JP2014053689A - フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】所望の通過特性を容易に得ることができるフィルタを提供することである。
【解決手段】コイルＬ１〜Ｌ３は、絶縁体層１６上に設けられている線路導体層１８ａ〜１８ｆ、ｙ軸方向における線路導体層１８ａ〜１８ｆの一端からｚ軸方向の負方向側に向かって延在し、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに電気的に接続されているビアホール導体ｂ８〜ｂ１５，ｂ２８〜ｂ３３，ｂ５８〜ｂ６５と、ｙ軸方向における線路導体層１８ａ〜１８ｆの他端からｚ軸方向の負方向側に向かって延在し、グランド導体層３０に電気的に接続されているビアホール導体ｂ１〜ｂ７，ｂ２１〜ｂ２７，ｂ５１〜ｂ５７と、を有している。ビアホール導体ｂ１〜ｂ７，ｂ２１〜ｂ２７，ｂ５１〜ｂ５７間の距離とビアホール導体ｂ８〜ｂ１５，ｂ２８〜ｂ３３，ｂ５８〜ｂ６５間の距離とは異なっている。
【選択図】図２

Description

本発明は、フィルタに関し、より特定的には、複数のＬＣ並列共振器を含むフィルタに関する。

従来のフィルタに関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。図１９は、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタ５００の分解斜視図である。

積層帯域通過フィルタ５００は、積層体５０２及びＬＣ並列共振器５０４，５０６，５０８，５１０，５１２を備えている。積層体５０２は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている。ＬＣ並列共振器５０４，５０６，５０８，５１０，５１２は、導体層及びビアホール導体により構成され、積層方向に直交する方向から平面視したときに、ループ状をなしている。ＬＣ並列共振器５０４，５０６，５０８，５１０，５１２のループ面は、互いに重なりあっている。

積層帯域通過フィルタ５００では、ＬＣ並列共振器５０４，５０６，５０８，５１０，５１２のループ面がわずかにずらされている。これにより、ＬＣ並列共振器５０４，５０６，５０８，５１０，５１２同士の結合度を低下させて、積層帯域通過フィルタ５００の通過帯域の狭帯域化を図ることができる。その結果、所望の通過特性を有する積層帯域通過フィルタ５００が得られる。

以上のように、所望の通過特性を得ることができるフィルタが望まれている。

国際公開第２００７／１１９３５６号パンフレット

そこで、本発明の目的は、所望の通過特性を容易に得ることができるフィルタを提供することである。

本発明の一形態に係るフィルタは、複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、前記積層体において積層方向に直交する第１の方向に沿って並んでいる複数のＬＣ並列共振器であって、コイル及びコンデンサを含んでいる複数のＬＣ並列共振器と、を備えており、第１の方向に隣り合う前記ＬＣ並列共振器同士は、互いに電磁気的に結合しており、前記各コンデンサは、コンデンサ導体層と、前記コンデンサ導体層と前記絶縁体層を介して対向しているグランド導体層と、を有しており、前記各コイルは、前記絶縁体層上に設けられている線路導体層、積層方向及び第１の方向に直交する第２の方向における前記線路導体層の一端から積層方向の一方側に向かって延在している第１のビアホール導体であって、前記コンデンサ導体層に電気的に接続されている第１のビアホール導体と、第２の方向における前記線路導体層の他端から積層方向の一方側に向かって延在している第２のビアホール導体であって、前記グランド導体層に電気的に接続されている第２のビアホール導体と、を有しており、第１の方向に隣り合う前記第１のビアホール導体間の第１の距離と第１の方向に隣り合う前記第２のビアホール導体間の第２の距離とは異なっていること、を特徴とする。

本発明によれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。

本発明の実施形態に係るフィルタの外観斜視図である。 フィルタの積層体の分解斜視図である。 フィルタの等価回路図である。 第１のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第２のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第３のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第４のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 第３のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 第４のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 変形例に係るフィルタの積層体の分解斜視図である。 第５のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第６のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第７のモデルの線路導体層をｚ軸方向から平面視した図である。 第５のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 第６のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 第７のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタの分解斜視図である。

以下に本発明の実施形態に係るフィルタについて説明する。

（フィルタの構成）
以下に、本発明の一実施形態に係るフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係るフィルタ１０の外観斜視図である。図２は、フィルタ１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、フィルタ１０の等価回路図である。図１及び図２において、ｚ軸方向は、絶縁体層１６の積層方向を示す。また、ｘ軸方向は、フィルタ１０の長辺に沿った方向を示し、ｙ軸方向は、フィルタ１０の短辺に沿った方向を示す。ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向は互いに直交している。

フィルタ１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ〜１４ｃ）、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３、コンデンサＣ４〜Ｃ６及びビアホール導体ｂ１６，ｂ１７，ｂ３４〜ｂ４２，ｂ６６，ｂ６７を備えている。

積層体１２は、図２に示すように、セラミック誘電体からなる絶縁体層１６ａ〜１６ｋが積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体１２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３及びコンデンサＣ４〜Ｃ６を内蔵している。

絶縁体層１６ａ〜１６ｋは、図２に示すように、長方形状をなしており、例えば、セラミック誘電体により構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｋは、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層１６のｚ軸方向の正方向側の面を表面と称し、絶縁体層１６のｚ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。

ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、ｘ軸方向に沿って並んでいる。本実施形態では、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。そして、ｙ軸方向に隣り合うＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、互いに電磁気的に結合することによって、帯域通過フィルタを構成している。

ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、図３に示すように、コイルＬ１及びコンデンサＣ１を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１５、線路導体層１８ａ，１８ｂ、コンデンサ導体層２６ａ，３２ａ及びグランド導体層３０により構成され、ループ形状をなしている。

コンデンサＣ１は、コンデンサ導体層２６ａ，３２ａ及びグランド導体層３０を有している。グランド導体層３０は、十字型をなす導体層であり、端部３０ａ、中央部３０ｂ及び端部３０ｃにより構成されている。中央部３０ｂは、絶縁体層１６ｉの表面の中央に設けられている長方形状の導体層である。端部３０ａは、中央部３０ｂのｘ軸方向の負方向側の辺からｘ軸方向の負方向側に向かって突出している長方形状の導体である。端部３０ｃは、中央部３０ｂのｘ軸方向の正方向側の辺からｘ軸方向の正方向側に向かって突出している長方形状の導体である。

コンデンサ導体層２６ａは、絶縁体層１６ｇ，１６ｈを介してグランド導体層３０の端部３０ａに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２６ａとグランド導体層３０との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２６ａは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｇの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

コンデンサ導体層３２ａは、絶縁体層１６ｉを介してグランド導体層３０の端部３０ａに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層３２ａとグランド導体層３０との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層３２ａは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｊの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。コンデンサ導体層２６ａとグランド導体層３０との間の静電容量と、コンデンサ導体層３２ａとグランド導体層３０との間の静電容量とが並列接続されることにより、コンデンサＣ１が形成されている。

コイルＬ１は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１５及び線路導体層１８ａ，１８ｂを有している。線路導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ａは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

線路導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ｂは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ７はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ａの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｂの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ７のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層３０に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７は、線路導体層１８ａ，１８ｂのｙ軸方向の正方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、グランド導体層３０に接続されている。

ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｉをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体ｂ８のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ａの平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ９のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｂの平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ１２のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２６ａに接続されている。また、ビアホール導体ｂ１５のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層３２ａに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５は、線路導体層１８ａ，１８ｂのｙ軸方向の負方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、コンデンサ導体層２６ａ，３２ａに接続されている。

以上のように、コイルＬ１は、ビアホール導体ｂ７とグランド導体層３０の接続点を一端とし、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７、線路導体層１８ａ，１８ｂ、ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５を経由して、ビアホール導体ｂ１５とコンデンサ導体層３２ａとの接続点を他端とするループ形状なしている。

以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、Ｌ字型に折れ曲がったループ面を形成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ１のループ面とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１により囲まれている仮想の平面である。

ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、図３に示すように、コイルＬ２及びコンデンサＣ２を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ３３、線路導体層１８ｃ，１８ｄ、コンデンサ導体層２６ｂ，２８及びグランド導体層３０により構成され、ループ形状をなしている。

コンデンサＣ２は、コンデンサ導体層２６ｂ，２８及びグランド導体層３０を有している。グランド導体層３０は、十字型をなす導体層である。

コンデンサ導体層２６ｂは、絶縁体層１６ｇ，１６ｈを介してグランド導体層３０の中央部３０ｂに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２６ｂとグランド導体層３０との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２６ｂは、ｘ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｇの対角線の交点近傍に設けられている。

コンデンサ導体層２８は、絶縁体層１６ｈを介してグランド導体層３０の中央部３０ｂに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２８とグランド導体層３０との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２８は、ｘ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｈの対角線の交点よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。コンデンサ導体層２６ｂとグランド導体層３０との間の静電容量と、コンデンサ導体層２８とグランド導体層３０との間の静電容量とが並列接続されることにより、コンデンサＣ２が形成されている。

コイルＬ２は、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ３３及び線路導体層１８ｃ，１８ｄを有している。線路導体層１８ｃは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられ、ｙ軸方向に延在する直線状をなす線状の導体である。線路導体層１８ｃは、平行部Ａにより構成されている。以上のように構成された線路導体層１８ｃは、絶縁体層１６ｂの対角線の近傍に設けられている。

線路導体層１８ｄは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられ、ｙ軸方向に延在する直線状をなす線状の導体である。線路導体層１８ｄは、平行部Ａにより構成されている。以上のように構成された線路導体層１８ｄは、絶縁体層１６ｃの対角線の近傍に設けられている。

ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｃのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｂのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ２７のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層３０に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７は、線路導体層１８ｃ，１８ｄのｙ軸方向の正方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、グランド導体層３０に接続されている。

ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体ｂ２８のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｃのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２９のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｄのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ３２のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２６ｂに接続されている。また、ビアホール導体ｂ３３のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２８に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３は、線路導体層１８ｃ，１８ｄのｙ軸方向の負方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、コンデンサ導体層２６ｂ，２８に接続されている。

以上のように、コイルＬ２は、ビアホール導体ｂ２７とグランド導体層３０の接続点を一端とし、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７、線路導体層１８ｃ，１８ｄ、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３を経由して、ビアホール導体ｂ３３とコンデンサ導体層２８との接続点を他端とするループ形状なしている。

以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ｙｚ平面に平行なループ面を形成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ２のループ面とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２により囲まれている長方形状の仮想の平面である。

ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、図３に示すように、コイルＬ３及びコンデンサＣ３を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ６５、線路導体層１８ｅ，１８ｆ、コンデンサ導体層２６ｃ，３２ｂ及びグランド導体層３０により構成され、ループ形状をなしている。

コンデンサＣ３は、コンデンサ導体層２６ｃ，３２ｂ及びグランド導体層３０を有している。グランド導体層３０は、十字型をなす導体層である。

コンデンサ導体層２６ｃは、絶縁体層１６ｇ，１６ｈを介してグランド導体層３０の端部３０ｃに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２６ｃとグランド導体層３０との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２６ｃは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｇの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

コンデンサ導体層３２ｂは、絶縁体層１６ｉを介してグランド導体層３０の端部３０ｃに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層３２ｂとグランド導体層３０との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層３２ｂは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｊの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。コンデンサ導体層２６ｃとグランド導体層３０との間の静電容量と、コンデンサ導体層３２ｂとグランド導体層３０との間の静電容量とが並列接続されることにより、コンデンサＣ３が形成されている。

コイルＬ３は、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ６５及び線路導体層１８ｅ，１８ｆを有している。線路導体層１８ｅは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ｅは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ｅは、絶縁体層１６ｂの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

線路導体層１８ｆは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ｆは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ｆは、絶縁体層１６ｃの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ５１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｅの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ５２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｆの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ５７のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層３０に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７は、線路導体層１８ｅ，１８ｆのｙ軸方向の正方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、グランド導体層３０に接続されている。

ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｉをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体ｂ５８のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｅの平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ５９のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｆの平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ６２のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２６ｃに接続されている。また、ビアホール導体ｂ６５のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層３２ｂに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５は、線路導体層１８ｅ，１８ｆのｙ軸方向の負方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、コンデンサ導体層２６ｃ，３２ｂに接続されている。

以上のように、コイルＬ３は、ｙｚ平面において、ビアホール導体ｂ５７とグランド導体層３０の接続点を一端とし、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７、線路導体層１８ｅ，１８ｆ、ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５を経由して、ビアホール導体ｂ６５とコンデンサ導体層３２ｂとの接続点を他端とするループ形状なしている。

以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、Ｌ字型に折れ曲がったループ面を形成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ３のループ面とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ３により囲まれている仮想の平面である。

ＬＣ並列共振器ＬＣ１のループ面とＬＣ並列共振器ＬＣ３のループ面とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のループ面を挟んでいる。これにより、図３に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とが電磁界結合する。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とが電磁界結合する。

また、線路導体層１８ａ，１８ｃは、Ｌ字型をなしている。そして、線路導体層１８ａのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７が接続されており、線路導体層１８ａのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５が接続されている。更に、線路導体層１８ｂのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７が接続されており、線路導体層１８ｂのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３が接続されている。更に、線路導体層１８ｃのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７が接続されており、線路導体層１８ｃのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５が接続されている。

これにより、ｙ軸方向に隣り合うビアホール導体ｂ１〜ｂ７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離は、ｙ軸方向に隣り合うビアホール導体ｂ８〜ｂ１５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離と異なっている。本実施形態では、ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離よりも大きい。

同様に、ｙ軸方向に隣り合うビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離は、ｙ軸方向に隣り合うビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離と異なっている。本実施形態では、ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離は、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離よりも大きい。距離とは、ｚ軸方向から平面視したときの直線距離を意味する。

また、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに接続されているビアホール導体ｂ８〜ｂ１５，ｂ２８〜ｂ３３，ｂ５８〜ｂ６５から互いに平行にｙ軸方向の正方向側に延在している。

コンデンサＣ４は、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ及び結合導体層２４ａを有している。結合導体層２４ａは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、ｘ軸方向に延在している。コンデンサ導体層２２ａは、絶縁体層１６ｅを介して結合導体層２４ａに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている。コンデンサ導体層２２ａは、ビアホール導体ｂ１０，ｂ１１に接続されている。コンデンサ導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｅを介して結合導体層２４ａに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている。コンデンサ導体層２２ａは、ビアホール導体ｂ３０，ｂ３１に接続されている。これにより、コンデンサ導体層２２ａ,２２ｂと結合導体層２４ａとの間には静電容量が発生し、コンデンサＣ４が形成されている。以上のように、コンデンサＣ４を介して、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２とは容量結合している。

コンデンサＣ５は、コンデンサ導体層２２ｂ，２２ｃ及び結合導体層２４ｂを有している。結合導体層２４ｂは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、ｘ軸方向に延在している。コンデンサ導体層２２ｃは、絶縁体層１６ｅを介して結合導体層２４ｂに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている。コンデンサ導体層２２ｃは、ビアホール導体ｂ６０，ｂ６１に接続されている。コンデンサ導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｅを介して結合導体層２４ｂに対向している導体層であり、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２２ｂ,２２ｃと結合導体層２４ｂとの間には静電容量が発生し、コンデンサＣ５が形成されている。以上のように、コンデンサＣ５を介して、ＬＣ並列共振器ＬＣ３とＬＣ並列共振器ＬＣ２とは容量結合している。

コンデンサＣ６は、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｃ及び結合導体層２０を有している。結合導体層２０は、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、ｘ軸方向に延在している。これにより、結合導体層２０は、絶縁体層１６ｄを介してコンデンサ導体層２２ａ，２２ｃに対向している。その結果、コンデンサ導体層２２ａと結合導体層２０との間には静電容量が発生しており、コンデンサ導体層２２ｂと結合導体層２０との間には静電容量が発生している。以上のように、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｃは、結合導体層２０を介して容量結合している。これにより、コンデンサＣ６が形成されている。以上のように、コンデンサＣ６を介して、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３とは容量結合している。

外部電極１４ａは、図１に示すように、積層体１２においてｚ軸方向の負方向側の底面に設けられており、入力電極として用いられる。すなわち、外部電極１４ａは、絶縁体層１６ｋの裏面上に設けられている。外部電極１４ｂは、積層体１２においてｚ軸方向の負方向側の底面に設けられ、グランド電極として用いられる。すなわち、外部電極１４ｂは、絶縁体層１６ｋの裏面上に設けられている。外部電極１４ｃは、積層体１２においてｚ軸方向の負方向側の底面に設けられ、出力電極として用いられる。すなわち、外部電極１４ｃは、絶縁体層１６ｋの裏面上に設けられている。外部電極１４ａ〜１４ｃは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

ビアホール導体ｂ１６，ｂ１７は、絶縁体層１６ｊ，１６ｋをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体層３２ａと外部電極１４ａとを接続している。ビアホール導体ｂ６６，ｂ６７は、絶縁体層１６ｊ，１６ｋをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体層３２ｂと外部電極１４ｃとを接続している。ビアホール導体ｂ３４〜ｂ３６は、絶縁体層１６ｉ〜１６ｋをｚ軸方向に貫通しており、グランド導体層３０と外部電極１４ｂとを接続している。ビアホール導体ｂ３７〜ｂ３９は、絶縁体層１６ｉ〜１６ｋをｚ軸方向に貫通しており、グランド導体層３０と外部電極１４ｂとを接続している。ビアホール導体ｂ４０〜ｂ４２は、絶縁体層１６ｉ〜１６ｋをｚ軸方向に貫通しており、グランド導体層３０と外部電極１４ｂとを接続している。

次に、フィルタ１０の動作の一例について、図１ないし図３を参照しながら説明する。最初に、外部電極１４ａから入力された高周波信号Ｓｉｇ１は、図３に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１を流れる。

コイルＬ１とコイルＬ２とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Ｓｉｇ１が、ＬＣ並列共振器ＬＣ１に流れると、高周波信号Ｓｉｇ２が、電磁誘導により、ＬＣ並列共振器ＬＣ２に流れる。

コイルＬ２とコイルＬ３とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Ｓｉｇ２が、ＬＣ並列共振器ＬＣ２に流れると、高周波信号Ｓｉｇ３が、電磁誘導により、ＬＣ並列共振器ＬＣ３に流れる。これにより、高周波信号Ｓｉｇ３は、外部電極１４ｂから出力される。

ここで、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３はそれぞれコイルＬ１〜Ｌ３及びコンデンサＣ１〜Ｃ３により定まる固有の共振周波数を有している。そして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３のインピーダンスは、これらの共振周波数において高くなる。これにより、これらの共振周波数により定まる所定の周波数帯域の高周波信号Ｓｉｇ３が、外部電極１４ｃを介してグランドへ流れることなく、外部電極１４ｂから出力される。

（フィルタの製造方法）
次に、フィルタ１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。

まず、絶縁体層１６ａ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１７，ｂ２１〜ｂ４２，ｂ５１〜ｂ６７を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、線路導体層１８ａ〜１８ｆ、結合導体層２０，２４ａ，２４ｂ、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｃ，２６ａ〜２６ｃ，２８，３２ａ，３２ｂ及びグランド導体層３０を形成する。絶縁体層１６ｋとなるべきセラミックグリーンシートの裏面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、外部電極１４ａ〜１４ｃとなるべき導体電極を形成する。なお、導体電極、線路導体層１８ａ〜１８ｆ、結合導体層２０，２４ａ，２４ｂ、コンデンサ導体層２２ａ〜２２ｃ，２６ａ〜２６ｃ，２８，３２ａ，３２ｂ及びグランド導体層３０の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層１６ｋとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。次に、絶縁体層１６ｋとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、絶縁体層１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートを絶縁体層１６ｋとなるべきセラミックグリーンシートに対して圧着する。この後、１６ｉ，１６ｈ，１６ｇ，１６ｆ，１６ｅ，１６ｄ，１６ｃ，１６ｂ，１６ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。

次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。

以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。

最後に、導体電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ〜１４ｃを形成する。以上の工程を経て、図１に示すようなフィルタ１０が完成する。

（効果）
以上のように構成されたフィルタ１０によれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。より詳細には、フィルタ１０では、ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離よりも大きい。ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離は、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離よりも大きい。これにより、フィルタ１０では、グランド導体層３０に接続されているビアホール導体ｂ１〜ｂ７、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７及びビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７同士は、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに接続されているビアホール導体ｂ８〜ｂ１５、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３及びビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５同士よりも近接している。グランド導体層に接続されているビアホール導体同士が近接すると磁界結合が相対的に強くなり、通過帯域の狭帯域化が図られる。一方、コンデンサ導体層に接続されているビアホール導体同士が近接すると容量結合が相対的に強くなり、通過帯域の狭帯域化が図られる。よって、フィルタ１０では、通過帯域の狭帯域化が図られる。

以上のように、フィルタ１０によれば、ビアホール導体ｂ８〜ｂ１５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離と、ビアホール導体ｂ１〜ｂ７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離とを異ならせ、ビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５とビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３との間の距離と、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７とビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７との間の距離とを異ならせている。これにより、フィルタ１０の通過帯域を変化させることができる。すなわち、フィルタ１０において、所望の通過特性を容易に得ることができる。

また、フィルタ１０では、以下に説明する理由によっても、フィルタ１０の通過帯域を変化させることができる。より詳細には、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに接続されているビアホール導体ｂ８〜ｂ１５、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３及びビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５から互いに平行にｙ軸方向の正方向側に延在している。すなわち、線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅの平行部Ａが離れた状態で平行に延在している。同様に、線路導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆの平行部Ａが離れた状態で平行に延在している。これにより、線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅ同士の磁界結合、及び、線路導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ同士の磁界結合が弱くなる。その結果、フィルタ１０では、フィルタ１０の通過帯域の広帯域化が図られる。以上のように、線路導体層１８ａ〜１８ｆの形状を変化させることによっても、フィルタ１０の通過帯域を変化させることができる。すなわち、フィルタ１０において、所望の通過特性を容易に得ることができる。

本願発明者は、フィルタ１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、フィルタ１０の第１のモデルないし第３のモデル、及び、比較例に係るフィルタの第４のモデルを作成した。図４は、第１のモデルの線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。図５は、第２のモデルの線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。図６は、第３のモデルの線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。図７は、第４のモデルの線路導体層１１８ａ，１１８ｃ，１１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。

第１のモデルでは、図４に示すように、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、互いに近接している。すなわち、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体層３０に接続されているビアホール導体ｂ１〜ｂ７、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７及びビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７から互いに平行にｙ軸方向の負方向側に延在している。そして、線路導体層１８ａの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。線路導体層１８ｅの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。

第２のモデルでは、図５に示すように、線路導体層１８ａ，１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、直線状をなしており、ｙ軸方向の正方向側に行くにしたがって、互いの距離が小さくなっている。

第３のモデルでは、図６に示すように、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、互いに離れている。すなわち、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに接続されているビアホール導体ｂ８〜ｂ１５、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３及びビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５から互いに平行にｙ軸方向の正方向側に延在している。そして、線路導体層１８ａの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。線路導体層１８ｅの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。第３のモデルは、図２に示すフィルタ１０と同じ構造を有している。

第４のモデルは、図７に示すように、線路導体層１１８ａ〜１１８ｆがｙ軸方向に延在する直線状をなしている。すなわち、線路導体層１１８ａ〜１１８ｆが互いに平行となっている。

本願発明者は、第１のモデルないし第４のモデルの通過特性及び反射特性を調べた。通過特性とは、外部電極１４ａから入力させた入力信号に対する外部電極１４ｂから出力した出力信号の減衰量と入力信号の周波数との関係である。反射特性とは、外部電極１４ａから入力させた入力信号に対する外部電極１４ａから出力した反射信号の減衰量と入力信号の周波数との関係である。図８は、第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図９は、第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図１０は、第３のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図１１は、第４のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は、減衰量を示し、横軸は、周波数を示している。

図８ないし図１０のグラフと図１１のグラフとを比較すると、第１のモデルないし第３のモデルの通過帯域は、第４のモデルの通過帯域よりも狭くなっていることが分かる。よって、グランド導体層３０に接続されているビアホール導体ｂ１〜ｂ７、ビアホール導体ｂ２１〜ｂ２７及びビアホール導体ｂ５１〜ｂ５７同士が、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに接続されているビアホール導体ｂ８〜ｂ１５、ビアホール導体ｂ２８〜ｂ３３及びビアホール導体ｂ５８〜ｂ６５同士よりも近接することによって、フィルタ１０の狭帯域化が図られることが分かる。

また、図８ないし図１０を比較すると、第１のモデルの通過帯域が最も狭く、第３のモデルの通過帯域が最も広いことが分かる。第１のモデルでは、平行部Ａが近接しているので、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３同士の磁界結合が強い。そのため、第１のモデルでは、狭帯域化が図られていることが分かる。一方、第３のモデルでは、平行部Ａが離れているので、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３同士の磁界結合が弱い。そのため、第３のモデルでは、広帯域化が図られていることが分かる。以上より、線路導体層１８ａ〜１８ｆの形状を変化させることによっても、フィルタ１０の通過特性を変化させることができることが分かる。

（変形例）
以下に、変形例に係るフィルタ１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１２は、変形例に係るフィルタ１０ａの積層体１２の分解斜視図である。図１２において、フィルタ１０と同じ構成については、フィルタ１０と同じ参照符号を付した。フィルタ１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。また、フィルタ１０ａの等価回路図については、図３を援用する。

フィルタ１０とフィルタ１０ａとの相違点は、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに電気的に接続されているビアホール導体ｂ８，ｂ９、ビアホール導体ｂ２８，ｂ２９及びビアホール導体ｂ５８，ｂ５９同士がグランド導体層３０に電気的に接続されているビアホール導体ｂ１，ｂ２、ビアホール導体ｂ２１，ｂ２２及びビアホール導体ｂ５１，ｂ５２同士よりも近接している点である。

より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、図３に示すように、コイルＬ１及びコンデンサＣ１を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１５、線路導体層１８ａ，１８ｂ、コンデンサ導体層２６ａ，３２ａ、グランド導体層３０及び接続導体層４０ａ，４２ａにより構成され、ループ形状をなしている。

フィルタ１０ａのコンデンサＣ１は、フィルタ１０のコンデンサＣ１と同じであるので説明を省略する。

コイルＬ１は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１５、線路導体層１８ａ，１８ｂ及び接続導体層４０ａ，４２ａを有している。線路導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ａは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

線路導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ｂは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

接続導体層４０ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられ、ｘ軸方向に延在している。接続導体層４０ａは、絶縁体層１６ｄの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体層４２ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられ、ｘ軸方向に延在している。接続導体層４２ａは、絶縁体層１６ｄの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側に設けられている。

ビアホール導体ｂ１，ｂ２はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ａの平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｂの平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、接続導体層４０ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ３〜ｂ７はそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｈをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、接続導体層４０ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ７のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層３０に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、線路導体層１８ａ，１８ｂのｙ軸方向の正方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、ビアホール導体ｂ３〜ｂ７を介してグランド導体層３０に電気的に接続されている。

ビアホール導体ｂ８，ｂ９はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ８のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ａの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ９のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｂの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ９のｚ軸方向の負方向側の端部は、接続導体層４２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ１０〜ｂ１５はそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１０のｚ軸方向の正方向側の端部は、接続導体層４２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ１２のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２６ａに接続されている。また、ビアホール導体ｂ１５のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層３２ａに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ８，ｂ９は、線路導体層１８ａ，１８ｂのｙ軸方向の負方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、ビアホール導体ｂ１０〜ｂ１５を介してコンデンサ導体層２６ａ，３２ａに接続されている。

フィルタ１０ａのＬＣ並列共振器ＬＣ２は、フィルタ１０のＬＣ並列共振器ＬＣ２と同じであるので説明を省略する。

ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、図３に示すように、コイルＬ３及びコンデンサＣ３を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ６５、線路導体層１８ｅ，１８ｆ、コンデンサ導体層２６ｃ，３２ｂ、グランド導体層３０及び接続導体層４０ｂ，４２ｂにより構成され、ループ形状をなしている。

フィルタ１０ａのコンデンサＣ３は、フィルタ１０のコンデンサＣ３と同じであるので説明を省略する。

コイルＬ３は、ビアホール導体ｂ５１〜ｂ６５、線路導体層１８ｅ，１８ｆ及び接続導体層４０ｂ，４２ｂを有している。線路導体層１８ｅは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ｅは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ｅは、絶縁体層１６ｂの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

線路導体層１８ｆは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられ、Ｌ字型をなす線状の導体である。より詳細には、線路導体層１８ｆは、平行部Ａ及び折り曲げ部Ｂにより構成されている。平行部Ａは、ｙ軸方向に延在している。折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。以上のように構成された線路導体層１８ｆは、絶縁体層１６ｃの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

接続導体層４０ｂは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられ、ｘ軸方向に延在している。接続導体層４０ｂは、絶縁体層１６ｄの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体層４２ｂは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられ、ｘ軸方向に延在している。接続導体層４２ｂは、絶縁体層１６ｄの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の負方向側に設けられている。

ビアホール導体ｂ５１，ｂ５２はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ５１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｅの平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ５２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｆの平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ５２のｚ軸方向の負方向側の端部は、接続導体層４０ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ５３〜ｂ５７はそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｈをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ５３のｚ軸方向の正方向側の端部は、接続導体層４０ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ５７のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層３０に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ５１，ｂ５２は、線路導体層１８ｅ，１８ｆのｙ軸方向の正方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、ビアホール導体ｂ５３〜ｂ５７を介してグランド導体層３０に電気的に接続されている。

ビアホール導体ｂ５８，ｂ５９はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ５８のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｅの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ５９のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路導体層１８ｆの折り曲げ部Ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ５９のｚ軸方向の負方向側の端部は、接続導体層４２ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ６０〜ｂ６５はそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ６０のｚ軸方向の正方向側の端部は、接続導体層４２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。また、ビアホール導体ｂ６２のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２６ｃに接続されている。また、ビアホール導体ｂ６５のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層３２ｂに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ５８，ｂ５９は、線路導体層１８ｅ，１８ｆのｙ軸方向の負方向側の端部からｚ軸方向の負方向側に向かって延在する１本のビアホール導体を構成し、かつ、ビアホール導体ｂ６０〜ｂ６５を介してコンデンサ導体層２６ｃ，３２ｂに接続されている。

フィルタ１０ａのコンデンサＣ４〜Ｃ６は、フィルタ１０のコンデンサＣ４〜Ｃ６と同じであるので説明を省略する。

（効果）
以上のように構成されたフィルタ１０ａによれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。より詳細には、フィルタ１０ａでは、ビアホール導体ｂ８，ｂ９とビアホール導体ｂ２８，２９との間の距離は、ビアホール導体ｂ１，ｂ２とビアホール導体ｂ２１，ｂ２２との間の距離よりも小さい。ビアホール導体ｂ５８，ｂ５９とビアホール導体ｂ２８，ｂ２９との間の距離は、ビアホール導体ｂ５１，ｂ５２とビアホール導体ｂ２１，ｂ２２との間の距離よりも小さい。これにより、フィルタ１０では、グランド導体層３０に電気的に接続されているビアホール導体ｂ１，ｂ２、ビアホール導体ｂ２１，ｂ２２及びビアホール導体ｂ５１，ｂ５２同士は、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに電気的に接続されているビアホール導体ｂ８，ｂ９、ビアホール導体ｂ２８，ｂ２９及びビアホール導体ｂ５８，ｂ５９同士よりも近接している。グランド導体層に接続されているビアホール導体同士が近接すると磁界結合が相対的に強くなり、通過帯域の狭帯域化が図られる。一方、コンデンサ導体層に接続されているビアホール導体同士が近接すると容量結合が相対的に強くなり、通過帯域の狭帯域化が図られる。よって、フィルタ１０ａでは、通過帯域の広帯域化が図られる。

以上のように、フィルタ１０ａによれば、ビアホール導体ｂ８，ｂ９とビアホール導体ｂ２８，ｂ２９との間の距離と、ビアホール導体ｂ１，ｂ２とビアホール導体ｂ２１，ｂ２２との間の距離とを異ならせ、ビアホール導体ｂ５８，ｂ５９とビアホール導体ｂ２８，ｂ２９との間の距離と、ビアホール導体ｂ５１，ｂ５２とビアホール導体ｂ２１，ｂ２２との間の距離とを異ならせている。これにより、フィルタ１０ａの通過帯域を変化させることができる。すなわち、フィルタ１０ａにおいて、所望の通過特性を容易に得ることができる。

また、フィルタ１０ａでは、以下に説明する理由によっても、フィルタ１０ａの通過帯域を変化させることができる。より詳細には、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体層３０に電気的に接続されているビアホール導体ｂ１，ｂ２、ビアホール導体ｂ２１，ｂ２２及びビアホール導体ｂ５１，ｂ５２から互いに平行にｙ軸方向の負方向側に延在している。すなわち、線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅの平行部Ａが離れた状態で平行に延在している。同様に、線路導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆの平行部Ａが離れた状態で平行に延在している。これにより、線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅ同士の磁界結合、及び、線路導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ同士の磁界結合が弱くなる。その結果、フィルタ１０ａでは、フィルタ１０ａの通過帯域の広帯域化が図られる。以上のように、線路導体層１８ａ〜１８ｆの形状を変化させることによっても、フィルタ１０ａの通過帯域を変化させることができる。すなわち、フィルタ１０ａにおいて、所望の通過特性を容易に得ることができる。

本願発明者は、フィルタ１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、フィルタ１０ａの第５のモデルないし第７のモデルを作成した。図１３は、第５のモデルの線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。図１４は、第６のモデルの線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。図１５は、第７のモデルの線路導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向から平面視した図である。

第５のモデルでは、図１３に示すように、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、互いに近接している。すなわち、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに電気的に接続されているビアホール導体ｂ８，ｂ９、ビアホール導体ｂ２８，ｂ２９及びビアホール導体ｂ５８，ｂ５９から互いに平行にｙ軸方向の正方向側に延在している。そして、線路導体層１８ａの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。線路導体層１８ｅの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の正方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。

第６のモデルでは、図１４に示すように、線路導体層１８ａ，１８ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、直線状をなしており、ｙ軸方向の正方向側に行くにしたがって、互いの距離が広くなっている。

第７のモデルでは、図１５に示すように、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、互いに離れている。すなわち、線路導体層１８ａ〜１８ｆの平行部Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体層３０に電気的に接続されているビアホール導体ｂ１，ｂ２、ビアホール導体ｂ２１，ｂ２２及びビアホール導体ｂ５１，ｂ５２から互いに平行にｙ軸方向の負方向側に延在している。そして、線路導体層１８ａの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の正方向側に延在している。線路導体層１８ｅの折り曲げ部Ｂは、平行部Ａのｙ軸方向の負方向側の端部からｘ軸方向の負方向側に延在している。第７のモデルは、図１２に示すフィルタ１０ａと同じ構造を有している。

本願発明者は、第５のモデルないし第７のモデルの通過特性及び反射特性を調べた。図１６は、第５のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図１７は、第６のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図１８は、第７のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は、減衰量を示し、横軸は、周波数を示している。

図１６ないし図１８のグラフと図１１のグラフとを比較すると、第５のモデルないし第７のモデルの通過帯域は、第４のモデルの通過帯域よりも広くなっていることが分かる。よって、コンデンサ導体層３２ａ，２８，３２ｂに電気的に接続されているビアホール導体ｂ８，ｂ９、ビアホール導体ｂ２８，ｂ２９及びビアホール導体ｂ５８，ｂ５９同士が、グランド導体層３０に電気的に接続されているビアホール導体ｂ１，ｂ２、ビアホール導体ｂ２１，ｂ２２及びビアホール導体ｂ５１，ｂ５２同士よりも近接することによって、フィルタ１０ａの広帯域化が図られることが分かる。

また、図１６ないし図１８を比較すると、第５のモデルの通過帯域が最も狭く、第７のモデルの通過帯域が最も広いことが分かる。第５のモデルでは、平行部Ａが近接しているので、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３同士の磁界結合が強い。そのため、第５のモデルでは、狭帯域化が図られていることが分かる。一方、第７のモデルでは、平行部Ａが離れているので、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３同士の磁界結合が弱い。そのため、第７のモデルでは、広帯域化が図られていることが分かる。以上より、線路導体層１８ａ〜１８ｆの形状を変化させることによっても、フィルタ１０ａの通過特性を変化させることができることが分かる。

（その他の実施形態）
なお、本発明に係るフィルタは、フィルタ１０，１０ａに限らず、その要旨の範囲において変更可能である。

なお、ＬＣ並列共振器の数は、２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。

本発明は、フィルタに有用であり、特に、所望の通過特性を容易に得ることができる点において優れている。

Ａ 平行部
Ｂ 折り曲げ部
Ｃ１〜Ｃ６ コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ３ コイル
ＬＣ１〜ＬＣ３ ＬＣ並列共振器
ｂ１〜ｂ１７，ｂ２１〜ｂ４２，ｂ５１〜ｂ６７ ビアホール導体
１０，１０ａ フィルタ
１２ 積層体
１４ａ〜１４ｃ 外部電極
１６ａ〜１６ｋ 絶縁体層
１８ａ〜１８ｆ 線路導体層
２２ａ〜２２ｃ，２６ａ〜２６ｃ，２８，３２ａ，３２ｂ コンデンサ導体層
３０ グランド導体層

Claims (9)

1. 複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、
   前記積層体において積層方向に直交する第１の方向に沿って並んでいる複数のＬＣ並列共振器であって、コイル及びコンデンサを含んでいる複数のＬＣ並列共振器と、
   を備えており、
   第１の方向に隣り合う前記ＬＣ並列共振器同士は、互いに電磁気的に結合しており、
   前記各コンデンサは、
   コンデンサ導体層と、
   前記コンデンサ導体層と前記絶縁体層を介して対向しているグランド導体層と、
   を有しており、
   前記各コイルは、
   前記絶縁体層上に設けられている線路導体層、
   積層方向及び第１の方向に直交する第２の方向における前記線路導体層の一端から積層方向の一方側に向かって延在している第１のビアホール導体であって、前記コンデンサ導体層に電気的に接続されている第１のビアホール導体と、
   第２の方向における前記線路導体層の他端から積層方向の一方側に向かって延在している第２のビアホール導体であって、前記グランド導体層に電気的に接続されている第２のビアホール導体と、
   を有しており、
   第１の方向に隣り合う前記第１のビアホール導体間の第１の距離と第１の方向に隣り合う前記第２のビアホール導体間の第２の距離とは異なっていること、
   を特徴とするフィルタ。
2. 前記第１の距離は、前記第２の距離よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
3. 前記複数の線路導体層はそれぞれ、積層方向から平面視したときに、前記複数の第２のビアホール導体から互いに平行に延在する平行部を有していること、
   を特徴とする請求項２に記載のフィルタ。
4. 前記複数の線路導体層はそれぞれ、積層方向から平面視したときに、前記複数の第１のビアホール導体から互いに平行に延在する平行部を有していること、
   を特徴とする請求項２に記載のフィルタ。
5. 前記複数の線路導体層はそれぞれ、積層方向から平面視したときに、直線状をなしていること、
   を特徴とする請求項２に記載のフィルタ。
6. 前記第１の距離は、前記第２の距離よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
7. 前記複数の線路導体層はそれぞれ、積層方向から平面視したときに、前記複数の第２のビアホール導体から互いに平行に延在する平行部を有していること、
   を特徴とする請求項６に記載のフィルタ。
8. 前記複数の線路導体層はそれぞれ、積層方向から平面視したときに、前記複数の第１のビアホール導体から互いに平行に延在する平行部を有していること、
   を特徴とする請求項６に記載のフィルタ。
9. 前記複数の線路導体層はそれぞれ、積層方向から平面視したときに、直線状をなしていること、
   を特徴とする請求項６に記載のフィルタ。

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