JP2013172150A - 発光ダイオードパッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、反射カップが酸化変質せず且つ製造が容易である発光ダイオードパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、表面に複数の電極構造が設置される基板を提供するステップと、基板の表面に複数の環状溝が設けられるモールド層を設置し、各環状溝と基板の表面とが共に、カップ状のキャビティを形成するステップと、金属材料を各キャビティに充填するステップと、モールド層を除去して複数の反射カップを形成し、反射カップに対応していない部分は全て露出されるステップと、反射カップの表面及び電極構造の表面に光沢処理を行うステップと、反射カップ内の電極構造に発光ダイオードチップをそれぞれ固定するステップと、発光ダイオードチップを覆う封止体を形成するステップと、基板を切断して複数の発光ダイオードパッケージを形成するステップと、を備える。
【選択図】図8
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、表面に複数の電極構造が設置される基板を提供するステップと、基板の表面に複数の環状溝が設けられるモールド層を設置し、各環状溝と基板の表面とが共に、カップ状のキャビティを形成するステップと、金属材料を各キャビティに充填するステップと、モールド層を除去して複数の反射カップを形成し、反射カップに対応していない部分は全て露出されるステップと、反射カップの表面及び電極構造の表面に光沢処理を行うステップと、反射カップ内の電極構造に発光ダイオードチップをそれぞれ固定するステップと、発光ダイオードチップを覆う封止体を形成するステップと、基板を切断して複数の発光ダイオードパッケージを形成するステップと、を備える。
【選択図】図8
Description
本発明は、発光ダイオードパッケージの製造方法に関するものである。
発光ダイオード(Light Emitting Diode、LED)は、電流を特定の波長の光に変換できる半導体素子からできており、高輝度、低電圧、低消費電力、長寿命である等の利点を有することから、新しいタイプの光源として、現在広く利用されている。
従来の発光ダイオードパッケージは、一般的に、発光ダイオードチップから出射した光を反射するための反射カップを設置する必要がある。この反射カップは、一般的に、プラスチック或いはセラミックからなる。しかし、プラスチック材料は、高温下で酸化し易いため、黄色に変色した後劣化する。また、セラミック材料は、反射性を有していないため、セラミック材料からなる反射カップに電気めっき或いは噴霧によって、反射材料を塗布する必要がある。従って、プロセスが複雑である。
前記課題を解決するために、本発明は、反射カップが酸化変質せず且つ製造が容易である発光ダイオードパッケージの製造方法を提供する。
本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、基板を提供し、前記基板の表面には、互いに離隔する複数の電極構造が設置され、前記各電極構造は、互いに離隔して設置された第一電極及び第二電極を備えるステップと、前記基板の前記電極構造が設置された表面にモールド層を設置し、前記モールド層には、前記モールド層の上表面から下表面を貫通する複数の環状溝が設けられ、前記各環状溝と前記基板の表面とが共に、カップ状のキャビティを形成するステップと、金属材料を提供して、前記金属材料を前記各キャビティに充填するステップと、前記モールド層を除去して、前記金属材料を固化した後、複数の反射カップを形成し、前記各反射カップは、対応する前記電極構造にそれぞれ位置し、前記各電極構造の中央部には凹部が形成され、この時、前記電極構造における前記反射カップに対応していない部分が全て露出されるステップと、前記反射カップの表面及び前記反射カップの前記凹部から露出された前記電極構造の表面に光沢処理を行うステップと、前記各反射カップの前記凹部内の前記電極構造に発光ダイオードチップをそれぞれ設置するステップと、前記各反射カップの前記凹部内に前記発光ダイオードチップを覆う封止体を形成するステップと、前記基板を切断して、複数の発光ダイオードパッケージを形成するステップと、を備える。
従来の技術と比べて、本発明の発光ダイオードパッケージの製造方法は、基板にモールド層を設置した後、モールド層に環状溝を設け、この環状溝と基板の表面とは共に、カップ状のキャビティを形成する。次に、金属材料をキャビティに充填した後、モールド層を除去して金属材料を固化して反射カップを形成する。最後に、反射カップの表面に光沢処理を行う。従って、本発明の発光ダイオードパッケージの製造方法は容易であり、また、金属材料が固化して形成された反射カップは、高温下で酸化されず且つ優れた光反射能力を持つ。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図14を参照すると、本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージ100は、電極構造11を有する基板10と、電極構造11上に設置され且つ電極構造11に接続される発光ダイオードチップ40と、発光ダイオードチップ40を囲んで設置された反射カップ30と、発光ダイオードチップ40を封止する封止体50と、を備える。
本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージ100の製造方法は、下記のステップ1〜ステップ10を備える。
図1を参照すると、ステップ1において、基板10を提供する。基板10の上表面には、電極構造11が設置され、電極構造11は、互いに離隔して設置された第一電極111及び第二電極112を備える。基板10は、シリコン或いはセラミックからなり、電極構造11は、導電性材料からなる。
図2から図4を参照すると、ステップ2において、基板10の上表面にモールド層20を設置する。モールド層20には、互いに離隔し且つモールド層20の上表面から下表面を貫通する複数の環状溝22が設けられている。モールド層20の環状溝22と基板10の上表面とは共に、カップ状のキャビティ21を形成する。
図5を参照すると、ステップ3において、支持板200及び金属材料300を提供する。支持板200は、フィルム状の板体であり、その上面には、支持板200を貫通し且つキャビティ21と対応する複数の貫通孔201が形成されている。本実施形態において、金属材料300は、銀粉末及びガラス材料とコロイドとの混合物である。また、金属材料300には、他の金属粉を混入しても良い。
図6及び図7を参照すると、ステップ4において、支持板200の貫通孔201をキャビティ21にそれぞれ対応させるように、支持板200をモールド層20の上表面に設置する。次に、金属材料300を支持板200の上表面に設置した後、スクレーパ400を介して、支持板200の上表面の金属材料300を削ぎ取ることにより、金属材料300は貫通孔201を介してキャビティ21に充填される。
図8を参照すると、ステップ5において、支持板200及びモールド層20を除去する。
図9を参照すると、ステップ6において、金属材料300が固化すると、複数の反射カップ30が形成される。各反射カップ30は、対応する電極構造11にそれぞれ位置し、各電極構造11の中央部には凹部31が形成される。この時、電極構造11における反射カップ30に対応していない部分は全て露出している。金属材料300は、焼結によって固化されて反射カップ30を形成する。
ステップ7において、反射カップ30の表面及び反射カップ30の凹部31から露出している電極構造11の表面に光沢処理を行う。光沢処理は、図10に示すように、研磨工具500を利用して、反射カップ30の表面及び反射カップ30の凹部31から露出している電極構造11の表面を研磨する。或いは、図11に示すように、エッチング液によって、反射カップ30の表面及び反射カップ30の凹部31から露出している電極構造11の表面をエッチングする。このエッチングの工程では、基板10を反転させて、反射カップ30及び電極構造11をエッチング液600の中に浸漬する。
図12を参照すると、ステップ8において、各反射カップ30の凹部31内の電極構造11に少なくとも1つの発光ダイオードチップ40を設置し、発光ダイオード40を第一電極111及び第二電極112にそれぞれ接続する。本実施形態において、発光ダイオードチップ40は、フリップチップの方式によって、第一電極111及び第二電極112にそれぞれ接続する。また、光ダイオードチップ40は、リード線を介して電極構造に接続することもできる。
図13を参照すると、ステップ9において、発光ダイオードチップ40を覆う封止体50を形成する。本実施形態において、封止体50は、ペーストディスペンサーによって反射カップ30の凹部31に注入され、封止体50が反射カップ30の凹部31に完全に充填された後、封止体50の上表面と反射コップ30の上表面とが同じ平面上に位置するまで金型(図示せず)によって押圧する。また、発光ダイオードチップ40からの光に所望の色変化を行いたい場合は、封止体50の表面に蛍光物質を塗布する或いは封止体の中に蛍光物質を混入しても良い。
図14を参照すると、ステップ10において、基板10を切断し、複数の発光ダイオードパッケージ100を形成する。
他の実施形態において、支持板200を省略することもできる。この際、金属材料300は、モールド層20のキャビティ21に直接に充填される。
本発明の発光ダイオードパッケージの製造方法は、基板10にモールド層20を設置した後、モールド層20に環状溝22を設け、この環状溝22と基板10の表面とは共に、カップ状のキャビティ21を形成する。次に、金属材料30をキャビティ21に充填した後、モールド層20を除去して金属材料300を固化して反射カップ30を形成する。最後に、反射カップ30の表面に光沢処理を行う。従って、本発明の発光ダイオードパッケージの製造方法は容易であり、また、金属材料300が固化して形成された反射カップ30は、高温下で酸化されず且つ優れた光反射能力を持つ。
100 発光ダイオードパッケージ
10 基板
11 電極構造
111 第一電極
112 第二電極
20 モールド層
21 キャビティ
22 環状溝
30 反射カップ
31 凹部
40 発光ダイオードチップ
50 封止体
200 支持板
201 貫通孔
300 金属材料
400 スクレーパ
500 研磨工具
600 エッチング液
10 基板
11 電極構造
111 第一電極
112 第二電極
20 モールド層
21 キャビティ
22 環状溝
30 反射カップ
31 凹部
40 発光ダイオードチップ
50 封止体
200 支持板
201 貫通孔
300 金属材料
400 スクレーパ
500 研磨工具
600 エッチング液
Claims (4)
- 基板を提供し、前記基板の表面には、互いに離隔する複数の電極構造が設置され、前記各電極構造が、互いに離隔して設置された第一電極及び第二電極を備えるステップと、
前記基板の前記電極構造が設置された表面にモールド層を設置し、前記モールド層には、前記モールド層の上表面から下表面を貫通する複数の環状溝が設けられ、前記各環状溝と前記基板の表面とが共に、カップ状のキャビティを形成するステップと、
金属材料を提供して、前記金属材料を前記各キャビティに充填するステップと、
前記モールド層を除去して、前記金属材料を固化した後、複数の反射カップを形成し、前記各反射カップは、対応する前記電極構造にそれぞれ位置し、前記各電極構造の中央部には凹部が形成され、この時、前記電極構造における前記反射カップに対応していない部分が全て露出されるステップと、
前記反射カップの表面及び前記反射カップの前記凹部から露出された前記電極構造の表面に光沢処理を行うステップと、
前記各反射カップの前記凹部内の前記電極構造に発光ダイオードチップをそれぞれ設置するステップと、
前記各反射カップの前記凹部内に前記発光ダイオードチップを覆う封止体を形成するステップと、
前記基板を切断して、複数の発光ダイオードパッケージを形成するステップと、
を備えることを特徴とする、発光ダイオードパッケージの製造方法。 - 金属材料を提供して、前記金属材料を前記各キャビティに充填する前記ステップが、支持板を提供し、前記支持板に、前記支持板を貫通し且つ前記キャビティと対応する複数の貫通孔が形成されるステップと、前記支持板の前記貫通孔を前記キャビティにそれぞれ対応させるように前記支持板を前記モールド層に設置するステップと、前記金属材料を前記支持板に設置するステップと、スクレーパを介して前記支持板に設置される前記金属材料を削ぎ取ることにより、前記金属材料を前記支持板の前記貫通孔を介して前記キャビティに充填させるステップと、を備えることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
- 前記反射カップの表面及び前記反射カップの前記凹部から露出された前記電極構造の表面が、研磨工具の研磨によって光沢処理が行われることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
- 前記反射カップの表面及び前記反射カップの前記凹部から露出された前記電極構造の表面が、エッチングの方式によって光沢処理が行われることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100359087A CN103258920A (zh) | 2012-02-17 | 2012-02-17 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
| CN201210035908.7 | 2012-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013172150A true JP2013172150A (ja) | 2013-09-02 |
Family
ID=48962732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013014106A Pending JP2013172150A (ja) | 2012-02-17 | 2013-01-29 | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8883533B2 (ja) |
| JP (1) | JP2013172150A (ja) |
| CN (1) | CN103258920A (ja) |
| TW (1) | TWI455371B (ja) |
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- 2012-02-20 TW TW101105532A patent/TWI455371B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-10 US US13/571,361 patent/US8883533B2/en not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140116 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140722 |