JP2016017984A - Electro-optic device, electronic equipment, and method for manufacturing electro-optic device - Google Patents
Electro-optic device, electronic equipment, and method for manufacturing electro-optic device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016017984A JP2016017984A JP2014138394A JP2014138394A JP2016017984A JP 2016017984 A JP2016017984 A JP 2016017984A JP 2014138394 A JP2014138394 A JP 2014138394A JP 2014138394 A JP2014138394 A JP 2014138394A JP 2016017984 A JP2016017984 A JP 2016017984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment layer
- region
- alignment
- layer
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 233
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 117
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 21
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 707
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 14
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 10
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 150000003377 silicon compounds Chemical group 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】大気中の水分が基板とシール材との界面を通過して液晶層の中に侵入し、表示品位の低下を招くことを抑制すること。【解決手段】画素電極12が配置された素子基板本体11と、画素電極12を覆うように配置された第1配向層41と、共通電極23が配置された対向基板本体21と、共通電極23を覆うように配置された第2配向層42と、素子基板本体11と対向基板本体21との間に配置され、画素電極12が配置された領域を囲むように設けられたシール材52と、シール材52で囲まれた領域に配置された液晶層50と、を含み、対向基板本体21の側から素子基板本体11の側を見たとき、画素電極が配置された領域を表示領域V、及びシール材52が設けられた領域をシール領域H3とし、第1配向層41の表面及び第2配向層42の表面の少なくとも一方は、表示領域Vと比べてシール領域H3で水との親和性が高いことを特徴とする。【選択図】図2An object of the present invention is to prevent moisture in the atmosphere from passing through an interface between a substrate and a sealing material and entering a liquid crystal layer to cause deterioration in display quality. An element substrate body 11 on which a pixel electrode 12 is disposed, a first alignment layer 41 disposed so as to cover the pixel electrode 12, a counter substrate body 21 on which a common electrode 23 is disposed, and a common electrode 23 A second alignment layer 42 disposed so as to cover, a sealing material 52 disposed between the element substrate body 11 and the counter substrate body 21 so as to surround a region where the pixel electrode 12 is disposed, A liquid crystal layer 50 disposed in a region surrounded by a sealing material 52, and when the element substrate body 11 side is viewed from the counter substrate body 21 side, the region where the pixel electrode is disposed is a display region V, The area where the sealing material 52 is provided is the sealing area H3, and at least one of the surface of the first alignment layer 41 and the surface of the second alignment layer 42 has an affinity for water in the sealing area H3 compared to the display area V. Is characterized by high. [Selection] Figure 2
Description
本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置を搭載した電子機器、及び当該電気光学装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electro-optical device, an electronic apparatus including the electro-optical device, and a method for manufacturing the electro-optical device.
画素電極がマトリックス状に配置された表示領域を有する液晶装置は、例えばプロジェクターなどの光変調装置(ライトバルブ)に使用されている。当該液晶装置では、一対の基板がシール材によって所定の間隙を有するように貼り合わされ、シール材で囲まれた領域に液晶が封入(充填)されている。当該液晶装置を駆動すると、一対の基板のそれぞれの近傍で液晶に一方向の流れ(フロー)が生じ、液晶中に混入したイオン性不純物も液晶と一緒に移動する。イオン性不純物が液晶と一緒に移動し、表示領域の特定箇所に偏在すると、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。 A liquid crystal device having a display area in which pixel electrodes are arranged in a matrix is used in a light modulation device (light valve) such as a projector. In the liquid crystal device, a pair of substrates are bonded to each other with a sealant so as to have a predetermined gap, and liquid crystal is sealed (filled) in a region surrounded by the sealant. When the liquid crystal device is driven, a unidirectional flow is generated in the liquid crystal in the vicinity of each of the pair of substrates, and ionic impurities mixed in the liquid crystal move together with the liquid crystal. If the ionic impurities move together with the liquid crystal and are unevenly distributed at a specific location in the display area, there is a risk of causing display defects such as image sticking.
このイオン性不純物の偏在を抑制するために、例えば特許文献1の方法が提案されている。特許文献1では、表示領域の周辺に複数の電極を隣接して設け、隣接する電極の電位を変化させて横方向の電界を発生させ、当該横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域内から表示領域外にすばやく移動させることで、表示領域におけるイオン性不純物の偏在を抑制できるとしている。
In order to suppress the uneven distribution of ionic impurities, for example, the method of
しかしながら、特許文献1の方法では、大気中の水分(湿気)が基板とシール材との界面を通過して液晶の中に混入(侵入)すると、イオン性不純物を表示領域内から表示領域外に移動させることが難しくなるという課題を有していた。
However, in the method of
詳しくは、シール材はアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料で構成され、例えばハーメチンクシールなどの方法と比べて、基板とシール材との界面を通過して大気中の水分(湿気)が液晶の中に混入(侵入)しやすい。仮に、液晶の中に水分が侵入すると、水分は表示領域の親水性の高い部分に吸着しやすい。水分が表示領域の親水性の高い部分に吸着すると、液晶中のイオン性不純物を引き寄せ、イオン性不純物をトラップする。イオン性不純物が、表示領域の水分が吸着した部分にトラップされると、表示領域の周辺に設けられた横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域内から表示領域外に排出することが難しくなる。従って、イオン性不純物が偏在するようになり、イオン性不純物が偏在した部分で、焼き付きなどの表示品位の低下を招くおそれがあった。 Specifically, the sealing material is composed of an organic material such as an acrylic resin or an epoxy resin. Compared with a method such as a hermetic seal, for example, moisture (humidity) in the atmosphere passes through the interface between the substrate and the sealing material. Easy to enter (invade) into the liquid crystal. If moisture enters the liquid crystal, the moisture is likely to be adsorbed on the highly hydrophilic portion of the display area. When moisture is adsorbed on a highly hydrophilic portion of the display region, ionic impurities in the liquid crystal are attracted and ionic impurities are trapped. When the ionic impurities are trapped in the portion where the moisture in the display area is adsorbed, it is difficult to discharge the ionic impurities from the display area to the outside of the display area by a horizontal electric field provided around the display area. Become. Therefore, ionic impurities are unevenly distributed, and there is a possibility that display quality such as image sticking is deteriorated at a portion where the ionic impurities are unevenly distributed.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、画素電極が配置された第1基板と、前記画素電極を覆うように配置された第1配向層と、前記第1基板に対向し、共通電極が配置された第2基板と、前記共通電極を覆うように配置された第2配向層と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材と、前記シール材で囲まれた領域に配置された電気光学層と、を含み、前記第2基板の側から前記第1基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第1領域、及び前記シール材が設けられた領域を第2領域とし、前記第1配向層の表面及び前記第2配向層の表面の少なくとも一方は、前記第1領域と比べて前記第2領域で水との親和性が高いことを特徴とする Application Example 1 An electro-optical device according to this application example is opposed to the first substrate on which the pixel electrode is disposed, the first alignment layer disposed to cover the pixel electrode, and the first substrate. A second substrate on which a common electrode is disposed; a second alignment layer disposed to cover the common electrode; and the pixel electrode is disposed between the first substrate and the second substrate. A sealing material provided so as to surround the region, and an electro-optical layer disposed in the region surrounded by the sealing material, and when the first substrate side is viewed from the second substrate side, A region where the pixel electrode is disposed is a first region, and a region where the sealant is provided is a second region, and at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer is the first region. The second region has a higher affinity for water than the first region.
本適用例に係る電気光学装置では、第1基板と第2基板との間にシール材が配置され、第1基板の第1配向層と第2基板の第2配向層とがシール材で接着され、シール材で囲まれた領域の内側に電気光学層が配置(密封)されている。第1領域(画素電極が配置された領域)は表示がなされる表示領域となり、第2領域はシール材が配置されるシール領域となる。 In the electro-optical device according to this application example, the sealing material is disposed between the first substrate and the second substrate, and the first alignment layer of the first substrate and the second alignment layer of the second substrate are bonded by the sealing material. The electro-optic layer is disposed (sealed) inside the area surrounded by the sealing material. The first region (the region where the pixel electrode is disposed) is a display region where display is performed, and the second region is a seal region where the sealing material is disposed.
シール領域の第1配向層の表面、つまりシール材と接する第1配向層が、表示領域の第1配向層の表面よりも水との親和性が高くなると、シール材と第1配向層との界面を介して侵入しようとする水分(湿気)は、水との親和性が高い部分の第1配向層に拘束(トラップ)され、シール材で囲まれた領域の内側に侵入しにくくなる。シール領域の第2配向層の表面、つまりシール材と接する第2配向層が、表示領域の第2配向層の表面よりも水との親和性が高くなると、シール材と第2配向層との界面を介して侵入しようとする水分(湿気)は、水との親和性が高い部分に拘束(トラップ)され、シール材で囲まれた領域の内側に侵入しにくくなる。 When the surface of the first alignment layer in the seal region, that is, the first alignment layer in contact with the seal material has higher affinity with water than the surface of the first alignment layer in the display region, the seal material and the first alignment layer Moisture (humidity) trying to enter through the interface is constrained (trapped) by the first alignment layer in a portion having a high affinity with water, and is difficult to enter inside the region surrounded by the sealing material. When the surface of the second alignment layer in the seal region, that is, the second alignment layer in contact with the seal material, has higher affinity with water than the surface of the second alignment layer in the display region, the seal material and the second alignment layer Moisture (humidity) entering through the interface is constrained (trapped) in a portion having high affinity with water, and is difficult to enter inside the region surrounded by the sealing material.
第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方は、表示領域と比べてシール領域で水との親和性が高くなっているので、第1配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分、及び第2配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分の少なくとも一方は、水との親和性が高くなった部分(第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方)にトラップされ、シール材で囲まれた領域の内側、つまり電気光学層の中に侵入しにくくなる。
従って、電気光学層への水分侵入が抑制されるので、電気光学層への水分侵入による悪影響、すなわち電気光学装置の表示品位の低下を抑制し、電気光学装置の表示品位を高めることができる。
Since at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer has a higher affinity for water in the seal region than in the display region, the interface between the first alignment layer and the sealant is interposed. At least one of the moisture that tries to penetrate and the moisture that tries to penetrate through the interface between the second alignment layer and the sealing material is a portion having a high affinity with water (the surface of the first orientation layer and the first It is trapped by at least one of the surfaces of the two alignment layers, and is less likely to enter the inside of the region surrounded by the sealing material, that is, the electro-optic layer.
Accordingly, since moisture intrusion into the electro-optical layer is suppressed, adverse effects due to water intrusion into the electro-optical layer, that is, deterioration in display quality of the electro-optical device can be suppressed, and display quality of the electro-optical device can be improved.
[適用例2]上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1領域と前記第2領域との間に第3領域を有し、前記第1配向層の表面及び前記第2配向層の表面の少なくとも一方は、前記第1領域、前記第3領域、前記第2領域の順に水との親和性が高いことが好ましい。 Application Example 2 In the electro-optical device according to the application example described above, a third region is provided between the first region and the second region, and the surface of the first alignment layer and the second alignment layer At least one of the surfaces preferably has a high affinity for water in the order of the first region, the third region, and the second region.
表示領域(第1領域)とシール領域(第2領域)との間に、第3領域が配置され、第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方は、表示領域からシール領域に向かう方向に水との親和性が高くなり、シール領域から表示領域に向かう方向に水との親和性が低くなっている。
よって、第1配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分、及び第2配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分の少なくとも一方は、シール領域の水との親和性が高くなった部分(第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方)にトラップされ、シール材で囲まれた領域の内側、つまり電気光学層の中に侵入しにくくなる。
A third region is disposed between the display region (first region) and the seal region (second region), and at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer extends from the display region to the seal region. The affinity with water is increased in the direction toward, and the affinity with water is decreased in the direction from the seal area toward the display area.
Therefore, at least one of the moisture that tries to enter through the interface between the first alignment layer and the sealing material and the moisture that tries to enter through the interface between the second alignment layer and the sealing material is the water in the sealing region. Is trapped by the portion with high affinity (at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer) and hardly enters the area surrounded by the sealing material, that is, the electro-optic layer. Become.
さらに、電気光学層の中の水分を、表示領域からシール領域に向かう方向に移動(排出)させやすい。つまり、表示領域の電気光学層の中の水分をシール領域に向かう方向に移動(排出)させ、表示領域の電気光学層の中の水分の表示への悪影響を弱めることができる。 Furthermore, it is easy to move (discharge) the moisture in the electro-optic layer in the direction from the display area toward the seal area. That is, the moisture in the electro-optic layer in the display area can be moved (discharged) in the direction toward the seal area, and the adverse effect on the display of moisture in the electro-optic layer in the display area can be reduced.
[適用例3]上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1領域と前記第2領域との間に第3領域を有し、前記第1配向層の表面及び前記第2配向層の表面の少なくとも一方は、前記第2領域及び前記第3領域で水との親和性が同じであることが好ましい。 Application Example 3 In the electro-optical device according to the application example described above, a third region is provided between the first region and the second region, and the surface of the first alignment layer and the second alignment layer It is preferable that at least one of the surfaces has the same affinity for water in the second region and the third region.
表示領域(第1領域)とシール領域(第2領域)との間に、第3領域が配置され、第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方は、第1領域よりも水との親和性が高く、第3領域及び第2領域で水との親和性が同じある。
よって、第1配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分、及び第2配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分の少なくとも一方は、シール領域の水との親和性が高くなった部分(第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方)にトラップされ、シール材で囲まれた領域の内側、つまり電気光学層の中に侵入しにくくなる。
A third region is disposed between the display region (first region) and the seal region (second region), and at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer is more than the first region. The affinity with water is high, and the affinity with water is the same in the third region and the second region.
Therefore, at least one of the moisture that tries to enter through the interface between the first alignment layer and the sealing material and the moisture that tries to enter through the interface between the second alignment layer and the sealing material is the water in the sealing region. Is trapped by the portion with high affinity (at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer) and hardly enters the area surrounded by the sealing material, that is, the electro-optic layer. Become.
仮に、配向層とシール材との界面を介して電気光学層に水分が侵入したとしても、当該水分は、第3領域の水との親和性が高くなった部分(第1配向層の表面及び第2配向層の表面の少なくとも一方)にトラップされ、表示領域に侵入しにくくなり、水分の表示への悪影響をさらに弱めることができる。 Even if moisture enters the electro-optic layer through the interface between the alignment layer and the sealing material, the moisture has a portion with high affinity with water in the third region (the surface of the first alignment layer and the surface). It is trapped by at least one of the surfaces of the second alignment layer, and does not easily enter the display region, and the adverse effect on the display of moisture can be further reduced.
[適用例4]上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1配向層は、第3配向層と、前記第3配向層を覆い前記第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層とを含み、前記第2領域の前記第1配向層は前記第3配向層で構成され、前記第1領域の前記第1配向層は前記第3配向層と前記第4配向層とで構成されることが好ましい。 Application Example 4 In the electro-optical device according to the application example described above, the first alignment layer covers the third alignment layer and the third alignment layer, and has a lower affinity for water than the third alignment layer. A fourth alignment layer, wherein the first alignment layer in the second region is composed of the third alignment layer, and the first alignment layer in the first region is the third alignment layer and the fourth alignment layer. It is preferable that it is comprised by these.
第2領域の第1配向層の表面は第3配向層であり、第1領域の第1配向層の表面は第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層であるので、第2領域の第1配向層の表面を第1領域の第1配向層の表面よりも水との親和性を高くすることができる。 Since the surface of the first alignment layer in the second region is a third alignment layer, and the surface of the first alignment layer in the first region is a fourth alignment layer having a lower affinity with water than the third alignment layer, The surface of the first alignment layer in the second region can have higher affinity with water than the surface of the first alignment layer in the first region.
[適用例5]上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1配向層は、第3配向層と、前記第3配向層を覆い前記第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層と、前記第3配向層を覆い前記第3配向層よりも水との親和性が低く前記第4配向層よりも水との親和性が高い第5配向層と、を含み、前記第2領域の前記第1配向層は前記第3配向層で構成され、前記第1領域の前記第1配向層は前記第3配向層と前記第4配向層とで構成され、前記第3領域の前記第1配向層は前記第3配向層と前記第5配向層とで構成されることが好ましい。 Application Example 5 In the electro-optical device according to the application example described above, the first alignment layer covers the third alignment layer and the third alignment layer, and has a lower affinity with water than the third alignment layer. A fourth alignment layer, and a fifth alignment layer that covers the third alignment layer and has a lower affinity with water than the third alignment layer and a higher affinity with water than the fourth alignment layer, The first alignment layer in the second region is composed of the third alignment layer, the first alignment layer in the first region is composed of the third alignment layer and the fourth alignment layer, and the third alignment layer. The first alignment layer in the region is preferably composed of the third alignment layer and the fifth alignment layer.
第2領域の第1配向層の表面は第3配向層であり、第3領域の第1配向層の表面は第3配向層よりも水との親和性が低く第4配向層よりも水との親和性が高い第5配向層であり、第1領域の第1配向層の表面は第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層であるので、第1配向層の表面を、第1領域、第3領域、第2領域の順に水との親和性を高くすることができる。 The surface of the first alignment layer in the second region is the third alignment layer, and the surface of the first alignment layer in the third region has a lower affinity with water than the third alignment layer, and more water than the fourth alignment layer. Since the surface of the first alignment layer in the first region is a fourth alignment layer having a lower affinity with water than the third alignment layer, the surface of the first alignment layer Can increase the affinity with water in the order of the first region, the third region, and the second region.
[適用例6]上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2配向層は、第6配向層と、前記第6配向層を覆い前記第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層とを含み、前記第2領域の前記第2配向層は前記第6配向層で構成され、前記第1領域の前記第2配向層は前記第6配向層と前記第7配向層とで構成されることが好ましい。 Application Example 6 In the electro-optical device according to the application example described above, the second alignment layer covers the sixth alignment layer and has a lower affinity with water than the sixth alignment layer. A second alignment layer of the second region, and the second alignment layer of the first region includes the sixth alignment layer and the seventh alignment layer. It is preferable that it is comprised by these.
第2領域の第2配向層の表面は第6配向層であり、第1領域の第2配向層の表面は第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層であるので、第2領域の第2配向層の表面を第1領域の第2配向層の表面よりも水との親和性を高くすることができる。 Since the surface of the second alignment layer in the second region is the sixth alignment layer, and the surface of the second alignment layer in the first region is the seventh alignment layer having a lower affinity with water than the sixth alignment layer, The surface of the second alignment layer in the second region can have higher affinity with water than the surface of the second alignment layer in the first region.
[適用例7]上記適用例に記載の電気光学装置において、前記2配向層は、第6配向層と、前記第6配向層を覆い前記第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層と、前記第6配向層を覆い前記第6配向層よりも水との親和性が低く前記第7配向層よりも水との親和性が高い第8配向層と、を含み、前記第2領域の前記第2配向層は前記第6配向層で構成され、前記第1領域の前記第2配向層は前記第6配向層と前記第7配向層とで構成され、前記第3領域の前記第2配向層は前記第6配向層と前記第8配向層とで構成されることが好ましい。 Application Example 7 In the electro-optical device according to the application example, the second alignment layer covers the sixth alignment layer and the sixth alignment layer, and has a lower affinity with water than the sixth alignment layer. And an eighth alignment layer covering the sixth alignment layer and having a lower affinity with water than the sixth alignment layer and a higher affinity with water than the seventh alignment layer, The second alignment layer in the second region is composed of the sixth alignment layer, the second alignment layer in the first region is composed of the sixth alignment layer and the seventh alignment layer, and the third region The second alignment layer is preferably composed of the sixth alignment layer and the eighth alignment layer.
第2領域の第2配向層の表面は第6配向層であり、第3領域の第2配向層の表面は第6配向層よりも水との親和性が低く第7配向層よりも水との親和性が高い第8配向層であり、第1領域の第2配向層の表面は第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層であるので、第2配向層の表面を、第1領域、第3領域、第2領域の順に水との親和性を高くすることができる。 The surface of the second alignment layer in the second region is the sixth alignment layer, and the surface of the second alignment layer in the third region has a lower affinity with water than the sixth alignment layer, and more water than the seventh alignment layer. Since the surface of the second alignment layer in the first region is the seventh alignment layer having a lower affinity with water than the sixth alignment layer, the surface of the second alignment layer Can increase the affinity with water in the order of the first region, the third region, and the second region.
[適用例8]本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板を覆うように配置される配向層と、を含み、前記配向層のシール材と重なる領域である第2領域の表面は、前記配向層の前記第2領域の内側の領域である第1領域の表面よりも、水との親和性が高いことを特徴とする。 Application Example 8 An electro-optical device according to this application example includes a substrate and an alignment layer disposed so as to cover the substrate, and the surface of the second region which is a region overlapping the sealing material of the alignment layer Has a higher affinity for water than the surface of the first region, which is an inner region of the second region of the alignment layer.
シール材と重なる領域である第2領域は、シール材が配置されるシール領域である、第2領域の内側の領域である第1領域は、表示がなされる表示領域である。
配向層のシール領域(第2領域)の表面は、配向層の表示領域(第1領域)の表面よりも水との親和性が高いので、配向層とシール材との界面を介して表示領域に侵入しようとする水分は、水との親和性が高くなった部分(配向層のシール領域の表面)にトラップされ、表示領域に侵入しにくくなる。
従って、表示領域への水分侵入による表示品位の低下を抑制することができる。
The second area, which is an area overlapping with the seal material, is a seal area where the seal material is disposed, and the first area, which is an area inside the second area, is a display area where display is performed.
Since the surface of the sealing region (second region) of the alignment layer has a higher affinity for water than the surface of the display region (first region) of the alignment layer, the display region is interposed via the interface between the alignment layer and the sealing material. Moisture that tends to enter the trap is trapped in a portion having a high affinity with water (the surface of the sealing region of the alignment layer) and hardly enters the display region.
Accordingly, it is possible to suppress the display quality from being deteriorated due to moisture intrusion into the display area.
[適用例9]本適用例に記載の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする。 Application Example 9 An electronic apparatus described in this application example includes the electro-optical device described in the application example.
上記適用例に記載の電気光学装置では、電気光学層への水分侵入による表示品位の低下が抑制され、表示品位が高められているので、上記適用例に記載の電気光学装置が適用された電子機器は優れた表示品位を有するようになる。例えば、プロジェクター、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラなどの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することで、優れた表示品位が実現される。 In the electro-optical device described in the application example, since the display quality is prevented from being deteriorated due to moisture intrusion into the electro-optical layer, and the display quality is improved, the electron to which the electro-optical device described in the application example is applied is applied. The device will have excellent display quality. For example, for electronic devices such as projectors, direct-view TVs, mobile phones, portable audio devices, personal computers, video cameras with monitors, car navigation systems, electronic notebooks, calculators, workstations, videophones, POS terminals, digital still cameras, etc. By applying the electro-optical device described in the application example, excellent display quality can be realized.
[適用例10]本適用例に記載の電気光学装置の製造方法は、画素電極と前記画素電極を覆う第1配向層とを有する第1基板と、共通電極と前記共通電極を覆う第2配向層とを有する第2基板とが、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材を介して接着され、前記シール材で囲まれた領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法であって、前記第2基板の側から前記第1基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第1領域、及び前記シール材が設けられた領域を第2領域としたとき、前記第1領域及び前記第2領域を覆うように、第3配向層を前記第1基板に形成する工程と、前記第3配向層の表面を覆い、前記第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層を形成する工程と、前記第2領域に光を照射し、前記第2領域の前記第4配向層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。 Application Example 10 In the method of manufacturing an electro-optical device according to this application example, a first substrate having a pixel electrode and a first alignment layer covering the pixel electrode, a second alignment covering the common electrode and the common electrode. A second substrate having a layer is bonded via a sealing material provided so as to surround the region where the pixel electrode is disposed, and an electro-optic layer is disposed in the region surrounded by the sealing material In the method of manufacturing an optical device, when the first substrate side is viewed from the second substrate side, the region where the pixel electrode is disposed is the first region, and the region where the sealing material is provided. When forming the second region, a step of forming a third alignment layer on the first substrate so as to cover the first region and the second region, and covering the surface of the third alignment layer, the third alignment Forming a fourth alignment layer having a lower affinity for water than the layer; and Was irradiated with light, characterized in that it comprises a step of removing said fourth alignment layer of the second region.
第1領域及び第2領域を覆うように、第3配向層と、第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層とを順に形成した後に、第2領域に光を照射し、第2領域の第4配向層を除去することによって、第2領域に第3配向層が配置され、第1領域に第3配向層と第4配向層とが配置された第1配向層を形成することができる。すなわち、水との親和性が、第1領域よりも第2領域で高くなった第1配向層を形成することができる。 After sequentially forming the third alignment layer and the fourth alignment layer having a lower affinity for water than the third alignment layer so as to cover the first region and the second region, the second region is irradiated with light. The third alignment layer is disposed in the second region by removing the fourth alignment layer in the second region, and the first alignment layer in which the third alignment layer and the fourth alignment layer are disposed in the first region. Can be formed. That is, it is possible to form the first alignment layer whose affinity for water is higher in the second region than in the first region.
[適用例11]上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第1領域と前記第2領域との間に第3領域を有し、前記第4配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を、前記第3領域の前記第4配向層に照射して、前記第3領域の前記第4配向層を前記第4配向層よりも水との親和性が高い第5配向層に変換することが好ましい。 Application Example 11 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example described above, irradiation is performed in the step of having a third region between the first region and the second region and removing the fourth alignment layer. The fourth alignment layer in the third region is irradiated with light having a lower energy density per unit area than the light to be emitted, and the fourth alignment layer in the third region is more water than the fourth alignment layer. It is preferable to convert to a fifth alignment layer having high affinity.
第4配向層を除去(分解)する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を第3領域の第4配向層に照射し、第4配向層を部分的に分解して第4配向層よりも水との親和性が高い第5配向層を形成する。その結果、第2領域に第3配向層が配置され、第3領域に第3配向層と第5配向層とが配置され、第1領域に第3配向層と第4配向層とが配置された第1配向層を形成し、第1配向層の水との親和性を、第1領域、第3領域、第2領域の順に高めることができる。 The fourth alignment layer is irradiated with light having a lower energy density per unit area than the light that removes (decomposes) the fourth alignment layer, and the fourth alignment layer is partially decomposed to partially decompose the fourth alignment layer. A fifth alignment layer having a higher affinity with water is formed. As a result, the third alignment layer is disposed in the second region, the third alignment layer and the fifth alignment layer are disposed in the third region, and the third alignment layer and the fourth alignment layer are disposed in the first region. The first alignment layer can be formed, and the affinity of the first alignment layer with water can be increased in the order of the first region, the third region, and the second region.
[適用例12]本適用例に記載の電気光学装置の製造方法は、画素電極と前記画素電極を覆う第1配向層とを有する第1基板と、共通電極と前記共通電極を覆う第2配向層とを有する第2基板とが、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材を介して接着され、前記シール材で囲まれた領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法であって、前記第2基板の側から前記第1基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第1領域、及び前記シール材が設けられた領域を第2領域としたとき、前記第1領域及び前記第2領域を覆うように、第6配向層を前記第2基板に形成する工程と、前記第6配向層の表面を覆い、前記第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層を形成する工程と、前記第2領域に光を照射し、前記第2領域の前記第7配向層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。 Application Example 12 An electro-optical device manufacturing method according to this application example includes a first substrate having a pixel electrode and a first alignment layer covering the pixel electrode, and a second alignment covering the common electrode and the common electrode. A second substrate having a layer is bonded via a sealing material provided so as to surround the region where the pixel electrode is disposed, and an electro-optic layer is disposed in the region surrounded by the sealing material In the method of manufacturing an optical device, when the first substrate side is viewed from the second substrate side, the region where the pixel electrode is disposed is the first region, and the region where the sealing material is provided. When forming the second region, a step of forming a sixth alignment layer on the second substrate so as to cover the first region and the second region, and covering the surface of the sixth alignment layer, the sixth alignment Forming a seventh alignment layer having a lower affinity for water than the layer; and Was irradiated with light, characterized in that it comprises a step of removing the seventh alignment layer of the second region.
第1領域及び第2領域を覆うように、第6配向層と、第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層とを順に形成した後に、第2領域に光を照射し、第2領域の第7配向層を除去することによって、第2領域に第6配向層が配置され、第1領域に第6配向層と第7配向層とが配置された第2配向層を形成することができる。すなわち、水との親和性が、第1領域よりも第2領域で高くなった第2配向層を形成することができる。 After sequentially forming the sixth alignment layer and the seventh alignment layer having a lower affinity for water than the sixth alignment layer so as to cover the first region and the second region, the second region is irradiated with light. The sixth alignment layer is disposed in the second region by removing the seventh alignment layer in the second region, and the second alignment layer in which the sixth alignment layer and the seventh alignment layer are disposed in the first region. Can be formed. That is, it is possible to form the second alignment layer whose affinity for water is higher in the second region than in the first region.
[適用例13]上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第1領域と前記第2領域との間に第3領域を有し、前記第7配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を前記第3領域に照射し、前記第3領域の前記第7配向層を前記第7配向層よりも水との親和性が高い第8配向層に変換することが好ましい。 Application Example 13 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example described above, irradiation is performed in a step of removing the seventh alignment layer having a third region between the first region and the second region. The third region is irradiated with light having a lower energy density per unit area than the light to be emitted, and the seventh alignment layer in the third region has an affinity for water higher than that of the seventh alignment layer. It is preferable to convert to a layer.
第7配向層を除去(分解)する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を第3領域の第7配向層に照射し、第7配向層を部分的に分解して第7配向層よりも水との親和性が高い第8配向層を形成する。その結果、第2領域に第6配向層が配置され、第3領域に第6配向層と第8配向層とが配置され、第1領域に第6配向層と第7配向層とが配置された第2配向層を形成し、第2配向層の水との親和性を、第1領域、第3領域、第2領域の順に高めることができる。 The seventh alignment layer is partially decomposed by irradiating the seventh alignment layer in the third region with light having a lower energy density per unit area than the light for removing (decomposing) the seventh alignment layer. An eighth alignment layer having a higher affinity with water is formed. As a result, the sixth alignment layer is disposed in the second region, the sixth alignment layer and the eighth alignment layer are disposed in the third region, and the sixth alignment layer and the seventh alignment layer are disposed in the first region. The second alignment layer can be formed, and the affinity of the second alignment layer with water can be increased in the order of the first region, the third region, and the second region.
[適用例14]上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記光は、波長が180nm〜400nmの紫外線であることが好ましい。 Application Example 14 In the electro-optical device manufacturing method described in the application example, it is preferable that the light is ultraviolet light having a wavelength of 180 nm to 400 nm.
第4配向層や第7配向層に180nm〜400nmの範囲の紫外線を照射すると、第4配向層や第7配向層を効率的に分解し、除去することができる。 When the fourth alignment layer and the seventh alignment layer are irradiated with ultraviolet rays in the range of 180 nm to 400 nm, the fourth alignment layer and the seventh alignment layer can be efficiently decomposed and removed.
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Such an embodiment shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. In each of the following drawings, the scale of each layer or each part is made different from the actual scale so that each layer or each part can be recognized on the drawing.
(実施形態1)
「液晶装置の概要」
実施形態1に係る液晶装置1は、薄膜トランジスター(以降、TFTと称す)30を備えた透過型液晶装置であり、例えば後述する液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
なお、液晶装置1は、本発明における「電気光学装置」の一例である。
(Embodiment 1)
"Outline of LCD"
The
The
図1は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図2は、図1のA−A’線に沿った液晶装置の概略断面図である。図3は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下に、本実施形態に係る液晶装置1の全体構成について、図1乃至図3を参照して説明する。
FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal device taken along line A-A ′ of FIG. 1. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device. Hereinafter, an overall configuration of the
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る液晶装置1は、互いに対向するように配置された素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
素子基板10は、対向基板20よりも大きく、長方形状を有している。素子基板10は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材52を介して、対向基板20に接着されている。シール材52としては、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を使用することができる。シール材52には、素子基板10と対向基板20とを一定の間隔(ギャップ)に保持するスペーサー(図示省略)が混入されている。シール材52によって囲まれた領域に液晶層50が封入(密封)されている。
なお、液晶層50は、本発明における「電気光学層」の一例である。
The
The
液晶層50は、負の誘電異方性を有し、素子基板10の第1配向層41と、対向基板20の第2配向層42とに対してプレチルトが与えられた1軸垂直配向となっている。
The
素子基板10と対向基板20との間隙への液晶層50の封入(充填)では、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材52を配置し、シール材52の内側に所定量の液晶層50を滴下し、液晶層50が滴下された一方の基板と他方の基板とを減圧下で貼り合わせるODF(One Drop Fill)方式が採用されている。
なお、液晶層50の封入(充填)では、シール材52に注入孔を設け、当該注入孔を介して素子基板10と対向基板20との間隙に液晶層50を充填(注入)する方法、例えば真空注入法や毛細管現象を利用して注入する方法を採用してもよい。
In sealing (filling) the
In the sealing (filling) of the
シール材52で囲まれた領域の内側には、額縁形状の見切り部53が設けられている。見切り部53で囲まれた領域の内側には、画素P1(画素電極12)及びダミー画素P2(ダミー画素電極12a)が配置されている。
A frame-shaped
画素P1(画素電極12)はマトリクス状に配置され、画素P1(画素電極12)が配置された領域が表示領域Vとなる。換言すれば、対向基板20(対向基板本体21)の側から素子基板10(素子基板本体11)の側を見たとき、画素P1(画素電極12)が配置された領域が表示領域Vとなる。表示領域Vの周縁部、つまり表示領域Vと対向基板20(対向基板本体21)の端との間が非表示領域Hとなる。
なお、表示領域Vは、本発明における「第1領域」の一例である。
The pixels P1 (pixel electrodes 12) are arranged in a matrix, and the area where the pixels P1 (pixel electrodes 12) are arranged becomes the display area V. In other words, when the element substrate 10 (element substrate body 11) side is viewed from the counter substrate 20 (counter substrate body 21) side, the area where the pixel P1 (pixel electrode 12) is disposed becomes the display area V. . A non-display area H is a peripheral edge of the display area V, that is, between the display area V and the end of the counter substrate 20 (counter substrate body 21).
The display area V is an example of the “first area” in the present invention.
ダミー画素P2(ダミー画素電極12a)は、見切り部53と表示領域Vとの間に配置されている。詳しくは、見切り部53と表示領域Vとの間には、素子基板10の長辺方向に沿って2個のダミー画素P2が配置されている。ダミー画素P2は、画素P1と同じ構成を有し、常に黒表示となる信号が供給されている。つまり、ダミー画素P2及び見切り部53によって、光を遮光する遮光領域が形成される。ダミー画素P2及び見切り部53によって形成された遮光領域の内側が、表示領域Vとなる。
なお、見切り部53と表示領域Vとの間で素子基板10の長辺方向に沿って配置されるダミー画素P2の数は、2個に限定されず、単数であっても、3個以上の複数であってもよい。さらに、ダミー画素P2を設けない構成であってもよい。
見切り部53と対向基板20(対向基板本体21)の端との間には、シール材52が配置されている。
The dummy pixel P2 (
Note that the number of dummy pixels P2 disposed along the long side direction of the
A sealing
ダミー画素P2が設けられた領域が、ダミー画素領域H1であり、表示領域Vを囲むように設けられている。シール材52が設けられた領域が、シール領域H3であり、見切り領域H2を囲むように配置されている。換言すれば、対向基板20(対向基板本体21)の側から素子基板10(素子基板本体11)の側を見たとき、シール材52が設けられた領域がシール領域H3となる。シール材52とダミー画素領域H1との間の領域が、見切り領域H2である。見切り部53は、見切り領域H2の少なくとも一部に設けられている。また、非表示領域Hは、ダミー画素領域H1と見切り領域H2とシール領域H3とで構成される。
なお、シール領域H3は、本発明における「第2領域」の一例である。見切り領域H2は、本発明における「第3領域」の一例である。
A region where the dummy pixel P2 is provided is a dummy pixel region H1, and is provided so as to surround the display region V. A region where the
The seal region H3 is an example of the “second region” in the present invention. The parting area H2 is an example of the “third area” in the present invention.
シール領域H3の一方の端は、対向基板20(対向基板本体21)の端に配置される。見切り領域H2の一方の端(シール領域H3の他方の端)は、シール材52と見切り部53との間に配置され、シール領域H3と見切り領域H2との境界をなす。見切り領域H2の他方の端は、見切り部53とダミー画素P2との境界に配置され、見切り領域H2とダミー画素領域H1との境界をなす。
One end of the seal region H3 is disposed at the end of the counter substrate 20 (counter substrate main body 21). One end of the parting area H2 (the other end of the sealing area H3) is disposed between the sealing
素子基板10の第1辺部と第1辺部に沿ったシール材52との間には、データ線駆動回路101が設けられている。該第1辺部と直交し互いに対向する他の第2辺部、第3辺部に沿ったシール材52と表示領域Vとの間には、走査線駆動回路102が設けられている。該第1辺と対向する他の第4辺に沿ったシール材52と表示領域Vとの間には、二つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。素子基板10のデータ線駆動回路101が設けられた側の端部には、複数の外部接続用端子103が設けられている。複数の外部接続用端子103と、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路102との間には、それぞれを電気的に接続する配線が設けられている。
A data
図2に示すように、素子基板10は、素子基板本体11、及び素子基板本体11の液晶層50側の面に設けられた薄膜トランジスター(Thin Film Transistor;以降TFTと称す)30、ダミーTFT30a、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102、層間絶縁層31、画素電極12、ダミー画素電極12a、外部接続用端子103、第1配向層41などを有している。
換言すれば、素子基板10は、画素電極12が配置された素子基板本体11と、画素電極12を覆うように配置された第1配向層41とを有している。
なお、素子基板本体11は、本発明における「第1基板」の一例である。
As shown in FIG. 2, the
In other words, the
The
素子基板本体11は、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。素子基板本体11の液晶層50側の面には、TFT30、ダミーTFT30a、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102などが設けられている。TFT30及びダミーTFT30aは、例えばnチャネル型TFTであり、同じ構成を有している。データ線駆動回路101及び走査線駆動回路102は、例えばnチャネル型TFTとpチャネル型TFTとを備えたCMOS型TFTで構成されている。TFT30、ダミーTFT30a、データ線駆動回路101、及び走査線駆動回路102は、同じ工程で形成され、半導体層、複数の導電層、及び複数の絶縁層を有している。これら複数の導電層及び複数の絶縁層を用いて形成された立体配線(図示省略)によって、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路102と、外部接続用端子103とが電気的に接続されている。
The
TFT30、ダミーTFT30a、データ線駆動回路101、及び走査線駆動回路102は、層間絶縁層31で覆われている。層間絶縁層31は、例えば酸化シリコンなどの透光性の絶縁膜で構成されている。層間絶縁層31の上には、画素電極12、ダミー画素電極12a、外部接続用端子103などが設けられている。画素電極12及びダミー画素電極12aは、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電材料で構成されている。
The
画素電極12は、層間絶縁層31を貫くコンタクトホール(図示省略)を介してTFT30のドレインに電気的に接続されている。ダミー画素電極12aは、層間絶縁層31を貫くコンタクトホール(図示省略)を介してダミーTFT30aのドレインに電気的に接続されている。
The
画素電極12及びダミー画素電極12aを覆うように、第1配向層41が設けられている。第1配向層41は、対向基板20と平面的に重なるように設けられている。第1配向層41は、例えば素子基板本体11の略全面を覆うように設けてもよい。素子基板本体11の略全面を覆うように第1配向層41を設ける場合、第1配向層41に外部接続用端子103を露出させるコンタクトホールを形成する必要がある。
第1配向層41の詳細は後述する。
A
Details of the
対向基板20は、対向基板本体21、並びに対向基板本体21の液晶層50側の面に順に積層された見切り部53、絶縁膜22、共通電極23、第2配向層42などを有している。
換言すれば、対向基板20は、共通電極23が配置された対向基板本体21と、共通電極23を覆うように配置された第2配向層42とを有している。
なお、対向基板本体21は、本発明における「第2基板」の一例である。
The
In other words, the
The
対向基板本体21は、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。見切り部53は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成されている。見切り部53は、上述した走査線駆動回路102と平面的に重なるように設けられ、対向基板20側から入射する光を遮り、光による走査線駆動回路102の誤動作を防止している。また、見切り部53は、不必要な迷光が表示領域Vに入射しないように遮光して、表示領域Vにおける表示コントラストを高めている。
The counter substrate
絶縁膜22は、透光性の無機絶縁材料からなり、例えば常圧または減圧CVD法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜22は、対向基板本体21の上に見切り部53が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
The insulating
共通電極23は、絶縁膜22の上に形成され、ITOなどの透明導電材料で構成される。また、共通電極23は、対向基板本体21の略全面に設けられている。共通電極23は、対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10の引き回し配線(図示省略)に電気的に接続されている。
第2配向層42の詳細は後述する。
The
Details of the
図3に示すように、液晶装置1は、少なくとも表示領域Vにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線5及び複数のデータ線6と、走査線5に対して平行する容量線7とを有する。なお、容量線7の配置はこれに限定されず、データ線6に対して平行するように配置してもよい。
As shown in FIG. 3, the
走査線5とデータ線6とで区分された領域には、画素電極12と、TFT30と、蓄積容量70とが設けられ、これらが画素P1の画素回路を構成している。
なお、図示を省略するが、走査線5とデータ線6とで区分された領域には、ダミー画素電極12aと、ダミーTFT30aと、ダミー蓄積容量とが設けられ、これらがダミー画素P2の画素回路を構成している。
A
Although not shown, a
走査線5はTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6はTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極12はTFT30のドレインに電気的に接続されている。
The
データ線6はデータ線駆動回路101(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路101からデータ線6を介して、画像信号D1,D2,…,Dnが各画素P1に供給される。走査線5は走査線駆動回路102に接続されており、走査線駆動回路102から走査線5を介して、走査信号SC1,SC2,…,SCmが各画素P1に供給される。データ線駆動回路101からデータ線6に供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6に対してグループごとに供給してもよい。
The data lines 6 are connected to a data line driving circuit 101 (see FIG. 1), and image signals D1, D2,..., Dn are supplied from the data line driving
液晶装置1は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1〜SCmの入力により一定期間だけオン状態となったタイミングに同期して、データ線6から画像信号D1〜Dnが供給され、画像信号D1〜Dnに対応する電荷が画素電極12と共通電極23との間の容量に蓄積され、一定期間保持される。
In the
画素電極12と共通電極23との間の容量に蓄積された電荷のリークの影響を軽減するために、画素電極12と共通電極23との間に、液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70は、TFT30のドレインと容量線7との間に設けられている。
In order to reduce the influence of leakage of charges accumulated in the capacitance between the
このような液晶装置1は透過型であって、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子(図示省略)が配置されて用いられる。
Such a
「配向層の概要」
図4(a)は、図2から対向基板を抜き出した図であり、対向基板の概略断面図である。図4(b)は、図2から素子基板を抜き出した図であり、素子基板の概略断面図である。
図4(a)及び図4(b)には、シール材52が仮想線で図示されている。
以下、図4(a)及び図4(b)を参照し、素子基板10及び対向基板20に設けられた配向層41,42の詳細を説明する。
"Outline of alignment layer"
FIG. 4A is a diagram in which the counter substrate is extracted from FIG. 2, and is a schematic cross-sectional view of the counter substrate. FIG. 4B is a diagram in which the element substrate is extracted from FIG. 2, and is a schematic cross-sectional view of the element substrate.
In FIG. 4A and FIG. 4B, the sealing
Hereinafter, with reference to FIG. 4A and FIG. 4B, details of the alignment layers 41 and 42 provided on the
図4(a)に示すように、対向基板20の第2配向層42は、第6配向層46と第7配向層47とで構成される。第6配向層46は、共通電極23を覆うように設けられ、表示領域V及び非表示領域Hの全般に配置されている。第7配向層47は、第6配向層46を覆うように設けられ、表示領域Vと、ダミー画素領域H1と、見切り領域H2とに配置されている。
As shown in FIG. 4A, the
シール領域H3に配置される第2配向層42は、第6配向層46で構成されている。ダミー画素領域H1と見切り領域H2と表示領域Vとに配置される第2配向層42は、第6配向層46と第7配向層47とで構成されている。
The
第6配向層46は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層である。第7配向層47は、第6配向層46の表面に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第6配向層46よりも水との親和性が低い。
よって、第2配向層42の表面が第6配向層46である部分は、水との親和性が高い部分となり、第2配向層42の表面が第7配向層47である部分は、水との親和性が低い部分となる。
The
Therefore, the portion where the surface of the
見切り領域H2とダミー画素領域H1と表示領域Vとの第2配向層42の表面は第7配向層47であり、シール領域H3の第2配向層42の表面は第6配向層46であるので、見切り領域H2とダミー画素領域H1と表示領域Vの第2配向層42の表面は、シール領域H3の第2配向層42の表面よりも水との親和性が低い。すなわち、シール領域H3の第2配向層42の表面は、表示領域Vの第2配向層42の表面よりも水との親和性が高い。従って、第2配向層42の表面は、表示領域Vと比べてシール領域H3で水との親和性が高い。
The surface of the
図4(b)に示すように、素子基板10の第1配向層41は、第3配向層43と第4配向層44とで構成される。第3配向層43は、画素電極12及びダミー画素電極12aを覆うように設けられ、表示領域V及び非表示領域Hの全般に配置されている。第4配向層44は、第3配向層43を覆うように設けられ、表示領域Vと、ダミー画素領域H1と、見切り領域H2とに配置されている。
その結果、シール領域H3に配置される第1配向層41は、第3配向層43で構成されている。ダミー画素領域H1と見切り領域H2と表示領域Vとに配置される第1配向層41は、第3配向層43と第4配向層44とで構成されている。
As shown in FIG. 4B, the
As a result, the
第3配向層43は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層であり、第6配向層46と同じ構成を有している。第4配向層44は、第3配向層43の表面に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第7配向層47と同じ構成を有し、第3配向層43よりも水との親和性が低い。よって、第1配向層41の表面が第3配向層43である部分は、水との親和性が高い部分となり、第1配向層41の表面が第4配向層44である部分は、水との親和性が低い部分となる。
The
見切り領域H2とダミー画素領域H1と表示領域Vとの第1配向層41の表面は第4配向層44であり、シール領域H3の第1配向層41の表面は第3配向層43であるので、見切り領域H2とダミー画素領域H1と表示領域Vとの第1配向層41の表面は、シール領域H3の第1配向層41の表面よりも水との親和性が低い。すなわち、シール領域H3の第1配向層41の表面は、表示領域Vの第1配向層41の表面よりも水との親和性が高い。従って、第1配向層41の表面は、表示領域Vと比べてシール領域H3で水との親和性が高い。
Since the surface of the
このように、対向基板20において、シール領域H3の第2配向層42の表面は、表示領域Vの第2配向層42の表面よりも水との親和性が高く、素子基板10において、シール領域H3の第1配向層41の表面は、表示領域Vの第1配向層41の表面よりも水との親和性が高い。すなわち、素子基板10及び対向基板20共に、シール材52が接する部分の配向層41,42は、表示領域Vの配向層41,42よりも水との親和性が高い。
As described above, in the
大気中の水分(湿気)が、シール材52と配向層41,42との界面を通過し、液晶層50の中に侵入する恐れがある。仮に、大気中の水分がシール材52と配向層41,42との界面を通過して液晶層50の中に侵入(混入)すると、例えば液晶層50の比抵抗が低下し、画素電極12と共通電極23との間の容量(液晶容量、蓄積容量70)に蓄積される電荷のリークが大きくなり、液晶層50に印加される実効電圧が劣化し、表示ムラなどの表示品位の低下を招く恐れがある。さらに、液晶層50の中に侵入した水分が表示領域Vの配向層41,42に吸着すると、吸着した水分が液晶層中のイオン性不純物を引き寄せ、イオン性不純物を偏在させ、焼き付きなどの表示品位の低下を招く恐れがある。
Moisture (humidity) in the atmosphere may pass through the interface between the sealing
シール材52と接する部分の配向層41,42(シール領域H3の配向層41,42)は、表示領域Vの配向層41,42よりも水との親和性が高い。水分は、水との親和性が低い部分の配向層41,42よりも、水との親和性が高い部分の配向層41,42に吸着しやすい(トラップされやすい)。よって、シール材52と配向層41,42との界面から侵入しようとする水分は、水との親和性が高い部分(シール領域H3の配向層41,42)に拘束(トラップ)され、液晶層50の中に侵入しにくい。従って、液晶層50の中に水分が侵入しにくいので、上述した表示ムラや焼き付きなどの表示品位の低下を招きにくく、表示品位を高めることができる。
The alignment layers 41 and 42 in contact with the sealing material 52 (alignment layers 41 and 42 in the seal region H3) have higher affinity with water than the alignment layers 41 and 42 in the display region V. Moisture is more likely to be adsorbed (easily trapped) by the alignment layers 41 and 42 having a higher affinity with water than the alignment layers 41 and 42 having a lower affinity with water. Therefore, the moisture that is about to enter from the interface between the sealing
さらに、酸化シリコンなどの無機配向層(第3配向層43、第6配向層46)は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて耐熱性や耐光性に優れているが、有機配向層と比べてアンカリング力が弱く、僅かな外乱の影響を受けて配向力が低下しやすい。例えば、無機配向層(第3配向層43、第6配向層46)は水分を吸着しやすく、水分の吸着によって配向力が低下しやすい。すなわち、無機配向層(第3配向層43、第6配向層46)は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて耐湿性に劣る。
Furthermore, although inorganic alignment layers (the
表示領域Vにおいて、素子基板10の第1配向層41、及び対向基板20の第2配向層42は、共に無機配向層(第3配向層43、第6配向層46)と疎水性被膜(第4配向層44、第7配向層47)とで構成されている。つまり、表示領域Vの配向層41,42は、シール領域H3の配向層41,42と比べて水との親和性が低く、水分の影響を受けにくく、耐湿性が高められている。仮に、大気中の水分が液晶層50の中に侵入したとしても、表示領域Vの配向層41,42に吸着しにくいので、表示ムラ(配向力の低下)や焼き付き(イオン性不純物の偏在)などの表示品位の低下を招きにくく、表示品位を高めることができる。
In the display region V, the
「液晶装置の製造方法」
図5は、液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フローである。図6は、図4(b)に対応する図であり、図5に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図である。図7は、図4(a)に対応する図であり、図5に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す対向基板の概略断面図である。図8(a)は、シランカップリング剤の構造図であり、図8(b)は素子基板及び対向基板に設けられた配向層の状態を模式的に示す構造図である。
"Liquid crystal device manufacturing method"
FIG. 5 is a process flow of a characteristic part of a method for manufacturing a liquid crystal device. FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. 4B, and is a schematic cross-sectional view of the element substrate showing a state after undergoing main processes of the process flow shown in FIG. 5. FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 4A, and is a schematic cross-sectional view of the counter substrate showing a state after undergoing main processes of the process flow shown in FIG. 5. FIG. 8A is a structural diagram of the silane coupling agent, and FIG. 8B is a structural diagram schematically showing the state of the alignment layer provided on the element substrate and the counter substrate.
図7では、図4(a)と上下が逆に図示されている。
図8(b)では、無機配向層(第3配向層43、第6配向層46)を構成する酸化シリコンが、珪素原子(Si)に対する酸素原子(O)の比率を2として図示されている。なお、無機配向層(第3配向層43、第6配向層46)を構成する酸化シリコンにおける珪素原子(Si)に対する酸素原子(O)の比率は、2より小さくてもよい。
本実施形態に係る液晶装置1の製造方法では、第1配向層41及び第2配向層42を形成する工程に特徴があり、他の工程は公知技術を使用している。以下に、図4及び図5を参照して、液晶装置1の製造方法の特徴点を説明する。
In FIG. 7, the upper and lower sides of FIG.
In FIG. 8B, the silicon oxide constituting the inorganic alignment layer (the
The manufacturing method of the
図5に示すように、液晶装置1の製造方法は、素子基板10に第3配向層43を形成する工程(ステップS1)と、素子基板10に第4配向層44を形成する工程(ステップS2)と、シール領域H3に紫外線65を照射し第4配向層44を除去する工程(ステップS3)と、素子基板10にシール材52を形成する工程(ステップS4)と、素子基板10に液晶層50を滴下する工程(ステップS5)と、対向基板20に第6配向層46を形成する工程(ステップS11)と、対向基板20に第7配向層47を形成する工程(ステップS12)と、シール領域H3に紫外線65を照射し第7配向層47を除去する工程(ステップS13)と、素子基板10と対向基板20とを貼り合せる工程(ステップS21)とを含む。
As shown in FIG. 5, the method for manufacturing the
なお、ステップS1〜ステップS3は、素子基板10に第1配向層41を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置1の製造方法の特徴をなす。ステップS11〜ステップS13は、対向基板20に第2配向層42を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置1の製造方法の特徴をなす。
Steps S <b> 1 to S <b> 3 are steps for forming the
図6(a)に示すように、ステップS1では、素子基板10の厚さ方向と交差する方向から酸化シリコンを素子基板10に斜め蒸着し、第3配向層43を形成する。つまり、図中の矢印で示された斜め方向から酸化シリコンを飛来させ、素子基板10の上に酸化シリコンを堆積して、第3配向層43を形成する。第3配向層43は、表示領域V及び非表示領域Hに形成される。また、外部接続用端子103が形成された領域は、メタルマスク(図示省略)でマスキングされ、外部接続用端子103に酸化シリコンが堆積しないようになっている。
As shown in FIG. 6A, in step S <b> 1, silicon oxide is obliquely deposited on the
図7(a)に示すように、ステップS11では、対向基板20の厚さ方向と交差する方向から酸化シリコンを対向基板20に斜め蒸着し、第6配向層46を形成する。つまり、図中の矢印で示された斜め方向から酸化シリコンを飛来させ、対向基板20の上に酸化シリコンを堆積し、第6配向層46を形成する。第6配向層46は、表示領域V及び非表示領域Hに形成される。
As shown in FIG. 7A, in step S <b> 11, silicon oxide is obliquely deposited on the
第3配向層43及び第6配向層46を形成する材料は、可視光に対して透明な無機材料であれば良く、酸化シリコンの他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムなどを使用することができる。さらに、無機材料を蒸着する方法としては、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンアシスト蒸着法などの方法を使用することができる。
The material for forming the
図6(b)に示すように、ステップS2では、例えばスピンコート法、ディップコート法、印刷方式、吹き付け方式などによって、シランカップリング剤90(図8(a)参照)を素子基板10に塗布し、乾燥させて、概略100℃〜200℃の熱処理を施し、第3配向層43の上に第4配向層44を形成する。
As shown in FIG. 6B, in step S2, a silane coupling agent 90 (see FIG. 8A) is applied to the
図7(b)に示すように、ステップS12では、例えばスピンコート法、ディップコート法、印刷方式、吹き付け方式などによって、シランカップリング剤90を対向基板20に塗布し、乾燥させて、概略100℃〜200℃の熱処理を施し、第6配向層46の上に第7配向層47を形成する。
As shown in FIG. 7B, in step S12, the
図8(a)に示すように、シランカップリング剤90は、加水分解性を有するアルコキシ基91と、炭素数が1〜20の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基92(疎水基)との両者を併せ持つケイ素化合物である。なお、図中で、アルコキシ基91はOR1で図示され、アルキル基92(疎水基)はR2で図示されている。
As shown in FIG. 8A, the
図8(b)に示すように、水分によってシランカップリング剤90のアルコキシ基91が加水分解してシラノール基が生成した後に、シランカップリング剤90のシラノール基と配向層43,46(酸化シリコン)の水酸基とが脱水縮合反応し、シランカップリング剤90が配向層43,46(酸化シリコン)の表面に結合する。
この反応と並行して、シラノール基同士が縮合しシリコンオリゴマー94を形成する。すなわち、シリコンオリゴマー94は、疎水基(アルキル基92)を有するケイ素化合物(シランカップリング剤90)をモノマーとして、当該ケイ素化合物同士が重合した重合体(ポリマー)である。つまり、疎水基(アルキル基92)を有するケイ素化合物の重合体(シリコンオリゴマー94)が、配向層44,47である。
As shown in FIG. 8B, after the
In parallel with this reaction, silanol groups are condensed to form a silicon oligomer 94. That is, the silicon oligomer 94 is a polymer in which silicon compounds having a hydrophobic group (alkyl group 92) (silane coupling agent 90) as a monomer are polymerized. That is, the alignment layers 44 and 47 are a polymer (silicon oligomer 94) of a silicon compound having a hydrophobic group (alkyl group 92).
このように、第3配向層43にシランカップリング剤90を塗布し、乾燥することで第3配向層43を覆う第4配向層44(シリコンオリゴマー94)を形成し、第6配向層46にシランカップリング剤90を塗布し、乾燥することで第6配向層46を覆う第7配向層47(シリコンオリゴマー94)を形成する。
In this manner, the fourth alignment layer 44 (silicon oligomer 94) covering the
シリコンオリゴマー94は、配向層43,46と結合する側(配向層43,46と接する側)と反対側に炭素数が1〜20の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基92(疎水基)が配置されている。よって、配向層43,46がシリコンオリゴマー94(配向層44,47)で覆われると、配向層43,46とシリコンオリゴマー94(配向層44,47)との積層体の表面に、炭素数が1〜20の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基R2(疎水基)が配置され、酸化シリコン(配向層43,46)よりも水との親和性が低くなる。 The silicon oligomer 94 has a linear, cyclic or branched alkyl group 92 (hydrophobic group) having 1 to 20 carbon atoms on the side opposite to the side bonded to the alignment layers 43 and 46 (the side in contact with the alignment layers 43 and 46). Is arranged. Therefore, when the alignment layers 43 and 46 are covered with the silicon oligomer 94 (alignment layers 44 and 47), the number of carbon atoms is increased on the surface of the laminate of the alignment layers 43 and 46 and the silicon oligomer 94 (alignment layers 44 and 47). 1 to 20 linear, cyclic or branched alkyl groups R 2 (hydrophobic groups) are disposed, and the affinity with water is lower than that of silicon oxide (alignment layers 43 and 46).
このように、第4配向層44及び第7配向層47は、末端(表面)にアルキル基92(疎水基)を有するケイ素化合物の重合体(シリコンオリゴマー94)である。アルキル基92(疎水基)によって、第3配向層43と第4配向層44とを積層した膜の表面は、第3配向層43の表面よりも水との親和性が低くなり、第6配向層46と第7配向層47とを積層した膜の表面は、第6配向層46の表面よりも水との親和性が低くなる。
As described above, the
図6(c)に示すように、ステップS3では、例えば石英基板62の上にクロムなどの遮光膜63が設けられたマスク61を使用し、遮光膜63によって表示領域Vとダミー画素領域H1と見切り領域H2とを遮光して、図中の矢印で示された紫外線65を、シール領域H3の第4配向層44に照射する。詳しくは、波長範囲が180nm〜400nmであり、照度が150mW/cm2〜240mW/cm2である紫外線65を、シール領域H3の第4配向層44に概略40秒照射する。すなわち、波長範囲が180nm〜400nmであり、積算光量(単位面積当たりの照射エネルギー)が6000mJ/cm2〜9600mJ/cm2である紫外線65を、シール領域H3の第4配向層44に照射する。すると、シール領域H3の第4配向層44が分解し、除去される。
その結果、シール領域H3に配置された第3配向層43と、ダミー画素領域H1と見切り領域H2と表示領域Vとに配置された第3配向層43及び第4配向層44とで構成される第1配向層41が、素子基板10に形成される。
As shown in FIG. 6C, in step S3, for example, a
As a result, the
なお、ステップS2において、第4配向層44が層間絶縁層31や外部接続用端子103の上にも形成された場合、層間絶縁層31や外部接続用端子103の上に形成された第4配向層44は、ステップS3の紫外線65の照射によって分解し、除去される。
In step S2, when the
図7(c)に示すように、ステップS13では、上述したステップS3と同じ条件の紫外線65、すなわち波長範囲が180nm〜400nmであり、積算光量(単位面積当たりの照射エネルギー)が6000mJ/cm2〜9600mJ/cm2である紫外線65を、シール領域H3の第7配向層47に照射し、シール領域H3の第7配向層47を分解し、除去する。
その結果、シール領域H3に配置された第6配向層46と、ダミー画素領域H1と見切り領域H2と表示領域Vとに配置された第6配向層46及び第7配向層47とで構成される第2配向層42が、対向基板20に形成される。
As shown in FIG. 7C, in step S13, the
As a result, the
図6(d)に示すように、ステップS4では、例えばディスペンサーを使用してシール材52(例えば、エポキシ樹脂)を、素子基板10のシール領域H3の第3配向層43の上に塗布する。
As shown in FIG. 6D, in step S4, a sealing material 52 (for example, epoxy resin) is applied on the
図6(e)に示すように、ステップS5では、例えばディスペンサーを使用して液晶層50をシール材52の内側に滴下する。
As shown in FIG. 6E, in step S5, the
ステップS21では、対向基板20を素子基板10に押圧しながら所定の位置に貼り合せ、シール材52を硬化させて対向基板20と素子基板10とを接着し、対向基板20と素子基板10との間に液晶層50が封入(密封)された液晶装置1(図2参照)を形成する。
なお、上述したステップS5及びステップS21は、減圧雰囲気の中で処理されている。
In step S21, the
In addition, step S5 and step S21 mentioned above are processed in the pressure-reduced atmosphere.
かかる製造方法によって、シール領域H3において水との親和性が高くなり、表示領域Vにおいて水との親和性が低くなった配向層41,42を、素子基板10及び対向基板20の両方に安定して形成し、シール材52と配向層41,42との界面から水分が侵入しにくくなり、表示品位が高められた液晶装置1を製造することができる。
With this manufacturing method, the alignment layers 41 and 42 having a high affinity with water in the seal region H3 and a low affinity with water in the display region V are stabilized on both the
(実施形態2)
「液晶装置の概要」
図9(a)は、図4(a)に対応する図であり、実施形態2に係る液晶装置の対向基板の概略断面図である。図9(b)は、図4(b)に対応する図であり、本実施形態に係る液晶装置の素子基板の概略断面図である。
本実施形態では、素子基板10の第1配向層41及び対向基板20の第2配向層42の構成、並びにその製造方法が、実施形態1と異なる。他の構成は、本実施形態に係る液晶装置2と実施形態1に係る液晶装置1とで同じである。
以下に、図9(a)及び図9(b)を参照して、本実施形態に係る液晶装置2の概要を、実施形態1との相違点を中心に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
(Embodiment 2)
"Outline of LCD"
FIG. 9A corresponds to FIG. 4A and is a schematic cross-sectional view of the counter substrate of the liquid crystal device according to the second embodiment. FIG. 9B is a diagram corresponding to FIG. 4B and is a schematic cross-sectional view of the element substrate of the liquid crystal device according to the present embodiment.
In the present embodiment, the configuration of the
Hereinafter, an overview of the
図9(a)に示すように、対向基板20の第2配向層42は、第6配向層46と第7配向層47と第8配向層48とで構成される。第6配向層46は、画素電極12及びダミー画素電極12aを覆うように設けられ、表示領域V及び非表示領域Hの全般に配置されている。第7配向層47は、第6配向層46を覆うように設けられ、表示領域Vとダミー画素領域H1とに配置されている。第8配向層48は、第6配向層46を覆うように設けられ、見切り領域H2に配置されている。
その結果、シール領域H3の第2配向層42は第6配向層46で構成され、見切り領域H2の第2配向層42は第6配向層46と第8配向層48とで構成され、ダミー画素領域H1及び表示領域Vの第2配向層42は第6配向層46と第7配向層47とで構成されている。
As shown in FIG. 9A, the
As a result, the
図9(b)に示すように、素子基板10の第1配向層41は、第3配向層43と第4配向層44と第5配向層45とで構成される。第3配向層43は、画素電極12及びダミー画素電極12aを覆うように設けられ、表示領域V及び非表示領域Hの全般に配置されている。第4配向層44は、第3配向層43を覆うように設けられ、表示領域Vとダミー画素領域H1とに配置されている。第5配向層45は、第3配向層43を覆うように設けられ、見切り領域H2に配置されている。
その結果、シール領域H3の第1配向層41は第3配向層43で構成され、見切り領域H2の第1配向層41は第3配向層43と第5配向層45とで構成され、ダミー画素領域H1及び表示領域Vの第1配向層41は第3配向層43と第4配向層44とで構成されている。
As shown in FIG. 9B, the
As a result, the
第3配向層43及び第6配向層46は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層である。
第4配向層44、第5配向層45、第7配向層47、及び第8配向層48は、第3配向層43または第6配向層46の表面に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第3配向層43や第6配向層46よりも水との親和性が低い。詳しくは、第4配向層44、第5配向層45、第7配向層47、及び第8配向層48は、末端(表面)に疎水基(アルキル基92)を有するケイ素化合物の重合体(シリコンオリゴマー94(図8(b)参照))である。
The
The
詳細は後述するが、第5配向層45は、第4配向層44に光(紫外線)を照射することで形成され、第4配向層44よりも水との親和性が高められている。
第3配向層43が第4配向層44で覆われた部分の表面(表示領域V及びダミー画素領域H1の第1配向層41)、第3配向層43が第5配向層45で覆われた部分の表面(見切り領域H2の第1配向層41)、第3配向層43の表面(シール領域H3の第1配向層41)の順に、水との親和性が高くなる。すなわち、第1配向層41は、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に水との親和性が高くなっている。
Although details will be described later, the
The surface of the portion where the
詳細は後述するが、第8配向層48は、第7配向層47に光(紫外線)を照射することで形成され、第7配向層47よりも水との親和性が高められている。
第6配向層46が第7配向層47で覆われた部分の表面(表示領域V及びダミー画素領域H1の第2配向層42)、第6配向層46が第8配向層48で覆われた部分の表面(見切り領域H2の第2配向層42)、第6配向層46の表面(シール領域H3の第2配向層42)の順に、水との親和性が高くなる。すなわち、第2配向層42は、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に水との親和性が高くなっている。
Although details will be described later, the
The surface of the portion where the
シール材52と接する部分の配向層41,42(シール領域H3の配向層41,42)は、他の領域の配向層41,42よりも水との親和性が高く、水分を吸着し、拘束(トラップ)しやすい。よって、シール材52と配向層41,42との界面から侵入しようとする水分は、シール領域H3の配向層41,42に拘束(トラップ)され、液晶層50の中に侵入しにくい。従って、液晶層50の中に水分が侵入しにくいので、表示ムラや焼き付きなどの表示品位の低下を招きにくく、表示品位を高めることができる。
The alignment layers 41 and 42 in contact with the sealing material 52 (alignment layers 41 and 42 in the seal region H3) have higher affinity to water than the alignment layers 41 and 42 in other regions, adsorb moisture, and are restrained. Easy to trap. Therefore, moisture that tends to enter from the interface between the sealing
さらに、第1配向層41及び第2配向層42は、表示領域Vからシール領域H3に向かう方向に水との親和性が高くなっているので、液晶層50の中の水分やイオン性不純物は表示領域Vからシール領域H3に向かう方向に移動しやすい。逆に、第1配向層41及び第2配向層42は、シール領域H3から表示領域Vに向かう方向に水との親和性が低くなっているので、液晶層50の中の水分やイオン性不純物はシール領域H3から表示領域Vに向かう方向に移動しにくい。従って、液晶層50の中の水分やイオン性不純物を、非表示領域Hから表示領域Vの側に侵入しにくくし、表示領域Vから非表示領域Hの側に排出しやくすることで、水分やイオン性不純物の表示への悪影響を弱めることができる。
Furthermore, since the
「液晶装置の製造方法」
図10は、液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フローである。図11は、図6に対応する図であり、図10に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図である。図12は、図7に対応する図であり、図10に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す対向基板の概略断面図である。
本実施形態に係る液晶装置2の製造方法では、第1配向層41及び第2配向層42を形成する工程に特徴があり、他の工程は公知技術を使用している。以下に、図10乃至図12を参照して、液晶装置2の製造方法の概要を実施形態1との相違点を中心に説明する。
"Liquid crystal device manufacturing method"
FIG. 10 is a process flow of a characteristic part of a method for manufacturing a liquid crystal device. FIG. 11 is a diagram corresponding to FIG. 6 and is a schematic cross-sectional view of the element substrate showing a state after the main process of the process flow shown in FIG. FIG. 12 is a diagram corresponding to FIG. 7 and is a schematic cross-sectional view of the counter substrate showing a state after the main process of the process flow shown in FIG.
The manufacturing method of the
図10に示すように、液晶装置2の製造方法は、素子基板10に第3配向層43を形成する工程(ステップS1)と、素子基板10に第4配向層44を形成する工程(ステップS2)と、シール領域H3及び見切り領域H2に紫外線65を照射し第5配向層45を形成する工程(ステップS31)と、シール領域H3に紫外線65を照射し第5配向層45を除去する工程(ステップS32)と、素子基板10にシール材52を形成する工程(ステップS4)と、素子基板10に液晶層50を滴下する工程(ステップS5)と、対向基板20に第6配向層46を形成する工程(ステップS11)と、対向基板20に第7配向層47を形成する工程(ステップS12)と、シール領域H3及び見切り領域H2に紫外線65を照射し第8配向層48を形成する工程(ステップS14)と、シール領域H3に紫外線65を照射し第8配向層48を除去する工程(ステップS15)と、素子基板10と対向基板20とを貼り合せる工程(ステップS21)とを含む。
As shown in FIG. 10, the method for manufacturing the
なお、ステップS1、ステップS2、ステップS31、及びステップS32は、素子基板10に第1配向層41を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置2の製造方法の特徴をなす。ステップS11、ステップS12、ステップS14、及びステップS15は、対向基板20に第2配向層42を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置2の製造方法の特徴をなす。
また、ステップS1、ステップS2、ステップS4、ステップS5、ステップS11、ステップS12、及びステップS21は、実施形態1と同じであり、説明を省略する。
In addition, step S1, step S2, step S31, and step S32 are processes for forming the
Further, Step S1, Step S2, Step S4, Step S5, Step S11, Step S12, and Step S21 are the same as those in the first embodiment, and a description thereof is omitted.
図11(a)に示すように、ステップS31では、例えば石英基板62の上にクロムなどの遮光膜63が設けられたマスク61を使用し、遮光膜63によって表示領域Vとダミー画素領域H1とを遮光して、図中の矢印で示された紫外線65を、見切り領域H2及びシール領域H3に配置された素子基板10の第4配向層44に照射する。詳しくは、波長範囲が180nm〜400nmであり、照度が150mW/cm2〜240mW/cm2である紫外線65を、見切り領域H2及びシール領域H3の第4配向層44に概略20秒照射する。すなわち、波長範囲が180nm〜400nmであり、積算光量(単位面積当たりの照射エネルギー)が3000mJ/cm2〜4800mJ/cm2である紫外線65を、見切り領域H2及びシール領域H3の第4配向層44に照射する。
以降、積算光量(単位面積当たりの照射エネルギー)を、照射エネルギーと称す。
As shown in FIG. 11A, in step S31, for example, a
Hereinafter, the integrated light amount (irradiation energy per unit area) is referred to as irradiation energy.
本実施形態の紫外線65の照射エネルギーは、実施形態1の紫外線65の照射エネルギーの半分になっている。このため、シール領域H3の第4配向層44は完全に分解されず、部分的に分解される。つまり、第4配向層44を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を照射し、第4配向層44を部分的に分解して、第5配向層45を形成する。
あるいは、第4配向層44を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を照射し、第4配向層44のアルキル基(R2)を部分的に分解して(酸化して)、第5配向層45を形成する。
その結果、ステップS31で形成した第5配向層45は、第4配向層44よりも水との親和性が高く、第3配向層43よりも水との親和性が低くなる。
The irradiation energy of the
Alternatively, ultraviolet rays 65 having irradiation energy smaller than the irradiation energy for completely decomposing the
As a result, the
このように、ステップS31では、第4配向層44を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を第4配向層44に照射し、第4配向層44よりも水との親和性が高く、第3配向層43よりも水との親和性が低い第5配向層45を形成する。
As described above, in step S31, the
図12(a)に示すように、ステップS14では、図中の矢印で示された紫外線65を、見切り領域H2及びシール領域H3に配置された対向基板20の第7配向層47に照射する。詳しくは、波長範囲が180nm〜400nmであり、照射エネルギーが3000mJ/cm2〜4800mJ/cm2である紫外線65を、見切り領域H2及びシール領域H3に配置された対向基板20の第7配向層47に照射する。つまり、第7配向層47を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を照射し、第7配向層47を部分的に分解して、第8配向層48を形成する。
あるいは、第7配向層47を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を照射し、第7配向層47のアルキル基(R2)を部分的に分解して(酸化して)、第8配向層48を形成する。
その結果、ステップS14で形成した第8配向層48は、第7配向層47よりも水との親和性が高く、第6配向層46よりも水との親和性が低くなる。
As shown in FIG. 12A, in step S14, the ultraviolet rays 65 indicated by arrows in the drawing are irradiated to the
Alternatively, the
As a result, the
このように、ステップS14では、第7配向層47を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を第7配向層47に照射し、第7配向層47よりも水との親和性が高く、第6配向層46よりも水との親和性が低い第8配向層48を形成する。
As described above, in step S14, the
ステップS31及びステップS14では、水との親和性が低い配向層44,47を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線65を照射し、配向層44,47を部分的に分解して、または配向層44,47のアルキル基(R2)を部分的に分解して(酸化して)、配向層44,47を配向層45,48に変換する(配向層44,47から配向層45,48を形成する)。その結果、水との親和性を配向層44,47よりも高く、配向層43,46よりも低い配向層45,48を安定して形成することができる。
In step S31 and step S14, the alignment layers 44 and 47 having a low affinity with water are irradiated with
例えば、配向層44,47表面のA領域とB領域とC領域とD領域に、A領域とB領域とC領域とD領域との順に照射エネルギーが大きくなった紫外線65を照射すると、水との親和性を、A領域とB領域とC領域とD領域との順に高くすることができる。つまり、紫外線65の照射エネルギーによって、配向層43,46の水の親和性と配向層44,47の水との親和性との間で、配向層45,48の水との親和性を調整することができる。
For example, when the ultraviolet rays 65 having higher irradiation energy in the order of the A region, the B region, the C region, and the D region are irradiated to the A region, the B region, the C region, and the D region on the surfaces of the alignment layers 44 and 47, water and Can be increased in the order of the A region, the B region, the C region, and the D region. That is, the affinity of the alignment layers 45 and 48 with water is adjusted between the affinity of the alignment layers 43 and 46 and the affinity of the alignment layers 44 and 47 with the irradiation energy of the
図11(b)に示すように、ステップS32では、例えば石英基板62の上にクロムなどの遮光膜63が設けられたマスク61を使用し、遮光膜63によって表示領域Vとダミー画素領域H1と見切り領域H2とを遮光して、図中の矢印で示された紫外線65を、シール領域H3に配置された素子基板10の第5配向層45に照射し、第5配向層45を分解し、除去する。詳しくは、波長範囲が180nm〜400nmであり、照射エネルギーが3000mJ/cm2〜4800mJ/cm2である紫外線65を、シール領域H3の第5配向層45に照射し、第5配向層45を分解し、除去する。
換言すれば、第4配向層44が完全に分解される照射エネルギーの紫外線65を、ステップS31及びステップS32の2回に分けて照射し、シール領域H3の第4配向層44を完全に分解し、シール領域H3の第3配向層43を露出させる。
As shown in FIG. 11B, in step S32, for example, a
In other words, the
そして、ステップS1、ステップS2、ステップS31、及びステップS32を経ることによって、シール領域H3に第3配向層43が配置され、見切り領域H2に第3配向層43と第5配向層45とが配置され、ダミー画素領域H1及び表示領域Vに第3配向層43と第4配向層44とが配置された第1配向層41を形成し、第1配向層41の水との親和性を、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に高くすることができる。
図12(b)に示すように、シール領域H3に配置された対向基板20の第8配向層48に紫外線65を照射し、第8配向層48を分解し、除去する。詳しくは、波長範囲が180nm〜400nmであり、照射エネルギーが3000mJ/cm2〜4800mJ/cm2である紫外線65を、シール領域H3の第8配向層48に照射し、第8配向層48を分解し、除去する。
Then, through the steps S1, S2, S31, and S32, the
As shown in FIG. 12B, the
換言すれば、第7配向層47が完全に分解される照射エネルギーの紫外線65を、ステップS14及びステップS15の2回に分けて照射し、シール領域H3の第7配向層47を完全に分解し、シール領域H3の第6配向層46を露出させる。
In other words, the ultraviolet rays 65 of irradiation energy that completely decomposes the
そして、ステップS11、ステップS12、ステップS14、及びステップS15を経ることによって、シール領域H3に第6配向層46が配置され、見切り領域H2に第6配向層46と第8配向層48とが配置され、ダミー画素領域H1及び表示領域Vに第6配向層46と第7配向層47とが配置された第2配向層42を形成し、第2配向層42の水との親和性を、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に高くすることができる。
Then, through step S11, step S12, step S14, and step S15, the
(実施形態3)
図13(a)は、図4(a)に対応する図であり、実施形態3に係る液晶装置の対向基板の概略断面図である。図13(b)は、図4(b)に対応する図であり、本実施形態に係る液晶装置の素子基板の概略断面図である。
本実施形態では、素子基板10の第1配向層41を構成する第4配向層44の位置、並びに対向基板20の第2配向層42を構成する第7配向層47の位置が、実施形態1と異なる。他の構成は、本実施形態に係る液晶装置3と実施形態1に係る液晶装置1とで同じである。
以下に、図13(a)及び図13(b)を参照して、本実施形態に係る液晶装置3の概要を、実施形態1との相違点を中心に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 13A corresponds to FIG. 4A and is a schematic cross-sectional view of the counter substrate of the liquid crystal device according to the third embodiment. FIG. 13B is a diagram corresponding to FIG. 4B and is a schematic cross-sectional view of the element substrate of the liquid crystal device according to the present embodiment.
In the present embodiment, the position of the
Hereinafter, an overview of the
図13(a)に示すように、対向基板20の第2配向層42は、第6配向層46と第7配向層47とで構成される。第6配向層46は、共通電極23を覆うように設けられ、表示領域V及び非表示領域Hの全般に配置されている。第7配向層47は、第6配向層46を覆うように設けられ、表示領域Vと、ダミー画素領域H1とに配置されている。
As shown in FIG. 13A, the
表示領域V及びダミー画素領域H1の第2配向層42の表面は第7配向層47であり、見切り領域H2及びシール領域H3の第2配向層42の表面は第6配向層46であるので、見切り領域H2及びシール領域H3の第2配向層42の表面は、表示領域V及びダミー画素領域H1の第2配向層42の表面よりも水との親和性が高い。さらに、見切り領域H2及びシール領域H3の第2配向層42の表面は、共に第6配向層46であるので、第2配向層42の表面は、見切り領域H2及びシール領域H3で、水との親和性が同じである。
Since the surface of the
図13(b)に示すように、素子基板10の第1配向層41は、第3配向層43と第4配向層44とで構成される。第3配向層43は、画素電極12及びダミー画素電極12aを覆うように設けられ、表示領域V及び非表示領域Hの全般に配置されている。第4配向層44は、第3配向層43を覆うように設けられ、表示領域Vと、ダミー画素領域H1とに配置されている。
As shown in FIG. 13B, the
表示領域V及びダミー画素領域H1の第1配向層41の表面は第4配向層44であり、見切り領域H2及びシール領域H3の第1配向層41の表面は第3配向層43であるので、見切り領域H2及びシール領域H3の第1配向層41の表面は、表示領域V及びダミー画素領域H1の第1配向層41の表面よりも水との親和性が高い。さらに、見切り領域H2及びシール領域H3の第1配向層41の表面は、共に第3配向層43であるので、第1配向層41の表面は、見切り領域H2及びシール領域H3で、水との親和性が同じである。
Since the surface of the
このように、本実施形態では、見切り領域H2及びシール領域H3の配向層41,42が、表示領域V及びダミー画素領域H1の配向層41,42よりも水との親和性が高くなっている。一方、実施形態1では、シール領域H3の配向層41,42が、表示領域Vとダミー画素領域H1と見切り領域H2との配向層41,42よりも、水との親和性が高くなっている。すなわち、配向層41,42の水との親和性が高くなった部分の面積が、実施形態1と比べて本実施形態の方が広くなっている。この点が本実施形態と実施形態1との相違点である。 Thus, in this embodiment, the alignment layers 41 and 42 in the parting region H2 and the seal region H3 have higher affinity with water than the alignment layers 41 and 42 in the display region V and the dummy pixel region H1. . On the other hand, in the first embodiment, the alignment layers 41 and 42 in the seal region H3 have higher affinity for water than the alignment layers 41 and 42 in the display region V, the dummy pixel region H1, and the parting region H2. . That is, the area of the portion of the alignment layers 41 and 42 where the affinity with water is increased is wider in the present embodiment than in the first embodiment. This is the difference between the present embodiment and the first embodiment.
本実施形態では、シール材52と接する部分の配向層41,42(シール領域H3の配向層41,42)に加えて、見切り領域H2の配向層41,42も、表示領域Vの配向層41,42よりも水との親和性が高くなっている。よって、シール材52と配向層41,42との界面から侵入しようとする水分は、シール材52と接する部分の配向層41,42に拘束(トラップ)され、液晶層50の中に侵入しにくくなる。仮に、シール材52と配向層41,42との界面から見切り領域H2の液晶層50の中に水分が侵入した場合に、当該水分は、見切り領域H2の配向層41,42に拘束(トラップ)されるので、実施形態1と比べて表示領域Vの液晶層50の中に水分が侵入しにくくなる。従って、実施形態1と比べて、表示ムラや焼き付きなどの表示品位の低下をより強く抑制することができる。
In the present embodiment, in addition to the alignment layers 41 and 42 in contact with the sealing material 52 (alignment layers 41 and 42 in the seal region H3), the alignment layers 41 and 42 in the parting region H2 are also aligned in the display region V. , 42 has higher affinity with water. Therefore, moisture that tends to enter from the interface between the sealing
<電子機器>
次に、本実施形態に係る電子機器について図14を参照して説明する。図14は電子機器としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)の構成を示す概略図である。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projection display device (liquid crystal projector) as an electronic apparatus.
図14に示すように、電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。
As shown in FIG. 14, a
偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。
The polarized
ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。
The
ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。
ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。
ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
The red light (R) reflected by the
Green light (G) reflected by the
The blue light (B) transmitted through the
液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向するように配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。
The liquid
液晶ライトバルブ1210には、上述した液晶装置1、液晶装置2、または液晶装置3のいずれかが適用されている。液晶装置1、液晶装置2、または液晶装置3は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。
Any of the
上述したように、液晶装置1,2,3では、液晶層50の中への水分侵入や水分侵入の悪影響(表示品位の低下)が抑制され、表示品位が高められている。従って、液晶装置1,2,3が適用された投射型表示装置1000も、高品位の表示を提供することができる。
As described above, in the
また、電子機器としては、投射型表示装置1000の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本発明に係る液晶装置1,2,3を適用させることができる。
As electronic devices, in addition to the
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び当該液晶装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An electronic device in which the device is mounted is also included in the technical scope of the present invention.
Various modifications other than the above embodiment are conceivable. Hereinafter, a modification will be described.
(変形例1)
実施形態1では、シール領域H3において水との親和性が高くなり、表示領域Vにおいて水との親和性が低くなった配向層(第1配向層41、第2配向層42)を、素子基板10及び対向基板20の両方に設けていた。
シール領域H3において水との親和性が高くなり、表示領域Vにおいて水との親和性が低くなった第1配向層41を、素子基板10だけに設ける構成であってもよい。さらに、シール領域H3において水との親和性が高くなり、表示領域Vにおいて水との親和性が低くなった第2配向層42を、対向基板20だけに設ける構成であってもよい。すなわち、シール領域H3において水との親和性が高くなり、表示領域Vにおいて水との親和性が低くなった配向層が、素子基板10及び対向基板20の少なくとも一方に形成されている構成を有していればよい。
(Modification 1)
In the first embodiment, the alignment layers (the
The
実施形態2では、素子基板10及び対向基板20では、配向層(第1配向層41、第2配向層42)の水との親和性が、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に高くなっていた。
素子基板10だけが、第1配向層41の水との親和性が、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に高くなった構成であってもよい。対向基板20だけが、第2配向層42の水との親和性が、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に高くなった構成であってもよい。
すなわち、素子基板10及び対向基板20の少なくとも一方において、配向層(第1配向層41、第2配向層42)の水との親和性が、表示領域V及びダミー画素領域H1、見切り領域H2、シール領域H3の順に高くなった構成を有していればよい。
In the second embodiment, in the
Only the
That is, in at least one of the
実施形態3では、素子基板10及び対向基板20では、配向層(第1配向層41、第2配向層42)の水との親和性が、見切り領域H2とシール領域H3とで同じであった。
素子基板10だけが、第1配向層41の水との親和性が、見切り領域H2とシール領域H3とで同じある構成であってもよい。また、対向基板20だけが、第2配向層42の水との親和性が、見切り領域H2とシール領域H3とで同じある構成であってもよい。
すなわち、素子基板10及び対向基板20の少なくとも一方において、配向層(第1配向層41、第2配向層42)の水との親和性が、見切り領域H2とシール領域H3とで同じである構成を有していればよい。
In the third embodiment, in the
Only the
That is, in at least one of the
(変形例2)
配向層44,47は、炭素数が1〜20の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基R2(疎水基)を有するケイ素化合物(シランカップリング剤90)を配向層43,46に塗布し、乾燥させて形成したケイ素化合物の重合体(シリコンオリゴマー94)であったが、これに限定されない。
(Modification 2)
The alignment layers 44 and 47 are formed by applying a silicon compound (silane coupling agent 90) having a linear, cyclic or branched alkyl group R 2 (hydrophobic group) having 1 to 20 carbon atoms to the alignment layers 43 and 46, Although it was the polymer (silicon oligomer 94) of the silicon compound formed by drying, it is not limited to this.
例えば、配向層44,47は、末端にフッ素やフルオロアルキル基を有するケイ素化合物を配向層43,46に塗布し、乾燥させて形成したケイ素化合物の重合体(疎水性被膜)であってもよい。例えば、配向層44,47は、脂肪族アルコールを配向層43,46に塗布し、乾燥させて形成した疎水性被膜であってもよい。 For example, the alignment layers 44 and 47 may be a polymer (hydrophobic coating) of a silicon compound formed by applying a silicon compound having a fluorine or fluoroalkyl group at the terminal to the alignment layers 43 and 46 and drying. . For example, the alignment layers 44 and 47 may be hydrophobic films formed by applying an aliphatic alcohol to the alignment layers 43 and 46 and drying them.
(変形例3)
配向層41,42の水との親和性が高い部分の端は、シール材52と表示領域Vとの間に配置されていればよい。実施形態3では、配向層41,42の水との親和性が高い部分を、シール領域H3及び見切り領域H2に配置したが、例えば配向層41,42の水との親和性が高い部分を、シール領域H3及び見切り領域H2の一部に配置する構成であってもよい。また、配向層41,42の水との親和性が低い部分は、平面視で表示領域Vと重なる(同じ)、または表示領域Vよりも広い構成であればよい。
(Modification 3)
The ends of the portions of the alignment layers 41 and 42 that have a high affinity with water may be disposed between the sealing
1,2,3…液晶装置、5…走査線、6…データ線、7…容量線、10…素子基板、11…素子基板本体、12…画素電極、12a…ダミー画素電極、20…対向基板、21…対向基板本体、22…絶縁膜、23…共通電極、30…TFT、30a…ダミーTFT、31…層間絶縁層、41…第1配向層、43…第3配向層、44…第4配向層、45…第5配向層、42…第2配向層、46…第6配向層、47…第7配向層、48…第8配向層、50…液晶層、52…シール材、53…見切り部、70…蓄積容量、90…シランカップリング剤、91…アルコキシ基、92…アルキル基、94…シリコンオリゴマー、101…データ線駆動回路、102…走査線駆動回路、103…外部接続用端子、106…上下導通部、V…表示領域、H…非表示領域、H1…ダミー画素領域、H2…見切り領域、H3…シール領域、P1…画素、P2…ダミー画素。
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記画素電極を覆うように配置された第1配向層と、
前記第1基板に対向し、共通電極が配置された第2基板と、
前記共通電極を覆うように配置された第2配向層と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材と、
前記シール材で囲まれた領域に配置された電気光学層と、
を含み、
前記第2基板の側から前記第1基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第1領域、及び前記シール材が設けられた領域を第2領域とし、
前記第1配向層の表面及び前記第2配向層の表面の少なくとも一方は、前記第1領域と比べて前記第2領域で水との親和性が高いことを特徴とする電気光学装置。 A first substrate on which pixel electrodes are disposed;
A first alignment layer disposed to cover the pixel electrode;
A second substrate facing the first substrate and having a common electrode disposed thereon;
A second alignment layer disposed to cover the common electrode;
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and provided so as to surround a region where the pixel electrode is disposed;
An electro-optic layer disposed in a region surrounded by the sealing material;
Including
When the first substrate side is viewed from the second substrate side, a region where the pixel electrode is disposed is a first region, and a region where the sealing material is provided is a second region,
An electro-optical device, wherein at least one of the surface of the first alignment layer and the surface of the second alignment layer has a higher affinity for water in the second region than in the first region.
前記第2領域の前記第1配向層は前記第3配向層で構成され、前記第1領域の前記第1配向層は前記第3配向層と前記第4配向層とで構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電気光学装置。 The first alignment layer includes a third alignment layer and a fourth alignment layer that covers the third alignment layer and has a lower affinity with water than the third alignment layer;
The first alignment layer in the second region is composed of the third alignment layer, and the first alignment layer in the first region is composed of the third alignment layer and the fourth alignment layer. The electro-optical device according to claim 1.
前記第2領域の前記第1配向層は前記第3配向層で構成され、前記第1領域の前記第1配向層は前記第3配向層と前記第4配向層とで構成され、前記第3領域の前記第1配向層は前記第3配向層と前記第5配向層とで構成されることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 The first alignment layer includes a third alignment layer, a fourth alignment layer that covers the third alignment layer and has a lower affinity with water than the third alignment layer, and covers the third alignment layer. A fifth alignment layer having a lower affinity for water than the alignment layer and a higher affinity for water than the fourth alignment layer,
The first alignment layer in the second region is composed of the third alignment layer, the first alignment layer in the first region is composed of the third alignment layer and the fourth alignment layer, and the third alignment layer. 3. The electro-optical device according to claim 2, wherein the first alignment layer in the region includes the third alignment layer and the fifth alignment layer.
前記第2領域の前記第2配向層は前記第6配向層で構成され、前記第1領域の前記第2配向層は前記第6配向層と前記第7配向層とで構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電気光学装置。 The second alignment layer includes a sixth alignment layer and a seventh alignment layer that covers the sixth alignment layer and has a lower affinity with water than the sixth alignment layer,
The second alignment layer in the second region is composed of the sixth alignment layer, and the second alignment layer in the first region is composed of the sixth alignment layer and the seventh alignment layer. The electro-optical device according to claim 1.
前記第2領域の前記第2配向層は前記第6配向層で構成され、前記第1領域の前記第2配向層は前記第6配向層と前記第7配向層とで構成され、前記第3領域の前記第2配向層は前記第6配向層と前記第8配向層とで構成されることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 The second alignment layer includes a sixth alignment layer, a seventh alignment layer that covers the sixth alignment layer and has a lower affinity with water than the sixth alignment layer, and covers the sixth alignment layer. An eighth alignment layer having a lower affinity for water than the layer and a higher affinity for water than the seventh alignment layer,
The second alignment layer in the second region is composed of the sixth alignment layer, the second alignment layer in the first region is composed of the sixth alignment layer and the seventh alignment layer, and the third alignment layer. The electro-optical device according to claim 2, wherein the second alignment layer in the region includes the sixth alignment layer and the eighth alignment layer.
前記基板を覆うように配置される配向層と、
を含み、
前記配向層のシール材と重なる領域である第2領域の表面は、前記配向層の前記第2領域の内側の領域である第1領域の表面よりも、水との親和性が高いことを特徴とする電気光学装置。 A substrate,
An alignment layer arranged to cover the substrate;
Including
The surface of the second region, which is a region overlapping with the sealing material of the alignment layer, has a higher affinity for water than the surface of the first region, which is a region inside the second region of the alignment layer. An electro-optical device.
前記第2基板の側から前記第1基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第1領域、及び前記シール材が設けられた領域を第2領域としたとき、
前記第1領域及び前記第2領域を覆うように、第3配向層を前記第1基板に形成する工程と、
前記第3配向層の表面を覆い、前記第3配向層よりも水との親和性が低い第4配向層を形成する工程と、
前記第2領域に光を照射し、前記第2領域の前記第4配向層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A first substrate having a pixel electrode and a first alignment layer covering the pixel electrode, and a second substrate having a common electrode and a second alignment layer covering the common electrode are regions where the pixel electrode is disposed. An electro-optical device manufacturing method in which an electro-optical layer is disposed in a region surrounded by a sealing material provided so as to surround and surrounded by the sealing material,
When the first substrate side is viewed from the second substrate side, the region where the pixel electrode is disposed is the first region, and the region where the sealing material is provided is the second region,
Forming a third alignment layer on the first substrate so as to cover the first region and the second region;
Covering a surface of the third alignment layer and forming a fourth alignment layer having a lower affinity with water than the third alignment layer;
Irradiating the second region with light and removing the fourth alignment layer in the second region;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記第4配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を、前記第3領域の前記第4配向層に照射して、前記第3領域の前記第4配向層を前記第4配向層よりも水との親和性が高い第5配向層に変換することを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置の製造方法。 Having a third region between the first region and the second region;
The fourth alignment layer in the third region is irradiated with light having a lower energy density per unit area than the light irradiated in the step of removing the fourth alignment layer, and the fourth alignment in the third region. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 10, wherein the layer is converted into a fifth alignment layer having a higher affinity with water than the fourth alignment layer.
前記第2基板の側から前記第1基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第1領域、及び前記シール材が設けられた領域を第2領域としたとき、
前記第1領域及び前記第2領域を覆うように、第6配向層を前記第2基板に形成する工程と、
前記第6配向層の表面を覆い、前記第6配向層よりも水との親和性が低い第7配向層を形成する工程と、
前記第2領域に光を照射し、前記第2領域の前記第7配向層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A first substrate having a pixel electrode and a first alignment layer covering the pixel electrode, and a second substrate having a common electrode and a second alignment layer covering the common electrode are regions where the pixel electrode is disposed. An electro-optical device manufacturing method in which an electro-optical layer is disposed in a region surrounded by a sealing material provided so as to surround and surrounded by the sealing material,
When the first substrate side is viewed from the second substrate side, the region where the pixel electrode is disposed is the first region, and the region where the sealing material is provided is the second region,
Forming a sixth alignment layer on the second substrate so as to cover the first region and the second region;
Covering a surface of the sixth alignment layer and forming a seventh alignment layer having a lower affinity with water than the sixth alignment layer;
Irradiating the second region with light and removing the seventh alignment layer in the second region;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記第7配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を前記第3領域に照射し、前記第3領域の前記第7配向層を前記第7配向層よりも水との親和性が高い第8配向層に変換することを特徴とする請求項12に記載の電気光学装置の製造方法。 Having a third region between the first region and the second region;
The third region is irradiated with light having a lower energy density per unit area than the light irradiated in the step of removing the seventh alignment layer, and the seventh alignment layer in the third region is irradiated from the seventh alignment layer. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 12, wherein the conversion into an eighth alignment layer having a high affinity with water is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014138394A JP2016017984A (en) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Electro-optic device, electronic equipment, and method for manufacturing electro-optic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014138394A JP2016017984A (en) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Electro-optic device, electronic equipment, and method for manufacturing electro-optic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016017984A true JP2016017984A (en) | 2016-02-01 |
Family
ID=55233267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014138394A Withdrawn JP2016017984A (en) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Electro-optic device, electronic equipment, and method for manufacturing electro-optic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2016017984A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017201322A1 (en) | 2016-02-02 | 2017-08-03 | Denso Corporation | Dosing device for aqueous urea solution |
| JP2018092014A (en) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device, electronic apparatus, method for manufacturing liquid crystal device, mother substrate for liquid crystal device, and method for manufacturing mother substrate for liquid crystal device |
| JP2018159890A (en) * | 2017-03-24 | 2018-10-11 | アルパイン株式会社 | Liquid crystal display |
| US20180348581A1 (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-06 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic apparatus |
| JP2020020918A (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| JP2020186032A (en) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 東洋製罐株式会社 | Synthetic resin container |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385522A (en) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Seiko Instr Inc | Production of liquid crystal device |
| JP2014102366A (en) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment |
-
2014
- 2014-07-04 JP JP2014138394A patent/JP2016017984A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385522A (en) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Seiko Instr Inc | Production of liquid crystal device |
| JP2014102366A (en) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017201322A1 (en) | 2016-02-02 | 2017-08-03 | Denso Corporation | Dosing device for aqueous urea solution |
| DE102017201322B4 (en) | 2016-02-02 | 2021-10-21 | Denso Corporation | Dosing device for aqueous urea solution |
| JP2018092014A (en) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device, electronic apparatus, method for manufacturing liquid crystal device, mother substrate for liquid crystal device, and method for manufacturing mother substrate for liquid crystal device |
| JP2018159890A (en) * | 2017-03-24 | 2018-10-11 | アルパイン株式会社 | Liquid crystal display |
| US20180348581A1 (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-06 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic apparatus |
| JP2018200455A (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | Method of manufacturing liquid crystal device |
| US10712620B2 (en) | 2017-05-30 | 2020-07-14 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic apparatus |
| JP2020020918A (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| JP2020186032A (en) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 東洋製罐株式会社 | Synthetic resin container |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20250013105A1 (en) | Electro-optical device and electronic device | |
| JP2016017984A (en) | Electro-optic device, electronic equipment, and method for manufacturing electro-optic device | |
| JP2016009046A (en) | Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device | |
| US8698967B2 (en) | Electro-optic device, electronic device, and method of manufacturing electro-optic device | |
| JP2007240690A (en) | Liquid crystal device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
| JP2014145890A (en) | Electro-optic device and electronic equipment | |
| JP2013235128A (en) | Manufacturing method of electro-optic device and substrate for electro-optic device | |
| JP2017083678A (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP2016170240A (en) | Liquid crystal device, driving method for liquid crystal device, and electronic apparatus | |
| JP6364912B2 (en) | Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device | |
| JP2014164071A (en) | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device and electronic equipment | |
| JP2012123144A (en) | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment | |
| JP2012220523A (en) | Liquid crystal device and projector | |
| JP5549328B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP2018180428A (en) | Liquid crystal device, electronic device | |
| JP2019008099A (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP2022038106A (en) | Electro-optics and electronic devices | |
| JP2021001966A (en) | Electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2015215536A (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP6225718B2 (en) | Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2012220524A (en) | Liquid crystal device and projector | |
| JP2013025135A (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| JP2013057783A (en) | Liquid crystal device, manufacturing method of liquid crystal device, and electronic apparatus | |
| JP2012220525A (en) | Liquid crystal device and projector | |
| JP5929097B2 (en) | Liquid crystal device and electronic device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160617 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160627 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171129 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20180115 |