JP2016111141A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁樹脂シートの剥離や破壊が発生するおそれを低減させた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子の少なくとも1つの主面に、放熱部材、絶縁樹脂シート、および冷却器が順に接合されている。放熱部材は、絶縁樹脂シートに接合される第1部材と、半導体素子に接合される第2部材とを、貼り合わせたクラッド材で構成される。この第1部材は、冷却器と同じ材料または冷却器と同等の線膨張係数を有する材料で形成されている。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子を封止したモジュールと、当該半導体素子を冷却する冷却器とを備えた、半導体装置に関する。
例えば、特許文献1に半導体装置が記載されている(図5)。この特許文献1に記載された半導体装置100は、半導体素子(パワー素子110)に、放熱部材(ヒートスプレッダー130)、絶縁樹脂シート(絶縁シート140)、および冷却器(放熱フィン150)が、順に接合された構造をしている。半導体素子、放熱部材、および絶縁樹脂シートは、樹脂160で封止されてモジュール化されている。
上記特許文献1に記載された半導体装置の構造では、放熱部材と冷却器とに線膨張係数が異なる材料を用いることもある。しかし、放熱部材と冷却器とに線膨張係数が異なる材料を用いた場合、半導体装置に熱ストレスが加わった際に放熱部材と冷却器との間で線膨張に差が生じる。線膨張に差が生じると、特に放熱部材が絶縁樹脂シートと接合する境界部分、つまり絶縁樹脂シートの接合界面(図5における破線円の箇所)に高いせん断応力がかかる。このため、絶縁樹脂シートの剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれがある。
本発明は、上記課題に鑑みて、絶縁樹脂シートの剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させた半導体装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、半導体素子の少なくとも1つの主面に、放熱部材、絶縁樹脂シート、および冷却器が順に接合された半導体装置であって、放熱部材は、絶縁樹脂シートに接合される第1部材と、半導体素子に接合される第2部材とを、貼り合わせたクラッド材で構成され、第1部材が、冷却器と同じ材料または冷却器と同等の線膨張係数を有する材料で形成されていることを特徴とする。
この本発明の半導体装置によれば、放熱部材を、第1部材板と第2部材とを貼り合わせたクラッド材で構成している。この放熱部材は、第1部材側が絶縁樹脂シートを介して冷却器に接合され、第2部材側が半導体素子に接合される。そして、この第1部材を、冷却器と同じ材料(例えばアルミニウム)または冷却器と同等の線膨張係数を有する材料で形成している。これにより、半導体装置に熱ストレスが加わったときにおける、放熱部材の第1部材と冷却器との間で線膨張の差を、ほぼなくせる。よって、絶縁樹脂シートの接合界面にかかるせん断応力を減少させることができる。従って、本発明に係る半導体装置は、絶縁樹脂シートの剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減できる。
以上述べたように、本発明の半導体装置によれば、絶縁樹脂シートの剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減できる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体装置の実施形態について詳細に説明する。
本発明に係る半導体装置は、放熱部材の冷却器と対向する表面の線膨張係数と冷却器の放熱部材と対向する表面の線膨張係数とを、同一または同等に設定する。例えば、放熱部材を、第1部材と第2部材とを貼り合わせたクラッド材で構成し、第1部材を、冷却器と同じ材料または冷却器と同等の線膨張係数を有する材料で形成する。そして、放熱部材の第2部材側に半導体素子を接合し、放熱部材の第1部材側に絶縁樹脂シートを挟んで冷却器を接合する。これにより、半導体装置に熱ストレスが加わったときにおける、放熱部材の第1部材と冷却器との間で線膨張の差を、ほぼなくせる。よって、絶縁樹脂シートの接合界面にかかるせん断応力を減少させることができる。従って、本発明に係る半導体装置は、絶縁樹脂シートの剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減できる。
図1(a)は、本発明の一実施形態に係る半導体装置1の全体構造の断面を示す概略図である。図1(b)は、図1(a)に示した半導体装置1における破線円の箇所を拡大表示した概略図である。図1では、複数の半導体素子を用いた、例えばインバータ回路を搭載した半導体装置であって、半導体素子を封止したモールドパッケージの両側の2箇所に放熱機構(放熱部材、絶縁樹脂シート、冷却器)を有した構成を例示している。
なお、図1に示した半導体装置1の構造は一例である。よって、モールドパッケージで封止される半導体素子は1つであってもよいし、モールドパッケージが有する放熱機構も半導体素子10の少なくとも一方の主面側にだけ備えられていてもよい。
[半導体装置の全体構造]
本実施形態に係る半導体装置1は、複数の半導体素子10、複数の放熱板13、複数の絶縁樹脂シート14、および複数の冷却器15を備えている。この半導体装置1の構成要素のうち、複数の半導体素子10および複数の放熱板13は、例えばエポキシ樹脂などの材料からなる樹脂部材16によって封止されて、モールドパッケージ化されている。
本実施形態に係る半導体装置1は、複数の半導体素子10、複数の放熱板13、複数の絶縁樹脂シート14、および複数の冷却器15を備えている。この半導体装置1の構成要素のうち、複数の半導体素子10および複数の放熱板13は、例えばエポキシ樹脂などの材料からなる樹脂部材16によって封止されて、モールドパッケージ化されている。
各半導体素子10は、例えばパワートランジスタなどの、動作時に発熱する発熱性を持った電力用半導体素子である。半導体素子10は、2つの主面を有する略四角平板の形状をしている。各半導体素子10の各主面は、例えば半田などの接合部材やスペーサ部材などを介して、複数の放熱板13とそれぞれ接合されている。この半導体素子10は、例えば図示しないリード端子などを介して外部の回路基板と電気的に接続されている。
各放熱板13は、熱伝導性に優れた材料で構成される放熱部材である。この放熱板13は、各半導体素子10で発生した熱を冷却器15に逃がす、いわゆるヒートスプレッダーとしての役割を有する。本実施形態の放熱板13は、2種類の金属板を貼り合わせたクラッド材である。このクラッド材の2種類の金属板のうち一方が、冷却器15と同じ材料または冷却器15と同等の線膨張係数を有する材料で形成される。図1で例示した放熱板13は、冷却器15と同じ材料からなる第1部材13a(例えばアルミニウム(Al)の板)と、冷却器15(第1部材)とは異なる材料からなる第2部材13b(例えば銅(Cu)の板)とを、貼り合わせた構成である。半導体素子10は、放熱板13の第2部材13b側に接合されている。放熱板13の第1部材13a側は、樹脂部材16で覆われておらず、モールドパッケージの外部に露出している。
絶縁樹脂シート14は、例えば高い熱伝導性を有した熱硬化樹脂材料で構成され、放熱板13の熱を冷却器15に伝える役割を担う。加えて、絶縁樹脂シート14は、放熱板13と冷却器15とを電気的に絶縁する役割をも担う。高い熱伝導性を有した樹脂としては、高熱伝導セラミックを含有したアルミナ(Al2O3)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)などを内部に充填した樹脂などが挙げられる。絶縁樹脂シート14は、垂直断面視において、放熱板13の端部よりもパッケージ外周側に伸びている。この絶縁樹脂シート14は、製造過程におけるヒータープレス処理にて、放熱板13と冷却器15との間に挿入された状態で加熱しながら圧力がかけられ、硬化することにより放熱板13と冷却器15とを接着させる。
冷却器15は、熱伝導性に優れた材料で構成されるヒートシンクなどである。冷却器15は、モールドパッケージの外部に露出している放熱板13の第1部材13a(アルミニウム板)に、絶縁樹脂シート14を挟んで接合されている。すなわち、この冷却器15は、放熱板13の第1部材13aから絶縁樹脂シート14を介して伝わる熱を、モールドパッケージの外部に放出させる役割を有する。本実施形態の冷却器15は、放熱板13の第1部材13aと同じ材料である、アルミニウムで形成されている。冷却器15は、垂直断面視において、絶縁樹脂シート14の端部より外側に伸びている。
[半導体装置の作用および効果]
上述した本実施形態に係る半導体装置1の構成によれば、絶縁樹脂シート14を挟んで向かい合う放熱板13の第1部材13aと冷却器15とが、同じアルミニウムで形成された部品となる。つまり、放熱板13の第1部材13aと冷却器15とが、同じ線膨張係数を有することとなる。このため、半導体装置1に熱ストレスが加わったとしても、放熱板13の第1部材13aと冷却器15との間で線膨張に差がほとんど生じない。よって、絶縁樹脂シート14の接合界面にかかるせん断応力を減少させることができ、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させることができる。
上述した本実施形態に係る半導体装置1の構成によれば、絶縁樹脂シート14を挟んで向かい合う放熱板13の第1部材13aと冷却器15とが、同じアルミニウムで形成された部品となる。つまり、放熱板13の第1部材13aと冷却器15とが、同じ線膨張係数を有することとなる。このため、半導体装置1に熱ストレスが加わったとしても、放熱板13の第1部材13aと冷却器15との間で線膨張に差がほとんど生じない。よって、絶縁樹脂シート14の接合界面にかかるせん断応力を減少させることができ、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させることができる。
なお、発明者が行った実験では、上述した本実施形態に係る半導体装置1の構造において、絶縁樹脂シート14の接合界面にかかるせん断応力を、従来と比べておおよそ70%も低減できることが確認できた。図4を参照。
[本発明に関わる参考例]
上記実施形態では、放熱板13を、冷却器15と同じ材料からなる第1部材13a(アルミニウム板)と第2部材13b(銅板)とを貼り合わせたクラッド材で構成した。すなわち、放熱板13の線膨張係数を冷却器15の線膨張係数に合わせた。以下の参考例では、上述した実施形態の構成とは異なる構成であって、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させることができる構成を、図面を参照して説明する。
上記実施形態では、放熱板13を、冷却器15と同じ材料からなる第1部材13a(アルミニウム板)と第2部材13b(銅板)とを貼り合わせたクラッド材で構成した。すなわち、放熱板13の線膨張係数を冷却器15の線膨張係数に合わせた。以下の参考例では、上述した実施形態の構成とは異なる構成であって、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させることができる構成を、図面を参照して説明する。
[参考例1]
図2(a)は、参考例1の半導体装置2の全体構造の断面を示す概略図である。図2(b)は、図2(a)における破線円の箇所を拡大表示した概略図である。この参考例1の構成は、冷却器25の線膨張係数を放熱板23の線膨張係数に合わせた構成である。
図2(a)は、参考例1の半導体装置2の全体構造の断面を示す概略図である。図2(b)は、図2(a)における破線円の箇所を拡大表示した概略図である。この参考例1の構成は、冷却器25の線膨張係数を放熱板23の線膨張係数に合わせた構成である。
この構成によっても、半導体装置2に熱ストレスが加わったとしても、放熱板23と冷却器25との間で線膨張に差がほとんど生じない。よって、絶縁樹脂シート14の接合界面にかかるせん断応力を減少させることができ、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させることができる。
[参考例2]
図3(a)は、参考例2の半導体装置3の全体構造の断面を示す概略図である。図3(b)は、図3(a)における破線円の箇所を拡大表示した概略図である。この参考例2の構成は、絶縁樹脂シート34を2層構造にする構成である。そして、絶縁樹脂シート34の冷却器15と接触する第1層34aの線膨張係数を、冷却器15と同等の線膨張係数に設定する。例えば、冷却器15がアルミニウムの材料で形成されていれば、第1層34aの線膨張係数をアルミニウムの線膨張係数に相当する23ppm/Kに設定する。また、絶縁樹脂シート14の放熱板33と接触する第2層34bの線膨張係数を、放熱板33と同等の線膨張係数に設定する。例えば、放熱板33が銅の材料で形成されていれば、第2層34bの線膨張係数を銅の線膨張係数に相当する17ppm/Kに設定する。
図3(a)は、参考例2の半導体装置3の全体構造の断面を示す概略図である。図3(b)は、図3(a)における破線円の箇所を拡大表示した概略図である。この参考例2の構成は、絶縁樹脂シート34を2層構造にする構成である。そして、絶縁樹脂シート34の冷却器15と接触する第1層34aの線膨張係数を、冷却器15と同等の線膨張係数に設定する。例えば、冷却器15がアルミニウムの材料で形成されていれば、第1層34aの線膨張係数をアルミニウムの線膨張係数に相当する23ppm/Kに設定する。また、絶縁樹脂シート14の放熱板33と接触する第2層34bの線膨張係数を、放熱板33と同等の線膨張係数に設定する。例えば、放熱板33が銅の材料で形成されていれば、第2層34bの線膨張係数を銅の線膨張係数に相当する17ppm/Kに設定する。
この構成では、半導体装置3に熱ストレスが加わったときに放熱板33と冷却器15との間に生じる線膨張の差を、絶縁樹脂シート34自体が吸収する。よって、絶縁樹脂シート34の接合界面にせん断応力がかかっても、絶縁樹脂シート34の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減させることができる。
本発明は、半導体素子と放熱部材とを封止したパワーモジュールに、当該半導体素子を冷却する冷却器を備えた、半導体装置などに利用可能である。
1、2、3、100 半導体装置
10、110 半導体素子
13、23、33、130 放熱板(放熱部材)
14、34、140 絶縁樹脂シート
15、25、150 冷却器
16、160 樹脂部材
10、110 半導体素子
13、23、33、130 放熱板(放熱部材)
14、34、140 絶縁樹脂シート
15、25、150 冷却器
16、160 樹脂部材
Claims (1)
- 半導体素子の少なくとも1つの主面に、放熱部材、絶縁樹脂シート、および冷却器が順に接合された半導体装置であって、
前記放熱部材は、
前記絶縁樹脂シートに接合される第1部材と、前記半導体素子に接合される第2部材とを、貼り合わせたクラッド材で構成され、
前記第1部材が、前記冷却器と同じ材料または前記冷却器と同等の線膨張係数を有する材料で形成されていることを特徴とする、半導体装置。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP6418348B1 (ja) * | 2017-08-14 | 2018-11-07 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 複合部材 |
| CN114078793A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-02-22 | 昭和电工株式会社 | 冷却装置、冷却装置的制造方法 |
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2014
- 2014-12-04 JP JP2014246080A patent/JP2016111141A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11407201B2 (en) | 2017-08-14 | 2022-08-09 | Toyo Ink Sc Holdings Co., Ltd. | Composite member |
| KR102535298B1 (ko) * | 2017-08-14 | 2023-05-22 | 토요잉크Sc홀딩스주식회사 | 복합 부재 |
| JP2019036716A (ja) * | 2017-08-14 | 2019-03-07 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 複合部材 |
| KR20200040787A (ko) * | 2017-08-14 | 2020-04-20 | 토요잉크Sc홀딩스주식회사 | 복합 부재 |
| CN111052358A (zh) * | 2017-08-14 | 2020-04-21 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 复合构件 |
| EP3671827A4 (en) * | 2017-08-14 | 2021-05-19 | Toyo Ink SC Holdings Co., Ltd. | COMPOSITE ELEMENT |
| TWI759506B (zh) * | 2017-08-14 | 2022-04-01 | 日商東洋油墨Sc控股股份有限公司 | 複合構件 |
| CN111052358B (zh) * | 2017-08-14 | 2023-07-18 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 复合构件 |
| WO2019035445A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 複合部材 |
| JP6418348B1 (ja) * | 2017-08-14 | 2018-11-07 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 複合部材 |
| CN114078793A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-02-22 | 昭和电工株式会社 | 冷却装置、冷却装置的制造方法 |
| JP7613023B2 (ja) | 2020-08-21 | 2025-01-15 | 株式会社レゾナック | 冷却装置、冷却装置の製造方法 |
| JP2022035781A (ja) * | 2020-08-21 | 2022-03-04 | 昭和電工株式会社 | 冷却装置、冷却装置の製造方法 |
| CN114078793B (zh) * | 2020-08-21 | 2025-11-28 | 株式会社力森诺科 | 冷却装置、冷却装置的制造方法 |
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