JP2014072340A - 積層配線基板およびそれを用いた実装構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える積層配線基板を提供するものである。
【解決手段】 本発明の一形態にかかる積層配線基板は、複数の樹脂層６および複数の無機絶縁層７が最上層および最下層に樹脂層６を配置して積層されてなる積層体８と、最上層の樹脂層６の上面または下面に配置された第１配線層９Ａと、最下層の樹脂層６の上面または下面に配置された第２配線層６Ｂとを具備し、第１配線層９Ａは、樹脂層６の上面に配置されるかまたは樹脂層６の下面に貫通孔を塞ぐように配置されて上面が露出した外部接続用の第１パッド９ｘを含み、第２配線層９Ｂは、樹脂層６の下面に配置されるかまたは樹脂層６の上面に貫通孔を塞ぐように配置されて下面が露出した外部接続用の第２パッド９ｙを含むことを特徴とする。その結果、積層配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）などに使用される積層配線基板およびそれを用いた実装構造体に関するものである。

従来、電子機器には、積層配線基板の上面に電子部品が実装された実装構造体が使用されている。この積層配線基板は、絶縁層を積層した積層体と、この積層体の各絶縁層間に配置された配線層とを備えている。

特許文献１には、樹脂材料を主成分とする複数の絶縁基板を積層した積層体と、絶縁基板それぞれの一主面に部分的に配置されているとともに、絶縁基板を介して厚み方向に離れて配置された複数の回路を備えた回路形成基板が、積層配線基板の一例として記載されている。なお、この回路形成基板の積層体および回路は、積層配線基板の積層体および配線層にそれぞれ対応するものである。

ところで、一般的に、樹脂材料の熱膨張率が電子部品の熱膨張率より大きいことから、樹脂材料を主成分とした積層体を備えた回路形成基板の熱膨張率は、電子部品の熱膨張率よりも大きくなる。その結果、例えば、電子部品の実装時や電子部品の作動時に回路形成基板に熱が加わると、回路形成基板の熱膨張量と電子部品の熱膨張量との違いに起因して回路形成基板が反りやすい。そのため、回路形成基板の回路が断線しやすくなり、ひいては回路形成基板の電気的信頼性が低下しやすくなるという問題点があった。

特開平０８−１１６１７４号公報

本発明は、前述の回路形成基板のような積層配線基板において電気的信頼性が低下しやすいという問題点を受けて、電気的信頼性を向上させることができる積層配線基板を提供することを目的とするものである。

本発明の一形態にかかる積層配線基板は、複数の樹脂層および複数の無機絶縁層が最上層および最下層に前記樹脂層を配置して積層されてなる積層体と、最上層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第１配線層と、最下層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第２配線層とを具備し、前記第１配線層は、前記樹脂層の上面に配置されるかまたは前記樹脂層の下面に貫通孔を塞ぐように配置されて上面が露出した外部接続用の第１パッドを含み、前記第２配線層は、前記樹脂層の下面に配置されるかまたは前記樹脂層の上面に貫通孔を塞ぐように配置されて下面が露出した外部接続用の第２パッドを含む。

本発明の一形態にかかる実装構造体は、前記積層配線基板と、該積層配線基板の上面に実装されて前記第１パッドに電気的に接続された電子部品とを備える。

本発明の一形態にかかる積層配線基板によれば、積層体が複数の無機絶縁層を含んでい
ることから、積層配線基板の反りを低減することができる。さらに、積層体の最上層および最下層に樹脂層が配置されていることから、積層配線基板におけるクラックの発生を低減することができる。したがって、電気的信頼性に優れた積層配線基板を得ることができる。

本発明の一実施形態にかかる実装構造体の一部を厚み方向に切断した断面図である。 図１に示した実装構造体のＲ１部の拡大図である。 図２に示した実装構造体のＲ２部の拡大図である。 図１に示した実装構造体における積層配線基板の上面を示した図である。 図１のＩ−Ｉ線に沿って平面方向に切断した断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、（ｂ）は（ａ）の一部の拡大図である。 （ａ）〜（ｃ）は図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、（ｃ）は（ｂ）に示した乾燥した無機絶縁ゾルの一部の拡大図である。 （ａ）〜（ｂ）は図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した無機絶縁層の一部の拡大図である。 （ａ）〜（ｃ）は図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した樹脂前駆体層および無機絶縁層の一部の拡大図であり、（ｃ）は（ｂ）に示した無機絶縁層の一部の拡大図である。 （ａ）〜（ｂ）はそれぞれ図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図１に示した実装構造体と異なる実施形態の例を厚み方向に切断した断面図である。

以下に、本発明の第１実施形態に係る積層配線基板を含む実装構造体について図面に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
（実装構造体）
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用される。この実装構造体１は、電子部品２および電子部品２が実装された積層配線基板３を含んでおり、外部回路基板４に実装されている。

（電子部品）
電子部品２は、例えばＩＣまたはＬＳＩなどの半導体素子であり、はんだなどの導電材料からなる第１バンプ５Ａを介して積層配線基板３にフリップチップ実装されている。この電子部品２は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素などの半導体材料からなる。

電子部品２の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。また、電子部品２の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、電子部品２の厚みは、電子部品２の厚み方向（Ｚ方向）に沿った断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、厚み方向に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することによって求められる。また、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法によって測定される。

（外部回路基板）
外部回路基板４は、例えばマザーボードなどであり、その一主面には、はんだなどの導電材料からなる第２バンプ５Ｂを介して、実装構造体１が実装されている。外部回路基板４の平面方向への熱膨張率は、１７ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

（積層配線基板）
積層配線基板３は、電子部品２と外部回路基板４との間に配置され、電子部品２を駆動もしくは制御するための電源や信号を外部回路基板４から電子部品２へ供給するものである。この積層配線基板３は、複数の樹脂層６および複数の無機絶縁層７が積層されてなる積層体８と、樹脂層６および無機絶縁層７を介して厚み方向に離れて配置されているとともに、それぞれ樹脂層６の一主面または無機絶縁層７の一主面に部分的に配置された複数の配線層９と、複数の樹脂層６および複数の無機絶縁層７を厚み方向に貫通して複数の配線層９同士を接続する複数のビア導体１０とを含んでいる。

積層配線基板３の厚みは、例えば０．０６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に設定されている。また、積層配線基板３の平面方向への熱膨張率は、例えば５ｐｐｍ／℃以上１７ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、積層配線基板３の厚みおよび熱膨張率は、電子部品２の厚みおよび熱膨張率と同様に測定される。

なお、本実施形態の積層配線基板３は、一般的なビルドアップ基板に用いられるコア基板を有さない配線基板、すなわちコアレス基板である。

（積層体）
積層体８は、積層配線基板３の主要部をなすものであり、前述した通り複数の樹脂層６と複数の無機絶縁層７とが積層されてなる。具体的には、この積層体８は複数の樹脂層６と複数の無機絶縁層７とが一層ずつ交互に積層されてなるとともに、積層体８の最上層および最下層には樹脂層６が配置されている。なお、以下、積層配線基板３の各構成要件の配置について、「上」とは厚み方向において電子部品２側を指し、「下」とは厚み方向において外部回路基板４側を指す。

（樹脂層）
樹脂層６は、無機絶縁層７とともに複数の配線層９同士および複数のビア導体１０同士の絶縁を確保するものである。この樹脂層６は、第１樹脂部１１と第１樹脂部１１の中に分散された第１フィラー粒子１２とを含んでいる。また、積層体８に含まれた複数の樹脂層６は、複数の樹脂層６のうち最上層に配置されているとともに積層体８の最上層に配置された第１樹脂層６Ａと、複数の樹脂層６のうち最下層に配置されているとともに積層体８の最下層に配置された第２樹脂層６Ｂと、複数の樹脂層６のうち厚み方向において第１樹脂層６Ａと第２樹脂層６Ｂとの間に配置された複数の第３樹脂層６Ｃとを具備する。なお、後述するように、第２樹脂層６Ｂには第２バンプ５Ｂと接続する配線層９（第２パッド９ｙ）を露出するための第１貫通孔Ｖ１が形成されている。

樹脂層６の厚みは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。また、樹脂層６のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定されている。また、樹脂層６の平面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、樹脂層６における第１樹脂部１１の含有割合は、３５体積％以上９０体積％以下に設定されている。また、樹脂層６における第１フィラー粒子１２の含有割合は、１０体積％以上６５体積％以下に設定されている。なお、樹脂層６の厚みは、電子部品２と同様に測定される。また、樹脂層６のヤング率は、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。また、樹脂層６における第１樹脂部１１の含有割合および樹脂層６における第１フィラー粒子１２の含有割合は、樹脂層６の厚み方向に沿った断面について、ＳＥＭによる撮影画像から画像解析装置などを用いてそれぞれの面積比率（面積％）を測定し、この測定値を体積比率（体積％）とみなすことで求められる。

（第１樹脂部）
第１樹脂部１１は、樹脂層６の主要部をなすものである。この第１樹脂部１１は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはシアネート樹脂などの樹脂材料からなる。

（第１フィラー粒子）
第１フィラー粒子１２は、樹脂層６の熱膨張率を低減するとともに樹脂層６のヤング率を向上させるものである。この第１フィラー粒子１２は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウムまたは水酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。また、第１フィラー粒子１２は、樹脂層６の難燃性を向上させるために、無機絶縁材料からなる粒子に加えてリンなどを含んだ有機材料からなる粒子をさらに含んでもよい。

第１フィラー粒子１２の粒径は、例えば０．３μｍ以上５μｍ以下に設定されている。なお、第１フィラー粒子１２の粒径は、樹脂層６の厚み方向に沿った断面について、ＳＥＭまたは透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて２０個以上５０個以下の第１無機絶縁粒子を含むように拡大した断面を観察し、この拡大した断面において各粒子の最大径を測定し、その最大径の平均値を算出することによって求められる。

（無機絶縁層）
無機絶縁層７は、積層体８の熱膨張率を低減するとともに積層体８のヤング率を向上させるものである。この無機絶縁層７は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子１３と、互いの一部で複数の第１無機絶縁粒子１３と接続し、かつ第１無機絶縁粒子１３よりも粒径が大きい複数の第２無機絶縁粒子１４とを含んでいる。そして、無機絶縁層７には、複数の第１無機絶縁粒子１３同士および複数の第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４とに囲まれてなる間隙Ｇが形成されており、この間隙Ｇには、樹脂層６の一部が入り込んでいる。

具体的には、図３に示したように、複数の第１無機絶縁粒子１３同士が互いの一部で接続しているとともに、複数の第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４とが互いの一部で接続しており、複数の第１無機絶縁粒子１３が複数の第２無機絶縁粒子１４同士の間に配置されている。そして、無機絶縁層７の間隙Ｇは、複数の第１無機絶縁粒子１３同士に囲まれた間隙Ｇ１と、複数の第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４に囲まれた間隙Ｇ２とを具備しており、間隙Ｇ１および間隙Ｇ２それぞれには、樹脂層６に含まれた第１樹脂部１１の一部が入り込んでいる。

また、積層体８に含まれた複数の無機絶縁層７は、複数の無機絶縁層７のうち最上層に
配置された第１無機絶縁層７Ａと、複数の無機絶縁層７のうち最下層に配置された第２無機絶縁層７Ｂと、複数の無機絶縁層７のうち厚み方向において第１無機絶縁層７Ａと第２無機絶縁層７Ｂとの間に配置された第３無機絶縁層７Ｃとを具備している。

無機絶縁層７の厚みは、例えば３μｍ以上２５μｍ以下に設定されている。また、無機絶縁層７の平面方向への熱膨張率は、例えば０．６ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、無機絶縁層７のヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下に設定されている。また、無機絶縁層７における、第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４とを含めた体積比率（体積％）は、例えば６２体積％以上７５体積％以下に設定されており、そのうち第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４における第１無機絶縁粒子１３の含有割合は、２０体積％以上９０体積％以下に設定されており、第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４における第２無機絶縁粒子１４の含有割合は、１０体積％以上８０体積％以下に設定されている。また、厚み方向に沿った断面視において、無機絶縁層７の間隙Ｇの幅は、例えば１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されている。

なお、無機絶縁層７の厚み、熱膨張率およびヤング率は、樹脂層６と同様に測定される。また、無機絶縁層７の厚み、熱膨張率およびヤング率は、無機絶縁層７の間隙Ｇ内に樹脂層６の一部が入り込んだ状態での測定値である。また、厚み方向に沿った断面視において、無機絶縁層７の間隙Ｇの幅は、無機絶縁層７の厚み方向に沿った断面について、ＳＥＭまたはＴＥＭを用いて、２０箇所以上５０箇所以下の間隙Ｇを含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各間隙Ｇの最大径の平均値を間隙Ｇの幅とみなすことで求められる。

（第１無機絶縁粒子）
第１無機絶縁粒子１３は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。第１無機絶縁粒子１３の粒径は、例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されている。なお、第１無機絶縁粒子１３の粒径は、第１フィラー粒子１２の粒径と同様に測定される。

（第２無機絶縁粒子）
第２無機絶縁粒子１４は、例えば第１無機絶縁粒子１３と同様の材料からなる。また、第２無機絶縁粒子１４の粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。なお、第２無機絶縁粒子１４は、第１フィラー粒子１２の粒径と同様に測定される。

（配線層）
配線層９は、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものであり、１層の配線層９は、積層体８の上下面または積層体８の層間のいずれかの１層に配置された配線の全てを含んでいる。この配線層９は、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの金属材料からなり、中でも、銅からなることが望ましい。

また、積層配線基板３に含まれた複数の配線層９は、複数の配線層９のうち最上層に配置された第１配線層９Ａと、複数の配線層９のうち最下層に配置されているとともに第１配線層９Ａよりも平面（ＸＹ平面）視における面積が大きい第２配線層９Ｂと、複数の配線層９のうち厚み方向において第１配線層９Ａと第２配線層９Ｂとの間に配置された複数の第３配線層９Ｃとを具備している。

第１配線層９Ａは、積層体８の上面すなわち第１樹脂層６Ａの上面に配置されており、外部接続用の複数の第１パッド９ｘからなる。第１パッド９ｘの上面は、積層配線基板３の上面で露出しており、第１バンプ５Ａを介して電子部品２に接続される。

第２配線層９Ｂは、第２無機絶縁層７Ｂと第２樹脂層６Ｂとの間に配置されており、外部接続用の複数の第２パッド９ｙからなる。第２樹脂層６Ｂには、厚み方向に貫通して第２パッド９ｙの下面の少なくとも一部を露出する第１貫通孔Ｖ１が形成されており、第２パッド９ｙの下面は、第２バンプ５Ｂを介して外部回路基板４に接続される。

第３配線層９Ｃは、第１無機絶縁層７Ａまたは第３無機絶縁層７Ｃと第３樹脂層６Ｃとの間に配置されており、電気信号用配線である第１導電部９ｚと接地用配線または電力用配線である第２導電部９ｗとからなる。

なお、本実施形態において、第１配線層９Ａは、複数の第１パッド９ｘのみからなるが、第１配線層９Ａは、複数の第１パッド９ｘに加えて、電気信号用配線である第１導電部９ｚまたは接地用配線または電力用配線である第２導電部９ｗを含んでいても構わない。また、第２配線層９Ｂは、複数の第２パッド９ｙのみからなるが、第２配線層９Ｂは、複数の第２パッド９ｙに加えて、電気信号用配線である第１導電部９ｚまたは接地用配線または電力用配線である第２導電部９ｗを含んでいても構わない。

配線層９の厚みは、例えば１．５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。また、配線層９の平面方向への熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、配線層９のヤング率は、例えば５０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に設定されている。なお、配線層９の厚み、ヤング率および熱膨張率は、絶縁層６と同様に測定される。また、配線層９の平面視における面積の大小は、積層配線基板３の上面および下面を研摩することによって第１配線層９Ａの上面および第２配線層９Ｂの下面を露出させた後、その上面および下面について光学顕微鏡またはＳＥＭによる撮影画像から画像解析装置などを用いてそれぞれの面積を測定することによって判断される。

（ビア導体）
ビア導体１０は、厚み方向に離れて配置された一対の配線層９同士を電気的に接続するものである。このビア導体１０は、厚み方向に、樹脂層６および無機絶縁層７を貫通して形成されており、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。また、厚み方向に沿った断面視において、ビア導体１０の幅は、下側から上側に向かって小さくなっている。また、ビア導体１０は、第１パッド９ｘの下面に接続した第１ビア導体１０Ａと、第２パッド９ｙの上面に接続した第２ビア導体１０Ｂとを具備している。

ここで、本実施形態において、積層体８は、無機絶縁材料からなる第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４を含んだ無機絶縁層７を含んでいる。その結果、無機絶縁材料は樹脂材料よりも熱膨張率が小さいため、積層体８が樹脂層６のみからなる場合と比較して、積層体８の熱膨張率を低減することができ、積層配線基板３と電子部品２との熱膨張率の差を小さくすることができる。したがって、例えば、電子部品２の実装時や電子部品２の作動時に積層配線基板３に熱が加わった際に、電子部品２と積層配線基板３との熱膨張量の違いに起因した積層配線基板３の反りを低減することができ、ひいては積層配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。

また、積層体８の最上層および最下層には樹脂層６が配置されている。ここで、例えば実装構造体１に熱が加わった際には、積層配線基板３の上面には熱膨張率が小さい電子部品２が実装されているため、積層体８の上側の領域の熱膨張は拘束される一方で積層体８の下側の領域は大きく熱膨張しようとすることから、積層体８の表面に加わる応力が大きくなりやすい。これに対して、本実施形態においては、無機絶縁層７と比較してヤング率が小さく変形しやすい樹脂層６を積層体８の表面に配置していることから、積層体８の最上層および最下層に無機絶縁層７が配置されている場合と比較して、積層体８の表面にお
けるクラックの発生を低減することができ、ひいては積層配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。

ところで、例えば、図４および図５に示したように、電子部品２に接続される第１パッド９ｘを高密度化するために、各第１パッド９ｘの面積を各第２パッド９ｙの面積よりも小さくする場合などに、第２配線層９Ｂの平面視における面積が第１配線層９Ａの平面視における面積よりも大きくなることがある。この場合は、例えば電子部品２の実装時に積層配線基板３に熱が加わった際に、積層配線基板３の下面側の（第２配線層９Ｂ側）の領域の熱膨張量が積層配線基板３の上面側（第１配線層９Ａ側）の領域の熱膨張量よりも大きくなりやすく、積層配線基板３が反りやすい。

一方、本実施形態の積層配線基板３においては、積層体８の厚み方向の中心から第２配線層９Ｂまでの距離が、積層体８の厚み方向の中心から第１配線層９Ａまでの距離よりも小さい。その結果、熱膨張量の大きい第２配線層９Ｂにおいては、積層配線基板３の反りに対する影響を小さくしつつ、熱膨張量の小さい第１配線層９Ａにおいては、積層配線基板３の反りに対する影響を大きくすることができるため、電子部品２の実装時の加熱に起因した積層配線基板３の反りを低減することができる。したがって、電子部品２の実装時における積層配線基板３の平坦性を向上することができ、ひいては電子部品２の積層配線基板３との接続信頼性を向上させることができる。

なお、積層体８の厚み方向の中心から第１配線層９Ａまでの距離とは、第１配線層９Ａの下面と垂直に交わるとともに積層体８の中心を通る垂線における、積層体８の中心から第１配線層９Ａの下面までの長さ（Ｌ１）を指す。また、積層体８の厚み方向の中心から第２配線層９Ｂまでの距離とは、第２配線層９Ｂの上面と垂直に交わるとともに積層体８の中心を通る垂線における、積層体８の中心から第２配線層９Ｂの上面までの長さ（Ｌ２）を指す。

また、厚み方向に沿った断面視において、第１ビア導体１０Ａの幅は下側から上側に向かって小さくなっている。その結果、第１ビア導体１０Ａの上面に配置された第１パッド９ｘの平面視における面積を小さくすることができ、複数の第１パッド９ｘを高密度に配置することができ、ひいては積層配線基板３を小型化することができる。

また、厚み方向に沿った断面視において、第１ビア導体１０Ａの幅は下側から上側に向かって小さくなっているとともに、第１配線層９Ａと第１ビア導体１０Ａとの接続部の周囲には第１樹脂層６Ａが配置されている。すなわち、厚み方向に沿った断面視において、第１配線層９Ａの下面と第１ビア導体１０Ａの側面とが鋭角に交わって形成された第１角部Ｃ１には樹脂層６が入り込んでいる。その結果、第１角部Ｃ１に無機絶縁層７が入り込んでいる場合と比較して、樹脂層６は無機絶縁層７よりもヤング率が小さく柔らかいことから、第１ビア導体１０Ａが平面方向へ熱膨張した際に、第１角部Ｃ１に応力が集中して第１配線層９Ａと第１ビア導体１０Ａとが剥離することを低減できる。

また、図２に示したように、第１樹脂層６Ａにおける第１フィラー粒子１２の含有割合は、上側から下側に向かって大きくなっている。すなわち、第１樹脂層６Ａにおける第１フィラー粒子１２の含有割合は、第１配線層９Ａ側よりも第１無機絶縁層７Ａ側の方が大きい。その結果、第１樹脂層６Ａの熱膨張率と第１配線層９Ａおよび第１無機絶縁層７Ａの熱膨張率それぞれとの差が小さくなり、第１樹脂層６Ａと第１配線層９Ａとの剥離を低減できるとともに、第１樹脂層６Ａと第１無機絶縁層７Ａとの剥離を低減することができる。

また、図１に示したように、第２樹脂層６Ｂは、第２樹脂層６Ｂの上面に配置された第
２パッド９ｙが露出した第１貫通孔Ｖ１が形成されている。その結果、実装構造体１と外部回路基板４とを接続するために第２バンプ５Ｂを溶融した際に、第２樹脂層６Ｂに形成された第１貫通孔Ｖ１の内壁が第２バンプ５Ｂの流動を抑制するため、平面方向において隣り合う複数の第２パッド９ｙ同士の電気的な短絡が抑制される。

また、厚み方向に沿った断面視において、第２ビア導体１０Ｂの幅は上側から下側に向かって大きくなっているとともに、第２配線層９Ｂと第２ビア導体１０Ｂとの接続部の周囲には第２無機絶縁層７Ｂが配置されている。すわなち、厚み方向に沿った断面視において、第２配線層９Ｂの上面と第２ビア導体１０Ｂの側面とが鈍角に交わって形成された第２角部Ｃ２には第２無機絶縁層７Ｂが入り込んでいる。その結果、無機絶縁層７は樹脂層６よりもヤング率が大きいため、第２ビア導体１０Ｂが平面方向へ熱膨張した際に、第２角部Ｃ２に応力が集中しやすいが、第２角部Ｃ２は鈍角であるため、第２角部Ｃ２が鋭角である場合と比較して、応力の集中を低減することができ、第２配線層９Ｂと第２ビア導体１０Ｂとの剥離を低減することができる。

また、積層体８は、積層体８の最上層および最下層に樹脂層６が配置されているとともに、複数の樹脂層６と複数の無機絶縁層７とが１層ずつ交互に配置されている。その結果、電子部品２の実装時に積層配線基板３に熱が加わった際に、積層体８の上側と下側とにおいて積層体８の平面方向への熱膨張量のばらつきを小さくできることから、積層体８の反りを低減することができ、積層配線基板３の反りを低減することができる。したがって、電子部品２の積層配線基板３への実装の信頼性を向上させることができる。

また、第１樹脂層６Ａの厚みは、第２樹脂層６Ｂの厚みよりも小さい。その結果、第１樹脂層６Ａの厚み方向への熱膨張量を低減することができるため、第１ビア導体１０Ａと第１パッド９ｘとの剥離を低減することができる。

一方、本実施形態においては、積層体８に含まれた複数の樹脂層６の一部は、それぞれの下面に配置された無機絶縁層７に入り込んでいることから、樹脂層６の熱膨張量は下側よりも上側で大きくなりやすく、積層体８の熱膨張量も上側で大きくなりやすい。そこで積層体８の最下層に配置された第２樹脂層６Ｂを厚く形成することで、積層体８における上側と下側との熱膨張のバランスをとることができ、ひいては積層配線基板３の反りを低減することができる。なお、この場合に、第２樹脂層６Ｂの厚みは、第１樹脂層６Ａの例えば１．０４倍以上１．２倍以下に設定されている。

また、第１樹脂層６Ａにおける第１フィラー粒子１２の含有割合は、第２樹脂層６Ｂにおける第１フィラー粒子１２の含有割合よりも大きい。その結果、第１樹脂層６Ａの厚み方向への熱膨張量を低減することができることから、第１ビア導体１０Ａと第１パッド９ｘとの剥離を低減することができる。なお、この場合には、第２樹脂層６Ｂにおける第１フィラー粒子１２の含有割合は、第１樹脂層６Ａにおける第１フィラー粒子１２の含有割の例えば１．０４倍以上１．２倍以下に設定されている。

また、全ての樹脂層６は、例えば、ガラス繊維または樹脂繊維などからなる基材を含まないことが望ましい。その結果、樹脂層６における基材を含むための厚みを削減できることから、積層配線基板３を薄型化することができる。

また、全ての樹脂層６は、第１樹脂部１１および第１フィラー粒子１２のみからなることが望ましい。その結果、樹脂層６における基材を含むための厚みを削減できることから、積層配線基板３を薄型化することができる。

また、樹脂層６の厚みは、無機絶縁層７の厚みよりも小さいことが望ましい。その結果
、積層体８における無機絶縁層７の割合が大きくなり、積層体８の熱膨張率を低減することができ、積層配線基板３の熱膨張率を低減することができる。

また、第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４は、酸化ケイ素からなることが望ましい。酸化ケイ素は他の無機絶縁材料と比較して誘電正接および誘電率が低いため、積層配線基板３の信号伝送特性を向上させることができる。

また、積層配線基板３内において、無機絶縁層７の厚みは、その他全ての無機絶縁層７の厚みと同一であってもよい。この場合には、複数の無機絶縁層７それぞれの熱膨張量のばらつきを小さくすることができ、積層配線基板３全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板３の反りを低減することができる。なお、ここで「同一」とは数値の差が３％以下であることを指す。また、以下の記載における「同一」も同様とする。

また、積層配線基板３内において、全ての樹脂層６の第１樹脂部１１および第１フィラー粒子１２の材料は同じであってもよい。この場合には、複数の樹脂層６それぞれの熱膨張率のばらつきを小さくすることができることから、積層配線基板３全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板３の反りを低減することができる。

（実装構造体の製造方法）
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図６から図１３に基づいて説明する。

（積層シートの作製）
（１）図６（ａ）および図６（ｂ）に示したように、第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４を含む固形分７´と、この固形分７´が分散した溶剤１５とを有する無機絶縁ゾル７ｘを準備する。無機絶縁ゾル７ｘは、例えば、固形分７´を１０体積％以上５０体積％以下含み、溶剤１５を５０％体積以上９０体積％以下含む。また、無機絶縁ゾル７ｘの固形分７´は、例えば、第１無機絶縁粒子１３を２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１４を１０体積％以上８０体積％以下含む。

第１無機絶縁粒子１３は、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることによって作製することができる。

第２無機絶縁粒子１４は、酸化ケイ素からなる場合であれば、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することによって作製することができる。

溶剤１５は、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。

（２）図７（ａ）に示したように、銅などの金属材料からなる金属箔１６を準備し、金属箔１６の一主面に無機絶縁ゾル７ｘを層状に塗布する。無機絶縁ゾル７ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。

（３）図７（ｂ）および図７（ｃ）に示したように、溶剤１５を蒸発させて無機絶縁ゾル７ｘを乾燥させ、固形分７´を残存させる。無機絶縁ゾル７ｘの乾燥は、例えば、加熱
および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば２０℃以上溶剤１５の沸点（２種類以上の溶剤１５を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤１５の沸点）未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。

（４）図８（ａ）および図８（ｂ）に示したように、固形分７´を加熱し、第１無機絶縁粒子１３同士および第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４とを互いの一部で接続させた無機絶縁層７を作製する。

ここで、本実施形態における固形分７´は、粒径が例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小な値に設定された第１無機絶縁粒子１３を含んでいる。その結果、固形分７´の加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４の結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１３同士を強固に接続させることができる。

また、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１３および第２無機絶縁粒子１４が粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１３同士および第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子１３同士および第１無機絶縁粒子１３と第２無機絶縁粒子１４とを互いの一部で接続させることができ、間隙Ｇを容易に形成することができる。

なお、固形分７´の加熱は、温度が例えば１００℃以上３００℃未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されることが望ましい。

（５）図９（ａ）および図９（ｂ）に示したように、未硬化の第１樹脂１１ｘに第１フィラー粒子１２を分散させた樹脂前駆体層６ｘを準備し、無機絶縁層７の金属箔１６と反対側の主面に樹脂前駆体層６ｘを塗布または積層する。

次いで、図９（ｃ）に示したように、金属箔１６、無機絶縁層７および樹脂前駆体層６ｘを上下方向に加熱加圧することによって、無機絶縁層７の間隙Ｇの一部に未硬化の第１樹脂１１ｘを入り込ませる。金属箔１６、無機絶縁層７および樹脂前駆体層６ｘの加熱加圧は、樹脂前駆体層６ｘの熱硬化開始温度未満で行なう。具体的には、加熱温度が例えば６０℃以上１６０℃以下に設定され、圧力が例えば０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下に設定され、加熱加圧時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定される。なお、未硬化とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。

以上のようにして、金属箔１６、無機絶縁層７および樹脂前駆体層６ｘを含む積層シート１７を作製する。なお、本工程において、樹脂前駆体層６の未硬化の第１樹脂１１ｘの一部が無機絶縁層７の空隙Ｇに充填されることから、複数の第１フィラー粒子１２の一部は、無機絶縁層７の一主面上にろ過されるように集まる。

（積層配線基板の作製）
（６）図１０（ｂ）に示したように、一主面に金属箔１６が形成された支持体１８を準備し、支持体１８の金属箔１６の一主面に樹脂層６（第１樹脂層６Ａ）および無機絶縁層７（第１無機絶縁層７Ａ）を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、図１０（ａ）に示したように、積層シート１７の樹脂前駆体層６ｘを、支持体１８の金属箔１６の一主面に接するように積層する。次いで、支持体１８および積層シート１７を厚み方向に加熱加圧して樹脂前駆体層６ｘを硬化させることによって、図１０（ｂ）に示したように、樹脂層６を形成し、樹脂層６（第１樹脂層６Ａ）を介して無機絶縁層７（第１無機絶縁層７Ａ）を金属箔１６に接着させる。

なお、支持体１８および積層シート１７の加熱加圧は、温度が未硬化の第１樹脂１１ｘの硬化開始温度以上で熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、支持体１８および積層シート１７の加熱加圧は、温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定され、圧力が例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂材料が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。

（７）図１１（ｃ）に示したように、樹脂層６（第１樹脂層６Ａ）および無機絶縁層７（第１無機絶縁層７Ａ）を厚み方向に貫通するビア導体１０（第１ビア導体１０Ａ）を形成し、無機絶縁層７の下面に配線層９（第３配線層９Ｃ）を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて積層シート１７の金属箔１６の下面にレーザー光を照射することにより、図１１（ａ）に示したように、樹脂層６（第１樹脂層６Ａ）および無機絶縁層７（第１無機絶縁層７Ａ）を貫通する貫通孔Ｖ（第２貫通孔Ｖ２）を形成し、この第２貫通孔Ｖ２内に支持体１８の金属箔１６の少なくとも一部を露出させる。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて第２貫通孔Ｖ２の内壁に導電材料を被着させることにより、図１１（ｂ）に示したように、柱状のビア導体１０（第１ビア導体１０Ａ）を形成することができる。次に、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法などを用いて積層シート１７の金属箔１６をパターニングすることにより、図１１（ｃ）に示したように、無機絶縁層７の一主面に配線層９（第３配線層９Ｃ）を形成することができる。

第２貫通孔Ｖ２は、積層シート１７の金属箔１６の一主面にレーザー光を照射することにより形成しているため、このレーザー光の照射量または照射時間を適宜調整することにより、第２貫通孔Ｖ２を積層シート１７の金属箔１６から支持体１８の金属箔１６に向かって断面積が大きくなるように形成することができる。

（８）図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示したように、（６）の工程と（７）の工程とを繰り返すことによって、第３樹脂層６Ｃ、第３無機絶縁層７Ｃおよび第３配線層９Ｃと、第３樹脂層６Ｃ、第２無機絶縁層７Ｂおよび第２配線層９Ｂとを形成する。次いで、図１２（ｄ）に示したように、第２配線層９Ｂを被覆するように単体の樹脂前駆体層６ｘを積層し、第２配線層９Ｂを被覆した単体の樹脂前駆体層６ｘを熱硬化させた後、レーザー光を照射することによって貫通孔Ｖ（第１貫通孔Ｖ１）を形成し、第２配線層９Ｂにおける第２パッド９ｙを露出させ、第２樹脂層６Ｂを形成する。また、本工程において、第２樹脂層６Ｂは、第１樹脂層６Ａのように無機絶縁層７の間隙Ｇに入り込まないことから、第１樹脂層６Ａよりも厚く形成され、また第１フィラー粒子１２の含有割合は小さくなる。

（９）図１３（ａ）に示したように、支持体１８から金属箔１６を剥離する。具体的には、例えば、支持体１８が上方に位置するように積層配線基板３を多孔質のテーブル上に載置し、真空ポンプを用いて吸引することによって積層配線基板３を固定し、支持体１８を上方に引っ張ることにより、支持体１８から金属箔１６を剥離することができる。

（１０）図１３（ｂ）に示したように、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法などを用いて支持体１８の金属箔１６をパターニングすることによって、配線層９（第１配線層９Ａ）を形成する。

以上のようにして、積層配線基板３を作製することができる。

（実装構造体の作製）
（１１）図１３（ｃ）に示したように、第１バンプ５Ａを介して積層配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することによって実装構造体１を作製することができる。

＜第２実施形態＞
（実装構造体）
次に、本発明の第２実施形態に係る積層配線基板を含む実装構造体を、図１４を参照しつつ詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略する。

第２実施形態の積層配線基板３は、第１実施形態と異なり、図１４に示したように、樹脂層６とこの樹脂層６の上側に配置された複数の無機絶縁層７との間に接着樹脂層１９が配置されている。

この接着樹脂層１９は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂などの樹脂材料からなり、樹脂層６よりもヤング率が小さく設定されている。接着樹脂層１９の厚みは、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下に設定され、樹脂層６の厚みの例えば０．１％以上１０％以下に設定され、配線層８の厚みの例えば１．５％以上５０％以下に設定されている。接着樹脂層１９のヤング率は、例えば０．０５ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、樹脂層６のヤング率の例えば０．５％以上５０％以下に設定され、配線層８のヤング率の例えば０．０４％以上４％以下に設定されている。接着樹脂層１９の平面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

また、接着樹脂層１９は、接着樹脂層１９の難燃性を向上させるために、例えば酸化ケイ素などの無機絶縁材料からなる第２フィラー粒子を含んでもよい。第２フィラー粒子は、粒径が、例えば０．０５μｍ以上０．７μｍ以下に設定されている。接着樹脂層１９における第２フィラー粒子の含有量は、例えば１体積％以上１０体積％以下に設定されている。

ここで、本実施形態において、複数の樹脂層６は、それぞれの下面に配置された無機絶縁層７にその一部が入り込んでいるとともに、それぞれの上面に配置された無機絶縁層７と接着樹脂層１９を介して接続している。その結果、複数の樹脂層６は、それらの下面に配置された無機絶縁層７にその一部が入りこむことによって、複数の樹脂層６とその下面に配置された無機絶縁層７との剥離を低減することができる。そして、複数の樹脂層６は、それらの上面に配置された無機絶縁層７との間に接着樹脂層１９を介することによって、複数の樹脂層６とそれらの上面に配置された無機絶縁層７との接着強度を向上させることができる。したがって、複数の樹脂層６と複数の無機絶縁層７との剥離を低減することができる。

（実装構造体の製造方法）
次に、上述した第２実施形態の実装構造体１の製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては説明を省略する。

上述した第１実施形態の（２）の工程と同様の工程において、金属箔１６に未硬化の第２樹脂および第２フィラー粒子を含む接着樹脂前駆体層を塗布または積層した後、接着樹脂前駆体層の金属箔１６とは反対側の主面に無機絶縁ゾル７ｘを塗布する。次いで、（５
）の工程と同様の工程において、金属箔１６、接着樹脂前駆体層、無機絶縁層７および樹脂前駆体層６ｘを含む積層シート１７を形成する。次いで、（６）の工程と同様の工程において、積層シート１７を支持体１８に積層した後、未硬化の第１樹脂１１ｘを熱硬化させて樹脂前駆体層６ｘを樹脂層６にすると同時に、未硬化の第２樹脂を熱硬化させて接着樹脂前駆体層を接着樹脂層１９とする。次いで、（７）の工程と同様の工程において、樹脂層６、無機絶縁層７および接着樹脂層１９を厚み方向に貫通するビア導体１０を形成し、接着樹脂層１９の下面に配線層９を形成する。そして、（８）の工程と同様の工程において、（６）および（７）を積層配線基板３の所望の積層数繰り返すことによって、積層配線基板３が作製される。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。

例えば、上述した本発明の実施形態は、積層体８が複数の樹脂層６と複数の無機絶縁層７とを交互に積層してなる構成を例に説明したが、例えば、第３無機絶縁層７Ｃを樹脂層６に置き換えて、第１無機絶縁層７Ａと第２無機絶縁層７Ｂとの間を全て樹脂層６で構成しても構わない。この場合は、実装構造体１の製造方法においては、（８）の工程にて第３配線層９ｃの下面に単体の樹脂前駆体層６ｘを積層すればよい。

また、上述した本発明の実施形態は、積層体８が４層の樹脂層６と３層の無機絶縁層７とを含み、これら樹脂層６と無機絶縁層７とが交互に積層された構成を例に説明したが、積層体８は、４層以上の樹脂層６と３層以上の無機絶縁層７とを含み、それらが交互に積層されていても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、第１配線層９Ａが第１樹脂層６Ａの上面に配置されている構成を例に説明したが、第１配線層９Ａを第１樹脂層６Ａと第１無機絶縁層７Ａとの間に配置して、第１配線層９Ａが具備している外部接続用の第１パッド９ｘを、第１樹脂層６Ａに貫通孔を形成することによって露出させても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、第２配線層９Ｂが第２無機絶縁層７Ｂと第２樹脂層６Ｂとの間に配置されている構成を例に説明したが、第２配線層９Ｂは第２樹脂層６Ｂの下面に配置されても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、積層体８における第１樹脂層６Ａと第２樹脂層６Ｂとの厚みが異なる構成を例に説明したが、樹脂層６の厚みは、その他全ての樹脂層６の厚みと同一でもよい。その場合には、複数の樹脂層６それぞれの熱膨張量のばらつきを小さくすることができることから、積層配線基板３全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板３の反りを低減することができる。

また、上述した本発明の実施形態は、複数の樹脂層６において、樹脂層６における第１樹脂部１１の含有割合および樹脂層６における第１フィラー粒子１２の含有割合が異なる構成を例に説明したが、樹脂層６における第１樹脂部１１の含有割合および樹脂層６における第１フィラー粒子１２の含有割合は、全ての樹脂層６において同一でもよい。その結果、複数の樹脂層６それぞれの熱膨張率のばらつきを小さくすることができることから、積層配線基板３全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板３の反りを低減することができる。

また、上述した本発明の実施形態は、（２）の工程において無機絶縁ゾル７ｘを金属箔１６の一主面に塗布しているが、無機絶縁ゾル７ｘの塗布は、例えば、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料からなる支持
シートの一主面に塗布してもよい。この場合には、配線層９の形成の前に、機械的に支持シートを剥離すればよい。

また、上述した本発明の実施形態は、（３）の工程において溶剤１５を蒸発させた後に固形分７´を加熱する構成を例に説明したが、溶剤１５の蒸発と固形分７´の加熱とを同時に行なっても構わない。

１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 積層配線基板
４ 外部回路基板
５Ａ 第１バンプ
５Ｂ 第２バンプ
６ 樹脂層
６Ａ 第１樹脂層
６Ｂ 第２樹脂層
６Ｃ 第３樹脂層
６ｘ 樹脂前駆体層
７ 無機絶縁層
７´ 固形分
７Ａ 第１無機絶縁層
７Ｂ 第２無機絶縁層
７Ｃ 第３無機絶縁層
７ｘ 無機絶縁ゾル
８ 積層体
９ 配線層
９Ａ 第１配線層
９Ｂ 第２配線層
９Ｃ 第３配線層
９ｘ 第１パッド
９ｙ 第２パッド
９ｚ 第１導電部
９ｗ 第２導電部
１０ ビア導体
１０Ａ 第１ビア導体
１０Ｂ 第２ビア導体
１１ 第１樹脂部
１１ｘ 未硬化の第１樹脂
１２ 第１フィラー粒子
１３ 第１無機絶縁粒子
１４ 第２無機絶縁粒子
１５ 溶剤
１６ 金属箔
１７ 積層シート
１８ 支持体
１９ 接着樹脂層
Ｃ１ 第１角部
Ｃ２ 第２角部
Ｇ 間隙
Ｇ１ 第１間隙
Ｇ２ 第２間隙
Ｖ１ 第１貫通孔
Ｖ２ 第２貫通孔

Claims (9)

1. 複数の樹脂層および複数の無機絶縁層が最上層および最下層に前記樹脂層を配置して積層されてなる積層体と、最上層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第１配線層と、最下層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第２配線層とを具備し、
   前記第１配線層は、前記樹脂層の上面に配置されるかまたは前記樹脂層の下面に貫通孔を塞ぐように配置されて上面が露出した外部接続用の第１パッドを含み、
   前記第２配線層は、前記樹脂層の下面に配置されるかまたは前記樹脂層の上面に貫通孔を塞ぐように配置されて下面が露出した外部接続用の第２パッドを含むことを特徴とする積層配線基板。
2. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   前記積層体の厚み方向の中心から前記第２配線層までの距離が、前記積層体の厚み方向の中心から前記第１配線層までの距離よりも小さく、
   前記第２配線層の面積が、前記第１配線層の面積よりも大きいことを特徴とする積層配線基板。
3. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   前記第１配線層は、前記樹脂層の上面に配置されており、
   前記第２配線層は、前記樹脂層の上面に配置されていることを特徴とする積層配線基板。
4. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   前記積層体は、前記複数の樹脂層および前記複数の無機絶縁層が交互に配置されていることを特徴とする積層配線基板。
5. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   前記複数の無機絶縁層は、最上層の前記樹脂層の直下に配置された第１無機絶縁層を含み、
   最上層の前記樹脂層の上面に前記第１配線層が配置されており、
   前記複数の樹脂層は、樹脂部の中に複数のフィラー粒子を含んでおり、
   最上層の前記樹脂層における前記フィラー粒子の含有割合が、上側から下側に向かって大きくなっていることを特徴とする積層配線基板。
6. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   最上層の前記樹脂層の厚みは、最下層の前記樹脂層の厚みよりも小さいことを特徴とする積層配線基板。
7. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   前記複数の樹脂層は、樹脂部中に複数のフィラー粒子を含んでおり、
   最上層の前記樹脂層における前記フィラー粒子の含有割合が、最下層の前記樹脂層における前記フィラー粒子の含有割合よりも大きいことを特徴とする積層配線基板。
8. 請求項１に記載の積層配線基板において、
   前記無機絶縁層は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子と、互いの一部で該複数の第１無機絶縁粒子と接続し、かつ前記第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きい複数の第２無機絶縁粒子とを含むとともに、前記複数の第１無機絶縁粒子同士および前記複数の第１無機絶縁粒子と前記第２無機絶縁粒子とに囲まれてなる間隙が形成されており、
   該間隙には、前記樹脂層の一部が入り込んでいることを特徴とする積層配線基板。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の積層配線基板と、該積層配線基板の上面に実装さ
   れて前記第１パッドに電気的に接続された電子部品とを備える実装構造体。

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