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JP2014059246A - Radiation detector and method for manufacturing the same - Google Patents

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JP2014059246A
JP2014059246A JP2012205168A JP2012205168A JP2014059246A JP 2014059246 A JP2014059246 A JP 2014059246A JP 2012205168 A JP2012205168 A JP 2012205168A JP 2012205168 A JP2012205168 A JP 2012205168A JP 2014059246 A JP2014059246 A JP 2014059246A
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JP
Japan
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array substrate
adhesive
scintillator layer
effective pixel
moisture
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Pending
Application number
JP2012205168A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Shinba
勇一 榛葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】アレイ基板に防湿体を接着する構造を持つ放射線検出器の接着品位を高める。
【解決手段】放射線検出器は、ガラス基板上の有効画素領域に二次元配列された光電変換素子と、有効画素領域の外側のタブパッドと、タブパッドまで延びる複数の配線29と、配線を保護する保護膜とが設けられたアレイ基板と、アレイ基板の有効画素領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、シンチレータ層を覆う金属の成形体であってアレイ基板のシンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体と、接着面と前記アレイ基板との間に介在して接着面とアレイ基板を接着させる紫外線硬化性の接着剤層と、を具備する。接着剤層で覆われる部分での配線29の幅の隣り合う配線29の間の幅に対する比は、1以下である。
【選択図】図10
An object of the present invention is to improve the bonding quality of a radiation detector having a structure in which a moisture-proof body is bonded to an array substrate.
A radiation detector includes a photoelectric conversion element two-dimensionally arranged in an effective pixel region on a glass substrate, a tab pad outside the effective pixel region, a plurality of wirings 29 extending to the tab pad, and protection for protecting the wirings. An array substrate provided with a film, a scintillator layer that covers the effective pixel area of the array substrate and converts radiation into fluorescence, and a metal molded body that covers the scintillator layer and faces a portion surrounding the scintillator layer of the array substrate A moisture-proof body having an adhesive surface; and an ultraviolet curable adhesive layer that is interposed between the adhesive surface and the array substrate and adheres the adhesive surface to the array substrate. The ratio of the width of the wiring 29 in the portion covered with the adhesive layer to the width between the adjacent wirings 29 is 1 or less.
[Selection] Figure 10

Description

実施形態は、概して、放射線検出器およびその製造方法に関する。   Embodiments generally relate to radiation detectors and methods of manufacturing the same.

新世代のX線診断用検出器として、アクティブマトリクスを用いた平面型のX線検出器が開発されている。このX線検出器は、照射されたX線を検出してX線撮影像あるいはリアルタイムのX線画像がデジタル信号として出力される。このX線検出器では、X線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換させ、この蛍光をアモルファスシリコン(a−Si)フォトダイオードあるいはCCD(Charge Coupled Device)などの光電変換素子で信号電荷に変換することで画像を取得している。   A planar X-ray detector using an active matrix has been developed as a new generation X-ray diagnostic detector. This X-ray detector detects the irradiated X-rays and outputs an X-ray image or a real-time X-ray image as a digital signal. In this X-ray detector, X-rays are converted into visible light, that is, fluorescence by a scintillator layer, and this fluorescence is converted into signal charges by a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or CCD (Charge Coupled Device). By acquiring the image.

シンチレータ層の材料としては、一般的にヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、あるいは酸硫化ガドリニウム(GdS)などが用いられる。シンチレータ層は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータの材料としては、上述の通り種々のものがあり、用途や必要な特性によって使い分けられる。 As a material of the scintillator layer, cesium iodide (CsI): sodium (Na), cesium iodide (CsI): thallium (Tl), sodium iodide (NaI), or gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2) S) or the like is used. The scintillator layer can improve resolution characteristics by forming grooves by dicing or the like, or by depositing by a vapor deposition method so that a columnar structure is formed. There are various scintillator materials as described above, and they are properly used depending on the application and necessary characteristics.

蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するため、シンチレータ層の上部に反射膜を形成する場合がある。この場合、シンチレータ層で発光した蛍光のうち光電変換素子側に対して反対側に向かう蛍光を反射膜で反射させて、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させる。   In order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics, a reflective film may be formed on the scintillator layer. In this case, of the fluorescence emitted from the scintillator layer, the fluorescence directed to the opposite side with respect to the photoelectric conversion element side is reflected by the reflection film, and the fluorescence reaching the photoelectric conversion element side is increased.

反射膜は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属層をシンチレータ層上に成膜する方法や、TiO2などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜を塗布形成する方法などで形成される。また、反射膜をシンチレータ層上に形成するのではなく、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ層に密着させてシンチレータ光を反射させる方式も実用化されている。   The reflective film is formed by coating a metal layer with high fluorescence reflectance such as silver alloy or aluminum on the scintillator layer, or by applying a light-scattering reflective film made of a light-scattering substance such as TiO2 and a binder resin. It is formed by the method to do. In addition, a method of reflecting scintillator light by bringing a reflecting plate having a metal surface such as aluminum into close contact with the scintillator layer instead of forming a reflective film on the scintillator layer has been put into practical use.

シンチレータ層や反射膜あるいは反射板などを外部雰囲気から保護して湿気などによる特性の劣化を抑えるための防湿構造は、検出器を実用的な製品とする上で重要な構成要素となる。特に湿気による劣化の大きい材料であるCsI:Tl膜やCsI:Na膜をシンチレータ層とする場合には高い防湿性能が要求される。防湿構造としては、たとえばアルミニウム箔などの防湿層を周辺部で基板と接着封止して防湿性能を保つ構造や、アルミニウム箔や薄板などの防湿層と基板とを周囲のリング状構造物を介して接着封止する構造などがある。   A moisture-proof structure for protecting a scintillator layer, a reflection film, a reflection plate, and the like from an external atmosphere to suppress deterioration of characteristics due to moisture and the like is an important component for making a detector a practical product. In particular, when a CsI: Tl film or a CsI: Na film, which is a material that is greatly deteriorated by moisture, is used as a scintillator layer, high moisture-proof performance is required. As a moisture-proof structure, for example, a moisture-proof layer such as aluminum foil is adhered and sealed to the substrate at the periphery to maintain moisture-proof performance, or a moisture-proof layer such as aluminum foil or thin plate and the substrate are connected via a surrounding ring-shaped structure. There are structures that are adhesively sealed.

特開2009−128023号JP 2009-128023 A 特開平5−242841号公報JP-A-5-242841

しかし、アレイ基板裏面から紫外線を照射して、ハット状防湿層を紫外線硬化型接着剤で接着封止する場合、アレイ基板引き出し部の金属配線で紫外線が遮断されてしまうため、接着剤の硬化反応が進行せず、接着不良および接着力低下による防湿信頼性の低下を引き起こす可能性がある。   However, when ultraviolet rays are irradiated from the back of the array substrate and the hat-shaped moisture-proof layer is adhesively sealed with an ultraviolet curable adhesive, the ultraviolet rays are blocked by the metal wiring of the array substrate lead-out portion, so the adhesive curing reaction Does not proceed, and there is a possibility of causing deterioration in moisture-proof reliability due to poor adhesion and reduced adhesive strength.

そこで、実施形態は、アレイ基板に防湿体を接着する構造を持つ放射線検出器の接着品位を高めることを目的とする。   In view of this, an object of the embodiment is to improve the bonding quality of a radiation detector having a structure in which a moisture-proof body is bonded to an array substrate.

上述の目的を達成するため、実施形態による放射線検出器は、紫外線透過性の基板と、その基板上の有効画素領域に二次元配列された光電変換素子と、前記有効画素領域の外側のタブパッドと、前記有効画素領域から前記タブパッドまで延びる複数の配線と、前記配線を保護する保護膜とが設けられたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有効画素領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆う金属の成形体であって前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体と、前記接着面と前記アレイ基板との間に介在して前記接着面と前記アレイ基板を接着させる紫外線硬化性の接着剤層と、を具備し、前記接着剤層で覆われる部分での前記配線の幅の隣り合う前記配線の間の幅に対する比が1以下であることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a radiation detector according to an embodiment includes an ultraviolet transmissive substrate, photoelectric conversion elements that are two-dimensionally arranged in an effective pixel region on the substrate, and a tab pad outside the effective pixel region. An array substrate provided with a plurality of wirings extending from the effective pixel region to the tab pad, and a protective film for protecting the wirings; a scintillator layer that covers the effective pixel region of the array substrate and converts radiation into fluorescence; A moisture-proof body comprising a metal molded body covering the scintillator layer and having an adhesive surface facing a portion surrounding the scintillator layer of the array substrate, and interposed between the adhesive surface and the array substrate. An adhesive surface and an ultraviolet curable adhesive layer for adhering the array substrate, and between the adjacent wirings having a width of the wiring at a portion covered with the adhesive layer Ratio is equal to or is 1 or less with respect to.

また、実施形態による放射線検出器の製造方法は、紫外線透過性の基板上に、有効画素領域に二次元配列された光電変換素子と、前記有効画素領域の外側のタブパッドと、前記有効画素領域から前記タブパッドまで延びる複数の配線と前記配線を保護する保護膜とを設けてアレイ基板を形成するアレイ基板形成工程と、前記アレイ基板の前記有効画素領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、前記シンチレータ層を覆う金属の成形体であって前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体を形成する防湿体成形工程と、前記接着面に紫外線硬化性の接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、前記接着剤塗布工程の後に、減圧雰囲気下で前記接着面を前記アレイ基板に押し付けて、前記アレイ基板の接着剤に対して反対側の面から紫外線を照射する接着工程と、を具備し、前記接着剤層で覆われる部分での前記配線の幅の隣り合う前記配線の間の幅に対する比が1以下であることを特徴とする。   In addition, the method of manufacturing the radiation detector according to the embodiment includes a photoelectric conversion element that is two-dimensionally arranged in an effective pixel region on a UV transmissive substrate, a tab pad outside the effective pixel region, and the effective pixel region. An array substrate forming step of forming an array substrate by providing a plurality of wires extending to the tab pad and a protective film for protecting the wires, and forming a scintillator layer that covers the effective pixel region of the array substrate and converts radiation into fluorescence A scintillator layer forming step, a metal molded body covering the scintillator layer, and forming a moistureproof body having an adhesive surface facing a portion surrounding the scintillator layer of the array substrate, and the bonding An adhesive application step of applying an ultraviolet curable adhesive to the surface; and after the adhesive application step, the adhesive surface is attached to the array substrate in a reduced-pressure atmosphere. An adhesive step of irradiating the array substrate with ultraviolet rays from a surface opposite to the adhesive of the array substrate, and having the width of the wiring adjacent to the portion covered with the adhesive layer The ratio with respect to the width between them is 1 or less.

一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。It is a typical perspective view of the radiation detection device by one embodiment. 一実施形態による放射線検出器の回路図である。It is a circuit diagram of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出装置のブロック図である。It is a block diagram of the radiation detection apparatus by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の上面図である。It is a top view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の側面図である。It is a side view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態によるアレイ基板の上面図である。It is a top view of an array substrate according to an embodiment. 一実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。It is an expanded sectional view near a collar part of a moisture-proof body by one embodiment. 図8のIX−IX矢視部分拡大断面図である。It is the IX-IX arrow partial expanded sectional view of FIG. 一実施形態によるアレイ基板の配線間隔を示す上面図である。It is a top view which shows the wiring space | interval of the array substrate by one Embodiment. 他の例によるアレイ基板の配線間隔を示す上面図である。It is a top view which shows the wiring space | interval of the array board | substrate by another example.

以下、一実施形態による放射線検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれに限定されない。   Hereinafter, a radiation detector according to an embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or similar structure, and the overlapping description is abbreviate | omitted. This embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to this.

図1は、一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。   FIG. 1 is a schematic perspective view of a radiation detection apparatus according to an embodiment.

本実施形態の放射線検出器11は、放射線像であるX線画像を検出するX線平面センサであり、たとえば一般医療用途などに用いられる。放射線検出装置10は、この放射線検出器11と、支持板31と、回路基板30と、フレキシブル基板32とを有している。放射線検出器11は、アレイ基板12とシンチレータ層13とを有している。放射線検出器11は、入射したX線を検出して蛍光に変換し、その蛍光を電気信号に変換する。放射線検出装置10は、放射線検出器11を駆動し、放射線検出器11から出力された電気信号を画像情報として出力する。放射線検出装置10が出力した画像情報は、外部のディスプレイなどに表示される。   The radiation detector 11 of this embodiment is an X-ray plane sensor that detects an X-ray image that is a radiation image, and is used for general medical applications, for example. The radiation detection apparatus 10 includes the radiation detector 11, a support plate 31, a circuit board 30, and a flexible board 32. The radiation detector 11 has an array substrate 12 and a scintillator layer 13. The radiation detector 11 detects incident X-rays and converts them into fluorescence, and converts the fluorescence into electrical signals. The radiation detection apparatus 10 drives the radiation detector 11 and outputs an electrical signal output from the radiation detector 11 as image information. The image information output by the radiation detection apparatus 10 is displayed on an external display or the like.

アレイ基板12は、ガラス基板16を有している。ガラス基板16の表面には、複数の微細な画素20が正方格子状に配列されている。それぞれの画素20は、薄膜トランジスタ22とフォトダイオード21とを有している。また、ガラス基板16の表面には、画素20が配列された正方格子の行と同数のゲートライン18が各画素20の間を延びている。さらに、ガラス基板16の表面には、画素20が配列された正方格子の列の数と同数のデータライン19が各画素20の間を延びている。シンチレータ層13は、アレイ基板12の画素20が配列された有効画素領域の表面に形成されている。   The array substrate 12 has a glass substrate 16. A plurality of fine pixels 20 are arranged in a square lattice pattern on the surface of the glass substrate 16. Each pixel 20 includes a thin film transistor 22 and a photodiode 21. On the surface of the glass substrate 16, the same number of gate lines 18 as the square lattice rows in which the pixels 20 are arranged extend between the pixels 20. Further, the same number of data lines 19 as the number of square lattice columns in which the pixels 20 are arranged extend between the pixels 20 on the surface of the glass substrate 16. The scintillator layer 13 is formed on the surface of the effective pixel region where the pixels 20 of the array substrate 12 are arranged.

シンチレータ層13は、アレイ基板12の表面に設けられ、X線が入射すると可視光領域の蛍光を発生する。発生した蛍光は、アレイ基板12の表面に到達する。   The scintillator layer 13 is provided on the surface of the array substrate 12 and generates fluorescence in the visible light region when X-rays enter. The generated fluorescence reaches the surface of the array substrate 12.

シンチレータ層13は、たとえばヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、あるいはヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)などを真空蒸着法で柱状構造に形成したものである。CsI:Tlの柱状構造結晶の柱(ピラー)の太さは、最表面でたとえば8〜12μm程度である。シンチレータ層13の膜厚は、たとえば約600μmである。あるいは、酸硫化ガドリニウム(GdS)蛍光体粒子をバインダ材と混合し、アレイ基板12上に塗布して焼成および硬化し、ダイサによりダイシングするなどで溝部を形成して四角柱状に形成してシンチレータ層13を形成してもよい。これらの柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素(N)などの不活性ガスが封入され、あるいは真空状態としてもよい。 The scintillator layer 13 is formed by forming, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl) or sodium iodide (NaI): thallium (Tl) into a columnar structure by a vacuum deposition method. The thickness of the pillar (pillar) of the columnar structure crystal of CsI: Tl is, for example, about 8 to 12 μm at the outermost surface. The thickness of the scintillator layer 13 is about 600 μm, for example. Alternatively, gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2 S) phosphor particles are mixed with a binder material, applied onto the array substrate 12, fired and cured, and formed into a square column by forming grooves by dicing with a dicer. Then, the scintillator layer 13 may be formed. Between these columns, air or an inert gas such as nitrogen (N 2 ) for preventing oxidation may be enclosed, or a vacuum state may be provided.

アレイ基板12は、シンチレータ層13で発生した蛍光を受光して電気信号を発生する。その結果、入射したX線によってシンチレータ層13で発生した可視光像は、電気信号で表現された画像情報に変換される。   The array substrate 12 receives the fluorescence generated in the scintillator layer 13 and generates an electrical signal. As a result, the visible light image generated in the scintillator layer 13 by the incident X-ray is converted into image information expressed by an electrical signal.

放射線検出器11は、シンチレータ層13が形成された面の反対側の面と支持板31とが接触するように、支持板31に支持されている。回路基板30は、支持板31の放射線検出器11に対して反対側に配置されている。放射線検出器11と回路基板30との間は、フレキシブル基板32で電気的に接続されている。   The radiation detector 11 is supported by the support plate 31 so that the surface opposite to the surface on which the scintillator layer 13 is formed and the support plate 31 are in contact with each other. The circuit board 30 is disposed on the opposite side of the support plate 31 with respect to the radiation detector 11. The radiation detector 11 and the circuit board 30 are electrically connected by a flexible board 32.

図2は、本実施形態による放射線検出器の回路図である。   FIG. 2 is a circuit diagram of the radiation detector according to the present embodiment.

それぞれのフォトダイオード21は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ22を介してゲートライン18およびデータライン19に接続されている。また、それぞれのフォトダイオード21には、蓄積キャパシタ27が並列に接続されている。なお、蓄積キャパシタ27は、フォトダイオード21の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。   Each photodiode 21 is connected to the gate line 18 and the data line 19 through a thin film transistor 22 which is a switching element. In addition, a storage capacitor 27 is connected to each photodiode 21 in parallel. The storage capacitor 27 may also serve as the capacitance of the photodiode 21 and is not always necessary.

フォトダイオード21およびそれに並列に接続された蓄積キャパシタ27は、薄膜トランジスタ22を介してデータライン19に接続されている。薄膜トランジスタ22のゲート電極は、ゲートライン18に接続されている。   The photodiode 21 and the storage capacitor 27 connected in parallel to the photodiode 21 are connected to the data line 19 via the thin film transistor 22. A gate electrode of the thin film transistor 22 is connected to the gate line 18.

配列の同じ行に位置する画素20の薄膜トランジスタ22は、同一のゲートライン18に接続されている。配列の同じ列に位置する画素20の薄膜トランジスタ22は、同一のデータライン19に接続されている。   The thin film transistors 22 of the pixels 20 located in the same row of the array are connected to the same gate line 18. The thin film transistors 22 of the pixels 20 located in the same column of the array are connected to the same data line 19.

各薄膜トランジスタ22は、フォトダイオード21への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ22は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン(a−Si)、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン(P−Si)などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。   Each thin film transistor 22 has a switching function for accumulating and discharging charges generated by the incidence of fluorescence on the photodiode 21. The thin film transistor 22 is at least partially composed of a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) as an amorphous semiconductor, which is a crystalline semiconductor material, or polysilicon (P-Si), which is a polycrystalline semiconductor. Has been.

なお、図1および図2において、画素は5行5列あるいは4行4列分しか記載していないが、実際にはもっと多く、解像度、撮像面積に応じて必要な画素が形成されている。   In FIGS. 1 and 2, the pixels are described only for 5 rows and 5 columns or 4 rows and 4 columns, but actually, more pixels are formed according to the resolution and the imaging area.

図3は、本実施形態による放射線検出装置のブロック図である。   FIG. 3 is a block diagram of the radiation detection apparatus according to the present embodiment.

放射線検出装置10は、放射線検出器11と、ゲートドライバー39と、行選択回路35と、積分アンプ33と、A/D変換器34と、並列/直列変換器38と、画像合成回路36とを有している。ゲートドライバー39は、放射線検出器11の各ゲートライン18に接続されている。ゲートドライバー39は、各薄膜トランジスタ22の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。積分アンプ33は、放射線検出器11の各データライン19に接続されている。   The radiation detection apparatus 10 includes a radiation detector 11, a gate driver 39, a row selection circuit 35, an integration amplifier 33, an A / D converter 34, a parallel / serial converter 38, and an image synthesis circuit 36. Have. The gate driver 39 is connected to each gate line 18 of the radiation detector 11. The gate driver 39 controls the operation state of each thin film transistor 22, that is, on and off. The integrating amplifier 33 is connected to each data line 19 of the radiation detector 11.

行選択回路35は、ゲートドライバー39に接続されている。並列/直列変換器38は、積分アンプ33に接続されている。A/D変換器34は、並列/直列変換器38に接続されている。A/D変換器34は、画像合成回路36に接続されている。   The row selection circuit 35 is connected to the gate driver 39. The parallel / serial converter 38 is connected to the integrating amplifier 33. The A / D converter 34 is connected to a parallel / serial converter 38. The A / D converter 34 is connected to the image composition circuit 36.

積分アンプ33は、たとえば放射線検出器11と回路基板30とを接続するフレキシブル基板32上に設けられている。その他の素子は、たとえば回路基板30上に設けられている。   The integrating amplifier 33 is provided on a flexible substrate 32 that connects the radiation detector 11 and the circuit board 30, for example. The other elements are provided on the circuit board 30, for example.

ゲートドライバー39は行選択回路35からの信号を受信して、ゲートライン18の電圧を順番に変更していく。行選択回路35は、X線画像を走査する所定の行を選択するための信号をゲートドライバー39へと送る。積分アンプ33は、放射線検出器11からデータライン19を通じて出力される極めて微小な電荷信号を増幅し出力する。   The gate driver 39 receives the signal from the row selection circuit 35 and sequentially changes the voltage of the gate line 18. The row selection circuit 35 sends a signal for selecting a predetermined row for scanning the X-ray image to the gate driver 39. The integrating amplifier 33 amplifies and outputs a very small charge signal output from the radiation detector 11 through the data line 19.

図4は、本実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。   FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the radiation detector according to the present embodiment.

アレイ基板12の表面には、フォトダイオード21および薄膜トランジスタ22などの検出素子、並びに、ゲートライン18(図1参照)およびデータライン19(図1参照)などの金属配線を覆う絶縁性の保護膜28が形成されている。シンチレータ層13は、保護膜28の表面に、画素20が配列された有効画素領域を覆うように形成されている。   On the surface of the array substrate 12, an insulating protective film 28 that covers detection elements such as photodiodes 21 and thin film transistors 22, and metal wirings such as gate lines 18 (see FIG. 1) and data lines 19 (see FIG. 1). Is formed. The scintillator layer 13 is formed on the surface of the protective film 28 so as to cover the effective pixel region in which the pixels 20 are arranged.

シンチレータ層13の表面には、反射膜14が設けられている。反射膜14は、シンチレータ層13で発生した蛍光のうちアレイ基板12から遠ざかっていくものをアレイ基板12側へ反射させる。これにより、フォトダイオード21に到達する蛍光量が増大する。   A reflection film 14 is provided on the surface of the scintillator layer 13. The reflection film 14 reflects the fluorescent light generated in the scintillator layer 13 that moves away from the array substrate 12 to the array substrate 12 side. As a result, the amount of fluorescence reaching the photodiode 21 increases.

反射膜14は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属をシンチレータ層13上に成膜する方法で形成される。あるいは、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ層13に密着させたもの、TiOなどの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射膜14を塗布形成してもよい。なお、反射膜14は、放射線検出器11に求められる解像度、輝度などの特性により、必ずしも必要ではない。 The reflective film 14 is formed by a method of forming a metal having a high fluorescence reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator layer 13. Alternatively, a reflector having a metal surface such as aluminum adhered to the scintillator layer 13 or a diffuse reflective film 14 made of a light scattering material such as TiO 2 and a binder resin may be applied and formed. Note that the reflective film 14 is not necessarily required due to characteristics such as resolution and luminance required for the radiation detector 11.

放射線検出器11には、シンチレータ層13および反射膜14を包囲するように、防湿体15が設けられている。   The radiation detector 11 is provided with a moisture-proof body 15 so as to surround the scintillator layer 13 and the reflective film 14.

図5は、本実施形態による放射線検出器の上面図である。図6は、本実施形態による放射線検出器の側面図である。図7は、本実施形態によるアレイ基板の上面図である。なお、図7において、有効画素領域内部の詳細および保護膜28の図示は省略している。   FIG. 5 is a top view of the radiation detector according to the present embodiment. FIG. 6 is a side view of the radiation detector according to the present embodiment. FIG. 7 is a top view of the array substrate according to the present embodiment. In FIG. 7, details inside the effective pixel region and illustration of the protective film 28 are omitted.

防湿体15は、中央部が盛り上がったハット状に形成されている。防湿体15の周辺部分は、平坦な帯状の鍔部50となっている。鍔部50は、アレイ基板12の表面のシンチレータ層13が形成された有効画素領域60の外側を取り囲む帯状に形成される。鍔部50の内側には、平板状の天板部51が形成されている。鍔部50と天板部51との間には、斜面部52が形成されている。   The moisture-proof body 15 is formed in a hat shape with a raised central portion. The peripheral portion of the moisture-proof body 15 is a flat belt-like collar portion 50. The flange 50 is formed in a band shape surrounding the outside of the effective pixel region 60 where the scintillator layer 13 on the surface of the array substrate 12 is formed. A flat top plate portion 51 is formed inside the flange portion 50. A slope portion 52 is formed between the flange portion 50 and the top plate portion 51.

鍔部50は、アレイ基板12と対向している。鍔部50とアレイ基板12との間は接着されている。アレイ基板12上に形成されたシンチレータ層13(図4参照)および反射膜14(図4参照)は、防湿体15の天板部51および斜面部52で覆われている。防湿体15は、シンチレータ層13および反射膜14を外気や湿度から保護し、特性劣化を抑制する。   The flange 50 faces the array substrate 12. The flange 50 and the array substrate 12 are bonded. The scintillator layer 13 (see FIG. 4) and the reflective film 14 (see FIG. 4) formed on the array substrate 12 are covered with the top plate portion 51 and the slope portion 52 of the moisture-proof body 15. The moisture-proof body 15 protects the scintillator layer 13 and the reflective film 14 from the outside air and humidity, and suppresses deterioration of characteristics.

防湿体15は、たとえば厚さ0.1mmのアルミニウム合金箔で形成されている。防湿体15は、A1N30−O材などのアルミニウム合金箔やアルミニウム箔で形成される。鍔部50の幅は、たとえば5mmである。防湿体15の材質は、AlやAl合金に限らず、他の金属材料を用いてもよい。ただし、AlあるいはAl合金箔材の場合には、金属材料としてはX線吸収係数が小さいため、防湿体15内でのX線吸収ロスを抑えることができる点でメリット大きく、ハット状に加工する場合にも加工性に優れている。   The moisture-proof body 15 is made of, for example, an aluminum alloy foil having a thickness of 0.1 mm. The moisture-proof body 15 is formed of an aluminum alloy foil such as A1N30-O material or an aluminum foil. The width | variety of the collar part 50 is 5 mm, for example. The material of the moisture-proof body 15 is not limited to Al or Al alloy, and other metal materials may be used. However, in the case of Al or Al alloy foil material, since the X-ray absorption coefficient is small as a metal material, the X-ray absorption loss in the moisture-proof body 15 can be suppressed, and the merit is great, and it is processed into a hat shape. Even in the case, it is excellent in workability.

アレイ基板12には、ゲートライン18(図1参照)およびデータライン19(図1参照)のそれぞれの端部その他の端子が露出したタブパッド26が設けられている。タブパッド26には、有効画素領域から延びるゲートライン18およびデータライン19などの配線29が接続されている。配線29は、Alなどの低抵抗の金属材料で形成されている。タブパッド26は、アレイ基板12の辺に沿って配列されている。ゲートライン18につながるタブパッド26と、データライン19につながるタブパッド26は、異なる辺に沿って配列されている。   The array substrate 12 is provided with a tab pad 26 in which the end of each of the gate line 18 (see FIG. 1) and the data line 19 (see FIG. 1) and other terminals are exposed. A wiring 29 such as a gate line 18 and a data line 19 extending from the effective pixel region is connected to the tab pad 26. The wiring 29 is made of a low resistance metal material such as Al. The tab pad 26 is arranged along the side of the array substrate 12. The tab pad 26 connected to the gate line 18 and the tab pad 26 connected to the data line 19 are arranged along different sides.

これらのタブパッド26は、異方性導電フィルム(ACF)を用いてフレキシブル基板32(図1参照)とTAB接続される。これにより、アレイ基板12が回路基板30(図1参照)と電気的に接続される。   These tab pads 26 are TAB-connected to the flexible substrate 32 (see FIG. 1) using an anisotropic conductive film (ACF). As a result, the array substrate 12 is electrically connected to the circuit substrate 30 (see FIG. 1).

図8は、本実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。図9は、図8のIX−IX矢視部分拡大断面図である。   FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the collar portion of the moisture-proof body according to the present embodiment. FIG. 9 is a partial enlarged cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG.

防湿体15の鍔部50とアレイ基板12との間には、接着剤層40が介在している。接着剤層40は、鍔部50に沿って、アレイ基板12の表面のシンチレータ層13が形成された領域の外側を取り囲む帯状に設けられている。したがって、鍔部50の少なくとも一部は、ゲートライン18(図1参照)あるいはデータライン19(図1参照)からアレイ基板12の外周に設けられたタブパッド26までの引き出し配線部を延びる配線29に保護膜28および接着剤層40を挟んで対向している。接着剤層40は、紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤で形成されている。   An adhesive layer 40 is interposed between the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 and the array substrate 12. The adhesive layer 40 is provided in a band shape that surrounds the outside of the region where the scintillator layer 13 is formed on the surface of the array substrate 12 along the flange 50. Accordingly, at least a part of the flange portion 50 is connected to the wiring 29 extending from the gate line 18 (see FIG. 1) or the data line 19 (see FIG. 1) to the tab wiring 26 provided on the outer periphery of the array substrate 12. It is opposed to sandwich the protective film 28 and the adhesive layer 40. The adhesive layer 40 is formed of an ultraviolet curable epoxy adhesive.

防湿体15をアレイ基板12に接着する際には、防湿体15の鍔部50に接着剤をディスペンサーによって塗布した後、減圧雰囲気でシンチレータ層13および反射膜14が形成されたアレイ基板12の所定の位置に圧着する。防湿体15のアレイ基板12への接着を減圧雰囲気下にて行うことにより、飛行機輸送を想定した減圧下での機械的強度に優れた防湿構造を形成できる。   When adhering the moisture-proof body 15 to the array substrate 12, an adhesive is applied to the collar portion 50 of the moisture-proof body 15 by a dispenser, and then the predetermined number of the array substrate 12 on which the scintillator layer 13 and the reflective film 14 are formed in a reduced-pressure atmosphere. Crimp to the position. By adhering the moisture-proof body 15 to the array substrate 12 in a reduced-pressure atmosphere, a moisture-proof structure having excellent mechanical strength under reduced pressure assuming airplane transportation can be formed.

その後、アレイ基板12の背面側、すなわちガラス基板16の画素20が形成された側とは反対側の面側から紫外線70を照射する。この紫外線70は、ガラス基板16および保護膜28を透過し、接着剤に到達する。引き出し配線部のスペースを通して紫外線が接着剤に到達すると、接着剤の重合反応が開始し、架橋反応が進行することにより、接着剤が硬化する。これにより、防湿体15とアレイ基板12とを接着する接着剤層40が形成される。   Thereafter, ultraviolet rays 70 are irradiated from the back side of the array substrate 12, that is, the side of the glass substrate 16 opposite to the side where the pixels 20 are formed. The ultraviolet light 70 passes through the glass substrate 16 and the protective film 28 and reaches the adhesive. When the ultraviolet rays reach the adhesive through the space of the lead-out wiring part, the polymerization reaction of the adhesive starts and the cross-linking reaction proceeds to cure the adhesive. As a result, the adhesive layer 40 that bonds the moisture-proof body 15 and the array substrate 12 is formed.

アレイ基板12の背面側から紫外線照射する際、引き出し配線部の金属製の配線29が紫外線を遮断する。このため、引き出し配線部では紫外線が透過するためのスペース(配線間幅)が確保されている必要がある。そこで、本実施形態によれば引き出し配線部の金属製の配線29は、ライン(配線幅)/スペース(配線間幅)が1.0以下となるように設計されている。   When the ultraviolet rays are irradiated from the back side of the array substrate 12, the metal wiring 29 in the lead-out wiring portion blocks the ultraviolet rays. For this reason, it is necessary to secure a space (inter-wiring width) for transmitting ultraviolet rays in the lead-out wiring portion. Therefore, according to the present embodiment, the metal wiring 29 in the lead-out wiring portion is designed so that the line (wiring width) / space (inter-wiring width) is 1.0 or less.

図10は、本実施形態によるアレイ基板の配線間隔を示す上面図である。   FIG. 10 is a top view showing wiring intervals of the array substrate according to the present embodiment.

引き出し配線部の金属配線はタブパッド26のピッチに合わせて配線が集まっていくため斜め配線が必要となり、スペース(配線間幅)が狭くなっていく傾向になる。図10の例では、斜め配線の角度が緩やかであるため、ライン(L)/スペース(S)=40μm/80μm=0.5となり、紫外線が透過する十分なスペースが確保される。なお、このときのピッチ(隣り合う配線29の中心間距離)は、120μmである。   Since the metal wiring in the lead-out wiring portion is gathered according to the pitch of the tab pad 26, diagonal wiring is required, and the space (inter-wiring width) tends to be narrowed. In the example of FIG. 10, since the angle of the oblique wiring is gentle, line (L) / space (S) = 40 μm / 80 μm = 0.5, and a sufficient space for transmitting ultraviolet rays is secured. Note that the pitch (distance between the centers of adjacent wirings 29) at this time is 120 μm.

図11は、本実施形態の他の例によるアレイ基板の配線間隔を示す上面図である。   FIG. 11 is a top view showing the wiring interval of the array substrate according to another example of the present embodiment.

この例は、有効画素領域60を広くとった狭額縁構造の場合であり、引き出し配線部では急峻な斜め配線となる。このような急峻な斜め配線となり、たとえばピッチが65μmである場合、配線幅を上述の例と同じ40μmとすると、配線29間のスペースが25μm、ライン/スペース=40/25=1.6となり、紫外線透過のスペースが十分ではない。そこで、この例では、配線幅を細くして25μmとし、また配線間幅(スペース)を狭めて40μmとして、ライン/スペース=0.625としている。   This example is a case of a narrow frame structure in which the effective pixel region 60 is wide, and a steep diagonal wiring is formed in the lead-out wiring portion. When such a steep diagonal wiring is used, for example, when the pitch is 65 μm, and the wiring width is 40 μm, the space between the wirings 29 is 25 μm, and the line / space = 40/25 = 1.6, There is not enough space for UV transmission. Therefore, in this example, the wiring width is narrowed to 25 μm, and the inter-wiring width (space) is narrowed to 40 μm, and line / space = 0.625.

これらの例のように、ライン/スペースを1以下とすることにより、紫外線透過の十分なスペースを確保することができる。その結果、配線29の影となって紫外線が直接照射されない接着剤にも架橋反応が生じ、硬化する。   As in these examples, by setting the line / space to 1 or less, it is possible to ensure a sufficient space for UV transmission. As a result, a cross-linking reaction also occurs in the adhesive that is shaded by the wiring 29 and is not directly irradiated with ultraviolet rays, and is cured.

このように、本実施形態ではアレイ基板12の引き出し配線部とハット状の防湿体15の鍔部50を紫外線硬化型接着剤で接着封止する構造において、アレイ基板引き出し配線部のライン(配線幅)/スペース(配線間幅)を1.0以下として紫外線透過スペースを確保している。アレイ基板12の背面側から配線29の間のスペースを介して紫外線を接着部に到達させることができ、防湿体15を高い接着力で封止することができる。したがって、防湿体15の接着品位を向上させ、強度的に安定した高信頼性の防湿構造を提供できる。
[他の実施の形態]
As described above, in this embodiment, in the structure in which the lead-out wiring portion of the array substrate 12 and the flange portion 50 of the hat-shaped moisture-proof body 15 are bonded and sealed with the ultraviolet curable adhesive, the line (wiring width) of the array substrate lead-out wiring portion is used. ) / Space (inter-wiring width) is set to 1.0 or less to secure an ultraviolet transmitting space. Ultraviolet rays can reach the bonding portion from the back side of the array substrate 12 through the space between the wirings 29, and the moisture-proof body 15 can be sealed with a high bonding force. Therefore, the adhesion quality of the moisture-proof body 15 can be improved, and a highly reliable moisture-proof structure that is stable in strength can be provided.
[Other embodiments]

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

10…放射線検出装置、11…放射線検出器、12…アレイ基板、13…シンチレータ層、14…反射膜、15…防湿体、16…ガラス基板、18…ゲートライン、19…データライン、20…画素、21…フォトダイオード、22…薄膜トランジスタ、26…タブパッド、27…蓄積キャパシタ、28…保護膜、29…配線、30…回路基板、31…支持板、32…フレキシブル基板、33…積分アンプ、34…A/D変換器、35…行選択回路、36…画像合成回路、38…並列/直列変換器、39…ゲートドライバー、40…接着剤層、50…鍔部、51…天板部、52…斜面部、60…有効画素領域、70…紫外線

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Radiation detection apparatus, 11 ... Radiation detector, 12 ... Array substrate, 13 ... Scintillator layer, 14 ... Reflection film, 15 ... Moisture-proof body, 16 ... Glass substrate, 18 ... Gate line, 19 ... Data line, 20 ... Pixel , 21 ... Photodiode, 22 ... Thin film transistor, 26 ... Tab pad, 27 ... Storage capacitor, 28 ... Protective film, 29 ... Wiring, 30 ... Circuit board, 31 ... Support plate, 32 ... Flexible board, 33 ... Integration amplifier, 34 ... A / D converter, 35 ... row selection circuit, 36 ... image composition circuit, 38 ... parallel / serial converter, 39 ... gate driver, 40 ... adhesive layer, 50 ... collar, 51 ... top plate, 52 ... Slope portion, 60 ... effective pixel region, 70 ... UV

Claims (3)

紫外線透過性の基板と、その基板上の有効画素領域に二次元配列された光電変換素子と、前記有効画素領域の外側のタブパッドと、前記有効画素領域から前記タブパッドまで延びる複数の配線と、前記配線を保護する保護膜とが設けられたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を覆う金属の成形体であって前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体と、
前記接着面と前記アレイ基板との間に介在して前記接着面と前記アレイ基板を接着させる紫外線硬化性の接着剤層と、
を具備し、
前記接着剤層で覆われる部分での前記配線の幅の隣り合う前記配線の間の幅に対する比が1以下であることを特徴とする放射線検出器。
An ultraviolet transmissive substrate, photoelectric conversion elements two-dimensionally arranged in an effective pixel region on the substrate, a tab pad outside the effective pixel region, a plurality of wirings extending from the effective pixel region to the tab pad, and An array substrate provided with a protective film for protecting the wiring;
A scintillator layer for covering the region where the photoelectric conversion elements of the array substrate are arranged and converting radiation into fluorescence;
A moisture-proof body comprising a metal molded body covering the scintillator layer and having an adhesive surface facing a portion surrounding the scintillator layer of the array substrate;
An ultraviolet-curing adhesive layer that is interposed between the adhesive surface and the array substrate to bond the adhesive surface and the array substrate;
Comprising
The radiation detector, wherein a ratio of a width of the wiring in a portion covered with the adhesive layer to a width between adjacent wirings is 1 or less.
前記配線は紫外線を透過しない金属製であることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。   The radiation detector according to claim 1, wherein the wiring is made of a metal that does not transmit ultraviolet rays. 紫外線透過性の基板上に、有効画素領域に二次元配列された光電変換素子と、前記有効画素領域の外側のタブパッドと、前記有効画素領域から前記タブパッドまで延びる複数の配線と前記配線を保護する保護膜とを設けてアレイ基板を形成するアレイ基板形成工程と、
前記アレイ基板の前記光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、
前記シンチレータ層を覆う金属の成形体であって前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体を形成する防湿体成形工程と、
前記接着面に紫外線硬化性の接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
前記接着剤塗布工程の後に、減圧雰囲気下で前記接着面を前記アレイ基板に押し付けて、前記アレイ基板の接着剤に対して反対側の面から紫外線を照射する接着工程と、
を具備し、
前記接着剤層で覆われる部分での前記配線の幅の隣り合う前記配線の間の幅に対する比が1以下であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
A photoelectric conversion element that is two-dimensionally arranged in an effective pixel region, a tab pad outside the effective pixel region, a plurality of wirings extending from the effective pixel region to the tab pad, and the wirings are protected on an ultraviolet transmissive substrate. An array substrate forming step of forming an array substrate by providing a protective film;
A scintillator layer forming step of forming a scintillator layer that covers the region where the photoelectric conversion elements of the array substrate are arranged and converts radiation into fluorescence;
A moisture-proof body forming step of forming a moisture-proof body having a bonding surface facing a portion surrounding the scintillator layer of the array substrate, which is a metal molded body covering the scintillator layer;
An adhesive application step of applying an ultraviolet curable adhesive to the adhesive surface;
After the adhesive application step, an adhesive step of pressing the adhesive surface against the array substrate under a reduced pressure atmosphere and irradiating ultraviolet rays from the surface opposite to the adhesive of the array substrate;
Comprising
The method of manufacturing a radiation detector, wherein a ratio of a width of the wiring in a portion covered with the adhesive layer to a width between adjacent wirings is 1 or less.
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