JP2016508160A - 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、（Ａ）縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を有するアルケニル基含有オルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンレジン、（Ｃ）（Ｃ１）分子鎖両末端にケイ素原子結合水素原子を有するオルガノシロキサン、（Ｃ２）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、または（Ｃ１）成分と（Ｃ２）成分の混合物、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性シリコーン組成物に関する。この硬化性シリコーン組成物は、取扱作業性が優れ、高屈折率で、ガス透過性の低い硬化物を形成することができる。

Description

本発明は、硬化性シリコーン組成物、この組成物を硬化してなる硬化物、およびこの組成物を用いてなる光半導体装置に関する。

２０１２年１２月２８日に出願された日本特許出願番号２０１２−２８８１２１について優先権を主張し、参照によってその内容をここに取り込む。

硬化性シリコーン組成物は、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体装置における光半導体素子の封止材あるいは保護コーティング材に使用されている。しかし、硬化性シリコーン組成物の硬化物はガス透過性が高いため、光の強度が強く、発熱が大きい高輝度ＬＥＤでは、腐食性ガスによる、封止材の変色や、ＬＥＤの基板にメッキされた銀の腐食による輝度の低下が問題となっている。

このため、特開２０１２−０５２０４５号公報には、ガス透過性の低い硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物が提案されているが、このような硬化性シリコーン組成物は、粘度が高く、取扱作業性が乏しく、また、その硬化物のガス透過性も十分に低いものではないという課題がある。

特開２０１２−０５２０４５号公報

本発明の目的は、取扱作業性が優れ、高屈折率で、ガス透過性の低い硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高屈折率で、ガス透過性の低い硬化物を提供することにあり、さらには、信頼性に優れる光半導体装置を提供することにある。

本発明の硬化性シリコーン組成物は、
（Ａ）一般式：

（式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる炭素数２〜１２のアルケニル基であり、Ｒ^２は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、Ｒ^３は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、Ｒ^４は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基であり、ｍは１〜１００の整数であり、ｎは０〜１００の整数であり、但し、１≦ｍ＋ｎ≦１００である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）平均単位式：
(Ｒ^１Ｒ^２ _２ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^４ _２ＳiＯ_２/２)_ｂ(Ｒ^５ＳiＯ_３/２)_ｃ
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^４は前記と同じであり、Ｒ^５は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.５、０≦ｂ≦０.７、０.１≦ｃ＜０.９、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数である。）
で表され、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンレジン（本組成物中に１０〜８０質量％）、
（Ｃ）（Ｃ_１）一般式：
ＨＲ^６Ｒ^７ＳiＯ(Ｒ^６ _２ＳiＯ)_ｐＳiＲ^６Ｒ^７Ｈ
（式中、Ｒ^６は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、Ｒ^７は同じかまたは異なる炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｐは０〜１００の整数である。）
で表されるオルガノシロキサン、（Ｃ_２）平均単位式：
(ＨＲ^６Ｒ^７ＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＲ^７ _２ＳiＯ_１/２)_ｅ(Ｒ^６ _２ＳiＯ_２/２)_ｆ(Ｒ^５ＳiＯ_３/２)_ｇ
（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は前記と同じであり、ｄ、ｅ、ｆ、およびｇは、それぞれ、０.０１≦ｄ≦０.７、０≦ｅ≦０.５、０≦ｆ≦０.７、０.１≦ｇ＜０.９、かつｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１を満たす数である。）
で表される、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、または前記（Ｃ_１）成分と（Ｃ_２）成分の混合物｛（Ａ）成分と（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルとなる量｝、および
（Ｄ）有効量のヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなることを特徴とする。

本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。

本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。

本発明の硬化性シリコーン組成物は、取扱作業性が優れ、高屈折率で、ガス透過性の低い硬化物を形成するという特徴がある。また、本発明の硬化物は、高屈折率で、ガス透過性の低いという特徴があり、本発明の光半導体装置は、信頼性が優れるという特徴がある。

本発明の光半導体装置の一例であるＬＥＤの断面図である。

はじめに、本発明の硬化性シリコーン組成物を詳細に説明する。
（Ａ）成分は、本組成物の主剤であり、一般式：

で表されるオルガノポリシロキサンである。

式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる炭素数２ １２のアルケニル基であり、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。

式中、Ｒ^２は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基である。Ｒ^２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基が例示され、好ましくは、メチル基である。Ｒ^２のアルケニル基としては、前記Ｒ^１と同様の基が例示される。Ｒ^２のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらのアリール基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。この中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましい。Ｒ^２のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基、およびこれらのアラルキル基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。

式中、Ｒ^３は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基である。Ｒ^３の縮合多環芳香族基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらの縮合多環芳香族基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。この中で、ナフチル基が好ましい。Ｒ^３の縮合多環芳香族基含有基としては、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基等の縮合多環芳香族基含有アルキル基、およびこれらの縮合多環芳香族基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。

式中、Ｒ^４は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基である。Ｒ^４のアルキル基としては、前記Ｒ^２と同様のアルキル基が例示される。Ｒ^４のアルケニル基としては、前記Ｒ^１と同様の基が例示される。

式中、ｍは１〜１００の範囲内の整数であり、ｎは０〜１００の範囲内の整数であり、但し、１≦ｍ＋ｎ≦１００である。好ましくは、ｍは１〜５０の範囲内の整数であり、ｎは０〜３０の範囲内の整数である。さらに好ましくは、ｍは１〜２５の範囲内の整数であり、ｎは０〜１０の範囲内の整数である。これは、ｍが上記範囲の下限以上であると、硬化物に十分なガスバリア性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の取扱作業性が向上するからである。。

このような（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンを調製する方法は特に限定されないが、例えば、一般式：
Ｒ^３Ｒ^４ＳiＸ_２
で表されるシラン化合物（Ｉ−１）と一般式：
Ｒ^４ _２ＳiＸ_２、
で表されるシラン化合物（Ｉ−２）、一般式：
（Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ）_ｒ
で表される環状シロキサン化合物（II−１）と一般式：
（Ｒ^４ _２ＳiＯ）_ｒ
で表される環状シロキサン化合物（II−２）、あるいは一般式：
ＨＯ(Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ)_ｓＨ
で表される直鎖状オルガノシロキサン（III−１）と一般式：
ＨＯ(Ｒ^４ _２ＳiＯ)_ｓＨ
で表される直鎖状オルガノシロキサン（III−２）と、一般式：
Ｒ^１Ｒ^２ _２ＳiＯＳiＲ^１Ｒ^２ _２
で表されるジシロキサン（IV−２）および／または一般式：
Ｒ^１Ｒ^２ _２ＳiＸ
で表されるシラン化合物（IV−２）を、酸またはアルカリの存在下、加水分解・縮合反応させる方法が挙げられる。

式中、Ｒ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^２は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^３は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^４は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、ｒは１以上の整数であり、ｓは２以上の整数である。式中、Ｘは、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基；アセトキシ基等のアシロキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；または水酸基である。

このようなシラン化合物（Ｉ−１）、（Ｉ−２）としては、フェニルメチルジメトキシシシラン、ナフチルメチルジメトキシシラン、アントラセニルメチルジメトキシシラン、フェナントリルメチルジメトキシシラン、ピレニルメチルジメトキシシラン、フェニルエチルジメトキシシシラン、ナフチルエチルジメトキシシラン、アントラセニルエチルジメトキシシラン、フェナントリルエチルジメトキシシラン、ピレニルエチルジメトキシシラン、フェニルエチルジメトキシシシラン、フェニルメチルジエトキシシシラン、ナフチルメチルジエトキシシラン、アントラセニルメチルジエトキシシラン、フェナントリルメチルジエトキシシラン、ピレニルメチルジエトキシシラン、フェニルエチルジエトキシシシラン、ナフチルエチルジエトキシシラン、アントラセニルエチルジエトキシシラン、フェナントリルエチルジエトキシシラン、ピレニルエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシシラン、ナフチルフェニルジメトキシシラン、アントラセニルフェニルジメトキシシラン、フェナントリルフェニルジメトキシシラン、ピレニルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシシラン、ナフチルフェニルジエトキシシラン、アントラセニルフェニルジエトキシシラン、フェナントリルフェニルジエトキシシラン、ピレニルフェニルジエトキシシラン等のアルコキシシラン；フェニルメチルジクロロシラン、ナフチルメチルジクロロシラン、アントラセニルメチルジクロロシラン、フェナントリルメチルジクロロシラン、ピレニルメチルジクロロシラン、フェニルエチルジクロロシラン、ナフチルエチルジクロロシラン、アントラセニルエチルジクロロシラン、フェナントリルエチルジクロロシラン、ピレニルエチルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ナフチルフェニルジクロロシラン、アントラセニルフェニルジクロロシラン、フェナントリルフェニルジクロロシラン、ピレニルフェニルジクロロシラン等のハロシラン；フェニルメチルジヒドロキシシラン、ナフチルメチルジヒドロキシシラン、アントラセニルメチルジヒドロキシシラン、フェナントリルメチルジヒドロキシシラン、ピレニルメチルジヒドロキシシラン、ジフェニルジヒドロキシラン、ナフチルフェニルジヒドロキシシラン、アントラセニルフェニルジヒドロキシシラン、フェナントリルフェニルジヒドロキシシラン、ピレニルフェニルジヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。

また、環状シロキサン化合物（II−１）、（II−２）としては、環状フェニルメチルシロキサン、環状ジフェニルシロキサン、環状ナフチルメチルシロキサン、環状ナフチルフェニルシロキサン、環状アントラセニルメチルシロキサン、環状アントラセニルフェニルシロキサン、環状フェナントリルメチルシロキサン、環状フェナントリルフェニルシロキサン等の環状シリコーンが例示される。

また、直鎖状オルガノシロキサン（III−１）、（III−２）としては、分子鎖両末端シラノール基封鎖フェニルメチルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ナフチルメチルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ナフチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖アントラセニルメチルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖アントラセニルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖フェナントリルメチルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖フェナントリルフェニルポリシロキサン等の分子鎖両末端シラノール基封鎖ポリシロキサンが例示される。

また、ジシロキサン（IV−１）としては、１,３−ジメチル−１,３−ジフェニル−１,３−ジビニルシロキサン、１,３−ジメチル−１,３−ジフェニル−１,３−ジアリルジシロキサン、１,１,３,３−テトラフェニル−１,３−ジビニルジシロキサン、１,１,３,３−テトラフェニル−１,３−ジアリルジシロキサンが例示される。

また、シラン化合物（IV−２）としては、ビニルメチルフェニルメトキシシラン、ビニルジフェニルメトキシシラン、アリルメチルフェニルメトキシシラン、アリルジフェニルメトキシシラン等のアルコキシシラン；ビニルメチルフェニルアセトキシシラン、アリルメチルフェニルアセトキシシラン、ビニルジフェニルアセトキシシラン、アリルジフェニルアセトキシシラン等のアセトキシシラン；ビニルメチルフェニルクロロシラン、アリルメチルフェニルクロロシラン、ビニルジフェニルクロロシラン、アリルジフェニルクロロシラン等のクロロシラン；ビニルメチルフェニルヒドロキシシラン、アリルメチルフェニルヒドロキシラン、ビニルジフェニルヒドロキシシラン、アリルジフェニルヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。

使用できる酸としては、塩酸、酢酸、蟻酸、硝酸、シュウ酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、多価カルボン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、イオン交換樹脂が例示される。

使用できるアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化物；酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の酸化物；トリエチルアミン、ジエチルアミン、アンモニア、ピコリン、ピリジン、１,８−ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン等のハロゲン化水素捕捉剤が例示される。

また、上記の調製方法において、有機溶剤を使用することができる。使用できる有機溶剤としては、芳香族あるいは脂肪族炭化水素およびこれらの２種以上の混合物が例示される。好ましい有機溶剤としては、トルエン、キシレンが例示される。

このような（Ａ）成分としては、次のようなオルガノシロキサンが例示される。なお、式中、Ｍe、Ｖi、Ｐh、Ｎaph、Ａnthは、それぞれ、メチル基、ビニル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基を示し、ｍ'は１〜１００の整数、ｎ'は１〜１００の整数を示す。
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＡnthＭeＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
Ｍe_２ＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭe_２Ｖi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'ＳiＭeＰhＶｉ
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＰhＶi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'(ＭeＰhＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi
Ｐh_２ＶiＳiＯ(ＡnthＰhＳiＯ)_ｍ'(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＰh_２Ｖi

（Ｂ）成分は、本組成物の主剤の一つであり、平均単位式：
(Ｒ^１Ｒ^２ _２ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^４ _２ＳiＯ_２/２)_ｂ(Ｒ^５ＳiＯ_３/２)_ｃ
で表され、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンレジンである。

式中、Ｒ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^２は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^４は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基であり、前記と同様の基が例示される。

また、式中、Ｒ^５は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基である。Ｒ^５のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらのアリール基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。この中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましい。Ｒ^５のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基、およびこれらのアラルキル基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。

式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.５、０≦ｂ≦０.７、０.１≦ｃ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数であり、好ましくは、０.０５≦ａ≦０.４５、０≦ｂ≦０.５、０.４≦ｃ＜０.８５、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数であり、さらに好ましくは、０.０５≦ａ≦０.４、０≦ｂ≦０.４、０.４５≦ｃ＜０.８、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数である。これは、ａが上記範囲の下限以上であると、硬化物のガス透過性が低下するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物にべたつきが生じ難くなるからである。また、ｂが上記範囲の上限以下であると、硬化物の硬度が良好となり、信頼性が向上するからである。また、ｃが上記範囲の下限以上であると、硬化物の屈折率が良好となるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物の機械的特性が向上するからである。

（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは、上記の平均単位式で表されるが、本発明の目的を損なわない範囲で、式：Ｒ^８ _３ＳiＯ_１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ^９ＳiＯ_３/２で表されるシロキサン単位、または式：ＳiＯ_４/２で表されるシロキサン単位を有してもよい。なお、式中、Ｒ^８は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基である。Ｒ^８のアルキル基としては、前記Ｒ^１と同様のアルキル基が例示される。Ｒ^８のアリール基としては、前記Ｒ^５と同様のアリール基が例示される。Ｒ^８のアラルキル基としては、前記Ｒ^５と同様のアラルキル基が例示される。式中、Ｒ^９は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数２〜１２のアルケニル基である。Ｒ^９のアルキル基としては、前記Ｒ^５と同様のアルキル基が例示される。Ｒ^９のアルケニル基としては、前記Ｒ^１と同様の基が例示される。さらに、（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンには、本発明の目的を損なわない範囲で、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のケイ素原子結合アルコキシ基、あるいはケイ素原子結合水酸基を有していてもよい。

本組成物において、（Ｂ）成分の含有量は、本組成物の１０〜８０質量％の範囲内であり、好ましくは、１０〜７０質量％の範囲内であり、特に好ましくは、３０〜７０質量％の範囲内である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、硬化物に機械的強度を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の取扱作業性を向上できるからである。

（Ｃ）成分は、本組成物の架橋剤であり、（Ｃ_１）一般式：
ＨＲ^６Ｒ^７ＳiＯ(Ｒ^６ _２ＳiＯ)_ｐＳiＲ^６Ｒ^７Ｈ
で表されるオルガノシロキサン、（Ｃ_２）平均単位式：
(ＨＲ^６Ｒ^７ＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＲ^７ _２ＳiＯ_１/２)_ｅ(Ｒ^６ _２ＳiＯ_２/２)_ｆ(Ｒ^５ＳiＯ_３/２)_ｇ
で表されるオルガノポリシロキサン、または前記（Ｃ_１）成分と（Ｃ_２）成分の混合物である。

（Ｃ_１）成分において、式中、Ｒ^６は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基である。Ｒ^６のアルキル基としては、前記Ｒ^２と同様のアルキル基が例示され、好ましくは、メチル基である、Ｒ^６のアリール基としては、前記Ｒ^２と同様のアリール基が例示され、好ましくは、フェニル基である。Ｒ^６のアラルキル基としては、前記Ｒ^２と同様のアラルキル基が例示される。式中、Ｒ^７は同じかまたは異なる炭素数１〜１２のアルキルであり、前記Ｒ^２と同様のアルキル基が例示され、好ましくは、メチル基である。式中、ｐは０〜１００の範囲内の整数であり、組成物の取扱作業性が優れることから、０〜３０の範囲内の整数であることが好ましく、さらには、０〜１０の範囲内の整数であることが好ましい。

このような（Ｃ_１）成分としては、次のようなオルガノシロキサンが例示される。なお、式中、Ｍe、Ｐh、Ｎaphは、それぞれ、メチル基、フェニル基、ナフチル基を示し、ｐ'は１〜１００の整数を示す。
ＨＭe_２ＳiＯ(Ｐh_２ＳiＯ)_ｐ'ＳiＭe_２Ｈ
ＨＭeＰhＳiＯ(Ｐh_２ＳiＯ)_ｐ'ＳiＭeＰhＨ
ＨＭeＮaphＳiＯ(Ｐh_２ＳiＯ)_ｎ'ＳiＭeＮaphＨ
ＨＭe_２ＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｐ'ＳiＭe_２Ｈ
ＨＭeＰhＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｐ'ＳiＭeＰhＨ
ＨＭeＮaphＳiＯ(ＭeＮaphＳiＯ)_ｐ'ＳiＭeＮaphＨ
ＨＭe_２ＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｐ'ＳiＭe_２Ｈ
ＨＭeＰhＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｐ'ＳiＭeＰhＨ
ＨＭeＮaphＳiＯ(ＮaphＰhＳiＯ)_ｐ'ＳiＭeＮaphＨ

また、（Ｃ_２）成分において、式中、Ｒ^５は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^６は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示される。式中、Ｒ^７は同じかまたは異なる炭素数１〜１２のアルキルであり、前記と同様の基が例示される。

式中、ｄ、ｅ、ｆ、およびｇは、それぞれ、０.１≦ｄ≦０.７、０≦ｅ≦０.５、０≦ｆ≦０.７、０.１≦ｇ＜０.９、かつ、ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１を満たす数であり、好ましくは、０.２≦ｄ≦０.７、０≦ｅ≦０.４、０≦ｆ＜０.５、０.２５≦ｇ＜０.７、かつ、ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１を満たす数である。これは、ｄが上記範囲の下限以上であると、硬化物のガス透過性が低くなるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物が適度な硬さを有するからである。また、ｅが上記範囲の上限以下であると、硬化物の屈折率が向上するからである。また、ｆが上記範囲の上限以下であると、硬化物が適度な硬さを有し、本組成物を用いて作製した光半導体装置の信頼性が向上するからである。また、ｇが上記範囲の下限以上であると、硬化物の屈折率が大きくなるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物の機械的強度が向上するからである。

このような（Ｃ_２）成分の分子量は特に限定されないが、本組成物の取扱作業性および硬化物の機械的強度が良好であることから、そのゲルパーミエーションクロマトグラフによる標準ポリスチレン換算の質量平均分子量が５００〜１０,０００の範囲内であることが好ましく、更には、５００〜２,０００の範囲内であることが好ましい。

このような（Ｃ_２）成分としては、次のようなオルガノポリシロキサンが例示される。なお、式中、Ｍe、Ｐh、およびＮaphは、それぞれ、メチル基、フェニル基、ナフチル基を示し、ｄ、ｅ'、ｆ'、およびｇは、それぞれ、０.１≦ｄ≦０.７、０＜ｅ'≦０.５、０＜ｆ'≦０.７、０.１≦ｇ＜０.９、かつ、ｄ＋ｅ'＋ｆ'＋ｇ＝１を満たす数を示す。
(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｄ(ＰhＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(ＰhＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(ＮaphＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｄ(ＮaphＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｅ'(ＰhＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｄ(Ｐh_２ＳiＯ_２/２)_ｆ'(ＰhＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(Ｐh_２ＳiＯ_２/２)_ｆ'(ＰhＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｄ(Ｐh_２ＳiＯ_２/２)_ｆ'(ＮaphＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(Ｐh_２ＳiＯ_２/２)_ｆ'(ＮaphＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｅ'(ＮaphＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｅ'(Ｐh_２ＳiＯ_２/２)_ｆ'(ＮaphＳiＯ_３/２)_ｇ
(ＨＭeＰhＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_ｅ'(Ｐh_２ＳiＯ_２/２)_ｆ'(ＰhＳiＯ_３/２)_ｇ

（Ｃ）成分として、上記（Ｃ_１)成分、上記（Ｃ_２)成分、あるいは上記（Ｃ_１)成分と上記（Ｃ_２)成分の混合物を用いることができる。上記（Ｃ_１)成分と上記（Ｃ_２)成分の混合物を用いる場合、その混合割合は特に限定されないが、好ましくは、上記（Ｃ_１)成分の質量：上記（Ｃ_２)成分の質量の比が０.５：９.５〜９.５：０.５の範囲内である。

本組成物において、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分中および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルの範囲内となる量であり、好ましくは、０.５〜２モルの範囲内となる量である。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、本組成物が十分に硬化するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物の耐熱性が向上し、ひいては、本組成物を用いて作製した光半導体装置の信頼性が向上するからである。

（Ｄ）成分は、本組成物の硬化を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示される。特に、本組成物の硬化を著しく促進できることから、（Ｄ）成分は白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、好ましくは、白金−アルケニルシロキサン錯体である。

本組成物において、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化を促進するために有効な量である。具体的には、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化反応を十分に促進できることから、本組成物に対して、質量単位で、（Ｄ）成分中の触媒金属が０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１〜１００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.０１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。

本組成物には、硬化途上で接触している基材に対する硬化物の接着性を向上させるため、接着付与剤を含有してもよい。接着付与剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物が好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物はケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。また、各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン化合物、オルガノシロキサンオリゴマー、アルキルシリケートが例示される。このオルガノシロキサンオリゴマーあるいはアルキルシリケートの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。特に、直鎖状、分枝鎖状、網状が好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物；一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物との混合物、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。本組成物において、接着付与剤の含有量は限定されないが、硬化途上で接触している基材に対して良好に接着することから、上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、０.０１〜１０質量部の範囲内であることが好ましい。

本組成物には、硬化物に柔軟性、伸張性、可撓性を付与するため、上記（Ａ）成分以外の一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子結合水素原子を有さない直鎖状のオルガノポリシロキサンを含有してもよい。このオルガノポリシロキサン中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等の炭素数２〜１２のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、アルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらのアリール基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基等の炭素数６〜２０のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基、およびこれらのアラルキル基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；またはクロロメチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等の炭素数１〜１２のハロゲン化アルキル基が例示される。

このようなオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端メチルフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端メチルフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示される。

また、本組成物には、その他任意の成分として、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。本組成物において、この反応抑制剤の含有量は限定されないが、上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、０.０００１〜５質量部の範囲内であることが好ましい。

また、本組成物には、その他任意の成分として、蛍光材を含有することができる。この蛍光体としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）に広く利用されている、酸化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、酸硫化物系蛍光体等からなる黄色、赤色、緑色、青色発光蛍光体が挙げられる。酸化物系蛍光体としては、セリウムイオンを包含するイットリウム、アルミニウム、ガーネット系のＹＡＧ系緑色〜黄色発光蛍光体、セリウムイオンを包含するテルビウム、アルミニウム、ガーネット系のＴＡＧ系黄色発光蛍光体、および、セリウムやユーロピウムイオンを包含するシリケート系緑色〜黄色発光蛍光体が例示される。酸窒化物蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するケイ素、アルミニウム、酸素、窒素系のサイアロン系赤色〜緑色発光蛍光体が例示される。窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するカルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、ケイ素、窒素系のカズン系赤色発光蛍光体が例示される。硫化物系としては、銅イオンやアルミニウムイオンを包含するＺｎＳ系緑色発色蛍光体が例示される。酸硫化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するＹ_２Ｏ_２Ｓ系赤色発光蛍光体が例示される。これらの蛍光材は、１種もしくは２種以上の混合物を用いてもよい。本組成物において、この蛍光材の含有量は特に限定されないが、本組成物中、０.１〜７０質量％の範囲内であり、さらには、１〜２０質量％の範囲内であることが好ましい。

また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末；耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。

任意成分として添加する成分のうち、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制するためにＡl、Ａg、Ｃu、Ｆe、Ｓb、Ｓi、Ｓn、Ｔi、Ｚr、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を表面被覆した酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物で表面処理した酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群より選ばれる、平均粒子径が０.１ｎｍ〜５μｍである少なくとも一種の微粉末を添加することもできる。

酸化物を表面被覆した酸化亜鉛微粉末において、希土類元素としては、イットリウム、セリウム、ユーロピウムが例示される。酸化亜鉛微粉末の表面の酸化物としては、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｇＯ、Ａｇ_２Ｏ、Ａｇ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ、ＦｅＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｆｅ_３Ｏ_４、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_３Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｅｕ_２Ｏ_３、およびこれらの酸化物の２種以上の混合物が例示される。

有機ケイ素化合物で表面処理した酸化亜鉛微粉末において、この有機ケイ素化合物はアルケニル基を有さないものであり、オルガノシラン、オルガノシラザン、ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、およびオルガノシロキサンオリゴマーが例示される。具体的には、トリメチルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、メチルトリクロロシラン等のオルガノクロロシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のオルガノトリアルコキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のジオルガノジアルコキシシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリオルガノアルコキシシラン；これらのオルガノアルコキシシランの部分縮合物；ヘキサメチルジシラザン等のオルガノシラザン；ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、シラノール基もしくはアルコキシ基を有するオルガノシロキサンオリゴマー、Ｒ^８ＳiＯ_３/２単位（式中、Ｒ^８は、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；フェニル基等のアリール基で例示されるアルケニル基を除く一価炭化水素基である。）やＳiＯ_４/２単位からなり、シラノール基またはアルコキシ基を有するレジン状オルガノポリシロキサンが例示される。

炭酸亜鉛の水和物微粉末は、炭酸亜鉛に水が結合した化合物であり、１０５℃、３時間の加熱条件における重量減少率が０.１重量％以上であるものが好ましい。

酸化亜鉛の含有量は、本組成物に対して、質量単位で１ｐｐｍ〜１０％の範囲内の量であり、好ましくは、１ｐｐｍ〜５％の範囲内の量である。これは、本成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、硫黄含有ガスによる光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の流動性を損なわないからである。

また、本組成物には、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色をさらに抑制することができることから、任意の成分として、トリアゾール系化合物を含有してもよい。このような成分としては、１Ｈ−１,２,３−トリアゾール、２Ｈ−１,２,３−トリアゾール、１Ｈ−１,２,４−トリアゾール、４Ｈ−１,２,４−トリアゾール、２−(２'−ヒドロキシ−５'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、１Ｈ−１,２,３−トリアゾール、２Ｈ−１,２,３−トリアゾール、１Ｈ−１,２,４−トリアゾール、４Ｈ−１,２,４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸メチル、３−アミノ−１,２,４−トリアゾール、４−アミノ−１,２,４−トリアゾール、５−アミノ−１,２,４−トリアゾール、３−メルカプト−１,２,４−トリアゾール、クロロベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、アミノベンゾトリアゾール、シクロヘキサノ［１,２−ｄ］トリアゾール、４,５,６,７−テトラヒドロキシトリルトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、エチルベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、１−Ｎ,Ｎ−ビス(２−エチルヘキシル)−[(１,２,４−トリアゾール−１−イル)メチル]アミン、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−エチルヘキシル)アミノメチル]トリルトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−エチルヘキシル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−アミノメチル]ベンゾトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−アミノメチル]トリルトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシプロピル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(１−ブチル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１−[Ｎ,Ｎ−ビス(１−オクチル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１−(２',３'−ジ−ヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１−(２',３'−ジ−カルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、２−(２'−ヒドロキシ−３',５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２−(２'−ヒドロキシ−３',５'−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２−(２'−ヒドロキシ−４'−オクトキシフェニル)ベンゾトリアゾール、２−(２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール−６−カルボン酸、１−オレオイルベンゾトリアゾール、１,２,４−トリアゾール−３−オール、５−アミノ−３−メルカプト−１,２,４−トリアゾール、５−アミノ−１,２,４−トリアゾール−３−カルボン酸、１,２,４−トリアゾール−３−カルボキシアミド、４−アミノウラゾール、および１,２,４−トリアゾール−５−オンが例示される。このベンゾトリアゾール化合物の含有量は特に限定されないが、本組成物中に質量単位で０.０１ｐｐｍ〜３％の範囲内となる量であり、好ましくは、０.１ｐｐｍ〜１％の範囲内となる量である。

本組成物は室温もしくは加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。この加熱温度としては、５０〜２００℃の範囲内であることが好ましい。

次に、本発明の硬化物について詳細に説明する。

本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。硬化物の形状は特に限定されず、例えば、シート状、フィルム状が挙げられる。硬化物は、これを単体で取り扱うこともできるが、光半導体素子等を被覆もしくは封止した状態で取り扱うことも可能である。

次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。

本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトカプラー、ＣＣＤが例示される。また、光半導体素子としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ、固体撮像素子が例示される。

本発明の光半導体装置の一例である単体の表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、ＬＥＤチップ１がリードフレーム２上にダイボンドされ、このＬＥＤチップ１とリードフレーム３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。このＬＥＤチップ１の周囲には枠材５が設けられており、この枠材５の内側のＬＥＤチップ１が、本発明の硬化性シリコーン組成物の硬化物６により封止されている。

図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、ＬＥＤチップ１をリードフレーム２にダイボンドし、このＬＥＤチップ１とリードフレーム３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドし、次いで、ＬＥＤチップ１の周囲に設けられた枠材５の内側に本発明の硬化性シリコーン組成物を充填した後、５０〜２００℃で加熱することにより硬化させる方法が例示される。

本発明の硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置を実施例および比較例により詳細に説明する。なお、粘度は２５℃における値であり、Ｍe、Ｖi、Ｐh、Ｎaphは、それぞれメチル基、ビニル基、フェニル基、ナフチル基を示す。また、硬化性シリコーン組成物の硬化物の特性を次のようにして測定した。

［硬化物の屈折率］
硬化性シリコーン組成物を１５０℃の熱風循環式オーブン中で２時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物の２５℃、波長６３３ｎｍにおける屈折率を屈折率計を用いて測定した。

［硬化物の透湿度］
硬化性シリコーン組成物をプレスを用いて１５０℃、２時間で硬化させ、厚み１ｍｍの硬化フィルムを作製した。その硬化フィルムの水蒸気透過率をＪＩＳ Ｚ０２０８のカップ法に準拠して、温度４０℃、相対湿度９０％の条件で測定した。

［参考例１］
反応容器に、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン ７２.３ｇ（０.３８８ｍｏｌ）、酢酸 ３１.１ｇ（０.５１７ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸 ０.１７ｇ（１.１４ｍｍｏｌ）を投入し、４５〜５０℃に加熱しながら、ナフチルメチルジメトキシシラン ６０.０ｇ（０.２５９ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌した。６０℃以下を保ちながら、無水酢酸 ２６.４ｇ（０.２５９ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌を行った。次に、トルエンと水を投入し、撹拌後、静置した。下層の水層を抜き出し、上層のトルエン層を繰り返し水洗した。その後、下層の水層を抜き出し、トルエン層から低沸点物を加熱減圧留去して、式：
Ｍe_２ＶiＳiＯＭeＮaphＳiＯＳiＭe_２Ｖi
で表される、透明液状のオルガノポリシロキサン（屈折率１.５１４、粘度９.６ｍＰａ・ｓ）８４.４ｇ（収率８７.７％）を得た。

［参考例２］
反応容器に、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ５８.８ｇ（０.１９０ｍｏｌ）、酢酸 ２０.７ｇ（０.３４５ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸 ０.２７ｇ（１.８３ｍｍｏｌ）を投入し、４５〜５０℃に加熱しながら、ナフチルメチルジメトキシシラン ４０.０ｇ（０.１７２ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌した。６０℃以下を保ちながら、無水酢酸 １７.６ｇ（０.１７２ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌を行った。次に、トルエンと水を投入し、撹拌後、静置した。下層の水層を抜き出し、上層のトルエン層を繰り返し水洗した。下層の水層を抜き出した後、トルエン層から低沸点物を加熱減圧留去して、式：
ＭeＰhＶiＳiＯＭeＮaphＳiＯＳiＭeＰhＶi
で表される、透明液状のオルガノポリシロキサン（屈折率１.５５９、粘度２５.１ｍＰａ・ｓ）８３.７ｇ（収率９７.８％）を得た。

［参考例３］
反応容器に、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン １４.３ｇ（０.０７７ｍｏｌ）、酢酸 ６.１ｇ（０.１０２ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸 ０.０４ｇ（０.２４ｍｍｏｌ）を投入し、４５〜５０℃に加熱しながら、ナフチルフェニルジメトキシシラン １５.０ｇ（０.０５１ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌した。６０℃以下を保ちながら、無水酢酸 ５.２１ｇ（０.０５１ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌を行った。次に、トルエンと水を投入し、撹拌後、静置した。下層の水層を抜き出し、上層のトルエン層を繰り返し水洗した。下層の水層を抜き出し、トルエン層から低沸点物を加熱減圧留去して、式：
Ｍe_２ＶiＳiＯＮaphＰhＳiＯＳiＭe_２Ｖi
で表される、透明液状のオルガノポリシロキサン（屈折率１.５４８、粘度６４.３ｍＰａ・ｓ）２１.６ｇ（収率９７.５％）を得た。

［参考例４］
反応容器に、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ２９.０ｇ（０.０９４ｍｏｌ）、酢酸 １０.２ｇ（０.１７０ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸 ０.１５ｇ（０.９７ｍｍｏｌ）を投入し、４５〜５０℃に加熱しながら、ナフチルフェニルジメトキシシラン ２５.０ｇ（０.０８５ｍｏｌ）とトルエン ２５.０ｇの混合溶液を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌した。６０℃以下を保ちながら、無水酢酸 ８.６８ｇ（０.０８５ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、５０℃で３０分間加熱撹拌を行った。次に、トルエンと水を投入し、撹拌、静置及び下層抜き出しを繰り返し、水洗を行った後、上層であるトルエン層から低沸点物を加熱減圧留去して、式：
ＭeＰhＶiＳiＯＮaphＰhＳiＯＳiＭeＰhＶi
で表される、透明液状のオルガノポリシロキサン（屈折率１.５８２、粘度６１６８.４ｍＰａ・ｓ）４５.４ｇ（収率９５.７％）を得た。

［参考例５］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン ４００ｇ（２.０２ｍｏｌ）および１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ９３.５ｇ（０.３０ｍｏｌ）を投入し、予め混合した。次いで、トリフルオロメタンスルホン酸 １.７４ｇ（１１.６ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 １１０ｇ（６.１ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ８９ｇおよび水酸化カリウム １.１８ｇ（２１.１ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で６時間反応させた。室温まで冷却し、酢酸 ０.６８ｇ（１１.４ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_０.２３(ＰhＳiＯ_３/２)_０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンレジン ３４７ｇ（収率：９８％）を調製した。

［実施例１］
参考例３で調製したオルガノポリシロキサン １０.０質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ６２.８質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２７.２質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度９５２ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の屈折率は１.５６５であり、水蒸気透過率は６.５ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例２］
参考例３で調製したオルガノポリシロキサン ２０.４質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ４８.５質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ３１.１質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度２１８.７ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の屈折率は１.５６３であり、水蒸気透過率は７.２ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例３］
参考例４で調製したオルガノポリシロキサン １０.０質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ６４.１質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２５.９質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度１３５９.９ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の屈折率は１.５６９であり、水蒸気透過率は６.５ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例４］
参考例４で調製したオルガノポリシロキサン ２０.６質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ５１.０質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２８.４質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の水蒸気透過率は７.３ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例５］
参考例１で調製したオルガノポリシロキサン ２０.２質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ４６.７質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ３３.１質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度１０９.８ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の水蒸気透過率は９.９ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例６］
参考例２で調製したオルガノポリシロキサン １０.３質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ６２.８質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２６.９質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度７７７.７ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の屈折率は１.５６６であり、水蒸気透過率は６.８ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［比較例１］
式：
Ｍe_２ＶiＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｖi
で表されるオルガノポリシロキサン １０.２質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ６１.８質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２８.１質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度６１３.４ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の水蒸気透過率は８.０ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［比較例２］
式：
Ｍe_２ＶiＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｖi
で表されるオルガノポリシロキサン ２０.５質量部、参考例５で調製したオルガノポリシロキサンレジン ４６.７質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ３２.８質量部（上記オルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンレジン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液） ０.２５質量部を混合して、粘度９９.３ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の硬化物の水蒸気透過率は１１.０ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

本発明の硬化性シリコーン組成物は、取扱作業性が優れ、硬化して、熱エージングによる黄変が小さく、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制する硬化物を形成することができる。それゆえ、この硬化性シリコーン組成物は、光半導体装置における光半導体素子の封止剤、被覆剤、接着剤、あるいは液晶端部の銀電極や基板の銀メッキの保護剤として好適である。

１ 光半導体素子
２ リードフレーム
３ リードフレーム
４ ボンディングワイヤ
５ 枠材
６ 硬化性シリコーン組成物の硬化物

Claims (5)

1. （Ａ）一般式：
   

   

   （式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる炭素数２〜１２のアルケニル基であり、Ｒ^２は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、Ｒ^３は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、Ｒ^４は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基であり、ｍは１〜１００の整数であり、ｎは０〜１００の整数であり、但し、１≦ｍ＋ｎ≦１００を満たす。）
   で表されるオルガノポリシロキサン、
   （Ｂ）平均単位式：
   (Ｒ^１Ｒ^２ _２ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^４ _２ＳiＯ_２/２)_ｂ(Ｒ^５ＳiＯ_３/２)_ｃ
   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^４は前記と同じであり、Ｒ^５は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.５、０≦ｂ≦０.７、０.１≦ｃ＜０.９、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数である。）
   で表され、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンレジン（本組成物中に１０〜８０質量％）、
   （Ｃ）（Ｃ_１）一般式：
   ＨＲ^６Ｒ^７ＳiＯ(Ｒ^６ _２ＳiＯ)_ｐＳiＲ^６Ｒ^７Ｈ
   （式中、Ｒ^６は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、Ｒ^７は同じかまたは異なる炭素数１〜１２のアルキル基であり、ｐは０〜１００の整数である。）
   で表されるオルガノシロキサン、（Ｃ_２）平均単位式：
   (ＨＲ^６Ｒ^７ＳiＯ_１/２)_ｄ(ＨＲ^７ _２ＳiＯ_１/２)_ｅ(Ｒ^６ _２ＳiＯ_２/２)_ｆ(Ｒ^５ＳiＯ_３/２)_ｇ
   （式中、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は前記と同じであり、ｄ、ｅ、ｆ、およびｇは、それぞれ、０.０１≦ｄ≦０.７、０≦ｅ≦０.５、０≦ｆ≦０.７、０.１≦ｇ＜０.９、かつｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１を満たす数である。）
   で表される、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、または前記（Ｃ_１）成分と（Ｃ_２）成分の混合物｛（Ａ）成分中と（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルとなる量｝、および
   （Ｄ）有効量のヒドロシリル化反応用触媒
   から少なくともなることを特徴とする硬化性シリコーン組成物。
2. （Ａ）成分中のＲ^３がナフチル基である、請求項１記載の硬化性シリコーン組成物。
3. （Ｂ）成分中のＲ^５がフェニル基またはナフチル基である、請求項１または２記載の硬化性シリコーン組成物。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物を硬化してなる硬化物。
5. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置。

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