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JP2014202739A - Probe card - Google Patents

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JP2014202739A
JP2014202739A JP2013090749A JP2013090749A JP2014202739A JP 2014202739 A JP2014202739 A JP 2014202739A JP 2013090749 A JP2013090749 A JP 2013090749A JP 2013090749 A JP2013090749 A JP 2013090749A JP 2014202739 A JP2014202739 A JP 2014202739A
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Japan
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probe
wire
wire wiring
terminal
probe card
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JP2013090749A
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Japanese (ja)
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軍生 木本
Isao Kimoto
軍生 木本
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Abstract

【課題】 狭ピッチ多ピンプローブカードにワイヤ配線を適用し、安価で高周波特性の優れたプローブカードを提供する。【解決手段】 第1のプローブ集合体のプローブ端子と相対するワイヤ配線端部を、前記プローブ端子近傍のXY平面上に、前記第1のプローブ端子配列ピッチに合致させて平行に整列固定して第1のワイヤ配線層を形成し、前記第1のプローブ集合体に隣接する第2の前記プローブ集合体のプローブ端子と相対するワイヤ配線端部を、前記第1のプローブ集合体におけると同様に、整列固定して第2のワイヤ配線層を形成し、前記第1と第2のワイヤ配線層をZ方向に重ねて設置し、前記第1のプローブ端子が、前記第1のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部と接触し、前記第2のプローブ端子が、前記第2のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部と接触させる。【選択図】図5PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive probe card having excellent high frequency characteristics by applying wire wiring to a narrow pitch multi-pin probe card. A wire wiring end facing a probe terminal of a first probe assembly is aligned and fixed in parallel on the XY plane in the vicinity of the probe terminal so as to match the first probe terminal arrangement pitch. A wire wiring end that forms a first wire wiring layer and faces a probe terminal of the second probe assembly adjacent to the first probe assembly is the same as in the first probe assembly. The second wire wiring layer is formed by being aligned and fixed, and the first and second wire wiring layers are stacked in the Z direction, and the first probe terminal is connected to the first wire wiring layer. The second probe terminal is brought into contact with the wire wiring end of the second wire wiring layer in contact with the wire wiring end. [Selection] Figure 5

Description

本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップの回路検査に使用するプローブカードに関するものである。  The present invention relates to a probe card used for circuit inspection of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer.

半導体回路の検査に用いるプローブカードは、半導体チップ上のパッド数の増加、パッド面積の縮小化、パッドピッチの狭小化に対応すべくプローブ配列の高密度化が要求されている。現在、最も狭ピッチパッドであり、かつ多ピンを有するICの例としては、主として液晶パネル駆動用に使用されるIC(以下、LCDドライバ用ICという)である。特に、液晶の全画素に対応して信号を出力する端子パッド列においては、20μm以下のパッドピッチで1000端子を超える端子数のICが開発され、さらなる高画質化に応じて狭ピッチかつ多ピン化の傾向にある。  A probe card used for inspection of a semiconductor circuit is required to have a higher density of probe arrays in order to cope with an increase in the number of pads on a semiconductor chip, a reduction in pad area, and a reduction in pad pitch. At present, an example of an IC having the narrowest pitch pad and having many pins is an IC mainly used for driving a liquid crystal panel (hereinafter referred to as an LCD driver IC). In particular, in the terminal pad row that outputs signals corresponding to all pixels of the liquid crystal, an IC having more than 1000 terminals with a pad pitch of 20 μm or less has been developed. There is a tendency of becoming.

さらに、検査時間の短縮化のために、近接した複数の半導体チップを同時に検査することが有効とされ、複数チップの狭ピッチパッドに接触可能な数千ピン搭載のプローブカードが要求されている。プローブカードは、狭ピッチで配列された多ピンのプローブ組立体における各プローブ端子部から、プローブカード周辺部に比較的粗いピッチで設置された外部テスタ接続用端子へ効率良く配線しなければならず、プローブ端子部のピッチが小さい程、又、プローブ端子数が多い程、配線基板が多層構造となる。  Further, in order to shorten the inspection time, it is effective to inspect a plurality of adjacent semiconductor chips at the same time, and there is a demand for a probe card with thousands of pins that can contact a narrow pitch pad of a plurality of chips. The probe card must be efficiently wired from each probe terminal in a multi-pin probe assembly arranged at a narrow pitch to an external tester connection terminal installed at a relatively coarse pitch around the probe card. As the pitch between the probe terminals is smaller and the number of probe terminals is larger, the wiring board has a multilayer structure.

一方、高機能化されたICでは、ピン単位の信号周波数が増加する傾向にあり、高周波特性の優れたプローブカードが必要となってくる。従来のプローブカードに使用されている印刷配線板における高周波用パターンとしては、外層面におけるマイクロストリップライン構造や、内層回路におけるストリップライン構造が一般的であり、各々の信号線の上下のグランド層又は電源層と共に多層化構造となっている。ところが、これらのストリップライン構成は断面が矩形であり、エッチング工程による表面処理の凹凸又は断面形状のバラツキ等により、高周波特性の劣化が生じてくる。これを解決する構造としては、例えば特開2006−294683号公報(特許文献1)に開示された技術がある。これは、Φ80μmほどの微細な同軸状銅線にポリイミド等の絶縁材料で被覆した導電性ワイヤを用いた配線構造である。ワイヤ配線は、断面形状が一定の同軸形状であるため、電気抵抗値が少なくバラツキも小さい上、同一層上に交差して最短かつ等長に配線することが可能なため、クロストークが低減され高周波特性に優れているだけでなく、印刷配線板と比較して層数を少なく構成することができるという優位性がある。また、印刷配線板に必要なフォトマスク製造が不要であるため、低コストで短納期であるといった優位性も有している。  On the other hand, in a highly functional IC, the signal frequency of each pin tends to increase, and a probe card having excellent high frequency characteristics is required. As a high frequency pattern in a printed wiring board used in a conventional probe card, a microstrip line structure on an outer layer surface or a strip line structure in an inner layer circuit is generally used, and a ground layer above or below each signal line or It has a multilayer structure with the power supply layer. However, these stripline configurations have a rectangular cross section, and high-frequency characteristics are deteriorated due to surface treatment irregularities or cross-sectional variations in the etching process. As a structure for solving this problem, for example, there is a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-294683 (Patent Document 1). This is a wiring structure using a conductive wire in which a fine coaxial copper wire having a diameter of about 80 μm is covered with an insulating material such as polyimide. Since the wire wiring is coaxial with a constant cross-sectional shape, the electrical resistance value is small and the variation is small, and it is possible to cross the same layer and wire the shortest and the same length, so crosstalk is reduced. In addition to excellent high-frequency characteristics, there is an advantage that the number of layers can be reduced as compared with a printed wiring board. In addition, since it does not require the production of a photomask necessary for a printed wiring board, it has an advantage of low cost and short delivery time.

また一方、狭ピッチのプローブ配列から配線基板への効率的配線方法としては、例えば特開2010−054487号公報(特許文献2)で開示された技術がある。これは、プローブと直結するプローブ端子を有し、各々のプローブ端子の配置をXY方向及びZ方向に分散配列して一体化したプローブ組立体と、絶縁フィルムの表面に配線が接着形成された配線基板を複数層形成し、第n層の配線基板の一端に形成されたランド配列群とプローブ組立体の第nの列の出力端子群とを接触させることにより、少ない層数基板にて配線接続を容易にしたものである。  On the other hand, as an efficient wiring method from a narrow pitch probe array to a wiring board, for example, there is a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-054487 (Patent Document 2). This is a probe assembly that has probe terminals that are directly connected to the probes, and in which the arrangement of each probe terminal is distributed and integrated in the XY and Z directions, and wiring in which wiring is formed on the surface of an insulating film. Multiple layers of substrates are formed, and the land array group formed at one end of the n-th layer wiring substrate and the output terminal group of the n-th column of the probe assembly are brought into contact with each other to connect the wiring with a small number of layers. Is made easier.

特開2006−294683号公報  JP 2006-294683 A 特開2010−054487号公報  JP 2010-054487 A

しかしながら、特許文献2で示した例によれば、プローブ先端からプローブ端子先端までの長さにバラツキが生じたり、配線基板上のパターンの断面形状にバラツキが生じたりするため、高周波特性の劣化に繋がるという問題が生じてくる。また、プローブカードにワイヤ配線を適用するに当たり、狭ピッチ化したプローブとの接続が困難でなり、中継用パッド等を配置するため、接続のための占有面積が大きくなるという問題が生じる。  However, according to the example shown in Patent Document 2, the length from the probe tip to the probe terminal tip varies, or the cross-sectional shape of the pattern on the wiring board varies. The problem of being connected arises. Further, when wire wiring is applied to the probe card, it becomes difficult to connect with a probe with a narrow pitch, and a relay pad or the like is arranged, which causes a problem that an occupied area for connection increases.

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、その目的は、狭ピッチかつ多ピンを有するプローブカードにおける配線接続において、ワイヤ配線接続を主体とし、プローブとワイヤ配線との接続を容易な構造とすることにより、高周波特性に優れ、かつ安価なプローブカードを提供することである。  The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to mainly connect wire wiring in a wiring connection in a probe card having a narrow pitch and multiple pins, and to connect the probe and the wire wiring. An easy structure is to provide a probe card that has excellent high-frequency characteristics and is inexpensive.

本発明は、垂直プローブ部と、配線基板に接続するプローブ端子部と、前記垂直プローブ部と前記プローブ端子部とを接続するパターンとを含むプローブが複数個同一平面上に配置されたプローブ集合体を複数枚配列したプローブ組立体と、配線基板とから成るプローブカードにおいて、前記配線基板が、外部接続端子部と前記プローブ端子部とを絶縁被覆付ワイヤにて接続するワイヤ配線パターンによって構成されたことを特徴とする。前記配線基板が、外部接続端子部と前記プローブ端子部とを絶縁被覆付ワイヤにて接続するワイヤ配線パターンによって構成される手段を有しているため、高周波特性の優れた配線基板を実現することが可能である。  The present invention relates to a probe assembly in which a plurality of probes including a vertical probe portion, a probe terminal portion connected to a wiring board, and a pattern connecting the vertical probe portion and the probe terminal portion are arranged on the same plane. In the probe card comprising a plurality of probe assemblies and a wiring board, the wiring board is configured by a wire wiring pattern that connects the external connection terminal portion and the probe terminal portion with a wire with insulation coating. It is characterized by that. Since the wiring board has means constituted by a wire wiring pattern for connecting the external connection terminal portion and the probe terminal portion with a wire with an insulation coating, a wiring substrate having excellent high frequency characteristics can be realized. Is possible.

また、本発明は、第1のプローブ集合体におけるプローブ端子と相対する前記ワイヤ配線端部を、前記プローブ端子近傍におけるXY平面上に、前記第1のプローブ端子配列ピッチに合致させて平行に整列固定して第1のワイヤ配線層を形成し、前記第1のプローブ集合体に隣接する第2の前記プローブ集合体におけるプローブ端子と相対する前記ワイヤ配線端部を、前記プローブ端子近傍におけるXY平面上に、前記第2のプローブ端子配列ピッチに合致させて平行に整列固定して第2のワイヤ配線層を形成し、前記第1と第2のワイヤ配線層をZ方向に重ねて設置し、前記第1のプローブ端子が、相対する前記第1のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部と接触し、前記第2のプローブ端子が、相対する前記第2のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部と接触する手段を有する。このため、狭ピッチプローブ部における配線を小スペースで効率良く実現することが可能となる。  Further, according to the present invention, the wire wiring end facing the probe terminal in the first probe assembly is aligned in parallel on the XY plane in the vicinity of the probe terminal so as to match the first probe terminal arrangement pitch. An XY plane in the vicinity of the probe terminal is fixed to form a first wire wiring layer, and the wire wiring end facing the probe terminal in the second probe assembly adjacent to the first probe assembly The second wire wiring layer is formed by aligning and fixing in parallel with the second probe terminal arrangement pitch, and the first and second wire wiring layers are stacked in the Z direction. The first probe terminal is in contact with the wire wiring end portion of the first wire wiring layer opposed to the first probe terminal, and the wire of the second wire wiring layer is opposed to the second probe terminal. And means for contacting the wire ends. For this reason, it becomes possible to implement | achieve wiring in a narrow pitch probe part efficiently in a small space.

本発明のプローブカードによれば、プローブ端子先端部に直接ワイヤ配線端部の接続を可能としたため、プローブ先端からプローブ端子先端までの長さを最短にすることができ、高周波特性の優れた配線構造であるワイヤ配線手法を、狭ピッチで多ピンのプローブカードに適用することが可能となる。  According to the probe card of the present invention, since the wire wiring end can be directly connected to the probe terminal tip, the length from the probe tip to the probe terminal tip can be minimized, and the wiring having excellent high frequency characteristics It is possible to apply the wire wiring technique, which is a structure, to a probe card having a narrow pitch and a large number of pins.

本発明の実施形態であるプローブカードの基本構造を示す斜視図である。  It is a perspective view which shows the basic structure of the probe card which is embodiment of this invention. 本発明の実施形態であるプローブ組立体の基本構造を示す部分詳細図である。  It is a fragmentary detail view which shows the basic structure of the probe assembly which is embodiment of this invention. 本発明の実施形態であるプローブ組立体の基本構造とワイヤ接続の構造を示す説明図である。  It is explanatory drawing which shows the basic structure of the probe assembly which is embodiment of this invention, and the structure of wire connection. 本発明の実施形態であるプローブ端子とワイヤとの接続構造を示す部分詳細図である。  It is a partial detail drawing which shows the connection structure of the probe terminal which is embodiment of this invention, and a wire. 本発明の実施形態であるプローブ端子とワイヤとの接続構造を示す部分詳細図である。  It is a partial detail drawing which shows the connection structure of the probe terminal which is embodiment of this invention, and a wire. 本発明の実施形態であるプローブ端子とワイヤとの接続構造を示す部分断面図である。  It is a fragmentary sectional view which shows the connection structure of the probe terminal and wire which are embodiment of this invention. 本発明の実施形態であるプローブカードの全体構造を示す断面図である。  It is sectional drawing which shows the whole structure of the probe card which is embodiment of this invention.

次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態におけるプローブカードの全体図を示す斜視図である。図1において、1は本発明の実施の形態におけるプローブカードで、ウエハ(図示せず)上に作製された被検査半導体チップ100の検査に使用するためのものである。本実施例では、1つの周辺配列型パッドのICについて例示したが、これに限るものではない。前記プローブカード1は、主として配線基板3とプローブ組立体10で構成され、前記配線基板3は絶縁基板30(例えばFR−4等)を基材とし、周辺部に外部接続端子31が設置され、テスタとのインターフェースを司るものである。また、必要に応じてコンデンサ等の電気部品(図示せず)と接続するためのスルーホール32を設置している。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing an overall view of a probe card according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a probe card according to an embodiment of the present invention, which is used for inspecting a semiconductor chip 100 to be inspected produced on a wafer (not shown). In this embodiment, the IC of one peripheral arrangement type pad is illustrated, but the present invention is not limited to this. The probe card 1 is mainly composed of a wiring board 3 and a probe assembly 10, and the wiring board 3 has an insulating substrate 30 (for example, FR-4) as a base material, and an external connection terminal 31 is installed in the periphery. It manages the interface with the tester. Further, a through hole 32 for connecting to an electrical component (not shown) such as a capacitor is provided as necessary.

一方、前記配線基板3における前記プローブ組立体10と前記外部接続端子部31との間の配線部は、前記外部接続端子部31と後述するプローブ端子部との間、又は前記外部接続端子部31と前記スルーホール32との間、又は前記プローブ端子部と前記スルーホール32との間を、絶縁被覆付ワイヤ配線40にて接続するワイヤ配線層4によって構成され、高周波特性を必要とする信号線には、信号線用ワイヤの周囲に絶縁層を介して同軸状に接地用シールド導体を有する同軸シールド線45を使用している。  On the other hand, the wiring part between the probe assembly 10 and the external connection terminal part 31 in the wiring board 3 is between the external connection terminal part 31 and a probe terminal part described later, or the external connection terminal part 31. And the through-hole 32 or between the probe terminal portion and the through-hole 32 by a wire wiring layer 4 that connects with a wire wiring 40 with insulating coating, and a signal line that requires high-frequency characteristics A coaxial shield wire 45 having a ground shield conductor coaxially through an insulating layer around the signal wire is used.

図2及び図3を参照して本実施の形態をさらに詳細に説明する。図2は、本実施例に係るプローブカードに用いられる前記プローブ組立体10の基本構造を示す斜視図である。図3は、前記ワイヤ配線層4における前記ワイヤ配線40を説明する斜視図である。本実施形態では、図2の上部に示すようなウエハ上のLCDドライバICといった被検査半導体チップ(以下、単にチップという)を検査するためのプローブカードを例とし、プローブ組立体10は図2の下部に示されている。100はウエハ上に作製されたチップを示し、パッド列101乃至105が前記半導体チップ100の各々の周辺近辺に配列されたものである。前記パッド列101及び102は前記チップ100の1辺において、概ねパッド幅だけ相互にずれた位置関係にて平行に配置され、いわゆる千鳥配列を形成し、LCD出力信号の多ピン化に対応している。前記プローブ組立体10は、プローブ集合体11乃至15によって構成される。11及び12は、それぞれ前記半導体チップ100における前記パッド列101及び102上の全パッドに対応するプローブ集合体であり、13は、前記パッド列103上の全パッドに対応するプローブ集合体である。一方、14及び15は、それぞれ前記パッド列101又は102若しくは103と直交する前記パッド列104及び105の全パッドに対応するプローブ集合体であり、前記プローブ集合体11乃至13と直交して配置することにより前記プローブ組立体10を構成する。  This embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 2 is a perspective view showing a basic structure of the probe assembly 10 used in the probe card according to the present embodiment. FIG. 3 is a perspective view for explaining the wire wiring 40 in the wire wiring layer 4. In this embodiment, a probe card for inspecting a semiconductor chip to be inspected (hereinafter simply referred to as a chip) such as an LCD driver IC on a wafer as shown in the upper part of FIG. 2 is taken as an example, and the probe assembly 10 is shown in FIG. Shown at the bottom. Reference numeral 100 denotes a chip manufactured on a wafer, and pad rows 101 to 105 are arranged in the vicinity of the periphery of each of the semiconductor chips 100. The pad rows 101 and 102 are arranged on one side of the chip 100 in parallel so as to be shifted from each other by the pad width, forming a so-called staggered arrangement, corresponding to the increase in the number of pins of the LCD output signal. Yes. The probe assembly 10 includes probe assemblies 11 to 15. Reference numerals 11 and 12 denote probe assemblies corresponding to all pads on the pad rows 101 and 102 in the semiconductor chip 100, respectively. Reference numeral 13 denotes a probe assembly corresponding to all pads on the pad row 103. On the other hand, 14 and 15 are probe assemblies corresponding to all pads of the pad arrays 104 and 105 orthogonal to the pad arrays 101, 102 or 103, respectively, and are arranged orthogonal to the probe assemblies 11 to 13. Thus, the probe assembly 10 is configured.

図3はまた、図2における前記プローブ組立体10において、前記パッド列101及び102と前記プローブ集合体11及び12との関係をも示している。前記プローブ組立体10を構成する前記プローブ集合体11は、絶縁フィルム(例えばポリイミド樹脂)119上に、プローブ110が配列固定されている。前記プローブ110は前記パッド列101に対応するもので、各々の添え字(1〜i)が同一のものどうしが相互に接触し、電気的導通を図るものである。同様に、前記プローブ集合体12は絶縁フィルム129上にプローブ120−1〜120jが配列固定され前記パッド列102−1〜102−jに各々対応し、前記プローブ集合体13は絶縁フィルム139上にプローブ130−1〜130−kが配列固定され前記パッド列103−1〜103−kに各々対応し、前記プローブ集合体14は絶縁フィルム149上にプローブ140−1〜140−mが配列固定され前記パッド列104−1〜104−mに各々対応し、前記プローブ集合体15は絶縁フィルム159上にプローブ150−1〜150−nが配列固定され前記パッド列105−1〜105−nに各々対応している。  FIG. 3 also shows the relationship between the pad rows 101 and 102 and the probe assemblies 11 and 12 in the probe assembly 10 shown in FIG. In the probe assembly 11 constituting the probe assembly 10, probes 110 are arrayed and fixed on an insulating film (for example, polyimide resin) 119. The probe 110 corresponds to the pad row 101, and the same subscripts (1 to i) are in contact with each other to achieve electrical conduction. Similarly, in the probe assembly 12, probes 120-1 to 120j are arrayed and fixed on an insulating film 129 and correspond to the pad rows 102-1 to 102-j, respectively, and the probe assembly 13 is formed on the insulating film 139. Probes 130-1 to 130-k are arranged and fixed to correspond to the pad rows 103-1 to 103-k, respectively, and the probe assembly 14 has probes 140-1 to 140-m arranged and fixed on an insulating film 149. The probe assembly 15 corresponds to the pad rows 104-1 to 104-m, and probes 150-1 to 150-n are arranged and fixed on the insulating film 159, and the pad rows 105-1 to 105-n are respectively arranged. It corresponds.

1つの前記プローブ110は、垂直プローブ部112、プローブ変形部113、導体パターン114及び端子115で構成され、前記垂直プローブ部112の先端部はプローブ接触部(黒色部)111を有する。また、各々の添え字をプローブ又はパッドの添え字に一致させて示した。前記プローブ120、130、140、150も同様の構成である。前記端子115は、前記配線基板3上に設置されたパッド33に接続され、前記配線基板3上との電気的接続が確保される。前記絶縁被覆付ワイヤ40は、銅線401の周囲に絶縁材(例えばポリイミド)による被覆部402を有したものである。その端部405は、前記被覆部402が一部除去され、前記パッド33に半田付又は溶接404により固着され、他端406は、同様に前記被覆部402が一部除去され、前記外部接続端子31を構成するスルーホール310から延長された導体パターン311に、半田付又は溶接404により固着されることにより、前記プローブ組立体10と前記外部接続端子31との電気的接続が確保される。  One probe 110 includes a vertical probe portion 112, a probe deformation portion 113, a conductor pattern 114, and a terminal 115. A tip portion of the vertical probe portion 112 has a probe contact portion (black portion) 111. In addition, each subscript is shown corresponding to the probe or pad subscript. The probes 120, 130, 140, and 150 have the same configuration. The terminal 115 is connected to a pad 33 provided on the wiring board 3, and electrical connection with the wiring board 3 is ensured. The wire 40 with an insulation coating has a coating portion 402 made of an insulating material (for example, polyimide) around a copper wire 401. The end portion 405 is partially removed from the covering portion 402, and is fixed to the pad 33 by soldering or welding 404. The other end 406 is also partially removed from the covering portion 402, and the external connection terminal 31 is secured by soldering or welding 404 to a conductor pattern 311 extending from a through-hole 310 that constitutes 31, thereby ensuring electrical connection between the probe assembly 10 and the external connection terminal 31.

図4乃至図6は、本発明の実施の形態における、前記プローブ端子と前記ワイヤとの接続構造を説明する図である。本実施例は、図3における前記パッド33を介せず、前記プローブ端子と前記ワイヤとを直接接続する構造を示すものである。図4において、21は1つのプローブ集合体を示し、前記プローブ集合体21上の1つのプローブ210は、絶縁フィルム219に、プローブ接触部211、垂直プローブ部212、プローブ変形部213、導体パターン214、プローブ端子215で構成され、前記プローブ端子215は、Z方向にバネ力を発生させるためのプローブ端子変形部216を有している。さらに、プローブ端子接触部217は、前記ワイヤとの接触を確実にするためにV字(又はU字)形状の凹部切り欠き218を有している。図4及び図5では、プローブ接触部211、垂直プローブ部212、プローブ変形部213、導体パターン214の一部を、簡略化のために省略している。  4 to 6 are diagrams illustrating a connection structure between the probe terminal and the wire in the embodiment of the present invention. This embodiment shows a structure in which the probe terminal and the wire are directly connected without using the pad 33 in FIG. In FIG. 4, reference numeral 21 denotes one probe assembly, and one probe 210 on the probe assembly 21 includes an insulating film 219, a probe contact portion 211, a vertical probe portion 212, a probe deformation portion 213, and a conductor pattern 214. The probe terminal 215 has a probe terminal deforming portion 216 for generating a spring force in the Z direction. Further, the probe terminal contact portion 217 has a V-shaped (or U-shaped) recess notch 218 to ensure contact with the wire. 4 and 5, a part of the probe contact portion 211, the vertical probe portion 212, the probe deformation portion 213, and the conductor pattern 214 is omitted for simplification.

なおこの明細書において、上記「Z」方向は、例えば図2(或いは図4)に示されたプローブ組立体10についてみると、このプローブ組立体10全体の上下方向(図2において垂直方向)を表す。「X」方向(後出)は、図2に示された上記プローブ組立体10全体の矩形形状の短手方向(図2において左右方向)を表す。「Y」方向(後出)は、同じく上記プローブ組立体10全体の矩形形状の長手方向(図2において左上から右下へ斜めに延びる方向)を表す。そして、X,Y,Zの各方向に延びる座標軸を設定することにより、X,Y,Z三次元直交座標系が形成される。図2(或いは図4)以外の図においてもX,Y,Zの各方向は上記図2中における方向に対応する方向を指す。  In this specification, the “Z” direction refers to, for example, the probe assembly 10 shown in FIG. 2 (or FIG. 4), the vertical direction of the entire probe assembly 10 (vertical direction in FIG. 2). Represent. The “X” direction (described later) represents the short side direction (left and right direction in FIG. 2) of the rectangular shape of the entire probe assembly 10 shown in FIG. The “Y” direction (described later) similarly represents the longitudinal direction of the rectangular shape of the entire probe assembly 10 (the direction extending obliquely from the upper left to the lower right in FIG. 2). Then, by setting coordinate axes extending in the X, Y, and Z directions, an X, Y, Z three-dimensional orthogonal coordinate system is formed. In the drawings other than FIG. 2 (or FIG. 4), the X, Y, and Z directions indicate directions corresponding to the directions in FIG.

前記配線基板3において、前記プローブ端子215近傍におけるXY平面上に、第1の前記プローブ集合体21における第1の前記プローブ端子215と接続すべき前記ワイヤ410を、前記ワイヤ配線端部415を前記第1のプローブ端子配列ピッチPy1に合致させ、平行に整列固定して第1のワイヤ配線層41を形成した。このとき、前記ワイヤ41の端部415の、少なくとも前記プローブ端子215と接触する側をレーザ照射等により前記被覆部412を除去し、前記銅線411を露出させると共に、前記ワイヤ端部415のX方向位置を一致させて整列固定する。以上のような構成による前記第1のプローブ端子215と前記第1のワイヤ配線層41の前記ワイヤ端部415を、XY方向に位置合わせを行い、Z方向に押付けることにより、前記第1のプローブ端子215と前記ワイヤ端部415との電気的接続が確保される。  In the wiring board 3, the wire 410 to be connected to the first probe terminal 215 in the first probe assembly 21 is connected to the wire wiring end 415 on the XY plane in the vicinity of the probe terminal 215. The first wire wiring layer 41 was formed by matching with the first probe terminal arrangement pitch Py1 and aligning and fixing in parallel. At this time, at least the side of the end portion 415 of the wire 41 that contacts the probe terminal 215 is removed by laser irradiation or the like to remove the covering portion 412 to expose the copper wire 411, and at the same time, the X of the wire end portion 415 Align and fix the direction position. The first probe terminal 215 configured as described above and the wire end portion 415 of the first wire wiring layer 41 are aligned in the XY direction, and pressed in the Z direction, whereby the first An electrical connection between the probe terminal 215 and the wire end 415 is ensured.

図5は、2つの前記プローブ集合体が隣接して設置された場合の、前記プローブ端子と前記ワイヤとの接続方法を説明するものである。図5において、前記第1のプローブ集合体21と隣接平行して配置した第2のプローブ集合体22とを示した。前記第2のプローブ集合体22上の1つのプローブ220は、絶縁フィルム229に、プローブ接触部221、垂直プローブ部222、プローブ変形部223、導体パターン224、プローブ端子225で構成され、前記プローブ端子225は、Z方向にバネ力を発生させるためのプローブ端子変形部226を有している。さらに、プローブ端子接触部227は、前記ワイヤとの接触を確実にするためにV字(又はU字)形状の凹部切り欠き228を有している。図5では、プローブ接触部221、垂直プローブ部222、プローブ変形部223、導体パターン224の一部を、簡略化のために省略している。前記プローブ端子225近傍におけるXY平面上に、第2の前記プローブ集合体22における第2の前記プローブ端子225と接続すべき前記ワイヤ420を、前記ワイヤ配線端部425を前記第2のプローブ端子配列ピッチPy2に合致させ、平行に整列固定して第2のワイヤ配線層42を形成した。このとき、前記ワイヤ42の端部425の、少なくとも前記プローブ端子225と接触する側をレーザ照射等により前記被覆部422を除去し、前記銅線421を露出させると共に、前記ワイヤ端部425のX方向位置を一致させて整列固定する。  FIG. 5 illustrates a method of connecting the probe terminal and the wire when the two probe assemblies are installed adjacent to each other. FIG. 5 shows the first probe assembly 21 and the second probe assembly 22 arranged adjacent to and in parallel. One probe 220 on the second probe assembly 22 includes an insulating film 229, a probe contact portion 221, a vertical probe portion 222, a probe deformation portion 223, a conductor pattern 224, and a probe terminal 225, and the probe terminal 225 has a probe terminal deforming portion 226 for generating a spring force in the Z direction. Further, the probe terminal contact portion 227 has a V-shaped (or U-shaped) recess notch 228 to ensure contact with the wire. In FIG. 5, a part of the probe contact portion 221, the vertical probe portion 222, the probe deformation portion 223, and the conductor pattern 224 is omitted for simplification. The wire 420 to be connected to the second probe terminal 225 in the second probe assembly 22 is arranged on the XY plane in the vicinity of the probe terminal 225, and the wire wiring end 425 is arranged in the second probe terminal arrangement. The second wire wiring layer 42 was formed in alignment with the pitch Py2 and aligned and fixed in parallel. At this time, at least the side of the end portion 425 of the wire 42 that is in contact with the probe terminal 225 is removed by laser irradiation or the like to expose the copper wire 421, and at the same time, the X of the wire end portion 425. Align and fix the direction position.

上述のような構成による前記第2のプローブ端子225と前記第2のワイヤ配線層42の前記ワイヤ端部425を、XY方向に位置合わせを行い、Z方向に押付けることにより、前記第2のプローブ端子225と前記ワイヤ端部425との電気的接続が確保される。また、以上のような2つの前記プローブ集合体21、22及び2つの前記ワイヤ配線層41、42との位置関係において、前記第2のワイヤ配線層42が前記第1のワイヤ配線層41のZ方向上部に位置し、前記第2のワイヤ配線層42の前記ワイヤ端部425のX方向位置が、前記第1のワイヤ配線層41の前記ワイヤ端部415のX方向位置に対し、前記第1のプローブ集合体21と前記第2のプローブ集合体22とのX方向ピッチPx2だけ内側に位置して設置して整列固定する。  By aligning the second probe terminal 225 and the wire end portion 425 of the second wire wiring layer 42 having the above-described configuration in the XY direction and pressing in the Z direction, the second probe terminal 225 and the second wire wiring layer 42 are pressed in the Z direction. An electrical connection between the probe terminal 225 and the wire end 425 is ensured. Further, in the positional relationship between the two probe assemblies 21, 22 and the two wire wiring layers 41, 42 as described above, the second wire wiring layer 42 has the Z of the first wire wiring layer 41. The X-direction position of the wire end portion 425 of the second wire wiring layer 42 is located in the upper part of the direction relative to the X-direction position of the wire end portion 415 of the first wire wiring layer 41. The probe assembly 21 and the second probe assembly 22 are placed in the X-direction pitch Px2 so as to be aligned and fixed.

図5はまた、前記第1のワイヤ配線層41と前記第2のワイヤ配線層42との間又は前記第2のワイヤ配線層42の下層に、グランド層51、52を配置し、前記第1のワイヤ配線層41と前記第2のワイヤ配線層42のZ方向の位置決めと機械的固定及び高周波特性の確保を行うことが可能となる。前記グランド層51、52は、銅箔付き絶縁基板の銅箔又は銅箔のみを外形加工して形成し、前記第2のプローブ端子225を通過させるための切り欠き510が設けられている。  FIG. 5 also shows that ground layers 51 and 52 are disposed between the first wire wiring layer 41 and the second wire wiring layer 42 or below the second wire wiring layer 42, and It becomes possible to perform positioning, mechanical fixation, and securing of high frequency characteristics of the wire wiring layer 41 and the second wire wiring layer 42 in the Z direction. The ground layers 51 and 52 are formed by externally processing a copper foil or only a copper foil of an insulating substrate with a copper foil, and provided with a notch 510 for allowing the second probe terminal 225 to pass therethrough.

図6は、前記プローブ集合体の数がさらに増加した場合の、前記プローブ集合体と前記ワイヤとの接続方法及び位置関係を説明するものである。図6において、前記プローブ集合体21、22の他、前記プローブ集合体23a乃至26aと23b乃至26bとを、XZ面に対称に設置した例を示す。前述の前記プローブ集合体21、22及び2つの前記ワイヤ配線層41、42との位置関係と同様に、前記プローブ集合体23a乃至26aに各々接続する前記ワイヤ配線層43乃至46が、Z方向に順次重ねて配置し、各々の前記ワイヤ端部のX方向位置を、前記プローブ集合体23a乃至26aのX方向ピッチに合わせてずらして設置して整列固定する。さらに、前記ワイヤ配線層43乃至46の各層間に、グランド層53乃至56を配置し、前記ワイヤ配線層43乃至46のZ方向の位置決めと機械的固定及び高周波特性の確保を行うことが可能となる。グランド層53乃至56は、銅箔付き絶縁基板の銅箔又は銅箔のみを外形加工して形成し、各前記プローブ端子を通過させるための切り欠き520乃至550が、通過する前記プローブ端子の範囲に応じた大きさにより設けられている。  FIG. 6 illustrates a connection method and positional relationship between the probe assemblies and the wires when the number of probe assemblies is further increased. FIG. 6 shows an example in which the probe assemblies 23a to 26a and 23b to 26b are installed symmetrically on the XZ plane in addition to the probe assemblies 21 and 22. Similar to the positional relationship between the probe assemblies 21 and 22 and the two wire wiring layers 41 and 42, the wire wiring layers 43 to 46 connected to the probe assemblies 23a to 26a are arranged in the Z direction. The wires are arranged one after the other, and the positions of the wire ends in the X direction are shifted in accordance with the pitch in the X direction of the probe assemblies 23a to 26a to be aligned and fixed. Further, ground layers 53 to 56 are arranged between the wire wiring layers 43 to 46, so that the wire wiring layers 43 to 46 can be positioned in the Z direction, mechanically fixed, and high frequency characteristics can be ensured. Become. The ground layers 53 to 56 are formed by externally processing a copper foil or only a copper foil of an insulating substrate with a copper foil, and notches 520 to 550 for allowing the probe terminals to pass therethrough range of the probe terminals through which the ground layers 53 to 56 pass. It is provided with the size according to.

前記プローブ集合体23b乃至26bは、前記プローブ集合体23a乃至26aにおける各々の前記ワイヤ配線層43乃至46と同一配線層にて前記ワイヤを接続することにより、対処可能となる。以上の方法により、図2で示した1つの被検査半導体チップ100に対応して構成された複数の前記プローブ集合体の前記プローブ端子との接続を容易に実現することが可能である。また、前記グランド層51乃至56の範囲を、前記プローブ端子近傍とすることにより、前記グランド層51乃至56が無い範囲では前記ワイヤの配線の自由度が増加し、前記外部接続端子31への配線が容易になるという効果が生じる。  The probe assemblies 23b to 26b can be dealt with by connecting the wires in the same wiring layer as the wire wiring layers 43 to 46 in the probe assemblies 23a to 26a. By the above method, it is possible to easily realize connection with the probe terminals of a plurality of the probe assemblies configured corresponding to one semiconductor chip 100 to be inspected shown in FIG. Further, by setting the range of the ground layers 51 to 56 in the vicinity of the probe terminal, the degree of freedom of wiring of the wire is increased in the range where the ground layers 51 to 56 are not provided, and the wiring to the external connection terminal 31 is performed. The effect is that it becomes easier.

図7は、本発明の実施例によりプローブカードの全体の断面を示した図である。図7に示すように、前記ワイヤ40の配線が終了した後、カバー7を設置することにより前記ワイヤ40を保護する。また、前記ワイヤ配線層4に絶縁樹脂等を充填することにより、前記ワイヤ40の保護及び電気的絶縁性を向上させることも可能である。また、前記配線基板3の裏面に前記スルーホール32を設置することにより、コンデンサ等の必要な電気部品6を搭載することが可能である。  FIG. 7 is a cross-sectional view of the entire probe card according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, after the wiring of the wire 40 is completed, the wire 40 is protected by installing a cover 7. Moreover, it is also possible to improve the protection and electrical insulation of the wire 40 by filling the wire wiring layer 4 with an insulating resin or the like. In addition, by installing the through hole 32 on the back surface of the wiring board 3, it is possible to mount necessary electrical components 6 such as capacitors.

以上説明した実施形態により、本発明のプローブカードによれば、プローブ端子先端部に直接ワイヤ配線端部の接続を可能としたため、プローブ先端からプローブ端子先端までの長さを最短にすることができ、高周波特性の優れた配線構造であるワイヤ配線手法を、狭ピッチで多ピンのプローブカードに適用することが可能となる。  According to the embodiment described above, according to the probe card of the present invention, since the wire wiring end can be directly connected to the probe terminal tip, the length from the probe tip to the probe terminal tip can be minimized. Therefore, it is possible to apply the wire wiring method, which is a wiring structure having excellent high frequency characteristics, to a probe card having a narrow pitch and a large number of pins.

本発明のプローブカードによれば、狭ピッチの千鳥配列パッドを含む周辺配列パッドを有するIC、又は、狭ピッチの格子状配列パッドを有するICの複数チップ同時検査に対応可能な、多ピン搭載のプローブカードにおける配線に利用可能である。  According to the probe card of the present invention, a multi-pin mounting capable of simultaneous inspection of a plurality of chips of an IC having a peripheral array pad including a narrow pitch staggered array pad or an IC having a narrow pitch grid array pad. It can be used for wiring in the probe card.

1 プローブカード
10 プローブ組立体
100 被検査半導体チップ
101〜105 パッド列
11〜15、21〜26 プローブ集合体
110、120、130、140、150、210、220 プローブ
111、121、211、221 プローブ接触部
112、122、212、222 垂直プローブ部
113、123、213、223 プローブ変形部
114、124、214、224 導体パターン
115、125、215、225 プローブ端子
119、129、139、149、159、219、229 絶縁フィルム
216、226 プローブ端子変形部
217、227 プローブ端子接触部
218、228 V字切り欠き
3 配線基板
30 絶縁基板
31 外部接続端子
310 スルーホール
311 パターン
32 スルーホール
33 パッド
4、41、42 ワイヤ配線層
40、410、420 ワイヤ配線
401、411、421 銅線
402、412、422 被覆部
403、413、423 接着剤
404 半田付け又は溶接
405、415、425 ワイヤ端部
45 同軸シールド線
5、51〜56 接地層
510、520、530、540、550、560 切り欠き部
6 電気部品
7 カバー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe card 10 Probe assembly 100 Semiconductor chips 101-105 to be inspected Pad rows 11-15, 21-26 Probe assemblies 110, 120, 130, 140, 150, 210, 220 Probes 111, 121, 211, 221 Probe contact Portions 112, 122, 212, 222 Vertical probe portions 113, 123, 213, 223 Probe deformation portions 114, 124, 214, 224 Conductor patterns 115, 125, 215, 225 Probe terminals 119, 129, 139, 149, 159, 219 229 Insulating film 216, 226 Probe terminal deforming part 217, 227 Probe terminal contact part 218, 228 V-shaped notch 3 Wiring board 30 Insulating board 31 External connection terminal 310 Through hole 311 Pattern 32 Through hole 33 Pad 4, 4 1, 42 Wire wiring layer 40, 410, 420 Wire wiring 401, 411, 421 Copper wire 402, 412, 422 Cover 403, 413, 423 Adhesive 404 Soldering or welding 405, 415, 425 Wire end 45 Coaxial shield Line 5, 51-56 Ground layer 510, 520, 530, 540, 550, 560 Notch 6 Electrical component 7 Cover

Claims (15)

垂直プローブ部と、配線基板に接続するプローブ端子部と、前記垂直プローブ部と前記プローブ端子部とを接続するパターンとを含むプローブが複数個同一平面上に配置されたプローブ集合体を複数枚規則的に配列したプローブ組立体と、配線基板とから成るプローブカードにおいて、
前記配線基板が、外部接続端子部と前記プローブ端子部とを絶縁被覆付ワイヤにて接続するワイヤ配線パターンによって構成されたことを特徴とするプローブカード。
A plurality of probe assemblies in which a plurality of probes including a vertical probe portion, a probe terminal portion connected to a wiring board, and a pattern connecting the vertical probe portion and the probe terminal portion are arranged on the same plane are defined. In a probe card comprising a probe assembly and a wiring board,
The probe card, wherein the wiring board is configured by a wire wiring pattern that connects an external connection terminal portion and the probe terminal portion with a wire with an insulation coating.
前記配線基板において、
第1の前記プローブ集合体における第1の前記プローブ端子と相対する前記ワイヤ配線端部を、前記プローブ端子近傍におけるXY平面上に、
前記第1のプローブ端子配列ピッチに合致させて平行に整列固定して第1のワイヤ配線層を形成したこと、
を特徴とする請求項1記載のプローブカード。
In the wiring board,
The wire wiring end facing the first probe terminal in the first probe assembly is on the XY plane in the vicinity of the probe terminal.
The first wire wiring layer is formed by aligning and fixing in parallel to match the first probe terminal arrangement pitch,
The probe card according to claim 1.
前記配線基板において、
前記第1のプローブ集合体に隣接する第2の前記プローブ集合体における第2のプローブ端子と相対する前記ワイヤ配線端部を、前記プローブ端子近傍におけるXY平面上に、
前記第2のプローブ端子配列ピッチに合致させて平行に整列固定して第2のワイヤ配線層を形成し、
前記第1のワイヤ配線層のZ方向に重ねて設置したこと
を特徴とする請求項2記載のプローブカード。
In the wiring board,
The wire wiring end facing the second probe terminal in the second probe assembly adjacent to the first probe assembly on the XY plane in the vicinity of the probe terminal,
A second wire wiring layer is formed by aligning and fixing in parallel to match the second probe terminal arrangement pitch,
The probe card according to claim 2, wherein the probe card is installed so as to overlap in the Z direction of the first wire wiring layer.
前記第2のワイヤ配線層が前記第1のワイヤ配線層の上部に位置し、
前記第2のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部のX方向位置を、
前記第1のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部のX方向位置に対し
前記第1のプローブ集合体と前記第2のプローブ集合体とのX方向間隔だけ内側になるべく設置されたこと、
を特徴とする請求項3記載のプローブカード。
The second wire wiring layer is located on top of the first wire wiring layer;
The X direction position of the wire wiring end of the second wire wiring layer is
The first wire wiring layer is disposed so as to be located inside the X probe between the first probe assembly and the second probe assembly with respect to the X direction position of the wire wiring end portion of the first wire wiring layer;
The probe card according to claim 3.
前記配線基板の接地層又は電源層が、金属箔付き絶縁基板の金属箔又は金属箔を外形加工して形成した金属箔層であることを特徴とする請求項1乃至4いずれか記載のプローブカード。  5. The probe card according to claim 1, wherein the ground layer or the power supply layer of the wiring substrate is a metal foil layer formed by externally processing a metal foil or a metal foil of an insulating substrate with a metal foil. . 任意の前記ワイヤ配線層の上部若しくは下部、又は上部下部共に、前記金属箔層を挿入したことを特徴とする請求項2乃至4いずれか記載のプローブカード。  The probe card according to any one of claims 2 to 4, wherein the metal foil layer is inserted in an upper part or a lower part of an arbitrary wire wiring layer, or an upper part and a lower part. 前記第1のプローブ集合体における前記第1のプローブ端子が、相対する前記第1のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部と接触し、
前記第2のプローブ集合体における前記第2のプローブ端子が、相対する前記第2のワイヤ配線層の前記ワイヤ配線端部と接触すること、
を特徴とする請求項4記載のプローブカード。
The first probe terminals in the first probe assembly are in contact with the wire wiring ends of the first wire wiring layer facing each other;
The second probe terminal in the second probe assembly is in contact with the wire wiring end of the second wire wiring layer facing each other;
The probe card according to claim 4.
前記ワイヤ配線端部の少なくとも前記プローブ端子と接触する被覆部を除去したことを特徴とする請求項7記載のプローブカード。  8. The probe card according to claim 7, wherein at least a covering portion that contacts the probe terminal at the end of the wire wiring is removed. 前記プローブ端子がZ方向にバネ力を有し、前記ワイヤ配線端部の被覆除去部に押し当てることにより電気的接続を有することを特徴とする請求項7及び8記載のプローブカード。  9. The probe card according to claim 7, wherein the probe terminal has a spring force in the Z direction and has an electrical connection by being pressed against a covering removal portion of the end portion of the wire wiring. 前記プローブ端子先端が、中央部が凹部となるべくV字又はU字形状であることを特徴とする請求項7乃至9記載のプローブカード。  10. The probe card according to claim 7, wherein the tip of the probe terminal is V-shaped or U-shaped so that a central portion is a concave portion. 前記配線基板の概略中央部にスルーホール又はパッド(スルーホール等)を設置し、
前記スルーホール等と外部接続端子部、又は、前記スルーホール等と前記プローブ端子部とを、前記絶縁被覆付ワイヤにて接続したこと、
を特徴とする請求項1乃至10いずれか記載のプローブカード。
A through hole or pad (through hole etc.) is installed in the approximate center of the wiring board,
The through hole or the like and the external connection terminal portion, or the through hole or the like and the probe terminal portion are connected by the wire with insulation coating,
The probe card according to claim 1, wherein:
前記絶縁被覆付ワイヤが、信号線用ワイヤの周囲に絶縁層を介して同軸状に接地用シールド導体を有する同軸シールド線であることを特徴とする請求項1乃至11いずれか記載のプローブカード。  12. The probe card according to claim 1, wherein the wire with insulation coating is a coaxial shield wire having a ground shield conductor coaxially with an insulating layer around the signal wire. 前記配線基板の絶縁部又は金属箔部に、前記絶縁被覆付ワイヤの一部を接着剤にて固着したことを特徴とする請求項1乃至12いずれか記載のプローブカード。  The probe card according to any one of claims 1 to 12, wherein a part of the wire with insulation coating is fixed to an insulating portion or a metal foil portion of the wiring board with an adhesive. 前記ワイヤ配線層に、絶縁樹脂を充填したことを特徴とする請求項1乃至13いずれか記載のプローブカード。  The probe card according to claim 1, wherein the wire wiring layer is filled with an insulating resin. 前記プローブが、導電性金属箔を微細加工して絶縁性フィルム上に貼り付けたものであることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか記載のプローブカード。  The probe card according to any one of claims 1 to 14, wherein the probe is obtained by finely processing a conductive metal foil and pasting it on an insulating film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111478272A (en) * 2020-04-03 2020-07-31 福建星云电子股份有限公司 Connecting device of probe module
US12476391B1 (en) * 2025-02-21 2025-11-18 Te Connectivity Solutions Gmbh Direct wire terminal assembly

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