JP2017030010A - 溶接構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 不良を抑制しつつ，レーザー溶接を高速で行うことができる溶接構造体の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る溶接構造体の製造方法では，レーザー照射部により，第１の部材と第２の部材との境目を走査する主レーザー光と，主レーザー光の進行方向における前方を照射位置とする先行レーザー光と，主レーザー光の進行方向における後方を照射位置とする後行レーザー光とを照射する。また，レーザー照射部により，先行レーザー光を，主レーザー光が照射される主軌跡と重ならない先行軌跡に沿って照射しつつ，後行レーザー光を，主軌跡および先行軌跡にともに重ならない後行軌跡に沿って照射する非重複照射を行う。【選択図】図３

Description

本発明は，溶接構造体の製造方法に関する。より詳細には，複数のレーザー光を照射するレーザー溶接により接合を行う溶接構造体の製造方法に関するものである。

従来より，複数の部材を接合して１つの溶接構造体を製造するため，レーザー光を用いたレーザー溶接が行われている。このようなレーザー溶接により接合が行われている製品として，例えば，電池がある。電池は，一般的に，ケースの内部に，正負の電極板よりなる電極体を収容してなるものである。そして，このような電池の製造工程では，電極体をケース本体の開口部よりその内部に収容した後，ケース本体の開口部を封口板で塞ぎ，ケース本体と封口板との境目をレーザー溶接によって接合する溶接工程が行われることがある。

例えば，特許文献１には，突き合わせたケース本体と封口板との境目付近に，パワー密度の低い低密度レーザー光と，低密度レーザー光よりもパワー密度の高い高密度レーザー光とを照射することにより，ケース本体と封口板とを接合する技術が記載されている。また，特許文献１では，低密度レーザー光を，境目を含むケース本体と封口板との両方に広く照射しつつ，２つの高密度レーザー光を，２つの高密度レーザー光のスポットが低密度レーザーのスポットの内部に位置するように照射することが記載されている。さらに，２つの高密度レーザー光を，ケース本体と封口板とにそれぞれ，境目に沿って照射することが記載されている。

特開２０１２−１１０９０５号公報

しかしながら，上記の従来技術では，レーザー光の走査速度を速くすることができないという問題があった。すなわち，上記の従来技術において，低密度レーザー光は，高密度レーザー光の照射位置の前方の温度を高めることのできる程度のエネルギーで照射されるものであり，照射対象を溶融するほどエネルギーが高いものではない。このため，走査速度を速くした場合には，高密度レーザー光の照射位置の前方の温度を，低密度レーザー光によって十分に高めることができず，十分な接合強度を得ることができないおそれがあるからである。

一方で，低密度レーザー光のエネルギーは，それほど高いものとすることもできない。上記の従来技術では，低密度レーザー光は，突き合わせた接合対象の境目にも照射されているからである。すなわち，その接合対象の境目は，完全に閉じているとは限らない。このため，低密度レーザー光が接合対象の境目の隙間を通過するレーザー抜けが生じてしまうことがある。そして，レーザー抜けが生じた場合には，接合対象の境目の隙間を通過したレーザー光が，接合対象ではない部材（例えば電極体）に照射されてしまい，これを損傷等させてしまうおそれがあるからである。

本発明は，前記した従来の技術が有する問題点の解決を目的としてなされたものである。すなわちその課題とするところは，不良を抑制しつつ，レーザー溶接を高速で行うことができる溶接構造体の製造方法を提供することである。

この課題の解決を目的としてなされた本発明の溶接構造体の製造方法は，突き合わせた第１の部材と第２の部材との境目をレーザー溶接により接合して溶接構造体を製造する溶接構造体の製造方法であって，第１の部材と第２の部材との境目を走査する主レーザー光と，主レーザー光の進行方向における前方を照射位置とする先行レーザー光と，主レーザー光の進行方向における後方を照射位置とする後行レーザー光とを照射するレーザー照射部により，主レーザー光を，第１の部材と第２の部材との境目上の主軌跡に沿って照射させ，先行レーザー光を，主軌跡と重ならない先行軌跡に沿って照射させ，後行レーザー光を，主軌跡および先行軌跡のいずれにも重ならない後行軌跡に沿って照射させる非重複照射を行うことを特徴とする溶接構造体の製造方法である。

本発明に係る溶接構造体の製造方法において，非重複照射では，先行レーザー光が，第１の部材と第２の部材との境目を走査する主レーザー光の主軌跡とは異なる先行軌跡に沿って照射される。つまり，非重複照射において，先行レーザー光は，第１の部材と第２の部材との境目を通過することがないため，エネルギーの高いものとすることができる。これにより，主レーザー光の照射位置の前方を溶融させることができる。また，主レーザー光の照射位置の前方を溶融させることにより，主レーザー光が照射されるときには，第１の部材と第２の部材との境目であった箇所を，隙間がない状態とすることができる。このため，主レーザー光のレーザー抜けを抑制することができる。また，主軌跡および先行軌跡のいずれにも重ならない後行軌跡に沿って照射する後行レーザー光により，溶接痕の幅を十分に確保することができる。そして，各レーザー光としてエネルギーの高いものを用いることができるため，レーザー溶接を高速で行うことができる。さらに，各レーザー光としてエネルギーの高いものを用いた場合でも，非重複照射により，溶融箇所における金属蒸発の発生を抑制することができる。これにより，不良を抑制しつつ，レーザー溶接を高速で行うことができる。

また，上記に記載の溶接構造体の製造方法において，非重複照射では，レーザー照射部に，先行レーザー光の照射位置と後行レーザー光の照射位置とが，主レーザー光の照射位置を通り，主軌跡に対して傾斜する傾斜軸について対称となるように先行レーザー光と後行レーザー光とを照射させるとともに，先行レーザー光として，主軌跡よりも第１の部材側を照射位置とする第１の先行レーザー光と，主軌跡よりも第２の部材側を照射位置とする第２の先行レーザー光とを照射させ，後行レーザー光として，主軌跡よりも第１の部材側を照射位置とする第１の後行レーザー光と，主軌跡よりも第２の部材側を照射位置とする第２の後行レーザー光とを照射させることが好ましい。互いに反対向きとなる進行方向の区間について，非重複照射を，同じ照射パターンにより，同じ条件で行うことができるからである。

また，上記に記載の溶接構造体の製造方法において，非重複照射では，レーザー照射部に，先行レーザー光により，先行レーザー光の照射位置を溶融させつつ，主軌跡上の主レーザー光の照射位置の前方に溶融部を形成させ，主レーザー光により，主レーザー光の照射位置における溶融部の深さを，主レーザー光が照射される前よりも深くさせ，後行レーザー光により，後行レーザー光の照射位置における溶融部の深さを，後行レーザー光が照射される前よりも深くさせることとすればよい。

本発明によれば，不良を抑制しつつ，レーザー溶接を高速で行うことができる溶接構造体の製造方法が提供されている。

実施形態に係る電池の斜視図である。 実施形態に係る電池の平面図である。 第１長手直線区間におけるレーザー光について説明するための図である。 第１短手直線区間におけるレーザー光について説明するための図である。 溶接装置の概略構成図である。 溶接装置によるレーザー光の照射状態を示す斜視図である。 レーザー溶接が行われる前の直線区間における断面図である。 レーザー溶接中の第１長手直線区間における平面図である。 先行レーザー光の照射により形成される溶融部の断面図である。 主レーザー光が照射されたときの溶融部の断面図である。 後行レーザー光が照射されたときの溶融部の断面図である。 屈曲区間におけるレーザー光の軌道を説明するための平面図である。 レーザー溶接が行われる前の屈曲区間における断面図である。 比較例のレーザー光の照射パターンを示す図である。 図１４とは異なる比較例のレーザー光の照射パターンを示す図である。

以下，本発明を具体化した最良の形態について，図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１に，本形態に係るレーザー溶接の接合対象である電池１の外観における斜視図を示す。電池１は，図１に示すように，外形が扁平形状のものである。電池１は，図１に示すように，正極端子４０および負極端子５０を有している。そして，電池１は，正極端子４０および負極端子５０を介して充放電を行うことができる二次電池である。電池１としては，リチウムイオン二次電池や，ニッケル水素電池などが例示される。

また，電池１は，ケース本体１０を有している。ケース本体１０の内部には，充放電を行うため，正負の電極板よりなる電極体や電解液などが収容されている。ケース本体１０の上部には，内部に電極体などを収容するための開口部１１が形成されている。ケース本体１０の開口部１１は，図１においては，封口板２０により塞がれている。本形態において，ケース本体１０および封口板２０の材質はともに，アルミニウムである。

正極端子４０および負極端子５０は，封口板２０に設けられている。また，封口板２０には，電解液を内部に注入するための注液口を封止している注液口封止部材６０が設けられている。注液口封止部材６０は，注液口より電解液をケース本体１０の内部に注入した後に取り付けられたものである。

さらに，本形態の電池１において，ケース本体１０と封口板２０とは，レーザー溶接により接合されている。具体的には，ケース本体１０と封口板２０とは，ケース本体１０の開口部１１内に封口板２０をはめ込み，ケース本体１０の開口部１１と封口板２０の側面２１との境目をレーザー溶接によって接合することで，これらが一体となった溶接構造体とされている。

また，レーザー溶接により，ケース本体１０と封口板２０との境目であった部分には１周，溶接痕３０が形成されている。すなわち，図１に示す電池１の外観図においては，説明のため，ケース本体１０の開口部１１と封口板２０の側面２１とを符号を付して示している。しかし，実際には，ケース本体１０の開口部１１と封口板２０の側面２１とは，これらの付近が溶融して混ざり合って形成された溶接痕３０となっていることにより，電池１の外側には存在していない。このことは，次の図２においても同様である。

図２は，電池１の平面図である。扁平形状の電池１は，図２に示すように，左右方向であるＸ軸方向を長手方向とし，上下方向であるＹ軸方向を短手方向とするものである。これにより，本形態の溶接痕３０は，Ｘ軸方向を長手方向とし，Ｙ軸方向を短手方向とする，全体として矩形形状をしているものである。

また，溶接痕３０に係るレーザー溶接におけるレーザー光の照射区間は，ともにＸ軸方向に平行に延びる直線区間である第１長手直線区間Ｘ１，第２長手直線区間Ｘ２を有している。また，レーザー光の照射区間は，ともにＹ軸方向に平行に延びる直線区間である第１短手直線区間Ｙ１，第２短手直線区間Ｙ２を有している。さらに，レーザー光の照射区間は，上記の直線区間の間を繋ぐ第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４を有している。

そして，本形態の溶接痕３０は，第１屈曲区間Ｒ１上に示す点Ｐから時計回りに１周，ケース本体１０と封口板２０との境目付近をレーザー光によって走査するレーザー溶接により形成されたものである。なお，レーザー溶接の開始点である点Ｐは任意の点であり，第１屈曲区間Ｒ１上に限られるものではない。また，レーザー溶接の開始点付近と終了点付近とは，適度にラップさせておくことが好ましい。溶接痕３０を切れ目なく形成することができるからである。

図３には，本形態に係るレーザー溶接において照射するレーザー光Ｌを示している。図３には，照射されたレーザー光Ｌの，その照射対象であるケース本体１０と封口板２０との外面上における照射パターンを示している。本形態のレーザー溶接で照射されるレーザー光Ｌは，図３に示すように，複数のレーザー光より構成されるものである。すなわち，本形態のレーザー光Ｌは，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥより構成されるものである。なお，本形態では，少なくとも副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥについては，いずれも同じエネルギーのものである。

主レーザー光ＬＡは，ケース本体１０と封口板２０との境目上を照射位置とするものである。また，図３に示すように，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥは，これらを頂点とする正方形Ｓにより，主レーザー光ＬＡを囲むように配置されている。さらに，本形態においては，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥは，正方形Ｓの重心に主レーザー光ＬＡが位置するように配置されている。

また，図３は，レーザー光Ｌの第１長手直線区間Ｘ１上における照射状態を示すものであり，矢印で示すように，レーザー光Ｌが右向きに移動しているときを示すものである。このため，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥのうち，副レーザー光ＬＢ，ＬＣは，主レーザー光ＬＡよりも，進行方向の前方に照射される先行レーザー光ＬＰを構成している。一方，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥのうち，副レーザー光ＬＤ，ＬＥについては，主レーザー光ＬＡよりも，進行方向の後方に照射される後行レーザー光ＬＦを構成している。

また，ケース本体１０と封口板２０との境目付近には，先行レーザー光ＬＰ（副レーザー光ＬＢ，ＬＣ），主レーザー光ＬＡ，後行レーザー光ＬＦ（副レーザー光ＬＤ，ＬＥ）が，この順に照射される。そして，先行レーザー光ＬＰは，その照射位置に溶融部を形成するためのものである。また，主レーザー光ＬＡは，ケース本体１０と封口板２０との境目における溶融部の深さを十分なものとするためのものである。さらに，後行レーザー光ＬＦは，ケース本体１０と封口板２０との境目付近に，十分な深さと幅をもつ溶融部を形成するためのものである。なお，第１長手直線区間Ｘ１の長さは，進行方向の先頭に位置する副レーザー光ＬＢと，進行方向の後尾に位置する副レーザー光ＬＤとの間隔よりも長いものである。

図３には，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥのそれぞれの軌道ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，ＫＤ，ＫＥを示している。すなわち，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥはそれぞれ，中心が軌道ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，ＫＤ，ＫＥ上を移動するように照射される。また，軌道ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，ＫＤ，ＫＥは，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥのそれぞれの進行方向に伸びるものである。加えて，図３には，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥが軌道ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，ＫＤ，ＬＥに沿って右向きに移動することによりこれらが照射された軌跡をそれぞれ，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥとして示している。

図３に示すように，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥは，正方形Ｓが，レーザー光Ｌの進行方向に対して傾斜するような配置で照射されている。すなわち，図３に示すように，副レーザー光ＬＢ，ＬＥの中点と副レーザー光ＬＣ，ＬＤの中点とを通る線分である軸Ｔ１は，主レーザー光ＬＡの軌道ＫＡに対して傾斜している。このため，副レーザー光ＬＢ，ＬＣの中点と副レーザー光ＬＤ，ＬＥの中点とを通る線分である軸Ｔ２についても，主レーザー光ＬＡの軌道ＫＡに対して傾斜している。図３には，軸Ｔ１の，主レーザー光ＬＡの軌道ＫＡと直角に交わる方向に対する傾斜角と，軸Ｔ２の，主レーザー光ＬＡの軌道ＫＡに対する傾斜角とを，角度θにより示している。

そして，本形態のレーザー光Ｌは，先行レーザー光ＬＰ（副レーザー光ＬＢ，ＬＣ）と後行レーザー光ＬＦ（副レーザー光ＬＤ，ＬＥ）とが，主レーザー光ＬＡの照射位置を通り，軌道ＫＡに対して傾斜する軸Ｔ１について対称となる配置で照射されている。

加えて，本形態では，図３に示すように，軸Ｔ１，Ｔ２の傾斜角である角度θは，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥがいずれも，互いに重ならないような角度とされている。すなわち，本形態は，主レーザー光ＬＡが第１長手直線区間Ｘ１における軌道ＫＡを走査している間のレーザー溶接を，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥがいずれも重ならないように照射する非重複照射により行うものである。

つまり，本形態では，図３に示すように，先行レーザー光ＬＰである副レーザー光ＬＢ，ＬＣがそれぞれ，主レーザー光ＬＡの照射軌跡ＬＫＡと重ならない照射軌跡ＬＫＢ，ＬＫＣに沿って照射されている。また，後行レーザー光ＬＦである副レーザー光ＬＤ，ＬＥがそれぞれ，主レーザー光ＬＡの照射軌跡ＬＫＡおよび先行レーザー光ＬＰである副レーザー光ＬＢ，ＬＣの照射軌跡ＬＫＢ，ＬＫＣと重ならない照射軌跡ＬＫＤ，ＬＫＥに沿って照射されている。この非重複照射については後に詳述する。

さらに，図３に示すように，本形態では，角度θを，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥの間に隙間が形成される程度の角度としている。なお，角度θは，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥが接する角度としてもよい。

また，本形態のレーザー溶接においては，レーザー光Ｌを，図３に示す照射パターンのまま，進行方向のみを異なるものとして，ケース本体１０と封口板２０との境目付近に沿って１周，移動させる。つまり，本形態のレーザー溶接においては，レーザー光Ｌがケース本体１０と封口板２０との境目付近を１周する間，主レーザー光ＬＡに対する副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥの配置が，図３に示す照射パターンの配置から変わることはない。そして，そのレーザー光Ｌの照射パターンが，レーザー光Ｌがケース本体１０と封口板２０との境目付近を１周する間，電池１に対して回転などすることはない。

図４には，図２において説明したレーザー光Ｌの第１短手直線区間Ｙ１上における照射状態を示している。つまり，図４では，矢印で示すように，レーザー光Ｌが下向きに移動しているときを示している。第１短手直線区間Ｙ１におけるレーザー光Ｌの照射パターンは，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥの配置が，図３のときと同じである。また，第１短手直線区間Ｙ１においても，主レーザー光ＬＡの照射位置は，ケース本体１０と封口板２０との境目である。

そして，図４では，先行レーザー光ＬＰが，副レーザー光ＬＣ，ＬＤにより構成されている。また，図４では，後行レーザー光ＬＦが，副レーザー光ＬＢ，ＬＥにより構成されている。図４においては，図３に示す照射パターンのまま，進行方向のみが変わっているからである。なお，第１短手直線区間Ｙ１についても，進行方向の先頭に位置する副レーザー光ＬＣと，進行方向の後尾に位置する副レーザー光ＬＥとの間隔よりも長いものである。

さらに，図４においても，先行レーザー光ＬＰ（副レーザー光ＬＣ，ＬＤ）と後行レーザー光ＬＦ（副レーザー光ＬＢ，ＬＥ）とは，主レーザー光ＬＡの照射位置を通り，軌道ＫＡに対して傾斜する軸Ｔ２について対称となる配置で照射されている。

また，図３において説明したように，第１長手直線区間Ｘ１において，軸Ｔ１，Ｔ２の傾斜角である角度θは，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥがいずれも，互いに重ならないような角度とされている。また，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥの配置は，正方形Ｓを構成する配置である。このため，第１短手直線区間Ｙ１のレーザー溶接についても，第１長手直線区間Ｘ１と同様に，非重複照射により行う。つまり，主レーザー光ＬＡが第１短手直線区間Ｙ１における軌道ＫＡを走査している間のレーザー溶接を，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥがいずれも重ならないように照射する非重複照射により行う。

なお，第１長手直線区間Ｘ１と対向して設けられている第２長手直線区間Ｘ２においては，レーザー光Ｌの進行方向を図３に示す第１長手直線区間Ｘ１における向き（右向き）とは逆向き（左向き）としてレーザー溶接を行う。このため，第２長手直線区間Ｘ２においては，先行レーザー光ＬＰが，副レーザー光ＬＤ，ＬＥにより構成される。また，第２長手直線区間Ｘ２においては，後行レーザー光ＬＦが，副レーザー光ＬＢ，ＬＣにより構成される。なお，第２長手直線区間Ｘ２についても，進行方向の先頭に位置する副レーザー光ＬＤと，進行方向の後尾に位置する副レーザー光ＬＢとの間隔よりも長いものである。

さらに，第２長手直線区間Ｘ２においても，先行レーザー光ＬＰ（副レーザー光ＬＤ，ＬＥ）と後行レーザー光ＬＦ（副レーザー光ＬＢ，ＬＣ）とは，主レーザー光ＬＡの照射位置を通り，軌道ＫＡに対して傾斜する軸Ｔ１について対称となる配置で照射される。そして，第２長手直線区間Ｘ２のレーザー溶接においても，非重複照射により行う。つまり，主レーザー光ＬＡが第２長手直線区間Ｘ２における軌道ＫＡを走査している間のレーザー溶接を，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥがいずれも重ならないように照射する非重複照射により行う。すなわち，第２長手直線区間Ｘ２においても，第１長手直線区間Ｘ１と同じ条件で，レーザー光Ｌによるレーザー溶接を行うことができる。

また，第１短手直線区間Ｙ１と対向して設けられている第２短手直線区間Ｙ２においては，レーザー光Ｌの進行方向を図４に示す第１短手直線区間Ｙ１における向き（下向き）とは逆向き（上向き）としてレーザー溶接を行う。このため，第２短手直線区間Ｙ２においては，先行レーザー光ＬＰが，副レーザー光ＬＢ，ＬＥにより構成される。また，第２短手直線区間Ｙ２においては，後行レーザー光ＬＦが，副レーザー光ＬＣ，ＬＤにより構成される。なお，第２短手直線区間Ｙ２についても，進行方向の先頭に位置する副レーザー光ＬＥと，進行方向の後尾に位置する副レーザー光ＬＣとの間隔よりも長いものである。

さらに，第２短手直線区間Ｙ２においても，先行レーザー光ＬＰ（副レーザー光ＬＢ，ＬＥ）と後行レーザー光ＬＦ（副レーザー光ＬＣ，ＬＤ）とは，主レーザー光ＬＡの照射位置を通り，軌道ＫＡに対して傾斜する軸Ｔ２について対称となる配置で照射される。そして，第２短手直線区間Ｙ２のレーザー溶接においても，非重複照射により行う。つまり，主レーザー光ＬＡが第２短手直線区間Ｙ２における軌道ＫＡを走査している間のレーザー溶接を，照射軌跡ＬＫＡ，ＬＫＢ，ＬＫＣ，ＬＫＤ，ＬＫＥがいずれも重ならないように照射する非重複照射により行う。すなわち，第２短手直線区間Ｙ２においても，第１短手直線区間Ｙ１と同じ条件で，レーザー光Ｌによるレーザー溶接を行うことができる。

次に，図５により，本形態のレーザー溶接を行うための溶接装置１００について説明する。図５は，上記のレーザー光Ｌを電池１に照射する溶接装置１００の概略構成図である。

図５に示すように，本形態の溶接装置１００は，レーザー発振器１１０とガルバノスキャナ１２０とを有している。ガルバノスキャナ１２０は，一対の反射鏡（ガルバノミラー）１２１，１２２を有している。また，ガルバノスキャナ１２０は，コリメートレンズ１３０，回折光学素子（ＤＯＥ：Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ）１４０，Ｆθレンズ１５０，保護レンズ１６０を有している。

コリメートレンズ１３０は，レーザー発振器１１０より発せられ，光ファイバー１１１を通じて入射したレーザー光を平行状態に調整することのできるものである。回折光学素子１４０は，レーザー光Ｌの照射パターンを調整するためのものである。すなわち，本形態の溶接装置１００では，回折光学素子１４０により，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥよりなるレーザー光Ｌの照射パターンが決められている。

反射鏡１２１，１２２はそれぞれ，モーターによって回転されることで角度が調整されるものである。また，Ｆθレンズ１５０は，レーザー光Ｌの走査速度が一定になるように補正するためのものである。

そして，ガルバノスキャナ１２０は，反射鏡１２１，１２２の回転により，レーザー光Ｌを定めた位置に正確に照射することのできるものである。つまり，ガルバノスキャナ１２０は，反射鏡１２１，１２２の回転により，レーザー光Ｌによる走査を高速で行うことのできるものである。すなわち，溶接装置１００は，図６に示すように，反射鏡１２１，１２２の回転により，ケース本体１０と封口板２０との境目付近に沿って１周，レーザー光Ｌを照射することができる。

なお，レーザー溶接を行う溶接装置としては，図５に示す溶接装置１００に限らず，レーザー光Ｌを照射できるものであれば，異なる構成のものであってもよい。例えば，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥのそれぞれについて，レーザー発振器や一対の反射鏡（ガルバノミラー）などを有する装置を用いることも可能である。

次に，本形態のレーザー溶接における非重複照射について説明する。本形態では，非重複照射を，いずれも直線区間である第１長手直線区間Ｘ１，第２長手直線区間Ｘ２，第１短手直線区間Ｙ１，第２短手直線区間Ｙ２について行う。

図７に，レーザー溶接が行われる前の第１長手直線区間Ｘ１，第２長手直線区間Ｘ２，第１短手直線区間Ｙ１，第２短手直線区間Ｙ２におけるケース本体１０と封口板２０との境目付近の断面図を示している。つまり，図７は，ケース本体１０の開口部１１内に封口板２０がはめ込まれた状態を示すものであり，ケース本体１０の開口部１１と封口板２０の側面２１とが対面した状態で突き合わせられている。

図７に示すように，ケース本体１０の開口部１１と封口板２０の側面２１との間には，隙間Ｇが形成されている。隙間Ｇは，ケース本体１０の開口部１１に，封口板２０をはめ込むために設けられているものである。この隙間Ｇは，レーザー光Ｌの主レーザー光ＬＡが照射された場合には，その一部が通過してしまう程度の大きさのものである。

図８は，レーザー溶接中の第１長手直線区間Ｘ１における平面図である。図８に示すように，レーザー光Ｌが照射されているケース本体１０と封口板２０との境目付近では，これらが溶融した溶融部Ｍが形成されている。溶融部Ｍにおいては一部，溶融したケース本体１０と封口板２０とが混ざり合った状態となっている。

図８に示すように，主レーザー光ＬＡは，ケース本体１０と封口板２０との境目に設けられた軌道ＫＡに沿って移動しつつ照射されている。また，先行レーザー光ＬＰを構成する副レーザー光ＬＢ，ＬＣはそれぞれ，非重複照射により，軌道ＫＡよりもケース本体１０側に設けられた軌道ＫＢ，軌道ＫＡよりも封口板２０側に設けられた軌道ＫＣに沿って移動しつつ照射されている。さらに，後行レーザー光ＬＦを構成する副レーザー光ＬＤ，ＬＥはそれぞれ，非重複照射により，軌道ＫＡよりも封口板２０側に設けられた軌道ＫＤ，軌道ＫＡよりもケース本体１０側に設けられた軌道ＫＥに沿って移動しつつ照射されている。

これにより，まず，ケース本体１０と封口板２０との境目付近では，図９に示すように，先行レーザー光ＬＰが照射されることによって溶融部Ｍが形成される。溶融部Ｍは，ケース本体１０と封口板２０との境目付近が溶融することにより形成されており，溶融部Ｍの一部は，隙間Ｇが形成されていた箇所に流れ込むことによって隙間Ｇを塞いでいる。図９には，先行レーザー光ＬＰの照射により形成される溶融部Ｍの深さＤ１を示している。

なお，先行レーザー光ＬＰの照射位置は，ケース本体１０上および封口板２０上であり，これらの境目ではない。よって，先行レーザー光ＬＰが，ケース本体１０と封口板２０との境目に形成された隙間Ｇを通過し，電池１の内部に照射されてしまうことはない。

次に，先行レーザー光ＬＰの通過により形成された溶融部Ｍには，図１０に示すように，主レーザー光ＬＡが照射される。図１０に示すように，主レーザー光ＬＡが照射された溶融部Ｍは，主レーザー光ＬＡの照射位置に近い部分ほど，深さが深いものとなっている。図１０には，主レーザー光ＬＡの照射位置における溶融部Ｍの深さＤ２を示している。溶融部Ｍの深さＤ２は，主レーザー光ＬＡが照射されたことにより，主レーザー光ＬＡが照射される前の深さＤ１よりも深いものとされている。これにより，主レーザー光ＬＡの照射により，ケース本体１０と封口板２０との境目であった箇所における溶融部Ｍの深さＤ２が十分な深さとされている。

そして，本形態では，主レーザー光ＬＡが照射されるときには，隙間Ｇは，先行レーザー光ＬＰの照射によって形成された溶融部Ｍが流れ込んだことにより塞がれている。このため，隙間Ｇであった箇所に照射される主レーザー光ＬＡが，電池１の内部に照射されてしまうことはない。

続いて，主レーザー光ＬＡが通過した後の溶融部Ｍには，図１１に示すように，後行レーザー光ＬＦが照射される。そして，図１１に示すように，溶融部Ｍは，後行レーザー光ＬＦが照射されることにより，図１０の状態よりも，進行方向に対する幅方向（左右方向）の端部付近の深さが深いものとなっている。つまり，図１１に示すように，溶融部Ｍは，幅方向の端部付近まで，深さＤ１よりも深い深さＤ３となっている。なお、図１１に示す深さＤ３は，図１０に示す深さＤ２と同程度の深さである。

また，後行レーザー光ＬＦについても，電池１の内部に照射されてしまうことはない。後行レーザー光ＬＦの照射位置は，ケース本体１０上および封口板２０上であるからである。また，溶融部Ｍが形成されていることにより，隙間Ｇが塞がれているからである。すなわち，本形態では，非重複照射を行う間，電池１の内部にレーザー光Ｌが照射されてしまうことが抑制されている。これにより，電池１の内部に収容されている電極体などが損傷し，不良が発生してしまうことが抑制されている。

そして，本形態のレーザー溶接において形成された溶融部Ｍは，後行レーザー光ＬＦが通過した後，固化して溶接痕３０となる。そして，非重複照射により形成された溶接痕３０においては，十分な深さと十分な幅が確保されているとともに，溶接不良が抑制されている。

すなわち，すでに溶融している溶融部Ｍでは，溶融していない素材よりもレーザー光のエネルギーの吸収率が高くなっていることにより，溶融部Ｍの進展しやすい状態となっている。よって，主レーザー光ＬＡおよび後行レーザー光ＬＦの照射された溶融部Ｍの深さを，十分なものとすることができるからである。さらには，後行レーザー光ＬＦを，非重複照射により，主レーザー光ＬＡの照射位置よりも溶融部Ｍの幅方向の端部に照射しているからである。

また，溶接素材にエネルギーの高いレーザー光を重複して照射した場合には，その重複照射のなされた箇所への入熱量が大きくなり過ぎてしまう傾向にある。このため，溶接素材にエネルギーの高いレーザー光を重複して照射した場合には，金属蒸発が発生することにより，溶接不良が生じてしまうおそれがある。これに対し，本形態のレーザー溶接における非重複照射では，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥがいずれも，同じ位置に重複して照射されることがない。このため，主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥとして，溶融部Ｍの深さを十分に確保できる程度のエネルギーの高いものを照射することができる。従って，十分な強度を持つ溶接痕３０を，溶接不良を発生させることなく，連続して形成することができる。

さらには，非重複照射によって主レーザー光ＬＡ，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥとしてエネルギーの高いものを照射することができるため，レーザー光Ｌの走査速度を速め，レーザー溶接を高速で行うことができる。よって，本形態では，非重複照射により，不良を抑制しつつ，レーザー溶接を高速で行うことができる。

なお，図８は第１長手直線区間Ｘ１について示しているが，その他の直線区間である第２長手直線区間Ｘ２，第１短手直線区間Ｙ１，第２短手直線区間Ｙ２においても，同様である。第２長手直線区間Ｘ２，第１短手直線区間Ｙ１，第２短手直線区間Ｙ２においても，先行レーザー光ＬＰ，主レーザー光ＬＡ，後行レーザー光ＬＦによる非重複照射を，第１長手直線区間Ｘ１と同様に行うことができるからである。

すなわち，本形態では，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥを頂点とする正方形Ｓの重心に主レーザー光ＬＡが位置する照射パターンのレーザー光Ｌを用いている。さらには，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥのエネルギーをいずれも，同じとしている。これにより，本形態では，すべての直線区間において，非重複照射を同様の条件により行うことができる。そして，溶接痕３０を，すべての直線区間において均一に，不良を発生させることなく形成することができる。

次に，各直線区間の間における第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４について説明する。

前述したように，本形態のレーザー溶接においては，レーザー光Ｌを上記の照射パターンのまま，進行方向のみを異なるものとして，ケース本体１０と封口板２０との境目付近に沿って１周，移動させる。このため，第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４においては，主レーザー光ＬＡよりも進行方向の前方に位置する先行レーザー光ＬＰが，ケース本体１０と封口板２０との隙間Ｇを横切ることがある。

図１２には，第１屈曲区間Ｒ１における軌道ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，ＫＤ，ＫＥを示している。図１２に示すように，第１屈曲区間Ｒ１においては，軌道ＫＣ，ＫＥが，隙間Ｇの位置を横切っている。このうち，軌道ＫＥについては，第１長手直線区間Ｘ１および第１短手直線区間Ｙ１においてともに後行レーザー光ＬＦを構成する副レーザー光ＬＥに係るものである。よって，副レーザー光ＬＥについては，すでに溶融部Ｍにより隙間Ｇが塞がれた後に，隙間Ｇの位置を横切っている。このため，副レーザー光ＬＥについては，隙間Ｇを通過して電池１の内部に照射されてしまうことはない。

一方，軌道ＫＣは，第１長手直線区間Ｘ１および第１短手直線区間Ｙ１においてともに先行レーザー光ＬＰを構成する副レーザー光ＬＣに係るものである。よって，レーザー溶接を高速で行う場合，第１屈曲区間Ｒ１において，副レーザー光ＬＣは，溶融部Ｍが形成される前の隙間Ｇを横切ってしまうことがある。この点，第１屈曲区間Ｒ１以外の屈曲区間である第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４においても同様である。すなわち，前後の直線区間においてともに先行レーザー光ＬＰを構成する副レーザー光については，それらの直線区間の間の屈曲区間において，隙間Ｇを通過してしまうことがある。よって，本形態では，第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４において，レーザー光が隙間Ｇを通過して電池１の内部に照射されることがないようにされている。

図１３に，レーザー溶接が行われる前の第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４における断面図を示す。図１３に示すように，第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４では，ケース本体１０の開口部１１よりも下側に，開口部１１よりも内側に向けて出っ張っている支持面１２が設けられている。支持面１２は，ケース本体１０の開口部１１内にはめ込まれた封口板２０の内面２２を受けるための面である。

よって，第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４では，レーザー光が隙間Ｇに進入したとしても，その進入したレーザー光がケース本体１０の支持面１２に照射されることとなる。これにより，本形態では，第１屈曲区間Ｒ１，第２屈曲区間Ｒ２，第３屈曲区間Ｒ３，第４屈曲区間Ｒ４においても，電池１の内部にレーザー光が照射されてしまうことが抑制されている。

また，本形態では，前述したように第１屈曲区間Ｒ１上に示す点Ｐをレーザー溶接の開始点としている。これにより，レーザー光Ｌの照射の開始時においても，主レーザー光ＬＡが電池１の内部に照射されてしまうことが抑制されている。つまり，電池１の内部に収容されている電極体などが損傷し，不良が発生してしまうことが抑制されている。

また，本発明者は，以下の実験を行うことにより，本形態に係る非重複照射の効果の確認を行った。本実験では，レーザー溶接を非重複照射により行う実施例と，レーザー溶接を先行レーザー光と後行レーザー光との照射軌跡が重なるように行う比較例とを行った。

すなわち，実施例のレーザー溶接に用いた照射パターンは，上記の図３などにより説明したレーザー光Ｌと同じものである。一方，比較例１のレーザー溶接に用いた照射パターンを図１４に，比較例２のレーザー溶接に用いた照射パターンを図１５に，それぞれ示している。また，本実験では，実施例および比較例のレーザー溶接をいずれも，先頭の先行レーザー光と後尾の後行レーザー光との間隔よりも長い区間にわたって行った。

比較例１の照射パターンは，図１４に示すように，主レーザー光ＬＡと，先行レーザー光ＬＰ１，ＬＰ２と，後行レーザー光ＬＦ１，ＬＦ２とを配置してなるものである。なお，図１４に示すように，進行方向は右向きである。また，比較例１では，先行レーザー光ＬＰ１と後行レーザー光ＬＦ１との軌道がともに軌道Ｋ１で共通するものである。さらに，比較例１では，先行レーザー光ＬＰ２と後行レーザー光ＬＦ２との軌道がともに軌道Ｋ２で共通するものである。つまり，比較例１の照射パターンは，後行レーザー光ＬＦ１，ＬＦ２がそれぞれ，先行レーザー光ＬＰ１，ＬＰが照射された位置に重複して照射されるものである。

比較例２の照射パターンは，図１５に示すように，比較例１の照射パターンに，先行レーザー光ＬＰ３，ＬＰ４，後行レーザー光ＬＦ３，ＬＦ４を追加したものである。なお，図１５に示すように，進行方向は右向きである。また，比較例２では，先行レーザー光ＬＰ３と後行レーザー光ＬＰ３との軌道がともに軌道Ｋ３で共通するものである。さらに，比較例２では，先行レーザー光ＬＰ４と後行レーザー光ＬＰ４との軌道がともに軌道Ｋ４で共通するものである。つまり，比較例２の照射パターンは，後行レーザー光ＬＦ１，ＬＦ２，ＬＦ３，ＬＦ４がそれぞれ，先行レーザー光ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４が照射された位置に重複して照射されるものである。

そして，本実験では，実施例および比較例についてそれぞれ，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーをすべて同じエネルギーにした場合の，そのエネルギーの許容範囲について調査した。すなわち，実施例および比較例についてそれぞれ，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーをともに変化させた各条件について照射実験を行い，主レーザー光の前方に，先行レーザー光によって溶融部を形成するために必要なエネルギーを調査した。さらに，実施例および比較例についてそれぞれ，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーをともに変化させた各条件について照射実験を行い，後行レーザー光の照射位置に金属蒸発が発生してしまうエネルギーを調査した。

次の表１に，先行レーザー光により溶融部を形成するために必要なエネルギー（Ｅ１）と，後行レーザー光により金属蒸発が発生するエネルギー（Ｅ２）とを示している。なお，表１は，実施例および比較例のすべてにおいて，レーザー光の移動速度を同じ速度として取得したものである。

実施例および比較例ではそれぞれ，表１に示す先行レーザー光により溶融部を形成するために必要なエネルギー（Ｅ１）以上のエネルギーの先行レーザー光と後行レーザー光とを照射する必要がある。主レーザー光ＬＡが，接合対象の部材の間の隙間を通過しないようにするためである。また，実施例および比較例ではそれぞれ，表１に示す後行レーザー光により金属蒸発が発生するエネルギー（Ｅ２）未満のエネルギーの先行レーザー光と後行レーザー光とを照射する必要がある。溶接不良を抑制するためである。

表１に示すように，実施例においては，後行レーザー光により金属蒸発が発生するエネルギーＥ２の値が，比較例のいずれよりも高いものである。比較例においてはともに，後行レーザー光が先行レーザー光に重複して照射されているのに対し，実施例では，非重複照射により，後行レーザー光が先行レーザー光に重複して照射されていないからである。

また，表１には，先行レーザー光により溶融部を形成するために必要なエネルギー（Ｅ１）と，後行レーザー光により金属蒸発が発生するエネルギー（Ｅ２）との差（Ｅ２−Ｅ１）を示している。そして，差（Ｅ２−Ｅ１）の値は，比較例のいずれよりも，実施例の方が高いものである。すなわち，実施例では，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーの許容範囲が広いものである。一方，比較例ではともに，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーの許容範囲が狭いものである。

そして，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーの許容範囲が広いほど，レーザー溶接におけるロバスト性が高いものである。つまり，実施例は，比較例のいずれよりも，ロバスト性の高いものであることがわかる。さらに，実施例では，差（Ｅ２−Ｅ１）の値が高いことにより，先行レーザー光と後行レーザー光とを，Ｅ１以上，Ｅ２未満の許容範囲内のエネルギーで照射されるように容易に調整することができる。

すなわち，本形態に係る実施例では，先行レーザー光により適切な溶融部を形成しつつ，後行レーザー光による金属蒸発を抑制することができるため，不良の発生頻度を低減することができる。さらには，不良の発生を抑制しつつ，高速でレーザー溶接を行うこともできる。本形態に係る実施例においては，先行レーザー光と後行レーザー光とのエネルギーの許容範囲が広く，ロバスト性が高いからである。

以上詳細に説明したように，本実施では，ケース本体１０と封口板２０とのレーザー溶接を，溶接装置１００のレーザー光Ｌにより行う。レーザー光Ｌは，直線区間（第１長手直線区間Ｘ１，第２長手直線区間Ｘ２，第１短手直線区間Ｙ１，第２短手直線区間Ｙ２）において，先行レーザー光ＬＰ，主レーザー光ＬＡ，後行レーザー光ＬＦよりなるものである。そして，主レーザー光ＬＡが直線区間におけるケース本体１０と封口板２０との境目を走査する間，これら先行レーザー光ＬＰ，主レーザー光ＬＡ，後行レーザー光ＬＦの照射軌跡がいずれも重なることがない非重複照射を行う。これにより，不良を抑制しつつ，レーザー溶接を高速で行うことができる溶接構造体の製造方法が実現されている。

なお，本実施の形態は単なる例示にすぎず，本発明を何ら限定するものではない。従って本発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良，変形が可能である。例えば，レーザー光Ｌの照射パターンは，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥを頂点とする正方形Ｓの重心に主レーザー光ＬＡが位置するものに限られるものではない。すなわち，例えば，副レーザー光ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥを頂点とする長方形の重心に主レーザー光ＬＡが位置する配置の照射パターンを採用することもできる。そしてこの場合には，非重複照射を，互いに反対向きとなる進行方向の区間である第１長手直線区間Ｘ１と第２長手直線区間Ｘ２とにおいて，同じ照射パターンにより，同様の条件で行うことができる。また，非重複照射を，互いに反対向きとなる進行方向の区間である第１短手直線区間Ｙ１と第２短手直線区間Ｙ２とにおいて，同じ照射パターンにより，同様の条件で行うことができる。

また例えば，上記の実施形態では，溶接装置１００により，矩形形状に一周，レーザー溶接を行う場合について詳細に説明している。しかし，溶接装置１００は，例えば，２つの部材の端面同士を対面させつつ突き合わせてなる境目が直線箇所のみである場合のレーザー溶接にも用いることができる。２つの部材の端面をともに完全な平面とすることは困難であるため，その境目には隙間が形成されることがある。そして，このような場合にも，溶接装置１００を用いることにより，レーザー光が隙間を通過してしまうことなく，レーザー溶接を行うことができるからである。

また例えば，２つの部材の端面同士を対面させつつ突き合わせてなる境目が直線箇所のみである場合には，先行レーザー光と後行レーザー光とが，主レーザー光の照射位置を通り，進行方向に対して傾斜する軸について必ずしも対称である必要はない。すなわち，互いに反対向きとなる進行方向の区間についてレーザー溶接を行う必要がない場合には，進行方向に対して傾斜する軸について先行レーザー光と後行レーザー光とを対称に設けておく必要はない。

また，上記の実施形態では，ともにアルミニウムよりなるケース本体１０および封口板２０をレーザー溶接により接合して溶接構造体とする場合の例について説明している。しかし，本発明は，当然，電池に係る部材以外の溶接構造体の製造にも適用することができる。また，アルミニウム同士に限らず，レーザー溶接により接合できる材質同士の組み合わせであれば，本発明を適用することが可能である。

１ 電池
１０ ケース本体
２０ 封口板
３０ 溶接痕
１００ 溶接装置
Ｇ 隙間
ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，ＫＤ，ＫＥ 軌道
Ｌ レーザー光
ＬＡ 主レーザー光
ＬＢ，ＬＣ，ＬＤ，ＬＥ 副レーザー光
ＬＦ 後行レーザー光
ＬＰ 先行レーザー光
Ｍ 溶融部
Ｔ１，Ｔ２ 軸
Ｘ１ 第１長手直線区間
Ｘ２ 第２長手直線区間
Ｙ１ 第１短手直線区間
Ｙ２ 第２短手直線区間

Claims (3)

1. 突き合わせた第１の部材と第２の部材との境目をレーザー溶接により接合して溶接構造体を製造する溶接構造体の製造方法において，
   第１の部材と第２の部材との境目を走査する主レーザー光と，
   前記主レーザー光の進行方向における前方を照射位置とする先行レーザー光と，
   前記主レーザー光の進行方向における後方を照射位置とする後行レーザー光とを照射するレーザー照射部により，
   前記主レーザー光を，第１の部材と第２の部材との境目上の主軌跡に沿って照射させ，
   前記先行レーザー光を，前記主軌跡と重ならない先行軌跡に沿って照射させ，
   前記後行レーザー光を，前記主軌跡および前記先行軌跡のいずれにも重ならない後行軌跡に沿って照射させる非重複照射を行うことを特徴とする溶接構造体の製造方法。
2. 請求項１に記載の溶接構造体の製造方法において，
   前記非重複照射では，前記レーザー照射部に，
   前記先行レーザー光の照射位置と前記後行レーザー光の照射位置とが，前記主レーザー光の照射位置を通り，前記主軌跡に対して傾斜する傾斜軸について対称となるように前記先行レーザー光と前記後行レーザー光とを照射させるとともに，
   前記先行レーザー光として，前記主軌跡よりも第１の部材側を照射位置とする第１の先行レーザー光と，前記主軌跡よりも第２の部材側を照射位置とする第２の先行レーザー光とを照射させ，
   前記後行レーザー光として，前記主軌跡よりも第１の部材側を照射位置とする第１の後行レーザー光と，前記主軌跡よりも第２の部材側を照射位置とする第２の後行レーザー光とを照射させることを特徴とする溶接構造体の製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の溶接構造体の製造方法において，
   前記非重複照射では，前記レーザー照射部に，
   前記先行レーザー光により，前記先行レーザー光の照射位置を溶融させつつ，前記主軌跡上の前記主レーザー光の照射位置の前方に溶融部を形成させ，
   前記主レーザー光により，前記主レーザー光の照射位置における前記溶融部の深さを，前記主レーザー光が照射される前よりも深くさせ，
   前記後行レーザー光により，前記後行レーザー光の照射位置における前記溶融部の深さを，前記後行レーザー光が照射される前よりも深くさせることを特徴とする溶接構造体の製造方法。

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