JP2014072445A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第１接着剤層を切断し、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置の製造工程において、台座上に半導体ウェハを仮固定した後、半導体ウェハに対してバックグラインドなどの所定の処理を行い、その後、半導体ウェハから台座を分離するといった工程が行なわれることがある。このような工程では、半導体ウェハから台座を容易に分離できることが重要である。

台座上に半導体ウェハを仮固定する方法として、液状の接着剤を使用することが知られている。液状の接着剤はスピンコートにより半導体ウェハ又は台座に塗布される。

特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。

また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合する方法が開示されている。

特表２０１１−５１０５１８号公報 特表２０１０−５３１３８５号公報

特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、スピンコート等により塗布されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１０μｍ以上の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が粗くなり、凹凸追従性が悪く、所望の接着力が得られず、半導体ウェハを台座に充分に固定できない場合がある。

また、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半が無駄になるといった問題がある。また、材料が接着用の粘度の高いものであるため、スピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要する。

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

第１の本発明は、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第２の層に達するまで前記第１接着剤層に切り込みを入れ、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。

第１の本発明では、まず、接着シートを準備する。前記接着シートはシート状であるため、スピンコートにより接着剤層を形成する場合に比べ、表面を均一に形成できる。さらに、スピンコートのように材料を無駄にすることがない。また、シート状であるため簡便に使用できる。

接着シートの周辺部は、前記第１接着剤層により形成されている。第２の層と比較して接着力の高い第１接着剤層が周辺部に存在するため、この部分において半導体ウェハを台座に強固に固定できる。
また、周辺部よりも内側の中央部が第１接着剤層と第２の層との積層により形成されている。第１接着剤層のみが表出している面では、半導体ウェハ又は台座を強固に固定できる。また、第２の層が台座と接する場合、接着シートを台座から剥離し易く、糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

分離工程においては、第１接着剤層を切断する。これにより、第１接着剤層の連続性を破壊でき、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。また、接着シートはその周辺部に第１接着剤層が形成されているため、第１接着剤層を切断し易い。

第１の本発明において、第１接着剤層の接着力、及び第２の層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。なお、第１接着剤層が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。第２の層が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。

第２の本発明は、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第２の層に達するまで前記第１接着剤層に切り込みを入れ、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。

第２の本発明では、まず、接着シートを準備する。前記接着シートはシート状であるため、スピンコートにより接着剤層を形成する場合に比べ、表面を均一に形成できる。さらに、スピンコートのように材料を無駄にすることがない。また、シート状であるため簡便に使用できる。

接着シートの周辺部は、前記第１接着剤層により形成されている。第２の層と比較して接着力の高い第１接着剤層が周辺部に存在するため、この部分において半導体ウェハを台座に強固に固定できる。
また、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている。第２の層が台座と接するため、接着シートを剥離し易く、糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

分離工程においては、第１接着剤層を切断する。これにより、第１接着剤層の連続性を破壊でき、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。また、接着シートはその周辺部に第１接着剤層が形成されているため、第１接着剤層に切り込みを入れ易い。

第２の本発明において、第１接着剤層の接着力、及び第２の層の接着力の定義は、第１の本発明の場合と同様である。

第３の本発明は、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とが積層されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第１接着剤層と前記第２の層との境界に切り込みを入れて、前記第１接着剤層と前記第２の層を分離する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。

第３の本発明では、まず、接着シートを準備する。前記接着シートはシート状であるため、スピンコートにより接着剤層を形成する場合に比べ、表面を均一に形成できる。さらに、スピンコートのように材料を無駄にすることがない。また、シート状であるため簡便に使用できる。

前記接着シートは、第１接着剤層と、接着力が第１接着剤層より低い第２の層との積層体である。固定工程では、これを用いて半導体ウェハを台座に固定する。第１接着剤層を有する接着シートを用いるため半導体ウェハを台座に良好に固定できる。

分離工程では、第１接着剤層と、接着力が第１接着剤層より低い第２の層との境界に切り込みを入れる。第２の層の接着力が第１接着剤層より低いため、切り込み部分を起点として第１接着剤層と第２の層を容易に分離できる。

第３の本発明において、第１接着剤層の接着力、及び第２の層の接着力の定義は、第１の本発明の場合と同様である。

前記接着シートを用いて前記半導体ウェハを前記台座に固定する工程は、前記半導体ウェハを前記第１接着剤層に貼り付け、前記台座を前記第２の層に貼り付けることにより、前記半導体ウェハを前記台座に固定する工程であることが好ましい。

第１接着剤層は、接着力が第２の層より高く、半導体ウェハ表面などの凹凸追従性に優れる。前記構成によれば、第１接着剤層が半導体ウェハ表面の凹凸に追従できるため、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。一方、接着力が第１接着剤層より低い第２の層が台座と接するため、接着シートを台座から剥離し易い。また、台座の糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

第４の本発明は、接着シート（ａ）に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）と、接着シート（ｂ）に台座を貼り付ける工程（Ｂ）と、前記工程（Ａ）により得られた接着シート（ａ）付き半導体ウェハの前記接着シート（ａ）、及び前記工程（Ｂ）により得られた接着シート（ｂ）付き台座の前記接着シート（ｂ）を貼り合わせ、前記台座、前記接着シート（ｂ）、前記接着シート（ａ）及び前記半導体ウェハが順に積層された積層体を得る工程（Ｃ）と、前記積層体における前記接着シート（ａ）と前記接着シート（ｂ）との境界に切り込みを入れて、前記接着シート（ａ）と前記接着シート（ｂ）を分離する工程（Ｄ）とを含み、前記接着シート（ａ）及び（ｂ）の一方の接着力が、他方より低い半導体装置の製造方法に関する。

シート状の接着シート（ａ）及び（ｂ）を使用するため、スピンコートのように材料を無駄にすることがない。

積層体を得る工程では、接着力の低い接着シートだけを使用するのではなく、相対的に接着力が高い接着シートを併用するため、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。

分離工程では、積層体における接着シート（ａ）と接着シート（ｂ）との境界に切り込みを入れる。接着シート（ａ）及び（ｂ）の一方の接着力が、他方より低いため、切り込み部分を起点として接着シート（ａ）と（ｂ）を容易に分離できる。

第４の本発明において、接着シート（ａ）の接着力、及び接着シート（ｂ）の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。なお、接着シート（ａ）が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。接着シート（ｂ）が、イミド化や熱硬化等を行なうことにより接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。

前記接着シート（ｂ）の接着力が前記接着シート（ａ）より低いことが好ましい。

前記構成によれば、接着シート（ａ）は、接着力が接着シート（ｂ）より高く、半導体ウェハ表面などの凹凸追従性に優れる。接着シート（ａ）が半導体ウェハ表面の凹凸に追従できるため、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。一方、接着力が接着シート（ａ）より低い接着シート（ｂ）が台座と接するため、接着シート（ｂ）を台座から剥離し易い。また、台座の糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

第５の本発明は、仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ｉ）と、
前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（ＩＩ）と、前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い仮止め用接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（ＩＩＩ）と、前記工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の後、前記仮止め用シートに切り込みを入れて前記仮止め用シートから前記台座を分離する工程（ＩＶ）とを含む半導体装置の製造方法に関する。

仮止め用シートはシート状であり、スピンコートにより接着剤層を形成する場合に比べ、表面を均一に形成できる。このため、仮止め用シートは半導体ウェハと良好に接着できる。また、仮止めシートよりも接着力が高い仮止め用接着剤層を用いるため、仮止め用シートを台座に強固に固定できる。したがって、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。

工程（ＩＶ）においては、仮止め用シートに切り込みを入れる。これにより、仮止め用シートの連続性を破壊でき、仮止め用シートから台座を容易に分離できる。また、仮止め用接着剤層を仮止め用シートと台座のベベル部との間に形成するため、仮止め用シートに切り込みを入れ易い。

第５の本発明において、仮止め用シートの接着力、及び仮止め用接着剤層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。なお、仮止め用シートが、イミド化や熱硬化等を行ない接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。仮止め用接着剤層が、イミド化や熱硬化等を行ない接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。

本発明によれば、半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。

第１の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。 第１の本発明で使用できる接着シートの平面図である。 第１の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。 第１の本発明において、半導体ウェハを台座に固定した様子を示す模式図である。 第１の本発明において、第１接着剤層を切断した様子を示す模式図である。 第２の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。 第２の本発明で使用できる接着シートの平面図である。 第２の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。 第２の本発明において、第１接着剤層を切断した様子を示す模式図である。 第３の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。 第３の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。 第３の本発明において、接着シートに半導体ウェハを貼り付けた様子を示す模式図である。 第３の本発明において、半導体ウェハを台座に固定した様子を示す模式図である。 第３の本発明において、第１接着剤層と第２の層との境界に切り込みを入れた様子を示す模式図である。 第４の本発明で使用できる接着シート（ａ）の断面模式図である。 接着シート（ａ）に半導体ウェハを貼り付けた様子を示す模式図である。 第４の本発明で使用できる接着シート（ｂ）の断面模式図である。 接着シート（ｂ）に台座を貼り付けた様子を示す模式図である。 接着シート（ａ）及び（ｂ）を用いて半導体ウェハを台座に固定した様子を示す模式図である。 接着シート（ａ）と接着シート（ｂ）との境界に切り込みを入れた様子を示す模式図である。 仮止め用シートの断面図である。 仮止め用シートに半導体ウェハを貼り付けた様子を示す図である。 仮止め用シートと台座のベベル部との間に、仮止め用接着剤層を形成した様子を示す図である。 （ａ）は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、仮止め用接着剤層を形成した様子を示す図である。（ｂ）は、台座のベベル部周辺の拡大図である。 （ａ）は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、仮止め用接着剤層を形成した様子を示す図である。（ｂ）は、半導体ウェハのベベル部周辺の拡大図である。 仮止め用シートに切り込みを入れた様子を示す図である。 凹部を有する仮止め用シートの断面図である。

［第１の本発明］
第１の本発明の半導体装置の製造方法は、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第２の層に達するまで前記第１接着剤層に切り込みを入れ、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含む。

まず、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する。

図１は、第１の本発明で使用できる接着シート５の断面模式図である。図１に示すように、接着シート５は、周辺部５４が第１接着剤層５０により形成されるとともに、周辺部５４よりも内側の中央部５３が、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている。すなわち、接着シート５は、第２の層５１と、第２の層５１上に第２の層５１の上面及び側面を覆う態様で積層された第１接着剤層５０とを有する。第２の層５１の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低い。

接着シート５の周辺部５４は、前記第１接着剤層５０により形成されている。第２の層５１と比較して接着力の高い第１接着剤層５０が周辺部５４に存在するため、この部分において半導体ウェハを台座に強固に固定できる。
周辺部５４よりも内側の中央部５３が第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている。第１接着剤層５０のみが表出している面では、半導体ウェハ又は台座を強固に固定できる。また、第２の層５１が台座と接する場合、接着シートを台座から剥離し易く、糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

接着シート５の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、半導体ウェハデバイス表面の凹凸を追従でき、隙間なく接着シートを充填できる。また、接着シート５の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。

中央部５３における第１接着剤層５０の厚さは適宜設定できるが、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上である。また、該厚さは、好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは２００μｍ以下である。
また、中央部５３における第２の層５１の厚さは適宜設定できる。

第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的に弾性率が低いため、形成時に表面にうねりが生じやすい。このような観点からは、第１接着剤剤層を薄くし、第２の層を厚くすることが好ましい。一方、第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的にガラス転移温度が高いため、形成時の収縮が大きい。このような観点からは、第１接着剤剤層を厚くし、第２の層を薄くすることが好ましい。

図２は、第１の本発明で使用できる接着シート５の平面図である。図２に示すように、接着シート５は、平面視したときの形状が円形である。
接着シート５の直径は特に限定されない。例えば、接着シート５の直径は、台座の直径に対して＋１．０〜−１．０ｍｍが好ましい。

また、接着シート５を平面視したとき、第２の層５１の形状が円形である。接着シート５を平面視したときの第２の層５１の面積は、接着シート５を平面視したときの接着シート５の面積に対して、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは５０％以上である。１０％以上であると、周辺部５４に形成された第１接着剤層５０の接着力を低下させ易く、半導体ウェハから台座を分離し易い。また、第２の層５１の面積は、好ましくは９９．９５％以下、より好ましくは９９．９％以下である。９９．９５％以下であると、半導体ウェハを台座に強固に固定できる。

第２の層５１の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低ければ、特に制限されない。第２の層５１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、第２の層５１を容易に剥離できる。該９０°ピール剥離力の下限は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上である。該９０°ピール剥離力は低いほど第２の層５１を剥離し易い。

第１接着剤層５０の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に保持でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。

第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物としては、第１接着剤層５０の接着力が、第２の層５１の接着力よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。

第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂を好適に使用できる。また、シリコーン樹脂も好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。

前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。

前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。例えば、グリコール骨格を有するジアミンなどが挙げられる。

前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。

前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する第１接着剤層５０、６０をえやすい。

前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。

前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。

芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。

前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。

前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。

第１接着剤層５０を構成する接着剤組成物は、他の添加剤を含有していてもよい。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。

第２の層５１を構成する材料としては、第２の層５１の接着力が、第１接着剤層５０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。第２の層５１を構成する材料としては、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の無機材料を挙げることができる。また、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂も使用できる。

図３に示すように、接着シートは、他の層が形成されたものであってもよい。図３は、第１の本発明で使用できる接着シート５の断面模式図である。図３の接着シート５は、周辺部５４及び中央部５３にわたって、第３の層５５が形成されている。第１接着剤層５０よりも接着力の低い第３の層５５が表出している面を半導体ウェハに貼り付けることで、半導体ウェハから第３の層５５付きの接着シート５を容易に剥離できる。また、半導体ウェハの糊残りを無くすことができ、半導体ウェハの洗浄工程を省略できる。

第３の層５５の接着力は、第１接着剤層５０の接着力よりも低ければ、特に制限されない。例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、糊残りなく剥離でき、半導体ウェハ等の洗浄工程を省略できる。また、該９０°ピール剥離力の下限は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上である。０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に保持できる。

第３の層５５を構成する材料としては、第３の層５５の接着力が、第１接着剤層５０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されず、例えば、第２の層５１と同様のものを採用できる。

（接着シートの製造）
接着シート５は、例えば、次の通りにして作製される。まず、第２の層５１を形成するための材料を含む溶液を作製する。次に、前記溶液を基材上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる等して、第２の層５１とする。前記基材としては、ＳＵＳ３０４、６−４アロイ、アルミ箔、銅箔、Ｎｉ箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。

次に、第２の層５１側から打ち抜き加工等により、所定の形状（例えば、円形、矩形等）に打ち抜き、打ち抜いた部分（円形状、矩形状等の第２の層５１）を残して、外側を剥離して取り除く。

一方、第１接着剤層５０を形成するための組成物を含む溶液を作製する。

次に、所定の形状に打ち抜かれた第２の層５１が積層されている前記基材の上に、前記の第１接着剤層５０を形成するための組成物を含む溶液を第２の層５１の側から所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成する。その後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる等して、第１接着剤層５０とする。以上より、図１、２に示す接着シート５が得られる。

以下の説明では、図１、２に示す接着シート５を用いた場合について説明する。

接着シート５を準備した後、接着シート５を用いて半導体ウェハ４１を台座３１に固定する。図４は、半導体ウェハ４１を台座３１に固定した様子を示す模式図である。

接着シート５を用いて半導体ウェハ４１を台座３１に固定する方法は特に限定されないが、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を台座３１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を半導体ウェハ４１の回路形成面に貼り付ける方法が好適である（図４）。

半導体ウェハ４１として、回路形成面及び非回路形成面を有するものを使用する。また、シリコン貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）を有するものを好適に使用できる。通常、シリコン貫通電極を有するシリコンウェハは、後述のバックグラインドにより薄型化されるため、台座３１に固定し、強度を補強することが望ましいからである。また、半導体ウェハ４１は、通常、ベベル部を有する。

半導体ウェハ４１としては特に限定されず、例えば、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ、サファイアウェハ等の化合物半導体ウェハなどが挙げられる。なかでも、シリコンウェハが好ましい。

半導体ウェハ４１の厚さは特に限定されないが、例えば、４００〜１２００μｍであり、好ましくは４５０〜１０００μｍである。

半導体ウェハ４１の直径は特に限定されないが、例えば、７５〜４５０ｍｍである。このような半導体ウェハ４１としては、市販の２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハなどを使用できる。

台座３１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。

また、台座３１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。

台座３１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座３１の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。

台座３１の直径は特に限定されないが、例えば、１００〜４５０ｍｍである。このような台座３１としては、市販の２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハなどを使用できる。

台座３１は、通常、ベベル部を有する。

貼り付け（固定）方法は特に限定されないが、圧着が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、例えば、２０〜３００℃、０．００１〜１０ＭＰａ、０．００１〜１０ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。圧着時間は、通常０．１〜１０分である。
圧着後、必要に応じて、第１接着剤層５０及び第２の層５１をイミド化する。これにより、半導体ウェハ４１を台座３１に良好に固定できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。なお、第１接着剤層５０及び第２の層５１の一方のみをイミド化してもよい。

次いで、前記半導体ウェハ４１をバックグラインドすることが好ましい。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。

バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。

バックグラインドした後、半導体ウェハ４１の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。

バックグラインドや加工など所望の処理を施した後、第１接着剤層５０を切断し、半導体ウェハ４１から台座３１を分離する。図５は、第１接着剤層５０を切断した様子を示す模式図である。
切断方法は特に限定されず、カッターやレーザー等従来公知の方法により切断できる。

分離工程においては、第１接着剤層５０を切断する。これにより、第１接着剤層５０の連続性を破壊でき、必要に応じて外力を加えることにより半導体ウェハ４１から台座３１を容易に分離できる。また、接着シート５はその周辺部５４に第１接着剤層５０が形成されているため、第１接着剤層５０に切断１０１を入れ易い。

以上の説明では、平面視したときの形状が円形である接着シート５を用いた場合について説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。

また、平面視したとき、第２の層５１の形状が円形である接着シート５を用いた場合について説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。

以上の説明では、接着シート５を用いて半導体ウェハ４１を台座３１に固定する方法として、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を台座３１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を半導体ウェハ４１の回路形成面に貼り付ける方法を説明した。しかし、接着シート５を用いて半導体ウェハ４１を台座３１に固定する方法は特に限定されず、接着シート５の第１接着剤層５０のみが表出している面を台座３１に貼り付け、接着シート５の第１接着剤層５０及び第２の層５１が表出している面を半導体ウェハ４１の回路形成面に貼り付ける方法などであってもよい。

また、半導体ウェハ４１として、回路形成面及び非回路形成面を有するもの使用する場合について説明した。しかし、回路形成面及び非回路形成面を有するものに限定されず、両面が非回路形成面のものなどでもよい。

［第２の本発明］
第２の本発明の半導体装置の製造方法は、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第２の層に達するまで前記第１接着剤層に切り込みを入れ、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含む。

まず、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する。

図６は、第２の本発明で使用できる接着シート６の断面模式図である。図６に示すように、接着シート６は、周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されるとともに、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されている。第２の層６１の接着力は、第１接着剤層６０の接着力よりも低い。

接着シート６の周辺部６４は、第１接着剤層６０により形成されている。第２の層６１と比較して接着力の高い第１接着剤層６０が周辺部６４に存在するため、この部分において半導体ウェハを台座に強固に固定できる。
周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されている。第２の層６１が台座と接するため、接着シート６を台座から剥離し易く、糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

接着シート６の厚さは特に限定されず、例えば、接着シート５で例示したものと同様である。

図７は、第２の本発明で使用できる接着シート６の平面図である。図７に示すように、接着シート６は、平面視したときの形状が円形である。接着シート６の直径は特に限定されず、例えば、接着シート５で例示したものと同様である。また、接着シート６を平面視したときの第２の層６１の面積は特に限定されず、例えば、接着シート５で例示したものと同様である。

第２の層６１の接着力は、第１接着剤層６０の接着力よりも低ければ、特に制限されない。例えば、第２の層６１の接着力は、第２の層５１で例示した値と同様である。

第１接着剤層６０の接着力は、第１接着剤層５０で例示した値と同様である。

第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物としては、前述のポリイミド樹脂、シリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。
第２の層６１を構成する材料としては、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の無機材料、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂等が挙げられる。

図８に示すように、接着シートは、他の層が形成されたものであってもよい。図８は、第２の本発明で使用できる接着シート６の断面模式図である。図８の接着シート６は、周辺部６４及び中央部６３にわたって、第３の層６５が形成されている。第１接着剤層６０よりも接着力の低い第３の層６５が表出している面を半導体ウェハに貼り付けることで、半導体ウェハから第３の層６５付きの接着シート６を容易に剥離できる。また、半導体ウェハの糊残りを無くすことができ、半導体ウェハの洗浄工程を省略できる。

第３の層６５の接着力は、第１接着剤層６０の接着力よりも低ければ、特に制限されない。例えば、第３の層６５の接着力は、第３の層５５で例示した値と同様である。

以下の説明では、図６、７に示す接着シート６を用いた場合について説明する。

接着シート６を準備した後、接着シート６を用いて半導体ウェハ４２を台座３２に固定する。

固定方法は特に限定されないが、圧着が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、例えば、２０〜３００℃、０．００１〜１０ＭＰａ、０．００１〜１０ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。圧着時間は、通常０．１〜１０分である。
圧着後、必要に応じて、第１接着剤層６０及び第２の層６１をイミド化する。これにより、半導体ウェハ４２を台座３２に良好に固定できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。なお、第１接着剤層６０及び第２の層６１の一方のみをイミド化してもよい。

半導体ウェハ４２は、半導体ウェハ４１と同様である。台座３２は、台座３１と同様である。

次いで、前記半導体ウェハ４２をバックグラインドすることが好ましい。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。

バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。

バックグラインドした後、半導体ウェハ４２の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。

バックグラインドや加工など所望の処理を施した後、第１接着剤層６０を切断し、半導体ウェハ４２から台座３２を分離する。図９は、第１接着剤層を切断した様子を示す模式図である。
切断方法は特に限定されず、カッターやレーザー等従来公知の方法により切断できる。

分離工程においては、第１接着剤層６０を切断する。これにより、第１接着剤層６０の連続性を破壊でき、必要に応じて外力を加えることにより半導体ウェハ４２から台座３２を容易に分離できる。また、接着シート６はその周辺部６４に第１接着剤層６０が形成されているため、第１接着剤層６０に切断１０２を入れ易い。

以上の説明では、平面視したときの形状が円形である接着シート６を説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。

また、平面視したとき、第２の層６１の形状が円形である接着シート６を説明した。しかし、該形状は特に限定されず、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。

［第３の本発明］
第３の本発明の半導体装置の製造方法は、第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とが積層されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、前記第１接着剤層と前記第２の層との境界に切り込みを入れて、前記第１接着剤層と前記第２の層を分離する工程とを含む。

まず、第１接着剤層と、接着力が第１接着剤層より低い第２の層とが積層されている接着シートを準備する。

図１０は、第３の本発明で使用できる接着シート７の断面模式図である。図１０に示すように、接着シート７は、第１接着剤層７０と、第２の層７１との積層により形成されている。第２の層７１の接着力は、第１接着剤層７０の接着力よりも低い。

接着シート７は、第１接着剤層７０を有するため半導体ウェハを台座に良好に固定できる。

第１接着剤層７０の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、半導体ウェハ表面の凹凸を追従でき、接着シート７を隙間なく充填できる。また、第１接着剤層７０の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。

第２の層７１の厚さは特に限定されず、例えば、１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以上である。１μｍ以上であると、台座との貼り合せが容易である。また、第２の層７１の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。

なお、接着シート７を平面視したときの形状は特に限定されないが、通常、円形である。

第２の層７１の接着力は、第１接着剤層７０の接着力よりも低ければ、特に制限されない。第２の層７１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。

第１接着剤層７０の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。

図１１に示すように、接着シートは、他の層が形成されたものであってもよい。図１１は、第３の本発明で使用できる接着シートの断面模式図である。図１１の接着シート７は、第３の層７５と、第２の層７１と、第１接着剤層７０との積層により形成されている。

第３の層７５の接着力は、第１接着剤層７０の接着力よりも低いことが好ましい。これにより、接着シート７の第３の層７５を台座に貼り付けた場合に、接着シート７を台座から容易に剥離できる。また、台座の糊残りを無くすことができ、台座の洗浄工程を省略できる。

第３の層７５の接着力は、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、接着シート７を容易に剥離できる。また、台座等の糊残りを無くすことができ、台座等の洗浄工程を省略できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハを台座に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。

第１接着剤層７０を構成する接着剤組成物としては、第１接着剤層７０の接着力が、第２の層７１の接着力よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。

第１接着剤層７０を構成する接着剤組成物としては、前述のポリイミド樹脂、シリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

第２の層７１を構成する材料としては、第２の層７１の接着力が、第１接着剤層７０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。第２の層７１を構成する材料としては、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

第３の層７５を構成する材料としては、第３の層７５の接着力が、第１接着剤層７０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。例えば、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂などが挙げられる。

以下の説明では、図１０に示す接着シート７を用いた場合について説明する。

図１２は、接着シート７に半導体ウェハ４３を貼り付けた様子を示す模式図である。図１３は、半導体ウェハ４３を台座３３に固定した様子を示す模式図である。

接着シート７を用いて半導体ウェハ４３を台座３３に固定する。例えば、半導体ウェハ４３を第１接着剤層７０に貼り付け、台座３３を第２の層７１に貼り付けることにより、半導体ウェハ４３を台座３３に固定する。当該方法の場合、第１接着剤層７０が半導体ウェハ４３表面の凹凸に追従でき、半導体ウェハ４３を台座３３に良好に固定できる。一方、接着力が第１接着剤層７０より低い第２の層７１が台座３３と接するため、接着シート７を台座３３から剥離し易い。また、台座３３の糊残りが少なく、台座３３を再利用しやすい。

まず、半導体ウェハ４３の回路形成面と第１接着剤層７０を貼り合わせる（図１２）。

貼り合わせ方法（貼り付け方法）は特に限定されず、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付ける方法が挙げられる。
なお、接着シート７の面積が半導体ウェハ４３の面積より大きい場合は、必要に応じて、貼り合わせ前または貼り合わせ後に、接着シート７をカットすればよい。

なお、半導体ウェハ４３は、半導体ウェハ４１と同様である。

次いで、台座３３と第２の層７１を貼り合わせる（図１３）。

貼り合わせ方法（貼り付け方法）は特に限定されず、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付ける方法が挙げられる。
なお、接着シート７の面積が台座３３の面積より大きい場合は、必要に応じて接着シート７をカットすればよい。

なお、台座３３は、台座３１と同様である。

貼り合わせ後、必要に応じて、第１接着剤層７０及び第２の層７１をイミド化する。これにより、半導体ウェハ４３を台座３３に良好に固定できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。なお、第１接着剤層７０及び第２の層７１の一方のみをイミド化してもよい。

また、貼り合わせ後、必要に応じて、第１接着剤層７０及び第２の層７１を熱硬化してもよい。第１接着剤層７０及び第２の層７１としてシリコーン樹脂を用いた場合、熱硬化により半導体ウェハ４３を台座３３に良好に固定できる。なお、第１接着剤層７０及び第２の層７１の一方のみを熱硬化してもよい。

次いで、台座３３に固定された半導体ウェハ４３をバックグラインドすることが好ましい。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。

バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。

バックグラインドした後、半導体ウェハ４３の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。

バックグラインドや加工などの所望の処理を半導体ウェハ４３に施した後、第１接着剤層７０と第２の層７１との境界に切り込みを入れて、第１接着剤層７０と第２の層７１を分離する。図１４は、第１接着剤層７０と第２の層７１との境界に切り込み１０３を入れた様子を示す模式図である。
切り込み方法は特に限定されず、カッターやレーザー等従来公知の方法により切り込みできる。切り込み深さは特に限定されないが、通常、０．１〜１０ｍｍである。

第２の層７１の接着力が第１接着剤層７０より低いため、必要に応じて外力を加えることにより、切り込み１０３を起点として第１接着剤層７０と第２の層７１を容易に分離できる。

以上の説明では、半導体ウェハ４３を第１接着剤層７０に貼り付け、台座３３を第２の層７１に貼り付ける方法を説明した。しかし、これに限定されず、台座３３を第１接着剤層７０に貼り付け、半導体ウェハ４３を第２の層７１に貼り付けてもよい。

［第４の本発明］
第４の本発明の半導体装置の製造方法は、接着シート（ａ）に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）と、接着シート（ｂ）に台座を貼り付ける工程（Ｂ）と、前記工程（Ａ）により得られた接着シート（ａ）付き半導体ウェハの前記接着シート（ａ）、及び前記工程（Ｂ）により得られた接着シート（ｂ）付き台座の前記接着シート（ｂ）を貼り合わせ、前記台座、前記接着シート（ｂ）、前記接着シート（ａ）及び前記半導体ウェハが順に積層された積層体を得る工程（Ｃ）と、前記積層体における前記接着シート（ａ）と前記接着シート（ｂ）との境界に切り込みを入れて、前記接着シート（ａ）と前記接着シート（ｂ）を分離する工程（Ｄ）とを含む。また、前記接着シート（ａ）及び（ｂ）の一方の接着力が、他方より低い。

接着力の低い接着シートだけを使用するのではなく、相対的に接着力が高い接着シートを併用するため、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。

接着シート（ｂ）の接着力が前記接着シート（ａ）より低いことが好ましい。この場合、接着シート（ａ）は、接着力が接着シート（ｂ）より高く、半導体ウェハ表面などの凹凸追従性に優れる。よって、接着シート（ａ）が半導体ウェハ表面の凹凸に追従できるため、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。一方、接着力が接着シート（ａ）より低い接着シート（ｂ）が台座と接するため、接着シート（ｂ）を台座から剥離し易い。また、台座の糊残りが少なく、台座を再利用しやすい。

以下の説明では、接着シート（ｂ）の接着力が前記接着シート（ａ）より低い場合について説明する。

図１５は、第４の本発明で使用できる接着シート（ａ）の断面模式図である。図１６は、接着シート（ａ）に半導体ウェハを貼り付けた様子を示す模式図である。図１７は、第４の本発明で使用できる接着シート接着シート（ｂ）の断面模式図である。図１８は、接着シート（ｂ）に台座を貼り付けた様子を示す模式図である。図１９は、接着シート（ａ）及び（ｂ）を用いて半導体ウェハを台座に固定した様子を示す模式図である。

工程（Ａ）
工程（Ａ）では、接着シート（ａ）１３に半導体ウェハ４４を貼り付ける（図１６）。

まず、接着シート（ａ）１３について説明する。図１５に示すように、接着シート（ａ）１３は一方の面に基材１２を有し、他方の面にセパレータ１４を有している。

接着シート（ａ）１３を構成する接着剤組成物としては特に限定されないが、前述のポリイミド樹脂、シリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

接着シート（ａ）１３の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハ４４を台座に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。

基材１２としては、ＳＵＳ３０４、６−４アロイ、アルミ箔、銅箔、Ｎｉ箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が挙げられる。

セパレータ１４としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が挙げられる。

半導体ウェハ４４は、半導体ウェハ４１と同様である。

工程Ａでは、セパレータ１４を剥離して、接着シート（ａ）１３に半導体ウェハ４４を貼り付ける。

貼り付け方法は特に限定されず、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付ける方法が挙げられる。
なお、接着シート（ａ）１３の面積が半導体ウェハ４４の面積より大きい場合は、必要に応じて、貼り付け前または貼り付け後に、接着シート（ａ）１３をカットすればよい。

工程（Ｂ）
工程（Ｂ）では、接着シート（ｂ）２３に台座３４を貼り付ける（図１８）。

図１７に示すように、接着シート（ｂ）２３は一方の面に基材２２を有し、他方の面にセパレータ２４を有している。

接着シート（ｂ）２３を構成する接着剤組成物としては特に限定されないが、前述のポリイミド樹脂、シリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

接着シート（ｂ）２３の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半導体ウェハ４４から台座３４を容易に分離できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハ４４を台座３４に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。

基材２２としては特に限定されず、基材１２で例示したものなどが挙げられる。セパレータ２４としては特に限定されず、セパレータ１４で例示したものなどが挙げられる。

台座３４は、台座３１と同様である。

工程Ｂでは、セパレータ２４を剥離して、接着シート（ｂ）２３に台座３４を貼り付ける。

貼り付け方法は特に限定されず、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付ける方法が挙げられる。
なお、接着シート（ｂ）２３の面積が台座３４の面積より大きい場合は、必要に応じて、貼り付け前または貼り付け後に、接着シート（ｂ）２３をカットすればよい。

工程（Ｃ）
工程（Ｃ）では、工程（Ａ）により得られた接着シート（ａ）１３付き半導体ウェハ４４の接着シート（ａ）１３、及び工程（Ｂ）により得られた接着シート（ｂ）２３付き台座３４の接着シート（ｂ）２３を貼り合わせる。これにより、台座３４、接着シート（ｂ）２３、接着シート（ａ）１３及び半導体ウェハ４４が順に積層された積層体を得る（図１９）。

貼り合わせ方法は特に限定されない。貼り合わせ後、必要に応じて、接着シート（ａ）１３及び接着シート（ｂ）２３をイミド化する。これにより、半導体ウェハ４４を台座３４に良好に固定できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、
例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。なお、接着シート（ａ）１３及び接着シート（ｂ）２３の一方のみをイミド化してもよい。

また、貼り合わせ後、必要に応じて、接着シート（ａ）１３及び接着シート（ｂ）２３を熱硬化してもよい。接着シート（ａ）１３及び接着シート（ｂ）２３としてシリコーン樹脂を用いた場合、熱硬化により半導体ウェハ４４を台座３４に良好に固定できる。なお、接着シート（ａ）１３及び接着シート（ｂ）２３の一方のみを熱硬化してもよい。

工程（Ｃ）により台座３４に固定された半導体ウェハ４４を、バックグラインドできる。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。

バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。

バックグラインドした後、半導体ウェハ４４の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。

工程（Ｄ）
バックグラインドや加工などの所望の処理を半導体ウェハ４４に施した後、接着シート（ａ）１３と接着シート（ｂ）２３との境界に切り込みを入れて、接着シート（ａ）１３と接着シート（ｂ）２３を分離する。図２０は、接着シート（ａ）１３と接着シート（ｂ）２３との境界に切り込み１０４を入れた様子を示す模式図である。
切り込み方法は特に限定されず、カッターやレーザー等従来公知の方法により切り込みできる。切り込み深さは特に限定されないが、通常、０．１〜１０ｍｍである。

接着シート（ｂ）２３の接着力が接着シート（ａ）１３より低いため、必要に応じて外力を加えることにより、切り込み１０４を起点として接着シート（ａ）１３と接着シート（ｂ）２３を容易に分離できる。

以上の説明では、接着シート（ｂ）２３の接着力が前記接着シート（ａ）１３より低い場合について説明した。しかし、これに限定されず、接着シート（ｂ）２３の接着力が接着シート（ａ）１３より高くてもよい。

この場合、接着シート（ｂ）２３の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。該９０°ピール剥離力の上限は、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。
また、接着シート（ａ）１３の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０１０Ｎ／２０ｍｍ以上である。

また、以上の説明では、接着シート（ａ）１３が基材１２及びセパレータ１４を有している場合について説明した。しかし、これに限定されず、接着シート（ａ）１３は、セパレータ１４を有していなくてもよく、基材１２を有していなくともよい。接着シート（ｂ）２３も同様であり、接着シート（ｂ）２３は、セパレータ２４を有していなくてもよく、基材２２を有していなくともよい。

［第５の本発明］
第５の本発明の半導体装置の製造方法は、仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ｉ）と、前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（ＩＩ）と、前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い仮止め用接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（ＩＩＩ）と、前記工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の後、前記仮止め用シートに切り込みを入れて前記仮止め用シートから前記台座を分離する工程（ＩＶ）とを含む。

工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の順序は特に限定されない。例えば、工程（Ｉ）、工程（ＩＩ）及び工程（ＩＩＩ）の順序、工程（ＩＩ）、工程（Ｉ）及び工程（ＩＩＩ）の順序、工程（Ｉ）、工程（ＩＩＩ）及び工程（ＩＩ）の順序、工程（ＩＩ）、工程（ＩＩＩ）及び工程（Ｉ）の順序等が挙げられる。なかでも、仮止め用接着剤層が形成し易く、仮止め用接着剤層がはみ出す可能性や仮止め用接着剤層を必要量以上に形成する可能性が低いという理由から、工程（Ｉ）、工程（ＩＩ）及び工程（ＩＩＩ）の順序が好ましい。

図２１は、仮止め用シートの断面図である。図２２は、仮止め用シートに半導体ウェハを貼り付けた様子を示す図である。図２３は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、仮止め用接着剤層を形成した様子を示す図である。

工程（Ｉ）
工程（Ｉ）では、仮止め用シート８１の一方の面に半導体ウェハ４５を貼り付ける（図２２）。

仮止め用シート８１に半導体ウェハ４５を貼り付ける方法は特に限定されないが、仮止め用シート８１に半導体ウェハ４５の回路形成面を貼り付けることが好ましい。

貼り付け方法は特に限定されず、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付ける方法が挙げられる。

貼り付け後、必要に応じて、仮止め用シート８１をイミド化する。これにより、仮止め用シート８１及び半導体ウェハ４５を良好に接着できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。

貼り付け後、必要に応じて、仮止め用シート８１を熱硬化してもよい。これにより、仮止め用シート８１及び半導体ウェハ４５を良好に接着できる。熱硬化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１００〜３５０℃（好ましくは１５０〜３５０℃）、０．１〜５時間、窒素雰囲気下で熱硬化できる。

仮止め用シート８１の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、半導体ウェハ表面の凹凸を追従でき、仮止め用シート８１を隙間なく充填できる。また、仮止め用シート８１の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。

仮止め用シート８１を平面視したときの形状は特に限定されないが、通常、円形である。

仮止め用シート８１の接着力は、後述する仮止め用接着剤層８０の接着力よりも低い。仮止め用シート８１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半導体ウェハ４５の糊残りを防止できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハ４５を台座３５に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。

仮止め用シート８１を構成する接着剤組成物としては、仮止め用シート８１の接着力が、後述する仮止め用接着剤層８０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。

仮止め用シート８１を構成する接着剤組成物としては、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

半導体ウェハ４５は、半導体ウェハ４１と同様である。

工程（ＩＩ）
工程（ＩＩ）では、仮止め用シート８１の他方の面にベベル部を有する台座３５を貼り付ける。

貼り付け方法は特に限定されないが、ロールラミネートや真空プレスで貼り付けることが好ましい。貼り付け条件は特に限定されないが、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付けできる。

台座３５の周縁部には、台座３５の上面及び下面から側面（外側）に向かって傾斜した傾斜面が形成されている。このような傾斜面が形成された周縁部がベベル部である。

台座３５は、ベベル部を有する限り特に限定されず、例えば、台座３１で例示したものを使用できる。

工程（ＩＩＩ）
工程（ＩＩＩ）では、仮止め用シート８１と台座３５のベベル部との間に、仮止めシート８１よりも接着力が高い仮止め用接着剤層８０を形成して、仮止め用シート８１を台座３５に固定する（図２３）。

具体的には、仮止め用シート８１と台座３５のベベル部との間に、液状の接着剤組成物を塗布し、乾燥等させることにより、仮止め用接着剤層８０を形成して、仮止め用シート８１を台座３５に固定する。

仮止め用接着剤層８０の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、仮止め用シート８１を台座３５に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。

仮止め用接着剤層８０を構成する材料としては、仮止め用接着剤層８０の接着力が、仮止め用シート８１の接着力よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。仮止め用接着剤層８０を構成する材料としては、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

図２４の（ａ）は、仮止め用シート８１と台座３５のベベル部との間に、仮止め用接着剤層８０を形成した様子を示す図である。図２４の（ｂ）は、ベベル部周辺の拡大図である。
図２４（ｂ）に示すように、仮止め用シート８１の端部は、台座３５の端部よりも内側、且つ、台座３５のベベル部の傾斜開始位置よりも外側であることが好ましい。具体的には、台座３５の端部と仮止め用シート８１の端部との横方向（台座３５の面に水平方向）の距離をＤ１とし、台座３５の端部と台座３５のベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離をＤ２とすると、Ｄ１は、Ｄ２の１０分の１、すなわち、（Ｄ２）／１０よりも大きいことが好ましい。Ｄ１が、Ｄ２の１０分の１よりも大きいと、仮止め用シート８１が他の部材（例えば、搬送に使用するカセット）に触れ、めくれ上がることを防止できる。
一方、Ｄ１は、Ｄ２の３分の２、すなわち、（Ｄ２）×（２／３）よりも小さいことが好ましい。Ｄ１が、Ｄ２の３分の２よりも小さいと、接着剤剤層８０による接着部分の面積をある程度確保でき、接着信頼性に優れる。
なお、Ｄ２は、通常、０．１〜０．４ｍｍである。

図２５の（ａ）は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、仮止め用接着剤層を形成した様子を示す図である。図２５の（ｂ）は、半導体ウェハのベベル部周辺の拡大図である。図２５（ｂ）に示すように、仮止め用シート８１の端部は、半導体ウェハ４５の端部よりも内側、且つ、半導体ウェハ４５のベベル部の傾斜開始位置よりも外側であることが好ましい。
具体的には、半導体ウェハ４５の端部と仮止め用シート８１の端部との横方向（半導体ウェハ４５の面に水平方向）の距離をＤ３とし、半導体ウェハ４５の端部と半導体ウェハ４５のベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離をＤ４とすると、Ｄ３は、Ｄ４の１０分の１、すなわち、（Ｄ４）／１０よりも大きいことが好ましい。Ｄ３が、Ｄ４の１０分の１よりも大きいと、仮止め用シート８１が他の部材（例えば、搬送に使用するカセット）に触れ、めくれ上がることを防止できる。
一方、Ｄ３は、Ｄ４の３分の２、すなわち、（Ｄ４）×（２／３）よりも小さいことが好ましい。Ｄ３が、Ｄ４の３分の２よりも小さいと、接着剤剤層８０による接着部分の面積をある程度確保でき、接着信頼性に優れる。
なお、Ｄ４は、通常、０．１〜０．４ｍｍである。

他の工程
工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）により台座３５に固定された半導体ウェハ４５に対して、バックグラインドを行うことが好ましい。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。

バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。

バックグラインドした後、半導体ウェハ４５の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。

工程（ＩＶ）
バックグラインドや加工などの所望の処理を半導体ウェハ４５に施した後、仮止め用シート８１に切り込みを入れて仮止め用シート８１から台座３５を分離する。

図２６は、仮止め用シート８１に切り込み１０５を入れた様子を示す図である。図２６に示すように、仮止め用シート８１に台座３５に達するまで切り込み１０５を入れることが好ましく、仮止め用シート８１に台座３５のベベル部に達するまで切り込み１０５を入れることがより好ましい。切り込み方法は特に限定されず、カッターやレーザー等従来公知の方法により切り込みできる。

以上の説明では、仮止め用シートの形状として、断面が矩形の場合について説明した。しかし、仮止め用シートの形状は特に限定されない。例えば、図２７に示すように仮止め用シートの周縁部に凹部が設けられたものなどでもよい。

前述のとおり、工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の順序は特に限定されない。例えば、工程（ＩＩ）の前に工程（ＩＩＩ）を行うことができる。この場合、仮止め用シートの周縁部（ベベル部に対応する部分）にシート状物としての仮止め用接着剤層を予め設けておき、仮止め用接着剤層がベベル部に接着するように、仮止め用シートに台座を貼り付ければよい。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
Ｄ−２０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：１９９０．８）
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
ＳＤ４５８７Ｌ：東レ・ダウコーニング（株）製のシリコーン粘着剤（付加硬化型）
ＳＲＸ−２１２：東レ・ダウコーニング（株）製の白金触媒
セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ）
長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ）

実施例１〜５、比較例１について説明する。

以下の方法により接着シートを作製した。

実施例１、５
＜第１接着剤層用溶液、第２の層用溶液の作製＞
窒素気流下の雰囲気において、９２９．０５ｇのＤＭＡｃ中に、Ｄ−４０００ ２５８．２５ｇ、ＤＤＥ ７８．９５ｇ、及び、ＰＭＤＡ １００ｇを７０℃で混合して反応させ、第１接着剤層用溶液（ポリアミド酸溶液Ａ）を得た。得られた第１接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
表１の配合に従った点以外は第１接着剤層用溶液と同様の方法で第２の層用溶液（ポリアミド酸溶液Ｂ）を得た。得られた第２の層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
＜円形シートの作製＞
第２の層用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシートを得た。
得られたシートの第２の層上に長尺ポリエステルフィルムを積層し、トムソン金型にて、直径１９８ｍｍにハーフカットし、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を残して、外側を除去し、円形シートを得た。なお、上記のハーフカットとは、ポリエステルフィルム及び第２の層を完全にカットし、且つ、セパレータを完全にはカットしない（セパレータの途中までカットする）態様でのカットをいう。
＜接着シートの作製＞
円形シートのポリエステルフィルムを剥離し、第１接着剤層用溶液を、直径２００ｍｍ以上となるように円形シートの第２の層上に塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。乾燥させた第１接着剤層上に長尺ポリエステルフィルムを積層し、図１、２に示す形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。第２の層の直径は１９８ｍｍ、第２の層の厚さは２μｍであった。接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは９８μｍであった。

実施例２
＜第１接着剤層用溶液の作製＞
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤層用溶液を得た。
＜接着シートの作製＞
ＳＵＳ箔（東洋製箔（株）製、ＳＵＳ ３０４Ｈ−ＴＡ）上に、Ｃｕ膜厚が０．５μｍとなるよう、硫酸銅めっき浴によるＣｕめっきを行い、Ｃｕめっき付きＳＵＳ箔を得た。得られたＣｕめっき付きＳＵＳ箔が室温（２３℃）になるまで冷却した、
表１の配合の第１接着剤層用溶液をＣｕめっき付きＳＵＳ箔に塗布し、９０℃で２分間乾燥させた。次いで、ＳＵＳ箔を剥離してＣｕめっき付きポリアミド酸層を得た。得られたＣｕめっき付きポリアミド酸層に対して、Ｃｕエッチングを行った。これにより、円形（直径１９５ｍｍ）のＣｕめっき部分（第２の層）を残し、他を取り除いた。以上より、図１、２に示す形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径２００ｍｍ、厚さ１２０μｍであった。第２の層の直径は１９５ｍｍ、第２の層の厚さは０．５μｍであった。接着シートの中央部における第１接着剤層の厚さは１１９．５μｍであった。
なお、実施例２では、接着シートの形成時には、第１接着剤層上に、第２の層が形成された形状（第２の層の側面側には第１接着剤層が存在しない形状）となるが、第２の層が０．５μｍと薄い一方、第１接着剤層が１２０μｍと厚く、また、第１接着剤層が比較的柔らかい（低弾性率である）ため、使用時には、圧力により、第２の層が第１接着剤層に埋め込まれることになる。従って、実施例２の接着シートは、図１に示す断面形状を有することとなる。

実施例３
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、接着シートを得た。

実施例４
＜円形シートの作製＞
実施例１にて作成した第２の層用溶液をセパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシートを得た。
得られたシートの第２の層上に長尺ポリエステルフィルムを積層し、トムソン金型にて、直径１９８ｍｍにハーフカットし、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を残して、外側を除去し、円形シートを得た（厚さ：２００μｍ）。
＜接着シートの作製＞
実施例１にて作成した第１接着剤層用溶液をセパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第１接着剤層を有するシートを得た。
得られたシートの第１接着剤層上に長尺ポリエステルフィルムを積層し、トムソン金型にて、直径１９８ｍｍにハーフカットし、外側を残して、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を除去し、中抜けのシートを得た（厚さ：２００μｍ）。
円形シート、及び中抜けのシートのセパレータを剥離し、中抜けのシートの第１接着剤層が存在しない部分に、円形シートの第２の層が嵌まり込むように貼り合わせ、図６、７に示す形状の接着シートを得た。
接着シート全体の直径は２００ｍｍ、厚さは２００μｍであった。第２の層の直径は１９８ｍｍ、第２の層の厚さは２００μｍであった。

比較例１
実施例１と同様の第１接着剤層からなる単層の接着シートを得た。接着シートは円形であり、直径２００ｍｍ、厚さ１５０μｍであった。

［第１接着剤層の接着力の測定］
第１接着剤層用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ２０μｍの第１接着剤層を有するシートを得た。
得られたシートの第１接着剤層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第１接着剤層を得た。
シリコンウェハ付き第１接着剤層を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。

［第２の層の接着力の測定］
第２の層用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ２０μｍの第２の層を有するシートを得た。
得られたシートの第２の層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第２の層を得た。
シリコンウェハ付き第２の層を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
なお、実施例２の第２の層の接着力については、８インチシリコンウェハに第２の層を貼り合せたものを用いて、９０°ピール評価を行った。

［プロセス耐性評価（１）］
実施例１〜４
実施例１〜４の接着シートの第１接着剤層及び第２の層が表出している面を台座（直径２００ｍｍ、厚さ７２６μｍのシリコンウエハ）に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａのロールラミネートにより行った。
次に、台座付き接着シートの接着シート面を、直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍのシリコンウエハの回路形成面に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートにより行った。貼り付け後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下で接着シートをイミド化した。これにより、台座、接着シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
得られた積層体を用いてバックグラインドを行い、バックグラインド中にシリコンウェハを充分に固定でき良好にバックグラインドできた場合を○、シリコンウェハを充分に固定できずバックグラインドできなかった場合を×として評価した。
実施例５
第１接着剤層のみが表出している面を台座に貼り付けた以外は、実施例１〜４と同様の方法でプロセス耐性を評価した。
比較例１
実施例１〜４と同様の方法により積層体を得て、プロセス耐性を評価した。
結果を表１に示す。

［剥離性評価（１）］
実施例１〜５、比較例１
前記プロセス耐性評価と同様の方法により、台座、接着シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
トムソン刃を用いて、接着シート層の側面から内側向かって切り込みを入れた。切り込みは、第２の層に達するまで行った。切り込みの後、積層体の上側（シリコンウェハ側）に配置した真空ピンセットを用いて、シリコンウェハを上方向に吸着した。吸着できた場合を○、吸着できなかった場合を×として評価した。結果を表１に示す。

実施例６〜８、比較例２について説明する。

実施例６
窒素気流下の雰囲気において、１９１２．０ｇのＤＭＡｃ中に、Ｄ−４０００ ２３９．８ｇ、ＤＤＥ ７９．９ｇ、及び、ＰＭＤＡ １００．０ｇを７０℃で混合して反応させ、第１接着剤層用溶液を得た。得られた第１接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
表２の配合に従った点以外は第１接着剤層用溶液と同様の方法で第２の層用溶液を得た。得られた第２の層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
第２の層用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシートを得た。得られたシートに上に、第１接着剤層用溶液を塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第１接着剤層を形成した。これにより、第１接着剤層と第２の層とが積層された接着シート（図１０に示す形状の接着シート）を得た。
接着シートの全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
第１接着剤層の直径は２００ｍｍ、厚さは９０μｍであった。
第２の層の直径は２００ｍｍ、厚さは１０μｍであった。

実施例７〜８
表２の配合に従った点以外は実施例６と同様の方法で、接着シートを得た。

比較例２
実施例６の第１接着剤層用溶液を用いて、第１接着剤層からなる接着シート（単層）を得た。接着シートは円形であり、直径２００ｍｍ、厚さ１５０μｍであった。

［第１接着剤層の接着力の測定］
前述の方法で測定した。結果を表２に示す。
［第２の層の接着力の測定］
前述の方法で測定した。結果を表２に示す。

［プロセス耐性評価（２）］
実施例６〜８、比較例２
実施例６〜８の接着シートの第２の層を台座（直径２００ｍｍ、厚さ７２６μｍのシリコンウエハ）に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａのロールラミネートにより行った。
次に、台座付き接着シートの接着シート面を、直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍのシリコンウエハの回路形成面に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートにより行った。貼り付け後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下で接着シートをイミド化した。これにより、台座、接着シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
得られた積層体を用いてバックグラインドを行い、バックグラインド中にシリコンウェハを充分に固定でき良好にバックグラインドできた場合を○、シリコンウェハを充分に固定できずバックグラインドできなかった場合を×として評価した。
比較例２についても、同様の方法により積層体を得て、プロセス耐性を評価した。
結果を表２に示す。

［剥離性評価（２）］
実施例６〜８、比較例２
前記プロセス耐性評価と同様の方法により、台座、接着シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
第１接着剤層と第２の層との境界にトムソン刃を用いて切り込み（シリコンウェハ端部から１ｍｍの切り込み）を入れた。切り込みの後、積層体のシリコンウェハ側に配置した真空ピンセットを用いて、シリコンウェハを上方向に吸着した。吸着によりシリコンウェハ付き第１接着剤層を積層体から剥離できた場合を○、剥離できなかった場合を×として評価した。結果を表２に示す。

実施例９〜１１、比較例３について説明する。

［シート及び接着剤層用溶液の作製］
実施例９
窒素気流下の雰囲気において、２５２８．０ｇのＤＭＡｃ中に、Ｄ−４０００ ２９．５ｇ、ＤＤＥ ９０．３ｇ、及び、ＰＭＤＡ １００．０ｇを７０℃で混合して反応させ、シート用溶液を得た。得られたシート用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。シート用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、シートを得た。
得られたシートの直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
表３の配合に従った点以外はシート用溶液と同様の方法で接着剤層用溶液を得た。得られた接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。

実施例１０〜１１、比較例３
表３の配合に従った点以外は実施例９と同様の方法で、シート及び接着剤層用溶液を得た。

［シートの接着力の測定］
シート用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ２０μｍのサンプルシート１を得た。得られたサンプルシート１を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃、１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付きサンプルシート１を得た。シリコンウェハ付きサンプルシート１を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表３に示す。

［接着剤層の接着力の測定］
接着剤層用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ２０μｍのサンプルシート２を得た。得られたサンプルシート２を８インチシリコンウェハに貼り合せた後、イミド化（実施例９、比較例３）又は熱硬化（実施例１０、１１）させた。
イミド化は、３００℃、１．５時間、窒素雰囲気中で行った。
熱硬化は、１５０℃、１時間、大気雰囲気下で行った。
これにより得られたシリコンウェハ付きサンプルシート２を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表３に示す。

［プロセス耐性評価（３）］
実施例９
シートを直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍのベベル部を有するシリコンウェハの回路形成面に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートにより行った。貼り付け後、３００℃、１．５時間、窒素雰囲気下でシートをイミド化した。
シリコンウェハが貼り付けられたシート面の裏面に、ベベル部を有する台座（直径２００ｍｍ、厚さ７２６μｍのシリコンウエハ）を貼り付けた。貼り付けは、温度１２０℃、圧力０．３ＭＰａで行った。
次いで、シートと台座のベベル部との間に、接着剤層用溶液を塗布し、乾燥・イミド化させ、仮止め用接着剤層を形成した。これにより、シートを台座に固定した。
以上により、台座、シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
得られた積層体を用いてバックグラインドを行い、バックグラインド中にシリコンウェハを充分に固定でき良好にバックグラインドできた場合を○、シリコンウェハを充分に固定できずバックグラインドできなかった場合を×として評価した。
実施例１０〜１１
イミド化に代えて、１５０℃、１時間、大気雰囲気下で接着剤層の熱硬化を行った点以外は実施例９と同様の方法で、積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例９と同様の方法で評価した。
比較例３
接着剤層用溶液を塗布しなかった点以外は、実施例９と同様の方法で、積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例９と同様の方法で評価した。
結果を表３に示す。

［剥離性評価（３）］
前記プロセス耐性評価と同様の方法により、積層体を得た。
図２６に示すように、シート側面から台座３５のベベル部に達するまでシートに切り込みを入れた（切り込み深さ０．５ｍｍ）。
切り込みの後、積層体のシリコンウェハ側に配置した真空ピンセットを用いて、シリコンウェハを上方向に吸着した。吸着によりシリコンウェハ付きシートを積層体から剥離できた場合を○、剥離できなかった場合を×として評価した。結果を表３に示す。

１２、２２ 基材
１３、２３ 接着シート
１４、２４ セパレータ
３１〜３５ 台座
４１〜４５ 半導体ウェハ
５ 接着シート
５０ 第１接着剤層
５１ 第２の層
５３ 中央部
５４ 周辺部
５５ 第３の層
６ 接着シート
６０ 第１接着剤層
６１ 第２の層
６３ 中央部
６４ 周辺部
６５ 第３の層
７ 接着シート
７０ 第１接着剤層
７１ 第２の層
７５ 第３の層
８０ 仮止め用接着剤層
８１ 仮止め用シート
９１ 仮止め用シート
１０１、１０２ 切断
１０３〜１０５ 切り込み
Ｄ１ 台座の端部と仮止め用シートの端部との横方向の距離
Ｄ２ 台座の端部と台座のベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離
Ｄ３ 半導体ウェハの端部と仮止め用シートの端部との横方向の距離
Ｄ４ 半導体ウェハの端部と半導体ウェハのベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離

Claims (7)

1. 第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
   前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、
   前記第１接着剤層を切断し、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とを有し、接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成され、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、
   前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、
   前記第１接着剤層を切断し、前記半導体ウェハから前記台座を分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 第１接着剤層と、接着力が前記第１接着剤層より低い第２の層とが積層されている接着シートを準備する工程と、
   前記接着シートを用いて半導体ウェハを台座に固定する工程と、
   前記第１接着剤層と前記第２の層との境界に切り込みを入れて、前記第１接着剤層と前記第２の層を分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記接着シートを用いて前記半導体ウェハを前記台座に固定する工程は、
   前記半導体ウェハを前記第１接着剤層に貼り付け、前記台座を前記第２の層に貼り付けることにより、前記半導体ウェハを前記台座に固定する工程であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 接着シート（ａ）に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）と、
   接着シート（ｂ）に台座を貼り付ける工程（Ｂ）と、
   前記工程（Ａ）により得られた接着シート（ａ）付き半導体ウェハの前記接着シート（ａ）、及び前記工程（Ｂ）により得られた接着シート（ｂ）付き台座の前記接着シート（ｂ）を貼り合わせ、前記台座、前記接着シート（ｂ）、前記接着シート（ａ）及び前記半導体ウェハが順に積層された積層体を得る工程（Ｃ）と、
   前記積層体における前記接着シート（ａ）と前記接着シート（ｂ）との境界に切り込みを入れて、前記接着シート（ａ）と前記接着シート（ｂ）を分離する工程（Ｄ）とを含み、
   前記接着シート（ａ）及び（ｂ）の一方の接着力が、他方より低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記接着シート（ｂ）の接着力が前記接着シート（ａ）より低いことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ｉ）と、
   前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（ＩＩ）と、
   前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い仮止め用接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（ＩＩＩ）と、
   前記工程（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の後、前記仮止め用シートに切り込みを入れて前記仮止め用シートから前記台座を分離する工程（ＩＶ）とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images