JP6068175B2 - 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法に関するものである。

近年、光源として低消費電力で長寿命である発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）が注目されており、例えば、複数のＬＥＤを搭載したＬＥＤモジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようなＬＥＤモジュールにおいて、最表層には、搭載されるＬＥＤの出射光を反射する絶縁層が形成されており、この絶縁層から露出するように、ＬＥＤが搭載される発光素子搭載領域が形成されている。

特開２０１２−４９２２９号公報

ところで、上記絶縁層の材料としては、例えばエポキシ系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる顔料を含有した樹脂材などが用いられる。しかし、エポキシ系樹脂は耐熱性に劣る。このため、実装部品の発熱温度が高くなると、その実装部品が実装される配線基板の最表層の絶縁層に、上記エポキシ系樹脂からなる絶縁層を適用することが困難になる。

本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に互いに離間して形成された複数の第１凹部と、前記第１凹部の底面上に形成され、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、前記配線パターンの第１面上に形成されためっき層と、前記めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有し、シリコーンを含む第２絶縁層と、を有し、前記第１絶縁層の上面と前記配線パターンの上面とは面一であり、前記めっき層の最表面には、シリカ膜が一部に形成されている。

本発明の一観点によれば、耐熱性を向上させると共に、ワイヤボンディング強度を向上することができるという効果を奏する。

（ａ）は、第１実施形態のリードフレームを示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示した領域Ｒの拡大平面図。 （ａ）は、第１実施形態のリードフレームの一部を示す概略断面図（図１（ｂ）及び図２（ｂ）における２−２断面図）、（ｂ）は、図１（ｂ）に示した領域Ｒの拡大平面図。なお、（ｂ）では、一部の部材（最表面に形成された絶縁層）の図示を省略している。 第１実施形態の単位リードフレームを示す概略断面図。 第１実施形態の発光装置を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、変形例の発光装置を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、変形例の発光装置を示す概略断面図。 （ａ）は、第２実施形態の発光装置を示す概略断面図（図１１及び図１２における１０−１０断面図）、（ｂ）は、（ａ）に示した発光装置の一部を拡大した拡大断面図。 第２実施形態の配線基板を示す概略平面図。 第２実施形態の配線基板を示す概略平面図。なお、一部の部材（最表面に形成された絶縁層）の図示を省略している。 （ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。 実験に使用したサンプルの構造を示す概略断面図。 ＥＳＣＡによる分析結果及びワイヤボンディング強度の測定結果を示すテーブル。

以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。

（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図７に従って説明する。
図１（ａ）に示すように、リードフレーム２１は、平面視略矩形状の基板フレーム２２を有している。基板フレーム２２の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等を用いることができる。基板フレーム２２の厚さは、例えば５０〜２５０μｍ程度とすることができる。

基板フレーム２２には、複数（ここでは、３つ）の樹脂充填領域２３が分離して画定されている。各樹脂充填領域２３には、単位リードフレーム２４がマトリクス状（ここでは、５×５）に複数個連設して形成されている。この単位リードフレーム２４は、最終的に発光素子等の半導体素子が搭載されて個々の半導体装置（パッケージ）として切り出されるものである。なお、各樹脂充填領域２３の外周には、長手方向（図中の左右方向）に延在される一対のレール部２５と、幅方向（図中の上下方向）に延在される一対のレール部２６とが形成されている。また、半導体装置の組み立てを行う際には、各単位リードフレーム２４に半導体素子が搭載された後、各樹脂充填領域２３毎に一括モールディング方式により樹脂封止が行われる。

図２（ａ）に示すように、単位リードフレーム２４（破線枠参照）は、複数（ここでは、３つ）の配線（リード）３０と、めっき層４０と、各配線３０間に形成された絶縁層５０と、放熱板６０と、絶縁層７０とを有している。

図２（ｂ）に示すように、各配線３０の平面形状は、略長方形状に形成されている。これら複数の配線３０は、単位リードフレーム２４の中央部において、平行に隣接して配置されている。これら複数の配線３０は、基板フレーム２２の開口部２２Ｘによって互いに分離されている。また、この開口部２２Ｘによって、隣り合う単位リードフレーム２４の配線３０同士も互いに分離されている。なお、配線３０の厚さは、基板フレーム２２と同様に、例えば５０〜２５０μｍ程度とすることができる。

配線３０は、発光素子８１（図４参照）が搭載される発光素子搭載領域に形成された配線３１（第２配線パターン）と、その配線３１を平面視で挟むようにして形成された配線３２（第１配線パターン）とを有している。

図２（ａ）に示すように、各配線３２の上面３２Ａには、所要の箇所（図２では、２つ）に凹部３２Ｘ（第２凹部）が形成されている。各凹部３２Ｘは、配線３２の上面３２Ａから配線３２の厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、各凹部３２Ｘは、その底面が配線３２の厚さ方向の中途に位置するように形成されている。図２（ｂ）に示すように、各凹部３２Ｘの平面形状は、例えば略長方形状に形成されている。これら２つの凹部３２Ｘは、配線３２の平面方向の中間位置に形成されている。このため、図２（ａ）に示すように、２つの凹部３２Ｘの側壁は配線３０によって構成されている。

めっき層４０は、配線３２の凹部３２Ｘ内に形成されている。また、めっき層４０の側面は、凹部３２Ｘの側壁を構成する配線３０によって覆われている。このようにめっき層４０は、配線３２内に埋め込まれるように形成されている。図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、めっき層４０の平面形状は、凹部３２Ｘの平面形状と同様に略長方形状に形成されている。

上記めっき層４０の例としては、例えば凹部３２Ｘの底面（第１面）からＮｉ層／金（Ａｕ）層を順に積層した金属層を挙げることができる。また、めっき層４０の他の例としては、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／銀（Ａｇ）層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。ここで、上記Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、上記Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層、Ａｇ層はＡｇ又はＡｇ合金からなる金属層である。なお、本実施形態では、凹部３２Ｘの底面上にＮｉ層４１とＡｕ層４２とがこの順番で積層されて上記めっき層４０が形成されている。なお、Ｎｉ層４１の厚さは例えば０．１〜３μｍ程度とすることができ、Ａｕ層４２の厚さは例えば０．０１〜１μｍ程度とすることができる。

めっき層４０の最表面であるＡｕ層４２の上面４２Ａは、配線３２の上面３２Ａと略面一になるように形成されている。このＡｕ層４２の上面４２Ａには、シリカ（ＳｉＯ_２）が一部に含まれている。すなわち、Ａｕ層４２の上面４２Ａには、その一部にシリカ膜Ｓ１が形成されている。また、Ａｕ層４２は、その上面４２Ａにシリコーン（Ｓｉ−Ｏ）が含まれていない（シリコーン膜が形成されていない）ことが好ましい。例えば、Ａｕ層４２の上面４２ＡをＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置）で分析したときに、シリコーンが検出されず、シリカが検出されるとともに、Ａｕ層４２を構成する金属（ここでは、Ａｕ）が検出される。上記ＥＳＣＡの分析条件としては、例えば装置としてＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ製のＱｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭが用いられ、Ｘ線源としてＡｌＫα（モノクロメータ）が用いられる。また、ＥＳＣＡの分析条件としては、光電子取り出し角度を４５度とし、測定領域を直径約１００μｍの領域とし、帯電中和機構を使用する条件が用いられる。

図２（ａ）に示すように、開口部２２Ｘは、基板フレーム２２の厚さ方向に貫通して形成されている。具体的には、開口部２２Ｘは、配線３０の上面側から下面側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。なお、開口部２２Ｘの内壁面は、基板フレーム２２の厚さ方向の面、つまり配線３０の側面になる。

絶縁層５０（第１絶縁層）は、配線３０の側面全面を覆うように形成されている。具体的には、絶縁層５０は、上記開口部２２Ｘに充填されている。また、絶縁層５０は、配線３０の下面全面を覆うように形成されている。この絶縁層５０の上面５０Ａは、配線３０の上面３２Ａと略面一になるように形成されている。別の見方をすると、絶縁層５０の上面５０Ａには、所要の箇所に凹部５０Ｘ（第1凹部）が形成されている。各凹部５０Ｘは、絶縁層５０の上面５０Ａから絶縁層５０の厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、各凹部５０Ｘは、その底面が絶縁層５０の厚さ方向の中途に位置するように形成されている。図２（ｂ）に示すように、各凹部５０Ｘの平面形状は、配線３０と同様に、例えば略長方形状に形成されている。そして、上記配線３０は、凹部５０Ｘの底面（第１面）上に形成され、その配線３０の側面が凹部５０Ｘの側壁を構成する絶縁層５０によって覆われている。このように配線３０は、絶縁層５０内に埋め込まれるように形成されている。

このような絶縁層５０によって複数の配線３０が支持されている。具体的には、各単位リードフレーム２４内の複数の配線３０が絶縁層５０によって上記レール部２５，２６（図１（ａ）参照）に支持されている。この絶縁層５０は、配線３０と放熱板６０とを絶縁する機能と、配線３０と放熱板６０とを接着する機能とを有している。

絶縁層５０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。なお、配線３０の下面から絶縁層５０の下面までの厚さは、例えば５０〜１５０μｍ程度とすることができる。

放熱板６０は、絶縁層５０の下面全面を覆うように形成されている。放熱板６０は、絶縁層５０に接着されている。放熱板６０は、例えば平面視略矩形状の平板である。なお、放熱板６０は、絶縁層５０と接する面が粗化されていてもよい。

放熱板６０の材料としては、例えば銅、アルミニウム（Ａｌ）や鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。また、放熱板６０の材料としては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素やアルミナ等の熱伝導性に優れたセラミック材を用いることができる。なお、放熱板６０の厚さは、例えば２００〜２０００μｍ程度とすることができる。この放熱板６０は、リードフレーム２１の支持板として機能するとともに、発光素子８１（図４参照）の発光時に発生する熱を放熱する放熱板として機能する。ここで、発光素子８１（例えば、発光ダイオード）の発光効率は、その温度上昇に伴い減少する傾向にある。このため、上記放熱板６０により発光素子８１から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子８１の発光効率の低下を好適に抑制することができる。

絶縁層７０（第２絶縁層）は、配線３０の上面及び絶縁層５０の上面を被覆するように形成されている。例えば、絶縁層７０は、めっき層４０以外の配線３０の上面及び絶縁層５０の上面を被覆するように形成されている。すなわち、絶縁層７０は、めっき層４０を露出させるための開口部７０Ｘ，７０Ｙを有している。開口部７０Ｘは、配線３２に形成された２つのめっき層４０のうち内側（配線３１側）のめっき層４０の上面４２Ａ全面を、発光素子搭載領域に搭載される発光素子８１と電気的に接続される接続パッドＰ１として露出させる。また、開口部７０Ｙは、配線３２に形成された２つのめっき層４０のうち外側のめっき層４０の上面４２Ａ全面を、実装基板（図示略）と電気的に接続される電極端子Ｐ２として露出させる。これら開口部７０Ｘ，７０Ｙの平面形状は、図１（ｂ）に示すように、めっき層４０と同様に略長方形状に形成されている。

絶縁層７０の材料としては、耐熱性に優れた材料を用いることができる。例えば、絶縁層７０の材料としては、シリコーンを含む樹脂材を用いることができる。このようなシリコーンを基本骨格とした材料は耐熱性及び耐光性が高いという優れた特性を有している。このため、絶縁層７０のようにリードフレーム２１の最表面に形成される絶縁層の材料に適している。

さらに、絶縁層７０は、高い反射率を有することが好ましい。例えば、絶縁層７０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有している。このような絶縁層７０は、白色レジスト層や反射層とも呼ばれる。この絶縁層７０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばシリコーン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ_２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）やアルミナ等からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層７０（白色レジスト層）により単位リードフレーム２４の最表面を覆うことにより、当該単位リードフレーム２４に実装される発光素子８１からの光の反射率を高め、発光素子８１の光量ロスを低減させることができる。

絶縁層７０は、配線３１の上面及びその配線３１周辺の絶縁層５０及び配線３２の上面を被覆する絶縁層７１と、絶縁層７１から露出された絶縁層５０及び配線３２の上面を被覆する絶縁層７２とを有している。絶縁層７１は、絶縁層７２よりも薄く形成されている。すなわち、絶縁層７１は、その上面が絶縁層７２の上面よりも低くなるように形成されている。絶縁層７１の厚さは例えば１０〜３０μｍ程度とすることができ、絶縁層７２の厚さは例えば２０〜５０μｍ程度とすることができる。

図３に示すように、図２（ａ）に示した破線の位置で絶縁層５０，７０及び放熱板６０が切断されて個片化された単位リードフレーム２４（以下、「配線基板２４」ともいう。）では、切断面に絶縁層５０、放熱板６０及び絶縁層７０の側面が露出されている。すなわち、配線基板２４では、切断面に配線３０（基板フレーム２２）の側面が露出されていない。

次に、発光装置８０の構造について説明する。
図４に示すように、発光装置８０は、上記配線基板２４と、その配線基板２４に実装された一つ又は複数の発光素子８１と、ボンディングワイヤ８３と、発光素子８１及びボンディングワイヤ８３等を封止する封止樹脂８４と、外部接続用ワイヤ８５とを有している。

発光素子８１は、配線基板２４の絶縁層７１上に搭載されている。具体的には、発光素子８１は、絶縁層７１上に接着剤８２を介して接着されている。また、発光素子８１は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８３を介して一方の配線３２に形成された内側（配線３１側）のめっき層４０と電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８３を介して他方の配線３２に形成された内側（配線３１側）のめっき層４０と電気的に接続されている。すなわち、発光素子８１の各電極は、絶縁層７０の開口部７０Ｘから露出されためっき層４０、つまり接続パッドＰ１とボンディングワイヤ８３を介して電気的に接続されている。これにより、発光素子８１は、ボンディングワイヤ８３及びめっき層４０を介して、配線３２と電気的に接続されている。

絶縁層７０の開口部７０Ｙから露出されためっき層４０、つまり電極端子Ｐ２は、外部接続用ワイヤ８５を介して実装基板（図示略）と電気的に接続されている。このような接続により、発光素子８１は、外部の電源（図示略）から実装基板、電極端子Ｐ２や配線３２等を介して給電されて発光する。

上記発光素子８１としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ８３及び外部接続用ワイヤ８５としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。

封止樹脂８４は、発光素子８１及びボンディングワイヤ８３等を封止するように配線基板２４の上面に設けられている。なお、電極端子Ｐ２及びその電極端子Ｐ２周辺は、封止樹脂８４で封止されていない。この封止樹脂８４の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子８１上に形成することにより、発光素子８１の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置８０の発光色を様々に制御することができる。

次に、発光装置８０の製造方法について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、基板フレーム２２の母材となる導電性基板９０を準備する。この導電性基板９０の材料としては、例えばＣｕ、Ｃｕをベースにした合金、Ｆｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金からなる金属板を用いることができる。この導電性基板９０の厚さは、例えば５０〜２５０μｍ程度とすることができる。

次に、図５（ｂ）に示す工程では、導電性基板９０の上面９０Ａ上に、所定の箇所に開口パターン９１Ｘを有するレジスト層９１を形成する。なお、必要に応じて、導電性基板９０の上面９０Ａを粗化し、その粗化された上面９０Ａ上にレジスト層９１を形成するようにしてもよい。開口パターン９１Ｘは、凹部３２Ｘの形成領域に対応する部分の導電性基板９０を露出するように形成される。レジスト層９１の材料としては、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層９１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、導電性基板９０の上面９０Ａにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記開口パターン９１Ｘを有するレジスト層９１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９１を形成することができる。

続いて、レジスト層９１をエッチングマスクとして、開口パターン９１Ｘから露出している導電性基板９０の部分にハーフエッチングを施し、当該部分を所要の深さまで除去して薄化する。これにより、開口パターン９１Ｘから露出している導電性基板９０に凹部３２Ｘが形成される。この工程で使用されるエッチング液は、導電性基板９０の材料に応じて適宜選択することができる。導電性基板９０の材料として銅を用いる場合であって、凹部３２Ｘの深さが５μｍ未満である場合には、例えばエッチング液として過硫酸塩のエッチング液を好適に用いることができる。また、導電性基板９０の材料として銅を用いる場合であって、凹部３２Ｘの深さが５μｍ以上である場合には、例えばエッチング液として塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を好適に用いることができる。なお、このようなエッチング加工（ハーフエッチング）により凹部３２Ｘを形成することも可能であるが、例えばプレス加工により凹部３２Ｘを形成することもできる。

次に、図５（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層９１をめっきマスクとして、凹部３２Ｘに、導電性基板９０をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層９１の開口パターン９１Ｘから露出された導電性基板９０、つまり凹部３２Ｘに電解めっき法を施すことにより、その凹部３２Ｘ内にめっき層４０を形成する。ここで、めっき層４０がＮｉ層４１とＡｕ層４２が順に積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層９１の開口パターン９１Ｘから露出された凹部３２Ｘの底面上にＮｉ層４１とＡｕ層４２を順に積層する。本例では、最上層に形成されるめっき層（つまり、Ａｕ層４２）の上面４２Ａが導電性基板９０の上面９０Ａと略面一になるように形成される。なお、凹部３２Ｘ内に形成されためっき層４０は、その上面４２Ａが導電性基板９０の上面９０Ａよりも凹んだ位置に形成されていてもよい。また、めっき層４０は、その上面４２Ａが導電性基板９０の上面９０Ａよりも上方に突出して形成されていてもよい。但し、めっき層４０の上面４２Ａを導電性基板９０の上面９０Ａよりも上方に突出させる場合には、そのめっき層４０の突出量が後工程で使用されるテープ９２の粘着剤９２Ｂの厚さよりも小さい突出量であることが望ましい。

その後、レジスト層９１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
続いて、図５（ｄ）に示す工程（第１工程）では、導電性基板９０の上面９０Ａにテープ９２を接着する。具体的には、片面に粘着剤９２Ｂが塗布されたフィルム状のテープ基材９２Ａの粘着剤９２Ｂが塗布されている側の面９２Ｃを導電性基板９０の上面９０Ａに貼り付ける。例えば導電性基板９０の上面９０Ａにシート状のテープ９２を熱圧着によりラミネートする。このとき、導電性基板９０の上面９０Ａとめっき層４０の上面４２Ａとが略面一に形成されているため、テープ９２の粘着剤９２Ｂを薄く形成することができる。粘着剤９２Ｂの厚さは、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。すなわち、粘着剤９２Ｂが接する面（導電性基板９０の上面９０Ａ及びめっき層４０の上面４２Ａ）が凹凸の小さい平坦面であるため、粘着剤９２Ｂを薄く形成した場合であっても、上記凹凸に起因してテープ９２と導電性基板９０との間の接着力及び密着力が低下するといった問題の発生を抑制することができる。

ここで、テープ９２の材料としては、例えば耐薬品性や耐熱性に優れた材料を用いることができる。また、テープ基材９２Ａの材料としては、例えば作業性が良好な材料であることが好ましい。このようなテープ基材９２Ａの材料としては、例えばポリイミド樹脂やポリエステル樹脂を用いることができる。また、粘着剤９２Ｂの材料としては、後工程で形成される絶縁層５０（図２参照）から容易に剥離することができる材料であることが好ましい。このような粘着剤９２Ｂの材料としては、例えばシリコーン系、アクリル系やオレフィン系の粘着材料を用いることができる。なお、テープ基材９２Ａの厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度とすることができる。また、粘着剤９２Ｂの厚さは、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。

次いで、図６（ａ）に示す工程では、導電性基板９０の９０Ｂに、開口部２２Ｘの形状に対応した開口部９３Ｘを有するレジスト層９３を形成する。レジスト層９３の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層９３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。レジスト層９３は、レジスト層９１と同様の方法により形成することができる。

次いで、レジスト層９３をエッチングマスクとして、導電性基板９０を下面９０Ｂ側からエッチングして、図６（ａ）に示すような基板フレーム２２を形成する。具体的には、レジスト層９３の開口部９３Ｘから露出された導電性基板９０を下面９０Ｂ側からエッチングし、導電性基板９０に開口部２２Ｘを形成して基板フレーム２２を形成する。この開口部２２Ｘの形成により、各単位リードフレーム２４に複数の配線３０（具体的には、１つの配線３１及び２つの配線３２）が画定される。なお、ウェットエッチング（等方性エッチング）により導電性基板９０をパターニングする場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、導電性基板９０の材質に応じて適宜選択することができる。例えば導電性基板９０として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を使用することができ、導電性基板９０の下面９０Ｂ側からスプレーエッチングにて上記パターニングを実施することができる。このようにウェットエッチングにより導電性基板９０がパターニングされると、エッチングが導電性基板９０の面内方向に進行するサイドエッチ現象により配線３０の断面形状が台形に形成される。なお、本工程では、テープ９２がエッチングストッパ層として機能する。

このように、本工程では、導電性基板９０をテープ９２に貼り付けた状態で、その導電性基板９０をパターニングして基板フレーム２２（配線３０）を形成するようにした。このため、エッチングにより配線３０のみを残すようにしても、つまり従来のリードフレームに必要であったセクションバーやサポートバーを残さずに配線３０のみを残すようにしても、テープ９２によって配線３０を保持することができる。換言すると、本工程におけるテープ９２は、基板フレーム２２（配線３０）を所定の位置に保持するための一時的な基材としての役割を果たす。

続いて、レジスト層９３を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。次いで、図６（ｂ）に示す工程では、テープ９２の面９２Ｃに、配線３０を覆う絶縁層５０と放熱板６０とをこの順番で積層する。この絶縁層５０の形成、及び絶縁層５０と放熱板６０との積層は、例えば樹脂モールド成形法により形成することができる。例えば絶縁層５０の材料として熱硬化性を有したモールド樹脂を用いる場合には、図６（ａ）からレジスト層９３を除去した構造体と放熱板６０を所定距離だけ離間した状態で金型内に収容し、ゲート部（図示略）から対応する樹脂充填領域２３（図１（ａ）参照）に上記モールド樹脂を充填しながら加熱及び加圧処理を行う。これにより、図６（ｂ）に示すように、開口部２２Ｘを充填するように、配線３０と放熱板６０との間に絶縁層５０が形成され、テープ９２の面９２Ｃに絶縁層５０と放熱板６０とが積層される。このとき、テープ９２の面９２Ｃと接する配線３０の上面及び絶縁層５０の上面は、テープ９２の面９２Ｃ（平坦面）に沿った形状に形成される。このため、配線３０の上面及び絶縁層５０の上面は平坦に形成される。なお、上記モールド樹脂を充填する方法としては、例えばトランスファーモールドやインジェクションモールド等の方法を用いることができる。

また、絶縁層５０と放熱板６０との積層は、例えば以下の方法により形成することもできる。まず、放熱板６０にシート状の絶縁層５０が接着された構造体を用意し、その構造体を、絶縁層５０が配線３０の下面と対向するようにテープ９２の面９２Ｃ側に配置する。このとき、絶縁層５０は、Ｂ−ステージ状態のものが使用される。次に、上述した２つの構造体を両面側から真空雰囲気で８０〜２００℃程度の温度で加熱及び加圧する。これにより、絶縁層５０が開口部２２Ｘ内に充填され、絶縁層５０によって配線３０が覆われる。また、絶縁層５０が硬化し、その硬化に伴って絶縁層５０が配線３０に接着される。

なお、上記絶縁層５０及び放熱板６０の平面形状及び大きさは、例えば上記樹脂充填領域２３（図１（ａ）参照）の平面形状及び大きさと略同じになるように形成されている。
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したテープ９２を剥離して除去して、加熱硬化する。但し、この段階では、配線３０の上面側に、剥離したテープ９２の粘着剤９２Ｂ（図６（ｂ）参照）の一部が残存している可能性がある。そこで、その残存している可能性のある粘着剤９２Ｂを、例えばアッシング（酸素プラズマを用いたドライエッチング）やブラストで除去するようにしてもよい。このようにテープ９２が除去されると、上述のように平坦に形成された配線３０の上面及び絶縁層５０の上面が露出する。

続いて、図６（ｄ）に示す工程では、配線３０上及び絶縁層５０上に、接続パッドＰ１及び電極端子Ｐ２にそれぞれ対応する開口部７０Ｘ，７０Ｙを有する絶縁層７０を形成する。具体的には、配線３０上及び絶縁層５０上に、めっき層４０の上面を露出する絶縁層７０を形成する。この絶縁層７０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層７０は、注射器（ディスペンサ）によって液状樹脂を塗布することによって形成することもできる。絶縁層７０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、フォトリソグラフィにより絶縁層７０を形成することもできる。また、厚さの異なる絶縁層７１と絶縁層７２とは例えば以下のように形成することができる。すなわち、絶縁層７２とその絶縁層７２と同じ厚さの絶縁層７１とを配線３０上及び絶縁層５０上に形成した後に、上記絶縁層７１をブラスト法などで薄化することにより、配線３１上に絶縁層７２よりも薄い絶縁層７１を形成することができる。また、絶縁層７１と絶縁層７２とを別の工程で形成することにより、厚さの異なる絶縁層７１，７２を形成するようにしてもよい。例えば、絶縁層７２の形成領域及びめっき層４０の上面をマスクした状態で絶縁層７１を形成した後に、絶縁層７１の形成領域及びめっき層４０の上面をマスクした状態で絶縁層７２を形成するようにしてもよい。このとき、絶縁層７１，７２の形成順序は特に限定されない。

続いて、図６（ｄ）に示す工程では、絶縁層７０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。
上記絶縁層７０の形成によって、配線３０に形成された２つのめっき層４０のうち内側のめっき層４０が接続パッドＰ１として開口部７０Ｘから露出され、上記２つのめっき層４０のうち外側のめっき層４０が電極端子Ｐ２として開口部７０Ｙから露出される。このため、絶縁層７０の形成後に、コンタクト性を向上させるために配線３０上に電解めっき等を施す必要がない。これにより、無電解めっきや電解めっきを行う際に絶縁層７０がめっき槽のめっき液中に浸漬されることがないため、絶縁層７０にめっき液が染み込むことを未然に防止することができる。この結果、絶縁層７０の反射率が低下することを抑制することができる。さらに、上記無電解めっきや電解めっき等に使用されるめっき液の劣化を抑制することができる。詳述すると、絶縁層７０を形成した後に、開口部７０Ｘ，７０Ｙから露出された配線３０に対してめっき法（電解めっき法又は無電解めっき法）を施す場合には、そのときに使用されるめっき液に対して絶縁層７０に含まれる樹脂材等が溶出する。このため、めっき液の劣化とそれによる液寿命の短縮化を引き起こすという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、電解めっき法を実施する際には、絶縁層７０が形成されていないため、上述したような問題の発生を未然に防止することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、めっき液の劣化を抑制することができるため、めっき液の液寿命の短縮化を抑制することができる。

但し、絶縁層７０の形成に先立ってめっき層４０を形成した場合には、後工程で絶縁層７１上に搭載した発光素子８１とめっき層４０とをワイヤボンディングする際に、めっき層４０に対してボンディングワイヤ８３が接合し難くなるということが、本発明者らの鋭意研究によって分かってきた。詳述すると、まず、めっき層４０を形成した後に絶縁層７０を形成した場合には、その絶縁層７０を硬化させるための加熱処理において絶縁層７０から低分子のシリコーン（Ｓｉ−Ｏ）が揮発する。その揮発したシリコーンがめっき層４０（具体的には、Ａｕ層４２）の上面４２Ａに付着することが、本発明者らの鋭意研究によって明らかにされた。そして、このようなめっき層４０の上面４２Ａに付着されたシリコーンがワイヤボンディングの障害になっていることが分かってきた。ここで、シリコーンのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（シロキサン結合）はフレキシビリティがある。このため、シリコーンは微視的に容易に変形しやすく、ワイヤボンディングによる超音波振動でそのシリコーンのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は容易に破壊されることはないと考察される。したがって、めっき層４０（Ａｕ層４２）及びボンディングワイヤ８３（例えば、Ａｕワイヤ）にシリコーン膜が残存することになり、その残存したシリコーン膜がワイヤボンディング強度の低下を引き起こすものと考察される。

そこで、図７（ａ）に示す工程において、図６（ｄ）に示した構造体に対して、上記めっき層４０上に形成されたシリコーン膜をワイヤボンディングが行える状態に変質させるための表面処理を施す。このような表面処理は、例えばめっき層４０の上面４２Ａに酸素活性種を作用させることにより行われる。これにより、めっき層４０上に形成されたシリコーン膜が除去され、その代わりにめっき層４０上にシリカ膜Ｓ１が形成されることになる。

例えば図７（ａ）に示した例では、図６（ｄ）に示した構造体に対して紫外線処理を施すことにより、シリコーン膜をシリカ膜Ｓ１に変化（変質）させてシリコーン膜を除去している。すなわち、図６（ｄ）に示した構造体の上面（少なくとも、めっき層４０の上面４２Ａ）に紫外線光Ｌを照射するようにした。紫外線光Ｌにより酸素が励起され、ワーク（ここでは、図６（ｄ）に示した構造体）が置かれる処理室の酸素濃度、紫外線波長及び照度によって決まる量の酸素活性種が生成される。そして、その酸素活性種がシリコーン膜と反応してＳｉＯ_２膜が形成され、めっき層４０の上面４２Ａからシリコーン膜が除去される。ここで、上記紫外線光Ｌとしては、酸素の吸収が大きい、波長１７２ｎｍの紫外線光（エキシマＵＶ光）を好適に用いることができる。紫外線光ＬとしてエキシマＵＶ光を用いる場合には、上記酸素濃度は例えば０．０１〜５％程度とすることができる。また、エキシマＵＶ光の照射量（＝照度×照射時間）は、例えば５００〜４０００ｍＪ／ｃｍ^２程度とすることができる。なお、照射量は、エキシマＵＶ光を照射する照射ランプ（例えば、誘電体バリア放電エキシマランプ）とワーク表面との間の間隔と酸素濃度に依存している。

また、図６（ｄ）に示した構造体に対して酸素プラズマ処理を施すことにより、シリコーン膜をシリカ膜（ＳｉＯ_２）Ｓ１に変質させてシリコーン膜を除去するようにしてもよい。すなわち、酸素ガスのプラズマ（つまり、酸素をソースとしたプラズマ）により生成された酸素活性種を利用してめっき層４０を表面処理するようにしてもよい。具体的には、酸素プラズマ処理では、高周波電界中に酸素ガスを導入すると、その酸素ガスが例えばプラズマ化されて解離され、酸素活性種が生成される。そして、その酸素活性種がシリコーン膜と反応してＳｉＯ_２膜が形成され、めっき層４０の上面からシリコーン膜が除去される。なお、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、ＲＦ出力を２５０Ｗ、酸素流量を１５ｓｃｃｍ、真空度を２０Ｐａ、処理時間を３０秒程度とすることができる。

なお、図６（ｄ）に示した構造体に対して四フッ化炭素（ＣＦ_４）をソースとしたプラズマ処理を施すことによっても、Ａｕ層４２上のシリコーン膜を除去することができる。但し、このようなプラズマ処理では、排気ガスのフッ酸を除去するためのシステムや、大気中に放出するＣＦ４ガスを減らすために燃焼システムなどを設ける必要がある。また、ＣＦ_４ガスをソースとしたプラズマ処理の場合には、Ａｕ層４２上にシリカ膜Ｓ１も残存しなくなるが、シリコーンを含むＡｕ層４２の上面４２Ａ上及び絶縁層７０上にフッ素が残留することになる。

以上の製造工程により、単位リードフレーム（配線基板）２４がマトリクス状に複数個連設された構造、つまり図１及び図２に示したリードフレーム２１が製造される。
次に、図７（ｂ）に示す工程では、各単位リードフレーム２４に１又は複数の発光素子８１をワイヤボンディング実装する。詳述すると、まず、各単位リードフレーム２４の発光素子搭載領域に形成された絶縁層７１上に接着剤８２を介して発光素子８１を搭載する。続いて、発光素子８１の電極（図示略）と、絶縁層７０の開口部７０Ｘから露出されためっき層４０（つまり、接続パッドＰ１）とをボンディングワイヤ８３により接続し、発光素子８１と配線３２とを電気的に接続する。具体的には、発光素子８１の一方の電極を一方の接続パッドＰ１とボンディングワイヤ８３により電気的に接続するとともに、発光素子８１の他方の電極を他方の接続パッドＰ１とボンディングワイヤ８３により電気的に接続する。

本工程においてボンディングワイヤ８３をめっき層４０に接続する際には、めっき層４０の上面４２Ａの一部にシリカ膜Ｓ１は形成されているが、めっき層４０の上面４２Ａにシリコーン膜は形成されていない。すなわち、上述した酸素活性種による表面処理によってめっき層４０上からシリコーン膜が除去されているため、ボンディングワイヤ８３をめっき層４０に接続する際に、シリコーン膜に起因してワイヤボンディングの障害が起こることはない。但し、めっき層４０上にはシリコーン膜の代わりに絶縁膜であるシリカ膜Ｓ１が形成されているため、このシリカ膜Ｓ１がワイヤボンディング障害を引き起こすとも考えられる。しかし、めっき層４０上にシリカ膜Ｓ１を形成した場合には、後述する実験結果にも示すように、めっき層４０上にシリコーン膜が形成されている場合よりもワイヤボンディング性を向上させることができる。すなわち、めっき層４０上に形成されたシリコーン膜をシリカ膜Ｓ１に変質させることにより、めっき層４０とボンディングワイヤ８３との間で接合不良が発生しにくくなり、ワイヤボンディング強度を向上させることができる。これは、以下のように考察することができる。すなわち、ＳｉＯ_２の分子構造は剛直であるため、ワイヤボンディングの超音波振動でめっき層４０上に残存するシリカ（ＳｉＯ_２）は容易に破壊される、と考えられる。そして、せん断破壊された分子がボンディングワイヤ８３（Ａｕワイヤ）やＡｕ層４２に散乱し、ＡｕワイヤとＡｕ層４２の界面が一体化されるため、ワイヤボンディング強度の低下が抑制されるものと考察される。

次に、図７（ｃ）に示す工程では、単位リードフレーム２４上に実装された発光素子８１及びボンディングワイヤ８３を封止する封止樹脂８４を形成する。例えば、一括モールディング方式により、樹脂充填領域２３毎に、発光素子８１が搭載されている側のリードフレーム２１の面（図中の上面）の一部を封止樹脂８４で封止する。これにより、各単位リードフレーム２４に実装された発光素子８１とボンディングワイヤ８３とが封止樹脂８４で封止される。この封止工程は、特に図示はしないが、例えばモールディング金型（１組の上型及び下型）の下型上に図７（ｂ）に示した構造体を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、モールドゲート部（図示略）から対応する樹脂充填領域２３（図１（ａ）参照）に絶縁性樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われる。この封止樹脂８４としては、例えばトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより形成されたモールド樹脂を用いることができる。

その後、破線で示した切断位置の絶縁層５０，７０及び放熱板６０をダイシングブレード等によって切断する。これにより、単位リードフレーム２４に発光素子８１が実装されてなる発光装置８０（図４参照）が複数個製造される。そして、その発光装置８０を実装基板に実装する際に、絶縁層７０の開口部７０Ｙから露出されためっき層４０に外部接続用ワイヤ８５が接続される。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線基板２４の最表層に、耐熱性及び耐光性に優れたシリコーンを含む絶縁層７０を形成するようにした。これにより、配線基板２４の最表層に、エポキシ系樹脂からなる絶縁層を形成する場合に比べて、耐熱性を向上させることができる。このため、実装部品（ここでは、発光素子８１）の発熱温度が高くなった場合にも、上記シリコーンを含む絶縁層７０を配線基板２４の最表層の絶縁層に適用することができる。

（２）配線３２の凹部３２Ｘの底面上に電解めっき法によりめっき層４０を形成した後に、そのめっき層４０を露出させる開口部７０Ｘ，７０Ｙを有する絶縁層７０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法によりめっき層４０を形成する際には、絶縁層７０が形成されていないため、その絶縁層７０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。

さらに、無電解めっきや電解めっきを行う際に絶縁層７０がめっき槽のめっき液中に浸漬されることがないため、絶縁層７０にめっき液が染み込むことを未然に防止することができる。これにより、絶縁層７０の反射率が低下することを抑制することができる。

（３）絶縁層７０に対する熱硬化処理の後であって発光素子８１の搭載前に、めっき層４０（具体的には、Ａｕ層４２）の上面４２Ａに対して、酸素活性種による表面処理を施すようにした。これにより、上記熱硬化処理の際にＡｕ層４２の上面４２Ａにシリコーンが付着した場合であっても、上記表面処理によってシリコーン膜をシリカ膜Ｓ１に変質させて、Ａｕ層４２上のシリコーンを除去することができる。したがって、ワイヤボンディング障害を引き起こすシリコーンをＡｕ層４２上から除去できるため、上記表面処理を施さない場合に比べて、ワイヤボンディング性を向上させることができる。

（４）紫外線処理や酸素プラズマ処理によってＡｕ層４２上のシリコーン膜を除去するようにした。これら紫外線処理や酸素プラズマ処理では、ＣＦ_４ガスをソースとしたプラズマ処理のように燃焼システム等を設ける必要がないため、安価にシリコーン膜を除去することができる。このため、製造コストの削減に貢献することができる。

（５）高い反射率を有する絶縁層７１上に発光素子８１を搭載するようにした。これにより、発光素子８１の発光効率を向上させることができる。
（６）発光素子８１が搭載される絶縁層７１の直下に配線３１を形成するようにした。これにより、発光素子８１から発生した熱を絶縁層７１から配線３１及び絶縁層５０を通じて放熱板６０に放熱することができる。ここで、配線３１は絶縁層５０よりも高い熱伝導率を有しているため、発光素子８１から発生した熱を、絶縁層５０上に絶縁層７１が形成される場合よりも効率良く放熱板６０に放熱することができる。これにより、発光素子８１の発光効率の低下を好適に抑制することができる。

（７）各配線３０の側面全面を覆うように絶縁層５０を形成し、その絶縁層５０によって各配線３０を支持するようにした。これにより、従来のリードフレームでは、配線（リード）を支持するために必要であるサポートバーやセクションバー等を省略することができる。このため、図２に示した破線の位置で絶縁層５０，７０及び放熱板６０を切断することにより単位リードフレーム２４を個片化した場合に、切断面に配線３０（基板フレーム２２）の側面が露出されない。これにより、配線３０の酸化を好適に抑制することができる。

さらに、個片化した単位リードフレーム２４では、配線３０の側面全面が絶縁層５０によって覆われる。このため、単位リードフレーム２４及びその単位リードフレーム２４を用いた発光装置８０における絶縁信頼性を向上させることができる。

（８）導電性基板９０をテープ９２に貼り付けた状態で、その導電性基板９０をパターニングして基板フレーム２２（配線３０）を形成するようにした。このため、エッチングにより配線３０のみを残すようにしても、つまり従来のリードフレームでは配線を支持するために必要であったセクションバーやサポートバーを残さずに配線３０のみを残すようにしても、テープ９２によって配線３０を保持することができる。さらに、テープ９２によって保持された配線３０を封止するように絶縁層５０を形成し、その後、テープ９２を剥離するようにした。このように、配線３０を支持する絶縁層５０が形成された後に、テープ９２が剥離される。このため、テープ９２の剥離後においても、絶縁層５０によって配線３０を所定の位置に保持（支持）することができる。したがって、従来必要であった配線を支持するためのセクションバーやサポートバーを省略することができる。

（第１実施形態の変形例）
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。

・上記第１実施形態における絶縁層７１の形状に特に限定されない。例えば図８（ａ）に示すように、絶縁層７１の上面に凹部７１Ｘ（第３凹部）を形成するようにしてもよい。この凹部７１Ｘは、絶縁層７１の上面から絶縁層７１の厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、各凹部７１Ｘは、その底面が絶縁層７１の厚さ方向の中途に位置するように形成されている。そして、発光素子８１を上記凹部７１Ｘの底面上に搭載するようにしてもよい。これにより、発光素子８１を囲むように、高い反射率を有する絶縁層７１を形成することができるため、発光装置８０の発光効率を向上させることができる。

・上記第１実施形態における絶縁層７０の形状に特に限定されない。例えば上記第１実施形態では、めっき層４０の上面４２Ａの全面を露出するように絶縁層７０を形成するようにしたが、図８（ｂ）に示すように、めっき層４０の上面４２Ａの一部を被覆するように絶縁層７０（絶縁層７１，７２）を形成するようにしてもよい。また、上記第１実施形態では、絶縁層７０（絶縁層７２）の外側面を絶縁層５０及び放熱板６０の外側面と面一になるように形成したが、図８（ｂ）に示すように、例えば絶縁層７０（絶縁層７２）を絶縁層５０及び放熱板６０の外側面から後退するように形成してもよい。

・図８（ｂ）に示すように、上記第１実施形態の発光装置８０及び配線基板２４から配線３１を省略するようにしてもよい。このような構造では、発光素子８１の熱を絶縁層７１を介して配線３０に逃がすことができるため、発光素子８１の発光効率の寿命を向上させることができる。

・上記第１実施形態及び上記各変形例では、配線３２の凹部３２Ｘの底面（第１面）上にめっき層４０を形成するようにした。これに限らず、例えば図８（ｃ）に示すように、配線３２の上面３２Ａ（第１面）上にめっき層４０を形成するようにしてもよい。

・上記第１実施形態及び上記各変形例では、絶縁層７１上に発光素子８１を搭載するようにした。これに限らず、例えば図８（ｄ）に示すように、配線３１上にめっき層４０と同様のめっき層４３を形成し、そのめっき層４３上に発光素子８１を搭載するようにしてもよい。例えば、発光素子８１を、めっき層４３上に接着剤８２を介して接着するようにしてもよい。

・また、絶縁層７１及びめっき層４３を省略し、配線３１上に発光素子８１を搭載するようにしてもよい。あるいは、図８（ｂ）に示した配線基板２４から絶縁層７１を省略し、絶縁層５０上に発光素子８１を搭載するようにしてもよい。

・上記図８（ｃ）に示した変形例では、めっき層４０を配線３２の上面３２Ａにのみ形成した。これに限らず、例えば図８（ｄ）に示すように、めっき層４０を、配線３２の上面３２Ａの一部を覆うように形成するとともに、隣接する配線３０間に形成された絶縁層５０の上面５０Ａの一部を覆うように形成するようにしてもよい。また、配線３１上に形成しためっき層４３を、配線３１の上面を覆うように形成するとともに、隣接する配線３０間に形成された絶縁層５０の上面５０Ａの一部を覆うように形成するようにしてもよい。これにより、めっき層４０とめっき層４３との間の間隔を、配線３１と配線３２との間の間隔よりも狭くすることができる。

・図９（ａ）に示すように、絶縁層７１上に複数（図９（ａ）では、４つ）の発光素子８１を搭載するようにしてもよい。本例では、絶縁層７１上で最も外側に搭載された発光素子８１の電極（図示略）は、絶縁層７０の開口部７０Ｘから露出されためっき層４０とボンディングワイヤ８３を介して電気的に接続されている。そして、隣接する発光素子８１の電極は、ボンディングワイヤ８３を介して互いに電気的に接続されている。このように絶縁層７１上に搭載される発光素子８１の接続は本例のように直列接続であってもよいし、並列接続であってもよいし、直列接続及び並列接続の両方であってもよい。

・図９（ｂ）に示すように、配線３１の上面に凹部３１Ｘを形成し、その凹部３１Ｘの底面上にめっき層４０と同様のめっき層４４を形成し、そのめっき層４４上に発光素子８１を搭載するようにしてもよい。すなわち、配線３１に埋め込まれるように形成されためっき層４４上に発光素子８１を搭載するようにしてもよい。

・上記第１実施形態では、各単位リードフレーム２４に発光素子８１をワイヤボンディング実装した後に、単位リードフレーム２４（発光装置８０）を個片化するようにした。これに限らず、例えば単位リードフレーム２４を個片化した後に、各単位リードフレーム２４に発光素子８１をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。この場合、Ａｕ層４２の上面４２Ａに対する表面処理は、単位リードフレーム２４に発光素子８１を搭載する前であれば、単位リードフレーム２４の個片化前に行ってもよいし、個片化後に行ってもよい。すなわち、Ａｕ層４２の上面４２Ａに対する表面処理を、発光素子８１を単位リードフレーム２４に搭載する直前に行う必要はない。

・上記第１実施形態では、単位リードフレーム２４がマトリクス状に複数個連設されたリードフレーム２１に具体化したが、例えば単位リードフレーム２４が帯状に複数個連設されたリードフレームに具体化してもよい。すなわち、単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであれば、その単位リードフレームの配列は特に限定されない。

・上記第１実施形態におけるリードフレーム２１を、例えばＱＦＮ、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）やＳＯＮ（Small Out line Non-Lead Package）等のようなパッケージの一面に外部接続用の端子を複数露出させたタイプの表面実装型パッケージに用いてもよい。

（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１０〜図１５に従って説明する。先の図１〜図９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図１０（ａ）に示すように、発光装置１００は、配線基板１１０と、その配線基板１１０に実装された複数（本例では１６個）の発光素子８１と、発光素子８１等を封止する封止樹脂８４とを有している。

配線基板１１０は、放熱板１２０と、放熱板１２０上に形成された絶縁層１３０と、絶縁層１３０上に形成された配線パターン１４０と、配線パターン１４０上の一部に形成されためっき層１５０と、配線パターン１４０及びめっき層１５０の一部を覆う絶縁層１６０とを有している。

放熱板１２０は、例えば平面視略矩形状の平板である。放熱板１２０の材料としては、放熱板６０と同様に、例えば銅、アルミニウム、鉄などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。放熱板１２０の厚さは、例えば２００〜２０００μｍ程度とすることができる。

絶縁層１３０は、放熱板１２０の上面全面を覆うように形成されている。絶縁層１３０は、配線パターン１４０と放熱板１２０とを絶縁する機能と、配線パターン１４０と放熱板１２０とを接着する機能を有している。絶縁層１３０は、例えば平面視略矩形状の平板である。絶縁層１３０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層１３０の厚さは、例えば２５〜２００μｍ程度とすることができる。

配線パターン１４０は、絶縁層１３０の上面１３０Ａ（第１面）に形成されている。この配線パターン１４０は、図１２に示すように、絶縁層１３０の上面１３０Ａを全体的に覆うように形成されている。具体的には、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（図１２では、５つ）の配線パターン１４０が平行に隣接して配置されている。そして、隣接する配線パターン１４０間には、下層の絶縁層１３０を露出する溝状の開口部１４０Ｘが形成されている。この開口部１４０Ｘによって複数の配線パターン１４０は互いに離間され、複数の配線パターン１４０は互いに電気的に独立している。なお、配線パターン１４０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。配線パターン１４０の厚さは、例えば３〜１０５μｍ程度とすることができる。配線パターン１４０の長辺の長さは例えば５〜１０ｍｍ程度とすることができ、配線パターン１４０の短辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度とすることができる。また、各配線パターン１４０間の幅（開口部１４０Ｘの幅）は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。

図１０（ｂ）に示すように、配線パターン１４０の上面１４０Ａは粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された配線パターン１４０の上面１４０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように設定されている。ここで、上記表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。この表面粗さＲａ値は、例えば原子間力顕微鏡を使用して測定される。

図１２に示すように、配線パターン１４０の上面１４０Ａ（第１面）には、平面視略半円状のめっき層１５０が多数形成されている。これらのめっき層１５０は、平面視したときに、上記開口部１４０Ｘを挟んで略半円の直線部が互いに対向するように形成された２つのめっき層１５０で一つの組（一対）になるように形成されている。すなわち、一対のめっき層１５０は、互いに異なる配線パターン１４０の上面１４０Ａに形成され、全体的には平面視略円形状になるように形成されている。そして、このような一対のめっき層１５０が配線パターン１４０上にマトリクス状（図１２では４×４）に形成されている。各めっき層１５０は、発光素子８１（図１０（ａ）参照）が接合される接続パッドＰ１１を有している。なお、図１０（ａ）に示すように、各めっき層１５０は、配線パターン１４０の側面、つまり開口部１４０Ｘの側壁には形成されておらず、開口部１４０Ｘの側壁を構成する配線パターン１４０の縁から後退して形成されている。

図１２に示すように、配線パターン１４０の上面１４０Ａには、平面視略円状のめっき層１５１が一対形成されている。このめっき層１５１は、上記めっき層１５０よりも外側の配線パターン１４０の上面１４０Ａに形成されている。具体的には、一対のめっき層１５１は、５つの配線パターン１４０のうち最も外側に配置された２つの配線パターン１４０上であって、それら配線パターン１４０に形成されためっき層１５０よりも外側に形成されている。このようなめっき層１５１は、外部から給電される電極端子Ｐ１２を有している。

これらめっき層１５０，１５１の例としては、上記めっき層４０と同様に、例えばＮｉ層／Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層などを挙げることができる。なお、本実施形態では、図１０（ａ）に示すように、配線パターン１４０の上面１４０ＡにＮｉ層１５２とＡｕ層１５３とがこの順番で積層されて上記めっき層１５０，１５１が形成されている。なお、Ｎｉ層１５２の厚さは例えば０．１〜３μｍ程度とすることができ、Ａｕ層１５３の厚さは例えば０．０１〜１μｍ程度とすることができる。

めっき層１５０，１５１の最表面であるＡｕ層１５３の上面１５３Ａには、シリカ（ＳｉＯ_２）が一部に含まれている。すなわち、Ａｕ層１５３の上面１５３Ａには、その一部にシリカ膜Ｓ１が形成されている。また、Ａｕ層１５３は、その上面１５３Ａにシリコーン（Ｓｉ−Ｏ）が含まれていない（シリコーン膜が形成されていない）ことが好ましい。例えば、Ａｕ層１５３の上面１５３ＡをＥＳＣＡで分析したときに、シリコーンが検出されず、シリカが検出されるとともに、Ａｕ層１５３を構成する金属（ここでは、Ａｕ）が検出される。

絶縁層１６０は、配線パターン１４０の上面１４０Ａ、絶縁層１３０の上面１３０Ａ及びめっき層１５０，１５１の上面１５３Ａの一部を被覆するように形成されている。図１１及び図１２に示すように、絶縁層１６０は、発光素子８１が搭載される発光素子搭載領域ＣＡとしてめっき層１５０、配線パターン１４０及び絶縁層１３０の一部を露出する開口部１６０Ｘと、電極端子Ｐ１２としてめっき層１５１の一部を露出する開口部１６０Ｙとを有している。具体的には、開口部１６０Ｘから露出された領域が発光素子搭載領域ＣＡとなり、その発光素子搭載領域ＣＡに形成された一方のめっき層１５０上に発光素子８１が搭載される。ここで、図１１に示すように、開口部１６０Ｘ及び発光素子搭載領域ＣＡの平面形状は、例えば円形状に形成されている。開口部１６０Ｘ及び発光素子搭載領域ＣＡは、配線基板１１０上にマトリクス状（図１１では、４×４）に配列されている。各発光素子搭載領域ＣＡでは、溝状の開口部１４０Ｘによって分離された２つの配線パターン１４０の一部、及びそれら配線パターン１４０上に形成されためっき層１５０の一部が開口部１６０Ｘから露出されている。そして、各発光素子搭載領域ＣＡにおいて、開口部１６０Ｘから露出されためっき層１５０が接続パッドＰ１１として機能する。

また、上記開口部１６０Ｙの平面形状は例えば略円形状に形成されている。具体的には、各開口部１６０Ｙは、その平面形状が各めっき層１５１の平面形状よりも小さく形成されている。このため、開口部１６０Ｙからはめっき層１５１の一部が露出され、その露出されためっき層１５１が電極端子Ｐ１２として機能する。この電極端子Ｐ１２には、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。なお、絶縁層１３０の上面１３０Ａから絶縁層１６０の上面までの厚さは、例えば５０〜１５０μｍ程度とすることができる。

絶縁層１６０の材料としては、耐熱性に優れた材料を用いることができる。例えば、絶縁層１６０の材料としては、耐熱性及び耐光性に優れたシリコーンを含む樹脂材を用いることができる。

さらに、絶縁層１６０は、高い反射率を有することが好ましい。例えば、絶縁層１６０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有している。このような絶縁層１６０の材料としては、シリコーン系樹脂に白色の酸化チタンや硫酸バリウムからなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。

各発光素子８１は、配線基板１１０の各発光素子搭載領域ＣＡに実装されている。具体的には、各発光素子８１は、各発光素子搭載領域ＣＡに形成された一方のめっき層１５０上に搭載されている。より具体的には、図１０（ａ）に示すように、各発光素子８１は、上記一方のめっき層１５０上に接着剤８２を介して接着されている。また、各発光素子８１は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８３を介して上記一方のめっき層１５０に電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８３を介して発光素子搭載領域ＣＡ内の他方のめっき層１５０に電気的に接続されている。これにより、各発光素子８１の各電極は、ボンディングワイヤ８３及びめっき層１５０を介して、配線パターン１４０と電気的に接続されている。このような接続により、本実施形態の発光装置１００では、一対の電極端子Ｐ１２間に４個の発光素子８１が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子８１群が４つ並列に接続されることになる（図１２参照）。そして、これら発光素子８１は、外部の電源（図示略）から実装基板、電極端子Ｐ１２や配線パターン１４０等を介して給電されて発光する。

図１０（ａ）に示すように、封止樹脂８４は、発光素子８１及びボンディングワイヤ８３等を封止するように配線基板１１０の上面に設けられている。なお、電極端子Ｐ１２及びその電極端子Ｐ１２周辺は、封止樹脂８４に封止されていない。

次に、上記発光装置１００の製造方法について説明する。
まず、配線基板１１０を製造するためには、例えば多数個取り基板（以下、単に「基板」ともいう。）１２０Ａを用意する。基板１２０Ａは、図示は省略するが、配線基板１１０が形成される領域である配線基板形成領域がマトリクス状（例えば、３×３）に形成された区画を複数（例えば、３つ）有している。この基板１２０Ａは、配線基板形成領域に配線基板１１０に対応する構造体が形成された後、切断線Ｄ１に沿ってダイシングブレード等によって切断される。これにより、配線基板１１０に対応する構造体が個片化され、複数の配線基板１１０が製造されることになる。このとき、各配線基板１１０において、基板１２０Ａは図１０に示した放熱板１２０となる。このため、基板１２０Ａの材料としては、放熱板１２０と同様に、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。なお、以下に示す図１３〜図１５においては、説明の便宜上、一つの配線基板形成領域の構造を示している。

次に、図１３（ａ）に示す工程では、基板１２０Ａの上面全面を覆うように絶縁層１３０を形成するとともに、絶縁層１３０の上面１３０Ａ全面を覆うように銅箔１４０Ｂを形成する。例えば絶縁層１３０の片面に銅箔１４０Ｂが被着された片面銅張り基板を基板１２０Ａに接着することにより、基板１２０Ａ上に絶縁層１３０及び銅箔１４０Ｂを形成する。また、例えば銅箔付き絶縁樹脂フィルムを基板１２０Ａ上に積層することにより、基板１２０Ａ上に絶縁層１３０及び銅箔１４０Ｂを形成するようにしてもよい。

また、図１３（ａ）に示す工程では、銅箔１４０Ｂに対して粗化処理を施す。この粗化処理は、例えば、銅箔１４０Ｂの上面１４０Ａの粗度が、表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように行われる。このような粗化処理により、銅箔１４０Ｂの上面１４０Ａに微細な凹凸が形成されて、その上面１４０Ａが粗面化される。粗化処理としては、例えば黒化処理、エッチング処理、めっき、ブラスト等によって行うことができる。

次に、図１３（ｂ）に示す工程では、粗面化された銅箔１４０Ｂの上面１４０Ａに、所定の箇所に開口パターン１７０Ｘ，１７０Ｙを有するレジスト層１７０を形成する。この開口パターン１７０Ｘは、発光素子搭載領域ＣＡに形成されるめっき層１５０（図１０参照）に対応する部分の銅箔１４０Ｂを露出するように形成される。また、開口パターン１７０Ｙは、その一部が電極端子Ｐ２となるめっき層１５１（図１０参照）に対応する部分の銅箔１４０Ｂを露出するように形成される。レジスト層１７０の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができ、例えば上記レジスト層９１と同様の材料を用いることができる。また、レジスト層１７０は、レジスト層９１と同様の方法により形成することができる。

続いて、図１３（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層１７０をめっきマスクとして、銅箔１４０Ｂの上面１４０Ａに、その銅箔１４０Ｂをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層１７０の開口パターン１７０Ｘから露出された銅箔１４０Ｂの上面１４０Ａに電解めっきを施すことにより、発光素子搭載領域ＣＡに対応する部分の銅箔１４０Ｂ上にめっき層１５０を形成する。また、レジスト層１７０の開口パターン１７０Ｙから露出された銅箔１４０Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、その銅箔１４０Ｂ上にめっき層１５１を形成する。ここで、めっき層１５０，１５１がＮｉ層１５２とＡｕ層１５３が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層１７０の開口パターン１７０Ｘ，１７０Ｙから露出された銅箔１４０Ｂの上面にＮｉ層１５２とＡｕ層１５３を順に積層する。その後、レジスト層１７０を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。

次に、図１４（ａ）に示す工程では、銅箔１４０Ｂの上面１４０Ａに、所定の箇所に開口部１７１Ｘを有するレジスト層１７１を形成する。このレジスト層１７１は、所要の配線パターン１４０に対応する銅箔１４０Ｂを被覆するように形成される。換言すると、レジスト層１７１は、開口部１４０Ｘに対応する位置に形成された開口部１７１Ｘを有している。レジスト層１７１の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができ、例えば上記レジスト層９１と同様の材料を用いることができる。また、レジスト層１７１は、レジスト層９１と同様の方法により形成することができる。

続いて、レジスト層１７１をエッチングマスクとして銅箔１４０Ｂをエッチングし、銅箔１４０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、銅箔１４０Ｂに開口部１４０Ｘが形成され、絶縁層１３０の上面１３０Ａに所要の配線パターン１４０が形成される。このとき、めっき層１５０，１５１が開口部１４０Ｘの側壁を構成する配線パターン１４０の縁から後退して形成される。その後、レジスト層１７１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。

次いで、図１４（ｂ）に示す工程では、絶縁層１３０上、配線パターン１４０上及びめっき層１５０，１５１上に、発光素子搭載領域ＣＡ及び電極端子Ｐ１２にそれぞれ対応する開口部１６０Ｘ，１６０Ｙを有する絶縁層１６０を形成する。具体的には、絶縁層１３０上及び配線パターン１４０上に、めっき層１５０の上面の一部を接続パッドＰ１１として露出するとともに、めっき層１５１の一部を電極端子Ｐ１２として露出する絶縁層１６０を形成する。この絶縁層１６０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。

続いて、絶縁層１６０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。このとき、絶縁層１６０から低分子のシリコーン（Ｓｉ−Ｏ）が揮発し、その揮発したシリコーンがめっき層１５０，１５１の上面１５３Ａに付着する。このため、めっき層１５０，１５１の上面１５３Ａの一部にはシリコーン膜が形成されることになる。

次いで、図１４（ｃ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示した構造体に対して、酸素活性種による表面処理を施す。表面処理としては、例えば紫外線処理や酸素プラズマ処理を用いることができる。図１４（ｃ）の例では、先の図７（ａ）に示した工程と同様に、図１４（ｂ）に示した構造体の上面（少なくとも、めっき層１５０，１５１の上面１５３Ａ）に紫外線光Ｌを照射するようにした。このような表面処理により、上記熱硬化処理でめっき層１５０，１５１の上面１５３Ａに形成されたシリコーン膜をシリカ膜Ｓ１に変質させることができる。

次に、図１５（ａ）に示す工程では、図１４（ｃ）に示した切断線Ｄ１に対応する部分の絶縁層１６０、絶縁層１３０及び基板１２０Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、本実施形態の配線基板１１０が製造される。なお、このとき、基板１２０Ａが放熱板１２０になる。

続いて、図１５（ｂ）に示す工程では、配線基板１１０の各発光素子搭載領域ＣＡ内に発光素子８１をワイヤボンディング実装する。詳述すると、まず、各発光素子搭載領域ＣＡに形成された一方のめっき層１５０上に接着剤８２を介して発光素子８１を搭載する。続いて、発光素子８１の電極（図示略）と、絶縁層１６０の開口部１６０Ｘから露出されためっき層１５０（つまり、接続パッドＰ１１）とをボンディングワイヤ８３により接続し、発光素子８１と配線パターン１４０を電気的に接続する。具体的には、発光素子８１の一方の電極を一方の接続パッドＰ１１とボンディングワイヤ８３により電気的に接続するとともに、発光素子８１の他方の電極を他方の接続パッドＰ１１とボンディングワイヤ８３により電気的に接続する。このとき、めっき層１５０上には、シリコーン膜が形成されておらず、シリコーン膜の代わりにシリカ膜Ｓ１が形成されているため、めっき層１５０とボンディングワイヤ８３とを良好に接合することができる。

次いで、図１５（ｃ）に示す工程では、配線基板１１０上にワイヤボンディング実装された複数の発光素子８１及びボンディングワイヤ８３を封止する封止樹脂８４を形成する。

以上の製造工程により、本実施形態の発光装置１００が製造される。なお、発光装置１００を実装基板（図示略）に実装する際に、絶縁層１６０の開口部１６０Ｙから露出されためっき層１５１、つまり電極端子Ｐ１２に外部接続用ワイヤ８５が接続される。

以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態の（１）〜（４）の効果と同様の効果を奏する。
（実験結果）
ここで、上述したように、酸化活性種による表面処理によってめっき層上のシリコーン膜がシリカ膜に変質すること、及び、そのようにシリコーン膜をシリカ膜に変質させることでワイヤボンディング性が向上することを裏付ける実験結果について、図１６及び図１７に従って説明する。

まず、上記実施形態と同様の製造方法により、図１６に示した構造体２００を製造する。詳述すると、厚さ１ｍｍのアルミニウムからなる基板２２０の上面に厚さ０．１ｍｍの絶縁層２３０を積層し、その絶縁層２３０の上面に厚さ０．１ｍｍの銅箔２４０を積層した。続いて、銅箔２４０に対して粗化処理を施した後、電解めっき法により、銅箔２４０上にＮｉ層２５２とＡｕ層２５３を順に積層した。このとき、Ｎｉ層２５２の厚さは１．０μｍであり、Ａｕ層２５３の厚さは０．１μｍである。次いで、銅箔２４０を所定形状にパターニングし、絶縁層２３０上に銅箔２４０の一部を被覆し、Ａｕ層２５３の上面全面を露出する開口部２６０Ｘを有する絶縁層２６０を形成し、その絶縁層２６０を１５０℃の温度雰囲気でキュアして硬化させた。この絶縁層２６０の材料は、シリコーン系樹脂に白色の酸化チタンからなるフィラーを含有した樹脂材である。また、絶縁層２３０の上面から絶縁層２６０の上面までの厚さは１２０μｍである。

次に、上記構造体２００に対して紫外線処理を施した。紫外線処理は、処理対象である上記構造体２００が置かれる処理室内の酸素濃度を５％とし、波長１７２ｎｍの紫外線光（エキシマＵＶ光）を上記構造体２００の上面に照射した。このときのエキシマＵＶ光の照射量を０．０ｍＪ／ｃｍ^２（サンプル１）、５２０ｍＪ／ｃｍ^２（サンプル２）、１３００ｍＪ／ｃｍ^２（サンプル３）、２３４０ｍＪ／ｃｍ^２（サンプル４）、３９００ｍＪ／ｃｍ^２（サンプル５）と変化させて紫外線処理を施した５種類のサンプルを作成した。そして、各サンプル１〜５における上記Ａｕ層２５３の表面状態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置）で分析した。このＥＳＣＡによる相対原子量分析結果を図１７に示した。このＥＳＣＡによる分析条件は、装置としてＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ製のＱｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭを使用し、Ｘ線源としてＡｌＫα（モノクロメータ）を使用し、光電子取り出し角度を４５度とし、測定領域を直径約１００μｍの領域とし、帯電中和機構を使用するようにした。なお、エキシマＵＶ光の照射量が０．０ｍＪ／ｃｍ^２であるサンプル１は、上記構造体２００に対して紫外線処理を施さなかったサンプルである。

続いて、上記サンプル１〜５の各Ａｕ層２５３に対してＡｕワイヤをファーストボンディング及びセカンドボンディングし、そのＡｕワイヤの引っ張り強度（ワイヤボンディング強度）を測定した。この結果を、上記ＥＳＣＡ分析結果と併せて図１７に示した。

ここで、引っ張り強度は、Ａｕ層２５３にステッチボンディングを施した各サンプル１〜５に対して、Ａｕワイヤステッチボンド部分の引っ張り試験を行い、その引っ張り試験においてＡｕワイヤが剥離又は破断した時の荷重を表わした値である。この荷重が大きいほど、引っ張り強度（ワイヤボンディング強度）が高く、Ａｕワイヤの接続信頼性が高いことを示している。

図１７の結果から明らかなように、エキシマＵＶ光の照射量が増えるほど、Ａｕ層２５３の上面におけるシリコーン（Ｓｉ−Ｏ）の量が減少し、シリカ（ＳｉＯ_２）の量が増加する。これは、上述したように、Ａｕ層２５３にエキシマＵＶ光を照射することにより、そのエキシマＵＶ光により生成された酸素活性種とＡｕ層２５３上に形成されたシリコーン膜とが反応してＳｉＯ_２膜が形成されたことによるものと考えられる。さらに、エキシマＵＶ光の照射量が増えるほど、そのエキシマＵＶ光により生成される酸素活性種の量が増加するため、Ａｕ層２５３上に形成されていたシリコーンが大量に変質され、その分だけシリカが大量に生成されたものと考えられる。そして、本実験結果では、エキシマＵＶ光の照射量が２３４０ｍＪ／ｃｍ^２以上になると、ＥＳＣＡ分析でＡｕ層２５３の上面からシリコーンを検出できなくなった（サンプル４，５）。

また、サンプル１とサンプル２〜５とを比較すると明らかなように、ワイヤボンディング前にＡｕ層２５３に対して紫外線処理を施すと（サンプル２〜５）、Ａｕ層２５３に対して紫外線処理を施さない場合（サンプル１）よりも、ワイヤボンディング強度を向上させることができる。さらに、サンプル２〜５の結果から、エキシマＵＶ光の照射量が増えるほど、ワイヤボンディング強度が高くなることが分かる。そして、シリコーンが検出できなくなったサンプル４，５では、紫外線処理を実施しないサンプル１よりも、約１．７倍のワイヤボンディング強度を得ることができ、実用上、十分なワイヤボンディング強度を得ることができた。このようなワイヤボンディング強度の向上は、上述したＡｕ層２５３上のシリコーンの量が減少したことに由来すると考えられる。

以上のことから、絶縁層２６０の熱硬化処理に伴ってＡｕ層２５３上にシリコーン膜が形成された場合であっても、Ａｕ層２５３に対して紫外線処理を行うことにより、シリコーン膜をシリカ膜に変質させることができ、さらにワイヤボンディング性の低下を抑制することができる。すなわち、Ａｕ層２５３に対して紫外線処理を施すことにより、Ａｕ層２５３に対して紫外線処理を施さない場合よりも、ワイヤボンディング性を向上させることができる。このとき、エキシマＵＶ光の照射量は、ワイヤボンディング性の向上という観点から、ＥＳＣＡ分析でＡｕ層２５３の上面にシリコーンが検出できなくなる程度の照射量に設定することが好ましい。

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第２実施形態では、配線基板１１０を個片化した後に、その配線基板１１０に発光素子８１をワイヤボンディング実装するようにした。これに限らず、例えば配線基板１１０の個片化前に各発光素子搭載領域ＣＡに発光素子８１をワイヤボンディング実装し、その後、切断線Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置を得るようにしてもよい。

・上記第２実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化してもよい。
・上記第１実施形態における配線３１，３２、凹部３２Ｘやめっき層４０の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。

・上記第１実施形態における絶縁層７０の開口部７０Ｘ，７０Ｙの平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。

・上記第２実施形態におけるめっき層１５０，１５１の平面形状は、半円形状や円形状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状であってもよく、楕円状や半楕円状であってもよい。

・上記第２実施形態における配線パターン１４０の平面形状は、特に限定されない。
・上記第２実施形態における絶縁層１６０の開口部１６０Ｘ，１６０Ｙの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状、半円状、楕円状や半楕円状であってもよい。

・上記各実施形態における配線基板２４，１１０及び発光装置８０，１００の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。

・上記各実施形態の配線基板２４，１１０に、発光素子８１の代わりに、例えば発光素子サブマウントをワイヤボンディング実装するようにしてもよい。なお、発光素子サブマウントは、例えばセラミック等からなるサブマウント基板に発光素子が搭載され、その発光素子の周囲に反射板が配置され、発光素子が封止樹脂で封止された構造を有している。

２１ リードフレーム
２４ 単位リードフレーム（配線基板）
３１ 配線（第２配線パターン）
３２ 配線（第１配線パターン）
３２Ｘ 凹部（第２凹部）
４０ めっき層
４１ Ｎｉ層
４２ Ａｕ層
５０ 絶縁層（第１絶縁層）
５０Ｘ 凹部（第１凹部）
６０ 放熱板
７０ 絶縁層（第２絶縁層）
７０Ｘ 開口部
７１Ｘ 凹部（第３凹部）
８０，１００ 発光装置
８１ 発光素子
８３ ボンディングワイヤ
１１０ 配線基板
１３０ 絶縁層（第１絶縁層）
１４０ 配線パターン（第１配線パターン）
１５０ めっき層
１６０ 絶縁層（第２絶縁層）
１６０Ｘ 開口部
Ｓ１ シリカ膜
Ｐ１，Ｐ１１ 接続パッド

Claims (11)

1. 第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上面に互いに離間して形成された複数の第１凹部と、
   前記第１凹部の底面上に形成され、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、
   前記配線パターンの第１面上に形成されためっき層と、
   前記めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有し、シリコーンを含む第２絶縁層と、を有し、
   前記第１絶縁層の上面と前記配線パターンの上面とは面一であり、
   前記めっき層の最表面には、シリカ膜が一部に形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記めっき層は、Ｘ線源としてＡｌＫα（モノクロメータ）を用い、光電子取り出し角度を４５度とし、測定領域を直径約１００μｍの領域とし、帯電中和機構を使用する条件で前記めっき層の最表面をＥＳＣＡ分析したときに、シリコーンが検出されないことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記配線パターンの上面には第２凹部が形成され、
   前記めっき層は、前記第２凹部の底面上に形成され、
   前記配線パターンの上面と前記めっき層の上面とは面一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記第２絶縁層は、波長が４５０〜７００ｎｍの間で５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の配線基板と、
   前記配線基板上に搭載され、前記めっき層とボンディングワイヤを介して電気的に接続された発光素子と、
   を有することを特徴とする発光装置。
6. 前記配線パターンを第１配線パターンとしたときに、前記第１凹部の底面上に前記第１配線パターンと離間して形成された第２配線パターンを有し、
   前記発光素子は、前記第２配線パターンの上面を被覆するように形成された前記第２絶縁層上に搭載されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 前記発光素子が搭載される前記第２絶縁層の上面には第３凹部が形成され、
   前記発光素子は、前記第３凹部の底面上に搭載されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の発光装置。
8. 前記配線パターンを第１配線パターンとしたときに、前記第１凹部の底面上に前記第１配線パターンと離間して形成された第２配線パターンを有し、
   前記発光素子は、前記第２配線パターンの上面に形成されためっき層上に搭載されていることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に互いに離間して形成された複数の第１凹部と、前記第１凹部の底面上に形成され、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、前記配線パターンの第１面上に形成されためっき層と、を有する配線基板の製造方法であって、
   電解めっき法により、前記めっき層を形成する工程と、
   前記配線パターンの上面と上面が面一になるように前記第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層上及び前記配線パターン上に、前記めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有し、シリコーンを含む第２絶縁層を形成する工程と、
   前記めっき層の最表面に酸素活性種を付着させる工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
10. 前記酸素活性種は、紫外線光照射により生成された酸素活性種、又は酸素をソースとしたプラズマにより生成された酸素活性種であることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
11. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に互いに離間して形成された複数の第１凹部と、前記第１凹部の底面上に形成され、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、前記配線パターンの第１面上に形成されためっき層とを有する配線基板に発光素子が実装されてなる発光装置の製造方法であって、
    電解めっき法により、前記めっき層を形成する工程と、
    前記配線パターンの上面と上面が面一になるように前記第１絶縁層を形成する工程と、
    前記第１絶縁層上及び前記配線パターン上に、前記めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有し、シリコーンを含む第２絶縁層を形成する工程と、
    前記めっき層の最表面に酸素活性種を付着させる工程と、
    前記シリコーンを除去する工程の後に、前記配線基板に発光素子を搭載する工程と、
    前記発光素子と前記めっき層とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。