JP2013236005A - Ｌｅｄ用リードフレーム及び当該ｌｅｄ用リードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないＬＥＤ用リードフレーム及び当該ＬＥＤ用リードフレームを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】発光波長が４６０ｎｍ以下であるＬＥＤ素子１２を搭載するために用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、基材２と、基材２におけるＬＥＤ素子１２を搭載するための搭載領域ＭＡ上に少なくとも設けられてなる銀めっき層３とを備え、銀めっき層３の厚さ方向所定の断面の全面積の７０％以上が、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子で占められており、銀めっき層３の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）用リードフレーム及び当該ＬＥＤ用リードフレームを用いた半導体装置に関する。

近年、ＬＥＤ素子を基板上に実装した半導体装置（ＬＥＤパッケージ）が、表示装置のバックライト、各種電気機器や電子機器の表示灯、車載照明、一般照明等に用いられている。かかるＬＥＤパッケージは、一般に、銅基板等の放熱性基板上に電気絶縁層を介して電極を形成し、この電極上にＬＥＤ素子を実装してボンディングした後、透光性樹脂で当該ＬＥＤ素子を埋設するようにして封止した構造を有する。

このような構造を有するＬＥＤパッケージとして、例えば、Ｃｕ配線層が形成されたＣｕ基板にＣｕ配線層側からプレス加工を施すことで所定の凹部（リフレクタ部）を形成し、当該凹部内（素子搭載部）にＬＥＤ素子を実装した後にエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂で封止してなるものが知られている（特許文献１参照）。かかる半導体装置は、ＬＥＤ素子から発せられた光を効率的に取り出すために、Ｃｕ配線層上に設けられた、反射層としての役割を果たす銀めっき層を備えている。

また、近年、紫外領域の発光波長（４００ｎｍ以下）を有するＬＥＤ素子が開発され、当該ＬＥＤ素子を用いたＬＥＤパッケージが、例えば、フォトレジストとして用いられる紫外線硬化性樹脂を光反応により硬化させるための照射光源として注目されている。
この光反応は、紫外線硬化性樹脂組成物中に含まれる光重合開始剤のような光反応性分子に照射された紫外領域の光のエネルギーが当該光反応性分子に吸収され、分子内での化学反応により引き起こされる。したがって、紫外領域の発光波長を有するＬＥＤ素子を用いたＬＥＤパッケージを上記照射光源として用いるためには、当該分子内での化学反応を引き起こすのに必要なエネルギーを有する紫外領域の光が、当該ＬＥＤパッケージから取り出されなければならない。

しかしながら、従来のＬＥＤパッケージにおいて反射層として用いられている銀めっき層は、可視光領域の光の反射性能に優れるものの、紫外領域の光を吸収しやすいために当該紫外領域の光の反射性能に劣り、当該ＬＥＤパッケージから紫外領域の光を効果的に取り出すことができないという問題がある。

このような問題を解決すべく、従来、基材に電気銀めっき処理を施すことにより形成される、反射層としての機能を果たす銀膜を有し、当該銀膜における最表面の結晶粒径が０．５〜３０μｍであるＬＥＤ実装用基板が提案されている（特許文献２参照）。

特開２００６−２４５０３２号公報 特開２００８−１６６７４号公報

一般に、銀めっき層は、その分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下するため、ピーク発光波長が３５０ｎｍ付近のＬＥＤ素子を用いてなるＬＥＤパッケージにおいては、銀めっき層により反射した光の波長分布が二つに分かれてしまう。一方、上記光反応性分子における分子内での化学反応を引き起こし得る紫外光の波長、すなわち光反応性分子における紫外光の吸収波長は、光反応性分子に特有であり、反応に寄与し得ない波長の紫外光はすべて熱エネルギーとなって消費されてしまう。そのため、照射光源から発せられる紫外光の波長の分散を少なくし、上記吸収波長の紫外光を可能な限り効率的に取り出すことのできるＬＥＤパッケージが所望されている。

しかしながら、上記特許文献２に開示されたＬＥＤ実装用基板によれば、可視光領域のうちの短波長領域（波長４００〜５００ｎｍ）における銀膜の反射率は向上されているものの、その分光反射率曲線における、紫外領域である波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下するため、ピーク発光波長が３５０ｎｍ付近のＬＥＤ素子を用いた場合に、銀膜により反射した光の波長分布が３５０ｎｍ前後の二つに分かれてしまい、所望とするエネルギー（波長）を有する光を取り出すのが困難であるという問題がある。

上記のような問題に鑑みて、本発明は、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないＬＥＤ用リードフレーム及び当該ＬＥＤ用リードフレームを用いた半導体装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、発光波長が４６０ｎｍ以下であるＬＥＤ素子を搭載するために用いられるリードフレームであって、基材と、前記基材における前記ＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域上に少なくとも設けられてなる銀めっき層とを備え、前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面の全面積の７０％以上が、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子で占められており、前記銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないことを特徴とするＬＥＤ用リードフレームを提供する（発明１）。

なお、本発明において「銀めっき層の厚さ方向所定の断面」とは、基材の搭載領域上の銀めっき層の厚さ方向における切断面のうち、ＳＥＭを用いて観察可能な領域であって、例えば、銀めっき層の厚さ方向及び面方向における長さが１０μｍ×２０μｍの切断面である。また、本発明において「銀の結晶粒子の断面積」とは、銀めっき層の厚さ方向における所定の断面に現れる銀の結晶粒子切断面の面積を意味し、当該断面積は、例えばＳＥＭを用いて当該切断面を観察し、ＥＢＳＰ検出器を用いて結晶方位を判別し、結晶粒像を撮影し、粒径分布を算出する方法により測定することができる。

また、本発明において「波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない」とは、銀めっき層の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において、短波長側から長波長側へ進むに従い増加する反射率が低下し始める極大点における反射率と、当該極大点よりも長波長側において反射率が再び増加し始める極小点における反射率との差分が、１％未満、好ましくは当該分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において極大点及び極小点が存在しないことを意味するものとする。

上記発明（発明１）においては、前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面において、当該銀めっき層の厚さの二乗以上の断面積を有する前記銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するのが好ましい（発明２）。

上記発明（発明１，２）においては、前記搭載領域の周囲を囲むリフレクタ領域に設けられてなる樹脂リフレクタをさらに備え、前記樹脂リフレクタは、波長４６０ｎｍ以下の光の透過率が高い樹脂と、前記樹脂中に分散され、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高い顔料とにより構成されているのが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１〜３）においては、前記搭載領域は、前記基材上にマトリックス状に複数配列されているのが好ましい（発明４）。

上記発明（発明１〜４）においては、前記搭載領域上の銀めっき層の一部が露出するように前記銀めっき層を被覆してなる、前記銀よりも耐食性の高い、銀以外の金属を含有する被覆層をさらに備えるのが好ましく（発明５）、かかる発明（発明５）においては、前記被覆層の厚さが、５〜５０ｎｍであるのが好ましく（発明６）、前記被覆層に含まれる前記金属が、インジウム、パラジウム、ロジウム及びスズ、並びにそれらのうちの少なくとも１種を含む合金からなる群より選択される少なくとも１種であるのが好ましい（発明７）。

また、本発明は、上記発明（発明１〜７）に係るＬＥＤ用リードフレームと、前記搭載領域上に搭載されてなる、発光波長が４６０ｎｍ以下であるＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を封止する封止部とを備えることを特徴とする半導体装置を提供する（発明８）。

上記発明（発明８）においては、前記封止部は、前記ＬＥＤ素子の発光により励起される蛍光体を含み、それにより前記半導体装置が波長４００〜７００ｎｍの光を発するのが好ましい（発明９）。

本発明によれば、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないＬＥＤ用リードフレーム及び当該ＬＥＤ用リードフレームを用いた半導体装置を提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを示す部分断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における基材の表面（ＬＥＤ素子搭載面）側を示す部分平面図である。 図３は、本発明の第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームにおいて、銀めっき層の分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないことの意義を説明するためのグラフである。 図４は、本発明の第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージの製造工程を示す工程フロー図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを示す部分断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの製造工程を示す工程フロー図である。 図９は、本発明の第１及び第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの変形例（その１）を示す断面図である。 図１０は、本発明の第１及び第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの変形例（その２）を示す断面図である。 図１１は、本発明の第１及び第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの変形例（その３）を示す断面図である。 図１２は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（その１）を示す部分断面図である。 図１３は、図１２に示すＬＥＤ用リードフレームを用いて作製されるＬＥＤパッケージを示す断面図である。 図１４は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（その２）を示す部分断面図である。 図１５は、図１４に示すＬＥＤ用リードフレームを用いて作製されるＬＥＤパッケージを示す断面図である。 図１６は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（その３）を示す部分断面図である。 図１７は、図１６に示すＬＥＤ用リードフレームを用いて作製されるＬＥＤパッケージモジュールを示す部分断面図である。 図１８は、図１７に示すＬＥＤパッケージモジュールから作製されるＬＥＤパッケージを示す断面図である。

本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
〔第１の実施形態〕
［ＬＥＤ用リードフレーム］
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを示す部分切断端面図であり、図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態における基材の表面（ＬＥＤ素子搭載面）側を示す部分平面図であり、図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態における基材の裏面側を示す部分平面図である。

図１及び図２に示すように、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、ＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域ＭＡ（図２（Ａ）において、一点鎖線にて囲まれる各領域）を有する平板状の基材２と、当該基材２の全面（表面及び裏面）に設けられてなる銀めっき層３とを備える。

基材２としては、従来公知のリードフレーム用基材を用いることができ、例えば、銅、銅合金、４２合金（ニッケル４１％の鉄合金）等の金属基材（導電性基材）；セラミックス、ガラス等の電気絶縁性基材表面に導電性材料層を設けてなる複合基材等を用いることができる。これらのうち、基材２の放熱性の観点から、金属基材（導電性基材）を用いるのが好ましい。

ＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域ＭＡは、基材２上に少なくとも１つ設けられていればよいが、複数の搭載領域ＭＡがマトリックス状（複数行×複数列）に所定のピッチで設けられていてもよい。なお、第１の実施形態においては、複数の搭載領域ＭＡがマトリックス状に配列されてなる基材２を例に挙げて説明する。

搭載領域ＭＡは、基材２上のリフレクタ領域ＲＡ（図２において二点鎖線にて囲まれる領域であって搭載領域ＭＡを除く領域）にリフレクタを設けた際に基材２の表面（銀めっき層３）が露出する略長円形状又は略方形状の領域である。

基材２上における搭載領域ＭＡの数は、特に限定されるものではなく、基材２の大きさ、ＬＥＤ素子の大きさ、各搭載領域ＭＡのピッチ等に応じて適宜設定することができる。また、各搭載領域ＭＡのピッチは、ＬＥＤ素子の大きさ等に応じて適宜設定することができ、例えば、２〜１０ｍｍ程度である。ここで、搭載領域ＭＡのピッチとは、縦方向又は横方向に隣接する２つの搭載領域ＭＡの各中心点間の距離を意味する。

基材２の大きさは、搭載領域ＭＡに実装されるＬＥＤ素子の大きさや、搭載領域ＭＡのピッチ等に応じて適宜設計され得る。また、基材２の厚みは、例えば、０．０５〜０．５ｍｍ程度に設定され得る。

基材２には、各搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する貫通スリット７が形成されており、各搭載領域ＭＡは、貫通スリット７を介して第１搭載領域ＭＡ１と第１搭載領域ＭＡ１よりも小面積の第２搭載領域ＭＡ２とに分割されている。これにより、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、搭載領域ＭＡが大面積の第１リード部２１及び小面積の第２リード部２２に分割され、第１リード部２１及び第２リード部２２を電気的に独立したものとすることができる（図４参照）。なお、貫通スリット７の短手方向の幅（開口幅）Ｗ１は、特に限定されるものではないが、例えば、５０〜６００μｍの範囲で適宜設定され得る。

第１搭載領域ＭＡ１及び第２搭載領域ＭＡ２に相当する基材２における部分（搭載部）は、厚肉部２ａと、厚肉部２ａの周縁に連続し、裏面側から切り欠かれてなる薄肉部２ｂとを有する。厚肉部２ａの下面は、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いて得られるＬＥＤパッケージにおいて外部に露出するため、当該ＬＥＤパッケージにおける基板等と接続するための外部端子としての役割を果たすこととなる。

当該搭載部の周縁部が薄肉部２ｂにより構成されていることで、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、第１リード部２１及び第２リード部２２と樹脂リフレクタ１１を形成するための樹脂とが係合し、第１リード部２１及び第２リード部２２がＬＥＤパッケージ１０Ａから抜け落ちるのを防止することができる。

薄肉部２ｂの幅Ｗ２は、１０〜６００μｍであるのが好ましく、特に５０〜３００μｍであるのが好ましい。薄肉部２ｂの幅Ｗ２が１０μｍ未満であると、樹脂との係合作用を十分に得ることができなくなるおそれがあり、６００μｍを超えると、厚肉部２ａの下面（ＬＥＤパッケージにおいて外部に露出する面）の面積が小さくなってしまい、ＬＥＤパッケージと基板等との接続不良が生じやすくなるおそれがある。

薄肉部２ｂの厚さは、厚肉部２ａよりも薄い厚さであり、好ましくは厚肉部２ａの厚さの略半分の厚さであり、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２の厚さにもよるが、通常０．０２５〜０．２５ｍｍ程度である。

第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、マトリックス状に配列された複数の搭載領域ＭＡを支持する枠部２ｃと、枠部２ｃと搭載領域ＭＡとを連結する第１連結部２ｄと、各搭載領域ＭＡを相互に連結する第２連結部２ｅとを有する。

第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの幅Ｗ３は、５０〜３００μｍであるのが好ましく、８０〜１５０μｍであるのがより好ましい。第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅが、マトリックス状に配列された複数の搭載領域ＭＡを枠部２ｃにより支持するためのものであるにもかかわらず、当該幅Ｗ３が５０μｍ未満であると複数の搭載領域ＭＡを枠部２ｃにより支持し得る程度の強度が得られなくなるおそれがある。また、第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅは、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いてＬＥＤパッケージを製造する過程においてダイシングされるものであるため、当該幅Ｗ３が３００μｍを超えると、ダイシングブレードにかかる負荷が増大するおそれがあるとともに、製造されるＬＥＤパッケージにおいて側面から銀めっき層３とは反射率の異なる異種材料（基材２の構成材料、例えば、銅等）が露出する面積が増大し、ＬＥＤパッケージにおける反射性能に影響を与えるおそれがある。

さらに、ダイシングされる金属量を減少させてダイシングブレードにかかる負荷をより低減させることを目的として、第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの厚さは、薄肉部２ｂと略同一に構成されている。

さらにまた、第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの長さは、１００〜６００μｍであるのが好ましく、２００〜４００μｍであるのがより好ましい。当該長さが１００μｍ未満であると、ダイシング時における制御（ダイシングラインへのダイシングブレードの位置合わせ等）が困難となるおそれがあり、６００μｍを超えると複数の搭載領域ＭＡを枠部２ｃにより支持し得る程度の強度が得られなくなるおそれがある。

銀めっき層３は、少なくとも搭載領域ＭＡ上においては、基材２の搭載領域ＭＡに実装されたＬＥＤ素子からの発光を反射する役割を果たす層である。かかる銀めっき層３は、所定の組成を有する銀めっき液を用いて基材２上に電気めっき法等により所定のめっき条件下で銀めっきされた後、所定の温度で加熱されてなるものであって、当該銀めっき層３の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものである。分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下する場合の例を図３に示すが、銀めっき層３の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍにおいて、短波長側から長波長側に進むに従い増加する反射率が低下し始める極大点Ｘ１における反射率Ｙ１と、当該極大点Ｘ１よりも長波長側において反射率が再び増加し始める極小点Ｘ２における反射率Ｙ２との差分（Ｙ１−Ｙ２）が１％以上である場合、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下するものとする。したがって、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいては、銀めっき層３の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２が存在していたとしても、反射率の差分（Ｙ１−Ｙ２）が１％未満であり、好ましくは極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２が存在しない。

このようにして基材２上に形成されてなる銀めっき層３は、その厚さ方向における所定の断面の全面積のうちの７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上１００％未満が、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子で占められる。銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面の全面積における、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の占める割合が上記範囲であれば、銀めっき層３における銀の結晶粒界が効果的に低減されているため、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を向上させることができるとともに、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものとすることができる。また、銀により構成される銀めっき層を有するＬＥＤ用リードフレームに発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子を搭載して得られるＬＥＤパッケージにおいては、当該ＬＥＤ素子（の発光層）のバンドギャップが大きいことで、駆動電圧が高くなり、それにより銀めっき層３を構成する銀がイオン化されやすく、銀イオンによるイオンマイグレーションが生じるおそれがある。その結果として、ＬＥＤパッケージ１０Ａにおける反射率が低下したり、第１及び第２リード２１，２２間が電気的に接続されてしまったりするおそれがある。この銀のイオン化は、銀の結晶粒界において生じると考えられる。そのため、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいては、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒子のサイズが大きいことで、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子を搭載したとしても、銀イオンによるイオンマイグレーションが生じるのを抑制することができる。

また、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面において、銀めっき層３の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するのが好ましい。このような銀めっき層３であれば、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を向上させることができるとともに、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものとすることができる。

なお、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面とは、基材２の搭載領域ＭＡ中から任意に選択された一の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３の厚さ方向における切断面のうち、ＳＥＭを用いて観察可能な領域であって、例えば、銀めっき層３の厚さ方向及び面方向における長さが１０μｍ×２０μｍの断面である。

また、銀めっき層３の所定の断面の全面積における断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の占める面積割合は、一の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３の任意の複数箇所（例えば３箇所）を切断し、当該切断面における当該面積割合の算術平均値として算出され得る。

さらに、銀の結晶粒子の断面積とは、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面（ＳＥＭにより観察可能な領域）に現れる銀の結晶粒子切断面の面積を意味し、当該断面積は、例えばＳＥＭを用いて当該切断面を観察し、ＥＢＳＰ検出器を用いて結晶方位を判別し、結晶粒像を撮影し、粒径分布を算出する方法により測定することができる。

このような構成を有する銀めっき層３の厚さは、特に限定されるものではないが、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍ、特に好ましくは２〜４μｍに設定され得る。

銀めっき層３は、貫通スリット７により二分される各搭載領域ＭＡにおける第１搭載領域ＭＡ１上に設けられてなる第１銀めっき層３１と、第２搭載領域ＭＡ２上に設けられてなる第２銀めっき層３２とを含む。

第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、基材２と銀めっき層３との間に、基材２と銀めっき層３との密着性を向上させる下地めっき層（図示せず）を備えていてもよい。このような下地めっき層としては、例えば、無電解めっき、電気めっきにより形成した銅めっき層、ニッケルめっき層等が挙げられる。かかる下地めっき層の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍに適宜設定され得る。

なお、図１に示すように、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、各搭載領域ＭＡを囲むリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を備えていないものであるが、図５（Ｂ）に示すような樹脂リフレクタ１１を備えるものであってもよい。また、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいては、図１に示すように、各搭載領域ＭＡの周辺部を取り囲む溝部５がリフレクタ領域ＲＡ内に設けられており、これにより、基材２と樹脂リフレクタ１１との密着性を向上させることができる。

第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいて、リフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１が形成されている場合、当該樹脂リフレクタ１１は、波長４６０ｎｍ以下の光の透過率が高い（透過率８５％以上、好ましくは９０％以上）樹脂により構成されているのが好ましく、特に光（紫外光等）により劣化しやすい芳香族を有しない樹脂により構成されているのが好ましい。

上記のような樹脂としては、例えば、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）等のオレフィン系熱可塑性樹脂；ポリノルボルネン、ゼオネックス（日本ゼオン社製）、ゼオノア（日本ゼオン社製）等のシクロオレフィン系熱可塑性樹脂：シリコーン樹脂、脂環式エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられ、これらのうち、ＰＭＰを用いるのが特に好ましい。樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂が吸湿性官能基（例えば、アミノ基、カルボキシル基等）を有すると、当該樹脂が吸湿し、それにより銀めっき層３を構成する銀がイオン化されやすくなり、当該銀イオンによるイオンマイグレーションが生じるおそれがあるが、樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂として吸湿性官能基を有しないＰＭＰを用いることで、上記のような問題が生じるのを防止することができる。

また、上記樹脂中には、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率の高い（反射率８５％以上、好ましくは９０％以上）顔料が分散されているのが好ましい。このような顔料としては、例えば、硫酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等からなるものが挙げられる。

［ＬＥＤ用リードフレームの製造方法］
上述したような構成を有する第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、以下のようにして製造することができる。

（基材形成工程）
まず、銅基板等の基板に所望のエッチングレジスト膜を形成し、基板両面をエッチングして、複数の搭載領域ＭＡ（第１搭載領域ＭＡ１，第２搭載領域ＭＡ２）、枠部２ｃ、枠部２ｃと搭載領域ＭＡとを連結する第１連結部２ｄ、各搭載領域ＭＡを相互に連結する第２連結部２ｅ、並びに各搭載領域ＭＡを第１搭載領域ＭＡ１及び第２搭載領域ＭＡ２に分割する貫通スリット７が設けられてなる基材２を形成する。なお、基板の裏面側における薄肉部２ｂ、第１連結部２ｄ並びに第２連結部２ｅに相当する部位にエッチングレジスト膜を設けることなく上記のようにエッチングすることで、これらの部位は基板の裏面側からハーフエッチングされ、他の部分の略半分の厚さに構成される。

基板をエッチングするためのエッチング液は、基板の材質により適宜選択され得るものであり、例えば、銅基板を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。また、エッチング方法としては、スプレー方式、浸漬方式等、従来公知のエッチング方法を適宜選択すればよい。

（銀薄膜形成工程）
次に、上述のようにして形成された基材２を銀めっき用のシアン浴に浸漬させて、基材２を給電層として、電気めっき法により基材２の全面に銀めっきし、銀薄膜を形成する。このようにして形成される銀薄膜の厚さは、例えば、１〜１０μｍであるのが好ましく、１〜５μｍであるのがより好ましい。

上記シアン浴は、セレノシアン酸カリウム、酸化セレン等のセレン系光沢剤を含む浴であればよく、シアン塩を好ましくは５０ｇ／Ｌ以上、特に好ましくは８０ｇ／Ｌ以上含有する高シアン浴である。このような組成を有するシアン浴を用いて電気めっき法により形成された銀薄膜を、後述の加熱工程により加熱することで、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない銀めっき層３を形成することができる。

なお、銀薄膜下に下地めっき層を設ける場合、銀薄膜形成工程を行う前に、基材２の表面に下地めっき層（銅めっき層やニッケルめっき層等）を形成する下地めっき層形成工程を行うことができる。

（加熱工程）
続いて、銀薄膜を有する基材２を加熱する。上記めっき条件下で形成された銀薄膜を有する基材２を加熱することにより、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを得ることができる。

基材２を加熱する際の加熱温度は、基材２上の銀薄膜を構成する銀の結晶粒子を再結晶化させることによって当該結晶粒子のサイズを増大させ得る温度、すなわち加熱後の銀薄膜の厚さ方向における所定の断面の全面積のうちの、好ましくは７０％以上、より好ましくは８５％以上１００％未満が断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子で占められるような加熱温度であり、加熱後の銀薄膜において、当該銀薄膜の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するような加熱温度であるのが特に好ましい。かかる温度で加熱することにより、銀の結晶粒界の少ない銀めっき層３を形成することができる。具体的には、２００〜５００℃で加熱するのが好ましく、３００〜４５０℃で加熱するのがより好ましい。

また、基材２の加熱時間は、１〜１０分間であるのが好ましく、２〜５分間であるのがより好ましい。基材２の加熱時間が１分未満であると、銀薄膜を構成する銀の結晶粒子のサイズを効果的に増大させることができないおそれがあり、１０分を超えても、それ以上銀の結晶粒子のサイズを増大させ、結晶粒界を少なくすることが困難である。

上記基材２の加熱は、窒素等の不活性ガス雰囲気下にて行うのが好ましい。不活性ガス雰囲気下にて基材２を加熱することで、加熱中における銀の腐食（酸化）をより抑制することができる。

（樹脂リフレクタ形成工程）
なお、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａの製造方法においては、上述の加熱工程後、搭載領域ＭＡを囲むリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する樹脂リフレクタ形成工程をさらに有していてもよいし（図５（Ｂ）参照）、当該樹脂リフレクタ形成工程を有していなくてもよい。かかる樹脂リフレクタ形成工程を有する場合、後述するＬＥＤパッケージの製造方法（図５参照）において、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａのリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタを形成する工程（図５（Ｂ）参照）を省略することができる。

［半導体装置（ＬＥＤパッケージ）］
続いて、上述したような構成を有するＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いた半導体装置（ＬＥＤパッケージ）について説明する。図４は、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す切断端面図である。

図４に示すように、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａは、上述した第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２のリフレクタ領域ＲＡに、搭載領域ＭＡを取り囲むように、かつ搭載領域ＭＡを露出させるようにして設けられてなる樹脂リフレクタ１１と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２の搭載領域ＭＡに実装されてなるＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２を封止するために、樹脂リフレクタ１１により囲まれた空間内に封止樹脂が充填されてなる封止部１３とを備える。なお、基材２の貫通スリット７には、樹脂リフレクタ１１と同一の樹脂材料が充填されている。

第１の実施形態において、基材２の搭載領域ＭＡは、貫通スリット７を介して第１リード部２１と第２リード部２２とに分割され、かつ貫通スリット７には樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂材料と同一の樹脂材料が充填されている。これにより、第１リード部２１と第２リード部２２とは、それぞれ電気的に独立したものとなっている。

ＬＥＤ素子１２は、その一の端子（図示せず）が基材２における大面積の第１リード部２１に接続され、他の端子が小面積の第２リード部２２にボンディングワイヤ１４により接続されることで、搭載領域ＭＡに実装されている。

ＬＥＤ素子１２の発光波長は、４６０ｎｍ以下であり、好ましくは、３３０〜４６０ｎｍであり、特に好ましくは３４０〜３８０ｎｍである。第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける銀めっき層３は、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が向上されてなるものであり、特に分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものであるため、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａによれば、ＬＥＤ素子１２から発せられた光を効率的に取り出すことができるとともに、特に発光波長３４０〜３８０ｎｍのＬＥＤ素子１２を用いたときには、取り出される光の波長分布が２つに分かれることなく、より効率的に光を取り出すことができる。

基材２の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３は、貫通スリット７により二分されてなる第１リード部２１及び第２リード部２２のそれぞれの表面に形成されてなる第１銀めっき層３１と第２銀めっき層３２とからなる。

封止部１３を構成する封止樹脂としては、一般にＬＥＤパッケージにおけるＬＥＤ素子の封止に用いられる透光性樹脂を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂や、それらの透光性樹脂に、シリカ、アルミナ等の拡散材料の１種又は２種以上が含有されてなるもの等が挙げられるが、かかる透光性樹脂として、シリコーン樹脂を用いるのが好ましい。ＬＥＤパッケージ１０Ａの封止部１３を構成する封止樹脂は、ＬＥＤパッケージ１０Ａのリフローはんだ付けの際の加熱により熱に暴露されたり、ＬＥＤ素子１２から発せられる強い光に暴露されたりする。この点において、シリコーン樹脂は、他の透光性樹脂（エポキシ樹脂等）に比して熱や光による変色等の透光性の劣化等を生じ難い樹脂材料であるため好ましい。

第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａは、封止部１３を構成する封止樹脂中に、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され得る蛍光体を含み、それにより波長４００〜７００ｎｍの光を発することのできる装置であってもよい。第１の実施形態における銀めっき層３は、可視光領域（４００〜７００ｎｍ）における反射率も高いため、発光波長の短い（４６０ｎｍ以下）ＬＥＤ素子１２を用い、蛍光体により波長が変換された光を発するＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、効率的に光を取り出すことができる。特に、可視光よりも短い波長（３３０ｎｍ〜４００ｎｍ）にピークを有するＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され可視光（４００〜７００ｎｍ）に変換可能な蛍光体とを用いることで、ＬＥＤパッケージ１０Ａから取り出される白色光の演色性を高めた場合の効率を良くすることができる。

第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａは、下記のようにして製造することができる。図５は、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａの製造方法を示す工程フロー図である。

まず、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを準備し（図５（Ａ））、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａのリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する（図５（Ｂ））。なお、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａが、樹脂リフレクタ１１を備えるものである場合、樹脂リフレクタ１１を形成する工程（図５（Ｂ）に示す工程）を省略することができる。

次いで、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける、ＬＥＤパッケージ１０Ａの第１リード部２１に相当する位置（厚肉部２ａ）にＬＥＤ素子１２の一の端子（図示せず）を接続し（図５（Ｃ））、第２リード部２２に相当する位置（厚肉部２ａ）にＬＥＤ素子１２の他の端子をボンディングワイヤ１４により接続する（図５（Ｄ））。

そして、ＬＥＤ素子１２を搭載した搭載領域ＭＡ上の樹脂リフレクタ１１により囲まれる空間内に封止樹脂を充填し、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止する封止部１３を形成する（図５（Ｅ））。その後、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個片化されたＬＥＤパッケージ１０Ａを得ることができる（図５（Ｆ））。

上述したＬＥＤパッケージ１０Ａによれば、当該ＬＥＤパッケージ１０Ａの製造に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ａの銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高く、かつ当該銀めっき層３の分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないため、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２から発せられる光を効率的に取り出すことができる。

しかも、上述したＬＥＤパッケージ１０Ａによれば、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難く、駆動電圧の高い、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。特に、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａのように、基材２の全面に銀めっき層３が形成されているとイオンマイグレーションが生じやすくなるが、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難いため、ＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて発光波長４６０ｎｍ以下の高駆動電圧のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。

〔第２の実施形態〕
第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂは、図６に示すように、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａの銀めっき層３上に、当該銀めっき層３の一部を露出させるようにして設けられてなる被覆層４を備える以外は、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａと同様の構成を有するものである。そのため、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａと同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいて、銀めっき層３の一部を露出させるようにして当該銀めっき層３上に設けられてなる被覆層４は、銀めっき層３を構成する銀とは異なる金属材料からなる層である。当該金属材料は、銀よりも腐食性ガス（硫化水素等）に対する耐性の高いものであり、好ましくは硫化よりも酸化されやすいものである。また、当該金属材料は、可能な限り反射率の高いものであるのが好ましく、その酸化物が反射率の高いものであるか、又は少なくとも紫外光領域（波長４００ｎｍ以下、好ましくは３４０〜３８０ｎｍ）若しくは可視光領域（波長４００〜７８０ｎｍ）において透明（好ましくは透過率８５％以上、より好ましくは透過率９０％以上）のものであるのが好ましい。このような金属材料としては、例えば、ニッケル、金、パラジウム、インジウム、ロジウム及びスズ、並びにそれらのうちの少なくとも１種を含む合金からなる群より選択される少なくとも１種を用いることができる。なお、第２の実施形態における被覆層４は、微細な隙間から銀めっき層３を露出させるように銀めっき層３上に設けられてなるが、図６の断面図上において当該微細な隙間を表すことが極めて困難であるため、銀めっき層３の全面が被覆層４で被覆されているかのように表している（図７及び図８においても同様である）。

被覆層４は、銀めっき層３の一部を露出させるように、かつ銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界の少なくとも一部を被覆するようにして設けられているのが好ましい。被覆層４を構成する金属材料は、銀めっき層３を構成する銀よりも波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が低いものであるため、銀めっき層３の全面を被覆層４により被覆してしまうと、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を向上させることが困難となるが、銀めっき層３の一部を露出させ、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界の少なくとも一部を被覆していることで、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を実用困難な程度にまで低下させることがない。

しかも、銀めっき層３の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないため（図３参照）、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて製造されるＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて、発光波長３４０〜３８０ｎｍのＬＥＤ素子１２を用いたときに、当該ＬＥＤパッケージ１０Ｂから取り出される光の波長分布が２つに分かれることがなく、より効率的に光を取り出すことができる。

なお、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて製造されるＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて、後述するように封止部を構成する封止樹脂としてシリコーン樹脂等のガスバリア性の低い樹脂を用いた場合、当該封止樹脂を通じて腐食性ガス（例えば、酸素、硫化水素等）が銀めっき層３に接触すると、当該腐食性ガスにより銀めっき層３が腐食するおそれがある。

ここで、腐食性ガスによる銀の腐食は、主に、銀の結晶粒界において生じると考えられる。そのため、当該結晶粒界を選択的に被覆するようにして被覆層４を設けることにより、腐食性ガスによる銀の腐食を効果的に抑制することができるものと考えられる。しかしながら、断面積１μｍ²未満の銀の結晶粒子が、銀めっき層３の所定の断面の全面積のうちの３０％を超えて占めている場合、所望とする反射率を得るために銀めっき層３の一部を露出させるようにして被覆層４を形成しても、当該結晶粒界を被覆層４により十分に被覆することができず、腐食性ガスによる腐食の抑制が困難となってしまうし、腐食性ガスによる腐食を抑制し得る程度に当該結晶粒界を被覆層４により十分に被覆すると、所望とする反射率を得ることが困難となってしまう。一方、断面積１μｍ²未満の銀の結晶粒子が、銀めっき層３の所定の断面の全面積のうちの３０％以下であることで、銀めっき層３上に所望とする反射率が得られる程度の被覆層４が設けられているだけであっても、銀めっき層３を構成する銀の腐食性ガス（例えば、硫化水素等）による腐食を抑制することができ、結果として所望とする反射率をも得ることができる。

さらには、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面において、銀めっき層３の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するのが好ましい。銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面において、そのような断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在していれば、銀めっき層３の結晶粒界が効果的に低減され、結晶粒界が被覆層４により十分に被覆されているため、腐食性ガスによる銀の腐食を効果的に抑制することができる。

また、第２の実施形態における基材２として銅を含む基材（銅基板、銅合金基板等）を用いた場合、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて製造されるＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて、経時的に基材２に含まれる銅が銀めっき層３上面に向かって移動する、いわゆるパイルアップ現象が生じることがある。このときに、基材２に含まれる銅が銀めっき層３における銀の結晶粒界を通じて移動し、酸素と結合して生成された酸化銅が銀めっき層３の表面に露出すると、ＬＥＤパッケージにおける反射率が低下してしまう。しかしながら、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１によれば、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界の少なくとも一部を被覆するようにして被覆層４が設けられていることで、基材２側から移動する銅が銀めっき層３の表面まで到達するのを抑制することができ、また、銀めっき層３の表面側から銀の結晶粒界に沿って酸素が入り込み難いため、銅と酸素との結合により酸化銅が生成されるのを抑制することができ、結果としてＬＥＤパッケージにおける反射率の低下を抑制することができる。

被覆層４の厚さは、５〜５０ｎｍであるのが好ましく、１０〜３０ｎｍであるのがより好ましい。被覆層４の厚さが上記範囲内であれば、腐食性ガス（硫化水素等）による銀めっき層３の腐食を抑制することができる。なお、第２の実施形態において被覆層４の厚さとは、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの銀めっき層３の露出面を含む平面と被覆層４の最上面を含む平面との基材２に対する垂直方向における間隔を意味するものとする。また、かかる被覆層４の厚さは、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置や蛍光Ｘ線測定装置等を用いて測定することができる。

なお、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂは、基材２と銀めっき層３との間に、基材２と銀めっき層３との密着性を向上させる下地めっき層（図示せず）を備えていてもよい。このような下地めっき層としては、例えば、無電解めっき、電気めっきにより形成した銅めっき層、ニッケルめっき層等が挙げられる。かかる下地めっき層の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍに適宜設定され得る。

下地めっき層としてニッケルめっき層を形成し、そのニッケルめっき層の直上に銀めっき層３を形成しようとすると、当該銀めっき層３が剥離しやすくなるおそれがある。その一方で、銀めっき層３との密着性を考慮して、ニッケルめっき層上に銅ストライクめっき層を形成したり、さらに銅ストライクめっき層上に銀ストライクめっき層を形成したりすると、かかるＬＥＤ用リードフレームから得られるＬＥＤパッケージにおいて、経時的に当該銅ストライクめっき層から銀めっき層３の表面に向かっての銅のパイルアップ現象が生じてしまい、反射率が低下してしまうおそれがある。また、ニッケルめっき層は、基材２からの銅のパイルアップを抑止する効果があるものの、当該ニッケルめっき層の厚さが薄い（１０〜２００ｎｍ程度）と、パイルアップの抑止効果が不十分であり、基材２から銅が銀めっき層３表面に向かって移動してしまう。しかしながら、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂによれば、被覆層４が銀めっき層３における銀の結晶粒界を被覆するようにして設けられていることで、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂから得られたＬＥＤパッケージにおいて、ニッケルめっき層上に銅ストライクめっき層が形成されている場合や、ニッケルめっき層の厚さが薄い場合であっても、銀めっき層３の下方（基材２、銅ストライクめっき層）から移動してきた銅が銀めっき層３の表面にまで移動するのを、すなわち銅のパイルアップを防止することができるとともに、銀めっき層３上の酸素が銀めっき層３内に入り込むのを防止することができる。その結果として銅と酸素とが結合するのを抑制することができ、ＬＥＤパッケージにおける反射率の低下を抑制することができる。

［ＬＥＤ用リードフレームの製造方法］
上述したような構成を有する第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂは、以下のようにして製造することができる。

（基材形成工程）
まず、銅基板等の基板に所望のエッチングレジスト膜を形成し、基板両面をエッチングして、複数の搭載領域ＭＡ（第１搭載領域ＭＡ１，第２搭載領域ＭＡ２）、枠部２ｃ、枠部２ｃと搭載領域ＭＡとを連結する第１連結部２ｄ、各搭載領域ＭＡを相互に連結する第２連結部２ｅ、並びに各搭載領域ＭＡを第１搭載領域ＭＡ１及び第２搭載領域ＭＡ２に分割する貫通スリット７が設けられてなる基材２を形成する。なお、基板の裏面側における薄肉部２ｂ、第１連結部２ｄ並びに第２連結部２ｅに相当する部位にエッチングレジスト膜を設けることなく上記のようにエッチングすることで、これらの部位は基板の裏面側からハーフエッチングされ、他の部分の略半分の厚さに構成される。

基板をエッチングするためのエッチング液は、基板の材質により適宜選択され得るものであり、例えば、銅基板を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。また、エッチング方法としては、スプレー方式、浸漬方式等、従来公知のエッチング方法を適宜選択すればよい。

（銀薄膜形成工程）
次に、上述のようにして形成された基材２を銀めっき用のシアン浴に浸漬させて、基材２を給電層として、電気めっき法により基材２の全面に銀めっきし、銀薄膜を形成する。このようにして形成される銀薄膜の厚さは、例えば、１〜１０μｍであるのが好ましく、１〜５μｍであるのがより好ましい。

上記シアン浴は、セレノシアン酸カリウム、酸化セレン等のセレン系光沢剤を含む浴であればよく、シアン塩を好ましくは５０ｇ／Ｌ以上、特に好ましくは８０ｇ／Ｌ以上含有する高シアン浴である。このような組成を有するシアン浴を用いて電気めっき法により形成された銀薄膜を、後述の加熱工程により加熱することで、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない銀めっき層３を形成することができる。

なお、銀薄膜下に下地めっき層を設ける場合、銀薄膜形成工程を行う前に、基材２の表面に下地めっき層（銅めっき層やニッケルめっき層等）を形成する下地めっき層形成工程を行うことができる。

（加熱工程）
続いて、銀薄膜を有する基材２を加熱する。基材２を加熱する際の加熱温度は、基材２上の銀薄膜を構成する銀の結晶粒子を再結晶化させることによって当該結晶粒子のサイズを増大させ得る温度、すなわち加熱後の銀薄膜の厚さ方向における所定の断面の全面積のうちの、好ましくは７０％以上、より好ましくは８５％以上１００％未満が断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子で占められるような加熱温度であり、加熱後の銀薄膜において、当該銀薄膜の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するような加熱温度であるのが特に好ましい。かかる温度で加熱することにより、銀の結晶粒界の少ない銀めっき層３を形成することができる。具体的には、２００〜５００℃で加熱するのが好ましく、３００〜４５０℃で加熱するのがより好ましい。

また、基材２の加熱時間は、１〜１０分間であるのが好ましく、２〜５分間であるのがより好ましい。基材２の加熱時間が１分未満であると、銀薄膜を構成する銀の結晶粒子のサイズを効果的に増大させることができないおそれがあり、１０分を超えても、それ以上銀の結晶粒子のサイズを増大させ、結晶粒界を少なくすることが困難である。

上記基材２の加熱は、窒素等の不活性ガス雰囲気下にて行うのが好ましい。不活性ガス雰囲気下にて基材２を加熱することで、加熱中における銀の腐食（酸化）をより抑制することができる。

（被覆層形成工程）
上述の加熱工程により基材２の全面に銀めっき層３が形成された後、所定の膜厚で銀めっき層３上に所定の金属材料（銀よりも腐食性ガス（例えば、酸素、硫化水素等）に対する耐性に優れた金属（例えば、ニッケル、金、パラジウム、インジウム、ロジウム、スズのうちのいずれか、又はそれらを含む合金等））を電気めっき法等によりめっきすることで、被覆層４を形成する。このように所定の膜厚での所定の金属材料の電気めっき法等により被覆層４を形成することで、銀めっき層３の一部が露出するようにして被覆層４を形成することができ、これにより、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを得ることができる。

このとき、好ましくは膜厚５〜５０ｎｍ、特に好ましくは膜厚１０〜３０ｎｍの被覆層４を形成するようにして、所定の金属材料をめっきする。被覆層４の膜厚が５ｎｍ未満であると、銀めっき層３を構成する銀の腐食を効果的に抑制し得る程度の被覆層４を形成するのが困難となるおそれがあり、５０ｎｍを超えると、銀めっき層３を構成する銀の腐食を効果的に抑制し得る程度の被覆層４を形成することができるものの、銀めっき層３における銀の結晶粒界以外の部分にも被覆層４が形成されてしまい、かかるＬＥＤ用リードフレームを用いて得られるＬＥＤパッケージの製造初期における反射率が低下してしまうおそれがある。

上記範囲内の膜厚を有する被覆層４を形成することで、銀の結晶粒界に選択的に被覆層４が形成されることになる。特に、電気めっき法により被覆層４を形成することで、銀の結晶粒界の部分が、それ以外の部分に比べて電流密度が高くなり、当該結晶粒界に選択的に被覆層４が形成されやすくなる。そして、前述したように、加熱された銀めっき層３においては、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少なくなっているため、銀めっき層３の一部が露出するようにして被覆層４が形成されたとしても、銀の結晶粒界はほとんど露出しないことになる。その結果、腐食性ガス等による銀めっき層３の腐食を効果的に抑制することができるとともに、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて、銀めっき層３を構成する銀の反射率に応じた良好な反射率を有するＬＥＤパッケージを得ることができる。

また、上記加熱工程により銀めっき層３における銀の結晶粒子のサイズを増大させて結晶粒界を少なくし、上記被覆層形成工程により当該銀めっき層３における結晶粒界に選択的に被覆層４が形成されることで、得られるＬＥＤ用リードフレーム１を用いて製造されるＬＥＤパッケージにおいて、銀めっき層３の下方（基材２、下地めっき層としての銅ストライクめっき層）側から表面に向かって移動してきた銅が、当該銀めっき層３の表面にまで移動してくるのを防止することができるとともに、銀めっき層３上の酸素が結晶粒界を通じて銀めっき層３内に入り込むのを防止することができる。その結果として銅と酸素とが結合するのを抑制することができ、ＬＥＤパッケージにおける反射率の低下を抑制することができる。

（樹脂リフレクタ形成工程）
なお、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの製造方法においては、上述の被覆層形成工程後、搭載領域ＭＡを囲むリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する樹脂リフレクタ形成工程をさらに有していてもよいし（図８（Ｂ）参照）、当該樹脂リフレクタ形成工程を有していなくてもよい。かかる樹脂リフレクタ形成工程を有する場合、後述するＬＥＤパッケージの製造方法（図８参照）において、ＬＥＤ用リードフレーム１のリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタを形成する工程（図８（Ｂ）参照）を省略することができる。

［半導体装置（ＬＥＤパッケージ）］
続いて、上述したような構成を有する第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いたＬＥＤパッケージについて説明する。図７は、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す断面図である。

図７に示すように、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂは、上述した第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの基材２と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの基材２のリフレクタ領域ＲＡに、搭載領域ＭＡを取り囲むように、かつ搭載領域ＭＡを露出させるようにして設けられてなる樹脂リフレクタ１１と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの基材２の搭載領域ＭＡに実装されてなるＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２を封止するために、樹脂リフレクタ１１により囲まれた空間内に封止樹脂が充填されてなる封止部１３とを備える。なお、基材２の貫通スリット７には、樹脂リフレクタ１１と同一の樹脂材料が充填されている。

第２の実施形態において、基材２の搭載領域ＭＡは、貫通スリット７を介して第１リード部２１と第２リード部２２とに分割され、かつ貫通スリット７には樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂材料と同一の樹脂材料が充填されている。これにより、第１リード部２１と第２リード部２２とは、それぞれ電気的に独立したものとなっている。

ＬＥＤ素子１２は、その一の端子（図示せず）が基材２における大面積の第１リード部２１に接続され、他の端子が小面積の第２リード部２２にボンディングワイヤ１４により接続されることで、搭載領域ＭＡに実装されている。

ＬＥＤ素子１２の発光波長は、４６０ｎｍ以下であり、好ましくは、３３０〜４６０ｎｍであり、特に好ましくは３４０〜３８０ｎｍである。第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおける銀めっき層３は、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が向上されてなるものであり、特に分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものであるため、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂによれば、ＬＥＤ素子１２から発せられた光を効率的に取り出すことができるとともに、特に発光波長３４０〜３８０ｎｍのＬＥＤ素子１２を用いたときには、取り出される光の波長分布が２つに分かれることなく、より効率的に光を取り出すことができる。

基材２の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３は、貫通スリット７により二分されてなる第１リード部２１及び第２リード部２２のそれぞれの表面に形成されてなる第１銀めっき層３１と第２銀めっき層３２とからなる。

封止部１３を構成する封止樹脂としては、一般にＬＥＤパッケージにおけるＬＥＤ素子の封止に用いられる透光性樹脂を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂や、それらの透光性樹脂に、シリカ、アルミナ等の拡散材料の１種又は２種以上が含有されてなるもの等が挙げられるが、かかる透光性樹脂として、シリコーン樹脂を用いるのが好ましい。ＬＥＤパッケージ１０Ｂの封止部１３を構成する封止樹脂は、ＬＥＤパッケージ１０Ｂのリフローはんだ付けの際の加熱により熱に暴露されたり、ＬＥＤ素子１２から発せられる強い光に暴露されたりする。この点において、シリコーン樹脂は、他の透光性樹脂（エポキシ樹脂等）に比して熱や光による変色等の透光性の劣化等を生じ難い樹脂材料であるため好ましい。

第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂは、封止部１３を構成する封止樹脂中に、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され得る蛍光体を含み、それにより波長４００〜７００ｎｍの光を発することのできる装置であってもよい。第２の実施形態における銀めっき層３は、可視光領域（４００〜７００ｎｍ）における反射率も高いため、発光波長の短い（４６０ｎｍ以下）ＬＥＤ素子１２を用い、蛍光体により波長が変換された光を発するＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、効率的に光を取り出すことができる。特に、可視光よりも短い波長（３３０ｎｍ〜４００ｎｍ）にピークを有するＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され可視光（４００〜７００ｎｍ）に変換可能な蛍光体とを用いることで、ＬＥＤパッケージ１０Ｂから取り出される白色光の演色性を高めた場合の効率を良くすることができる。

上述のような構成を有する第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂは、下記のようにして製造することができる。図８は、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの製造方法を示す工程フロー図である。

まず、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを準備し（図８（Ａ））、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂのリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する（図８（Ｂ））。なお、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂが、樹脂リフレクタ１１を備えるものである場合、樹脂リフレクタ１１を形成する工程（図８（Ｂ）に示す工程）を省略することができる。

次いで、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおける、ＬＥＤパッケージ１０Ｂの第１リード部２１に相当する位置（肉厚部２ａ）にＬＥＤ素子１２の一の端子（図示せず）を接続し（図８（Ｃ））、第２リード部２２に相当する位置（肉厚部２ａ）にＬＥＤ素子１２の他の端子をボンディングワイヤ１４により接続する（図８（Ｄ））。

そして、ＬＥＤ素子１２を搭載した搭載領域ＭＡ上の樹脂リフレクタ１１により囲まれる空間内に封止樹脂を充填し、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止する封止部１３を形成する（図８（Ｅ））。その後、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個片化されたＬＥＤパッケージ１０Ｂを得ることができる（図８（Ｆ））。

上述したＬＥＤパッケージ１０Ｂの製造方法によれば、本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいて銅のパイルアップが抑止されていることで、上記ＬＥＤパッケージ１０Ｂの製造過程におけるＬＥＤ素子１２を銀めっき層３上に搭載するにあたりペーストボンディングする際には、ペースト材のはじきやブリードアウトが防止され、はんだ接合する際には、はんだ濡れ性が悪化することなく、良好な状態に維持されるという効果が奏される。また、ＬＥＤ素子１２を銀めっき層３上に搭載するに当たりワイヤーボンディング又はフリップチップ接合する際には、銀めっき層３表面に接合反応を阻害する銅や酸化銅が存在しないため、確実に接合することができるという効果が奏される。

上述した構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｂによれば、当該ＬＥＤパッケージ１０Ｂの製造に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高く、かつ当該銀めっき層３の分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないため、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２から発せられる光を効率的に取り出すことができる。

しかも、上述したＬＥＤパッケージ１０Ｂによれば、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難く、駆動電圧の高い、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。特に、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂのように、基材２の全面に銀めっき層３が形成されているとイオンマイグレーションが生じやすくなるが、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難いため、ＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて発光波長４６０ｎｍ以下の高駆動電圧のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。

さらには、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が、被覆層４により選択的に被覆されていることで、腐食性ガス等による銀めっき層３の腐食が効果的に抑制されるとともに、銀めっき層３の下方（基材２、下地めっき層等）からの銅のパイルアップ現象による反射率の低下も抑制されるとの効果も奏し得る。

さらにまた、銀めっき層３の反射率向上を目的として銀の結晶サイズを増大させて結晶粒界を少なくすると、封止部１３を構成する封止樹脂とＬＥＤ用リードフレーム１Ｂ（銀めっき層３）との密着性が低下するが、当該結晶粒界を被覆する被覆層４がインジウムからなるものである場合、封止樹脂中の水酸基、カルボキシル基等とインジウム（酸化インジウム）とが化学的に結合するため、封止樹脂とＬＥＤ用リードフレーム１Ｂ（銀めっき層３）との密着性を向上させることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいて、基材２の全面に銀めっき層３が設けられているが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、基材２の搭載領域ＭＡ上に少なくとも銀めっき層３が設けられている限り、基材２の全面に銀めっき層３が設けられていなくてもよい。この場合において、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを製造するにあたっては、例えば、銀薄膜を形成する前に、基材２の表面に各搭載領域ＭＡに相当する所定形状の開口部を有する絶縁性レジスト層を設けるとともに、貫通スリット７内部及び基材２の裏面に絶縁性レジスト層を設け、絶縁性レジスト層の開口部に露出している基材２の表面に銀をめっきし、銀薄膜を形成すればよい。

第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいて、ダイシングラインが個片化される１つのＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂに一のＬＥＤ素子１２（搭載領域ＭＡ）が含まれるように設定されているが、これに限定されるものではなく、１つのＬＥＤパッケージ１０に複数個（例えば、４個）のＬＥＤ素子１２（搭載領域ＭＡ）が含まれるように設定されていてもよい。

第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいて、搭載領域ＭＡは、基材２の縦方向（又は横方向）に並列する搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する貫通スリット７により、大面積の第１リード部２１及び小面積の第２リード部２２に分割されているが、これに限定されるものではなく、例えば、基材２の縦方向（又は横方向）に並列する搭載領域ＭＡの略中央を縦断（又は横断）する貫通スリット７により、略同一面積の第１リード部２１及び第２リード部２２に分割されていてもよい。この場合において、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂは、図９に示すように、第１リード部２１及び第２リード部２２を跨ぐようにして、ＬＥＤ素子１２の一方の端子部１２ａが第１リード部２１に接続され、他方の端子部１２ｂが第２リード部２２に接続された構成とすることができる。なお、図９に示すＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおいては、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図９において、被覆層４の図示を省略している。

また、図１０に示すように、搭載領域ＭＡは、基材２の縦方向（又は横方向）に並列する搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する、２つの平行する貫通スリット７，７により、第１〜第３リード部２１〜２３に分割されていてもよい。この場合において、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂは、搭載領域ＭＡの中央（２つの貫通スリット７，７の間）に位置する第３リード部２３にＬＥＤ素子１２が実装され、ＬＥＤ素子１２の一方の端子部１２ａが第１リード部２１に接続され、他方の端子部１２ｂが第２リード部２２に接続された構成とすることができる。なお、図１０に示すＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおいても、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１０において、被覆層４の図示を省略している。

さらに、第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいては、ダイシングラインに沿って複数の貫通孔が第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅ上に形成されていてもよい。このような構成を有するＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂであれば、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを用いてＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂを製造する過程において、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂをダイシングして個片化する際におけるダイシングすべき金属量をさらに低減することができ、ダイシングブレードにかかる負荷をさらに低減することができる。また、上金型及び下金型を用いて基材２をクランプし、金型のキャビティ内に樹脂を流し込んで硬化させることでリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタを形成するときに、当該貫通孔を介してリフレクタ領域ＲＡに位置するキャビティのすべてに樹脂を行き渡らせることがより容易になる。

さらにまた、第１及び第２の実施形態において、ＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂは、搭載領域ＭＡを取り囲み、かつ搭載領域ＭＡを露出させる樹脂リフレクタ１１を有するが、図１１に示すように、上記ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂの基材２と、一の端子（図示せず）がＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂの基材２における大面積の第１リード部２１に接続され、他の端子が小面積の第２リード部２２にボンディングワイヤ１４により接続されることで、搭載領域ＭＡに実装されてなるＬＥＤ素子１２と、基材２及びＬＥＤ素子１２を被覆する封止樹脂により構成される封止部１３とを備え、樹脂リフレクタ１１を有しないものであってもよい。当該ＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂの製造に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂの基材２は、搭載領域ＭＡと枠部２ｃとを又は隣接する搭載領域ＭＡ，ＭＡ同士を連結し、裏面側から切り欠けられてなる第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅ、並びに縦方向（又は横方向）に並列する複数の搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する貫通スリット７を備えるものであるが、このＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおける第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの裏面側、並びに貫通スリット７には、第１及び第２の実施形態において樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂材料として用いたものが充填されていればよい。なお、図１１に示すＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおいても、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１１において、被覆層４の図示を省略している。

上述した第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂは、基材２と、基材２の搭載領域ＭＡ上に設けられた銀めっき層３とを備えるとともに、銀めっき層３の一部を露出させるようにして当該銀めっき層３上に設けられた被覆層４を所望により備えるものであるが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。

例えば、図１２に示すように、基板２０と、基板２０上に設けられた一対のリード部とを備えるＬＥＤ用リードフレーム１Ｃであってもよい。かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｃにおいて、各リード部は、Ａｕ、Ｐｄ等からなる下地貴金属層４１ａ，４１ｂと、Ｃｕ、Ｎｉ等からなる基部４２ａ，４２ｂと、銀からなる銀めっき層３とがこの順で基板２０上に積層されており、一対のリード部は、基板２０上に所定の間隙をもって設けられている。これにより、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｃを用いて得られるＬＥＤパッケージ（図１３参照）において、一対のリード部を相互に電気的に独立されたものとなる。各リード部における下地貴金属層４１ａ，４１ｂは、ＬＥＤパッケージにおける外部端子面としての役割を果たすことになる。上記ＬＥＤ用リードフレーム１Ｃにおける基板２０は、ＬＥＤパッケージの製造過程において封止樹脂による封止後に除去されるものである。そのため、基板２０は、所定の溶媒に溶解させることで除去可能な金属材料（銅、銅合金等）からなる導電性基板であってもよいし、一対のリード部を形成する部位に、所定の溶媒に溶解させることで除去可能な金属層（銅、銅合金等）を少なくとも有する絶縁性基板であってもよい。なお、図１２に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｃは、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１２においては被覆層４の図示を省略している。

図１２に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｃを用いてＬＥＤパッケージを製造するには、まず、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｃの一対のリード部のうち、大面積のリード部にＬＥＤ素子１２を搭載し、ＬＥＤ素子１２の端子と小面積のリード部の銀めっき層３とをボンディングワイヤ１４により接続する。次に、封止樹脂からなる封止部１３により一対のリード部、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止し、ＬＥＤ素子１２ごとに個片化する。最後に、所定の溶媒を用いて基板２１を溶解除去する。これにより、図１３に示すような構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｃを製造することができる。

また、本発明に係るＬＥＤ用リードフレームとしては、例えば、図１４に示すように、搭載領域ＭＡに相当する部位が下方（ＬＥＤ素子の搭載面と反対側）に折曲されてなる凹部（リフレクタ部）を有する、金属材料（銅、銅合金等）からなる導電性基材２と、当該導電性基材２の少なくとも搭載領域ＭＡ上に設けられた銀めっき層３とを備えるＬＥＤ用リードフレーム１Ｄであってもよい。かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｄにおいては、導電性基材２の搭載領域ＭＡ内に形成された貫通スリット７により、搭載領域ＭＡが２つのリード部に分割され、各リード部が電気的に独立されたものとなっている。なお、図１４に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｄは、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１４においては被覆層４の図示を省略している。

図１４に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｄを用いてＬＥＤパッケージを製造するには、まず、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｄの２つのリード部のうち、大面積のリード部にＬＥＤ素子１２を搭載し、ＬＥＤ素子１２の端子と小面積のリード部の銀めっき層３とをボンディングワイヤ１４により接続する。次に、導電性基材２の樹脂封止領域ＳＡにシリコーン樹脂等の封止樹脂からなる封止部１３を形成して、銀めっき層３、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止し、封止部１３の両側面から所定の長さの導電性基材２を突出させるように、ＬＥＤ素子１２ごとに個片化する。最後に、封止部１３の両側面から突出している導電性基材２を、当該封止部１３の側面及び底面に沿って折り曲げ、当該導電性基材２の端部を封止部１３の底面側から当該封止部１３内に埋設させる。このようにして、図１５に示すような構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｄを製造することができる。

さらに、本発明に係るＬＥＤ用リードフレームとしては、例えば、図１６に示すように、樹脂製基板、セラミックス製基板等の絶縁性基材２と、少なくとも一対のリード部とを備えるＬＥＤ用リードフレーム１Ｅであってもよい。かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｅにおいて、一対のリード部は、当該絶縁性基材２の一面（表面；ＬＥＤ素子が搭載される面）側及び他面（裏面）側のそれぞれに設けられたリード基部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂと、絶縁性基材２を貫通するようにして設けられ、表面側及び裏面側のリード基部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ間の電気的導通を図る導通部５３ａ，５３ｂと、他面（裏面）側のリード基部５２ａ，５２ｂ上に設けられた、Ａｕ、Ｐｄ等からなる貴金属層５４ａ，５４ｂと、一面（表面）側のリード基部５１ａ，５１ｂ上に設けられた銀めっき層３とを有する。貴金属層５４ａ，５４ｂは、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｅを用いて製造されるＬＥＤパッケージにおける外部端子面としての機能を果たすことになる。なお、リード基部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ及び導通部５３ａ，５３ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属材料により構成されるものである。

図１６に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｅを用いてＬＥＤパッケージを製造するには、まず、一対のリード部の間隙を跨ぐようにして、ＬＥＤ素子１２の一方の端子１２ａを一方のリード部の銀めっき層３に、他方の端子１２ｂを他方のリード部の銀めっき層３に接続する。次に、ＬＥＤ素子１２、銀めっき層３、一面側のリード基部５１ａ，５１ｂ及び絶縁性基材２の一面を封止するように封止樹脂からなる封止部１３を形成する。これにより、図１７に示すような構成を有する、複数のＬＥＤパッケージが一体化されたＬＥＤパッケージモジュールを得ることができる。最後に、かかるＬＥＤパッケージモジュールをＬＥＤ素子１２ごとに個片化する。このようにして、図１８に示すような構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｅを製造することができる。

第１及び第２の実施形態において、銀めっき層３は銀により構成されているものであるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、銀めっき層３が、銀と、スズ、パラジウム、銅、金、インジウム、ロジウム、亜鉛等の他の金属とを含有する銀合金からなるものであってもよい。第２の実施形態において、銀めっき層３が銀合金からなるものである場合、被覆層４を構成する金属材料は、銀めっき層３を構成する銀合金よりも腐食性ガスに対する耐性の高いものである限り、当該銀めっき層３を構成する銀合金と同一金属種を含む合金であってもよい。例えば、銀めっき層３を構成する金属材料が銀インジウム合金である場合に、当該合金よりもインジウムの組成比が大きく、腐食性ガスに対する耐性の高い銀インジウム合金を、被覆層４を構成する金属材料として用いてもよい。

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
厚み０．２ｍｍの銅板を準備し、厚肉部２ａ、薄肉部２ｂ、枠部２ｃ、第１及び第２連結部２ｄ，２ｅ、並びに貫通スリット７を有する、図２に示す形状の基材２をエッチングにより形成した。なお、当該基材２を形成するに際しては、縦方向に隣接する搭載領域ＭＡのピッチを３ｍｍとし、横方向に隣接する搭載領域ＭＡのピッチを４ｍｍとし、基材２上に１３行×１３列のマトリックス状に配列された搭載領域ＭＡを設けるようにした。

このようにして得られた基材２上に、電気めっき法により銀薄膜（厚み：３μｍ）を形成した。なお、銀薄膜を形成するための銀めっき浴としては、シアン化銀４２ｇ／Ｌ、シアン化カリウム９２ｇ／Ｌ及びセレン系光沢剤（セレノシアン酸カリウム）０．０００１ｇ／Ｌを含むものを用いた。次に、銀薄膜が形成された基材２を４００℃で２分間、リフロー炉（製品名：ＲＮ−ＣＳ，パナソニック社製）を用いて加熱し、各搭載領域ＭＡ上に銀めっき層を有するＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。

このようにして形成されたＬＥＤ用リードフレーム１Ａ中の複数の搭載領域ＭＡの中から、任意の一の搭載領域ＭＡを選択し、当該搭載領域ＭＡ上の銀めっき層を、任意に選択した３箇所において切断した。そして、当該３箇所の切断面を、ＳＥＭ（日本電子社製，製品名：ＪＳＭ−７００１Ｆ）を用いて観察し、ＥＢＳＰ検出器（ＴＳＬ社製，条件：傾斜７０度，加速電圧１５ｋＶ，印加電流１０ｎＡ，範囲２０μｍ×３μｍ）を用いて結晶方位を判別し、結晶粒像を撮影し、粒径分布を算出する方法により、当該銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合（３箇所の切断面における面積割合の算術平均値）及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積（３箇所の切断面のそれぞれにおける銀の結晶粒子の最大断面積の算術平均値）を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例２〕
実施例１のＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける銀めっき層上に、膜厚１０ｎｍのインジウムめっき層を形成し、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。実施例２のＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいては、銀薄膜が形成され、加熱された基材２を、塩化インジウムを含有するめっき浴（インジウム濃度：３ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させて電気めっき処理（電流密度：１５ｍＡ／ｄｍ²）を施し、水洗浄し、乾燥することによりインジウムめっき層を形成した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例３〕
インジウムめっき層を形成する代わりにパラジウムめっき層を形成した以外は、実施例２と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。なお、実施例３のＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいては、銀薄膜が形成され、加熱された基材２を、ジクロロジアミンパラジウムを含有するめっき浴（パラジウム濃度：３ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させて電気めっき処理（電流密度：１５ｍＡ／ｄｍ²）を施し、水洗浄し、乾燥することによりパラジウムめっき層を形成した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例４〕
インジウムめっき層を形成する代わりにロジウムめっき層を形成した以外は、実施例２と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。なお、実施例４のＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいては、銀薄膜が形成され、加熱された基材２を、硫酸ロジウムを含有するめっき浴（ロジウム濃度：３ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させて電気めっき処理（電流密度：１５ｍＡ／ｄｍ²）を施し、水洗浄し、乾燥することによりロジウムめっき層を形成した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例５〕
セレン系光沢剤として、セレノシアン酸カリウムの代わりに酸化セレンを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ａについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例６〕
実施例５のＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける銀めっき層上に、実施例２と同様にしてインジウムめっき層を形成し、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例７〕
セレン系光沢剤としてのセレノシアン酸カリウムの含有量を０．００１ｇ／Ｌに変更し、さらにリン酸カリウム５ｇ／Ｌを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ａについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔実施例８〕
セレン系光沢剤としての酸化セレンの含有量を０．００１ｇ／Ｌに変更した銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例５と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ａについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔比較例１〕
セレン系光沢剤を含有しない銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレームを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレームについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔比較例２〕
セレン系光沢剤としてのセレノシアン酸カリウムに代えて硫酸タリウム０．０００１ｇ／Ｌを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレームを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレームについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

〔比較例３〕
セレン系光沢剤としてのセレノシアン酸カリウムに代えて硫酸タリウム０．０００１ｇ／Ｌ及びリン酸カリウム５ｇ／Ｌを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレームを作製した。

かかるＬＥＤ用リードフレームについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。

表１に示すように、セレン系光沢剤（セレノシアン酸カリウム、酸化セレン）を含有する銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層（実施例１〜８の銀めっき層）は、所定の断面の断面積における７０％以上が断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子により占められていることが判明した。このことから、セレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成した銀薄膜を加熱することにより、得られる銀めっき層における銀の結晶粒子サイズを効果的に増大させ、銀めっき層における銀の結晶粒界を効果的に低減させることができるものと考えられる。

なお、表１からも明らかなように、実施例１〜４の銀めっき層は、いずれも銀めっき浴の組成及び銀めっき条件（電気めっき条件）等を同一として形成された銀薄膜を、同一条件で加熱して得られたものであるものの、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子の面積割合に２０％程度の誤差が生じている。しかしながら、本実施例（実施例１〜８）の、セレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層においては、切断箇所を他の箇所に変更しても上記面積割合が７０％以上となっていた。すなわち、上記誤差は、銀めっき層の切断箇所の選択により生じ得るものであると考えられる。

一方、セレン系光沢剤を含有しない銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層（比較例１〜３）においても同様に、上記面積割合に誤差が生じ得るものの、当該銀めっき層の切断箇所を変更しても上記面積割合が７０％以上となることはなかった。

そして、後述する試験例から明らかではあるが、セレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層（実施例１〜８）においては、上記面積割合が７０％以上であることで、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないとの特異な効果を奏されるものと考えられる。

〔試験例１〕反射率評価試験
上述のようにして作製したＬＥＤ用リードフレーム（実施例１〜８，比較例１〜３）について、分光光度計（島津製作所社製，ＵＶ−２５５０，ＭＰＣ−２２００）を用いて、波長３００〜７８０ｎｍの範囲における反射率（％）を測定した。そして、各ＬＥＤ用リードフレーム（銀めっき層）の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において、短波長側から増大する反射率が低下し始める極大点Ｘ１における反射率Ｙ１と、当該極大点Ｘ１よりも長波長側において反射率が再び増加し始める極小点Ｘ２における反射率Ｙ２との差分（Ｙ１−Ｙ２）を算出し、当該反射率の差分（Ｙ１−Ｙ２）に基づいて各銀めっき層の反射率を評価した（極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２、並びにそれらにおける反射率Ｙ１，Ｙ２については、図３を参照）。結果を表２に示す。

なお、反射率評価の指標は、下記の通りとした。
○：反射率（％）の差分（Ｙ１−Ｙ２）が１％未満又は極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２が存在しない
△：反射率（％）の差分（Ｙ１−Ｙ２）が１〜５％
×：反射率（％）の差分（Ｙ１−Ｙ２）が５％超

〔試験例２〕耐食性評価試験
上記ＬＥＤ用リードフレーム（実施例１〜８，比較例１〜３）を、０．２５質量％硫化アンモニウム水溶液（液温：２５℃）に５分間浸漬させた後、分光光度計（島津製作所社製，ＵＶ−２５５０，ＭＰＣ−２２００）を用いて、波長３５０ｎｍ及び４５０ｎｍのそれぞれの光を照射したときにおける反射率（％）を測定した（Ｕ−５）。

また、上記ＬＥＤ用リードフレーム（実施例１〜８，比較例１〜３）を、硫化水素濃度３ｐｐｍ、温度４０℃、湿度８０％の雰囲気中に１時間暴露した後、同様にして波長３５０ｎｍ及び４５０ｎｍのそれぞれの光を照射したときにおける反射率（％）を測定した（ガス１Ｈ）。

上記反射率の測定結果に基づいて耐食性（耐硫化性）を評価した。結果を表２に示す。なお、耐食性評価の指標は下記の通りとした。
○：耐食性評価試験前後における反射率（％）の差分（低下量）が１５％未満
△：上記反射率（％）の差分（低下量）が１５〜２０％（Ｕ−５（波長３５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が１５〜５０％（Ｕ−５（波長４５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が１５〜４０％（ガス１Ｈ（波長４５０ｎｍ））
×：上記反射率（％）の差分（低下量）が２０％超（Ｕ−５（波長３５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が５０％超（Ｕ−５（波長４５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が１５％以上（ガス１Ｈ（波長３５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が４０％超（ガス１Ｈ（波長４５０ｎｍ））

表２に示すように、実施例１〜８のＬＥＤ用リードフレームにおいては、銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下していないことが確認された。一方、比較例１〜３のＬＥＤ用リードフレームにおいては、銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下していることが確認された。

したがって、表１及び表２に示す結果から、実施例１〜８のようにセレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成した銀薄膜を加熱することで、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない銀めっき層を形成し得ると考えられる。

また、表２に示すように、実施例２〜４及び実施例６のＬＥＤ用リードフレームにおいては、耐食性試験後の反射率の低下が顕著に抑制されていることが確認された。このことから、実施例２〜４及び実施例６のＬＥＤ用リードフレームのように、銀めっき層を形成した後に加熱し、銀めっき層の一部が露出するようにして被覆層（インジウムめっき層、パラジウムめっき層又はロジウムめっき層等）を形成することで、製造初期における反射率を向上させるとともに、硫化水素等の腐食性ガスに対する耐性をも向上させることができると考えられる。

本発明は、ＬＥＤ素子を利用する種々のＬＥＤパッケージの製造に有用である。

１Ａ〜１Ｅ…ＬＥＤ用リードフレーム
２…基材
３…銀めっき層
３１…第１銀めっき層
３２…第２銀めっき層
４…被覆層
７…貫通スリット
１０Ａ〜１０Ｅ…ＬＥＤパッケージ（半導体装置）
１１…樹脂リフレクタ
１２…ＬＥＤ素子
１３…封止部
ＭＡ…搭載領域
ＲＡ…リフレクタ領域

Claims (9)

1. 発光波長が４６０ｎｍ以下であるＬＥＤ素子を搭載するために用いられるリードフレームであって、
   基材と、
   前記基材における前記ＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域上に少なくとも設けられてなる銀めっき層と
   を備え、
   前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面の全面積の７０％以上が、断面積１μｍ²以上の銀の結晶粒子で占められており、
   前記銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないことを特徴とするＬＥＤ用リードフレーム。
2. 前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面において、当該銀めっき層の厚さの二乗以上の断面積を有する前記銀の結晶粒子が少なくとも１個存在することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
3. 前記搭載領域の周囲を囲むリフレクタ領域に設けられてなる樹脂リフレクタをさらに備え、
   前記樹脂リフレクタは、波長４６０ｎｍ以下の光の透過率が高い樹脂と、前記樹脂中に分散され、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高い顔料とにより構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
4. 前記搭載領域は、前記基材上にマトリックス状に複数配列されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＬＥＤ用リードフレーム。
5. 前記搭載領域上の銀めっき層の一部が露出するように前記銀めっき層を被覆してなる、前記銀よりも耐食性の高い、銀以外の金属を含有する被覆層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＬＥＤ用リードフレーム。
6. 前記被覆層の厚さが、５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
7. 前記被覆層に含まれる前記金属が、インジウム、パラジウム、ロジウム及びスズ、並びにそれらのうちの少なくとも１種を含む合金からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項５又は６に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載のＬＥＤ用リードフレームと、
   前記搭載領域上に搭載されてなる、発光波長が４６０ｎｍ以下であるＬＥＤ素子と、
   前記ＬＥＤ素子を封止する封止部と
   を備えることを特徴とする半導体装置。
9. 前記封止部は、前記ＬＥＤ素子の発光により励起される蛍光体を含み、
   前記半導体装置は、波長４００〜７００ｎｍの光を発することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。

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