JP2014089308A - 反射防止性透明導電フィルム、タッチパネル及び画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】反射防止性能を有しながら、透明導電層の密着性に優れ、且つ安定量産性に優れた透明導電フィルムを提供する。
【解決手段】透明基材１の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体２と透明導電層３とをこの順で有し、微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎなる関係を有し、微小突起の頂部における透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、微小突起の高さの１／２における透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３なる関係を満たし、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムである。
【選択図】図１
【解決手段】透明基材１の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体２と透明導電層３とをこの順で有し、微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎなる関係を有し、微小突起の頂部における透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、微小突起の高さの１／２における透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３なる関係を満たし、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムである。
【選択図】図１
Description
本発明は、反射防止性透明導電フィルムと、これを用いたタッチパネル及び画像表示装置に関するものである。
近年、モバイル機器や携帯電話機器などが備える液晶表示素子などの表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネル、あるいは、多点同時入力が可能な静電容量式タッチパネルが配置されるようになっている。
抵抗膜式タッチパネルは、２つの透明導電フィルムがアクリル樹脂などの絶縁材料からなるスペーサを介して対向配置された構造を有する。透明導電フィルムは、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルムなどの透明性を有する基材と、この基材上に形成された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの高屈折率の材料（例えば１．９〜２．１程度）からなる透明導電膜とを備える。静電容量式タッチパネルの場合は上記構成に留まらず、表裏あるいは絶縁層を介してＸＹ座標を検出するための透明導電膜のパターニングが実施されている。また、上記透明導電フィルムの動作を確実なものとするために、上記透明導電フィルムと上記液晶表示素子との間に、液晶表示素子から発生する電磁ノイズを除去するための上記反射防止透明導電層を設ける事も有効である。
タッチパネル用としての透明導電フィルムには、例えば５００Ω／□以下の表面抵抗値が求められている。また、上記反射防止透明導電層についても一定の表面抵抗値（例えば、１０＾６Ω／□以下）が必要とされる。また、透明導電フィルムには、抵抗膜式タッチパネルが配置される液晶表示素子などの表示装置の表示品質の劣化を避けるため、高い透過率が求められている。
所望の表面抵抗値を実現するためには、透明導電性フィルムを構成する透明導電膜を厚くする必要がある。しかしながら、高屈折率の材料である透明導電膜を厚くすると、透明導電膜と基材との界面における外光の反射が増加し、透明導電フィルムの透過率が低下してしまうため、表示装置の品質の劣化が生じる問題がある。
この問題を解決するために、例えば特許文献１では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電フィルムが提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。
また、特許文献２には、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体と、上記構造体上に形成された透明導電膜とを備え、上記構造体がアスペクト比０．２以上１．７８以下の錐体形状を有し、上記透明導電膜は上記構造体に倣った表面を有し、上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄm１が、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、上記透明導電膜の表面抵抗は、２７０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲である透明導電性電極が記載されている。
しかしながら、特許文献２のような、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体上に、当該構造体に追随した表面を有する透明導電膜を形成するのは、現実的には困難であってばらつきが多くなり、安定生産が難しく、且つ、構造体上に透明導電膜を形成すると可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体の表面形状がくずれ、反射防止の効果が結局低減してしまうという問題があった。また、当該構造体に追随した表面を有する透明導電膜を形成しようとすると、透明導電膜の膜厚が薄くなり、透明導電膜の導電率が不十分になるという問題があった。更に、特許文献２に開示されている技術のように、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体上に、追随するように、スパッタで透明導電膜を形成すると、透明導電膜の密着性が悪いという問題があった。
しかしながら、特許文献２のような、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体上に、当該構造体に追随した表面を有する透明導電膜を形成するのは、現実的には困難であってばらつきが多くなり、安定生産が難しく、且つ、構造体上に透明導電膜を形成すると可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体の表面形状がくずれ、反射防止の効果が結局低減してしまうという問題があった。また、当該構造体に追随した表面を有する透明導電膜を形成しようとすると、透明導電膜の膜厚が薄くなり、透明導電膜の導電率が不十分になるという問題があった。更に、特許文献２に開示されている技術のように、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体上に、追随するように、スパッタで透明導電膜を形成すると、透明導電膜の密着性が悪いという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、反射防止性能を有しながら、透明導電層の密着性に優れ、且つ安定量産性に優れた透明導電フィルムと、これを用いたタッチパネル及び画像表示装置を提供することを目的とする。
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムは、透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たすことを特徴とする。
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たすことを特徴とする。
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記微小突起の少なくとも一部が、頂点を複数有する微小突起であることが、透明導電層の密着性及び反射防止性能が向上する点から好ましい。
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記透明導電層が、パターニングされてなり、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域を有する態様が、透明導電層を例えば座標認識用の配線として機能させる点から好適に用いられる。
当該透明導電層非形成領域においては、更に前記微小突起構造体が除去されてなることが、透明導電層のパターンを目立ち難くする点から好ましい。
また、当該透明導電層非形成領域においては、前記透明導電層非形成領域が、前記微小突起構造体と屈折率差が０．１４以下の樹脂組成物の硬化物で充填されてなることも、透明導電層のパターンを目立ち難くする点から好ましい。
当該透明導電層非形成領域においては、更に前記微小突起構造体が除去されてなることが、透明導電層のパターンを目立ち難くする点から好ましい。
また、当該透明導電層非形成領域においては、前記透明導電層非形成領域が、前記微小突起構造体と屈折率差が０．１４以下の樹脂組成物の硬化物で充填されてなることも、透明導電層のパターンを目立ち難くする点から好ましい。
また、本発明に係るタッチパネルは、２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする。
また、本発明に係る画像表示装置は、前記本発明に係るタッチパネルを、画像表示面に備えたことを特徴とする。
本発明によれば、反射防止性能を有しながら、透明導電層の密着性に優れ、且つ安定量産性に優れた透明導電フィルムと、これを用いたタッチパネル及び画像表示装置を提供することができる。
次に、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいては、厚みの厚いもの及び薄いものの両方の意味を含めて、「フィルム」と定義する。すなわち、通例、ロールの形で供給されない「シート状」や、シート状に比べて厚さが厚いものであり、完全に曲がらないもの、及び巻き取れるほどには曲がらないが、負荷をかけることによって湾曲する「板状」のものも、本発明の「フィルム」に包含される。
また、本発明において、（メタ）アクリル樹脂は、アクリル樹脂及び／又はメタクリル樹脂を意味し、（メタ）アクリレートは、アクリレート及び／又はメタクリレートを意味する。
また、本発明において樹脂とは、モノマーやオリゴマーの他、ポリマーを含む概念である。
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいては、厚みの厚いもの及び薄いものの両方の意味を含めて、「フィルム」と定義する。すなわち、通例、ロールの形で供給されない「シート状」や、シート状に比べて厚さが厚いものであり、完全に曲がらないもの、及び巻き取れるほどには曲がらないが、負荷をかけることによって湾曲する「板状」のものも、本発明の「フィルム」に包含される。
また、本発明において、（メタ）アクリル樹脂は、アクリル樹脂及び／又はメタクリル樹脂を意味し、（メタ）アクリレートは、アクリレート及び／又はメタクリレートを意味する。
また、本発明において樹脂とは、モノマーやオリゴマーの他、ポリマーを含む概念である。
Ｉ．反射防止性透明導電フィルム
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムは、透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たすことを特徴とする。
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムは、透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たすことを特徴とする。
本発明の反射防止性透明導電フィルムは、上記特定の構造を有する微小突起が密接して配置された微小突起構造体を有するため、透明導電層と基材との界面における反射防止効果と透明導電フィルムの透過率向上を実現する反射防止性透明導電フィルムである。
本発明においては、微小突起構造体上に形成する透明導電層について、前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２なる関係を満たすように、形成することを特徴とする。
微小突起構造体上に形成する透明導電層を、当該構造体に追随して形成するのではなく、微小突起構造体の凹部に透明導電層を埋めるように、また透明導電層表面は平均高低差が低くなるように形成することにより、透明導電フィルムの透明導電層と基材との界面での反射を確実に防止して、その分透過率を改善しながら、安定量産性に優れている。更に、微小突起構造体上に形成する透明導電層を、微小突起構造体の凹部に透明導電層を埋めるように、また透明導電層表面は平均高低差が低くなるように形成することにより、透明導電層の膜厚を十分に確保可能であって導電性に優れるようになり、且つ、透明導電層と微小突起構造体との密着性が向上したものとなる。
本発明においては、微小突起構造体上に形成する透明導電層について、前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２なる関係を満たすように、形成することを特徴とする。
微小突起構造体上に形成する透明導電層を、当該構造体に追随して形成するのではなく、微小突起構造体の凹部に透明導電層を埋めるように、また透明導電層表面は平均高低差が低くなるように形成することにより、透明導電フィルムの透明導電層と基材との界面での反射を確実に防止して、その分透過率を改善しながら、安定量産性に優れている。更に、微小突起構造体上に形成する透明導電層を、微小突起構造体の凹部に透明導電層を埋めるように、また透明導電層表面は平均高低差が低くなるように形成することにより、透明導電層の膜厚を十分に確保可能であって導電性に優れるようになり、且つ、透明導電層と微小突起構造体との密着性が向上したものとなる。
図１は、本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの一例を模式的に示す断面図である。図１に示す反射防止性透明導電フィルム１０は、透明基材１の一方の面に、当該透明基材１側から順に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体２と、透明導電層３とを有する。図２は、本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの他の一例を模式的に示す断面図である。図２に示す反射防止性透明導電フィルム１０は、透明基材１の一方の表面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体２を有し、当該微小突起構造体２の表面上に、透明導電層３を有する。
以下、本発明に係る反射防止性透明導電フィルムに含まれる透明基材、微小突起構造体、透明導電層について、順に説明する。
以下、本発明に係る反射防止性透明導電フィルムに含まれる透明基材、微小突起構造体、透明導電層について、順に説明する。
＜透明基材＞
前記透明基材としては、透明導電フィルムに用いられる公知の透明基材を適宜選択して用いることができ、特に限定されない。前記透明基材に用いられる材料としては、例えば、透明樹脂が挙げられる。透明樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等を挙げることができる。
また、前記透明基材に用いられる材料としては、前記透明樹脂の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ＰＬＺＴ等のセラミックス、石英、蛍石等の各種透明無機材料等も挙げられる。
前記透明基材としては、透明導電フィルムに用いられる公知の透明基材を適宜選択して用いることができ、特に限定されない。前記透明基材に用いられる材料としては、例えば、透明樹脂が挙げられる。透明樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等を挙げることができる。
また、前記透明基材に用いられる材料としては、前記透明樹脂の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ＰＬＺＴ等のセラミックス、石英、蛍石等の各種透明無機材料等も挙げられる。
前記透明基材は、可視光領域における透過率が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。ここで、透明基材の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１（プラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法）により測定することができる。
前記透明基材の厚みは、本発明の透明導電フィルムの用途に応じて適宜設定することができ、特に限定されないが、通常２０〜５０００μｍであり、前記透明基材は、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、完全に曲がらないもののいずれであってもよい。
本発明に用いられる透明基材の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有してもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。
また、透明基材と後述する微小突起構造体との密着性を向上させ、ひいては耐摩耗性を向上させるためのプライマー層を透明基材上に形成してもよい。このプライマー層は、透明基材および微小突起構造体との双方に密着性を有し、可視光学的に透明であれば良い。
前記プライマー層の材料としては、例えば、フッ素系コーティング剤及びシランカップリング剤等から適宜選択して使用することができる。前記フッ素系コーティング剤の市販品としては、例えば、フロロテクノロジー製のフロロサーフ ＦＧ−５０１０Ｚ１３０等が挙げられ、前記シランカップリング剤の市販品としては、例えば、ハーベス製のデュラサーフプライマー ＤＳ−ＰＣ−３Ｂ等が挙げられる。
また、透明基材と後述する微小突起構造体との密着性を向上させ、ひいては耐摩耗性を向上させるためのプライマー層を透明基材上に形成してもよい。このプライマー層は、透明基材および微小突起構造体との双方に密着性を有し、可視光学的に透明であれば良い。
前記プライマー層の材料としては、例えば、フッ素系コーティング剤及びシランカップリング剤等から適宜選択して使用することができる。前記フッ素系コーティング剤の市販品としては、例えば、フロロテクノロジー製のフロロサーフ ＦＧ−５０１０Ｚ１３０等が挙げられ、前記シランカップリング剤の市販品としては、例えば、ハーベス製のデュラサーフプライマー ＤＳ−ＰＣ−３Ｂ等が挙げられる。
また、前述の図２に示したように、後述する微小突起構造体は、当該透明基材の一方の面を賦形する等して、当該透明基材の表面に形成されたものであって、透明基材と微小突起構造体が単層構造であってもよい。
＜微小突起構造体＞
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体を有する。
当該微小突起構造体は、図１に示したように、前記透明基材とは別の材料からなる別層として積層されていても良いし、図２に示したように、透明基材と一体となって形成されていても良い。
また、層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる点から、透明基材の少なくとも一方の面に、１層以上の中間層を介して、微小突起構造体が積層されている積層体となっていてもよい。
また、透明基材の両面に、直接又は他の層を介して、微小突起が密接して配置された微小突起構造体を有していても良い。
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体を有する。
当該微小突起構造体は、図１に示したように、前記透明基材とは別の材料からなる別層として積層されていても良いし、図２に示したように、透明基材と一体となって形成されていても良い。
また、層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる点から、透明基材の少なくとも一方の面に、１層以上の中間層を介して、微小突起構造体が積層されている積層体となっていてもよい。
また、透明基材の両面に、直接又は他の層を介して、微小突起が密接して配置された微小突起構造体を有していても良い。
微小突起構造体における微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有するものである。
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有するものである。
前記微小突起は、隣接する突起間隔ｄ（図１参照）が、反射防止を図る波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるよう密接して配置される。本発明に係る反射防止性透明導電フィルムを、タッチパネルに配置して視認性を向上せしめることを主目的として使用する場合は、この最短波長Λｍｉｎは、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最短波長（通常３８０ｎｍ）に設定され、間隔ｄは、ばらつきを考慮して通常１００〜３００ｎｍとされる。
またこの間隔ｄに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。本発明に係る透明導電フィルムでは、微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作成すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔ｄに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。
またこの間隔ｄに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。本発明に係る透明導電フィルムでは、微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作成すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔ｄに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。
前記微小突起は、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有することから反射防止効果を発揮する。前記微小突起構造体と、外界（通常は空気。但し、本態様においては、透明導電層。）との間の急激で不連続な屈折率変化を、連続的で漸次変化する屈折率変化に変えることが可能となるからである。光の反射は、物質界面の不連続な急激な屈折率変化によって生じる現象であるから、基材と透明導電層との界面に於ける屈折率変化を、空間的に連続的に変化する様にすることによって、該基材と透明導電層との界面に於ける光反射が減るのである。
尚、前記微小突起構造体は、通常は透明で光は透過する物となるが、不透明の物であっても、その表面反射を低下する反射防止効果は得られる。
前記微小突起構造体を構成する各微小突起は、基材に植立するように、さらに基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように（先細りとなるように）作製され、具体的な形状としては、例えば、半球、回転楕円体の半裁形状及び円錐形や四角錐形等の錐形体等が挙げられる。
尚、前記微小突起構造体は、通常は透明で光は透過する物となるが、不透明の物であっても、その表面反射を低下する反射防止効果は得られる。
前記微小突起構造体を構成する各微小突起は、基材に植立するように、さらに基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように（先細りとなるように）作製され、具体的な形状としては、例えば、半球、回転楕円体の半裁形状及び円錐形や四角錐形等の錐形体等が挙げられる。
前記微小突起は、頂部を複数有するもの（以下、「多峰性の微小突起」と称する場合がある。）であることが好ましい。前記微小突起として多峰性の微小突起を含むことにより、本発明の反射防止性透明導電フィルムは反射防止性及び密着性がより向上する。なお、多峰性の微小突起との対比により、頂部が１つのみの微小突起を「単峰性の微小突起」と称する場合がある。また多峰性の微小突起、単峰性の微小突起に係る各頂部を形成する各凸部を、適宜、「峰」と称する。
図３は、この頂点を複数有する多峰性の微小突起の説明に供する断面図（図３（ａ））、斜視図（図３（ｂ））、平面図（図３（ｃ））である。なおこの図３は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図３（ａ）は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図３（ｂ）及び（ｃ）において、ｘｙ方向は、基材１の面内方向であり、ｚ方向は微小突起の高さ方向である。反射防止性透明導電フィルム１０において、多くの微小突起５は、基材１より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積（高さ方向に直交する面（図３においてＸＹ平面と平行な面）で切断した場合の断面積）が小さくなって、頂点が１つにより作製される。しかしながら中には、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝ｇが形成され、頂点が２つになったもの（５Ａ）、頂点が３つになったもの（５Ｂ）、さらには頂点が４つ以上のもの（図示略）が存在した。なお単峰性の微小突起５の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、概略、単峰性の微小突起５の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、或いは、複数の峰を含み高さ方向（図３ではＺ軸方向）を含む仮想的切断面で切断した場合の縦断面形状が、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Ｚ＝ａ２Ｘ２＋ａ４Ｘ４＋・・＋ａ２ｎＸ２ｎ＋・・で近似されるような形状である。
各微小突起の高さに高低差の有る微小突起群は、反射防止性能が広帯域化され、白色光のような多波長の混在する光、あるいは広帯域スペクトルを持つ光に対して、全スペクトル帯域で低反射率を実現するのに有利である。これは、かかる微小突起群によって良好な反射防止性能を発現し得る波長帯域が、隣接突起間距離ｄの他に、突起高さにも依存する為である。
また、多峰性の微小突起が混在する場合には、単峰性の微小突起のみによる場合に比して反射防止の性能を向上することができるのは、図３に示すような多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ等は、隣接突起間距離が同じ場合であっても、また突起高さが同じ場合であっても、単峰性の微小突起と比べて、より光の反射率が低減するからであり、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ等は、頂部より下（中腹及び麓）の形状が同じ単峰性の微小突起よりも、頂部近傍における有効屈折率の高さ方向の変化率が小さくなる為である。
また、多峰性の微小突起が混在する場合には、単峰性の微小突起のみによる場合に比して、頂部より下（中腹及び麓）の形状が同じ単峰性の微小突起よりも、頂部近傍における表面積が大きくなるため、密着性が向上する。
なお多峰性の微小突起は、反射防止性及び密着性を向上する効果を発揮する点からは、表面に存在する全微小突起中における多峰性の微小突起の個数の比率は１０％以上であることが好ましい。特に多峰性の微小突起による反射防止性及び密着性を向上する効果を十分に奏する為には、該多峰性の微小突起の個数の比率は３０％以上、好ましくは５０％以上とすることが好ましい。
前記微小突起群において、高さＨが同じ微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、前記反射防止効果を得るためには、例えば特開昭５０−７００４０号公報、特許第４６３２５８９号公報、特許第４２７０８０６号公報等に開示のように、隣接突起間隔ｄは、突起配列の周期ｐ（ｄ＝ｐ）となる。これにより可視光線帯域の最長波長をλｍａｘ、最短波長をλｍｉｎとした場合に、最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘである為、ｐ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、ｐ≦λｍｉｎとなる。
なお波長λｍａｘ、λｍｉｎは、観察条件、光の強度（輝度）、個人差等にも依存して多少幅を持ち得るが、標準的には、λｍａｘ＝７８０ｎｍ及びλｍｉｎ＝３８０ｎｍとされる。これらにより可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄ≦３００ｎｍであり、より好ましい条件は、ｄ≦２００ｎｍとなる。なお反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、隣接突起間隔ｄの下限値は、通常、ｄ≧５０ｎｍ、好ましくは、ｄ≧１００ｎｍとされる。これに対して突起の高さＨ（図１参照）は、十分な反射防止効果を発現させる観点より、Ｈ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。また、突起の高さＨは、反射防止効果の点から、通常、３５０ｎｍ以下とされる。
一方、上記多峰性の微小突起が混在する場合のように、前記微小突起構造体の微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接突起間隔ｄはばらつきを有することになる。そこでこのような場合、間隔ｄは以下のように算定される。
（１）先ず、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope:AFM）又は走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope:SEM）を用いて突起の面内配列（突起配列の平面視形状）を検出する。
（２）続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点（以下、単に極大点と称する。）を検出する。なお極大点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して極大点を求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。
（３）次に検出した極大点を母点とするドロネー図（Ｄｅｌａｕｎａｒｙ Ｄｉａｇｒａｍ）を作成する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる３角形の集合体からなる網状図形である。各３角形は、ドロネー３角形と呼ばれ、各３角形の辺（隣接母点同士を結ぶ線分）は、ドロネー線と呼ばれる。図４は、ドロネー図（白色の線分により表される図である）を原画像と重ね合わせた図である。
（４）次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離（以下、隣接突起間距離と言う）の度数分布を求める。図５は、図４のドロネー図から作成した度数分布のヒストグラムである。なお、図３に示すように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に分裂している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作成する。
具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微小突起（多峰性の微小突起）に係る微細構造においては、このような微細構造を備えていない微小突起（単峰性の微小突起）の場合の数値範囲から、隣接極大点間距離が明らかに大きく異なることになる。これによりこの特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば微小突起（群）の平面視の拡大写真から、５〜２０個程度の互いに隣接する単峰性の微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに外れる値（通常、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に対して、値が１／２以下のデータ）を除外して度数分布を検出する。図５の例では、隣接極大点間距離が５６ｎｍ以下のデータ（矢印Ａにより示す左端の小山）を除外する。なお図５は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。
（５）このようにして求めた隣接突起間隔ｄの度数分布から平均値ｄＡＶＧ及び標準偏差σを求める。ここでこのようにして得られる度数分布を正規分布とみなして平均値ｄＡＶＧ及び標準偏差σを求めると、図５の例では、平均値ｄＡＶＧ＝１５８ｎｍ、標準偏差σ＝３８ｎｍとなった。これにより隣接突起間隔ｄの最大値を、ｄｍａｘ＝ｄＡＶＧ＋２σとし、この例ではｄｍａｘ＝２３４ｎｍとなる。
なお同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の（２）により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。図６は、このようにして求められる突起付け根位置を基準（高さ０）とした突起高さＨの度数分布のヒストグラムを示す図である。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値ＨＡＶＧ、標準偏差σを求める。ここでこの図５の例では、平均値ＨＡＶＧ＝１７８ｎｍ、標準偏差σ＝３０ｎｍである。これによりこの例では、突起の高さは、平均値ＨＡＶＧ＝１７８ｎｍとなる。なお図６に示す突起高さＨのヒストグラムにおいて、多峰性の微小突起の場合は、頂部を複数有していることにより、１つの突起に対してこれら複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂部の中から高さの最も高い頂部を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。
突起が不規則に配置されている場合には、このようにして求められる隣接突起間距離の最大値ｄｍａｘ＝ｄＡＶＧ＋２σ、突起の高さの平均値ＨＡＶＧが、規則正しく配置されている場合の上述の条件を満足することが必要である。具体的には、反射防止効果を発現する微小突起間距離の条件は、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎとなる。最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘである為、ｄｍａｘ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎである為、ｄｍａｘ≦λｍｉｎとなる。そして、可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄｍａｘ≦３００ｎｍであり、更に好ましい条件は、ｄｍａｘ≦２００ｎｍである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、通常、ｄｍａｘ≧５０ｎｍであり、好ましくは、ｄｍａｘ≧１００ｎｍとされる。また突起高さについては、十分な反射防止効果を発現する為には、ＨＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。また、ＨＡＶＧは、反射防止効果の点から、好ましくは３５０ｎｍ以下とされる。突起高さの分布は、通常、５０〜３５０ｎｍである。
上述した図４〜図６に係る測定結果は、図３に示すような頂点を複数有する、多峰性の微小突起の実施形態における測定結果であり、図５に示す度数分布においては、隣接突起間隔ｄ（横軸の値）について、２０ｎｍ及び４０ｎｍの短距離の極大値と１２０ｎｍ及び１６４ｎｍの長距離の極大値との２種類の極大値が存在する。これらの極大値のうちの長距離の極大値は、微小突起本体（頂部よりも下の中腹から麓にかけての部分）の配列に対応し、一方、短距離の極大値は頂部近傍に存在する複数の頂点（峰）に対応する。これにより極大点間距離の度数分布によっても、多峰性の微小突起の存在を見て取ることができる。
なお上述した突起の高さを測る際の基準位置は、隣接する微小突起の間の谷底（高さの極小点）を高さ０の基準とする。但し、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合（例えば、後述するように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でうねった凹凸形状を有する場合等）は、（１）先ず、透明基材１の表面又は裏面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が収束するに足る面積の中で算出する。（２）次いで、該平均値の高さを有し、且つ透明基材１の表面又は裏面と平行な面を基準面として考える。（３）その後、該基準面を改めて高さ０として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。
隣接する微小突起の間の谷底の高さ自体が場所によって異なる場合とは、例えば、図７に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が隣接微小突起間距離に比べて大きな周期Ｐでうねった凹凸形状を有する場合等が挙げられる。すなわち、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λｍａｘ以上の周期Ｐ（すなわちＰ＞λｍａｘである）でうねった大きな凹凸形状としてもよい。当該大きな凹凸形状は、透明基材１の表裏面に平行なＸＹ平面（図７参照）における１方向（例えばＸ方向）のみでこれと直交する方向（例えばＹ方向）には一定高さであっても良いし、或いはＸＹ平面における２方向（Ｘ方向及びＹ方向）共にうねりを有していても良い。Ｐ＞λｍａｘを満たす周期Ｐでうねった凹凸面４が多数の微小突起からなる微小突起構造体に重畳することによって、微小突起構造体で完全に反射防止しきれずに残った反射光を散乱し、残留反射光、とくに鏡面反射光を更に視認し難くし、その結果、反射防止効果を一段と向上させることができる。
尚、凹凸面４の周期Ｐが前面に渡って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をＰＡＶＧ、標準偏差をΣとしたときの、
ＰＭＩＮ＝ＰＡＶＧ―２Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Ｐの代わりとして設計する。即ち、微小突起構造体の残留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
ＰＭＩＮ＞λｍａｘ
である。通常、Ｐ又はＰＭＩＮは１〜２００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍとされる。
なお、前記周期Ｐは、本発明の透明導電フィルムを、厚み方向に切断した垂直断面のＴＥＭ写真又はＳＥＭ写真を用いて観察することにより測定することができる。
ＰＭＩＮ＝ＰＡＶＧ―２Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Ｐの代わりとして設計する。即ち、微小突起構造体の残留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
ＰＭＩＮ＞λｍａｘ
である。通常、Ｐ又はＰＭＩＮは１〜２００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍとされる。
なお、前記周期Ｐは、本発明の透明導電フィルムを、厚み方向に切断した垂直断面のＴＥＭ写真又はＳＥＭ写真を用いて観察することにより測定することができる。
また、前記周期Ｐでうねった大きな凹凸形状の高低差（図７中のｈ）は、反射防止効果の点から、１０μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ〜２μｍの範囲内であることが、より好ましい。なお、前記周期Ｐでうねった大きな凹凸形状とは、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面の凹凸形状であるから、前記突起間の高さうねりは、例えば５００ｎｍ以上離れた微小突起の谷底部の位置の高低差を測定することにより求めることができる。微小突起の谷底部の位置は、本発明の透明導電フィルムを、厚み方向に切断した垂直断面のＴＥＭ写真又はＳＥＭ写真を用いて観察することにより求めることができる。
前記微小突起構造体においては、アスペクト比（平均突起高さＨ／平均隣接突起間隔ｄ）が０．８〜２．５であることが好ましく、更に、０．８〜２．１であることが好ましい。
前記微小突起構造体を透明基材とは別の層として積層する場合、前記微小突起構造体は、樹脂を含有してなるものであることが好ましく、更に樹脂組成物の硬化物からなることが好ましい。前記微小突起構造体の形成に用いられる樹脂組成物は、少なくとも樹脂を含み、必要に応じて重合開始剤等その他の成分を含有する。
前記樹脂としては、特に限定されないが、例えば、アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、アクリレート系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等の熱可塑性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用することができる。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線（ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ、ＵＶ−Ｃ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線等が挙げられる。
前記樹脂としては、特に限定されないが、例えば、アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、アクリレート系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等の熱可塑性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用することができる。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線（ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ、ＵＶ−Ｃ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線等が挙げられる。
前記樹脂としては、中でも微細突起形状の成形性及び機械的強度に優れる点から電離放射線硬化性樹脂が好ましい。
本発明に用いられる電離放射線硬化性樹脂とは、分子中にラジカル重合性及び／又はカチオン重合性結合を有する単量体、低重合度の重合体、反応性重合体を適宜混合したものであり、後述する重合開始剤によって硬化されるものである。なお、非反応性重合体を含有してもよい。
本発明に用いられる電離放射線硬化性樹脂とは、分子中にラジカル重合性及び／又はカチオン重合性結合を有する単量体、低重合度の重合体、反応性重合体を適宜混合したものであり、後述する重合開始剤によって硬化されるものである。なお、非反応性重合体を含有してもよい。
前記樹脂組成物は、さらに必要に応じて、離型剤、光増感剤、酸化防止剤、重合禁止剤、架橋剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、粘度調整剤、密着性向上剤等を含有することもできる。
＜透明導電層＞
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記微小突起構造体上に、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層を有する。
そして、図８に、本発明の透明導電層の膜厚を説明する図を示す。本発明における透明導電層３は、前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面６に対して法線方向７の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面８から前記透明導電層表面９までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さ（Ｈ）の１／２（Ｈ／２）における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たす。
更に、本発明における透明導電層３は、図２に示すように、前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たすことを特徴とする。
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記微小突起構造体上に、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層を有する。
そして、図８に、本発明の透明導電層の膜厚を説明する図を示す。本発明における透明導電層３は、前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面６に対して法線方向７の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面８から前記透明導電層表面９までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さ（Ｈ）の１／２（Ｈ／２）における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たす。
更に、本発明における透明導電層３は、図２に示すように、前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たすことを特徴とする。
本発明における透明導電層３は、微小突起構造体に追随して形成するのではなく、膜厚を前記ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３とし、更に、前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが小さくなるように、すなわち、微小突起構造体の凹部に透明導電層を埋めるように形成する。これにより、透明導電フィルムの基材と透明導電層の界面での反射は確実に防止しながら、微小突起構造体に追随して形成する場合に比べて、安定量産性に優れている。更に、微小突起構造体上に形成する透明導電層を、微小突起構造体の凹部に透明導電層を埋めるように、また透明導電層表面は平均高低差が低くなるように形成することにより、透明導電層の膜厚を十分に確保可能であって導電性に優れるようになり、且つ、透明導電層と微小突起構造体との密着性が向上したものとなる。
ここで、前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びに、前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤは、本発明の透明導電フィルムを、微小突起構造体の頂部を含むように厚み方向に切断した垂直断面のＴＥＭ写真又はＳＥＭ写真を用いて観察することにより求めることができる。なお、微小突起間の谷底を連ねた包絡面に図７のように大きなうねりがある時など、微小突起上の透明導電層の膜厚が１つの突起の断面の左右で異なる時があるが、このような場合は、１つの突起に対して左右での膜厚の平均とする。
ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びにΔＤの測定を透明導電フィルムから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＴ３、及びΔＤを平均（算術平均）して、平均膜厚ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びに、平均高低差ΔＤを求める。
ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びにΔＤの測定を透明導電フィルムから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＴ３、及びΔＤを平均（算術平均）して、平均膜厚ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びに、平均高低差ΔＤを求める。
透明導電層３の表面抵抗は、用途に応じて、適宜選択されれば良く特に限定されないが、５００Ω/□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは２５０Ω/□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電フィルムを用いることができるからである。ここで、透明導電層３の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により求めたものである。
ここで、前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚は、要求される透明導電層３の表面抵抗に応じて適宜選択されれば良い。平均膜厚ＦＴ１と透明導電層表面の平均高低差ΔＤを適宜選択し、ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３なる関係を満たすようにする。
ここで、前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は、要求される透明導電層３の表面抵抗に応じて、０〜２０００ｎｍから適宜選択されることが好ましく、更に、０〜１０００ｎｍから選択されることが好ましい。
一方、透明導電層表面の平均高低差ΔＤは、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
を満たす。すなわち、本願の透明導電層表面は、上記微小突起構造体表面が有する凹凸構造は有していないことを表す。反射防止を図る光の波長帯域の最長波長Λｍａｘは、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最長波長λｍａｘ（通常７８０ｎｍ）に設定され、ΔＤは、λｍａｘ（７８０ｎｍ）×０．２＝１５６ｎｍ未満を指標にすることができる。
ここで、前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は、要求される透明導電層３の表面抵抗に応じて、０〜２０００ｎｍから適宜選択されることが好ましく、更に、０〜１０００ｎｍから選択されることが好ましい。
一方、透明導電層表面の平均高低差ΔＤは、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
を満たす。すなわち、本願の透明導電層表面は、上記微小突起構造体表面が有する凹凸構造は有していないことを表す。反射防止を図る光の波長帯域の最長波長Λｍａｘは、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最長波長λｍａｘ（通常７８０ｎｍ）に設定され、ΔＤは、λｍａｘ（７８０ｎｍ）×０．２＝１５６ｎｍ未満を指標にすることができる。
透明導電層は、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有するものであり、２種以上混合して用いられても良い。また、透明導電層は、これらの材料の積層構造を有していても良い。
ここでの導電性金属酸化物としては、透明酸化物半導体であることが好ましく、例えば、ＳｎＯ2、ＩｎＯ2、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明導電層３を構成する材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2：インジウム錫酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ：アルミドープ酸化亜鉛）、ＳＺＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＳｎＯ2（酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。これらの導電性金属酸化物としては、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。また、導電性金属酸化物は、導電性金属酸化物含有ナノ粒子として用いても良い。
ここでの導電性金属酸化物としては、透明酸化物半導体であることが好ましく、例えば、ＳｎＯ2、ＩｎＯ2、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明導電層３を構成する材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2：インジウム錫酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ：アルミドープ酸化亜鉛）、ＳＺＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＳｎＯ2（酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。これらの導電性金属酸化物としては、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。また、導電性金属酸化物は、導電性金属酸化物含有ナノ粒子として用いても良い。
また、導電性高分子としては、特に限定されず、ポリピロール、ポリインドール、ポリカルバゾール、ポリチオフェン（基本のポリチオフェンを含む、以下同様）系、ポリアニリン系、ポリアセチレン系、ポリフラン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリアズレン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンサルファイド系、ポリイソチアナフテン系、ポリチアジル等の鎖状導電性高分子や、ポリアセン系導電性高分子も利用することができる。中でも、導電性、透明性等の観点からポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン系が好ましい。
また、本発明においては、上記導電性高分子の導電性をより高めるために、ドーピング処理を施すことが好ましい。導電性高分子に対するドーパントとしては、例えば、炭素数が６〜３０の炭化水素基を有するスルホン酸（以下「長鎖スルホン酸」ともいう。）あるいはその重合体（例えば、ポリスチレンスルホン酸）、ハロゲン、ルイス酸、プロトン酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ＭＣｌＯ４（Ｍ＝Ｌｉ＋、Ｎａ＋）、Ｒ４Ｎ＋（Ｒ＝ＣＨ３、Ｃ４Ｈ９、Ｃ６Ｈ５）、又はＲ４Ｐ＋（Ｒ＝ＣＨ３、Ｃ４Ｈ９、Ｃ６Ｈ５）からなる群から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。なかでも、上記長鎖スルホン酸及びその重合体が好ましく、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリ（スチレンスルホン酸塩））が好適に用いられる。
長鎖スルホン酸としては、ジノニルナフタレンジスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。ハロゲンとしては、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、ＩＣｌ３、ＩＢｒ、ＩＦ５等が挙げられる。ルイス酸としては、ＰＦ５、ＡｓＦ５、ＳｂＦ５、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、ＳＯ３、ＧａＣｌ３等が挙げられる。
プロトン酸としては、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＢＦ４、ＨＣｌＯ４、ＦＳＯ３Ｈ、ＣｌＳＯ３Ｈ、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ等が挙げられる。
遷移金属ハロゲン化物としては、ＮｂＦ５、ＴａＦ５、ＭｏＦ５、ＷＦ５、ＲｕＦ５、ＢｉＦ５、ＴｉＣｌ４、ＺｒＣｌ４、ＭｏＣｌ５、ＭｏＣｌ３、ＷＣｌ５、ＦｅＣｌ３、ＴｅＣｌ４、ＳｎＣｌ４、ＳｅＣｌ４、ＦｅＢｒ３、ＳｎＩ５等が挙げられる。遷移金属化合物としては、ＡｇＣｌＯ４、ＡｇＢＦ４、Ｌａ（ＮＯ３）３、Ｓｍ（ＮＯ３）３等が挙げられる。アルカリ金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂａ等が挙げられる。
上記ドーパントは、導電性高分子１００質量部に対して、０．００１質量部以上含まれていることが好ましい。さらには、０．５質量部以上含まれていることがより好ましい。
プロトン酸としては、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＢＦ４、ＨＣｌＯ４、ＦＳＯ３Ｈ、ＣｌＳＯ３Ｈ、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ等が挙げられる。
遷移金属ハロゲン化物としては、ＮｂＦ５、ＴａＦ５、ＭｏＦ５、ＷＦ５、ＲｕＦ５、ＢｉＦ５、ＴｉＣｌ４、ＺｒＣｌ４、ＭｏＣｌ５、ＭｏＣｌ３、ＷＣｌ５、ＦｅＣｌ３、ＴｅＣｌ４、ＳｎＣｌ４、ＳｅＣｌ４、ＦｅＢｒ３、ＳｎＩ５等が挙げられる。遷移金属化合物としては、ＡｇＣｌＯ４、ＡｇＢＦ４、Ｌａ（ＮＯ３）３、Ｓｍ（ＮＯ３）３等が挙げられる。アルカリ金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂａ等が挙げられる。
上記ドーパントは、導電性高分子１００質量部に対して、０．００１質量部以上含まれていることが好ましい。さらには、０．５質量部以上含まれていることがより好ましい。
本発明の透明導電層に用いられる導電性金属ナノ粒子としては、導電性金属が含有されるナノ粒子であり、一部に導電性金属酸化物等の導電性金属化合物を含むナノ粒子であっても良い。
導電性金属としては、６族の遷移金属、７族の遷移金属、８族の遷移金属、９族の遷移金属、１０族（８Ａ族）の遷移金属、１１族（１Ｂ族）の遷移金属、１２族（２Ｂ）の遷移金属、１３族（３Ｂ）の典型金属、１４族（４Ｂ）の典型金属を使用するのが望ましく、より具体的には、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるものが挙げられる。前記導電性金属は単独または２種以上の金属を混合して使用することもでき、２種以上の金属の合金を使用することもできる。
導電性金属としては、６族の遷移金属、７族の遷移金属、８族の遷移金属、９族の遷移金属、１０族（８Ａ族）の遷移金属、１１族（１Ｂ族）の遷移金属、１２族（２Ｂ）の遷移金属、１３族（３Ｂ）の典型金属、１４族（４Ｂ）の典型金属を使用するのが望ましく、より具体的には、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるものが挙げられる。前記導電性金属は単独または２種以上の金属を混合して使用することもでき、２種以上の金属の合金を使用することもできる。
導電性金属ナノ粒子は、界面活性剤やバインダー成分等の有機化合物により分散されて用いられても良い。導電性金属ナノ粒子と導電性有機高分子を組み合わせて用いても良い。導電性金属ナノ粒子と有機化合物を組み合わせて用いる場合には、下層となる微小凹凸構造体との密着性も向上する。
前記導電性金属ナノ粒子の粒径は、特に限定されないが、透明性に優れる点から、平均粒径が１〜２０ｎｍであることが好ましく、１〜１０ｎｍであることが特に好ましい。なお、本発明において平均粒径とは、ＴＥＭ写真又はＳＥＭ写真から測定される算術平均粒径であり、例えば、５０〜２００万倍で撮影されたＴＥＭ写真又はＳＥＭ写真を用いて粒子の観察を行い、観察した粒子１００個の粒径の算術平均値をもって平均粒径とすることができる。また、本発明において、粒子の形状が、短径と長径を有する回転楕円体形状や棒状等、アスペクト比の概念を含む形状である場合、当該粒子の粒径は、短径と長径の平均値とする。
また、本発明の透明導電層に用いられる金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする線状構造体のことをいう。特に、本発明における金属ナノワイヤとは、原子スケールからｎｍサイズの直径を有する多数の線状構造体がメッシュ状に形成されたものを意味する。
本発明で用いられる金属ナノワイヤとしては、１つの金属ナノワイヤで長い導電パスを形成するために、平均長さが３μｍ以上であることが好ましく、さらには３〜５００μｍが好ましく、特に、３〜３００μｍであることが好ましい。併せて、長さの相対標準偏差は４０％以下であることが好ましい。また、平均直径は、透明性の観点からは小さいことが好ましく、一方で、導電性の観点からは大きい方が好ましい。本発明においては、金属ナノワイヤの平均直径として１０〜３００ｎｍが好ましく、３０〜２００ｎｍであることがより好ましい。併せて、直径の相対標準偏差は２０％以下であることが好ましい。
本発明に用いられる金属ナノワイヤの金属組成としては特に制限はなく、貴金属元素や卑金属元素の一種又は複数の金属から構成することができるが、貴金属（例えば、金、白金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム等）及び鉄、コバルト、銅、錫からなる群に属する少なくとも１種の金属を含むことが好ましく、導電性の観点から少なくとも銀を含むことがより好ましい。また、導電性と安定性（金属ナノワイヤの硫化や酸化耐性、及びマイグレーション耐性）を両立するために、銀と、銀を除く貴金属に属する少なくとも１種の金属を含むことも好ましい。本発明に係る金属ナノワイヤが２種類以上の金属元素を含む場合には、例えば、金属ナノワイヤの表面と内部で金属組成が異なっていてもよいし、金属ナノワイヤ全体が同一の金属組成を有していてもよい。
本発明において金属ナノワイヤの製造手段には特に制限はなく、例えば、液相法や気相法等の公知の手段を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。例えば、Ａｇナノワイヤの製造方法としては、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２００２，１４，８３３〜８３７；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２００２，１４，４７３６〜４７４５等、Ａｕナノワイヤの製造方法としては特開２００６−２３３２５２号公報等、Ｃｕナノワイヤの製造方法としては特開２００２−２６６００７号公報等、Ｃｏナノワイヤの製造方法としては特開２００４−１４９８７１号公報等を参考にすることができる。
また、金属ナノワイヤとしては、市販品を用いても良く、例えば、カンブリオス テクノロジーズから銀ナノワイヤを入手可能である。
また、金属ナノワイヤとしては、市販品を用いても良く、例えば、カンブリオス テクノロジーズから銀ナノワイヤを入手可能である。
透明導電層の形成方法としては、材料により適宜選択され、上記のような膜厚で透明導電層を形成可能な方法であれば特に限定されず、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、スリットコート法、ダイコート法、ドクターブレードコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法等の溶液塗布法が挙げられる。中でも、導電性金属酸化物を用いる場合には、気相法が好ましく、特にスパッタリング法が好ましい。一方、導電性高分子や導電性金属ナノ粒子や導電性金属ナノワイヤを用いる場合には、溶液塗布法が好ましい。
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記透明導電層が、パターニングされてなり、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域を有する態様が、透明導電層が例えば座標認識用の配線として機能する点から好適に用いられる。
透明導電層をパターニングする方法は、特に限定されず、例えば、フォトレジストを用いてドライエッチングを行う方法等が挙げられる。
透明導電層をパターニングする方法は、特に限定されず、例えば、フォトレジストを用いてドライエッチングを行う方法等が挙げられる。
透明導電層をパターニングする場合、前記透明導電層非形成領域においては、更に前記微小突起構造体が除去されてなることが、透明導電層のパターンを目立ちにくくする点から好ましい。透明導電層非形成領域に、前記微小突起構造体が形成されたままであると、透明導電層非形成領域と透明導電層形成領域との間の屈折率差がより大きくなるからである。透明導電層非形成領域において、更に前記微小突起構造体を除去する方法としても、ドライエッチングを行う方法等が挙げられる。
また、透明導電層をパターニングする場合、前記透明導電層非形成領域においては、前記透明導電層非形成領域が、前記微小突起構造体と屈折率差が０．１４以下の樹脂組成物の硬化物で充填されてなることも、透明導電層のパターンを目立ちにくくする点から好ましい。前記充填される樹脂組成物としては、前記微小突起構造体と同じ組成のものであることが、屈折率差を低減する点から、特に好ましい。
＜その他の層＞
本発明の反射防止性透明導電フィルムは、図１に示すように透明基材の一方の面にのみ微小突起構造体、及び透明導電層を有するものであっても良いし、透明基材のもう一方の面にも同様の層構成を有することにより、両面に透明導電層を有するものであっても良い。
また、本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微小突起構造体を有しない面に、その他の層を更に有していても良い。その他の層としては、例えば、従来公知の単層或いは多層構成の反射防止層、光拡散による防眩性（或いは反射防止）を付与する層、傷付き防止等の為に従来公知のハードコート層等が挙げられる。
また、本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいて、透明導電層側表面に、剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工又は施工を行い、適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることもできる。
本発明の反射防止性透明導電フィルムは、図１に示すように透明基材の一方の面にのみ微小突起構造体、及び透明導電層を有するものであっても良いし、透明基材のもう一方の面にも同様の層構成を有することにより、両面に透明導電層を有するものであっても良い。
また、本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微小突起構造体を有しない面に、その他の層を更に有していても良い。その他の層としては、例えば、従来公知の単層或いは多層構成の反射防止層、光拡散による防眩性（或いは反射防止）を付与する層、傷付き防止等の為に従来公知のハードコート層等が挙げられる。
また、本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいて、透明導電層側表面に、剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工又は施工を行い、適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることもできる。
＜反射防止性透明導電フィルムの製造方法＞
本発明の反射防止性透明導電フィルムの製造方法は、上述した本発明の透明導電フィルムを製造することができる方法であれば特に限定されないが、例えば、（ｉ）透明基材上に微小突起構造体を形成する工程、（ｉｉ）当該微小突起構造体上に透明導電層を形成する工程を含む製造方法が挙げられる。前記（ｉｉ）の工程における透明導電層の形成方法は、既に説明した通りであるので、ここでは省略する。
以下、前記（ｉ）の工程における微小突起構造体の形成方法について詳細に説明する。
本発明の反射防止性透明導電フィルムの製造方法は、上述した本発明の透明導電フィルムを製造することができる方法であれば特に限定されないが、例えば、（ｉ）透明基材上に微小突起構造体を形成する工程、（ｉｉ）当該微小突起構造体上に透明導電層を形成する工程を含む製造方法が挙げられる。前記（ｉｉ）の工程における透明導電層の形成方法は、既に説明した通りであるので、ここでは省略する。
以下、前記（ｉ）の工程における微小突起構造体の形成方法について詳細に説明する。
透明基材上に、微小突起構造体を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、まず透明基材上に、微小突起構造体形成用樹脂組成物を塗布し、微小突起構造体形成用原版の微細突起形状を、当該微小突起構造体形成用樹脂組成物に賦型した後、該樹脂組成物を硬化させることにより微小突起構造体を形成し、微小突起構造体及び透明基材からなる積層体を前記微小突起構造体形成用原版から剥離する方法等を挙げることができる。
微小突起構造体形成用原版の微細突起形状を微小突起構造体形成用樹脂組成物に賦型し、該樹脂組成物を硬化させる方法は、該樹脂組成物の種類等に応じて適宜選択することができる。
微小突起構造体形成用原版の微細突起形状を微小突起構造体形成用樹脂組成物に賦型し、該樹脂組成物を硬化させる方法は、該樹脂組成物の種類等に応じて適宜選択することができる。
前記微小突起構造体形成用原版としては、繰り返し使用した際に変形および摩耗するものでなければ、特に限定されるものではなく、金属製であっても良く、樹脂製であっても良いが、通常、金属製が好適に用いられる。耐変形性および耐摩耗性に優れているからである。
前記微小突起構造体形成用原版の微細突起形状を有する面は、特に限定されないが、酸化されやすく、陽極酸化による加工が容易である点から、アルミニウムからなることが好ましい。
前記微小突起構造体形成用原版は、具体的には、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム等の金属製の母材の表面に、直接に又は各種の中間層を介して、スパッタリング等により純度の高いアルミニウム層が設けられ、当該アルミニウム層に微細突起形状を形成したものが挙げられる。前記母材は、前記アルミニウム層を設ける前に、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化しても良い。
前記微小突起構造体形成用原版に微細突起形状を形成する方法としては、例えば、陽極酸化法によって前記アルミニウム層の表面に複数の微細孔を形成する陽極酸化工程と、前記アルミニウム層をエッチングすることにより前記微細孔の開口部にテーパー形状を形成する第１エッチング工程と、前記アルミニウム層を前記第１エッチング工程のエッチングレートよりも高いエッチングレートでエッチングすることにより前記微細孔の孔径を拡大する第２エッチング工程とを順次繰り返し実施することによって形成することができる。
微細な凹凸形状を形成する際には、アルミニウム層の純度(不純物量)や結晶粒径、陽極酸化処理及び／又はエッチング処理の諸条件を適宜調整することによって、所望の形状とすることができる。前記陽極酸化処理において、より具体的には、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細孔をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製することができる。
前記頂点を複数有する多峰性の微小突起形状も、陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しにより作製することができる。
このようにして、前記微小突起構造体形成用原版は、深さ方向に徐々に孔径が小さくなる多数の微細孔が密に作製される。当該微小突起構造体形成用原版を用いて製造される微小突起構造体には、前記微細孔に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる微小突起群を備えた微細突起が形成される。すなわち、微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する微小突起群を備えた微細突起形状が形成される。
前記微小突起構造体形成用原版の微細突起形状を有する面は、特に限定されないが、酸化されやすく、陽極酸化による加工が容易である点から、アルミニウムからなることが好ましい。
前記微小突起構造体形成用原版は、具体的には、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム等の金属製の母材の表面に、直接に又は各種の中間層を介して、スパッタリング等により純度の高いアルミニウム層が設けられ、当該アルミニウム層に微細突起形状を形成したものが挙げられる。前記母材は、前記アルミニウム層を設ける前に、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化しても良い。
前記微小突起構造体形成用原版に微細突起形状を形成する方法としては、例えば、陽極酸化法によって前記アルミニウム層の表面に複数の微細孔を形成する陽極酸化工程と、前記アルミニウム層をエッチングすることにより前記微細孔の開口部にテーパー形状を形成する第１エッチング工程と、前記アルミニウム層を前記第１エッチング工程のエッチングレートよりも高いエッチングレートでエッチングすることにより前記微細孔の孔径を拡大する第２エッチング工程とを順次繰り返し実施することによって形成することができる。
微細な凹凸形状を形成する際には、アルミニウム層の純度(不純物量)や結晶粒径、陽極酸化処理及び／又はエッチング処理の諸条件を適宜調整することによって、所望の形状とすることができる。前記陽極酸化処理において、より具体的には、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細孔をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製することができる。
前記頂点を複数有する多峰性の微小突起形状も、陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しにより作製することができる。
このようにして、前記微小突起構造体形成用原版は、深さ方向に徐々に孔径が小さくなる多数の微細孔が密に作製される。当該微小突起構造体形成用原版を用いて製造される微小突起構造体には、前記微細孔に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる微小突起群を備えた微細突起が形成される。すなわち、微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する微小突起群を備えた微細突起形状が形成される。
また、前記微小突起構造体形成用原版の形状は、所望の形状を賦型することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、平板状であっても良く、ロール状であっても良いが、生産性向上の観点からは、ロール状の金型（以下、「ロール金型」と称する場合がある。）が好ましい。
本発明において用いられるロール金型としては、例えば、母材として、円筒形状の金属材料を用い、当該母材の周側面に直接又は各種の中間層を介して設けられたアルミニウム層に、上述したように、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が形成されたものが挙げられる。
本発明において用いられるロール金型としては、例えば、母材として、円筒形状の金属材料を用い、当該母材の周側面に直接又は各種の中間層を介して設けられたアルミニウム層に、上述したように、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が形成されたものが挙げられる。
図７に、微小突起構造体形成用樹脂組成物として紫外線硬化性樹脂組成物を用い、微小突起構造体形成用原版としてロール金型を用いた場合に、透明基材上に微小突起構造体を形成する方法の一例を示す。
図７に示す方法では、樹脂供給工程において、ダイ１１により帯状フィルム形態の透明基材１に、未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂組成物を塗布し、微小突起形状の受容層２’を形成する。なお紫外線硬化性樹脂組成物の塗布については、ダイ１１による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いて、押圧ローラ１３により、微小突起構造体形成用原版であるロール金型１２の周側面に透明基材１を加圧押圧し、これにより透明基材１に受容層２’を密着させると共に、ロール金型１２の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に、受容層２’を構成する紫外線硬化性樹脂組成物を充分に充填する。この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させ、これにより透明基材１の表面に微小突起構造体２を作製する。続いて剥離ローラ１４を介してロール金型１２から、硬化した微小突起構造体２と一体に透明基材１を剥離する。必要に応じてこの透明基材１にハードコート層等の別層を形成した後、所望の大きさに切断して反射防止性透明導電フィルムを作製する。これにより反射防止性透明導電フィルムは、ロール材による長尺の透明基材１に、微小突起構造体形成用原版であるロール金型１２の周側面に作製された微細突起形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。
図７に示す方法では、樹脂供給工程において、ダイ１１により帯状フィルム形態の透明基材１に、未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂組成物を塗布し、微小突起形状の受容層２’を形成する。なお紫外線硬化性樹脂組成物の塗布については、ダイ１１による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いて、押圧ローラ１３により、微小突起構造体形成用原版であるロール金型１２の周側面に透明基材１を加圧押圧し、これにより透明基材１に受容層２’を密着させると共に、ロール金型１２の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に、受容層２’を構成する紫外線硬化性樹脂組成物を充分に充填する。この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させ、これにより透明基材１の表面に微小突起構造体２を作製する。続いて剥離ローラ１４を介してロール金型１２から、硬化した微小突起構造体２と一体に透明基材１を剥離する。必要に応じてこの透明基材１にハードコート層等の別層を形成した後、所望の大きさに切断して反射防止性透明導電フィルムを作製する。これにより反射防止性透明導電フィルムは、ロール材による長尺の透明基材１に、微小突起構造体形成用原版であるロール金型１２の周側面に作製された微細突起形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。
また上述の実施形態では、ロール金型を使用した賦型処理によりフィルム形状による反射防止性透明導電フィルムを生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止性透明導電フィルムの形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による微小突起構造体形成用原版を使用した枚葉の処理により反射防止性透明導電フィルムを作成する場合等、賦型処理に係る工程、微小突起構造体形成用原版は、反射防止性透明導電フィルムの形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。
ＩＩ．タッチパネル
本発明に係るタッチパネルは、２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする。
本発明に係るタッチパネルは、２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする。
本発明に係るタッチパネル３０は、図１０にその一例を示すように、２枚の電極フィルム１０が、スペーサを介して互いに電極を一定間隔Ｇで対向させて配置されている。該２枚の電極フィルムの少なくとも一方は、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムからなる。特に、図１０の形態においては、２枚の電極フィルムとも本発明の反射防止性透明導電フィルムからなる。
本発明のタッチパネルは、２つの電極フィルムのうち、少なくとも１つの電極フィルムが、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムであれば良く、その他の部分は、公知の各種方式のタッチパネルの各種構成を採用することができる。
本発明のタッチパネルは、２つの電極フィルムのうち、少なくとも１つの電極フィルムが、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムであれば良く、その他の部分は、公知の各種方式のタッチパネルの各種構成を採用することができる。
図１０の形態においては、２枚の電極フィルムは電極面が互いに対向するように配置されているが、２枚の電極フィルムの電極面が視聴者側から見て全て裏面になるように配置されても良いし、２枚の電極フィルムの電極面が視聴者側から見て全て表面になるように配置されても良い。更に、２枚の電極フィルムの電極面を、視聴者側から見て、１枚目の電極フィルムの電極面を表側、２枚目の電極フィルムの電極面を裏側となるように配置しても良い。
また、前述のように、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの前記透明導電層が、パターニングされてなり、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域を有する場合には、透明導電層が、例えば座標認識用の配線として機能し、静電容量式タッチパネルに好適に用いられる。
例えば、光拡散による防眩性或いは反射防止性を付与する層を、タッチパネル表面に設けた構成であっても良い。また、タッチパネル表面には、該反射防止層の有無に拘らず、傷付き防止等の為に従来公知のハードコート層を設けても良い。なお、反射防止層はハードコート層の上に設けるのが効果的である。
ＩＩＩ．画像表示装置
本発明に係る画像表示装置は、２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムであるタッチパネルを、画像表示面に備えたことを特徴とする。
本発明に係る画像表示装置は、２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムであるタッチパネルを、画像表示面に備えたことを特徴とする。
本発明の画像表示装置は、図１１に示すように、本発明に係るタッチパネル３０を、表示パネル４１の画像表示面に配置して成る構成の、画像表示装置である。タッチパネルは、表示パネル４１と接着層を介して貼り合わされても良いし、タッチパネル３０との間に空隙を空けて、ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイによる画像表示パネル４１が配置されても良い。タッチパネル３０が、画像表示面と対向する面に前記微小突起構造体を有する場合には、タッチパネル３０の裏側に間に空隙を空けて、ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイによる画像表示パネル４１が配置されることが好ましい。
なお、本発明の画像表示装置にあっては、単に表示機能のみを有する装置（例えば、ＬＣＤモニター、ＣＲＴモニター等）でも良いが、装置の機能の一部として表示機能を有する装置も該当する。例えば、後述する用途で述べる如く、ＰＤＡ乃至は携帯情報端末、カーナビゲーションシステム等である。
なお、本発明の画像表示装置にあっては、単に表示機能のみを有する装置（例えば、ＬＣＤモニター、ＣＲＴモニター等）でも良いが、装置の機能の一部として表示機能を有する装置も該当する。例えば、後述する用途で述べる如く、ＰＤＡ乃至は携帯情報端末、カーナビゲーションシステム等である。
本発明によるタッチパネルは、各種表示装置の表示部における入力手段（透明タブレットも含む）として使用され得る。この様な入力機能付きの表示装置は、例えば、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＥＬＤ（エレクトロルミネッセントディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、或いは、ＣＲＴ等を表示パネルに用いた装置である。なかでも、自己発光型では無い為に、相対的に外光による表示性能の低下が起きやすいＬＣＤは、本発明による効果がより大きく得られる点で好適である。なお、本発明における表示装置としては、文字盤上に指針を有する時計に代表される機械式のアナログメータ等の様な機械的手段で情報を表示するものも包含するものとする。
上記の様な入力機能付き表示装置を有する各種製品としては、例えば、電子手帳等のＰＤＡ乃至は携帯情報端末（機器）、或いは、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳ（販売時点情報管理）端末、携帯型オーダー入力端末、ＡＴＭ（現金自動預金支払兼用機）、ファクシミリ、固定電話端末、携帯電話端末、デシタルカメラ、ビデオカメラ、パソコン、パソコン用ディスプレイ、テレビジョン受像機、テレビ用モニターディスプレイ、券売機、計測機器、電卓、電子楽器等の電子機器、複写機、ＥＣＲ（金銭登録機）等の事務機器、或いは、洗濯機、電子レンジ等の電気製品がある。
（微小突起構造体形成用原版の作製）
純度９９．５０％の圧延されたアルミニウム板を、研磨後、０．０２Ｍシュウ酸水溶液の電解液中で、化成電圧４０Ｖ、２０℃の条件にて１２０秒間、陽極酸化を実施した。次に、第一エッチング処理として、陽極酸化後の電解液で６０秒間エッチング処理を行った。続いて、第二エッチング処理として、１．０Ｍリン酸水溶液で１５０秒間孔径処理を行った。さらに、上記処理を繰り返し、これらを合計５回追加実施した。これにより、アルミニウム基板上に微細な凹凸形状が形成された陽極酸化アルミニウム層が形成された。最後に、フッ素系離型剤を塗布し、余分な離型剤を洗浄することで、微小突起構造体形成用原版を得た。なお、アルミニウム層に形成された微細凹凸形状は、微小突起構造体の平均隣接突起間距離が１００ｎｍ、平均深さ２００ｎｍで、深さ方向に徐々に孔径が小さくなるような多数の微細孔が密に形成され、且つ、微小突起の一部が、頂点を複数有する微小突起となるような微細孔が存在する微細凹凸形状であった。
純度９９．５０％の圧延されたアルミニウム板を、研磨後、０．０２Ｍシュウ酸水溶液の電解液中で、化成電圧４０Ｖ、２０℃の条件にて１２０秒間、陽極酸化を実施した。次に、第一エッチング処理として、陽極酸化後の電解液で６０秒間エッチング処理を行った。続いて、第二エッチング処理として、１．０Ｍリン酸水溶液で１５０秒間孔径処理を行った。さらに、上記処理を繰り返し、これらを合計５回追加実施した。これにより、アルミニウム基板上に微細な凹凸形状が形成された陽極酸化アルミニウム層が形成された。最後に、フッ素系離型剤を塗布し、余分な離型剤を洗浄することで、微小突起構造体形成用原版を得た。なお、アルミニウム層に形成された微細凹凸形状は、微小突起構造体の平均隣接突起間距離が１００ｎｍ、平均深さ２００ｎｍで、深さ方向に徐々に孔径が小さくなるような多数の微細孔が密に形成され、且つ、微小突起の一部が、頂点を複数有する微小突起となるような微細孔が存在する微細凹凸形状であった。
（微小突起構造体形成用樹脂組成物の調製）
ジペンタエリスリトールへキサアクリレート（ＤＰＨＡ）２０重量部、アロニックスＭ−２６０（東亜合成社製）７０重量部、ヒドロキシエチルアクリレート１０重量部、及び光重合開始剤としてルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製）３重量部を混合し、紫外線硬化性の微小突起構造体形成用樹脂組成物を調製した。
ジペンタエリスリトールへキサアクリレート（ＤＰＨＡ）２０重量部、アロニックスＭ−２６０（東亜合成社製）７０重量部、ヒドロキシエチルアクリレート１０重量部、及び光重合開始剤としてルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製）３重量部を混合し、紫外線硬化性の微小突起構造体形成用樹脂組成物を調製した。
（実施例１）
１．微小突起構造体の形成
前記微小突起構造体形成用樹脂組成物を、前記微小突起構造体形成用原版の微細突起面が覆われ、硬化後の微小突起構造体の厚さが２０μｍとなるように塗布、充填し、その上に透明基材として厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（富士フィルム社製）を斜めから貼り合わせた後、貼り合わせられた貼合体をゴムローラーで１０Ｎ／ｃｍ２の加重で圧着した。金型全体に均一な組成物が塗布されたことを確認し、フィルム側から２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで紫外線を照射して樹脂組成物を硬化させた。その後、金型より剥離し透明基材と平均隣接突起間隔が１００ｎｍ、平均突起高さ２００ｎｍで、且つ、微小突起の一部が頂点を複数有する微小突起である、微小突起構造体との積層体を得た。
１．微小突起構造体の形成
前記微小突起構造体形成用樹脂組成物を、前記微小突起構造体形成用原版の微細突起面が覆われ、硬化後の微小突起構造体の厚さが２０μｍとなるように塗布、充填し、その上に透明基材として厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（富士フィルム社製）を斜めから貼り合わせた後、貼り合わせられた貼合体をゴムローラーで１０Ｎ／ｃｍ２の加重で圧着した。金型全体に均一な組成物が塗布されたことを確認し、フィルム側から２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで紫外線を照射して樹脂組成物を硬化させた。その後、金型より剥離し透明基材と平均隣接突起間隔が１００ｎｍ、平均突起高さ２００ｎｍで、且つ、微小突起の一部が頂点を複数有する微小突起である、微小突起構造体との積層体を得た。
２．透明導電層の形成
得られた積層体の微小突起構造体の微細突起面上に、スパッタ装置（ＳＭＤ-７５０；アルバック社製）を用い、１５０℃でＩＴＯをスパッタリングし、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成することにより、実施例１の反射防止性透明導電フィルムを得た。前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は１０ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は１１０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は２１０ｎｍであった。
なお、上記ΔＤ、ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３は、それぞれ、微小突起構造体の頂部を含むように厚み方向に切断した垂直断面のＴＥＭ写真を用いて観察することにより求めた。ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びにΔＤの測定を透明導電フィルムから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＴ３、及びΔＤを平均（算術平均）して、平均膜厚ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びに、平均高低差ΔＤを求めた。
得られた積層体の微小突起構造体の微細突起面上に、スパッタ装置（ＳＭＤ-７５０；アルバック社製）を用い、１５０℃でＩＴＯをスパッタリングし、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成することにより、実施例１の反射防止性透明導電フィルムを得た。前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は１０ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は１１０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は２１０ｎｍであった。
なお、上記ΔＤ、ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３は、それぞれ、微小突起構造体の頂部を含むように厚み方向に切断した垂直断面のＴＥＭ写真を用いて観察することにより求めた。ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びにΔＤの測定を透明導電フィルムから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＴ３、及びΔＤを平均（算術平均）して、平均膜厚ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＴ３、並びに、平均高低差ΔＤを求めた。
（実施例２）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は９ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は９０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１５９ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は９ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は９０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１５９ｎｍであった。
（実施例３〜６）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが表１に記載の値となり、且つＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３が満たされるように、それぞれＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例３〜６の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが表１に記載の値となり、且つＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３が満たされるように、それぞれＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例３〜６の反射防止性透明導電フィルムを得た。
（比較例１）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１６０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の反射防止性透明導電フィルムを得た。
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３は満たされていたが、ΔＤが、可視光の最長波長７８０ｎｍ×０．２の値を超えているものである。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１６０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の反射防止性透明導電フィルムを得た。
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３は満たされていたが、ΔＤが、可視光の最長波長７８０ｎｍ×０．２の値を超えているものである。
（比較例２）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１８０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例２の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は２ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は３ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は２２ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１８０ｎｍのＩＴＯの連続層からなる透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例２の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は２ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は３ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は２２ｎｍであった。
（実施例７）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍとなるように、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液（商品名クレビオス、ヘレウス社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）により透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例７の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は２ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は１０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１５２ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍとなるように、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液（商品名クレビオス、ヘレウス社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）により透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例７の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は２ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は１０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１５２ｎｍであった。
（実施例８）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１２５ｎｍとなるように、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液（商品名クレビオス、ヘレウス社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例８の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は０ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は５ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は７５ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１２５ｎｍとなるように、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液（商品名クレビオス、ヘレウス社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例８の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は０ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は５ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は７５ｎｍであった。
（実施例９）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍとなるように、ポリアニリン分散液（商品名オルメコン、日産化学社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）で透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例９の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は１０ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は２０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１６０ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍとなるように、ポリアニリン分散液（商品名オルメコン、日産化学社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）で透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例９の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は１０ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は２０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１６０ｎｍであった。
（実施例１０）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１２５ｎｍとなるように、ポリアニリン分散液（商品名オルメコン、日産化学社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）により透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例１０の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は５ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は１５ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は８０ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが１２５ｎｍとなるように、ポリアニリン分散液（商品名オルメコン、日産化学社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）により透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例１０の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は５ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は１５ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は８０ｎｍであった。
（実施例１１）
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍとなるように、銀ナノ粒子インク（商品名ナノメタルインキＬ-Ａｇシリーズ、アルバック株式会社社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例１１の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は２ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は２０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１５２ｎｍであった。
実施例１において、透明導電層として、透明導電層表面の平均高低差ΔＤが５０ｎｍとなるように、銀ナノ粒子インク（商品名ナノメタルインキＬ-Ａｇシリーズ、アルバック株式会社社）を用いて、グラビア印刷法（グラビア版：セル形状 １８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ、版深 ５０μｍ）透明導電層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例１１の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ１は２ｎｍ、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚ＦＴ２は２０ｎｍ、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３は１５２ｎｍであった。
（実施例１２）
実施例１と同様にして、反射防止性透明導電フィルムを得た。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、透明導電層のパターニングを行った。透明導電層のプラズマエッチングは、ドライエッチャー（商品名ＤＥＡ−５０６Ｔ、キャノンアネルバエンジニアリング（株）製）を用いて、以下のプラズマエッチング条件（酸素プラズマ、出力：５０Ｗ、ガス量：５０ｓｃｃｍ、ガス圧：５０ｍＴｏｒｒ、照射時間５分）により行った。プラズマエッチングにより、透明導電層非形成領域を設け、更に、当該非形成領域に存在する微小突起構造体も除去し、実施例１２の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例１２の反射防止性透明導電フィルムをタッチパネルに用いた場合に、透明導電層のパターンが目立ちにくいことが確認された。
実施例１と同様にして、反射防止性透明導電フィルムを得た。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、透明導電層のパターニングを行った。透明導電層のプラズマエッチングは、ドライエッチャー（商品名ＤＥＡ−５０６Ｔ、キャノンアネルバエンジニアリング（株）製）を用いて、以下のプラズマエッチング条件（酸素プラズマ、出力：５０Ｗ、ガス量：５０ｓｃｃｍ、ガス圧：５０ｍＴｏｒｒ、照射時間５分）により行った。プラズマエッチングにより、透明導電層非形成領域を設け、更に、当該非形成領域に存在する微小突起構造体も除去し、実施例１２の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例１２の反射防止性透明導電フィルムをタッチパネルに用いた場合に、透明導電層のパターンが目立ちにくいことが確認された。
（実施例１３）
実施例１と同様にして、反射防止性透明導電フィルムを得た。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、透明導電層のパターニングを行った。透明導電層のプラズマエッチングは、ドライエッチャー（商品名ＤＥＡ−５０６Ｔ、キャノンアネルバエンジニアリング（株）製）を用いて、以下のプラズマエッチング条件（酸素プラズマ、出力：５０Ｗ、ガス量：５０ｓｃｃｍ、ガス圧：５０ｍＴｏｒｒ、照射時間５分）により行い、透明導電層非形成領域を設けた。次に、当該透明導電層非形成領域に、前述の微小突起構造体形成用樹脂組成物をグラビア印刷法でｗｅｔ膜厚が１０μｍとなるように塗布し、表面をブラスチックドクターでドクタリングし、当該透明導電層非形成領域に、前述の微小突起構造体形成用樹脂組成物を充填した。その後、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで紫外線を照射して樹脂組成物を硬化させ、実施例１３の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例１３の反射防止性透明導電フィルムをタッチパネルに用いた場合に、透明導電層のパターンが目立ちにくいことが確認された。
実施例１と同様にして、反射防止性透明導電フィルムを得た。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、透明導電層のパターニングを行った。透明導電層のプラズマエッチングは、ドライエッチャー（商品名ＤＥＡ−５０６Ｔ、キャノンアネルバエンジニアリング（株）製）を用いて、以下のプラズマエッチング条件（酸素プラズマ、出力：５０Ｗ、ガス量：５０ｓｃｃｍ、ガス圧：５０ｍＴｏｒｒ、照射時間５分）により行い、透明導電層非形成領域を設けた。次に、当該透明導電層非形成領域に、前述の微小突起構造体形成用樹脂組成物をグラビア印刷法でｗｅｔ膜厚が１０μｍとなるように塗布し、表面をブラスチックドクターでドクタリングし、当該透明導電層非形成領域に、前述の微小突起構造体形成用樹脂組成物を充填した。その後、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで紫外線を照射して樹脂組成物を硬化させ、実施例１３の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例１３の反射防止性透明導電フィルムをタッチパネルに用いた場合に、透明導電層のパターンが目立ちにくいことが確認された。
（評価）
各実施例及び各比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムについて、下記の評価を行った。評価結果をそれぞれ表１に示す。
各実施例及び各比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムについて、下記の評価を行った。評価結果をそれぞれ表１に示す。
＜導電率＞
各実施例及び比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムの表面抵抗を、４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により測定した。タッチパネル配線に必要とされる表面抵抗５００Ω／□以下である場合に、ＯＫ判定とした。
ＯＫ：５００Ω／□以下
ＮＧ：５００Ω／□超過
各実施例及び比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムの表面抵抗を、４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により測定した。タッチパネル配線に必要とされる表面抵抗５００Ω／□以下である場合に、ＯＫ判定とした。
ＯＫ：５００Ω／□以下
ＮＧ：５００Ω／□超過
＜密着性＞
各実施例及び比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムについて、クロスカット法（ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６）において、分類０〜２をＯＫ判定とした。
ＯＫ：分類０〜２
ＮＧ：分類３〜５
各実施例及び比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムについて、クロスカット法（ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６）において、分類０〜２をＯＫ判定とした。
ＯＫ：分類０〜２
ＮＧ：分類３〜５
＜反射率＞
黒アクリル板（日東樹脂工業製、製品名ＣＬＡＲＥＸ）に粘着剤（パナック製、製品名パナクリーンＰＤＲ５）を介して、各実施例及び各比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムの透明基材側を貼合し、分光器（島津製作所製、分光光度計ＵＶ−３１００ＰＣ）にて５°正反射率を測定した。
黒アクリル板（日東樹脂工業製、製品名ＣＬＡＲＥＸ）に粘着剤（パナック製、製品名パナクリーンＰＤＲ５）を介して、各実施例及び各比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムの透明基材側を貼合し、分光器（島津製作所製、分光光度計ＵＶ−３１００ＰＣ）にて５°正反射率を測定した。
（結果のまとめ）
実施例１〜１１で得られた本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微小突起構造体上に、本発明で特定した膜厚の透明導電層を有するため、製造し易く、量産安定性に優れ、導電性及び密着性に優れていた。また、実施例１〜１１で得られた本発明の反射防止性透明導電フィルムは、５％反射率についても、微小突起構造体がない場合の１５％程度に比べて低減され、反射防止性能が向上することが明らかにされた。
一方、比較例１〜２は、透明導電層の表面においても反射防止効果を持ち得るような凹凸形状で形成されたものであるため、反射率は低いが、透明導電層の膜厚が薄くなるため、導電性が不十分となり易く、また、透明導電層の密着性が悪かった。更に、比較例１〜２は、製造条件上突起形状に依存した膜厚のばらつきが大きくなり、量産安定性に劣っていた。
実施例１〜１１で得られた本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微小突起構造体上に、本発明で特定した膜厚の透明導電層を有するため、製造し易く、量産安定性に優れ、導電性及び密着性に優れていた。また、実施例１〜１１で得られた本発明の反射防止性透明導電フィルムは、５％反射率についても、微小突起構造体がない場合の１５％程度に比べて低減され、反射防止性能が向上することが明らかにされた。
一方、比較例１〜２は、透明導電層の表面においても反射防止効果を持ち得るような凹凸形状で形成されたものであるため、反射率は低いが、透明導電層の膜厚が薄くなるため、導電性が不十分となり易く、また、透明導電層の密着性が悪かった。更に、比較例１〜２は、製造条件上突起形状に依存した膜厚のばらつきが大きくなり、量産安定性に劣っていた。
１ 透明基材
２ 微小突起構造体
３ 透明導電層
１０ 反射防止性透明導電フィルム
１１ ダイ
１２ ロール金型
１３ 押圧ローラ
１４ 剥離ローラ
３０ タッチパネル
４０ 画像表示装置
４１ 表示パネル
２ 微小突起構造体
３ 透明導電層
１０ 反射防止性透明導電フィルム
１１ ダイ
１２ ロール金型
１３ 押圧ローラ
１４ 剥離ローラ
３０ タッチパネル
４０ 画像表示装置
４１ 表示パネル
Claims (7)
- 透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルム。 - 前記微小突起の少なくとも一部が、頂点を複数有する微小突起である、請求項１に記載の反射防止性透明導電フィルム。
- 前記透明導電層が、パターニングされてなり、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域を有する、請求項１又は２に記載の反射防止性透明導電フィルム。
- 前記透明導電層非形成領域において、更に前記微小突起構造体が除去されてなる、請求項３に記載の反射防止性透明導電フィルム。
- 前記透明導電層非形成領域が、前記微小突起構造体と屈折率差が０．１４以下の樹脂組成物の硬化物で充填されてなる、請求項３に記載の反射防止性透明導電フィルム。
- ２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする、タッチパネル。 - ２つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも１つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、微小突起が密接して配置された微小突起構造体と、導電性金属酸化物、導電性有機高分子、導電性金属ナノ粒子及び導電性金属ナノワイヤよりなる群から選択される少なくとも一種を含有する透明導電層とをこの順で有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛｍｉｎ、当該微小突起の隣接突起間隔ｄの最大値をｄｍａｘとしたときに、
ｄｍａｘ≦Λｍｉｎ
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有し、
前記透明導電層の膜厚を、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面に対して法線方向の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面から前記透明導電層表面までの距離とし、
前記微小突起の頂部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ１、前記微小突起の高さの１／２における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ２、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をＦＴ３としたときに、
ＦＴ１＜ＦＴ２＜ＦＴ３
なる関係を満たし、
前記透明導電層表面の平均高低差ΔＤが、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛｍａｘとしたときに、
ΔＤ＜Λｍａｘ×０．２
なる関係を満たす、反射防止性透明導電フィルムであるタッチパネルを、画像表示面に備えた、画像表示装置。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015136733A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | シャープ株式会社 | 光学素子及び表示装置 |
| WO2016103510A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本テクノリード株式会社 | 透明基板上にパターニングされた導電性高分子層を有する積層基板の製造方法及びメタルメッシュ基板の製造方法 |
| WO2016188083A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof |
| JP2017062456A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 三菱レイヨン株式会社 | 微細凹凸構造体および接合体 |
| KR101907581B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-12 | 울산과학기술원 | 초박막 건식 접착 반사 방지 투명전극의 제조방법 |
| KR20190121014A (ko) * | 2018-04-17 | 2019-10-25 | 울산과학기술원 | 자가 부착 투명 전극 및 이의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011230431A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sony Corp | 透明導電性素子、情報入力装置、および表示装置 |
| JP2011232682A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Sony Corp | 配線構造体、およびその製造方法 |
| JP2012037670A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム製造用金型の製造方法 |
| JP2012128168A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
-
2012
- 2012-10-30 JP JP2012239005A patent/JP2014089308A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011230431A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sony Corp | 透明導電性素子、情報入力装置、および表示装置 |
| JP2011232682A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Sony Corp | 配線構造体、およびその製造方法 |
| JP2012037670A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム製造用金型の製造方法 |
| JP2012128168A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015136733A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | シャープ株式会社 | 光学素子及び表示装置 |
| US10585213B2 (en) | 2014-03-14 | 2020-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical element and display device |
| WO2016103510A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本テクノリード株式会社 | 透明基板上にパターニングされた導電性高分子層を有する積層基板の製造方法及びメタルメッシュ基板の製造方法 |
| CN107210097A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-09-26 | 日本科技先进有限公司 | 在透明基板上具有图案化的导电性高分子层的层叠基板的制造方法以及金属网基板的制造方法 |
| WO2016188083A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof |
| US10126848B2 (en) | 2015-05-22 | 2018-11-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof |
| JP2017062456A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 三菱レイヨン株式会社 | 微細凹凸構造体および接合体 |
| JP2020187366A (ja) * | 2015-09-24 | 2020-11-19 | 三菱ケミカル株式会社 | 微細凹凸構造体および接合体 |
| JP2021193447A (ja) * | 2015-09-24 | 2021-12-23 | 三菱ケミカル株式会社 | 微細凹凸構造体および接合体 |
| KR101907581B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-12 | 울산과학기술원 | 초박막 건식 접착 반사 방지 투명전극의 제조방법 |
| KR20190121014A (ko) * | 2018-04-17 | 2019-10-25 | 울산과학기술원 | 자가 부착 투명 전극 및 이의 제조방법 |
| KR102083184B1 (ko) * | 2018-04-17 | 2020-03-02 | 울산과학기술원 | 자가 부착 투명 전극 및 이의 제조방법 |
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