JP2013116934A - イオン伝導体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】環状有機基を有する繰返し単位を含むポリマーからなるイオン伝導体。繰返し単位が、下記式(1)で示される1価のイオン伝導性基を更に有しており、イオン伝導性基が、環状有機基の環を構成する原子のうち連続する3個以上の原子に1個ずつ結合している。
【化1】
[式中、kは0〜50の整数を示し、R1は2価の炭化水素基を示し、Zは非共有電子対を有する原子を含む2価の有機基を示し、Qは極性基を示し、複数のZは、互いに同一でも異なっていてもよい。]
【選択図】なし
Description
環状有機基を有する繰返し単位を含むポリマーからなるイオン伝導体であって、
前記繰返し単位が、下記式(1)で示される1価のイオン伝導性基を更に有しており、
前記イオン伝導性基が、前記環状有機基の環を構成する原子のうち連続する3個以上の原子に1個ずつ結合しており、複数の前記イオン伝導性基は同一でも異なっていてもよい、イオン伝導体を提供する。
[式中、
kは0〜50の整数を示し、
R1は2価の炭化水素基を示し、
Zは非共有電子対を有する原子を含む2価の有機基を示し、
Qは下記式(Q−1)、(Q−2)、(Q−3)、(Q−4)、(Q−5)、(Q−6)、(Q−7)、(Q−8)、(Q−9)、(Q−10)、(Q−11)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)、(Q−15)、(Q−16)、(Q−17)、(Q−18)、(Q−19)、(Q−20)、(Q−21)、(Q−22)又は(Q−23)で示される極性基を示し、
複数のZは、互いに同一でも異なっていてもよい。]
[式中、
R10、R20、R21、R30、R40、R41、R50、R51、R52、R53、R60、R70、R71、R80、R110及びR120は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基又は金属原子を示す。
Xは非共有電子対を有する原子を示す。]
[式中、
U1は重合性基を示し、A環は環状有機基を示し、
kは0〜50の整数を示し、
R1は2価の炭化水素基を示し、
Zは非共有電子対を有する原子を含む2価の有機基を示し、
Qは下記式(Q−1)、(Q−2)、(Q−3)、(Q−4)、(Q−5)、(Q−6)、(Q−7)、(Q−8)、(Q−9)、(Q−10)、(Q−11)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)、(Q−15)、(Q−16)、(Q−17)、(Q−18)、(Q−19)、(Q−20)、(Q−21)、(Q−22)又は(Q−23)で示される極性基を示し、
n個のk、R1、Z及びQは、それぞれ、互いに同一でも異なっていてもよく、
nは3以上の整数を示し、
X1は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を示し、Y1は単結合又は2価の有機基を示す。]
[式中、
R10、R20、R21、R30、R40、R41、R50、R51、R52、R53、R60、R70、R71、R80、R110及びR120は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基又は金属原子を示す。
Xは非共有電子対を有する原子を示す。]
1種又は2種以上の重合性化合物をリビングアニオン重合により重合させて、下記式(2)で示される繰返し単位を含むポリマーからなるイオン伝導体を生成させる工程を備え、
該重合性化合物の少なくとも1種類が、本発明の重合性化合物である、
イオン伝導体の製造方法を提供する。
[式中、A環、k、R1、Z、Q、n、X1及びY1は、前記式(4)中のA環、k、R1、Z、Q、n、X1及びY1と同じ意味を示し、W1は3価の炭化水素基を示す。]
価のイオン伝導性基を有しており、上述の通り、環状有機基Aの環を構成する原子のうち連続する3個以上の原子に、該イオン伝導性基が結合している。
(I)ホルムアルデヒドと酸等を用いた芳香族基のヒドロメチル化
(II)アルキル基をもつ芳香族基のアルキル基を酸化したのち、還元するヒドロメチル化
(III)電子吸引基で置換されたアセチレンを用いた芳香環形成反応(参考文献:Dalton Transactions,2011,40,3748等)
(IV)極性基で置換されたアセチレンを用いた芳香環形成反応(参考文献:Tetrahedron Letter,1994,35,9323等)
(1)テトラヒドロフラン溶媒中でジアニオン系開始剤を用いてモノマー(e)を重合後に、−78℃の温度条件下でモノマー(d)を逐次重合させD−E−D型ブロック共重合体を得る方法(例えば、Macromolecules,(1969),2(5),453−458.)。
(2)モノマー(d)をアニオン系開始剤を用いてバルク重合をした後に、モノマー(e)を逐次重合させ、その後テトラクロロシラン等のカップリング剤によりカップリング反応を行い、(D−E)nX型ブロック共重合体を得る方法(例えば、Kautsch.Gummi,Kunstst.,(1984),37(5),377−379.及び、Polym.Bull.,(1984),12,71−77.)。
(3)非極性溶媒中有機リチウム化合物を開始剤として用い、0.1〜10質量%の濃度の極性化合物の存在下、−30℃〜30℃の温度にて、5〜50質量%の濃度のモノマー(d)を重合させ、得られるリビングポリマーにモノマー(e)を重合させた後、カップリング剤を添加して、D−E−D型ブロック共重合体を得る方法。
(4)非極性溶媒中有機リチウム化合物を開始剤として用い、0.1〜10質量%の濃度の極性化合物の存在下、−30℃〜30℃の温度にて、5〜50質量%の濃度のモノマー(d)(重合体ブロック(D)を構成する単量体)を重合させ、得られるリビングポリマーにモノマー(e)を重合させ、得られるモノマー(d)重合体ブロックとモノマー(e)重合体ブロックからなるブロック共重合体のリビングポリマーに重合体ブロック(D)を構成する単量体を重合させてD−E−D型ブロック共重合体を得る方法。
(5)シクロヘキサン溶媒中でアニオン重合開始剤を用いて、10〜100℃の温度条件下で、モノマー(f)を重合し、その後モノマー(e)、モノマー(d)を逐次重合させF−E−D型ブロック共重合体を得る方法。
(6)シクロヘキサン溶媒中でアニオン重合開始剤を用いて、10〜100℃の温度条件下で、モノマー(f)を重合し、その後モノマー(d)、モノマー(e)を逐次重合させた後、安息香酸フェニル等のカップリング剤を添加してF−D−E−D−F型ブロック共重合体を得る方法。
(7)シクロヘキサン溶媒中でアニオン重合開始剤を用いて、10〜100℃の温度条件下で、モノマー(f)、モノマー(e)、モノマー(f)を逐次重合させF−E−F型ブロック共重合体を作成し、アニオン重合開始剤系(アニオン重合開始剤/N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)を添加しモノマー(e)単位をリチオ化した後、モノマー(d)を重合させ、F−E(−g−D)−F型ブロック・グラフト共重合体を得る方法。なお、(−g−D)は、ブロック・グラフト共重合体のグラフト部位を表す。
(8)非極性溶媒中有機リチウム化合物を開始剤として用い、0.1〜10質量%の濃度の極性化合物の存在下、−30℃〜30℃の温度にて、5〜50質量%の濃度のモノマー(d)を重合させ、得られるリビングポリマーにモノマー(e)、モノマー(f)を逐次重合させてD−E−F型ブロック共重合体、及びモノマー(d)、モノマー(f)、モノマー(e)、モノマー(f)を逐次重合させてD−F−E−D型ブロック共重合体を得る方法。
(i)ニトロキシド化合物等のラジカル捕捉剤を用いるニトロキシド媒介重合(Nitroxide Mediated Polymerization:NMP)。
(ii)有機ハロゲン化物等を開始剤とし、遷移金属錯体を触媒とする原子移動ラジカル重合(Atom Transfer Radical Polymerization:ATRP)。
これらのうち、より簡便に重合反応を行うことができることから、(i)ニトロキシド化合物等のラジカル捕捉剤を用いるニトロキシド媒介重合が好適に使用できる。
ニトロキシド媒介重合は、例えば、Chemical Reviews,2001,Vol.101,No.12,3661で開示されているようなニトロキシド化合物を重合開始剤として用いて行うことができる。ニトロキシド化合物とは、ニトロキシ基を有する化合物又は重合反応条件下でニトロキシ基を生成する化合物を示す。ニトロキシ基としては、N−tert−ブチル−2−メチル−1−フェニルプロピルアミン−N−オキシ基、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル−1−オキシ(TEMPO)基、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル−1−オキシ基、2,2,5,5−テトラメチル−1−ピロリジニルオキシ基、3−アミノ−2,2,5,5−テトラメチル−1−ピロリジニルオキシ基、2,2,5,5−テトラメチル−1−ピロリジニルオキシ基、ジ−t−ブチルニトロキシ基等が挙げられる。
原子移動ラジカル重合は、有機ハロゲン化物又はハロゲン化スルホニル化合物をラジカル重合開始剤とし、遷移金属を中心金属とする金属錯体を触媒として、重合性化合物をラジカル重合する方法である。このような方法として、例えば、Chem.Rev.,101,2921(2001)、Chem.Rev.,101,3689(2001)に記載の方法が挙げられる。ラジカル重合開始剤としては、有機ハロゲン化物やハロゲン化スルホニル化合物が挙げられるが、これらのうち、炭素−炭素二重結合のα位にハロゲン基を有する化合物、炭素−酸素二重結合のα位にハロゲン基を有する化合物等が好適に使用できる。これらの化合物の炭素−ハロゲン結合は、ラジカル重合開始剤に含まれる構造として好適である。
(I)ホルムアルデヒドと酸等を用いた芳香族基のヒドロメチル化
(II)アルキル基をもつ芳香族基のアルキル基を酸化したのち、還元するヒドロメチル化
(III)電子吸引基で置換されたアセチレンを用いた芳香環形成反応(参考文献:Dalton Transactions,2011,40,3748等)
(IV)極性基で置換されたアセチレンを用いた芳香環形成反応(参考文献:Tetrahedron Letter,1994,35,9323等)
Lv−[Z]k−Q (11)
式(11)中、Lvは脱離基を表し、例えば、p−トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホ基、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、又はフッ素原子である。Z、k及びQは、好適な態様を含めて、前記式(4)で示される重合性化合物と同義である。
NMRの測定は、特に記載がない限りは、測定試料を重クロロホルムに溶解させて、NMR測定装置(日本電子社製、商品名:JNM−AL300)を用いて行った。
IRの測定は、特に記載がない限りは、粉末KBrと混合してペレット作製を行うか、又は、NaCl板にフィルム作製することにより、測定試料を作製し、IR測定装置(日本分光社製、商品名:FT/IR−400)を用いて行った。
アルゴン気流下、500mL三口フラスコにエチル(4−ブロモベンゾイル)アセテート(3.93g,14.5mmol)、1,2−ジメトキシエタン(DME,340mL)、ジエチルアセチレンジカルボキシレート(6.14g,36.1mmol)、及び4−(ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP,0.45g,3.7mmol)を加えて反応液を調製し、反応液を室温で3時間攪拌した。反応溶媒を減圧下で除去した後、得られた粗生成物を、酢酸エチル/ヘキサン(3:7,v/v)を展開溶媒として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をメタノールで再結晶することにより無色の重合性化合物前駆体1の結晶を得た(収量7.11g、収率83%)。
1H−NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):7.52(d,J=8.4Hz,2H),7.11(d,J=8.4Hz,2H),4.39−4.29(m,6H),4.00(q,J=7.2Hz,4H),1.38−1.31(m,9H),0.95(t,J=7.2Hz,6H).
13C−NMR(75MHz,CDCl3)δ(ppm):165.8,165.4,165.0,138.9,136.2,134.9,132.6,131.6,131.2,130.1,122.9,62.5,62.4,61.9,13.8,13.7,13.4.
IR(KBr,cm−1)2984(w),2936(w),1743(vs),1490(w),1470(w),1427(m),1391(w),1374(w),1341(m),1326(w),1298(w),1224(s),1206(s),1175(w),1165(w),1139(w),1100(w),1072(w),1018(m),885(w),856(w),827(w),695(w).
窒素気流下の300mL三口フラスコに前記化合物1(7.01g,11.8mmol)、乾燥トルエン(100mL)、トリブチルビニルスズ(4.85g,15.3mmol)、パラジウムテトラ(トリフェニルホスフィン)(0.20g,0.17mmol)、及び2,6−ジ−tert−ブチル−4−クレゾール(42mg,0.19mmol)を加えて反応溶液を調製し、反応溶液を48時間、加熱還流させた。原料の消失を1H−NMRスペクトルにより確認した後に、反応溶液を室温まで冷却し、5N KF水溶液を150mL加えて12時間攪拌した。反応溶液を酢酸エチルで抽出した後に塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。溶液をMgSO4で乾燥し溶媒を除去した後、酢酸エチル/ヘキサン(3:7v/v)を展開溶媒として用いたカラムクロマトグラフィーによる精製操作を二回行った。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより無色の化合物2の結晶を得た(収量2.50g,収率40%)。
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm):7.42(d,J=8.3Hz,2H),7.18(d,J=8.3Hz,2H),6.72(dd,J=17.6Hz,J’=10.9Hz,1H),5.80(d,J=17.6Hz,1H),5.23(d,J=10.9Hz,1H),4.39−4.30(m,6H),3.98(q,J=7.1Hz,4H),1.38−1.31(m,9H),0.91(t,J=7.1Hz,6H).
13C−NMR(75MHz,CDCl3):δ(ppm):167.0,165.5,165.1,139.9,137.7,136.3,135.9,135.6,132.1,131.5,128.6,125.7,114.7,62.4,62.2,61.7,13.7,13.6,13.3.
IR(KBr,cm−1):2984(w),2934(w),2908(w),1738(vs),1720(vs),1569(w),1512(w),1468(w),1443(w),1420(m),1402(w),1367(w),1325(w),1299(w),1252(vs),1218(vs),1170(w),1116(w),1096(w),1022(s),920(w),884(w),859(w),840(w),769(w),593(w).
窒素気流条件下の1L三つ口フラスコに前記化合物2(2.16g,4.00mmol)、及び脱水THF500mLを加えて得た反応溶液を、0℃まで冷却した。その後、LiAlH4(1.14g,30mmol)を投入することで、反応溶液が茶色になった。反応溶液を室温で24時間撹拌した後、H2O(1.5mL)、15質量%NaOH水溶液(1.5mL)、及びH2O(4.5mL)を順次加えることにより反応を停止した。その後、反応溶液をセライト濾過し、MeOHで洗浄した。得られた溶液から溶媒を除去することにより、淡黄色の粘性を有する重合性化合物3を得た。
窒素気流条件下の100mL三つ口フラスコに対して、実施例1で得られた重合性化合物3(反応生成物の全量)、脱水DMF(20mL)、及びNaH(1.44g,60mmol)を加えて調製した反応溶液を、室温で12時間撹拌した。その後、トリエチレングリコールモノメチルエーテルモノトシレート(9.6g,30mmol)を加え、さらに室温で24時間、撹拌した。反応溶液にH2Oを少量ずつ30mL加えた後にCHCl3で抽出し、水で3回洗浄した。MgSO4で乾燥した後に溶媒を除去し、カラムクロマトグラフィーを行うことによって淡黄色の液状の重合性化合物4を得た(収量0.42g,収率10%)。
窒素気流条件下の2L三つ口フラスコに、前記化合物2(4.32g,8.00mmol)、脱水1,4−ジオキサン(1L)、及びTHF(300mL)を加え、反応溶液を0℃まで冷却した。その後、LiAlH4(2.28g,30mmol)を投入し、反応温度を室温まで温めることで反応溶液が茶色になった。反応溶液を室温で36時間撹拌した後、H2O(3.0mL)、15質量%NaOH水溶液(3.0mL)、及びH2O(9.0mL)を順次加えることにより反応を停止した。6N HCl水溶液を加えることで反応溶液を中和してから、セライトろ過を行った。得られた溶液から溶媒を除去した後に、MeOHを20mL加えた。少量の塩をろ過した後に再度溶媒を除去することで、淡黄色の粘性を有する重合性化合物3を得た(収量2.62g,収率99%)。
得られた前記重合性化合物4(PTEG)を繰返し単位として有し、明確なミクロ相分離が形成されるブロック共重合体を得ることを目的として、親水性のPTEGと疎水性のスチレンを用いて、ブロック共重合体の合成を行った(スキーム8)。重合反応としては、分子量および組成の精密な制御が可能で、かつ分子量分布の狭いポリマーを得ることができるリビングアニオン重合法を選択した(Macromolecules 2009, 42, 8835参照)。
ポリマーの構造解析を1H−NMRスペクトル、GPC測定により行った。1H−NMRスペクトル(図3)においてビニル基の消失が見られたことから、重合反応が進行したことがわかった。ポリスチレン(PS)、前記重合性化合物4の重合体(PPTEG)各成分基づく芳香族のシグナルおよび、TEG鎖に基づくピークがそれぞれ見られたことから、ブロック共重合体が得られたことが判明した。また、1H−NMRスペクトルの各成分のプロトン積分強度比から、PSおよびPPTEG各成分のモル分率が0.95/0.05、重量分率が0.68/0.32であることが分かった。
GPC装置はRI検出器を備えたJASCO社製のHBPX 880Pu(商品名)を用いて、送液速度を1.0mL/分、カラムオーブンを40℃に設定して測定を行った。溶媒はTHFを用い、分析カラムはShodex社製のKF−803L及びKF−804L(商品名)を用いた。標準サンプルとしては、ポリスチレン(1300,3000,5000,11000,50000,90000,200000,490000,900000)を用いた。
実施例4で得られたジブロックポリマー(前記PS−b−PPTEG)をクロロホルムに溶解し、1重量%の溶液を得た。当該溶液を、シリコン基板上にスピンキャスト(回転数8000rpm、30秒)によって成膜して、イオン伝導膜を得た。膜厚は約50nmであった。AFM(原子力間顕微鏡)による表面観察を行ったところ、わずかながらミクロ相分離に基づく明暗のコントラストが観測された。イオン伝導膜のAFM写真を、図4(a)に示す。
次に、ポリマーの薄膜(イオン伝導膜)の内部に形成されるミクロ相分離構造を明らかにするために、ポリマーの薄膜を各種溶媒蒸気下に暴露させる溶媒アニーリング法を行うことにより、ミクロ相分離構造の制御を試みた。ポリマーの1質量%クロロホルム溶液を、8000rpm、30secの条件でスピンキャストすることによりポリマーの薄膜を作製した。得られた薄膜の膜厚は約50nmであった。得られた薄膜の溶媒アニーリングは、溶媒溜め、窒素の出入口を有する上部がガラス製の容器中にポリマー薄膜を静置することによって行った。ポリマーの膨潤度の制御は薄膜測定装置(Filmetrics社、F20)で薄膜の膜厚を測定しながら、窒素の流量を調節することにより行った。アニーリングに用いた溶媒はキシレン、トルエン、クロロホルムの3種類である。これら溶媒は、T.P.Russell、Ho−Cheol Kimらにより報告されている論文(Adv. Mater. 2004, 16, 226、Nano. Lett. 2005, 5, 2014)をもとに選択した。膨潤率は膨潤前の膜厚に対するアニーリング中の膜厚の比として定義し、未膨潤の状態を100%とした。
実施例5で得られたイオン伝導膜を、トルエン蒸気充満条件下、膨潤率150%になるまで放置した。得られた膜についてAFMによる表面観察を行ったところ、膜表面のミクロ相分離構造のコントラストが弱まったことが観察された。トルエンでの膨潤率150%のAFM写真を図4(c)に示す。
Claims (13)
- 環状有機基を有する繰返し単位を含むポリマーからなるイオン伝導体であって、
前記繰返し単位が、下記式(1)で示される1価のイオン伝導性基を更に有しており、
前記イオン伝導性基が、前記環状有機基の環を構成する原子のうち連続する3個以上の原子に1個ずつ結合しており、複数の前記イオン伝導性基は同一でも異なっていてもよい、イオン伝導体。
[式中、
kは0〜50の整数を示し、
R1は2価の炭化水素基を示し、
Zは非共有電子対を有する原子を含む2価の有機基を示し、
Qは下記式(Q−1)、(Q−2)、(Q−3)、(Q−4)、(Q−5)、(Q−6)、(Q−7)、(Q−8)、(Q−9)、(Q−10)、(Q−11)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)、(Q−15)、(Q−16)、(Q−17)、(Q−18)、(Q−19)、(Q−20)、(Q−21)、(Q−22)又は(Q−23)で示される極性基を示し、
複数のZは、互いに同一でも異なっていてもよい。]
[式中、
R10、R20、R21、R30、R40、R41、R50、R51、R52、R53、R60、R70、R71、R80、R110及びR120は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基又は金属原子を示す。
Xは非共有電子対を有する原子を示す。] - 前記Qが、前記式(Q−1)、(Q−2)、(Q−3)、(Q−4)、(Q−5)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)、(Q−15)、(Q−16)又は(Q−23)で示される基である、請求項1に記載のイオン伝導体。
- 前記Zが、下記式(Z−1)、(Z−2)、(Z−3)、(Z−4)、(Z−5)、(Z−6)、(Z−7)又は(Z−8)で示される基である、請求項1又は2に記載のイオン伝導体。
[式中、
*、**は結合位置を表し、*は前記R1側、**は前記Q側に結合していることを表す。] - 前記環状有機基が、置換基を有していてもよい芳香族基である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のイオン伝導体。
- 前記環状有機基を有する繰返し単位が、下記式(2)で示される基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のイオン伝導体。
[式中、
A環は前記環状有機基を示し、
k、R1、Z及びQは、式(1)中のk、R1、Z及びQと同じ意味を示し、n個のk、R1、Z及びQは、それぞれ、互いに同一でも異なっていてもよく、
nは3以上の整数を示し、
X1は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を示し、Y1は単結合又は2価の有機基を示し、W1は3価の炭化水素基を示す。] - 前記Y1が単結合又はアルキレン基である、請求項5に記載のイオン伝導体。
- 前記W1がアルカントリイル基である、請求項5又は6に記載のイオン伝導体。
- 前記環状有機基を有する繰返し単位を含むポリマーが、エチレン性不飽和結合を有するコモノマーを重合して形成する繰返し単位(前記式(1)で示される1価のイオン伝導性基とは異なる)を更に含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のイオン伝導体。
- 前記環状有機基を有する繰返し単位を含むポリマーがブロック共重合体である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のイオン伝導体。
- 下記式(4)で示され、R1がA環を構成する原子のうち連続する3個以上の原子に1個ずつ結合している、重合性化合物。
[式中、
U1は重合性基を示し、A環は環状有機基を示し、
kは0〜50の整数を示し、
R1は2価の炭化水素基を示し、
Zは非共有電子対を有する原子を含む2価の有機基を示し、
Qは下記式(Q−1)、(Q−2)、(Q−3)、(Q−4)、(Q−5)、(Q−6)、(Q−7)、(Q−8)、(Q−9)、(Q−10)、(Q−11)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)、(Q−15)、(Q−16)、(Q−17)、(Q−18)、(Q−19)、(Q−20)、(Q−21)、(Q−22)又は(Q−23)で示される極性基を示し、
n個のk、R1、Z及びQは、それぞれ、互いに同一でも異なっていてもよく、
nは3以上の整数を示し、
X1は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を示し、Y1は単結合又は2価の有機基を示す。]
[式中、
R10、R20、R21、R30、R40、R41、R50、R51、R52、R53、R60、R70、R71、R80、R110及びR120は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基又は金属原子を示す。
Xは非共有電子対を有する原子を示す。] - イオン伝導体の製造方法であって、
1種又は2種以上の重合性化合物をリビングアニオン重合により重合させて、下記式(2)で示される繰返し単位を含むポリマーからなるイオン伝導体を生成させる工程を備え、
該重合性化合物の少なくとも1種類が、請求項10に記載の重合性化合物である、
イオン伝導体の製造方法。
[式中、A環、k、R1、Z、Q、n、X1及びY1は、前記式(4)中のA環、k、R1、Z、Q、n、X1及びY1と同じ意味を示し、W1は3価の炭化水素基を示す。] - 請求項1〜9のいずれか一項に記載のイオン伝導体を含有する、イオン伝導膜。
- 請求項12に記載のイオン伝導膜を備える金属イオン電池。
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