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JP2015149390A - Imprint device, die, and method of manufacturing article - Google Patents

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JP2015149390A
JP2015149390A JP2014021234A JP2014021234A JP2015149390A JP 2015149390 A JP2015149390 A JP 2015149390A JP 2014021234 A JP2014021234 A JP 2014021234A JP 2014021234 A JP2014021234 A JP 2014021234A JP 2015149390 A JP2015149390 A JP 2015149390A
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conductive film
mold
pattern
imprint apparatus
imprint
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仁至 佐藤
Hitoshi Sato
仁至 佐藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprint device which is advantageous for inhibiting particles from being attached to a pattern part of a die.SOLUTION: An imprint device 100 is formed by a dielectric body and transfers a pattern to an imprint material supplied to a substrate using a die 5 having a pattern part 5a in which the pattern is formed and a first conductive film 30. This device includes: a second conductive film 31 that is installed at a position opposite to the first conductive film 30 via a body of the die 5; and a power supply 32 that is connected to the first conductive film 30 and the second conductive film 31 and electrifies electrical charges by energizing the first conductive film 30 and the second conductive film 31.

Description

本発明は、インプリント装置、型、および物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus, a mold, and an article manufacturing method.

従来のフォトリソグラフィ技術に加え、基板上の樹脂(インプリント材、光硬化性樹脂)を型(モールドまたはテンプレートともいわれる)で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術がある。この技術はインプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のパターン形成領域の1つに樹脂を塗布(供給)する。次に、パターン部を有する型を用いて、基板上の樹脂を成形する。そして、光を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。なお、光硬化法以外にも、例えば熱サイクル法が存在するが、これらの相違は、樹脂を硬化させる方法にあり、型を用いて樹脂のパターンを成形するまでの工程は、基本的に同一である。   In addition to the conventional photolithography technology, there is a microfabrication technology in which a resin (imprint material, photocurable resin) on a substrate is molded with a mold (also referred to as a mold or a template) to form a resin pattern on the substrate. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate. For example, one of the imprint techniques is a photocuring method. In an imprint apparatus employing a photocuring method, first, a resin is applied (supplied) to one of the pattern formation regions on the substrate. Next, a resin on the substrate is molded using a mold having a pattern portion. Then, the resin pattern is formed on the substrate by irradiating light to cure the resin and then separating it. In addition to the photocuring method, for example, there is a thermal cycle method, but these differences are in the method of curing the resin, and the process until the resin pattern is molded using a mold is basically the same. It is.

このようなインプリント装置では、上記のように微細化が求められており、型のパターン部にパーティクル(塵埃、異物)が付着することは、成形されるパターンに影響を及ぼす可能性があり望ましくない。ここで、パターン部に異物が付着する原因としては、型と基板上の樹脂とを剥離させる際に発生し、周囲のパーティクルを型に引き寄せてしまう静電気が上げられる。そこで、剥離させる際に型に発生する静電気を除去するために、特許文献1は、型の除電を行うイオナイザを備えた転写装置を開示している。特許文献2は、パターン部に導電膜を配し、保持具を介して静電気をアースへ導く転写装置を開示している。一方、特許文献3は、転写装置とは異なるが、周囲に静電気を発生させることで、基板へのパーティクルの付着を抑える基板の搬送装置を開示している。   In such an imprint apparatus, miniaturization is required as described above, and the adhesion of particles (dust, foreign matter) to the pattern portion of the mold may affect the pattern to be molded, and is desirable. Absent. Here, the cause of foreign matter adhering to the pattern portion is generated when the mold and the resin on the substrate are peeled off, and static electricity that attracts surrounding particles to the mold is raised. Therefore, in order to remove static electricity generated in the mold when it is peeled off, Patent Document 1 discloses a transfer apparatus including an ionizer that performs static elimination of the mold. Patent Document 2 discloses a transfer device in which a conductive film is arranged in a pattern portion and the static electricity is guided to the ground via a holder. On the other hand, Patent Document 3 discloses a substrate transport device that suppresses the adhesion of particles to the substrate by generating static electricity in the surroundings, although different from the transfer device.

特開2009−286085号公報JP 2009-286085 A 特開2009−241372号公報JP 2009-241372 A 特開2008−300778号公報JP 2008-300778 A

ここで、特許文献1および2に開示されている技術は、型における静電気を除去することで、パーティクル自身の重力による移動および除去を促進させるには効果的である。しかしながら、粒径が小さいパーティクルは、重力沈降の効果が低く、その場に浮遊し続けるため、パターン部にパーティクルが付着することを抑えることが難しい。一方、特許文献3に開示されている技術は、粒径が小さいパーティクルに対しては効果的である。しかしながら、この技術をインプリント装置に適用し、型とは離れた場所で静電気を発生させたとしても、型や基板の近くに浮遊したパーティクルは容易に移動できないため、結果的にパターン部へのパーティクルの付着を抑えることは難しい。   Here, the techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2 are effective in promoting the movement and removal of particles themselves by gravity by removing static electricity from the mold. However, particles having a small particle size have a low effect of gravity sedimentation and continue to float on the spot, so that it is difficult to prevent particles from adhering to the pattern portion. On the other hand, the technique disclosed in Patent Document 3 is effective for particles having a small particle diameter. However, even if this technology is applied to an imprinting device and static electricity is generated at a location away from the mold, particles floating near the mold or the substrate cannot be moved easily. It is difficult to suppress the adhesion of particles.

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、型のパターン部へのパーティクルの付着を抑えるのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to provide an imprint apparatus that is advantageous for suppressing adhesion of particles to a pattern portion of a mold, for example.

上記課題を解決するために、本発明は、誘電体で形成され、パターンが形成されたパターン部と第1導電膜とを有する型を用いて、基板上に供給されたインプリント材に、パターンを転写するインプリント装置であって、型の本体を介して第1導電膜に対向する位置に設置される第2導電膜と、第1導電膜および第2導電膜に接続され、第1導電膜および第2導電膜に通電して電荷を帯電させる電源とを有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a pattern formed on a substrate using a mold that is formed of a dielectric and has a pattern portion on which a pattern is formed and a first conductive film. An imprint apparatus for transferring the first conductive film, the second conductive film disposed at a position facing the first conductive film through the main body of the mold, and connected to the first conductive film and the second conductive film. And a power source that electrifies and charges the film and the second conductive film.

本発明によれば、例えば、型のパターン部へのパーティクルの付着を抑えるのに有利なインプリント装置を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint apparatus that is advantageous for suppressing adhesion of particles to a pattern portion of a mold.

本発明の第1実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 第1実施形態におけるモールドと、それに関わる部分を示す図である。It is a figure which shows the mold in 1st Embodiment, and the part in connection with it. パーティクルの粒径に対する速度を示すグラフである。It is a graph which shows the speed with respect to the particle size of a particle. 第2実施形態におけるインプリント装置の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the imprint apparatus in 2nd Embodiment.

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態に係るインプリント装置について説明する。図1は、本実施形態に係るインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、物品としての半導体デバイスなどの製造に使用され、ウエハ1上(基板上)に塗布された未硬化の樹脂15とモールド5とを接触させて成形し、ウエハ1上に樹脂15のパターンを形成する装置である。ここでは、光硬化法を採用したインプリント装置とする。また、以下の図においては、上下方向(鉛直方向)にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。インプリント装置100は、まず、照明系6と、モールド保持機構16と、アライメント計測系11と、ウエハステージ3と、塗布部17と、制御部18とを備える。
(First embodiment)
First, the imprint apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus 100 according to the present embodiment. The imprint apparatus 100 is used for manufacturing a semiconductor device or the like as an article. The imprint apparatus 100 is formed by bringing an uncured resin 15 applied on a wafer 1 (on a substrate) into contact with a mold 5 to form the resin on the wafer 1. This is an apparatus for forming 15 patterns. Here, an imprint apparatus employing a photocuring method is used. Further, in the following drawings, the Z axis is taken in the vertical direction (vertical direction), and the X axis and the Y axis perpendicular to each other are taken in a plane perpendicular to the Z axis. First, the imprint apparatus 100 includes an illumination system 6, a mold holding mechanism 16, an alignment measurement system 11, a wafer stage 3, a coating unit 17, and a control unit 18.

照明系6は、インプリント処理時に、光源から発せられた紫外線19をインプリントに適切な光に調整して、モールド5に照射する。光源は、水銀ランプなどのランプ類を採用可能であるが、モールド5を透過し、かつ樹脂15が硬化する波長の光を発する光源であれば、特に限定するものではない。ここでは、紫外線19を照射する光源を用いているため、樹脂15としては紫外線硬化樹脂を用いる。なお、本実施形態では、光硬化法を採用するので照明系6を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、照明系6に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。   The illumination system 6 adjusts the ultraviolet rays 19 emitted from the light source to light suitable for imprinting and irradiates the mold 5 during imprint processing. The light source may be a lamp such as a mercury lamp, but is not particularly limited as long as it is a light source that transmits light having a wavelength that passes through the mold 5 and cures the resin 15. Here, since a light source that irradiates ultraviolet rays 19 is used, an ultraviolet curable resin is used as the resin 15. In this embodiment, since the photocuring method is employed, the illumination system 6 is installed. However, for example, when the thermosetting method is employed, the thermosetting resin is cured instead of the illumination system 6. The heat source part will be installed.

モールド(型)5は、ウエハ1に対向する面に、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが3次元状に形成されたパターン部5aを含む。なお、モールド5の詳細については後述する。モールド保持機構16は、定盤10に支持され、モールド5を保持するモールドチャック(保持部)20と、モールドチャック20を保持し、モールド5を移動させる不図示のモールド駆動機構とを有する。モールドチャック20は、モールド5における紫外線19の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールド5を保持し得る。また、モールドチャック20およびモールド駆動機構は、照明系6から照射された紫外線19がモールド5を透過してウエハ1に向かうように、中心部(内側)に開口領域を有する。モールド駆動機構は、モールド5とウエハ1上の樹脂15との押し付けまたは引き離しを選択的に行うようにモールド5を各軸方向に移動させる。モールド駆動機構に採用可能な動力源としては、例えばリニアモーターまたはエアシリンダーがある。また、モールド5の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向だけでなく、X軸方向やY軸方向、またはθ(Z軸周りの回転)方向の位置調整機能や、モールド5の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント処理時の押し付けおよび引き離し動作は、モールド5をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ウエハステージ3をZ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。   The mold 5 includes a pattern portion 5a on a surface facing the wafer 1 in which a concavo-convex pattern to be transferred such as a circuit pattern is formed three-dimensionally. Details of the mold 5 will be described later. The mold holding mechanism 16 is supported by the surface plate 10 and includes a mold chuck (holding unit) 20 that holds the mold 5, and a mold driving mechanism (not shown) that holds the mold chuck 20 and moves the mold 5. The mold chuck 20 can hold the mold 5 by attracting the outer peripheral area of the irradiation surface of the ultraviolet ray 19 in the mold 5 by a vacuum adsorption force or electrostatic force. Further, the mold chuck 20 and the mold driving mechanism have an opening region at the center (inner side) so that the ultraviolet rays 19 irradiated from the illumination system 6 pass through the mold 5 toward the wafer 1. The mold driving mechanism moves the mold 5 in each axial direction so as to selectively perform pressing or separation between the mold 5 and the resin 15 on the wafer 1. As a power source that can be employed in the mold drive mechanism, for example, there is a linear motor or an air cylinder. Moreover, in order to correspond to the highly accurate positioning of the mold 5, you may be comprised from several drive systems, such as a coarse motion drive system and a fine motion drive system. In addition to the Z-axis direction, there is also a configuration having a position adjustment function in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the θ (rotation around the Z-axis) direction, a tilt function for correcting the tilt of the mold 5, and the like. obtain. Note that the pressing and separating operation during the imprint process may be realized by moving the mold 5 in the Z-axis direction, but may be realized by moving the wafer stage 3 in the Z-axis direction, or Both of them may be moved relatively.

アライメント計測系11は、不図示であるが、モールド5に予め形成されているアライメントマークと、ウエハ1に予め形成されているアライメントマークとを光学的に同時に観察する。制御部18は、モールド5とウエハ1との位置合わせに際して、アライメント計測系11が観察した結果を参照し、両者の相対位置関係を求める。アライメント計測系11としては、例えば自動調節スコープ(Automatic Adjustment Scope:AAS)を採用し得る。   Although not shown, the alignment measurement system 11 optically observes the alignment mark formed in advance on the mold 5 and the alignment mark formed on the wafer 1 simultaneously. The controller 18 refers to the result observed by the alignment measurement system 11 when aligning the mold 5 and the wafer 1 and obtains the relative positional relationship between them. As the alignment measurement system 11, for example, an automatic adjustment scope (AAS) can be adopted.

ウエハ1は、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板であり、被処理面には、樹脂15が塗布される。ウエハステージ3は、ウエハ1を保持し、モールド5とウエハ1上の樹脂15との押し付けに際して、モールド5と樹脂15との位置合わせを実施する。ウエハステージ3は、ウエハ1を吸着力により保持するウエハチャック2と、ウエハチャック2を機械的手段により保持し、ステージ定盤4上で少なくともウエハ1の表面に沿う方向に移動可能とするステージ駆動機構とを有する。ステージ駆動機構に採用可能な動力源としては、例えばリニアモーターや平面モーターがある。ステージ駆動機構も、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、ウエハ1のθ方向の位置調整機能、またはウエハ1の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。   The wafer 1 is, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (Silicon on Insulator) substrate, and a resin 15 is applied to the surface to be processed. The wafer stage 3 holds the wafer 1 and performs alignment between the mold 5 and the resin 15 when pressing the mold 5 and the resin 15 on the wafer 1. The wafer stage 3 has a wafer chuck 2 that holds the wafer 1 by an attractive force, and a stage drive that holds the wafer chuck 2 by mechanical means and can move at least in the direction along the surface of the wafer 1 on the stage surface plate 4. Mechanism. Examples of power sources that can be used in the stage drive mechanism include a linear motor and a planar motor. The stage drive mechanism may also be composed of a plurality of drive systems such as a coarse drive system and a fine drive system in each direction of the X axis and the Y axis. Furthermore, there may be a configuration having a drive system for position adjustment in the Z-axis direction, a position adjustment function in the θ direction of the wafer 1, or a tilt function for correcting the tilt of the wafer 1.

塗布部17は、モールド保持機構16の近傍に設置され、ウエハ1上に存在するパターン形成領域としてのショット上に、樹脂15を所望の塗布量で、かつ所望の塗布分布で塗布する。ここで、モールド5に形成されているパターン部5aは、粗密分布を持っているので、塗布部17は、この粗密分布に合わせた量の樹脂15をウエハ1上に塗布することが望ましい。そこで、樹脂15の塗布方式としては、インクジェット方式が好適である。この場合、塗布部17は、インクジェット方式の吐出部7と、樹脂15を収容するタンク8と、タンク8から吐出部7へ樹脂を供給する供給配管9とを備える。樹脂15は、紫外線19を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂(インプリント材)であり、物品の製造工程などの各種条件により適宜選択される。なお、樹脂15には、モールド5を押し付けた後に引き離し容易とするための離型剤が混合される。   The application unit 17 is installed in the vicinity of the mold holding mechanism 16 and applies the resin 15 with a desired application amount and a desired application distribution onto a shot as a pattern formation region existing on the wafer 1. Here, since the pattern part 5a formed in the mold 5 has a density distribution, it is desirable that the application part 17 apply an amount of the resin 15 on the wafer 1 according to the density distribution. Therefore, an ink jet method is suitable as a method for applying the resin 15. In this case, the application unit 17 includes an ink jet type discharge unit 7, a tank 8 that stores the resin 15, and a supply pipe 9 that supplies the resin from the tank 8 to the discharge unit 7. The resin 15 is a photo-curable resin (imprint material) having a property of being cured by receiving ultraviolet rays 19 and is appropriately selected according to various conditions such as an article manufacturing process. The resin 15 is mixed with a release agent for facilitating separation after pressing the mold 5.

制御部18は、インプリント装置100の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部18は、例えばコンピューターなどで構成され、インプリント装置100の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部18は、インプリント装置100の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、インプリント装置100の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。   The control unit 18 can control operation and adjustment of each component of the imprint apparatus 100. The control unit 18 is configured by, for example, a computer and is connected to each component of the imprint apparatus 100 via a line, and can control each component according to a program or the like. The control unit 18 may be configured integrally with other parts of the imprint apparatus 100 (in a common casing), or separate from other parts of the imprint apparatus 100 (in another casing). To).

次に、モールド5と、それに関わる構成について詳説する。図2は、モールド5と、それに関わる部分を示す概略図である。図2(a)は、モールドチャック20に保持された状態のモールド5と、モールド5に連設された構成要素とを示す側面図である。また、図2(b)は、モールド5のパターン部5aが形成されている面(以下「第1面」という。)を示す平面図である。モールド5は、外周形状が多角形(好適には矩形または正方形)であり、第1面の中央部にパターン部5aを有する。モールド5の材質は、紫外線19を透過させることが可能で、かつ熱膨張率の低いことが望ましく、例えば石英とし得る。また、モールド5は、第1面に、後述する電源32に接続可能な第1導電膜30を有する。同様に、モールド5は、第1面の反対面(照明系6から光が照射される面)である第2面に、第2導電膜31を有する。各導電膜30、31の材質としては、例えば、種々の金属の他、カーボンなどでもよい。ここで、第1導電膜30および第2導電膜31は、特に第1導電膜30を表現している図2(a)に示すように、パターン部5aが存在し、照明系6からの光が透過する領域には設けない。そして、インプリント装置100は、電源32と、電源32からそれぞれ第1導電膜30と第2導電膜31とに接続される導線33と、導線33中に設置され、電源32の通電と遮断と切り替えるスイッチ34とを備える。   Next, the mold 5 and the configuration related thereto will be described in detail. FIG. 2 is a schematic view showing the mold 5 and parts related thereto. FIG. 2A is a side view showing the mold 5 held by the mold chuck 20 and the components connected to the mold 5. FIG. 2B is a plan view showing a surface (hereinafter referred to as “first surface”) on which the pattern portion 5 a of the mold 5 is formed. The mold 5 has a polygonal shape (preferably rectangular or square) and has a pattern portion 5a at the center of the first surface. The material of the mold 5 is preferably capable of transmitting the ultraviolet light 19 and has a low coefficient of thermal expansion, and may be quartz, for example. Moreover, the mold 5 has a first conductive film 30 that can be connected to a power source 32 described later on the first surface. Similarly, the mold 5 has the second conductive film 31 on the second surface which is the surface opposite to the first surface (the surface irradiated with light from the illumination system 6). As a material of each of the conductive films 30 and 31, for example, carbon may be used in addition to various metals. Here, the first conductive film 30 and the second conductive film 31, in particular, as shown in FIG. 2A representing the first conductive film 30, there is a pattern portion 5a, and light from the illumination system 6 is present. It is not provided in the area where light is transmitted. The imprint apparatus 100 is installed in the power supply 32, the conductive wire 33 connected from the power supply 32 to the first conductive film 30 and the second conductive film 31, and the conductive wire 33. And a switch 34 for switching.

次に、各導電膜30、31を有するモールド5の作用について説明する。モールド5の本体の材質が誘電体であるため、制御部18がスイッチ34を切り替えて通電すると、第1導電膜30と第2導電膜31との間に電界が生じ、各導電膜30、31には電荷が蓄えられる。これにより、パターン部5aの近傍(空間)に存在するパーティクルは、その静電気力で第1導電膜30上に引き付けられる(集塵される)。   Next, the operation of the mold 5 having the conductive films 30 and 31 will be described. Since the material of the main body of the mold 5 is a dielectric, when the control unit 18 switches the switch 34 and energizes, an electric field is generated between the first conductive film 30 and the second conductive film 31, and the conductive films 30 and 31. Electric charge is stored in. Thereby, particles existing in the vicinity (space) of the pattern portion 5a are attracted (collected) on the first conductive film 30 by the electrostatic force.

図3は、浮遊粒子としてのパーティクルの粒径D(μm)に対する速度V(m/s)を示すグラフである。図3において、実線は、式(1)(いわゆるストークスの式)で表される重力沈降速度(微粒子が流体中を沈降する速度)Vを示している。一方、点線は、式(2)で表される静電気力に関する速度(微粒子が電界を与えられた流体中を等速度運動するときの速度)Vを示している。 FIG. 3 is a graph showing the velocity V (m / s) with respect to the particle diameter D p (μm) of particles as floating particles. In FIG. 3, the solid line indicates the gravitational settling speed (speed at which fine particles settle in the fluid) V g expressed by the formula (1) (so-called Stokes formula). On the other hand, the dotted line indicates the velocity V e regarding the electrostatic force expressed by the formula (2) (velocity when the fine particles move at a constant velocity in a fluid to which an electric field is applied).

Figure 2015149390
Figure 2015149390

ただし、ρは粒子密度(kg/m)、ρは流体密度(kg/m)、μは流体の粘度(Pa・s)、および、gは重力加速度(m/s)をそれぞれ示す。 Where ρ p is the particle density (kg / m 3 ), ρ is the fluid density (kg / m 3 ), μ is the fluid viscosity (Pa · s), and g is the gravitational acceleration (m / s 2 ). Show.

Figure 2015149390
Figure 2015149390

ただし、qは粒子の荷電数、eは電気素量(c)、Eは電界(V/m)、および、Cはカニンガムの補正係数をそれぞれ示す。 Where q is the number of charged particles, e is the elementary charge (c), E is the electric field (V / m), and C c is Cunningham's correction coefficient.

図3に示すように、パーティクルは、粒径が小さくなるほど重力の影響を受けにくく、逆に静電気力の影響が大きくなる。この状態を示している重力沈降速度Vと静電気力に関する速度Vとの曲線の交点では、粒径がおおよそ0.05μmである。したがって、粒径が0.05μm以下であるような小さい(極小の)パーティクルに対しては、静電気力の影響を受けやすいことから、本実施形態による引き付け効果が大きいことがわかる。 As shown in FIG. 3, the particle is less affected by gravity as the particle size is smaller, and conversely, the influence of electrostatic force is increased. The intersection of the curves of the velocity V e regarding gravitational settling velocity V g and electrostatic forces shows this state, a particle size of approximately 0.05 .mu.m. Therefore, it can be seen that small (minimal) particles having a particle size of 0.05 μm or less are easily affected by electrostatic force, so that the attracting effect according to the present embodiment is large.

ここで、第1導電膜30は、上記のとおり第1面におけるパターン部5aの設置部分を除いた面に設置されているので、通電が行われても、パーティクルがパターン部5aに付着することはない。また、蓄えられる電荷は、電源32の切り替え方法を変えることで、その極性(正または負)を切り替えられる。すなわち、制御部18は、第1導電膜30が正の電荷を蓄えるように、すなわち正の静電気力を生じさせるように制御することで、負に帯電しているパーティクルを引き付けることができる。また、制御部18は、第1導電膜30が逆に負の電荷を蓄えるように、すなわち負の静電気力を生じさせるように制御することで、正に帯電しているパーティクルを引き付けることができる。そして、第1導電膜30に引き付けられたパーティクルについては、例えば、イオナイザのような除電効果がある装置を例えばウエハステージ3に設置して適宜第1導電膜30の表面近傍を走査させることで、イオナイザにより除電し、除去するものとしてもよい。または、第1導電膜30の表面に粘着性がある物質(例えばポリイミド)を貼付しておくことで、引き付けたパーティクルを捕集し、後に除去するものとしてもよい。   Here, since the 1st electrically conductive film 30 is installed in the surface except the installation part of the pattern part 5a in a 1st surface as mentioned above, even if it supplies with electricity, a particle adheres to the pattern part 5a. There is no. Further, the polarity (positive or negative) of the stored charge can be switched by changing the switching method of the power source 32. That is, the control unit 18 can attract negatively charged particles by controlling the first conductive film 30 to store positive charges, that is, to generate a positive electrostatic force. In addition, the control unit 18 can attract positively charged particles by controlling the first conductive film 30 to store negative charges, that is, to generate a negative electrostatic force. . For the particles attracted to the first conductive film 30, for example, by installing a device having a charge eliminating effect such as an ionizer on the wafer stage 3 and appropriately scanning the vicinity of the surface of the first conductive film 30, It is good also as what removes electricity with an ionizer. Alternatively, the attracted particles may be collected by attaching a sticky substance (for example, polyimide) to the surface of the first conductive film 30 and removed later.

さらに、制御部18は、不図示であるが、電気回路を切り替えることで各導電膜30、31をアースに接続し、各導電膜30、31に蓄えられた電荷を除去するものとしてもよい。これは、インプリント処理時のモールド5とウエハ1との剥離帯電を抑止するため、予めモールドチャック20の電荷を除去しておくのに有効である。また、モールド5を硬化した樹脂15から引き離す(離型する)際にモールド5に生じる帯電を除去するため、離型後に各導電膜30、31をアースに接続させてもよい。離型後にモールド5を除電することで、パターン部5aにパーティクルが付着することを抑えることができる。   Furthermore, although not shown, the control unit 18 may be configured to connect the conductive films 30 and 31 to the ground by switching the electric circuit and remove the electric charge stored in the conductive films 30 and 31. This is effective for removing the charge of the mold chuck 20 in advance in order to suppress the peeling charging between the mold 5 and the wafer 1 during the imprint process. Further, in order to remove the charge generated in the mold 5 when the mold 5 is separated from the cured resin 15 (released), the conductive films 30 and 31 may be connected to the ground after the release. By removing the charge from the mold 5 after the mold release, it is possible to prevent particles from adhering to the pattern portion 5a.

これにより、インプリント装置100は、パターン部5aの近傍に存在するパーティクルを好適に除去することができるので、パーティクルがパターン部5aに付着することを抑え、結果的にウエハ1上に形成されるパターンの欠陥の発生を低減することができる。   As a result, the imprint apparatus 100 can suitably remove particles existing in the vicinity of the pattern portion 5a, so that the particles are prevented from adhering to the pattern portion 5a and are formed on the wafer 1 as a result. Generation of pattern defects can be reduced.

以上のように、本実施形態によれば、モールド5のパターン部5aへのパーティクルの付着を抑えるのに有利なインプリント装置を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide an imprint apparatus that is advantageous in suppressing the adhesion of particles to the pattern portion 5a of the mold 5.

なお、上記説明では、第2導電膜31は、モールド5の第2面に設置されているが、本発明はそれに限らず、モールドチャック20の表面(モールド5の第1面に対向する面が接する面)に設置されても、同様の効果を奏する。また、上記説明では、各導電膜30、31は、第1面または第2面と、XY平面に平行な面のみに設置するものとしているが、本発明は、厳密にはそれのみに限らない。例えば、第1導電膜30と第2導電膜31とが接触するものでなければ、各導電膜30、31は、モールド5の側面部にまで延びるものであってもよい。また、モールド5の第1面のパターン部5aを除くすべての領域に第1導電膜が形成されていなくてもよい。第2導電膜31も同様に、第2面の全面に限らず、第2面の一部に形成されていればよい。   In the above description, the second conductive film 31 is disposed on the second surface of the mold 5, but the present invention is not limited thereto, and the surface of the mold chuck 20 (the surface facing the first surface of the mold 5 is Even if it is installed on the contact surface), the same effect is obtained. In the above description, each of the conductive films 30 and 31 is provided only on the first surface or the second surface and a surface parallel to the XY plane. However, the present invention is not limited to this. . For example, as long as the first conductive film 30 and the second conductive film 31 are not in contact with each other, the conductive films 30 and 31 may extend to the side surface of the mold 5. In addition, the first conductive film may not be formed in all regions except the pattern portion 5 a on the first surface of the mold 5. Similarly, the second conductive film 31 may be formed not only on the entire second surface but also on a part of the second surface.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係るインプリント装置について説明する。上記の第1実施形態では、モールド5のパターン部5aの近傍に浮遊するパーティクルについて着目したが、例えば、ウエハ1上、またはウエハステージ3上に存在するパーティクルについても、本実施形態に示すような駆動により好適に除去を実施することができる。
(Second Embodiment)
Next, an imprint apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, attention is paid to particles floating in the vicinity of the pattern portion 5a of the mold 5. For example, the particles existing on the wafer 1 or the wafer stage 3 are also shown in the present embodiment. The removal can be suitably performed by driving.

図4は、本実施形態におけるインプリント装置の動作を説明するための概略側面図である。制御部18は、第1実施形態と同様に、各導電膜30、31に通電する。さらに、本実施形態では、制御部18は、そのまま、ウエハ1を載置した状態のウエハステージ3を駆動し、XY軸方向に移動させる。これにより、ウエハ1上、またはウエハステージ3上にパーティクルが存在する場合でも、そのパーティクルを第1導電膜30の静電気力により引き付けることができる。そして、このようなパーティクル除去動作を、通常のインプリント動作(押し付け動作)前の、例えば、ウエハ1とモールド5のパターン部5aとの相対位置関係を最適化するアライメント動作時に行うことで、スループットへの影響を抑え得るという利点もある。   FIG. 4 is a schematic side view for explaining the operation of the imprint apparatus according to this embodiment. The control unit 18 energizes the conductive films 30 and 31 as in the first embodiment. Further, in the present embodiment, the control unit 18 drives the wafer stage 3 on which the wafer 1 is placed as it is, and moves it in the XY axis direction. As a result, even when particles are present on the wafer 1 or the wafer stage 3, the particles can be attracted by the electrostatic force of the first conductive film 30. By performing such particle removal operation before normal imprint operation (pressing operation), for example, during an alignment operation that optimizes the relative positional relationship between the wafer 1 and the pattern portion 5a of the mold 5, throughput is achieved. There is also an advantage that the influence on can be suppressed.

(物品の製造方法)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(Product manufacturing method)
A method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) using the above-described imprint apparatus. Furthermore, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. In the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processes for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

5 モールド
5a パターン部
30 第1導電膜
31 第2導電膜
32 電源
100 インプリント装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Mold 5a Pattern part 30 1st electrically conductive film 31 2nd electrically conductive film 32 Power supply 100 Imprint apparatus

Claims (8)

誘電体で形成され、パターンが形成されたパターン部と第1導電膜とを有する型を用いて、基板上に供給されたインプリント材に、前記パターンを転写するインプリント装置であって、
前記型の本体を介して前記第1導電膜に対向する位置に設置される第2導電膜と、
前記第1導電膜および前記第2導電膜に接続され、該第1導電膜および該第2導電膜に通電して電荷を帯電させる電源と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus for transferring the pattern to an imprint material supplied on a substrate using a mold having a pattern portion formed with a dielectric and having a pattern and a first conductive film,
A second conductive film disposed at a position facing the first conductive film via the main body of the mold;
A power source connected to the first conductive film and the second conductive film and energized to charge the first conductive film and the second conductive film;
An imprint apparatus comprising:
前記第2導電膜は、前記型に設置されていることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to claim 1, wherein the second conductive film is disposed on the mold. 前記型を保持する保持部を有し、
前記第2導電膜は、前記保持部の前記型と接触する面に設置される、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
A holding portion for holding the mold;
The second conductive film is disposed on a surface of the holding portion that contacts the mold;
The imprint apparatus according to claim 1.
前記第1導電膜および前記第2導電膜が帯電する電荷の極性を切り替える機構を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a mechanism for switching a polarity of electric charges charged in the first conductive film and the second conductive film. 前記第1導電膜および前記第2導電膜をそれぞれアースに接続させる電気回路を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のインプリント装置。   5. The imprint apparatus according to claim 1, further comprising an electric circuit that connects the first conductive film and the second conductive film to ground. 6. 前記第1導電膜は、空間に向かう表面に、粘着性を有する物質を設置することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the first conductive film is provided with a sticky substance on a surface facing the space. パターンが形成されたパターン部を有し、該パターン部を基板上に供給されたインプリント材に接触させることで、該インプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置に用いられる型であって、
誘電体で形成され、前記パターン部が形成されている面に第1導電膜を有し、
前記第1導電膜は、前記型の本体を介して該第1導電膜に対向する位置に設置される第2導電膜とともに電源に接続可能とし、該電源からの通電により電荷を帯電する、
ことを特徴とする型。
A mold for use in an imprint apparatus that has a pattern portion on which a pattern is formed, and that transfers the pattern to the imprint material by bringing the pattern portion into contact with the imprint material supplied on the substrate. ,
A first conductive film is formed on a surface formed of a dielectric and having the pattern portion formed thereon,
The first conductive film is connectable to a power source together with a second conductive film disposed at a position facing the first conductive film via the main body of the mold, and is charged with electric current from the power source.
A type characterized by that.
請求項1ないし6のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Forming an imprint material pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 6;
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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