JP2017005162A - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
光電変換素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017005162A JP2017005162A JP2015118991A JP2015118991A JP2017005162A JP 2017005162 A JP2017005162 A JP 2017005162A JP 2015118991 A JP2015118991 A JP 2015118991A JP 2015118991 A JP2015118991 A JP 2015118991A JP 2017005162 A JP2017005162 A JP 2017005162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- layer
- conversion element
- organic
- inorganic hybrid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
第1導電層は、光電変換素子の陰極として作用する層であるが、該第1導電層に使用できる陰極材料としては、例えば、ヨウ化銅(CuI)、インジウムスズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnO2)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等の導電性透明材料、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−酸化アルミニウム(Al/Al2O3)混合物、アルミニウム−フッ化リチウム(Al/LiF)混合物等が挙げられる。これらの材料は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
緻密酸化チタン層は、後述する多孔質酸化チタン層と共に電子受容層を構成するが、緻密酸化チタン層には、起電力低下の原因となる第1導電層と第2導電層の接触を防止する効果がある。本発明において、緻密層とは、空隙が少なく後に光電変換材料を積層した場合に光電変換材料が浸潤しない層を意味し、多孔質層とは、空隙が大きく光電変換材料が浸潤し表面積を拡大する効果を有する層を意味する。
ジイソプロポキシチタニウムビス(メチルアセトアセテート)、
ジイソプロポキシチタニウムビス(エチルアセトアセテート)、
ジイソプロポキシチタニウムビス(プロピルアセトアセテート)、
ジイソプロポキシチタニウムビス(ブチルアセトアセテート)、
ジブトキシチタニウムビス(メチルアセトアセテート)、
ジブトキシチタニウムビス(エチルアセトアセテート)、
トリイソプロポキシチタニウム(メチルアセトアセテート)、
トリイソプロポキシチタニウム(エチルアセトアセテート)、
トリブトキシチタニウム(メチルアセトアセテート)、
トリブトキシチタニウム(エチルアセトアセテート)、
イソプロポキシチタニウムトリ(メチルアセトアセテート)、
イソプロポキシチタニウムトリ(エチルアセトアセテート)、
イソブトキシチタニウムトリ(メチルアセトアセテート)、
イソブトキシチタニウムトリ(エチルアセトアセテート)などが挙げられ、
β−ジケトンキレート基を持つ化合物としては、
ジイソプロポキシチタニウムビス(アセチルアセトネート)、
ジイソプロポキシチタニウムビス(2,4−ヘプタンジオネート)、
ジブトキシチタニウムビス(アセチルアセトネート)、
ジブトキシチタニウムビス(2,4−ヘプタンジオネート)、
トリイソプロポキシチタニウム(アセチルアセトネート)、
トリイソプロポキシチタニウム(2,4−ヘプタンジオネート)、
トリブトキシチタニウム(アセチルアセトネート)、
トリブトキシチタニウム(2,4−ヘプタンジオネート)、
イソプロポキシチタニウムトリ(アセチルアセトネート)、
イソプロポキシチタニウムトリ(2,4−ヘプタンジオネート)、
イソブトキシチタニウムトリ(アセチルアセトネート)、
イソブトキシチタニウムトリ(2,4−ヘプタンジオネート)などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
多孔質酸化チタン層は、緻密酸化チタン層と共に電子受容層を構成するが、多孔質層の細孔に有機無機ハイブリッド結晶やホール輸送剤が入り込むことにより、有機無機ハイブリッド結晶層やホール輸送層との界面の表面積を増加させ、生成する電荷量を増加させる効果がある。
有機無機ハイブリッド結晶層は、有機無機ハイブリッド結晶で構成される光電変換層であり、光を吸収して電荷を生成する。有機無機ハイブリッド結晶層は、無機材料に由来する性質を持つため、有機材料で構成される光電変換層と比べて耐久性が高い。有機無機ハイブリッド結晶層は、ペロブスカイト型結晶からなる層であることが好ましい。ペロブスカイト型結晶構造の基本単位格子は、以下のように示される。
ホール輸送層は、有機無機ハイブリッド結晶層で生じた正孔を捉えて、陽極である第2導電層に移動させる層である。本発明の光電変換素子においては、ホール輸送層が、下記構造(I):
第2導電層は、光電変換素子の陽極として作用する層であるが、該第2導電層に使用できる陽極材料としては、特に限定されず、従来公知の材料を用いることができるが、例えば、金、銀、白金等の金属、ヨウ化銅(CuI)、インジウムスズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnO2)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等の導電性透明材料、導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
1.第1導電層
フッ素ドープされたSnO2導電膜を蒸着したガラス基板(厚さ2.2mm)を用意し、25mm×25mmのサイズに切断した。超音波洗浄を1時間行い、その後UV光照射を30分間行った。
まず、ジイソプロポキシチタニウムビス(アセチルアセトネート)(Titanium(IV) bis(acetylacetonate) diisopropoxide)の75質量%1−ブタノール溶液(Sigma−Aldrich社製)を1−ブタノールで希釈して、チタンキレート化合物の濃度が0.02mol/Lである緻密酸化チタン層用溶液(塗布液)を調製した。次に、「1.第1導電層」で作製した第1導電層上に、上記緻密酸化チタン層用溶液をスピンコート法により塗布し、塗布層を450℃にて15分間加熱して、膜厚50nmの緻密酸化チタン層を形成させた。
まず、酸化チタンのエタノール分散液(日揮触媒化成製PST−18NR)1gをエタノール2.5gで希釈し、多孔質酸化チタン層用塗布液を調製した。次に、「2.緻密酸化チタン層」で作製した緻密酸化チタン層上に、上記多孔質酸化チタン層用塗布液をスピンコート法で塗布し、焼成し、膜厚300nmの多孔質酸化チタン層を形成させた。焼成条件は、450℃1時間であった。
まず、PbCl2(東京化成製)1.4gをN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)3mlに加熱溶解させ、塗布液を作製した。この塗布液を、「3.多孔質酸化チタン層」で作製した多孔質酸化チタン層上にスピンコート法で塗布し、塗布膜を作製した。塗布膜の色は塗布液の色と同じ黄色であった。
次に、CH3NH3I(和光純薬社製)0.4gをイソプロピルアルコール40mlに溶解させて、その溶液をビーカーに満たした。先に作製したPbCl2の塗布膜を備えるガラス板をCH3NH3Iの溶液に浸漬させた。すぐに塗布膜が黄色から黒色に変化し、CH3NH3PbI3で表されるペロブスカイト型結晶が形成されたことを確認することができた。こうして2段階法により有機無機ハイブリッド層を形成させた。
ホール輸送剤である下記式:
「5.ホール輸送層」で作製したホール輸送層上に、真空蒸着により、面積5mm×5mmで厚み100nmの金蒸着膜を陽極として形成させ、実施例1の有機無機ハイブリッド光電変換素子を作製した。
作製した有機無機ハイブリッド光電変換素子の金蒸着膜を陽極とし、FTO蒸着膜を陰極として、両電極間の光起電力、光電流を、25mW/cm2の光強度の白色光源(HOYA−SCHOTT社製COLD LIGHT HL150)を用いて、測定し、有機無機ハイブリッド光電変換素子の光電変換効率を測定した。その結果、光電変換効率は10.1%であった。
例示化合物1に代えて例示化合物3を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2の有機無機ハイブリッド光電変換素子を得た。光電変換効率は8.4%であった。
例示化合物1に代えて例示化合物4を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例3の有機無機ハイブリッド光電変換素子を得た。光電変換効率は8.6%であった。
ホール輸送層を以下のように作製した以外は、実施例1と同様にして、比較例1の有機無機ハイブリッド光電変換素子を得た。光電変換効率は7.4%であった。
ホール輸送剤としてspiro−OMeTAD(Luminescence Technology社製)144mg、イオン導電剤としてリチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(キシダ化学社製)18mg、および4−tert−ブチルピリジン(東京化成工業社製)53mgをクロロベンゼン(キシダ化学社製)2mlに溶解し、ホール輸送層用塗布液を調製した。spiro−OMeTADを酸化させるため、ホール輸送層用塗布液を空気中で1日放置した。その後、ホール輸送層用塗布液を有機無機ハイブリッド層上にスピンコート法で塗布し、次いで、塗布膜を加熱乾燥させて有機溶媒を除去し、膜厚100nmのホール輸送層を形成させた。
例示化合物1に代えて、下記構造:
2 基板
3 第1導電層
4 緻密酸化チタン層
5 多孔質酸化チタン層
6 有機無機ハイブリッド結晶層
7 ホール輸送層
8 第2導電層
Claims (5)
- 第1導電層および第2導電層を備え、第1導電層と第2導電層の間に緻密酸化チタン層、多孔質酸化チタン層、有機無機ハイブリッド結晶層およびホール輸送層をこの順番で更に備える光電変換素子であって、前記ホール輸送層が、下記構造(I):
(R1〜R4は、互いに同一又は異なって、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルキルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基、または置換もしくは未置換のアルコキシ基であり(ただし、R1〜R4のすべてが水素原子である場合を除く)、m、n、oおよびpは、互いに同一又は異なって、1〜5の整数であり、ここで、m、n、oおよびpのいずれかが2以上の整数である場合、対応するR基は、それぞれが同一でも異なっていてもよい)を有する化合物を含む、光電変換素子。 - 前記構造(I)において、R1およびR2が−p−N−Et2であり、R3およびR4が水素原子である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記有機無機ハイブリッド結晶層が、CH3NH3PbX3(ただし、Xはハロゲン原子である)で表されるペロブスカイト型結晶からなる層である、請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記ペロブスカイト型結晶を表す式CH3NH3PbX3において、Xがヨウ素原子である、請求項3に記載の光電変換素子。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記ホール輸送層が、前記構造(I)を有する化合物を有機溶媒に溶解させて塗布液を調製し、有機無機ハイブリッド結晶層上に該塗布液を塗布し、その後、有機溶媒を除去することによって形成される、光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015118991A JP6489950B2 (ja) | 2015-06-12 | 2015-06-12 | 光電変換素子およびその製造方法 |
| US15/019,484 US10056555B2 (en) | 2015-06-12 | 2016-02-09 | Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same |
| CN201610094609.9A CN106252511B (zh) | 2015-06-12 | 2016-02-19 | 光电转换元件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015118991A JP6489950B2 (ja) | 2015-06-12 | 2015-06-12 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017005162A true JP2017005162A (ja) | 2017-01-05 |
| JP6489950B2 JP6489950B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=57517370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015118991A Active JP6489950B2 (ja) | 2015-06-12 | 2015-06-12 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10056555B2 (ja) |
| JP (1) | JP6489950B2 (ja) |
| CN (1) | CN106252511B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018170382A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池 |
| JP2019197800A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9905765B2 (en) | 2015-08-13 | 2018-02-27 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Polymer-perovskite films, devices, and methods |
| EP3399564A1 (en) * | 2017-05-05 | 2018-11-07 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Inorganic hole conductor based perovskite photoelectric conversion device with high operational stability at long term |
| CN108376745B (zh) * | 2018-03-01 | 2020-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板 |
| EP4300815A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-03 | Sociedad Anónima Minera Catalano-Aragonesa | Photovoltaic panel on ceramic support |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192633A (en) * | 1989-05-09 | 1993-03-09 | Mita Industrial Co., Ltd. | Laminate type photosensitive material for electrophotography |
| JPH0572776A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 |
| US5677094A (en) * | 1994-09-29 | 1997-10-14 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
| JP2011113649A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 光電変換素子及び太陽電池 |
| WO2014045021A1 (en) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device |
| WO2014132076A1 (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Isis Innovation Limited | Semiconducting layer production process |
| WO2015016107A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および太陽電池 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4191728B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2008-12-03 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
2015
- 2015-06-12 JP JP2015118991A patent/JP6489950B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-09 US US15/019,484 patent/US10056555B2/en active Active
- 2016-02-19 CN CN201610094609.9A patent/CN106252511B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192633A (en) * | 1989-05-09 | 1993-03-09 | Mita Industrial Co., Ltd. | Laminate type photosensitive material for electrophotography |
| JPH0572776A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 |
| US5677094A (en) * | 1994-09-29 | 1997-10-14 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
| JP2011113649A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 光電変換素子及び太陽電池 |
| WO2014045021A1 (en) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device |
| WO2014132076A1 (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Isis Innovation Limited | Semiconducting layer production process |
| WO2015016107A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および太陽電池 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018170382A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池 |
| JP2019197800A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| JP7072437B2 (ja) | 2018-05-09 | 2022-05-20 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6489950B2 (ja) | 2019-03-27 |
| CN106252511A (zh) | 2016-12-21 |
| US20160365525A1 (en) | 2016-12-15 |
| CN106252511B (zh) | 2018-11-16 |
| US10056555B2 (en) | 2018-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhao et al. | Alkali metal doping for improved CH3NH3PbI3 perovskite solar cells | |
| JP6489950B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| Hu et al. | Sequential deposition of CH3NH3PbI3 on planar NiO film for efficient planar perovskite solar cells | |
| Yin et al. | Ternary oxides in the TiO2–ZnO system as efficient electron-transport layers for perovskite solar cells with efficiency over 15% | |
| JP6555344B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| Shahiduzzaman et al. | Compact TiO2/Anatase TiO2 single-crystalline nanoparticle electron-transport bilayer for efficient planar perovskite solar cells | |
| JPWO2018181744A1 (ja) | 太陽電池、及びその製造方法 | |
| JP6340758B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP2016051891A (ja) | 太陽電池およびその太陽電池の製造方法 | |
| Rai et al. | Multimodal approach towards large area fully semitransparent perovskite solar module | |
| JP2017054912A (ja) | 光電変換素子 | |
| CN118435717A (zh) | 光电转换元件和光电转换元件的制造方法 | |
| US10886072B2 (en) | Method for producing photoelectric conversion element | |
| JP7254591B2 (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
| JP2016082006A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP6837325B2 (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
| JP2018181882A (ja) | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 | |
| JP2016082003A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP4969046B2 (ja) | 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置 | |
| WO2021182431A1 (ja) | 高純度化スズ含有ペロブスカイト半導体材料 | |
| JP2017212368A (ja) | ホール輸送材料及び、光電変換素子並びに太陽電池 | |
| JP7092969B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JP6196685B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP5332739B2 (ja) | 光電変換素子及び太陽電池 | |
| JP2019024035A (ja) | 光電変換素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180323 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180925 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181017 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190226 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6489950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |