付着させたバンプ５７・・・リード電極を有するパッケージ上に形成させ
た半田バンプ５８・・・樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対のリード電極を有するパッケージ
と、該一対のリード電極上に配置させるとともに電気的
に接続させたフリップチップ型ＬＥＤチップと、該ＬＥ
Ｄチップを被覆する透光性樹脂とを有する発光ダイオー
ドの形成方法であって、前記各リード電極の一部分を押
圧することにより他の一部分を隆起させて形成される突
起部上に、前記ＬＥＤチップの電極を配置させることを
特徴とする発光ダイオードの形成方法。
【請求項２】少なくとも一対のリード電極を有するパ
ッケージと、該リード電極上に配置され、かつ電気的に
接続されたＬＥＤチップとを有する発光ダイオードの形
成方法であって、前記ＬＥＤチップと電気的に接続させ
る前記各リード電極の一部分を押圧することにより他の
一部分を隆起させて各リード電極表面に突起部を形成す
る工程と、前記突起部を介してリード電極上にＬＥＤチ
ップを固定させる工程と、前記ＬＥＤチップ上に透光性
樹脂を配置する工程とを有する発光ダイオードの形成方
法。
【請求項３】パッケージ表面に形成された一対のリー
ド電極に半田メッキが施され、該リード電極とＬＥＤチ
ップとの接合部は、該半田メッキを溶融・凝固させるこ
とでＬＥＤチップを固定していることを特徴とする請求
項２に記載の発光ダイオードの形成方法。
【請求項４】パッケージ表面に形成された一対のリー
ド電極に、膜厚が１μｍ以下の金メッキが施され、さら
に該リード電極表面にクリーム半田またはフラックスを
用いて半田ボールを供給し、該リード電極とＬＥＤチッ
プとの接合部は、該半田を溶融・凝固させることでＬＥ
Ｄチップを固定していることを特徴とする請求項２に記
載の発光ダイオードの形成方法。