JP2015021795A - 回転センサ - Google Patents

Abstract

【課題】回転体の回転状態の検出精度が向上された回転センサを提供する。
【解決手段】周期的に向きが変動する磁束の変化を電気信号に変換する磁電変換部（１０，２０）を複数有し、複数の磁電変換部それぞれは、対を成す磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）を有し、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれは、ピン層と、自由層と、ピン層と自由層との間に設けられた中間層と、を有し、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれが有するピン層の磁化方向が互いに１８０°異なっており、複数の磁電変換部それぞれが有する対を成す磁気抵抗効果素子は、回転体の回転方向に沿って並んで配置され、回転体の回転軸から回転方向に直交するように延びる基準線（ＢＬ）にて対称配置されており、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれによってブリッジ回路が組まれ、その中点電位を回転体の回転状態に基づく信号とする。
【選択図】図７

Description

本発明は、回転体の回転に伴って周期的に向きが変動する磁束の変化に基づいて、回転体の回転状態を検出する回転センサに関するものである。

従来、例えば特許文献１に示されるように、Ｎ極とＳ極が交互に配列された磁気部材と、磁気部材の磁極配列面に対向する１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子と、を有する磁気式位置検出装置が提案されている。１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子は、磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直に１列配置されている。これにより、全てのベクトル検知型磁気抵抗効果素子を透過する磁束の位相が同一となっている。

特開２００６−２３１７９号公報

上記した特許文献１に記載の磁気式位置検出装置では、１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子が磁極配列方向に対して略垂直に１列配置され、全てのベクトル検知型磁気抵抗効果素子を透過する磁束の位相が同一となっている。しかしながらこの構成の場合、各ベクトル検知型磁気抵抗効果素子と磁気部材との対向間隔が異なるために、各ベクトル検知型磁気抵抗効果素子を透過する磁束の強度が異なることとなる。そのため、各ベクトル検知型磁気抵抗効果素子の抵抗値に依存する電気信号に基づいて磁気部材（回転体）の回転状態を高精度に検出することが困難となる虞がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、回転体の回転状態の検出精度が向上された回転センサを提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明は、回転体（２００）の回転に伴って周期的に向きが変動する磁束の変化に基づいて、回転体の回転状態を検出する回転センサであって、周期的に向きが変動する磁束の変化を電気信号に変換する磁電変換部（１０，２０）を複数有し、複数の磁電変換部それぞれは、対を成す磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）を有し、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれは、磁化方向が固定されたピン層と、磁化方向が外部磁界に応じて変動する自由層と、ピン層と自由層との間に設けられた非磁性の中間層と、を有し、ピン層と自由層それぞれの磁化方向に応じて抵抗値が変動する性質を有し、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれが有するピン層の磁化方向が互いに１８０°異なっており、複数の磁電変換部それぞれが有する対を成す磁気抵抗効果素子は、回転体の回転方向に沿って並んで配置され、回転体の回転軸から回転方向に直交するように延びる基準線（ＢＬ）にて対称配置されており、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれによってブリッジ回路が組まれ、その中点電位を回転体の回転状態に基づく信号とすることを特徴とする。

このように本発明によれば、磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）が回転方向に沿って並んで配置されている。これによれば、磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）が回転方向ではなく、回転方向に対して垂直な方向に並んで配置された構成とは異なり、各磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）を透過する磁束の強度が同一となる。ただしこの構成の場合、各磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）を透過する磁束の位相が異なることとなる。しかしながら上記したように、対を成す磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）それぞれによってブリッジ回路を組み、その中点電位を回転体（２００）の回転状態に基づく信号とすることで、位相ズレをなくすことができる。以下、１組の対を成す磁気抵抗効果素子（１１，１２）によってハーフブリッジ回路が組まれた構成を例として、その理由を説明する。

対を成す磁気抵抗効果素子（１１，１２）それぞれが並ぶ並列方向と基準線（ＢＬ）との交差点（ＣＰ）を透過する基準磁束の基準線（ＢＬ）からの交差点周りの角度をａ、磁気抵抗効果素子（１１，１２）の中心を透過する磁束の向きにおける基準磁束からの角度ズレをｂ、対を成す磁気抵抗効果素子（１１，１２）それぞれの抵抗値の中心値をＲｃ、対を成す磁気抵抗効果素子（１１，１２）それぞれの抵抗変化量の振幅をＲ０、ブリッジ回路に供給する電圧をＶとすると、ブリッジ回路の中点電位は、（Ｒ０×ｓｉｎ（ａ−ｂ）＋Ｒｃ）Ｖ／（Ｒ０×ｓｉｎ（ａ−ｂ）＋Ｒｃ＋Ｒ０×ｓｉｎ（ａ＋ｂ＋１８０°）＋Ｒｃ）と表される。これを整理すると、ブリッジ回路の中点電位は、（−Ｖ／２）（ｓｉｎ（ａ）×ｃｏｓ（ｂ）／（ｃｏｓ（ａ）×ｓｉｎ（ｂ）−Ｒｃ）−１）となり、これは、（ｓｉｎ（ａ）×ｃｏｓ（ｂ）／（ｃｏｓ（ａ）×ｓｉｎ（ｂ）−Ｒｃ）−１）に依存することがわかる。

ここで、ｂとＲｃそれぞれは時間的に一定であるため、ｓｉｎ（ｂ）、ｃｏｓ（ｂ）、および、Ｒｃそれぞれは一定値となる。このため、上記した式は時間的にａだけに依存することとなる。このように、各磁気抵抗効果素子（１１，１２）を透過する磁束の位相が異なったとしても、ブリッジ回路の中点電位はその位相ズレがなくなった値となる。そこで、この中点電位を回転体（２００）の回転状態に基づく信号として活用する。こうすることで、回転体（２００）の回転状態の検出精度が向上される。

なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。

第１実施形態に係る回転センサと回転体の位置を概略的に示す斜視図である。 回転センサと回転体の位置を概略的に示す上面図である。 ピン層の磁化方向を示す模式図である。 磁気抵抗効果素子によって組まれたブリッジ回路を示す回路図である。 中点電位とパルス信号を示すタイミングチャートである。 交差点を貫く基準磁束を示す模式図である。 磁気抵抗効果素子、および、中点それぞれの抵抗値の変動を示すグラフ図である。 磁電変換部の変形例を示す上面図である。 磁電変換部の変形例を示す上面図である。 磁電変換部の変形例を示す上面図である。 第１フルブリッジ回路を示す回路図である。 第２フルブリッジ回路を示す回路図である。

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図７に基づいて、本実施形態に係る回転センサを説明する。以下においては、回転体２００と回転センサ１００それぞれが配置された同一の高さ位置における平面を規定平面、規定平面に直交し、回転体２００の回転中心ＲＣを貫く方向を軸方向と示す。また、軸方向の周りの方向を回転方向と示し、規定平面に沿い、回転中心ＲＣから延びる方向を径方向と示す。なお、特許請求の範囲に記載の回転軸は軸方向に沿っている。

回転センサ１００は、回転体２００の回転に伴って周期的に向きが変動する磁束の変化に基づいて、回転体２００の回転状態を検出するものである。回転体２００は円環状を成し、その外環面に回転方向に沿って等間隔に磁極２１０，２２０が形成されている。図１および図２に示すように、異なる磁極２１０，２２０が交互に形成され、Ｎ極２１０からＳ極２２０へとの磁束が流れる。隣接する磁極２１０，２２０間の磁束は、半円形の軌跡を描くように流れる。回転センサ１００は、この半円形の軌跡を描く磁束の回転による周期的な変化を検出する。

回転センサ１００は、磁束の向きの変化を電気信号に変換する磁電変換部１０，２０を有する。第１磁電変換部１０は１組の対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２を有し、第２磁電変換部２０は１組の対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２を有する。対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２および対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれは、図１および図２に示すように回転方向に沿って並んで配置され、回転体２００の回転中心ＲＣから径方向に沿って延びる基準線ＢＬにて対称配置されている。対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２は間に何も介さずに回転方向（厳密には基準線ＢＬと磁気抵抗効果素子１１，１２の配置された回転方向の交差点ＣＰにおける回転体２００の回転の接線方向）に並び、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２は磁気抵抗効果素子１１，１２を介して回転方向（厳密には接線方向）に並んでいる。なお、特許請求の範囲に記載の並列方向は、上記した接線方向に相当する。

本実施形態では磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれの回転方向の横幅が同一となっている。そのため、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２の横幅をＬとすると、磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれの中心は基準線ＢＬ（交差点ＣＰ）から回転方向（接線方向）にＬ／２だけ離間している。そして、磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれの中心は基準線ＢＬ（交差点ＣＰ）から回転方向（接線方向）に３Ｌ／２だけ離間している。このように、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれは、基準線ＢＬ（交差点ＣＰ）に対して、横幅の分、離間している。そのため、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれの中心を透過する磁束と交差点ＣＰを透過する磁束とには位相差がある。

図２に示すように、磁気抵抗効果素子１１，２１は基準線ＢＬよりも紙面左方に位置し、磁気抵抗効果素子１２，２２は基準線ＢＬよりも紙面右方に位置している。したがって、回転体２００が反時計回りに回転する場合、磁気抵抗効果素子１１，２１は基準線ＢＬよりも上流に位置し、磁気抵抗効果素子１２，２２は基準線ＢＬよりも下流に位置することとなる。したがって、磁気抵抗効果素子２１を貫く磁束は、基準線ＢＬを貫く基準磁束よりも３Ｌ／２だけ位相が速く、磁気抵抗効果素子１１を貫く磁束は、基準磁束よりもＬ／２だけ位相が速くなる。これとは反対に、磁気抵抗効果素子１２を貫く磁束は、基準磁束よりもＬ／２だけ位相が遅く、磁気抵抗効果素子２２を貫く磁束は、基準磁束よりも３Ｌ／２だけ位相が遅くなる。これとは逆に、回転体２００が時計回りに回転する場合、磁気抵抗効果素子１２，２２は基準線ＢＬよりも上流に位置し、磁気抵抗効果素子１１，２１は基準線ＢＬよりも下流に位置することとなる。したがって、磁気抵抗効果素子２２を貫く磁束は基準磁束よりも３Ｌ／２だけ位相が速く、磁気抵抗効果素子１２を貫く磁束は基準磁束よりもＬ／２だけ位相が速くなる。これとは反対に、磁気抵抗効果素子１１を貫く磁束は基準磁束よりもＬ／２だけ位相が遅く、磁気抵抗効果素子２１を貫く磁束は基準磁束よりも３Ｌ／２だけ位相が遅くなる。本実施形態では、回転体２００が反時計回りに回転する場合を対象として話をする。回転体２００が時計回りに回転する場合、上記した関係が成立するので、その説明を省略する。

磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれは、図示しないが、磁化方向が固定されたピン層と、磁化方向が外部磁界に応じて変動する自由層と、ピン層と自由層との間に設けられた非磁性の中間層と、を有する。ピン層と自由層それぞれの磁化方向に応じて抵抗値が変動する性質を有し、自由層とピン層それぞれの磁化方向が平行の場合に最も抵抗値が低く変動し、反平行の場合に最も高く変動する。本実施形態では中間層が導電性を有し、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれは巨大磁気抵抗効果素子である。

磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれが有するピン層の磁化方向は、規定平面に沿っており、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれが有するピン層の磁化方向は径方向に沿い、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれが有するピン層の磁化方向は回転方向（厳密にはその接線方向）に沿っている。そのため、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれが有するピン層の磁化方向と、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれが有するピン層の磁化方向とは９０°（２７０°）異なっている。また、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれが有するピン層の磁化方向は互いに１８０°異なり、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれが有するピン層の磁化方向は互いに１８０°異なっている。

図３に示すように、径方向に沿う基準線ＢＬから時計回りの角度θで磁化方向を表すと、磁気抵抗効果素子１１はピン層の磁化方向が０°であり、磁気抵抗効果素子１２はピン層の磁化方向が１８０°である。また、磁気抵抗効果素子２１はピン層の磁化方向が９０°であり、磁気抵抗効果素子２２はピン層の磁化方向が２７０°である。このように、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２の磁化方向は互いに反平行となり、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２の磁化方向は互いに反平行となっている。そのため、２つの磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化が反対となり、２つの磁電変換素子の内の一方の抵抗値が小さくなる場合、他方の抵抗値が大きくなる。

図４に示すように、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２、および、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれによってブリッジ回路が組まれ、その中点電位が回転体２００の回転状態に基づく信号として、後段に位置する処理回路（図示略）に入力される。第１磁電変換部１０の有する１組の対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２によって第１ハーフブリッジ回路が組まれ、第２磁電変換部２０の有する１組の対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２によって第２ハーフブリッジ回路が組まれている。上記したように、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれが有するピン層の磁化方向と、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２それぞれが有するピン層の磁化方向とは９０°（２７０°）異なっている。そのため、第１ハーフブリッジ回路の中点電位（以下、第１中点電位と示す）と第２ハーフブリッジ回路の中点電位（以下、第２中点電位と示す）とは位相差が９０°（２７０°）ある。したがって、第１中点電位を正弦波とすると、第２中点電位は余弦波となる。上記した処理回路は閾値（図５に示す破線）を有しており、この閾値と中点電位とを比較することで、第１中点電位を第１パルス信号、第２中点電位を第２パルス信号に変換する。

以下、回転センサ１００の特徴点とその作用効果について図６および図７に基づいて説明する。上記したように、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２は回転方向（交差点ＣＰの接線方向）に沿って並んで配置されている。これによれば、複数の磁気抵抗効果素子が回転方向ではなく、回転方向に対して垂直な径方向に並んで配置された構成とは異なり、各磁気抵抗効果素子を透過する磁束の強度が同一となる。ただし本構成の場合、上記したように、自身の横幅のために、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれを透過する磁束と交差点ＣＰを透過する基準磁束とに位相差が生じる。

図６に示すように、基準磁束における基準線ＢＬから交差点ＣＰ周りの角度をａとする。磁気抵抗効果素子１１の中心が交差点ＣＰにある場合、図７に破線で示すように、第１ハーフブリッジ回路を構成する磁気抵抗効果素子１１の抵抗値（以下、第１抵抗値と示す）は、角度ａに依存する正弦波の振る舞いを示す。しかしながら磁気抵抗効果素子１１の中心は交差点ＣＰからズレているので、図７に実線で示すように、第１抵抗値は上記した正弦波から位相がズレた振る舞いを示す。同様にして、磁気抵抗効果素子１２の中心が交差点ＣＰにある場合、図７に破線で示すように、第１ハーフブリッジ回路を構成する磁気抵抗効果素子１２の抵抗値（以下、第２抵抗値と示す）は角度ａに依存する余弦波の振る舞いを示す。しかしながら磁気抵抗効果素子１２の中心は交差点ＣＰからズレているので、図７に実線で示すように、第２抵抗値は上記した余弦波から位相がズレた振る舞いを示す。

以上示したように、第１抵抗値と第２抵抗値それぞれは角度ａから位相がズレた振る舞いを示す。これは、第２ハーフブリッジ回路を構成する磁気抵抗効果素子２１，２２の抵抗値についても同様である。しかしながら上記したように、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２によって第１ハーフブリッジ回路を組み、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２によって第２ハーフブリッジ回路を組み、その中点電位を回転体２００の回転状態に基づく信号としている。これによれば、以下に示す理由により、位相ズレをなくすことができる。

上記したように、基準磁束の角度をａとする。そして、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれの中心を透過する磁束の向きにおける基準磁束からの角度ズレをｂとする。また、対を成す磁気抵抗効果素子それぞれの抵抗値の中心値をＲｃ、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２それぞれの抵抗変化量の振幅をＲ０、第１ハーフブリッジ回路に供給する電圧をＶとすると、第１中点電位は、（Ｒ０×ｓｉｎ（ａ−ｂ）＋Ｒｃ）Ｖ／（Ｒ０×ｓｉｎ（ａ−ｂ）＋Ｒｃ＋Ｒ０×ｓｉｎ（ａ＋ｂ＋１８０°）＋Ｒｃ）と表される。これを整理すると、第１ハーフブリッジ回路の中点電位は、（−Ｖ／２）（ｓｉｎ（ａ）×ｃｏｓ（ｂ）／（ｃｏｓ（ａ）×ｓｉｎ（ｂ）−Ｒｃ）−１）となり、これは、第１ハーフブリッジ回路の中点における抵抗（以下、第１中点抵抗と示す）に相当する（ｓｉｎ（ａ）×ｃｏｓ（ｂ）／（ｃｏｓ（ａ）×ｓｉｎ（ｂ）−Ｒｃ）−１）に依存することがわかる。

ここで、ｂとＲｃそれぞれは時間的に一定であるため、ｓｉｎ（ｂ）、ｃｏｓ（ｂ）、および、Ｒｃそれぞれは一定値となる。このため、第１中点抵抗は時間的にａだけに依存することとなり、図７に一点鎖線で示す振る舞いを示す。すなわち、位相ズレのない正弦波に似通った振る舞いを示す。このように、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２を透過する磁束の位相が異なったとしても、第１中点電位はその位相ズレがなくなった値となる。そこで、この第１中点電位を回転体２００の回転状態に基づく信号として活用することで、回転体２００の回転状態の検出精度が向上される。

なお、もちろんではあるが、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２についても同様の議論を適用することができる。この場合、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２の中心を透過する磁束の向きにおける基準磁束からの角度ズレをｃとすることで、同様の議論を進めることができ、第２ハーフブリッジ回路の中点における抵抗（以下、第２中点抵抗と示す）は位相ズレのなくなった値となる。したがって、第２中点電位を回転体２００の回転状態に基づく信号として活用することで、回転体２００の回転状態の検出精度が向上される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態では、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２は間に何も介さずに回転方向（接線方向）に並び、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２は磁気抵抗効果素子１１，１２を介して回転方向（接線方向）に並んでいる例を示した。しかしながら図８に示すように、対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２が間に何も介さずに回転方向（接線方向）に並び、対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２が磁気抵抗効果素子２１，２２を介して回転方向（接線方向）に並んだ構成を採用することもできる。

本実施形態では、第１磁電変換部１０は１組の対を成す磁気抵抗効果素子１１，１２を有し、第２磁電変換部２０は１組の対を成す磁気抵抗効果素子２１，２２を有する例を示した。しかしながら、磁電変換部１０，２０それぞれが有する対を成す磁気抵抗効果素子の組数としては上記例に限定されず、複数でも良い。例えば図９および図１０に示すように、第１磁電変換部１０が２組の対を成す磁気抵抗効果素子１１〜１４を有し、第２磁電変換部２０が２組の対を成す磁気抵抗効果素子２１〜２４を有する構成を採用することもできる。この場合、図１１および図１２に示すように、２組の対を成す磁気抵抗効果素子１１〜１４によって第１ハーフブリッジ回路が２つ組まれ、これらによって第１フルブリッジ回路が組まれる。また、２組の対を成す磁気抵抗効果素子２１〜２４によって第２ハーフブリッジ回路が２つ組まれ、これらによって第２フルブリッジ回路が組まれる。

本実施形態では磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれの回転方向の横幅が同一となっている例を示した。しかしながら、対を成す磁気抵抗効果素子同士の回転方向（接線方向）の横幅が等しく、対を成す磁気抵抗効果素子同士の基準線ＢＬ（交差点ＣＰ）からの離間距離が等しければ良い。したがって、すべての磁気抵抗効果素子の横幅が一律に等しくなくともよい。

本実施形態では中間層が導電性を有し、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれが巨大磁気抵抗効果素子である例を示した。しかしながら、中間層が絶縁性を有し、磁気抵抗効果素子１１，１２，２１，２２それぞれがトンネル磁気抵抗効果素子である構成を採用することもできる。

１０，２０・・・磁電変換部
１１，１２，２１，２２・・・磁気抵抗効果素子
１００・・・回転センサ
２００・・・回転体

Claims (4)

1. 回転体（２００）の回転に伴って周期的に向きが変動する磁束の変化に基づいて、前記回転体の回転状態を検出する回転センサであって、
   周期的に向きが変動する磁束の変化を電気信号に変換する磁電変換部（１０，２０）を複数有し、
   複数の前記磁電変換部それぞれは、対を成す磁気抵抗効果素子（１１〜１４，２１〜２４）を有し、
   対を成す前記磁気抵抗効果素子それぞれは、磁化方向が固定されたピン層と、磁化方向が外部磁界に応じて変動する自由層と、前記ピン層と前記自由層との間に設けられた非磁性の中間層と、を有し、前記ピン層と前記自由層それぞれの磁化方向に応じて抵抗値が変動する性質を有し、
   対を成す前記磁気抵抗効果素子それぞれが有するピン層の磁化方向が互いに１８０°異なっており、
   複数の前記磁電変換部それぞれが有する対を成す前記磁気抵抗効果素子は、前記回転体の回転方向に沿って並んで配置され、前記回転体の回転軸から前記回転方向に直交するように延びる基準線（ＢＬ）にて対称配置されており、
   対を成す前記磁気抵抗効果素子それぞれによってブリッジ回路が組まれ、その中点電位を前記回転体の回転状態に基づく信号とすることを特徴とする回転センサ。
2. 対を成す前記磁気抵抗効果素子それぞれが並ぶ並列方向と前記基準線との交差点（ＣＰ）を透過する基準磁束の前記基準線からの前記交差点周りの角度をａ、前記磁気抵抗効果素子の中心を透過する磁束の向きにおける前記基準磁束からの角度ズレをｂ、対を成す前記磁気抵抗効果素子それぞれの抵抗値の中心値をＲｃとすると、前記ブリッジ回路の中点電位は、ｓｉｎ（ａ）×ｃｏｓ（ｂ）／（ｃｏｓ（ａ）×ｓｉｎ（ｂ）−Ｒｃ）−１に依存することを特徴とする請求項１に記載の回転センサ。
3. 複数の前記磁電変換部として、前記ピン層の磁化方向が前記回転軸に直交する径方向に沿う第１磁電変換部と、前記ピン層の磁化方向が前記回転体の回転の接線方向に直交する第２磁電変換部と、を有し、
   前記第１磁電変換部の有する１組の対を成す磁気抵抗効果素子（１１，１２）によって第１ハーフブリッジ回路が組まれ、前記第２磁電変換部の有する１組の対を成す磁気抵抗効果素子（２１，２２）によって第２ハーフブリッジ回路が組まれていることを特徴とする請求項２に記載の回転センサ。
4. 前記第１磁電変換部の有する２組の対を成す磁気抵抗効果素子（１１〜１４）によって前記第１ハーフブリッジ回路が２つ組まれ、これらによって第１フルブリッジ回路が組まれており、
   前記第２磁電変換部の有する２組の対を成す磁気抵抗効果素子（２１〜２４）によって前記第２ハーフブリッジ回路が２つ組まれ、これらによって第２フルブリッジ回路が組まれていることを特徴とする請求項３に記載の回転センサ。

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