CN108141936A - 有机el元件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机EL元件(1)的制造方法,该制造方法包括:在基材(3)上形成第一电极层(5)、有机功能层(7)及第二电极层(9)的工序;在形成第二电极层(9)后,检测缺陷部位的工序;在检测出缺陷部位的情况下,从第二电极层(9)侧照射激光(L),除去缺陷部位的第二电极层(9)的工序;以及在除去缺陷部位的第二电极层(9)后,形成密封层(11)的工序。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机EL元件的制造方法。
背景技术
作为有机EL元件,已知有在支撑基板上依次层叠有第一电极层、包含发光层的有机功能层、第二电极层、和密封层的有机EL元件(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-148066号公报
发明内容
发明所要解决问题
在以往的有机EL元件的制造工序中,在因第一电极层与第二电极层的短路而产生缺陷(像素缺陷)的情况下,从第一电极层侧向缺陷部位的第二电极层照射激光而除去第二电极层。由此,使第一电极层与第二电极层电绝缘,消除第一电极层与第二电极层的短路。
此处,作为第一电极层,有具备具有网络结构的导体的电极层。在具备该第一电极层的有机EL元件中,在利用激光除去第二电极层的缺陷部位时,如果从第一电极侧照射激光,则会有激光在网络结构的导体中反射的情况。因此,在制造具备具有网络结构的第一电极层的有机EL元件的情况下,以往的制造方法中,因激光在导体中反射而不能将激光向第二电极层的缺陷部位照射,有可能无法除去缺陷部位的第二电极层。因此,以往的有机EL元件的制造方法中,可能产生无法修正缺陷部位的问题。
本发明的一个方面提供一种可以可靠地修正缺陷部位的有机EL元件的制造方法。
用于解决问题的方法
本发明的一个方面的有机EL元件的制造方法是依次配置有基材、具备具有网络结构的导体的第一电极层、有机功能层、第二电极层、和包含不透明基材的密封层的有机EL元件的制造方法,该制造方法包括:在基材上形成第一电极层、有机功能层及第二电极层的工序;在形成第二电极层后,检测由第一电极层与第二电极层的短路造成的缺陷部位的工序;在检测出缺陷部位的情况下,从第二电极层侧照射激光而除去缺陷部位的第二电极层的工序;在除去缺陷部位的第二电极层后,形成密封层的工序。
本发明的一个方面的有机EL元件的制造方法中,在形成包含不透明基材的密封层前,向缺陷部位的第二电极层照射激光而除去第二电极层的一部分。此时,从第二电极层侧照射激光。因此,该制造方法中,不会产生在具有网络结构的第一电极层的导体处激光发生反射、不能将激光向缺陷部位的第二电极层照射的情形。因而,可以向缺陷部位的第二电极层恰当地照射激光,可以可靠地除去第二电极层。其结果是,在有机EL元件的制造方法中,可以可靠地修正缺陷部位。
也可以在一个实施方式中,形成导体具有格子状的图案的第一电极层。在构成网络结构的导体具有格子状的图案的情况下,如果从第一电极层侧照射激光,则激光在导体中反射的可能性高。因此,从第二电极层侧照射激光的方法在具有格子状的图案的网络结构中特别有效。
也可以在一个实施方式中,使用与第二电极层的材料相比熔点高的材料来形成第一电极层。另外,也可以在一个实施方式中,使用与第二电极层的材料相比沸点高的材料来形成第一电极层。利用这些构成,可以抑制由激光的照射造成的第一电极层的损伤。因而,可以抑制有机EL元件的可靠性的降低。
也可以在一个实施方式中,基材具有挠曲性,在连续地运送基材的同时进行各个工序。由于基材具有挠曲性,因此可以采用在运送基材的同时进行处理的卷对卷方式。因此,可以有效地进行各工序中的处理。
也可以在一个实施方式中,在检测缺陷部位的工序中,利用支撑基材的支撑部和对第一电极层及第二电极层施加电压的施加部夹持基材和第一电极层及第二电极层,并使有机功能层发光,由此来检测缺陷部位。由此,在检查缺陷的工序中,可以不使例如具有挠曲性的基材弯曲地进行支撑。另外,由于利用支撑部和施加部夹持基材和第一电极层及第二电极层,因此可以利用施加部对第一电极层及第二电极层可靠地施加电压。因而,能够使有机功能层可靠地发光,可以良好地检查缺陷部位。
也可以在一个实施方式中,基材为具有屏蔽层的膜、或薄膜玻璃。
也可以在一个实施方式中,向第二电极层照射激光时的周围的露点温度为-50℃以下。通过像这样在干燥空气的气氛中向第二电极层照射激光,可以良好地进行第二电极层的除去。
也可以在一个实施方式中,利用激光除去缺陷部位的第二电极层及有机功能层的一部分。由此,缺陷部位的第二电极层就被可靠地除去。因而,可以可靠地使第一电极层与第二电极层绝缘,可以可靠地修正由短路造成的缺陷部位。
也可以在一个实施方式中,在第二电极层相对于基材位于下方的状态下,从下侧向第二电极层照射激光。由此,因激光的照射而被除去的除去物就可以向下方落下。因而,可以抑制在第二电极层的除去部分残留除去物。
发明效果
根据本发明的一个方面,可以可靠地修正缺陷部位。
附图说明
图1是利用一个实施方式的有机EL元件的制造方法制造的有机EL元件的剖视图。
图2是表示阳极层的构成的图。
图3是示意性地表示基于卷对卷方式的有机EL元件的制造方法的图。
图4是表示检查装置的图。
图5是表示缺陷除去工序的图。
图6是表示缺陷除去工序的图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的优选的实施方式进行详细说明。需要说明的是,在附图的说明中对于相同或相当要素使用相同符号,省略重复的说明。
如图1所示,利用有机EL元件的制造方法制造的有机EL元件1具备:支撑基板(基材)3、阳极层(第一电极层)5、发光层(有机功能层)7、阴极层(第二电极层)9、和密封层11。有机EL元件1依次配置有支撑基板3、阳极层5、发光层7、阴极层9及密封层11。
[支撑基板]
支撑基板3由对可见光(波长400nm~800nm的光)具有透光性的树脂构成。支撑基板3是膜状的基板(柔性基板、具有挠曲性的基板)。支撑基板3的厚度例如为30μm以上且500μm以下。
支撑基板3例如为塑料膜。支撑基板3的材料例如包含聚醚砜(PES);聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂;聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、环状聚烯烃等聚烯烃树脂;聚酰胺树脂;聚碳酸酯树脂;聚苯乙烯树脂;聚乙烯醇树脂;乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的皂化物;聚丙烯腈树脂;乙缩醛类树脂;聚酰亚胺树脂;环氧树脂。
在上述树脂当中,由于耐热性高、线膨胀率低、并且制造成本低,因此支撑基板3的材料优选聚酯树脂、聚烯烃树脂,特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。另外,这些树脂可以单独使用1种,也可以组合使用2种以上。
也可以在支撑基板3的一个主面3a上,配置阻水层(屏蔽层)。支撑基板3的另一个主面3b为发光面。需要说明的是,支撑基板3也可以是薄膜玻璃。
[阳极层]
阳极层5具有由导体构成的网络结构。如图1及图2所示,阳极层5具有金属布线(导体)5a和透明树脂填充材料5b。金属布线5a为导体,构成网络结构。金属布线5a的材料例如选自银、铝、铜、钯、金、镍、铁、钼及铬,或选自包含这些金属中的1种以上的合金(例如MAM(钼·铝·钼))。
金属布线5a由具有多个开口部6(或窗部)的给定的图案形成。给定图案例如如图2所示,为格子状的图案。在格子状的图案的情况下,多个开口部6对应于网眼。网眼的形状例如包括长方形或正方形之类的四边形、三边形、以及六边形。只要是金属布线5a具有网络结构,给定图案的形态就不受限定。
透明树脂填充材料5b被分别填充于多个开口部6,将开口部6填埋。透明树脂填充材料5b的厚度与金属布线5a的厚度大致相同。透明树脂填充材料5b的材料例如可以合适地使用日本特开2008-65319号公报中记载的聚合性树脂化合物。
阳极层5的材料与后述的阴极层9的材料相比熔点高。另外,阳极层5的材料与阴极层9的材料相比沸点高。
[发光层]
发光层7通常主要由发出荧光和/或磷光的有机物、或该有机物和辅助该有机物的掺杂剂形成。掺杂剂例如是为了提高发光效率、或改变发光波长而加入。发光层7中所含的有机物可以是低分子化合物,也可以是高分子化合物。作为构成发光层7的发光材料,例如可以举出公知的色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料、掺杂剂材料。
[阴极层]
阴极层9可以使用包含金属氧化物、金属硫化物及金属等的薄膜。阴极层9例如使用包含氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO(Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(Indium ZincOxide:简称IZO)、金、铂、银、镁、以及铜等的薄膜。另外,阴极层9也可以由银纳米颗粒、或银纳米线等纳米结构体形成。阴极层9与引出电极9a电连接。
[密封层]
密封层11至少具有金属箔和粘接层。密封层11具有阻气功能及阻水功能。金属箔为不透明基材,例如为Al箔或Cu箔等。粘接层将密封层11与阴极层9粘接。粘接层设于阴极层9侧。密封层11覆盖阴极层9。需要说明的是,密封层11也可以是在塑料膜上层叠具有屏蔽性的金属层(Al层、Cu层等)而得的膜等。
接下来,对具有上述构成的有机EL元件1的制造方法进行说明。在制造有机EL元件1的情况下,首先,加热支撑基板3而使之干燥。其后,在经过干燥的支撑基板3上,形成阳极层5、发光层7、阴极层9及密封层11。
在支撑基板3为挠曲性基板的方式中,在有机EL元件1的制造中,如图3所示,可以采用卷对卷方式。在利用卷对卷形式制造有机EL元件1的情况下,在连续地利用运送辊31运送架设于卷出辊30A与卷绕辊30B之间的长尺寸的挠曲性的支撑基板3的同时,实施有机EL元件1的制造的各工序。
[基板干燥工序]
首先,使支撑基板3干燥(基板干燥工序、步骤S01)。基板干燥工序中,例如以使支撑基板3内的含有水分为100ppm以下的方式使支撑基板3干燥。在支撑基板3的干燥中,例如可以使用向支撑基板3照射红外线而进行加热的装置。
[阳极层形成工序]
然后,在支撑基板3上,形成阳极层5(阳极层形成工序、步骤S02)。阳极层形成工序中,在形成金属布线5a后,形成透明树脂填充材料5b。
金属布线5a例如可以利用光刻法来形成。该情况下,首先,利用物理蒸镀(PVD)法及溅射法等形成欲成为金属布线5a的金属层。其后,通过将金属层用光刻法图案化为给定的图案,而得到金属布线5a。
另外,金属布线5a也可以使用剥离法来形成。该情况下,首先,形成将欲形成给定图案的金属布线5a的区域开口了的掩模。其后,利用物理蒸镀及溅射法等在掩模的开口部堆积金属而形成金属布线。接下来,通过除去掩模,就可以得到给定图案的金属布线5a。
另外,金属布线5a也可以使用喷墨印刷法、凹版印刷法或丝网印刷法等各种印刷方法来形成。该情况下,例如,利用喷墨印刷法等,以金属布线5a的给定的图案来印刷分散有纳米结构体的墨液。其后,进行烧成,由此可以得到金属布线5a。
透明树脂填充材料5b是将包含成为该透明树脂填充材料5b的透明树脂材料的涂布液涂布于金属布线5a。作为涂布液的溶剂,只要是可以溶解透明树脂材料的溶剂,就没有限定,例如可以举出二甘醇甲乙醚、丙二醇1-单甲醚2-乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基-1-丁醇、环己酮。
作为涂布法,可以举出缝形模头法、浇涂法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、以及喷墨打印法等。
在向金属布线5a涂布透明树脂材料而在金属布线5a处形成树脂膜后,例如对树脂膜实施光固化处理、显影处理及加热处理而使树脂膜热固化,形成透明树脂填充材料5b。由此,由金属布线5a划分出的开口部6由透明树脂填充材料5b填埋,形成阳极层5。
需要说明的是,透明树脂填充材料5b的材料除了可以使用日本特开2008-65319号公报中记载的聚合性树脂化合物以外,还可以使用具有导电性的有机材料。
[发光层形成工序]
接下来,在阳极层5上形成发光层7(发光层形成工序、步骤S03)。发光层7如上所述,由色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料、掺杂剂材料形成。
作为色素系材料,例如可以举出环五胺及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物、三苯胺及其衍生物、噁二唑及其衍生物、吡唑并喹啉及其衍生物、二苯乙烯基苯及其衍生物、二苯乙烯基亚芳基(ジスチリルアリーレン)及其衍生物、吡咯及其衍生物、噻吩化合物、吡啶化合物、紫环酮及其衍生物、苝及其衍生物、低聚噻吩及其衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮及其衍生物、香豆素及其衍生物等。
作为金属络合物系材料,例如可以举出作为中心金属具有Tb、Eu、Dy等稀土类金属、或Al、Zn、Be、Ir、Pt等、作为配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。
作为高分子系材料,可以举出聚对苯乙炔(ポリパラフェニレンビニレン)及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对苯撑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、聚乙炔及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚乙烯基咔唑及其衍生物、将上述色素系材料或金属络合物系发光材料高分子化了的材料等。
在上述发光性材料当中,作为发出蓝色光的材料,可以举出二苯乙烯基亚芳基及其衍生物、噁二唑及其衍生物、以及它们的聚合物、聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚苯撑及其衍生物、聚芴及其衍生物等。
另外,作为发出绿色光的材料,可以举出喹吖啶酮及其衍生物、香豆素及其衍生物、以及它们的聚合物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚芴及其衍生物等。
另外,作为发出红色光的材料,可以举出香豆素及其衍生物、噻吩化合物、以及它们的聚合物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物等。
作为掺杂剂材料,例如可以举出苝及其衍生物、香豆素及其衍生物、红荧烯及其衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、方酸内鎓盐及其衍生物、卟啉及其衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯及其衍生物、吡唑啉酮及其衍生物、十环烯及其衍生物、吩噁嗪酮及其衍生物等。
发光层7可以利用蒸镀法或涂布法形成。作为涂布法,例如可以举出旋涂法、浇涂法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、模缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法及喷嘴涂布法等涂布法、以及凹版印刷法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、反转印刷法、喷墨打印法等印刷法。在需要图案涂布的情况下,优选利用能够进行图案涂布的涂布方法来形成,特别优选利用喷墨打印法来形成。
作为涂布法中所用的墨液(涂布液)的溶剂,只要是可以溶解各材料的溶剂,就没有限制,例如可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂、四氢呋喃等醚系溶剂、甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂、丙酮、甲乙酮等酮系溶剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂、以及水。
[阴极层形成工序]
接下来,在发光层7上形成阴极层9(阴极层形成工序、步骤S04)。阴极层9可以与发光层7相同地利用蒸镀法或涂布法形成。作为阴极层9的材料,优选功函数小、向发光层7的电子注入容易、电导率高的材料。在从阳极层5侧导出光的(支撑基板3的主面3b成为发光面)构成的有机EL元件1中,为了将从发光层7发射的光用阴极层9向阳极层5侧反射,作为阴极层9的材料优选可见光反射率高的材料。作为阴极层9,例如可以使用碱金属、碱土类金属、过渡金属、以及周期表的13族金属等。在利用蒸镀法形成阴极层9的情况下,优选包含铝、银、以及镁的至少1种。在利用涂布法形成阴极层9的情况下,优选包含银纳米颗粒、或银纳米线等银纳米结构体等纳米结构体。
[缺陷检查工序]
然后,检查缺陷(缺陷检查工序、步骤S05)。缺陷检查工序中,对阳极层5及阴极层9施加电压而使发光层7发光,检查缺陷。此处所说的所谓缺陷,是因阳极层5与阴极层9短路而造成的像素缺陷。如图4所示,检查装置40具有接触带(施加部)41a、41b和推压带(支撑部)42。接触带41a、41b与未图示的电源连接。接触带41a接触与阴极层9电连接的引出电极9a。接触带41b接触阳极层5。接触带41a、41b对阳极层5及阴极层9施加电压。
推压带42支撑支撑基板3。推压带42使接触带41a与引出电极9a接触,并且使接触带41b与阳极层5接触。检查装置40在支撑支撑基板3的同时,对阳极层5及阴极层9施加电压,检查缺陷。
更具体而言,检查装置40具备配置于被运送的支撑基板3的下方、拍摄发光层7的拍摄部(例如照相机)。检查装置40基于由拍摄部拍摄的发光层7的图像来检测缺陷部位。作为基于图像的缺陷的检查方法,可以采用公知的技术。
[缺陷除去工序]
接下来,在检测出缺陷的情况下,除去缺陷部位的阴极层9(缺陷除去工序、步骤S06)。缺陷除去工序中,除去在缺陷检查工序中检测出的缺陷部位的阴极层9。具体而言,如图5所示,缺陷除去装置50具备照射激光L的激光照射部。激光L的波长例如为0.19μm~10.6μm。
缺陷除去装置50向阴极层9照射激光L,利用激光烧蚀除去缺陷部位的阴极层9。在缺陷部位中,也可以包含该缺陷部位的周边区域。从阴极层9侧照射激光L。本实施方式中,在缺陷除去工序中,如图5及图6所示,以使阴极层9相对于支撑基板3位于下方的方式,运送支撑基板3。即,直到图3所示的步骤S05,以使支撑基板3位于下侧的方式运送,在步骤S06中,以使支撑基板3位于上侧的方式设定运送路径。激光L从下方向位于上方的阴极层9照射。在缺陷除去装置50中进行缺陷除去工序的环境优选露点温度为-50℃以下(氮气气氛或干燥空气气氛)。
缺陷除去工序中,可以如图5所示,仅除去缺陷部位的阴极层9,也可以如图6所示,除去阴极层9及发光层7的一部分。在除去了阴极层9的部分,形成凹部H。通过至少除去缺陷部位的阴极层9,而将阳极层5与阴极层9电绝缘,消除阳极层5与阴极层9的短路。
[密封层形成工序]
接下来,在阴极层9上形成密封层11(密封层形成工序、步骤S07)。密封层形成工序中,在阴极层9上粘贴密封层11。具体而言,准备设有具有热固化性的粘接层的密封层11,使粘接层位于阴极层9侧,以覆盖阴极层9的方式将密封层11配置于阴极层9上。其后,使密封层11的粘接层热固化,将阴极层9与密封层11接合。在缺陷除去工序中形成于阴极层9的凹部H如图1所示,因形成密封层11而由粘接层填埋。需要说明的是,密封层11也可以由热塑性的片形成。该情况下,密封层11是通过对片加热及加压而与阴极层9接合形成。
如上说明所示,本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,在形成包含金属箔的密封层11前,向缺陷部位的阴极层9照射激光L而除去阴极层9的一部分。此时,从阴极层9侧照射激光L。因此,该制造方法中,不会产生激光L在具有网络结构的阳极层5的金属布线5a处反射、从而不能将激光L向缺陷部位的阴极层9照射的情形。因而,可以向缺陷部位的阴极层9恰当地照射激光L,可以可靠地除去阴极层9。其结果是,有机EL元件1的制造方法中,可以可靠地修正缺陷部位。另外,由于在除去阴极层9后形成密封层11,因此可以将因除去而产生的凹部H用密封层11填埋。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,形成金属布线5a具有格子状的图案的阳极层5。在构成网络结构的金属布线5a具有格子状的图案的情况下,如果从阳极层5侧照射激光L,则激光L在金属布线5a处反射的可能性高。因此,从阴极层9侧照射激光L的方法在具有格子状的图案的网络结构中特别有效。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,使用与阴极层9的材料相比熔点高的材料来形成阳极层5。另外,使用与阴极层9的材料相比沸点高的材料来形成阳极层5。利用这些构成,可以抑制由激光L的照射造成的阳极层5的损伤。因而,可以抑制有机EL元件1的可靠性的降低。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,支撑基板3具有挠曲性,利用卷对卷方式来实施制造的各工序。通过采用卷对卷方式,可以有效地进行各工序中的处理。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,在缺陷检查工序中,通过利用支撑支撑基板3的推压带42和对阳极层5及阴极层9施加电压的接触带41a、41b夹持支撑基板3和阳极层5及阴极层9,并使发光层7发光而检测缺陷部位。由此,就可以不使具有挠曲性的支撑基板3弯曲地进行支撑。另外,由于利用推压带42和接触带41a、41b夹持支撑基板3和阳极层5及阴极层9,因此可以利用接触带41a、41b,对阳极层5及阴极层9可靠地施加电压。因而,能够使发光层7可靠地发光,可以良好地检测缺陷部位。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,向阴极层9照射激光L时的周围的露点温度为-50℃以下。通过像这样在氮气气氛或干燥空气气氛中向阴极层9照射激光L,就可以良好地进行阴极层9的除去。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,利用激光L将缺陷部位的阴极层9及发光层7的一部分除去。由此,如图6所示,缺陷部位的阴极层9被可靠地除去。因而,可以修正由阳极层5与阴极层9的短路造成的缺陷部位。
本实施方式的有机EL元件1的制造方法中,在阴极层9相对于支撑基板3位于下方的状态下,从下侧向阴极层9照射激光L。由此,因激光L的照射而被除去的除去物就可以向下方落下。因而,可以抑制在形成于阴极层9的凹部H残留除去物。
需要说明的是,本发明并不限定于上述的本实施方式,可以进行各种变形。例如,上述实施方式中,例示了在阳极层5与阴极层9之间配置有发光层7的有机EL元件1。但是,有机功能层的构成并不限定于此。有机功能层也可以具有以下的构成。
(a)阳极层/发光层/阴极层
(b)阳极层/空穴注入层/发光层/阴极层
(c)阳极层/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极层
(d)阳极层/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层
(e)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极层
(f)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极层
(g)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层
(h)阳极层/发光层/电子注入层/阴极层
(i)阳极层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层
此处,记号“/”表示夹隔着记号“/”的各层被相邻地层叠。上述(a)中所示的构成表示上述实施方式的有机EL元件1的构成。
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层的各自的材料可以使用公知的材料。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层例如可以分别与发光层7相同地利用涂布法形成。
有机EL元件1可以具有单层的发光层7,也可以具有2层以上的发光层7。在上述(a)~(i)的层构成中的任意一个中,如果将配置于阳极层5与阴极层9之间的层叠结构设为“结构单元A”,则作为具有2层的发光层7的有机EL元件的构成,例如可以举出下述(j)中所示的层构成。存在有2个的(结构单元A)的层构成既可以相同,也可以不同。
(j)阳极层/(结构单元A)/电荷发生层/(结构单元A)/阴极层
此处所谓电荷发生层,是通过施加电场而产生空穴和电子的层。作为电荷发生层,例如可以举出包含氧化钒、ITO、氧化钼等的薄膜。
另外如果将“(结构单元A)/电荷发生层”设为“结构单元B”,则作为具有3层以上的发光层的有机EL元件的构成,例如可以举出以下的(k)中所示的层构成。
(k)阳极层/(结构单元B)x/(结构单元A)/阴极层
记号“x”表示2以上的整数,“(结构单元B)x”表示层叠有x段的(结构单元B)的层叠体。另外存在有多个的(结构单元B)的层构成既可以相同,也可以不同。
也可以不设置电荷发生层而是直接层叠多个发光层7来构成有机EL元件。
上述实施方式中,以利用卷对卷方式在支撑基板3上形成阳极层5的方式为一例进行了说明。但是,也可以在支撑基板3上预先形成阳极层5,在连续地利用运送辊31运送架设于卷出辊30A与卷绕辊30B之间的长尺寸的形成有阳极层5的支撑基板3的同时,实施有机EL元件1的制造的各工序。
以上,对本发明的各种实施方式进行了说明。然而,本发明并不限定于上述的各种实施方式,可以在不脱离本发明的主旨的范围中进行各种变形。
符号的说明
1有机EL元件,3支撑基板(基材),5阳极层(第一电极层),5a金属布线(导体),7发光层(有机功能层),9阴极层(第二电极层),11密封层,L激光。
Claims (10)
1.一种有机EL元件的制造方法,是依次配置有基材、具备具有网络结构的导体的第一电极层、有机功能层、第二电极层、和包含不透明基材的密封层的有机EL元件的制造方法,
所述制造方法包括:
在所述基材上形成所述第一电极层、所述有机功能层及所述第二电极层的工序;
在形成所述第二电极层后,检测由所述第一电极层与所述第二电极层的短路造成的缺陷部位的工序;
在检测出所述缺陷部位的情况下,从所述第二电极层侧照射激光,除去所述缺陷部位的所述第二电极层的工序;以及
在除去所述缺陷部位的所述第二电极层后,形成所述密封层的工序。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法,其中,
形成所述导体具有格子状的图案的所述第一电极层。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法,其中,
使用与所述第二电极层的材料相比熔点高的材料来形成所述第一电极层。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
使用与所述第二电极层的材料相比沸点高的材料来形成所述第一电极层。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
所述基材具有挠曲性,
在连续地运送所述基材的同时,进行各个所述工序。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
在检测所述缺陷部位的工序中,通过利用支撑所述基材的支撑部和对所述第一电极层及所述第二电极层施加电压的施加部夹持所述基材和所述第一电极层及所述第二电极层,并使所述有机功能层发光,从而检测所述缺陷部位。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
所述基材为具有屏蔽层的膜或薄膜玻璃。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
向所述第二电极层照射所述激光时的周围的露点温度为-50℃以下。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
利用所述激光除去所述缺陷部位的所述第二电极层及所述有机功能层的一部分。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的有机EL元件的制造方法,其中,
在所述第二电极层相对于所述基材位于下方的状态下,从下侧向所述第二电极层照射所述激光。
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