JP2014241334A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表面電極と裏面電極がともにはんだ付けされる半導体装置において、反りを抑制しつつ、温度センサの温度検出精度の低下を抑制する。【解決手段】半導体装置（１０）は、素子を有する半導体基板（１２）と、半導体基板の表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１８）と、半導体基板における表面と反対の裏面上に設けられ、はんだ付けされる裏面電極（１４）と、半導体基板の表面上における分離領域（２８）に設けられた保護膜（２０）と、半導体基板の表面側に設けられた温度センサ（２２）と、を備える。表面電極は、分離領域で、保護膜により、表面に沿う少なくとも２方向において複数に分割されている。分離領域は、分割されて互いに隣り合う表面電極の対向辺間に位置する対向領域（３０）と、分離領域同士が交わる部分である交差領域（３２）と、を含む。温度センサは、分離領域のうちの対向領域のみに配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板の表面に形成された表面電極と、表面と反対の裏面に形成された裏面電極と、半導体基板の表面側に形成された温度センサと、を備え、表面電極及び裏面電極がともにはんだ付けされる半導体装置に関する。

従来、特許文献１に記載のように、半導体基板の表面に形成された表面電極（エミッタ電極、Ａｕめっき膜）と、表面と反対の裏面に形成された裏面電極と、半導体基板の表面側に形成された温度センサと、を備え、表面電極及び裏面電極がともにはんだ付けされる半導体装置が知られている。

この半導体装置によれば、半導体基板の両面側に放熱することができる。

特開２００５−２６８４９６号公報

ところで、裏面電極だけでなく、表面電極もはんだ付けされる半導体装置では、半導体基板と電極との線膨張係数差により、半導体装置に反りが生じるという問題がある。特許文献１に記載の半導体装置では、半導体基板の表面に沿う一方向において表面電極が分割されている。したがって、一方向において反りを抑制することはできるものの、一方向に直交する方向においては反りが生じてしまう。

これに対し、表面に沿う少なくとも２方向において、表面電極を分割することも考えられる。しかしながら、温度センサの配置と無関係に表面電極を分割すると、温度センサの配置箇所の温度が過度に高くなり、素子の温度検出精度が低下するという問題が生じる。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、表面電極と裏面電極がともにはんだ付けされる半導体装置において、反りを抑制しつつ、温度センサの温度検出精度の低下を抑制することを目的とする。

ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。

開示された発明のひとつは、素子を有する半導体基板（１２）と、素子と電気的に接続されるとともに半導体基板の表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１８）と、素子と電気的に接続されるとともに半導体基板における表面と反対の裏面上に設けられ、はんだ付けされる裏面電極（１４）と、半導体基板の表面上における分離領域（２８）に設けられた保護膜（２０）と、半導体基板の表面側に設けられた温度センサ（２２）と、を備え、表面電極は、分離領域で、保護膜により、表面に沿う少なくとも２方向において複数に分割されており、分離領域は、分割されて互いに隣り合う表面電極の対向辺間に位置する対向領域（３０）と、分離領域同士が交わる部分である交差領域（３２）と、を含み、温度センサは、分離領域のうちの対向領域のみに配置されていることを特徴とする。

これによれば、表面電極（１８）が、半導体基板（１２）の表面に沿う一方向だけでなく、少なくとも２方向において分割されるため、半導体装置の反りを効果的に抑制することができる。

また、温度センサ（２２）が対向領域（３０）のみに配置されるため、温度センサ（２２）周辺の保護膜（２０）が、交差領域（３２）に配置される構成に較べて少ない。したがって、温度センサ（２２）周辺に保護膜（２０）が集中配置されることによる熱抵抗増加を抑制し、ひいては温度センサ（２２）周辺において温度が過度に高くなるのを抑制することができる。これにより、素子の温度に対して、温度センサ（２２）による検出温度が過度に高くなる、すなわち、温度検出精度が低下するのを抑制することができる。

第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。 図１のII-II先に沿う断面図である。 第１変形例を示す平面図である。 第２変形例を示す平面図である。 試験に用いたサンプル１の概略構成を示す平面図である。 試験に用いたサンプル２の概略構成を示す平面図である。 試験に用いたサンプル３の概略構成を示す平面図である。 試験に用いたサンプル４の概略構成を示す平面図である。 試験に用いたサンプル５の概略構成を示す平面図である。 試験に用いたサンプル６の概略構成を示す平面図である。 試験に用いたサンプル７の概略構成を示す平面図である。 各サンプルの反り量と熱抵抗を示す図である。 第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。 第３変形例を示す平面図である。 第３実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。 第４変形例を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。以下においては、半導体基板の表面に沿う方向のうち、平面矩形の短手方向及び長手方向の一方を行方向、残りを列方向と示す。また、半導体基板の厚さ方向を単に厚さ方向とする。なお、図１，図３，図４，図１３−図１６に示す平面図では、分離領域としての対向領域と交差領域の位置関係をわかりやすくするために、対向領域の一部にハッチングを付与している。

（第１実施形態）
先ず、半導体装置の概略構成について説明する。本実施形態では、短手方向を行方向、長手方向を列方向と示す。

図１及び図２に示す半導体装置１０は、素子が形成された半導体基板１２を備える。本実施形態では、単結晶シリコンからなる半導体基板１２に、ＩＧＢＴが形成されている。この半導体基板１２の表面及び裏面のうち、裏面の全域には、コレクタ電極としての裏面電極１４が形成されている。この裏面電極１４は、ＩＧＢＴのコレクタ領域と電気的に接続されている。また。裏面電極１４は、図示しない金属部材にはんだ付けされる。

一方、半導体基板１２の表面には、下地電極１６が形成されている。この下地電極１６は、アルミニウムを主成分とする材料を用いて形成され、ＩＧＢＴのエミッタ領域と電気的に接続されている。また、はんだに対する濡れ性などを向上するために、下地電極１６上に、表面電極１８が形成されている。この表面電極１８は、例えばニッケルなどをメッキすることで形成されており、表面電極１８と下地電極１６とで、エミッタ電極が構成されている。また、表面電極１８も、図示しない金属部材にはんだ付けされる。

また、半導体基板１２の表面上には、保護膜２０が形成されている。この保護膜２０は、例えばポリイミドからなり、半導体基板１２の表面上における分離領域２８に設けられている。そして、表面電極１８は、分離領域２８で、保護膜２０により、半導体基板１２の表面に沿う少なくとも２方向において複数に分割されている。換言すれば、保護膜２０により、表面電極１８を複数に分割する分離領域２８が形成されている。本実施形態では、表面電極１８が、行方向及び列方向のそれぞれにおいて複数に分割されている。

また、半導体基板１２の表面側には、下地電極１６及び表面電極１８とは電気的に独立して、温度センサ２２が形成されている。この温度センサ２２は、素子を過熱から保護するために、半導体基板１２の温度を検出するものである。本実施形態では、温度センサ２２として、ポリシリコンに不純物がドープされてなるダイオードを採用しており、順方向電圧Ｖｆが温度に応じて変化する。また、温度センサ２２の検出信号は、ＩＧＢＴのゲートのオン／オフの制御に用いられ、詳しくは、ＩＧＢＴが過熱状態となる前に、強制的にＩＧＢＴがオフされる。

温度センサ２２は、図示しない絶縁膜を介して半導体基板１２の表面上に形成されている。また、温度センサ２２は、保護膜２０によって被覆されている。

なお、図１に示す符号２４は、半導体装置１０の制御端子である。本実施形態では５つの制御端子２４を有し、これら制御端子２４は、半導体基板１２の行方向一端側において、列方向に並んで設けられている。制御端子２４のうち、温度センサ用端子２４ａは、配線２６を介して温度センサ２２と電気的に接続されている。なお、その他の制御端子２４として、ゲート電極用の制御端子、電流センス用の制御端子、エミッタセンス用の制御端子を有している。例えばゲート電極用の制御端子とゲート電極とを繋ぐゲート配線も、保護膜２０によって被覆されている。

次に、表面電極１８の分割構造と温度センサ２２の配置について詳しく説明する。

上記したように、表面電極１８は、分離領域２８で、保護膜２０により、行方向及び列方向のそれぞれにおいて複数に分割されている。表面電極１８の形状は略平面矩形で互いに等しく、各表面電極１８は等間隔で３行６列配置となっている。換言すれば、保護膜２０により、表面電極１８は、３行６列に規則正しく分割されている。すなわち、複数に分割された表面電極１８は、行方向及び列方向のそれぞれにおいて、線対称となっている。

分離領域２８は、分割されて互いに隣り合う表面電極１８の対向辺間に位置する対向領域３０と、分離領域２８同士が交わる部分である交差領域３２と、を有している。本実施形態では、行方向及び列方向のそれぞれにおいて、隣り合う表面電極１８の対向辺間が対向領域３０となっている。また、行方向において表面電極１８を分割する分離領域２８と、列方向において表面電極１８を分割する分離領域２８とが交差する部分が交差領域３２となっている。すなわち、図１に示すように、十字の交差部分が交差領域３２となっている。この交差領域３２は平面略矩形をなしている。

温度センサ２２は、表面電極１８が形成された領域のほぼ中心位置に形成されている。そして、分離領域２８のうち、対向領域３０のみに配置されている。換言すれば、温度センサ２２全体が対向領域３０内に配置されている。詳しくは、温度センサ２２は、行方向において２行目に対応し、列方向において３列目と４列目との間に位置する対向領域３０に配置されている。

次に、本実施形態に係る半導体装置１０の効果について説明する。

ところで、エミッタ電極がはんだ付けされる構成では、下地電極上に表面電極が必要となる。したがって、エミッタ電極が厚くなり、半導体基板と、電極（裏面電極、下地電極、表面電極）との線膨張係数差により、半導体装置に反りが生じるという問題がる。これに対し、本実施形態によれば、表面電極１８が、半導体基板１２の表面に沿う一方向だけでなく、少なくとも２方向において分割されている。したがって、厚さ方向に直交する面内において、半導体装置１０の反りを効果的に抑制することができる。

特に本実施形態では、表面電極１８が、互いに直交する行方向及び列方向において、それぞれ複数に分割されている。したがって、厚さ方向に直交する面内において、半導体装置１０の反りを、より効果的に抑制することができる。

また、温度センサ２２が対向領域３０のみに配置される。このため、温度センサ２２が交差領域３２に配置される構成に較べて、温度センサ２２周辺の保護膜２０が少ない。したがって、温度センサ２２周辺に保護膜２０が集中配置されることによる熱抵抗増加を抑制し、ひいては温度センサ２２周辺において温度が過度に高くなるのを抑制することができる。これにより、素子の温度に対して、温度センサ２２による検出温度が過度に高くなる、すなわち、温度検出精度が低下するのを抑制することができる。

また、本実施形態では、複数に分割された表面電極１８が、行方向において中心線に対し線対称とされ、列方向において中心線に対し線対称とされている。したがって、半導体装置１０に反りが生じたとしても、反りの偏りを抑制することができる。

また、温度センサ２２は、表面電極１８が形成された領域の中心に配置されている。素子の温度は、表面電極１８の中心で最も高くなる。温度センサ２２により、その温度を検出することで、素子を適切に保護することができる。

特に本実施形態では、表面電極１８を、行方向において奇数個、列方向において偶数個に分割し、温度センサ２２を、行方向において奇数個の真ん中に対応する対向領域３０に配置している。これによれば、互いに異なる複数方向への分割と、表面電極１８の中心への温度センサ２２の配置を、簡素な構造で実現することができる。

（変形例）
温度センサ２２を表面電極１８の中心付近に配置する場合、行方向において奇数個、列方向において偶数個に分割すればよく、その分割数は、上記例に限定されるものではない。例えば図３に示す第１変形例のように、表面電極１８を３行２列で分割し、温度センサ２２の配置を、行方向において２行目に対応し、列方向において１列目と２列目との間に位置する対向領域３０内としても良い。

また、図４に示す第２変形例のように、平面矩形の短手方向を列方向、長手方向を行方向とし、表面電極１８を３行２列で分割する。そして、温度センサ２２の配置を、行方向において２行目に対応し、列方向において１列目と２列目との間に位置する対向領域３０内としても良い。

第１変形例及び第２変形例に示す分割パターンは、温度センサ２２を表面電極１８の中心付近に配置する構成において、表面電極１８の分割数を最少（６個）とするパターンである。したがって、半導体装置１０をより簡素化することができる。なお、図３及び図４に示す例においても、十字の交差部分が交差領域３２となっている。

（試験結果）
本発明者は、表面電極１８の分割を異ならせた７種類のサンプルを作成した。図５〜図１１に、各サンプルの概略構成を示す。そして、各サンプルについて、反り量と熱抵抗を測定した。測定結果を、図１２に示す。

各サンプルにおいて、半導体基板１２は行方向に約１０．６ｍｍ、列方向に約１２．６ｍｍとした。また、表面電極１８が形成される領域は同じとし、行方向に約８ｍｍ、列方向に約１１ｍｍとした。温度センサ２２の位置は、表面電極１８の形成領域の中心とした。また、分離領域２８の幅を約０．４ｍｍ、温度センサ２２の行方向の長さを約０．８ｍｍとした。

図５に示すように、サンプル１では、表面電極１８が分割されていない。すなわち、表面電極１８の個数は「１」である。図６に示すように、サンプル２では、表面電極１８が、列方向において２分割されている。すなわち、表面電極１８の個数は「２」である。図７に示すように、サンプル３では、表面電極１８が、行方向において２分割されるとともに、一方の行のみが列方向において２分割されている。すなわち、表面電極１８の個数は「３」である。温度センサ２２の長さは分離領域２８の幅よりも長いので、紙面上側の表面電極１８の一部まで（０．３ｍｍ程度）分離領域２８が延設されている。そして、温度センサ２２は、大部分が交差領域３２に配置されつつ、残りの部分が対向領域３０と上記延設領域に配置されている。

図８に示すように、サンプル４では、表面電極１８が、行方向において２分割されるとともに、列方向において２分割されている。すなわち、表面電極１８の個数は「４」である。温度センサ２２は、大部分が交差領域３２に配置されつつ、残りの部分が対向領域３０に配置されている。図９に示すように、サンプル５では、表面電極１８が、行方向において３分割されるとともに、紙面下側の２つの行のみが列方向において２分割されている。すなわち、表面電極１８の個数は「５」である。温度センサ２２は、その全体が対向領域３０に配置されている。

図１０に示すように、サンプル６では、表面電極１８が、行方向において３分割されるとともに、列方向において２分割されている。すなわち、表面電極１８の個数は「６」であり、上記した第１変形例と同じ構成となっている。温度センサ２２は、その全体が対向領域３０に配置されている。図１１に示すように、サンプル７では、表面電極１８が、行方向において５分割されるとともに、列方向において２分割されている。すなわち、表面電極１８の個数は「１０」である。温度センサ２２は、その全体が対向領域３０に配置されている。

図１２に示すように、サンプル２，４の結果から、表面電極１８を２方向で分割すると、反りを低減できることが明らかとなった。また、サンプル１−７の結果から、表面電極１８の分割数を多くするほど反りを低減できることが明らかとなった。また、サンプル１〜４の結果から、温度センサ２２を交差領域３２に配置すると、熱抵抗が高くなることが明らかとなった。さらに、温度センサ２２を対向領域３０に配置したサンプル５−７では、サンプル３，４よりも、反りを低減でき、且つ、熱抵抗を小さくすることができた。なお、サンプル６はサンプル５よりも反りを低減でき、且つ、サンプル５とほぼ同じ熱抵抗を示した。

（第２実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は割愛する。

本実施形態では、分割された表面電極１８の、一部の行における列数が残りの行における列数と異なる点を特徴とする。図１３は、表面電極１８が、行方向において奇数個に分割され、奇数個の真ん中の行のみが列方向において偶数個に分割され、残りの行は列方向において奇数個に分割された構成の一例を示している。図１３では、表面電極１８が、行方向において３分割され、２行目のみが列方向において２分割され、１行目と３行目は列方向において３分割されている。

２行目の２つの表面電極１８の形状は略平面矩形で互いに等しくなっている。また、１行目と３行目において、１列目と３列目における表面電極１８の形状は略平面矩形で互いに等しくなっている。そして、複数に分割された表面電極１８は、行方向及び列方向のそれぞれにおいて、線対称となっている。

温度センサ２２は、表面電極１８が形成された領域のほぼ中心位置であって、２行目の２つの表面電極１８の間の対向領域３０内に配置されている。図１３では、Ｔ字の交差部分が交差領域３２となっている。この交差領域３２は、平面略矩形をなしている。

次に、本実施形態に係る半導体装置１０の効果について説明する。

本実施形態に示す半導体装置１０も、第１実施形態と同等の効果を奏することができる。また、１行目と３行目については、表面電極１８を２行目と同じ２列とするのではなく、２行目よりも多い３列としている。したがって、全ての行において列数を同じくする構成に較べて、列方向の反りを、より効果的に抑制することができる。

（変形例）
分割された表面電極１８の、一部の列における行数が残りの列における行数と異なる構成としても良い。図１４は、表面電極１８が列方向において４以上の偶数個に分割され、真ん中の２つの列のみが行方向において奇数個に分割され、残りの列は行方向において偶数個に分割された構成の一例を示している。図１４に示す第３変形例では、表面電極１８が、列方向において４分割され、２列目及び３列目のみ行方向において３分割され、１列目と４行目は行方向において２分割されている。

１列目及び４行目のそれぞれの２つの表面電極１８の形状は略平面矩形で互いに等しくなっている。また、２列目及び３列目において、１行目と３行目における表面電極１８の形状は略平面矩形で互いに等しくなっている。そして、複数に分割された表面電極１８は、行方向及び列方向のそれぞれにおいて、線対称となっている。

温度センサ２２は、表面電極１８が形成された領域のほぼ中心位置であって、２列目と３列目の表面電極１８の間の対向領域３０内に配置されている。図１４では、Ｔ字の交差部分と、十字の交差部分とが、交差領域３２となっている。

なお、１列目及び４列目の行数を、２列目及び３列目の行数よりも多くすると、全ての列において行数を同じくする構成に較べて、行方向の反りを、より効果的に抑制することができる。

（第３実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は割愛する。

本実施形態では、表面電極１８として、温度センサ２２が配置される対向領域３０に隣接する２つの中心電極３４と、該中心電極３４を取り囲むように配置された複数の周辺電極３６と、を有することを特徴とする。

図１５は、その一例を示している。図１５では、２つの中心電極３４が、二等辺三角形をなしており、互いの底辺の間の対向領域３０に温度センサ２２が配置されている。また、中心電極３４を取り囲むように、周辺電極３６は、行方向において２分割、列方向において２分割されている。４つの周辺電極３６は、平面矩形の１つの角部を切り取ってなる５角形をなしている。そして、複数に分割された表面電極１８は、行方向及び列方向のそれぞれにおいて、線対称となっている。

図１５に示すように、周辺電極３６は、行方向及び列方向において、それぞれ２分割されている。また、中心電極３４も列方向において２分割されている。そして、中心電極３４と周辺電極３６とを分割する分離領域２８は、行方向及び列方向のそれぞれに略４５度の傾きをもって延設されている。図１５では、Ｙ字の交差部分と、変形十字の交差部分とが、交差領域３２となっている。Ｙ字の交差領域３２は、平面略三角形をなしている。

次に、本実施形態に係る半導体装置１０の効果について説明する。

本実施形態に示す半導体装置１０も、第１実施形態と同等の効果を奏することができる。また、同じ電極数において、第１実施形態よりも、表面電極１８が形成される領域に占める分離領域２８の割合を小さくすることができる。これにより、分割構造を採用しながらも、表面電極１８から金属部材への放熱性の低下を抑制することができる。

（変形例）
中心電極３４と周辺電極３６を有する構成は、上記例に限定されるものではない。例えば図１６に示す第４変形例のように、２つの中心電極３４が、互いに等しい平面矩形状をなし、２つの中心電極３４の間の対向領域３０に温度センサ２２が配置されている。また、中心電極３４を取り囲むように、周辺電極３６は、６個に分割されている。中心電極３４に対して、紙面上下には、それぞれ２つの周辺電極３６が位置している。また、中心電極３４に対して、紙面左右には、それぞれ１つの周辺電極３６が位置している。そして、上下の周辺電極３６と左右の周辺電極３６とが隣り合う部分の対向領域３０は、行方向及び列方向のそれぞれに傾きをもって延設されている。このため、上下の周辺電極３６と左右の周辺電極３６は台形となっている。

図１６では、Ｙ字の交差部分と、十字の交差部分とが、交差領域３２となっている。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

温度センサ２２の配置は、表面電極１８が形成される領域の略中心に限定されるものではない。例えば図１５において、周辺電極３６同士の対向領域３０に、温度センサ２２が配置される構成としても良い。

半導体基板１２に形成される素子は、ＩＧＢＴに限定されない。温度センサ２２により半導体基板１２（素子）の温度が検出されて、その作動が制御される素子であれば採用することができる。ＩＧＢＴ以外のパワートランジスタ、例えばパワーＭＯＳＦＥＴを採用することもできる。

温度センサ２２は、ポリシリコンを用いて形成されたダイオードに限定されない。例えば半導体基板１２に不純物を導入して形成されたダイオードを温度センサ２２としても良い。この場合、温度センサ２２は、半導体基板１２の表面上ではなく、半導体基板１２の表面側の表層に形成されることとなる。

表面電極１８の分割方向は、行方向及び列方向の２方向に限定されるものではない。表面電極１８は、互いに異なる少なくとも２方向に分割されれば良い。

１０・・・半導体装置、１２・・・半導体基板、１４・・・裏面電極、１６・・・下地電極、１８・・・表面電極、２０・・・保護膜、２２・・・温度センサ、２４・・・制御端子、２４ａ・・・温度センサ用端子、２６・・・配線、２８・・・分離領域、３０・・・対向領域、３２・・・交差領域、３４・・・中心電極、３６・・・周辺電極、

Claims (8)

1. 素子を有する半導体基板（１２）と、
   前記素子と電気的に接続されるとともに前記半導体基板の表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１８）と、
   前記素子と電気的に接続されるとともに前記半導体基板における前記表面と反対の裏面上に設けられ、はんだ付けされる裏面電極（１４）と、
   前記半導体基板の表面上における分離領域（２８）に設けられた保護膜（２０）と、
   前記半導体基板の表面側に設けられた温度センサ（２２）と、を備え、
   前記表面電極は、前記分離領域で、前記保護膜により、前記表面に沿う少なくとも２方向において複数に分割されており、
   前記分離領域は、分割されて互いに隣り合う前記表面電極の対向辺間に位置する対向領域（３０）と、前記分離領域同士が交わる部分である交差領域（３２）と、を含み、
   前記温度センサは、前記分離領域のうちの前記対向領域のみに配置されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記表面電極（１８）は、前記表面に沿い、互いに直交する行方向及び列方向において、それぞれ複数に分割されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 複数に分割された前記表面電極（１８）は、前記行方向において線対称とされ、前記列方向において線対称とされていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記温度センサ（２２）は、前記表面電極（１８）が形成される領域の中心に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記表面電極（１８）は、前記行方向において奇数個に分割され、前記列方向において偶数個に分割されており、
   前記温度センサ（２２）は、前記行方向において奇数個の真ん中に対応する前記対向領域（３０）に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記表面電極（１８）は、前記行方向において奇数個に分割され、奇数個の真ん中の行のみが前記列方向において偶数個に分割され、残りの行は前記列方向において奇数個に分割されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
7. 前記表面電極（１８）は、前記列方向において４以上の偶数個に分割され、真ん中の２つの列のみが前記行方向において奇数個に分割され、残りの列は前記行方向において偶数個に分割されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
8. 前記表面電極（１８）は、前記温度センサ（２２）が配置される前記対向領域（３０）に隣接する２つの中心電極（３４）と、該中心電極を取り囲むように配置された複数の周辺電極（３６）と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。

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