JP2014027000A

JP2014027000A - Grinding device

Info

Publication number: JP2014027000A
Application number: JP2012163607A
Authority: JP
Inventors: Takehiko Higaki; 岳彦檜垣
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-07-24
Filing date: 2012-07-24
Publication date: 2014-02-06

Abstract

【課題】ウエーハの裏面を研削しつつウエーハの外周部に形成された面取り部を除去することができる研削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持する保持面を有し回転可能に構成されたチャックテーブルと、チャックテーブルをウエーハを着脱する着脱領域と研削領域に選択的に位置付けるチャックテーブル位置付け手段と、研削領域に位置付けられたチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研削する環状の研削砥石を備えた研削ホイールを具備した研削手段と、研削手段をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り手段とを具備する研削装置であって、研削領域に位置付けられたチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去手段を備え、研削領域に位置付けられたチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研削手段によって研削する際に面取り部除去手段によってウエーハの外周に形成された面取り部を除去する。
【選択図】図６Provided is a grinding apparatus capable of removing a chamfered portion formed on an outer peripheral portion of a wafer while grinding the back surface of the wafer.
A chuck table having a holding surface for holding a wafer and configured to be rotatable, a chuck table positioning means for selectively positioning the chuck table in an attachment / detachment region for attaching / detaching the wafer and a grinding region, and a positioning in the grinding region Grinding means comprising a grinding wheel having an annular grinding wheel for grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table, and grinding for feeding the grinding means in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table And a chamfered portion removing means for removing a chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding region, and positioned in the grinding region. When chamfering the wafer held on the holding surface of the chuck table by the grinding means, Removing the chamfered portion formed on an outer periphery of the wafer by means.
[Selection] Figure 6

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる複数のストリートが格子状に形成され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。 In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of streets called streets arranged in a grid pattern are formed in a grid pattern on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned areas. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor devices.

半導体デバイスの小型化および軽量化を図るために、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。 In order to reduce the size and weight of semiconductor devices, the semiconductor wafer is ground to the predetermined thickness by grinding the backside of the semiconductor wafer prior to cutting the semiconductor wafer along the street and dividing it into individual devices. Yes.

しかるに、半導体ウエーハは、半導体デバイスを形成するプロセス中に割れや発塵を防止するためにデバイスが形成されたデバイス領域を囲繞する外周余剰領域の外周部には円弧状の面取りが形成されている。このように外周部に円弧状の面取りが形成された厚みが例えば６００μmの半導体ウエーハの裏面を研削して１００μmの厚みに仕上げると、半導体ウエーハの外周に所謂ナイフエッジが形成され、危険であるとともに外周から欠けが発生して半導体ウエーハが損傷するという問題がある。 However, in the semiconductor wafer, in order to prevent cracking and dust generation during the process of forming the semiconductor device, an arc-shaped chamfer is formed on the outer peripheral portion of the outer peripheral region surrounding the device region where the device is formed. . If the back surface of a semiconductor wafer having an arcuate chamfered shape such as 600 μm is ground and finished to a thickness of 100 μm, a so-called knife edge is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer, which is dangerous. There is a problem that chipping occurs from the outer periphery and the semiconductor wafer is damaged.

上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する前に、半導体ウエーハの表面側から面取り部を切削ブレードによって切削して除去し、その後半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する技術が下記特許文献１に開示されている。 In order to solve the above-described problem, before the back surface of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness, the chamfered portion is removed by cutting with a cutting blade from the front surface side of the semiconductor wafer, and then the back surface of the semiconductor wafer is removed. A technique of grinding to form a predetermined thickness is disclosed in Patent Document 1 below.

また、上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する前に、半導体ウエーハを保護テープまたはサブストレートで支持し、半導体ウエーハの外周部に形成された面取り部を研削砥石によって研削して除去する方法が下記特許文献２に開示されている。 In addition, in order to solve the above-mentioned problems, the semiconductor wafer is supported by a protective tape or a substrate before the back surface of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness, and the chamfer formed on the outer periphery of the semiconductor wafer is formed. A method of removing the portion by grinding with a grinding wheel is disclosed in Patent Document 2 below.

特開２００７−１５８２３９号公報JP 2007-158239 A 特開２０００−１７３９６１号公報JP 2000-173961 A

而して、上記特許文献１および特許文献２に記載された方法は、ウエーハの外周部に形成された面取り部を除去するために特別に面取り部除去工程を実施するために、生産性が悪いという問題がある。 Therefore, the methods described in Patent Document 1 and Patent Document 2 are poor in productivity because the chamfered portion removing process is performed in order to remove the chamfered portion formed on the outer peripheral portion of the wafer. There is a problem.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面を研削しつつウエーハの外周部に形成された面取り部を除去することができる研削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to provide a grinding apparatus capable of removing the chamfered portion formed on the outer peripheral portion of the wafer while grinding the back surface of the wafer. is there.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持する保持面を有し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルをウエーハを着脱する着脱領域と研削領域に選択的に位置付けるチャックテーブル位置付け手段と、該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研削する環状の研削砥石を備えた研削ホイールを具備した研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、を具備する研削装置において、
該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去手段を備え、
該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを該研削手段によって研削する際に該面取り部除去手段によってウエーハの外周に形成された面取り部を除去する、
ことを特徴とする研削装置が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a wafer and configured to be rotatable, and the chuck table is selectively used for an attaching / detaching region and a grinding region. A chuck table positioning means positioned on the grinding table, a grinding means comprising a grinding wheel provided with an annular grinding wheel for grinding a wafer held on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding area, and the grinding means In a grinding apparatus comprising a grinding feed means for grinding and feeding in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table,
Chamfered portion removing means for removing a chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding region;
Removing the chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer by the chamfered portion removing means when grinding the wafer held by the holding surface of the chuck table positioned in the grinding region by the grinding means;
A grinding device is provided.

本発明による研削装置は、研削領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されているウエーハの裏面を研削する環状の研削砥石を備えた研削ホイールを具備した研削手段と、研削領域に位置付けられたチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を除去する面取り部除去手段を備え、研削領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されたウエーハを研削手段によって研削する際に面取り部除去手段によってウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を除去するので、円弧状の面取り部を除去するために特別に面取り部除去工程を実施する必要がないため生産性が向上する。 A grinding apparatus according to the present invention includes a grinding means including a grinding wheel having an annular grinding wheel for grinding a back surface of a wafer held by a chuck table positioned in a grinding area, and a chuck table positioned in the grinding area. A chamfered portion removing means for removing an arc-shaped chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer held on the holding surface, and when the wafer held by the chuck table positioned in the grinding region is ground by the grinding means Since the arc-shaped chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer is removed by the chamfered portion removing means, it is not necessary to perform a chamfered portion removing step in order to remove the arc-shaped chamfered portion, so that productivity is improved. .

本発明によって構成された研削装置の斜視図。The perspective view of the grinding device comprised by this invention. 図１に示す研削装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル位置付け手段を示す斜視図。The perspective view which shows the chuck table mechanism and chuck table positioning means with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す研削装置によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図および拡大して示す断面図。FIG. 2 is a perspective view and an enlarged sectional view of a semiconductor wafer as a wafer processed by the grinding apparatus shown in FIG. 1. 図３に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程の説明図。Explanatory drawing of the protection member sticking process which sticks a protection member on the surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 図１に示す研削装置によって実施する加工工程の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing process implemented by the grinding apparatus shown in FIG. 図５に示す加工工程の要部を拡大して示す説明図。Explanatory drawing which expands and shows the principal part of the process shown in FIG. 図１に示す研削装置に装備される面取り部除去手段に装着される円盤状の研削砥石の他の実施形態を示す説明図。Explanatory drawing which shows other embodiment of the disk shaped grinding wheel with which the chamfer part removal means with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped is mounted | worn.

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a grinding apparatus constructed according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には本発明に従って構成された研削装置の斜視図が示されている。
図１に示す研削装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ上下方向に配設された直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研削手段としての研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。 FIG. 1 shows a perspective view of a grinding apparatus constructed in accordance with the present invention.
The grinding apparatus shown in FIG. 1 is provided with an apparatus housing generally indicated by numeral 2. The apparatus housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends elongated, and an upright wall 22 that is provided at the rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and is disposed in the vertical direction. Yes. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. A grinding unit 3 as grinding means is mounted on the pair of guide rails 221 and 221 so as to be movable in the vertical direction.

研削ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニット３２が取り付けられる。 The grinding unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 32 attached to the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. As described above, a support portion 313 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.

スピンドルユニット３２は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ３２３とを具備している。回転スピンドル３２２の下端部はスピンドルハウジング３２１の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端にはマウンター３２４が設けられている。このマウンター３２４の下面に研削ホイール３２５が装着される。研削ホイール３２５は、環状の基台３２６と該基台３２６の下面に環状に装着された研削砥石３２７とからなっており、環状の基台３２６がマウンター３２４に締結ボルト３２８によって取付けられる。 The spindle unit 32 includes a spindle housing 321 mounted on the support portion 313, a rotating spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo as rotation driving means for driving the rotating spindle 322 to rotate. And a motor 323. The lower end of the rotary spindle 322 protrudes downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a mounter 324 is provided at the lower end. A grinding wheel 325 is attached to the lower surface of the mounter 324. The grinding wheel 325 includes an annular base 326 and a grinding wheel 327 attached annularly to the lower surface of the base 326, and the annular base 326 is attached to the mounter 324 with fastening bolts 328.

図１に示す研削装置は、上記研削ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向）に移動せしめる研削送り手段４を備えている。この研削送り手段４は、直立壁２２の前側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド４１を具備している。この雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が螺合せしめられている。このようにボールスクリュー機構からなる研削送り手段４は、パルスモータ４４を正転すると移動基台３１即ち研削ユニット３を下降即ち前進せしめ、パルスモータ４４を逆転すると移動基台３１即ち研削ユニット３を上昇即ち後退せしめる。 The grinding apparatus shown in FIG. 1 includes grinding feed means 4 for moving the grinding unit 3 in the vertical direction (a direction perpendicular to a holding surface of a chuck table described later) along the pair of guide rails 221 and 221. . The grinding feed means 4 includes a male threaded rod 41 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending in the vertical direction. The male screw rod 41 is rotatably supported by bearing members 42 and 43 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is connected to the male screw rod 41 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole extending in the vertical direction is formed in this connecting portion, The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Thus, the grinding feed means 4 composed of a ball screw mechanism lowers or advances the moving base 31, that is, the grinding unit 3 when the pulse motor 44 is rotated forward, and moves the moving base 31, that is, the grinding unit 3 when the pulse motor 44 is reversed. Raise or retreat.

図１および図２を参照して説明を続けると、ハウジング２の主部２１の後半部にはチャックテーブル機構５が配設されている。チャックテーブル機構５は、移動基台５１と該移動基台５１に配設されたチャックテーブル５２とを含んでいる。移動基台５１は、上記ハウジング２の主部２１上に前後方向（直立壁２２の前面に垂直な方向）である矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に延在する一対の案内レール２３、２３上に摺動自在に載置されており、後述するチャックテーブル位置付け手段５６によって図１に示す被加工物であるウエーハを着脱する着脱領域２４（図２において実線で示す位置）と上記スピンドルユニット３２を構成する研削ホイール３２５の研削砥石３２７と対向する研削領域２５（図２において２点鎖線で示す位置）との間で移動せしめられる。 Continuing the description with reference to FIGS. 1 and 2, the chuck table mechanism 5 is disposed in the rear half of the main portion 21 of the housing 2. The chuck table mechanism 5 includes a moving base 51 and a chuck table 52 disposed on the moving base 51. The moving base 51 is placed on a pair of guide rails 23, 23 extending on the main portion 21 of the housing 2 in the direction indicated by the arrows 23a and 23b which is the front-rear direction (the direction perpendicular to the front surface of the upright wall 22). The spindle unit 32 is slidably mounted, and includes the attaching / detaching region 24 (position indicated by a solid line in FIG. 2) for attaching / detaching the wafer as the workpiece shown in FIG. The grinding wheel 325 of the grinding wheel 325 to be moved is moved between the grinding region 25 (position indicated by a two-dot chain line in FIG. 2) facing the grinding wheel 327.

上記チャックテーブル５２は、上記移動基台５１に回転可能に支持されており、その下端に装着された回転軸（図示せず）に連結された回転駆動手段としてのサーボモータ５３によって回転せしめられる。このチャックテーブル５２は、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル５２を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、保持面上に載置されたウエーハを吸引保持する。なお、図示のチャックテーブル機構５はチャックテーブル５２を挿通する穴を有し上記移動基台５１等を覆うカバー部材５４を備えており、このカバー部材５４は移動基台５１とともに移動可能に構成されている。 The chuck table 52 is rotatably supported by the moving base 51, and is rotated by a servo motor 53 serving as a rotation driving means connected to a rotation shaft (not shown) attached to the lower end of the chuck table 52. The chuck table 52 is connected to suction means (not shown). Therefore, the wafer placed on the holding surface is sucked and held by selectively communicating the chuck table 52 with a suction means (not shown). The illustrated chuck table mechanism 5 includes a cover member 54 that has a hole through which the chuck table 52 is inserted and covers the movable base 51 and the like. The cover member 54 is configured to be movable together with the movable base 51. ing.

図２を参照して説明を続けると、図示の研削装置は、上記チャックテーブル機構５を一対の案内レール２３、２３に沿ってチャックテーブル５２の上面である保持面と平行に矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に移動せしめるチャックテーブル位置付け手段５６を具備している。チャックテーブル位置付け手段５６は、一対の案内レール２３間に配設され案内レール２３と平行に延びる雄ねじロッド５６１と、該雄ねじロッド５６１を回転駆動するサーボモータ５６２を具備している。雄ねじロッド５６１は、上記移動基台５１に設けられたねじ穴５３１と螺合して、その先端部が一対の案内レール２３、２３を連結して取り付けられた軸受部材５６３によって回転自在に支持されている。サーボモータ５６２は、その駆動軸が雄ねじロッド５６１の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ５６２が正転すると移動基台５１即ちチャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に移動し、サーボモータ５６２が逆転すると移動基台５１即ちチャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめられる。矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構５は、図２において実線で示す着脱領域と２点鎖線で示す研削領域に選択的に位置付けられる。 2, the illustrated grinding apparatus moves the chuck table mechanism 5 along the pair of guide rails 23 and 23 in parallel with the holding surface which is the upper surface of the chuck table 52 by arrows 23a and 23b. Chuck table positioning means 56 is provided for moving in the direction shown. The chuck table positioning means 56 includes a male screw rod 561 disposed between the pair of guide rails 23 and extending in parallel with the guide rail 23, and a servo motor 562 that rotationally drives the male screw rod 561. The male screw rod 561 is screwed into a screw hole 531 provided in the moving base 51, and its tip is rotatably supported by a bearing member 563 attached by connecting a pair of guide rails 23, 23. ing. The servo motor 562 has a drive shaft connected to the base end of the male screw rod 561 by transmission. Accordingly, when the servo motor 562 rotates in the forward direction, the moving base 51, that is, the chuck table mechanism 5 moves in the direction indicated by the arrow 23a. When the servo motor 562 rotates in the reverse direction, the moving base 51, that is, the chuck table mechanism 5 moves in the direction indicated by the arrow 23b. It can be moved. The chuck table mechanism 5 that is moved in the directions indicated by the arrows 23a and 23b is selectively positioned in the attachment / detachment region indicated by the solid line and the grinding region indicated by the two-dot chain line in FIG.

図１に戻って説明を続けると、図示の研削装置は、研削領域２５に位置付けられたチャックテーブル５２の保持面に保持されたウエーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去手段７を具備している。面取り部除去手段７は、上記装置ハウジング２を構成する直立壁２２の前側において研削ユニット３の側方に配設された固定基板７１と、該固定基板７１の前面に上下方向（チャックテーブル５２の保持面に垂直な方向）に移動可能に装着された移動基板７２と、該移動基板７２の前面に水平方向（チャックテーブル５２の保持面と平行な方向）に移動可能に装着されたスピンドルユニット７３を具備している。 Returning to FIG. 1, the explanation of the grinding apparatus shown in FIG. 1 is a chamfered portion removing means 7 for removing a chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer held on the holding surface of the chuck table 52 positioned in the grinding region 25. It has. The chamfered portion removing means 7 includes a fixed substrate 71 disposed on the side of the grinding unit 3 on the front side of the upright wall 22 constituting the apparatus housing 2, and a vertical direction (on the chuck table 52) on the front surface of the fixed substrate 71. A moving substrate 72 mounted so as to be movable in a direction perpendicular to the holding surface), and a spindle unit 73 mounted on the front surface of the moving substrate 72 so as to be movable in a horizontal direction (a direction parallel to the holding surface of the chuck table 52). It has.

固定基板７１の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール７１１、７１１が設けられている。この一対の案内レール７１１、７１１に移動基板７２が上下方向に移動可能に装着されている。移動基台７２は、後面に上記一対の案内レール７１１、７１１と摺動可能に係合する被案内溝７２１、７２１が形成されており、該被案内溝７２１、７２１を案内レール７１１、７１１に係合することにより、固定基板７１の前面に上下方向（チャックテーブル５２の保持面に垂直な方向）に移動可能に装着される。また、移動基台７２の前面には水平方向（チャックテーブル５２の保持面と平行な方向）に延びる一対の案内レール７２２、７２２（図１には一方だけが示されている）が設けられている。 A pair of guide rails 711 and 711 extending in the vertical direction is provided on the front surface of the fixed substrate 71. A movable substrate 72 is mounted on the pair of guide rails 711 and 711 so as to be movable in the vertical direction. The movable base 72 is formed with guided grooves 721 and 721 slidably engaged with the pair of guide rails 711 and 711 on the rear surface, and the guided grooves 721 and 721 are formed on the guide rails 711 and 711. By engaging, it is mounted on the front surface of the fixed substrate 71 so as to be movable in the vertical direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 52). In addition, a pair of guide rails 722 and 722 (only one is shown in FIG. 1) extending in the horizontal direction (direction parallel to the holding surface of the chuck table 52) are provided on the front surface of the moving base 72. Yes.

スピンドルユニット７３は、スピンドルハウジング７３１と、該スピンドルハウジング７３１に回転自在に配設された回転スピンドル７３２と、該回転スピンドル７３２を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ７３３とを具備している。スピンドルハウジング７３１の後面には上記移動基台７２の前面に設けられた一対の案内レール７２２、７２２と摺動可能に係合する被案内溝７３１a、７３１a（図１には一方だけが示されている）が形成されており、該被案内溝７３１a、７３１aを案内レール７２２、７２２に係合することにより、スピンドルハウジング７３１は移動基台７２の前面に水平方向（チャックテーブル５２の保持面と平行な方向）に移動可能に装着される。上記回転スピンドル７３２は、チャックテーブル５２の回転中心に向けて配設されており、その先端に円盤状の研削砥石７４が装着されている。なお、研削砥石７４は、図示の実施形態においては粒径が３０〜４０μｍのダイヤモンド砥粒をレジンボンド材に混錬し環状に成型して焼成したレジノイド砥石や、砥粒を金属ボンド材に混錬し環状に成型して焼成したメタル砥石からなり、厚みが２ｍｍ程度に設定されている。この円盤状の研削砥石７４は、研削面である外周面７４１が軸芯と平行に形成されている。 The spindle unit 73 includes a spindle housing 731, a rotating spindle 732 rotatably disposed on the spindle housing 731, and a servo motor 733 as a rotation driving unit for driving the rotating spindle 732 to rotate. Yes. On the rear surface of the spindle housing 731, guided grooves 731 a and 731 a slidably engaged with a pair of guide rails 722 and 722 provided on the front surface of the moving base 72 (only one is shown in FIG. 1). By engaging the guided grooves 731a and 731a with the guide rails 722 and 722, the spindle housing 731 is placed in the horizontal direction on the front surface of the moving base 72 (parallel to the holding surface of the chuck table 52). It is mounted so that it can move in any direction. The rotary spindle 732 is disposed toward the center of rotation of the chuck table 52, and a disc-shaped grinding wheel 74 is mounted on the tip thereof. In the illustrated embodiment, the grinding wheel 74 is a resinoid grindstone obtained by kneading diamond abrasive grains having a particle size of 30 to 40 μm in a resin bond material, forming the ring in an annular shape, and firing it, or mixing the abrasive grains with a metal bond material. It consists of a metal grindstone that has been tempered, molded into an annular shape, and fired, and has a thickness of about 2 mm. The disc-shaped grinding wheel 74 has an outer peripheral surface 741 that is a grinding surface formed in parallel to the axis.

図示の実施形態における面取り部除去手段７は、上記移動基台７２を上記一対の案内レール７１１、７１１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向）に移動せしめる第１の送り手段７５を備えている。この第１の送り手段７５は、上記研削送り手段４と同様にボールスクリュー機構からなり、図示しない雄ねじロッドを駆動するパルスモータ７５１を正転すると移動基台７２を下降即ち前進せしめ、パルスモータ７５１を逆転すると移動基台７２を上昇即ち後退せしめる。また、図示の実施形態における面取り部除去手段７は、上記スピンドルユニット７３を移動基台７２の前面に設けられた一対の案内レール７２２、７２２に沿って水平方向（チャックテーブル５２の保持面と平行な方向）に移動せしめる第２の送り手段７６を備えている。この第２の送り手段７６も、上記研削送り手段４を同様にボールスクリュー機構からなり、図示しない雄ねじロッドを駆動するパルスモータ７６１を正転するとスピンドルユニット７３をチャックテーブル５２に向けて前進せしめ、パルスモータ７６１を逆転するとスピンドルユニット７３をチャックテーブル５２から離間する方向に後退せしめる。 The chamfered portion removing means 7 in the illustrated embodiment moves the moving base 72 in the vertical direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later) along the pair of guide rails 711 and 711. A feeding means 75 is provided. The first feed means 75 is composed of a ball screw mechanism, similar to the grinding feed means 4. When the pulse motor 751 that drives a male screw rod (not shown) is rotated forward, the moving base 72 is lowered or advanced, and the pulse motor 751. Is reversed, the moving base 72 is raised, that is, moved backward. Further, the chamfered portion removing means 7 in the illustrated embodiment is configured so that the spindle unit 73 is horizontally aligned with a pair of guide rails 722 and 722 provided on the front surface of the moving base 72 (parallel to the holding surface of the chuck table 52). A second feeding means 76 that can be moved in any direction. The second feeding means 76 is also composed of a ball screw mechanism in the same manner as the grinding feeding means 4. When the pulse motor 761 that drives a male screw rod (not shown) is rotated forward, the spindle unit 73 is advanced toward the chuck table 52, When the pulse motor 761 is reversely rotated, the spindle unit 73 is retracted in a direction away from the chuck table 52.

図１に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構５を構成する移動基台５１の移動方向両側には、図１に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール２３、２３や雄ねじロッド５６１およびサーボモータ５６２等を覆っている蛇腹手段６１および６２が付設されている。蛇腹手段６１および６２はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段６１の前端はハウジング２を構成する主部２１の後半部の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構５の移動基台５１の前端面に固定されている。蛇腹手段６２の前端はチャックテーブル機構５の移動基台５１の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。チャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段６１が伸張されて蛇腹手段６２が収縮され、チャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段６１が収縮されて蛇腹手段６２が伸張せしめられる。 Returning to FIG. 1, the description will be continued. On the both sides of the moving base 51 constituting the chuck table mechanism 5 in the moving direction, as shown in FIG. Bellows means 61 and 62 are attached to cover the rails 23 and 23, the male screw rod 561, the servo motor 562, and the like. The bellows means 61 and 62 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 61 is fixed to the front wall of the rear half of the main portion 21 constituting the housing 2, and the rear end is fixed to the front end surface of the moving base 51 of the chuck table mechanism 5. The front end of the bellows means 62 is fixed to the rear end surface of the moving base 51 of the chuck table mechanism 5, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23a, the bellows means 61 is expanded and the bellows means 62 is contracted, and when the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23b, the bellows means. 61 is contracted and the bellows means 62 is extended.

図１に基づいて説明を続けると、装置ハウジング２の主部２１における前半部上には、第１のカセット１１と、第２のカセット１２と、ウエーハ仮載置手段１３と、洗浄手段１４と、ウエーハ搬送手段１５と、ウエーハ搬入手段１６およびウエーハ搬出手段１７が配設されている。第１のカセット１１は研削加工前の被加工物としてのウエーハを収納し、装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬入域に載置される。第２のカセット１２は装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬出域に載置され、研削加工後のウエーハを収納する。ウエーハ仮載置手段１３は第１のカセット１１と着脱領域２４との間に配設され、研削加工前のウエーハを仮載置する。洗浄手段１４は着脱領域２４と第２のカセット１２との間に配設され、研削加工後のウエーハ１０を洗浄する。ウエーハ搬送手段１５は第１のカセット１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカセット１１内に収納されたウエーハをウエーハ仮載置手段１３に搬出するとともに洗浄手段１４で洗浄されたウエーハを第２のカセット１２に搬送する。 Continuing the description with reference to FIG. 1, the first cassette 11, the second cassette 12, the wafer temporary mounting means 13, and the cleaning means 14 are disposed on the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2. A wafer transfer means 15, a wafer carry-in means 16 and a wafer carry-out means 17 are disposed. The first cassette 11 stores a wafer as a workpiece before grinding, and is placed in a cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. The second cassette 12 is placed in a cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2 and stores the wafer after grinding. The wafer temporary mounting means 13 is disposed between the first cassette 11 and the detachable region 24 and temporarily mounts the wafer before grinding. The cleaning means 14 is disposed between the attachment / detachment region 24 and the second cassette 12 and cleans the wafer 10 after grinding. The wafer transfer means 15 is disposed between the first cassette 11 and the second cassette 12, and the wafer stored in the first cassette 11 is carried out to the wafer temporary placement means 13 and is washed by the cleaning means 14. The cleaned wafer is transported to the second cassette 12.

上記ウエーハ搬入手段１６はウエーハ仮載置手段１３と着脱領域２４との間に配設され、ウエーハ仮載置手段１３上に載置された研削加工前のウエーハを着脱領域２４に位置付けられたチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に搬送する。ウエーハ搬出手段１７は、着脱領域２４と洗浄手段１４との間に配設され、着脱領域２４に位置付けられたチャックテーブル５２上に載置されている研削加工後のウエーハを洗浄手段１４に搬送する。 The wafer carry-in means 16 is disposed between the wafer temporary mounting means 13 and the attachment / detachment area 24, and the chuck mounted on the wafer temporary placement means 13 before grinding is positioned in the attachment / detachment area 24. It is conveyed onto the chuck table 52 of the table mechanism 5. The wafer carry-out means 17 is disposed between the attachment / detachment area 24 and the cleaning means 14 and conveys the wafer after grinding mounted on the chuck table 52 positioned in the attachment / detachment area 24 to the cleaning means 14. .

なお、研削加工前のウエーハを所定数収容した第１のカセット１１は、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容されていた研削加工前のウエーハが全て搬出されると、空のカセット１１に代えて研削加工前の複数個のウエーハを所定数収容した新しいカセット１１が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬出域に載置された第２のカセット１２に研削加工後のウエーハが所定数搬入されると、かかる第２のカセット１２が手動で搬出され、新しい空の第２のカセット１２が載置される。 The first cassette 11 containing a predetermined number of wafers before grinding is placed in a predetermined cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. Then, when all the wafers before grinding that were accommodated in the first cassette 11 placed in the cassette carry-in area are unloaded, a predetermined number of wafers before grinding are replaced with a predetermined number of wafers. The accommodated new cassette 11 is manually placed in the cassette carry-in area. On the other hand, when a predetermined number of ground wafers are loaded into the second cassette 12 placed in the predetermined cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the second cassette 12 is manually unloaded. A new empty second cassette 12 is placed.

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について、主に図１を参照して説明する。
図３の(ａ)および(ｂ)には、ウエーハとしての半導体ウエーハ１０の斜視図が示されている。図３の(ａ)および(ｂ)に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが６００μmの円板形状をしたシリコンウエーハからなり、その表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、デバイス１０２が形成されているデバイス領域１２０と、該デバイス領域１２０を囲繞する外周余剰領域１３０を備えており、該外周余剰領域１３０の外周部には、図３の(ｂ)に示すように表面１０ａから裏面１０bに渡り面対称に形成された円弧状の面取り部１０cが形成されている。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described mainly with reference to FIG.
3A and 3B are perspective views of a semiconductor wafer 10 as a wafer. A semiconductor wafer 10 shown in FIGS. 3A and 3B is made of, for example, a disk-shaped silicon wafer having a thickness of 600 μm, and a plurality of streets 101 are arranged in a lattice pattern on the surface 10a. A device 102 such as an IC or LSI is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets 101. The semiconductor wafer 10 configured as described above includes a device region 120 in which the device 102 is formed, and an outer peripheral surplus region 130 surrounding the device region 120. In the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region 130, As shown in FIG. 3B, an arc-shaped chamfered portion 10c formed symmetrically from the front surface 10a to the back surface 10b is formed.

以下、図３の(ａ)および(ｂ)に示す半導体ウエーハ１０の裏面１０bを研削して所定の厚み（例えば１０μm）に形成するとともに、半導体ウエーハ１０の外周部に形成された円弧状の面取り部１０cを除去する研削方法について説明する。
本発明による研削方法においては、先ず半導体ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたデバイス１０２を保護するために、図４の(ａ)および(ｂ)に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護テープ等の保護部材Tを貼着する（保護部材貼着工程）。このようにして表面１０ａに保護部材Tが貼着された半導体ウエーハ１０は、上記図１に示す研磨装置の第１のカセット１１に裏面１０bを上側にして収容される。 3A and 3B, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground to a predetermined thickness (for example, 10 μm), and an arc-shaped chamfer formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 10 is formed. A grinding method for removing the portion 10c will be described.
In the grinding method according to the present invention, first, in order to protect the device 102 formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10, a protective tape is applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 as shown in FIGS. A protective member T such as a protective member is attached (protective member attaching step). The semiconductor wafer 10 having the protective member T attached to the front surface 10a in this way is accommodated in the first cassette 11 of the polishing apparatus shown in FIG.

第１のカセット１１に収容された研削加工前の半導体ウエーハ１０はウエーハ搬送手段１５の上下動作および進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段１３に載置される。ウエーハ仮載置手段１３に載置された半導体ウエーハ１０は、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段１６の旋回動作によって着脱領域２４に位置付けられているチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に載置される。チャックテーブル５２上に載置された被加工物としての半導体ウエーハ１０は、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５２上に吸引保持される。 The pre-grinding semiconductor wafer 10 accommodated in the first cassette 11 is transported by the vertical movement and forward / backward movement of the wafer transport means 15 and placed on the temporary wafer placement means 13. The semiconductor wafer 10 mounted on the wafer temporary mounting means 13 is centered on the chuck table 52 of the chuck table mechanism 5 positioned in the attachment / detachment region 24 by the turning operation of the wafer carry-in means 16 after being centered here. Placed on. The semiconductor wafer 10 as a workpiece placed on the chuck table 52 is sucked and held on the chuck table 52 by suction means (not shown).

チャックテーブル５２上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、チャックテーブル位置付け手段５６を作動してチャックテーブル機構５を矢印２３ａで示す方向に移動し、研削領域２５に位置付ける。図５は、チャックテーブル５２が研削領域２５に位置付けられた状態を示している。即ち、チャックテーブル５２に保持された半導体ウエーハ１０の中心（チャックテーブル５２の回転中心P）が研削ホイール３２５の環状の研削砥石３２７が通過する位置の直下に位置付けられ、研削ホイール３２５はチャックテーブル５２に保持された半導体ウエーハ１０の上方の待機位置に位置付けられている。また、面取り部除去手段７の第２の送り手段７６を作動してスピンドルユニット７３の回転スピンドル７３２に装着された円盤状の研削砥石７４を図５に示すようにチャックテーブル５２に保持された半導体ウエーハ１０の外周部おける円弧状の面取り部１０cの直上に位置付ける。 When the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 52, the chuck table positioning means 56 is operated to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23a and position it in the grinding region 25. FIG. 5 shows a state where the chuck table 52 is positioned in the grinding region 25. That is, the center of the semiconductor wafer 10 held by the chuck table 52 (the rotation center P of the chuck table 52) is positioned immediately below the position where the annular grinding wheel 327 of the grinding wheel 325 passes, and the grinding wheel 325 is positioned at the chuck table 52. The semiconductor wafer 10 is held at a standby position above the semiconductor wafer 10. In addition, the second feeding means 76 of the chamfered portion removing means 7 is operated so that the disk-shaped grinding wheel 74 mounted on the rotating spindle 732 of the spindle unit 73 is held on the chuck table 52 as shown in FIG. It is positioned directly above the arc-shaped chamfered portion 10c in the outer peripheral portion of the wafer 10.

次に、チャックテーブル機構５のサーボモータ５３を作動してチャックテーブル５２を図５の(ａ)において矢印５２aで示す方向に例えば３００ｒｐｍ程度で回転するとともに、上記サーボモータ３２３を駆動し回転スピンドル３２２を回転して研削ホイール３２５を図５(ａ)において矢印３２５aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転しつつ、上記研削送り手段４のパルスモータ４４を正転駆動して研削ユニット３を図５(ａ)において矢印Z1で示す方向（下方向）に所定の研削送り速度で研削送りする。また、面取り部除去手段７のスピンドルユニット７３を構成するサーボモータ７３３を駆動し回転スピンドル７３２を回転して円盤状の研削砥石７４を図５(ａ)において矢印７４aで示す方向に例えば２００００ｒｐｍの回転速度で回転しつつ、上記第１の送り手段７５のパルスモータ７５１を正転駆動してスピンドルユニット７３を図５の(ａ)において矢印Z1で示す方向（下方向）に所定の送り速度で研削送りする。 Next, the servo motor 53 of the chuck table mechanism 5 is operated to rotate the chuck table 52 in the direction indicated by the arrow 52a in FIG. 5A, for example, at about 300 rpm, and to drive the servo motor 323 to rotate the rotating spindle 322. And the grinding wheel 325 is rotated in the direction indicated by the arrow 325a in FIG. 5A at a rotational speed of, for example, 6000 rpm, and the pulse motor 44 of the grinding feed means 4 is driven to rotate in the forward direction. In 5 (a), grinding feed is performed at a predetermined grinding feed speed in the direction (downward) indicated by the arrow Z1. Further, the servo motor 733 constituting the spindle unit 73 of the chamfered portion removing means 7 is driven to rotate the rotating spindle 732 to rotate the disc-shaped grinding wheel 74 in the direction indicated by the arrow 74a in FIG. While rotating at a speed, the pulse motor 751 of the first feeding means 75 is driven to rotate forward so that the spindle unit 73 is ground at a predetermined feed speed in the direction (downward) indicated by the arrow Z1 in FIG. To send.

図５の(a)に示す状態から研削ホイール３２５および円盤状の研削砥石７４が矢印Z1で示す方向（下方向）に研削送りされ、図５の(ｂ)に示すように研削砥石３２７の下面である研削面がチャックテーブル５２に保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０bである上面（被加工面）に接触するととともに、円盤状の研削砥石７４の研削面である外周面７４１が半導体ウエーハ１０の外周部における円弧状の面取り部１０cに接触して裏面および面取り部の研削が実施される。この結果、図６の(ａ)に示すように研削ホイール３２５の研削砥石３２７によって半導体ウエーハ１０の裏面１０bが研削されるとともに、円盤状の研削砥石７４の外周面７４１によって半導体ウエーハ１０の外周部における円弧状の面取り部１０cが研削される。そして、研削ホイール３２５を矢印Z1で示す方向（下方向）に所定量研削送りするとともに円盤状の研削砥石７４を外周面７４１が保護部材Tに達する位置まで研削送りすることにより、図６の(ｂ)に示すように半導体ウエーハ１０は裏面１０bが所定量研削されて所定の厚みに形成されるとともに外周部における円弧状の面取り部１０cが除去される（加工工程）。 From the state shown in FIG. 5 (a), the grinding wheel 325 and the disc-shaped grinding wheel 74 are ground and fed in the direction (downward) indicated by the arrow Z1, and the lower surface of the grinding wheel 327 is shown in FIG. 5 (b). And the outer peripheral surface 741, which is the grinding surface of the disc-shaped grinding wheel 74, is in contact with the upper surface (surface to be processed) which is the rear surface 10b of the semiconductor wafer 10 held by the chuck table 52. The back surface and the chamfered portion are ground in contact with the arc-shaped chamfered portion 10c in the outer peripheral portion. As a result, as shown in FIG. 6A, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground by the grinding wheel 327 of the grinding wheel 325, and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 10 by the outer peripheral surface 741 of the disc-shaped grinding wheel 74. The arc-shaped chamfered portion 10c is ground. Then, the grinding wheel 325 is ground and fed by a predetermined amount in the direction indicated by the arrow Z1 (downward), and the disc-shaped grinding wheel 74 is ground and fed to a position where the outer peripheral surface 741 reaches the protective member T. As shown in b), the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground by a predetermined amount to have a predetermined thickness, and the arc-shaped chamfered portion 10c in the outer peripheral portion is removed (processing step).

以上のように、図示の実施形態における研削装置は、研削領域２５に位置付けられたチャックテーブル５２に保持されている半導体ウエーハ１０の裏面１０bを研削する環状の研削砥石３２７を備えた研削ホイール３２５を具備した研削手段としての研削ユニット３と、研削領域２５に位置付けられたチャックテーブル５２の保持面に保持された半導体ウエーハ１０の外周に形成された円弧状の面取り部１０cを除去する面取り部除去手段７を備え、研削領域２５に位置付けられたチャックテーブル５２に保持された半導体ウエーハ１０を研削手段としての研削ユニット３によって研削する際に面取り部除去手段７によって半導体ウエーハ１０の外周に形成された円弧状の面取り部１０cを除去するので、円弧状の面取り部１０cを除去するために特別に面取り部除去工程を実施する必要がないため生産性が向上する。 As described above, the grinding apparatus in the illustrated embodiment includes the grinding wheel 325 including the annular grinding wheel 327 for grinding the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held by the chuck table 52 positioned in the grinding region 25. Grinding unit 3 as grinding means provided, and chamfered portion removing means for removing arc-shaped chamfered portion 10c formed on the outer periphery of semiconductor wafer 10 held on the holding surface of chuck table 52 positioned in grinding region 25 7 and formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 10 by the chamfer removing means 7 when the semiconductor wafer 10 held by the chuck table 52 positioned in the grinding region 25 is ground by the grinding unit 3 as a grinding means. Since the arc-shaped chamfered portion 10c is removed, in order to remove the arc-shaped chamfered portion 10c Productivity is improved because there is no need to perform a chamfered portion removing process.

次に、上記面取り部除去手段７に装備される円盤状の研削砥石７４の他の実施形態について、図７を参照して説明する。
上述した円盤状の研削砥石７４は研削面である外周面７４１が軸芯と平行に形成されている例を示したが、図７に示す実施形態における円盤状の研削砥石７４は研削面である外周面７４２がテーパー状に形成されている。従って、図７に示す円盤状の研削砥石７４によって研削することにより、半導体ウエーハ１０の外周に形成された円弧状の面取り部１０cもテーパー状に除去される。 Next, another embodiment of the disc-shaped grinding wheel 74 provided in the chamfered portion removing means 7 will be described with reference to FIG.
In the disk-shaped grinding wheel 74 described above, an example in which the outer peripheral surface 741 that is a grinding surface is formed in parallel with the shaft center is shown. However, the disk-shaped grinding wheel 74 in the embodiment shown in FIG. 7 is a grinding surface. The outer peripheral surface 742 is formed in a taper shape. Accordingly, by grinding with the disk-shaped grinding wheel 74 shown in FIG. 7, the arc-shaped chamfered portion 10c formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 10 is also removed in a tapered shape.

２：装置ハウジング
３：研削ユニット
３１：移動基台
３２：スピンドルユニット
３２１：スピンドルハウジング
３２２：回転スピンドル
３２３：サーボモータ
３２４：マウンター
３２５：研削ホイール
３２７：研削砥石
４：研削送り手段
４４：パルスモータ
５：チャックテーブル機構
５１：移動基台
５２：チャックテーブル
５６：チャックテーブル位置付け手段
７：面取り部除去手段
７３：スピンドルユニット
７３２：回転スピンドル
７４：研削砥石
７５：第１の送り手段
７６：第２の送り手段
１０：半導体ウエーハ
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：ウエーハ仮載置手段
１４：洗浄手段
１５：ウエーハ搬送手段
１６：ウエーハ搬入手段
１７：ウエーハ搬出手段 2: Device housing 3: Grinding unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: Rotary spindle 323: Servo motor 324: Mounter 325: Grinding wheel 327: Grinding wheel 4: Grinding feed means 44: Pulse motor 5 : Chuck table mechanism 51: moving base 52: chuck table 56: chuck table positioning means 7: chamfer removing means 73: spindle unit 732: rotating spindle 74: grinding wheel 75: first feeding means 76: second feeding Means 10: Semiconductor wafer 11: First cassette 12: Second cassette 13: Wafer temporary mounting means 14: Cleaning means 15: Wafer conveying means 16: Wafer carrying means 17: Wafer carrying means

Claims

A chuck table having a holding surface for holding a wafer and configured to be rotatable, a chuck table positioning means for selectively positioning the chuck table in an attachment / detachment region for attaching / detaching a wafer and a grinding region, and the grinding table Grinding means including a grinding wheel provided with an annular grinding wheel for grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table, and grinding feed the grinding means in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table In a grinding apparatus comprising a grinding feed means,
Chamfered portion removing means for removing a chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding region;
Removing the chamfered portion formed on the outer periphery of the wafer by the chamfered portion removing means when grinding the wafer held by the holding surface of the chuck table positioned in the grinding region by the grinding means;
A grinding apparatus characterized by that.