JP2014069994A - タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014069994A JP2014069994A JP2012217495A JP2012217495A JP2014069994A JP 2014069994 A JP2014069994 A JP 2014069994A JP 2012217495 A JP2012217495 A JP 2012217495A JP 2012217495 A JP2012217495 A JP 2012217495A JP 2014069994 A JP2014069994 A JP 2014069994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- single crystal
- crystal
- mol
- lithium tantalate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化タンタルが50.0mol%、酸化リチウムが39.8〜41.8mol%、添加物としての酸化マグネシウムが8.2〜10.2mol%の組成となるように調整した融液を用いて結晶を育成する。
【選択図】図3
Description
1.タンタル酸リチウム単結晶の製造方法
1−1.cs−MgO:LTの決定
1−2.cs−MgO:LTの製造方法
2.タンタル酸リチウム単結晶(cs−MgO:LT)
2−1.コングルエント組成に基づく組成均一性
2−2.ストイキオメトリー組成に基づく優れた光学特性
3.実施例
本実施の形態に係るタンタル酸リチウム単結晶の製造方法は、酸化タンタルが50.0mol%、酸化リチウムが39.8〜41.8mol%、添加物としての酸化マグネシウムが8.2〜10.2mol%の組成となるように調整した融液を用いて結晶を育成することを特徴とする。
[MgO添加による拡張化学量論組成]
酸化物は、酸素や陽イオンや欠陥が位置する複数のサイトからなる。ここで、図2(a)及び(b)に、ストイキオメトリー組成のタンタル酸リチウム単結晶(以下、「s−LT」とする。)と、コングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶(以下、「c−LT」とする。)における、Li、Ta、Oの元素の各サイトへの配置状態を模式的に表した図を示す。
ところで、例えば図5(a)に示すように、結晶成長に伴って融液中に存在するイオン種が融液界面に偏在すると、界面電位(以下、「結晶化起電力」という。)が発生する(図5(b))。この結晶化起電力は、イオン種の活量を反映しており、その大きさは融液の組成に依存するが、特に、この結晶化起電力がゼロ(0)となる組成では、すべての化学種が偏在せずにスムースに固相に取り込まれ、これらの平衡分配係数は1となる。そして、この組成がコングルエント組成となる。
次に、具体的な結晶育成方法について説明する。
次に、上述した製造方法により得られるタンタル酸リチウム単結晶について説明する。
このcs−MgO:LTは、コングルエント組成であるという観点から、融液中に存在しているすべての物質が結晶内にスムースに取り込まれて製造されたものであり、組成むら(組成揺らぎ)がなく極めて均一な組成を有している。このような均質な単結晶によれば、例えば波長変換特性等の特性を、変動なく安定的に発現させることができる。
また、本実施の形態に係るcs−MgO:LTでは、上述のようにコングルエント組成であるとともに、ストイキオメトリー組成を有していることから、波長変換特性等の光特性が極めて優れている。
以下に、本発明について実施例を用いてより詳しく説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
Li2O、Ta2O5、及び添加物としてのMgOの3成分系において、Ta2O5は50mol%で固定し、Li2O及びMgOの組成を変化させて、示差熱分析(DTA)による融点測定を行った。その結果、MgO:9.2mol%、Li2O:40.8mol%、Ta2O5:50mol%組成において最高融点を示すことが分かった。
坩堝内に残った原料に、育成結晶分の原料を追加チャージして、2run目の結晶育成を行った。このようにして得られた単結晶の融点、キュリー温度は、1run目の結晶と同一の値を示した。
Claims (4)
- 酸化タンタルが50.0mol%、酸化リチウムが39.8〜41.8mol%、添加物としての酸化マグネシウムが8.2〜10.2mol%の組成となるように調整した融液を用いて結晶を育成することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法により結晶を育成することを特徴とする請求項1記載のタンタル酸リチウム単結晶の製造方法。
- 上記請求項1に記載の製造方法により製造されるタンタル酸リチウム単結晶であって、
酸化タンタル50.0mol%と、酸化リチウム39.8〜41.8mol%と、酸化マグネシウム8.2〜10.2mol%の組成で構成されてなることを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶。 - 結晶全体に亘るキュリー温度の温度差が0.1℃以下であることを特徴とする請求項3記載のタンタル酸リチウム単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012217495A JP5984058B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012217495A JP5984058B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014069994A true JP2014069994A (ja) | 2014-04-21 |
| JP5984058B2 JP5984058B2 (ja) | 2016-09-06 |
Family
ID=50745546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012217495A Active JP5984058B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5984058B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017051747A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス |
| JP2017065951A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
| JP2021155246A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000199881A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Laser Atom Separation Eng Res Assoc Of Japan | レ―ザ装置の電気光学結晶及びその製造方法 |
| WO2007013513A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 波長変換素子、レーザ光源装置、2次元画像表示装置及びレーザ加工装置 |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012217495A patent/JP5984058B2/ja active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000199881A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Laser Atom Separation Eng Res Assoc Of Japan | レ―ザ装置の電気光学結晶及びその製造方法 |
| WO2007013513A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 波長変換素子、レーザ光源装置、2次元画像表示装置及びレーザ加工装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017051747A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス |
| JPWO2017051747A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2018-06-14 | 信越化学工業株式会社 | 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス |
| US11057014B2 (en) | 2015-09-26 | 2021-07-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Bonded substrate and a manufacturing method thereof, and a surface acoustic wave device using the said bonded substrate |
| JP2017065951A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
| JP2021155246A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5984058B2 (ja) | 2016-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lukasiewicz et al. | Strontium–barium niobate single crystals, growth and ferroelectric properties | |
| Perry et al. | Systematic approach to the growth of high-quality single crystals of Sr3Ru2O7 | |
| Bartasyte et al. | Growth of LiNb1− xTaxO3 solid solution crystals | |
| JP5984058B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶 | |
| JP2015000834A (ja) | ガーネット型単結晶とその製造方法 | |
| Zhang et al. | Flux growth and characterization of a new oxyborate crystal Na3La9O3 (BO3) 8 | |
| JP6547360B2 (ja) | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(SGGG)単結晶の育成方法およびSGGG単結晶基板の製造方法 | |
| CN103882524A (zh) | 一种离子掺杂型电光晶体材料的制备与应用 | |
| Gopalan et al. | Crystal growth, characterization, and domain studies in lithium niobate and lithium tantalate ferroelectrics | |
| Takeda et al. | Effect of starting melt composition on crystal growth of La3Ga5SiO14 | |
| JP2011190138A (ja) | 電気磁気効果単結晶の製造方法 | |
| Yue et al. | Flux growth of BaAlBO3F2 crystals | |
| JP6436073B2 (ja) | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶の育成方法 | |
| Wu et al. | Bridgman growth of large-aperture yttrium calcium oxyborate crystal | |
| Goutaudier et al. | LHPG and flux growth of various Nd: YVO4 single crystals: a comparative characterization | |
| Velazquez et al. | Crystal growth and characterization of the CMR compound La1. 2 (Sr, Ca) 1.8 Mn2O7 | |
| Nishio et al. | Large single crystals of Ba1− xKxBiO3 grown by electrochemical technique | |
| Bridenbaugh | Factors affecting the growth of LiNbO3 useful for nonlinear optical applications | |
| O'Kane et al. | Crystal Growth and Ferroelectric Properties of Single Crystals from the Ternary Systems of KNbO3‐NaNbO3‐BaNb2 O 6 and RbNbO3‐NaNbO3‐BaNb2 O 8 | |
| JP4877324B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| CN111379014A (zh) | 一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法 | |
| CN208776874U (zh) | 一种近化学计量比铌酸锂晶体生长用的坩埚 | |
| CN1216185C (zh) | 坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法 | |
| JP2017019681A (ja) | 圧電材料、その製造方法、圧電素子および燃焼圧センサ | |
| Prabhakaran | Crystal Growth of Pyrochlore Compounds |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150410 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150410 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160318 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160628 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160721 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5984058 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |