JP2015058431A - 多層盛溶接装置およびカスケード量の算出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来は溶接線が円弧の場合であっても一定値のカスケード量を用いて溶接開始点や溶接終了点をシフトさせているため、溶接ビードを階段状に積み上げることができない。
【解決手段】本発明の多層盛溶接装置は円弧溶接線Wc1を構成する溶接開始点Ps1および溶接終了点Pe1を含む３点の教示点に基づいて全Ｎパスの円弧溶接線を生成する。カスケード位置を算出するに当たっては、まずオフセット量に基づいてＭパス目における溶接開始点Psmおよび溶接終了点Pemを含む円弧溶接線Wcnを算出する。次いでＭパス目における円弧溶接線Wcmの半径値と回転角度θs、θeに基づいてＭパス目のカスケード量Cvsn、Cvenを算出する。最後に、算出したカスケード量に基づいてＭパス目におけるカスケードシフト位置（溶接開始点Psm、溶接終了点Pem）を算出する。溶接線が円弧の場合でも適切なカスケード量を簡単に設定することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、教示した基本溶接線に所定のオフセット量を反映させて所望数の溶接パスを生成する多層盛溶接装置に関するものである。

多層盛溶接とは、厚板ワークの接合部を複数の溶接パスにより繰り返し溶接し、開先を溶接ビードにより埋めることにより接合する溶接施工法である。この多層盛溶接をティーチングプレイバック方式のロボットで実現する場合は、ロボットに教示点を教示する必要があるが、全ての溶接パスの教示点を教示していては作業量が膨大となる。そこで、例えば特許文献１に示されているように、教示するのは１パス目の基本溶接線のみとし、２パス目以降は、１パス目の各教示点に所定のオフセット量を加えることにより複数の溶接パスを自動的に生成して、教示作業を軽減することが行われる。

図３は、多層盛溶接装置５１の構成図である。ロボット制御装置ＲＣは、ティーチペンダントＴＰからの操作信号Ｓｓに基づいて、ロボットＲに配置された複数軸のサーボモータを動作制御するための動作制御信号Ｍｃを出力するとともに、所定のタイミングで溶接電源ＷＰに溶接指令信号Ｗｃを出力する。溶接電源ＷＰは、上記した各種信号を入力として、溶接電圧Ｖｗおよび溶接電流Ｉｗを供給したり、図示しないガスボンベに備えられた電磁弁を制御してシールドガスを出力したり、ワイヤ送給モータＷＭに送給制御信号Ｆｃを出力してワイヤ送給モータＷＭを回転駆動したりする。ロボットＲは、ワイヤ送給モータＷＭ、溶接トーチＴ等を載置し、溶接トーチＴの先端位置を操作信号Ｓｓに応じて移動させる。溶接ワイヤＷＲは、ワイヤ送給モータＷＭによって溶接トーチＴ内を通って送給されて、作業対象物であるワークＷとの間でアークＡが発生して溶接が行われる。

ティーチペンダントＴＰは可搬式の操作装置であり、ロボット制御装置ＲＣに接続されている。作業者は、このティーチペンダントＴＰを用いて基準座標系を切り替えたりロボットＲをジョグ送りしたりするための操作を行い、ロボットＲの１パス目の教示点を教示する。このとき、各教示点にはステップ番号が１から昇順に付与される。２パス目以降は、溶接パス毎に１パス目の教示点に対するオフセット量を指定することにより、自動的に生成される。このようにして入力された教示データは、多層盛溶接プログラムＴｄとしてロボット制御装置ＲＣの内部に記憶される。

ロボット制御装置ＲＣは、ティーチペンダントＴＰからの入力に応じてロボットＲをジョグ送りしたり、多層盛溶接プログラムＴｄに基づいてロボットＲを再生運転したりするものである。

図４は、溶接線が直線である場合の溶接パスについて説明するための図である。同図（ａ）では、溶接トーチＴによりワークＷの溶接が行われる場合の基本溶接線Ｗｓ１と、その前後の教示点が例示されている。この教示例の場合、溶接トーチＴは、アプローチ点Ｐａから溶接開始点Ｐｓ１へ移動して溶接を開始し、溶接終了点Ｐｅ１へ移動して溶接を終了した後、退避点Ｐｂに移動する。

一方、同図（ｂ）では、同図（ａ）の基本溶接線Ｗｓ１に基づいて作成された多層盛溶接プログラムＴｄの教示点が示されている。同図においては、溶接開始点Ｐｓ１に所定のオフセット量が反映されて２パス目の溶接開始点Ｐｓ２および３パス目の溶接開始点Ｐｓ３が設定されている。また、溶接終了点Ｐｅ１に所定のオフセット量が反映されて２パス目の溶接終了点Ｐｅ２および３パス目の溶接終了点Ｐｅ３が設定されている。この結果、同図（ａ）の１パス目の基本溶接線Ｗｓ１に加えて、２パス目の溶接線Ｗｓ２および３パス目の溶接線Ｗｓ３が生成されて、２層３パス（層数が２、パス数が３）の多層盛溶接プログラムＴｄが作成されることになる。

上記した２層３パスの多層盛溶接プログラムＴｄにおける溶接トーチＴの溶接時の動きは、次のようになる。すなわち、１〜３パス目のそれぞれの溶接パスにおいて、アプローチ点Ｐａから溶接開始点Ｐｓｎ（ｎは１〜３。以下同じ。）へ移動して溶接を開始し、溶接終了点Ｐｅｎへ移動して溶接を終了した後、退避点Ｐｂに移動する。この動作を３回繰り返す。あるいは、往復動作を実行させることもできるようになっており、この場合は、アプローチ点Ｐａから溶接開始点Ｐｓ１へ移動して溶接を開始し、溶接終了点Ｐｅ１へ移動して溶接を終了した後、退避点Ｐｂに移動する。そして、退避点Ｐｂから溶接終了点Ｐｅ２へ移動して溶接を開始し、溶接開始点Ｐｓ２へ移動して溶接を終了した後、アプローチ点Ｐａへ移動する。さらに、アプローチ点Ｐａから溶接開始点Ｐｓ３へ移動して溶接を開始し、溶接終了点Ｐｅ３へ移動して溶接を終了した後、退避点Ｐｂに移動する。

このように、多層盛溶接装置５１においては、１パス目の基本溶接線Ｗｓ１のみを教示し、２パス目以降は、１パス目の各教示点に所定のオフセット量を加えることにより複数の溶接層および溶接パスを自動的に生成するようにしている。

ところで、溶接ビードを階段状に積み上げたい場合は、層数が増えるに従って各溶接層における溶接長を徐々に短くする必要がある。溶接ビードを階段状に積み上げる処理のことをカスケード処理と呼ぶ。上述した多層盛溶接装置５１でカスケード処理を行う場合は、２層目以降の溶接長を決定する要因となる溶接開始点（Ｐｓ２、Ｐｓ３）や溶接終了点（Ｐｅ２、Ｐｅ３）の位置を、層数が増えるに従って溶接線Ｗｓの内側へと所定距離だけシフトさせる処理を行う。以下では、この処理のことをカスケードシフトと呼び、上記所定距離のことをカスケード量と呼ぶ。カスケード量は、上述したティーチペンダントＴＰにより、例えば５ｍｍ等の一定値が設定されている。そして、多層盛溶接プログラムＴｄの再生時に、溶接層が増える毎に１層前の溶接開始点または溶接終了点を基準にして５ｍｍずつ溶接線Ｗｓの内側方向へシフトする処理を実行することにより、カスケードシフトが実行される。なお、カスケード量は、溶接開始点および溶接終了点でそれぞれ異なる値を設定することができる。

特開２００２−１７８１５３号公報

上述したように、溶接線が直線の場合は、２層目以降の溶接開始点および溶接終了点を、予め定めた一定のカスケード量だけシフトさせることでカスケード処理を行うことができる。一方、溶接線が円弧の場合は、層数が増えるに従って溶接ビードの盛り高さが大きくなるために、外側の層ほど円周長すなわち溶接長も長くなってしまう。したがって、カスケード量も徐々に大きく設定する必要がある。しかしながら、溶接線が円弧の場合であっても、従来は上述した一定値のカスケード量を用いて溶接開始点や溶接終了点をシフトしているため、溶接ビードを階段状に積み上げることができないという問題がある。

図５は、溶接線が円弧の場合の問題点を説明するための図である。同図は、溶接開始点Ｐｓ１、中間点Ｐｃ１、溶接終了点Ｐｅ１の３点で形成される円弧溶接線Ｗｓｃを基本溶接線とし、３層の多層盛溶接を行う場合の一例を示している。２層目は、溶接開始点Ｐｓ２、中間点Ｐｃ２および溶接終了点Ｐｅ２により形成され、３層目は、溶接開始点Ｐｓ３、中間点Ｐｃ３および溶接終了点Ｐｅ３により形成されるものとする。

２層目の溶接開始点Ｐｓ２は、１層目の溶接開始点Ｐｓ１を溶接ビードの盛り高さ方向に距離Ｈ１だけシフトし、さらに溶接線方向にカスケード量Ｃｖだけシフトすることにより算出される。同様の方法で３層目を考えると、２層目の溶接開始点Ｐｓ２を溶接ビードの盛り高さ方向に距離Ｈ２だけシフトし、さらに溶接線方向に２層目と同一のカスケード量Ｃｖだけシフトした位置が３層目の溶接開始点の位置（白三角で示したＰｓ３’の位置）となる。しかしながら、上述したように溶接線が円弧の場合は、層数が増えることで溶接ビードの盛り高さが高くなるので外側の層ほど溶接長が長くなる。すなわち、本来望ましい３層目の溶接開始点は、白三角で示したＰｓ３’の位置ではなく黒三角で示したＰｓ３の位置であって、この位置はカスケード量Ｃｖよりも長いカスケード量が反映される必要がある。

このように、溶接線が円弧の場合は、一定値のカスケード量Ｃｖを用いて溶接開始点や溶接終了点をシフトさせると、溶接ビードを階段状に積み上げることができない。ここで、溶接層毎に異なるカスケード量Ｃｖを設定できるようにする方法もあるが、この場合は、所望のカスケード量をどの程度にしたら良いか作業者が計算により求めなければならないことに加えて、計算後の値を溶接層毎に設定する必要があるために、非常に煩雑であるという問題がある。

本発明は、溶接線が円弧の場合でも適切なカスケード量を簡単に設定することができる多層盛溶接装置を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、請求項１の発明は、
円弧溶接線を形成する溶接開始点および溶接終了点を含む３点の教示点に対してシフト量およびカスケード量を反映し、全Ｎパス（ただし、Ｎは２以上の整数）の円弧溶接線を生成して溶接を行う多層盛溶接装置において、
前記シフト量に基づいて第Ｍパス目（ただし、Ｍは１以上Ｎ以下の整数）における溶接開始点および溶接終了点を含む円弧溶接線を算出する工程と、前記第Ｍパス目における円弧溶接線の半径値および予め定めた回転角度に基づいて前記第Ｍパス目のカスケード量を算出する行程と、算出したカスケード量に基づいて前記第Ｍパス目における溶接開始点および溶接終了点のカスケードシフト位置を算出する行程と、を含むシフト位置算出手段を備えたことを特徴とする多層盛溶接装置である。

請求項２の発明は、
円弧溶接線を形成する溶接開始点および溶接終了点を含む３点の教示点に対してシフト量およびカスケード量を反映し、全Ｎパス（ただし、Ｎは２以上の整数）の円弧溶接線を生成して溶接を行う多層盛溶接におけるカスケード量の算出方法であって、
前記シフト量に基づいて第Ｍパス目（ただし、Ｍは１以上Ｎ以下の整数）における溶接開始点および溶接終了点を含む円弧溶接線を算出する工程と 溶接開始点および溶接終了点を含む円弧溶接線を算出する工程と、第Ｍパス目における円弧溶接線の半径値および予め定めた回転角度に基づいて前記第Ｍパス目のカスケード量を算出する行程と、を含むことを特徴とする多層盛溶接におけるカスケード量の算出方法である。

本発明の多層盛溶接装置によれば、円弧中心からの回転角度を用いて各溶接層のカスケード量を算出するようにしたことによって、溶接線が円弧の場合であってもカスケード処理に必要な設定を簡単に行うことができる。また、本発明の多層盛溶接におけるカスケード量の算出方法によれば、回転角度を指定するだけの簡単な方法により溶接線が円弧である場合のカスケード量を算出することができる。

本発明に係る多層盛溶接装置の機能ブロック図 カスケード位置を算出する際の概念図 多層盛溶接装置の構成図 溶接線が直線である場合の溶接パスについて説明するための図 溶接線が円弧の場合の問題点を説明するための図

図１は、本発明の多層盛溶接装置１の機能ブロック図である。同図において、ティーチペンダントＴＰは、従来技術と同様に多層盛溶接プログラムＴｄを作成するための可搬式操作装置である。ロボットＲもまた、従来技術と同様のものであって、把持した溶接トーチＴの先端を教示された位置姿勢に導くものである。以下、本発明のカスケード位置算出手段として機能するロボット制御装置ＲＣの詳細について説明する。

ロボット制御装置ＲＣは、中央演算処理装置であるＣＰＵ２１、ソフトウェアプログラムや制御パラメータ等が格納されたＲＯＭ２２、一時的な計算領域としてのＲＡＭ２３、各種メモリ等を含むマイクロコンピュータによって構成されている。ＴＰインターフェース１０は、ティーチペンダントＴＰを接続するためのものである。ハードディスク５は不揮発性メモリであり、多層盛溶接プログラムＴｄや後述するオフセットファイルＯｆを記憶する。

ＲＯＭ２２には、各種処理を行うためのソフトウェアプログラムが記憶されている。これらを機能的に同図に示すと、キー入力監視部２、教示処理部３、オフセット位置算出部７、動作制御部９、解釈実行部１１および駆動指令部１２の各処理部を備えている。これらの各処理部は、ＣＰＵ２１に読み込まれて実行される。

キー入力監視部２は、作業者によりティーチペンダントＴＰの操作がなされたときに入力される操作信号Ｓｓを監視するとともに解析して、教示処理部３や解釈実行部１１に教示情報を通知する。

教示処理部３は、キー入力監視部２から通知される教示点（すなわち、円弧溶接線を構成する溶接開始点、中間点、溶接終了点等）の位置姿勢座標値や、２パス目以降の溶接パスにおける円弧溶接線からのシフト量およびカスケード基準角度（以下、これらを総称する場合はオフセット量と呼ぶ）に応じて多層盛溶接プログラムＴｄを作成し、ハードディスク５に記憶する。

ここで、上記シフト量とは、２パス目以降の教示点を溶接ビードの盛り高さ方向へシフトしたい場合の移動距離のことである。また、上記カスケード回転角度とは、同じく２パス目以降の教示点を溶接線方向へシフトしたい場合の移動距離（カスケード量）を算出する際に用いる角度であり、円弧溶接線の中心点をその回転中心としている。シフト量およびカスケード回転角度から成るオフセット量は、多層盛溶接プログラムＴｄの内部データとして持たせても良いし、図示するように多層盛溶接プログラムＴｄから間接的に参照されるオフセットファイルＯｆとして記憶するようにしても良い。なお、シフト量は、溶接開始点と溶接終了点とで各々異なる値を設定することができるが、円弧溶接線の場合は、同一値を設定しておくことが好ましいので、本実施形態でも同一値が設定されているものとする。カスケード回転角度についても同様であるが、本実施形態では、溶接開始点と溶接終了点とで各々異なる角度が設定されているものとする。

解釈実行部１１は、作業者が作成済みの多層盛溶接プログラムＴｄを再生運転したときに、多層盛溶接プログラムＴｄを教示点ごとに読み出してその内容を解析する。そして、ロボットＲを駆動させる必要がある場合は、駆動に必要な制御情報（命令の種類、位置姿勢座標値等）を動作制御部９に出力する。動作制御部９は、制御情報に基づいて軌道計画等を行い、駆動指令部１２を介してロボットＲに動作制御信号Ｍｃを出力する。この結果、ロボットＲが駆動制御される。

解釈実行部１１はまた、多層盛溶接プログラムＴｄの教示内容を解釈し、２パス目以降のオフセット位置の算出が必要な場合に、オフセット位置算出部７に算出を依頼する。ここで述べるオフセット位置とは、基準となる教示点に対し、上述したオフセット量（シフト量およびカスケード基準角度）が反映された位置のことである。オフセット位置算出部７は、多層盛溶接プログラムＴｄおよびオフセットファイルＯｆに基づき、各溶接パスにおけるオフセット位置を算出してＲＡＭ２３に記憶する。

次に、上記のように構成された多層盛溶接装置１における本発明の作用について説明する。以下では、溶接線が円弧である場合の各溶接パスにおけるオフセット位置を算出する処理についてのみ説明し、その前後の演算処理については従来技術と同じであるので説明を省略する。

図２は、オフセット位置を算出する際の概念図である。同図は、溶接開始点Ｐｓ１、中間点Ｐｃ１、および溶接終了点Ｐｅ１の３点で形成された円弧溶接線Ｗｓｃを基本溶接線（１層目）とし、図には表れていないが、２パスから成る２層目、３パスから成る３層目を円周の外側方向へ積み上げていく３層６パスの多層盛溶接を行う場合の一例を示している。２層目は、１層目を基準に溶接ビードの盛り高さＳｖ１だけシフトされた層であり、３層目は、１層目を基準に溶接ビードの盛り高さＳｖ１＋Ｓｖ２だけシフトされた層である。シフト量は上述したオフセットファイルＯｆに設定されており、１層目の溶接開始点、中間点および溶接終了点で同一値が設定されているものとする。以下では、３層６パスの溶接開始点および溶接終了点の中から、代表して２層１パス目の溶接開始点Ｐｓ２および溶接終了点Ｐｅ２、さらに３層１パス目の溶接開始点Ｐｓ３および溶接終了点Ｐｅ３を算出する様子を例にして説明する。なお、以下では説明を簡略化するために２層１パス目のことを単に２層目と呼び、３層１パス目のことを単に３層目と呼ぶことにする。

（１．２層目の溶接開始点Ｐｓ２および溶接終了点Ｐｅ２の算出）
オフセット位置算出部７は、オフセットファイルＯｆに記憶されたシフト量に基づいて２層目における溶接開始点Ｐｓ２’、中間点Ｐｃ２および溶接終了点Ｐｅ２’の位置を算出し、さらにこれらの教示点を含む円弧溶接線Ｗｃ２の軌道を算出する。

次いで、２層目の溶接開始点Ｐｓ２’のカスケード量Ｃｖｓ２を算出する。カスケード量Ｃｖｓ２は、２層目の円弧溶接線Ｗｃ２における弧の一部と考えることができるので、２層目の円弧溶接線Ｗｃ２の中心点Ｃｏから溶接開始点Ｐｓ２’までの距離（すなわち円弧溶接線Ｗｃ２の半径）に、オフセットファイルＯｆに予め定めたカスケード回転角度θｓ［ｒａｄ］を乗じることによりカスケード量Ｃｖｓ２を得ることができる。同様に、２層目の溶接終了点Ｐｅ２’のカスケード量Ｃｖｅ２も算出する。すなわち、２層目の円弧溶接線Ｗｃ２の半径にカスケード回転角度θｅを乗じることにより、カスケード量Ｃｖｅ２を得る。

最後に、溶接開始点Ｐｓ２’をカスケード量Ｃｖｓ２だけ溶接方向へシフトさせる演算を行うことにより、２層目における溶接開始点Ｐｓ２の位置を算出する。同様に、溶接終了点Ｐｅ２’をカスケード量Ｃｖｅ２だけ溶接方向とは逆方向へシフトさせる演算を行うことにより、２層目における溶接終了点Ｐｅ２の位置を算出する。

（２．３層目の溶接開始点Ｐｓ３および溶接終了点Ｐｅ３の算出）
オフセット位置算出部７は、オフセットファイルＯｆに記憶されたシフト量に基づいて３層目における溶接開始点Ｐｓ３’、中間点Ｐｃ３および溶接終了点Ｐｅ３’の位置を算出し、さらにこれらの教示点を含む円弧溶接線Ｗｃ３の軌道を算出する。

次いで、３層目の溶接開始点Ｐｓ３’のカスケード量Ｃｖｓ３を算出する。カスケード量Ｃｖｓ３は、２層目と同様に、３層目の円弧溶接線Ｗｃ３の半径にカスケード回転角度θｓを乗じることにより得る。同様に、３層目の溶接終了点Ｐｅ３’のカスケード量Ｃｖｅ３も算出する。すなわち、３層目の円弧溶接線Ｗｃ３の半径にカスケード回転角度θｅを乗じることにより、カスケード量Ｃｖｅ３を得る。

最後に、溶接開始点Ｐｓ３’をカスケード量Ｃｖｓ３だけ溶接方向へシフトさせる演算を行うことにより、２層目における溶接開始点Ｐｓ３の位置を算出する。同様に、溶接終了点Ｐｅ３’をカスケード量Ｃｖｅ３だけ溶接方向とは逆方向へシフトさせる演算を行うことにより、３層目における溶接終了点Ｐｅ３の位置を算出する。

以上説明したように、本発明によれば、円弧溶接線の中心点からのカスケード回転角度を予め定めておき、このカスケード回転角度を用いて各溶接層のカスケード量を算出するようにした。すなわち、溶接線が円弧の場合は、カスケード回転角度を入力するだけでカスケード処理に必要な設定を行うことができ、また、各溶接層に適切なカスケード量を設定することができる。

１ 多層盛溶接装置
２ キー入力監視部
３ 教示処理部
５ ハードディスク
７ オフセット位置算出部
９ 動作制御部
１０ インターフェース
１１ 解釈実行部
１２ 駆動指令部
２１ ＣＰＵ
２２ ＲＯＭ
２３ ＲＡＭ
５１ 多層盛溶接装置
Ｃｏ 中心点
Ｃｖ カスケード量
Ｃｖｓ２ ２層目の溶接開始点のカスケード量
Ｃｖｓ３ ３層目の溶接開始点のカスケード量
Ｃｖｅ２ ２層目の溶接終了点のカスケード量
Ｃｖｅ３ ３層目の溶接終了点のカスケード量
Ｆｃ 送給制御信号
Ｈ１ 距離
Ｈ２ 距離
Ｉｗ 溶接電流
Ｍｃ 動作制御信号
Ｏｆ オフセットファイル
Ｐａ アプローチ点
Ｐｂ 退避点
Ｐｃ１ 中間点
Ｐｃ２ 中間点
Ｐｃ３ 中間点
Ｐｅ１ 溶接終了点
Ｐｅ２ 溶接終了点
Ｐｅ３ 溶接終了点
Ｐｅｎ 溶接終了点
Ｐｓ１ 溶接開始点
Ｐｓ２ 溶接開始点
Ｐｓ３ 溶接開始点
Ｐｓｎ 溶接開始点
Ｒ ロボット
ＲＣ ロボット制御装置
Ｓｓ 操作信号
Ｓｖ１ 盛り高さ
Ｓｖ２ 盛り高さ
Ｔ 溶接トーチ
Ｔｄ 多層盛溶接プログラム
ＴＰ ティーチペンダント
Ｖｗ 溶接電圧
Ｗ ワーク
Ｗｃ 溶接指令信号
Ｗｃ１ 円弧溶接線
Ｗｃ２ 円弧溶接線
Ｗｃ３ 円弧溶接線
ＷＭ ワイヤ送給モータ
ＷＰ 溶接電源
ＷＲ 溶接ワイヤ
Ｗｓ１ 基本溶接線
Ｗｓ２ 溶接線
Ｗｓ３ 溶接線
Ｗｓｃ 円弧溶接線
θｅ カスケード回転角度
θｓ カスケード回転角度

Claims (2)

1. 円弧溶接線を形成する溶接開始点および溶接終了点を含む３点の教示点に対してシフト量およびカスケード量を反映し、全Ｎパス（ただし、Ｎは２以上の整数）の円弧溶接線を生成して溶接を行う多層盛溶接装置において、
   前記シフト量に基づいて第Ｍパス目（ただし、Ｍは１以上Ｎ以下の整数）における溶接開始点および溶接終了点を含む円弧溶接線を算出する工程と、前記第Ｍパス目における円弧溶接線の半径値および予め定めた回転角度に基づいて前記第Ｍパス目のカスケード量を算出する行程と、算出したカスケード量に基づいて前記第Ｍパス目における溶接開始点および溶接終了点のカスケードシフト位置を算出する行程と、を含むシフト位置算出手段を備えたことを特徴とする多層盛溶接装置。
2. 円弧溶接線を形成する溶接開始点および溶接終了点を含む３点の教示点に対してシフト量およびカスケード量を反映し、全Ｎパス（ただし、Ｎは２以上の整数）の円弧溶接線を生成して溶接を行う多層盛溶接におけるカスケード量の算出方法であって、
   前記シフト量に基づいて第Ｍパス目（ただし、Ｍは１以上Ｎ以下の整数）における溶接開始点および溶接終了点を含む円弧溶接線を算出する工程と 溶接開始点および溶接終了点を含む円弧溶接線を算出する工程と、第Ｍパス目における円弧溶接線の半径値および予め定めた回転角度に基づいて前記第Ｍパス目のカスケード量を算出する行程と、を含むことを特徴とする多層盛溶接におけるカスケード量の算出方法。

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