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JP2016004098A - Optical element and imaging apparatus including the same - Google Patents

Optical element and imaging apparatus including the same Download PDF

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JP2016004098A
JP2016004098A JP2014123027A JP2014123027A JP2016004098A JP 2016004098 A JP2016004098 A JP 2016004098A JP 2014123027 A JP2014123027 A JP 2014123027A JP 2014123027 A JP2014123027 A JP 2014123027A JP 2016004098 A JP2016004098 A JP 2016004098A
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optical
optical element
antireflection
gate
gate trace
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村田 淳
Atsushi Murata
淳 村田
隆正 田村
Takamasa Tamura
隆正 田村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element formed with an antireflection structure having fine structures on the surface capable of achieving a higher antireflection function.SOLUTION: The optical element is formed of a molding material which is injected into a molding die to fill the same via a gate after being heated and melted. The optical element includes: an optical part 11 which has an optical functional surface including the optical axis; an antireflection concave-convex structure 13 formed on the optical part 11, which has a fine structure unit formed in a period of a predetermined wavelength or less; and an edge part 12 which is formed on the circumference of the optical part 11 and has a gate trace 16. The optical part 11 is arranged so that the period of the fine structure units in an area adjacent to the gate trace 16 is larger than the period of the fine structure units in an area separated away from the gate trace 16.

Description

本技術は、入射光の反射を抑制する反射防止凹凸構造が表面に形成された光学素子及びそれを備えた撮像装置に関する。   The present technology relates to an optical element having an antireflection concavo-convex structure for suppressing reflection of incident light on a surface, and an imaging apparatus including the optical element.

近年、光の反射を抑制する反射防止処理が表面に施された種々の光学素子が提案されている。反射防止処理の1つとして、光学部材の表面に入射光の波長以下のピッチで微細構造を形成する技術が提案されている。例えば、規則的に配列された線条凹部、又は線条凸部からなる微細構造や、規則的に配列された錐体状又は柱状の凹部、又は凸部からなる微細構造等を形成する技術が提案されている。このような微細構造が複数配列されてなる構造を「反射防止凹凸構造(SWS:Subwavelength Structured Surface)」と称することがある。   In recent years, various optical elements in which antireflection treatment for suppressing light reflection is performed on the surface have been proposed. As one of the antireflection treatments, a technique for forming a fine structure on the surface of an optical member with a pitch equal to or less than the wavelength of incident light has been proposed. For example, there is a technique for forming a fine structure composed of regularly arranged linear concave portions or linear convex portions, a regularly arranged cone-shaped or columnar concave portion, or a fine structure composed of convex portions, etc. Proposed. A structure in which a plurality of such fine structures are arranged may be referred to as an “antireflection concavo-convex structure (SWS: Substructure Structured Surface)”.

例えば、特許文献1は、部材を形成する仮想の曲面の少なくとも一部に、反射防止対象となる光線の波長以下のピッチで形成した微細周期凹凸構造からなる反射防止部を有した光学素子を開示している。   For example, Patent Document 1 discloses an optical element having an antireflection portion composed of a fine periodic concavo-convex structure formed at a pitch equal to or less than the wavelength of a light beam to be antireflection on at least a part of a virtual curved surface forming a member. doing.

特開2006−053220号公報JP 2006-053220 A

特許文献1では、光学有効面とその延長部の曲面の領域に反射防止部を設けた構成となっている。一般的に、樹脂からなる光学素子は射出成形により製造される。この場合、溶融樹脂の通り道であるゲートを介して、光学素子を成形するキャビティ内に溶融樹脂を流し込み、溶融樹脂を固化させる方法が一般的である。   In patent document 1, it has the structure which provided the reflection preventing part in the area | region of the curved surface of an optical effective surface and its extension part. Generally, an optical element made of resin is manufactured by injection molding. In this case, a general method is that the molten resin is poured into a cavity for molding the optical element through a gate which is a passage for the molten resin, and the molten resin is solidified.

本技術は、表面に微細構造からなる反射防止構造体が形成された光学素子において、従来よりも優れた反射防止機能を実現することを目的とする。   An object of the present technology is to realize an antireflection function superior to that of a conventional optical element in which an antireflection structure having a fine structure is formed on the surface.

本技術は、成形材料を加熱溶融し、ゲートを介して成形型内に射出充填して得られた光学素子であって、光軸を含む光学機能面を有する光学部と、光学部に設けられ、所定の波長以下の周期で形成された微細構造単位からなる反射防止凹凸構造と、前記光学部の外周に設けられ、ゲート跡部を有するコバ部とを備え、前記光学部は、前記ゲート跡部近傍の領域における微細構造単位の周期が前記ゲート跡部から離れた領域における微細構造単位の周期より大きくなるように構成したことを特徴とする。   The present technology is an optical element obtained by heating and melting a molding material and injection-filling it into a mold through a gate, the optical element having an optical functional surface including an optical axis, and the optical part. An antireflection concavo-convex structure composed of a fine structural unit formed with a period of a predetermined wavelength or less, and an edge portion provided on the outer periphery of the optical portion and having a gate trace portion, and the optical portion is in the vicinity of the gate trace portion It is characterized in that the period of the fine structure unit in the region is larger than the period of the fine structure unit in the region away from the gate trace portion.

本技術によれば、従来よりも優れた反射防止機能を有する光学素子を実現することができる。   According to the present technology, an optical element having an antireflection function superior to that of the related art can be realized.

本技術の一実施の形態による光学素子の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the optical element by one embodiment of this technique. 光学素子のゲート跡部近傍を拡大して示す部分拡大図及び説明図である。It is the elements on larger scale and explanatory drawing which expand and show the gate trace part vicinity of an optical element. 光学素子を光軸方向から見たときの概略図である。It is the schematic when an optical element is seen from an optical axis direction. 本実施の形態による光学素子の製造に用いる射出成形装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the injection molding apparatus used for manufacture of the optical element by this Embodiment. 本実施の形態による光学素子を成形するための成形型の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the shaping | molding die for shape | molding the optical element by this Embodiment. 光学素子を成形するための第1成形型を作製するための工程を示す概略図である。It is the schematic which shows the process for producing the 1st shaping | molding die for shape | molding an optical element. 本技術による光学素子において、反射防止構造の他の例を示す概略図である。In the optical element by this technique, it is the schematic which shows the other example of an antireflection structure. 本技術による光学素子を備えたカメラの概略図である。It is the schematic of the camera provided with the optical element by this technique.

以下、本技術の一実施の形態による光学素子について、図面を用いて説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。   Hereinafter, an optical element according to an embodiment of the present technology will be described with reference to the drawings. However, more detailed description than necessary may be omitted. For example, detailed descriptions of already well-known matters and repeated descriptions for substantially the same configuration may be omitted. This is to avoid the following description from becoming unnecessarily redundant and to facilitate understanding by those skilled in the art.

なお、発明者らは、当業者が本技術を十分に理解するために添付図面及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。   In addition, the inventors provide the accompanying drawings and the following description in order for those skilled in the art to fully understand the present technology, and these are intended to limit the subject matter described in the claims. is not.

[1.光学素子の構成]
図1は、本技術の一実施の形態による光学素子の構成を示す断面図である。図1に示すように、光学素子10は、光軸Xを含む光学機能面を有する光学部11と、光学部11の外周に設けられたコバ部12とを備える。
[1. Configuration of optical element]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical element according to an embodiment of the present technology. As shown in FIG. 1, the optical element 10 includes an optical unit 11 having an optical functional surface including the optical axis X, and an edge unit 12 provided on the outer periphery of the optical unit 11.

光学部11は、SWS(Subwavelength Structured Surface)からなる反射防止凹凸構造13が形成された第1光学面14及び第2光学面15を備えている。本実施の形態においては、第1光学面14及び第2光学面15は、曲面形状に形成されている。なお、第1光学面14及び第2光学面15の形状は、非球面形状であってもよく、平面であってもよく、自由曲面であってもよい。また、反射防止凹凸構造13は、微細構造単位が規則的に複数配列されることにより構成されている。反射防止凹凸構造13は、微細構造単位の周期以上の波長の光の反射を抑制することができる。   The optical unit 11 includes a first optical surface 14 and a second optical surface 15 on which an antireflection uneven structure 13 made of SWS (Subwavelength Structured Surface) is formed. In the present embodiment, the first optical surface 14 and the second optical surface 15 are formed in a curved surface shape. The shapes of the first optical surface 14 and the second optical surface 15 may be aspherical shapes, flat surfaces, or free curved surfaces. The antireflection concavo-convex structure 13 is configured by regularly arranging a plurality of fine structural units. The antireflection concavo-convex structure 13 can suppress reflection of light having a wavelength longer than the period of the fine structure unit.

また、コバ部12は、ゲート跡部16を有している。射出成形の場合、成形後、ゲート部は刃物等で切断除去するが、その一部が残っている。この残った部分がゲート跡部16である。   The edge portion 12 has a gate trace portion 16. In the case of injection molding, after molding, the gate portion is cut and removed with a blade or the like, but a part of it remains. This remaining portion is the gate trace portion 16.

図2(a)は、光学素子のゲート跡部近傍を拡大して示す部分拡大図である。図2(b)は、図2(a)のベース面Lの球面を平面状態にして表示した説明図である。   FIG. 2A is a partially enlarged view showing the vicinity of the gate trace portion of the optical element in an enlarged manner. FIG. 2B is an explanatory diagram in which the spherical surface of the base surface L in FIG.

図2(a)に示すように、反射防止凹凸構造13は、反射防止凹凸構造13aと、反射防止凹凸構造13bとで構成される。反射防止凹凸構造13bは、ゲート跡部16近傍の光学面上に形成されている。反射防止凹凸構造13aは、ゲート跡部16から離れた位置の光学面上に形成されている。詳細には、反射防止凹凸構造13は、光軸Xを含む領域に形成されている。   As shown in FIG. 2A, the antireflection concavo-convex structure 13 includes an antireflection concavo-convex structure 13a and an antireflection concavo-convex structure 13b. The antireflection concavo-convex structure 13 b is formed on the optical surface near the gate trace 16. The antireflection concavo-convex structure 13 a is formed on the optical surface at a position away from the gate trace 16. Specifically, the antireflection concavo-convex structure 13 is formed in a region including the optical axis X.

反射防止凹凸構造13は、ベース面Lを基準として光軸方向に向かって伸びて形成されている。ベース面Lは、反射防止凹凸構造13を形成する凸部と凸部とが交わる点を結んで形成される仮想的な面である。ベース面Lは、光学素子10に求められる光学特性を実現するために必要な形状に設計されている。   The antireflection concavo-convex structure 13 is formed to extend in the optical axis direction with the base surface L as a reference. The base surface L is a virtual surface formed by connecting the points where the convex portions and the convex portions forming the antireflection concavo-convex structure 13 intersect. The base surface L is designed in a shape necessary for realizing optical characteristics required for the optical element 10.

反射防止凹凸構造13の高さは、次のように定義される。反射防止凹凸構造13を構成する凸部の頂点を頂点Aとする。この頂点Aから光学部11方向に伸び、光軸Xに平行な線分を線分Mとする。この線分Mとベース面Lとの交点を交点Bとする。この頂点Aから交点Bまでの長さを、反射防止凹凸構造13の高さhとして定義する。   The height of the antireflection concavo-convex structure 13 is defined as follows. The vertex of the convex portion constituting the antireflection concavo-convex structure 13 is defined as a vertex A. A line segment extending from the vertex A in the direction of the optical unit 11 and parallel to the optical axis X is defined as a line segment M. An intersection point between the line segment M and the base surface L is defined as an intersection point B. The length from the vertex A to the intersection B is defined as the height h of the antireflection uneven structure 13.

図2(b)に示すように、ベース面Lの球面成分を除去した状態では、反射防止凹凸構造13aの高さ及び反射防止凹凸構造13bの高さは、略同一の高さとなる。また、反射防止凹凸構造13の周期(ピッチ)は、反射を低減したい波長以下のピッチで形成されている。反射防止凹凸構造13のピッチPは、隣り合う凹部の間の距離で定義される。具体的には、凹部の最も谷の部分を点a1とし、a1の隣の凹部の最も谷の部分を点a2とすると、点a1を通り、かつ光軸Xに平行な線分と、点a2を通り、かつ光軸Xに平行な線分の幅を反射防止凹凸構造13aのピッチP1とする。反射防止凹凸構造13bのピッチP2も同様に定義される。   As shown in FIG. 2B, in the state in which the spherical component of the base surface L is removed, the height of the antireflection uneven structure 13a and the height of the antireflection uneven structure 13b are substantially the same. In addition, the period (pitch) of the antireflection concavo-convex structure 13 is formed at a pitch equal to or less than the wavelength for which reflection is to be reduced. The pitch P of the antireflection concavo-convex structure 13 is defined by the distance between adjacent concave portions. Specifically, assuming that the most valley portion of the recess is the point a1, and the most valley portion of the recess adjacent to the a1 is the point a2, a line segment passing through the point a1 and parallel to the optical axis X, and the point a2 And the width of the line segment parallel to the optical axis X is defined as the pitch P1 of the antireflection concavo-convex structure 13a. The pitch P2 of the antireflection concavo-convex structure 13b is similarly defined.

本実施の形態では、反射防止凹凸構造13aのピッチP1よりも反射防止凹凸構造13bのピッチP2の方が大きくなるように形成されている。例えば、ピッチP1及びP2は200nm〜320nmである。ピッチP2の値は、ピッチP1よりも大きい値となるように設定される。ピッチが200nmより小さくなると、ピッチと高さの比であるアスペクト比が大きくなり、加工が困難になる。また、ピッチが320nmより大きくなると、短波長において回折現象が発生するため、カメラ等の光学製品としては使用しにくくなる。   In the present embodiment, the pitch P2 of the antireflection concavo-convex structure 13b is formed to be larger than the pitch P1 of the antireflection concavo-convex structure 13a. For example, the pitches P1 and P2 are 200 nm to 320 nm. The value of the pitch P2 is set to be a value larger than the pitch P1. When the pitch is smaller than 200 nm, the aspect ratio, which is the ratio of the pitch and the height, increases, and processing becomes difficult. In addition, when the pitch is larger than 320 nm, a diffraction phenomenon occurs at a short wavelength, which makes it difficult to use as an optical product such as a camera.

図3は、光学素子を光軸方向から見たときの概略図である。図3を用いて、ゲート跡部16近傍の領域について説明する。   FIG. 3 is a schematic view of the optical element as viewed from the optical axis direction. A region near the gate trace 16 will be described with reference to FIG.

図3に示すように、光学素子10の外径を外径Yとする。外径Yは、線分Yとして図示されている。光軸Xを通り、かつ線分Yに対して垂直な線分を線分Zとする。線分Zは、線分Yの中点を通ることになる。すなわち、線分Zは、光学素子10を2分割する線分となる。さらに、図3に示すように、光軸Xからコバ部12の端部までを線分Sで半分に区切る。すなわち、コバ部12の端部から線分Sまでの長さは、外径Lの1/4の長さとなる。本実施の形態では、コバ部12の端部から外径Lの1/4の範囲に含まれる領域を、ゲート跡部16近傍領域として定義する。このゲート跡部16近傍領域に、反射防止凹凸構造13bが形成される。   As shown in FIG. 3, the outer diameter of the optical element 10 is defined as an outer diameter Y. The outer diameter Y is illustrated as a line segment Y. A line segment passing through the optical axis X and perpendicular to the line segment Y is defined as a line segment Z. The line segment Z passes through the midpoint of the line segment Y. That is, the line segment Z is a line segment that divides the optical element 10 into two. Further, as shown in FIG. 3, the line segment S divides the optical axis X to the end of the edge portion 12 in half. That is, the length from the end of the edge portion 12 to the line segment S is ¼ of the outer diameter L. In the present embodiment, a region included in the range of ¼ of the outer diameter L from the end of the edge portion 12 is defined as a region near the gate trace portion 16. An antireflection concavo-convex structure 13 b is formed in the region near the gate trace 16.

なお、詳細は後述するが、ゲート跡部16近傍領域は、小さい方が好ましい。従って、ゲート跡部16近傍領域は、コバ部12の端部から外径Lの1/5の範囲に含まれる領域であることが好ましい。   Although details will be described later, it is preferable that the area near the gate trace 16 is smaller. Therefore, it is preferable that the region near the gate trace portion 16 is a region included in the range of 1/5 of the outer diameter L from the end portion of the edge portion 12.

[2.光学素子の製造方法]
図4は、本実施の形態による光学素子の製造に用いる射出成形装置の一例を示す概略断面図である。図4に示すように、射出成形装置20は、ペレット材などの樹脂材料21が投入されるホッパー22と、スクリュー23と、スプルー24と、ランナー25と、ゲート26と、第1成形型27と、第2成形型28と、温度調整部29とで構成される。以下、図4を用いて、光学素子10の製造方法について説明する。
[2. Manufacturing method of optical element]
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of an injection molding apparatus used for manufacturing an optical element according to the present embodiment. As shown in FIG. 4, the injection molding apparatus 20 includes a hopper 22 into which a resin material 21 such as a pellet material is charged, a screw 23, a sprue 24, a runner 25, a gate 26, and a first mold 27. The second mold 28 and the temperature adjusting unit 29 are included. Hereinafter, the manufacturing method of the optical element 10 will be described with reference to FIGS.

まず、ホッパー22に樹脂材料21を投入する。投入された樹脂材料21は、スクリュー23で計量されながら加熱される。加熱された樹脂材料21は、可塑化し溶融される。溶融した樹脂材料21は、スプルー24、ランナー25、ゲート26を通って、第1成形型27と第2成形型28とで囲まれた空間(キャビティ)に射出充填される。その後、温度調整部29により冷却されることで、キャビティに充填された樹脂材料21は固化する。その後、第1成形型27及び第2成形型28を開き、光学素子10を取り出す。光学素子10を取り出す際、光学素子10には、ゲート26、ランナー25、スプルー24の形状に固まった樹脂材料も一体として取り出されるので、ゲート26の位置を刃物等で切断する。このとき、光学素子10にゲート跡部16が形成される。   First, the resin material 21 is put into the hopper 22. The charged resin material 21 is heated while being measured by the screw 23. The heated resin material 21 is plasticized and melted. The molten resin material 21 passes through the sprue 24, the runner 25, and the gate 26 and is injected and filled into a space (cavity) surrounded by the first mold 27 and the second mold 28. Thereafter, the resin material 21 filled in the cavity is solidified by being cooled by the temperature adjusting unit 29. Thereafter, the first mold 27 and the second mold 28 are opened, and the optical element 10 is taken out. When the optical element 10 is taken out, the resin material solidified in the shape of the gate 26, the runner 25, and the sprue 24 is also taken out into the optical element 10 as a whole, so the position of the gate 26 is cut with a blade or the like. At this time, the gate trace 16 is formed in the optical element 10.

樹脂材料21は、光学素子10に要求される屈折率と分散値を満足するものであればいずれの種類でも選択可能である。   The resin material 21 can be selected from any type as long as it satisfies the refractive index and dispersion value required for the optical element 10.

射出成形して得た光学素子10は、冷却固化する過程で収縮するが、ゲート跡部16近傍とゲート跡部16近傍以外の部分で収縮量が異なる。また、内部歪の大きさも同様にゲート跡部16近傍とその他の部分で異なる。以下、収縮量が異なる理由及び内部歪が異なる理由について説明する。   The optical element 10 obtained by injection molding shrinks in the process of cooling and solidifying, but the shrinkage differs between the vicinity of the gate trace portion 16 and the portion other than the vicinity of the gate trace portion 16. Similarly, the magnitude of the internal strain differs between the vicinity of the gate trace 16 and other portions. Hereinafter, the reason why the shrinkage amount is different and the reason why the internal strain is different will be described.

まず、収縮量が異なる理由について説明する。加熱され溶融された樹脂材料21(以下単に、溶融樹脂と称する)は、ランナー25からゲート26に進入する。溶融樹脂がゲート26を通過する際に、キャビティ内のゲート26近傍の領域で、溶融樹脂にせん断力が発生する。以下、溶融樹脂に発生するせん断力について説明する。   First, the reason why the shrinkage amounts are different will be described. Heated and melted resin material 21 (hereinafter, simply referred to as molten resin) enters the gate 26 from the runner 25. When the molten resin passes through the gate 26, a shearing force is generated in the molten resin in a region near the gate 26 in the cavity. Hereinafter, the shearing force generated in the molten resin will be described.

溶融樹脂がキャビティ内に充填されるときの溶融樹脂の流れ方には以下の2種類がある。   There are the following two types of flow of the molten resin when the molten resin is filled in the cavity.

1つは、キャビティ内に入った溶融樹脂が、キャビティ内のゲート26側とは反対側の部分に到達し、その後、第1成形型27の成形面及び第2成形型28の成形面へ流れ込む場合である。第1成形型27及び第2成形型28は、溶融樹脂よりも低い温度に設定されている。そのため、第1成形型27及び第2成形型28の成形面に接触した溶融樹脂は、それぞれの成形型により冷却される。このとき、溶融樹脂の表面にスキン層と呼ばれる薄く固化した層が形成される。しかし、スキン層の内部では溶融樹脂が流れているので、溶融樹脂とスキン層との間でせん断力が発生する。   One is that the molten resin that has entered the cavity reaches a portion of the cavity opposite to the gate 26 side, and then flows into the molding surface of the first molding die 27 and the molding surface of the second molding die 28. Is the case. The first mold 27 and the second mold 28 are set to a temperature lower than that of the molten resin. Therefore, the molten resin that has contacted the molding surfaces of the first mold 27 and the second mold 28 is cooled by the respective molds. At this time, a thin and solidified layer called a skin layer is formed on the surface of the molten resin. However, since the molten resin flows inside the skin layer, a shearing force is generated between the molten resin and the skin layer.

2つ目は、溶融樹脂がゲート26からゲート26の反対側まで徐々に充填される場合である。このときも、成形面に接触した溶融樹脂にはスキン層が形成される。ゲート26近傍にスキン層が形成された後も、溶融樹脂は流れ込み続けるので、スキン層と溶融樹脂との間にせん断力が発生する。   The second is a case where the molten resin is gradually filled from the gate 26 to the opposite side of the gate 26. Also at this time, a skin layer is formed on the molten resin in contact with the molding surface. Since the molten resin continues to flow after the skin layer is formed in the vicinity of the gate 26, a shearing force is generated between the skin layer and the molten resin.

また、図4に示すように、ランナー25の径は、ゲート26の径よりも大きい。したがって、溶融樹脂は、径の大きなランナー25から径の小さなゲート26に進入することになる。すなわち、ランナー25からゲート26に進入する際に、溶融樹脂の流速が速くなる。これにより、上述したせん断力はさらに発生しやすくなる。   As shown in FIG. 4, the diameter of the runner 25 is larger than the diameter of the gate 26. Therefore, the molten resin enters the gate 26 having a small diameter from the runner 25 having a large diameter. That is, when the runner 25 enters the gate 26, the flow rate of the molten resin increases. Thereby, the shearing force described above is more likely to be generated.

このせん断力は、溶融樹脂が冷却固化する過程で内部歪として残留する。   This shear force remains as internal strain in the process of melting and solidifying the molten resin.

また、射出成形では、キャビティの奥の方が樹脂の充填率が高い。そのため、ゲート26近傍に充填された樹脂の密度は、その他の部分の樹脂の密度に比べて小さくなっている。このため、ゲート26近傍に充填された樹脂の冷却固化時の収縮量が、ゲート26近傍以外の部分に比べて大きくなる。その結果、反射防止凹凸構造13bの形状は、変形しやすくなる。   In the injection molding, the resin filling rate is higher in the back of the cavity. Therefore, the density of the resin filled in the vicinity of the gate 26 is smaller than the density of the resin in other portions. For this reason, the amount of shrinkage when the resin filled in the vicinity of the gate 26 is cooled and solidified is larger than that in the portion other than the vicinity of the gate 26. As a result, the shape of the antireflection concavo-convex structure 13b is easily deformed.

本実施の形態では、反射防止凹凸構造13bのピッチP2を、反射防止凹凸構造13aのピッチP1よりも大きく形成している。これにより、反射防止凹凸構造13bが収縮したとしても、光学性能を実現するために十分な大きさを保つことができる。また、ピッチが大きいので、金型からの離型も容易になる。   In the present embodiment, the pitch P2 of the antireflection concavo-convex structure 13b is formed larger than the pitch P1 of the antireflection concavo-convex structure 13a. Thereby, even if the antireflection concavo-convex structure 13b contracts, it is possible to maintain a sufficient size for realizing optical performance. Further, since the pitch is large, it is easy to release from the mold.

一方、ゲート26近傍以外の部分の反射防止凹凸構造13aは、軸対称で高さ寸法も所望の寸法が得られる。   On the other hand, the antireflection concavo-convex structure 13a other than the vicinity of the gate 26 is axisymmetric and has a desired height dimension.

図5は、本実施の形態による光学素子を成形するための成形型の一例を示す断面図である。第1成形型27及び第2成形型28の成形面には、反射防止凹凸構造13を成形するための微細加工が施されている。   FIG. 5 is a sectional view showing an example of a molding die for molding the optical element according to the present embodiment. On the molding surfaces of the first molding die 27 and the second molding die 28, fine processing for molding the antireflection concavo-convex structure 13 is performed.

図5に示すように、反射防止凹凸構造13aに対応する領域には、反射防止凹凸構造13aの反転形状13Aが形成されている。そして、反射防止凹凸構造13bに対応する領域には、反転形状13Bが形成されている。反転形状13Bの周期(ピッチ)は、反転形状13Aのピッチよりも大きく形成されている。   As shown in FIG. 5, an inverted shape 13A of the antireflection concavo-convex structure 13a is formed in a region corresponding to the antireflection concavo-convex structure 13a. A reverse shape 13B is formed in a region corresponding to the antireflection concavo-convex structure 13b. The period (pitch) of the inverted shape 13B is formed larger than the pitch of the inverted shape 13A.

ところで、反射防止凹凸構造13は、光学素子10に入射する光の波長を、光学素子11の屈折率で除した解以下の周期を有し、かつ入射する光の波長の0.3倍以上の高さを有していれば、反射防止効果を発現すると言われている。本実施の形態の光学素子10において、撮像装置の光学系で使用する場合、可視光400nm〜700nmの波長に対して、反射率を0.5%以下とすることが望ましく、反射防止凹凸構造の高さは210nm以上の高さを確保することが望ましい。反射防止凹凸構造13の高さは、より望ましくは使用する波長の0.4倍以上が良い。このときの反射防止凹凸構造13の高さは280nm以上であることが望ましい。高さと反射率の関係は、反射防止凹凸構造13の単位構造の形状が円錐の場合の一般的な理論から導かれるが、単位構造の形状によっては、同じ高さでも反射率が異なってくる場合がある。一般的に光学素子用樹脂材料の成形収縮率は0.1〜1.0%であり、樹脂の種類、成形条件、成形品の形状によっても異なってくる。ここで、成形収縮率とは、成形型の寸法に対する成形後の光学素子の寸法の割合を意味する。   By the way, the anti-reflection concavo-convex structure 13 has a period equal to or less than a solution obtained by dividing the wavelength of light incident on the optical element 10 by the refractive index of the optical element 11 and is 0.3 times or more of the wavelength of incident light. If it has a height, it is said to exhibit an antireflection effect. In the optical element 10 of the present embodiment, when used in the optical system of the imaging apparatus, it is desirable that the reflectance is 0.5% or less with respect to the wavelength of visible light of 400 nm to 700 nm, and the antireflection uneven structure is used. It is desirable to ensure a height of 210 nm or more. More preferably, the height of the antireflection concavo-convex structure 13 is not less than 0.4 times the wavelength used. At this time, the height of the antireflection uneven structure 13 is desirably 280 nm or more. The relationship between the height and the reflectance is derived from a general theory in which the shape of the unit structure of the antireflection uneven structure 13 is a cone. However, depending on the shape of the unit structure, the reflectance may be different even at the same height. There is. In general, the molding shrinkage of the resin material for optical elements is 0.1 to 1.0%, and varies depending on the type of resin, molding conditions, and the shape of the molded product. Here, the molding shrinkage means the ratio of the dimension of the optical element after molding to the dimension of the mold.

次に、第1成形型27及び第2成形型28の加工方法について説明する。   Next, a method for processing the first mold 27 and the second mold 28 will be described.

図6は、光学素子を成形するための第1成形型を作製するための工程を示す概略図である。なお、ここでは第1成形型27を例に挙げて説明するが、第2成形型28も同様の工程で得ることができる。   FIG. 6 is a schematic view showing a process for producing a first mold for molding an optical element. In addition, although the 1st shaping | molding die 27 is mentioned as an example and demonstrated here, the 2nd shaping | molding die 28 can also be obtained by the same process.

まず、金型母材31を用意する。そして、図6(a)に示すように、機械加工により金型母材31に光学素子形状を形成する。次に、図6(b)に示すように、金型母材31表面に金属マスク32を形成する。金属マスク32の形成方法としては、スパッタリング法・蒸着法などが好ましい。   First, a mold base material 31 is prepared. Then, as shown in FIG. 6A, an optical element shape is formed on the mold base material 31 by machining. Next, as shown in FIG. 6B, a metal mask 32 is formed on the surface of the mold base material 31. As a method for forming the metal mask 32, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like is preferable.

次に、図6(c)に示すように、金属マスク32の上にレジストマスク33を形成する。レジストマスク33の形成方法としてはスピンコート法、スプレーコート法が好ましい。   Next, as shown in FIG. 6C, a resist mask 33 is formed on the metal mask 32. As a method for forming the resist mask 33, a spin coating method or a spray coating method is preferable.

次に、図6(d)に示すように、レジストマスク33に反射防止凹凸構造13に対応したレジストドットパターン34を形成する。レジストドットパターン34の形成方法としては、電子ビーム描画法や干渉露光(ホログラム露光)法などが好ましい。   Next, as shown in FIG. 6D, a resist dot pattern 34 corresponding to the antireflection uneven structure 13 is formed on the resist mask 33. As a method for forming the resist dot pattern 34, an electron beam drawing method, an interference exposure (hologram exposure) method, or the like is preferable.

次に、図6(e)に示すように、ドライエッチングによりレジストドットパターン34を金属マスク32に転写する。それにより、金属マスクドットパターン35が形成される。なお、金属マスクドットパターン35の形成方法としては、ウェットエッチングでもよい。   Next, as shown in FIG. 6E, the resist dot pattern 34 is transferred to the metal mask 32 by dry etching. Thereby, a metal mask dot pattern 35 is formed. The metal mask dot pattern 35 may be formed by wet etching.

次に、図6(f)に示すように、ドライエッチングにより金属マスクドットパターン35を金型母材31に転写する。このとき、レジストドットパターン34の穴径を大きくすることで、反射防止凹凸構造13の反転形状を深くすることができる。これにより、金型母材31表面に反射防止凹凸構造13の反転形状36が形成される。   Next, as shown in FIG. 6F, the metal mask dot pattern 35 is transferred to the mold base 31 by dry etching. At this time, by increasing the hole diameter of the resist dot pattern 34, the inverted shape of the antireflection concavo-convex structure 13 can be deepened. Thereby, the inverted shape 36 of the antireflection concavo-convex structure 13 is formed on the surface of the mold base material 31.

次に、本技術による具体的な実施例と比較例について説明する。
(実施例)
実施例の光学素子は、図1に示すような両凸形状の光学素子である。光学素子の外径は10mmであり、厚さは中心厚3mm、コバ厚1mmである。また、光学有効径は6mmとした。樹脂材料として、三井化学株式会社製のポリオレフィン系の樹脂APL5014(屈折率nd=1.60)を使用した。反射防止凹凸構造のピッチは、入射面側の光軸付近の周期ピッチを230nm、ゲート部近傍の周期ピッチを300nmとし、出射側の光軸付近のピッチを200nm、ゲート部近傍の周期ピッチを230nmとした。
Next, specific examples and comparative examples according to the present technology will be described.
(Example)
The optical element of the embodiment is a biconvex optical element as shown in FIG. The optical element has an outer diameter of 10 mm, a thickness of 3 mm at the center, and an edge thickness of 1 mm. The effective optical diameter was 6 mm. A polyolefin resin APL5014 (refractive index nd = 1.60) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. was used as the resin material. The pitch of the anti-reflection concavo-convex structure is such that the periodic pitch near the optical axis on the incident surface side is 230 nm, the periodic pitch near the gate portion is 300 nm, the pitch near the optical axis on the exit side is 200 nm, and the periodic pitch near the gate portion is 230 nm. It was.

成形型母材31としてシリコンカーバイド(SiC)を用意した。機械加工により、成形型母材31に光学素子形状を形成し、スパッタリング法によりタングステンシリサイド(WSi)を形成した後、スピンコート法により電子ビーム用レジスト(ポジ型)を塗布した。その後、電子ビーム描画によりドット形状を描画した。   Silicon carbide (SiC) was prepared as the mold base material 31. An optical element shape was formed on the mold base material 31 by machining, tungsten silicide (WSi) was formed by sputtering, and then an electron beam resist (positive type) was applied by spin coating. Thereafter, a dot shape was drawn by electron beam drawing.

レジストドットパターンをマスクとして、アルゴンガスを用いたドライエッチングによりWSiマスクにドットパターンを形成した。引き続き、フルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングにより、成形型母材31のSiC表面に反射防止凹凸構造の反転形状を形成した。   Using the resist dot pattern as a mask, a dot pattern was formed on the WSi mask by dry etching using argon gas. Subsequently, an inverted shape of the antireflection concavo-convex structure was formed on the SiC surface of the mold base 31 by dry etching using a fluorocarbon-based gas.

反射防止凹凸構造の反転形状を微細加工した成形型を、フッ素系離型剤に浸漬して離型処理した。離型処理した金型を用いて、ポリオレフィン系の樹脂を射出成形して光学素子を作製した。   A molding die obtained by finely processing the inverted shape of the antireflection concavo-convex structure was immersed in a fluorine-based mold release agent and subjected to a mold release treatment. An optical element was produced by injection molding a polyolefin-based resin using a mold subjected to a release treatment.

成形条件は、樹脂温度を260℃、成形型温度を135℃とし、タクトは90秒とした。また、射出成形機には、8個取りの成形型を設置して射出成形した。成形型の保圧力は100MPaとした。   The molding conditions were such that the resin temperature was 260 ° C., the mold temperature was 135 ° C., and the tact was 90 seconds. Further, an injection molding machine was provided with an eight-piece mold and injection molded. The holding pressure of the mold was 100 MPa.

成形後、光学素子表面の反射防止凹凸構造の形状を計測した。反射防止凹凸構造のピッチは、入射面側、出射面側ともに、ゲート部近傍の方が、光軸近傍よりも大きい光学素子が得られた。反射防止凹凸構造13の周期は光学素子全面にわたって250nmであった。反射防止凹凸構造13の高さは、光学有効面全域で280nm以上となっており所望の形状となっていることが確認できた。   After molding, the shape of the antireflection uneven structure on the surface of the optical element was measured. An optical element having a pitch of the antireflection concavo-convex structure larger in the vicinity of the gate portion than in the vicinity of the optical axis on both the incident surface side and the output surface side was obtained. The period of the antireflection concavo-convex structure 13 was 250 nm over the entire surface of the optical element. The height of the antireflection concavo-convex structure 13 was 280 nm or more over the entire optical effective surface, and it was confirmed that it had a desired shape.

得られた光学素子の反射率を測定した結果、光学有効面内の全域において反射率は0.3%以下であり、良好な反射率特性が得られた
(比較例)
次に、同じ射出成形装置を使用して、反射防止凹凸構造の微細構造単位の周期(ピッチ)を一定にした成形型を用いて成形を行った。
As a result of measuring the reflectance of the obtained optical element, the reflectance was 0.3% or less over the entire optical effective surface, and good reflectance characteristics were obtained (Comparative Example).
Next, using the same injection molding apparatus, molding was performed using a molding die in which the period (pitch) of the fine structure unit of the antireflection uneven structure was constant.

得られた光学素子の反射率特性を測定した結果、ゲート跡部16から離れた部分の反射率は0.3%で良好であったが、ゲート跡部16近傍の反射率は1.2%であり、所望の特性を満たさなかった。   As a result of measuring the reflectance characteristics of the obtained optical element, the reflectance of the portion away from the gate trace 16 was good at 0.3%, but the reflectance near the gate trace 16 was 1.2%. The desired properties were not met.

以上説明したように、本技術によれば、表面に微細構造からなる反射防止構造体が形成された光学素子において、従来よりも優れた反射防止機能を実現することが可能となる。   As described above, according to the present technology, it is possible to realize an antireflection function superior to that of the related art in an optical element in which an antireflection structure having a fine structure is formed on the surface.

なお、本実施の形態においては、反射防止凹凸構造13は第1光学面14及び第2光学面15上にのみ設けられているが、反射防止凹凸構造13が形成される面はこれに限らない。反射防止凹凸構造13は、第1光学面のみに設けられてもよい。また、反射防止凹凸構造13は、第2光学面15のみに設けられてもよい。   In the present embodiment, the antireflection uneven structure 13 is provided only on the first optical surface 14 and the second optical surface 15, but the surface on which the antireflection uneven structure 13 is formed is not limited thereto. . The antireflection concavo-convex structure 13 may be provided only on the first optical surface. Further, the antireflection uneven structure 13 may be provided only on the second optical surface 15.

また、本実施の形態の光学素子10は、両凸形状であったが本技術はこれには限らない。例えば、光学素子は、両凹形状でもよく、凸メニスカス形状でもよく、凹メニスカス形状でもよい。   Moreover, although the optical element 10 of this Embodiment was biconvex shape, this technique is not restricted to this. For example, the optical element may have a biconcave shape, a convex meniscus shape, or a concave meniscus shape.

また、本実施の形態においては、反射防止凹凸構造13として、微細構造単位が円錐形状(図7(a)参照)の反射防止構造体を例に挙げて説明しているが、必ずしもこのような構成に限定されるものではない。例えば、微細構造単位が正六角錐形状や、四角錐形状などの角錐形状(図7(b)参照)であってもよい。また、反射防止構造体の微細構造単位の形状は、必ずしも円錐又は角錐状に限定されるものではなく、円柱状(図7(c)参照)や角柱状(図7(d)参照)などの柱状であってもよい。さらに、先端が丸くなっている釣鐘状(図7(e)及び図7(f)参照)であっても、円錐台状(図7(g)参照)や角錐台状(図7(h)参照)などの円錐台又は角錐台状であってもいずれでもよい。また、各微細構造単位は、厳密な幾何学的な形状である必要はなく、実質的に円錐又は角錐状、柱状、釣鐘状、円錐台又は角錐台状であればよい。要するに、反射防止凹凸構造13は、少なくとも、各微細構造単位が反射を低減すべき光の波長よりも小さいピッチで配列されていればよい。   In the present embodiment, the antireflection concavo-convex structure 13 is described by taking an antireflection structure having a fine structure unit of a conical shape (see FIG. 7A) as an example. The configuration is not limited. For example, the fine structural unit may be a regular hexagonal pyramid shape or a pyramid shape such as a quadrangular pyramid shape (see FIG. 7B). Further, the shape of the fine structure unit of the antireflection structure is not necessarily limited to a cone or a pyramid shape, and may be a columnar shape (see FIG. 7C) or a prismatic shape (see FIG. 7D). It may be columnar. Furthermore, even in the shape of a bell with a rounded tip (see FIGS. 7 (e) and 7 (f)), a truncated cone (see FIG. 7 (g)) or a truncated pyramid (see FIG. 7 (h)). The shape may be either a truncated cone or a truncated pyramid. Moreover, each fine structural unit does not need to be a strict geometric shape, and may be substantially conical or pyramidal, columnar, bell-shaped, truncated cone or truncated pyramid. In short, the antireflection concavo-convex structure 13 only needs to be arranged at a pitch smaller than the wavelength of light at which each fine structure unit should reduce reflection.

次に、本技術による光学素子を備えた撮像装置の一例として、カメラの構成について説明する。図8には、本技術による光学素子を備えたカメラの概略図である。   Next, a configuration of a camera will be described as an example of an imaging apparatus including an optical element according to the present technology. FIG. 8 is a schematic view of a camera including an optical element according to the present technology.

図8に示すように、カメラ100は、カメラ本体110と、カメラ本体110に取り付けられた交換レンズ120とを備えている。   As shown in FIG. 8, the camera 100 includes a camera body 110 and an interchangeable lens 120 attached to the camera body 110.

カメラ本体110は、撮像素子130を有し、交換レンズ120は、カメラ本体110に着脱可能に構成されている。交換レンズ120は、例えば、望遠ズームレンズである。交換レンズ120は、光束をカメラ本体110の撮像素子130上に合焦させるための結像光学系140を有している。結像光学系140は、レンズ素子として機能する本技術による光学素子10と、屈折型レンズ150、160とで構成されている。   The camera body 110 has an image sensor 130, and the interchangeable lens 120 is configured to be detachable from the camera body 110. The interchangeable lens 120 is, for example, a telephoto zoom lens. The interchangeable lens 120 has an imaging optical system 140 for focusing the light beam on the image sensor 130 of the camera body 110. The imaging optical system 140 includes the optical element 10 according to the present technology that functions as a lens element, and refractive lenses 150 and 160.

このような構成とすることにより、優れた光の反射防止機能を有するカメラを実現することが可能となる。   With such a configuration, a camera having an excellent antireflection function for light can be realized.

以上のように、本技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。   As described above, the embodiments have been described as examples of the present technology. For this purpose, the accompanying drawings and detailed description are provided. Accordingly, among the components described in the attached drawings and detailed description, not only the components essential for solving the problem, but also the components not essential for solving the problem in order to exemplify the above technique. May also be included. Therefore, it should not be immediately recognized that these non-essential components are essential as those non-essential components are described in the accompanying drawings and detailed description.

また、上述の実施の形態は、本技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。   Moreover, since the above-mentioned embodiment is for illustrating this technique, various changes, replacements, additions, omissions, and the like can be made within the scope of the claims or an equivalent scope thereof.

以上のように本技術によれば、高品位な結像光学系、対物光学系、走査光学系、ピックアップ光学系等の各種光学系、光学素子鏡筒ユニット、光ピックアップユニット、撮像ユニット等の各種光学ユニット、及び撮像装置、光ピックアップ装置、光走査装置等を実現することが可能となる。   As described above, according to the present technology, various optical systems such as a high-quality imaging optical system, objective optical system, scanning optical system, and pickup optical system, optical element barrel unit, optical pickup unit, imaging unit, and the like. An optical unit, an imaging device, an optical pickup device, an optical scanning device, and the like can be realized.

10 光学素子
11 光学部
12 コバ部
13、13a、13b 反射防止凹凸構造
13A、13B 反転形状
14 第1光学面
15 第2光学面
16 ゲート跡部
20 射出成形装置
21 樹脂材料
22 ホッパー
23 スクリュー
24 スプルー
25 ランナー
26 ゲート
27 第1成形型
28 第2成形型
29 温度調整部
31 金型母材
32 金属マスク
33 レジストマスク
34 レジストドットパターン
35 金属マスクドットパターン
36 反転形状
100 カメラ
110 カメラ本体
120 交換レンズ
130 撮像素子
140 結像光学系
150、160 屈折型レンズ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Optical element 11 Optical part 12 Edge part 13, 13a, 13b Anti-reflective uneven structure 13A, 13B Reverse shape 14 1st optical surface 15 2nd optical surface 16 Gate trace part 20 Injection molding apparatus 21 Resin material 22 Hopper 23 Screw 24 Sprue 25 Runner 26 Gate 27 First mold 28 Second mold 29 Temperature adjusting unit 31 Mold base 32 Metal mask 33 Resist mask 34 Resist dot pattern 35 Metal mask dot pattern 36 Inverted shape 100 Camera 110 Camera body 120 Interchangeable lens 130 Imaging Element 140 Imaging optical system 150, 160 Refractive lens

Claims (4)

成形材料を加熱溶融し、ゲートを介して成形型内に射出充填して得られた光学素子であって、
光軸を含む光学機能面を有する光学部と、光学部に設けられ、所定の波長以下の周期で形成された微細構造単位からなる反射防止凹凸構造と、前記光学部の外周に設けられ、ゲート跡部を有するコバ部とを備え、
前記光学部は、前記ゲート跡部近傍の領域における微細構造単位の周期が前記ゲート跡部から離れた領域における微細構造単位の周期より大きくなるように構成したことを特徴とする光学素子。
An optical element obtained by heating and melting a molding material and injection-filling it into a mold through a gate,
An optical part having an optical functional surface including an optical axis, an antireflection uneven structure comprising fine structural units provided in the optical part and formed with a period equal to or less than a predetermined wavelength, and provided on the outer periphery of the optical part; And an edge portion having a trace portion,
The optical element is configured such that a period of the fine structure unit in a region near the gate trace portion is larger than a period of the fine structure unit in a region away from the gate trace portion.
前記ゲート跡部近傍の領域は、コバ部の端部から光学素子の外径の1/4の範囲に含まれる領域である請求項1に記載の光学素子。 2. The optical element according to claim 1, wherein the region in the vicinity of the gate trace portion is a region included in a range of ¼ of the outer diameter of the optical element from an end portion of the edge portion. 前記光学部に設けられた微細構造単位は、ゲート跡部近傍の領域の光軸方向の高さと、前記ゲート跡部から離れた領域の光軸方向の高さとが略同一の高さとなるように設けられている請求項1に記載の光学素子。 The fine structure unit provided in the optical unit is provided such that the height in the optical axis direction of the region in the vicinity of the gate trace portion and the height in the optical axis direction of the region away from the gate trace portion are substantially the same height. The optical element according to claim 1. 結像光学系に請求項1に記載の光学素子を備えたことを特徴とする撮像装置。
An imaging apparatus comprising the optical element according to claim 1 in an imaging optical system.
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