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JP2017011592A - Ｓａｗデバイスの製造方法 - Google Patents

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浩一 松本
潤 阿畠
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潤 阿畠
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Abstract

【課題】品質の低下を抑制したＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】格子状に設定された複数の分割予定ライン（１５）で表面（１３ａ）を区画された結晶基板（１３）と、分割予定ラインで区画された表面の各領域に形成された櫛歯状の電極（１７）と、表面の全体を被覆する樹脂でなる被覆層（１９）と、を備えるＳＡＷデバイスウェーハ（１１）を分割して複数のＳＡＷデバイスを製造するＳＡＷデバイスの製造方法であって、結晶基板に到達しない深さのレーザー加工溝（２１）を分割予定ラインに沿って被覆層に形成するレーザー加工溝形成工程と、結晶基板の内部を改質した改質層（２５）を分割予定ラインに沿って形成する改質層形成工程と、ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して、ＳＡＷデバイスウェーハを分割予定ラインに沿って複数のＳＡＷデバイスに分割する分割工程と、を含む。
【選択図】図３

Description

本発明は、表面側に櫛歯状の電極を備えるＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスの製造方法に関する。
携帯電話機をはじめとする無線通信機器の大半には、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用するＳＡＷデバイスが組み込まれている。このＳＡＷデバイスは、例えば、水晶（ＳｉＯ２）等の圧電材料でなる結晶基板と、結晶基板の表面に形成された櫛歯状の電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）とを備え、圧電材料の種類や電極の間隔等に応じて決まる周波数の電気信号のみを通過させる。
上述したＳＡＷデバイスを製造する際には、まず、結晶基板の表面に複数の分割予定ラインを設定し、この分割予定ラインで区画された各領域に櫛歯状の電極を設ける。そして、結晶基板の表面側に樹脂でなる被覆層を形成し、ＳＡＷデバイスウェーハを完成させる。このＳＡＷデバイスウェーハを、例えば、分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削して分割すれば、複数のＳＡＷデバイスを得ることができる（例えば、特許文献１，２等参照）。
特開２００５−２５２３３５号公報 特開２０１０−５６８３３号公報
ところが、樹脂でなる被覆層を含むＳＡＷデバイスウェーハを切削ブレードで切削して分割すると、被覆層に欠け（チッピング）が生じてＳＡＷデバイスの品質は低下し易い。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、品質の低下を抑制したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することである。
本発明によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインで表面を区画された結晶基板と、該分割予定ラインで区画された該表面の各領域に形成された櫛歯状の電極と、該表面の全体を被覆する樹脂でなる被覆層と、を備えるＳＡＷデバイスウェーハを分割して複数のＳＡＷデバイスを製造するＳＡＷデバイスの製造方法であって、該樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該被覆層側から該分割予定ラインに沿って照射して、該結晶基板に到達しない深さのレーザー加工溝を該被覆層に形成するレーザー加工溝形成工程と、レーザー加工溝形成工程の後に、該結晶基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該結晶基板の裏面側から該分割予定ラインに沿って照射すると共に、該レーザー光線の集光点を該結晶基板の内部に位置付けて、該結晶基板の内部を改質した改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の後に、該ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して、該ＳＡＷデバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該ＳＡＷデバイスに分割する分割工程と、を備えることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法が提供される。
また、本発明によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインで表面を区画された結晶基板と、該分割予定ラインで区画された該表面の各領域に形成された櫛歯状の電極と、該表面の全体を被覆する樹脂でなる被覆層と、を備えるＳＡＷデバイスウェーハを分割して複数のＳＡＷデバイスを製造するＳＡＷデバイスの製造方法であって、該結晶基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該結晶基板の裏面側から該分割予定ラインに沿って照射すると共に、該レーザー光線の集光点を該結晶基板の内部に位置付けて、該結晶基板の内部を改質した改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の後に、該樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該被覆層側から該分割予定ラインに沿って照射して、該結晶基板に到達しない深さのレーザー加工溝を該被覆層に形成するレーザー加工溝形成工程と、該レーザー加工溝形成工程の後に、該ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して、該ＳＡＷデバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該ＳＡＷデバイスに分割する分割工程と、を備えることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法が提供される。
また、本発明において、前記被覆層は、複数の樹脂層から構成されていても良い。
本発明に係るＳＡＷデバイスの製造方法では、被覆層にレーザー加工溝を形成し、結晶基板の内部に改質層を形成してから、ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して複数のＳＡＷデバイスに分割するので、ＳＡＷデバイスウェーハを切削ブレードで切削して分割する場合と比較して、被覆層の欠け（チッピング）は生じ難くなる。このように、本発明によれば、品質の低下を抑制したＳＡＷデバイスの製造方法を提供できる。
図１（Ａ）は、ＳＡＷデバイスウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ＳＡＷデバイスウェーハの表面側の一部を拡大した斜視図であり、図１（Ｃ）は、ＳＡＷデバイスウェーハの一部を拡大した断面図である。 レーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 図３（Ａ）は、レーザー加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、改質層形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。 分割工程を模式的に示す一部断面側面図である。 変形例に係るＳＡＷデバイスウェーハの構成例を模式的に示す断面図である。 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、変形例に係る分割工程を模式的に示す一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスの製造方法は、レーザー加工溝形成工程（図３（Ａ）参照）、改質層形成工程（図３（Ｂ）参照）及び分割工程（図４参照）を含む。レーザー加工溝形成工程では、ＳＡＷデバイスウェーハを構成する被覆層にレーザー光線を照射して、分割予定ライン（ストリート）に沿うレーザー加工溝を形成する。
改質層形成工程では、ＳＡＷデバイスウェーハを構成する結晶基板にレーザー光線を照射して、分割予定ラインに沿う改質層を形成する。分割工程では、ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して、ＳＡＷデバイスウェーハを分割予定ラインに沿って複数のＳＡＷデバイスに分割する。以下、本実施形態に係るＳＡＷデバイスの製造方法について詳述する。
図１（Ａ）は、本実施形態で使用されるＳＡＷデバイスウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ＳＡＷデバイスウェーハの表面側の一部（領域Ａ）を拡大した斜視図であり、図１（Ｃ）は、ＳＡＷデバイスウェーハの一部を拡大した断面図である。図１（Ａ）、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、本実施形態に係るＳＡＷデバイスウェーハ１１は、水晶（ＳｉＯ２）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材料でなる円形の結晶基板１３を備えている。
結晶基板１３の表面１３ａは、格子状に設定された複数の分割予定ライン（ストリート）１５で複数の領域に区画されており、各領域には、互いに噛み合う一対の櫛歯状の電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）１７が形成されている。また、結晶基板１３の表面１３ａ側には、被覆層１９が設けられている。この被覆層１９は、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂等の樹脂を用いて、表面１３ａの全体を被覆するように形成される。なお、結晶基板１３と被覆層１９との間には、部分的な空間（隙間）等が形成されていても良い。
このＳＡＷデバイスウェーハ１１を分割予定ライン１５に沿って分割することで、複数のＳＡＷデバイスを製造できる。本実施形態に係るＳＡＷデバイスの製造方法では、まず、被覆層１９にレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。
図２は、レーザー加工溝形成工程で使用されるレーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図であり、図３（Ａ）は、レーザー加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。図２に示すように、レーザー加工装置２は、各構成要素を支持する基台４を備えている。基台４は、基部６と、基部６の後端に立てられた柱部８とを含む。基部６の上面中央には、チャックテーブル移動機構１０が設けられている。
チャックテーブル移動機構１０は、基部６の上面に配置されＸ軸方向（加工送り方向）に平行な一対のＸ軸ガイドレール１２を備えている。Ｘ軸ガイドレール１２には、Ｘ軸移動テーブル１４がスライド可能に取り付けられている。Ｘ軸移動テーブル１４の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール１２に平行なＸ軸ボールネジ１６が螺合されている。
Ｘ軸ボールネジ１６の一端部には、Ｘ軸パルスモータ１８が連結されている。Ｘ軸パルスモータ１８でＸ軸ボールネジ１６を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル１４は、Ｘ軸ガイドレール１２に沿ってＸ軸方向に移動する。Ｘ軸ガイドレール１２に隣接する位置には、Ｘ軸移動テーブル１４のＸ軸方向の位置を検出するためのＸ軸スケール２０が設置されている。
Ｘ軸移動テーブル１４の表面（上面）には、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に平行な一対のＹ軸ガイドレール２２が設けられている。Ｙ軸ガイドレール２２には、Ｙ軸移動テーブル２４がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動テーブル２４の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２２に平行なＹ軸ボールネジ２６が螺合されている。
Ｙ軸ボールネジ２６の一端部には、Ｙ軸パルスモータ２８が連結されている。Ｙ軸パルスモータ２８でＹ軸ボールネジ２６を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル２４は、Ｙ軸ガイドレール２２に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸ガイドレール２２に隣接する位置には、Ｙ軸移動テーブル２４のＹ軸方向の位置を検出するためのＹ軸スケール３０が設置されている。
Ｙ軸移動テーブル２４の表面側（上面側）には、テーブルベース３２が設けられている。テーブルベース３２の上部には、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を吸引、保持するチャックテーブル３４が配置されている。このチャックテーブル３４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に平行な回転軸の周りに回転する。
上述したチャックテーブル移動機構１０でＸ軸移動テーブル１４をＸ軸方向に移動させれば、チャックテーブル３４はＸ軸方向に加工送りされる。また、チャックテーブル移動機構１０でＹ軸移動テーブル２４をＹ軸方向に移動させれば、チャックテーブル３４はＹ軸方向に割り出し送りされる。
チャックテーブル３４の上面は、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を吸引、保持する保持面３４ａとなっている。この保持面３４ａは、チャックテーブル３４やテーブルベース３２の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
柱部８の上方には、前方に伸びる支持アーム３６が設けられており、この支持アーム３６の先端部には、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線を下方に照射するレーザー加工ユニット３８が設置されている。また、レーザー加工ユニット３８に隣接する位置には、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を撮像する撮像ユニット４０が配置されている。
例えば、レーザー加工ユニット３８からチャックテーブル３４に保持されたＳＡＷデバイスウェーハ１１に向けてレーザー光線を照射しながら、チャックテーブル３４をＸ軸方向に加工送りさせることで、ＳＡＷデバイスウェーハ１１をＸ軸方向に沿ってレーザー加工できる。なお、レーザー加工ユニット３８のレーザー発振器は、被覆層１９を構成する樹脂に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線を発振できるように構成されている。
レーザー加工溝形成工程では、まず、ＳＡＷデバイスウェーハ１１の裏面（結晶基板１３の裏面１３ｂ）とチャックテーブル３４の保持面３４ａとが対面するようにＳＡＷデバイスウェーハ１１をチャックテーブル３４に載せ、保持面３４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、ＳＡＷデバイスウェーハ１１は、表面側（被覆層１９側）が上方に露出した状態でチャックテーブル３４に保持される。
次に、チャックテーブル３４を移動、回転させて、レーザー加工ユニット３８を加工開始位置（例えば、加工対象となる分割予定ライン１５の端部）の上方に合わせる。そして、図３（Ａ）に示すように、被覆層１９（樹脂）に吸収され易い波長のレーザー光線Ｌ１をレーザー加工ユニット３８から被覆層１９に向けて照射しながら、チャックテーブル３４を加工対象の分割予定ライン１５に平行な方向に移動させる。
すなわち、被覆層１９（樹脂）に吸収され易い波長のレーザー光線Ｌ１を、被覆層１９側から分割予定ライン１５に沿って照射する。これにより、被覆層１９の一部を加工対象の分割予定ライン１５に沿ってアブレーションさせて、レーザー加工溝２１を形成できる。
例えば、厚さが１μｍ〜１００μｍの被覆層１９にレーザー加工溝２１を形成する場合の加工条件は、次のように設定できる。
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
出力：１．４Ｗ
加工送り速度：２５０ｍｍ／ｓ
加工回数：１回
なお、レーザー光線Ｌ１のパワー密度、集光点の位置等の条件は、結晶基板１３に到達しない深さのレーザー加工溝２１を形成できる範囲で調整される。ただし、レーザー加工溝２１が浅くなり過ぎると、後の分割工程において被覆層１９が欠け易くなるので、レーザー加工溝２１の深さが被覆層１９の厚さの１０％以上となるように加工条件を調整することが望ましい。この手順を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１５に沿ってレーザー加工溝２１が形成されると、レーザー加工溝形成工程は終了する。
レーザー加工溝形成工程の後には、結晶基板１３にレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程を実施する。図３（Ｂ）は、改質層形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。なお、改質層形成工程を実施する前には、ＳＡＷデバイスウェーハ１１の表面側（被覆層１９側）にフィルム状の保護部材２３を貼り付けておくことが望ましい。
改質層形成工程は、例えば、図３（Ｂ）に示すレーザー加工装置４２で実施される。レーザー加工装置４２の基本的な構成は、レーザー加工溝形成工程で使用されるレーザー加工装置２と同じである。ただし、レーザー加工装置４２が備えるレーザー加工ユニット４４のレーザー発振器（不図示）は、結晶基板１３に吸収され難い波長（透過性を有する波長）のレーザー光線Ｌ２を発振できるように構成されている。
改質層形成工程では、まず、ＳＡＷデバイスウェーハ１１の表面側に貼り付けられた保護部材２３とチャックテーブル（不図示）の保持面とが対面するようにＳＡＷデバイスウェーハ１１をチャックテーブルに載せ、保持面に吸引源の負圧を作用させる。これにより、ＳＡＷデバイスウェーハ１１は、裏面側（結晶基板１３の裏面１３ｂ側）が上方に露出した状態でチャックテーブルに保持される。
次に、チャックテーブルを移動、回転させて、レーザー加工ユニット４４を加工開始位置（例えば、加工対象となる分割予定ライン１５の端部）の上方に合わせる。そして、図３（Ｂ）に示すように、結晶基板１３に吸収され難い波長のレーザー光線Ｌ２をレーザー加工ユニット４４から結晶基板１３に向けて照射しながら、チャックテーブルを加工対象の分割予定ライン１５に平行な方向に移動させる。
すなわち、結晶基板１３に吸収され難い波長のレーザー光線Ｌ２を、結晶基板１３の裏面１３ｂ側から分割予定ライン１５に沿って照射する。レーザー光線Ｌ２の集光点の位置は、結晶基板１３の内部に合わせておく。これにより、結晶基板１３の内部を加工対象の分割予定ライン１５に沿って改質して、改質層２５を形成できる。
例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）でなる厚さが１０μｍ〜３００μｍの結晶基板１３に改質層を形成する場合の加工条件は、次のように設定できる。
波長：１０３０ｎｍ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
出力：５Ｗ
加工送り速度：３６０ｍｍ／ｓ
加工回数：２回
なお、レーザー光線Ｌ２のパワー密度等の条件は、結晶基板１３の内部に適切な改質層２５を形成できる範囲で調整される。この手順を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１５に沿って改質層２５が形成されると、改質層形成工程は終了する。
改質層形成工程の後には、ＳＡＷデバイスウェーハ１１に外力を付与して、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を分割予定ライン１５に沿って複数のＳＡＷデバイスに分割する分割工程を実施する。図４は、分割工程を模式的に示す一部断面側面図である。
分割工程は、例えば、図４に示すブレーキング装置５２で実施される。ブレーキング装置５２は、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を支持する一対の支持板５４，５６と、支持板５４，５６の上方に配置された押圧刃５８とを備える。押圧刃５８は、支持板５４と支持板５６との隙間に対応する位置に設けられており、押圧機構（不図示）で鉛直方向に移動（昇降）する。
分割工程では、まず、ＳＡＷデバイスウェーハ１１の表面側に貼り付けられた保護部材２３と支持板５４，５６とが対面するようにＳＡＷデバイスウェーハ１１を支持板５４，５６に載せる。次に、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を支持板５４，５６に対して移動させて、支持板５４と支持板５６との隙間に分割予定ライン１５を合わせる。すなわち、図４に示すように、分割予定ライン１５を押圧刃５８の直下に移動させる。
その後、押圧刃５８を下降させて、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を裏面側（結晶基板１３の裏面１３ｂ側）から押圧刃５８で押圧する。ＳＡＷデバイスウェーハ１１は、支持板５４，５６によって分割予定ライン１５の両側を下方から支持されている。そのため、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を押圧刃５８で押圧すると、分割予定ライン１５の近傍に応力（外力）が加わり、結晶基板１３（ＳＡＷデバイスウェーハ１１）は、改質層２５を起点に分割される。全ての分割予定ライン１５に沿ってＳＡＷデバイスウェーハ１１が分割され、複数のＳＡＷデバイスが完成すると、分割ステップは終了する。
以上のように、本実施形態に係るＳＡＷデバイスの製造方法では、被覆層１９にレーザー加工溝２１を形成し、結晶基板１３の内部に改質層２５を形成してから、ＳＡＷデバイスウェーハ１１に外力を付与して複数のＳＡＷデバイスに分割するので、ＳＡＷデバイスウェーハを切削ブレードで切削して分割する場合と比較して、被覆層１９の欠け（チッピング）は生じ難くなる。すなわち、ＳＡＷデバイスの品質低下を抑制できる。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、レーザー加工溝形成工程の後に改質層形成工程を実施しているが、改質層形成工程の後にレーザー加工溝形成工程を実施しても良い。
また、ＳＡＷデバイスウェーハの被覆層は、複数の樹脂層で構成されることもある。図５は、変形例に係るＳＡＷデバイスウェーハの構成例を模式的に示す断面図である。なお、図５では、上記実施形態に係るＳＡＷデバイスウェーハ１１と共通する構成要素に対して同じ符号を付している。
図５に示すように、変形例に係るＳＡＷデバイスウェーハ３１では、２つの樹脂層１９ａ，１９ｂによって被覆層１９が構成されている。このような場合にも、上記実施形態と同様の手順でＳＡＷデバイスを製造できる。なお、被覆層１９を構成する複数の樹脂層（樹脂層１９ａ，１９ｂ）の材質、厚さ等は、任意に設定、変更できる。
また、上記実施形態の分割工程では、ブレーキング装置５２を用いてＳＡＷデバイスウェーハ１１を複数のＳＡＷデバイスに分割しているが、他の方法でＳＡＷデバイスウェーハ１１を分割することもできる。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、変形例に係る分割工程を模式的に示す一部断面側面図である。
変形例に係る分割工程は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すエキスパンド装置６２で実施される。なお、この場合には、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、ＳＡＷデバイスウェーハ１１より径の大きいダイシングテープを保護部材２３として使用し、保護部材２３の外周部分に環状のフレーム２７を固定しておく。
エキスパンド装置６２は、ＳＡＷデバイスウェーハ１１を支持する支持構造６４と、ＳＡＷデバイスウェーハ１１に貼り付けられた保護部材２３を拡張する円筒状の拡張ドラム６６とを備えている。拡張ドラム６６の内径は、ＳＡＷデバイスウェーハ１１の径より大きく、拡張ドラム６６の外径は、フレーム２７の内径より小さい。
支持構造６４は、フレーム２７を支持するフレーム支持テーブル６８を含む。このフレーム支持テーブル６８の上面は、フレーム２７を支持する支持面となっている。フレーム支持テーブル６８の外周部分には、フレーム２７を固定する複数のクランプ７０が設けられている。
支持構造６４の下方には、昇降機構７２が設けられている。昇降機構７２は、基台（不図示）に固定されたシリンダケース７４と、シリンダケース７４に挿入されたピストンロッド７６とを備えている。ピストンロッド７６の上端部には、フレーム支持テーブル６８が固定されている。
この昇降機構７２は、フレーム支持テーブル６８の上面（支持面）を、拡張ドラム６６の上端と等しい高さの基準位置と拡張ドラム６６の上端より下方の拡張位置との間で移動させるように、支持構造６４を昇降させる。
変形例に係る分割工程では、まず、図６（Ａ）に示すように、基準位置に移動させたフレーム支持テーブル６８の上面にフレーム２７を載せ、クランプ７０で固定する。これにより、拡張ドラム６６の上端は、ＳＡＷデバイスウェーハ１１とフレーム２７との間に位置する保護部材２３に接触する。
次に、昇降機構７２で支持構造６４を下降させて、図６（Ｂ）に示すように、フレーム支持テーブル６８の上面を拡張ドラム６６の上端より下方の拡張位置に移動させる。その結果、拡張ドラム６６はフレーム支持テーブル６８に対して上昇し、保護部材２３は拡張ドラム６６で押し上げられるように拡張する。
保護部材２３が拡張されると、ＳＡＷデバイスウェーハ１１には保護部材２３を拡張する方向の外力が付与される。これにより、ＳＡＷデバイスウェーハ１１（結晶基板１３）は、改質層２５を起点に複数のＳＡＷデバイス２９に分割される。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１，３１ ＳＡＷデバイスウェーハ
１３ 結晶基板
１３ａ 表面
１３ｂ 裏面
１５ 分割予定ライン（ストリート）
１７ 櫛歯状の電極
１９ 被覆層
１９ａ，１９ｂ 樹脂層
２１ レーザー加工溝
２３ 保護部材
２５ 改質層
２７ フレーム
２９ ＳＡＷデバイス
Ａ 領域
Ｌ１，Ｌ２ レーザー光線
２ レーザー加工装置
４ 基台
６ 基部
８ 柱部
１０ チャックテーブル移動機構
１２ Ｘ軸ガイドレール
１４ Ｘ軸移動テーブル
１６ Ｘ軸ボールネジ
１８ Ｘ軸パルスモータ
２０ Ｘ軸スケール
２２ Ｙ軸ガイドレール
２４ Ｙ軸移動テーブル
２６ Ｙ軸ボールネジ
２８ Ｙ軸パルスモータ
３０ Ｙ軸スケール
３２ テーブルベース
３４ チャックテーブル
３４ａ 保持面
３６ 支持アーム
３８ レーザー加工ユニット
４０ 撮像ユニット
４２ レーザー加工装置
４４ レーザー加工ユニット
５２ ブレーキング装置
５４，５６ 支持板
５８ 押圧刃
６２ エキスパンド装置
６４ 支持構造
６６ 拡張ドラム
６８ フレーム支持テーブル
７０ クランプ
７２ 昇降機構
７４ シリンダケース
７６ ピストンロッド

Claims (3)

  1. 格子状に設定された複数の分割予定ラインで表面を区画された結晶基板と、該分割予定ラインで区画された該表面の各領域に形成された櫛歯状の電極と、該表面の全体を被覆する樹脂でなる被覆層と、を備えるＳＡＷデバイスウェーハを分割して複数のＳＡＷデバイスを製造するＳＡＷデバイスの製造方法であって、
    該樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該被覆層側から該分割予定ラインに沿って照射して、該結晶基板に到達しない深さのレーザー加工溝を該被覆層に形成するレーザー加工溝形成工程と、
    レーザー加工溝形成工程の後に、該結晶基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該結晶基板の裏面側から該分割予定ラインに沿って照射すると共に、該レーザー光線の集光点を該結晶基板の内部に位置付けて、該結晶基板の内部を改質した改質層を形成する改質層形成工程と、
    該改質層形成工程の後に、該ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して、該ＳＡＷデバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該ＳＡＷデバイスに分割する分割工程と、
    を備えることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
  2. 格子状に設定された複数の分割予定ラインで表面を区画された結晶基板と、該分割予定ラインで区画された該表面の各領域に形成された櫛歯状の電極と、該表面の全体を被覆する樹脂でなる被覆層と、を備えるＳＡＷデバイスウェーハを分割して複数のＳＡＷデバイスを製造するＳＡＷデバイスの製造方法であって、
    該結晶基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該結晶基板の裏面側から該分割予定ラインに沿って照射すると共に、該レーザー光線の集光点を該結晶基板の内部に位置付けて、該結晶基板の内部を改質した改質層を形成する改質層形成工程と、
    該改質層形成工程の後に、該樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該被覆層側から該分割予定ラインに沿って照射して、該結晶基板に到達しない深さのレーザー加工溝を該被覆層に形成するレーザー加工溝形成工程と、
    該レーザー加工溝形成工程の後に、該ＳＡＷデバイスウェーハに外力を付与して、該ＳＡＷデバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該ＳＡＷデバイスに分割する分割工程と、
    を備えることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
  3. 前記被覆層は、複数の樹脂層から構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
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