JP2015162644A - Wiring board and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof.
従来、薄型の配線基板として、薄い絶縁層に例えばテーパ状の複数の貫通孔を設け、これらの貫通孔内をめっき導体で充填するとともに絶縁層の上下面に同じめっき導体から成る配線導体を形成した配線基板が知られている。 Conventionally, as a thin wiring board, a plurality of tapered through holes, for example, are provided in a thin insulating layer, the insides of these through holes are filled with plating conductors, and wiring conductors made of the same plating conductor are formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer. A printed wiring board is known.
しかしながら、このような配線基板では、貫通孔内を充填するめっき導体と絶縁層の上下面のめっき導体とが同じめっき導体から成るため、貫通孔内を十分に充填するだけのめっき導体を形成しようとすると、絶縁層の上下面にも例えば厚みが40μm程度の厚いめっき導体が形成されてしまう。このように絶縁層の上下面に形成されるめっき導体の厚みが40μm程度と厚いと、このめっき導体により形成される配線導体の幅および間隔としては、めっき導体の厚みおよび絶縁層とのアンカー深さを考慮すると配線導体幅は、50μm程度、配線導体同士の間隔においては、60μm程度が限界となり、それ以上に細い幅および狭い間隔の配線導体を形成することは困難である。したがって、このような従来の配線基板においては、例えば配線導体の幅および間隔が30μm以下の高密度配線を有する薄型の配線基板を得ることはできなかった。 However, in such a wiring board, the plated conductor filling the through hole and the plated conductors on the upper and lower surfaces of the insulating layer are made of the same plated conductor, so try to form a plated conductor sufficient to fill the through hole sufficiently. Then, a thick plated conductor having a thickness of, for example, about 40 μm is also formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer. Thus, when the thickness of the plating conductor formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer is as thick as about 40 μm, the width and interval of the wiring conductor formed by the plating conductor include the thickness of the plating conductor and the anchor depth with the insulating layer. In consideration of this, the width of the wiring conductor is about 50 μm, and the distance between the wiring conductors is limited to about 60 μm, and it is difficult to form wiring conductors with a narrower width and narrower spacing than that. Therefore, in such a conventional wiring board, it has been impossible to obtain a thin wiring board having high-density wiring with a wiring conductor width and interval of 30 μm or less, for example.
そこで本願出願人は、先に特願2010−185803(特開2012−44081号公報)において、高密度配線を有する薄型の配線基板を提供する方法を提案した。この方法は、絶縁層に貫通孔を設けた後、貫通孔内およびその周囲に、貫通孔を充填するように第1のめっき導体を一旦形成し、次にこの第1のめっき導体が貫通孔の上下方向の中央部を充填して残るようにエッチング処理し、次に貫通孔内の第1のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに絶縁層の上下面で配線導体を形成する第2のめっき導体をセミアディティブ法により形成する工程とを行なうものである。 Therefore, the applicant of the present application previously proposed a method for providing a thin wiring board having high-density wiring in Japanese Patent Application No. 2010-185803 (Japanese Patent Laid-Open No. 2012-44081). In this method, after a through hole is provided in an insulating layer, a first plated conductor is once formed in and around the through hole so as to fill the through hole, and then the first plated conductor is formed in the through hole. A second etching process is performed so as to fill and leave the central portion in the vertical direction of the first and second portions, and then fill a portion outside the first plated conductor in the through hole and form a wiring conductor on the upper and lower surfaces of the insulating layer. And a step of forming the plated conductor by a semi-additive method.
しかしながら、この特願2010−185803で提案した方法により形成された配線基板においては、さらなる高密度化の要求に対応して貫通孔の配列ピッチを狭いものとしていくと、貫通孔内を充填するめっき導体を構成する金属イオンが、隣接する貫通孔同士の間でマイグレーションを起こして電気的な絶縁信頼性が低下してしまうという問題があった。これは貫通孔を設けた際に、絶縁層の厚み方向の中央部に補強材として一般的に入っているガラスクロスの断面が貫通孔内に露出し、その露出したガラスクロスと樹脂材料との界面を伝って金属イオンが移動するためである。 However, in the wiring board formed by the method proposed in Japanese Patent Application No. 2010-185803, if the through-hole arrangement pitch is made narrower in response to the demand for higher density, plating that fills the inside of the through-holes is performed. There has been a problem in that the metal ions constituting the conductor cause migration between adjacent through-holes, resulting in a decrease in electrical insulation reliability. This is because when a through hole is provided, a cross section of a glass cloth that is generally contained as a reinforcing material in the central portion in the thickness direction of the insulating layer is exposed in the through hole, and the exposed glass cloth and the resin material This is because metal ions move through the interface.
本発明は、隣接する貫通孔の配設ピッチを狭いものとしても、隣接する貫通孔の間におけるマイグレーションが有効に防止され、それにより電気的絶縁信頼性の高い、高密度配線を有する薄型の配線基板およびその製造方法を提供することを課題とするものである。 According to the present invention, even if the pitch between adjacent through holes is narrow, migration between adjacent through holes can be effectively prevented, and thereby thin wiring having high-density wiring with high electrical insulation reliability. It is an object of the present invention to provide a substrate and a manufacturing method thereof.
本発明の配線基板は、ガラスクロス入りの樹脂材料から成り、上下に貫通する貫通孔を有する絶縁層と、前記貫通孔内を充填するとともに前記絶縁層の上下面にセミアディティブ法により被着されためっき導体から成る配線導体とを具備して成る配線基板であって、前記めっき導体は、前記貫通孔の上下方向の中央部のみを充填する第1のめっき導体と、前記貫通孔内の前記第1のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに前記上下面の前記配線導体を形成する第2のめっき導体とから成り、前記第1のめっき導体は、前記貫通孔内壁を被覆するカーボンブラック膜を下地導体として形成されており、前記第2のめっき導体は、前記貫通孔内壁では前記カーボンブラック膜およびその上の無電解めっき膜を下地導体とし、前記絶縁層の上下面では無電解めっき膜のみを下地導体として形成されていることを特徴とするものである。 The wiring board of the present invention is made of a resin material containing glass cloth, and has an insulating layer having a through-hole penetrating vertically, and fills the inside of the through-hole and is attached to the upper and lower surfaces of the insulating layer by a semi-additive method. A wiring board comprising a plated conductor, wherein the plated conductor includes a first plated conductor that fills only a central portion in the vertical direction of the through-hole, and the above-described plated conductor. A second plating conductor that fills a portion outside the first plating conductor and forms the wiring conductors on the upper and lower surfaces, and the first plating conductor is carbon black that covers the inner wall of the through hole. The second plating conductor is formed on the inner wall of the through hole with the carbon black film and the electroless plating film thereon as a base conductor, and the insulating layer The lower surface is characterized in that it is formed only electroless plated film as a base conductor.
本発明の配線基板の製造方法は、ガラスクロス入りの樹脂材料から成る絶縁層の上下面に銅箔が張着された両面銅張積層板の上面から下面にかけて貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内壁および前記銅箔の露出表面をカーボンブラック膜で被覆する工程と、前記カーボンブラック膜を下地導体として全面電解めっきを行うことにより、前記貫通孔内および前記銅箔上に前記貫通孔を完全に充填する厚みの第1のめっき導体を形成する工程と、前記第1のめっき導体および前記銅箔をエッチングして前記絶縁層の上下面を露出させるとともに、前記貫通孔の上下方向の中央部を充填するように前記第1のめっき導体を残す工程と、前記貫通孔内の前記第1のめっき導体よりも外側の部分および前記絶縁層の上下面を無電解めっき膜で被覆する工程と、前記無電解めっき膜を下地導体としてセミアディティブ法により電解めっきを行うことにより前記貫通孔内の前記第1のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに前記上下面に配線導体となる第2のめっき導体を形成する工程とを行なうことを特徴とするものである。 The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of forming a through hole from the upper surface to the lower surface of a double-sided copper clad laminate in which a copper foil is stretched on the upper and lower surfaces of an insulating layer made of a resin material containing glass cloth, A step of coating the inner wall of the through hole and the exposed surface of the copper foil with a carbon black film, and performing electrolytic plating on the entire surface using the carbon black film as a base conductor, thereby forming the through hole in the through hole and on the copper foil. A step of forming a first plating conductor having a thickness to be completely filled; and etching the first plating conductor and the copper foil to expose the upper and lower surfaces of the insulating layer, and the vertical center of the through hole A step of leaving the first plating conductor so as to fill a portion, and covering a portion outside the first plating conductor in the through hole and the upper and lower surfaces of the insulating layer with an electroless plating film Then, by performing electroplating by the semi-additive method using the electroless plating film as a base conductor, a portion outside the first plating conductor in the through hole is filled and the upper and lower surfaces become wiring conductors. And a step of forming a second plated conductor.
本発明の配線基板によれば、絶縁層の上下面で配線導体を形成する第2のめっき導体は、無電解めっき膜のみを下地導体としてセミアディティブ法で形成されていることから、隣接する配線導体間での電気的絶縁信頼性に優れる高密度配線が可能である。また、貫通孔内を充填する第1のめっき導体および第2のめっき導体は、貫通孔内壁を被覆するカーボンブラック膜を下地導体として有することから、このカーボンブラック膜がマイグレーションのバリアとして機能する。したがって、隣接する貫通孔の配設ピッチが狭いものであったとしても、隣接する貫通孔の間におけるマイグレーションが有効に防止され、絶縁信頼性の高い配線基板とすることができる。 According to the wiring board of the present invention, since the second plating conductor forming the wiring conductor on the upper and lower surfaces of the insulating layer is formed by the semi-additive method using only the electroless plating film as the base conductor, the adjacent wiring High-density wiring with excellent electrical insulation reliability between conductors is possible. Further, since the first plating conductor and the second plating conductor filling the inside of the through hole have a carbon black film covering the inner wall of the through hole as a base conductor, the carbon black film functions as a migration barrier. Therefore, even if the arrangement pitch of adjacent through holes is narrow, migration between adjacent through holes is effectively prevented, and a wiring board with high insulation reliability can be obtained.
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、貫通孔を有する両面銅張積層板の貫通孔内および銅箔の露出表面をカーボンブラック膜で被覆した後、そのカーボンブラック膜を下地導体として全面電解めっきを行うことにより、貫通孔内および銅箔上に貫通孔を完全に充填する厚みの第1のめっき導体を形成し、次にその第1のめっき導体および銅箔をエッチングして絶縁層の上下面を露出させるとともに、貫通孔の上下方向の中央部を充填するように第1のめっき導体を残すことから、貫通孔の内壁のみがカーボンブラック膜で被覆された状態となる。カーボンブラック膜は、貫通孔同士の間のマイグレーションに対するバリアとして機能するので、隣接する貫通孔の配設ピッチを狭いものにしたとしても、隣接する貫通孔の間におけるマイグレーションが有効に防止される。 In addition, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the carbon black film is used as a base conductor after the inside of the through hole of the double-sided copper clad laminate having the through hole and the exposed surface of the copper foil are coated with the carbon black film By performing electrolytic plating on the entire surface, a first plated conductor having a thickness that completely fills the through hole in the through hole and on the copper foil is formed, and then the first plated conductor and the copper foil are etched to be insulated. Since the upper and lower surfaces of the layer are exposed and the first plated conductor is left so as to fill the vertical center of the through hole, only the inner wall of the through hole is covered with the carbon black film. Since the carbon black film functions as a barrier against migration between the through holes, even if the arrangement pitch of the adjacent through holes is narrow, migration between the adjacent through holes is effectively prevented.
さらに、貫通孔内の第1のめっき導体よりも外側の部分および絶縁層の上下面を無電解めっき膜で被覆するとともに、その無電解めっき膜を下地導体としてセミアディティブ法により電解めっきを行うことにより貫通孔内の第1のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに絶縁層の上下面に配線導体となる第2のめっき導体を形成することから、絶縁層の上下面に、無電解銅めっきのみを下地導体としてセミアディティブ法により形成された第2のめっき導体から成る配線導体を絶縁信頼性高く、かつ高密度に形成可能となる。 Furthermore, the portion outside the first plating conductor in the through hole and the upper and lower surfaces of the insulating layer are covered with an electroless plating film, and the electroless plating film is electroplated by a semi-additive method using the electroless plating film as a base conductor. Since the second plating conductor serving as the wiring conductor is formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer while filling the portion outside the first plating conductor in the through-hole, the electroless copper is formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer. A wiring conductor composed of the second plating conductor formed by the semi-additive method using only plating as a base conductor can be formed with high insulation reliability and high density.
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を添付の図1を基に説明する。図1において、1は絶縁層、2は配線導体であり、主としてこれらで配線基板10が形成されている。
Next, an example of an embodiment of a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, 1 is an insulating layer, 2 is a wiring conductor, and the
絶縁層1は、ガラスクロス3入りの樹脂材料4から成る。絶縁層1の厚みは150〜250μm程度である。樹脂材料4としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。
The
絶縁層1の上面から下面にかけては、複数の貫通孔5が形成されている。貫通孔5の直径は、30〜100μm程度である。
A plurality of through
貫通孔5の内壁は、カーボンブラック膜6で被覆されている。カーボンブラック膜6は、カーボンブラックの微粒子の連続層により形成されている。カーボンブラック膜6を形成するカーボンブラックの粒径は、0.05〜0.1μm程度である。
The inner wall of the
カーボンブラック膜6が形成された貫通孔5の厚み方向の中央部には、第1のめっき導体7が形成されている。第1のめっき導体7は、カーボンブラック膜6を下地導体とした電解銅めっきにより形成されており、貫通孔5の厚み方向の中央部のみを充填している。
A first plated
貫通孔5内の第1のめっき導体7よりも外側の部分および絶縁層1の上下面には、無電解銅めっき膜8を下地導体として第2のめっき導体9がセミアディティブ法により形成されている。第2のめっき導体9は、電解銅めっきから成り、貫通孔5内の第1のめっき導体7よりも外側の部分を充填するとともに、絶縁層1上下面の配線導体2を形成している。無電解銅めっき膜8の厚みは、0.1〜1μm程度である。第2のめっき導体9の厚みは、絶縁層1の上下面上で10〜20μm程度である。
A second plated
この配線基板10においては、貫通孔5の厚み方向の中央部が第1のめっき導体7で充填されていることから、第2のめっき導体9は、貫通孔5の残部を充填するだけでよい。したがって、後述するように第2のめっき導体9を形成する際に、絶縁層1の上下面における第2のめっき導体9の厚みを10〜20μm程度の薄いものとすることができる。さらに絶縁層1の上下面の第2のめっき導体9は、微細加工に適するセミアディティブ法により形成されているので、絶縁基板1の上下面における配線導体2の幅および間隔が30μm以下の微細な配線導体2を高密度で形成することができる。
In this
また上述したように、貫通孔5内はカーボンブラック膜6で被覆されている。このカーボンブラック膜6は、金属イオンのマイグレーションに対するバリアとして機能する。したがって、隣接する貫通孔5の配設ピッチPを例えば150μm以下の狭いものとしたとしても、隣接する貫通孔5の間における銅イオンのマイグレーションがカーボンブラック膜6により有効に防止される。
Further, as described above, the inside of the
かくして、本例の配線基板10によれば、隣接する貫通孔5の配設ピッチPを狭いものとしても、隣接する貫通孔5の間におけるマイグレーションが有効に防止され、それにより電気的絶縁信頼性の高い、高密度配線を有する薄型の配線基板10を提供することができる。
Thus, according to the
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を、添付の図2(a)〜(e)および図3(f)〜(j)を基に説明する。なお、これらの図2および図3において、上述した配線基板10の場合と同様の部位には同様の符号を付し、煩雑さをさけるため、その詳細な説明は省略する。
Next, an example of an embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (e) and FIGS. 3 (f) to 3 (j). 2 and 3, the same parts as those of the
先ず、図2(a)に示すように、両面銅張積層板11を準備する。両面銅張積層板11は、ガラスクロス3入りの樹脂材料4から成る絶縁層1の上下面に銅箔12を張着したものである。絶縁層1の厚みは150〜200μm程度、銅箔13の厚みは2〜18μm程度である。
First, as shown in FIG. 2A, a double-sided copper-clad
次に、図2(b)に示すように、両面銅張板11の上面から下面にかけて貫通孔5を形成する。貫通孔5は、例えばレーザ加工により形成する。レーザ加工では、貫通孔5におけるレーザの入射側の開口径が出射側の開口径よりも大きくなる。したがって、貫通孔5はテーパ形状となる。貫通孔5がこのようにテーパ形状であると、貫通孔5の内部をめっき導体で充填することが容易となる。絶縁層1における貫通孔5の直径は、レーザの入射側で80〜100μm程度、レーザの出射側で30〜60μm程度となる。また、銅箔12は、絶縁層1よりもレーザ加工されにくいので、貫通孔5の上下端に銅箔12の一部が庇状に突出した状態となる。なお、貫通孔5を形成した後には、デスミア処理をすることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 2 (b), the through
次に、図2(c)に示すように、貫通孔5の内壁および銅箔12の露出表面をカーボンブラック膜6で被覆する。カーボンブラック膜6による被覆は、貫通孔5が形成された両面銅張積層板11の表面をクリーニングおよびコンディショニング処理によりプラス電荷に帯電させた後、この帯電面にマイナス電荷をもつカーボンブラック粒子を吸着させる方法が用いられる。カーボンブラックの微粒子を吸着させるには、カーボンブラックの微粒子が分散されたカーボンブラック分散液中に両面銅張積層板11を浸漬したり、カーボンブラック分散液をスプレーしたりする方法が採用される。これによりカーボンブラック微粒子の連続膜が形成される。なお、必要に応じてカーボンブラック粒子の吸着を複数回繰り返してもよい。
Next, as shown in FIG. 2C, the inner wall of the through
次に、図2(d)に示すように、貫通孔5内および銅箔12上に第1のめっき導体7を形成する。第1のめっき導体7の形成は、カーボンブラック膜6を下地導体として電解銅めっきを全面めっきすることにより行われる。このとき、第1のめっき導体7が貫通孔5内を完全に充填するとともに銅箔12上における第1のめっき導体7の厚みが40μm程度となるようにめっきする。
Next, as shown in FIG. 2 (d), the first plated
次に、図2(e)に示すように、第1のめっき導体7および銅箔12をエッチングして絶縁層1の上下面を露出させるとともに、貫通孔5の上下方向の中央部を充填するように前記第1のめっき導体7を残す。このとき、貫通孔5内に残った第1のめっき導体7が絶縁層1の上下面からそれぞれ5〜40μm凹む程度までエッチングする。貫通孔5内に残った第1のめっき導体7が絶縁層1の上下面から5μmより浅く凹むようにエッチングした場合、絶縁層1の上下面に銅箔12が部分的に残留して微細な配線導体2の形成を妨げる危険性が大きくなり、逆に40μmよりも深く凹むようにエッチングすると、第2のめっき導体9を形成する際にその凹みを完全に充填するために絶縁層1の上下面に析出する第2のめっき導体9の厚みが20μmを超える厚いものとなって、微細な配線導体2を形成することが困難となる。
Next, as shown in FIG. 2 (e), the first plated
次に、図3(f)に示すように、貫通孔5内の第1のめっき導体7よりも外側の部分および絶縁層1の上下面を無電解銅めっき膜8で被覆する。無電解銅めっき膜8の厚みは、0.1〜1μm程度とする。
Next, as shown in FIG. 3 (f), the portion outside the
次に、図3(g)に示すように、絶縁層1上下面の無電解銅めっき膜8上に配線導体2のパターンに対応した開口パターンを有するめっきレジスト13を形成する。めっきレジスト13の開口パターンは、幅および間隔が30μm以下の開口パターンを含んでいる。
Next, as shown in FIG. 3G, a plating resist 13 having an opening pattern corresponding to the pattern of the
次に、図3(h)に示すように、めっきレジスト13の開口パターンから露出する無電解銅めっき膜8の表面に、電解銅めっき法により第2のめっき導体9を析出させる。この第2のめっき導体9は、貫通孔5の第1のめっき導体7よりも外側の部分を充填するとともに絶縁層1の上下面で10〜20μm程度の厚みとなるように形成する。この場合、貫通孔5の厚み方向の中央部は既に第1のめっき導体7により充填されているので、第2のめっき導体9は、貫通孔5の上下端部のみを充填する厚みに被着させればよいので、絶縁層1の上下面に厚みが10〜20μmの薄い第2のめっき導体9を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 3H, a second plated
次に、図3(i)に示すように、めっきレジスト13を剥離除去する。めっきレジスト13の剥離には、アルカリ系の剥離液を用いることができる。 Next, as shown in FIG. 3I, the plating resist 13 is peeled and removed. An alkaline stripping solution can be used for stripping the plating resist 13.
最後に、図3(j)に示すように、第2のめっき導体9から露出する無電解めっき膜8をエッチング除去する。これによって、貫通孔5内が第1のめっき導体7および第2のめっき導体9で充填されているとともに絶縁層1の上下面に第2のめっき導体9から成る配線導体2が形成された配線基板10が完成する。この第2のめっき導体9から成る配線導体2の形成方法は、セミアディティブ法と呼ばれるものであり、下地導体である無電解めっき膜8の上に、配線導体2に対応したパターンの第2のめっき導体9を選択的に析出させた後、第2のめっき導体9から露出する無電解めっき膜8をエッチング除去することにより配線導体2を形成するので、絶縁層1の上下面で配線導体2を形成する第2のめっき導体9が大きくエッチングされることがない。したがって、セミアディティブ法によれば、例えば幅および間隔が30μm以下の微細な配線導体2を高密度で形成可能である。
Finally, as shown in FIG. 3 (j), the
また、貫通孔5の内壁をカーボンブラック膜6で被覆することから、このカーボンブラック膜6が貫通孔5同士の間のマイグレーションに対するバリアとして機能するので、隣接する貫通孔6の配設ピッチPを例えば150μm以下の狭いものにしたとしても、隣接する貫通孔6の間におけるマイグレーションが有効に防止される。
In addition, since the inner wall of the through
したがって、本例の配線基板の製造方法によれば、隣接する貫通孔5の配設ピッチPを狭いものとしても、隣接する貫通孔5の間におけるマイグレーションが有効に防止され、それにより電気的絶縁信頼性の高い、高密度配線を有する薄型の配線基板10を提供することができる。
Therefore, according to the manufacturing method of the wiring board of this example, even if the arrangement pitch P of the adjacent through
1 絶縁層
2 配線導体
3 ガラスクロス
4 樹脂材料
5 貫通孔
6 カーボンブラック膜
7 第1のめっき導体
8 無電解めっき膜
9 第2のめっき導体
10 配線基板
11 両面銅張積層板
12 銅箔
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|---|---|---|---|---|
| JP2023504416A (en) * | 2019-11-27 | 2023-02-03 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | circuit board |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160401 |