JP2017069030A - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】欠陥箇所を確実に修正できる有機ＥＬ素子の製造方法。
【解決手段】有機ＥＬ素子１の製造方法は、基材３上に、第１電極層５、有機機能層７及び第２電極層９を形成する工程と、第２電極層９を形成した後に、欠陥箇所を検出する工程と、欠陥箇所が検出された場合に、第２電極層９側からレーザーＬを照射して、欠陥箇所の第２電極層９を除去する工程と、欠陥箇所の第２電極層９を除去した後に、封止層１１を形成する形成する工程と、を含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法に関する。

有機ＥＬ素子としては、支持基板上に、第１電極層と、発光層を含む有機機能層と、第２電極層と、封止層とがこの順番で積層されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平９−１４８０６６号公報

従来の有機ＥＬ素子の製造工程においては、第１電極層と第２電極層との短絡により欠陥（画素欠陥）が生じている場合、欠陥箇所の第２電極層に第１電極層側からレーザーを照射して第２電極層を除去する。これにより、第１電極層と第２電極層とを電気的に絶縁させ、第１電極層と第２電極層との短絡を解消している。

ここで、第１電極層としては、ネットワーク構造を有する導電体を備えるものがある。この第１電極層を備える有機ＥＬ素子では、第２電極層の欠陥箇所をレーザーで除去する際、第１電極側からレーザーを照射すると、ネットワーク構造の導電体においてレーザーが反射することがある。そのため、ネットワーク構造を有する第１電極層を備える有機ＥＬ素子を製造する場合、従来の製造方法では、レーザーが導電体に反射することでレーザーが第２電極層の欠陥箇所に照射されず、欠陥箇所の第２電極層を除去できないおそれがある。そのため、従来の有機ＥＬ素子の製造方法では、欠陥箇所を修正できないという問題が生じ得る。

本発明は、欠陥箇所を確実に修正できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。

本発明の一側面に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基材と、ネットワーク構造を有する導電体を備える第１電極層と、有機機能層と、第２電極層と、不透明基材を含む封止層と、がこの順番で配置された有機ＥＬ素子の製造方法であって、基材上に、第１電極層、有機機能層及び第２電極層を形成する工程と、第２電極層を形成した後に、第１電極層と第２電極層との短絡による欠陥箇所を検出する工程と、欠陥箇所が検出された場合に、第２電極層側からレーザーを照射して、欠陥箇所の第２電極層を除去する工程と、欠陥箇所の第２電極層を除去した後に、封止層を形成する形成する工程と、を含む。

有機ＥＬ素子の製造方法では、不透明基材を含む封止層を形成する前に、欠陥箇所の第２電極層にレーザーを照射して第２電極層の一部を除去する。このとき、レーザーを、第２電極層側から照射する。そのため、この製造方法では、ネットワーク構造を有する第１電極層の導電体にレーザーが反射して、レーザーが欠陥箇所の第２電極層に照射されないといった事態は生じない。したがって、欠陥箇所の第２電極層に対してレーザーを適切に照射でき、第２電極層を確実に除去できる。その結果、有機ＥＬ素子の製造方法では、欠陥箇所を確実に修正できる。

一実施形態においては、導電体が格子状のパターンを有する第１電極層を形成してもよい。ネットワーク構造を構成する導電体が格子状のパターンを有している場合、第１電極層側からレーザーを照射すると、導電体でレーザーが反射する可能性が高い。そのため、第２電極層側からレーザーを照射する方法は、格子状のパターンを有するネットワーク構造において、特に有効である。

一実施形態においては、第２電極層の材料よりも融点の高い材料を用いて第１電極層を形成してもよい。また、一実施形態においては、第２電極層の材料よりも沸点の高い材料を用いて第１電極層を形成してもよい。これらの構成により、レーザーの照射による第１電極層の損傷を抑制できる。したがって、有機ＥＬ素子の信頼性の低下を抑制できる。

一実施形態においては、基材は、可撓性を有しており、工程のそれぞれを、基材を連続して搬送しながら行ってもよい。基材が可撓性を有しているため、基材を搬送しながら処理を行うロールツーロール方式を採用できる。そのため、各工程での処理を効率的に行うことができる。

一実施形態においては、欠陥箇所を検出する工程においては、基材を支持する支持部と第１電極層及び第２電極層に電圧を印加する印加部とにより基材と第１電極層及び第２電極層とを挟持し、有機機能層を発光させることにより欠陥箇所を検出してもよい。これにより、欠陥を検査する工程において、例えば可撓性を有する基材を撓ませることなく支持できる。また、支持部と印加部とにより基材と第１電極層及び第２電極層とが挟持されるため、印加部によって、第１電極層及び第２電極層に電圧を確実に印加できる。したがって、有機機能層を確実に発光させることが可能となり、欠陥箇所を良好に検査できる。

一実施形態においては、基材は、バリア層を有するフィルム、又は、薄膜ガラスであってもよい。

一実施形態においては、第２電極層にレーザーを照射するときの周囲の露点温度が−５０℃以下であってもよい。このように、ドライエアの雰囲気でレーザーを第２電極層に照射することにより、第２電極層の除去を良好に行うことができる。

一実施形態においては、欠陥箇所の第２電極層及び有機機能層の一部をレーザーによって除去してもよい。これにより、欠陥箇所の第２電極層が確実に除去される。したがって、第１電極層と第２電極層とを確実に絶縁させることができ、短絡による欠陥箇所を確実に修正できる。

一実施形態においては、基材に対して第２電極層が下方に位置する状態において、レーザーを第２電極層に対して下側から照射してもよい。これにより、レーザーの照射によって除去された除去物が下方に落下し得る。したがって、第２電極層の除去部分に除去物が残留することを抑制できる。

本発明によれば、欠陥箇所を確実に修正できる。

一実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子の断面図である。 陽極層の構成を示す図である。 ロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法を模式的に示す図である。 検査装置を示す図である。 欠陥除去工程を示す図である。 欠陥除去工程を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

図１に示されるように、有機ＥＬ素子の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子１は、支持基板（基材）３と、陽極層（第１電極層）５と、発光層（有機機能層）７と、陰極層（第２電極層）９と、封止層１１と、を備えている。有機ＥＬ素子１は、支持基板３、陽極層５、発光層７、陰極層９及び封止層１１がこの順番で配置されている。

［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。

支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂を含む。

支持基板３の材料は、上記樹脂のなかでも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

支持基板３の一方の主面３ａ上には、水分バリア層（バリア層）が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。

［陽極層］
陽極層５は、導電体からなるネットワーク構造を有する。図１及び図２に示されるように、陽極層５は、金属配線（導電体）５ａと、透明樹脂充填材５ｂと、を有している。金属配線５ａは、導電体であり、ネットワーク構造を構成している。金属配線５ａの材料は、例えば、銀、アルミニウム、銅、パラジウム、金、ニッケル、鉄、モリブデン及びクロムから選択されるか、又は、これらの金属のうち１種以上を含む合金（例えば、ＭＡＭ（モリブデン・アルミニウム・モリブデン））から選択される。

金属配線５ａは、複数の開口部６（又は窓部）を有する所定のパターンで形成されている。所定パターンは、例えば、図２に示されるように、格子状のパターンである。格子状のパターンの場合、複数の開口部６は、網目に対応する。網目の形状は、例えば、長方形又は正方形のような四角形、三角形、及び、六角形を含む。所定パターンは、金属配線５ａがネットワーク構造を有すればその形態は限定されない。

透明樹脂充填材５ｂは、複数の開口部６のそれぞれに充填されており、開口部６を埋めている。透明樹脂充填材５ｂの厚さは、金属配線５ａの厚さとほぼ同じである。透明樹脂充填材５ｂの材料は、例えば、特開２００８−６５３１９号公報に記載の重合性樹脂化合物を好適に用いることができる。

陽極層５の材料は、後述する陰極層９の材料よりも融点が高い。また、陽極層５の材料は、陰極層９の材料よりも沸点が高い。

［発光層］
発光層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物又は該有機物と、これを補助するドーパントと、から形成される。ドーパントは、例えば、発光効率の向上、又は、発光波長を変化させるために加えられる。発光層７に含まれる有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。発光層７を構成する発光材料としては、例えば、公知の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。

［陰極層］
陰極層９は、金属酸化物、金属硫化物及び金属等からなる薄膜を用いることができる。陰極層９は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、マグネシウム、及び銅等からなる薄膜が用いられる。また、陰極層９は、銀ナノパーティクル、又は、銀ナノワイヤー等のナノ構造体で形成されていてもよい。陰極層９は、引出し電極９ａに電気的に接続されている。

［封止層］
封止層１１は、金属箔と、接着層と、を少なくとも有している。封止層１１は、ガスバリア機能及び水分バリア機能を有する。金属箔は、不透明基材であり、例えば、Ａｌ箔又はＣｕ箔等である。接着層は、封止層１１と陰極層９とを接着する。接着層は、陰極層９側に設けられている。封止層１１は、陰極層９を覆う。なお、封止層１１は、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属層（Ａｌ層、Ｃｕ層等）を積層させたフィルム等であってもよい。

続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱して乾燥させる。その後、乾燥された支持基板３上に、陽極層５、発光層７、陰極層９及び封止層１１を形成する。

支持基板３が可撓性基板である形態では、有機ＥＬ素子１の製造には、図３に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール形式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール３０Ａと巻取りロール３０Ｂとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ローラ３１で搬送しながら、有機ＥＬ素子１の製造に係る各工程を実施する。

［基板乾燥工程］
最初に、支持基板３を乾燥させる（基板乾燥工程、ステップＳ０１）。基板乾燥工程では、例えば、支持基板３内の含有水分が１００ｐｐｍ以下となるように支持基板３を乾燥させる。支持基板３の乾燥には、例えば、支持基板３に赤外線を照射して加熱する装置を用いることができる。

［陽極層形成工程］
次に、支持基板３上に、陽極層５を形成する（陽極層形成工程、ステップＳ０２）。陽極層形成工程では、金属配線５ａを形成した後に、透明樹脂充填材５ｂを形成する。

金属配線５ａは、例えば、フォトリソグラフィー法を利用して形成され得る。この場合、最初に、物理蒸着（ＰＶＤ）法及びスパッタリング法等により、金属配線５ａとなるべき金属層を形成する。その後、金属層を、フォトリソグラフィー法を用いて所定のパターンにパターニングすることで、金属配線５ａが得られる。

また、金属配線５ａは、リフトオフ法を用いて形成されてもよい。この場合、最初に、所定パターンの金属配線５ａが形成されるべき領域が開口されているマスクを形成する。その後、物理蒸着及びスパッタリング法等によりマスクの開口部に金属を堆積させて金属配線を形成する。続いて、マスクを除去することで、所定パターンの金属配線５ａが得られる。

また、金属配線５ａは、インクジェット印刷法、グラビア印刷法又はスクリーン印刷法等の種々の印刷方法を用いて形成されてもよい。この場合、例えば、インクジェット印刷法等によって、ナノ構造体が分散されたインクを、金属配線５ａの所定のパターンで印刷する。その後、焼成することにより金属配線５ａが得られる。

透明樹脂充填材５ｂは、当該透明樹脂充填材５ｂとなる透明樹脂材料を含む塗布液を金属配線５ａに塗布する。塗布液の溶媒としては、透明樹脂材料を溶解できるものであれば限定されないが、例えば、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート、３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシ−１−ブタノール、シクロヘキサノンが挙げられる。

塗布法としては、スロットダイ法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、及び、インクジェットプリント法等を挙げることができる。

金属配線５ａに透明樹脂材料を塗布して金属配線５ａに樹脂膜を形成した後、例えば、樹脂膜に光硬化処理、現像処理及び加熱処理を実施して樹脂膜を熱硬化させて、透明樹脂充填材５ｂを形成する。これにより、金属配線５ａにより画成される開口部６が透明樹脂充填材５ｂにより埋められ、陽極層５が形成される。

なお、透明樹脂充填材５ｂの材料は、特開２００８−６５３１９号公報に記載の重合性樹脂化合物の他に、導電性を有する有機材料を用いることができる。

［発光層形成工程］
続いて、発光層７を陽極層５上に形成する（発光層形成工程、ステップＳ０３）。発光層７は、上述のように、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料で形成される。

色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。

金属錯体系材料としては、例えば、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体を挙げることができる。

高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素系材料又は金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、並びにそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等を挙げることができる。

また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、並びにそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等を挙げることができる。

また、赤色に発光する材料としては、クマリン及びその誘導体、チオフェン化合物、並びにそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等を挙げることができる。

ドーパント材料としては、例えば、ペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル系色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。

発光層７は、蒸着法又は塗布法によって形成できる。塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリ―コート法、スプレーコート法及びノズルコート法等のコート法、並びに、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法を挙げることができる。パターン塗布が必要な場合には、パターン塗布が可能な塗布方法によって形成され、特に、インクジェットプリント法によって形成されることが好ましい。

塗布法に用いるインク（塗布液）の溶媒としては、各材料を溶解させるものであれば制限はなく、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、及び、水を挙げることができる。

［陰極層形成工程］
続いて、発光層７上に陰極層９を形成する（陰極層形成工程、ステップＳ０４）。陰極層９は、発光層７と同様に、蒸着法又は塗布法によって形成できる。陰極層９の材料としては、仕事関数が小さく、発光層７への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。陽極層５側から光を取り出す（支持基板３の主面３ｂが発光面となる）構成の有機ＥＬ素子１では、発光層７から放射される光を陰極層９で陽極層５側に反射するために、陰極層９の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極層９には、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び、周期表の１３族金属等を用いることができる。陰極層９が蒸着法によって形成される場合には、アルミニウム、銀、及びマグネシウムの少なくとも１つを含むことが好ましい。陰極層９が塗布法によって形成される場合には、銀ナノパーティクル、又は、銀ナノワイヤー等の銀ナノ構造体等のナノ構造体を含むことが好ましい。

［欠陥検査工程］
次に、欠陥を検査する（欠陥検査工程、ステップＳ０５）。欠陥検査工程では、陽極層５及び陰極層９に電圧を印加して発光層７を発光させて、欠陥を検査する。ここで言う欠陥とは、陽極層５と陰極層９とが短絡することによる画素欠陥である。図４に示されるように、検査装置４０は、接触ベルト（印加部）４１ａ，４１ｂと、押さえベルト（支持部）４２と、を有している。接触ベルト４１ａ，４１ｂは、図示しない電源に接続されている。接触ベルト４１ａは、陰極層９に電気的に接続される引出し電極９ａに接触する。接触ベルト４１ｂは、陽極層５に接触する。接触ベルト４１ａ，４１ｂは、陽極層５及び陰極層９に電圧を印加する。

押さえベルト４２は、支持基板３を支持する。押さえベルト４２は、接触ベルト４１ａと引出し電極９ａ、及び、接触ベルト４１ｂと陽極層５とを接触させる。検査装置４０は、支持基板３を支持しながら、陽極層５及び陰極層９に電圧を印加し、欠陥を検査する。

より詳細には、検査装置４０は、搬送される支持基板３の下方に配置され、発光層７を撮像する撮像部（例えば、カメラ）を備えている。検査装置４０は、撮像部によって撮像された発光層７の画像に基づいて、欠陥箇所を検出する。画像に基づく欠陥の検査方法としては、公知の技術を採用することができる。

［欠陥除去工程］
続いて、欠陥が検出された場合、欠陥箇所の陰極層９を除去する（欠陥除去工程、ステップＳ０６）。欠陥除去工程では、欠陥検査工程において検出された欠陥箇所の陰極層９を除去する。具体的には、図５に示されるように、欠陥除去装置５０は、レーザーＬを照射するレーザー照射部を備えている。レーザーＬの波長は、例えば、０．１９μｍ〜１０．６μｍである。

欠陥除去装置５０は、レーザーＬを陰極層９に照射し、レーザーアブレーションにより欠陥箇所の陰極層９を除去する。欠陥箇所には、当該欠陥箇所の周辺領域も含まれ得る。レーザーＬは、陰極層９側から照射される。本実施形態では、欠陥除去工程においては、図５及び図６に示されるように、陰極層９が支持基板３に対して下方に位置するように、支持基板３が搬送される。すなわち、図３に示されるステップＳ０５までは、支持基板３が下側に位置するように搬送され、ステップＳ０６では、支持基板３が上側に位置するように搬送経路が設定されている。レーザーＬは、上方に位置する陰極層９に向かって下方から照射される。欠陥除去装置５０において欠陥除去工程が行われる環境は、露点温度が−５０℃以下（窒素雰囲気又はドライエア雰囲気）であることが好ましい。

欠陥除去工程では、図５に示されるように、欠陥箇所の陰極層９のみを除去してもよいし、図６に示されるように、陰極層９及び発光層７の一部を除去してもよい。陰極層９が除去された部分には、凹部Ｈが形成される。少なくとも欠陥箇所の陰極層９が除去されることにより、陽極層５と陰極層９とが電気的に絶縁され、陽極層５と陰極層９との短絡が解消される。

［封止層形成工程］
続いて、陰極層９上に封止層１１を形成する（封止層形成工程、ステップＳ０７）。封止層形成工程では、陰極層９上に封止層１１を貼合する。具体的には、熱硬化性を有する接着層が設けられた封止層１１を用意し、接着層を陰極層９側に位置させて、陰極層９を覆うように封止層１１を陰極層９上に配置する。その後、封止層１１の接着層を熱硬化させて、陰極層９と封止層１１とを接合する。欠陥除去工程において陰極層９に形成された凹部Ｈは、図１に示されるように、封止層１１が形成されることによって接着層により埋められる。なお、封止層１１は、熱可塑性のシートによって形成されてもよい。この場合、封止層１１は、シートが加熱及び加圧されることによって陰極層９と接合されて形成される。

以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、金属箔を含む封止層１１を形成する前に、欠陥箇所の陰極層９にレーザーＬを照射して陰極層９の一部を除去する。このとき、レーザーＬを、陰極層９側から照射する。そのため、この製造方法では、ネットワーク構造を有する陽極層５の金属配線５ａにレーザーＬが反射して、レーザーＬが欠陥箇所の陰極層９に照射されないといった事態は生じない。したがって、欠陥箇所の陰極層９に対してレーザーＬを適切に照射でき、陰極層９を確実に除去できる。その結果、有機ＥＬ素子１の製造方法では、欠陥箇所を確実に修正できる。また、陰極層９を除去した後に封止層１１を形成するため、除去により生じた凹部Ｈを封止層１１で埋めることができる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、金属配線５ａが格子状のパターンを有する陽極層５を形成する。ネットワーク構造を構成する金属配線５ａが格子状のパターンを有している場合、陽極層５側からレーザーＬを照射すると、金属配線５ａでレーザーＬが反射する可能性が高い。そのため、陰極層９側からレーザーＬを照射する方法は、格子状のパターンを有するネットワーク構造において、特に有効である。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、陰極層９の材料よりも融点の高い材料を用いて陽極層５を形成する。また、陰極層９の材料よりも沸点の高い材料を用いて陽極層５を形成する。これらの構成により、レーザーＬの照射による陽極層５の損傷を抑制できる。したがって、有機ＥＬ素子１の信頼性の低下を抑制できる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、支持基板３が可撓性を有しており、製造に係る各工程をロールツーロール方式で実施する。ロールツーロール方式を採用することにより、各工程での処理を効率的に行うことができる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、欠陥検査工程においては、支持基板３を支持する押さえベルト４２と、陽極層５及び陰極層９に電圧を印加する接触ベルト４１ａ，４１ｂとにより支持基板３と陽極層５及び陰極層９とを挟持し、発光層７を発光させることにより欠陥箇所を検出する。これにより、可撓性を有する支持基板３を撓ませることなく支持できる。また、押さえベルト４２と接触ベルト４１ａ，４１ｂとにより支持基板３と陽極層５及び陰極層９とが挟持されるため、接触ベルト４１ａ，４１ｂによって、陽極層５及び陰極層９とに電圧を確実に印加できる。したがって、発光層７を確実に発光させることが可能となり、欠陥箇所を良好に検出できる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、陰極層９にレーザーＬを照射するときの周囲の露点温度が−５０℃以下である。このように、窒素雰囲気又はドライエア雰囲気でレーザーＬを陰極層９に照射することにより、陰極層９の除去を良好に行うことができる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、欠陥箇所の陰極層９及び発光層７の一部をレーザーＬによって除去する。これにより、図６に示されるように、欠陥箇所の陰極層９が確実に除去される。したがって、陽極層５と陰極層９との短絡による欠陥箇所を修正できる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、支持基板３に対して陰極層９が下方に位置する状態において、レーザーＬを陰極層９に対して下側から照射する。これにより、レーザーＬの照射によって除去された除去物が下方に落下し得る。したがって、陰極層９に形成された凹部Ｈに除去物が残留することを抑制できる。

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層の構成はこれに限定されない。有機機能層は、以下の構成を有してしてもよい。

（ａ）陽極層／発光層／陰極層
（ｂ）陽極層／正孔注入層／発光層／陰極層
（ｃ）陽極層／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極層
（ｄ）陽極層／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
（ｅ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極層
（ｆ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極層
（ｇ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
（ｈ）陽極層／発光層／電子注入層／陰極層
（ｉ）陽極層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。

正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、発光層７と同様に塗布法により形成できる。

有機ＥＬ素子１は、単層の発光層７を有していてもよいし、２層以上の発光層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。

また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層

記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

電荷発生層を設けずに、複数の発光層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

上記実施形態では、ロールツーロール方式により、支持基板３上に陽極層５を形成する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３上に陽極層５を予め形成し、巻出しロール３０Ａと巻取りロール３０Ｂとの間に張り渡された長尺の陽極層５が形成された支持基板３を連続的に搬送ローラ３１で搬送しながら、有機ＥＬ素子１の製造に係る各工程を実施してもよい。

以上、本発明の種々の実施形態について説明した。しかしながら、本発明は上述した種々の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。

１…有機ＥＬ素子、３…支持基板（基材）、５…陽極層（第１電極層）、５ａ…金属配線（導電体）、７…発光層（有機機能層）、９…陰極層（第２電極層）、１１…封止層、Ｌ…レーザー。

Claims (10)

1. 基材と、ネットワーク構造を有する導電体を備える第１電極層と、有機機能層と、第２電極層と、不透明基材を含む封止層と、がこの順番で配置された有機ＥＬ素子の製造方法であって、
   前記基材上に、前記第１電極層、前記有機機能層及び前記第２電極層を形成する工程と、
   前記第２電極層を形成した後に、前記第１電極層と前記第２電極層との短絡による欠陥箇所を検出する工程と、
   前記欠陥箇所が検出された場合に、前記第２電極層側からレーザーを照射して、前記欠陥箇所の前記第２電極層を除去する工程と、
   前記欠陥箇所の前記第２電極層を除去した後に、前記封止層を形成する形成する工程と、を含む、有機ＥＬ素子の製造方法。
2. 前記導電体が格子状のパターンを有する前記第１電極層を形成する、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
3. 前記第２電極層の材料よりも融点の高い材料を用いて前記第１電極層を形成する、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
4. 前記第２電極層の材料よりも沸点の高い材料を用いて前記第１電極層を形成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
5. 前記基材は、可撓性を有しており、
   前記工程のそれぞれを、前記基材を連続して搬送しながら行う、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
6. 前記欠陥箇所を検出する工程においては、前記基材を支持する支持部と前記第１電極層及び前記第２電極層に電圧を印加する印加部とにより前記基材と前記第１電極層及び前記第２電極層とを挟持し、前記有機機能層を発光させることにより前記欠陥箇所を検出する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
7. 前記基材は、バリア層を有するフィルム、又は、薄膜ガラスである、請求項１〜６のいずれか一項の有機ＥＬ素子の製造方法。
8. 前記第２電極層に前記レーザーを照射するときの周囲の露点温度が−５０℃以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
9. 前記欠陥箇所の前記第２電極層及び前記有機機能層の一部を前記レーザーによって除去する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
10. 前記基材に対して前記第２電極層が下方に位置する状態において、前記レーザーを前記第２電極層に対して下側から照射する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。

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