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JP2018014361A - Support body separation device and support body separation method - Google Patents

Support body separation device and support body separation method Download PDF

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JP2018014361A
JP2018014361A JP2016141620A JP2016141620A JP2018014361A JP 2018014361 A JP2018014361 A JP 2018014361A JP 2016141620 A JP2016141620 A JP 2016141620A JP 2016141620 A JP2016141620 A JP 2016141620A JP 2018014361 A JP2018014361 A JP 2018014361A
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Yasumasa Iwata
泰昌 岩田
偉仁 福島
Hidehito Fukushima
偉仁 福島
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Abstract

【課題】積層体から支持体を分離するときに、基板および支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離する。
【解決手段】本発明の一形態に係る支持体分離装置(10)は、クランプ(23)によりサポートプレート(2)の面取り部位(2a)を把持して隙間(7)を形成し、隙間(7)を吸着パッド(22)で維持した状態で、クランプ(23)と一体となった気体噴出部(24)から気体を噴出する。
【選択図】図1
When separating a support from a laminate, the substrate and the support are separated successfully in a short time without damaging the substrate and the support.
A support separating apparatus (10) according to an embodiment of the present invention forms a gap (7) by gripping a chamfered portion (2a) of a support plate (2) by a clamp (23). In a state where 7) is maintained by the suction pad (22), gas is ejected from the gas ejection part (24) integrated with the clamp (23).
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、支持体分離装置および支持体分離方法に関する。   The present invention relates to a support separating apparatus and a support separating method.

近年、ICカード、携帯電話等の電子機器の薄型化、小型化、軽量化等が要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となるウエハ基板の厚さ(膜厚)は現状では125μm〜150μmであるが、次世代のチップ用には25μm〜50μmにしなければならないといわれている。従って、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。   In recent years, electronic devices such as IC cards and mobile phones have been required to be thinner, smaller and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used as a semiconductor chip to be incorporated. For this reason, the thickness (film thickness) of the wafer substrate on which the semiconductor chip is based is currently 125 μm to 150 μm, but it is said that it must be 25 μm to 50 μm for the next generation chip. Therefore, in order to obtain a wafer substrate having the above film thickness, a wafer substrate thinning process is indispensable.

ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。そして、製造プロセス後に、ウエハ基板とサポートプレートとを分離する。そこで、これまでに、ウエハから支持体を剥離する様々な方法が用いられている。   Since the strength of the wafer substrate is reduced due to the thin plate, in order to prevent damage to the thinned wafer substrate, a circuit is placed on the wafer substrate while automatically supporting the support plate on the wafer substrate during the manufacturing process. Etc. are mounted. Then, after the manufacturing process, the wafer substrate and the support plate are separated. So far, various methods for peeling the support from the wafer have been used.

特許文献1には、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構と、を有する剥離装置が記載されている。   Patent Document 1 discloses a notch mechanism having a sharp tip inserted into a bonding surface between a substrate to be processed and a support substrate from the side of the superposed substrate, and a substrate to be processed and a support substrate from the side of the superposed substrate. And a fluid supply mechanism for supplying fluid to the joint surfaces of the film.

特開2013−219328号公報(2013年10月24日公開)JP2013-219328A (released on October 24, 2013)

しかしながら、特許文献1に記載の剥離装置のように、流体供給機構により供給する溶剤によって接着層を溶解しながら、切り込み機構によって積層体から支持体を分離する方法では、基板を分離するために長時間を要するという問題がある。   However, in the method of separating the support from the laminated body by the cutting mechanism while dissolving the adhesive layer with the solvent supplied by the fluid supply mechanism as in the peeling device described in Patent Document 1, it is long to separate the substrate. There is a problem that it takes time.

また、特許文献1に記載の剥離装置では、切り込み機構によって積層体から支持体を分離するときに、支持体が破損するおそれがある。   Moreover, in the peeling apparatus described in Patent Document 1, the support may be damaged when the support is separated from the laminate by the cutting mechanism.

本願発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、積層体から支持体を分離するときに、基板および支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離することができる支持体分離装置およびその関連技術を提供することにある。   This invention is made | formed in view of said subject, The objective can be isolate | separated successfully in a short time, without damaging a board | substrate and a support body, when isolate | separating a support body from a laminated body. An object of the present invention is to provide a support separating apparatus and related technology.

上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体分離装置は、基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、上記積層体を基板側から固定する載置台と、上記支持体を保持する保持部と、上記保持部を上記載置台に対して昇降させる昇降部と、を備え、上記保持部は、上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する、少なくとも一つの把持部と、上記支持体における上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する吸着部と、を備え、上記把持部は、上記吸着部により維持されている上記隙間から上記積層体の内部に向かって、流体を噴出する噴出部を備えていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a support separating apparatus according to the present invention separates the support from a laminate formed by attaching a substrate and a support that supports the substrate via an adhesive layer. A support separating apparatus, comprising: a mounting table for fixing the laminate from the substrate side; a holding unit for holding the support; and a lifting unit for moving the holding unit up and down with respect to the mounting table. The holding portion grips the outer peripheral end portion of the support body to form a gap between the substrate and the support body, and a surface on which the gap is formed in the support body. An adsorbing portion that maintains the gap by adsorbing and holding the support from the back surface of the substrate, and the gripping portion is directed from the gap maintained by the adsorbing portion toward the inside of the laminate. Equipped with a jet part that jets fluid It is characterized in that there.

また、本発明に係る支持体分離方法は、基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、上記基板を固定し、少なくとも一つの把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する隙間形成工程と、上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する隙間維持工程と、上記隙間維持工程後、上記隙間から上記積層体の内部に向かって、上記把持部が備えている噴出部から流体を噴出することによって、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴としている。   Further, the support separating method according to the present invention is a support separating method for separating the support from a laminate formed by attaching a substrate and a support supporting the substrate via an adhesive layer. A step of forming a gap between the substrate and the support by fixing the substrate and holding the outer peripheral end of the support by at least one holding portion; and the gap is formed. By holding and lifting the support from the back side of the surface, a gap maintaining step for maintaining the gap, and after the gap maintaining step, the gripping portion is provided from the gap toward the inside of the laminate. And a separation step of separating the support from the laminate by ejecting fluid from the ejecting part.

本発明によれば、積層体から支持体を分離するときに基板および支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離することができる支持体分離装置およびその関連技術を提供することができるという効果を奏する。   According to the present invention, it is possible to provide a support separating apparatus and related technology that can be successfully separated in a short time without damaging the substrate and the support when separating the support from the laminate. There is an effect.

本発明の一実施形態に係る支持体分離装置の概略の構成を説明する図である。It is a figure explaining the schematic structure of the support body separation apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す支持体分離装置によって分離される支持体を有する積層体の分離層に関し、光照射後の状態を示す上面図である。It is a top view which shows the state after light irradiation regarding the separation layer of the laminated body which has a support body isolate | separated by the support body separation apparatus shown in FIG. 図1に示す支持体分離層に具備される、支持体を把持するクランプとクランプに隣接して配設された気体噴出部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the gas ejection part arrange | positioned adjacent to the clamp which the support body isolation | separation layer shown in FIG. 1 hold | grips the support body, and a clamp. 図1に示す支持体分離層に具備される気体噴出部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the gas ejection part comprised in the support body separation layer shown in FIG. 図1に示す支持体分離層の支持体分離動作を説明する図である。It is a figure explaining the support body separation operation | movement of the support body separation layer shown in FIG. 図1に示す支持体分離層の支持体分離動作において気体噴出部から気体を噴出した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which ejected the gas from the gas ejection part in the support body isolation | separation operation | movement of the support body separation layer shown in FIG. 本発明の別形態を説明する図である。It is a figure explaining another form of the present invention. 本発明の別形態を説明する図である。It is a figure explaining another form of the present invention.

〔実施形態1〕
本発明に係る支持体分離装置および支持体分離方法の一形態について、以下に説明する。
Embodiment 1
An embodiment of the support separating apparatus and the support separating method according to the present invention will be described below.

<1.支持体分離装置の構成>
図1は、本実施形態1の支持体分離装置の要部の構成について示す図であり、図1(a)は部分上面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるA−A’線矢視断面である。なお、図1(a)および図1(b)には、XY平面を水平面とするXYZ座標系も併せて示す。
<1. Configuration of Support Separator>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of the support separating apparatus according to the first embodiment, FIG. 1 (a) is a partial top view, and FIG. 1 (b) is an A in FIG. 1 (a). It is a cross section taken along line -A ′. FIGS. 1A and 1B also show an XYZ coordinate system in which the XY plane is a horizontal plane.

本実施形態1の支持体分離装置10は、従来技術と同様に、回路等の構造物を実装したウエハ基板が、サポートプレートとともに積層体を構成している状態において、当該積層体からサポートプレートを剥離するために用いる装置である。しかしながら、ウエハ基板を積層した積層体に限らず、最表層にプレートを積層したあらゆるタイプの積層体について当該プレートを剥離するために用いることができる。なお、以下では、ウエハ基板を単に基板と記載する。   As in the case of the prior art, the support separating apparatus 10 according to the first exemplary embodiment is configured such that a wafer substrate on which a structure such as a circuit is mounted constitutes a laminate together with the support plate. It is an apparatus used for peeling. However, the present invention is not limited to a laminated body in which wafer substrates are laminated, and can be used to peel off the plate for any type of laminated body in which a plate is laminated on the outermost layer. Hereinafter, the wafer substrate is simply referred to as a substrate.

ここで、詳細は後述するが、本実施形態1の支持体分離装置10によってサポートプレートが分離される積層体100は、図1(b)に示すように、基板1と、光透過性のサポートプレート2(支持体)とが、接着層3を介して貼り付けられており、更に、接着層3とサポートプレート2との間には、光を照射することにより変質する分離層4が設けられた積層体である。なお、図1(b)において、積層体100は、その基板1側がダイシングフレーム6を備えたダイシングテープ5に貼着されている。   Here, although details will be described later, as shown in FIG. 1B, the laminated body 100 from which the support plate is separated by the support separating apparatus 10 according to the first embodiment includes a substrate 1 and a light-transmissive support. A plate 2 (support) is attached via an adhesive layer 3, and a separation layer 4 that is altered by irradiation with light is provided between the adhesive layer 3 and the support plate 2. Laminated body. In FIG. 1B, the laminate 100 is attached to a dicing tape 5 provided with a dicing frame 6 on the substrate 1 side.

このような積層体100を対象とする本実施形態1の支持体分離装置10は、図1(b)に示すように、ステージ50(載置台)と、光照射部40と、昇降部30と、保持部20とを備えている。   As shown in FIG. 1 (b), the support separating apparatus 10 according to the first embodiment for the laminated body 100 includes a stage 50 (mounting table), a light irradiation unit 40, an elevating unit 30, and the like. The holding part 20 is provided.

(1.1)ステージ50
ステージ50は、積層体100を載置する台である。ステージ50の上面には、多孔性部分であるポーラス部51が設けられており、ポーラス部51には図示しない減圧部が連通している。これにより、ステージ50上に載置された積層体100は、その基板1側の平面においてポーラス部51により吸着固定される。
(1.1) Stage 50
The stage 50 is a table on which the stacked body 100 is placed. A porous portion 51 that is a porous portion is provided on the upper surface of the stage 50, and a decompression portion (not shown) communicates with the porous portion 51. Thereby, the laminated body 100 placed on the stage 50 is attracted and fixed by the porous portion 51 on the plane on the substrate 1 side.

(1.2)光照射部40
光照射部40は、積層体100における分離層4に対して、光透過性のサポートプレート2を介して光を照射する。
(1.2) Light irradiation unit 40
The light irradiation unit 40 irradiates the separation layer 4 in the stacked body 100 with light through the light transmissive support plate 2.

具体的には、光照射部40は、積層体100の上を走査しつつ、サポートプレート2を介して上面視における形状が円形である積層体100に構成される分離層4の周縁部分(領域4a)に光を照射して当該部分を変質させる。   Specifically, the light irradiation unit 40 scans the top of the laminate 100, and the peripheral portion (region) of the separation layer 4 configured in the laminate 100 having a circular shape when viewed from above via the support plate 2. 4a) is irradiated with light to alter the part.

ここで、図2は、上面視において円形である分離層4と、光照射部40による光照射で変質した領域4aとを示す図である。図2に示すように、領域4aの幅W1は、分離層4の外周端部から内側に向かって、0.5mm以上、8mm以下の範囲内であることが好ましく、1.5mm以上、8mm以下の範囲内であることがより好ましい。幅W1が6mm以上であれば、領域4aにおける分離層4に積層された基板1と、サポートプレート2との間に、隙間を形成し、当該隙間から積層体100の内部に向かって流体を噴射することにより、首尾よく積層体100からサポートプレート2を分離することができる。また、幅W1が2mm以下であれば、分離層4において光を照射される領域4aの面積を小さくすることができるため、基板1に対して光が照射される面積を小さくすることができる。   Here, FIG. 2 is a diagram showing a separation layer 4 that is circular in a top view and a region 4 a that has been altered by light irradiation by the light irradiation unit 40. As shown in FIG. 2, the width W1 of the region 4a is preferably in the range of 0.5 mm or more and 8 mm or less from the outer peripheral end of the separation layer 4 to the inside, and is 1.5 mm or more and 8 mm or less. It is more preferable to be within the range. If the width W1 is 6 mm or more, a gap is formed between the substrate 1 laminated on the separation layer 4 in the region 4a and the support plate 2, and fluid is ejected from the gap toward the inside of the laminated body 100. By doing so, the support plate 2 can be separated from the laminated body 100 successfully. Further, if the width W1 is 2 mm or less, the area of the region 4a irradiated with light in the separation layer 4 can be reduced, so that the area of the substrate 1 irradiated with light can be reduced.

なお、本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。   In the present specification, the “deterioration” of the separation layer means a phenomenon in which the separation layer can be broken by receiving a slight external force, or a state in which the adhesive force with the layer in contact with the separation layer is reduced. To do. As a result of the alteration of the separation layer caused by absorbing light, the separation layer loses its strength or adhesion prior to light irradiation. In other words, the separation layer becomes brittle by absorbing light. The alteration of the separation layer may mean that the separation layer causes decomposition due to absorbed light energy, a change in configuration, dissociation of a functional group, or the like. The alteration of the separating layer occurs as a result of absorbing light.

よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板およびサポートプレートの一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド(保持手段)等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離する、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ(ツメ部)等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を溶解させることにより、当該接着層が溶解したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。   Therefore, for example, it is possible to easily separate the support plate and the substrate by changing the quality so that the separation layer is broken only by lifting the support plate. More specifically, for example, one of the substrate and the support plate in the stacked body is fixed to the mounting table by a support separating device or the like, and the other is held and lifted by a suction pad (holding means) provided with suction means. Thus, the support plate and the substrate are separated, or a force is applied by gripping the chamfered portion of the peripheral edge portion of the support plate with the separation plate having a clamp (claw portion) or the like. Can be separated. Further, for example, the support plate may be peeled from the substrate in the laminated body by a support separating apparatus provided with a peeling means for supplying a peeling liquid for peeling the adhesive. The peeling means supplies the peeling liquid to at least a part of the peripheral end portion of the adhesive layer in the laminate, and dissolves the adhesive layer in the laminate, so that the force concentrates on the separation layer from where the adhesive layer is dissolved. In this way, a force can be applied to the substrate and the support plate. For this reason, a board | substrate and a support plate can be isolate | separated suitably.

なお、積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、面積が40000〜70000mm程度の積層体であれば、0.1〜5kgf程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。 The force applied to the laminate may be appropriately adjusted depending on the size of the laminate, and is not limited. For example, if the laminate has an area of about 40000-70000 mm 2 , By applying a force of about 5 kgf, the substrate and the support plate can be suitably separated.

光照射部40の光照射によって分離層4の領域4aが変質すると、サポートプレート2の周縁部分端部にある面取り部位2a(図3(b))をクランプ23によって把持することにより、面取り部位2aと領域4aとの間に隙間を形成することができる。より好ましくは、面取り部位2a(図3(b))をクランプ23によって把持して持ち上げることにより面取り部位2aと領域4aとの間に隙間を形成する。そして、詳細は後述するが、この隙間をきっかけとして、基板1とサポートプレート2とを分離することができる。   When the region 4 a of the separation layer 4 is altered by the light irradiation of the light irradiation unit 40, the chamfered part 2 a (FIG. 3B) at the edge of the peripheral portion of the support plate 2 is held by the clamp 23, thereby And a region 4a can be formed with a gap. More preferably, a gap is formed between the chamfered portion 2a and the region 4a by gripping and lifting the chamfered portion 2a (FIG. 3B) with the clamp 23. Although details will be described later, the substrate 1 and the support plate 2 can be separated by using this gap as a trigger.

光照射部40が分離層4に照射する光は、分離層4が吸収する波長に応じて適宜選択するとよい。分離層4に照射する光を発射するレーザの例としては、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層4に照射する光を発射するレーザは、分離層4を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層4を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。 The light irradiated to the separation layer 4 by the light irradiation unit 40 may be appropriately selected according to the wavelength absorbed by the separation layer 4. Examples of lasers that emit light to irradiate the separation layer 4 include YAG lasers, ruby lasers, glass lasers, YVO 4 lasers, solid state lasers such as LD lasers, fiber lasers, liquid lasers such as dye lasers, CO 2 lasers, Examples thereof include a gas laser such as an excimer laser, an Ar laser, and a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser and a free electron laser, or a non-laser beam. The laser that emits light to irradiate the separation layer 4 can be appropriately selected according to the material constituting the separation layer 4, and irradiates light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 4. The laser to be selected may be selected.

ここで、基板1において、領域4aにおける分離層4に対向するように配置される領域は、集積回路等の構造物が形成されていない非回路形成領域として設定されている。また、基板1において、領域4aに対向するように配置される領域以外の領域には、集積回路等の構造物が形成されている(回路形成領域)。従って、領域4aにおける分離層4のみを変質させることで、領域4aに対向するように配置される領域以外の領域、つまり、基板1における回路形成領域に光を照射することを回避することができる。従って、領域4aにおける分離層4を変質させつつ、基板1における回路形成領域に対して光照射部40から光が照射され、当該光により基板1における回路形成領域がダメージを受けることを回避することができる。   Here, in the substrate 1, a region disposed so as to face the separation layer 4 in the region 4 a is set as a non-circuit formation region where a structure such as an integrated circuit is not formed. In the substrate 1, a structure such as an integrated circuit is formed in a region other than the region disposed so as to face the region 4 a (circuit formation region). Therefore, by altering only the separation layer 4 in the region 4a, it is possible to avoid irradiating light to a region other than the region disposed so as to face the region 4a, that is, the circuit forming region in the substrate 1. . Therefore, while the separation layer 4 in the region 4a is altered, light is irradiated from the light irradiation unit 40 to the circuit formation region in the substrate 1, and the circuit formation region in the substrate 1 is prevented from being damaged by the light. Can do.

(1.3)昇降部30
昇降部30は、図1(b)に示すように、保持部20の上面視における形状が円形であるプレート部21の上面側の中心部に連結固定されており、図1(a)および図1(b)に示すZ軸に沿って保持部20を昇降させる。
(1.3) Lifting unit 30
As shown in FIG. 1B, the elevating part 30 is connected and fixed to the center part on the upper surface side of the plate part 21 whose shape in the top view of the holding part 20 is circular, as shown in FIGS. The holding part 20 is moved up and down along the Z axis shown in 1 (b).

なお、本実施形態1では、昇降部30はプレート部21に連結固定されているが、本発明はこの態様に限定されるものではなく、例えば、昇降部30にフローティングジョイントおよびストッパーが設けられていてもよい。例えば、フローティングジョイントが、保持部20の上面視における形状が円形であるプレート部21の上面側の中心部に配設されていてもよい。この場合、プレート部21は、フローティングジョイントを介して昇降部30に連結されることにより、回動可能であり、かつ、プレート部21における吸着パッド22が設けられた面が、ステージ50に固定された積層体100の平面に対して傾くように可動する。そして、ストッパーは、プレート部21が必要以上に傾かないようにする係止手段として設けられている。プレート部21が必要以上に傾斜しようとすると、ストッパーがプレート部21の上面部に接触してプレート部21がそれ以上傾斜しない。
これらフローティングジョイントとストッパーとによって、プレート部21の傾きを調整することも可能であり、吸着パッド22によりサポートプレート2を吸着保持するように配置することができる。
In the first embodiment, the elevating part 30 is connected and fixed to the plate part 21, but the present invention is not limited to this aspect. For example, the elevating part 30 is provided with a floating joint and a stopper. May be. For example, the floating joint may be disposed at the center portion on the upper surface side of the plate portion 21 whose shape in the top view of the holding portion 20 is circular. In this case, the plate part 21 can be rotated by being connected to the elevating part 30 via the floating joint, and the surface of the plate part 21 on which the suction pad 22 is provided is fixed to the stage 50. It moves so that it may incline with respect to the plane of the laminated body 100. The stopper is provided as a locking means that prevents the plate portion 21 from tilting more than necessary. If the plate portion 21 is inclined more than necessary, the stopper comes into contact with the upper surface portion of the plate portion 21 and the plate portion 21 is not inclined further.
The inclination of the plate portion 21 can be adjusted by the floating joint and the stopper, and the support plate 2 can be arranged to be sucked and held by the suction pad 22.

(1.4)保持部20
保持部20は、プレート部21と、吸着パッド22(吸着部)と、クランプ23(把持部)と、気体噴出部24(噴出部)と、スライド駆動部25(駆動部)と、レベルブロック26(当接部)とを有している。
(1.4) Holding unit 20
The holding unit 20 includes a plate unit 21, a suction pad 22 (suction unit), a clamp 23 (gripping unit), a gas ejection unit 24 (ejection unit), a slide drive unit 25 (drive unit), and a level block 26. (Contact part).

(1.4.1)プレート部21
プレート部21は、昇降部30に連結されている。プレート部21は、ステージ50に対向配置している上面視において概ね円形の構造体である。なお、説明の便宜上、図1(a)には、プレート部21の中心点Cを示している。
(1.4.1) Plate portion 21
The plate part 21 is connected to the elevating part 30. The plate portion 21 is a generally circular structure in a top view disposed so as to face the stage 50. For convenience of explanation, the center point C of the plate portion 21 is shown in FIG.

(1.4.2)吸着パッド22
吸着パッド22は、プレート部21におけるステージ50との対向側の面に配設されている。より具体的には、吸着パッド22は、図1(a)に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部21の中心点Cを挟んで対向する2箇所と、それらを結ぶ仮想線に対して中心点Cにおいて直交する線に沿って、中心点Cを挟んで対向する2箇所の計4箇所において、プレート部21の外周端部よりも内側(中心点C寄り)にそれぞれ設けられている。
(1.4.2) Suction pad 22
The suction pad 22 is disposed on the surface of the plate portion 21 facing the stage 50. More specifically, as shown in FIG. 1A, the suction pad 22 has two locations facing each other across the center point C of the plate portion 21 having a circular shape when viewed from above, and an imaginary line connecting them. Are provided on the inner side (near the center point C) of the outer peripheral end portion of the plate portion 21 in a total of four locations facing each other across the center point C along a line perpendicular to the center point C. ing.

吸着パッド22は、ちょうど、ステージ50に載置された積層体100のサポートプレート2側の表面(積層体100の上面と記載することもある)の、領域4aの反対側の領域に当接することができる。   The suction pad 22 is just in contact with the region on the opposite side of the region 4a of the surface of the stacked body 100 placed on the stage 50 on the support plate 2 side (may be described as the upper surface of the stacked body 100). Can do.

吸着パッド22は、サポートプレート2を真空吸着することにより保持することができ、例えば、ベローズパッド等を挙げることができる。吸着パッド22が、上述の位置においてサポートプレート2に当接した状態において真空吸着することにより、例えば吸着パッド22が昇降部30によってZ軸に沿ってステージ50から離間する方向に移動すればサポートプレート2を持ち上げることができる。   The suction pad 22 can be held by vacuum suction of the support plate 2, and examples thereof include a bellows pad. If the suction pad 22 is vacuum-sucked in a state where it is in contact with the support plate 2 at the above-described position, for example, if the suction pad 22 moves in the direction away from the stage 50 along the Z axis by the elevating unit 30, the support plate 2 can be lifted.

(1.4.3)クランプ23
クランプ23は、各吸着パッド22の近傍において、スライド駆動部25を介してプレート部21と連結しており、ステージ50に載置された積層体100を把持(保持)することができる構成となっている。
(1.4.3) Clamp 23
The clamp 23 is connected to the plate portion 21 via the slide drive unit 25 in the vicinity of each suction pad 22 and can hold (hold) the stacked body 100 placed on the stage 50. ing.

より具体的には、クランプ23は、図1(a)に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部21の中心点Cを挟んで対向する2箇所と、当該2箇所を結ぶ仮想線に対して中心点Cにおいて直交する線に沿って、中心点Cを挟んで対向する2箇所の計4箇所において、プレート部21の外周端部よりも外側(中心点Cから離れる側)にそれぞれ設けられている。   More specifically, as shown in FIG. 1A, the clamp 23 includes two locations facing each other across the center point C of the plate portion 21 having a circular shape when viewed from above, and a virtual connecting the two locations. At a total of four locations facing each other across the center point C along a line perpendicular to the center point C with respect to the line, outside the outer peripheral end of the plate portion 21 (on the side away from the center point C) Each is provided.

ここで、図1(a)には、先述の仮想線に相当するX軸方向に沿った線と、Y軸方向に沿った線とを示しており、同一箇所において、一つの吸着パッド22と、一つのクランプ23とは同一線上に位置している。そして、4箇所のクランプ23は、プレート部21の外周に沿って等間隔に配設されていることから、ステージ50に載置された積層体100を把持(保持)する際に積層体100に力を均等に加えることができる。これは、特に積層体100のサポートプレート2が薄層(例えば0.4mm程度)のガラス層である場合に、サポートプレート2を破損させることなく分離することに寄与する。   Here, FIG. 1A shows a line along the X-axis direction corresponding to the above-mentioned virtual line and a line along the Y-axis direction. The one clamp 23 is located on the same line. The four clamps 23 are arranged at equal intervals along the outer periphery of the plate portion 21, so that the laminate 100 is held when holding (holding) the laminate 100 placed on the stage 50. Power can be applied evenly. This contributes to separating the support plate 2 without damaging it, especially when the support plate 2 of the laminate 100 is a thin glass layer (for example, about 0.4 mm).

クランプ23は、図1(b)に示す断面図において、プレート部21を挟んで両側にある。各クランプ23は、プレート部21の上面に設けられたスライド駆動部25に上端部が連結しており、下端部は、プレート部21の下面(吸着パッド22配設面)よりも下方に位置している。なお、スライド駆動部25には、各クランプ23の高さを調整する機構が具備されており、Z軸方向に沿って各クランプ23の位置を調整することができる。図1(b)に示すようにステージ50上の積層体100が載置された状態において、保持部20が降りてくると、クランプ23の下端部が積層体100の外周領域近傍に位置することになる。なお、図1(b)は、説明の便宜上、光照射部40が、ステージ50上の積層体100と、保持部20との間に位置しているが、保持部20が積層体100を保持する際には、光照射部40はこの位置から外れた位置にある。   The clamps 23 are on both sides of the plate portion 21 in the cross-sectional view shown in FIG. Each clamp 23 has an upper end connected to a slide drive unit 25 provided on the upper surface of the plate portion 21, and a lower end portion is positioned below the lower surface (surface on which the suction pad 22 is provided) of the plate portion 21. ing. The slide drive unit 25 is provided with a mechanism for adjusting the height of each clamp 23, and the position of each clamp 23 can be adjusted along the Z-axis direction. As shown in FIG. 1B, the lower end of the clamp 23 is positioned in the vicinity of the outer peripheral region of the laminate 100 when the holding portion 20 is lowered in a state where the laminate 100 on the stage 50 is placed. become. In FIG. 1B, for convenience of explanation, the light irradiation unit 40 is positioned between the stacked body 100 on the stage 50 and the holding unit 20, but the holding unit 20 holds the stacked body 100. When performing, the light irradiation part 40 exists in the position remove | deviated from this position.

クランプ23を形成するための材料は、把持すべきサポートプレート2の材質に応じて適宜選択すればよい。従って、クランプ23を形成するための材料には、ステンレスやアルミニウム等の金属、および、エンジニアリングプラスチック等を用いることができる。また、サポートプレート2の材質がガラスである場合、エンジニアリングプラスチックである、芳香族ポリエーテルケトンを用いて形成することがより好ましく、芳香族ポリエーテルケトンの中でも、芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、芳香族基を有するポリエーテルケトンケトン(PEKK)および芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトンケトン(PEEKK)が好ましく、PEEKが最も好ましい。これにより、ガラスからなるサポートプレート2の外周端部をクランプ23により把持したときに、当該サポートプレート2が破損することを防止することができる。   What is necessary is just to select the material for forming the clamp 23 suitably according to the material of the support plate 2 which should be hold | gripped. Therefore, as a material for forming the clamp 23, metals such as stainless steel and aluminum, engineering plastics, and the like can be used. Further, when the material of the support plate 2 is glass, it is more preferable to use an aromatic polyether ketone, which is an engineering plastic. Among the aromatic polyether ketones, a polyether ether ketone having an aromatic group (PEEK), polyether ketone ketone (PEKK) having an aromatic group and polyether ether ketone ketone (PEEKK) having an aromatic group are preferred, and PEEK is most preferred. Thereby, when the outer periphery edge part of the support plate 2 which consists of glass is hold | gripped with the clamp 23, the said support plate 2 can be prevented from being damaged.

以下、図3を用いて、クランプ23について詳述する。図3(a)〜図3(c)は、図1(b)において破線の丸囲みを付した箇所の拡大断面図である。図3(a)は、クランプ23の断面図であり、図3(b)は、クランプ23における傾斜面23bが、積層体100におけるサポートプレート2の面取り部位2aに当接されている状態を説明する図であり、図3(c)は、図3(b)におけるB−B’線矢視断面において、傾斜面23bが、積層体100におけるサポートプレート2の外周端部を係止して捕捉する前の状態を示す図である。   Hereinafter, the clamp 23 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3A to FIG. 3C are enlarged cross-sectional views of a portion with a dashed circle in FIG. 1B. 3A is a cross-sectional view of the clamp 23, and FIG. 3B illustrates a state in which the inclined surface 23b of the clamp 23 is in contact with the chamfered portion 2a of the support plate 2 in the stacked body 100. 3C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 3B, and the inclined surface 23b locks and captures the outer peripheral end of the support plate 2 in the laminate 100. It is a figure which shows the state before performing.

図3(a)に示すように、クランプ23は、対峙面23aおよび傾斜面23b(係止面)を有している。   As shown to Fig.3 (a), the clamp 23 has the opposing surface 23a and the inclined surface 23b (locking surface).

対峙面23aは、サポートプレート2の外周端部に対峙する。ここで、対峙面23aは、ステージ50に固定した積層体100におけるサポートプレート2の平面部に対して垂直な面であり、サポートプレート2の外周端部が有する弧と同じ大きさの弧を有するか、又は、外周端部が有する弧の大きさより大きな弧を描くように湾曲している面である。   The facing surface 23 a faces the outer peripheral end of the support plate 2. Here, the facing surface 23 a is a surface perpendicular to the flat surface portion of the support plate 2 in the stacked body 100 fixed to the stage 50, and has an arc having the same size as the arc of the outer peripheral end portion of the support plate 2. Or a surface that is curved to draw an arc larger than the size of the arc of the outer peripheral end.

傾斜面23bは、クランプ23の下端部において対峙面23aの下端辺(底辺)に沿って設けられており、プレート部21の中心点Cに向いて構成される面である。すなわち、傾斜面23bは、YZ平面に対して傾斜している。換言すれば、図1(b)においてプレート部21を挟んで両側に位置するクランプ23の傾斜面23b同士は、下方に向かうに連れて、互いの距離が近くなる方向に傾斜している。これにより、傾斜面23bは、サポートプレート2の外周端部において、プレート部21に対向する面の裏面側に位置する面取り部位2aに当接し、面取り部位2aを係止することができる。   The inclined surface 23 b is a surface that is provided at the lower end portion of the clamp 23 along the lower end side (bottom side) of the facing surface 23 a and is configured to face the center point C of the plate portion 21. That is, the inclined surface 23b is inclined with respect to the YZ plane. In other words, the inclined surfaces 23b of the clamps 23 located on both sides of the plate portion 21 in FIG. 1B are inclined in a direction in which the distance between them becomes closer toward the lower side. Thereby, the inclined surface 23b can contact | abut to the chamfering site | part 2a located in the back surface side of the surface which opposes the plate part 21 in the outer peripheral edge part of the support plate 2, and can latch the chamfering site | part 2a.

より具体的には、傾斜面23bは、XZ平面に対して、30°以上、90°未満の範囲内の傾斜を有している。これにより、サポートプレート2の面取り部位2aに対して、傾斜面23bから過度な力が加えられることを防止することができる。また、プレート部21の下に配設されたレベルブロック26の下面にサポートプレート2の上面を当接した状態において、傾斜面23bの傾斜は、サポートプレート2の面取り部位2aの傾斜に対して平行になるように設けられていることが、当接時に面取り部位2aの端部に過度な力を集中させないために最も好ましい。   More specifically, the inclined surface 23b has an inclination within a range of 30 ° or more and less than 90 ° with respect to the XZ plane. Thereby, it is possible to prevent an excessive force from being applied to the chamfered portion 2a of the support plate 2 from the inclined surface 23b. Further, in a state where the upper surface of the support plate 2 is in contact with the lower surface of the level block 26 disposed under the plate portion 21, the inclination of the inclined surface 23 b is parallel to the inclination of the chamfered portion 2 a of the support plate 2. It is most preferable to be provided so that excessive force is not concentrated on the end portion of the chamfered portion 2a at the time of contact.

また、傾斜面23bは、複数のクランプ23の対峙面23aの下端辺に沿って設けられている。複数のクランプ23は、プレート部21の下に配設されたレベルブロック26の下面がサポートプレート2の上面に当接した状態において、サポートプレート2の外周端部を包囲し、複数のクランプ23に夫々設けられた傾斜面23bは、スライド駆動部25によって、同時に、同じ速度にて、サポートプレート2の外周端部に近づけられる。このため、これら傾斜面23bによって、積層体100におけるサポートプレート2の中心点と、プレート部21の中心点Cとが重なるように、当該積層体100を誘導しつつ、サポートプレート2の外周端部を係止し把持することができる。従って、支持体分離装置10は、プレート部21を囲うように等間隔に配置された複数のクランプ23の傾斜面23bによって、サポートプレート2の外周端部を略点接触に近い状態で把持することができる。このため、複数のクランプ23の傾斜面23bからサポートプレート2を把持するための力を均等に加えることができ、プレート部21が持ち上げられたとき、複数のクランプ23の傾斜面23bに当接したサポートプレート2の外周端部が、傾斜面23bから脱離することを好適に防止することができる。   Further, the inclined surface 23 b is provided along the lower end side of the facing surfaces 23 a of the plurality of clamps 23. The plurality of clamps 23 surround the outer peripheral end of the support plate 2 in a state where the lower surface of the level block 26 disposed below the plate portion 21 is in contact with the upper surface of the support plate 2, and The inclined surfaces 23b provided respectively are brought close to the outer peripheral end portion of the support plate 2 at the same speed by the slide drive unit 25 at the same time. Therefore, the outer peripheral end of the support plate 2 is guided by the inclined surface 23b while guiding the stacked body 100 so that the center point of the support plate 2 in the stacked body 100 and the center point C of the plate portion 21 overlap. Can be locked and gripped. Accordingly, the support separating apparatus 10 grips the outer peripheral end portion of the support plate 2 in a state close to a substantially point contact by the inclined surfaces 23b of the plurality of clamps 23 arranged at equal intervals so as to surround the plate portion 21. Can do. For this reason, the force for gripping the support plate 2 can be applied uniformly from the inclined surfaces 23b of the plurality of clamps 23, and when the plate portion 21 is lifted, the plates 21 abut against the inclined surfaces 23b of the plurality of clamps 23. It is possible to suitably prevent the outer peripheral end portion of the support plate 2 from being detached from the inclined surface 23b.

ここで、各クランプ23には、傾斜面23bが二つ設けられており、それらが図3(c)に示すように、対峙面23aに沿って並んで配設されている。並んで配設されている傾斜面23bのそれぞれは、幅Lを5〜10mm程度とすることができる。なお、各傾斜面23bにおけるサポートプレート2に近接する端辺は、対峙面23aと平行に弧を描いている。   Here, each clamp 23 is provided with two inclined surfaces 23b, which are arranged side by side along the facing surface 23a as shown in FIG. 3 (c). Each of the inclined surfaces 23b arranged side by side can have a width L of about 5 to 10 mm. In addition, the edge which adjoins the support plate 2 in each inclined surface 23b has drawn the arc in parallel with the opposing surface 23a.

そして、並んで配設されている傾斜面23bと傾斜面23bとは離間しており、その離間部分が、気体噴出部24から噴出される気体の噴出口27(開口部)として構成されている。具体的には、クランプ23には、その下端部(底部)において、内側(プレート部21側)から反対側まで延設された溝が形成されており、その溝におけるプレート部21側の端が、上述の離間部分に相当する。溝の反対側の端、すなわち、クランプ23における内側(プレート部21側)とは反対側には、気体噴出部24が配設されており、そのノズル端が溝に気体を供給するべく連通している。   The inclined surface 23b and the inclined surface 23b arranged side by side are separated from each other, and the separated portion is configured as a gas ejection port 27 (opening portion) ejected from the gas ejection portion 24. . Specifically, a groove extending from the inner side (plate part 21 side) to the opposite side is formed in the lower end part (bottom part) of the clamp 23, and the end of the groove part on the plate part 21 side is formed in the groove. This corresponds to the above-described separated portion. On the opposite end of the groove, that is, on the opposite side to the inner side (plate part 21 side) of the clamp 23, a gas ejection part 24 is disposed, and the nozzle end communicates to supply gas to the groove. ing.

このように、各クランプ23において噴出口27を傾斜面23bと傾斜面23bとの間に設けることにより、噴出口27から噴出する気体を、面取り部位2aに傾斜面23bが当接することによって持ち上がったサポートプレート2の外周端部の下面に効果的に吹き付けることができる。なお、各クランプ23に設けられた二つの傾斜面23bを一つの傾斜面と捉えることもでき、この場合、噴出口27は、その一つの係止面内に設けられていると換言することもできる。   Thus, by providing the ejection port 27 between the inclined surface 23b and the inclined surface 23b in each clamp 23, the gas ejected from the ejection port 27 is lifted by the contact of the inclined surface 23b with the chamfered portion 2a. It is possible to effectively spray the lower surface of the outer peripheral end portion of the support plate 2. In addition, the two inclined surfaces 23b provided in each clamp 23 can also be regarded as one inclined surface. In this case, it can be said that the ejection port 27 is provided in the one locking surface. it can.

(1.4.4)気体噴出部24
気体噴出部24は、各クランプ23と一体的に構成されている。具体的には、図1(a)に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部21の中心点Cを挟んで対向する2箇所と、それらを結ぶ仮想線に対して中心点Cにおいて直交する線に沿って、中心点Cを挟んで対向する2箇所の計4箇所において、クランプ23よりも外側(中心点Cから離れる側)にそれぞれ設けられている。すなわち、図1(a)に図示した先述の仮想線に相当するX軸方向に沿った線と、Y軸方向に沿った線とに関して、同一箇所において、一つの吸着パッド22と、一つのクランプ23と、一つの気体噴出部24とは、同一線上において、中心点Cから離れる方向に沿ってこの順で配置している。
(1.4.4) Gas ejection part 24
The gas ejection part 24 is configured integrally with each clamp 23. Specifically, as shown in FIG. 1A, the center point C with respect to two locations facing each other across the center point C of the plate portion 21 having a circular shape when viewed from above and a virtual line connecting them. Are provided on the outer side (the side away from the center point C) from the clamp 23 at a total of four locations that are opposed to each other with the center point C interposed therebetween. That is, with respect to a line along the X-axis direction corresponding to the imaginary line illustrated in FIG. 1A and a line along the Y-axis direction, one suction pad 22 and one clamp are provided at the same location. 23 and one gas ejection part 24 are arranged in this order along the direction away from the center point C on the same line.

気体噴出部24は、気体噴出ノズルによって構成され、一方の端部はクランプ23の下端部に配設されており、他方の端部は図示しない気体供給装置に接続されている。   The gas ejection part 24 is constituted by a gas ejection nozzle, one end part is disposed at the lower end part of the clamp 23, and the other end part is connected to a gas supply device (not shown).

気体噴出部24は、噴出させる気体の噴出方向が、斜め下を向いている。具体的には、図4に示すとおり、噴出させる気体の噴出方向が、分離層4の平面部(XY平面)に対して0〜45°の傾斜角(図4中のT°)を有するように気体噴出ノズルが配設されている。この傾斜角を有して噴出された気体は、サポートプレート2の外周端部が傾斜面23bによって把持されて形成される隙間において、分離層4のサポートプレート2側の平面に吹き付けられる。これにより、サポートプレート2を分離層4から分離しやすくなる。   In the gas ejection part 24, the ejection direction of the gas to be ejected is directed obliquely downward. Specifically, as shown in FIG. 4, the ejection direction of the gas to be ejected has an inclination angle (T ° in FIG. 4) of 0 to 45 ° with respect to the planar portion (XY plane) of the separation layer 4. A gas ejection nozzle is disposed on the surface. The gas ejected with this inclination angle is blown onto the plane of the separation layer 4 on the support plate 2 side in a gap formed by the outer peripheral end of the support plate 2 being held by the inclined surface 23b. This facilitates separation of the support plate 2 from the separation layer 4.

プレート部21の外周端部に沿って等間隔に配設された気体噴出部24は、夫々、独立して噴出を制御することができる。すなわち、或る気体噴出部24からは気体を噴出させず、特定の気体噴出部24のみから気体を噴出させることが可能である。なお、分離層4のサポートプレート2側の平面に吹き付けられる気体の噴出量としては、0.3〜0.5MPaで、100〜300L/分とすることができる。   The gas ejection portions 24 arranged at equal intervals along the outer peripheral end portion of the plate portion 21 can independently control ejection. That is, it is possible to eject gas from only a specific gas ejection part 24 without ejecting gas from a certain gas ejection part 24. Note that the amount of gas blown onto the plane of the separation layer 4 on the support plate 2 side is 0.3 to 0.5 MPa, and can be 100 to 300 L / min.

気体噴出部24から噴出される気体は、サポートプレート2および分離層4に影響を与えず、サポートプレート2の分離に支障がない種類の気体であればよく、例えば、空気、ドライエアー、窒素およびアルゴンからなる群から選択される少なくとも一つを挙げることができる。   The gas ejected from the gas ejection part 24 may be any kind of gas that does not affect the support plate 2 and the separation layer 4 and does not interfere with the separation of the support plate 2. For example, air, dry air, nitrogen, and Mention may be made of at least one selected from the group consisting of argon.

図3(b)に示すように、傾斜面23bの下端および気体噴出部24の下端は、サポートプレート2における基板1に対向する側の面と、同一平面上に配置されている。これにより、基板1および接着層3等に傾斜面23bおよび気体噴出部24の下端が引っ掛かることを防止することができる。従って、傾斜面23bをサポートプレート2のみに当接させ、サポートプレート2をクランプ23によって首尾よく把持することができる。   As shown in FIG. 3B, the lower end of the inclined surface 23 b and the lower end of the gas ejection part 24 are arranged on the same plane as the surface of the support plate 2 facing the substrate 1. Thereby, it can prevent that the lower end of the inclined surface 23b and the gas ejection part 24 is caught by the board | substrate 1, the contact bonding layer 3, etc. FIG. Therefore, the inclined surface 23 b can be brought into contact with only the support plate 2, and the support plate 2 can be successfully held by the clamp 23.

なお、気体噴出部24は、図示していないが、上述のようにクランプ23とともにZ軸方向に沿って上下に移動可能に移動する機構となっていてもよい。これにより、気体噴出部24から、積層体100の内部に向かって気体を噴出する位置を好適に調整することができる。   In addition, although not shown in figure, the gas ejection part 24 may be a mechanism which moves so that it can move up and down along the Z-axis direction together with the clamp 23 as described above. Thereby, the position which ejects gas toward the inside of the laminated body 100 from the gas ejection part 24 can be adjusted suitably.

(1.4.5)スライド駆動部25
スライド駆動部25は、プレート部21の上面における各クランプ23の近傍に配設されている。スライド駆動部25の夫々は、近傍に位置するクランプ23を、XY平面方向に沿って、プレート部21の外周端部に向かって近づけるか、又は離すようにスライド移動させる(図3(b)および(c))。また、スライド駆動部25は、同時に同じ速度にて、サポートプレート2の外周端部に向かってクランプ23の夫々をスライド移動させる。これにより、サポートプレート2の外周端部をクランプ23によって囲いつつ、把持することができる。
(1.4.5) Slide drive unit 25
The slide drive unit 25 is disposed in the vicinity of each clamp 23 on the upper surface of the plate unit 21. Each of the slide drive units 25 slides the clamp 23 located in the vicinity so as to approach or separate from the outer peripheral end of the plate unit 21 along the XY plane direction (FIG. 3B and FIG. 3). (C)). In addition, the slide drive unit 25 slides each of the clamps 23 toward the outer peripheral end of the support plate 2 at the same speed at the same time. Accordingly, the outer peripheral end portion of the support plate 2 can be gripped while being surrounded by the clamp 23.

スライド駆動部25としては、エアシリンダーによるスライド機構を採用することができる。スライド駆動部25には、図示しないレギュレーターが配設されており、レギュレーターがエアシリンダーの駆動圧を調節することによって、クランプ23によるサポートプレート2の保持力を変えることができる。   As the slide drive unit 25, a slide mechanism using an air cylinder can be employed. The slide drive unit 25 is provided with a regulator (not shown), and the regulator can change the holding force of the support plate 2 by the clamp 23 by adjusting the drive pressure of the air cylinder.

また、上述のようにスライド駆動部25は、クランプ23および気体噴出部24をZ軸方向に沿って上下に移動可能に移動する機構を有している。   Further, as described above, the slide drive unit 25 has a mechanism for moving the clamp 23 and the gas ejection unit 24 so as to be movable up and down along the Z-axis direction.

(1.4.6)レベルブロック26
レベルブロック26は、プレート部21における下面(ステージ50対向側の面)における各吸着パッド22よりも内側(中心点C寄り)に配設され、下方に向かって突出した構造を有している。後述するように、レベルブロック26の突出端部(下端)には、サポートプレート2の上面(平面部)に当接する当接面26aが設けられており、サポートプレート2を分離する際に吸着パッド22に吸着されたサポートプレート2が不都合に歪むことを防ぐことができる。そのため、レベルブロック26のZ方向の長さ(突出長)は、吸着パッド22のZ方向の長さよりも僅かに短く構成されている。また、レベルブロック26の突出端部(下端)と、クランプ23の下端部との高さの差は、分離するサポートプレート2の厚さに応じて予め一定になるように設計されているが、高さ調整機構を具備しているため、高さを調整することが可能である。
(1.4.6) Level block 26
The level block 26 is disposed on the inner side (near the center point C) of each suction pad 22 on the lower surface (the surface facing the stage 50) of the plate portion 21, and has a structure protruding downward. As will be described later, the projecting end (lower end) of the level block 26 is provided with an abutting surface 26a that abuts against the upper surface (planar portion) of the support plate 2 so that the suction pad is separated when the support plate 2 is separated. It is possible to prevent the support plate 2 adsorbed by the 22 from being undesirably distorted. Therefore, the length (protrusion length) of the level block 26 in the Z direction is configured to be slightly shorter than the length of the suction pad 22 in the Z direction. The height difference between the protruding end (lower end) of the level block 26 and the lower end of the clamp 23 is designed to be constant in advance according to the thickness of the support plate 2 to be separated. Since the height adjusting mechanism is provided, the height can be adjusted.

レベルブロック26を形成するための材料は、接触するサポートプレート2の材質に応じて適宜選択すればよいが、例えば樹脂(エンジニアリングプラスチック等)を用いることができる。レベルブロック26は、エンジニアリングプラスチックである、芳香族ポリエーテルケトンを用いて形成することがより好ましく、芳香族ポリエーテルケトンの中でも、芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、芳香族基を有するポリエーテルケトンケトン(PEKK)および芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトンケトン(PEEKK)が好ましく、PEEKが最も好ましい。これにより、例えば、ガラスからなるサポートプレート2の上面と接触したときに、当該サポートプレート2が破損することを防止することができる。また、レベルブロック26を軽量化することかでき、昇降部30に掛かる負荷を低減することができる。   The material for forming the level block 26 may be appropriately selected according to the material of the support plate 2 that is in contact with it. For example, a resin (engineering plastic or the like) can be used. The level block 26 is more preferably formed by using an aromatic polyether ketone, which is an engineering plastic. Among the aromatic polyether ketones, the polyether ether ketone (PEEK) having an aromatic group and an aromatic group are included. Polyether ketone ketone (PEKK) having an aromatic group and polyether ether ketone ketone (PEEKK) having an aromatic group are preferred, and PEEK is most preferred. Thereby, for example, when the upper surface of the support plate 2 made of glass comes into contact, the support plate 2 can be prevented from being damaged. Moreover, the level block 26 can be reduced in weight, and the load concerning the raising / lowering part 30 can be reduced.

(1.5)その他の構成
本実施形態1の支持体分離装置10には、上述した各構成以外に構成を具備する。例えば、スライド駆動部25が移動させるクランプ23の夫々の位置を検知する位置センサ(不図示)を具備する。
(1.5) Other configurations The support separating apparatus 10 according to the first embodiment includes configurations in addition to the configurations described above. For example, a position sensor (not shown) that detects each position of the clamp 23 that the slide drive unit 25 moves is provided.

位置センサは、磁気センサによって構成され、クランプ23に固定したマグネットと、クランプ23のスライド移動とともに移動する当該マグネットの変位を検知する二つのセンサヘッドとを有して構成されている。例えば、二つのセンサヘッドは、各々の位置を基準とし、二つのセンサヘッドの間の距離を、例えば、0〜100の値でスケーリングする。例えば、二つのセンサヘッドの間の距離を数mm程度に設定すると、クランプ23の位置をμmオーダーで判定することができる。このスケーリング値に基づき、二つのセンサヘッドは、マグネットの位置を判定する。これにより、マグネットと同時に等しい距離を移動するクランプ23の位置を正確に判定することができる。より具体的には、スケーリング値の範囲別に、クランプ23がサポートプレート2の外周端部を把持する前の位置に配置されているか、クランプ23がサポートプレート2の外周端部を把持しているか、又は、クランプ23がサポートプレート2の外周端部を把持し損ねているかを判定する。例えば、0〜100の範囲でスケーリングされた値の60よりも大きい値を示すとき、クランプ23がサポートプレート2の外周端部を把持する前の位置に配置され、10よりも大きく60以下の値を示すとき、クランプ23がサポートプレート2の外周端部を把持することができる位置に配置され、0以上、10以下の値を示すとき、クランプ23がサポートプレート2の外周端部を把持することができる位置よりも内側に配置されていることを判定することができる。   The position sensor is configured by a magnetic sensor, and includes a magnet fixed to the clamp 23 and two sensor heads that detect displacement of the magnet that moves as the clamp 23 slides. For example, the two sensor heads scale the distance between the two sensor heads with a value of 0 to 100, for example, with respect to each position. For example, if the distance between the two sensor heads is set to about several mm, the position of the clamp 23 can be determined on the order of μm. Based on this scaling value, the two sensor heads determine the position of the magnet. Thereby, the position of the clamp 23 which moves the same distance simultaneously with the magnet can be accurately determined. More specifically, according to the range of the scaling value, whether the clamp 23 is disposed at a position before gripping the outer peripheral end of the support plate 2, or whether the clamp 23 grips the outer peripheral end of the support plate 2, Alternatively, it is determined whether the clamp 23 fails to grip the outer peripheral end of the support plate 2. For example, when showing a value larger than 60, which is a scaled value in the range of 0 to 100, the clamp 23 is disposed at a position before gripping the outer peripheral end of the support plate 2 and is a value greater than 10 and less than or equal to 60. When the clamp 23 is disposed at a position where the outer peripheral end portion of the support plate 2 can be gripped, and the value of 0 or more and 10 or less, the clamp 23 grips the outer peripheral end portion of the support plate 2. It can be determined that it is arranged inside the position where the

本実施形態1の支持体分離装置10には、他にも、気体噴出部24の気体の噴出を制御したり、昇降部30やスライド駆動部25を制御したりする制御部を具備する。   In addition, the support body separating apparatus 10 according to the first embodiment includes a control unit that controls the gas ejection of the gas ejection unit 24 and controls the elevating unit 30 and the slide driving unit 25.

なお、本実施形態1では、クランプ23および気体噴出部24の配設数がプレート部21の外周に沿って4箇所となっている。しかしながら、本発明はこの配設数に限定されるものではない。積層体100のサポートプレート2を把持して持ち上げることができればよく、クランプ23がプレート部21の外周に1箇所のみ配設されていてもよい。なお、複数個所に配設されている場合には、それらはプレート部21の外周に沿って等間隔に配設されていることが好ましい。   In the first embodiment, the number of the clamps 23 and the gas ejection portions 24 is four along the outer periphery of the plate portion 21. However, the present invention is not limited to this number of arrangements. It is only necessary that the support plate 2 of the laminated body 100 can be gripped and lifted, and the clamp 23 may be provided at only one place on the outer periphery of the plate portion 21. In addition, when arrange | positioned in several places, it is preferable that they are arrange | positioned along the outer periphery of the plate part 21 at equal intervals.

また、本実施形態1では、各クランプに二つの傾斜面23bが設けられているが、一方の傾斜面23bのみが設けられている場合であってもサポートプレート2の外周部分を持ち上げることは可能である。   In the first embodiment, each of the clamps is provided with the two inclined surfaces 23b. However, the outer peripheral portion of the support plate 2 can be lifted even when only one inclined surface 23b is provided. It is.

<2.支持体分離方法>
以上の構成を具備する支持体分離装置10によって積層体100からサポートプレート2を分離する方法(支持体分離方法)を説明する。
<2. Support Separation Method>
A method for separating the support plate 2 from the laminated body 100 by the support separating apparatus 10 having the above configuration (support separating method) will be described.

本実施形態1における支持体分離方法は、基板を固定し、少なくとも一つの把持部によってサポートプレート2の外周端部を把持して持ち上げることで、基板1とサポートプレート2との間に隙間を形成する隙間形成工程と、隙間7が形成された面の裏面からサポートプレート2を吸着保持して持ち上げることで、隙間7を維持する隙間維持工程と、隙間維持工程後、隙間7から積層体100の内部に向かって、クランプ23が備えている気体噴出部24から気体を噴出することで、積層体100からサポートプレート2を分離する分離工程と、を包含している。   The support separating method according to the first embodiment forms a gap between the substrate 1 and the support plate 2 by fixing the substrate and gripping and lifting the outer peripheral end portion of the support plate 2 with at least one gripping portion. The gap forming step, the gap maintaining step for maintaining the gap 7 by lifting and holding the support plate 2 from the back surface of the surface on which the gap 7 is formed, and the gap 100 after the gap maintaining step. A separation step of separating the support plate 2 from the laminate 100 by ejecting gas from the gas ejection part 24 provided in the clamp 23 toward the inside.

図5(a)〜図5(e)は、本実施形態1の支持体分離方法を説明する図である。なお、図5(a)〜図5(e)は、図1(b)と同じ方向からみた断面図である。なお、図5(a)〜図5(e)では、昇降部30の図示を省略している。   FIG. 5A to FIG. 5E are diagrams illustrating the support separating method according to the first embodiment. 5A to 5E are cross-sectional views seen from the same direction as FIG. 1B. In addition, illustration of the raising / lowering part 30 is abbreviate | omitted in Fig.5 (a)-FIG.5 (e).

図5(a)には、光照射工程として図1(b)に示す光照射部40によって分離層4の外周端部が変質して領域4aが形成されている積層体100が、ポーラス部51によってステージ50に吸着している状態を示している。この状態において、クランプ23および気体噴出部24が、積層体100の外周端部の外側に位置するように保持部20の位置が調節されている。なお、この状態において、レベルブロック26もサポートプレート2の上面に当接しており、吸着パッド22は、サポートプレート2の上面を吸着保持している。   In FIG. 5A, a laminated body 100 in which the outer peripheral end portion of the separation layer 4 is altered by the light irradiation portion 40 shown in FIG. Shows the state of being attracted to the stage 50. In this state, the position of the holding portion 20 is adjusted so that the clamp 23 and the gas ejection portion 24 are located outside the outer peripheral end portion of the stacked body 100. In this state, the level block 26 is also in contact with the upper surface of the support plate 2, and the suction pad 22 holds the upper surface of the support plate 2 by suction.

次に、図5(b)に示すように、クランプ23および気体噴出部24が、スライド駆動部25によってスライド移動して積層体100に近づき、クランプ23の傾斜面23bが、サポートプレート2の外周端部における面取り部位2aの下側(領域4a側)に接触する。   Next, as shown in FIG. 5B, the clamp 23 and the gas ejection part 24 are slid by the slide driving part 25 and approach the laminated body 100, and the inclined surface 23 b of the clamp 23 is the outer periphery of the support plate 2. It contacts the lower side (region 4a side) of the chamfered portion 2a at the end.

そして、図5(b)の状態からクランプ23および気体噴出部24が更にスライド移動することにより、図5(c)に示すように、サポートプレート2の面取り部位2aが傾斜面23bによって領域4aから離れる方向に持ち上がる。この状態において、サポートプレート2における領域4aに対向している領域(面取り部位2aも含む)と、領域4aとの間には隙間7が形成される(隙間形成工程)。なお、図5(c)に示す状態において、クランプ23が、スライド移動するだけでなく、僅かに上昇することによって、隙間7を形成してもよい。   Then, when the clamp 23 and the gas ejection portion 24 are further slid from the state of FIG. 5B, the chamfered portion 2a of the support plate 2 is moved from the region 4a by the inclined surface 23b as shown in FIG. 5C. Lifts away. In this state, a gap 7 is formed between a region (including the chamfered portion 2a) of the support plate 2 facing the region 4a and the region 4a (gap forming step). In addition, in the state shown in FIG.5 (c), the clamp 23 may form the clearance gap 7 not only by sliding but also raising a little.

続いて、図5(d)に示すように、クランプ23および気体噴出部24がスライド駆動部25による駆動を受けて積層体100から離れる方向にスライド移動する。この状態では、クランプ23の傾斜面23bと、サポートプレート2の面取り部位2aとが離間しても、吸着パッド22が吸着し続けているためサポートプレート2の面取り部位2aは持ち上がった状態を維持しており、隙間7が維持される(隙間維持工程)。   Subsequently, as illustrated in FIG. 5D, the clamp 23 and the gas ejection unit 24 are driven to slide away from the stacked body 100 by being driven by the slide driving unit 25. In this state, even if the inclined surface 23b of the clamp 23 and the chamfered portion 2a of the support plate 2 are separated from each other, the chamfered portion 2a of the support plate 2 is maintained in the raised state because the suction pad 22 continues to be sucked. And the gap 7 is maintained (gap maintaining step).

続いて、図5(e)に示すように、プレート部21が上昇して、吸着パッド22、クランプ23および気体噴出部24の位置が上昇する。これにより、吸着パッド22が吸着しているサポートプレート2の外周端部が更に持ち上がる。この位置に調整されると、気体噴出部24から気体を噴射する(分離工程)。先述のように気体噴出部24(噴出口27)から噴出される気体は、斜め下方向に噴出される。これにより、気体噴出前は分離層4と接していたサポートプレート2の領域近傍に気体が噴出され、サポートプレート2を分離層4から剥離させて分離することができる。分離できたら、ポーラス部51による積層体100のステージ50への吸着を停止し、一連の支持体分離方法を終了する。   Then, as shown in FIG.5 (e), the plate part 21 raises and the position of the suction pad 22, the clamp 23, and the gas ejection part 24 rises. Thereby, the outer peripheral edge part of the support plate 2 to which the suction pad 22 is sucked is further lifted. When adjusted to this position, gas is ejected from the gas ejection part 24 (separation process). As described above, the gas ejected from the gas ejection portion 24 (ejection port 27) is ejected obliquely downward. Thereby, gas is jetted in the vicinity of the region of the support plate 2 that has been in contact with the separation layer 4 before the gas is jetted, and the support plate 2 can be separated from the separation layer 4 to be separated. If it can separate, the adsorption | suction to the stage 50 of the laminated body 100 by the porous part 51 will be stopped, and a series of support body separation methods will be complete | finished.

図6は、気体噴出部24から気体が噴出された状態を、積層体100の上面視において示す図である。説明の便宜上、プレート部21等の構成は図示を省略している。   FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which gas is ejected from the gas ejection part 24 in a top view of the stacked body 100. For convenience of explanation, the configuration of the plate portion 21 and the like is not shown.

図6では、4箇所に設けられた気体噴出部24の夫々から気体が噴出されることにより隙間7が積層体100の内側に向かって広がっている様子を示す。図6に示すように、積層体100の外周端部に沿った4箇所において夫々の隙間7が広がることにより、吸着パッド22のみでサポートプレート2を分離する場合に比べて、サポートプレート2に過度の応力が及ぶことなく、サポートプレート2を分離層4から分離することができる。これは、サポートプレート2が薄く構造的に脆い場合に、そのサポートプレート2を破損することなく短時間で首尾よく分離することができるために非常に有利である。   In FIG. 6, a state is shown in which the gap 7 is spread toward the inside of the laminated body 100 by gas being ejected from each of the gas ejection portions 24 provided at four locations. As shown in FIG. 6, the gaps 7 spread at four locations along the outer peripheral edge of the laminated body 100, so that the support plate 2 is excessively separated compared to the case where the support plate 2 is separated only by the suction pad 22. The support plate 2 can be separated from the separation layer 4 without the stress of. This is very advantageous because when the support plate 2 is thin and structurally brittle, it can be successfully separated in a short time without damaging the support plate 2.

以上の一連の動作は、昇降部30、スライド駆動部25および気体噴出部24が図示しない制御部による制御をうけて実現するものである。   The above-described series of operations is realized by the elevating unit 30, the slide driving unit 25, and the gas ejection unit 24 being controlled by a control unit (not shown).

例えば、制御部は、まず、昇降部30を制御することによって、吸着パッド22およびクランプ23を所定の高さまで下降させるとともに、ステージ50のポーラス部51の吸引をONにする。次に、制御部は、スライド駆動部25を制御することによって、クランプ23を内側に向けてスライド移動させて(更にクランプ23を上昇させてもよい)隙間を形成する。次に、吸着パッド22による吸着を開始させる。次に、スライド駆動部25を制御することによって、サポートプレート2の面取り部位2aと離間する位置までクランプ23を外側に向けてスライド移動させる。次いで、制御部は、吸着パッド22による吸着を継続させた状態で、気体噴出部24を制御して気体噴出を開始させ、それと略同時に、昇降部30を制御して吸着パッド22を所定の高さまで上昇させる。   For example, the control unit first controls the elevating unit 30 to lower the suction pad 22 and the clamp 23 to a predetermined height, and turns on the suction of the porous unit 51 of the stage 50. Next, the control unit controls the slide drive unit 25 to slide the clamp 23 inward (the clamp 23 may be further raised) to form a gap. Next, suction by the suction pad 22 is started. Next, by controlling the slide drive unit 25, the clamp 23 is slid outwardly to a position away from the chamfered portion 2 a of the support plate 2. Next, in a state where the suction by the suction pad 22 is continued, the control unit controls the gas ejection unit 24 to start gas ejection, and at substantially the same time, controls the lifting unit 30 to raise the suction pad 22 to a predetermined height. Raise it up.

このような処理は、予め設定されたタイミングチャートに基づいて行ってもよく、あるいはプレート部21の高さや、クランプ23の位置、吸着パッド22の位置をセンシングして、位置を検知しながら制御してもよい。その際には、先述した位置センサを用いることも可能である。   Such processing may be performed based on a preset timing chart, or may be controlled while sensing the position by sensing the height of the plate portion 21, the position of the clamp 23, and the position of the suction pad 22. May be. In that case, it is also possible to use the position sensor mentioned above.

<3.積層体>
図1の(a)に示す、本実施形態に係る支持体分離装置10によりサポートプレート2を分離する積層体100について、詳細に説明する。積層体100は、基板1と、接着層3と、光を吸収することにより変質する分離層4と、光を透過する材料からなるサポートプレート2とをこの順に積層してなる。
<3. Laminate>
The laminated body 100 which isolate | separates the support plate 2 with the support body separation apparatus 10 which concerns on this embodiment shown to (a) of FIG. 1 is demonstrated in detail. The laminated body 100 is formed by laminating a substrate 1, an adhesive layer 3, a separation layer 4 that is altered by absorbing light, and a support plate 2 made of a material that transmits light.

(3.1)基板1
基板1は、接着層3を介して分離層4を設けられたサポートプレート2に貼り付けられる。そして、基板1は、サポートプレート2に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供され得る。基板1としては、シリコンウエハ基板に限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。
(3.1) Substrate 1
The substrate 1 is attached to a support plate 2 provided with a separation layer 4 via an adhesive layer 3. The substrate 1 can be subjected to processes such as thinning and mounting while being supported by the support plate 2. The substrate 1 is not limited to a silicon wafer substrate, and an arbitrary substrate such as a ceramic substrate, a thin film substrate, or a flexible substrate can be used.

なお、当該基板の表面には、構造物、例えば、集積回路、金属バンプ等が実装されていてもよい。   Note that a structure such as an integrated circuit or a metal bump may be mounted on the surface of the substrate.

(3.2)サポートプレート2
サポートプレート2は、基板1を支持する支持体であり、接着層3を介して、基板1に貼り付けられる。そのため、サポートプレート2としては、基板1の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板1の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、分離層を変質させるための光を透過させるものであればよい。以上の観点から、サポートプレート2としては、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるもの等が挙げられる。
(3.2) Support plate 2
The support plate 2 is a support that supports the substrate 1, and is attached to the substrate 1 through the adhesive layer 3. Therefore, the support plate 2 only needs to have a strength necessary for preventing damage or deformation of the substrate 1 during processes such as thinning, transporting, and mounting of the substrate 1. Moreover, what is necessary is just to be able to permeate | transmit the light for changing a separated layer. From the above viewpoint, examples of the support plate 2 include those made of glass, silicon, and acrylic resin.

なお、サポートプレート2は、300〜1000μmの厚さのものを用いることができる。本実施形態に係る支持体分離方法によれば、このように、厚さが薄いサポートプレート2(支持体)であっても、当該サポートプレート2が破損することを防止しつつ、積層体から好適に分離することができる。   Note that the support plate 2 having a thickness of 300 to 1000 μm can be used. According to the support separating method according to the present embodiment, even if the support plate 2 (support) having a small thickness is used in this way, the support plate 2 is preferably prevented from being damaged and is preferably used from the laminate. Can be separated.

(3.3)接着層3
接着層3は、基板1とサポートプレート2とを貼り付けるために用いられる。
(3.3) Adhesive layer 3
The adhesive layer 3 is used for attaching the substrate 1 and the support plate 2.

接着層3を形成するための接着剤には、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー、ポリサルホン系等の、当該分野において公知の種々の接着剤を用いることができ、ポリサルホン系樹脂、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等をより好ましく用いることができる。   For the adhesive for forming the adhesive layer 3, for example, various adhesives known in the art such as acrylic, novolac, naphthoquinone, hydrocarbon, polyimide, elastomer, polysulfone, etc. are used. A polysulfone resin, a hydrocarbon resin, an acrylic-styrene resin, a maleimide resin, an elastomer resin, or a combination thereof can be more preferably used.

接着層3の厚さは、貼り付けの対象となる基板1およびサポートプレート2の種類、貼り付け後の基板1に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、10〜150μmの範囲内であることが好ましく、15〜100μmの範囲内であることがより好ましい。   The thickness of the adhesive layer 3 may be appropriately set according to the type of the substrate 1 and the support plate 2 to be attached, the treatment applied to the substrate 1 after being attached, etc., but in the range of 10 to 150 μm. Is preferably within the range of 15 to 100 μm.

接着層3は、基板1とサポートプレート2とを貼り付けるために用いられる。接着層3は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により接着剤を塗布することによって形成することができる。また、接着層3は、例えば、接着剤を直接、基板1に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム(いわゆる、ドライフィルム)を、基板1に貼付することで形成してもよい。   The adhesive layer 3 is used for attaching the substrate 1 and the support plate 2. The adhesive layer 3 can be formed by applying an adhesive by a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating, slit coating, or the like. In addition, the adhesive layer 3 is formed, for example, by pasting a film (so-called dry film) in which an adhesive is previously applied on both sides to the substrate 1 instead of directly applying the adhesive to the substrate 1. May be.

接着層3は、基板1とサポートプレート2とを貼り付けるために用いられる接着剤によって形成される層である。   The adhesive layer 3 is a layer formed by an adhesive used for attaching the substrate 1 and the support plate 2.

接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が使用可能である。   As the adhesive, various adhesives known in the art such as acrylic, novolak, naphthoquinone, hydrocarbon, polyimide, and elastomer can be used.

以下、接着層3が含有する樹脂の組成について説明する。   Hereinafter, the composition of the resin contained in the adhesive layer 3 will be described.

接着層3が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。   The resin contained in the adhesive layer 3 may be any resin having adhesiveness. For example, a hydrocarbon resin, an acrylic-styrene resin, a maleimide resin, an elastomer resin, a polysulfone resin, or a combination thereof. And the like.

(炭化水素樹脂)
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
(Hydrocarbon resin)
The hydrocarbon resin is a resin that has a hydrocarbon skeleton and is obtained by polymerizing a monomer composition. As the hydrocarbon resin, cycloolefin polymer (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and at least one resin selected from the group consisting of terpene resin, rosin resin and petroleum resin (hereinafter referred to as “resin (A)”). Resin (B) ”), and the like, but is not limited thereto.

樹脂(A)としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環(共)重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加(共)重合させた樹脂等が挙げられる。   The resin (A) may be a resin obtained by polymerizing a monomer component containing a cycloolefin monomer. Specific examples include a ring-opening (co) polymer of a monomer component containing a cycloolefin monomer, and a resin obtained by addition (co) polymerization of a monomer component containing a cycloolefin monomer.

樹脂(A)を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチル等)置換体、アルケニル(ビニル等)置換体、アルキリデン(エチリデン等)置換体、アリール(フェニル、トリル、ナフチル等)置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。   Examples of the cycloolefin monomer contained in the monomer component constituting the resin (A) include bicyclic compounds such as norbornene and norbornadiene, tricyclic compounds such as dicyclopentadiene and hydroxydicyclopentadiene, and tetracyclodone. Tetracycles such as decene, pentacycles such as cyclopentadiene trimer, heptacycles such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) substitutes of these polycycles, alkenyl (vinyl) Etc.) Substitutes, alkylidene (ethylidene, etc.) substitutes, aryl (phenyl, tolyl, naphthyl, etc.) substitutes and the like. Among these, norbornene-based monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl-substituted products thereof are particularly preferable.

樹脂(A)を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。   The monomer component constituting the resin (A) may contain another monomer copolymerizable with the above-described cycloolefin-based monomer, and preferably contains, for example, an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, α-olefin and the like. The alkene monomer may be linear or branched.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性(低い熱分解、熱重量減少性)の観点から好ましい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、5モル%以上であることが好ましく、10モル%以上であることがより好ましく、20モル%以上であることがさらに好ましい。また、樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性および溶液での経時安定性の観点からは80モル%以下であることが好ましく、70モル%以下であることがより好ましい。   Moreover, it is preferable from a viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition and thermal weight reduction property) to contain a cycloolefin monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and further preferably 20 mol% or more. preferable. Further, the ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability over time in a solution, More preferably, it is 70 mol% or less.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性および柔軟性の観点からは10〜90モル%であることが好ましく、20〜85モル%であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましい。   Moreover, you may contain a linear or branched alkene monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the alkene monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility. 30 to 80 mol% is more preferable.

なお、樹脂(A)は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。   The resin (A) is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, at high temperatures. It is preferable for suppressing generation of gas.

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。   The polymerization method and polymerization conditions for polymerizing the monomer components are not particularly limited, and may be set as appropriate according to conventional methods.

樹脂(A)として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS」、三井化学株式会社製の「APEL」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR」および「ZEONEX」、JSR株式会社製の「ARTON」等が挙げられる。   Examples of commercially available products that can be used as the resin (A) include “TOPAS” manufactured by Polyplastics Co., Ltd., “APEL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., “ZEONOR” and “ZEONEX” manufactured by Zeon Corporation. And “ARTON” manufactured by JSR Corporation.

樹脂(A)のガラス転移温度(Tg)は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることが特に好ましい。樹脂(A)のガラス転移温度が60℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層3の軟化をさらに抑制することができる。   The glass transition temperature (Tg) of the resin (A) is preferably 60 ° C. or higher, and particularly preferably 70 ° C. or higher. When the glass transition temperature of the resin (A) is 60 ° C. or higher, softening of the adhesive layer 3 can be further suppressed when the laminate is exposed to a high temperature environment.

樹脂(B)は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。   The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of terpene resins, rosin resins and petroleum resins. Specifically, examples of the terpene resin include terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, hydrogenated terpene phenol resins, and the like. Examples of the rosin resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. Examples of petroleum resins include aliphatic or aromatic petroleum resins, hydrogenated petroleum resins, modified petroleum resins, alicyclic petroleum resins, coumarone-indene petroleum resins, and the like. Among these, hydrogenated terpene resins and hydrogenated petroleum resins are more preferable.

樹脂(B)の軟化点は特に限定されないが、80〜160℃であることが好ましい。樹脂(B)の軟化点が80〜160℃であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。   Although the softening point of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 80-160 degreeC. When the softening point of the resin (B) is 80 to 160 ° C., the laminate can be prevented from being softened when exposed to a high-temperature environment, and adhesion failure does not occur.

樹脂(B)の重量平均分子量は特に限定されないが、300〜3,000であることが好ましい。樹脂(B)の重量平均分子量が300以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂(B)の重量平均分子量が3,000以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後の基板上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂(B)の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。   Although the weight average molecular weight of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 300-3,000. When the weight average molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance is sufficient, and the degassing amount is reduced in a high temperature environment. On the other hand, when the weight average molecular weight of the resin (B) is 3,000 or less, the dissolution rate of the adhesive layer in the hydrocarbon solvent is good. For this reason, the residue of the adhesive layer on the substrate after separating the support can be quickly dissolved and removed. In addition, the weight average molecular weight of resin (B) in this embodiment means the molecular weight of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).

なお、樹脂として、樹脂(A)と樹脂(B)とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂(A)と樹脂(B)との混合割合としては、(A):(B)=80:20〜55:45(質量比)であることが、高温環境時の熱耐性、および柔軟性に優れるので好ましい。   In addition, you may use what mixed resin (A) and resin (B) as resin. By mixing, heat resistance becomes good. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is (A) :( B) = 80: 20 to 55:45 (mass ratio), and heat resistance in a high temperature environment, and It is preferable because of its excellent flexibility.

(アクリル−スチレン系樹脂)
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
(Acrylic-styrene resin)
Examples of the acrylic-styrene resin include a resin obtained by polymerization using styrene or a styrene derivative and (meth) acrylic acid ester as monomers.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数15〜20のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がn−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。   Examples of the (meth) acrylic acid ester include a (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure, a (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and a (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring. . Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having 15 to 20 carbon atoms and an acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms. . As acrylic long-chain alkyl esters, acrylic or methacrylic acid whose alkyl group is n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group, etc. Examples include alkyl esters. The alkyl group may be branched.

炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。   Examples of the acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in existing acrylic adhesives. For example, an alkyl group of acrylic acid or methacrylic acid in which the alkyl group is a methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, 2-ethylhexyl group, isooctyl group, isononyl group, isodecyl group, dodecyl group, lauryl group, tridecyl group, etc. Examples include esters.

脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、テトラシクロドデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートがより好ましい。   Examples of (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl. (Meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and the like can be mentioned, and isobornyl methacrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are more preferable.

芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。   The (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring is not particularly limited. Examples of the aromatic ring include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. A phenoxymethyl group, a phenoxyethyl group, and the like. The aromatic ring may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.

(マレイミド系樹脂)
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−n−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−n−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−sec−ブチルマレイミド、N−tert−ブチルマレイミド、N−n−ペンチルマレイミド、N−n−ヘキシルマレイミド、N−n−へプチルマレイミド、N−n−オクチルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−m−メチルフェニルマレイミド、N−o−メチルフェニルマレイミド、N−p−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
(Maleimide resin)
Examples of maleimide resins include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, Nn-butylmaleimide, N-isobutylmaleimide, N-sec as monomers. -Butylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, Nn-pentylmaleimide, Nn-hexylmaleimide, Nn-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-stearylmaleimide, etc. Male having an aliphatic hydrocarbon group such as maleimide having an alkyl group, N-cyclopropylmaleimide, N-cyclobutylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-cycloheptylmaleimide, N-cyclooctylmaleimide A resin obtained by polymerizing an aromatic maleimide having an aryl group such as N, N-phenylmaleimide, Nm-methylphenylmaleimide, N-o-methylphenylmaleimide, and Np-methylphenylmaleimide. It is done.

例えば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位および下記化学式(2)で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

Figure 2018014361
(化学式(2)中、nは0又は1〜3の整数である。)
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、APL 8008T、APL 8009T、およびAPL 6013T(全て三井化学株式会社製)等を使用することができる。 For example, a cycloolefin copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (2) can be used as the resin of the adhesive component.
Figure 2018014361
(In chemical formula (2), n is 0 or an integer of 1 to 3)
As such cycloolefin copolymer, APL 8008T, APL 8009T, APL 6013T (all manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and the like can be used.

(エラストマー)
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であることが好ましい。
(Elastomer)
The elastomer preferably contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain, and the “styrene unit” may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group. Further, the content of the styrene unit is more preferably in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less. Furthermore, the elastomer preferably has a weight average molecular weight in the range of 10,000 to 200,000.

スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量および重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤(例えばPGMEA、PGME等)、酸(フッ化水素酸等)、アルカリ(TMAH等)に対して優れた耐性を発揮する。   If the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less, and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, the hydrocarbon solvent described later Therefore, the adhesive layer can be removed more easily and quickly. Further, since the content of the styrene unit and the weight average molecular weight are within the above ranges, a resist solvent (eg, PGMEA, PGME, etc.), acid (hydrogen fluoride) exposed when the wafer is subjected to a resist lithography process. Acid, etc.) and alkali (TMAH etc.).

なお、エラストマーには、上述した(メタ)アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。   In addition, you may further mix the (meth) acrylic acid ester mentioned above with the elastomer.

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは17重量%以上であり、また、より好ましくは40重量%以下である。   Further, the content of styrene units is more preferably 17% by weight or more, and more preferably 40% by weight or less.

重量平均分子量のより好ましい範囲は20,000以上であり、また、より好ましい範囲は150,000以下である。   A more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and a more preferable range is 150,000 or less.

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロックコポリマー(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー(SIS)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー(SBS)、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SBBS)、および、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SEBS)、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー)(SEPS)、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SEEPS)、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SeptonV9461(株式会社クラレ製)、SeptonV9475(株式会社クラレ製))、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、SeptonV9827(株式会社クラレ製))、ポリスチレン−ポリ(エチレン−エチレン/プロピレン)ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー(SEEPS−OH:末端水酸基変性)等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量および重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。   As the elastomer, various elastomers can be used as long as the content of styrene units is in the range of 14% by weight to 50% by weight and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 to 200,000. Can be used. For example, polystyrene-poly (ethylene / propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymer (SBBS). And hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) (SEPS), styrene-ethylene-ethylene- Propylene-styrene block copolymer (SEEPS), styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer in which styrene blocks are reactively crosslinked (Septon V 9461 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), Septon V 9475 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.)), Septon V9827 (Co., Ltd., which has a reactive cross-linked styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (reactive polystyrene hard block) Kuraray)), polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene block copolymer (SEEPS-OH: terminal hydroxyl group modification), and the like. An elastomer having a styrene unit content and a weight average molecular weight within the above ranges can be used.

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。   Of the elastomers, hydrogenated products are more preferable. If it is a hydrogenated product, the stability to heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Moreover, it is more preferable from the viewpoint of solubility in hydrocarbon solvents and resistance to resist solvents.

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。   Further, among elastomers, those having both ends of a styrene block polymer are more preferable. This is because styrene having high thermal stability is blocked at both ends, thereby exhibiting higher heat resistance.

より具体的には、エラストマーは、スチレンおよび共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。   More specifically, the elastomer is more preferably a hydrogenated block copolymer of styrene and conjugated diene. Stability against heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Moreover, higher heat resistance is exhibited by blocking styrene having high thermal stability at both ends. Furthermore, it is more preferable from the viewpoint of solubility in hydrocarbon solvents and resistance to resist solvents.

接着層3を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン(商品名)」、株式会社クラレ製「ハイブラー(商品名)」、旭化成株式会社製「タフテック(商品名)」、JSR株式会社製「ダイナロン(商品名)」等が挙げられる。   Examples of commercially available products that can be used as an elastomer included in the adhesive constituting the adhesive layer 3 include “Kepte (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd., “Hibler (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd. “Tuff Tech (trade name)” manufactured by JSR Corporation, “Dynalon (trade name)” manufactured by JSR Corporation, and the like can be mentioned.

接着層3を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を100重量部として、50重量部以上、99重量部以下の範囲内が好ましく、60重量部以上、99重量部以下の範囲内がより好ましく、70重量部以上、95重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。   The content of the elastomer contained in the adhesive constituting the adhesive layer 3 is, for example, preferably in the range of 50 parts by weight or more and 99 parts by weight or less, with the total amount of the adhesive composition being 100 parts by weight, and 60 parts by weight or more. The range of 99 parts by weight or less is more preferable, and the range of 70 parts by weight or more and 95 parts by weight or less is most preferable. By setting it within these ranges, the wafer and the support can be suitably bonded together while maintaining the heat resistance.

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層3を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層3を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が30重量%である株式会社クラレ製のセプトン(商品名)のSepton4033と、スチレン単位の含有量が13重量%であるセプトン(商品名)のSepton2063とを重量比1対1で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は21〜22重量%となり、従って14重量%以上となる。また、例えば、スチレン単位が10重量%のものと60重量%のものとを重量比1対1で混合すると35重量%となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層3を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。   A plurality of types of elastomers may be mixed. That is, the adhesive constituting the adhesive layer 3 may include a plurality of types of elastomers. It is sufficient that at least one of the plurality of types of elastomers includes a styrene unit as a constituent unit of the main chain. Further, at least one of the plurality of types of elastomers has a styrene unit content in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less, or a weight average molecular weight of 10,000 or more and 200,000 or less. If it is within the range, it is within the scope of the present invention. Moreover, when the adhesive agent which comprises the contact bonding layer 3 contains several types of elastomers, you may adjust so that content of a styrene unit may become in said range as a result of mixing. For example, Septon 4033 of Septon (trade name) manufactured by Kuraray Co., Ltd. having a styrene unit content of 30% by weight and Septon 2063 of Septon (trade name) having a styrene unit content of 13% by weight is 1 weight ratio. When mixed in a one-to-one relationship, the styrene content with respect to the total elastomer contained in the adhesive is 21 to 22% by weight, and therefore 14% by weight or more. For example, when a styrene unit of 10% by weight and 60% by weight are mixed at a weight ratio of 1: 1, it becomes 35% by weight and falls within the above range. The present invention may be in such a form. Moreover, it is most preferable that the plurality of types of elastomers contained in the adhesive constituting the adhesive layer 3 all contain styrene units within the above range and have a weight average molecular weight within the above range.

なお、光硬化性樹脂(例えば、UV硬化性樹脂)以外の樹脂を用いて接着層3を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層3の剥離又は除去の後に、基板1の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層3を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板1に物理的な力を加えることなく、接着層3を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層3の除去に際して、強度が低下した基板1からでさえ、基板1を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層3を除去することができる。   Note that the adhesive layer 3 is preferably formed using a resin other than a photocurable resin (for example, a UV curable resin). By using a resin other than the photocurable resin, it is possible to prevent a residue from remaining around the minute unevenness of the substrate 1 after the adhesive layer 3 is peeled or removed. In particular, the adhesive constituting the adhesive layer 3 is preferably not soluble in any solvent but soluble in a specific solvent. This is because the adhesive layer 3 can be removed by dissolving it in a solvent without applying physical force to the substrate 1. When removing the adhesive layer 3, the adhesive layer 3 can be easily removed without damaging or deforming the substrate 1 even from the substrate 1 whose strength has been reduced.

(ポリサルホン系樹脂)
接着層3を形成するための接着剤は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層3をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、高温において積層体を処理しても、その後の工程において接着層を溶解し、基板からサポートプレートを剥離することが可能な積層体を製造することができる。接着層3がポリサルホン樹脂を含んでいれば、例えば、アニーリング等により積層体を300℃以上という高温で処理する高温プロセスにおいても、積層体を好適に用いることができる。
(Polysulfone resin)
The adhesive for forming the adhesive layer 3 may contain a polysulfone resin. By forming the adhesive layer 3 from a polysulfone-based resin, a laminate capable of dissolving the adhesive layer in a subsequent process and peeling the support plate from the substrate even if the laminate is processed at a high temperature is manufactured. Can do. If the adhesive layer 3 contains a polysulfone resin, the laminate can be suitably used even in a high temperature process in which the laminate is processed at a high temperature of 300 ° C. or higher by annealing or the like.

ポリサルホン系樹脂は、下記一般式(3)で表される構成単位、および、下記一般式(4)で表される構成単位のうちの少なくとも1種の構成単位からなる構造を有している。

Figure 2018014361
(ここで、一般式(3)のR、RおよびR、並びに一般式(4)中のRおよびRは、それぞれ独立してフェニレン基、ナフチレン基およびアントリレン基からなる群より選択され、X’は、炭素数が1以上、3以下のアルキレン基である。)
ポリサルホン系樹脂は、式(3)で表されるポリサルホン構成単位および式(4)で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも一つを備えていることによって、基板1とサポートプレート2とを貼り付けた後、高い温度条件において基板1を処理しても、分解および重合等により接着層3が不溶化することを防止することができる積層体を形成することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記式(3)で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。このため、洗浄後の基板1に接着層に起因する残渣が発生することを防止することができる。 The polysulfone-based resin has a structure composed of at least one structural unit selected from the structural unit represented by the following general formula (3) and the structural unit represented by the following general formula (4).
Figure 2018014361
(Wherein, R 1 and R 2 of R 1, R 2 and R 3, as well as the general formula (4) of the general formula (3) are each independently a phenylene group, from the group consisting of naphthylene group and an anthrylene group And X ′ is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.)
The polysulfone-based resin includes at least one of the polysulfone constituent unit represented by the formula (3) and the polyethersulfone constituent unit represented by the formula (4), whereby the substrate 1 and the support plate 2 are provided. Then, even if the substrate 1 is processed under a high temperature condition, a laminate that can prevent the adhesive layer 3 from being insolubilized due to decomposition, polymerization, or the like can be formed. The polysulfone resin is stable even when heated to a higher temperature as long as it is a polysulfone resin composed of a polysulfone structural unit represented by the above formula (3). For this reason, it can prevent that the residue resulting from an contact bonding layer generate | occur | produces in the board | substrate 1 after washing | cleaning.

ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、30,000以上、70,000以下の範囲内であることが好ましく、30,000以上、50,000以下の範囲内であることがより好ましい。ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量(Mw)が、30,000以上の範囲内であれば、例えば、300℃以上の高い温度において用いることができる接着剤組成物を得ることができる。また、ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量(Mw)が、70,000以下の範囲内であれば、溶剤によって好適に溶解することができる。つまり、溶剤によって好適に除去することができる接着剤組成物を得ることができる。   The weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone-based resin is preferably in the range of 30,000 to 70,000, and more preferably in the range of 30,000 to 50,000. If the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone-based resin is within a range of 30,000 or more, an adhesive composition that can be used at a high temperature of 300 ° C. or more can be obtained. Moreover, if the weight average molecular weight (Mw) of polysulfone-type resin is in the range of 70,000 or less, it can melt | dissolve suitably with a solvent. That is, an adhesive composition that can be suitably removed with a solvent can be obtained.

(希釈溶剤)
接着層3を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d−リモネン、l−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
(Diluted solvent)
Examples of the diluting solvent used when forming the adhesive layer 3 include hexane, heptane, octane, nonane, isononane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, tridecane, etc. 15 branched chain hydrocarbons, for example, cyclic hydrocarbons such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, naphthalene, decahydronaphthalene, tetrahydronaphthalene, p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1, 4-terpine, 1,8-terpine, bornin, norbornane, pinan, tujan, karan, longifolene, geraniol, nerol, linalool, citral, citronellol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ- Lupineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineole, 1,8-cineole, borneol, carvone, yonon, thuyon, camphor, d-limonene, l-limonene, Terpene solvents such as dipentene; lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene Polyhydric alcohols such as glycol and dipropylene glycol; ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate A compound having an ester bond such as a monoalkyl ether such as a monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether or monobutyl ether of the polyhydric alcohol or the compound having an ester bond, or an ether bond such as a monophenyl ether. Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds (in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred); cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; Include ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetole, the aromatic organic solvent such as butyl phenyl ether.

(その他の成分)
接着層3を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤および界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
(Other ingredients)
The adhesive constituting the adhesive layer 3 may further contain other miscible materials as long as the essential properties are not impaired. For example, various conventional additives such as additional resins, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, thermal polymerization inhibitors and surfactants for improving the performance of the adhesive may be further used. it can.

(3.4)分離層4
次に、分離層4とは、サポートプレート2を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。また、図5(e)に示すように、基板1とサポートプレート2との間に設けられた隙間から積層体100の内部に向かって流体を噴射したとき、領域4a以外の領域における分離層4も破壊される。
(3.4) Separation layer 4
Next, the separation layer 4 is a layer formed of a material that is altered by absorbing light irradiated through the support plate 2. Further, as shown in FIG. 5E, when the fluid is ejected from the gap provided between the substrate 1 and the support plate 2 toward the inside of the laminate 100, the separation layer 4 in a region other than the region 4a. Will also be destroyed.

分離層4の厚さは、例えば、0.05μm以上、50μm以下の範囲内であることがより好ましく、0.3μm以上、1μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層4の厚さが0.05μm以上、50μm以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射および低エネルギーの光の照射によって、分離層4に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層4の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。   For example, the thickness of the separation layer 4 is more preferably in the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, and further preferably in the range of 0.3 μm or more and 1 μm or less. If the thickness of the separation layer 4 is in the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, desired alteration can be caused in the separation layer 4 by irradiation with light for a short time and irradiation with low energy light. . The thickness of the separation layer 4 is particularly preferably within a range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

なお、積層体100において、分離層4とサポートプレート2との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層4への光の入射を妨げることなく、積層体100に好ましい性質等を付与する層を、適宜追加することができる。分離層4を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層4を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。   In the laminate 100, another layer may be further formed between the separation layer 4 and the support plate 2. In this case, the other layer should just be comprised from the material which permeate | transmits light. Accordingly, a layer imparting preferable properties and the like to the stacked body 100 can be appropriately added without hindering the incidence of light on the separation layer 4. The wavelength of light that can be used differs depending on the type of material constituting the separation layer 4. Therefore, the material constituting the other layer does not need to transmit all light, and can be appropriately selected from materials capable of transmitting light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 4.

また、分離層4は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層4を形成してもよい。また、分離層4における接着層3に対向する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、分離層4の形成が容易に行なえ、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。   The separation layer 4 is preferably formed only from a material having a structure that absorbs light, but the material does not have a structure that absorbs light as long as the essential characteristics of the present invention are not impaired. May be added to form the separation layer 4. In addition, it is preferable that the surface of the separation layer 4 facing the adhesive layer 3 is flat (no irregularities are formed), so that the separation layer 4 can be easily formed and even when pasted. It becomes possible to paste on.

(フルオロカーボン)
分離層4は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層4は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。分離層4を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
(Fluorocarbon)
The separation layer 4 may be made of a fluorocarbon. Since the separation layer 4 is composed of fluorocarbon, the separation layer 4 is altered by absorbing light. As a result, the separation layer 4 loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 2 or the like), the separation layer 4 is broken, and the support plate 2 and the substrate 1 can be easily separated. The fluorocarbon constituting the separation layer 4 can be suitably formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層4に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層4における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。   The fluorocarbon absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in a range that is absorbed by the fluorocarbon used in the separation layer 4, the fluorocarbon can be suitably altered. The light absorption rate in the separation layer 4 is preferably 80% or more.

分離層4に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の範囲のものを用いることができる。 The light applied to the separation layer 4 is a liquid such as a solid-state laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, or a fiber laser, or a dye laser, depending on the wavelength that can be absorbed by the fluorocarbon. A gas laser such as a laser, a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, or a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, or a non-laser beam may be used as appropriate. The wavelength at which the fluorocarbon can be altered is not limited to this, but for example, a wavelength in the range of 600 nm or less can be used.

(光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体)
分離層4は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層4は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
(Polymer containing light-absorbing structure in its repeating unit)
The separation layer 4 may contain a polymer containing a light-absorbing structure in its repeating unit. The polymer is altered by irradiation with light. The alteration of the polymer occurs when the structure absorbs the irradiated light. The separation layer 4 has lost its strength or adhesiveness before being irradiated with light as a result of the alteration of the polymer. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 2 or the like), the separation layer 4 is broken, and the support plate 2 and the substrate 1 can be easily separated.

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。   The above-mentioned structure having light absorptivity is a chemical structure that absorbs light and alters a polymer containing the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group including a conjugated π electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, condensed ring, or heterocyclic ring. More specifically, the structure may be a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure present in the side chain of the polymer.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

Figure 2018014361
(式中、Rはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はN(R)(R)であり(ここで、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)、Zは、存在しないか、又は−CO−、−SO−、−SO−若しくは−NH−であり、nは0又は1〜5の整数である。)
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
Figure 2018014361
(式中、lは1以上の整数であり、mは0又は1〜2の整数であり、Xは、(a)〜(e)において上記の“化3”に示す式のいずれかであり、(f)において上記の“化3”に示す式のいずれかであるか、又は存在せず、YおよびYはそれぞれ独立して、−CO−又はSO−である。lは好ましくは10以下の整数である。)
上記の“化3”に示されるベンゼン環、縮合環および複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレンおよび置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノおよびアリールアミノから選択される。 When the structure is present in the side chain of the polymer, the structure can be represented by the following formula:
Figure 2018014361
(In the formula, each R is independently an alkyl group, aryl group, halogen, hydroxyl group, ketone group, sulfoxide group, sulfone group or N (R 4 ) (R 5 ) (where R 4 and R 5 Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), Z is absent, or is —CO—, —SO 2 —, —SO— or —NH—, and n is 0 or an integer from 1 to 5.)
In addition, the polymer includes, for example, a repeating unit represented by any one of (a) to (d) among the following formulas, is represented by (e), or (f) Contains structure in its main chain.
Figure 2018014361
(In the formula, l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, and X is any one of the formulas shown in the above “Chemical Formula 3” in (a) to (e)). , (F) is any one of the above-mentioned formulas “Chemical Formula 3” or is not present, and Y 1 and Y 2 are each independently —CO— or SO 2 —. Is an integer of 10 or less.)
Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring shown in the above “chemical formula 3” include phenyl, substituted phenyl, benzyl, substituted benzyl, naphthalene, substituted naphthalene, anthracene, substituted anthracene, anthraquinone, substituted anthraquinone, acridine, substituted Examples include acridine, azobenzene, substituted azobenzene, fluoride, substituted fluoride, fluoride, substituted fluoride, carbazole, substituted carbazole, N-alkylcarbazole, dibenzofuran, substituted dibenzofuran, phenanthrene, substituted phenanthrene, pyrene, and substituted pyrene. When the exemplified substituent further has a substituent, the substituent is, for example, alkyl, aryl, halogen atom, alkoxy, nitro, aldehyde, cyano, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxylic acid, Selected from carboxylic esters, sulfonic acids, sulfonic esters, alkylamino and arylamino.

上記の“化3”に示される置換基のうち、フェニル基を二つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,6−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)スルホン、およびビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン等が挙げられる。 Of the substituents represented by “Chemical Formula 3” above, as an example of the fifth substituent having two phenyl groups and Z being —SO 2 —, bis (2, 4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,6-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (2-hydroxyphenyl) sulfone, and bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) sulfone.

上記の“化3”に示される置換基のうち、フェニル基を二つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシ−6−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−6−メチルフェニル)−スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド等が挙げられる。   Of the substituents represented by “Chemical Formula 3” above, as an example of the fifth substituent having two phenyl groups and Z being —SO—, bis (2,3 -Dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,3-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxy-6-methylphenyl) sulfoxide, bis (5 -Chloro-2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3 , 4-Trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3,4-trihydroxy-6-methylpheny ) -Sulfoxide, bis (5-chloro-2,3,4-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,4,6-trihydroxy) Phenyl) sulfoxide and the like.

上記の“化3”に示される置換基のうち、フェニル基を二つ有している5番目の置換基であって、Zが−C(=O)−である場合の例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,5,6’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,6−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−アミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジエチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−4’−メトキシ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、および4−ジメチルアミノ−3’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。   Among the substituents represented by the above “Chemical Formula 3”, the fifth substituent having two phenyl groups and Z is —C (═O) — , 4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 5,6′-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,6-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2 ' -Dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-amino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethyl Ruamino-2′-hydroxybenzophenone, 4-diethylamino-2′-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-4′-methoxy-2′-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2 ′, 4′-dihydroxybenzophenone, and 4 -Dimethylamino-3 ', 4'-dihydroxybenzophenone and the like.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層4の光の透過率が0.001%以上、10%以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層4が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体100からのサポートプレート2の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。   When the structure is present in the side chain of the polymer, the proportion of the repeating unit containing the structure in the polymer is such that the light transmittance of the separation layer 4 is 0.001% or more, 10 % Or less. If the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the separation layer 4 can sufficiently absorb light and can be reliably and rapidly altered. That is, it is easy to remove the support plate 2 from the laminate 100, and the irradiation time of light necessary for the removal can be shortened.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、100nm以上、2,000nm以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、100nm以上、500nm以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ300nm以上、370nm以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。   The said structure can absorb the light which has a wavelength of a desired range by selection of the kind. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the above structure is more preferably in the range of 100 nm to 2,000 nm. Within this range, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is on the shorter wavelength side, for example, in the range of 100 nm to 500 nm. For example, the structure can alter the polymer containing the structure by absorbing ultraviolet light, preferably having a wavelength in the range of about 300 nm to 370 nm.

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長:254nm以上、436nm以下)、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)、ArFエキシマレーザ(波長:193nm)、F2エキシマレーザ(波長:157nm)、XeClレーザ(波長:308nm)、XeFレーザ(波長:351nm)若しくは固体UVレーザ(波長:355nm)から発せられる光、又はg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)若しくはi線(波長:365nm)等である。   The light that can be absorbed by the above structure is, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), F2 excimer laser (wavelength: 157 nm). , Light emitted from a XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid-state UV laser (wavelength: 355 nm), or g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) or i-line ( Wavelength: 365 nm).

上述した分離層4は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層4はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、およびサポートプレート2の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、および重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。   Although the separation layer 4 described above contains a polymer containing the above structure as a repeating unit, the separation layer 4 may further contain components other than the polymer. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component that can improve the peelability of the support plate 2. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not hinder or accelerate the absorption of light by the above structure and the alteration of the polymer.

(無機物)
分離層4は、無機物からなっていてもよい。分離層4は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
(Inorganic)
The separation layer 4 may be made of an inorganic material. The separation layer 4 is made of an inorganic material, and is thus altered by absorbing light. As a result, the separation layer 4 loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 2 or the like), the separation layer 4 is broken, and the support plate 2 and the substrate 1 can be easily separated.

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物およびカーボンからなる群より選択される1種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、およびカーボンからなる群より選ばれる1種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。 The said inorganic substance should just be the structure which changes in quality by absorbing light, for example, can use 1 or more types of inorganic substances selected from the group which consists of a metal, a metal compound, and carbon suitably. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and can be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Exemplary of such inorganic include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2, SiN, Si 3 N 4, TiN, and carbon One or more inorganic substances selected from the group consisting of: Carbon is a concept that may include an allotrope of carbon, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotube, and the like.

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層4に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。   The inorganic material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within a range that is absorbed by the inorganic material used for the separation layer 4, the inorganic material can be suitably altered.

無機物からなる分離層4に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。 The light applied to the separation layer 4 made of an inorganic material may be, for example, a solid-state laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, or a fiber laser, or a dye depending on the wavelength that can be absorbed by the inorganic material. A liquid laser such as a laser, a gas laser such as a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, or a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, or a non-laser beam may be used as appropriate.

無機物からなる分離層4は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート2上に形成され得る。無機物からなる分離層4の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、0.05μm以上、10μm以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層4を構成する無機物からなる無機膜(例えば、金属膜)の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート2および基板1に貼り付けてもよい。   The separation layer 4 made of an inorganic material can be formed on the support plate 2 by a known technique such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, or spin coating. The thickness of the separation layer 4 made of an inorganic material is not particularly limited as long as it is a film thickness that can sufficiently absorb the light to be used. For example, the film thickness is in the range of 0.05 μm or more and 10 μm or less. Is more preferable. Alternatively, an adhesive may be applied in advance to both surfaces or one surface of an inorganic film (for example, a metal film) made of an inorganic material constituting the separation layer 4 and attached to the support plate 2 and the substrate 1.

なお、分離層4として金属膜を使用する場合には、分離層4の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層4の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。   When a metal film is used as the separation layer 4, laser reflection or charging of the film may occur depending on conditions such as the film quality of the separation layer 4, the type of laser light source, and laser output. Therefore, it is preferable to take measures against these problems by providing an antireflection film or an antistatic film on the upper or lower side of the separation layer 4 or one of them.

(赤外線吸収性の構造を有する化合物)
分離層4は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層4は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
(Compound having infrared absorbing structure)
The separation layer 4 may be formed of a compound having an infrared absorbing structure. The compound is altered by absorbing infrared rays. The separation layer 4 has lost its strength or adhesiveness before being irradiated with infrared rays as a result of the alteration of the compound. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer 4 is broken, and the support plate 2 and the substrate 1 can be easily separated.

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコールおよびフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3−ジケトンのエノール、o−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β−、γ−、δ−)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタンおよびチオフェノールおよびチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Si−A結合(Aは、H、C、O又はハロゲン)、P−A結合(Aは、H、C又はO)、又はTi−O結合であり得る。 Examples of the compound having an infrared absorptive structure or a compound having an infrared absorptive structure include alkanes, alkenes (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, Cyclic), alkyne (monosubstituted, disubstituted), monocyclic aromatic (benzene, monosubstituted, disubstituted, trisubstituted), alcohol and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bond, intermolecular hydrogen bond, saturation) Secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, Aromatic carbonyl, 1,3-diketone enol, o-hydroxy aryl ketone, dialkyl aldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer Carboxylate anion), formate ester, acetate ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), aliphatic acid chloride, aromatic acid chloride, acid anhydride ( Conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, secondary amide, lactam, primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), secondary Tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, Isocyanate ester, thiocyanate ester, aliphatic isothiocyanate ester, aromatic isothiocyanate ester, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitroamine, nitrosamine, Acid ester, nitrite ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), sulfur compounds such as mercaptan and thiophenol and thiolic acid, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary Secondary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfate ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or halogen), P-A 2 bond (A 2 is H, C Or O), or Ti—O bonds.

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−CHCl、−CHBr、−CHI、−CF−、−CF、−CH=CF、−CF=CF、フッ化アリール、および塩化アリール等が挙げられる。 As a structure containing halogen bond, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br , -CH 2 I, -CF 2 - - the carbon, - CF 3, -CH = CF 2, -CF = CF 2, fluoride Aryl chloride, and aryl chloride.

上記Si−A結合を含む構造としては、SiH、SiH、SiH、Si−CH、Si−CH−、Si−C、SiO−脂肪族、Si−OCH、Si−OCHCH、Si−OC、Si−O−Si、Si−OH、SiF、SiF、およびSiF等が挙げられる。Si−A結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格およびシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。 Examples of the structure containing the Si—A 1 bond include SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si—CH 3 , Si—CH 2 —, Si—C 6 H 5 , SiO-aliphatic, Si—OCH 3 , Si— OCH 2 CH 3, Si-OC 6 H 5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2, and SiF 3, and the like. As a structure including a Si—A 1 bond, it is particularly preferable to form a siloxane skeleton and a silsesquioxane skeleton.

上記P−A結合を含む構造としては、PH、PH、P−CH、P−CH−、P−C、A −P−O(Aは脂肪族又は芳香族)、(AO)−P−O(Aはアルキル)、P−OCH、P−OCHCH、P−OC、P−O−P、P−OH、およびO=P−OH等が挙げられる。 Examples of the structure containing the P—A 2 bond include PH, PH 2 , P—CH 3 , P—CH 2 —, P—C 6 H 5 , A 3 3 —PO— (A 3 is aliphatic or aromatic. family), (A 4 O) 3 -P-O (A 4 alkyl), P-OCH 3, P -OCH 2 CH 3, P-OC 6 H 5, P-O-P, P-OH, and O = P-OH and the like can be mentioned.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1μm以上、20μm以下の範囲内であり、2μm以上、15μm以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がSi−O結合、Si−C結合およびTi−O結合である場合には、9μm以上、11μm以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)−MS、IR、NMR、UVの併用−」(1992年発行)第146頁〜第151頁の記載を参照することができる。   The said structure can absorb the infrared rays which have the wavelength of a desired range by selection of the kind. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the above structure is, for example, in the range of 1 μm or more and 20 μm or less, and more preferably in the range of 2 μm or more and 15 μm or less. Furthermore, in the case where the structure is a Si—O bond, a Si—C bond, or a Ti—O bond, it may be in the range of 9 μm or more and 11 μm or less. In addition, those skilled in the art can easily understand the infrared wavelength that can be absorbed by each structure. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Document: SILVERSTEIN / BASSLER / MORRILL, “Identification method by spectrum of organic compound (5th edition) —Combination of MS, IR, NMR and UV” (published in 1992) The description on page 146 to page 151 can be referred to.

分離層4の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層4における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート2と基板1との分離を容易にするには、分離層4における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層4に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層4における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。   As the compound having an infrared absorbing structure used for forming the separation layer 4, among the compounds having the structure as described above, it can be dissolved in a solvent for coating and solidified to be solid. There is no particular limitation as long as the layer can be formed. However, in order to effectively alter the compound in the separation layer 4 and facilitate separation of the support plate 2 and the substrate 1, the infrared absorption in the separation layer 4 is large, that is, the separation layer 4 is irradiated with infrared rays. It is preferable that the infrared transmittance is low. Specifically, the infrared transmittance in the separation layer 4 is preferably lower than 90%, and the infrared transmittance is more preferably lower than 80%.

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(5)で表される繰り返し単位および下記化学式(6)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式(5)で表される繰り返し単位およびアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

Figure 2018014361
(化学式(6)中、Rは、水素、炭素数10以下のアルキル基、又は炭素数10以下のアルコキシ基である。)
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(5)で表される繰り返し単位および下記化学式(7)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式(5)で表される繰り返し単位および下記化学式(7)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
Figure 2018014361
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(8)で表される繰り返し単位および下記化学式(9)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
Figure 2018014361
(化学式(8)中、Rは、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であり、化学式(9)中、Rは、炭素数1以上、10以下のアルキル基、又はフェニル基である。)
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)、および特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。 For example, as the compound having a siloxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (5) and a repeating unit represented by the following chemical formula (6), or A resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (5) and a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.
Figure 2018014361
(In the chemical formula (6), R 6 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)
Among them, as a compound having a siloxane skeleton, a t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane copolymer, which is a copolymer of a repeating unit represented by the chemical formula (5) and a repeating unit represented by the following chemical formula (7), is used. A polymer is more preferable, and a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the above formula (5) and a repeating unit represented by the following chemical formula (7) in a ratio of 1: 1 is further preferable.
Figure 2018014361
In addition, as the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (8) and a repeating unit represented by the following chemical formula (9) can be used. .
Figure 2018014361
(In the chemical formula (8), R 7 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and in the chemical formula (9), R 8 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. .)
Other compounds having a silsesquioxane skeleton include JP 2007-258663 A (published on October 4, 2007), JP 2010-120901 A (published on June 3, 2010), Each silsesquioxane resin disclosed in JP 2009-263316 A (published on November 12, 2009) and JP 2009-263596 A (published on November 12, 2009) is preferably used. be able to.

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式(10)で表される繰り返し単位および下記化学式(11)で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式(10)で表される繰り返し単位および下記化学式(11)で表される繰り返し単位を7:3で含む共重合体がさらに好ましい。

Figure 2018014361
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、および籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。 Among these, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a repeating unit represented by the following chemical formula (10) and a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (11) are more preferable. A copolymer containing 7: 3 of the repeating unit represented by the following chemical formula (11) is more preferred.
Figure 2018014361
The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a cage structure, but any structure may be used.

また、Ti−O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、およびチタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン;(ii)ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、およびプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)等のキレートチタン;(iii)i−CO−[−Ti(O−i−C−O−]−i−C、およびn−CO−[−Ti(O−n−C−O−]−n−C等のチタンポリマー;(iv)トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、および(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン等のアシレートチタン;(v)ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。 Examples of the compound containing a Ti—O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, and titanium-i-propoxyoctylene glycolate. (ii) di -i- propoxy bis (acetylacetonato) titanium, and propane di oxytitanium bis (ethylacetoacetate) chelate titanium such as; alkoxy titanium etc. (iii) i-C 3 H 7 O - [- Ti (O-i-C 3 H 7) 2 -O-] n -i-C 3 H 7, and n-C 4 H 9 O - [- Ti (O-n-C 4 H 9) 2 -O -] n -n-C 4 titanium polymers such as H 9; (iv) tri -n- butoxy titanium monostearate, titanium stearate, di -i- Puropokishichi Tandiisostearate, and acylate titanium such as (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy) tributoxytitanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxy-bis (triethanolaminato) titanium Can be mentioned.

中でも、Ti−O結合を含む化合物としては、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC[OCN(COH))が好ましい。 Among them, as a compound containing a Ti—O bond, di-n-butoxy bis (triethanolaminato) titanium (Ti (OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferred.

上述した分離層4は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層4はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、およびサポートプレート2の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、および化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。   Although the separation layer 4 described above contains a compound having an infrared absorbing structure, the separation layer 4 may further contain a component other than the above compound. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component that can improve the peelability of the support plate 2. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not hinder or promote infrared absorption by the above structure and alteration of the compound.

(赤外線吸収物質)
分離層4は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層4は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート2を持ち上げる等)ことによって、分離層4が破壊されて、サポートプレート2と基板1とを分離し易くすることができる。
(Infrared absorbing material)
The separation layer 4 may contain an infrared absorbing material. The separation layer 4 is configured to contain an infrared ray absorbing substance, so that it is altered by absorbing light. As a result, the strength or adhesiveness before receiving the light irradiation is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 2 or the like), the separation layer 4 is broken, and the support plate 2 and the substrate 1 can be easily separated.

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層4に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層4に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。   The infrared absorbing material only needs to have a structure that is altered by absorbing infrared rays. For example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be suitably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer 4 with light having a wavelength within a range that is absorbed by the infrared absorbing material used for the separation layer 4, the infrared absorbing material can be suitably altered.

(反応性ポリシルセスキオキサン)
分離層4は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができ、これにより、分離層4は高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
(Reactive polysilsesquioxane)
The separation layer 4 can be formed by polymerizing reactive polysilsesquioxane, whereby the separation layer 4 has high chemical resistance and high heat resistance.

本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えたものを採用することができる。   In this specification, the reactive polysilsesquioxane is a polysilsesquioxane having a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton or a functional group capable of forming a silanol group by hydrolysis. Oxane, which can be polymerized with each other by condensing the silanol groups or functional groups capable of forming silanol groups. The reactive polysilsesquioxane has a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a cage structure, and a ladder structure as long as it has a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group. Can be used.

また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記式(12)に示す構造を有していることがより好ましい。

Figure 2018014361
式(12)中、R”は、それぞれ独立して、水素および炭素数1以上、10以下のアルキル基からなる群より選択され、水素および炭素数1以上、5以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。R”が、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、式(12)によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。 Moreover, it is more preferable that the reactive polysilsesquioxane has a structure represented by the following formula (12).
Figure 2018014361
In formula (12), each R ″ is independently selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. More preferably, when R ″ is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the reactive polysilsesquioxy represented by the formula (12) by heating in the separation layer forming step. Sun can be suitably condensed.

式(12)中、pは、1以上、100以下の整数であることが好ましく、1以上、50以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、式(12)で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもSi−O結合の含有量が高く、赤外線(0.78μm以上、1000μm以下)、好ましくは遠赤外線(3μm以上、1000μm以下)、さらに好ましくは波長9μm以上、11μm以下における吸光度の高い分離層4を形成することができる。   In formula (12), p is preferably an integer of 1 or more and 100 or less, and more preferably an integer of 1 or more and 50 or less. Reactive polysilsesquioxane has a repeating unit represented by the formula (12), so that it has a higher content of Si—O bonds than that formed using other materials, and infrared (0.78 μm or more). , 1000 μm or less), preferably far infrared rays (3 μm or more and 1000 μm or less), more preferably a separation layer 4 having a high absorbance at a wavelength of 9 μm or more and 11 μm or less.

また、式(12)中、R’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Rは、例えば、アリール基、アルキル基、および、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。   In the formula (12), R ′ is independently the same or different organic group. Here, R is, for example, an aryl group, an alkyl group, and an alkenyl group, and these organic groups may have a substituent.

R’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数1〜5のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。   When R 'is an aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group and the like can be exemplified, and a phenyl group is more preferable. The aryl group may be bonded to the polysilsesquioxane skeleton via an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.

R’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Rがアルキル基である場合、炭素数は1〜15であることが好ましく、1〜6であることがより好ましい。また、Rが、環状のアルキル基である場合、単環状又は二〜四環状の構造をしたアルキル基であってもよい。   When R ′ is an alkyl group, examples of the alkyl group include linear, branched, or cyclic alkyl groups. Moreover, when R is an alkyl group, it is preferable that carbon number is 1-15, and it is more preferable that it is 1-6. In addition, when R is a cyclic alkyl group, it may be a monocyclic or an alkyl group having a bicyclic to tetracyclic structure.

R’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が2〜15であることが好ましく、2〜6であることがより好ましい。また、Rが、環状のアルケニル基である場合、単環状又は二〜四環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、およびアリル基等を挙げることができる。   When R ′ is an alkenyl group, a straight chain, branched chain, or cyclic alkenyl group can be exemplified as in the case of an alkyl group, and the alkenyl group has 2 to 15 carbon atoms. Preferably, it is 2-6. In addition, when R is a cyclic alkenyl group, it may be an alkenyl group having a monocyclic or bicyclic to tetracyclic structure. Examples of the alkenyl group include a vinyl group and an allyl group.

また、R’が有し得る置換基としては、水酸基およびアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は1〜15であることが好ましく、1〜10であることがより好ましい。   Further, examples of the substituent that R ′ may have include a hydroxyl group and an alkoxy group. When the substituent is an alkoxy group, a linear, branched, or cyclic alkylalkoxy group can be exemplified, and the alkoxy group preferably has 1 to 15 carbon atoms, and preferably 1 to 10 carbon atoms. Is more preferable.

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、70モル%以上、99モル%以下であることが好ましく、80モル%以上、99モル%以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が70モル%以上、99モル%以下であれば、赤外線(好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長9μm以上、11μm以下の光)を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。   In one aspect, the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 mol% or more and 99 mol% or less, and more preferably 80 mol% or more and 99 mol% or less. . When the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is 70 mol% or more and 99 mol% or less, it is preferable to irradiate infrared rays (preferably far infrared rays, more preferably light having a wavelength of 9 μm or more and 11 μm or less). A separation layer can be formed that can be transformed into

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)は、500以上、50,000以下であることが好ましく、1,000以上、10,000以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)が500以上、50,000以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、支持体上に好適に塗布することができる。   In one aspect, the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 or more and 50,000 or less, and more preferably 1,000 or more and 10,000 or less. preferable. When the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is 500 or more and 50,000 or less, the reactive polysilsesquioxane can be suitably dissolved in a solvent and can be suitably coated on a support.

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のSR−13、SR−21、SR−23およびSR−33等を挙げることができる。   Examples of commercially available products that can be used as reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23, and SR-33 manufactured by Konishi Chemical Co., Ltd.

<4.積層体の変形例>
上記実施形態1では、サポートプレート2と接着層3との間に分離層4がある積層体100を用いている。しかしながら、機械的な力を加えることにより、剥離することかできる程度の接着力を有している接着層の採用している場合には、分離層が無く、接着層が基板とサポートプレートとに直接接着している積層体であっても、実施形態1において説明した支持体分離装置を用いてサポートプレートを分離することも可能である。
<4. Modified example of laminate>
In the first embodiment, the laminated body 100 having the separation layer 4 between the support plate 2 and the adhesive layer 3 is used. However, when an adhesive layer having an adhesive force that can be peeled off by applying mechanical force is used, there is no separation layer, and the adhesive layer is attached to the substrate and the support plate. Even in the case of a laminated body directly bonded, the support plate can be separated using the support separating apparatus described in the first embodiment.

そのような、機械的な力を加えることで剥離することができる程度の接着力を有している接着層を形成することかできる接着剤としては、例えば、感圧性接着剤、可剥離性接着剤等を挙げることができる。感圧性接着剤(粘着剤)としては、例えば、ラテックスゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム等の合成ゴムやタッキファイア樹脂等を含んでいるような、公知の感圧性接着剤を挙げることができる。また、可剥離性接着剤としては、可剥離性を有していればよく、例えば、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、又は熱硬化性樹脂等に、ワックスやシリコーン等の離型剤を配合することにより接着力を調整した接着剤であってもよい。また、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂等を含み、これらの樹脂を硬化させることにより可剥離性を発現するような、硬化型の接着剤であってもよい。また、このような、剥離可能な接着剤は、蜜蝋やワックス等の接着力の低い熱可塑性樹脂を主たる成分として含んでなる接着剤であり得る。   Examples of the adhesive that can form an adhesive layer having an adhesive force that can be peeled off by applying a mechanical force include, for example, a pressure-sensitive adhesive and a peelable adhesive. An agent etc. can be mentioned. Examples of the pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive) include known pressure-sensitive adhesives containing synthetic rubber such as latex rubber, acrylic rubber, isoprene rubber, tackifier resin, and the like. Moreover, as the peelable adhesive, it is only necessary to have peelability. For example, a release agent such as wax or silicone is blended with a thermoplastic resin, a photocurable resin, or a thermosetting resin. The adhesive which adjusted the adhesive force by doing may be sufficient. Further, it may be a curable adhesive that contains a thermosetting resin, a photocurable resin, or the like, and develops releasability by curing these resins. Such a peelable adhesive may be an adhesive comprising a thermoplastic resin having a low adhesive strength such as beeswax or wax as a main component.

〔実施形態2〕
上記実施形態1では、図6に示すように4箇所に設けた気体噴出部24の全てから同時に気体を噴出させる構成を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本実施形態2では、気体噴出に関する別の態様について図7を用いて説明する。
[Embodiment 2]
In the first embodiment, the configuration in which the gas is simultaneously ejected from all of the gas ejection portions 24 provided at the four locations as shown in FIG. 6 has been described, but the present invention is not limited to this. In the second embodiment, another aspect related to gas ejection will be described with reference to FIG.

図7は、本実施形態2の構成を示しており、気体噴出部24から気体を噴出したときの模式図を、積層体100を上面視した状態において示す図である。なお、図7は、上記実施形態1の図6に対応する図である。   FIG. 7 shows the configuration of the second embodiment, and is a diagram illustrating a schematic diagram when gas is ejected from the gas ejection part 24 in a state in which the stacked body 100 is viewed from above. FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 6 of the first embodiment.

本実施形態2では、気体噴出部24から気体を噴出する工程において、まず図7(a)に示すように、位置(i)にある気体噴出部24から気体を噴出し、このとき位置(ii)〜(iv)にある気体噴出部24からは気体を噴出しない。ここでは、位置(i)にある気体噴出部24から例えば3秒間、0.5L/分の気体を隙間7に吹き付ける。   In the second embodiment, in the step of jetting gas from the gas jetting portion 24, first, as shown in FIG. 7A, gas is jetted from the gas jetting portion 24 at the position (i), and at this time the position (ii) ) To (iv), no gas is ejected from the gas ejection part 24. Here, for example, 0.5 L / min of gas is blown onto the gap 7 from the gas ejection portion 24 at the position (i) for 3 seconds, for example.

続いて、気体の噴出箇所を切り替えて、図7(b)に示すように、位置(iv)にある気体噴出部24からの気体の噴出を開始し、位置(i)にある気体噴出部24からの気体噴出を停止する。このとき、位置(ii)および(iii)にある気体噴出部24からは気体を噴出しない。ここでは、位置(iv)にある気体噴出部24から例えば3秒間、0.5L/分の気体を隙間7に吹き付ける。   Subsequently, the gas ejection location is switched to start gas ejection from the gas ejection section 24 at the position (iv) as shown in FIG. 7B, and the gas ejection section 24 at the position (i). Stop gas emission from At this time, no gas is ejected from the gas ejection portion 24 at the positions (ii) and (iii). Here, for example, 0.5 L / min of gas is blown onto the gap 7 from the gas ejection portion 24 at the position (iv) for 3 seconds, for example.

続いて、気体の噴出箇所を切り替えて、図7(c)に示すように、位置(i)および(iv)にある気体噴出部24からの気体の噴出を開始する。このとき、位置(ii)および(iii)にある気体噴出部24からは気体を噴出しない。ここでは、位置(i)および(iv)にある気体噴出部24から例えば5秒間、0.5L/分の気体を隙間7に吹き付ける。   Subsequently, the gas ejection location is switched, and gas ejection from the gas ejection section 24 at positions (i) and (iv) is started as shown in FIG. At this time, no gas is ejected from the gas ejection portion 24 at the positions (ii) and (iii). Here, for example, 0.5 L / min of gas is blown onto the gap 7 from the gas ejection portion 24 at the positions (i) and (iv) for 5 seconds, for example.

以上の工程を経ることにより、サポートプレート2を積層体100から分離してもよい。   You may isolate | separate the support plate 2 from the laminated body 100 through the above process.

以上の気体噴出箇所の切り換えは、上記実施形態1の支持体分離装置10の図示しない制御装置において制御して行えばよい。   The above-described switching of the gas ejection locations may be controlled by a control device (not shown) of the support separating device 10 of the first embodiment.

〔実施形態3〕
上記実施形態1では、図3(c)に示すように、各クランプ23において傾斜面23bが二つあってその間に噴出口27を配設した構成を説明した。しかしながら、本発明において噴出口27の配設位置はこれに限定されるものではない。噴出口27は、傾斜面23bの近傍に配設されていればよい。これについて、図8を用いて説明する。
[Embodiment 3]
In the first embodiment, as shown in FIG. 3C, the configuration in which each of the clamps 23 has two inclined surfaces 23 b and the ejection port 27 is disposed therebetween is described. However, in the present invention, the position of the jet outlet 27 is not limited to this. The spout 27 should just be arrange | positioned in the vicinity of the inclined surface 23b. This will be described with reference to FIG.

図8は、本実施形態3の構成を示す図である。本実施形態3では、傾斜面23bおよび噴出口27の配設形態が、実施形態1のそれと異なる点以外は、実施形態1と同じ構成を有している。   FIG. 8 is a diagram illustrating the configuration of the third embodiment. The third embodiment has the same configuration as that of the first embodiment, except that the arrangement form of the inclined surface 23b and the ejection port 27 is different from that of the first embodiment.

具体的には、図8に示すように、本実施形態3においては、対峙面23aの下端辺(底辺)に沿って、その中間部分に一つの傾斜面23bが形成されており、この傾斜面23bを挟むようにして、噴出口27が配設されている。   Specifically, as shown in FIG. 8, in the third embodiment, one inclined surface 23b is formed in the middle portion along the lower end side (bottom side) of the facing surface 23a. An outlet 27 is disposed so as to sandwich 23b.

このように、噴出口27の配設位置を傾斜面23bの近傍とすることにより、サポートプレート2の外周端部において、プレート部21に対向する面の裏面側に位置する面取り部位2aに傾斜面23bを当接させたときに、サポートプレート2の外周部分に形成される隙間に効果的に気体を噴出することができ、サポートプレート2の外周部分を好適に把持することができる。   As described above, by arranging the nozzle outlet 27 in the vicinity of the inclined surface 23 b, the inclined surface is formed on the chamfered portion 2 a located on the back side of the surface facing the plate portion 21 at the outer peripheral end of the support plate 2. When 23b is brought into contact, gas can be effectively ejected into the gap formed in the outer peripheral portion of the support plate 2, and the outer peripheral portion of the support plate 2 can be suitably held.

〔実施形態4〕
上記実施形態1では、各クランプ23に設けられた噴出口27に気体噴出部24が接続された態様であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、吸着パッド22がサポートプレート2の上面の外周部分に吸着して隙間7が維持されている状態において、気体を噴出する一つのノズルが積層体100の周縁部分を周方向に沿って移動して、隙間7に気体を噴出する態様であってもよい。
[Embodiment 4]
In the first embodiment, the gas ejection part 24 is connected to the ejection port 27 provided in each clamp 23, but the present invention is not limited to this. For example, in a state where the suction pad 22 is attracted to the outer peripheral portion of the upper surface of the support plate 2 and the gap 7 is maintained, one nozzle that ejects gas moves along the peripheral portion of the stacked body 100 along the circumferential direction. In this case, the gas may be ejected into the gap 7.

〔実施形態5〕
上記実施形態1では、クランプ23および気体噴出部24が、一体的に昇降し、且つ一体的にスライド移動する構成となっている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、クランプ23および気体噴出部24の夫々が、駆動機構を備え、図5(a)〜図5(e)に示す各工程を実施することも可能である。
[Embodiment 5]
In the said Embodiment 1, the clamp 23 and the gas ejection part 24 become a structure which raises / lowers integrally, and slides integrally. However, the present invention is not limited to this, and each of the clamp 23 and the gas ejection part 24 includes a drive mechanism, and may perform each step shown in FIGS. 5 (a) to 5 (e). Is possible.

なお、夫々が駆動機構を備えている場合、図5(e)では、気体噴出部24を気体噴出に好ましい位置に移動させてから、気体噴出部24から気体を噴射することも可能である。これにより、より効果的に隙間を広げることができる。   In addition, when each is provided with the drive mechanism, in FIG.5 (e), after moving the gas ejection part 24 to the position preferable for gas ejection, it is also possible to inject gas from the gas ejection part 24. FIG. Thereby, a clearance gap can be expanded more effectively.

〔その他の実施形態〕
上述の実施形態において、積層体の上面視における形状は、円形状であるが、本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法により分離する積層体の上面視における形状(つまり、基板および支持体の上面視における形状)は、長方形、直方形等の多角形状であってもよい。本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法は、基板と支持体との間に流体を噴出することにより、基板と支持体とを分離することができればよく、積層体の上面視における形状は限定されない。よって、本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法は、半導体素子(電子部品)を含む半導体パッケージ(半導体装置)して知られる、WLP(Wafer Level Package)に限定されず、PLP(Panel Level Package)にも好適に応用することができる。
[Other Embodiments]
In the above-described embodiment, the shape of the laminate in a top view is circular, but the shape in a top view of the laminate separated by the support separation device and the support separation method according to the present invention (that is, the substrate and The shape of the support in a top view may be a polygonal shape such as a rectangle or a rectangle. The support separating apparatus and the support separating method according to the present invention only need to be able to separate the substrate and the support by ejecting a fluid between the substrate and the support. The shape is not limited. Therefore, the support body separating device and the support body separating method according to the present invention are not limited to WLP (Wafer Level Package) known as a semiconductor package (semiconductor device) including a semiconductor element (electronic component). (Panel Level Package).

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

1 基板
2 サポートプレート(支持体)
2a 面取り部位
3 接着層
4 分離層
4a 領域
5 ダイシングテープ
6 ダイシングフレーム
7 隙間
10 支持体分離装置
20 保持部
21 プレート部
22 吸着パッド(吸着部)
23 クランプ(把持部)
23a 対峙面
23b 傾斜面(係止面)
24 気体噴出部(噴出部)
25 スライド駆動部
26 レベルブロック
26a 当接面
27 噴出口(開口部)
30 昇降部
40 光照射部
50 ステージ
51 ポーラス部
100 積層体
1 Substrate 2 Support plate (support)
2a Chamfered part 3 Adhesive layer 4 Separation layer 4a Region 5 Dicing tape 6 Dicing frame 7 Gap 10 Support body separating device 20 Holding part 21 Plate part 22 Adsorption pad (adsorption part)
23 Clamp (gripping part)
23a Face 23b Inclined surface (locking surface)
24 Gas ejection part (ejection part)
25 Slide drive unit 26 Level block 26a Abutting surface 27 Spout (opening)
30 Lifting unit 40 Light irradiation unit 50 Stage 51 Porous unit 100 Laminate

Claims (14)

基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
上記積層体を基板側から固定する載置台と、
上記支持体を保持する保持部と、
上記保持部を上記載置台に対して昇降させる昇降部と、を備え、
上記保持部は、
上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する、少なくとも一つの把持部と、
上記支持体における上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する吸着部と、を備え、
上記把持部は、上記吸着部により維持されている上記隙間から上記積層体の内部に向かって、流体を噴出する噴出部を備えていることを特徴とする支持体分離装置。
A support separating apparatus for separating the support from a laminate formed by attaching a substrate and a support supporting the substrate via an adhesive layer,
A mounting table for fixing the laminate from the substrate side;
A holding unit for holding the support;
An elevating part that raises and lowers the holding part relative to the mounting table,
The holding part is
Gripping the outer peripheral edge of the support, and forming at least one grip between the substrate and the support; and
An adsorption part that maintains the gap by adsorbing and holding the support from the back surface of the surface on which the gap is formed in the support; and
The said holding | grip part is equipped with the ejection part which ejects a fluid toward the inside of the said laminated body from the said clearance gap maintained by the said adsorption | suction part, The support body separation apparatus characterized by the above-mentioned.
上記把持部は、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することを特徴とする請求項1に記載の支持体分離装置。   The support body separating apparatus according to claim 1, wherein the grip portion forms the gap by gripping and lifting an outer peripheral end portion of the support body. 上記保持部は、上記把持部および吸着部を夫々複数備え、
上記複数の把持部は、夫々上記噴出部を備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持体分離装置。
The holding part includes a plurality of gripping parts and suction parts, respectively.
The support body separating apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of gripping portions includes the ejection portion.
上記支持体の外周端部には、面取り部位が設けられており、
上記把持部は、上記支持体の面取り部位を係止する係止面を有しており、
上記係止面に隣接するようにして、流体を噴出する開口部が上記噴出部に配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の支持体分離装置。
A chamfered portion is provided at the outer peripheral end of the support,
The gripping portion has a locking surface that locks the chamfered portion of the support,
The support body separating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein an opening for ejecting fluid is disposed in the ejection portion so as to be adjacent to the locking surface.
上記係止面内に上記開口部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の支持体分離装置。   5. The support separating apparatus according to claim 4, wherein the opening is provided in the locking surface. 上記支持体は、光を透過する材料からなり、上記積層体には、上記基板と上記支持体との間に、光を照射することにより変質する分離層が設けられており、
上記支持体を介して、上記分離層の周縁部分の少なくとも一部の領域に光を照射する光照射部をさらに備え、
上記把持部は、上記領域を介して積層されている上記支持体と上記基板との間に隙間を形成するように、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げるようになっていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の支持体分離装置。
The support is made of a light-transmitting material, and the laminate is provided with a separation layer that is altered by irradiating light between the substrate and the support.
A light irradiating unit that irradiates at least a part of the peripheral portion of the separation layer with light through the support;
The gripping portion grips and lifts the outer peripheral end of the support so as to form a gap between the support and the substrate stacked via the region. The support separating apparatus according to claim 1, wherein the support separating apparatus is characterized in that
上記保持部は、上記昇降部に連結されたプレート部を備えており、
当該プレート部は、上記支持体に対向する側の面の周縁部分に上記吸着部が配置されており、上記支持体に対向する面の裏面には、上記把持部を、上記プレート部の周縁部分よりも外側から上記吸着部に近づくように、上記支持体の平面方向に平行に移動させる駆動部を備えていることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の支持体分離装置。
The holding part includes a plate part connected to the elevating part,
In the plate portion, the adsorbing portion is disposed on a peripheral portion of the surface facing the support, and the grip portion is disposed on the back surface of the surface facing the support, and the peripheral portion of the plate portion. The support body separation according to any one of claims 1 to 6, further comprising a drive section that moves in parallel to a planar direction of the support body so as to approach the suction section from the outside. apparatus.
上記プレート部における、上記支持体に対向する側の面の周縁部分よりも内側には、上記支持体の平面部に当接する当接面を有する当接部が設けられており、当該当接部は樹脂製であることを特徴とする請求項7に記載の支持体分離装置。   An abutting portion having an abutting surface that abuts against the flat surface portion of the support is provided on the inner side of the peripheral portion of the surface on the side facing the support in the plate portion. The support separating apparatus according to claim 7, wherein is made of resin. 基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、
上記基板を固定し、少なくとも一つの把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する隙間形成工程と、
上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する隙間維持工程と、
上記隙間維持工程後、上記隙間から上記積層体の内部に向かって、上記把持部が備えている噴出部から流体を噴出することによって、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴とする支持体分離方法。
A support separating method for separating the support from a laminate formed by attaching a substrate and a support for supporting the substrate via an adhesive layer,
A step of forming a gap between the substrate and the support by fixing the substrate and holding the outer peripheral end of the support by at least one holding portion;
A gap maintaining step for maintaining the gap by sucking and holding the support from the back surface of the surface on which the gap is formed, and
A separation step of separating the support from the laminate by ejecting a fluid from an ejection portion provided in the gripping portion from the gap toward the inside of the laminate from the gap. A support separating method comprising the steps of:
上記隙間形成工程では、上記把持部が上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することを特徴とする請求項9に記載の支持体分離方法。   10. The support separating method according to claim 9, wherein, in the gap forming step, the gap is formed by the gripping part gripping and lifting an outer peripheral end of the support. 上記隙間形成工程では、複数の上記把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に複数の上記隙間を形成し、
上記隙間維持工程では、上記支持体における、複数の上記把持部が上記支持体を把持することによって上記隙間が形成された複数の面の裏面の夫々を、個別に吸着保持して持ち上げ、
上記分離工程では、複数の上記隙間のうちの一部の隙間から上記積層体の内側に向かって、上記把持部が備えている噴出部よって流体を噴出することを特徴とする請求項9又は10に記載の支持体分離方法。
In the gap forming step, a plurality of gaps are formed between the substrate and the support by gripping the outer peripheral end of the support by the plurality of grips.
In the gap maintaining step, each of the back surfaces of the plurality of surfaces on which the gap is formed by holding the support by the plurality of gripping portions in the support is individually sucked and held, and lifted.
The fluid is ejected by the ejection part provided in the grip part in the separation step from a part of the plurality of the gaps toward the inside of the stacked body. 2. The method for separating a support according to 1.
上記隙間形成工程後、上記隙間維持工程前において、上記支持体の外周端部と上記把持部とを離間することを特徴とする請求項9〜11の何れか1項に記載の支持体分離方法。   The support body separating method according to any one of claims 9 to 11, wherein after the gap forming step and before the gap maintaining step, the outer peripheral end portion of the support body and the gripping portion are separated from each other. . 上記隙間形成工程では、上記把持部によって上記支持体の外周端部を把持するときに、上記支持体における、上記把持部が接触する部分の周縁部分を吸着保持して持ち上げることを特徴とする請求項9〜12の何れか1項に記載の支持体分離方法。   In the gap forming step, when the outer peripheral end portion of the support body is gripped by the grip portion, the peripheral portion of the support body that is in contact with the grip portion is sucked and held and lifted. Item 13. The support separating method according to any one of Items 9 to 12. 上記支持体は、光を透過する材料からなり、上記積層体には、上記基板と上記支持体との間に、光を照射することにより変質する分離層が設けられており、
上記隙間形成工程前に、上記支持体を介して、上記分離層の周縁部分の少なくとも一部の領域に光を照射する光照射工程を包含し、
上記隙間形成工程では、上記把持部が、上記領域を介して積層されている上記支持体と上記基板との間に隙間を形成するように、上記支持体の外周端部を把持することを特徴とする請求項9〜13の何れか1項に記載の支持体分離方法。
The support is made of a light-transmitting material, and the laminate is provided with a separation layer that is altered by irradiating light between the substrate and the support.
Before the gap formation step, including a light irradiation step of irradiating at least a part of the peripheral portion of the separation layer through the support,
In the gap forming step, the gripping part grips an outer peripheral end of the support so as to form a gap between the support and the substrate stacked via the region. The support separating method according to any one of claims 9 to 13.
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