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JP2013038231A - Wiring board and manufacturing method of the same - Google Patents

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JP2013038231A
JP2013038231A JP2011173170A JP2011173170A JP2013038231A JP 2013038231 A JP2013038231 A JP 2013038231A JP 2011173170 A JP2011173170 A JP 2011173170A JP 2011173170 A JP2011173170 A JP 2011173170A JP 2013038231 A JP2013038231 A JP 2013038231A
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JP
Japan
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insulating substrate
wiring
hole
metal
plating
Prior art date
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Application number
JP2011173170A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirokazu Nanjo
宏和 南條
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Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】本発明の配線基板は、電気的信頼性を向上すること、および、層間接続部自体の体積抵抗値を低くすることを目的とする。また、本発明の配線基板の製造方法は、貫通孔の内部への導電性ペーストの充填を容易とすること、および、低コスト化を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明の配線基板1は、第一絶縁基板11と、第一絶縁基板11の一方の面11aに設けられた配線回路12と、第一絶縁基板11に内在され、配線回路12に接して第一絶縁基板11の他方の面11bに露呈する層間接続部14と、を備え、層間接続部14は、第一絶縁基板11の他方の面11b側に露呈する第一金属部15と、第一金属部15と配線回路12とを電気的に接続する第二金属部16と、から構成され、第一金属部15は導電性ペースト、第二金属部16はメッキであることを特徴とする。
【選択図】図1
An object of the present invention is to improve electrical reliability and to reduce the volume resistance value of an interlayer connection itself. Another object of the method for manufacturing a wiring board of the present invention is to facilitate filling of a through-hole with a conductive paste and to reduce costs.
A wiring board 1 of the present invention includes a first insulating substrate 11, a wiring circuit 12 provided on one surface 11a of the first insulating substrate 11, a first insulating substrate 11, and a wiring circuit 12. An interlayer connection portion 14 exposed to the other surface 11b of the first insulating substrate 11, and the interlayer connection portion 14 is exposed to the other surface 11b side of the first insulating substrate 11. And a second metal part 16 that electrically connects the first metal part 15 and the wiring circuit 12, wherein the first metal part 15 is a conductive paste and the second metal part 16 is a plating. Features.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、配線基板およびその製造方法に関し、より詳細には、導電性ペーストを層間接続に用いた配線基板およびその製造方法に関する。  The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a wiring board using a conductive paste for interlayer connection and a manufacturing method thereof.

各種電気回路において、プリント回路基板が用いられている。プリント回路基板では、各層間を電気的に接続するために導電性ペーストが用いられている。このように導電性ペーストを層間接続に用いたプリント回路基板としては、例えば、特許文献1または2に開示されているようなものが挙げられる。  Printed circuit boards are used in various electric circuits. In the printed circuit board, a conductive paste is used to electrically connect the respective layers. Examples of the printed circuit board using the conductive paste for interlayer connection as described above include those disclosed in Patent Document 1 or 2.

従来、導電性ペーストを層間接続に用いたプリント回路基板では、導電性ペーストを充填するために基板に形成された貫通孔が小径化するにつれて、そのアスペクト比(貫通孔の孔径/貫通孔の長さ)が大きくなり、貫通孔への導電性ペーストの充填が困難となり、電気的信頼性を確保することが難しいという問題があった。  Conventionally, in a printed circuit board using a conductive paste for interlayer connection, the aspect ratio (the diameter of the through hole / the length of the through hole) is reduced as the diameter of the through hole formed in the board for filling the conductive paste is reduced. And the like, it becomes difficult to fill the through holes with the conductive paste, and it is difficult to ensure electrical reliability.

特許第3345961号公報Japanese Patent No. 3345961 特許第3514647号公報Japanese Patent No. 3514647

本発明の配線基板は、電気的信頼性を向上すること、および、層間接続部自体の体積抵抗値を低くすることを目的とする。また、本発明の配線基板の製造方法は、貫通孔の内部への導電性ペーストの充填を容易とすること、および、低コスト化を図ることを目的とする。  The wiring board of the present invention aims to improve electrical reliability and to lower the volume resistance value of the interlayer connection itself. Another object of the method for manufacturing a wiring board of the present invention is to facilitate filling of a through-hole with a conductive paste and to reduce costs.

本発明の請求項1に係る配線基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に設けられた配線回路と、前記絶縁基板に内在され、前記配線回路に接して前記絶縁基板の他方の面に露呈する層間接続部と、を備えた配線基板であって、前記層間接続部は、前記絶縁基板の他方の面に露呈する第一金属部と、前記第一金属部と前記配線回路とを電気的に接続する第二金属部と、から構成され、前記第一金属部は導電性ペースト、前記第二金属部はメッキであることを特徴とする。  According to a first aspect of the present invention, there is provided a wiring board comprising: an insulating substrate; a wiring circuit provided on one surface of the insulating substrate; and the other of the insulating substrates in contact with the wiring circuit. An interlayer connection part exposed on a surface, wherein the interlayer connection part includes a first metal part exposed on the other surface of the insulating substrate, the first metal part, and the wiring circuit. The second metal part is electrically conductive paste, and the second metal part is plating.

層間接続部は、第一金属部と、第二金属部と、から構成され、第一金属部は導電性ペースト、第二金属部はメッキであるので、貫通孔への導電性ペーストの充填が容易となり、層間接続部の電気的信頼性が向上する。  The interlayer connection part is composed of a first metal part and a second metal part. The first metal part is a conductive paste and the second metal part is a plating. This facilitates the electrical reliability of the interlayer connection.

本発明の請求項2に係る配線基板は、請求項1において、前記第二金属部における前記第一金属部側の内側面部は、前記第一金属部側に延在し、かつ、弧状をなしていることが好ましい。  A wiring board according to a second aspect of the present invention is the wiring board according to the first aspect, wherein an inner side surface portion of the second metal portion on the first metal portion side extends to the first metal portion side and has an arc shape. It is preferable.

第一金属部と第二金属部の接触面積が大きくなるため、第一金属部と第二金属部の接続信頼性が向上する。  Since the contact area between the first metal part and the second metal part is increased, the connection reliability between the first metal part and the second metal part is improved.

本発明の請求項3に係る配線基板の製造方法は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に設けられた配線回路と、前記絶縁基板に内在され、前記配線回路に接して前記絶縁基板の他方の面に露呈する層間接続部と、を備えた配線基板の製造方法であって、前記絶縁基板の一方の面に導電層を備えた基材を用い、前記絶縁基板に、前記絶縁基板の他方の面から前記導電層が露呈する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔が形成された絶縁基板の貫通孔内部に、前記貫通孔の途中までメッキ法により第二金属を充填する工程と、前記貫通孔にメッキ法により第二金属を充填した後、前記貫通孔の残りの内部空間に、第一金属からなる導電性ペーストを充填する工程と、を有することを特徴とする。  According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a wiring board, comprising: an insulating substrate; a wiring circuit provided on one surface of the insulating substrate; and the insulating substrate that is included in the insulating substrate and is in contact with the wiring circuit. A wiring board provided with an interlayer connection portion exposed on the other surface of the insulating substrate, wherein a base material provided with a conductive layer on one surface of the insulating substrate is used, and the insulating substrate is used as the insulating substrate. A step of forming a through hole exposing the conductive layer from the other surface of the substrate, and a step of filling the inside of the through hole of the insulating substrate in which the through hole is formed with the second metal by plating to the middle of the through hole And filling the through hole with a second metal by a plating method and then filling the remaining internal space of the through hole with a conductive paste made of the first metal.

第一金属部と、第二金属部と、から構成され、電気的信頼性に優れる層間接続部を容易に形成することができる。  It is possible to easily form an interlayer connection portion composed of the first metal portion and the second metal portion and having excellent electrical reliability.

本発明の請求項4に係る配線基板の製造方法は、請求項3において、前記貫通孔に対するメッキをする工程は、ビアフィルメッキ法であることが好ましい。  According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a wiring board according to the third aspect, wherein the step of plating the through hole is a via fill plating method.

第二金属部における第一金属部側の内側面部を、第一金属部側に延在し、かつ、弧状に容易に形成することができる。  The inner side surface portion on the first metal portion side in the second metal portion extends to the first metal portion side and can be easily formed in an arc shape.

本発明の請求項5に係る配線基板の製造方法は、請求項3または4において、前記貫通孔に対するメッキをする工程は、貫通孔内に第二金属部を形成するとともに、前記絶縁基板の他方の面に、さらに別の導電部を形成することが好ましい。  According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a wiring board according to the third or fourth aspect, wherein the step of plating the through hole includes forming a second metal portion in the through hole and It is preferable to form another conductive portion on the surface.

第二金属部の形成とともに、絶縁基板の他方の面に配線回路などの導電部を形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。  Along with the formation of the second metal portion, a conductive portion such as a wiring circuit can be formed on the other surface of the insulating substrate, so that the manufacturing process can be simplified.

本発明の配線基板によれば、層間接続部を、貫通孔内へのメッキ処理で形成された第二金属部と、貫通孔内への導電性ペーストの充填により形成された第一金属部とから形成するので、貫通孔に対して導電性ペーストが十分に充填され、電気的信頼性が向上する。また、メッキ処理により第二金属部を形成し、導電性ペーストにより第一金属部を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、層間接続部自体の体積抵抗値を低くすることができる。  According to the wiring board of the present invention, the interlayer connection portion includes the second metal portion formed by plating the through hole, and the first metal portion formed by filling the through hole with the conductive paste. Therefore, the conductive paste is sufficiently filled in the through hole, and the electrical reliability is improved. Also, since the second metal part is formed by plating and the first metal part is formed by the conductive paste, the amount of the conductive paste used can be reduced, so that the volume resistance value of the interlayer connection itself can be lowered. it can.

本発明の配線基板の製造方法によれば、貫通孔が形成された基材の貫通孔内部に、貫通孔の中間までメッキにて導電体を充填した後、貫通孔内部に、導電体に連続する導電性ペーストを充填して層間接続部を形成することにより、導電性ペーストを充填する貫通孔のアスペクト比を小さくでき、貫通孔の内部への導電性ペーストの充填が容易となり、導電性ペーストの充填不足を引き起こすことなく第一金属部を形成し、電気的信頼性に優れる層間接続部を容易に形成することができる。また、メッキ処理により第二金属部を形成し、導電性ペーストにより第一金属部を形成するので、低コスト化を図ることができる。  According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the inside of the through hole of the base material in which the through hole is formed is filled with a conductor by plating up to the middle of the through hole, and then the inside of the through hole is continuous with the conductor. By forming the interlayer connection by filling the conductive paste, the aspect ratio of the through hole filling the conductive paste can be reduced, and the conductive paste can be easily filled into the through hole. Thus, the first metal portion can be formed without causing insufficient filling, and an interlayer connection portion having excellent electrical reliability can be easily formed. Further, since the second metal part is formed by plating and the first metal part is formed by the conductive paste, the cost can be reduced.

本発明の第一実施形態に係る配線基板を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the wiring board which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態に係る製造方法において、第一配線基材の製造工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the manufacturing process of a 1st wiring base material in the manufacturing method which concerns on 1st embodiment of this invention. 図2の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 2. 図3の次工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the next process of FIG. 図4の次工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the next process of FIG. 図5の次工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the next process of FIG. 図6の次工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the next process of FIG. 図7の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 7. 本発明の第二実施形態に係る配線基板を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the wiring board which concerns on 2nd embodiment of this invention. 本発明の第二実施形態に係る製造方法において、第一配線基材の製造工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the manufacturing process of a 1st wiring base material in the manufacturing method which concerns on 2nd embodiment of this invention. 図10の次工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the next process of FIG. 図11の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 12 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 11. 図12の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 13 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 12. 図13の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 14 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 13. 図14の次工程を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the next process of FIG. 図15の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 16 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 15. 図16の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 17 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 16. 図17の次工程を示す概略側断面図である。FIG. 18 is a schematic sectional side view showing a next step of FIG. 17.

以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。  Hereinafter, based on a preferred embodiment, the present invention will be described with reference to the drawings.

<第一実施形態>
(配線基板)
図1は、本実施形態の配線基板1を示す概略側面断面図である。なお、図面は模式的なものであり、各層の厚みやその比率などは現実のものとは異なっている。
図1に示すように、本実施形態の配線基板1は、絶縁基板が複数枚(本実施形態では3枚)積層されて形成されている。
具体的には、配線基板1は、第一絶縁基板11およびその一方の面(図1における上側)11aに配線回路12を有する第一配線基材10と、第二絶縁基板21およびその一方の面(図1における上側)21aに配線回路22を有する第二配線基材20と、第三絶縁基板31および一方の面(図1における上側)31aに配線回路32を有する第三絶配線基板30とが、第一接着層41、第二接着層51を介して積層されて形成されている。
<First embodiment>
(Wiring board)
FIG. 1 is a schematic side sectional view showing a wiring board 1 of the present embodiment. The drawings are schematic, and the thicknesses and ratios of the layers are different from actual ones.
As shown in FIG. 1, the wiring board 1 of the present embodiment is formed by laminating a plurality of insulating substrates (three in this embodiment).
Specifically, the wiring substrate 1 includes a first wiring substrate 10 having a wiring circuit 12 on a first insulating substrate 11 and one surface (upper side in FIG. 1) 11a, a second insulating substrate 21 and one of the first insulating substrate 21 and the other. The second wiring substrate 20 having the wiring circuit 22 on the surface (upper side in FIG. 1) 21 and the third insulated wiring board 30 having the third insulating substrate 31 and the wiring circuit 32 on one side (upper side in FIG. 1) 31a. Are laminated via the first adhesive layer 41 and the second adhesive layer 51.

第一配線基材10は、可撓性を有するポリイミド等の絶縁性樹脂により形成された第一絶縁基板11を備えている。また、第一絶縁基板11の一方の面(図1における上側)11a上には、配線回路12が形成されている。配線回路12は、銅等の導電性の高い金属により形成されている。また、配線回路12の一方の面(第一絶縁基板11と接する面とは反対側の面)12a上には、銅メッキ等からなるメッキ層13が形成されている。
第一絶縁基板11の他方の面(図1における下側)11b上には、加熱反応型の接着剤からなる第一接着層41が設けられている。
The first wiring substrate 10 includes a first insulating substrate 11 formed of a flexible insulating resin such as polyimide. A wiring circuit 12 is formed on one surface (upper side in FIG. 1) 11a of the first insulating substrate 11. The wiring circuit 12 is made of a highly conductive metal such as copper. A plating layer 13 made of copper plating or the like is formed on one surface (a surface opposite to the surface in contact with the first insulating substrate 11) 12a of the wiring circuit 12.
On the other surface (lower side in FIG. 1) 11b of the first insulating substrate 11, a first adhesive layer 41 made of a heat-reactive adhesive is provided.

第一絶縁基板11および第一接着層41には、第一絶縁基板11および第一接着層41に内在され、第一絶縁基板11および第一接着層41を厚さ方向に貫通し、配線回路12に接して第一接着層41の一方の面(第一絶縁基板11と接する面、図1における上側)41aとは反対側の面(他方の面、図1における下側)41bに露呈する層間接続部14が形成されている。
層間接続部14は、第一接着層41の他方の面41bに露呈する第一金属部15と、第一金属部15と連続し、第一金属部15と配線回路12とを電気的に接続する第二金属部16とで形成されている。第一金属部15は、第一接着層41に形成された貫通孔17内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部16は、第一絶縁基板11に形成された貫通孔18内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部16における第一金属部15側の内側面部16aは、第一金属部15側に延在し、かつ、弓なりの曲線のような形、すなわち、弧状をなしている。
The first insulating substrate 11 and the first adhesive layer 41 are embedded in the first insulating substrate 11 and the first adhesive layer 41, penetrate the first insulating substrate 11 and the first adhesive layer 41 in the thickness direction, and the wiring circuit 12 is exposed to one surface (the surface in contact with the first insulating substrate 11, the upper side in FIG. 1) 41 a on the opposite side (the other surface, the lower side in FIG. 1) 41 b of the first adhesive layer 41. Interlayer connection 14 is formed.
The interlayer connection portion 14 is continuous with the first metal portion 15 exposed to the other surface 41 b of the first adhesive layer 41 and the first metal portion 15, and electrically connects the first metal portion 15 and the wiring circuit 12. The second metal part 16 is formed. The first metal portion 15 is formed by filling the through hole 17 formed in the first adhesive layer 41 with a conductive paste made of a material used for solder or the like. The second metal portion 16 is formed by plating a metal such as copper in the through hole 18 formed in the first insulating substrate 11. Further, the inner side surface portion 16a on the first metal portion 15 side in the second metal portion 16 extends toward the first metal portion 15 side and has a shape like a bowed curve, that is, an arc shape.

第二配線基材20は、可撓性を有するポリイミド等の絶縁性樹脂により形成された第二絶縁基板21を備えている。また、第二絶縁基板21の一方の面(図1における上側)21a上には、配線回路22が形成されている。配線回路22は、銅等の導電性の高い金属により形成されている。また、配線回路22の一方の面(第二絶縁基板21と接する面とは反対側の面)22a上には、銅メッキ等からなるメッキ層23が形成されている。
第二絶縁基板21の他方の面(図1における下側)21b上には、加熱反応型の接着剤からなる第二接着層51が設けられている。
The second wiring substrate 20 includes a second insulating substrate 21 formed of an insulating resin such as polyimide having flexibility. A wiring circuit 22 is formed on one surface (the upper side in FIG. 1) 21 a of the second insulating substrate 21. The wiring circuit 22 is made of a highly conductive metal such as copper. A plated layer 23 made of copper plating or the like is formed on one surface (surface opposite to the surface in contact with the second insulating substrate 21) 22a of the wiring circuit 22.
On the other surface (lower side in FIG. 1) 21b of the second insulating substrate 21, a second adhesive layer 51 made of a heat-reactive adhesive is provided.

第二絶縁基板21および第二接着層51には、第二絶縁基板21および第二接着層51に内在され、第二絶縁基板21および第二接着層51を厚さ方向に貫通し、配線回路22に接して第二接着層51の一方の面(第二絶縁基板21と接する面、図1における上側)51aとは反対側の面(他方の面、図1における下側)51bに露呈する層間接続部24が形成されている。
層間接続部24は、第二接着層51の他方の面51bに露呈する第一金属部25と、第一金属部25と連続し、第一金属部25と配線回路22とを電気的に接続する第二金属部26とで形成されている。第一金属部25は、第二接着層51に形成された貫通孔27内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部26は、第二絶縁基板21に形成された貫通孔28内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部26における第一金属部25側の内側面部26aは、第一金属部25側に延在し、かつ、弧状をなしている。
The second insulating substrate 21 and the second adhesive layer 51 are embedded in the second insulating substrate 21 and the second adhesive layer 51, penetrate the second insulating substrate 21 and the second adhesive layer 51 in the thickness direction, and the wiring circuit 22 is exposed to a surface (the other surface, the lower side in FIG. 1) 51b opposite to one surface (the surface in contact with the second insulating substrate 21, the upper side in FIG. 1) 51a of the second adhesive layer 51. An interlayer connection 24 is formed.
The interlayer connection part 24 is continuous with the first metal part 25 exposed to the other surface 51 b of the second adhesive layer 51 and the first metal part 25, and electrically connects the first metal part 25 and the wiring circuit 22. The second metal part 26 is formed. The first metal portion 25 is formed by filling the through hole 27 formed in the second adhesive layer 51 with a conductive paste made of a material used for solder or the like. The second metal portion 26 is formed by plating a metal such as copper in the through hole 28 formed in the second insulating substrate 21. Further, the inner side surface portion 26a on the first metal portion 25 side in the second metal portion 26 extends to the first metal portion 25 side and has an arc shape.

第三配線基材30は、可撓性を有するポリイミド等の絶縁性樹脂により形成された第三絶縁基板31を備えている。また、第三絶縁基板31の一方の面(図1における上側)31a上には、配線回路32が形成されている。配線回路32は、銅等の導電性の高い金属により形成されている。  The third wiring substrate 30 includes a third insulating substrate 31 formed of an insulating resin such as polyimide having flexibility. A wiring circuit 32 is formed on one surface (upper side in FIG. 1) 31a of the third insulating substrate 31. The wiring circuit 32 is made of a highly conductive metal such as copper.

層間接続部14により、第一絶縁基板11の一方の面11a上の配線回路12と、第二絶縁基板21の一方の面21a上の配線回路22とが電気的に接続されている。また、層間接続部24により、第二絶縁基板21の一方の面21a上の配線回路22と、第三絶縁基板31の一方の面31a上の配線回路32とが電気的に接続されている。  The wiring circuit 12 on the one surface 11 a of the first insulating substrate 11 and the wiring circuit 22 on the one surface 21 a of the second insulating substrate 21 are electrically connected by the interlayer connection portion 14. Further, the wiring circuit 22 on the one surface 21 a of the second insulating substrate 21 and the wiring circuit 32 on the one surface 31 a of the third insulating substrate 31 are electrically connected by the interlayer connection portion 24.

層間接続部14は、メッキ処理で形成された第二金属部16と、第二金属部16と連続し、導電性ペーストの充填により形成された第一金属部15とから構成されるので、貫通孔17に対して導電性ペーストが十分に充填され、層間接続部14の電気的信頼性が向上する。また、層間接続部24は、メッキ処理で形成された第二金属部26と、第二金属部26と連続し、導電性ペーストの充填により形成された第一金属部25とから構成されるので、貫通孔27に対して導電性ペーストが十分に充填され、層間接続部24の電気的信頼性が向上する。
また、第二金属部16における第一金属部15側の内側面部16aが、第一金属部15側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部15と第二金属部16の接触面積が大きくなり、第一金属部15と第二金属部16の接続信頼性が向上する。また、第二金属部26における第一金属部25側の内側面部26aが、第一金属部25側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部25と第二金属部26の接触面積が大きくなり、第一金属部25と第二金属部26の接続信頼性が向上する。
また、メッキ処理により第二金属部16を形成し、導電性ペーストにより第一金属部15を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、層間接続部14自体の体積抵抗値を低くすることができる。したがって、配線基板1は、高速伝送時の伝送特性の劣化が少なく、高速伝送に好適に用いられる。
Since the interlayer connection portion 14 includes a second metal portion 16 formed by plating and a first metal portion 15 that is continuous with the second metal portion 16 and formed by filling with a conductive paste, The hole 17 is sufficiently filled with the conductive paste, and the electrical reliability of the interlayer connection portion 14 is improved. In addition, the interlayer connection portion 24 includes a second metal portion 26 formed by plating and a first metal portion 25 that is continuous with the second metal portion 26 and formed by filling with a conductive paste. The through-hole 27 is sufficiently filled with the conductive paste, and the electrical reliability of the interlayer connection 24 is improved.
Moreover, since the inner side surface part 16a by the side of the 1st metal part 15 in the 2nd metal part 16 is extended in the 1st metal part 15 side, and has comprised arc shape, the 1st metal part 15 and the 2nd metal part The contact area of 16 becomes large, and the connection reliability of the 1st metal part 15 and the 2nd metal part 16 improves. Moreover, since the inner side surface part 26a by the side of the 1st metal part 25 in the 2nd metal part 26 is extended in the 1st metal part 25 side, and has comprised arc shape, the 1st metal part 25 and the 2nd metal part The contact area of 26 becomes large, and the connection reliability of the 1st metal part 25 and the 2nd metal part 26 improves.
Further, since the second metal portion 16 is formed by plating and the first metal portion 15 is formed by the conductive paste, the amount of the conductive paste used can be reduced, so that the volume resistance value of the interlayer connection portion 14 itself is reduced. can do. Therefore, the wiring board 1 is suitably used for high-speed transmission with little deterioration in transmission characteristics during high-speed transmission.

(配線基板の製造方法)
次に、配線基板1の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
なお、配線基板1の製造方法は特に限定されないが、配線基板1は、一例として以下に示す各工程を経て製造される。
(Method for manufacturing a wiring board)
Next, a method for manufacturing the wiring board 1 will be described with reference to the drawings.
In addition, although the manufacturing method of the wiring board 1 is not specifically limited, The wiring board 1 is manufactured through each process shown below as an example.

(第一配線基材の製造工程)
第一配線基材10の製造工程では、まず、図2に示すように、ポリイミド等からなる第一絶縁基板11の一方の面11aに銅箔12Aが積層された片面銅張積層板を出発材料とする。
次いで、片面銅張積層板の一方側の銅箔12Aをパターニングして、図3に示すように、第一絶縁基板11の一方の面11a上に配線回路12を形成する。片面銅張積層板の一方側の銅箔12Aのパターニングは、例えば、フォトリソグラフィ技術により銅箔12Aの表面にマスクパターンを形成した後、銅箔12Aをエッチングすることで行われる。
(First wiring substrate manufacturing process)
In the manufacturing process of the first wiring substrate 10, first, as shown in FIG. 2, a single-sided copper-clad laminate in which a copper foil 12A is laminated on one surface 11a of a first insulating substrate 11 made of polyimide or the like is used as a starting material. And
Next, the copper foil 12A on one side of the single-sided copper-clad laminate is patterned to form a wiring circuit 12 on one surface 11a of the first insulating substrate 11, as shown in FIG. The patterning of the copper foil 12A on one side of the single-sided copper-clad laminate is performed, for example, by forming a mask pattern on the surface of the copper foil 12A by photolithography and then etching the copper foil 12A.

次いで、図4に示すように、第一絶縁基板11の他方の面11bに、加熱反応型の接着剤からなる第一接着層41を積層する。  Next, as shown in FIG. 4, a first adhesive layer 41 made of a heat-reactive adhesive is laminated on the other surface 11 b of the first insulating substrate 11.

次いで、図5に示すように、第一接着層41の所定位置にレーザ等を用いて、第一接着層41の厚さ方向に貫通孔17を形成し、続いて、第一接着層41が積層された第一絶縁基板11の所定位置にレーザ等を用いて、貫通孔17と連続して、第一絶縁基板11の厚さ方向に貫通孔18を形成する。貫通孔17と、これに連続する貫通孔18とにより、第一接着層41の他方の面41bから配線回路12が露呈する。  Next, as shown in FIG. 5, a through hole 17 is formed in the thickness direction of the first adhesive layer 41 using a laser or the like at a predetermined position of the first adhesive layer 41, and then the first adhesive layer 41 is Using a laser or the like at a predetermined position of the laminated first insulating substrate 11, a through hole 18 is formed in the thickness direction of the first insulating substrate 11 continuously with the through hole 17. The wiring circuit 12 is exposed from the other surface 41 b of the first adhesive layer 41 by the through hole 17 and the through hole 18 continuing to the through hole 17.

次いで、図6に示すように、第一絶縁基板11に形成された貫通孔18内をメッキ処理することにより、貫通孔18の内部に、第一接着層41に形成された貫通孔17との境界まで銅等の導電体を充填し、第二金属部16を形成する。このとき、第二金属部16における第一金属部15が設けられる側(図6における下側)の内側面部16aが弧状をなすようにする。貫通孔18の内部に、第二金属部16を形成するためのメッキ処理としては、ビアフィルメッキ法を用いることが好ましい。
また、第二金属部16の形成とともに、メッキ処理により、配線回路12の一方の面12a上にメッキ層13を形成する。
Next, as shown in FIG. 6, by plating the inside of the through hole 18 formed in the first insulating substrate 11, the inside of the through hole 18 is connected to the through hole 17 formed in the first adhesive layer 41. The second metal portion 16 is formed by filling a conductor such as copper up to the boundary. At this time, the inner side surface portion 16a on the side where the first metal portion 15 is provided in the second metal portion 16 (the lower side in FIG. 6) is formed in an arc shape. As a plating process for forming the second metal portion 16 inside the through hole 18, a via fill plating method is preferably used.
In addition to the formation of the second metal portion 16, the plating layer 13 is formed on the one surface 12a of the wiring circuit 12 by plating.

次いで、図7に示すように、第一接着層41に形成された貫通孔17の内部に、第二金属部16に連続するように導電性ペーストを充填し、第一金属部15を形成する。これにより、第一金属部15と第二金属部16とからなる層間接続部14を形成する。  Next, as shown in FIG. 7, the inside of the through-hole 17 formed in the first adhesive layer 41 is filled with a conductive paste so as to be continuous with the second metal portion 16, thereby forming the first metal portion 15. . As a result, the interlayer connection portion 14 composed of the first metal portion 15 and the second metal portion 16 is formed.

(第二配線基材の製造工程)
第二配線基材20は、第一配線基材10と同様に製造される。
(Second wiring substrate manufacturing process)
The second wiring substrate 20 is manufactured in the same manner as the first wiring substrate 10.

(第三配線基材の製造工程)
第三配線基材30は、第一配線基材10と同様にして、第三絶縁基板31の一方の面31aに配線回路32を形成することにより製造される。
(Third wiring substrate manufacturing process)
The third wiring substrate 30 is manufactured by forming a wiring circuit 32 on one surface 31 a of the third insulating substrate 31 in the same manner as the first wiring substrate 10.

(積層工程)
積層工程では、上述のように形成された第一配線基材10、第二配線基材20および第三配線基材30を厚さ方向に重ね合わせて積層する。
積層工程では、図8に示すように、第一絶縁基板11の他方の面11bに積層された第一接着層41と、第二絶縁基板21の一方の面21aとを対向させた状態で、第二配線基材20の一方側(図8における上側)に第一配線基材10を配置する。また、第二絶縁基板21の他方の面21bに積層された第二接着層51と、第三絶縁基板31の一方の面31aとを対向させた状態で、第三配線基材30の一方側(図8における上側)に第二配線基材20を配置する。そして、第一配線基材10、第二配線基材20および第三配線基材30の位置を互いに合わせながら、加熱プレスを行う。
(Lamination process)
In the laminating step, the first wiring substrate 10, the second wiring substrate 20, and the third wiring substrate 30 formed as described above are stacked in the thickness direction and stacked.
In the stacking step, as shown in FIG. 8, the first adhesive layer 41 stacked on the other surface 11 b of the first insulating substrate 11 and the one surface 21 a of the second insulating substrate 21 face each other. The first wiring substrate 10 is disposed on one side (the upper side in FIG. 8) of the second wiring substrate 20. Also, one side of the third wiring substrate 30 with the second adhesive layer 51 laminated on the other surface 21b of the second insulating substrate 21 and the one surface 31a of the third insulating substrate 31 facing each other. The second wiring substrate 20 is disposed (upper side in FIG. 8). Then, heating press is performed while aligning the positions of the first wiring substrate 10, the second wiring substrate 20, and the third wiring substrate 30 with each other.

積層工程により、第一絶縁基板11の他方の面11bに積層された第一接着層41が、第二配線基材20と密着して積層され、第二絶縁基板21の他方の面21bに積層された第二接着層51が、第三配線基材30と密着して積層される。さらに、第一配線基材10の層間接続部14が、第二配線基材20の配線回路22に電気的に接続されるとともに、第二配線基材20の層間接続部24が、第三配線基材30の配線回路32に電気的に接続される。すなわち、第一配線基材10の導電回路12、第二配線基材20の導電回路22および第三配線基材30の導電回路32の各導電回路が電気的に接続された状態となる。
積層工程により各配線基板が積層され、図1に示す配線基板1が形成された時点で、配線基板1の全ての製造工程が完了する。
In the laminating step, the first adhesive layer 41 laminated on the other surface 11 b of the first insulating substrate 11 is laminated in close contact with the second wiring substrate 20 and laminated on the other surface 21 b of the second insulating substrate 21. The made second adhesive layer 51 is laminated in close contact with the third wiring substrate 30. Further, the interlayer connection portion 14 of the first wiring substrate 10 is electrically connected to the wiring circuit 22 of the second wiring substrate 20, and the interlayer connection portion 24 of the second wiring substrate 20 is electrically connected to the third wiring. It is electrically connected to the wiring circuit 32 of the base material 30. That is, the conductive circuits 12 of the first wiring substrate 10, the conductive circuits 22 of the second wiring substrate 20, and the conductive circuits 32 of the third wiring substrate 30 are electrically connected.
When the wiring boards are laminated by the lamination process and the wiring board 1 shown in FIG. 1 is formed, all the manufacturing processes of the wiring board 1 are completed.

第一配線基材10を構成する第一絶縁基板11の貫通孔18の内部に、メッキ処理により、第一接着層41の貫通孔17との境界まで銅等の導電体を充填して、第二金属部16を形成するので、貫通孔17の内部への導電性ペーストの充填が容易となり、導電性ペーストの充填不足を引き起こすことなく、第一金属部15を形成し、電気的信頼性に優れる層間接続部14を容易に形成することができる。また、メッキ処理により第二金属部16を形成し、導電性ペーストにより第一金属部15を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、低コスト化を図ることができる。
また、メッキ処理と導電性ペーストにより、層間接続部14を形成するので、メッキ処理のみで層間接続部を形成した場合よりも、安価に配線基板1を形成することができる。また、導電性ペーストを充填する貫通孔17の内壁面には、コロイド処理などの前処理が不要となる。
さらに、貫通孔18に対するメッキ処理において、ビアフィルメッキ法を用いることにより、第二金属部16における第一金属部15側の内側面部を、容易に弧状に形成することができる。
なお、第二配線基材20の製造においても同様の効果が得られる。
The inside of the through hole 18 of the first insulating substrate 11 constituting the first wiring substrate 10 is filled with a conductor such as copper up to the boundary with the through hole 17 of the first adhesive layer 41 by plating. Since the bimetallic part 16 is formed, the conductive paste can easily be filled into the through-hole 17, and the first metallic part 15 can be formed without causing insufficient filling of the conductive paste, thereby improving electrical reliability. An excellent interlayer connection portion 14 can be easily formed. Moreover, since the 2nd metal part 16 is formed by a plating process and the 1st metal part 15 is formed with an electrically conductive paste, since the usage-amount of an electrically conductive paste can be reduced, cost reduction can be achieved.
Moreover, since the interlayer connection portion 14 is formed by plating and conductive paste, the wiring substrate 1 can be formed at a lower cost than when the interlayer connection is formed only by plating. Further, the inner wall surface of the through-hole 17 filled with the conductive paste does not require pretreatment such as colloid treatment.
Further, in the plating process for the through hole 18, by using the via fill plating method, the inner side surface portion on the first metal portion 15 side in the second metal portion 16 can be easily formed in an arc shape.
The same effect can be obtained in the production of the second wiring substrate 20.

<第二実施形態>
(配線基板)
図9は、本実施形態の配線基板100を示す概略側面断面図である。なお、図面は模式的なものであり、各層の厚みやその比率などは現実のものとは異なっている。
図9に示すように、本実施形態の配線基板100は、絶縁基板が複数枚(本実施形態では3枚)積層されて形成されている。
具体的には、配線基板100は、第一絶縁基板111およびその一方の面(図9における上側)111a上に配線回路112を有する第一配線基材110と、第二絶縁基板121およびその一方の面(図9における上側)121a上に配線回路122を有する第二配線基材120と、第三絶縁基板131および一方の面(図9における上側)131aに配線回路132を有する第三絶配線基板130とが、第一接着層141、第二接着層151を介して積層されて形成されている。
<Second embodiment>
(Wiring board)
FIG. 9 is a schematic side sectional view showing the wiring board 100 of the present embodiment. The drawings are schematic, and the thicknesses and ratios of the layers are different from actual ones.
As shown in FIG. 9, the wiring board 100 of this embodiment is formed by laminating a plurality of insulating substrates (three in this embodiment).
Specifically, the wiring board 100 includes a first wiring substrate 110 having a wiring circuit 112 on a first insulating substrate 111 and one surface (upper side in FIG. 9) 111a, a second insulating substrate 121, and one of them. The second wiring substrate 120 having the wiring circuit 122 on the surface (upper side in FIG. 9), the third insulation wiring having the wiring circuit 132 on the third insulating substrate 131 and one surface (upper side in FIG. 9) 131a. A substrate 130 is formed by being laminated via a first adhesive layer 141 and a second adhesive layer 151.

第一配線基材110は、可撓性を有するポリイミド等の絶縁性樹脂により形成された第一絶縁基板111を備えている。また、第一絶縁基板111の一方の面(図9における上側)111a上には、シード層113を介して配線回路112が形成されている。配線回路112は、銅メッキ等からなるメッキ層で形成されている。
第一絶縁基板111の他方の面(図9における下側)111b上には、加熱反応型の接着剤からなる第一接着層141が設けられている。
The first wiring substrate 110 includes a first insulating substrate 111 formed of an insulating resin such as polyimide having flexibility. A wiring circuit 112 is formed on one surface (upper side in FIG. 9) 111 a of the first insulating substrate 111 via a seed layer 113. The wiring circuit 112 is formed of a plating layer made of copper plating or the like.
On the other surface (lower side in FIG. 9) 111b of the first insulating substrate 111, a first adhesive layer 141 made of a heat-reactive adhesive is provided.

第一絶縁基板111および第一接着層141には、第一絶縁基板111および第一接着層141に内在され、第一絶縁基板111および第一接着層141を厚さ方向に貫通し、配線回路112に接して第一接着層141の一方の面(第一絶縁基板111と接する面、図9における上側)141aとは反対側の面(他方の面、図9における下側)141bに露呈する層間接続部114が形成されている。
層間接続部114は、第一接着層141の他方の面141bに露呈する第一金属部115と、第一金属部115と連続し、第一金属部115と配線回路112とを電気的に接続する第二金属部116とで形成されている。第一金属部115は、第一接着層141に形成された貫通孔117内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部116は、第一絶縁基板111に形成された貫通孔118内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部116における第一金属部115側の内側面部116aは、第一金属部115側に延在し、かつ、弧状をなしている。
The first insulating substrate 111 and the first adhesive layer 141 are included in the first insulating substrate 111 and the first adhesive layer 141, penetrate the first insulating substrate 111 and the first adhesive layer 141 in the thickness direction, and are connected to the wiring circuit. 112 is exposed to one surface (the surface in contact with the first insulating substrate 111, upper side in FIG. 9) 141a opposite to the first surface (the other surface, lower side in FIG. 9) 141b of the first adhesive layer 141. Interlayer connection 114 is formed.
The interlayer connection part 114 is continuous with the first metal part 115 exposed to the other surface 141b of the first adhesive layer 141 and the first metal part 115, and electrically connects the first metal part 115 and the wiring circuit 112. The second metal portion 116 is formed. The first metal part 115 is formed by filling a conductive paste made of a material used for solder or the like into the through hole 117 formed in the first adhesive layer 141. The second metal portion 116 is formed by plating a metal such as copper in the through hole 118 formed in the first insulating substrate 111. Moreover, the inner side surface part 116a on the first metal part 115 side in the second metal part 116 extends to the first metal part 115 side and has an arc shape.

第二配線基材120は、可撓性を有するポリイミド等の絶縁性樹脂により形成された第二絶縁基板121を備えている。また、第二絶縁基板121の一方の面(図9における上側)121a上には、シード層123を介して配線回路122が形成されている。配線回路122は、銅メッキ等からなるメッキ層で形成されている。
第二絶縁基板121の他方の面(図9における下側)121b上には、加熱反応型の接着剤からなる第二接着層151が設けられている。
The second wiring substrate 120 includes a second insulating substrate 121 formed of an insulating resin such as flexible polyimide. A wiring circuit 122 is formed on one surface (upper side in FIG. 9) 121a of the second insulating substrate 121 with a seed layer 123 interposed therebetween. The wiring circuit 122 is formed of a plating layer made of copper plating or the like.
On the other surface (lower side in FIG. 9) 121b of the second insulating substrate 121, a second adhesive layer 151 made of a heat-reactive adhesive is provided.

第二絶縁基板121および第二接着層151には、第二絶縁基板121および第二接着層151に内在され、第二絶縁基板121および第二接着層151を厚さ方向に貫通し、配線回路122に接して第二接着層151の一方の面(第二絶縁基板121と接する面、図9における上側)151aとは反対側の面(他方の面、図9における下側)151bに露呈する層間接続部124が形成されている。
層間接続部124は、第二接着層151の他方の面151bに露呈する第一金属部125と、第一金属部125と連続し、第一金属部125と配線回路122とを電気的に接続する第二金属部126とで形成されている。第一金属部125は、第二接着層151に形成された貫通孔127内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部126は、第二絶縁基板121に形成された貫通孔128内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部126における第一金属部125側の内側面部126aは、第一金属部125側に延在し、かつ、弧状をなしている。
The second insulating substrate 121 and the second adhesive layer 151 are embedded in the second insulating substrate 121 and the second adhesive layer 151, penetrate the second insulating substrate 121 and the second adhesive layer 151 in the thickness direction, and the wiring circuit 122 is exposed to one surface (the surface contacting the second insulating substrate 121, the upper side in FIG. 9) 151a opposite to the other surface (the other surface, the lower side in FIG. 9) 151b of the second adhesive layer 151. An interlayer connection 124 is formed.
The interlayer connection part 124 is continuous with the first metal part 125 exposed to the other surface 151 b of the second adhesive layer 151 and the first metal part 125, and electrically connects the first metal part 125 and the wiring circuit 122. The second metal portion 126 is formed. The first metal portion 125 is formed by filling a conductive paste made of a material used for solder or the like into the through hole 127 formed in the second adhesive layer 151. The second metal portion 126 is formed by plating a metal such as copper in the through hole 128 formed in the second insulating substrate 121. Moreover, the inner side surface 126a on the first metal portion 125 side in the second metal portion 126 extends to the first metal portion 125 side and has an arc shape.

第三配線基材130は、可撓性を有するポリイミド等の絶縁性樹脂により形成された第三絶縁基板131を備えている。また、第三絶縁基板131の一方の面(図9における上側)131a上には、配線回路132が形成されている。配線回路132は、銅等の導電性の高い金属により形成されている。  The third wiring substrate 130 includes a third insulating substrate 131 formed of an insulating resin such as flexible polyimide. A wiring circuit 132 is formed on one surface (the upper side in FIG. 9) 131a of the third insulating substrate 131. The wiring circuit 132 is formed of a highly conductive metal such as copper.

層間接続部114により、第一絶縁基板111の一方の面111a上の配線回路112と、第二絶縁基板121の一方の面121a上の配線回路122とが電気的に接続されている。また、層間接続部124により、第二絶縁基板121の一方の面121a上の配線回路122と、第三絶縁基板131の一方の面131a上の配線回路132とが電気的に接続されている。  The wiring circuit 112 on the one surface 111 a of the first insulating substrate 111 and the wiring circuit 122 on the one surface 121 a of the second insulating substrate 121 are electrically connected by the interlayer connection portion 114. Further, the interconnect circuit 124 electrically connects the wiring circuit 122 on the one surface 121 a of the second insulating substrate 121 and the wiring circuit 132 on the one surface 131 a of the third insulating substrate 131.

層間接続部114は、メッキ処理で形成された第二金属部116と、第二金属部116と連続し、導電性ペーストの充填により形成された第一金属部115とから構成されるので、貫通孔117に対して導電性ペーストが十分に充填され、層間接続部114の電気的信頼性が向上する。また、層間接続部124は、メッキ処理で形成された第二金属部126と、第二金属部126と連続し、導電性ペーストの充填により形成された第一金属部125とから構成されるので、貫通孔127に対して導電性ペーストが十分に充填され、層間接続部124の電気的信頼性が向上する。
また、第二金属部116における第一金属部115側の内側面部116aが、第一金属部115側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部115と第二金属部116の接触面積が大きくなり、第一金属部115と第二金属部116の接続信頼性が向上する。また、第二金属部126における第一金属部125側の内側面部126aが、第一金属部125側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部125と第二金属部126の接触面積が大きくなり、第一金属部125と第二金属部126の接続信頼性が向上する。
また、メッキ処理により第二金属部116を形成し、導電性ペーストにより第一金属部115を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、層間接続部114自体の体積抵抗値を低くすることができる。したがって、配線基板100は、高速伝送時の伝送特性の劣化が少なく、高速伝送に好適に用いられる。
Since the interlayer connection portion 114 includes a second metal portion 116 formed by plating and a first metal portion 115 that is continuous with the second metal portion 116 and formed by filling with a conductive paste, The hole 117 is sufficiently filled with the conductive paste, and the electrical reliability of the interlayer connection 114 is improved. Further, the interlayer connection portion 124 includes a second metal portion 126 formed by plating, and a first metal portion 125 that is continuous with the second metal portion 126 and formed by filling with a conductive paste. The through-hole 127 is sufficiently filled with the conductive paste, and the electrical reliability of the interlayer connection 124 is improved.
Moreover, since the inner side surface part 116a by the side of the 1st metal part 115 in the 2nd metal part 116 is extended in the 1st metal part 115 side, and has comprised arc shape, the 1st metal part 115 and the 2nd metal part The contact area of 116 is increased, and the connection reliability between the first metal part 115 and the second metal part 116 is improved. Moreover, since the inner side surface 126a on the first metal portion 125 side in the second metal portion 126 extends to the first metal portion 125 side and has an arc shape, the first metal portion 125 and the second metal portion The contact area of 126 increases, and the connection reliability between the first metal part 125 and the second metal part 126 is improved.
In addition, since the second metal portion 116 is formed by plating and the first metal portion 115 is formed by the conductive paste, the amount of the conductive paste used can be reduced, so that the volume resistance value of the interlayer connection portion 114 itself is reduced. can do. Accordingly, the wiring board 100 is suitably used for high-speed transmission with little deterioration in transmission characteristics during high-speed transmission.

(配線基板の製造方法)
次に、配線基板100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
なお、配線基板100の製造方法は特に限定されないが、配線基板100は、一例として以下に示す各工程を経て製造される。
(Method for manufacturing a wiring board)
Next, a method for manufacturing the wiring board 100 will be described with reference to the drawings.
In addition, although the manufacturing method of the wiring board 100 is not specifically limited, The wiring board 100 is manufactured through each process shown below as an example.

(第一配線基材の製造工程)
第一配線基材110の製造工程では、まず、図10に示すように、ポリイミド等からなる第一絶縁基板111の一方の面111aにシード層113を形成する。
(First wiring substrate manufacturing process)
In the manufacturing process of the first wiring substrate 110, first, as shown in FIG. 10, a seed layer 113 is formed on one surface 111a of the first insulating substrate 111 made of polyimide or the like.

次いで、図11に示すように、シード層113の一方の面(図11における上側)113a上に、フォトリソグラフィ技術により、所定の配線回路形状にパターニングされたメッキレジスト層161を形成する。  Next, as shown in FIG. 11, a plating resist layer 161 patterned into a predetermined wiring circuit shape is formed on one surface (upper side in FIG. 11) 113a of the seed layer 113 by photolithography.

次いで、図12に示すように、第一絶縁基板111の他方の面111bに、加熱反応型の接着剤からなる第一接着層141を積層する。  Next, as shown in FIG. 12, a first adhesive layer 141 made of a heat-reactive adhesive is laminated on the other surface 111 b of the first insulating substrate 111.

次いで、図13に示すように、第一接着層141の所定位置にレーザ等を用いて、第一接着層141の厚さ方向に貫通孔117を形成し、続いて、第一接着層141が積層された第一絶縁基板111の所定位置にレーザ等を用いて、貫通孔117と連続して、第一絶縁基板111の厚さ方向に貫通孔118を形成する。貫通孔117と、これに連続する貫通孔118とにより、第一接着層141の他方の面141bからシード層113が露呈する。  Next, as shown in FIG. 13, a through hole 117 is formed in the thickness direction of the first adhesive layer 141 using a laser or the like at a predetermined position of the first adhesive layer 141, and then the first adhesive layer 141 is Using a laser or the like at a predetermined position of the laminated first insulating substrate 111, a through hole 118 is formed in the thickness direction of the first insulating substrate 111 continuously with the through hole 117. The seed layer 113 is exposed from the other surface 141b of the first adhesive layer 141 by the through hole 117 and the through hole 118 continuous therewith.

次いで、図14に示すように、第一絶縁基板111に形成された貫通孔118内をメッキ処理することにより、貫通孔118の内部に、第一接着層141に形成された貫通孔117との境界まで銅等の導電体を充填し、第二金属部116を形成する。このとき、第二金属部116における第一金属部115が設けられる側(図14における下側)の内側面部116aが弧状をなすようにする。貫通孔118の内部に、第二金属部116を形成するためのメッキ処理としては、ビアフィルメッキ法を用いることが好ましい。
また、第二金属部116の形成とともに、メッキ処理により、メッキレジスト層161の開口部161a内に銅等の導電体を充填し、シード層113の一方の面113a上に、配線回路112を形成する。
Next, as shown in FIG. 14, by plating the inside of the through hole 118 formed in the first insulating substrate 111, the inside of the through hole 118 is connected to the through hole 117 formed in the first adhesive layer 141. A conductor such as copper is filled up to the boundary to form the second metal portion 116. At this time, the inner side surface portion 116a on the side (the lower side in FIG. 14) where the first metal portion 115 is provided in the second metal portion 116 is formed in an arc shape. As a plating process for forming the second metal portion 116 inside the through hole 118, it is preferable to use a via fill plating method.
In addition to the formation of the second metal portion 116, a conductor such as copper is filled in the opening 161 a of the plating resist layer 161 by plating, and the wiring circuit 112 is formed on the one surface 113 a of the seed layer 113. To do.

次いで、図15に示すように、メッキレジスト層161を除去する。
次いで、図16に示すように、第一絶縁基板111の一方の面111a上に露呈しているシード層113を除去する。
Next, as shown in FIG. 15, the plating resist layer 161 is removed.
Next, as shown in FIG. 16, the seed layer 113 exposed on the one surface 111a of the first insulating substrate 111 is removed.

次いで、図17に示すように、第一接着層141に形成された貫通孔117の内部に、第二金属部116に連続するように導電性ペーストを充填し、第一金属部115を形成する。これにより、第一金属部115と第二金属部116とからなる層間接続部114を形成する。  Next, as shown in FIG. 17, the inside of the through hole 117 formed in the first adhesive layer 141 is filled with a conductive paste so as to be continuous with the second metal portion 116, thereby forming the first metal portion 115. . As a result, the interlayer connection portion 114 composed of the first metal portion 115 and the second metal portion 116 is formed.

(第二配線基材の製造工程)
第二配線基材120は、第一配線基材110と同様に製造される。
(Second wiring substrate manufacturing process)
The second wiring substrate 120 is manufactured in the same manner as the first wiring substrate 110.

(第三配線基材の製造工程)
第三配線基材130は、第一配線基材110と同様にして、第三絶縁基板131の一方の面131aに配線回路132を形成することにより製造される。
(Third wiring substrate manufacturing process)
The third wiring substrate 130 is manufactured by forming a wiring circuit 132 on one surface 131 a of the third insulating substrate 131 in the same manner as the first wiring substrate 110.

(積層工程)
積層工程では、上述のように形成された第一配線基材110、第二配線基材120および第三配線基材130を厚さ方向に重ね合わせて積層する。
積層工程では、図18に示すように、第一絶縁基板111の他方の面111bに積層された第一接着層141と、第二絶縁基板121の一方の面121aとを対向させた状態で、第二配線基材120の一方側(図18における上側)に第一配線基材110を配置する。また、第二絶縁基板121の他方の面121bに積層された第二接着層151と、第三絶縁基板131の一方の面131aとを対向させた状態で、第三配線基材130の一方側(図18における上側)に第二配線基材120を配置する。そして、第一配線基材110、第二配線基材120および第三配線基材130の位置を互いに合わせながら、加熱プレスを行う。
(Lamination process)
In the laminating step, the first wiring base 110, the second wiring base 120, and the third wiring base 130 formed as described above are stacked in the thickness direction.
In the stacking step, as shown in FIG. 18, the first adhesive layer 141 stacked on the other surface 111b of the first insulating substrate 111 and the one surface 121a of the second insulating substrate 121 face each other. The first wiring substrate 110 is disposed on one side (the upper side in FIG. 18) of the second wiring substrate 120. Also, one side of the third wiring substrate 130 with the second adhesive layer 151 laminated on the other surface 121b of the second insulating substrate 121 and the one surface 131a of the third insulating substrate 131 facing each other. The second wiring substrate 120 is disposed on the upper side in FIG. Then, heating press is performed while aligning the positions of the first wiring substrate 110, the second wiring substrate 120, and the third wiring substrate 130 with each other.

積層工程により、第一絶縁基板111の他方の面111bに積層された第一接着層141が、第二配線基材120と密着して積層され、第二絶縁基板121の他方の面121bに積層された第二接着層151が、第三配線基材130と密着して積層される。さらに、第一配線基材110の層間接続部114が、第二配線基材120の配線回路122に電気的に接続されるとともに、第二配線基材120の層間接続部124が、第三配線基材130の配線回路132に電気的に接続される。すなわち、第一配線基材110の導電回路112、第二配線基材120の導電回路122および第三配線基材130の導電回路132の各導電回路が電気的に接続された状態となる。
積層工程により各配線基板が積層され、図9に示す配線基板1が形成された時点で、配線基板9の全ての製造工程が完了する。
In the laminating process, the first adhesive layer 141 laminated on the other surface 111b of the first insulating substrate 111 is laminated in close contact with the second wiring substrate 120 and laminated on the other surface 121b of the second insulating substrate 121. The second adhesive layer 151 thus made is laminated in close contact with the third wiring substrate 130. Furthermore, the interlayer connection 114 of the first wiring substrate 110 is electrically connected to the wiring circuit 122 of the second wiring substrate 120, and the interlayer connection 124 of the second wiring substrate 120 is connected to the third wiring. It is electrically connected to the wiring circuit 132 of the base material 130. That is, the conductive circuits 112 of the first wiring substrate 110, the conductive circuits 122 of the second wiring substrate 120, and the conductive circuits 132 of the third wiring substrate 130 are electrically connected.
When the wiring boards are laminated by the lamination process and the wiring board 1 shown in FIG. 9 is formed, all the manufacturing processes of the wiring board 9 are completed.

第一配線基材110を構成する第一絶縁基板111の貫通孔118の内部に、メッキ処理により、第一接着層141の貫通孔117との境界まで銅等の導電体を充填して、第二金属部116を形成するので、貫通孔117の内部への導電性ペーストの充填が容易となり、導電性ペーストの充填不足を引き起こすことなく、第一金属部115を形成し、電気的信頼性に優れる層間接続部114を容易に形成することができる。また、メッキ処理により第二金属部116を形成し、導電性ペーストにより第一金属部115を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、低コスト化を図ることができる。
また、メッキ処理と導電性ペーストにより、層間接続部114を形成するので、メッキ処理のみで層間接続部を形成した場合よりも、安価に配線基板100を形成することができる。また、導電性ペーストを充填する貫通孔117の内壁面には、コロイド処理などの前処理が不要となる。
さらに、貫通孔118に対するメッキ処理において、ビアフィルメッキを用いることにより、第二金属部116における第一金属部115側の内側面部を、容易に弧状に形成することができる。
なお、第二配線基材120の製造においても同様の効果が得られる。
The inside of the through hole 118 of the first insulating substrate 111 constituting the first wiring substrate 110 is filled with a conductor such as copper to the boundary with the through hole 117 of the first adhesive layer 141 by plating, Since the bimetallic part 116 is formed, it is easy to fill the inside of the through hole 117 with the conductive paste, and the first metal part 115 is formed without causing insufficient filling of the conductive paste. The excellent interlayer connection 114 can be easily formed. In addition, since the second metal portion 116 is formed by plating and the first metal portion 115 is formed by a conductive paste, the amount of the conductive paste used can be reduced, so that the cost can be reduced.
Further, since the interlayer connection 114 is formed by plating and conductive paste, the wiring substrate 100 can be formed at a lower cost than when the interlayer connection is formed only by plating. Further, the inner wall surface of the through-hole 117 filled with the conductive paste does not require pretreatment such as colloid treatment.
Further, by using via fill plating in the plating process for the through hole 118, the inner side surface of the second metal portion 116 on the first metal portion 115 side can be easily formed in an arc shape.
In addition, the same effect is acquired also in manufacture of the 2nd wiring base material 120.

1 配線基板、10 第一配線基材、11 第一絶縁基板、12 配線回路、13 メッキ層、14 層間接続部、15 第一金属部、16 第二金属部、17,18 貫通孔、20 第二配線基材、21 第二絶縁基板、22 配線回路、23 メッキ層、24 層間接続部、25 第一金属部、26 第二金属部、27,28 貫通孔、30 第三配線基材、31 第三絶縁基板、32 配線回路、41 第一接着層、51 第二接着層、100 配線基板、110 第一配線基材、111 第一絶縁基板、112 配線回路、113 シード層、114 層間接続部、115 第一金属部、116 第二金属部、117,118 貫通孔、120 第二配線基材、121 第二絶縁基板、122 配線回路、123 シード層、124 層間接続部、125 第一金属部、126 第二金属部、127,128 貫通孔、130 第三配線基材、131 第三絶縁基板、132 配線回路、141 第一接着層、151 第二接着層、161 メッキレジスト層。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board, 10 1st wiring base material, 11 1st insulated substrate, 12 Wiring circuit, 13 Plating layer, 14 Interlayer connection part, 15 1st metal part, 16 2nd metal part, 17, 18 Through-hole, 20th Two wiring base materials, 21 Second insulating substrate, 22 Wiring circuit, 23 Plating layer, 24 Interlayer connection portion, 25 First metal portion, 26 Second metal portion, 27, 28 Through hole, 30 Third wiring base material, 31 Third insulating substrate, 32 wiring circuit, 41 first adhesive layer, 51 second adhesive layer, 100 wiring substrate, 110 first wiring substrate, 111 first insulating substrate, 112 wiring circuit, 113 seed layer, 114 interlayer connection 115, first metal part, 116 second metal part, 117, 118 through hole, 120 second wiring substrate, 121 second insulating substrate, 122 wiring circuit, 123 seed layer, 124 interlayer connection part, 125 first Metal portion, 126 the second metal portion, 127 and 128 through hole, 130 a third wiring substrate, 131 the third insulating substrate, 132 a wiring circuit, 141 first adhesive layer, 151 Second adhesive layer, 161 a plating resist layer.

Claims (5)

絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に設けられた配線回路と、前記絶縁基板に内在され、前記配線回路に接して前記絶縁基板の他方の面に露呈する層間接続部と、を備えた配線基板であって、
前記層間接続部は、前記絶縁基板の他方の面に露呈する第一金属部と、前記第一金属部と前記配線回路とを電気的に接続する第二金属部と、から構成され、
前記第一金属部は導電性ペースト、前記第二金属部はメッキであることを特徴とする配線基板。
An insulating substrate; a wiring circuit provided on one surface of the insulating substrate; and an interlayer connection portion that is embedded in the insulating substrate and is exposed to the other surface of the insulating substrate in contact with the wiring circuit. A wiring board,
The interlayer connection portion is composed of a first metal portion exposed on the other surface of the insulating substrate, and a second metal portion that electrically connects the first metal portion and the wiring circuit,
The wiring board according to claim 1, wherein the first metal part is a conductive paste, and the second metal part is a plating.
前記第二金属部における前記第一金属部側の内側面部は、前記第一金属部側に延在し、かつ、弧状をなしていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。  2. The wiring board according to claim 1, wherein an inner side surface portion of the second metal portion on the first metal portion side extends toward the first metal portion and has an arc shape. 絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に設けられた配線回路と、前記絶縁基板に内在され、前記配線回路に接して前記絶縁基板の他方の面に露呈する層間接続部と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の一方の面に導電層を備えた基材を用い、前記絶縁基板に、前記絶縁基板の他方の面から前記導電層が露呈する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔が形成された絶縁基板の貫通孔内部に、前記貫通孔の途中までメッキ法により第二金属を充填する工程と、
前記貫通孔にメッキ法により第二金属を充填した後、前記貫通孔の残りの内部空間に、第一金属からなる導電性ペーストを充填する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
An insulating substrate; a wiring circuit provided on one surface of the insulating substrate; and an interlayer connection portion that is embedded in the insulating substrate and is exposed to the other surface of the insulating substrate in contact with the wiring circuit. A method for manufacturing a wiring board, comprising:
Using a base material provided with a conductive layer on one surface of the insulating substrate, and forming a through hole in the insulating substrate through which the conductive layer is exposed from the other surface of the insulating substrate;
Filling the inside of the through-hole of the insulating substrate in which the through-hole is formed with a second metal by plating to the middle of the through-hole, and
And filling the through hole with a second metal by a plating method, and then filling the remaining internal space of the through hole with a conductive paste made of the first metal. Method.
前記貫通孔に対するメッキをする工程は、ビアフィルメッキ法であることを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。  4. The method of manufacturing a wiring board according to claim 3, wherein the step of plating the through hole is a via fill plating method. 前記貫通孔に対するメッキをする工程は、貫通孔内に第二金属部を形成するとともに、前記絶縁基板の他方の面に、さらに別の導電部を形成することを特徴とする請求項3または4に記載の配線基板の製造方法。
5. The step of plating the through hole forms a second metal portion in the through hole and forms another conductive portion on the other surface of the insulating substrate. The manufacturing method of the wiring board as described in 2 ..
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