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JP2016009047A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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JP2016009047A JP2014128889A JP2014128889A JP2016009047A JP 2016009047 A JP2016009047 A JP 2016009047A JP 2014128889 A JP2014128889 A JP 2014128889A JP 2014128889 A JP2014128889 A JP 2014128889A JP 2016009047 A JP2016009047 A JP 2016009047A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optic device and electronic equipment having excellent display qualities and capable of giving bright display.SOLUTION: A liquid crystal display device 100 as an electro-optic device includes a device substrate 20 as a first substrate and a counter substrate 30 as a second substrate disposed opposing to each other, and a liquid crystal layer 40 as an electro-optic layer held between the device substrate 20 and the counter substrate 30. The device substrate 20 includes a light-shielding part (light-shielding regions 22, 26) that defines a pixel opening by a portion extending in a first direction and a portion extending in a second direction intersecting the first direction, and a TFT 24 as a pixel switching element disposed at a position overlapping the intersection of the portion extending in the first direction and the portion extending in the second direction of the light-shielding part. The counter substrate 30 includes a microlens ML1 as a first light-diffusing element disposed in an island-like pattern while facing the intersection of the light-shielding part of the device substrate 20.

Description

本発明は、照明光が入射する画素を備えた電気光学装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus including a pixel on which illumination light is incident.

電気光学装置として、プロジェクターなどの投射型表示装置の光変調手段(ライトバルブ)に用いられる、例えばアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。該液晶装置は、直視型の表示装置に比べて非常に小型であり、画素のサイズが小さいことから、光源からの照明光を効率的に利用して明るい投写映像を実現するために、画素ごとに入射光を集光させる例えばマイクロレンズを備える構成が提案されている(特許文献1)。   As an electro-optical device, for example, an active drive type liquid crystal device used for light modulation means (light valve) of a projection display device such as a projector is known. The liquid crystal device is much smaller than a direct-view display device and has a small pixel size. Therefore, in order to efficiently use illumination light from a light source and realize a bright projection image, each liquid crystal device is For example, a configuration including a microlens for condensing incident light is proposed (Patent Document 1).

特開2001−188107号公報JP 2001-188107 A

しかしながら、上記特許文献1によれば、マイクロレンズによって入射光を画素の開口部の中央側に集光させることが可能であるものの、中央側に屈折させる必要がない光まで屈折させると、画素の開口部において液晶層に斜めに入射する光の割合が増えて、コントラストの低下を招くおそれがあるという課題があった。
また、照明光をさらに効率よく利用できるようにすることが求められているという課題もある。
However, according to the above-mentioned patent document 1, although incident light can be condensed on the center side of the opening of the pixel by the microlens, if it is refracted to light that does not need to be refracted to the center side, There is a problem in that the ratio of light that is obliquely incident on the liquid crystal layer in the opening portion may increase, leading to a decrease in contrast.
There is also a problem that there is a demand for more efficient use of illumination light.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の間に挟持された電気光学層とを含む電気光学装置であって、前記第1基板は、第1の方向に延在する部分と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する部分とにより画素開口部を規定する遮光部と、前記遮光部の前記第1の方向に延在する部分と前記第2の方向に延在する部分との交差部と重なる位置に設けられた画素スイッチング素子と、を含み、前記第2基板は、前記第1基板の前記遮光部の前記交差部に対向して島状に配置された第1光発散素子を含むことを特徴とする。   Application Example 1 An electro-optical device according to this application example includes an electric optical layer including a first substrate and a second substrate arranged to face each other, and an electro-optical layer sandwiched between the first substrate and the second substrate. In the optical device, the first substrate includes a light shielding portion that defines a pixel opening portion by a portion extending in a first direction and a portion extending in a second direction intersecting the first direction. And a pixel switching element provided at a position overlapping an intersection of a portion extending in the first direction and a portion extending in the second direction of the light shielding portion, and the second substrate Includes a first light diverging element disposed in an island shape so as to face the intersecting portion of the light shielding portion of the first substrate.

本適用例によれば、第2基板側から入射する光のうち、第1基板の遮光部の交差部に向かって入射する光を第1光発散素子によって発散させて、発散させた光の一部を遮光部によって規定される画素開口部側に導くことができる。また、画素にマイクロレンズを有する場合に比べて、第1光発散素子は島状に配置されているため、画素開口部に斜めに入射する光の割合を抑えることができる。したがって、斜め光によるコントラストの低下を抑え、第1光発散素子がない場合に比べてより多くの入射光を画素開口部に導いて明るい表示を行うことが可能な電気光学装置を提供できる。   According to this application example, out of the light incident from the second substrate side, the light incident toward the intersection of the light shielding portions of the first substrate is diverged by the first light diverging element, and one of the diverged light is emitted. The portion can be guided to the pixel opening side defined by the light shielding portion. In addition, since the first light diverging elements are arranged in an island shape as compared with the case where the pixel has a microlens, the ratio of light incident obliquely on the pixel opening can be suppressed. Accordingly, it is possible to provide an electro-optical device that can suppress a decrease in contrast due to oblique light and can perform bright display by guiding more incident light to the pixel opening as compared with the case without the first light diverging element.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2基板から前記第1基板に向かう方向の平面視における前記第1光発散素子の大きさは、前記交差部の仮想外接円の大きさと同じ、または前記仮想外接円の大きさよりも大きいことが好ましい。
この構成によれば、遮光部の交差部に入射する光を効率的に画素開口部に導くことができる。
In the electro-optical device according to the application example described above, the size of the first light diverging element in a plan view in the direction from the second substrate toward the first substrate is the same as the size of the virtual circumscribed circle of the intersecting portion. Or it is preferable that it is larger than the size of the virtual circumscribed circle.
According to this configuration, light incident on the intersection of the light shielding portions can be efficiently guided to the pixel opening.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2基板は、前記第1基板の前記遮光部の前記第1の方向に延在する部分または前記第2の方向に延在する部分に対向して配置された第2光発散素子をさらに含み、前記平面視における前記第2光発散素子の大きさは、前記第1光発散素子の大きさよりも小さいことが好ましい。
この構成によれば、遮光部の交差部だけでなく、第1の方向または第2の方向に延在する部分にも島状の第2光発散素子を有しているので、遮光部に入射する光を効率的に画素開口部に導くことができる。また、第2光発散素子は第1光発散素子よりも小さいので、遮光部の第1の方向または第2の方向に延在する部分の幅が交差部よりも狭くても第2光発散素子を配置可能である。
In the electro-optical device according to the application example, the second substrate faces a portion extending in the first direction or a portion extending in the second direction of the light shielding portion of the first substrate. It is preferable that the size of the second light diverging element in the plan view is smaller than the size of the first light diverging element.
According to this configuration, since the island-shaped second light diverging element is provided not only at the intersection of the light shielding portion but also in the portion extending in the first direction or the second direction, the light is incident on the light shielding portion. Can be efficiently guided to the pixel opening. In addition, since the second light diverging element is smaller than the first light diverging element, even if the width of the portion extending in the first direction or the second direction of the light shielding portion is narrower than the intersection, the second light diverging element. Can be arranged.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1光発散素子は、前記第2基板の基材と同種の第1材料からなり、前記第2基板は、前記基材と前記第1光発散素子との間に、前記第1材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する透明層を含むとしてもよい。
この構成によれば、基材側から入射し透明層を透過した光を第1光発散素子で発散させることができる。
In the electro-optical device according to the application example, the first light diverging element includes a first material of the same type as the base material of the second substrate, and the second substrate includes the base material and the first light divergence. A transparent layer having a refractive index larger than that of the first material may be included between the device and the element.
According to this structure, the light which entered from the base material side and permeate | transmitted the transparent layer can be diverged by the 1st light diverging element.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記透明層は、前記第1基板から前記第2基板に向かう方向にへこむ凹部を有し、前記第1光発散素子は、前記第1材料により前記透明層の前記凹部を埋めてなるとしてもよい。
この構成によれば、透明層における凹部をレンズ面とした第1光発散素子を実現できる。
In the electro-optical device according to the application example, the transparent layer has a concave portion that is recessed in a direction from the first substrate toward the second substrate, and the first light diverging element is made of the transparent material by the first material. The concave portion of the layer may be filled.
According to this configuration, it is possible to realize a first light diverging element having a concave portion in the transparent layer as a lens surface.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1光発散素子は、前記第2基板の基材と同種の第1材料からなり、多孔質であるとしてもよい。
この構成によれば、基材と第1光発散素子とが同種の第1材料であっても、第1光発散素子が基材に比べて多孔質であるため、第1光発散素子の屈折率は基材よりも小さくなる。つまり、基材を透過した第1光発散素子に入射した光は屈折して発散される。
In the electro-optical device according to the application example, the first light diverging element may be made of a first material of the same type as the base material of the second substrate and may be porous.
According to this configuration, even if the base material and the first light diverging element are the same type of first material, the first light diverging element is more porous than the base material. The rate is smaller than the substrate. That is, the light incident on the first light diverging element that has passed through the substrate is refracted and diverged.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2基板の基材は、前記第1基板から前記第2基板に向かう方向にへこむ凹部を有し、前記第1光発散素子は、多孔質な前記第1材料により前記基材の前記凹部を埋めてなるとしてもよい。
この構成によれば、基材における凹部をレンズ面とした第1光発散素子を実現できる。
In the electro-optical device according to the application example, the base material of the second substrate has a concave portion that is recessed in a direction from the first substrate toward the second substrate, and the first light diverging element is porous. The concave portion of the base material may be filled with the first material.
According to this configuration, it is possible to realize the first light diverging element having the concave portion in the base material as the lens surface.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2基板は、入射した光を前記画素開口部に向けて集光させるマイクロレンズをさらに含むことが好ましい。
この構成によれば、画素に入射する光をより効率よく画素開口部に向けて集光させ利用することができる。
In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the second substrate further includes a microlens that collects incident light toward the pixel opening.
According to this configuration, the light incident on the pixel can be condensed and utilized toward the pixel opening more efficiently.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2基板は、前記第2基板の基材と前記マイクロレンズとの間に前記基材と同種の第1材料からなる透明層を備え、前記透明層は前記第1基板から前記第2基板に向かう方向にへこむ凹部を有し、前記マイクロレンズは、前記基材よりも屈折率が大きい第2材料により前記凹部を埋めてなるとしてもよい。
この構成によれば、基材とマイクロレンズとが一体化されているので、集光構造がシンプルな電気光学装置を提供できる。
In the electro-optical device according to the application example, the second substrate includes a transparent layer made of a first material of the same type as the base material between the base material of the second substrate and the microlens. The layer may have a recess that is recessed in the direction from the first substrate toward the second substrate, and the microlens may be formed by filling the recess with a second material having a refractive index higher than that of the base material.
According to this configuration, since the base material and the microlens are integrated, an electro-optical device having a simple condensing structure can be provided.

[適用例]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、画素に入射する光を効率的に利用して明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。
[Application Example] An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above.
According to this application example, it is possible to provide an electronic device capable of bright display by efficiently using light incident on a pixel.

第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。1 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment. 第1実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment. 画素の構成を示す概略平面図。FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a configuration of a pixel. (a)は図3のA−A’線に沿った液晶装置における画素の構造を示す概略断面図、(b)は図3のB−B’線に沿った液晶装置における画素の構造を示す概略断面図。3A is a schematic cross-sectional view showing the structure of the pixel in the liquid crystal device along the line AA ′ in FIG. 3, and FIG. 3B is the structure of the pixel in the liquid crystal device along the line BB ′ in FIG. FIG. (a)〜(f)は対向基板の製造方法を示す概略断面図。(A)-(f) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of a counter substrate. 第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置における画素の構造を示す概略断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel structure in a liquid crystal device as an electro-optical device according to a second embodiment. (a)〜(e)は第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置における対向基板の製造方法を示す概略断面図。(A)-(e) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the opposing board | substrate in the liquid crystal device as an electro-optical apparatus of 2nd Embodiment. 第3実施形態の電気光学装置としての液晶装置における画素の構成を示す概略平面図。FIG. 10 is a schematic plan view illustrating a configuration of pixels in a liquid crystal device as an electro-optical device according to a third embodiment. 図8のC−C‘線に沿った画素の構造を示す概略断面図。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a pixel structure along the line C-C ′ in FIG. 8. (a)〜(d)は第3実施形態の液晶装置における対向基板の製造方法を示す概略断面図。(A)-(d) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the opposing board | substrate in the liquid crystal device of 3rd Embodiment. (e)〜(g)は第3実施形態の液晶装置における対向基板の製造方法を示す概略断面図。(E)-(g) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the opposing board | substrate in the liquid crystal device of 3rd Embodiment. 電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the projection type display apparatus as an electronic device. (a)及び(b)は変形例の第1光発散素子としてのマイクロレンズの配置を示す概略平面図。(A) And (b) is a schematic plan view which shows arrangement | positioning of the micro lens as a 1st light-diffusion element of a modification.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

(第1実施形態)
<電気光学装置>
本実施形態の電気光学装置として、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor;TFT)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投写型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
(First embodiment)
<Electro-optical device>
As an electro-optical device of this embodiment, an active matrix type liquid crystal device including a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element will be described as an example. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector) described later.

本実施形態の液晶装置の基本的な構成と構造について、図1〜図4を参照して説明する。図1は第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図、図2は第1実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図3は画素の構成を示す概略平面図、図4(a)は図3のA−A’線に沿った液晶装置における画素の構造を示す概略断面図、図4(b)は図3のB−B’線に沿った液晶装置における画素の構造を示す概略断面図である。   A basic configuration and structure of the liquid crystal device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing the electrical configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment, and FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the pixel. 4A is a schematic cross-sectional view showing the structure of a pixel in the liquid crystal device along the line AA ′ in FIG. 3, and FIG. 4B is a liquid crystal along the line BB ′ in FIG. It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the pixel in an apparatus.

図1に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置100は、対向配置された第1基板としての素子基板20及び第2基板としての対向基板30と、素子基板20と対向基板30との間に配置された電気光学層としての液晶層40(図4参照)とを有している。素子基板20は対向基板30よりも一回り大きく、両基板は、対向基板30の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材42を介して貼り合わされている。   As shown in FIG. 1, a liquid crystal device 100 as an electro-optical device according to the present embodiment includes an element substrate 20 as a first substrate and a counter substrate 30 as a second substrate, and an element substrate 20 and a counter substrate. And a liquid crystal layer 40 (see FIG. 4) as an electro-optical layer disposed between the two. The element substrate 20 is slightly larger than the counter substrate 30, and the two substrates are bonded to each other via a sealing material 42 arranged in a frame shape along the outer edge of the counter substrate 30.

液晶層40は、素子基板20と対向基板30とシール材42とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材42は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材42には、素子基板20と対向基板30との間隔を一定に保持するためのスペーサー(図示省略)が混入されている。   The liquid crystal layer 40 is composed of liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy enclosed in a space surrounded by the element substrate 20, the counter substrate 30, and the sealing material 42. The sealing material 42 is made of an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin. Spacers (not shown) are mixed in the sealing material 42 to keep the distance between the element substrate 20 and the counter substrate 30 constant.

額縁状に配置されたシール材42の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Pを含む表示領域Eが設けられている。また、シール材42と表示領域Eとの間に表示領域Eを取り囲んで見切り部が設けられている。見切り部は、遮光性の金属あるいは金属化合物などからなる遮光膜33によって規定されている。なお、表示領域Eは、表示に寄与する複数の画素Pに加えて、複数の画素Pを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、詳しくは後述するが、対向基板30は、表示領域Eにおける複数の画素Pのそれぞれに対応して配置された第1光発散素子としてのマイクロレンズML1を備えたレンズ基板10を含むものである(図4参照)。   A display region E including a plurality of pixels P arranged in a matrix is provided inside the sealing material 42 arranged in a frame shape. Further, a parting part is provided between the sealing material 42 and the display area E so as to surround the display area E. The parting portion is defined by a light shielding film 33 made of a light shielding metal or metal compound. Note that the display area E may include dummy pixels arranged so as to surround the plurality of pixels P in addition to the plurality of pixels P contributing to display. Further, as will be described in detail later, the counter substrate 30 includes a lens substrate 10 including a microlens ML1 as a first light diverging element disposed corresponding to each of the plurality of pixels P in the display region E ( (See FIG. 4).

素子基板20には、複数の外部接続端子54が配列した端子部が設けられている。素子基板20の該端子部に沿った第1の辺部とシール材42との間にデータ線駆動回路51が設けられている。また、第1の辺部に対向する第2の辺部に沿ったシール材42と表示領域Eとの間に検査回路53が設けられている。さらに、第1の辺部と直交し互いに対向する第3及び第4の辺部に沿ったシール材42と表示領域Eとの間に走査線駆動回路52が設けられている。第2の辺部のシール材42と検査回路53との間に、2つの走査線駆動回路52を繋ぐ複数の配線55が設けられている。なお、検査回路53の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路51と表示領域Eとの間のシール材42の内側に沿った位置に設けてもよい。   The element substrate 20 is provided with a terminal portion in which a plurality of external connection terminals 54 are arranged. A data line driving circuit 51 is provided between the first side portion along the terminal portion of the element substrate 20 and the sealing material 42. In addition, an inspection circuit 53 is provided between the sealing material 42 and the display area E along the second side facing the first side. Further, a scanning line driving circuit 52 is provided between the seal material 42 and the display area E along the third and fourth sides that are orthogonal to the first side and face each other. A plurality of wirings 55 that connect the two scanning line driving circuits 52 are provided between the sealing material 42 on the second side and the inspection circuit 53. The arrangement of the inspection circuit 53 is not limited to this, and the inspection circuit 53 may be provided at a position along the inner side of the seal material 42 between the data line driving circuit 51 and the display area E.

これらデータ線駆動回路51、走査線駆動回路52に繋がる配線は、第1の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子54に接続されている。以降、第1の辺部に沿った方向をX方向とし、第3の辺部に沿った方向をY方向として説明する。また、X方向及びY方向と直交し、素子基板20から対向基板30に向かう方向をZ方向とする。本明細書では、Z方向に沿って対向基板30側から見ることを「平面視」という。なお、X方向が本発明における第1の方向の一例であり、Y方向が本発明の第2の方向の一例である。また、第1の方向をY方向とし、第2の方向をX方向としてもよい。   Wirings connected to the data line driving circuit 51 and the scanning line driving circuit 52 are connected to a plurality of external connection terminals 54 arranged along the first side. In the following description, the direction along the first side is defined as the X direction, and the direction along the third side is defined as the Y direction. A direction orthogonal to the X direction and the Y direction and going from the element substrate 20 toward the counter substrate 30 is defined as a Z direction. In this specification, viewing from the counter substrate 30 side along the Z direction is referred to as “plan view”. The X direction is an example of the first direction in the present invention, and the Y direction is an example of the second direction of the present invention. Further, the first direction may be the Y direction and the second direction may be the X direction.

次に図2を参照して、液晶装置100の電気的な構成について説明する。液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線2及び複数のデータ線3と、走査線2に沿って平行に配置された容量線4とを有する。走査線2が延在する方向がX方向であり、データ線3が延在する方向がY方向である。   Next, the electrical configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIG. The liquid crystal device 100 includes a plurality of scanning lines 2 and a plurality of data lines 3 as signal wirings that are insulated and orthogonal to each other at least in the display region E, and capacitance lines 4 arranged in parallel along the scanning lines 2. . The direction in which the scanning line 2 extends is the X direction, and the direction in which the data line 3 extends is the Y direction.

走査線2、データ線3及び容量線4と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極28と、画素スイッチング素子としてのTFT24と、蓄積容量5とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。   A pixel electrode 28, a TFT 24 as a pixel switching element, and a storage capacitor 5 are provided in a region divided by the scanning line 2, the data line 3, the capacitor line 4, and these signal lines. The pixel circuit is configured.

走査線2はTFT24のゲートに電気的に接続され、データ線3はTFT24のソースに電気的に接続されている。画素電極28はTFT24のドレインに電気的に接続されている。   The scanning line 2 is electrically connected to the gate of the TFT 24, and the data line 3 is electrically connected to the source of the TFT 24. The pixel electrode 28 is electrically connected to the drain of the TFT 24.

データ線3はデータ線駆動回路51(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路51から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線2は走査線駆動回路52(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路52から供給される走査信号G1,G2,…,Gmを画素Pに供給する。   The data line 3 is connected to a data line driving circuit 51 (see FIG. 1), and supplies image signals D1, D2,..., Dn supplied from the data line driving circuit 51 to the pixels P. The scanning lines 2 are connected to a scanning line driving circuit 52 (see FIG. 1), and supply scanning signals G1, G2,..., Gm supplied from the scanning line driving circuit 52 to the pixels P.

データ線駆動回路51からデータ線3に供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線3同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路52は、走査線2に対して、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。   The image signals D1 to Dn supplied from the data line driving circuit 51 to the data lines 3 may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each of a plurality of adjacent data lines 3 for each group. Good. The scanning line driving circuit 52 supplies the scanning signals G1 to Gm to the scanning line 2 in a pulse-sequential manner at a predetermined timing.

液晶装置100は、画素スイッチング素子であるTFT24が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線3から供給される画像信号D1〜Dnが所定のタイミングで画素電極28に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極28を介して液晶層40に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜Dnは、画素電極28と液晶層40を介して対向配置された共通電極35(図4参照)との間で一定期間保持される。画像信号D1〜Dnの周波数は例えば60Hzである。   In the liquid crystal device 100, the TFT 24, which is a pixel switching element, is turned on for a certain period by the input of scanning signals G1 to Gm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 3 are pixel electrodes at a predetermined timing. 28 is written. A predetermined level of the image signals D1 to Dn written to the liquid crystal layer 40 through the pixel electrode 28 is between the pixel electrode 28 and the common electrode 35 (see FIG. 4) disposed opposite to the liquid crystal layer 40. Is held for a certain period. The frequency of the image signals D1 to Dn is 60 Hz, for example.

保持された画像信号D1〜Dnがリークするのを防止するため、画素電極28と共通電極35との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量5が接続されている。蓄積容量5は、TFT24のドレインと容量線4との間に設けられている。   In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the storage capacitor 5 is connected in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 28 and the common electrode 35. The storage capacitor 5 is provided between the drain of the TFT 24 and the capacitor line 4.

なお、図1に示した検査回路53には、データ線3が接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図2の等価回路では図示を省略している。   The data line 3 is connected to the inspection circuit 53 shown in FIG. 1, and the operation defect of the liquid crystal device 100 can be confirmed by detecting the image signal in the manufacturing process of the liquid crystal device 100. Although not shown in the equivalent circuit of FIG.

本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路51、走査線駆動回路52、検査回路53を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線3に供給するサンプリング回路、データ線3に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。   The peripheral circuit for driving and controlling the pixel circuit in the present embodiment includes a data line driving circuit 51, a scanning line driving circuit 52, and an inspection circuit 53. The peripheral circuit includes a sampling circuit that samples the image signal and supplies it to the data line 3, and a precharge circuit that supplies a precharge signal of a predetermined voltage level to the data line 3 prior to the image signal. Also good.

次に、図3を参照して画素Pの平面的な構成について説明する。図3に示すように、表示領域Eには、X方向に延在する部分と、Y方向に延在する部分とを有する遮光部としての遮光領域が設けられている。遮光領域は、後述するように、素子基板20において、第1遮光層22と第2遮光層26とにより構成されていることから(図4(a)参照)、符号22,26を付与して遮光領域22,26と呼ぶこととする。
複数本のX方向に延在する部分と、複数本のY方向に延在する部分とが互いに交差して格子状の遮光領域22,26を構成している。格子状の遮光領域22,26によって表示領域Eに入射する光が画素Pごとに通過する開口領域22a,26a、すなわち画素開口部が規定されている。
Next, a planar configuration of the pixel P will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the display region E is provided with a light shielding region as a light shielding portion having a portion extending in the X direction and a portion extending in the Y direction. As will be described later, the light shielding region is configured by the first light shielding layer 22 and the second light shielding layer 26 in the element substrate 20 (see FIG. 4A). These are referred to as light shielding regions 22 and 26.
A plurality of portions extending in the X direction and a plurality of portions extending in the Y direction intersect with each other to form lattice-shaped light shielding regions 22 and 26. Opening regions 22a and 26a through which light incident on the display region E passes for each pixel P, that is, pixel openings are defined by the lattice-shaped light shielding regions 22 and 26.

遮光領域22,26のX方向に延在する部分と、Y方向に延在する部分とは、同じ大きさの幅になっている。X方向に延在する部分と、Y方向に延在する部分とが交差した交差部22c,26cは、他の部分に比べて幅が拡張されている。したがって、交差部22c,26cだけを取り出してみると、その平面形状は、正方形(四角形)となっている。   The portions extending in the X direction of the light shielding regions 22 and 26 and the portions extending in the Y direction have the same width. The intersections 22c and 26c where the portion extending in the X direction and the portion extending in the Y direction intersect have a wider width than the other portions. Therefore, when only the intersecting portions 22c and 26c are taken out, the planar shape is a square (quadrangle).

液晶装置100の画素Pにおける詳しい構造については後述するが、画素スイッチング素子としてのTFT24は、遮光領域22,26の交差部22c,26cと重なる位置において素子基板20側に配置されている。また、第1光発散素子としてのマイクロレンズML1は、同じく遮光領域22,26の交差部22c,26cと重なる位置において対向基板30側に配置されている。マイクロレンズML1は平面視で円形であり、その外縁が正方形(四角形)の交差部22c,26cにおける角部と接するように配置されている。
つまり、対向基板30から素子基板20を見たときの平面視におけるマイクロレンズML1の大きさ(直径)は、交差部22c,26cの仮想外接円の大きさ(直径)と同じである。
Although a detailed structure of the pixel P of the liquid crystal device 100 will be described later, the TFT 24 as a pixel switching element is disposed on the element substrate 20 side at a position overlapping the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26. Similarly, the microlens ML1 as the first light diverging element is disposed on the counter substrate 30 side at a position overlapping the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26. The microlens ML1 has a circular shape in plan view, and is arranged so that an outer edge thereof is in contact with corner portions of square (quadrangle) intersecting portions 22c and 26c.
That is, the size (diameter) of the microlens ML1 in plan view when the element substrate 20 is viewed from the counter substrate 30 is the same as the size (diameter) of the virtual circumscribed circle of the intersecting portions 22c and 26c.

さらに、遮光領域22,26のX方向に延在する部分の中間的な位置、つまり交差部22c,26cとX方向に隣り合う交差部22c,26cとの間と、Y方向に延在する部分の中間的な位置、つまり交差部22c,26cとY方向に隣り合う交差部22c,26cとの間とにおいて、マイクロレンズML1と離間して第2光発散素子としてのマイクロレンズML2が対向基板30側に配置されている。円形のマイクロレンズML2の大きさ(直径)は、遮光領域22,26のX方向及びY方向における幅と同じである。つまり、平面視におけるマイクロレンズML2の大きさ(直径)は、マイクロレンズML1の大きさ(直径)よりも小さい。言い換えると、遮光領域22,26のX方向に延在する部分の中間的な位置に設けられたマイクロレンズML2のY方向の長さは、マイクロレンズML1のY方向の長さよりも小さい。遮光領域22,26のY方向に延在する部分の中間的な位置に設けられたマイクロレンズML2のX方向の長さは、マイクロレンズML1のX方向の長さよりも小さい。   Further, an intermediate position of the portion extending in the X direction of the light shielding regions 22, 26, that is, a portion extending in the Y direction between the intersecting portions 22c, 26c and the intersecting portions 22c, 26c adjacent in the X direction. , That is, between the intersections 22c and 26c and the intersections 22c and 26c adjacent to each other in the Y direction, the microlens ML2 as the second light diverging element is separated from the microlens ML1 by the counter substrate 30. Arranged on the side. The size (diameter) of the circular microlens ML2 is the same as the width of the light shielding regions 22 and 26 in the X direction and the Y direction. That is, the size (diameter) of the microlens ML2 in plan view is smaller than the size (diameter) of the microlens ML1. In other words, the length in the Y direction of the microlens ML2 provided at an intermediate position between the portions extending in the X direction of the light shielding regions 22 and 26 is smaller than the length in the Y direction of the microlens ML1. The length in the X direction of the microlens ML2 provided at an intermediate position between the portions extending in the Y direction of the light shielding regions 22 and 26 is smaller than the length in the X direction of the microlens ML1.

なお、前述したように、素子基板20と対向基板30とは液晶層40を介してシール材42で貼り合わされる。したがって、貼り合わせ時の位置精度(例えばおよそ±0.1mm)を考慮して、マイクロレンズML1の大きさ(直径)を交差部22c,26cの仮想外接円の大きさよりもやや大きくしておくこと、及びマイクロレンズML2の大きさ(直径)を遮光領域22,26のX方向及びY方向の幅よりもやや大きくしておくことが後述する光利用効率の点で好ましい。   As described above, the element substrate 20 and the counter substrate 30 are bonded together with the sealing material 42 via the liquid crystal layer 40. Therefore, in consideration of the positional accuracy at the time of bonding (for example, approximately ± 0.1 mm), the size (diameter) of the microlens ML1 should be slightly larger than the size of the virtual circumscribed circle of the intersecting portions 22c and 26c. In addition, it is preferable that the size (diameter) of the microlens ML2 is slightly larger than the widths of the light shielding regions 22 and 26 in the X direction and the Y direction from the viewpoint of light use efficiency described later.

次に、図4(a)及び(b)を参照して、液晶装置100(液晶パネル110)の画素Pの構造について説明する。なお、図4(a)は図3のA−A’線に沿った断面図であることから画素Pの対角方向における構造を示すものである。一方で図4(b)は図3のB−B’線に沿った断面図であることから、遮光領域22,26のY方向に延在する部分をX方向に横断する画素Pの構造を示すものである。   Next, the structure of the pixel P of the liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). 4A is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 3, and therefore shows the structure of the pixel P in the diagonal direction. On the other hand, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 3, and therefore the structure of the pixel P that crosses the portions extending in the Y direction of the light shielding regions 22 and 26 in the X direction. It is shown.

図4(a)に示すように、素子基板20は、透光性の基材21と、基材21上に設けられた、第1遮光層22と、絶縁膜23と、TFT24と、第1層間絶縁膜25と、第2遮光層26と、第2層間絶縁膜27と、画素電極28と、配向膜29とを備えている。基材21は、例えばガラスや石英などの透光性を有する材料が用いられている。なお、本実施形態における「透光性」とは、可視光波長領域の光を概ね80%以上、好ましくは90%以上透過させることを言う。   As shown in FIG. 4A, the element substrate 20 includes a translucent base material 21, a first light shielding layer 22 provided on the base material 21, an insulating film 23, a TFT 24, An interlayer insulating film 25, a second light shielding layer 26, a second interlayer insulating film 27, a pixel electrode 28, and an alignment film 29 are provided. The base material 21 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz. Note that “translucency” in the present embodiment means that light in the visible light wavelength region is transmitted approximately 80% or more, preferably 90% or more.

第1遮光層22及び第2遮光層26は、例えば、Al(アルミニウム)、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)などの金属のうちの少なくとも1つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性と導電性とを兼ね備えている。
第1遮光層22は、上層の第2遮光層26に平面視で重なって格子状の遮光領域22,26を構成するように配置されており、素子基板20の厚さ方向(Z方向)において、TFT24を間に挟むように配置されている。第1遮光層22及び第2遮光層26により、TFT24への光の入射が抑制される。第1遮光層22及び第2遮光層26に囲まれた領域は、光が素子基板20を透過する開口領域22a,26a(画素開口部)となる。
The first light shielding layer 22 and the second light shielding layer 26 are made of, for example, metals such as Al (aluminum), Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). A metal simple substance including at least one, an alloy, a metal silicide, a polysilicide, a nitride, or a laminate thereof can be used, and has both light shielding properties and conductivity.
The first light shielding layer 22 is arranged so as to form the lattice-shaped light shielding regions 22, 26 overlapping the upper second light shielding layer 26 in plan view, and in the thickness direction (Z direction) of the element substrate 20. The TFTs 24 are disposed so as to be sandwiched therebetween. Incidence of light to the TFT 24 is suppressed by the first light shielding layer 22 and the second light shielding layer 26. Regions surrounded by the first light shielding layer 22 and the second light shielding layer 26 become opening regions 22 a and 26 a (pixel opening portions) through which light passes through the element substrate 20.

絶縁膜23は、基材21と第1遮光層22とを覆うように設けられている。絶縁膜23は、例えば、SiO2などの無機材料からなる。TFT24は、絶縁膜23上に設けられている。図示を省略するが、TFT24は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有している。 The insulating film 23 is provided so as to cover the base material 21 and the first light shielding layer 22. The insulating film 23 is made of an inorganic material such as SiO 2 . The TFT 24 is provided on the insulating film 23. Although not shown, the TFT 24 has a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.

ゲート電極は、素子基板20において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に第1層間絶縁膜25の一部(ゲート絶縁膜)を介して対向配置されている。
第1遮光層22は、その一部が走査線2(図2参照)として機能するようにパターニングされている。ゲート電極は、ゲート絶縁膜と絶縁膜23を貫通するコンタクトホールを介して下層側に配置された走査線2に電気的に接続されている。
The gate electrode is disposed opposite to a region overlapping the channel region of the semiconductor layer in plan view on the element substrate 20 via a part (gate insulating film) of the first interlayer insulating film 25.
The first light shielding layer 22 is patterned so that a part thereof functions as the scanning line 2 (see FIG. 2). The gate electrode is electrically connected to the scanning line 2 disposed on the lower layer side through a contact hole that penetrates the gate insulating film and the insulating film 23.

第1層間絶縁膜25は、絶縁膜23とTFT24とを覆うように設けられている。第1層間絶縁膜25は、例えば、SiO2などの無機材料からなる。第1層間絶縁膜25は、TFT24の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。第1層間絶縁膜25により、TFT24に起因する表面の凹凸が緩和される。
第1層間絶縁膜25上には、第2遮光層26が設けられている。第2遮光層26は、TFT24に電気的に接続される、例えば、データ線3や容量線4、あるいは蓄積容量5の電極のいずれかとして機能するようにパターニングされている。そして、第1層間絶縁膜25と第2遮光層26とを覆うように、無機材料からなる第2層間絶縁膜27が設けられている。
The first interlayer insulating film 25 is provided so as to cover the insulating film 23 and the TFT 24. The first interlayer insulating film 25 is made of an inorganic material such as SiO 2 , for example. The first interlayer insulating film 25 includes a gate insulating film that insulates between the semiconductor layer of the TFT 24 and the gate electrode. The first interlayer insulating film 25 alleviates surface irregularities caused by the TFT 24.
A second light shielding layer 26 is provided on the first interlayer insulating film 25. The second light shielding layer 26 is patterned so as to function as any of the electrodes of the data line 3, the capacitor line 4, or the storage capacitor 5 that is electrically connected to the TFT 24. A second interlayer insulating film 27 made of an inorganic material is provided so as to cover the first interlayer insulating film 25 and the second light shielding layer 26.

画素電極28は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電膜からなり、第2層間絶縁膜27上に、画素Pに対応して設けられている。画素電極28は、第1遮光層22の開口部22a及び第2遮光層26の開口部26aに平面視で重なる領域に配置されている(図3参照)。また、画素電極28の外縁は、平面視で第2遮光層26(遮光領域22,26)と重なるように配置されている(図3参照)。   The pixel electrode 28 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), and is provided on the second interlayer insulating film 27 corresponding to the pixel P. The pixel electrode 28 is disposed in a region overlapping the opening 22a of the first light shielding layer 22 and the opening 26a of the second light shielding layer 26 in plan view (see FIG. 3). The outer edge of the pixel electrode 28 is disposed so as to overlap the second light shielding layer 26 (the light shielding regions 22 and 26) in plan view (see FIG. 3).

画素電極28を覆う配向膜29は、正の誘電異方性を有する液晶(液晶分子)を略水平配向させることが可能な例えばポリイミドなどの有機樹脂材料や、負の誘電異方性を有する液晶(液晶分子)を略垂直配向させることが可能な例えば酸化シリコンなどの無機材料を用いることができる。   The alignment film 29 covering the pixel electrode 28 is, for example, an organic resin material such as polyimide capable of substantially horizontally aligning liquid crystal (liquid crystal molecules) having positive dielectric anisotropy, or liquid crystal having negative dielectric anisotropy. For example, an inorganic material such as silicon oxide that can substantially align (liquid crystal molecules) can be used.

液晶層40を構成する液晶は、画素電極28と共通電極35との間に印加される電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化することにより、液晶層40に入射する光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Pの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Pの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置100からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。本実施形態では、対向基板30側から光が入射して液晶層40を透過し、素子基板20側から射出されることを前提に、液晶装置100が構成されている。   The liquid crystal constituting the liquid crystal layer 40 modulates the light incident on the liquid crystal layer 40 by changing the alignment state of the liquid crystal molecules according to the voltage level applied between the pixel electrode 28 and the common electrode 35, and the gradation Enable display. For example, in the normally white mode, the transmittance for incident light decreases according to the voltage applied in units of each pixel P. In the normally black mode, the transmittance for incident light increases according to the voltage applied in units of each pixel P, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device 100 as a whole. In the present embodiment, the liquid crystal device 100 is configured on the assumption that light enters from the counter substrate 30 side, passes through the liquid crystal layer 40, and is emitted from the element substrate 20 side.

対向基板30は、レンズ基板10と、光路長調整層31と、共通電極35と、配向膜36とを備えている。なお、図4(a)には図示されていないが、表示領域Eの外側であってレンズ基板10と光路長調整層31との間に見切り部としての遮光膜33(図1参照)が設けられている。
レンズ基板10は、透光性の基材11と、透明層12と、マイクロレンズML1を含むレンズ層13と、を備えている。なお、レンズ基板10は、前述した遮光膜33、光路長調整層31を含む構成としてもよい。また、遮光膜33は、透明層12とレンズ層13との間あるいは光路長調整層31と共通電極35との間に配置されていてもよい。
The counter substrate 30 includes a lens substrate 10, an optical path length adjustment layer 31, a common electrode 35, and an alignment film 36. Although not shown in FIG. 4A, a light shielding film 33 (see FIG. 1) as a parting portion is provided outside the display area E and between the lens substrate 10 and the optical path length adjusting layer 31. It has been.
The lens substrate 10 includes a translucent base material 11, a transparent layer 12, and a lens layer 13 including a microlens ML1. The lens substrate 10 may include the light shielding film 33 and the optical path length adjustment layer 31 described above. Further, the light shielding film 33 may be disposed between the transparent layer 12 and the lens layer 13 or between the optical path length adjusting layer 31 and the common electrode 35.

基材11は、例えばガラスや石英などの透光性を有する材料が用いられている。基材11の液晶層40側に透明層12が設けられている。基材11が、例えば、屈折率nがおよそ1.46の第1材料としてのSiO2を主材とする石英基板であるとすると、透明層12は、第1材料よりも屈折率nが大きい第2材料としての例えばSiON(屈折率nが1.50〜1.70)、Al23(屈折率nがおよそ1.76)などで構成されている。
透明層12の液晶層40側の表面には、基材11に向かってへこむ複数の凹部12aが形成されている。各凹部12aは、素子基板20側の第1遮光層22及び第2遮光層26、つまり遮光領域22,26の交差部22c,26cに対向する位置に設けられている。凹部12aはマイクロレンズML1におけるレンズ面を構成するものである。以降、凹部12aをレンズ面12aと呼ぶ。
The base material 11 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz. The transparent layer 12 is provided on the liquid crystal layer 40 side of the substrate 11. If the base material 11 is, for example, a quartz substrate mainly composed of SiO2 as a first material having a refractive index n of about 1.46, the transparent layer 12 has a refractive index n higher than that of the first material. For example, SiON (refractive index n is 1.50 to 1.70), Al 2 O 3 (refractive index n is approximately 1.76), etc., are used as the two materials.
On the surface of the transparent layer 12 on the liquid crystal layer 40 side, a plurality of recesses 12 a that are recessed toward the base material 11 are formed. Each recess 12 a is provided at a position facing the first light shielding layer 22 and the second light shielding layer 26 on the element substrate 20 side, that is, the intersecting portions 22 c and 26 c of the light shielding regions 22 and 26. The recess 12a constitutes a lens surface in the microlens ML1. Hereinafter, the recess 12a is referred to as a lens surface 12a.

レンズ層13は、透明層12の複数のレンズ面12aを埋めてなる複数のマイクロレンズML1を含んでいる。レンズ層13は、透光性を有し、基材11と屈折率nがほぼ同じ第1材料からなる。例えば、基材11の屈折率nがおよそ1.46の石英基板であるとすると、レンズ層13を構成する第1材料としては、SiO2(屈折率nがおよそ1.46)などが挙げられる。つまり、レンズ層13は、透明層12よりも屈折率nが小さい。なお、屈折率nは、基材11や透明層12、レンズ層13を透過する光の波長に依存する。 The lens layer 13 includes a plurality of microlenses ML1 formed by filling a plurality of lens surfaces 12a of the transparent layer 12. The lens layer 13 is translucent and is made of a first material having substantially the same refractive index n as that of the substrate 11. For example, if the base material 11 is a quartz substrate having a refractive index n of approximately 1.46, the first material constituting the lens layer 13 may be SiO 2 (refractive index n is approximately 1.46). . That is, the lens layer 13 has a refractive index n smaller than that of the transparent layer 12. The refractive index n depends on the wavelength of light that passes through the substrate 11, the transparent layer 12, and the lens layer 13.

レンズ層13の詳しい形成方法については後述するが、透明層12の一方の表面をエッチングしてレンズ面12aを形成し、上述した材料でレンズ面12aを埋めることにより、曲面状のレンズ面12aを有するマイクロレンズML1が形成される。   Although a detailed method of forming the lens layer 13 will be described later, the lens surface 12a is formed by etching one surface of the transparent layer 12, and the lens surface 12a is filled with the above-described material, whereby the curved lens surface 12a is formed. The microlens ML1 is formed.

レンズ層13の液晶層40側の表面は平坦化されており、当該表面を覆って光路長調整層31が設けられている。光路長調整層31は、透光性を有し、例えば、基材11とほぼ同じ屈折率nを有する無機材料からなる。光路長調整層31は、レンズ基板10の液晶層40に面する側の表面を平坦化すると共に、マイクロレンズML1によって発散された光が開口領域22a,26aをより多く通過するように、層厚を調整して設けられている。   The surface of the lens layer 13 on the liquid crystal layer 40 side is flattened, and an optical path length adjusting layer 31 is provided so as to cover the surface. The optical path length adjustment layer 31 has translucency and is made of, for example, an inorganic material having substantially the same refractive index n as that of the substrate 11. The optical path length adjusting layer 31 flattens the surface of the lens substrate 10 facing the liquid crystal layer 40 and has a layer thickness so that more light emitted by the microlens ML1 passes through the opening regions 22a and 26a. It is provided by adjusting.

光路長調整層31を覆って共通電極35が設けられている。共通電極35は、複数の画素Pに跨って形成され、液晶層40を挟んで画素電極28と対向する対向電極である。共通電極35は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電膜が用いられる。共通電極35は、液晶層40を挟んで複数の画素電極28と対向して配置されるので、画素Pごとに所望の光学特性を実現するためには、共通電極35の表面が平坦であることが好ましい。なお、共通電極35は、対向基板30の角部に設けられた上下導通部56を介して、素子基板20の外部接続端子54に繋がる配線と電気的に接続されている(図1参照)。   A common electrode 35 is provided so as to cover the optical path length adjustment layer 31. The common electrode 35 is a counter electrode that is formed across a plurality of pixels P and faces the pixel electrode 28 with the liquid crystal layer 40 interposed therebetween. As the common electrode 35, for example, a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) is used. Since the common electrode 35 is disposed so as to face the plurality of pixel electrodes 28 with the liquid crystal layer 40 interposed therebetween, the surface of the common electrode 35 is flat in order to realize desired optical characteristics for each pixel P. Is preferred. The common electrode 35 is electrically connected to the wiring connected to the external connection terminal 54 of the element substrate 20 through the vertical conduction portion 56 provided at the corner of the counter substrate 30 (see FIG. 1).

共通電極35を覆って配向膜36が設けられている。配向膜36は、素子基板20側の配向膜29と同様に、例えばポリイミドなどの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成される。前述したように、配向膜29,36の材料選択や配向処理の方法は、液晶装置100の光学設計に基づく液晶の選定や表示モードによる。   An alignment film 36 is provided so as to cover the common electrode 35. Similar to the alignment film 29 on the element substrate 20 side, the alignment film 36 is formed using an organic resin material such as polyimide, or an inorganic material such as silicon oxide. As described above, the material selection and alignment processing methods of the alignment films 29 and 36 depend on the selection of liquid crystal and the display mode based on the optical design of the liquid crystal device 100.

一方で、図4(b)に示すように、画素Pの中央部をX方向に沿って切った断面において、レンズ基板10は、第2遮光層26と平面視で重なる位置にマイクロレンズML2を有している。マイクロレンズML2は、透明層12の第2遮光層26と重なる位置に設けられた凹部12b(以降、レンズ面12bと呼ぶ)をレンズ層13によって埋めることにより構成されている。なお、図示していないが、画素Pの中央部をY方向に沿って切った断面において、レンズ基板10は、第1遮光層22と重なる位置にマイクロレンズML2を有している。なお、前述したように、平面視におけるマイクロレンズML2の大きさ(直径)は、マイクロレンズML1の大きさ(直径)よりも小さい。また、本実施形態では、Y方向に延在する第2遮光層26と重なる位置に設けられたマイクロレンズML2の大きさ(直径)と、X方向に延在する第1遮光層22と重なる位置に設けられたマイクロレンズML2の大きさ(直径)とは同じであるが、大きさ(直径)を異ならせてもよい。   On the other hand, as shown in FIG. 4B, in the cross section obtained by cutting the central portion of the pixel P along the X direction, the lens substrate 10 has the microlens ML2 at a position overlapping the second light shielding layer 26 in plan view. Have. The microlens ML <b> 2 is configured by filling a recess 12 b (hereinafter referred to as a lens surface 12 b) provided at a position overlapping the second light shielding layer 26 of the transparent layer 12 with the lens layer 13. Although not shown, the lens substrate 10 has a microlens ML2 at a position overlapping the first light shielding layer 22 in a cross section obtained by cutting the central portion of the pixel P along the Y direction. As described above, the size (diameter) of the microlens ML2 in plan view is smaller than the size (diameter) of the microlens ML1. In the present embodiment, the size (diameter) of the microlens ML2 provided at a position overlapping the second light shielding layer 26 extending in the Y direction and the position overlapping the first light shielding layer 22 extending in the X direction. The size (diameter) of the microlens ML2 provided in the same is the same, but the size (diameter) may be different.

次に、図4(a)及び(b)を参照して、開口領域22a,26aすなわち画素開口部に入射する光について説明する。図4(a)及び(b)に示すように、対向基板30の法線方向に沿って画素Pの中央部に対向基板30側から入射する入射光L1は、そのまま直進して、対向基板30、液晶層40を通過して素子基板20の開口領域22a,26aから射出される。入射光L1に対して平行であり、マイクロレンズML1の中心を通る入射光L3は、マイクロレンズML1、液晶層40を通過して第2遮光層26に至り遮光される。同様に、入射光L1に対して平行であり、マイクロレンズML2の中心を通る入射光L5は、マイクロレンズML2、液晶層40を通過して第2遮光層26に至り遮光される。   Next, with reference to FIGS. 4A and 4B, the light incident on the opening regions 22a and 26a, that is, the pixel openings will be described. As shown in FIGS. 4A and 4B, the incident light L1 incident from the counter substrate 30 side to the central portion of the pixel P along the normal line direction of the counter substrate 30 travels straight as it is, and the counter substrate 30. Then, the light passes through the liquid crystal layer 40 and is emitted from the opening regions 22 a and 26 a of the element substrate 20. Incident light L3 that is parallel to the incident light L1 and passes through the center of the microlens ML1 passes through the microlens ML1 and the liquid crystal layer 40 and reaches the second light shielding layer 26 to be shielded from light. Similarly, the incident light L5 that is parallel to the incident light L1 and passes through the center of the microlens ML2 passes through the microlens ML2 and the liquid crystal layer 40 and reaches the second light shielding layer 26 to be shielded.

一方で、入射光L1に対して平行であり、マイクロレンズML1の中心から外れた部分に入射した入射光L2は、屈折率nが異なる透明層12とマイクロレンズML1との境界であるレンズ面12aで屈折して発散し、液晶層40を通過して開口領域22a,26aに至り素子基板20側から射出される。同様に、入射光L1に対して平行であり、マイクロレンズML2の中心から外れた部分に入射した入射光L6は、屈折率nが異なる透明層12とマイクロレンズML2との境界であるレンズ面12bで屈折して発散し、液晶層40を通過して開口領域26aに至り素子基板20側から射出される。   On the other hand, the incident light L2 that is parallel to the incident light L1 and is incident on a portion off the center of the microlens ML1 is a lens surface 12a that is a boundary between the transparent layer 12 and the microlens ML1 having different refractive indexes n. Refracts and diverges, passes through the liquid crystal layer 40, reaches the opening regions 22a and 26a, and is emitted from the element substrate 20 side. Similarly, the incident light L6 that is parallel to the incident light L1 and is incident on a portion off the center of the microlens ML2 is a lens surface 12b that is a boundary between the transparent layer 12 and the microlens ML2 having different refractive indexes n. Refracts and diverges, passes through the liquid crystal layer 40, reaches the opening region 26a, and is emitted from the element substrate 20 side.

図4では、対向基板30側から入射する入射光L1,L2,L3,L5,L6をZ方向に沿った平行光として説明したが、実際にはZ方向に対して交差し、対向基板30の一方の表面に斜めに入射する入射光もあり得る。このように斜めに入射する入射光がマイクロレンズML1,ML2に入射した場合にも上述した入射光の発散効果が得られる。   In FIG. 4, the incident lights L1, L2, L3, L5, and L6 incident from the counter substrate 30 side are described as parallel lights along the Z direction. There may also be incident light that is incident obliquely on one surface. In this way, the incident light diverging effect described above can also be obtained when the obliquely incident light is incident on the microlenses ML1 and ML2.

<対向基板30の製造方法>
次に、図5を参照して対向基板30の製造方法について説明する。図5(a)〜(f)は対向基板の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図4(a)に相当する概略断面図である。
<Manufacturing method of counter substrate 30>
Next, a method for manufacturing the counter substrate 30 will be described with reference to FIG. 5A to 5F are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing the counter substrate. Specifically, it is a schematic sectional view corresponding to FIG.

本実施形態の対向基板30の製造方法は、まず、図5(a)に示すように、例えば石英基板を用いた基材11の一方の表面に、基材11よりも屈折率nが大きいSiON(酸化窒化シリコン)を成膜して透明層12を形成する。透明層12の形成方法としては蒸着法、スパッタ法、CVD法などが挙げられる。本実施形態ではプラズマCVD法により膜厚がおよそ2μm〜3μmの透明層12を形成した。なお、透明層12の膜厚は、少なくとも図3におけるマイクロレンズML1の半径より大きくなければならない。また、膜厚の上限値は、透明層12の成膜工程の膜厚公差、後述するレンズ面12aの深さ公差、生産能力などを勘案し、製造上好ましい値を設定すればよい。   In the manufacturing method of the counter substrate 30 of the present embodiment, first, as shown in FIG. 5A, for example, SiON having a refractive index n larger than that of the base material 11 is formed on one surface of the base material 11 using a quartz substrate. (Silicon oxynitride) is formed to form the transparent layer 12. Examples of the method for forming the transparent layer 12 include vapor deposition, sputtering, and CVD. In this embodiment, the transparent layer 12 having a film thickness of about 2 μm to 3 μm is formed by plasma CVD. The film thickness of the transparent layer 12 must be at least larger than the radius of the microlens ML1 in FIG. In addition, the upper limit value of the film thickness may be set to a preferable value in terms of manufacturing in consideration of the film thickness tolerance in the film forming process of the transparent layer 12, the depth tolerance of the lens surface 12a described later, the production capacity, and the like.

次に、図5(b)に示すように、透明層12にレンズ面12aを形成するためのマスク71を形成する。マスク71には平面視でレンズ面12aの中心となる部分に、平面視で円形の開口72が形成されている。このようなマスク71の形成方法としては、透明層12の一方の表面に例えばポリシリコン膜を成膜し、成膜されたポリシリコン膜をフォトリソグラフィ法でパターニングして開口72を形成する方法が挙げられる。なお、マスク71にはアモルファスシリコン膜を用いてもよい。   Next, as shown in FIG. 5B, a mask 71 for forming the lens surface 12a on the transparent layer 12 is formed. The mask 71 has a circular opening 72 in a plan view at the center of the lens surface 12a in a plan view. As a method for forming such a mask 71, for example, a polysilicon film is formed on one surface of the transparent layer 12, and the formed polysilicon film is patterned by photolithography to form the opening 72. Can be mentioned. Note that an amorphous silicon film may be used for the mask 71.

次に、図5(c)に示すように、マスク71を介して透明層12を等方性エッチングする。等方性エッチングとしては、例えばリン酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングが挙げられる。エッチング液が開口72を通じて接することにより透明層12がエッチングされる。エッチング時間を制御することで、遮光領域22,26の交差部22c,26cの大きさに対応した所望の大きさのレンズ面12aが透明層12にエッチング形成される。この後、マスク71は例えばドライエッチングを施すことで除去される。   Next, the transparent layer 12 is isotropically etched through a mask 71 as shown in FIG. Examples of the isotropic etching include wet etching using an etchant containing phosphoric acid. The transparent layer 12 is etched by contact of the etching solution through the opening 72. By controlling the etching time, the lens surface 12 a having a desired size corresponding to the size of the intersecting portions 22 c and 26 c of the light shielding regions 22 and 26 is formed by etching in the transparent layer 12. Thereafter, the mask 71 is removed by, for example, dry etching.

なお、図5(b)及び(c)には、図示していないが、透明層12にレンズ面12aの他にレンズ面12bを形成する方法の一例としては、マスク71に開口72よりも小さい直径の開口を同時に形成し、マスク71を介して透明層12をエッチングする方法が挙げられる。また、レンズ面12aとレンズ面12bとをそれぞれ異なる工程で形成してもよい。その際には、直径が小さいレンズ面12bの方を先に形成することが、レンズ面12aを形成するためのマスク71を形成する際にレンズ面12bを被覆する必要がある点で好ましい。   Although not shown in FIGS. 5B and 5C, as an example of a method of forming the lens surface 12b in addition to the lens surface 12a on the transparent layer 12, the mask 71 is smaller than the opening 72. There is a method in which an opening having a diameter is formed at the same time and the transparent layer 12 is etched through the mask 71. Further, the lens surface 12a and the lens surface 12b may be formed by different processes. In that case, it is preferable to form the lens surface 12b having a smaller diameter first because it is necessary to cover the lens surface 12b when the mask 71 for forming the lens surface 12a is formed.

次に、図5(d)に示すように、透明層12に形成された凹状(半球面状)のレンズ面12aを埋めるようにレンズ層前駆体13Pを形成する。レンズ層前駆体13Pの形成方法としては、透明層12の表面における凹凸を十分に被覆して埋めることが可能な例えばプラズマCVD法を用い、SiO2(酸化シリコン)膜を成膜する。SiO2膜の膜厚は例えばおよそ3μm〜6μmである。レンズ層前駆体13Pの膜厚は、少なくとも図3におけるマイクロレンズML1の半径より大きくなければならない。一方、膜厚の上限値は、レンズ面12aの深さ公差、レンズ層前駆体13Pの膜厚公差、平坦化処理工程の加工公差、生産能力などを勘案し、製造上好ましい値を設定すればよい。
成膜後のレンズ層前駆体13Pの表面にはレンズ面12aの影響を受けた凹凸が生ずる。そこで、この凹凸を解消すべく、レンズ層前駆体13Pに平坦化処理を施す。平坦化処理の方法としては、CMP(Chemical Mechanical polishing)処理が挙げられる。これにより、図5(e)に示すように、レンズ面12aを埋めてマイクロレンズML1が形成され、一方の表面13aが平坦なレンズ層13が形成される。つまり、マイクロレンズML1を有するレンズ基板10ができあがる。なお、より平坦な表面13aを実現すべくCMP処理とエッチング処理とを組み合わせて平坦化処理を行ってもよい。なお、図5(d)には図示していないが、レンズ層前駆体13Pは、レンズ面12aだけでなくレンズ面12bも埋めるように形成され、平坦化処理によってマイクロレンズML2がマイクロレンズML1と同時に形成される。
Next, as illustrated in FIG. 5D, a lens layer precursor 13 </ b> P is formed so as to fill the concave (hemispherical) lens surface 12 a formed in the transparent layer 12. As a method of forming the lens layer precursor 13P, a SiO 2 (silicon oxide) film is formed by using, for example, a plasma CVD method capable of sufficiently covering and filling the unevenness on the surface of the transparent layer 12. The thickness of the SiO 2 film is, for example, about 3 μm to 6 μm. The film thickness of the lens layer precursor 13P must be at least larger than the radius of the microlens ML1 in FIG. On the other hand, the upper limit value of the film thickness should be set to a preferable value for manufacturing in consideration of the depth tolerance of the lens surface 12a, the film thickness tolerance of the lens layer precursor 13P, the processing tolerance of the flattening process, the production capacity, and the like. Good.
The surface of the lens layer precursor 13P after film formation has irregularities affected by the lens surface 12a. Therefore, in order to eliminate the unevenness, the lens layer precursor 13P is subjected to a flattening process. An example of the planarization method is CMP (Chemical Mechanical Polishing). As a result, as shown in FIG. 5E, the lens surface 12a is filled to form the microlens ML1, and the lens layer 13 having one flat surface 13a is formed. That is, the lens substrate 10 having the microlens ML1 is completed. Note that planarization may be performed by combining CMP processing and etching processing in order to realize a flatter surface 13a. Although not shown in FIG. 5D, the lens layer precursor 13P is formed so as to fill not only the lens surface 12a but also the lens surface 12b, and the microlens ML2 and the microlens ML1 are formed by planarization. Formed simultaneously.

次に、図5(f)に示すように、レンズ層13の表面13aに光路長調整層31と共通電極35とを順次積層して形成する。光路長調整層31の形成方法としては、レンズ層13と同じ材料(酸化シリコン)を用いて、蒸着法、スパッタ法、CVD法により成膜する方法が挙げられる。共通電極35の形成方法としては、例えばスパッタ法によりITO膜やIZO膜を成膜する方法が挙げられる。これにより、マイクロレンズML1(及びマイクロレンズML2)を有するレンズ基板10を含む対向基板30ができあがる。なお、この後、液晶装置100の光学設計に基づいて、対向基板30の共通電極35には配向膜36が積層して形成される。   Next, as shown in FIG. 5 (f), the optical path length adjusting layer 31 and the common electrode 35 are sequentially stacked on the surface 13 a of the lens layer 13. Examples of the method for forming the optical path length adjusting layer 31 include a method of forming a film by vapor deposition, sputtering, or CVD using the same material (silicon oxide) as the lens layer 13. Examples of the method for forming the common electrode 35 include a method of forming an ITO film or an IZO film by sputtering. Thereby, the counter substrate 30 including the lens substrate 10 having the microlens ML1 (and the microlens ML2) is completed. Thereafter, an alignment film 36 is formed on the common electrode 35 of the counter substrate 30 based on the optical design of the liquid crystal device 100.

上記第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)液晶装置100(液晶パネル110)は、画素Pの画素開口部を規定する遮光領域22,26の交差部22c,26cと重なる位置において、対向基板30側に島状に配置された第1光発散素子としてのマイクロレンズML1を有する。さらに、遮光領域22,26のX方向及びY方向に延在する部分の中間的な位置において、対向基板30側に島状に配置された第2光発散素子としてのマイクロレンズML2を有する。
したがって、画素Pに入射する光を画素開口部に集光させるマイクロレンズを備える場合に比べて、本来屈折させる必要がない光はそのまま画素開口部に入射させ、遮光領域22,26によって遮られてしまう入射光L2,L6をマイクロレンズML1,ML2によって発散させて画素開口部に導くことができる。また、本来屈折させる必要がない光はそのまま画素開口部に入射するので、液晶層40をZ方向に対して斜めに通過する光が減少して液晶分子の配向に起因するコントラストの低下を抑制することができる。つまり、対向基板30側から入射する入射光の利用効率が改善され明るい表示が可能であると共に、優れた表示品質を有する液晶装置100(液晶パネル110)を提供できる。
(2)平面視におけるマイクロレンズML1の大きさは、遮光領域22,26の交差部22c,26cの仮想外接円と同じ大きさまたはそれよりもやや大きいので、仮想外接円より小さい場合に比べて、交差部22c,26cに入射する可能性がある光を画素開口部に効率的に導くことができる。マイクロレンズML2についても遮光領域22,26のX方向に延在する部分とY方向に延在する部分に入射する可能性がある光の一部を画素開口部に効率的に導くことができる。
(3)マイクロレンズML1は、遮光領域22,26の交差部22c,26cに対向する位置において対向基板30側に配置されている。したがって、交差部22c,26c向かって入射する光がマイクロレンズML1によって発散されるので、交差部22c,26cと重なって配置されたTFT24が光誤動作(光リークなど)を起こすことをより確実に防止できる。
According to the first embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) is arranged in an island shape on the counter substrate 30 side at a position overlapping the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26 defining the pixel opening of the pixel P. A microlens ML1 is provided as a single light diverging element. In addition, a microlens ML2 serving as a second light diverging element is disposed on the counter substrate 30 side in an intermediate position between portions extending in the X direction and the Y direction of the light shielding regions 22 and 26.
Therefore, compared with a case where a microlens that collects light incident on the pixel P is condensed on the pixel opening, light that does not need to be refracted is incident on the pixel opening as it is and is blocked by the light shielding regions 22 and 26. Incident light L2 and L6 can be diverged by the microlenses ML1 and ML2 and guided to the pixel opening. In addition, since light that does not need to be refracted originally enters the pixel opening as it is, light that passes through the liquid crystal layer 40 obliquely with respect to the Z direction is reduced, and a reduction in contrast due to alignment of liquid crystal molecules is suppressed. be able to. That is, it is possible to provide the liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) having improved display efficiency and improved display efficiency of incident light incident from the counter substrate 30 side and having excellent display quality.
(2) Since the size of the microlens ML1 in plan view is the same size as or slightly larger than the virtual circumscribed circle of the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26, it is smaller than the case of being smaller than the virtual circumscribed circle. The light that may be incident on the intersections 22c and 26c can be efficiently guided to the pixel opening. As for the microlens ML2, part of the light that may be incident on the portions extending in the X direction and the portion extending in the Y direction of the light shielding regions 22 and 26 can be efficiently guided to the pixel opening.
(3) The microlens ML1 is disposed on the counter substrate 30 side at a position facing the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26. Therefore, since the light incident on the intersecting portions 22c and 26c is diverged by the micro lens ML1, the TFT 24 arranged so as to overlap the intersecting portions 22c and 26c can be prevented more reliably from causing an optical malfunction (such as light leakage). it can.

(第2実施形態)
<電気光学装置>
次に、第2実施形態の電気光学装置について、図6を参照して説明する。図6は第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置における画素の構造を示す概略断面図である。第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置は、上記第1実施形態の液晶装置100に対して対向基板30の構成を異ならせたものである。したがって、液晶装置100と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図6は上記第1実施形態の図4(a)に相当する概略断面図である。
(Second Embodiment)
<Electro-optical device>
Next, an electro-optical device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel structure in a liquid crystal device as an electro-optical device according to the second embodiment. The liquid crystal device as the electro-optical device according to the second embodiment is different from the liquid crystal device 100 according to the first embodiment in the configuration of the counter substrate 30. Accordingly, the same components as those of the liquid crystal device 100 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 4A of the first embodiment.

図6に示すように、本実施形態の液晶装置200(液晶パネル210)は、素子基板20と、対向基板30Bと、両基板の間に挟持された液晶層40とを備えている。
対向基板30Bは、レンズ基板10Bと、光路長調整層31と、共通電極35と、配向膜36とを有する。レンズ基板10Bは、基材11と、レンズ層13Bとを有する。基材11のレンズ層13B側の表面には半球面状の凹部11a(以降、レンズ面11aと呼ぶ)が形成されており、レンズ面11aをレンズ層13Bで埋めることによりマイクロレンズML1が形成されている。レンズ面11aは、素子基板20側における遮光領域22,26の交差部22c,26c(図3参照)と重なる位置において基材11に形成されている。平面視におけるレンズ面11aの大きさ(直径)は、交差部22c,26cの仮想外接円の大きさと同じまたはやや大きい。
As shown in FIG. 6, the liquid crystal device 200 (liquid crystal panel 210) of this embodiment includes an element substrate 20, a counter substrate 30B, and a liquid crystal layer 40 sandwiched between the substrates.
The counter substrate 30B includes a lens substrate 10B, an optical path length adjustment layer 31, a common electrode 35, and an alignment film 36. The lens substrate 10B includes a base material 11 and a lens layer 13B. A hemispherical concave portion 11a (hereinafter referred to as a lens surface 11a) is formed on the surface of the substrate 11 on the lens layer 13B side, and the microlens ML1 is formed by filling the lens surface 11a with the lens layer 13B. ing. The lens surface 11a is formed on the base material 11 at a position overlapping the intersecting portions 22c and 26c (see FIG. 3) of the light shielding regions 22 and 26 on the element substrate 20 side. The size (diameter) of the lens surface 11a in plan view is the same as or slightly larger than the size of the virtual circumscribed circle of the intersecting portions 22c and 26c.

基材11は、透光性の例えば石英基板であり、レンズ層13Bは基材11と同種の第1材料を用いて多孔質となるように形成されている。したがって、基材11とレンズ層13Bが同種の第1材料によって構成されていても、レンズ層13Bの屈折率nは基材11よりも小さくなる。ゆえに、図6に示すように、対向基板30Bの法線方向に沿って画素Pの中央部に対向基板30B側から入射する入射光L1は、そのまま直進して、対向基板30B、液晶層40を通過して素子基板20の開口領域22a,26aから射出される。入射光L1に対して平行であり、マイクロレンズML1の中心を通る入射光L3は、マイクロレンズML1、液晶層40を通過して第2遮光層26に至り遮光される。   The base material 11 is a translucent quartz substrate, for example, and the lens layer 13 </ b> B is formed to be porous using the same type of first material as the base material 11. Therefore, even if the base material 11 and the lens layer 13B are made of the same kind of first material, the refractive index n of the lens layer 13B is smaller than that of the base material 11. Therefore, as shown in FIG. 6, the incident light L1 incident from the counter substrate 30B side to the center of the pixel P along the normal direction of the counter substrate 30B travels straight as it is, and causes the counter substrate 30B and the liquid crystal layer 40 to pass through. It passes through and is emitted from the opening regions 22 a and 26 a of the element substrate 20. Incident light L3 that is parallel to the incident light L1 and passes through the center of the microlens ML1 passes through the microlens ML1 and the liquid crystal layer 40 and reaches the second light shielding layer 26 to be shielded from light.

一方で、入射光L1に対して平行であり、マイクロレンズML1の中心から外れた部分に入射した入射光L2は、屈折率nが異なる基材11とマイクロレンズML1との境界であるレンズ面11aで屈折して発散し、液晶層40を通過して開口領域22a,26aに至り素子基板20側から射出される。   On the other hand, the incident light L2 that is parallel to the incident light L1 and is incident on a portion that is off the center of the microlens ML1 is a lens surface 11a that is a boundary between the substrate 11 and the microlens ML1 having different refractive indexes n. Refracts and diverges, passes through the liquid crystal layer 40, reaches the opening regions 22a and 26a, and is emitted from the element substrate 20 side.

なお、レンズ基板10Bは、上記第1実施形態と同様に、遮光領域22,26のうちX方向及びY方向に延在する部分の中間的な位置において、島状に配置されたマイクロレンズML2を有していてもよい。この場合のマイクロレンズML2は基材11に設けられたレンズ面をレンズ層13Bで埋めて形成されるものである。   As in the first embodiment, the lens substrate 10B includes the microlens ML2 arranged in an island shape at an intermediate position between the light shielding regions 22 and 26 extending in the X direction and the Y direction. You may have. The microlens ML2 in this case is formed by filling the lens surface provided on the base material 11 with the lens layer 13B.

<対向基板30Bの製造方法>
次に、本実施形態の対向基板30Bの製造方法について、図7を参照して説明する。図7(a)〜(e)は第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置における対向基板の製造方法を示す概略断面図である。上記第1実施形態の対向基板30と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
<Method for Manufacturing Opposing Substrate 30B>
Next, a manufacturing method of the counter substrate 30B of this embodiment will be described with reference to FIG. 7A to 7E are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the counter substrate in the liquid crystal device as the electro-optical device according to the second embodiment. The same components as those of the counter substrate 30 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の対向基板30Bの製造方法は、まず、図7(a)に示すように、基材11の一方の表面に開口72を有するマスク71を形成する。開口72は基材11に形成されるレンズ面11aの中心となる位置に平面視で円形に開口している。なお、この場合、マスク71を構成する材料としてポリシリコン膜が用いられている。   In the manufacturing method of the counter substrate 30 </ b> B of the present embodiment, first, as shown in FIG. 7A, a mask 71 having an opening 72 is formed on one surface of the base material 11. The opening 72 is circularly opened in a plan view at a position that is the center of the lens surface 11 a formed on the substrate 11. In this case, a polysilicon film is used as a material constituting the mask 71.

次に、図7(b)に示すように、マスク71を介して基材11に等方性エッチングを施すことにより、基材11を部分的にエッチングしてレンズ面11aを形成する。この後、マスク71は基材11から除去される。なお、この場合、基材11のエッチング液としてフッ酸を含む溶液が用いられている。   Next, as shown in FIG. 7B, isotropic etching is performed on the base material 11 through a mask 71, whereby the base material 11 is partially etched to form a lens surface 11a. Thereafter, the mask 71 is removed from the base material 11. In this case, a solution containing hydrofluoric acid is used as the etching solution for the substrate 11.

次に、図7(c)に示すように、レンズ面11aを埋めるようにして基材11に多孔質なレンズ層前駆体13BPを形成する。多孔質なレンズ層前駆体13BPの形成方法としては、例えば有機シランと、水と、アルコールと、酸またはアルカリを含む有機シラン溶液をスピンコート法により基材11に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に加熱処理を施すことによって酸加水分解またはアルカリ加水分解させ、多孔質なSiO2膜(SOG膜;Spin On Glass膜)を形成する方法が挙げられる(特開2001−351911号公報参照)。
形成されたレンズ層前駆体13BPの表面にはレンズ面11aの影響を受けた凹凸が生ずるので、第1実施形態と同様に平坦化処理を施す。これにより、図7(d)に示すように、一方の表面が平坦化され、レンズ面11aを埋めてなるマイクロレンズML1を含むレンズ層13Bが形成される。すなわち、基材11とレンズ層13Bとが互いに接して形成されたレンズ基板10Bができあがる。基材11の屈折率nはおよそ1.46、多孔質なレンズ層13Bの屈折率nはおよそ1.38である。
Next, as shown in FIG. 7C, a porous lens layer precursor 13BP is formed on the base material 11 so as to fill the lens surface 11a. As a method of forming the porous lens layer precursor 13BP, for example, an organic silane solution containing organic silane, water, alcohol, acid or alkali is applied to the substrate 11 by spin coating to form a coating film. And a method of forming a porous SiO 2 film (SOG film; Spin On Glass film) by subjecting the coating film to heat hydrolysis or alkali hydrolysis (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-351911). reference).
Since the surface of the formed lens layer precursor 13BP is uneven due to the influence of the lens surface 11a, a flattening process is performed as in the first embodiment. Thereby, as shown in FIG. 7D, one surface is flattened, and the lens layer 13B including the microlens ML1 formed by filling the lens surface 11a is formed. That is, a lens substrate 10B is formed in which the base material 11 and the lens layer 13B are formed in contact with each other. The refractive index n of the base material 11 is approximately 1.46, and the refractive index n of the porous lens layer 13B is approximately 1.38.

次に、図7(e)に示すように、レンズ層13Bの平坦化された表面に光路長調整層31と共通電極35とを積層して形成する。これにより、レンズ基板10Bを含む対向基板30Bができあがる。   Next, as shown in FIG. 7E, the optical path length adjustment layer 31 and the common electrode 35 are laminated and formed on the flattened surface of the lens layer 13B. Thereby, the counter substrate 30B including the lens substrate 10B is completed.

なお、前述したように、マイクロレンズML1に加えて、遮光領域22,26のうちX方向及びY方向に延在する部分の中間的な位置において、基材11にレンズ面を形成し、当該レンズ面をレンズ層前駆体13BPで埋めてから平坦化処理を施すことによりマイクロレンズML2を形成してもよい。   As described above, in addition to the microlens ML1, a lens surface is formed on the substrate 11 at an intermediate position between the light shielding regions 22 and 26 extending in the X direction and the Y direction. The microlens ML <b> 2 may be formed by filling the surface with the lens layer precursor 13 </ b> BP and then performing a planarization process.

上記第2実施形態によれば、上記第1実施形態の効果(2)及び(3)に加えて、以下の効果が得られる。
(4)液晶装置200(液晶パネル210)は、画素Pの画素開口部を規定する遮光領域22,26の交差部22c,26cと重なる位置において、対向基板30B側の基材11に島状に配置された第1光発散素子としてのマイクロレンズML1を有する。
したがって、画素Pに入射する光を画素開口部に集光させるマイクロレンズを備える場合に比べて、本来屈折させる必要がない光はそのまま画素開口部に入射させ、遮光領域22,26によって遮られてしまう入射光L2をマイクロレンズML1によって発散させて、その一部を画素開口部に導くことができる。また、本来屈折させる必要がない光はそのまま画素開口部に入射するので、液晶層40をZ方向に対して斜めに通過する光が減少して液晶分子の配向に起因するコントラストの低下を抑制することができる。つまり、対向基板30B側から入射する入射光の利用効率が改善され明るい表示が可能であると共に、優れた表示品質を有する液晶装置200(液晶パネル210)を提供できる。
(5)レンズ基板10Bのレンズ層13Bは、基材11と同種の第1材料を用いて多孔質に形成されている。したがって、上記第1実施形態のレンズ基板10に比べて透明層12を必要としないので、製造工程を簡略化できる。また、屈折率nが異なる層の境界面が上記第1実施形態に比べて減少するので、該境界面によって入射光が反射して入射光の利用効率が低下することを抑制できる。
According to the second embodiment, in addition to the effects (2) and (3) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(4) The liquid crystal device 200 (liquid crystal panel 210) is formed in an island shape on the base material 11 on the counter substrate 30B side at a position overlapping the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26 defining the pixel opening of the pixel P. The microlens ML1 is disposed as the first light diverging element.
Therefore, compared with a case where a microlens that collects light incident on the pixel P is condensed on the pixel opening, light that does not need to be refracted is incident on the pixel opening as it is and is blocked by the light shielding regions 22 and 26. The incident light L2 can be diverged by the microlens ML1, and a part thereof can be guided to the pixel opening. In addition, since light that does not need to be refracted originally enters the pixel opening as it is, light that passes through the liquid crystal layer 40 obliquely with respect to the Z direction is reduced, and a reduction in contrast due to alignment of liquid crystal molecules is suppressed. be able to. That is, it is possible to provide the liquid crystal device 200 (liquid crystal panel 210) having improved display efficiency while improving the utilization efficiency of incident light incident from the counter substrate 30B side and enabling bright display.
(5) The lens layer 13 </ b> B of the lens substrate 10 </ b> B is formed to be porous using the same type of first material as the base material 11. Therefore, since the transparent layer 12 is not required as compared with the lens substrate 10 of the first embodiment, the manufacturing process can be simplified. In addition, since the boundary surface of the layers having different refractive indexes n is reduced as compared with the first embodiment, it is possible to suppress the incident light from being reflected by the boundary surface and reducing the use efficiency of the incident light.

(第3実施形態)
<電気光学装置>
次に、第3実施形態の電気光学装置について、図8及び図9を参照して説明する。図8は第3実施形態の電気光学装置としての液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図9は図8のC−C‘線に沿った画素の構造を示す概略断面図である。第3実施形態の電気光学装置としての液晶装置は、上記第1実施形態の液晶装置100に対して対向基板30の構成を異ならせたものである。したがって、液晶装置100と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
(Third embodiment)
<Electro-optical device>
Next, an electro-optical device according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic plan view showing the configuration of the pixel in the liquid crystal device as the electro-optical device of the third embodiment, and FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the pixel along the line CC ′ of FIG. The liquid crystal device as the electro-optical device according to the third embodiment is different from the liquid crystal device 100 according to the first embodiment in the configuration of the counter substrate 30. Accordingly, the same components as those of the liquid crystal device 100 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図8に示すように、本実施形態の液晶装置300(図9参照)は、遮光領域22,26の交差部22c,26cに対向する位置に島状に配置された第1光発散素子としてのマイクロレンズML1を備えている。さらに、画素Pの開口領域22a,26a(画素開口部)に対向する位置に、画素Pに入射する光を集光させるマイクロレンズML3を備えている。
マイクロレンズML3は、その中心が画素開口部の面積的な重心(この場合は、画素開口部の形状が略正方形であることから画素開口部の中心)とほぼ合致するように配置されている。マイクロレンズML3の設計上の外形は円形(想像線で示す)であり、X方向及びY方向に隣り合うマイクロレンズML3は互いに一部が重なり合うように配置されている。マイクロレンズML3の互いに重なり合った部分が、遮光領域22,26のX方向に延在する部分またはY方向に延在する部分の範囲内に収まるように配置されている。したがって、X方向及びY方向に隣り合うマイクロレンズML3の境界は直線状となり、マイクロレンズML3の対角方向に隣り合う外形部分は円弧状となる。
また、平面視では、対角方向においてマイクロレンズML1の一部とマイクロレンズML3の一部とが重なり合うように配置される。
As shown in FIG. 8, the liquid crystal device 300 (see FIG. 9) of the present embodiment is a first light diverging element arranged in an island shape at a position facing the intersecting portions 22 c and 26 c of the light shielding regions 22 and 26. A microlens ML1 is provided. Further, a microlens ML3 that collects light incident on the pixel P is provided at a position facing the opening regions 22a and 26a (pixel opening portions) of the pixel P.
The microlens ML3 is disposed so that the center thereof substantially coincides with the area center of gravity of the pixel opening (in this case, since the shape of the pixel opening is substantially square, the center of the pixel opening). The design outer shape of the microlens ML3 is circular (indicated by an imaginary line), and the microlenses ML3 adjacent to each other in the X direction and the Y direction are arranged so as to partially overlap each other. The overlapping portions of the microlens ML3 are arranged so as to be within the range of the portions extending in the X direction or the Y direction of the light shielding regions 22 and 26. Therefore, the boundary between the microlenses ML3 adjacent in the X direction and the Y direction is linear, and the outer shape portion adjacent in the diagonal direction of the microlens ML3 is arcuate.
In plan view, a part of the microlens ML1 and a part of the microlens ML3 are arranged to overlap each other in the diagonal direction.

図9に示すように、本実施形態の液晶装置300(液晶パネル310)は、素子基板20と、対向基板30Cと、両基板の間に挟持された液晶層40とを備えている。対向基板30Cは、レンズ基板10Cと、光路長調整層31と、共通電極35と、配向膜36とを含んでいる。
レンズ基板10Cは、透光性の基材11と、レンズ層13Bと、透明層14と、レンズ層15とを含んでいる。基材11は例えば石英基板である。レンズ層13Bは、上記第2実施形態で説明したように、基材11と同種の第1材料を用いて形成され多孔質となっている。レンズ層13Bは基材11に形成されたレンズ面11aを埋めてなる第1光発散素子としてのマイクロレンズML1を含んでいる。
レンズ層13Bに積層される透明層14は、基材11と同種の第1材料からなる。透明層14の屈折率nは、レンズ層13Bと同じであることが好ましい。つまり、透明層14は、レンズ層13Bとの界面における光の反射を低減するため、多孔質な第1材料からなることが好ましい。
レンズ層15は、上記第1材料よりも屈折率nが大きい第2材料からなり、透明層14に形成された半球面状の凹部14a(以降、レンズ面14aと呼ぶ)を埋めてなるマイクロレンズML3を含んでいる。本実施形態では、上記第1材料が例えばSiO2(酸化シリコン、屈折率nがおよそ1.46)であり、上記第2材料がSiON(酸化窒化シリコン、屈折率nが1.50〜1.70)である。
As shown in FIG. 9, the liquid crystal device 300 (liquid crystal panel 310) of this embodiment includes an element substrate 20, a counter substrate 30C, and a liquid crystal layer 40 sandwiched between both substrates. The counter substrate 30 </ b> C includes a lens substrate 10 </ b> C, an optical path length adjustment layer 31, a common electrode 35, and an alignment film 36.
The lens substrate 10 </ b> C includes a translucent base material 11, a lens layer 13 </ b> B, a transparent layer 14, and a lens layer 15. The base material 11 is, for example, a quartz substrate. As described in the second embodiment, the lens layer 13 </ b> B is formed using a first material of the same type as the base material 11 and is porous. The lens layer 13 </ b> B includes a microlens ML <b> 1 as a first light diverging element formed by filling a lens surface 11 a formed on the substrate 11.
The transparent layer 14 laminated on the lens layer 13B is made of the same first material as that of the substrate 11. The refractive index n of the transparent layer 14 is preferably the same as that of the lens layer 13B. That is, the transparent layer 14 is preferably made of a porous first material in order to reduce light reflection at the interface with the lens layer 13B.
The lens layer 15 is made of a second material having a refractive index n larger than that of the first material, and fills a hemispherical concave portion 14a (hereinafter referred to as a lens surface 14a) formed in the transparent layer 14. ML3 is included. In the present embodiment, the first material is, for example, SiO 2 (silicon oxide, refractive index n is approximately 1.46), and the second material is SiON (silicon oxynitride, refractive index n is 1.50-1. 70).

図9を参照して画素Pに入射する光について説明する。Z方向に沿って対向基板30C側から画素Pの中央部に入射する入射光L1は、そのまま直進して対向基板30C、液晶層40を透過し、素子基板20の開口領域22a,26aから射出される。入射光L1と平行でマイクロレンズML1の中心に入射する入射光L3は、対向基板30Cを直進して液晶層40に入射するも、第2遮光層26によって遮光される。一方で入射光L1と平行でマイクロレンズML1の中心から外れた位置に入射した入射光L2は、マイクロレンズML1で発散された後に透明層14を透過してマイクロレンズML3に入射する。マイクロレンズML3に入射した入射光L2は開口領域22a,26a内に集光される。したがって、マイクロレンズML3が無い場合に比べて、マイクロレンズML1によって発散された光をより効率的に開口領域22a,26a(画素開口部)に導くことが可能となる。さらに、TFT24へ入射する光量をマイクロレンズML1,ML3によって減少させることができ、TFT24のOFFリーク電流を抑制することができる。   The light incident on the pixel P will be described with reference to FIG. Incident light L1 incident on the central portion of the pixel P from the counter substrate 30C side along the Z direction travels straight through the counter substrate 30C and the liquid crystal layer 40, and is emitted from the opening regions 22a and 26a of the element substrate 20. The The incident light L3 that is parallel to the incident light L1 and is incident on the center of the microlens ML1 travels straight through the counter substrate 30C and enters the liquid crystal layer 40, but is blocked by the second light blocking layer 26. On the other hand, the incident light L2 incident on the position parallel to the incident light L1 and deviating from the center of the microlens ML1 is diverged by the microlens ML1 and then passes through the transparent layer 14 and enters the microlens ML3. Incident light L2 incident on the microlens ML3 is collected in the opening regions 22a and 26a. Therefore, it is possible to more efficiently guide the light diverged by the microlens ML1 to the opening regions 22a and 26a (pixel opening portions) than when the microlens ML3 is not provided. Furthermore, the amount of light incident on the TFT 24 can be reduced by the micro lenses ML1 and ML3, and the OFF leakage current of the TFT 24 can be suppressed.

<対向基板30Cの製造方法>
次に、図10及び図11を参照して、対向基板30Cの製造方法について説明する。図10(a)〜(d)及び図11(e)〜(g)は第3実施形態の液晶装置における対向基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図10及び図11の概略断面図は図9に対応する概略断面図である。また、上記第2実施形態の対向基板30Bと同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。基材11にマイクロレンズML1を含むレンズ層13Bを形成する工程までは、上記第2実施形態で説明したとおりであるため、それ以降の工程について説明する。
<Method for Manufacturing Opposing Substrate 30C>
Next, a method for manufacturing the counter substrate 30C will be described with reference to FIGS. FIGS. 10A to 10D and FIGS. 11E to 11G are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a counter substrate in the liquid crystal device according to the third embodiment. 10 and 11 are schematic cross-sectional views corresponding to FIG. The same components as those of the counter substrate 30B of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. The steps up to the step of forming the lens layer 13B including the microlens ML1 on the base material 11 are as described in the second embodiment, and the subsequent steps will be described.

まず、図10(a)に示すように、レンズ層13Bに積層して透明層14を形成する。透明層14の形成方法としては、レンズ層13Bと同様に、例えば特開2001−351911号公報に開示されたSOG膜を形成する方法が挙げられる。なお、これに限らず、蒸着法、スパッタ法、CVD法などによりSiO2膜を形成する方法を採用してもよい。透明層14の層厚は、後に形成されるレンズ面14aの大きさを考慮して設定される。 First, as shown in FIG. 10A, the transparent layer 14 is formed by being laminated on the lens layer 13B. Examples of the method for forming the transparent layer 14 include a method for forming an SOG film disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-351911, similarly to the lens layer 13B. However, the present invention is not limited to this, and a method of forming a SiO 2 film by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like may be employed. The layer thickness of the transparent layer 14 is set in consideration of the size of the lens surface 14a to be formed later.

次に、図10(b)に示すように、透明層14にレンズ面14aをエッチング形成するためのマスク71を形成する。この場合、マスク71は、レンズ面14aのエッチング形成を考慮して例えばポリシリコン膜が用いられる。レンズ面14aの中心に対応する部分に開口72を有するようにポリシリコン膜をパターニングしてマスク71を形成する。   Next, as shown in FIG. 10B, a mask 71 is formed on the transparent layer 14 for etching the lens surface 14a. In this case, for example, a polysilicon film is used as the mask 71 in consideration of the etching formation of the lens surface 14a. A mask 71 is formed by patterning the polysilicon film so as to have an opening 72 at a portion corresponding to the center of the lens surface 14a.

次に、図10(c)に示すように、マスク71の開口72を通じて透明層14を等方性エッチングする。エッチング液としては例えばフッ酸を含む溶液を用いる。エッチング時間を制御することにより所望の大きさのレンズ面14aを形成する。エッチング後にマスク71は例えばドライエッチングなどにより除去される。   Next, as shown in FIG. 10C, the transparent layer 14 is isotropically etched through the opening 72 of the mask 71. For example, a solution containing hydrofluoric acid is used as the etching solution. The lens surface 14a having a desired size is formed by controlling the etching time. After the etching, the mask 71 is removed by, for example, dry etching.

次に、図10(d)に示すように、レンズ面14aを埋めるように透明層14上にレンズ層前駆体15Pを形成する。レンズ層前駆体15Pの形成方法としては、レンズ面14aを十分に埋めることが可能なプラズマCVD法によりSiON膜を成膜する。レンズ層前駆体15Pの層厚はレンズ面14aの大きさを考慮して設定される。   Next, as shown in FIG. 10D, a lens layer precursor 15P is formed on the transparent layer 14 so as to fill the lens surface 14a. As a method of forming the lens layer precursor 15P, a SiON film is formed by a plasma CVD method that can sufficiently fill the lens surface 14a. The layer thickness of the lens layer precursor 15P is set in consideration of the size of the lens surface 14a.

次に、図11(e)に示すように、形成されたレンズ層前駆体15Pの表面にはレンズ面14aの影響を受けた凹凸が生ずるので、この凹凸を解消すべくレンズ層前駆体15Pに平坦化処理を施す。平坦化処理の方法としては、CMP処理、CMP処理とエッチングとを組み合わせた処理などが挙げられる。これにより、一方の表面15aが平坦化され、レンズ面14aを埋めてなるマイクロレンズML3を含むレンズ層15が形成される。つまり、レンズ基板10Cができあがる。   Next, as shown in FIG. 11E, the surface of the formed lens layer precursor 15P has irregularities affected by the lens surface 14a. Therefore, the lens layer precursor 15P has the irregularities to eliminate the irregularities. A flattening process is performed. Examples of the planarization method include a CMP process, a process in which the CMP process and etching are combined, and the like. Thereby, one surface 15a is flattened, and the lens layer 15 including the microlens ML3 formed by filling the lens surface 14a is formed. That is, the lens substrate 10C is completed.

次に、レンズ層15の平坦な表面15aに光路長調整層31と共通電極35とを順次積層して形成する。これにより、対向基板30Cができあがる。   Next, the optical path length adjusting layer 31 and the common electrode 35 are sequentially stacked on the flat surface 15 a of the lens layer 15. Thereby, the counter substrate 30C is completed.

上記第3実施形態によれば、以下の効果が得られる。
液晶装置300(液晶パネル310)は、画素Pの画素開口部を規定する遮光領域22,26の交差部22c,26cと重なる位置において、対向基板30C側に島状に配置された第1光発散素子としてのマイクロレンズML1を有する。また、画素開口部に対向する位置において、対向基板30C側に入射した光を画素開口部に向けて集光させるマイクロレンズML3を有している。マイクロレンズML1の中心から外れた位置に入射した入射光L2は、マイクロレンズML1で発散された後にマイクロレンズML3に入射する。マイクロレンズML3に入射した入射光L2は画素開口部内に集光される。したがって、マイクロレンズML3が無い場合に比べて、マイクロレンズML1によって発散された光をより効率的に画素開口部に導くことが可能となるので、より明るい表示が可能な液晶装置300(液晶パネル310)を提供することができる。
According to the third embodiment, the following effects can be obtained.
The liquid crystal device 300 (liquid crystal panel 310) includes a first light divergence arranged in an island shape on the counter substrate 30C side at a position overlapping the intersecting portions 22c and 26c of the light shielding regions 22 and 26 defining the pixel opening of the pixel P. It has a microlens ML1 as an element. In addition, the microlens ML3 that condenses the light incident on the counter substrate 30C toward the pixel opening at a position facing the pixel opening. Incident light L2 incident on a position off the center of the microlens ML1 is diverged by the microlens ML1 and then enters the microlens ML3. Incident light L2 incident on the microlens ML3 is condensed in the pixel opening. Therefore, compared to the case without the microlens ML3, the light emitted by the microlens ML1 can be more efficiently guided to the pixel opening, so that the liquid crystal device 300 (liquid crystal panel 310) capable of brighter display can be obtained. ) Can be provided.

(第4実施形態)
<電子機器>
次に、第4実施形態である電子機器として投写型表示装置を例に挙げて、図12を参照して説明する。図12は電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略図である。
(Fourth embodiment)
<Electronic equipment>
Next, as an electronic apparatus according to the fourth embodiment, a projection display device will be described as an example with reference to FIG. FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projection display device as an electronic apparatus.

図12に示すように、本実施形態の電子機器としての投写型表示装置1000は、システム光軸L0に沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投写レンズ1207とを備えている。   As shown in FIG. 12, a projection display apparatus 1000 as an electronic apparatus according to this embodiment includes a polarization illumination apparatus 1100 arranged along the system optical axis L0, and two dichroic mirrors 1104 and 1105 as light separation elements. Three reflection mirrors 1106, 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as light modulation elements, and a light combining element As a cross dichroic prism 1206 and a projection lens 1207.

偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。   The polarized light illumination device 1100 is generally configured by a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。   The dichroic mirror 1104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) among the polarized light beams emitted from the polarization illumination device 1100. Another dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。
ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。
ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then enters the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205.
Green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1220 via the relay lens 1204.
The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。
液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ1207によってスクリーン1300上に投写され、画像が拡大されて表示される。
The liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light.
The color light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 is modulated based on video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206. In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected onto the screen 1300 by the projection lens 1207, which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ1210は、上述した第1実施形態の液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。   The liquid crystal light valve 1210 is the one to which the liquid crystal device 100 of the first embodiment described above is applied. A pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols are arranged with a gap between the colored light incident side and the emitting side of the liquid crystal device 100. The same applies to the other liquid crystal light valves 1220 and 1230.

このような投写型表示装置1000によれば、液晶ライトバルブ1210,1220,1230として、上記液晶装置100が用いられているので、画素Pに入射する光が効率的に利用され明るい画像を投写可能であると共に、優れた表示品質を有する投写型表示装置1000を提供することができる。   According to such a projection display apparatus 1000, since the liquid crystal apparatus 100 is used as the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230, light incident on the pixels P can be efficiently used to project a bright image. In addition, the projection display apparatus 1000 having excellent display quality can be provided.

なお、液晶ライトバルブ1210,1220,1230として上記第2実施形態の液晶装置200や上記第3実施形態の液晶装置300を用いてもよい。また、上記第1実施形態の液晶装置100または上記第2実施形態の液晶装置200あるいは上記第3実施形態の液晶装置300が適用可能な電子機器は、上記投写型表示装置1000に限定されない。例えば、投写型のHUD(ヘッドアップディスプレイ)やHMD(ヘッドマウントディスプレイ)、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。   As the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230, the liquid crystal device 200 of the second embodiment and the liquid crystal device 300 of the third embodiment may be used. Further, the electronic apparatus to which the liquid crystal device 100 of the first embodiment, the liquid crystal device 200 of the second embodiment, or the liquid crystal device 300 of the third embodiment can be applied is not limited to the projection display device 1000. For example, projection-type HUD (head-up display) and HMD (head-mounted display), electronic book, personal computer, digital still camera, liquid crystal television, viewfinder type or monitor direct-view type video recorder, car navigation system, electronic notebook It can be suitably used as a display unit of information terminal equipment such as POS.

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置(液晶装置)及び該電気光学装置(液晶装置)を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. A liquid crystal device) and an electronic apparatus to which the electro-optical device (liquid crystal device) is applied are also included in the technical scope of the present invention. Various modifications other than the above embodiment are conceivable. Hereinafter, a modification will be described.

(変形例1)図13(a)及び(b)は変形例の第1光発散素子としてのマイクロレンズの配置を示す概略平面図である。例えば、図13(a)に示すように、遮光領域22,26の交差部は、開口領域22a,26a側に張り出した第1張り出し部22d,26dと、第2張り出し部22e,26eと、を含んでいる。第2張り出し部22e,26eの大きさは、第1張り出し部22d,26dの大きさよりも小さい。したがって、交差部の形状は点対称ではない。この場合、マイクロレンズML1の大きさは、第1張り出し部22d,26dの仮想外接円の大きさと同じかやや大きいとしてもよい。
あるいは図13(b)に示すように、平面視におけるマイクロレンズML1の平面形状を、第1張り出し部22d,26dと、第2張り出し部22e,26eと、に外接する楕円形としてもよい。また、マイクロレンズML1を、平面視で第1張り出し部22d,26dと、第2張り出し部22e,26eと、に外接する仮想楕円形の大きさよりもやや大きい楕円形とすることが光の利用効率と位置合せ精度との関係から好ましい。平面視の形状が楕円形であるマイクロレンズML1の形成方法としては、平面視におけるマスク71の開口72の形状を同じく楕円形とすれば、等方性エッチングにより開口72と相似の楕円形が得られる。
なお、マイクロレンズML1,ML2,ML3の断面形状は半球状であることに限定されず、マスク71における開口72の形状や大きさを調整することで、基材11側においてレンズ面の中央部が平坦であるマイクロレンズML1,ML2,ML3としてもよい。
(Modification 1) FIGS. 13 (a) and 13 (b) are schematic plan views showing the arrangement of microlenses as first light diverging elements of a modification. For example, as shown in FIG. 13A, the intersection of the light shielding regions 22 and 26 includes first projecting portions 22d and 26d projecting toward the opening regions 22a and 26a, and second projecting portions 22e and 26e. Contains. The size of the second projecting portions 22e and 26e is smaller than the size of the first projecting portions 22d and 26d. Therefore, the shape of the intersection is not point-symmetric. In this case, the size of the micro lens ML1 may be the same as or slightly larger than the size of the virtual circumscribed circle of the first projecting portions 22d and 26d.
Or as shown in FIG.13 (b), it is good also considering the planar shape of microlens ML1 in planar view as the ellipse which circumscribes the 1st overhang | projection parts 22d and 26d and the 2nd overhang | projection parts 22e and 26e. In addition, it is preferable that the microlens ML1 has an elliptical shape slightly larger than the size of a virtual ellipse circumscribing the first projecting portions 22d and 26d and the second projecting portions 22e and 26e in plan view. And the alignment accuracy are preferable. As a method of forming the microlens ML1 having an elliptical shape in plan view, if the shape of the opening 72 of the mask 71 in plan view is the same elliptical shape, an elliptical shape similar to the opening 72 is obtained by isotropic etching. It is done.
The cross-sectional shape of the microlenses ML1, ML2, and ML3 is not limited to a hemispherical shape. By adjusting the shape and size of the opening 72 in the mask 71, the center portion of the lens surface on the substrate 11 side is The microlenses ML1, ML2, and ML3 that are flat may be used.

(変形例2)上記第1実施形態の液晶装置100及び上記第2実施形態の液晶装置200は、対向基板側にマイクロレンズML2を備えていなくてもよい。   (Modification 2) The liquid crystal device 100 of the first embodiment and the liquid crystal device 200 of the second embodiment may not include the microlens ML2 on the counter substrate side.

(変形例3)対向基板30,30B,30Cにおいて、画素Pの画素開口部を規定する遮光部(ブラックマトリックス;BM)を設けてもよい。遮光部(BM)は、対向基板30,30B,30Cの液晶層40に近い側、例えば光路長調整層31と共通電極35との間に配置されることが好ましい。これによれば、マイクロレンズML1によって発散された光のうち液晶層40に斜めに入射する光の一部を遮光部(BM)で遮光することができ、よりコントラスト的に引き締まった画像を表示することができる。又、TFT24へ入射する光量を遮光部(BM)によってさらに減少させることができ、TFT24のOFFリーク電流を抑制することができる。   (Modification 3) In the counter substrates 30, 30B, and 30C, a light shielding portion (black matrix; BM) that defines the pixel opening of the pixel P may be provided. The light shielding part (BM) is preferably arranged on the side of the counter substrate 30, 30 </ b> B, 30 </ b> C close to the liquid crystal layer 40, for example, between the optical path length adjusting layer 31 and the common electrode 35. According to this, a part of the light divergently incident on the liquid crystal layer 40 out of the light diverged by the microlens ML1 can be shielded by the light shielding part (BM), and a more contrasted image is displayed. be able to. Further, the amount of light incident on the TFT 24 can be further reduced by the light shielding portion (BM), and the OFF leakage current of the TFT 24 can be suppressed.

10,10B,10C…レンズ基板、11…基材、11a…凹部としてのレンズ面、12…透明層、12a,12b…凹部としてのレンズ面、13,13B…レンズ層、13BP,13P…レンズ層前駆体、14…透明層、14a…凹部としてのレンズ面、15…レンズ層、22,26…遮光部としての遮光領域、100,200,300…液晶装置、110,210,310…液晶パネル、1000…電子機器としての投写型表示装置、ML1…第1光発散素子としてのマイクロレンズ、ML2…第2光発散素子としてのマイクロレンズ、ML3…マイクロレンズ、P…画素。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10B, 10C ... Lens substrate, 11 ... Base material, 11a ... Lens surface as a recessed part, 12 ... Transparent layer, 12a, 12b ... Lens surface as a recessed part, 13, 13B ... Lens layer, 13BP, 13P ... Lens layer Precursor, 14 ... transparent layer, 14a ... lens surface as concave portion, 15 ... lens layer, 22,26 ... light shielding region as light shielding portion, 100, 200,300 ... liquid crystal device, 110,210,310 ... liquid crystal panel, 1000: a projection display device as an electronic device, ML1: a microlens as a first light diverging element, ML2: a microlens as a second light diverging element, ML3: a microlens, P: a pixel.

Claims (10)

対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の間に挟持された電気光学層とを含む電気光学装置であって、
前記第1基板は、第1の方向に延在する部分と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する部分とにより画素開口部を規定する遮光部と、
前記遮光部の前記第1の方向に延在する部分と前記第2の方向に延在する部分との交差部と重なる位置に設けられた画素スイッチング素子と、を含み
前記第2基板は、前記第1基板の前記遮光部の前記交差部に対向して島状に配置された第1光発散素子を含むことを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device including a first substrate and a second substrate disposed to face each other, and an electro-optical layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
The first substrate includes a light shielding portion that defines a pixel opening portion by a portion extending in a first direction and a portion extending in a second direction intersecting the first direction;
A pixel switching element provided at a position overlapping an intersection of a portion extending in the first direction and a portion extending in the second direction of the light shielding portion, and the second substrate includes: An electro-optical device comprising: a first light diverging element arranged in an island shape so as to face the intersecting portion of the light shielding portion of the first substrate.
前記第2基板から前記第1基板に向かう方向の平面視における前記第1光発散素子の大きさは、前記交差部の仮想外接円の大きさと同じ、または前記仮想外接円の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The size of the first light diverging element in plan view in the direction from the second substrate to the first substrate is the same as the size of the virtual circumscribed circle of the intersection or larger than the size of the virtual circumscribed circle The electro-optical device according to claim 1. 前記第2基板は、前記第1基板の前記遮光部の前記第1の方向に延在する部分または前記第2の方向に延在する部分に対向して配置された第2光発散素子をさらに含み、
前記平面視における前記第2光発散素子の大きさは、前記第1光発散素子の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
The second substrate further includes a second light diverging element disposed to face a portion extending in the first direction or a portion extending in the second direction of the light shielding portion of the first substrate. Including
The electro-optical device according to claim 2, wherein a size of the second light diverging element in the plan view is smaller than a size of the first light diverging element.
前記第1光発散素子は、前記第2基板の基材と同種の第1材料からなり、
前記第2基板は、前記基材と前記第1光発散素子との間に、前記第1材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する透明層を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The first light diverging element is made of a first material of the same type as the base material of the second substrate,
The said 2nd board | substrate is a transparent layer which has a refractive index larger than the refractive index of a said 1st material between the said base material and the said 1st light-diffusion element, The Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The electro-optical device according to any one of the above.
前記透明層は、前記第1基板から前記第2基板に向かう方向にへこむ凹部を有し、
前記第1光発散素子は、前記第1材料により前記透明層の前記凹部を埋めてなることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
The transparent layer has a recess recessed in a direction from the first substrate toward the second substrate,
The electro-optical device according to claim 4, wherein the first light diverging element is formed by filling the concave portion of the transparent layer with the first material.
前記第1光発散素子は、前記第2基板の基材と同種の第1材料からなり、多孔質であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。   4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the first light diverging element is made of a first material of the same type as the base material of the second substrate and is porous. 5. 前記第2基板の基材は、前記第1基板から前記第2基板に向かう方向にへこむ凹部を有し、
前記第1光発散素子は、多孔質な前記第1材料により前記基材の前記凹部を埋めてなることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
The base material of the second substrate has a recess recessed in a direction from the first substrate toward the second substrate,
The electro-optical device according to claim 6, wherein the first light diverging element is formed by filling the concave portion of the base material with the porous first material.
前記第2基板は、入射した光を前記画素開口部に向けて集光させるマイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the second substrate further includes a microlens that collects incident light toward the pixel opening. 前記第2基板は、前記第2基板の基材と前記マイクロレンズとの間に前記基材と同種の第1材料からなる透明層を備え、
前記透明層は前記第1基板から前記第2基板に向かう方向にへこむ凹部を有し、
前記マイクロレンズは、前記基材よりも屈折率が大きい第2材料により前記凹部を埋めてなることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
The second substrate includes a transparent layer made of a first material of the same type as the base material between the base material of the second substrate and the microlens,
The transparent layer has a recess recessed in a direction from the first substrate toward the second substrate;
The electro-optical device according to claim 8, wherein the microlens is formed by filling the concave portion with a second material having a refractive index larger than that of the base material.
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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