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JP2013518304A - 光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングv型溝体及びその光デバイスモジュール - Google Patents

光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングv型溝体及びその光デバイスモジュール Download PDF

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JP2013518304A
JP2013518304A JP2012550303A JP2012550303A JP2013518304A JP 2013518304 A JP2013518304 A JP 2013518304A JP 2012550303 A JP2012550303 A JP 2012550303A JP 2012550303 A JP2012550303 A JP 2012550303A JP 2013518304 A JP2013518304 A JP 2013518304A
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Abstract

【課題】
光デバイスのカップリング効率と生産効率を向上させる。
【解決手段】
光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体とその光デバイスモジュールを提供する。V型溝体は本体を含み、その本体内に1つまたは複数のV型溝を備え、本体内にV型溝の両側壁と、光信号伝送孔システムを備えている。光信号伝送孔システムは、V型溝夾角中心線と垂直または平行な光信号伝送孔を含み、V型溝の夾角θ1は90度±10度である。V型溝体によってパッケージングされた光デバイスモジュールは、前記V型溝体を含み、V型溝のV型溝開口、水平伝送孔、垂直伝送孔が、それぞれ光デバイスおよび外部光信号インターフェースと接続され、V型溝の両側の壁に、光管理レンズが貼られ、単心双方向(3方向)光デバイスモジュールを構成する。本体と濾波板支持体の一体化構造により、カップリング効率と生産効率が大いに高まり、特に、FTTH光モジュールの設計に適している。
【選択図】図1

Description

本発明は、1種の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体とその光デバイスモジュールに関し、特に、FTTH(Fiber To The Home)単心双方向、単心3方向光デバイスモジュールの設計、生産に適し、また、その他の、光信号の波長あるいは伝送方向の管理を行うことが必要な光デバイスのパッケージング構造の設計に適している。
従来の設計では、一般に、多くの部品を組み立てることによって光信号管理の目標を達成している。特に、単心双方向、単心3方向光デバイスの従来設計では、パッケージング体の本体、濾波板の支持体が別々に設計され、まず濾波板を濾波板支持体上に接着してから、更に、濾波板支持体とパッケージング体の本体を、位置合わせし、位置決めし、レーザー溶接することによって一体とし、それによって、レーザー発生装置、検出器、外部の光ファイバーなどに対する光信号の入力、出力、伝送の管理を行なっている。
同様に、濾波板あるいはレンズによって光路の管理を行う構造設計では、主に、別設計の方法を採用しており、本体と濾波板あるいはレンズの支持体を別々に設計してから、組み合わせて1つにしている。このような設計は、部品の加工には便利であるが、濾波板支持体あるいはレンズ支持体と本体を一体に接続し、さらに、本体と接続されたレーザー発生装置、検出器、外部の光ファイバーの間の光路アライメント関係を保証するのに、非常に時間がかかり、その上、合格率の損失を招く。
本発明の目的は、一種の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体及びその光デバイスモジュールを設計し、パッケージング体の本体と濾波板あるいはレンズの支持体が一体化された本体構造を提供し、光デバイスのカップリング効率と生産効率を大いに向上させるものであり、特に、FTTH光モジュールの単心双方向、単心三方向光デバイスモジュールの設計に適している。
V型溝体は、BOSA(Bi-directional Optical SubAssembly:単心双方向光サブアセンブリ)光ファイバーデバイスをパッケージングする構造として用いられるが、該構造は、単一のV型溝あるいは連続したV型溝によって、光信号の伝送方向管理に用いることができる。該構造は、光ファイバー通信、光ファイバーレーザー発生装置などの光電デバイスパッケージでの多波長、多チャンネルの光信号の管理に適し、FTTH光モジュール、例えば、単心双方向、単心3方向光モジュールの光デバイスBSOAの構造設計に用いることができる。
本発明の技術方式は、以下の通りである。本発明においては、光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体は、本体を含み、その本体内に1つあるいは複数のV型溝を備え、また本体内にV型溝の両側の壁と、外部とつながる光信号伝送孔システムとを備えている。光信号伝送孔システムは、V型溝の夾角中心線と垂直な光信号伝送孔および/または平行な光信号伝送孔を含み、V型溝の夾角θ1は90度±10度である。
上述したV型溝の夾角θ1は、90度が最も好ましい。
上述した本体内で、V型溝の夾角中心線と垂直な水平伝送孔は、V型溝の両側の壁とつながる第1水平伝送孔および/または第2水平伝送孔を含み、第1水平伝送孔と第2水平伝送孔は、軸線が共通である。
上述した本体内に含まれる複数のV型溝は、同方向を向いて互いに横に並び直列に接続される、つまり、隣り合うV型溝の隣り合う水平伝送孔を共用する。
上述した本体内に複数のV型溝を含む場合、複数のV型溝の中には、1対あるいは複数対の逆方向に接続されたものがある。その場合、1対の逆方向に接続されたV型溝の間は、V型溝夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔によって本体内で連通する。逆方向に接続されたV型溝とその他のV型溝との間は、必要に応じて、本体内の光信号伝送孔によって連通する。
一種の前記V型溝体によってパッケージングされた光デバイスモジュールは、前記V型溝体の本体を含み、本体内のV型溝のV型溝開口、外部を向いた水平伝送孔、垂直伝送孔が、それぞれ、各光デバイスおよび外部光信号インターフェースと接続され、V型溝の両側の壁に、光管理レンズが貼られる。
上述した光デバイスモジュールは、その本体内のV型溝のV型溝開口が検出器と接続され、V型溝の両側の壁とつながった第1水平伝送孔と第2水平伝送孔が、それぞれ、レーザー発生装置と外部光信号インターフェースに接続され、V型溝の両側の壁に、それぞれ、第1濾波板と第2濾波板が貼られることにより、1種の単心双方向光デバイスモジュールを構成する。
上述した光デバイスモジュールは、その本体内のV型溝のV型溝開口がレーザー発生装置に接続され、V型溝の片側の壁とつながった第1水平伝送孔が検出器に接続され、V型溝の、第1水平伝送孔に対応する側の壁に濾波板が貼られ、V型溝の夾角中心線と平行な光信号伝送孔が外部光信号インターフェースと接続されることにより、一種の単心双方向光デバイスモジュールを構成する。
上述した光デバイスモジュールは、その本体内のV型溝のV型溝開口が第1検出器と接続され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号伝送孔が第2検出器と接続され、V型溝の両側の壁とつながった第1水平伝送孔がレーザー発生装置と接続され、V型溝の両側の壁とつながった第2水平伝送孔が外部光信号インターフェースと接続され、V型溝の両側の壁に、それぞれ、第1濾波板と第2濾波板が貼られることにより、一種の単心3方向光デバイスモジュールを構成する。
上述した光デバイスモジュールは、その本体内の第1V型溝と第2V型溝が共用するV型溝開口が第1検出器と接続され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号伝送孔が第2検出器と接続され、第1V型溝の片側の壁とつながった第1水平伝送孔がレーザー発生装置と接続され、第2V型溝の片側の壁とつながった第3水平伝送孔が外部光信号インターフェースと接続され、第1V型溝と第2V型溝の二つの外側の壁に、それぞれ、第1濾波板と第2濾波板が貼られることにより、一種の単心3方向光デバイスモジュールを構成する。
上述した光デバイスモジュールは、その本体内の第1V型溝の第1V型溝開口がレーザー発生装置と接続され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号伝送孔が第1V型溝と第2V型溝を連通させ、第1V型溝の第1水平伝送孔が第1検出器と接続され、第2V型溝の第2水平伝送孔が第2検出器と接続され、第2V型溝の第2V型溝開口が外部光信号インターフェースと接続され、第1V型溝と第2V型溝の互いにつながった二つの壁に、それぞれ、第1濾波板と第2濾波板が貼られることにより、一種の単心3方向光デバイスモジュールを構成する。
本発明の利点は、次の通りである。V型溝構造を使用して光デバイスのパッケージング構造を設計することにより、効果的に光信号の伝送方向を管理することができ、大規模化に適している。また、単体部品から構成されるので、生産コストおよび使用コストを下げることができる。
V型溝構造により、BOSAのパッケージング構造が単純化される。つまり、パッケージング体の本体が濾波板支持体と一体化し、V型溝の夾角θ1を90度とする構造である。また、構造上、レーザー発生装置、検出器、外部光ファイバーの光路アライメント関係が保証される。
従来設計の光デバイスのパッケージング手順は次の通りである。1、濾波板を濾波板支持体に接着する。2、濾波板支持体をパッケージング本体とアライメントさせ、共に溶接または接着する。3、レーザー発生器、検出器および外部の光ファイバーをアライメントし、パッケージング体の本体上に溶接または接着する。
本発明の設計による光デバイスのパッケージング手順は次の通りである。1、濾波板を、パッケージング体の本体のV型溝の壁に接着する。2、レーザー発生装置、検出器、外部光ファイバーをアライメントし、パッケージング体の本体上に溶接あるいは接着する。
その利点は以下の通りである。
1、従来のパッケージング手順中の第2項を省くことにより、大幅に生産効率を高め、生産コストを低下させた。
2、従来設計の濾波板の位置は、濾波板支持体と本体とを調整することによって得られていたが、本発明の濾波板は本体上に貼られることによって本体の一部分となるので、濾波板の位置精度が大いに高まり、しかも位置の一致性が非常に良く、レーザー発生装置、検出器、外部光ファイバーのアライメントが容易になり、アライメント速度が上がる。これにより、カップリング効率が向上し、BOSA光デバイスのパッケージ生産効率が向上する。
3、上記第2の理由により、レーザー発生装置、検出器、外部光ファイバーの各ポートの光カップリング効率の一致性が保証され、これにより、製品の合格率水準を効果的に保証できる。
本発明の、1種の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体の基本構造の断面図である。 本発明の、複数のV型溝が同方向に互いに横に並んだV型溝体の、光路の構造を説明する断面模式図である。 本発明の、複数のV型溝が同方向に互いに横に並んだV型溝体の構造の、光路原理を説明する断面模式図である。 本発明の、複数のV型溝が逆方向にジグサグ配列されたV型溝体の構造を説明する断面模式図である。 本発明の、複数のV型溝の逆方向ジグザグ配列と水平配列が互いに接続された、V型溝体の構造の、光路を説明する模式図である。 本発明の、単心双方向光デバイスモジュールの第1の実施例の基本構造を説明する模式図である。 本発明の、単心双方向光デバイスモジュールの第2の実施例の基本構造を説明する模式図である。 本発明の、単心3方向光デバイスモジュールの第1の実施例の基本構造を説明する模式図である。 本発明の、単心3方向光デバイスモジュールの第2の実施例の基本構造を説明する模式図である。 本発明の、単心3方向光デバイスモジュールの第3の実施例の基本構造を説明する模式図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
図1は本発明の1実施例の、光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体の基本的構造の模式図である。
本発明の1つの実施例における光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体は、本体Bを含み、本体B内に、1つまたは複数のV型溝B1を備えている。また、本体B内に、V型溝B1の両側壁と、外部と連通する光信号伝送孔システムとを備え、光信号伝送孔システムは、V型溝の夾角中心線と垂直な光信号伝送孔および/または平行な光信号伝送孔を含み、V型溝B1の夾角θ1は90度±10度である。V型溝B1の夾角θ1は、90度が最も好ましい。
上述した本体B内の、V型溝B1の夾角中心線と垂直な水平伝送孔は、V型溝B1の両側の壁とつながった第1水平伝送孔B3aと第2水平伝送孔B3bを含み、第1水平伝送孔B3aと第2水平伝送孔B3bは、軸線が共通である。V型溝B1の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4と、V型溝B1の片側の壁とは、互いにつながっている。B2はV型溝B1の、外部を向いたV型溝開口である。
図2は、本発明の、複数のV型溝が同方向を向いて互いに横に並んだV型溝体の構造の模式図である。本体B内には、同方向を向いて互いに横に並び直列に接続された複数のV型溝を備えている(図では2つのV型溝のみを示している)。第1V型溝B1aと第2V型溝B1bは直列接続されている。つまり、第1V型溝B1aと第2V型溝B1bは第2水平伝送孔B3bによって連通している。第1水平伝送孔B3aと第3水平伝送孔B3cは外部を向いている。B2aは第1V型溝B1a のV型溝開口、B2bは第2V型溝B1b のV型溝開口である。B4aは、第1V型溝B1a
の、V型溝夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔である。B4bは、第2V型溝B1bの、V型溝夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔である。V型溝が多数の場合も、これと同様な構造となる。
φd1、φd2、φd3、φd4は、孔システムの直径であり、光信号の伝送に用いる。φd3、φd4は実際の必要に応じて、有っても無くてもよい。多数連続するV型溝の構造はφd1の軸方向に沿って互いに横に並ぶ構造でもよく、または、φd1の径方向に沿った鏡像の無限に多数のF1、F2、F3、F4のV型溝でもよい。V型溝F1、F2、F3、F4は、光信号の波長の選択あるいは伝送方向の変更を行なう濾波板Cを、V型溝の壁に固定して設置するために用いられる。実際の必要に応じ、任意に選択して、F1、F2、F3、F4を使用する。
図3は、図2の、複数のV型溝が同方向を向いて互いに横に並んだV型溝体の構造の光路原理を説明する模式図である。
動作原理:第1V型溝B1aと第2V型溝B1bには、それぞれ濾波板C1、C2、C3、C4が設置されている。Aは光源であり、Aが出す光信号は、まず濾波板C1を通過するが、C1は、特定の波長の光信号に対し、90度屈折と直進の2種類の塗膜層を備え、このため、ある波長の光信号はQ1に到達することができ、その他の波長の光信号はC2に到達する。同様にC2は、特定の波長の光信号に対し、90度屈折と直進の2種類の塗膜層を備え、このため、ある波長の光信号はQ2に到達させられ、その他の波長の光信号はC3に到達する。以下同様である。
同様に、もしQ5もまた発光源であれば、C4の90度反射層を介してQ4に到達可能であり、C3の90度反射層を介してQ3に到達可能であり、同様にQ2、Q1にも到達することができる。
図4は、本発明の、複数のV型溝が逆方向にジグザグ配列されたV型溝体の構造の模式図である。本体B内で、複数のV型溝が逆方向に接続されている。つまり、互いに隣り合うV型溝の、V型溝夾角中心線と平行な光信号伝送孔B4が、本体B内で連通している。
本実施例では、複数のV型溝が逆方向にジグザグ配列で接続されている(図では2つのみが示されている)。第1V型溝B1aと第2V型溝B1bは、逆方向にジグザグ配列され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4によって、2つのV型溝が連通している。B2aは第1V型溝B1a
のV型溝開口、B2bは第2V型溝B1bのV型溝開口である。B3aは、第1V型溝B1aの、V型溝夾角中心線と垂直な第1水平伝送孔、 B3bは、第2V型溝B1bの、V型溝夾角中心線と垂直な第2水平伝送孔である。
図5は、本発明の、複数のV型溝の逆方向ジグザグ配列と水平配列が互いに接続されたV型溝体の構造の模式図である。
本体B内には、複数のV型溝が含まれ、複数のV型溝の中には、逆方向に接続された1対あるいは複数対のV型溝が含まれる。つまり、1対の逆方向に接続されたV型溝の間は、V型溝夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4によって、本体B内で連通する。逆方向接続されたV型溝とその他のV型溝の間は、必要に応じて、本体B内の光信号伝送孔によって、連通させられる。
第1V型溝B1aと第2V型溝B1bは、逆方向ジグザグ配列され、V型溝夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4aによって、2つのV型溝が連通している。第3V型溝B1cと第4V型溝B1dは、逆方向ジグザグ配列され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4bによって、2つのV型溝が連通している。これらの2組は互いに横に並んでいる。第5V型溝B1eの方向は、前記4つのV型溝とは異なっている。第1水平伝送孔B3aは外部と連通し、2組の逆方向ジグザグ配列されたV型溝の間は第2水平伝送孔B3bによって連通し、第3水平伝送孔B3cは、2組目の逆方向ジグザグ配列されたV型溝B1dを、第5V型溝B1e と連通させている。
要するに、V型溝の数、配列形式、接続するか否かは、必要に応じて柔軟に変化させればよい。
本発明のV型溝体は、光デバイスモジュールの各外部インターフェース部分をパッケージング構成するものであり、接続される部品の形状およびサイズと整合している。Bによって、光デバイスモジュールを構成する全ての部品を共に接続する。
前記V型溝体により、各種の光デバイスモジュールをパッケージングできる。前記V型溝体の本体Bを含み、本体B内のV型溝B1のV型溝開口、外を向いた水平伝送孔、垂直伝送孔が、それぞれ、各光デバイスおよび外部光信号インターフェースにつながっている。V型溝B1の両側の壁には、光管理レンズが貼られている。
光管理レンズには、濾波板、レンズ、屈折レンズ、反射鏡などが含まれる。
図6は、本発明の単心双方向光デバイスモジュールの第1の実施例の基本構造を示す模式図である。本実施例においては、図1に示したV型溝体構造の1変形例を採用している。つまり、V型溝の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔は必要なく、本体B内のV型溝B1のV型溝開口B2は検出器Dに接続され、V型溝の両側の壁とつながった第1水平伝送孔B3aと第2水平伝送孔B3bとは、それぞれ、レーザー発生装置Aと外部光信号インターフェースEとに接続され、V型溝B1の両側の壁には、それぞれ、第1濾波板C1と第2濾波板C2が貼られている。
本実施例は、単心双方向光モジュールの中核となる光デバイスとなり、V型溝構造によって、入/出力する光信号を効果的に管理する。
動作原理:Aは光源のレーザー発生装置、Bは本発明のV型溝体の本体であり、単心双方向光デバイスモジュールを構成する全ての部品は、Bによって共に接続される。C1、C2は濾波板、Dは検出器、Eは外部の光ファイバーと接続される外部光信号インターフェースのアダプターである。
ローカル信号が光信号に変換され伝送出力される際の動作原理:Aが出す光信号は、C1、C2の直進濾波層を通って、光信号カップリングによってEに接続された光ファイバーに入り、さらに、外部の光ファイバーに至る。
外部の光信号が伝送入力され電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C2の90度反射層を通ってDに伝送入力される。Dは、光信号を受け取った後、電気信号に変換する。
図7は、本発明の単心双方向光デバイスモジュールの第2の実施例の基本的構造の模式図である。本実施例では、図1に示したV型溝体の構造の、もう一つの変形例を採用している。つまり、V型溝の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔の必要がなく、本体B内のV型溝B1のV型溝開口B2はレーザー発生装置Aに接続され、V型溝の片側の壁とつながった第1水平伝送孔B3は、検出器Dに接続され、V型溝B1の第1水平伝送孔B3に対応する側の壁には、濾波板Cが貼られ、V型溝B1の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4は、外部光信号インターフェースEと接続される。
これにより、V型溝構造を利用した単心双方向光デバイスのもう一つの形式を構成できる。
動作原理:Aは光源のレーザー発生装置、Bは本発明のV型溝体の本体であり、単心双方向光デバイスモジュールを構成する全ての部品は、Bによって共に接続される。Cは濾波板、Dは検出器、Eは外部の光ファイバーと接続される外部光信号インターフェースのアダプターである。
ローカル信号が光信号に変換され伝送出力される際の動作原理:Aが出す光信号は、Cの直進濾波層を通って、光信号カップリングによりEの光ファイバーに入り、さらに、外部の光ファイバーに至る。
外部の光信号が伝送入力され電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、Cを通る。Cの90度反射層によって、Dに伝送入力され、Dは、光信号を受け取った後、電気信号に変換する。
図8は、本発明の単心3方向光デバイスモジュールの第1の実施例の基本構造の模式図である。本実施例では、図1に示したV型溝体の構造を採用している。本体B内のV型溝B1のV型溝開口B2は第1検出器D1に接続され、V型溝B1の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4は、第2検出器D2と接続され、V型溝の両側の壁とつながった第1水平伝送孔B3aは、レーザー発生装置Aに接続され、V型溝の両側の壁とつながった第2水平伝送孔B3bは、外部光信号インターフェースEと接続され、V型溝B1の両側の壁には、それぞれ、第1濾波板C1と第2濾波板C2が貼られている。
これにより、単心3方向光モジュールの中核となる光デバイスが構成され、V型溝構造によって、入/出力する光信号を効果的に管理する。
動作原理:Aは光源のレーザー発生装置、Bは本発明のV型溝体の本体であり、単心3方向光デバイスモジュールを構成する全ての部品は、Bによって共に接続される。C1、C2は濾波板、D1はデータ信号検出器、D2はアナログ信号検出器、Eは外部の光ファイバーと接続される外部光信号インターフェースのアダプターである。
ローカル信号が光信号に変換され伝送出力される際の動作原理:Aが出す光信号は、C1、C2の直進濾波層を通って、光信号カップリングによってEの光ファイバーに入り、さらに、外部の光ファイバーに至る。
外部のデータ光信号が伝送入力されデータ電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C1を通る。C1の90度屈折層によってD1に伝送入力され、D1は、データ光信号を受け取った後、データ電気信号に変換する。
外部のアナログ光信号が伝送入力されアナログ電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C2の反射層によってD2に伝送入力される。D2は、アナログ光信号を受け取った後、アナログ電気信号に変換する。
図9は、本発明の単心3方向光デバイスモジュールの第2の実施例の基本的構造の模式図である。
本実施例においては、図2に示したV型溝体の構造を採用している。本体B内の第1V型溝B1aと第2V型溝B1bが共用するV型溝開口B2は第1検出器D1に接続され、V型溝B1の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4は、第2検出器D2に接続され、第1V型溝B1aの片側の壁とつながった第1水平伝送孔B3aは、レーザー発生装置Aに接続され、第2V型溝B1bの片側の壁とつながった第3水平伝送孔B3cは、外部光信号インターフェースEと接続され、第1V型溝B1aと第2V型溝B1bの2つの内側の壁は、第2水平伝送孔B3bによって接続され、第1V型溝B1aと第2V型溝B1bの2つの外側の壁にはそれぞれ、第1濾波板C1と第2濾波板C2が貼られている。
これにより、V型溝構造を利用した単心3方向光デバイスのもう一つの形式を構成できる。
動作原理:Aは光源のレーザー発生装置、Bは本発明のV型溝体の本体であり、単心3方向光デバイスモジュールを構成する全ての部品は、Bによって共に接続される。C1、C2は濾波板、D1はデータ信号検出器、D2はアナログ信号検出器、Eは外部の光ファイバーと接続される外部光信号インターフェースのアダプターである。
ローカル信号が光信号に変換され伝送出力される際の動作原理:Aが出す光信号は、C1、C2の直進濾波層を通って、光信号カップリングによってEの光ファイバーに入り、さらに、外部の光ファイバーに至る。
外部のデータ光信号が伝送入力されデータ電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C1の直進濾波層を通り、C1の90度反射層を介してD1に伝送入力される。D1は、データ光信号を受け取った後、データ電気信号に変換する。
外部のアナログ光信号が伝送入力されアナログ電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C2の90度反射層を介してD2に伝送入力される。D2は、アナログ光信号を受け取った後、アナログ電気信号に変換する。
図10は、本発明の単心3方向光デバイスモジュールの第3の実施例の基本的構造の模式図である。本実施例では、図3に示したV型溝体の構造を採用している。本体B内の第1V型溝B1aの第1V型溝開口B2aはレーザー発生装置Aに接続され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔B4が、第1V型溝B1aを第2V型溝B1bと連通させ、第1V型溝B1aの第1水平伝送孔B3aは、第1検出器D1と接続され、第2V型溝B1bの第2水平伝送孔B3bは、第2検出器D2と接続され、第2V型溝B1bの第2V型溝開口B2bは外部光信号インターフェースEと接続され、第1V型溝B1aと第2V型溝B1bの、互いに接続された2つの壁には、それぞれ、第1濾波板C1と第2濾波板C2が貼られている。
これにより、V型溝構造を利用した単心双方向光デバイスのもう一つの形式を構成できる。
動作原理:Aは光源のレーザー発生装置、Bは本発明のV型溝体の本体であり、単心3方向光デバイスモジュールを構成する全ての部品は、Bによって共に接続される。C1、C2は濾波板、D1はデータ信号検出器、D2はアナログ信号検出器、Eは外部の光ファイバーと接続される光ファイバーコネクタである。
ローカル信号が光信号に変換され伝送出力される際の動作原理:Aが出す光信号は、C1、C2の直進濾波層を通って、光信号カップリングによりEの光ファイバーに入り、さらに、外部の光ファイバーに至る。
外部のデータ光信号が伝送入力されデータ電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C1の直進濾波層を通り、C1の90度反射層を介してD1に伝送入力される。D1は、データ光信号を受け取った後、データ電気信号に変換する。
外部のアナログ光信号が伝送入力されアナログ電気信号に変換される際の動作原理:外部の光信号は、外部の光ファイバーから、E内の光ファイバーを通って伝送入力され、C2の90度反射層を介してD2に伝送入力される。D2は、アナログ光信号を受け取った後、アナログ電気信号に変換する。
本発明のV型溝体は、1種の光信号管理用のパッケージング構造であり、該構造は1つあるいは複数のV型溝から構成される。その配列形式と接続は、必要に応じて柔軟に変化させることができ、また、その光信号伝送孔システムの増設あるいは取捨選択についても、必要に応じて柔軟に変化させることができ、上述の実施例の制限を受けない。
このような構造は特に、FTTH(Fiber To The Home)光モジュールのBOSA(Bi-directional
Optical SubAssembly:単心双方向光サブアセンブリ)構造の設計に適している。V型溝の中心線は、光信号の方向と垂直であり、Cには、濾波板、レンズ、屈折レンズ、反射鏡を用いることができ、Cは、V型溝の壁に固定される。
同様に、本発明のV型溝体によってパッケージングされる光デバイスモジュールは、更に、必要に応じて柔軟に変化させることができ、上述の実施例の制限を受けない。
本発明の核心は、V型溝体内の90度V型溝の設計であり、BOSAのパッケージング構造を単純化できる。パッケージング体の本体を濾波板支持体と一体化するだけではなく、構造上、レーザー発生装置、検出器、外部光ファイバーの光路アライメント精度を保証することができる。そのため、光デバイスのパッケージング体内にV型溝を有し、光信号の伝送方向の管理を行うものは全て、均しく本発明の権利範囲に属する。
B…V型溝体の本体、
B1、B1a、B1b、B1c、B1d、B1e…V型溝、
B2、B2a、B2b…V型溝開口、
B3、B3a、B3b、B3c…水平伝送孔、
B4、B4a、B4b…垂直伝送孔、
C、C1、C2、C3、C4…濾波板、
D、D1、D2…検出器、
A…レーザー発生装置、
E…外部光信号インターフェース

Claims (11)

  1. 本体(B)を含み、
    本体(B)内に、1つまたは複数のV型溝(B1)を備え、本体(B)内に、さらに、V型溝(B1)の両側の壁と、外部と連通する光信号伝送孔システムとを備え、光信号伝送孔システムが、V型溝の夾角中心線と垂直な光信号伝送孔および/または平行な光信号伝送孔を含み、V型溝(B1)の夾角θ1は90度±10度であることを特徴とする、光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体。
  2. V型溝(B1)の夾角θ1が90度であることを特徴とする、請求項1に記載の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体。
  3. 本体(B)内の、V型溝(B1)の夾角中心線と垂直な水平伝送孔が、V型溝(B1)の両側の壁とそれぞれつながる第1水平伝送孔(B3a)および/または第2水平伝送孔(B3b)を含み、第1水平伝送孔(B3a)と第2水平伝送孔(B3b)の軸線が共通であることを特徴とする、請求項1に記載の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体。
  4. 本体(B)内に複数のV型溝(B1)を備え、複数のV型溝が、同方向を向いてお互いに横に直列に並び、隣り合うV型溝の隣り合う水平伝送孔が共用であることを特徴とする、請求項1または3に記載の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体。
  5. 本体(B)内に複数のV型溝を備え、複数のV型溝中に、一対または複数対の逆方向接続されたV型溝が含まれ、一対の逆方向接続されたV型溝の間は、V型溝の夾角中心線と平行な光信号垂直伝送孔(B4)によって、本体(B)内で連通し、逆方向接続されたV型溝とその他のV型溝の間は、必要に応じて本体(B)内の光信号伝送孔によって連通することを特徴とする、請求項1または2に記載の光信号管理用光デバイスモジュール式パッケージングV型溝体。
  6. 前記V型溝体の本体(B)を含み、
    本体(B)内のV型溝(B1)のV型溝開口、V型溝が外部とつながる水平伝送孔の孔口、垂直伝送孔の孔口が、所要の光デバイスおよび外部光信号インターフェースに接続され、V型溝(B1)の両側の壁に、光管理レンズを貼ることによって光デバイスモジュールを構成することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載のV型溝体によってパッケージングされる光デバイスモジュール。
  7. 本体(B)内のV型溝(B1)のV型溝開口(B2)が検出器(D)に接続され、V型溝の両側の壁とつながった第1水平伝送孔(B3a)と第2水平伝送孔(B3b)が、それぞれ、レーザー発生装置(A)および外部光信号インターフェース(E)と接続され、V型溝(B1)の両側の壁に、それぞれ、第1濾波板(C1)および第2濾波板(C2)が貼られることによって単心双方向光デバイスモジュールを構成することを特徴とする、請求項6に記載の光デバイスモジュール。
  8. 本体(B)内のV型溝(B1)のV型溝開口(B2)がレーザー発生器(A)と接続され、V型溝の片側の壁とつながった第1水平伝送孔(B3)が、検出器(D)と接続され、V型溝(B1)の、第1水平伝送孔(B3)と対応する側の壁に、濾波板(C)が貼られ、V型溝(B1)の夾角中心線と平行な光信号伝送孔(B4)が、外部光信号インターフェース(E)と接続されることにより、単心双方向光デバイスモジュールを構成することを特徴とする、請求項6に記載の光デバイスモジュール。
  9. 本体(B)内のV型溝(B1)のV型溝開口(B2)が第1検出器(D1)と接続され、V型溝(B1)の夾角中心線と平行な光信号伝送孔(B4)が第2検出器(D2)と接続され、V型溝の両側の壁とつながった第1水平伝送孔(B3a)が、レーザー発生器(A)と接続され、V型溝の両側の壁とつながった第2水平伝送孔(B3b)が外部光信号インターフェース(E)と接続され、V型溝(B1)の両側の壁に、それぞれ、第1濾波板(C1)および第2濾波板(C2)が貼られることにより、単心3方向光デバイスモジュールを構成することを特徴とする、請求項6に記載の光デバイスモジュール。
  10. 本体(B)内の第1V型溝(B1a)と第2V型溝(B1b)が共用するV型溝開口(B2)が第1検出器(D1)と接続され、V型溝(B1)の夾角中心線と平行な光信号伝送孔(B4)が、第2検出器(D2)と接続され、第1V型溝(B1a)の片側の壁とつながった第1水平伝送孔(B3a)がレーザー発生装置(A)と接続され、第2V型溝(B1b)の片側の壁とつながった第3水平伝送孔(B3c)が外部光信号インターフェース(E)と接続され,第1V型溝(B1a)および第2V型溝(B1b)の、二つの外側の壁に、それぞれ、第1濾波板(C1)および第2濾波板(C2)が貼られることにより、単心3方向光デバイスモジュールを構成することを特徴とする、請求項6に記載の光デバイスモジュール。
  11. 本体(B)内の第1V型溝(B1a)の第1V型溝開口(B2a)が、レーザー発生装置(A)と接続され、V型溝の夾角中心線と平行な光信号伝送孔(B4)が、第1V型溝(B1a)と第2V型溝(B1b)を連通させ、第1V型溝(B1a)の第1水平伝送孔(B3a)が第1検出器(D1)と接続され、第2V型溝(B1b)の第2水平伝送孔(B3b)が第2検出器(D2)と接続され、第2V型溝(B1b)の第2V型溝開口(B2b)が外部光信号インターフェース(E)と接続され、第1V型溝(B1a)と第2V型溝(B1b)のつながりあった二つの壁に、それぞれ、第1濾波板(C1)と第2濾波板(C2)が貼られることにより、単心3方向光デバイスモジュールを構成することを特徴とする、請求項6に記載の光デバイスモジュール。
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